JP2010286675A - 磁気光学空間光変調器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】空間光変調器は、磁気光学効果により入射光の偏光方向に回転を与える多数の画素を備えている磁気光学層10と、各画素に個別に応力を印加する多数の応力付与要素を備えている圧電層12を具備している。磁気光学層は、非磁性基板16に磁性膜からなる画素14が縦横規則的に配列された2次元アレイ構造であり、圧電層は、基板側に位置し反射膜を兼ねる下部電極20、圧電素子層22、上部電極24が順に積層され、下部電極と上部電極が画素の部分で交差して応力付与要素を形成するマトリックス配線方式である。ここで各画素となる磁性層は、その膜厚が0.3〜2.2μmに設定されている。
【選択図】図1
Description
12 圧電層
14 画素
16 非磁性基板
20 下部電極
22 圧電素子層
24 上部電極
Claims (4)
- それぞれ独立に磁化方向を設定可能で、磁気光学効果により入射光の偏光方向に回転を与える多数の画素を備えている磁気光学層と、変形することで前記の各画素に個別に応力を印加する多数の応力付与要素を備えている圧電層とを具備している空間光変調器において、
前記磁気光学層は、非磁性基板に磁性膜からなる多数の画素が縦横規則的に配列された2次元アレイ構造であり、前記圧電層は、基板側に位置し反射膜を兼ねる下部電極、圧電素子層、上部電極がその順序で積層され、下部電極は画素アレイの一方向の画素列に対応するように行数分だけ並設され、上部電極は下部電極と直交する方向の画素行に対応するように列数分だけ並設され、それらが画素の部分で交差して応力付与要素を形成するマトリックス配線方式であって、各画素を形成する磁性層は、その膜厚が0.3〜2.2μmに設定されていることを特徴とする磁気光学空間光変調器。 - 各画素を形成する磁性層の膜厚が0.8〜1.5μmに設定されている請求項1記載の磁気光学空間光変調器。
- 下部電極は白金からなり、その膜厚が0.1〜0.5μmに設定されている請求項1又は2記載の磁気光学空間光変調器。
- 磁気光学層は、非磁性基板表面の画素形成位置に設けた凹部内に磁性膜が結晶成長的に基板と一体化した状態で埋設され、且つ基板表面が平坦化され、画素が凹部間の仕切り壁により互いに磁気的に分離されて形成される画素埋め込み構造であって、各画素は、面垂直方向または面内方向に磁化方向をもち、下部電極と上部電極とで圧電素子層に所定の電圧を印加することにより、圧電素子層が歪み、その歪みが目的とする画素に伝播し、当該画素の内部磁気スピンを回転させることで磁気光学効果が変化する請求項1乃至3のいずれかに記載の磁気光学空間光変調器。
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2009
- 2009-06-11 JP JP2009140510A patent/JP2010286675A/ja active Pending
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