WO2006092216A1 - Elektronikbaugruppe mit organischen logik-schaltelementen - Google Patents

Elektronikbaugruppe mit organischen logik-schaltelementen Download PDF

Info

Publication number
WO2006092216A1
WO2006092216A1 PCT/EP2006/001523 EP2006001523W WO2006092216A1 WO 2006092216 A1 WO2006092216 A1 WO 2006092216A1 EP 2006001523 W EP2006001523 W EP 2006001523W WO 2006092216 A1 WO2006092216 A1 WO 2006092216A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
signal
organic
electronic assembly
output
logic
Prior art date
Application number
PCT/EP2006/001523
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Andreas Ullmann
Alexander Knobloch
Merlin Welker
Walter Fix
Original Assignee
Polyic Gmbh & Co. Kg
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Polyic Gmbh & Co. Kg filed Critical Polyic Gmbh & Co. Kg
Priority to AT06707103T priority Critical patent/ATE505848T1/de
Priority to EP06707103A priority patent/EP1854214B1/de
Priority to DE502006009297T priority patent/DE502006009297D1/de
Priority to US11/817,258 priority patent/US7589553B2/en
Publication of WO2006092216A1 publication Critical patent/WO2006092216A1/de

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/173Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using elementary logic circuits as components
    • H03K19/1731Optimisation thereof
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/125Discriminating pulses
    • H03K5/1252Suppression or limitation of noise or interference

Definitions

  • the invention relates to an electronic module with two or more of organic components, in particular organic field effect transistors constructed logic switching elements, which are linked together to form a logic circuit.
  • Logic switching elements such as NAND gates, NOR gates or inverters are elementary components of a digital electronic circuit.
  • the switching speed of the digital circuit in this case depends significantly on the switching speed of the logic switching elements from which the digital electronic circuit is composed.
  • logic gates are realized by using n- and p-type transistors, which enables gates to be realized at a very high switching speed.
  • logic gates from organic components. Usually, a conventional resistor is used instead of the n-type transistor and the p-type transistors are replaced by organic field-effect transistors.
  • a disadvantage of these logic gates with organic field effect transistors is that they either have a low switching speed (if the charge transfer currents, ie the integrals under the current-voltage curve are very different) or can not be switched off (if the voltage swing in the current-voltage diagram to is low).
  • WO 2003/081 671 A3 proposes, in logic gates, the resistance through a second organic field-effect transistor to replace, which is used as a resistor.
  • organic field-effect transistors are used which have an extremely thin organic semiconductor layer (about 5 to 30 nm) or in which the conductivity of the organic semiconductor layer has been lowered by targeted treatment (for example hydrazine treatment and / or targeted oxidation) to the extent that the off-currents are only about one order of magnitude lower than the on-currents.
  • the invention is based on the object to further increase the achievable with a built-up of organic components digital circuit processing speed.
  • an electronic assembly with two or more organic logic elements, which are linked to one another to form a logic circuit, in which the logic circuit has at least one filter assembly, which has one with one of the organic logic components.
  • Switching elements connected input and an output and which filters out the signal interference generated by different signal delays in the organic components of the logic switching elements from the signal applied to the input and provides a regenerated binary signal at the output.
  • the invention is based on the recognition that synchronization problems arise when increasing the clock rate in more complex organic circuits in the connection of different signals that have been processed by different numbers of organic components.
  • the edges of one signal are offset in time from the other, resulting in a short-term linkage Disturbances in the combined output signal occur. These glitches are very disturbing for the further processing of the signal, as these errors then continue to accumulate and are interpreted as a result of erroneously as part of the useful signal.
  • These disturbances are removed by the filter assembly described above. This makes it possible to operate the digital circuit at a higher clock rate, thereby increasing the speed of information processing.
  • organic logic switching elements which are linked to the logic circuit, for example, organic logic gates such as AND gates, OR gates, NAND gates, NOR gates or inverters, but also more complex organic logic switching elements such as shift registers or Adder can be used.
  • organic logic gates such as AND gates, OR gates, NAND gates, NOR gates or inverters
  • complex organic logic switching elements such as shift registers or Adder
  • one or more filter assemblies are incorporated in the logic circuit, whereby an increase in the processing speed of the digital circuit can generally be achieved by increasing the number of filter assemblies used.
  • the filter assemblies may in this case be connected between two organic logic switching elements, so that both the input of the filter assembly and the output of the filter assembly is connected to a logic switching element.
  • it is also possible to arrange the filter assembly at an output of the logic circuit so that only the input of the filter assembly is connected to a logic switching element of the logic circuit and the output of the filter assembly is connected to an output of the logic circuit.
  • the filter assembly is connected to the output of an organic logic switching element, which logically combines a plurality of binary input signals generated via different branches of the logic circuit to form an output signal.
  • the filter assembly consists of a low-pass filter and a subsequent discretizing Amplifier circuit.
  • the low-pass filter is designed here for filtering out the interference peaks generated by different signal propagation times in the organic components of the preceding logic switching elements.
  • the low-pass filter is constructed as an RC low-pass filter and can thus be realized cost-effectively in an integrated circuit.
  • the filter assembly is constructed of organic components.
  • the filter assembly preferably consists of a resistor and a discretizing amplifier circuit made up of organic components.
  • the RC low pass is formed by the resistance and the input capacitance of the amplifier circuit.
  • the resistance and the gate-source capacitance of the first organic field effect transistor of the amplifier circuit in this case forms the RC low-pass filter.
  • the cut-off frequency of the low-pass filter is to be selected as a function of the perturbation peak generated by the different signal propagation times in the organic components of the logic switching elements. These depend on the one hand on the preceding logic switching elements and the combination of these logic switching elements and on the other hand on the clock frequency with which the logic circuit is operated, and can be determined for example by measurement or simulation. Such a filter assembly can be realized with a small number of components and can therefore be integrated into a logic circuit with little effort.
  • the filter assembly of several organic components is constructed, which are connected such that the filter assembly takes the level of the signal applied to the input only at certain predetermined by a separate clock signal timing to the output and for the rest of the time maintains the last previous level at the output.
  • the clock signal is in this case phase-shifted relative to the clock of the applied to the input of the filter module useful signal.
  • the phase shift is in this case selected so that the filter module at the time of adoption under no circumstances finds an interference signal at the input and thus assumes a correct signal level. This is then retained by the filter assembly for the remainder of the clock period, resulting in a signal at the output without spikes.
  • the phase shift of the separate clock signal with respect to the clock of the signal applied to the input is between 90 and 270 °, preferably about 180 °.
  • the phase shift is selected so that the interference pulses generated by different signal delays in the organic components of the preceding logic switching elements are spaced by at least 0.2 period lengths from the acquisition time. For this purpose, it is then necessary to determine the phase position of the interference pulses by measurement or by simulation and to select a phase shift of the separate clock signal, which corresponds to this relationship.
  • the separate clock signal for the filter assembly is preferably provided by a constructed from organic field effect transistors ring oscillator.
  • the separate clock signal is preferably provided by the ring oscillator, which generates the clock signal for the logic circuit.
  • the clock signal generated by the ring oscillator can be supplied via one or more series-connected delay components of the filter assembly to in this way the desired phase of the separate clock signal to the useful signal at the input of the filter assembly (due to the signal propagation times usually not with the phase of the ring oscillator generated by the clock signal for the logic circuit match).
  • the cost of the component can be further reduced in that the ring oscillator, which consists of a plurality of ring-connected organic switching elements, at a first output of a first switching element, the clock signal for the logic circuit is taken, and at an output of a second, the first switching element Switching element, the separate clock signal is removed for the filter assembly.
  • the ring oscillator which consists of a plurality of ring-connected organic switching elements, at a first output of a first switching element, the clock signal for the logic circuit is taken, and at an output of a second, the first switching element Switching element, the separate clock signal is removed for the filter assembly.
  • the electronic assembly according to the invention can be used for a variety of applications. Particularly noteworthy here is the use of the electronic assembly according to the invention as an RFID transponder or as a security element in particular for securing documents of value and goods.
  • the electronic assembly according to the invention is preferably in the form of a flexible film element which is connected by means of an adhesive layer to the object to be secured, for example a value document, such as a passport or a banknote.
  • FIG. 1 shows a schematic representation of an electronic assembly according to the invention.
  • FIG. 2 shows a circuit diagram of a filter assembly for the electronic assembly according to FIG. 1.
  • FIG. 3 shows a plurality of diagrams for clarifying the signal flow in the electronic module according to FIG. 1.
  • FIG. 4 shows a circuit diagram of a further embodiment of a filter assembly for the electronic assembly according to FIG. 1.
  • FIG. 5 shows several diagrams for clarifying the signal flow in FIG.
  • FIG. 6 shows a schematic representation of a section of a further electronic module according to the invention.
  • Fig. 1 shows an electronic assembly 10, which consists of a flexible, multilayer film body with one or more electrical functional layers.
  • the electrical functional layers of the film body consist of (organic) conductive layers, organic semiconducting layers and / or of organic insulation layers, which are arranged at least partially in structured form one above the other.
  • the multilayer film body optionally also comprises one or more carrier layers, protective layers, decorative layers, adhesion-promoting layers or adhesive layers.
  • the electrically conductive functional layers preferably consist of a conductive structured metallization, preferably of gold or silver. However, it can also be provided to form this functional layer from an inorganic electrically conductive material, for example, indium tin oxide or a conductive polymer, for example, polyaniline or polypyrrole form.
  • the organic semiconductive functional layer consists for example of conjugated polymers, such as polythiophenes, Polythlenylenvinylenen or Polyfluorene derivatives, which are built up as a solution by spin-coating, raking or printing.
  • conjugated polymers such as polythiophenes, Polythlenylenvinylenen or Polyfluorene derivatives, which are built up as a solution by spin-coating, raking or printing.
  • small molecules ie oligomers such as sexithiophene or pentacene, which are vapor-deposited by a vacuum technique.
  • These organic layers are preferably applied by partial printing or gravure printing (gravure printing, screen printing, pad printing) the organic materials provided for the layers are in the form of soluble polymers, the term "polymer” also including, as already described above, oligomers and "small molecule”.
  • the electrical functional layers of the film body are in this case designed such that they implement the illustrated below electrical circuits.
  • the electronics module 10 is an RFID transponder having an antenna resonant circuit 11, a rectified light 12, a modulator 13 and a digital logic circuit 2.
  • the electronics module 10 according to FIG. 1 is a dedicated electronics assembly having a digital logic circuit. Due to the structure of the electronic assembly 10 as a flexible multilayer film element in polymeric semiconductor technology is the
  • Electronic assembly 10 especially for safety applications and for mass applications.
  • the electronic assembly 10 still has an indicator element made in organic technology, for example an LC display, which is controlled by the logic circuit 2.
  • the logic circuit 2 is composed of a plurality of interconnected logic switching elements.
  • the individual logic switching elements are, for example, logic gates such as NOR or NAND gates or inverters, or even more complex logic switching elements such as shift registers, adders, etc.
  • the individual logic switching elements of the logic circuit 2 are here preferred as in WO 03/081 671 A2 described constructed of organic field effect transistors in order to achieve the highest possible switching speed of the individual logic switching elements.
  • Fig. 1 shows a section of the logic circuit 2 with a plurality of logic switching elements 21 and a plurality of filter assemblies 22, 23 and 24 which are linked together to provide a logic function.
  • the combination of the logic switching elements 21 of FIG. 1 is chosen purely arbitrarily only for the purpose of clarification of the invention and is to be selected depending on the logic function to be achieved.
  • the filter assemblies 22, 23 and 24 are connected between the logic switching elements 21 of the logic circuit 2, as shown in Fig. 1, the filter assemblies 22, 23 and 24 are connected.
  • the filter assemblies 22, 23 and 24 have an input connected to an output of one of the organic logic switching elements 21 and an output connected either to an input of another one of the logic switching elements 21 or to an output of the logic circuit 2 is connected.
  • the filter assemblies 22, 23 and 24 each filter out the signal disturbances produced by different signal propagation delays in the organic components of the preceding logic switching elements from the signal applied to the input and provide a regenerated binary signal at the output.
  • the filter assembly 22 consists for example of an electronic circuit 3, as shown in Fig. 2.
  • the mode of operation of the filter module 22 will now be clarified below with reference to FIG. 3.
  • Fig. 3 shows a plurality of diagrams 41 to 45, each showing the timing of a signal level V at a position of the logic circuit 2, d. H. the signal level V is plotted against time t.
  • Diagrams 41 and 42 show the time course of the input signals at the inputs of the logic circuit element preceding the filter module 22 issue.
  • the diagram 43 shows the time profile of the output signal applied to the output of this logic switching element.
  • the logic switching element is, for example, a NOR gate here.
  • the clock of the useful signal at the respective point of the logic circuit 2 is indicated in the diagrams 41 to 45 by dashed lines, wherein it should also be noted that this clock due to the signal propagation through the logic switching element and through the filter assembly at the entrance and at the output of the logic switching element and at the input and output of the filter assembly 22.
  • the filter assembly 22 suppresses all disturbances that are significantly shorter than the clock time of the useful signal and thus wins an undisturbed output signal.
  • the filter assembly 22 is constructed of a low pass filter that attenuates clock pulses that are significantly shorter than the clock time of the payload signal, and a subsequent discretizing amplifier circuit.
  • the filter assembly 22 thus consists, for example, of the circuit 3 shown in FIG. 2 with a resistor 35, two organic field effect transistors 38 and 39 and two organic load elements 36 and 37.
  • the organic field effect transistors 38 and 39 and the organic load Elements 36 and 37 form a discretizing amplifier circuit.
  • the organic load elements 36 and 37 can be the special organic field-effect transistors described in WO 03/981 671 A2, which have a resistance replicate.
  • the resistor 35 is preferably an organic resistor.
  • the circuit 3 further has a terminal 32 for the input signal, a terminal 34 for the output signal, a terminal 31 for the supply voltage and a ground terminal 33.
  • the resistor 35 is used together with the input capacitance of the amplifier stage as a RC low-pass filter, which significantly attenuates the temporally relatively short interference pulses 46, but only slightly disturbs the slower useful signal.
  • the RC low pass is thus realized by the resistor 35 in conjunction with the gate-source capacitance of the organic field-effect transistor 38. That at the output of the RC
  • Low-pass applied signal is shown in the diagram 44.
  • the glitches 46 are attenuated by the RC low pass to the glitches 47.
  • the subsequent amplifier stage restores the edge steepness of the useful signal, which has been degraded in the RC low-pass filter, and on the other hand removes the attenuated ones by the discretization to two digital level values
  • Glitches 47 completely out of the signal. At the output of the amplifier stage is then the signal shown in the diagram 45, from which the interference has been eliminated.
  • the cutoff frequency of the RC low-pass filter is preferably at least twice, preferably 3-4 times as large as the clock frequency of the useful signal.
  • the filter assembly 23 is formed by a circuit 5 shown in FIG. The function of the filter assembly 23 will now be clarified below with reference to the diagrams shown in FIG.
  • FIG. 5 shows a plurality of diagrams 61 to 64, which illustrate the time profile of the signal level at different locations of the logic circuit 2.
  • the signal level V is plotted against the time t.
  • the clock of the desired signal is indicated by dashed lines.
  • the signal clarified in the diagram 63 which is disturbed by glitches 66.
  • the interference pulses 66 arise here, as already explained above with reference to FIG. 3, by the different signal propagation time in the organic components of the preceding logic switching elements due to the switching behavior of the organic components.
  • the filter assembly 23 now suppresses the glitches 66 and provides at the output the regenerated binary signal shown in the graph 64.
  • the filter module 23 takes over the level of the input signal only at certain times specified by a separate clock signal to the output. For the remaining times, the filter assembly 23 maintains the last, previous level at the output.
  • the diagram 63 thus shows a plurality of points in time 67, which are predetermined by the separate clock signal and at which the input level is taken over by the filter module 23 to the output.
  • phase shift of the clock signal for example by the phase shift shown by 180 ° in the diagram 63, it is achieved that the filter assembly 23 at the time of adoption by no means finds an interference signal at the input and thus assumes the correct signal level.
  • the interference pulses 66 have already decayed at the times 67, so that the correct signal level is present there. This signal level is then retained by the filter assembly 23 also for the remainder of the clock period, so that the output results in the signal shown in the diagram 64 without interference peaks.
  • the circuit 5 shown in FIG. 4 represents a possible realization of the filter assembly 23 in organic semiconductor technology.
  • the circuit 5 has a plurality of organic field-effect transistors T and a plurality of organic load elements L, which are connected to one another as shown in FIG ,
  • the circuit 4 has an input signal terminal 53, an external clock signal terminal 54, an output terminal 55, a supply voltage terminal 51, and a ground terminal 54.
  • the external clock signal is in this case obtained by one or more series-connected delay components from the clock of the useful signal.
  • delay components for example, constructed of organic components inverter can be used.
  • the separate clock signal is generated from the clock signal, which specifies the processing clock of the logic circuit 2.
  • phase angle of this clock signal to the present at the input of the filter assembly 23 clock of the desired signal and the desired phase shift of the separate clock signal relative to the clock of the useful signal is to be determined. Then, a corresponding number of delay components are connected in series to generate the desired separate clock signal.
  • FIG. 6 shows an electronic module 7 with a logic circuit 71 and an oscillator 75.
  • the logic circuit 71 is constructed like the logic circuit 2 of FIG. 1 and has a plurality of interconnected logic switching elements.
  • a plurality of filter assemblies are provided, which are designed like the filter assembly 23 of FIG. 1. Of these filter assemblies, three filter assemblies 72, 73 and 74 are shown in FIG.
  • the oscillator 75 provides a plurality of clock signals 80, 81, 82, and 83.
  • the clock signal 80 represents the clock signal of the logic circuit
  • the clock signals 81 to 83 become the filter assemblies
  • the oscillator 75 consists of a plurality of organic switching elements 76, which are interconnected annularly one behind the other.
  • the organic switching elements are, for example, organic field-effect transistors Built Invertem. As shown in Fig. 6, the clock signals 80 to 83 are tapped at the outputs of various organic switching elements 76, so that the clock signals 80 to 83 are out of phase with each other.
  • phase shift of the respective separate clock signal relative to the clock signal 80 is determined and then that of the organic switching elements 76 is determined whose output signal has the desired phase offset from the signal present at the tapping point of the clock signal.

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Elektronikbaugruppe mit zwei oder mehr aus organischen Bauelemente, insbesondere organischen Feldeffekt-Transistoren aufgebauten organischen Schaltelemente, die miteinander zu einer Logik-Schaltung verknüpft sind. Die Logik-Schaltung weist mindestens eine Filterbaugruppe (5) auf, die einen mit einem der organischen Logik-Schaltelemente verbundenen Eingang (53) und einen Ausgang (55) aufweist und so ausgestaltet ist, dass sie die durch unterschiedliche Signallaufzeiten in den organischen Bauelementen der Logik- Schaltelemente erzeugten Signalstörungen aus den am Eingang (53) anliegenden Signale ausfiltert und am Ausgang (55) ein regeneriertes binäres Signal bereit stellt.

Description

Elektronikbaugruppe mit organischen Logik-Schaltelementen
Die Erfindung betrifft eine Elektronikbaugruppe mit zwei oder mehr aus organischen Bauelementen, insbesondere organischen Feldeffekt-Transistoren aufgebauten Logik-Schaltelementen, die miteinander zu einer Logik-Schaltung verknüpft sind.
Logik-Schaltelemente wie beispielsweise NAND-Gatter, NOR-Gatter oder Inverter sind elementare Bestandteile einer digitalen elektronischen Schaltung. Die Schaltgeschwindigkeit der digitalen Schaltung hängt hierbei maßgeblich von der Schaltgeschwindigkeit der Logik-Schaltelemente ab, aus denen die digitale elektronische Schaltung zusammengesetzt ist.
In der herkömmlichen Silizium-Halbleitertechnologie werden Logik-Gatter durch Verwendung von n- als auch p-leitenden Transistoren realisiert, wodurch sich Gatter mit sehr hoher Schaltgeschwindigkeit realisieren lassen.
Weiter ist es bekannt, Logik-Gatter aus organischen Bauelementen aufzubauen. Üblicherweise wird hierbei ein herkömmlicher Widerstand anstelle des n-leitenden Transistors eingesetzt und die p-leitenden Transistoren durch organische Feldeffekt- Transistoren ersetzt. Nachteilig an diesen logischen Gattern mit organischen Feldeffekt-Transistoren ist, dass sie entweder eine geringe Umschaltgeschwindigkeit besitzen (wenn die Umladeströme, also die Integrale unter der Strom- Spannungskurve sehr verschieden sind) oder sich nicht ausschalten lassen (wenn der Spannungshub im Strom-Spannungsdiagramm zu gering ist).
Um die Schaltgeschwindigkeit von in organischer Halbleitertechnologie hergestellten digitalen Schaltungen zu erhöhen, wird in WO 2003/081 671 A3 vorgeschlagen, in Logik-Gattern den Widerstand durch einen zweiten organischen Feldeffekt-Transistor zu ersetzen, der als Widerstand eingesetzt wird. Hierzu werden organische Feldeffekt-Transistoren eingesetzt, die eine extreme dünne organische Halbleiterschicht (ca. 5 bis 30 nm) besitzen oder bei denen die Leitfähigkeit der organischen Halbleiterschicht durch gezielte Behandlung (beispielsweise Hydrazin- Behandlung und/oder gezielte Oxidation) soweit erniedrigt wurde, dass die Off- Ströme nur um etwa eine Größenordnung unter den On-Strömen liegen.
Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, die mit einer aus organischen Bauelementen aufgebauten digitalen Schaltung erzielbare Verarbeitungs- Geschwindigkeit weiter zu erhöhen.
Diese Aufgabe wird von einer Elektronikbaugruppe mit zwei oder mehr aus organischen Bauelementen aufgebauten organischen Logik-Schaltelementen, die miteinander zu einer Logik-Schaltung verknüpft sind, gelöst, bei der die Logik- Schaltung mindestens eine Filterbaugruppe aufweist, die einen mit einem der organischen Logik-Schaltelemente verbundenen Eingang und einen Ausgang aufweist und die die durch unterschiedliche Signallaufzeiten in den organischen Bauelementen der Logik-Schaltelemente erzeugten Signalstörungen aus dem am Eingang anliegenden Signal ausfiltert und am Ausgang ein regeneriertes binäres Signal bereit stellt.
Aufgrund der geringen Ladungsträger-Beweglichkeit der heute verfügbaren organischen Halbleiter und des andersartigen Funktionsprinzips organischer Feldeffekt-Transistoren sind die Schaltgeschwindigkeiten, die sich mit aus organischen Bauelementen aufgebauten digitalen Schaltungen erzielen lassen, um Größenordnungen kleiner als die, die in Silizium-Technologie aufgebaut sind.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, dass bei Erhöhung der Taktrate in komplexeren organischen Schaltkreisen bei der Verknüpfung unterschiedlicher Signale, die von unterschiedlich vielen organischen Bauelementen verarbeitet wurden, Synchronisationsprobleme entstehen. Die Flanken des einen Signals sind gegenüber dem anderen zeitlich versetzt, wodurch bei einer Verknüpfung kurzzeitige Störungen im kombinierten Ausgangssignal auftreten. Diese Störspitzen sind für die weitere Verarbeitung des Signals sehr störend, da sich diese Fehler dann weiter anhäufen und infolge fälschlich als Teil des Nutzsignals interpretiert werden. Diese Störungen werden durch die oben beschriebene Filterbaugruppe entfernt. Dadurch wird es möglich, die digitale Schaltung mit einer höheren Taktrate zu betreiben und damit die Geschwindigkeit der Informationsverarbeitung zu erhöhen.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüche bezeichnet.
Als organische Logik-Schaltelemente, die zu der Logik-Schaltung verknüpft sind, können beispielsweise organische Logik-Gatter wie UND-Gatter, ODER-Gatter, NAND-Gatter, NOR-Gatter oder Inverter, aber auch komplexere organische Logik- Schaltelemente wie Schieberegister oder Addierer verwendet werden. Je nach Komplexität der Logik-Schaltung werden in die Logik-Schaltung ein oder mehrere Filterbaugruppen eingebunden, wobei sich durch Erhöhung der Anzahl der verwendeten Filterbaugruppen im Regelfall einer Erhöhung der Verarbeitungsgeschwindigkeit der digitalen Schaltung erzielen lässt. Die Filterbaugruppen können hierbei zwischen zwei organischen Logik-Schaltelementen geschaltet sein, so dass sowohl der Eingang der Filterbaugruppe als auch der Ausgang der Filterbaugruppe mit einem Logik-Schaltelement verbunden ist. Es ist jedoch auch möglich, die Filterbaugruppe an einem Ausgang der Logik-Schaltung anzuordnen, so dass lediglich der Eingang der Filterbaugruppe mit einem Logik- Schaltelement der Logik-Schaltung verbunden ist und der Ausgang der Filterbaugruppe mit einem Ausgang der Logik-Schaltung verbunden ist.
Bevorzugt wird die Filterbaugruppe mit dem Ausgang eines organischen Logik- Schaltelements verbunden, das mehrere über unterschiedliche Zweige der Logik- Schaltung generierte binäre Eingangssignale miteinander logisch zu einem Ausgangssignal verknüpft.
Gemäß eines bevorzugten Ausführungsbeispiels der Erfindung besteht die Filterbaugruppe aus einem Tiefpassfilter und einer nachfolgenden diskretisierenden Verstärkerschaltung. Der Tiefpassfilter ist hierbei zur Ausfilterung der durch unterschiedliche Signallaufzeiten in den organischen Bauelementen der vorgehenden Logik-Schaltelementen erzeugten Störungsspitzen ausgelegt. Die Grenzfrequenz des Tiefpassfilters wird so beispielsweise derart gewählt, dass die Amplitude der Störungsspitzen zwischen 50 und 70 % abgeschwächt wird. Die Störungsspitzen werden also einerseits von der nachfolgenden diskretisierenden Verstärkerschaltung eliminiert. Andererseits wird so die Verschiebung der Flanke eines nachfolgenden H-Pegels (H = High) des Nutzsignals minimal gehalten.
Vorzugsweise wird der Tiefpass als RC-Tiefpass aufgebaut und kann so kostengünstig in einer integrierten Schaltung realisiert werden.
Die Filterbaugruppe ist aus organischen Bauelementen aufgebaut. Bevorzugt besteht die Filterbaugruppe hierbei aus einem Widerstand und einer aus organischen Bauelementen aufgebauten diskretisierenden Verstärkerschaltung. Der RC-Tiefpass wird von dem Widerstand und der Eingangskapazität der Verstärkerschaltung gebildet. Bei einem besonders kostengünstigen Aufbau der Filterbaugruppe bildet der Widerstand und die Gate-Source-Kapazität des ersten organischen Feldeffekt- Transistors der Verstärkerschaltung hierbei den RC-Tiefpass. Diese beiden Bauelemente sind so gewählt, dass sich ein RC-Tiefpass mit einer Grenzfrequenz ergibt, die geeignet ist, die durch die unterschiedlichen Signallaufzeiten in den organischen Bauelementen der vorgehenden Logik-Schaltelemente erzeugten Störungsspitzen auszufiltem. Die Grenzfrequenz des Tiefpassfilters ist so in Abhängigkeit von den durch die unterschiedlichen Signallaufzeiten in den organischen Bauelementen der Logik-Schaltelemente erzeugten Störungsspitze zu wählen. Diese hängen zum einen von den vorgehenden Logik-Schaltelementen und der Verknüpfung dieser Logik-Schaltelemente und zum anderen von der Taktfrequenz ab, mit der die Logik-Schaltung betrieben wird, und können beispielsweise durch Messung oder Simulation bestimmt werden. Eine derartige Filterbaugruppe kann mit einer geringen Anzahl von Bauelementen realisiert werden und ist demnach mit geringem Aufwand in eine Logik-Schaltung integrierbar.
Gemäß eines weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiels der Erfindung ist die Filterbaugruppe aus mehreren organischen Bauelementen aufgebaut, die derart verschaltet sind, dass die Filterbaugruppe den Pegel des am Eingang anliegenden Signals nur zu bestimmten, durch ein separates Taktsignal vorgegebenen Zeitpunkten an den Ausgang übernimmt und für die übrige Zeit den letzten vorausgegangenen Pegel am Ausgang beibehält. Das Taktsignal ist hierbei gegenüber dem Takt des am Eingang der Filterbaugruppe anliegenden Nutzsignals phasenverschoben. Die Phasenverschiebung ist hierbei so gewählt, dass die Filterbaugruppe zum Übernahmezeitpunkt keinesfalls ein Störsignal am Eingang vorfindet und somit einen korrekten Signalpegel übernimmt. Dieser wird dann von der Filterbaugruppe für den Rest der Taktperiode beibehalten, so dass am Ausgang ein Signal ohne Störungsspitzen entsteht.
Gute Ergebnisse lassen sich dadurch erzielen, dass die Phasenverschiebung des separaten Taktsignals gegenüber dem Takt des am Eingang anliegenden Signals zwischen 90 und 270° beträgt, vorzugsweise etwa 180° beträgt. Gemäß eines weiteren Ausführungsbeispiels der Erfindung wird die Phasenverschiebung so gewählt, dass die durch unterschiedliche Signallaufzeiten in den organischen Bauelementen der vorgehenden Logik-Schaltelemente erzeugten Störimpulse um mindestens 0,2 Periodenlängen von dem Übernahmezeitpunkt beabstandet sind. Hierzu ist es dann erforderlich, die Phasenlage der Störimpulse durch Messung oder durch Simulation zu ermitteln und eine Phasenverschiebung des separaten Taktsignals zu wählen, die dieser Beziehung entspricht.
Das separate Taktsignal für die Filterbaugruppe wird bevorzugt von einem aus organischen Feldeffekt-Transistoren aufgebauten Ringoszillator bereit gestellt.
Bevorzugt wird das separate Taktsignal hierbei von dem Ringoszillator bereit gestellt, der das Taktsignals für die Logik-Schaltung generiert. Das von dem Ringoszillator generierte Taktsignal kann hierbei über ein oder mehrere in Serie geschaltete Verzögerungsbauteile der Filterbaugruppe zugeführt werden, um auf diese Weise die gewünschte Phasenlage des separaten Taktsignals zu dem Nutzsignal am Eingang der Filterbaugruppe (stimmt aufgrund der Signallaufzeiten in der Regel nicht mit der Phasenlage des vom Ringoszillator generierten Taktsignals für die Logik-Schaltung überein) zu erzielen.
Der Bauelementeaufwand lässt sich weiter dadurch reduzieren, dass der Ringoszillator, der aus mehreren ringförmig hintereinander verschalteten organischen Schaltelementen besteht, an einem ersten Ausgang eines ersten Schaltelements das Taktsignal für die Logik-Schaltung entnommen ist, und an einem Ausgang eines zweiten, dem ersten Schaltelement nachfolgenden Schaltelements das separate Taktsignal für die Filterbaugruppe entnommen ist. Auf diese Weise lassen sich auch zwei und mehr Filterbaugruppen mit zueinander phasenverschobenen, jeweils passenden separaten Taktsignalen mit sehr geringen Bauelemente-Aufwand versorgen.
Die erfindungsgemäße Elektronikbaugruppe kann für eine Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden. Besonders hervorzuheben ist hierbei der Einsatz der erfindungsgemäßen Elektronikbaugruppe als RFID-Transponder oder als Sicherungselement insbesondere zur Sicherung von Wertdokumenten und Waren. Die erfindungsgemäße Elektronikbaugruppe liegt hierbei bevorzugt in Form eines flexiblen Folienelements vor, das mittels einer Kleberschicht mit dem zu sichernden Objekt, beispielsweise einem Wertdokument, wie einem Reisepass oder einem Geldschein, verbunden ist.
Im Folgenden wird die Erfindung anhand von mehreren Ausführungsbeispielen unter Zuhilfenahme der beiliegenden Zeichnungen beispielhaft erläutert.
Fig. 1 zeigt eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Elektronikbaugruppe. Fig. 2 zeigt ein Schaltbild einer Filterbaugruppe für die Elektronikbaugruppe nach Fig. 1.
Fig. 3 zeigt mehrere Diagramme zur Verdeutlichung des Signalflusses in der Elektronikbaugruppe nach Fig. 1.
Fig. 4 zeigt ein Schaltbild einer weiteren Ausführungsform einer Filterbaugruppe für die Elektronikbaugruppe nach Fig. 1.
Fig. 5 zeigt mehrere Diagramme zur Verdeutlichung des Signalflusses in der
Elektronikbaugruppe nach Fig. 1.
Fig. 6 zeigt eine schematische Darstellung eines Ausschnitts einer weiteren erfindungsgemäßen Elektronikbaugruppe.
Fig. 1 zeigt eine Elektronikbaugruppe 10, die aus einem flexiblen, mehrschichtigen Folienkörper mit ein oder mehreren elektrischen Funktionsschichten besteht.
Die elektrischen Funktionsschichten des Folienkörpers bestehen aus (organisch) leitfähigen Schichten, organisch halbleitenden Schichten und/oder aus organischen Isolationsschichten, die zumindestens teilweise in strukturierter Form übereinander angeordnet sind. Neben diesen elektrischen Funktionsschichten umfasst den mehrschichtigen Folienkörper optional noch ein oder mehrere Trägerschichten, Schutzschichten, Dekorlagen, Haftvermittlungsschichten oder Kleberschichten. Die elektrisch leitfähigen Funktionsschichten bestehen vorzugsweise aus einer leitfähigen strukturierten Metallisierung, vorzugsweise aus Gold oder Silber. Es kann jedoch auch vorgesehen sein, diese Funktionsschicht aus einem anorganischen elektrisch leitfähigen Material auszubilden, beispielsweise aus Indium-Zinn-Oxid oder aus einen leitfähigen Polymer, beispielsweise aus Polyanilin oder Polypyrol, auszubilden. Die organisch halbleitende Funktionsschicht besteht beispielsweise aus konjugierten Polymeren, wie Polythiophenen, Polythlenylenvinylenen oder Polyfluorenderivaten, die als Lösung durch Spin-Coating, Raken oder Bedrucken aufgebaut werden. Als organische Halbleiterschicht eignen sich auch sogenannte „Small Moleküls", d. h. Oligomere wie Sexithiophen oder Pentacen, die durch eine Vakuumtechnik aufgedampft werden. Diese organischen Schichten werden bevorzugt durch en Druckverfahren (Tiefdruck, Siebdruck, Tampondruck) bereits partiell oder musterförmig strukturiert aufgebracht. Dazu sind die für die Schichten vorgesehenen organischen Materialien als lösbare Polymere ausgebildet, wobei der Begriff des Polymers hierbei, wie weiter oben bereits beschrieben, auch Oligomere und „Small Moleküls" einschließt.
Die elektrischen Funktionsschichten des Folienkörpers sind hierbei so ausgestaltet, dass sie die im Folgenden verdeutlichten elektrischen Schaltungen implementieren.
Bei der Elektronikbaugruppe 10 handelt es sich um einen RFID-Transponder mit einem Antennen-Schwingkreis 11 , einem Gleichlichter 12, einem Modulator 13 und einer digitalen Logik-Schaltung 2. Es ist jedoch auch möglich, dass es sich bei der Elektronikbaugruppe 10 nach Fig. 1 um eine einem sonstigen Zweck dienende Elektronikbaugruppe handelt, die über eine digitale Logik-Schaltung verfügt. Aufgrund des Aufbaus der Elektronikbaugruppe 10 als flexibles mehrschichtiges Folienelement in polymerer Halbleitertechnologie eignet sich die
Elektronikbaugruppe 10 hierbei besonders für Sicherheitsanwendungen und für Massenanwendungen. Neben den in Fig. 1 dargestellten Funktionsgruppen ist es für derartige Anwendungen von besonderem Vorteil, wenn die Elektronikbaugruppe 10 noch über ein in organischer Technologie gefertigtes Anzeigenelement, beispielsweise ein LC-Display aufweist, das von der Logik-Schaltung 2 angesteuert wird.
Die Logik-Schaltung 2 ist aus mehreren miteinander verknüpften Logik- Schaltelementen aufgebaut. Bei den einzelnen Logik-Schaltelementen handelt es sich beispielsweise um Logik-Gatter wie NOR- oder NAND-Gatter oder Inverter, oder auch um komplexere Logik-Schaltelemente, wie Schieberegister, Addierer usw. Die einzelnen Logik-Schaltelemente der Logik-Schaltung 2 sind hierbei bevorzugt wie in WO 03/081 671 A2 beschrieben aus organischen Feldeffekt-Transistoren aufgebaut, um eine möglichst hohe Schaltgeschwindigkeit der einzelnen Logik-Schaltelemente zu erzielen.
Fig. 1 zeigt einen Ausschnitt der Logik-Schaltung 2 mit mehreren Logik- Schaltelementen 21 und mehreren Filterbaugruppen 22, 23 und 24 die miteinander zur Erbringung einer Logik-Funktion verknüpft sind. Die Verknüpfung der Logik- Schaltelemente 21 nach Fig. 1 ist hierbei rein willkürlich lediglich zum Zwecke der Verdeutlichung der Erfindung gewählt und ist je nach der zu erzielenden Logik- Funktion zu wählen.
Zwischen die Logik-Schaltelemente 21 der Logik-Schaltung 2 sind, wie in Fig. 1 gezeigt, die Filterbaugruppen 22, 23 und 24 geschaltet. Die Filterbaugruppen 22, 23 und 24 verfügen über einen Eingang, der mit einem Ausgang eines der organischen Logik-Schaltelemente 21 verbunden ist und über einen Ausgang, der entweder mit einem Eingang eines weiteren der Logik-Schaltelemente 21 oder mit einem Ausgang der Logik-Schaltung 2 verbunden ist. Die Filterbaugruppen 22, 23 und 24 filtern jeweils die durch unterschiedliche Signallaufzeiten in den organischen Bauelementen der vorgehenden Logik-Schaltelemente erzeugten Signalstörungen aus dem am Eingang anliegenden Signal aus und stellen am Ausgang ein regeneriertes binäres Signal bereit.
Die Filterbaugruppe 22 besteht beispielsweise aus einer elektronischen Schaltung 3, wie sie in Fig. 2 gezeigt ist. Die Funktionsweise der Filterbaugruppe 22 wird nun im Folgenden anhand von Fig. 3 verdeutlicht.
Fig. 3 zeigt mehrere Diagramme 41 bis 45, die jeweils den zeitlichen Verlauf eines Signalpegels V an einer Stelle der Logik-Schaltung 2 zeigen, d. h. der Signalpegel V ist gegenüber der Zeit t aufgetragen.
Die Diagramme 41 und 42 zeigen den zeitlichen Verlauf der Eingangssignale, die an den Eingängen des der Filterbaugruppe 22 vorangehenden Logik-Schaltelements anliegen. Das Diagramm 43 zeigt den zeitlichen Verlauf des am Ausgang dieses Logik-Schaltelements anliegenden Ausgangssignals. Bei dem Logik-Schaltelement handelt es sich hier beispielsweise um ein NOR-Gatter.
Der Takt des Nutzsignals an dem jeweiligen Punkt der Logik-Schaltung 2 ist in den Diagrammen 41 bis 45 durch gestrichelte Linien angedeutet, wobei hier auch zu beachten ist, dass sich dieser Takt aufgrund der Signallaufzeiten durch das Logik- Schaltelement und durch die Filterbaugruppe am Eingang und am Ausgang des Logik-Schaltelements und am Eingang und Ausgang der Filterbaugruppe 22 unterscheiden kann.
Aufgrund des Schaltverhaltens der organischen Bauelemente in den in den Diagrammen 41 bis 43 verdeutlichten logischen Schaltelement vorangehenden logischen Schaltelementen entsteht der in den Diagrammen 41 und 42 verdeutlichte zeitliche Versatz der an diesem logischen Schaltelement anliegenden Eingangs- Signalen. Werden die beiden Eingangssignale von dem logischen Schaltelement miteinander verknüpft, so entsteht das in Diagramm 43 angedeutete Ausgangssignal, welches Störimpulse 46 aufweist. Das durch die Störimpulse 46 gestörte Signal wird nun der Filterbaugruppe 22 zugeführt. Die Filterbaugruppe 22 unterdrückt alle Störungen, die deutlich kürzer sind, als die Taktzeit des Nutzsignals und gewinnt damit ein ungestörtes Ausgangssignal. Die Filterbaugruppe 22 ist aus einem Tiefpassfilter, der Taktimpulse abschwächt, die deutlich kürzer als die Taktzeit des Nutzsignals sind, und einer nachfolgenden diskretisierenden Verstärkerschaltung aufgebaut.
Die Filterbaugruppe 22 besteht so beispielsweise aus der in Fig. 2 gezeigten Schaltung 3 mit einem Widerstand 35, zwei organischen Feldeffekt-Transistoren 38 und 39 und zwei organischen Load-Elementen 36 und 37. Die organischen Feldeffekt-Transistoren 38 und 39 und die organischen Load-Elemente 36 und 37 bilden eine diskretisierende Verstärkerschaltung. Bei den organischen Load- Elementen 36 und 37 kann es sich um die in WO 03/981 671 A2 geschilderten speziellen organischen Feldeffekt-Transistoren handeln, die einen Widerstand nachbilden. Bei dem Widerstand 35 handelt es sich bevorzugt um einen organischen Widerstand. Die Schaltung 3 verfügt weiter über einen Anschluss 32 für das Eingangssignal, einen Anschluss 34 für das Ausgangssignal, einen Anschluss 31 für die Versorgungsspannung und einen Erdanschluss 33.
Der Widerstand 35 wird zusammen mit der Eingangskapazität der Verstärkerstufe als RC-Tiefpass verwendet, der die zeitlich relativ kurzen Störimpulse 46 deutlich abschwächt, das langsamere Nutzsignal aber nur geringfügig stört. Der RC-Tiefpass wird so durch den Widerstand 35 in Verbindung mit der Gate-Source-Kapazität des organischen Feldeffekt-Transistors 38 realisiert. Das am Ausgang des RC-
Tiefpasses anliegende Signal ist in dem Diagramm 44 gezeigt. Die Störimpulse 46 werden durch den RC-Tiefpass zu den Störimpulsen 47 abgeschwächt. Die anschließende Verstärkerstufe stellt zum einen die Flankensteilheit des Nutzsignals, die im RC-Tiefpass verschlechtert worden ist, wieder her und entfernt andererseits durch die Diskretisierung auf zwei digitale Pegelwerte die abgeschwächten
Störimpulse 47 vollständig aus dem Signal. Am Ausgang der Verstärkerstufe liegt dann das in dem Diagramm 45 gezeigte Signal an, aus dem die Störungen beseitigt wurden.
Die Grenzfrequenz des RC-Tiefpasses ist bevorzugt mindestens doppelt, bevorzugt 3-4 fach so groß wie die Taktfrequenz des Nutzsignals.
Die Filterbaugruppe 23 wird von einer in Fig. 4 gezeigten Schaltung 5 gebildet. Die Funktion der Filterbaugruppe 23 wird nun im Folgenden anhand der in Fig. 5 gezeigten Diagramme verdeutlicht.
Fig. 5 zeigt mehrere Diagramme 61 bis 64, die den zeitlichen Verlauf des Signalpegels an unterschiedlichen Stellen der Logik-Schaltung 2 verdeutlichen. In den Diagrammen 61 bis 64 ist hierbei der Signalpegel V gegenüber der Zeit t aufgetragen. Auch hier ist, wie in Fig. 3, der Takt des Nutzsignals durch gestrichelte Linien angedeutet. Am Eingang der Filterbaugruppe 23 liegt das in dem Diagramm 63 verdeutlichte Signal an, welches durch Störimpulse 66 gestört ist. Die Störimpulse 66 entstehen hierbei, wie bereits oben anhand von Fig. 3 verdeutlicht, durch die durch das Schaltverhalten der organischen Bauelemente bedingten unterschiedlichen Signallaufzeit in den organischen Bauelementen der vorangehenden Logik- Schaltelemente.
Die Filterbaugruppe 23 unterdrückt nun die Störimpulse 66 und stellt am Ausgang das im Diagramm 64 gezeigte regenerierte binäre Signal bereit. Die Filterbaugruppe 23 übernimmt hierzu den Pegel des Eingangssignal nur zu bestimmten, durch ein separates Taktsignal, vorgegebenen Zeiten an den Ausgang. Für die übrigen Zeiten behält die Filterbaugruppe 23 den letzten, vorausgegangenen Pegel am Ausgang bei. Das Diagramm 63 zeigt so mehrere Zeitpunkte 67, die von dem separaten Taktsignal vorgegeben sind und an denen der Eingangs-Pegel von der Filterbaugruppe 23 an den Ausgang übernommen wird.
Durch eine geeignete Phasenverschiebung des Taktsignals, beispielsweise durch die im Diagramm 63 gezeigte Phasenverschiebung um 180°, wird erreicht, dass die Filterbaugruppe 23 zum Übernahmezeitpunkt keinesfalls ein Störsignal am Eingang vorfindet und somit den korrekten Signalpegel übernimmt. Wie in dem Diagramm 63 gezeigt, sind zu den Zeitpunkten 67 die Störimpulse 66 bereits abgeklungen, so dass dort der korrekte Signalpegel anliegt. Dieser Signalpegel wird dann von der Filterbaugruppe 23 auch für den Rest der Taktperiode beibehalten, so dass am Ausgang das in dem Diagramm 64 gezeigte Signal ohne Störungsspitzen entsteht.
Die in Fig. 4 gezeigte Schaltung 5 stellt eine mögliche Realisierung der Filterbaugruppe 23 in organischer Halbleitertechnologie dar. Die Schaltung 5 weist mehrere organische Feldeffekt-Transistoren T und mehrere organische Load- Elemente L auf, die miteinander wie in Fig. 4 gezeigt, verbunden sind. Die Schaltung 4 weist einen Anschluss 53 für das Eingangssignal, einen Anschluss 54 für das externe Taktsignal, einen Anschluss 55 für das Ausgangssignal, einen Anschluss 51 für die Versorgungsspannung und einen Erdanschluss 54 auf. Das externe Taktsignal wird hierbei durch ein oder mehrere in Serie geschaltete Verzögerungsbauteile aus dem Takt des Nutzsignals gewonnen. Als Verzögerungsbauteile können beispielsweise aus organischen Bauelementen aufgebaute Inverter verwendet werden. In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird das separate Taktsignal aus dem Taktsignal generiert, das den Verarbeitungs-Takt der Logik-Schaltung 2 vorgibt. Die Phasenlage dieses Taktsignals zu dem am Eingang der Filterbaugruppe 23 vorliegenden Takt des Nutzsignals sowie die gewünschte Phasenverschiebung des separaten Taktsignals gegenüber dem Takt des Nutzsignals ist zu bestimmen. Sodann wird eine entsprechende Anzahl von Verzögerungsbauteilen hintereinander verschaltet, um das gewünschte separate Taktsignal zu generieren.
Eine weitere Möglichkeit der Generierung des separaten Taktsignals wird nun anhand des Ausführungsbeispiels nach Fig. 6 verdeutlicht:
Fig. 6 zeigt eine Elektronikbaugruppe 7 mit einer Logik-Schaltung 71 und einem Oszillator 75.
Die Logik-Schaltung 71 ist wie die Logik-Schaltung 2 nach Fig. 1 aufgebaut und verfügt über eine Vielzahl von miteinander verknüpften Logik-Schaltelementen. Im Weiteren sind mehrere Filterbaugruppen vorgesehen, die wie die Filterbaugruppe 23 nach Fig. 1 ausgestaltet sind. Von diesen Filterbaugruppen sind in Fig. 6 drei Filterbaugruppen 72, 73 und 74 gezeigt. Der Oszillator 75 stellt mehrere Taktsignale 80, 81 , 82 und 83 bereit. Das Taktsignal 80 stellt das Taktsignal der Logik-Schaltung
71 dar und gibt die Schrittgeschwindigkeit der Verarbeitung von Informationen durch die Logik-Schaltung 71 vor. Die Taktsignale 81 bis 83 werden den Filterbaugruppen
72 bis 74 als separate Taktsignale zugeführt.
Der Oszillator 75 besteht aus einer Vielzahl von organischen Schaltelementen 76, die ringförmig hintereinander verschaltet sind. Bei den organischen Schaltelementen handelt es sich beispielsweise um aus organischen Feldeffekt-Transistoren aufgebauten Invertem. Wie in Fig. 6 gezeigt, werden die Taktsignal 80 bis 83 an den Ausgängen verschiedener organischer Schaltelemente 76 abgegriffen, so dass die Taktsignale 80 bis 83 gegeneinander phasenverschoben sind.
Wie bereits oben erläutert, wird so die Phasenverschiebung des jeweiligen separaten Taktsignals gegenüber dem Taktsignal 80 bestimmt und sodann dasjenige der organischen Schaltelemente 76 bestimmt, dessen Ausgangssignal den gewünschten Phasenversatz gegenüber dem am Abgriffspunkt des Taktsignals vorliegenden Signal besitzt.

Claims

Ansprüche:
1. Elektronikbaugruppe (10, 7) mit zwei oder mehr aus organischen Bauelementen, insbesondere organischen Feldeffekt-Transistoren aufgebauten organischen Schaltelementen (21), die miteinander zu einer Logik-Schaltung (2, 71) verknüpft sind, dadurch gekennzeichnet, dass die Logik-Schaltung (2, 71) mindestens eine Filterbaugruppe (22, 3, 5, 72, 73, 74) aufweist, die einen mit einem der organischen Logik- Schaltelemente (21 Verbundenen Eingang und einen Ausgang aufweist und so ausgestaltet ist, dass sie die durch unterschiedliche Signallaufzeiten in den organischen Bauelementen der Logik-Schaltelemente (21) erzeugten Signalstörungen aus dem am Eingang anliegenden Signal ausfiltert und am Ausgang ein regeneriertes binäres Signal bereit stellt.
2. Elektronikbaugruppe (10) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Filterbaugruppe (3) einen Tiefpassfilter zur Ausfilterung von durch unterschiedliche Signallaufzeiten in den organischen Bauelementen der Logik- Schaltelemente (21) erzeugten Störungsspitzen und eine nachfolgende diskretisierende Verstärkerschaltung aufweist.
3. Elektronikbaugruppen (10) nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Tiefpassfilter als RC-Tiefpassfilter aufgebaut ist.
4. Elektronikbaugruppe (10) nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Filterbaugruppe (3) einen Widerstand (35) und eine aus organischen Bauelementen (36 bis 39) aufgebaute diskretisierende Verstärkerschaltung aufweist und der Widerstand (35) zusammen mit der Eingangskapazität der Verstärkerschaltung einen RC-Tiefpassfilter bildet, der durch unterschiedliche Signallaufzeiten in den organischen Bauelementen der Logik-Schaltelemente
(21) erzeugte Störungsspitzen ausfiltert.
5. Elektronikbaugruppe nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der RC-Tiefpassfilter von der Gate-Source-Kapazität des ersten organischen Feldeffekttransistors (38) der Verstärkerschaltung gebildet ist.
6. Elektronikbaugruppe (10) nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Filterbaugruppe (5, 72, 73, 74) mehrere organische Bauelemente (T) aufweist, die derart verschaltet sind, dass die Filterbaugruppe (5, 72, 73, 74) den Pegel des am Eingang (53) anliegenden Signals nur zu bestimmten, durch ein separates Taktsignal (81 , 82, 83) vorgegebenen Zeitpunkten an den Ausgang (55) übernimmt und für die übrige Zeit den letzten vorgegangenen Pegel am Ausgang (55) beibehält, wobei das separate Taktsignal (81 , 82, 83) gegenüber dem Takt des am Eingang (53) anliegenden Signals phasenverschoben ist.
7. Elektronikbaugruppe (10) nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Phasenverschiebung des separaten Taktsignals (81, 82, 83) gegenüber dem Takt des am Eingang (53) anliegenden Signals zwischen 90 und 270° beträgt, vorzugsweise etwa 180° beträgt.
8. Elektronikbaugruppe (10) nach Anspruch 6 oder Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Phasenverschiebung so gewählt ist, dass die durch unterschiedliche Signallaufzeiten in den organischen Bauelementen der vorgehenden Logik- Schaltelemente (21) erzeugten Störimpulse um mindestens 0,2 Periodenlängen von dem Übernahmezeitpunkt beabstandet sind.
9. Elektronikbaugruppe (7) nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektronikbaugruppe (7) einen aus organischen Feldeffekt- Transistoren aufgebauten Ringoszillator (75) aufweist, der das separate Taktsignal (81, 82, 83) für die Filterbaugruppe (72, 73, 74) bereit stellt.
10. Elektronikbaugruppe nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Ringoszillator (75) das separate Taktsignal (81 , 82, 83) für zwei oder mehr Filterbaugruppen (72, 73, 74) bereit stellt.
11. Elektronikbaugruppe (7) nach Anspruch 9 oder Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Ringoszillator (75) das Taktsignal (80) für die Logik-Schaltung (71) bereit stellt.
12. Elektronikbaugruppe (7) nach Anspruch 11 , dadurch gekennzeichnet, dass der Ringoszillator (75) mehrere ringförmig hintereinander verschaltete organische Schaltelemente (76) aufweist, dass am Ausgang eines ersten der
Schaltelemente (76) das Taktsignal (80) für die Logikstichschaltung (71) entnommen ist und dass am Ausgang eines zweiten, dem ersten Schaltelement nachfolgenden Schaltelements (76) das separate Taktsignal (81, 82, 83) für die Filterbaugruppe (72, 73, 74) entnommen ist.
13. Elektronikbaugruppe (7) nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Schaltelement (76) an dessen Ausgang der Abgriff des separaten Taktsignal (81, 82, 83) erfolgt, aus der Anzahl der der Filterbaugruppe (72, 73, 74) vorangehenden Logik-Schaltelemente bestimmt ist.
14. Elektronikbaugruppe nach einem der Ansprüche 6 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass das Eingangs-Taktsignal der Logik-Schaltung ein oder mehreren seriell geschalteten Verzögerungsbauteilen zugeführt ist, die ausgangsseitig mit der Filterbaugruppe verbunden sind und das verzögerte Eingangs-Taktsignal der
Filterbaugruppe als separates Taktsignal zuführen.
15. Elektronikbaugruppe (10) nach einem der vorgehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Filterbaugruppe (22) mit dem Ausgang eines Logik-Schaltelements
(21) verbunden ist, das mehrere über unterschiedliche Zweige der Logik- Schaltung (29) generierte binäre Eingangssignale miteinander logisch zu einem Ausgangssignal verknüpft.
16. Elektronikbaugruppe (10) nach einem der vorgehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sowohl der Eingang als auch der Ausgang der Filterbaugruppe mit einem organischen Logik-Schaltelement verbunden ist.
17. Elektronikbaugruppe (10) nach einem der vorgehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Ausgang der Filterbaugruppe mit einem Ausgang der Logik- Schaltung verbunden ist.
18. Elektronikbaugruppe (10, 7) nach einem der vorgehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Logik-Schaltung (2, 71) zwei oder mehr Filterbaugruppen (22, 72, 73, 74) aufweist.
19. Elektronikbaugruppe (10) nach einem der vorgehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektronikbaugruppe ein RFID- Transponder ist.
20. Elektronikbaugruppe nach einem der Ansprüche 1 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektronikbaugruppe ein flexibles Folienelement ist, das als
Sicherungselement insbesondere für Wertdokumente und Ware dient.
PCT/EP2006/001523 2005-03-01 2006-02-21 Elektronikbaugruppe mit organischen logik-schaltelementen WO2006092216A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AT06707103T ATE505848T1 (de) 2005-03-01 2006-02-21 Elektronikbaugruppe mit organischen logik- schaltelementen
EP06707103A EP1854214B1 (de) 2005-03-01 2006-02-21 Elektronikbaugruppe mit organischen logik-schaltelementen
DE502006009297T DE502006009297D1 (de) 2005-03-01 2006-02-21 Elektronikbaugruppe mit organischen logik-schaltelementen
US11/817,258 US7589553B2 (en) 2005-03-01 2006-02-21 Electronic module with organic logic circuit elements

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005009820.7 2005-03-01
DE102005009820A DE102005009820A1 (de) 2005-03-01 2005-03-01 Elektronikbaugruppe mit organischen Logik-Schaltelementen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2006092216A1 true WO2006092216A1 (de) 2006-09-08

Family

ID=36649451

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2006/001523 WO2006092216A1 (de) 2005-03-01 2006-02-21 Elektronikbaugruppe mit organischen logik-schaltelementen

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7589553B2 (de)
EP (1) EP1854214B1 (de)
AT (1) ATE505848T1 (de)
DE (2) DE102005009820A1 (de)
WO (1) WO2006092216A1 (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005031448A1 (de) 2005-07-04 2007-01-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Aktivierbare optische Schicht
WO2012117266A1 (en) * 2011-03-01 2012-09-07 Freescale Semiconductor, Inc. Integrated circuit device, electronic device and method for frequency detection
DE102017115887A1 (de) * 2017-07-14 2019-01-17 Schölly Fiberoptic GmbH Endoskopieanordnung mit galvanischer Trennung und zugehöriges Verfahren

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1251458A2 (de) * 2001-04-19 2002-10-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Integrierte Halbleiterschaltung

Family Cites Families (116)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3512052A (en) 1968-01-11 1970-05-12 Gen Motors Corp Metal-insulator-semiconductor voltage variable capacitor with controlled resistivity dielectric
US3769096A (en) 1971-03-12 1973-10-30 Bell Telephone Labor Inc Pyroelectric devices
JPS543594B2 (de) 1973-10-12 1979-02-24
DE2407110C3 (de) 1974-02-14 1981-04-23 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Sensor zum Nachweis einer in einem Gas oder einer Flüssigkeit einthaltenen Substanz
JPS54101176A (en) 1978-01-26 1979-08-09 Shinetsu Polymer Co Contact member for push switch
US4442019A (en) 1978-05-26 1984-04-10 Marks Alvin M Electroordered dipole suspension
US4246298A (en) 1979-03-14 1981-01-20 American Can Company Rapid curing of epoxy resin coating compositions by combination of photoinitiation and controlled heat application
US4340057A (en) 1980-12-24 1982-07-20 S. C. Johnson & Son, Inc. Radiation induced graft polymerization
US4554229A (en) 1984-04-06 1985-11-19 At&T Technologies, Inc. Multilayer hybrid integrated circuit
EP0239808B1 (de) 1986-03-03 1991-02-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Strahlungsdetektor
GB2215307B (en) 1988-03-04 1991-10-09 Unisys Corp Electronic component transportation container
US5364735A (en) 1988-07-01 1994-11-15 Sony Corporation Multiple layer optical record medium with protective layers and method for producing same
US4937119A (en) 1988-12-15 1990-06-26 Hoechst Celanese Corp. Textured organic optical data storage media and methods of preparation
US5892244A (en) 1989-01-10 1999-04-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Field effect transistor including πconjugate polymer and liquid crystal display including the field effect transistor
US6331356B1 (en) 1989-05-26 2001-12-18 International Business Machines Corporation Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts
FI84862C (fi) 1989-08-11 1992-01-27 Vaisala Oy Kapacitiv fuktighetsgivarkonstruktion och foerfarande foer framstaellning daerav.
US5206525A (en) 1989-12-27 1993-04-27 Nippon Petrochemicals Co., Ltd. Electric element capable of controlling the electric conductivity of π-conjugated macromolecular materials
FR2664430B1 (fr) 1990-07-04 1992-09-18 Centre Nat Rech Scient Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques.
FR2673041A1 (fr) 1991-02-19 1992-08-21 Gemplus Card Int Procede de fabrication de micromodules de circuit integre et micromodule correspondant.
US5408109A (en) 1991-02-27 1995-04-18 The Regents Of The University Of California Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers
JPH0580530A (ja) 1991-09-24 1993-04-02 Hitachi Ltd 薄膜パターン製造方法
US5173835A (en) 1991-10-15 1992-12-22 Motorola, Inc. Voltage variable capacitor
EP0610183B1 (de) 1991-10-30 1995-05-10 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewandten Forschung E.V. Belichtungsvorrichtung
JP2709223B2 (ja) 1992-01-30 1998-02-04 三菱電機株式会社 非接触形携帯記憶装置
JP3457348B2 (ja) 1993-01-15 2003-10-14 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
FR2701117B1 (fr) 1993-02-04 1995-03-10 Asulab Sa Système de mesures électrochimiques à capteur multizones, et son application au dosage du glucose.
US5567550A (en) 1993-03-25 1996-10-22 Texas Instruments Incorporated Method of making a mask for making integrated circuits
JPH0722669A (ja) 1993-07-01 1995-01-24 Mitsubishi Electric Corp 可塑性機能素子
JP3035352B2 (ja) 1993-08-24 2000-04-24 メトリカ・インコーポレーテッド 新規な使い捨て電子検定ディバイス
JP3460863B2 (ja) 1993-09-17 2003-10-27 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
FR2710413B1 (fr) 1993-09-21 1995-11-03 Asulab Sa Dispositif de mesure pour capteurs amovibles.
US5556706A (en) 1993-10-06 1996-09-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductive layered product and method of manufacturing the same
JP4392057B2 (ja) 1994-05-16 2009-12-24 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 有機半導体物質を有する半導体装置
JP3246189B2 (ja) 1994-06-28 2002-01-15 株式会社日立製作所 半導体表示装置
US5528222A (en) 1994-09-09 1996-06-18 International Business Machines Corporation Radio frequency circuit and memory in thin flexible package
US5574291A (en) 1994-12-09 1996-11-12 Lucent Technologies Inc. Article comprising a thin film transistor with low conductivity organic layer
US5630986A (en) 1995-01-13 1997-05-20 Bayer Corporation Dispensing instrument for fluid monitoring sensors
JP3068430B2 (ja) 1995-04-25 2000-07-24 富山日本電気株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
US5652645A (en) 1995-07-24 1997-07-29 Anvik Corporation High-throughput, high-resolution, projection patterning system for large, flexible, roll-fed, electronic-module substrates
US5625199A (en) 1996-01-16 1997-04-29 Lucent Technologies Inc. Article comprising complementary circuit with inorganic n-channel and organic p-channel thin film transistors
GB2310493B (en) 1996-02-26 2000-08-02 Unilever Plc Determination of the characteristics of fluid
JP3080579B2 (ja) 1996-03-06 2000-08-28 富士機工電子株式会社 エアリア・グリッド・アレイ・パッケージの製造方法
JP2914287B2 (ja) * 1996-03-08 1999-06-28 日本電気株式会社 Pll回路
DE19629656A1 (de) 1996-07-23 1998-01-29 Boehringer Mannheim Gmbh Diagnostischer Testträger mit mehrschichtigem Testfeld und Verfahren zur Bestimmung von Analyt mit dessen Hilfe
US5693956A (en) 1996-07-29 1997-12-02 Motorola Inverted oleds on hard plastic substrate
JPH1070441A (ja) * 1996-08-27 1998-03-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US5946551A (en) 1997-03-25 1999-08-31 Dimitrakopoulos; Christos Dimitrios Fabrication of thin film effect transistor comprising an organic semiconductor and chemical solution deposited metal oxide gate dielectric
US6344662B1 (en) 1997-03-25 2002-02-05 International Business Machines Corporation Thin-film field-effect transistor with organic-inorganic hybrid semiconductor requiring low operating voltages
KR100248392B1 (ko) 1997-05-15 2000-09-01 정선종 유기물전계효과트랜지스터와결합된유기물능동구동전기발광소자및그소자의제작방법
EP0968537B1 (de) 1997-08-22 2012-05-02 Creator Technology B.V. Feld-effekt-transistor, der im wesentlichen aus organischen materialien besteht
ES2199705T1 (es) 1997-09-11 2004-03-01 Prec Dynamics Corp Transpondor de identificacion con circuito integrado consistente de materiales organicos.
US6251513B1 (en) 1997-11-08 2001-06-26 Littlefuse, Inc. Polymer composites for overvoltage protection
US5997817A (en) 1997-12-05 1999-12-07 Roche Diagnostics Corporation Electrochemical biosensor test strip
EP0958663A1 (de) 1997-12-05 1999-11-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Zwischenverstärker zur identifikation
US5998805A (en) 1997-12-11 1999-12-07 Motorola, Inc. Active matrix OED array with improved OED cathode
US6083104A (en) 1998-01-16 2000-07-04 Silverlit Toys (U.S.A.), Inc. Programmable toy with an independent game cartridge
RU2210834C2 (ru) 1998-01-28 2003-08-20 Тин Филм Электроникс Аса Способ формирования электропроводящих и/или полупроводниковых трехмерных структур, способ уничтожения этих структур и генератор/модулятор электрического поля для использования в способе формирования
US6087196A (en) 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
US6045977A (en) 1998-02-19 2000-04-04 Lucent Technologies Inc. Process for patterning conductive polyaniline films
JPH11249494A (ja) 1998-03-03 1999-09-17 Canon Inc ドラムフランジ、円筒部材、プロセスカートリッジ、電子写真画像形成装置
US6033202A (en) 1998-03-27 2000-03-07 Lucent Technologies Inc. Mold for non - photolithographic fabrication of microstructures
WO1999053371A1 (en) 1998-04-10 1999-10-21 E-Ink Corporation Electronic displays using organic-based field effect transistors
GB9808061D0 (en) 1998-04-16 1998-06-17 Cambridge Display Tech Ltd Polymer devices
TW410478B (en) 1998-05-29 2000-11-01 Lucent Technologies Inc Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode
US5967048A (en) 1998-06-12 1999-10-19 Howard A. Fromson Method and apparatus for the multiple imaging of a continuous web
US6215130B1 (en) 1998-08-20 2001-04-10 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
US6330464B1 (en) 1998-08-26 2001-12-11 Sensors For Medicine & Science Optical-based sensing devices
US6384804B1 (en) 1998-11-25 2002-05-07 Lucent Techonologies Inc. Display comprising organic smart pixels
JP2000174616A (ja) * 1998-12-04 2000-06-23 Fujitsu Ltd 半導体集積回路
US6506438B2 (en) 1998-12-15 2003-01-14 E Ink Corporation Method for printing of transistor arrays on plastic substrates
US6321571B1 (en) 1998-12-21 2001-11-27 Corning Incorporated Method of making glass structures for flat panel displays
US6114088A (en) 1999-01-15 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element for forming multilayer devices
DE60027483T2 (de) 1999-01-15 2007-05-03 3M Innovative Properties Co., Saint Paul Materialstrukturierungsverfahren
GB2347013A (en) 1999-02-16 2000-08-23 Sharp Kk Charge-transport structures
CA2336373C (en) 1999-02-22 2007-02-27 Nippon Steel Corporation High strength galvanized steel plate excellent in adhesion of plated metal and formability in press working and high strength alloy galvanized steel plate and method for production thereof
US6300141B1 (en) 1999-03-02 2001-10-09 Helix Biopharma Corporation Card-based biosensor device
US6180956B1 (en) 1999-03-03 2001-01-30 International Business Machine Corp. Thin film transistors with organic-inorganic hybrid materials as semiconducting channels
US6207472B1 (en) 1999-03-09 2001-03-27 International Business Machines Corporation Low temperature thin film transistor fabrication
US6498114B1 (en) 1999-04-09 2002-12-24 E Ink Corporation Method for forming a patterned semiconductor film
US6072716A (en) 1999-04-14 2000-06-06 Massachusetts Institute Of Technology Memory structures and methods of making same
US6383664B2 (en) 1999-05-11 2002-05-07 The Dow Chemical Company Electroluminescent or photocell device having protective packaging
US6366017B1 (en) * 1999-07-14 2002-04-02 Agilent Technologies, Inc/ Organic light emitting diodes with distributed bragg reflector
US6593690B1 (en) 1999-09-03 2003-07-15 3M Innovative Properties Company Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same
EP1085320A1 (de) 1999-09-13 2001-03-21 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Vorrichtung auf Basis von organischem Material zur Erfassung eines Probenanalyts
US6517995B1 (en) * 1999-09-14 2003-02-11 Massachusetts Institute Of Technology Fabrication of finely featured devices by liquid embossing
US6340822B1 (en) 1999-10-05 2002-01-22 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising vertically nano-interconnected circuit devices and method for making the same
EP1149420B1 (de) 1999-10-11 2015-03-04 Creator Technology B.V. Integrierter schaltkreis
US6335539B1 (en) 1999-11-05 2002-01-01 International Business Machines Corporation Method for improving performance of organic semiconductors in bottom electrode structure
US6284562B1 (en) 1999-11-17 2001-09-04 Agere Systems Guardian Corp. Thin film transistors
US6621098B1 (en) 1999-11-29 2003-09-16 The Penn State Research Foundation Thin-film transistor and methods of manufacturing and incorporating a semiconducting organic material
US6197663B1 (en) 1999-12-07 2001-03-06 Lucent Technologies Inc. Process for fabricating integrated circuit devices having thin film transistors
KR100940110B1 (ko) * 1999-12-21 2010-02-02 플라스틱 로직 리미티드 잉크젯으로 제조되는 집적회로 및 전자 디바이스 제조 방법
JP2002162652A (ja) 2000-01-31 2002-06-07 Fujitsu Ltd シート状表示装置、樹脂球状体、及びマイクロカプセル
US6706159B2 (en) 2000-03-02 2004-03-16 Diabetes Diagnostics Combined lancet and electrochemical analyte-testing apparatus
TW497120B (en) 2000-03-06 2002-08-01 Toshiba Corp Transistor, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
JP3614747B2 (ja) 2000-03-07 2005-01-26 Necエレクトロニクス株式会社 昇圧回路、それを搭載したicカード及びそれを搭載した電子機器
US6535057B2 (en) * 2000-05-29 2003-03-18 Stmicroelectronics Ltd. Programmable glitch filter
US6329226B1 (en) 2000-06-01 2001-12-11 Agere Systems Guardian Corp. Method for fabricating a thin-film transistor
DE10033112C2 (de) 2000-07-07 2002-11-14 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung und Strukturierung organischer Feldeffekt-Transistoren (OFET), hiernach gefertigter OFET und seine Verwendung
EP1309994A2 (de) * 2000-08-18 2003-05-14 Siemens Aktiengesellschaft Verkapseltes organisch-elektronisches bauteil, verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung
DE10043204A1 (de) 2000-09-01 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Feld-Effekt-Transistor, Verfahren zur Strukturierung eines OFETs und integrierte Schaltung
DE10044842A1 (de) * 2000-09-11 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Gleichrichter, Schaltung, RFID-Tag und Verwendung eines organischen Gleichrichters
DE10045192A1 (de) 2000-09-13 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Datenspeicher, RFID-Tag mit organischem Datenspeicher, Verwendung eines organischen Datenspeichers
KR20020036916A (ko) 2000-11-11 2002-05-17 주승기 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이에 의해 제조된 반도체소자
KR100390522B1 (ko) 2000-12-01 2003-07-07 피티플러스(주) 결정질 실리콘 활성층을 포함하는 박막트랜지스터 제조 방법
GB2371910A (en) * 2001-01-31 2002-08-07 Seiko Epson Corp Display devices
JP2003089259A (ja) * 2001-09-18 2003-03-25 Hitachi Ltd パターン形成方法およびパターン形成装置
US7351660B2 (en) * 2001-09-28 2008-04-01 Hrl Laboratories, Llc Process for producing high performance interconnects
US6679036B2 (en) * 2001-10-15 2004-01-20 Shunchi Crankshaft Co., Ltd. Drive gear shaft structure of a self-moving type mower
DE10212640B4 (de) * 2002-03-21 2004-02-05 Siemens Ag Logische Bauteile aus organischen Feldeffekttransistoren
MY135167A (en) * 2002-03-27 2008-02-29 N C E Electrical S Pte Ltd Power outlet device
US6812509B2 (en) * 2002-06-28 2004-11-02 Palo Alto Research Center Inc. Organic ferroelectric memory cells
US6870183B2 (en) * 2002-11-04 2005-03-22 Advanced Micro Devices, Inc. Stacked organic memory devices and methods of operating and fabricating
US7088145B2 (en) * 2002-12-23 2006-08-08 3M Innovative Properties Company AC powered logic circuitry
US6989697B2 (en) * 2004-01-15 2006-01-24 Organicid, Inc. Non-quasistatic phase lock loop frequency divider circuit
US7406297B2 (en) * 2005-05-30 2008-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Clock generation circuit and semiconductor device provided therewith

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1251458A2 (de) * 2001-04-19 2002-10-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Integrierte Halbleiterschaltung

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BAUDE P F ET AL: "Organic semiconductor RFID transponders", INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING 2003. IEDM. TECHNICAL DIGEST. WASHINGTON, DC, DEC 8 - 10, 2003, NEW YORK, NY : IEEE, US, 8 December 2003 (2003-12-08), pages 191 - 194, XP010683989, ISBN: 0-7803-7872-5 *
BAUDE P F ET AL: "Pentacene based RFID transponder circuitry", 21 June 2004, DEVICE RESEARCH CONFERENCE, 2004. 62ND DRC. CONFERENCE DIGEST [LATE NEWS PAPERS VOLUME INCLUDED] NOTRE DAME, IN, USA JUNE 21-23, 2004, PISCATAWAY, NJ, USA,IEEE, PAGE(S) 227-228, ISBN: 0-7803-8284-6, XP010748228 *
MUKHERJEE S ET AL: "Layout-level synthesis of RF bandpass filter on organic substrates for wi-fi applications", 11 October 2004, MICROWAVE CONFERENCE, 2004. 34TH EUROPEAN AMSTERDAM, THE NETHERLANDS 13 OCT. 2004, PISCATAWAY, NJ, USA,IEEE, PAGE(S) 1377-1380, ISBN: 1-58053-992-0, XP010788360 *

Also Published As

Publication number Publication date
US20080204069A1 (en) 2008-08-28
ATE505848T1 (de) 2011-04-15
DE102005009820A1 (de) 2006-09-07
US7589553B2 (en) 2009-09-15
EP1854214B1 (de) 2011-04-13
DE502006009297D1 (de) 2011-05-26
EP1854214A1 (de) 2007-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2231933C3 (de) Festkörperschalter
DE2657948C3 (de) Logikschaltung
DE4135528A1 (de) Tristate-treiberschaltung
EP0591561B1 (de) Integrierte Schaltung zur Erzeugung eines Reset-Signals
DE3429309A1 (de) Elektronische dateneingabe-tastatur mit galvanische kontakte aufweisenden tasten
EP1854214B1 (de) Elektronikbaugruppe mit organischen logik-schaltelementen
DE10393631T5 (de) Floatgate-Transistoren
WO2003081671A2 (de) Logische bauteile aus organischen feldeffekttransistoren
DE2460655A1 (de) Integrierte elektronische schalteranordnung
DE3842288A1 (de) Schaltungsanordnung zur erzeugung einer konstanten bezugsspannung
DE102004059464A1 (de) Elektronikbauteil mit Modulator
DE2852200A1 (de) Integrierte logische schaltung
EP0735493B1 (de) Bus-Treiberschaltung
DE102005009819A1 (de) Elektronikbaugruppe
DE3717922A1 (de) Als integrierte schaltung ausgebildete schaltereinrichtung
DE3741029C2 (de)
EP0142182B1 (de) Schaltungsanordnung zum Umwandeln eines digitalen Eingangssignals in ein analoges Ausgangssignal
EP1069407B1 (de) Elektronische Gebereinrichtung
DE2203247C3 (de) Halbleiterbauelement mit steuerbarer Dämpfung sowie Schaltungsanordnung zu dessen Betrieb
EP0361285A2 (de) Kapazitive Schaltungskarte
DE4011937A1 (de) Eingangspufferschaltkreis fuer integrierte halbleiterschaltkreise
EP2068447B1 (de) Elektronikbaugruppe mit organischen Schaltelementen
DE102005024955A1 (de) Signalpegelumsetzungsschaltung zur Signalpegelverschiebung eines Logiksignals
DE2834953C2 (de)
EP1163724A1 (de) Kompensationsschaltung für treiberschaltungen

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
DPE1 Request for preliminary examination filed after expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101)
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2006707103

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: RU

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Country of ref document: RU

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11817258

Country of ref document: US

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2006707103

Country of ref document: EP