WO2006070629A1 - 研磨用パッド - Google Patents

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Publication number
WO2006070629A1
WO2006070629A1 PCT/JP2005/023255 JP2005023255W WO2006070629A1 WO 2006070629 A1 WO2006070629 A1 WO 2006070629A1 JP 2005023255 W JP2005023255 W JP 2005023255W WO 2006070629 A1 WO2006070629 A1 WO 2006070629A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
polishing
groove
polishing pad
pad
back surface
Prior art date
Application number
PCT/JP2005/023255
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Tatsutoshi Suzuki
Original Assignee
Toho Engineering Kabushiki Kaisha
Inoac Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toho Engineering Kabushiki Kaisha, Inoac Corporation filed Critical Toho Engineering Kabushiki Kaisha
Priority to US11/813,141 priority Critical patent/US7867066B2/en
Publication of WO2006070629A1 publication Critical patent/WO2006070629A1/ja

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Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/26Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved

Definitions

  • the present invention relates to a polishing pad, and more particularly to a polishing pad used for polishing a surface of an object to be processed that requires extremely high processing accuracy, such as a semiconductor wafer, a semiconductor substrate, and a glass substrate. It is about a pad.
  • CMP method Chemical Mechanical Polishing
  • the CMP method generally uses a thin disc-shaped polishing pad made of a synthetic resin material or foamed material, and supplies a slurry consisting of fine particles and liquid between the wafer (semiconductor substrate) and the polishing pad while polishing. Polishing is performed by rotating the pad and wafer relatively.
  • polishing accuracy is required for polishing with high abilities. Further, the demand for improving the polishing accuracy in the CMP method has become stronger along with the securing of the polishing efficiency, particularly with the recent increase in the density of semiconductor devices.
  • polishing pad In order to ensure a high level of polishing accuracy and flattening capability, it is widely known that a certain degree of elasticity is required for the polishing pad depending on the material of the pad and wafer, the required polishing accuracy, and the like. It has been. In other words, by imparting elasticity to the polishing pad, it becomes possible to follow the surface of the polishing pad along the irregularities of the wafer surface, thereby improving the polishing accuracy.
  • the surface to be polished (processed surface) is required to be hard for the purpose of ensuring the durability and polishing efficiency of the polishing pad, so that the polishing pad should be given sufficient elasticity. Was difficult. In short, it has been difficult to achieve both “polishing accuracy” and “polishing efficiency” that are sufficient to meet the requirements with a conventional polishing pad. It is.
  • this multi-layer polishing pad has a back layer made of an elastic material such as a compressed fiber material impregnated with a resin against a surface layer formed of a hard material capable of realizing physical properties required for a processed surface. It is a multi-layered structure. In other words, both the “polishing accuracy” and the “polishing efficiency” can be achieved by ensuring the polishing efficiency by the surface while ensuring the elasticity by the back layer.
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 2001-18165 discloses that a single-layered polishing pad made of a single material has a linear shape on the back surface in order to compensate for elasticity that tends to be insufficient.
  • a groove-shaped one has been proposed.
  • the elasticity can be mechanically improved by the groove on the back surface of the pad, it is possible to improve the polishing accuracy by imparting elasticity while maintaining the polishing efficiency on the pad surface. .
  • manufacturing problems such as a multi-layered polishing pad and delamination problems are avoided.
  • the conventional polishing pad described in Patent Document 2 has the following problems (1) to (4).
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 11 156701
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 2001-18165
  • An object of the present invention is to provide a polishing pad having a novel structure.
  • the invention described in claim 2 of the present invention has an object to particularly effectively solve the above (Problem 3) and (Problem 4).
  • the groove is formed not only on the back surface of the polishing pad substrate but also on the front surface.
  • the elasticity of the polishing pad can be improved. Therefore, it is possible to improve the polishing accuracy by elasticity while ensuring good polishing efficiency by the hardness of the pad substrate material itself.
  • the surface groove without significantly increasing or enlarging the groove on the back surface can improve the elasticity of the polishing pad, it is possible to advantageously secure a fixed area to the rotating platen or the like on the back surface. .
  • both the front and back surfaces are formed at the same cross-sectional shape and the same radial interval. This groove processing can be performed under substantially the same conditions. Therefore, the polishing pad can be processed efficiently by a simple apparatus structure and operation control, and the processing apparatus can be easily managed.
  • the polishing pad according to claim 1 since the concave groove formed on the back surface is an annular concave groove, the polishing pad is attached to a mounting surface such as a rotating platen in the polishing apparatus.
  • the recessed groove on the back side is a substantially sealed space that is closed to the external space that does not open to the outer peripheral surface of the pad. Therefore, even if a polishing liquid (slurry) is supplied to the pad surface during polishing, entry between the back surface of the polishing pad and the mounting surface such as the rotating platen is effectively prevented. As a result, it is possible to effectively prevent the polishing pad from dropping off or being displaced from the polishing apparatus due to the intrusion of the polishing liquid.
  • both surfaces including the front and back concave grooves can be arbitrarily used.
  • a polishing pad can be realized. According to such a polishing pad, it becomes possible to completely avoid a processing defect caused by improperly attaching the front and back to the polishing apparatus, and when the front and back of the polishing pad must be determined. In comparison, the labor burden on the operator can be greatly reduced.
  • the front and back annular grooves are good if the radial pitch or the radial interval between adjacent annular grooves is the same. The annular grooves need not be formed at the same position.
  • the front-side annular groove and the back-side annular groove may be formed at positions shifted from each other by a predetermined distance in the radial direction. Even if the positions of the annular concave grooves on both the front and back surfaces are the same or shifted in the radial direction, the effect of the invention described in claim 1 as described above can be effectively exhibited.
  • the invention according to claim 2 of the present invention has a thin disk shape, and is attached to the polishing apparatus by being fixed to the support surface on the back surface, and the surface of the semiconductor wafer or the like is mounted.
  • a polishing pad that applies a polishing action to a workpiece, and forms a plurality of annular concave grooves extending concentrically around a central axis with respect to the back surface, while being parallel to the surface. It is characterized in that a plurality of straight grooves extending in the direction are formed in at least one direction.
  • the polishing pad according to claim 2 is clearly identified by visual recognition.
  • By forming grooves with the shape to be formed on the front and back surfaces respectively it is possible to efficiently discriminate between the front and the back when attaching the polishing pad to the polishing apparatus and improve the work efficiency. It is possible to more easily and more reliably avoid the occurrence of problems such as a mistake in the front and back during installation.
  • the invention according to claim 3 of the present invention has a thin disk shape, and is attached to the polishing apparatus by being fixed to the support surface on the back surface.
  • a polishing pad for polishing an object to be processed wherein a plurality of back-side annular grooves extending concentrically around a central axis are formed at predetermined radial intervals on the back surface, A plurality of front-side annular grooves extending concentrically around the central axis with respect to the surface are formed at predetermined radial intervals, and one of the back-side annular grooves and the front-side annular grooves is formed.
  • One or a plurality of the other annular grooves are located between the radial directions of the two.
  • the polishing efficiency is satisfactorily secured by the grooves formed on both the front and back surfaces as in the invention described in claim 1.
  • the back-side annular groove is used for polishing.
  • the elasticity imparted to the surface can be exhibited more advantageously on the surface, and further improvement in polishing accuracy can be realized.
  • the invention described in claim 4 of the present invention is the polishing pad according to the invention of claim 3, wherein the front side annular groove is the same constant radial direction as the back side annular groove. It is characterized in that it is formed at intervals and the front side annular groove is located at a substantially central portion between the radial directions of the back side annular groove.
  • Such a polishing pad having a structure according to the invention described in claim 4 is arranged so that the front side annular groove is located at a substantially central portion between the radial directions of the back side annular groove.
  • the back-side annular groove is positioned on the back side of the portion of the surface that is brought into contact with the workpiece. Therefore, the load in the thickness direction of the polishing pad When squeezed, shear deformation occurs in the portions located between the radial directions of the respective annular grooves on the front and back sides, and even more effective elasticity can be realized even if the material of the polishing pad is the same.
  • the invention according to claim 5 of the present invention is characterized in that the structure according to claim 1 is employed in the polishing pad according to the invention according to claim 4.
  • the invention according to claim 6 of the present invention is the polishing pad according to the invention of claim 3, wherein the back-side annular groove has a smaller radial distance than the front-side annular groove. It is characterized by being formed with a gap.
  • the back-side annular groove is formed at a smaller radial interval than the front-side annular groove. It is possible to more advantageously realize the elasticity imparted to the polishing pad by the annular concave groove, and it is possible to perform a highly accurate polishing process with excellent uniformity and flatness.
  • the groove on the back side which has a small effect on the polishing performance and the like, has a small radial interval compared to the surface that has a large effect on the polishing accuracy and polishing performance, while ensuring the polishing performance advantageously. This makes it possible to further improve the impact.
  • the invention according to claim 7 of the present invention is the same as the polishing pad according to any one of claims 3 to 6, wherein the back-side annular groove and the front-side annular
  • the total value of the depth dimension of one annular groove of the groove and the depth dimension of the other annular groove positioned between the radial directions of the one annular groove is the total of the pad. It is characterized by being larger than the thickness dimension.
  • the free surface area given by the inner surfaces of the front and back concave grooves can be set larger. Therefore, it is possible to further improve the elasticity while using the same polishing pad material.
  • the depth dimension of the back-side annular groove and the front-side annular is smaller than the thickness of the entire pad.
  • Such a polishing pad having a structure according to the present invention described in this claim is specially considered with respect to the position and size of the back side annular groove and the front side groove. It can be designed with a great degree of freedom. Therefore, it is easy to achieve both the improvement in elasticity realized by the groove on the back side and the polishing performance such as polishing accuracy and flatness realized by the groove on the front side.
  • the invention according to claim 9 of the present invention has a thin disk shape, and is attached to the polishing apparatus by being fixed to the support surface on the back surface, and the surface of the semiconductor wafer or the like is mounted on the surface.
  • a plurality of back-side annular grooves extending concentrically around the central axis are formed on the back surface, and the plurality of back-side annular grooves are formed.
  • the inner peripheral surface and the outer peripheral surface are inclined recesses extending over the entire circumference in the circumferential direction with a substantially constant cross-sectional shape that is inclined in parallel with a substantially constant inclination angle with respect to the central axis. It is characterized by having a groove.
  • the back-side annular groove is an inclined groove so that the polishing pad is subjected to an external load in the thickness direction of the polishing pad. It is possible to give a shearing component to the deformation generated in the film. Thereby, the elasticity of the polishing pad can be improved more advantageously. Also, since the back-side annular groove is annular, even if shearing elastic deformation occurs, the deformation direction is balanced as a whole. Therefore, it is possible to suppress the polishing surface from being deformed into a strain in a specific direction, and it is possible to maintain stable polishing surface accuracy while achieving good elasticity.
  • the invention described in claim 10 of the present invention is that the structure according to any one of claims 1 to 7 is adopted in the polishing pad according to the invention of claim 9. This is a feature.
  • the invention described in claim 11 of the present invention has a thin disk shape, and is attached to the polishing apparatus by being fixed to the support surface on the back surface, and the surface of the semiconductor wafer or the like is mounted on the surface.
  • a plurality of annular grooves are formed concentrically extending around the central axis, while a plurality of front grooves are formed on the surface, and the inner surfaces of both side walls are substantially parallel to each other. It is characterized by the fact that it is an inclined concave groove that is inclined.
  • the grooves formed on both the front and back surfaces can improve the polishing accuracy based on appropriate elasticity while ensuring good polishing efficiency, and can be mounted on the polishing apparatus.
  • the polishing liquid can be prevented from entering the surface (back surface).
  • the front-side concave groove is an inclined groove
  • the deformation is caused to occur in the polishing pad in response to an external load in the thickness direction of the polishing pad. It becomes possible to have an ingredient. Thereby, the elasticity of the polishing pad can be advantageously improved further.
  • the invention described in claim 12 of the present invention employs the configuration according to any one of claims 1 to 10 in the polishing pad according to the invention described in claim 11. Is a feature.
  • the invention described in claim 13 of the present invention is the polishing pad according to any one of claims 1 to 12, wherein the plurality of annular recesses formed on the back surface is provided.
  • the polishing pad having the structure according to the invention described in claim 13, by setting each dimension of the annular groove formed in the back surface within the above range, the polishing pad can be used. It is possible to more effectively improve the elasticity required for the polishing pad while securing a fixed area during mounting.
  • the polishing pad having the structure according to claims 1, 8, 9 and 13 of the present invention has the problem (problem in the above-mentioned prior art).
  • Point 2 (Problem 4) It can be solved.
  • FIG. 1 is a plan view showing a polishing pad as one embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing a state where the polishing pad shown in FIG. 1 is attached to a polishing apparatus.
  • FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a plan view showing a polishing pad as one embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a bottom view of the polishing pad shown in FIG. 5.
  • FIG. 7 is a longitudinal sectional view showing a state where the polishing pad shown in FIG. 5 is attached to the polishing apparatus.
  • FIG. 8 is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a plan view showing a polishing pad as one embodiment of the present invention.
  • FIG. 17 is a bottom view of the polishing pad shown in FIG. 16.
  • FIG. 18 is a longitudinal sectional view showing a state in which the polishing pad shown in FIG. 16 is attached to the polishing apparatus.
  • FIG. 19] is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 20] is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 21] A longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 22 A longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 23] is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 24] is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 25 A longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 26 A longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 27 is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 28 A longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 29 A longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 30 is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 31 is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 32] is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 33] is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 34] is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 35] is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 36 is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • 37] is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 38] A longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 39] A longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 40 is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 41 A longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 42 A longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 43 A longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 44 is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 45] is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 46] is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • Fig. 47] is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 48 A longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 49 A longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 50 is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 51 A longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 52 is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 53 is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 54 is a plan view showing a polishing pad as an embodiment of the present invention.
  • FIG. 55 is a longitudinal sectional view showing a state where the polishing pad shown in FIG. 54 is attached to the polishing apparatus.
  • FIG. 56 is a longitudinal sectional view showing a state where the polishing pad shown in FIG. 54 is attached to the polishing apparatus.
  • FIG. 57 A longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 58 is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 59 is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 60 is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 61 is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 62 is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 63 is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 64 is a plan view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 65 is a plan view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 66 is a plan view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 67 is a plan view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 68 is a plan view showing a polishing pad as an embodiment of the present invention.
  • FIG. 69 is a longitudinal sectional view showing a state where the polishing pad shown in FIG. 68 is attached to the polishing apparatus.
  • FIG. 70 is a longitudinal sectional view showing a state where the polishing pad shown in FIG. 68 is attached to the polishing apparatus.
  • FIG. 71 is a longitudinal sectional view showing a polishing pad as another embodiment of the present invention.
  • polishing pad 14: front surface, 16: front surface groove, 18: central axis, 20: back surface, 22: back surface groove, 36: front surface groove, 38: back surface groove, 40: inside surface Wall surface, 42: Front outer wall surface, 44: Back inner wall surface, 46: Back outer wall surface, 48: Polishing pad, 50: Polishing groove, 74: Polishing pad, 9 8: Polishing pad, 100: Polishing pad Pad: 110: Polishing pad, 112: Polishing pad BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • FIGS. 1 and 2 show a polishing pad 10 as an embodiment of the present invention described in claims 1 and 13.
  • the polishing pad 10 is formed by a thin disk-shaped pad substrate 12 having a constant thickness dimension: T as a whole.
  • the pad substrate 12 is formed of various appropriate materials including, for example, hard foamed or unfoamed synthetic resin material, hard rubber material, fiber material, inorganic material, and the like. Is formed of urethane foam.
  • the pad thickness dimension is appropriately set according to the material of the wafer to be processed only by the material of the pad substrate 12 that is not limited, the required processing accuracy, and the like.
  • a surface groove 16 as a front-side annular groove extending in the circumferential direction is formed around the central axis 18 of the pad substrate 12 on the surface 14 that is one surface of the pad substrate 12 that exerts force. It is open on the surface 14.
  • the powerful surface concave groove 16 is a plurality of circular grooves each having a center axis 18 as a center of curvature and having different curvature radii. It consists of 16, 16, 16, ....
  • a back surface groove 22 as a back side annular groove extending in the circumferential direction is provided around the central axis 18 of the pad substrate 12. Formed on the back surface 20.
  • the back side concave groove 22 which is strong is in this embodiment. In this case, it is constituted by a large number of circular grooves 22, 22, 22, '"having the same shape as the surface concave groove 16.
  • Pitch Pt and radial pitch of groove 22 on the back surface 22
  • the front surface 14 of the pad substrate 12 in which the front surface concave groove 16 is formed and the rear surface 20 of the pad substrate 12 in which the rear surface concave groove 22 is formed have the same shape. Has been.
  • the specific set values such as the size of each part of the front surface groove 16 and the back surface groove 22 are the material of the pad substrate 12 and the thickness, outer diameter, and the material of the wafer to be polished. It is determined by comprehensively considering the shape and material of the metal wire formed on the wafer and the required polishing accuracy, and is not particularly limited. It is desirable that each value of groove width: Bt, Bb, depth: Dt, Db, radial pitch: Pt, Pb of the back side concave groove 22 is set within the following range.
  • Cover and groove width of front groove 16 and back groove 22 If Bt and Bb are too small, clogging of surface groove 16 due to polishing debris and the like is likely to occur and a stable effect is exhibited. Difficult and table It is difficult to secure sufficient elasticity by the groove 16 on the surface and the groove 22 on the back surface. On the other hand, if the groove widths Bt and Bb of the front concave groove 16 and the rear concave groove 22 are too large, the contact surface pressure with the wafer at the edge portion (opening edge portion) of the front concave groove 16 increases and the biting shape is increased. It is difficult to achieve stable polishing that is likely to cause polishing and the like, and the surface groove 16 and the back surface groove 22 give excessive elasticity, which may lead to a decrease in polishing accuracy.
  • the groove depths Dt and Db of the front surface groove 16 and the back surface groove 22 are too small, the rigidity of the surface 14 of the polishing pad 10 becomes too large and is applied to the polishing pad 10.
  • the surface groove 14 is not effectively exerted on the surface 14 and tends to be difficult to precisely polish, and the surface groove 16 and the back surface groove 22 provide sufficient elasticity to the polishing pad 10. It ’s difficult.
  • the groove depths Dt and Db of the front surface groove 16 and the back surface groove 22 are too large, the surface 14 of the polishing pad 10 that is not only difficult to manufacture is easily deformed, and stick slip is generated. There is also a possibility that polishing is likely to be unstable, and a decrease in polishing accuracy due to excessive elasticity imparted to the polishing pad 10 by the front surface groove 16 and the back surface groove 22 is likely to be a problem.
  • the groove depth of the front surface groove 16 Dt and the groove depth of the back surface groove 22: the total value of Db (Dt + Db) force
  • the thickness dimension of the pad substrate 12 T Has been smaller than.
  • the value of the thickness dimension T of the pad substrate 12 is set within the following range.
  • the polishing pad 10 having such a front surface 14 and a back surface 20 is the same as the conventional one. And used for polishing wafers and the like. Specifically, as shown in FIG. 3, for example, a means such as negative pressure suction by air or adhesion by double-sided tape is placed on the support surface of the rotating plate (support plate) 24 of the polishing apparatus. And fixed to the rotating plate. Then, the wafer 26 is superposed on the surface 14 while being driven to rotate around the central axis 18, so that it is subjected to a polishing process.
  • a means such as negative pressure suction by air or adhesion by double-sided tape is placed on the support surface of the rotating plate (support plate) 24 of the polishing apparatus. And fixed to the rotating plate.
  • the wafer 26 is superposed on the surface 14 while being driven to rotate around the central axis 18, so that it is subjected to a polishing process.
  • a polishing liquid (slurry) 30 is generally supplied between the opposed surfaces of the surface 14 of the polishing pad 10 and the surface 28 to be coated of the wafer 26 as in the prior art.
  • the wafer itself is driven to rotate around its central axis.
  • the polishing liquid 30 is supplied from, for example, the central portion of the polishing pad 10 to the surface 14 of the polishing pad 10, and the polishing pad 10 is subjected to a centrifugal force caused by rotation around the central axis 18 of the polishing pad 10. It is made to spread on the surface.
  • the elasticity of the polishing pad 10 can be improved. Therefore, it is possible to improve the polishing accuracy by elasticity while ensuring good polishing efficiency due to the hardness of the material of the node substrate 12 itself.
  • the front surface groove 16 formed on the front surface 14 and the back surface groove 22 formed on the back surface 20 are formed in the same number in the same cross-sectional shape and the same radial interval. Compared to the case where the shape of the groove on the front surface and the groove on the back surface is different, the groove force can be easily measured, and maintenance and management such as maintenance of the processing apparatus can be simplified.
  • both the front surface 14 and the back surface 20 are processed. It can be used as a surface (polishing surface), and when the polishing pad 10 is placed on the support surface of the rotating plate (support plate) 24 of the polishing apparatus, it is not necessary to confirm the front and back. Therefore, it is possible to easily attach the polishing pad 10 capable of realizing high-precision polishing, and it is possible to prevent the wrong attachment of the front and back surfaces, thereby enabling reliable attachment.
  • the back-side recessed groove 22 into an annular groove extending in the circumferential direction, it is possible to advantageously prevent the polishing liquid 30 supplied to the front surface 14 side from entering the back surface 20 side along the outer peripheral surface. Can do. Therefore, the polishing pad 10 may fall off from the rotating plate 24 of the polishing apparatus due to the polishing liquid 30 entering between the opposite surfaces of the back surface 20 and the supporting surface of the rotating plate 24, or on the rotating plate. It is possible to prevent problems such as displacement, and to perform polishing with high reliability.
  • the total depth (Dt + Db) of the groove depth Dt of the front surface groove 16 and the groove depth Db of the back surface groove 22 is smaller than the thickness dimension of the pad substrate 12.
  • FIGS. 3 and 4 show polishing pads 32 and 34 as another embodiment of the present invention described in claims 1, 9, 10, 11, 12, and 13. .
  • members or parts that are substantially the same as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals in the drawings, and the description thereof is omitted.
  • the surface 14 of the pad substrate 12 forming the polishing pads 32, 34 is a surface as a front-side annular groove formed by a number of circular grooves concentrically extending in the circumferential direction.
  • a concave groove 36 is formed, and a back surface concave groove 38 is formed on the back surface 20 of the pad substrate 12 as a back-side annular concave groove constituted by a large number of circular grooves concentrically extending in the circumferential direction. ing.
  • the surface concave groove 36 is formed by an inclined groove that is inclined at a constant angle with respect to the central axis 18 of the pad substrate.
  • the inner peripheral side wall surface of the surface groove 36 (hereinafter referred to as “surface inner wall surface”) 40 and the outer peripheral side wall surface of the surface groove 36 (hereinafter referred to as “surface outer wall surface”). 42) are inclined surfaces inclined at a predetermined angle: ct t with respect to the central axis 18.
  • the inner surface wall 40 and the outer surface wall 42 are parallel to each other, and the entire surface concave groove 36 is not only in the circumferential direction but also in the depth direction.
  • the surface concave groove 36 is gradually separated from the central axis 18 toward the outer peripheral side as it goes to the opening.
  • the surface concave groove 36 is gradually formed on the central axis 18 as it goes to the opening.
  • the pad substrate 12 is opened toward the inside of the pad substrate 12 obliquely in the radial direction.
  • the back concave groove 38 is also formed by an inclined groove that is inclined at a constant angle with respect to the central axis of the pad substrate.
  • All of 46 are inclined surfaces inclined by a predetermined angle: ct b with respect to the central axis 18.
  • the back groove 38 in the present embodiment is such that the back inner wall surface 44 and the back outer wall surface 46 are parallel to each other, and not only in the circumferential direction but also in the depth direction of the back groove 38.
  • the back side concave groove 38 gradually increases toward the central axis as it goes to the opening.
  • the back surface concave groove 38 has an opening that is spaced apart from the outer periphery 18 and opened outward in the radial direction of the pad substrate 12. As it goes to the part, it gradually approaches the central axis 18 and opens toward the inner side of the pad substrate 12 in the radial direction.
  • the front and back grooves 36 and 38 have the same shape and are formed on the front surface 14 and the back surface 20 respectively. Thereby, in the polishing pads 32 and 34 in the present embodiment, the front surface 14 and the back surface 20 have the same shape.
  • Specific set values such as the size of each part of the front surface groove 36 and the back surface groove 38 are the material of the pad substrate 12 and the thickness, outer diameter, and the material of the wafer to be polished. It is determined by comprehensively considering the shape and material of the metal wire formed on the wafer and the required polishing accuracy, and is not particularly limited.
  • the values of groove width: Bt, Bb, depth: Dt, Db, radial pitch: Pt, Pb of backside groove 38 should be set within the following ranges.
  • the polishing pads 32 and 34 are given sufficient elasticity. May not be able to perform as expected.
  • the angle of inclination of the inner and outer wall surfaces 40 and 42 (back inner and outer wall surfaces 4 4 and 46) is too large, the surface groove 36 (back groove 38) that only makes it difficult to manufacture. There is a risk that the strength of the side wall portion of the steel will decrease and the surface pressure distribution will be difficult to stabilize, and it will be difficult to obtain sufficient durability of the polishing pads 32 and 34.
  • polishing pads 32 and 34 having the structure according to the present embodiment (Problem 1), (Problem 2), and (Problem 4) in the problems of the prior art described above are obtained.
  • the surface groove 36 and the back groove 38 are formed by the inclined grooves inclined with respect to the central axis 18, so that the polishing pads 32, 34 can be Ratio A relatively large elasticity can be advantageously imparted.
  • FIGS. 5 to 7 show a polishing pad 48 according to an embodiment of the present invention described in claims 2 and 13.
  • the polishing pad 48 is formed of a thin disk-shaped pad substrate 12 having a constant thickness dimension: T as a whole.
  • the pad substrate 12 is formed of various suitable materials including, for example, hard foamed or unfoamed synthetic resin material, hard rubber material, fiber material, inorganic material, and the like. Is formed of urethane foam.
  • the pad thickness dimension is appropriately set according to the material of the wafer to be processed only by the material of the pad substrate 12 that is not limited, the required processing accuracy, and the like.
  • a large number of grooves 50, 50 extending linearly and parallel to each other in one radial direction are formed on the surface 14 which is one surface of the pad substrate 12 which is applied.
  • 50,..., 50 are formed as surface grooves 50, and are opened in the surface 14.
  • each part of the surface concave groove 50 is not only the material, thickness, and outer diameter of the pad substrate 12, but also the material of the wafer to be polished and the wafer. It is determined by comprehensively considering the shape and material of the metal wire, the required polishing accuracy, etc., and is not particularly limited.
  • the groove width of the surface concave groove 50 Bt , Depth: Dt, Radial pitch: Pt should be set within the following range.
  • the groove depth of the surface concave groove 50: Dt is too small, the rigidity of the surface 14 of the polishing pad 48 becomes too large, and the elasticity imparted to the polishing pad 48 is effective on the surface 14. There is a tendency that precise polishing is difficult without being emitted.
  • the groove depth Dt of the surface groove 50 is too large, excessive elasticity is imparted to the polishing pad 48 by the surface groove 50. Further, while the manufacture becomes difficult, the surface 14 of the polishing pad 48 is likely to be deformed, and there is a risk of the occurrence of stagger slip, and the polishing is likely to be unstable.
  • a back surface concave groove 22 as a back-side annular concave groove constituted by a number of grooves extending in the circumferential direction is provided as a central axis 18 of the pad substrate. Is formed with the center of curvature at the back surface 20.
  • the energized back surface concave groove 22 has a large number of circular grooves 22, each having a central axis 18 as a center of curvature and having different curvature radii. Consists of 22, 22, ⁇ ⁇ •.
  • each part of the back-side recessed groove 22 is also formed on the material of the wafer to be polished and the wafer in addition to the material, thickness, and outer diameter of the pad substrate 12. In general, it is determined in consideration of the shape and material of the metal wire and the required polishing accuracy, and is not particularly limited. : Each value of Bb, depth: Db, radial pitch: Pb is preferably set within the following range.
  • the groove width: Bb or groove depth: Db of the back-side groove 22 is too small, it will be difficult to give sufficient elasticity to the polishing pad 46, and the desired polishing accuracy will be improved. It is difficult to realize. On the other hand, if the groove width: Bb or groove depth: Db of the back-side recessed groove 22 is too large, the elasticity exerted on the surface 14 of the polishing pad 48 becomes larger than necessary, leading to a decrease in polishing accuracy. There is it.
  • the pitch Pb in the radial direction of the back groove 22 is too small, damage that is difficult to manufacture is likely to occur, and stable polishing is difficult to achieve.
  • the radial pitch of the back groove 22 When Pb is too large, the number of circular grooves 22, 22, 22,. The elasticity varies greatly depending on the radial position of the polishing pad 48, making it difficult to perform uniform polishing efficiently.
  • the bottom surfaces of the front surface concave groove 50 and the back surface concave groove 22 may be any of a curved surface, a flat surface, etc., which are not limited in shape or the like.
  • the bottom surfaces of the groove 50 and the back surface recessed groove 22 are flat surfaces orthogonal to the central axis 18 of the polishing pad 48. In this way, when the bottom surfaces of the front and back grooves 50 and 22 are flat surfaces substantially parallel to the surface of the polishing pad 48, the effective depths of the front and rear grooves 50 and 22 are set large. Even in this case, it is possible to advantageously secure a gap between the bottom wall portions of the front surface groove 50 and the back surface groove 22 to obtain good strength characteristics.
  • the groove depth of the front surface groove 50 Dt and the groove depth of the back surface groove 22: total value of Db (Dt + Db) force
  • the thickness dimension of the pad substrate 12 T Has been smaller than.
  • the value of the thickness dimension T of the pad substrate 12 is set within the following range.
  • the polishing pad 48 having the front surface 14 and the back surface 20 is used for polishing a wafer or the like in the same manner as in the prior art.
  • a means for mounting on the support surface of the rotating plate (support plate) 24 of the polishing apparatus and sucking negative pressure with air or bonding with double-sided tape is used. And fixed to the rotating plate 24. Then, the wafer 26 is superposed on the surface 14 while being rotated around the central axis 18, so that it is subjected to a polishing process.
  • a polishing liquid (slurry) 30 is generally supplied between the opposing surfaces of the surface 14 of the polishing pad 48 and the processing surface 28 of the wafer 26 as in the prior art.
  • the wafer 26 itself can also be driven to rotate around its central axis.
  • the polishing liquid 30 is supplied to the surface of the polishing pad 48 from the central portion of the polishing pad 48, for example, and is applied to the polishing pad 48 by the action of centrifugal force accompanying rotation around the central axis 18 of the polishing pad 48. It is made to spread on the surface.
  • the polishing pad 48 having the structure according to this embodiment effectively solves (Problem 1), (Problem 3), and (Problem 4) in the above-mentioned problems of the prior art. can do.
  • the front surface concave groove 50 formed on the front surface 14 is formed so as to extend linearly, while the rear surface concave groove 22 formed on the rear surface 20 extends in the circumferential direction. It is formed as follows. Therefore, the shape of the front surface 14 and the rear surface 20 of the polishing pad 48 is remarkably different, and the front surface 14 and the rear surface 20 can be easily distinguished by visual recognition. Accordingly, when attaching the polishing pad 48 to the polishing apparatus, it is possible to avoid the problem of mistaking the front and back and to attach the polishing pad 48 securely.
  • the back surface concave groove 22 into an annular groove extending in the circumferential direction, it is possible to advantageously prevent the polishing liquid 30 supplied to the front surface 14 side from entering the back surface 20 side along the outer peripheral surface. Can do. Therefore, the polishing liquid 30 enters between the opposite surfaces of the back surface 20 and the support surface of the rotating plate 24. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of problems such as the polishing pad 48 falling off the rotating plate 24 of the polishing apparatus or being displaced on the rotating plate 24, and polishing processing can be performed with high reliability. It becomes possible.
  • the total depth (Dt + Db) of the groove depth Dt of the front surface groove 50 and the groove depth Db of the back surface groove 22 is smaller than the thickness dimension of the pad substrate 12.
  • FIGS. 8 and 9 show polishing pads 52 and 54 according to another embodiment of the present invention as set forth in claims 2, 9, 10, and 13.
  • the same members or parts as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals in the drawings and description thereof is omitted.
  • the surface 14 which is one surface of the pad substrate 12 is provided with surface concave grooves 50 formed by a number of grooves linearly extending in one radial direction. Is open.
  • the back surface groove 20 extending in the circumferential direction is formed on the back surface 20 which is the other surface of the pad substrate 12.
  • the pad substrate 12 is formed around the central axis 18 and is opened on the back surface 20.
  • the concave groove 38 is formed by a large number of circular grooves 38, 38, 38,... Concentrically formed with the central axis 18 as the center of curvature.
  • the back surface concave groove 38 is formed by an inclined groove that is inclined at a constant angle with respect to the central axis of the pad substrate.
  • the inner peripheral side wall surface (hereinafter referred to as “back inner wall surface”) 44 of the back surface concave groove 38 and the outer peripheral side wall surface of the rear surface concave groove 38 (hereinafter referred to as “back outer wall surface”). 46 are all inclined surfaces inclined at a predetermined angle: b with respect to the central axis 18.
  • the back surface concave groove 38 in the present embodiment is such that the back surface inner wall surface 44 and the back surface outer wall surface 46 are parallel to each other.
  • the entire back groove 38 has a substantially constant width dimension: Bb.
  • Bb width dimension
  • the concave groove 38 on the back surface gradually opens away from the central axis 18 toward the outer periphery as it goes to the opening, and is opened outward in the radial direction of the node substrate 12, while FIG.
  • the energetic back surface concave groove 38 gradually approaches the central axis 18 as it goes to the opening, and is opened toward the radially inward direction of the pad substrate 12. Yes.
  • the specific set values such as the dimensions of each part of the back groove 38 are also formed on the material of the wafer to be polished and the wafer. In general, it is determined by comprehensively considering the shape and material of the metal wire and the required polishing accuracy, and is not particularly limited. : Bb, Depth: Db, Radial Pitch: Pb values should be set within the following ranges.
  • the inclination angle of the inner and outer wall surfaces 44 and 46 on the back surface is too small. If b is too small, the polishing pads 52 and 54 cannot be given sufficient elasticity, and the expected performance may not be exhibited. There is. On the other hand, if the angle of inclination of the inner walls 44, 46 on the back surface is too large, not only will it be difficult to manufacture, but the strength of the side wall portion of the back groove 38 will decrease, making it difficult to stabilize the surface pressure distribution. In addition, the durability of the polishing pads 52 and 54 may not be sufficiently obtained. [0116] In the polishing pads 52 and 54 having the structure according to this embodiment, (Problem 1), (Problem 2), (Problem 3), (Problem 4) can be solved effectively.
  • FIGS. 10 and 11 show polishing pads 56 and 58 as another embodiment of the present invention described in claims 2, 11, 12 and 13.
  • the same members or parts as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals in the drawings, and the description thereof is omitted.
  • the surface 14 which is one surface of the pad substrate 12 is provided with a surface concave groove 60 formed by a number of grooves extending linearly in one radial direction. Is open.
  • the surface concave groove 60 is formed by an inclined groove that is inclined at a constant angle with respect to the central axis of the pad substrate 12 (a straight line parallel to the central axis 18). .
  • the surface inner wall surface 62 and the surface outer wall surface 64 are parallel to each other, and not only in the circumferential direction but also in the depth direction of the surface groove 60
  • the groove 60 has a substantially constant width dimension: Bt.
  • the surface groove 60 gradually increases from the central axis 18 toward the opening.
  • the surface groove 60 is opened to the outer peripheral side and is opened toward the diagonally outward in the radial direction of the pad substrate 12. As it goes to the part, it gradually approaches the central axis 18 and opens toward the radially inner side of the pad substrate 12.
  • each part of the surface groove 60 is not only the material, thickness, and outer diameter of the pad substrate 12, but also the material of the wafer to be polished and the wafer. It is determined in consideration of the shape and material of the metal wire and the required polishing accuracy, and is not particularly limited.
  • the groove width of the surface concave groove 60 Bt , Depth: Dt, Radial Pitch: Pt, Inclination Angle: at values should be set within the following ranges.
  • Cover and inclination angle of inner and outer wall surfaces 62, 64 If at is too small, the polishing pads 56, 58 may not be given sufficient elasticity, and the expected performance may not be achieved. There is. On the other hand, if the angle of inclination of the inner and outer wall surfaces 62 and 64: at is too large, the strength of the side wall portion of the surface concave groove 60 is reduced as well as the manufacturing becomes difficult, and the surface pressure distribution becomes difficult to stabilize. The durability of the polishing pads 56 and 58 may not be sufficiently obtained.
  • the back surface 20 which is the other surface of the pad substrate 12 has a back surface concave formed by a number of circular grooves 22, 22, 22... Extending in the circumferential direction with the central axis 18 as the center of curvature.
  • a groove 22 is formed around the central axis 18 of the pad substrate, and is opened in the back surface 20.
  • FIGS. 12 to 15 show polishing pads 66, 68, 70, 72 according to another embodiment of the present invention described in claims 2, 9, 10, 11, 12, and 13. It is shown.
  • the same members or parts as those of the above-described embodiment are designated by the same reference numerals in the drawings, and the description thereof is omitted.
  • the polishing pads 66, 68, 70, 72 have the same radial direction on the surface 14.
  • the back surface groove 60 is formed of a large number of inclined grooves extending in the circumferential direction on the back surface 20 thereof. .
  • the front surface concave groove 60 is formed to open radially outward and the back surface concave groove 38 has a diameter. It is formed so as to open toward the inside of the direction slant.
  • the front surface concave groove 60 is formed so as to open obliquely inward in the radial direction, and the back surface concave groove 38 is formed. Diagonally in the radial direction It is formed to open outward.
  • the front surface concave groove 60 is formed to be opened obliquely outward in the radial direction, and the back surface concave groove 38 is formed. Diagonally in the radial direction It is formed to open outward.
  • the front surface concave groove 60 is formed to open radially inward and the back surface concave groove 38 is formed. It is formed so as to open inward in the radial direction.
  • FIGS. 16 to 18 show a polishing pad 74 according to an embodiment of the present invention described in claims 1, 3, 4, 5, 13.
  • the polishing pad 74 is formed by a thin disk-shaped pad substrate 12 having a constant thickness dimension: T as a whole.
  • the pad substrate 12 is formed of various suitable materials including, for example, hard foamed or unfoamed synthetic resin material, hard rubber material, fiber material, inorganic material, and the like. Is formed of urethane foam. Note that the pad thickness dimension is not limited, and is appropriately set according to the material of the wafer to be processed, which is not limited to the material of the pad substrate 12, and the required processing accuracy.
  • a surface groove 16 as a front-side annular groove formed by a circular groove extending in the circumferential direction has a central axis 1 of the pad substrate 12. It is formed around 8 and is open to the surface 14.
  • the energetic surface ditch 16 has a plurality of circles each having a center axis 18 as a center of curvature and having different radii of curvature. It is made up of shaped grooves 16, 16, 16,.
  • the specific set values such as the dimensions of each part of the surface groove 16 are not only the material, thickness, and outer diameter of the pad substrate 12, but also the material of the wafer to be polished and the wafer. It is determined by comprehensively considering the shape and material of the metal wire and the required polishing accuracy, and is not particularly limited.
  • the groove width of the surface concave groove 16 is: Bt , Depth: Dt, Radial pitch: Pt values should be set within the following ranges.
  • the radial pitch of the surface grooves 16 If Pt is too small, the surface 14 of the polishing node 74 that is difficult to manufacture is prone to deformation and damage, and stable polishing is realized. hard. On the other hand, if the radial pitch Pt of the surface concave grooves 16 is too large, the polishing accuracy and the polishing efficiency may be reduced.
  • a back surface concave groove 22 as a back-side annular groove formed by a circular groove extending in the circumferential direction is a central axis 1 of the pad substrate 12. It is formed around 8 and is opened on the back surface 20.
  • the energized back surface concave groove 22 extends in a number of circles each having a center axis 18 as a center of curvature and having different curvature radii. Consists of shaped grooves 22, 22, 22, ...
  • each part of the back groove 22 is also formed on the material and thickness of the pad substrate 12 as well as the material and thickness of the wafer to be polished. In general, it is determined in consideration of the shape and material of the metal wire and the required polishing accuracy, and is not particularly limited. : Each value of Bb, depth: Db, radial pitch: Pb is preferably set within the following range.
  • the pitch Pb in the radial direction of the back concave grooves 22 is too small, damage that is difficult to produce is likely to occur, and stable polishing is difficult to achieve.
  • the radial pitch of the back groove 22 When Pb is too large, the number of circular grooves 22, 22, 22,. The elasticity varies greatly depending on the radial position of the polishing pad 74, making it difficult to perform uniform polishing efficiently.
  • the bottom surfaces of the front surface concave groove 16 and the back surface concave groove 22 may be any of a curved surface, a flat surface, etc., which are not limited in shape or the like.
  • the bottom surfaces of the groove 16 and the back surface recessed groove 22 are flat surfaces orthogonal to the central axis 18 of the polishing pad 74. In this way, when the bottom surface of the front groove 16 and the back groove 22 is a flat surface substantially parallel to the surface of the polishing pad 74, the effective depth of the front groove 16 and the back groove 22 is set large. Even in this case, it is possible to advantageously secure a gap between the bottom wall portions of the front surface concave groove 16 and the back surface concave groove 22 to obtain good strength characteristics.
  • the total depth of the groove depth Dt of the front surface groove 16 and the groove depth Db of the back surface groove 22 is smaller than the thickness dimension T of the pad substrate 12. ing.
  • the value of the thickness dimension T of the pad substrate 12 is set within the following range.
  • the front surface concave grooves 16 and the rear surface concave grooves 22 are formed in a specific positional relationship with each other.
  • the table between the radial directions of the adjacent back side concave grooves 22, 22 A surface groove 16 is formed on the surface 14 side.
  • a single surface groove 16 is formed on the surface 14 side of the substantially central portion in the radial direction between the back surface grooves 22 and 22 in the radial direction.
  • a single back surface ditch 22 is formed on the back surface 20, so that the front surface ditch 16 and the back surface ditch 22 are padded.
  • the front and back surfaces of the substrate 12 are alternately formed at positions shifted from each other in the radial direction.
  • the polishing pad 74 having the front surface 14 and the back surface 20 is used for polishing a wafer or the like in the same manner as in the prior art.
  • a negative pressure suction by air or a means such as adhesion by a double-sided tape is placed on the support surface of the rotating plate (support plate) 24 of the polishing apparatus. It is fixed to the rotating plate 24 and attached.
  • the wafer 26 is superposed on the surface 14 while being rotated around the central axis 18, so that it is subjected to a polishing process.
  • a polishing liquid (slurry) 30 is generally supplied between the opposed surfaces of the surface 14 of the polishing pad 74 and the work surface 28 of the wafer 26 as in the conventional case.
  • the wafer 26 itself can also be driven to rotate around its central axis.
  • the polishing liquid 30 is supplied to the surface of the polishing pad 74 from the central portion of the polishing pad 74, for example, and is applied to the polishing pad 74 by the action of centrifugal force accompanying the rotation of the polishing pad 74 around the central axis 18. It is made to spread on the surface.
  • the surface 14 of the polishing pad 74 against the work piece, that is, the portion (contact surface) that comes into contact with the object to be polished acts on the contact surface.
  • the applied stress is transmitted downward in the axial direction.
  • the back surface groove 20 is formed on the back surface 20 side of the portion where the contact surface is formed on the front surface 14, and since elasticity is given, it is elastic by the action of stress. It can be deformed and stress can be released. Therefore, it is possible to advantageously exert the elasticity exerted on the front surface 14 by forming the back surface concave groove 22 while ensuring a sufficient fixing area between the back surface 20 and the rotating plate (support plate) 24. Polishing with high flatness and uniformity Processing can be realized.
  • the back-side recessed groove 22 into an annular groove extending in the circumferential direction, it is possible to advantageously prevent the polishing liquid 30 supplied to the front surface 14 side from entering the back surface 20 side along the outer peripheral surface. Can do. Therefore, the polishing pad 74 is peeled off from the rotating plate 24 of the polishing apparatus due to the polishing liquid 30 permeating between the opposite surfaces of the back surface 20 and the support surface of the rotating plate 24, or on the rotating plate 24. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of problems such as dislocation, and to perform polishing with high reliability.
  • the total depth (Dt + Db) of the groove depth Dt of the front surface groove 16 and the groove depth Db of the back surface groove 22 is smaller than the thickness dimension of the pad substrate 12.
  • FIGS. 19 and 20 show polishing pads 76 and 78 according to another embodiment of the present invention described in claims 3, 4, 8, 11 to 13: .
  • members or portions that are substantially the same as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals in the drawings, and the description thereof is omitted.
  • a large number of circular grooves 36, 36, 36, ⁇ extending concentrically in the circumferential direction with the central axis as the center of curvature.
  • the surface concave groove 36 formed by the above is formed around the central axis 18 of the pad substrate 12 and is opened in the surface 14.
  • the surface concave groove 36 is constituted by an inclined groove inclined at a constant angle with respect to the central axis (a straight line parallel to the central axis 18) of the pad substrate.
  • the surface inner wall surface 40 and the surface outer wall surface 42 are parallel to each other, and the surface groove is not only in the circumferential direction but also in the depth direction of the surface groove 36.
  • Width Bt, which is substantially constant over the whole of 36.
  • the surface concave groove 36 gradually increases from the central axis 18 toward the outer peripheral side as it goes to the opening.
  • the surface groove 36 is formed in the opening while the pad substrate 12 is opened diagonally outward in the radial direction. As it goes, it gradually approaches the central axis 18 and opens toward the inside in the radial direction of the pad substrate 12.
  • the groove width of the surface groove 36 is determined by comprehensively considering the shape and material of the metal wire, the required polishing accuracy, etc., and is not particularly limited.
  • the inclination angle of the inner and outer wall surfaces 40, 42 on the surface is too small. If the t is too small, the polishing pads 76, 78 cannot be given sufficient elasticity, and the desired performance cannot be exhibited. There is a fear. On the other hand, if the angle of inclination of the inner and outer wall surfaces 40, 42 is too large, the strength of the side wall portion of the surface concave groove 36 will decrease as well as the manufacturing becomes difficult, and the surface pressure distribution will be difficult to stabilize. The durability of the polishing pads 76 and 78 may not be sufficiently obtained.
  • a back surface concave groove 22 constituted by a circular groove extending in the circumferential direction is formed around the central axis 18 of the pad substrate. It is open on the back surface 20.
  • the concave groove 22 on the back surface is formed by a large number of circular grooves 22, 22, 22,... Concentrically extending with the central axis as the center of curvature.
  • FIGS. 21 and 22 show polishing pads 80 and 82 as another embodiment of the present invention described in claims 3, 4, 8, 9, 10, and 13. I'm going.
  • the surface 14 which is one surface of the pad substrate 12 has a large number of circular grooves 16, which extend in the circumferential direction with the central axis as the center of curvature and have different curvature radii.
  • a surface concave groove 16 constituted by 16, 16,... Is formed around the central axis 18 of the pad substrate 12 and is opened on the surface 14.
  • a back surface concave groove 38 constituted by a circular groove extending in the circumferential direction is formed around the central axis 18 of the pad substrate. It is open on the back surface 20.
  • the concave groove 38 on the back surface is constituted by a plurality of circular grooves 38, 38, 38,... Concentrically extending with the central axis as the center of curvature.
  • the back surface concave groove 38 is formed by an inclined groove inclined at a constant angle with respect to the center axis 18 (a straight line parallel to the center axis 18) of the pad substrate.
  • a side wall surface on the inner peripheral side of the back groove 38 (hereinafter referred to as “back side inner wall surface”) ) 44 and the outer side wall surface of the rear groove 38 (hereinafter referred to as “back outer wall surface”) 46 are both at a predetermined angle with respect to the central axis 18: at (parallel to the central axis 18) The angle of intersection with the straight line is equal to at).
  • the back surface inner wall surface 44 and the back surface outer wall surface 46 are parallel to each other, and not only in the circumferential direction but also in the depth direction of the back surface recessed groove 38.
  • the groove 38 has a substantially constant width dimension: Bt.
  • the back groove 38 gradually increases from the central axis 18 toward the opening.
  • the back surface recessed groove 38 is applied to the polishing pad 82 shown in FIG. As it goes to the opening, it gradually approaches the central axis 18 and opens toward the radially inner side of the pad substrate 12.
  • the specific set values such as the dimensions of each part of the back surface recessed groove 38 are not only the material, thickness, and outer diameter of the pad substrate 12, but also the material of the wafer to be polished and the wafer. It is determined by comprehensively considering the shape and material of the metal wire, the required polishing accuracy, etc., and is not particularly limited.
  • the groove width of the back groove 38 is: Bb , Depth: Db, Radial pitch: Pb values should be set within the following ranges.
  • FIGS. 23 and 24 show polishing pads 84 and 86 as another embodiment of the present invention described in claims 3, 4, 8 to 13.
  • members or portions that are substantially the same as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals in the drawings, and the description thereof is omitted.
  • the surface pads 14 and 86 are formed with surface concave grooves 36 that are constituted by a large number of inclined grooves concentrically extending in the circumferential direction with the central axis 18 as the center of curvature.
  • the back surface groove 20 is also formed with a plurality of inclined grooves 38 concentrically extending in the circumferential direction about the central axis 18 as the center of curvature.
  • the front concave groove 36 is formed to open radially outward and the back concave groove 38 has a diameter. It is formed so as to open toward the inside of the direction slant.
  • the front surface concave groove 36 is formed to open radially inward and the back surface concave groove 38 is formed. Diagonally in the radial direction It is formed to open outward.
  • FIGS. 25 and 26 show polishing pads 88 and 90 according to another embodiment of the present invention described in claims 1, 3, 4, 5, 8 to 13. .
  • the above The members or portions that are substantially the same as those in the embodiment will be denoted by the same reference numerals in the drawings, and description thereof will be omitted.
  • the polishing pads 88 and 90 are formed with surface concave grooves 36 each having a plurality of inclined grooves concentrically extending in the circumferential direction with the central axis 18 as a center of curvature on the surface 14 thereof.
  • the back surface groove 20 is also formed with a plurality of inclined grooves 38 concentrically extending in the circumferential direction about the central axis 18 as the center of curvature.
  • the front surface concave groove 36 is formed to be opened obliquely outward in the radial direction, and the back surface concave groove 38 is formed. Diagonally in the radial direction It is formed to open outward.
  • the front surface concave groove 36 is formed to open in the radially inward direction and the back surface concave groove 38 is formed. It is formed so as to open inward in the radial direction.
  • FIG. 27 shows a polishing pad 92 as another embodiment of the present invention described in claims 3, 8 and 13.
  • members or portions that are substantially the same as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals in the drawings, and description thereof is omitted.
  • a surface concave groove 16 is formed around the central axis 18 of the pad substrate 12 on the surface 14 which is one surface of the pad substrate 12, and is opened on the surface 14.
  • a back surface concave groove 22 is formed around the central axis 18 of the pad substrate and is opened in the back surface 20.
  • the radial pitch: Pt of the back surface concave grooves 22 is made smaller than the radial pitch: Pb of the front surface concave grooves 16. More specifically, the back surface recessed grooves 22 are formed at a radial pitch approximately twice that of the surface surface recessed grooves 16, and the back surface recessed grooves 22 are formed more than the front surface recessed grooves 16. [0190] In the polishing pad 92 having the structure according to the present embodiment as described above, (Problem 1) and (Problem 4) in the problems of the conventional technique described above can be effectively solved.
  • both the front and back grooves 16 and 16 are formed by circular grooves that do not have an inclination angle with respect to the center axis.
  • Recessed groove 22 the surface groove formed by the inclined groove inclined with respect to the central axis as the surface groove. 36 can be adopted, and as shown in FIGS. 30 to 35, the back-side recessed groove 38 formed of an inclined groove inclined with respect to the central axis is also used as the back-side recessed groove. It is possible to adopt.
  • FIG. 36 shows a polishing pad 94 as another embodiment of the present invention described in claims 3, 6, 8, and 13.
  • members or portions that are substantially the same as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals in the drawings, and description thereof is omitted.
  • a surface concave groove 16 is formed around the central axis 18 of the pad substrate 12 on the surface 14 which is one surface of the pad substrate 12, and is opened on the surface 14.
  • a back surface concave groove 22 is formed around the central axis 18 of the pad substrate and is opened in the back surface 20.
  • the radial pitch: Pb of the back surface concave grooves 22 is larger than the radial pitch: Pt of the front surface concave grooves 16. More specifically, the back surface concave grooves 22 are formed with a radial pitch substantially half that of the front surface concave grooves 16, and the back surface concave grooves 22 are formed more than the front surface concave grooves 16.
  • the surface concave groove is a surface concave groove 16 constituted by a circular groove having no inclination angle with respect to the central axis.
  • a surface concave groove 36 composed of an inclined groove inclined with respect to the central axis as the surface concave groove.
  • the back groove is a back groove 22 constituted by a circular groove having no inclination angle with respect to the central axis.
  • a back groove 38 formed of an inclined groove inclined with respect to the central axis as the back groove.
  • FIG. 45 shows a polishing pad 96 as an embodiment of the present invention as set forth in claims 3, 4, 7, and 13.
  • members or portions that are substantially the same as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals in the drawings, and description thereof is omitted.
  • a surface concave groove 16 is formed around the central axis 18 of the pad substrate 12 on the surface 14 which is one surface of the pad substrate 12, and is opened on the surface 14.
  • a back surface concave groove 22 is formed around the central axis 18 of the pad substrate and is opened in the back surface 20.
  • the groove depth of the front concave groove 16 Dt and the groove depth of the rear concave groove 22: total value of Db (Dt + Db) force Thickness dimension of the pad substrate 12: T Has been bigger than.
  • the polishing pad 96 is advantageously given greater elasticity.
  • the surface concave groove is a surface concave groove 16 constituted by a circular groove having no inclination angle with respect to the central axis.
  • a surface concave groove 36 constituted by an inclined groove inclined with respect to the central axis as the surface concave groove.
  • the back groove is a back groove 22 constituted by a circular groove having no inclination angle with respect to the central axis.
  • a back groove 38 formed by an inclined groove inclined with respect to the central axis as the back groove.
  • FIGS. 54 to 56 show polishing pads 98 and 100 as one embodiment of the present invention described in claims 9 and 13.
  • the polishing pads 98 and 100 are formed by a thin disc-shaped pad substrate 12 having a constant thickness dimension: T as a whole.
  • the pad substrate 12 is formed of various suitable materials including, for example, a hard foamed or unfoamed synthetic resin material, a hard rubber material, a fiber material, an inorganic material, and the like. Is formed of urethane foam.
  • the pad thickness dimension is appropriately set according to the material of the wafer to be processed, which is limited only by the material of the pad substrate 12, and the required processing accuracy.
  • the surface 14 which is one surface of the pad substrate 12 in the present embodiment has a groove or the like and is formed into a flat surface or a flat surface.
  • a back surface concave groove 38 constituted by a circular groove extending in the circumferential direction is formed around the central axis 18 of the pad substrate. It is open on the back surface 20.
  • the energized back surface concave groove 38 has a large number of circles each having a center axis 18 as the center of curvature and having different radii of curvature. It is constituted by a groove 38, 38, 38, ... in the shape.
  • the back surface recessed groove 38 is a circular groove.
  • the inclined groove is inclined by a certain angle with respect to the central axis 18 of the pad substrate 12.
  • the backside inner wall surface 44 and the backside outside wall surface 46 are parallel to each other, and not only in the circumferential direction of the backside groove 38 but also in the depth direction.
  • the entire back groove 38 has a substantially constant width dimension: Bb.
  • the strong back groove 38 goes to the opening.
  • the back surface recessed groove 38 is applied to the polishing pad 100 shown in FIG. However, as it goes to the opening, it is gradually spaced away from the central axis 18 toward the outer peripheral side, and the pad substrate 12 is opened outward in the radial direction.
  • the specific set values such as the dimensions of each part of the back groove 38 were formed on the material and thickness of the pad substrate 12, the outer diameter, the material of the wafer to be polished, and the wafer. It is determined by comprehensively considering the shape and material of the metal wire, the required polishing accuracy, etc., and is not particularly limited.
  • the groove width of the back groove 38 is: Bb , Depth: Db, Radial pitch: Pb values should be set within the following ranges.
  • the groove width: Bb or groove depth: Db of the back side recessed groove 38 is too small, it will be difficult to give sufficient elasticity to the polishing pads 98, 100, and the desired polishing will be performed. It is difficult to achieve accuracy.
  • the groove width: Bb or groove depth: Db of the back-side recessed groove 38 is too large, the elasticity exerted on the back surface 20 of the polishing pads 98, 100 becomes larger than necessary, and the polishing accuracy decreases. There is a risk of inviting.
  • the bottom surface of the back surface recessed groove 38 may be any of a curved surface and a flat surface that are not limited in shape or the like, but in particular in the present embodiment, the bottom surface of the back surface recessed groove 38 is The flat surfaces are orthogonal to the central axis 18 of the polishing pads 98 and 100.
  • the effective depth of the back groove 38 is set large by making the bottom surface of the back groove 38 a flat surface substantially parallel to the surfaces of the polishing pads 98, 100, the bottom of the back groove 38 It is possible to obtain favorable strength characteristics by advantageously securing the gap between the wall portions.
  • the polishing pads 98 and 100 having the front surface 14 and the back surface 20 are used for polishing a wafer or the like in the same manner as in the prior art. Specifically, for example, as shown in FIGS. 55 and 56, it is placed on the support surface of the rotating plate (support plate) 24 of the polishing apparatus and is negatively charged by air. The rotary plate 24 is fixed and attached by means such as pressure suction or double-sided adhesive bonding. Then, the wafer 26 is superimposed on the surface 14 while being driven to rotate around the central axis 18, so that it is subjected to a polishing process.
  • a polishing liquid (slurry) 30 is provided between the opposing surfaces of the surface 14 of the polishing pads 98 and 100 and the processing surface 28 of the wafer 26. And the wafer 26 itself is also driven to rotate around its central axis.
  • the polishing liquid 30 is also supplied with the central partial force of the polishing pads 98, 100 to the surface of the polishing pads 98, 100, for example, due to the centrifugal force associated with the rotation of the polishing pads 98, 100 around the central axis 18. It spreads over the surface of the polishing pad 98, 100.
  • the polishing pads 98 and 100 having the structure according to the present embodiment can effectively solve (Problem 2) and (Problem 4) in the problems of the prior art described above.
  • the back surface recessed groove 38 as an inclined groove inclined with respect to the central axis, the elasticity imparted to the polishing pads 98, 100 by forming the recessed groove is more advantageously ensured. Therefore, it is possible to reliably meet various performance requirements for the polishing pads 98 and 100.
  • the inclined groove in an annularly extending manner, the elastic deformation of the pad substrate 12 based on the stress acting on the contact surface (machined surface) to the workpiece due to the inclined groove is reduced.
  • the back surface concave groove 38 into an annular groove extending in the circumferential direction, it is possible to advantageously prevent the polishing liquid 30 supplied to the front surface 14 side from entering the back surface 20 side along the outer peripheral surface. Can do. Therefore, the polishing pads 98 and 100 are separated from the rotating plate 24 of the polishing apparatus due to the polishing liquid 30 entering between the opposite surfaces of the back surface 20 and the supporting surface of the rotating plate 24, or the rotating plate. It is possible to prevent the occurrence of problems such as displacement, and to perform the polishing process with high reliability.
  • the polishing pads 98, 100 can be formed. Ensuring sufficient elasticity In addition, it is possible to obtain a sufficient fixing force between the back surface 20 and the rotating plate 24, and to achieve high reliability.
  • the surface 14 is a smooth surface on which no concave grooves or the like are formed.
  • the force surface 14 has FIGS. 57 to 60, or FIGS. 2 to 4, 8 to 15: , 18-49, 61-67, surface grooves with various shapes can be formed.
  • it is constituted by a surface concave groove 16 constituted by a large number of circular grooves extending in the circumferential direction with the central axis 18 as a center of curvature, or a plurality of linear grooves extending linearly in one radial direction.
  • Concave groove 50 extending in the circumferential direction with the central axis 18 as the center of curvature, and composed of a large number of circular grooves inclined at a predetermined inclination angle relative to the central axis 18 (straight line parallel to the central axis 18)
  • Surface concave groove 36 which is constituted by a plurality of linearly inclined grooves extending linearly in one radial direction and inclined at a predetermined inclination angle with respect to the central axis 18 (a straight line parallel to the central axis 18).
  • Surface concave groove 60 as shown in FIG. 64
  • surface concave groove 102 which is composed of a number of linear grooves extending in two substantially perpendicular radial directions, as shown in FIG.
  • FIGS. 68 to 70 show polishing pads 110 and 112 as one embodiment of the present invention described in claims 11, 12 and 13.
  • the polishing pads 110 and 112 are formed by a thin disk-shaped pad substrate 12 having a constant thickness dimension: T as a whole.
  • This pad substrate 12 is for example, it is made of a variety of suitable materials including hard foamed or unfoamed synthetic resin materials, hard rubber materials, fiber materials, inorganic materials, etc. Especially in this embodiment, it is made of foamed urethane. Has been.
  • the pad thickness dimension is appropriately set according to the material of the wafer to be processed only by the material of the pad substrate 12, which is not limited, and the required processing accuracy.
  • a surface concave groove 36 constituted by a circular groove extending in the circumferential direction is formed around the central axis 18 of the pad substrate 12 on the surface 14 which is one surface of the pad substrate 12 to which force is applied. It is open on the surface 14.
  • the powerful surface concave groove 36 is formed of a plurality of circles each having a central axis 18 as a center of curvature and having different curvature radii as shown in FIG. Consists of shape grooves 36, 36, 36, ....
  • the surface concave groove 36 is constituted by an inclined groove inclined at a constant angle with respect to the central axis (a straight line parallel to the central axis 18) of the pad substrate.
  • the surface inner wall surface 40 and the surface outer wall surface 42 are parallel to each other, and the surface groove is not only in the circumferential direction but also in the depth direction of the surface groove 36.
  • the surface concave groove 36 gradually increases from the central axis 18 toward the outer peripheral side as it goes to the opening.
  • the surface concave groove 36 is gradually opened toward the opening. Gradually approaching the central axis 18, the pad substrate 12 is opened diagonally inward in the radial direction.
  • the specific set values such as the dimensions of each part of the surface concave groove 36 were formed on the material of the wafer to be polished and the wafer. It is determined by comprehensively considering the shape and material of the metal wire and the required polishing accuracy.
  • the groove width of the surface groove 36 is Bt
  • the depth is Dt
  • the radial pitch is Pt
  • the angle of inclination is the following range. It is desirable to set within.
  • the groove depth of the surface concave groove 36: Dt is too small, the rigidity of the surface 14 of the polishing pads 110, 112 becomes too large, and the elasticity imparted to the polishing pads 110, 112 becomes the surface. However, it is difficult to perform precise polishing without being effectively demonstrated.
  • the groove depth Dt of the surface concave groove 36 is too large, excessive elasticity is imparted to the polishing pads 110 and 112 by the surface concave groove 36. Further, while the manufacture becomes difficult, the surface 14 of the polishing pads 110 and 112 is likely to be deformed and there is a risk of stick-slip, and the polishing is likely to be unstable.
  • a back surface concave groove 22 constituted by a circular groove extending in the circumferential direction is formed around the central axis 18 of the pad substrate. It is open on the back surface 20.
  • the energized back surface concave groove 22 is formed into a large number of circular grooves 22, 22, 22, '"each having a center axis 18 as a center of curvature and having different curvature radii. It is configured.
  • the specific set values such as the dimensions of each part of the back groove 22 are formed on the material of the pad substrate 12, the thickness, the outer diameter, the material of the wafer to be polished, and the wafer. It is determined by comprehensively considering the shape and material of the metal wire, the required polishing accuracy, etc., and is not particularly limited.
  • the groove width of the back groove 22 is: Bb , Depth: Db, Radial pitch: Pb values should be set within the following ranges.
  • the bottom surfaces of the front surface concave groove 36 and the back surface concave groove 22 may be any of a curved surface, a flat surface, etc., which are not limited in shape or the like.
  • the bottom surfaces of the groove 36 and the back concave groove 22 are flat surfaces orthogonal to the central axis 18 of the polishing pads 110 and 112.
  • the effective depth of the front and back grooves 36 and 22 is increased. Even when it is set, it is possible to advantageously secure a gap between the bottom wall portions of the front and back grooves 22 and obtain good strength characteristics.
  • the groove depth of the front surface groove 36 Dt and the groove depth of the back surface groove 22: total value of Db (Dt + Db) force
  • the thickness dimension of the pad substrate 12 T Has been smaller than.
  • the value of the thickness dimension T of the pad substrate 12 is set within the following range.
  • the polishing pads 110 and 112 having such a front surface 14 and a back surface 20 are used for polishing a wafer or the like in the same manner as in the prior art.
  • it is placed on the support surface of the rotating plate (supporting plate) 24 of the polishing apparatus, and is fixed and mounted on the rotating plate 24 by means such as negative pressure suction with air or adhesion with double-sided tape.
  • the wafer 26 is overlapped with the surface 14 while being driven to rotate around the central axis 18 to be subjected to a polishing process.
  • a polishing liquid (slurry) 30 is generally supplied between the opposing surfaces of the surface 14 of the polishing pads 110 and 112 and the surface to be polished 28 of the wafer 26 as in the prior art.
  • the wafer 26 itself is rotated around its central axis.
  • the polishing liquid 30 is supplied to the surface of the polishing pads 110, 112 from the central portion of the polishing pads 110, 112, for example, and is centrifuged along with the rotation of the polishing pads 110, 112 around the central axis 18.
  • the surface of the polishing pads 110 and 112 is spread by the action of force.
  • the back surface groove 22 is formed on the back surface 20 of the polishing pads 110 and 112 and the front surface groove 36 is formed on the surface 14, thereby providing elasticity to the polishing pads 110 and 112. It becomes possible to grant to the profit.
  • the surface concave groove 36 by forming the surface concave groove 36 by an inclined groove inclined with respect to the central axis, it is possible to further advantageously ensure the elasticity imparted to the polishing pads 110 and 112 by the formation of the concave groove. This makes it possible to meet various performance requirements for the polishing pads 110 and 112.
  • the back surface concave groove 22 into an annular groove extending in the circumferential direction, it is possible to advantageously prevent the polishing liquid 30 supplied to the front surface 14 side from entering the back surface 20 side along the outer peripheral surface. Can do. Therefore, the polishing pads 110 and 112 are separated from the rotating plate 24 of the polishing apparatus or the rotating plate due to the polishing liquid 30 entering between the opposite surfaces of the back surface 20 and the support surface of the rotating plate 24. It is possible to prevent the occurrence of problems such as displacement and to perform polishing with high reliability.
  • the inclined grooves constituting the surface concave grooves 36 in such a manner that they extend in an annular shape, the stress acting on the contact surface (machined surface) to the workpiece is reduced. Since it is possible to effectively avoid the elastic deformation of the node substrate 12 being sheared in one direction due to the inclination of the groove, the wafer or other target object can be moved in the direction perpendicular to the axis. It can be fixedly positioned and held, and high-precision polishing can be stably performed.
  • width dimension Bb depth dimension: Db
  • radial pitch Pb within the above-mentioned predetermined range of the front surface groove 36 and the back surface groove 22 to the polishing pads 110, 112. Sufficient elasticity can be ensured, and a sufficient fixing force can be obtained between the back surface 20 and the rotating plate 24, and high reliability can be realized.
  • the total depth (Dt + Db) of the groove depth Dt of the front surface groove 36 and the groove depth Db of the back surface groove 22 is smaller than the thickness dimension of the pad substrate 12.
  • the groove width of the surface groove formed on the surface 14 Bt, the groove depth: Dt,
  • Each value of radial pitch: Pt, inclination angle: h, and groove width of back groove: Bb, groove depth: Db, radial pitch: Pb, inclination angle: h b are different from each other. Even if it is good ,.
  • FIG. 63 it is also possible to employ a combination of a front concave groove 36 and a rear concave groove 38 having different groove widths. Further, for example, as shown in FIG.
  • the shape of the surface groove formed on the surface 14 is not limited to that of each of the above embodiments.
  • a surface concave groove 104 configured by combining a circular groove extending in a straight line and a linear groove extending linearly may be appropriately employed.
  • the bottom surfaces of the front concave grooves 16, 36, 50, 60 and the rear concave grooves 22, 38 are flat surfaces extending in parallel with the front surface 14 and the rear surface 20, but for example, As shown in FIG. 71, it may be constituted by a curved surface.
  • polishing pad shown in each of the above embodiments can be suitably used for polishing a glass substrate in addition to polishing a silicon wafer or the like.

Landscapes

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Description

明 細 書
研磨用パッド
技術分野
[0001] 本発明は、研磨用パッドに係り、特に、半導体ウェハや半導体基板,ガラス基板等 のように極めて高い加工精度が要求される加工対象物の表面を研磨加工する際に 用いられる研磨用パッドに関するものである。
背景技術
[0002] 従来から、 LSI等の半導体製造工程において、例えばシリコンウェハ表面に金属膜 や絶縁膜等の各種薄膜を多層に積層形成して半導体基板を製造するに際して各層 表面を平坦化するための処理方法の一つとして、 CMP法(Chemical Mechanical Poli shing )と称される化学的機械的研磨法が知られている。 CMP法は、一般に、合成樹 脂材やその発泡材からなる薄肉円板形状の研磨パッドを用い、微粒子と液体からな るスラリをウェハ(半導体基板)と研磨パッドの間に供給しつつ、研磨パッドとウェハを 相対的に回転作動せしめて研磨するものである。
[0003] ところで、 CMP法においては、複雑な微細構造の配線を多層に形成して半導体デ ノ イスの高集積化と高精度化を実現する等のために、ウェハの全面を高精度な平坦 化能力をもって研磨する研磨精度が要求される。また、 CMP法における研磨精度向 上の要求は、特に近年の半導体デバイスにおけるより一層の高密度化等に伴って、 研磨効率の確保と共に、より強くなつてきている。
[0004] そして、高度な研磨精度や平坦化能力を確保するためには、パッドやウェハの材質 ,要求される研磨精度などに応じて、研磨パッドにある程度の弾性が必要であること が広く知られている。即ち、研磨パッドに弾性を付与することで、ウェハ表面の凹凸に 沿わせて、研磨パッド表面に追従させること等が可能となって、研磨精度の向上が図 られるのである。しかし、実際に研磨を行う表面 (加工面)は、研磨パッドの耐久性や 研磨効率を確保する等の目的から硬質であることが要求されるため、研磨パッドに十 分な弾性を付与することは困難であった。要するに、従来構造の研磨パッドでは、要 求に応ずるに充分な「研磨精度」と「研磨効率」を両立して達成することが困難だった のである。
[0005] 特に、近年では、超 LSI等の分野において、ウェハ上に形成される配線のメタル線 幅を 0. l x m以下と極めて狭小とし、研磨の均一性 2%以内で研磨すると共に、軟質 の銅や金等からなるメタル配線を新規に採用することなどが、既に実用化を考慮した 検討段階に入っている。このような現在の状況を考慮すると、満足できる研磨精度や 研磨能率を得るために、研磨パッドに関して更なる改良が、急務として切望されてい ることがわ力る。
[0006] なお、上述の如き問題に鑑み、多層構造の研磨パッドが提案されている(特許文献 1参照)。この多層構造の研磨パッドは、一般に、加工面に要求される物性を実現で きる硬質な材料で形成された表層に対して、樹脂含浸された圧縮繊維材などからな る弾性材料を裏層として貼り合わせた多層構造とされている。即ち、裏層によって弾 性を確保しつつ、表面によって研磨効率を確保することで、「研磨精度」と「研磨効率 」の両立が図られるようになつている。
[0007] し力しながら、このような多層構造の研磨パッドは、その製造が難しいという問題と、 層間剥離のおそれがあるという問題があり、必ずしも満足できるものではなかった。
[0008] 一方、特許文献 2 (特開 2001— 18165号公報)には、単一の材質からなる単層構 造の研磨パッドにおいて、不足しがちな弾性を補うために、裏面に直線状の溝を形 成したものが提案されている。かかる研磨パッドにおいては、パッド裏面の溝によって 機械的に弾性を向上させることが出来ることから、パッド表面での研磨効率を維持し つつ、弾性を付与して研磨精度を向上させることが可能である。し力も、多層構造の 研磨パッドのような製造上の問題や層間剥離の問題も回避されることとなる。
[0009] ところが、特許文献 2に記載の研磨パッドは、複数の新たな問題を内包しており、実 用的であるとは言レ、難レ、のである。
[0010] すなわち、特許文献 2に記載された従来構造の研磨パッドは、以下の(1)乃至 (4) の問題を内在していた。
(問題点 1)研磨パッドの材料等によっては、裏面に溝を形成するだけで十分な弾 性を実現することが難しい場合がある。特に、要求される弾性を付与するために多数 の溝を裏面に形成すると、溝が形成されていないパッド裏面の表面積が実質的に小 さくなつてしまうことから、回転プラテン等への研磨パッドの固着面積を十分に確保し 難くなるおそれがあり、裏面に形成可能な溝の数量が実質的に制限されてしまうこと もめる。
(問題点 2)裏面への溝形成だけでは不足しがちな研磨パッドの弾性を補うために、 表面にも溝を形成することが考えられる。し力 ながら、研磨パッドの表裏にそれぞれ 溝を形成することは、研磨パッドの製造が非常に煩雑となり、生産効率の大幅な低下 が懸念される場合がある。
(問題点 3)また、研磨パッドの成形条件等によって表裏の区別がある場合には、研 磨パッドの表裏にそれぞれ溝を形成すると、その後の表裏の区別が困難となり、表裏 を間違えて回転プラテン等に装着することに起因する研磨不良の発生が問題となる おそれもある。
(問題点 4)研磨パッドの裏面に溝を形成すると、溝の開口面積分だけ、研磨パッド の回転プラテン等への固着面積が減るだけでなぐ CMP法のようにスラリ等を供給し つつ研磨する場合には、力かるスラリ等が溝を通じて裏面の広い範囲に広がり易ぐ それに起因して研磨パッドの回転プラテン等からの剥離が発生するおそれもある。
[0011] 特許文献 1 :特開平 11 156701号公報
特許文献 2 :特開 2001— 18165号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0012] ここにおいて、本発明は、上述の如き事情を背景として為されたものであり、その解 決課題とするところは、 CMP法をはじめとする各種の高精度な研磨加工において採 用され得る、新規な構造の研磨用パッドを提供することにある。
[0013] 特に、本発明の請求項 1,請求項 5,請求項 10および請求項 13に記載の発明は、 何れも、上述の(問題点 2)および(問題点 4)を特に効果的に解決することを目的の 一つとする。
[0014] また、本発明の請求項 2に記載の発明は、上述の(問題点 3)および(問題点 4)を 特に効果的に解決することを目的の一つとする。
[0015] また、本発明の請求項 3乃至 9および請求項 11乃至 13に記載の発明は、何れも、 上述の(問題点 1)および(問題点 4)を特に効果的に解決することを目的の一つとす る。
課題を解決するための手段
[0016] 以下、このような課題を解決するために為された本発明の態様について記載する。
なお、以下に記載の各態様においてそれぞれ採用される複数の構成要素は、可能 な限り任意の組み合わせで採用可能である。また、本発明の態様乃至は技術的特 徴は、以下に記載のものに限定されることなぐ明細書全体および図面に記載された もの、或いはそれらの記載から当業者が把握することの出来る発明思想に基づいて 認、識されるものであることが理角军されるべきである。
[0017] すなわち、本発明の請求項 1に記載の発明は、薄肉円板形状を有しており、裏面 において支持面に固着されることにより研磨装置に装着され、表面において半導体 ウェハ等の加工対象物に対して研磨作用を施す研磨用パッドであって、前記裏面と 前記表面の両面に対して、中心軸周りで同心的に延びる複数条の環状凹溝を、同 一の断面形状と同一の径方向間隔で、略同じ数だけ形成したことを、特徴とする。
[0018] このような請求項 1に従う構造とされた研磨用パッドにおいては、研磨用パッド基板 の裏面だけでなぐ表面にも溝を形成したことにより、裏面の溝だけでなく表面の溝に よっても、研磨用パッドの弾性の向上が図られ得る。それ故、パッド基板の材質自体 の硬度により研磨効率を良好に確保しつつ、弾性による研磨精度の向上も実現可能 となる。特に、裏面の溝を著しく多くしたり大きくすることなぐ表面の溝によって、研磨 用パッドの弾性の向上が実現されることから、裏面の回転プラテン等への固着面積も 有利に確保することが出来る。
[0019] し力も、請求項 1に記載の研磨用パッドにおいては、表裏両面の溝が、何れも、同 一の断面形状と同一の径方向間隔で形成されていることから、それら表裏両面への 溝加工を、略同じ条件で行うことが可能となる。それ故、研磨用パッドの加工を、簡単 な装置構造と作動制御によって効率的に行うことが可能となると共に、加工装置の管 理等も容易となる。
[0020] 力 Pえて、請求項 1に記載の研磨用パッドにおいては、裏面に形成される凹溝が環状 凹溝とされていることから、研磨装置における回転プラテン等の装着面に研磨パッド を重ね合わせた際、力かる裏面の凹溝がパッド外周面に開口することなぐ外部空間 に対して閉じた略密閉空間とされる。それ故、研磨に際してパッド表面に研磨液 (スラ リ)が供給されたとしても、研磨用パッドの裏面と回転プラテン等の装着面との間への 侵入が効果的に防止される。これにより、力かる研磨液の侵入に起因する研磨用パッ ドの研磨装置からの脱落や位置ずれを効果的に防ぐことが可能となる。
[0021] また、例えば研磨用パッドのパッド基板自体に表裏の設定がないような場合には、 請求項 1に記載の構造に従えば、表裏の凹溝を含めて両面何れも任意に使用できる 研磨パッドが実現可能となる。このような研磨パッドによれば、表裏を間違って研磨装 置に装着することに起因する加工上の不具合を完全に回避することが可能となり、研 磨パッドの表裏を判別しなければならない場合に比して、作業者の労力負担も大幅 に軽減することが可能となる。なお、請求項 1に記載の発明において、表面の環状凹 溝と裏面の環状凹溝は、径方向ピッチ乃至はは隣接する環状凹溝間の径方向間隔 が同一であれば良ぐ表裏両面の環状凹溝が互いに同一位置に形成されている必 要はない。例えば、表側の環状凹溝と裏側の環状凹溝が、径方向で相互に所定距 離だけずれた位置に形成されていても良い。表裏両面の環状凹溝の位置が径方向 で同じであっても或いはずれていても、上述の如き請求項 1に記載の発明の効果は 有効に発揮され得る。
[0022] また、本発明の請求項 2に記載の発明は、薄肉円板形状を有しており、裏面におい て支持面に固着されることにより研磨装置に装着され、表面において半導体ウェハ等 の加工対象物に対して研磨作用を施す研磨用パッドであって、前記裏面に対して中 心軸回りで同心的に延びる複数条の環状凹溝を形成する一方、前記表面に対して、 互いに平行に延びる複数条の直線凹溝を少なくとも一方向に形成したことを、特徴と する。
[0023] このような請求項 2に記載された発明に従う構造とされた研磨用パッドにおいては、 請求項 1に記載の発明と同様に表裏両面に形成された溝によって、研磨効率を良好 に確保しつつ、適度な弾性に基づく研磨精度の向上が図られ得ると共に、研磨装置 に対する装着面 (裏面)への研磨液の侵入も防止され得る。
[0024] それに加えて、請求項 2に記載の研磨用パッドにおいては、視認により明確に判別 される形状を有する溝を表面と裏面にそれぞれ形成することにより、研磨装置に対す る研磨用パッドの取付作業時に表裏の判別が、効率的に行えて作業効率の向上を 図ることが出来ると共に、取付時に表裏の取り違いといった問題が発生することを、容 易に且つ一層確実に回避することが出来る。
[0025] また、本発明の請求項 3に記載の発明は、薄肉円板形状を有しており、裏面におい て支持面に固着されることにより研磨装置に装着され、表面において半導体ウェハ等 の加工対象物に対して研磨作用を施す研磨用パッドであって、前記裏面に対して、 中心軸回りで同心的に延びる複数条の裏側環状凹溝を所定の径方向間隔で形成 すると共に、前記表面に対して、中心軸回りで同心的に延びる複数条の表側環状凹 溝を所定の径方向間隔で形成する一方、これら裏側環状凹溝と表側環状凹溝の何 れか一方の環状凹溝の径方向間に、他方の環状凹溝が一本乃至複数本位置するよ うにしたことを、特徴とする。
[0026] このような請求項 3に記載された発明に従う構造とされた研磨用パッドにおいては、 請求項 1に記載の発明と同様に表裏両面に形成された溝によって、研磨効率を良好 に確保しつつ、適度な弾性に基づく研磨精度の向上が図られ得ると共に、研磨装置 に対する装着面 (裏面)への研磨液の侵入も防止され得る。
[0027] しかも、研磨パッドの表面に形成された表側環状凹溝と裏面に形成された裏側環 状凹溝の径方向での位置関係を特定することにより、裏側環状凹溝によって研磨用 ノ ッドに対して付与される弾性を表面において一層有利に発揮させることができて、 研磨精度の更なる向上が実現可能となる。
[0028] また、本発明の請求項 4に記載の発明は、前記請求項 3に記載の発明に係る研磨 用パッドにおいて、前記表側環状凹溝を、前記裏側環状凹溝と同じ一定の径方向間 隔で形成すると共に、該表側環状凹溝が該裏側環状凹溝の径方向間の略中央部分 に位置するようにしたことを、特徴とする。
[0029] このような請求項 4に記載された発明に従う構造とされた研磨用パッドにぉレ、ては、 表側環状凹溝を裏側環状凹溝の径方向間の略中央部分に位置するようにされてい ることにより、表面において被加工物に対して当接せしめられる部分の裏面側に裏側 環状凹溝が位置せしめられている。それ故、研磨パッドの厚さ方向の荷重が作用せ しめられた際に、表裏の各環状凹溝の径方向間に位置する部分で剪断的変形が生 ぜしめられることとなり、研磨パッドの材質が同じでも一層有効な弾性が実現可能とな る。
[0030] また、本発明の請求項 5に記載の発明は、前記請求項 4に記載の発明に係る研磨 用パッドにおいて、請求項 1に記載の構成を採用したことを、特徴とする。
[0031] また、本発明の請求項 6に記載の発明は、前記請求項 3に記載の発明に係る研磨 用パッドにおいて、前記裏側環状凹溝を、前記表側環状凹溝よりも小さな径方向間 隔で形成したことを、特徴とする。
[0032] このような請求項 6に記載された発明に従う構造とされた研磨用パッドにおいては、 裏側環状凹溝を表側環状凹溝に比して小さな径方向間隔で形成したことにより、裏 側環状凹溝による研磨用パッドに対する弾性の付与をより有利に実現することができ て、均一性や平坦性に優れた高精度な研磨処理を行うことが可能となる。特に、研磨 精度や研磨性能に大きな影響を与える表面に比して、研磨性能等に与える影響の 小さい裏面側の凹溝を小さな径方向間隔としたことにより、研磨性能を有利に確保し つつ、弾 ¾の更なる向上を図ることが可能となるのである。
[0033] また、本発明の請求項 7に記載の発明は、前記請求項 3乃至 6の何れかに記載の 発明に係る研磨用パッドにぉレ、て、前記裏側環状凹溝と前記表側環状凹溝の何れ か一方の環状凹溝の深さ寸法と、該一方の環状凹溝の径方向間に位置せしめられ た前記他方の環状凹溝の深さ寸法との合計値が、パッド全体の厚さ寸法よりも大きく されたことを、特徴とする。
[0034] このような請求項 7に記載された発明に従う構造とされた研磨用パッドにおいては、 表裏の凹溝の内面によって与えられる自由表面積を一層大きく設定することが可能 となる。それ故、研磨パッドの材料を同じにしつつ、弾性の更なる向上を図ることが可 能となるのである。
[0035] また、本発明の請求項 8に記載の発明は、前記請求項 3乃至 6の何れかに記載の 発明に係る研磨用パッドにおいて、前記裏側環状凹溝の深さ寸法と前記表側環状 凹溝の深さ寸法の合計値を、パッド全体の厚さ寸法よりも小さくしたことを、特徴とす る。 [0036] このような本請求項に記載された発明に従う構造とされた研磨用パッドにぉレ、ては 、裏側環状凹溝と表側凹溝を、互いの位置や大きさ等を特別に考慮することな 大 きな自由度をもって設計することが出来る。それ故、裏側の凹溝によって実現される 弾性の向上と、表側の凹溝によって実現される研磨精度や平坦性等の研磨性能とを 、両立して達成することが容易となるのである。
[0037] また、本発明の請求項 9に記載の発明は、薄肉円板形状を有しており、裏面におい て支持面に固着されることにより研磨装置に装着され、表面において半導体ウェハ等 の加工対象物に対して研磨作用を施す研磨用パッドにおいて、前記裏面に対して、 中心軸回りで同心的に延びる複数条の裏側環状凹溝を形成すると共に、それら複数 条の裏側環状凹溝を、何れも、その内周面と外周面が何れも中心軸に対して略一定 の傾斜角度を持って平行に傾斜せしめられた略一定の断面形状で周方向の全周に 亘つて延びる傾斜凹溝としたことを、特徴とする。
[0038] このような請求項 9に記載された発明に従う構造とされた研磨用パッドにおいては、 裏側環状凹溝を傾斜凹溝としたことにより、研磨パッドの厚さ方向の外荷重に際して 研磨パッドに生ぜしめられる変形に剪断成分を持たせることが可能となる。これにより 、研磨パッドの弾性を一層有利に向上させることが出来る。し力も、裏側環状凹溝は 、環状とされているが故に、剪断的な弾性変形が発生した場合でも、その変形方向 が全体として釣り合うこととなる。それ故、研磨面が特定方向に歪に変形することが抑 えられ、良好な弾性を達成しつつ、安定した研磨面精度が維持され得るのである。
[0039] なお、請求項 9に記載の研磨用パッドにおいても、研磨装置に対する装着面 (裏面 )への研磨液の侵入防止という効果は、請求項 1に記載の研磨用パッドと同様に発揮 され得る。
[0040] また、本発明の請求項 10に記載された発明は、前記請求項 9に記載の発明に係る 研磨用パッドにおいて、請求項 1乃至 7の何れかに記載の構成を採用したことを、特 徴とする。
[0041] また、本発明の請求項 11に記載された発明は、薄肉円板形状を有しており、裏面 において支持面に固着されることにより研磨装置に装着され、表面において半導体 ウェハ等の加工対象物に対して研磨作用を施す研磨用パッドにおいて、前記裏面に 対して中心軸回りで同心的に延びる複数条の環状凹溝を形成する一方、前記表面 に対して複数条の表側凹溝を形成すると共に、それら表側凹溝を、両側壁内面が略 平行に傾斜せしめられた傾斜凹溝としたことを、特徴とする。
[0042] このような請求項 11に記載された発明に従う構造とされた研磨用パッドにぉレ、ては
、請求項 1に記載の発明と同様に表裏両面に形成された溝によって、研磨効率を良 好に確保しつつ、適度な弾性に基づく研磨精度の向上が図られ得ると共に、研磨装 置に対する装着面 (裏面)への研磨液の侵入も防止され得る。
[0043] それに加えて、特に請求項 11に記載の研磨用パッドにおいては、表側凹溝を傾斜 溝としたことにより、研磨パッドの厚さ方向の外荷重に際して研磨パッドに生ぜしめら れる変形に剪断成分を持たせることが可能となる。これにより、研磨パッドの弾性を一 層有利に向上させることが出来る。
[0044] また、本発明の請求項 12に記載された発明は、請求項 11に記載された発明に係 る研磨用パッドにおいて、請求項 1乃至 10の何れかに記載の構成を採用したことを、 特徴とする。
[0045] また、本発明の請求項 13に記載された発明は、請求項 1乃至 12の何れかに記載さ れた発明に係る研磨用パッドにおいて、前記裏面に形成された複数条の環状凹溝 における幅寸法: B,深さ寸法: D,径方向ピッチ: Pを、下式:
0. 005mm ≤ B ≤ 3. Omm
0. lmm ≤ D ≤ 2. Omm
0. lmm ≤ P ≤ 5. Omm
の範囲で設定したことを、特徴とする。
[0046] このような請求項 13に記載された発明に従う構造とされた研磨用パッドにおいては 、裏面に形成された環状凹溝の各寸法を上記範囲内に設定することにより、研磨装 置に対する装着時の固着面積を確保しつつ、研磨用パッドに要求される弾性を一層 効果的に向上させることが可能となる。
発明の効果
[0047] 上述の説明から明ら力なように、本発明の請求項 1, 8, 9, 13に従う構造とされた研 磨用パッドにあっては、上述の従来技術の問題点における(問題点 2) , (問題点 4)を 解決することが可能となる。
[0048] また、本発明の請求項 2に従う構造とされた研磨用パッドにあっては、上述の従来 技術の問題点における(問題点 3), (問題点 4)を解決することが可能となる。
[0049] また、本発明の請求項 3乃至 8および 11乃至 13に従う構造とされた研磨用パッドに あっては、上述の従来技術の問題点における(問題点 1), (問題点 4)を解決すること が可能となる。
図面の簡単な説明
[0050] [図 1]本発明の一実施形態としての研磨用パッドを示す平面図である。
[図 2]図 1に示された研磨用パッドの研磨装置への装着状態を示した縦断面図である
[図 3]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。
[図 4]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。
[図 5]本発明の一実施形態としての研磨用パッドを示す平面図である。
[図 6]図 5に示された研磨用パッドの底面図である。
[図 7]図 5に示された研磨用パッドの研磨装置への装着状態を示した縦断面図である
[図 8]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。
[図 9]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。
[図 10]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。
[図 11]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。
[図 12]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。
[図 13]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。
[図 14]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。
[図 15]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。
[図 16]本発明の一実施形態としての研磨用パッドを示す平面図である。
[図 17]図 16に示された研磨用パッドの底面図である。
[図 18]図 16に示された研磨用パッドの研磨装置への装着状態を示した縦断面図で ある。 園 19]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。 園 20]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。 園 21]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。 園 22]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。 園 23]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。 園 24]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。 園 25]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。 園 26]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。 園 27]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。 園 28]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。 園 29]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。 園 30]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。 園 31]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。 園 32]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。 園 33]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。 園 34]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。 園 35]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。 園 36]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。 園 37]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。 園 38]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。 園 39]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。 園 40]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。 園 41]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。 園 42]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。 園 43]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。 園 44]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。 園 45]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。 園 46]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。 園 47]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。
園 48]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。
園 49]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。
園 50]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。
園 51]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。
園 52]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。
園 53]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。
園 54]本発明の実施形態としての研磨用パッドを示す平面図である。
園 55]図 54に示された研磨用パッドの研磨装置への装着状態を示した縦断面図で ある。
園 56]図 54に示された研磨用パッドの研磨装置への装着状態を示した縦断面図で ある。
園 57]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。
園 58]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。
園 59]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。
園 60]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。
園 61]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。
園 62]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。
園 63]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。
園 64]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す平面図である。
園 65]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す平面図である。
園 66]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す平面図である。
園 67]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す平面図である。
園 68]本発明の実施形態としての研磨用パッドを示す平面図である。
園 69]図 68に示された研磨用パッドの研磨装置への装着状態を示した縦断面図で ある。
園 70]図 68に示された研磨用パッドの研磨装置への装着状態を示した縦断面図で ある。 [図 71]本発明の別の実施形態としての研磨用パッドを示す縦断面図である。
符号の説明
[0051] 10 :研磨用パッド、 14 :表面、 16 :表面凹溝、 18 :中心軸、 20 :裏面、 22 :裏面凹溝、 36:表面凹溝、 38:裏面凹溝、 40:表面内側壁面、 42:表面外側壁面、 44:裏面内 側壁面、 46 :裏面外側壁面、 48 :研磨用パッド、 50 :表面凹溝、 74 :研磨用パッド、 9 8 :研磨用パッド、 100 :研磨用パッド、 110 :研磨用パッド、 112 :研磨用パッド 発明を実施するための最良の形態
[0052] 以下、本発明を更に具体的に明らかにするために、本発明の実施形態について、 図面を参照しつつ、詳細に説明する。
〔実施形態 A〕
[0053] 先ず、図 1 , 2には、請求項 1及び 13に記載された本発明の一実施形態としての研 磨用パッド 10が示されている。
[0054] より詳細には、この研磨用パッド 10は、全体に一定の厚さ寸法: Tを有する薄肉円 板形状のパッド基板 12によって形成されている。このパッド基板 12は、例えば硬質 の発泡或いは未発泡の合成樹脂材料や硬質ゴム材料,或いは繊維材料や無機材 料などをはじめとする各種の適当な材料によって形成されており、特に本実施形態 においては、発泡ウレタンによって形成されている。なお、パッド厚さ寸法は、限定さ れるものでなぐパッド基板 12の材質だけでなぐ加工対象となるウェハの材質や、要 求される加工精度などに応じて適宜に設定される。
[0055] また、力かるパッド基板 12の一方の面である表面 14には、周方向に延びる表側環 状凹溝としての表面凹溝 16が、パッド基板 12の中心軸 18の回りに形成されており、 表面 14に開口せしめられている。
[0056] 力かる表面凹溝 16は、本実施形態において、図 1に示されているように、それぞれ 中心軸 18を曲率中心として延びる、相互に曲率半径が異ならせられた多数の円形 の溝 16, 16, 16, · · ·によって構成されている。
[0057] 一方、パッド基板 12の他方の面である裏面 20には、表面 14と同様に周方向に延 びる裏側環状凹溝としての裏面凹溝 22が、パッド基板 12の中心軸 18の回りに形成 されており、裏面 20に開口せしめられている。力かる裏面凹溝 22は、本実施形態に おいて、表面凹溝 16と同一形状とされた多数の円形の溝 22, 22, 22, ' "によって 構成されている。
[0058] ここにおいて、特に本実施形態では、表面凹溝 16の溝深さ: Dtと裏面凹溝 22の溝 深さ: Db,表面凹溝 16の溝幅: Btと裏面凹溝 22の溝幅: Bb,表面凹溝 16の径方向 ピッチ: Ptと裏面凹溝 22の径方向ピッチ: Pbが、それぞれ等しくされていると共に、表 面凹溝 16の形成位置と裏面凹溝 22の形成位置が径方向で互いに等しくされている
[0059] これにより、本実施形態において、表面凹溝 16が形成されたパッド基板 12の表面 14と裏面凹溝 22が形成されたパッド基板 12の裏面 20とが、互いに同一の形状を有 するようにされている。
[0060] なお、表面凹溝 16と裏面凹溝 22の各部寸法等の具体的な設定値は、パッド基板 1 2の材質や厚さ寸法,外径寸法の他、研磨対象となるウェハの材質やウェハに形成さ れたメタル線の形状や材質、要求される研磨精度などを総合的に考慮して決定され るものであって、特に限定されるものでないが、一般に、表面凹溝 16と裏面凹溝 22 の溝幅: Bt, Bb、深さ: Dt, Db、径方向ピッチ: Pt, Pbの各値は、以下の範囲内で設 定されることが望ましい。
[0061] 〔略円形の周方向溝の場合〕
0. 005mm ≤ Bt = Bb ≤ 3. Omm
0. lmm ≤ Dt = Db ≤ 2. Omm
0. lmm ≤ Pt = Pb ≤ 5. Omm
[0062] また、より好ましくは、以下の範囲内に設定される。
〔略円形の周方向溝の場合〕
0. 005mm ≤ Bt = Bb ≤ 2. Omm
(より一層好ましくは、 0. 005mm ≤ Bt = Bb ≤ 1. 0mm)
0. lmm ≤ Dt = Db ≤ 1. Omm
0. 2mm ≤ Pt = Pb ≤ 3. Omm
[0063] 蓋し、表面凹溝 16と裏面凹溝 22の溝幅: Bt, Bbが小さ過ぎると、研磨くず等による 表面凹溝 16の目詰まりが発生し易くなつて安定した効果が発揮され難いと共に、表 面凹溝 16と裏面凹溝 22による十分な弾性の確保が為され難い。一方、表面凹溝 16 と裏面凹溝 22の溝幅: Bt, Bbが大き過ぎると、表面凹溝 16のエッジ部分(開口端縁 部)におけるウェハとの接触面圧が増大して食い込み状の研磨等が発生し易ぐ安定 した研磨が実現され難いと共に、表面凹溝 16と裏面凹溝 22によって過大な弾性が 付与されて、研磨精度の低下を招くおそれがある。
[0064] また、表面凹溝 16と裏面凹溝 22の溝深さ: Dt, Dbが小さ過ぎると、研磨用パッド 1 0の表面 14における剛性が大きくなり過ぎて、研磨用パッド 10に付与される弾性が表 面 14において有効に発揮されずに精密な研磨が困難となる傾向にあると共に、研磨 用パッド 10に対して表面凹溝 16と裏面凹溝 22による十分な弾性の付与が為され難 レ、。一方、表面凹溝 16と裏面凹溝 22の溝深さ: Dt, Dbが大き過ぎると、製造が難し いばかりでなぐ研磨用パッド 10の表面 14が変形し易くなると共に、スティックスリップ の発生のおそれもあり、研磨が不安定となり易いと共に、表面凹溝 16と裏面凹溝 22 によって研磨用パッド 10に付与される弾性が大きすぎることによる研磨精度の低下が 問題となり易い。
[0065] 更にまた、表面凹溝 16と裏面凹溝 22の径方向ピッチ: Pt, Pbが小さ過ぎると、製造 が難しぐ研磨用パッド 10の表面 14及び裏面 20に変形や損傷が発生し易くなつて 安定した研磨が実現され難い。一方、表面凹溝 16と裏面凹溝 22の径方向ピッチ: Pt , Pbが大き過ぎると、表面凹溝 16及び裏面凹溝 22によって十分な弾性が研磨用パ ッド 10に対して付与されなくなって、所期の研磨精度の実現が困難となるおそれがあ る。
[0066] また、本実施形態においては、表面凹溝 16の溝深さ: Dtと裏面凹溝 22の溝深さ: Dbの合計値 (Dt + Db)力 パッド基板 12の厚さ寸法: Tよりも小さくされている。なお 、特に本実施形態においては、パッド基板 12の厚さ寸法: Tの値が以下の範囲内に 設定されている。
0. 5mm ≤ T ≤ 10. 0mm
より好ましくは、
1. 0mm ≤ T ≤ 3. 0mm
[0067] そして、このような表面 14及び裏面 20を有する研磨用パッド 10は、従来と同様にし て、ウェハ等の研磨に用いられる。具体的には、例えば図 3に示されているように、研 磨装置の回転板 (支持板) 24の支持面上に載置されて、エアによる負圧吸引や両面 テープによる接着等の手段で該回転板に固定されて装着される。そして、中心軸 18 の回りに回転駆動せしめられつつ、表面 14に対してウェハ 26が重ね合わせられるこ とにより、研磨処理に供されることとなる。また、そのような研磨処理に際しては、従来 と同様に、一般に、研磨用パッド 10の表面 14とウェハ 26の被カ卩工面 28の対向面間 に対して研磨液 (スラリ) 30が供給されると共に、ウェハ自体もその中心軸回りに回転 駆動せしめられる。なお、研磨液 30は、例えば研磨用パッド 10の中央部分から研磨 用パッド 10の表面 14に供給され、研磨用パッド 10の中心軸 18回りの回転に伴う遠 心力の作用で研磨用パッド 10の表面に広がるようにされる。
[0068] このような本実施形態に従う構造とされた研磨用パッド 10においては、上述した従 来技術の問題点における(問題点 1), (問題点 2) , (問題点 4)を有効に解決すること ができる。
[0069] すなわち、パッド基板 12の裏面 20に対して裏面凹溝 22を形成するだけでなぐ表 面 14にも表面凹溝 16を形成したことにより、裏面凹溝 22だけでなく表面凹溝 16によ つても、研磨用パッド 10の弾性の向上が図られ得る。それ故、ノ^ド基板 12の材質 自体の硬度により研磨効率を良好に確保しつつ、弾性による研磨精度の向上も実現 可能となる。
[0070] また、表面 14に形成される表面凹溝 16と裏面 20に形成される裏面凹溝 22が互い に略同一の断面形状,同一の径方向間隔で同じ数だけ形成されていることにより、 表面凹溝と裏面凹溝の形状が異なる場合に比して溝力卩ェが容易であると共に、加工 装置のメンテナンス等の保守,管理が簡単になる。
[0071] さらに、表面 14の形状や材質と裏面 20の形状や材質が互いに略同一とされている ことにより、回転板 24への固着方法によっては、表面 14と裏面 20の何れの面も加工 面 (研磨面)として利用することが可能であり、研磨用パッド 10を研磨装置の回転板( 支持板) 24の支持面上に載置する際に、表裏の確認が不要となる。それ故、高精度 の研磨を実現できる研磨用パッド 10を容易に取り付けることが可能となると共に、表 裏を誤って取り付けることを防ぐことができて確実な取付が可能となる。 [0072] また、裏面凹溝 22を周方向に延びる円環溝としたことにより、表面 14側に供給され る研磨液 30が外周面を伝って裏面 20側へ浸入することを有利に防ぐことができる。 それ故、研磨液 30が裏面 20と回転板 24の支持面との対向面間に浸入することに起 因する、研磨用パッド 10が研磨装置の回転板 24から脱落したり、回転板上で変位し たりといった問題の発生を防止することが出来て、高い信頼性をもって研磨処理を行 うことが可能となる。
[0073] さらに、裏面凹溝 22の幅寸法: Bb深さ寸法: Db,径方向ピッチ: Pbを上述した所定 の範囲内で設定することにより、研磨用パッド 10に十分な弾性を確保することが出来 ると共に、裏面 20と回転板 24との間で十分な固着力を得ることが出来て、高い信頼 性を実現することが可能となる。
[0074] 更にまた、表面凹溝 16の溝深さ: Dtと、裏面凹溝 22の溝深さ: Dbの合計値(Dt + Db)の値を、パッド基板 12の厚さ寸法よりも小さくしたことにより、研磨用パッド 10に 対して適度な弾性を付与すると共に、十分な剛性を保つことができて、研磨精度を高 度に確保することが可能となる。
[0075] また、図 3及び図 4には、請求項 1, 9, 10, 11, 12, 13に記載された本発明の別の 実施形態としての研磨用パッド 32, 34が示されている。なお、以下の説明において、 前記実施形態と実質的に同一とされた部材乃至は部位については、図中に同一の 符号を付すことにより説明を省略する。
[0076] より詳細には、研磨用パッド 32, 34を形成するパッド基板 12の表面 14には、同心 的に周方向に延びる多数の円形の溝によって構成された表側環状凹溝としての表 面凹溝 36が形成されていると共に、パッド基板 12の裏面 20には、同じく同心的に周 方向に延びる多数の円形の溝によって構成された裏側環状凹溝としての裏面凹溝 3 8が形成されている。
[0077] また、本実施形態においては、表面凹溝 36は、パッド基板の中心軸 18に対して一 定の角度で傾斜せしめられた傾斜溝によって形成されている。具体的には、例えば、 表面凹溝 36の内周側の側壁面(以下「表面内側壁面」とレ、う) 40と表面凹溝 36の外 周側の側壁面(以下「表面外側壁面」という) 42の何れもが中心軸 18に対して所定 角度: ct tだけ傾斜せしめられた傾斜面とされている。要するに、本実施形態におけ る表面凹溝 36では、表面内側壁面 40と表面外側壁面 42が、互いに平行な面とされ ており、表面凹溝 36の周方向だけでなく深さ方向においても、表面凹溝 36の全体に 亘つて略一定の幅寸法: Btとされており、図 3に示された研磨用パッド 32においては 、かかる表面凹溝 36が、開口部に行くに従って次第に中心軸 18から外周側に離隔 して、パッド基板 12の径方向斜め外方に向かって開口せしめられている一方、図 4に 示された研磨用パッド 34においては、かかる表面凹溝 36が、開口部に行くに従って 次第に中心軸 18に接近して、パッド基板 12の径方向斜め内方に向かって開口せし められている。
[0078] さらに、本実施形態においては、裏面凹溝 38もまた、パッド基板の中心軸に対して 一定の角度で傾斜せしめられた傾斜溝によって形成されている。具体的には、例え ば、裏面凹溝 38の内周側の側壁面(以下「裏面内側壁面」とレ、う) 44と裏面凹溝 38 の外周側の側壁面(以下「裏面外側壁面」という) 46の何れもが中心軸 18に対して所 定角度: ct bだけ傾斜せしめられた傾斜面とされている。要するに、本実施形態にお ける裏面凹溝 38は、裏面内側壁面 44と裏面外側壁面 46が、互いに平行な面とされ ており、裏面凹溝 38の周方向だけでなく深さ方向においても、裏面凹溝 38の全体に 亘つて略一定の幅寸法: Bbとされており、図 3に示された研磨用パッド 32においては 、力かる裏面凹溝 38が、開口部に行くに従って次第に中心軸 18から外周側に離隔 して、パッド基板 12の径方向斜め外方に向かって開口せしめられている一方、図 4に 示された研磨用パッド 34においては、力かる裏面凹溝 38が、開口部に行くに従って 次第に中心軸 18に接近して、パッド基板 12の径方向斜め内方に向かって開口せし められている。
[0079] ここにおいて、特に本実施形態においては、表面凹溝 36の溝深さ: Dtと裏面凹溝 38の溝深さ: Db,表面凹溝 36の溝幅: Btと裏面凹溝 38の溝幅: Bb,表面凹溝 36の 径方向ピッチ: Ptと裏面凹溝 38の径方向ピッチ: Pb,表面凹溝 36の傾斜角:ひ tと裏 面凹溝 38の傾斜角: a bが、それぞれ等しい大きさとされており、表面凹溝 36と裏面 凹溝 38が同形状で表面 14と裏面 20にそれぞれ形成されている。これにより、本実施 形態における研磨用パッド 32, 34においては、その表面 14と裏面 20が同一形状と されている。 [0080] なお、表面凹溝 36と裏面凹溝 38の各部寸法等の具体的な設定値は、パッド基板 1 2の材質や厚さ寸法,外径寸法の他、研磨対象となるウェハの材質やウェハに形成さ れたメタル線の形状や材質、要求される研磨精度などを総合的に考慮して決定され るものであって、特に限定されるものでないが、一般に、表面凹溝 36と裏面凹溝 38 の溝幅: Bt, Bb,深さ: Dt, Db,径方向ピッチ: Pt, Pbの各値は、以下の範囲内で設 定されることが望ましい。
[0081] 〔略円形の周方向溝の場合〕
0. 005mm ≤ Bt = Bb ≤ 3. Omm
0. lmm ≤ Dt = Db ≤ 2. Omm
0. lmm ≤ Pt = Pb ≤ 10. Omm
—50度 ≤ a t= a b ≤ 50度
[0082] また、より好ましくは、以下の範囲内に設定される。
〔略円形の周方向溝の場合〕
0. 005mm ≤ Bt = Bb ≤ 2. Omm
(より一層好ましく ίま、 0. 005mm ≤ Bt = Bb ≤ 1. 0mm)
0. lmm ≤ Dt = Db ≤ 1. Omm
0. 2mm ≤ Pt = Pb ≤ 2. Omm
—45度 ≤ ひ t= ひ b ≤ 45度
[0083] 蓋し、表面内外側壁面 40, 42 (裏面内外側壁面 44, 46)の傾斜角度:ひ t (ひ b)が 小さ過ぎると、研磨用パッド 32, 34に十分な弾性を付与することができず、所期の性 能を発揮できないおそれがある。一方、表面内外側壁面 40, 42 (裏面内外側壁面 4 4, 46)の傾斜角度: a t (ひ b)が大き過ぎると、製造が難しくなるだけでなぐ表面凹 溝 36 (裏面凹溝 38)の側壁部分の強度が低下して面圧分布が安定し難くなつたり、 研磨用パッド 32, 34の耐久性が充分に得られ難くなるおそれがある。
[0084] このような本実施形態に従う構造とされた研磨用パッド 32, 34においては、上述し た従来技術の問題点における(問題点 1) , (問題点 2) , (問題点 4)を有効に解決す ることが出来て、特に、中心軸 18に対して傾斜せしめられた傾斜溝によって表面凹 溝 36及び裏面凹溝 38が構成されていることにより、研磨用パッド 32, 34に対して比 較的大きな弾性を有利に付与することが可能となる。
〔実施形態 B〕
[0085] また、図 5〜図 7には、請求項 2及び 13に記載された本発明の一実施形態としての 研磨用パッド 48が示されてレ、る。
[0086] より詳細には、この研磨用パッド 48は、全体に一定の厚さ寸法: Tを有する薄肉円 板形状のパッド基板 12によって形成されている。このパッド基板 12は、例えば硬質 の発泡或いは未発泡の合成樹脂材料や硬質ゴム材料,或いは、繊維材料や無機材 料などをはじめとする各種の適当な材料によって形成されており、特に本実施形態 においては、発泡ウレタンによって形成されている。なお、パッド厚さ寸法は、限定さ れるものでなぐパッド基板 12の材質だけでなぐ加工対象となるウェハの材質や、要 求される加工精度などに応じて適宜に設定される。
[0087] また、力かるパッド基板 12の一方の面である表面 14には、図 5に示されているよう に、径方向一方向において直線的且つ相互に平行に延びる多数の溝 50, 50, 50, • · ·によって構成された直線凹溝としての表面凹溝 50が形成されており、表面 14に 開口せしめられている。
[0088] なお、表面凹溝 50の各部寸法等の具体的な設定値は、パッド基板 12の材質や厚 さ寸法,外径寸法の他、研磨対象となるウェハの材質やウェハに形成されたメタル線 の形状や材質、要求される研磨精度などを総合的に考慮して決定されるものであつ て、特に限定されるものでなレ、が、一般に、表面凹溝 50の溝幅: Bt,深さ: Dt,径方 向ピッチ: Ptの各値は、以下の範囲内で設定されることが望ましレ、。
[0089] 〔直線状の凹溝の場合〕
0. 005mm ≤ Bt ≤ 5. Omm
0. lmm ≤ Dt ≤ 2. Omm
0. lmm ≤ Pt ≤ 60. Omm
[0090] また、より好ましくは、以下の範囲内に設定される。
〔直線状の凹溝の場合〕
0. 005mm ≤ Bt ≤ 3. Omm
0. lmm ≥ Dt 丄. Omm 0. 2mm ≤ Pt ≤ 10. Omm
[0091] 蓋し、表面凹溝 50の溝幅: Btが小さ過ぎると、研磨くず等による表面凹溝 50の目 詰まりが発生し易くなつて安定した効果が発揮され難い。一方、表面凹溝 50の溝幅: Btが大き過ぎると、表面凹溝 50によって研磨用パッド 48に付与される弾性が大きく なりすぎると共に、表面凹溝 50のエッジ部分(開口端縁部)におけるウェハとの接触 面圧が増大して食い込み状の研磨等が発生し易ぐ安定した研磨が実現され難い。
[0092] また、表面凹溝 50の溝深さ: Dtが小さ過ぎると、研磨用パッド 48の表面 14の剛性 が大きくなり過ぎて、研磨用パッド 48に付与される弾性が表面 14において有効に発 揮されずに精密な研磨が困難となる傾向にある。一方、表面凹溝 50の溝深さ: Dtが 大き過ぎると、過大な弾性が表面凹溝 50によって研磨用パッド 48に付与される。更 に、製造が困難となる一方、研磨用パッド 48の表面 14が変形し易くなると共に、ステ イツタスリップの発生のおそれもあり、研磨が不安定となり易い。
[0093] 更にまた、表面凹溝 50の径方向ピッチ: Ptが小さ過ぎると、製造が難しぐ研磨用 ノ^ド 48の表面 14の変形や損傷が発生し易くなつて安定した研磨が実現され難い。 一方、表面凹溝 50の径方向ピッチ: Ptが大き過ぎると、研磨精度や研磨効率の低下 を招くおそれがある。
[0094] 一方、パッド基板 12の他方の面である裏面 20には、周方向に延びる多数の溝によ つて構成された裏側環状凹溝としての裏面凹溝 22が、パッド基板の中心軸 18を曲 率中心として形成されており、裏面 20に開口せしめられている。力かる裏面凹溝 22 は、本実施形態において、図 6に示されているように、それぞれ中心軸 18を曲率中 心として延びる、相互に曲率半径が異ならせられた多数の円形の溝 22, 22, 22, · · •によって構成されている。
[0095] なお、裏面凹溝 22の各部寸法等の具体的な設定値もまた、パッド基板 12の材質 や厚さ寸法,外径寸法の他、研磨対象となるウェハの材質やウェハに形成されたメタ ル線の形状や材質、要求される研磨精度などを総合的に考慮して決定されるもので あって、特に限定されるものでなレ、が、一般に、裏面凹溝 22の溝幅: Bb,深さ: Db, 径方向ピッチ: Pbの各値は、以下の範囲内で設定されることが望ましい。
[0096] 〔略円形の周方向溝の場合〕 0. 005mm ≤ Bb ≤ 3. Omm
0. lmm ≤ Db ≤ 2. Omm
0. lmm ≤ Pb ≤ 5. Omm
[0097] また、より好ましくは、以下の範囲内に設定される。
〔略円形の周方向溝の場合〕
0. 005mm ≤ Bb ≤ 2. Omm
(より一層好ましくは、 0. 005mm ≤ Bb ≤ 1. 0mm)
0. lmm ≥ Db ≥ 1. Omm
0. 2mm ≤ Pb ≤ 2. Omm
[0098] 蓋し、裏面凹溝 22の溝幅: Bbや溝深さ: Dbが小さ過ぎると、研磨用パッド 46に対し て十分な弾性を付与することが困難となり、所期の研磨精度を実現することが難しい 。一方、裏面凹溝 22の溝幅: Bbや溝深さ: Dbが大き過ぎると、研磨用パッド 48の表 面 14において発揮される弾性が必要以上に大きくなつて、研磨精度の低下を招くお それがある。
[0099] 更にまた、裏面凹溝 22の径方向ピッチ: Pbが小さ過ぎると、製造が難しぐ損傷等 が発生しやすくなつて安定した研磨実現され難い。一方、裏面凹溝 22の径方向ピッ チ: Pbが大き過ぎると、裏面凹溝 22を構成する円形の溝 22, 22, 22, · · ·の数が少 なくなるため、表面 14において発揮される弾性が研磨用パッド 48の径方向位置に応 じて大きく異なることとなり、均一な研磨を効率よく行うことが困難となる。
[0100] また、表面凹溝 50及び裏面凹溝 22の底面は、形状等が限定されるものでなぐ湾 曲面や平坦面等の何れであっても良いが、特に本実施形態では、表面凹溝 50及び 裏面凹溝 22の底面が研磨用パッド 48の中心軸 18に対して直交する平坦面とされて いる。このように表面凹溝 50と裏面凹溝 22の底面を研磨用パッド 48の表面と略平行 な平坦面とすることにより、表面凹溝 50と裏面凹溝 22の有効深さを大きく設定した場 合でも、表面凹溝 50と裏面凹溝 22の底壁部の間隙を有利に確保して良好な強度特 性を得ることが可能となる。
[0101] また、本実施形態においては、表面凹溝 50の溝深さ: Dtと裏面凹溝 22の溝深さ: Dbの合計値 (Dt + Db)力 パッド基板 12の厚さ寸法: Tよりも小さくされている。特に 本実施形態においては、パッド基板 12の厚さ寸法: Tの値が以下の範囲内に設定さ れている。
0. 5mm ≤ T ≤ 10. 0mm
より好ましくは、
1. Omm ≤ T ≤ 3. Omm
[0102] そして、このような表面 14及び裏面 20を有する研磨用パッド 48は、従来と同様にし て、ウェハ等の研磨に用いられる。具体的には、例えば図 7に示されているように、研 磨装置の回転板(支持板) 24の支持面上に載置されて、エアによる負圧吸引や両面 テープによる接着等の手段で該回転板 24に固定されて装着される。そして、中心軸 18の回りに回転駆動せしめられつつ、表面 14に対してウェハ 26が重ね合わせられ ることにより、研磨処理に供されることとなる。また、そのような研磨処理に際しては、 従来と同様に、一般に、研磨用パッド 48の表面 14とウェハ 26の被加工面 28の対向 面間に対して研磨液 (スラリ) 30が供給されると共に、ウェハ 26自体もその中心軸回り に回転駆動せしめられる。なお、研磨液 30は、例えば研磨用パッド 48の中央部分か ら研磨用パッド 48の表面に供給され、研磨用パッド 48の中心軸 18回りの回転に伴う 遠心力の作用で研磨用パッド 48の表面に広がるようにされる。
[0103] このような本実施形態に従う構造とされた研磨用パッド 48においては、上述の従来 技術の問題点における(問題点 1), (問題点 3) , (問題点 4)を有効に解決することが できる。
[0104] すなわち、本実施形態においては、表面 14に形成された表面凹溝 50が直線的に 延びるように形成されている一方、裏面 20に形成された裏面凹溝 22が周方向に延 びるように形成されている。それ故、研磨用パッド 48の表面 14と裏面 20の形状が著 しく異なり、表面 14と裏面 20を視認によって容易に判別できるようになつている。従つ て、研磨用パッド 48の研磨装置に対する取付時に、表裏を取り違える等の問題が生 じるのを回避して確実に取り付けることが可能となる。
[0105] また、裏面凹溝 22を周方向に延びる円環溝としたことにより、表面 14側に供給され る研磨液 30が外周面を伝って裏面 20側へ浸入することを有利に防ぐことができる。 それ故、研磨液 30が裏面 20と回転板 24の支持面との対向面間に浸入することに起 因する、研磨用パッド 48が研磨装置の回転板 24から脱落したり、回転板 24上で変 位したりといった問題の発生を防止することが出来て、高い信頼性をもって研磨処理 を行うことが可能となる。
[0106] さらに、裏面凹溝 22の幅寸法: Bb,深さ寸法: Db,径方向ピッチ: Pbを上述した所 定の範囲内で設定することにより、研磨用パッド 48に十分な弾性を確保することが出 来ると共に、裏面 20と回転板 24との間で十分な固着力を得ることが出来て、高い信 頼性を実現することが可能となる。
[0107] 更にまた、表面凹溝 50の溝深さ: Dtと、裏面凹溝 22の溝深さ: Dbの合計値(Dt + Db)の値を、パッド基板 12の厚さ寸法よりも小さくしたことにより、研磨用パッド 48に 対して適度な弾性を付与すると共に、十分な剛性を保つことができて、研磨精度を高 度に確保することが可能となる。
[0108] 次に、図 8及び図 9には、請求項 2, 9, 10, 13に記載された本発明の別の実施形 態としての研磨用パッド 52, 54が示されている。なお、以下の説明において、前記実 施形態と同一の部材乃至は部位については、図中に同一の符号を付すことにより説 明を省略する。
[0109] 具体的には、パッド基板 12の一方の面である表面 14には、径方向一方向に直線 的に延びる多数の溝によって構成された表面凹溝 50が形成されており、表面 14に 開口せしめられている。
[0110] 一方、パッド基板 12の他方の面である裏面 20には、周方向に延びる裏面凹溝 38
、パッド基板 12の中心軸 18の回りに形成されており、裏面 20に開口せしめられて いる。力かる裏面凹溝 38は、本実施形態において、中心軸 18を曲率中心として同心 的に形成された多数の円形の溝 38, 38, 38, · · ·によって構成されている。
[0111] また、本実施形態においては、裏面凹溝 38がパッド基板の中心軸に対して一定の 角度で傾斜せしめられた傾斜溝によって形成されている。具体的には、例えば、裏 面凹溝 38の内周側の側壁面(以下「裏面内側壁面」とレ、う) 44と裏面凹溝 38の外周 側の側壁面(以下「裏面外側壁面」という) 46何れもが中心軸 18に対して所定角度: ひ bだけ傾斜せしめられた傾斜面とされている。要するに、本実施形態における裏面 凹溝 38は、裏面内側壁面 44と裏面外側壁面 46が、互いに平行な面とされており、 裏面凹溝 38の周方向だけでなく深さ方向においても、裏面凹溝 38の全体に亘つて 略一定の幅寸法: Bbとされており、図 8に示された研磨用パッド 52においては、かか る裏面凹溝 38が、開口部に行くに従って次第に中心軸 18から外周側に離隔して、 ノ^ド基板 12の径方向斜め外方に向かって開口せしめられている一方、図 9に示さ れた研磨用パッド 54においては、力かる裏面凹溝 38が、開口部に行くに従って次第 に中心軸 18に接近して、パッド基板 12の径方向斜め内方に向かって開口せしめら れている。
[0112] なお、裏面凹溝 38の各部寸法等の具体的な設定値もまた、パッド基板 12の材質 や厚さ寸法,外径寸法の他、研磨対象となるウェハの材質やウェハに形成されたメタ ル線の形状や材質、要求される研磨精度などを総合的に考慮して決定されるもので あって、特に限定されるものでなレ、が、一般に、裏面凹溝 38の溝幅: Bb,深さ: Db, 径方向ピッチ: Pbの各値は、以下の範囲内で設定されることが望ましレ、。
[0113] 0. 005mm ≤ Bb ≤ 3. 0mm
0. lmm ≤ Db ≤ 2. 0mm
0. lmm ≥ Pb ≤ 5. 0mm
—50度 ≤ a b ≤ 50度
[0114] また、より好ましくは、以下の範囲内に設定される。
0. 005mm ≤ Bb ≤ 2. 0mm
(より一層好ましくは、 0. 005mm ≤ Bb ≤ 1. 0mm)
0. lmm ≥ Db ≥ 1. 0mm
0. 2mm ≤ Pb ≤ 2. 0mm
—45度 ≤ ひ b ≤ —20度
又は、 20度 ≤ ひ b ≤ 45度
[0115] 蓋し、裏面内外側壁面 44, 46の傾斜角度:ひ bが小さ過ぎると、研磨用パッド 52, 54に十分な弾性を付与することができず、所期の性能を発揮できないおそれがある 。一方、裏面内外側壁面 44, 46の傾斜角度:ひ bが大き過ぎると、製造が難しくなる だけでな 裏面凹溝 38の側壁部分の強度が低下して面圧分布が安定し難くなつた り、研磨用パッド 52, 54の耐久性が充分に得られ難くなるおそれがある。 [0116] このような本実施形態に従う構造とされた研磨用パッド 52, 54においては、上述し た従来技術の問題点における(問題点 1) , (問題点 2) , (問題点 3), (問題点 4)を有 効に解決することが出来る。
[0117] 次に、図 10及び図 11には、請求項 2, 11 , 12, 13に記載された本発明の別の実 施形態としての研磨用パッド 56, 58が示されている。なお、以下の説明において、前 記実施形態と同一の部材乃至は部位については、図中に同一の符号を付すことに より説明を省略する。
[0118] 具体的には、パッド基板 12の一方の面である表面 14には、径方向一方向に直線 的に延びる多数の溝によって構成された表面凹溝 60が形成されており、表面 14に 開口せしめられている。
[0119] また、本実施形態においては、表面凹溝 60は、パッド基板 12の中心軸(中心軸 18 に平行な直線)に対して一定の角度で傾斜せしめられた傾斜溝によって形成されて いる。具体的には、例えば、表面凹溝 60の内周側の側壁面(以下「表面内側壁面」と レ、う) 62と表面凹溝 60の外周側の側壁面(以下「表面外側壁面」とレ、う) 64の何れも が中心軸 18に対して所定角度: a t (中心軸 18に平行な直線との交角 = a t)だけ傾 斜せしめられた傾斜面とされている。要するに、本実施形態における表面凹溝 60で は、表面内側壁面 62と表面外側壁面 64が互いに平行な面とされており、表面凹溝 6 0の周方向だけでなく深さ方向においても、表面凹溝 60の全体に亘つて略一定の幅 寸法: Btとされており、図 10に示された研磨用パッド 56においては、かかる表面凹溝 60が、開口部に行くに従って次第に中心軸 18から外周側に離隔して、パッド基板 1 2の径方向斜め外方に向かって開口せしめられている一方、図 11に示された研磨用 ノ^ド 58においては、かかる表面凹溝 60が、開口部に行くに従って次第に中心軸 1 8に接近して、パッド基板 12の径方向斜め内方に向かって開口せしめられている。
[0120] なお、表面凹溝 60の各部寸法等の具体的な設定値は、パッド基板 12の材質や厚 さ寸法,外径寸法の他、研磨対象となるウェハの材質やウェハに形成されたメタル線 の形状や材質、要求される研磨精度などを総合的に考慮して決定されるものであつ て、特に限定されるものでなレ、が、一般に、表面凹溝 60の溝幅: Bt,深さ: Dt,径方 向ピッチ: Pt,傾斜角度: a tの各値は、以下の範囲内で設定されることが望ましい。 [0121] 〔直線状の凹溝の場合〕
0. 005mm ≤ Bt ≤ 5. 0mm
0. lmm ≤ Dt ≤ 2. Omm
0. lmm ≤ Pt ≤ 60. Omm
_ 30度 ≤ ひ t ≤ 30度
[0122] また、より好ましくは、以下の範囲内に設定される。
〔直線状の凹溝の場合〕
0. 005mm ≤ Bt ≤ 3. Omm
0. lmm ≥ Dt 丄. Omm
0. 2mm ≤ Pt ≤ 10. Omm
—30度 ≤ a t ≤ —10度
又は、 10度 ≤ a t ≤ 30度
[0123] 蓋し、表面内外側壁面 62, 64の傾斜角度: a tが小さ過ぎると、研磨用パッド 56, 5 8に十分な弾性を付与することができず、所期の性能を発揮できないおそれがある。 一方、表面内外側壁面 62, 64の傾斜角度: a tが大き過ぎると、製造が難しくなるだ けでなぐ表面凹溝 60の側壁部分の強度が低下して面圧分布が安定し難くなつたり 、研磨用パッド 56, 58の耐久性が充分に得られ難くなるおそれがある。
[0124] 一方、パッド基板 12の他方の面である裏面 20には、中心軸 18を曲率中心として周 方向に延びる多数の円形の溝 22, 22, 22, · · ·によって構成された裏面凹溝 22が、 パッド基板の中心軸 18の回りに形成されており、裏面 20に開口せしめられている。
[0125] このような本実施形態に従う構造とされた研磨用パッド 56, 58においては、上述し た従来技術の問題点における(問題点 1) , (問題点 3) , (問題点 4)を有効に解決す ることが出来る。
[0126] 次に、図 12〜図 15には、請求項 2, 9, 10, 11, 12, 13に記載された本発明の別 の実施形態としての研磨用パッド 66, 68, 70, 72が示されている。なお、以下の説 明において、前記実施形態と同一の部材乃至は部位については、図中に同一の符 号を付すことにより説明を省略する。
[0127] 具体的には、研磨用パッド 66, 68, 70, 72には、その表面 14において径方向一 方向に直線的に延びる多数の傾斜溝によって構成された表面凹溝 60が形成されて いる一方、その裏面 20において周方向に延びる多数の傾斜溝によって構成された 裏面凹溝 38が形成されている。
[0128] なお、図 12に示されているように、研磨用パッド 66においては、表面凹溝 60が径 方向斜め外方に向かって開口して形成されていると共に、裏面凹溝 38が径方向斜 め内方に向かって開口して形成されている。
[0129] また、図 13に示されているように、研磨用パッド 68においては、表面凹溝 60が径方 向斜め内方に向かって開口して形成されていると共に、裏面凹溝 38が径方向斜め 外方に向かって開口して形成されている。
[0130] また、図 14に示されているように、研磨用パッド 70においては、表面凹溝 60が径方 向斜め外方に向かって開口して形成されていると共に、裏面凹溝 38が径方向斜め 外方に向かって開口して形成されている。
[0131] また、図 15に示されているように、研磨用パッド 72においては、表面凹溝 60が径方 向斜め内方に向かって開口して形成されていると共に、裏面凹溝 38が径方向斜め 内方に向かって開口して形成されている。
[0132] このような本実施形態に従う構造とされた研磨用パッド 66, 68, 70, 72においては
、上述した従来技術の問題点における(問題点 1) , (問題点 2) , (問題点 3), (問題 点 4)を有効に解決することができる。
〔実施形態 C〕
[0133] また、図 16〜: 18には、請求項 1, 3, 4, 5, 8, 13に記載された本発明の実施形態 としての研磨用パッド 74が示されてレ、る。
[0134] より詳細には、この研磨用パッド 74は、全体に一定の厚さ寸法: Tを有する薄肉円 板形状のパッド基板 12によって形成されている。このパッド基板 12は、例えば硬質 の発泡或いは未発泡の合成樹脂材料や硬質ゴム材料,或いは、繊維材料や無機材 料などをはじめとする各種の適当な材料によって形成されており、特に本実施形態 においては、発泡ウレタンによって形成されている。なお、パッド厚さ寸法は、限定さ れるものでな パッド基板 12の材質だけでな 加工対象となるウェハの材質や、要 求される加工精度などに応じて適宜に設定される。 [0135] また、力かるパッド基板 12の一方の面である表面 14には、周方向に延びる円形溝 によって構成された表側環状凹溝としての表面凹溝 16が、パッド基板 12の中心軸 1 8の回りに形成されており、表面 14に開口せしめられている。
[0136] 力かる表面凹溝 16は、本実施形態において、図 16に示されているように、それぞ れ中心軸 18を曲率中心として延びる、相互に曲率半径が異ならせられた多数の円 形の溝 16, 16, 16, · · ·によって構成されている。
[0137] なお、表面凹溝 16の各部寸法等の具体的な設定値は、パッド基板 12の材質や厚 さ寸法,外径寸法の他、研磨対象となるウェハの材質やウェハに形成されたメタル線 の形状や材質、要求される研磨精度などを総合的に考慮して決定されるものであつ て、特に限定されるものでなレ、が、一般に、表面凹溝 16の溝幅: Bt,深さ: Dt,径方 向ピッチ: Ptの各値は、以下の範囲内で設定されることが望ましレ、。
[0138] 〔略円形の周方向溝の場合〕
0. 005mm ≤ Bt ≤ 3. Omm
0. lmm ≤ Dt ≤ 2. Omm
0. lmm ≤ Pt ≤ 10. Omm
[0139] また、より好ましくは、以下の範囲内に設定される。
〔略円形の周方向溝の場合〕
0. 005mm ≤ Bt ≤ 2. Omm
(より一層好ましくは、 0. 005mm ≤ Bt ≤ 1. 0mm)
0. lmm ≥ Dt ^ 1. Omm
0. 2mm ≤ Pt ≤ 2. Omm
[0140] 蓋し、表面凹溝 16の溝幅: Btが小さ過ぎると、研磨くず等による表面凹溝 16の目 詰まりが発生し易くなつて安定した効果が発揮され難い。一方、表面凹溝 16の溝幅: Btが大き過ぎると、表面凹溝 16によって研磨用パッド 74に付与される弾性が大きく なりすぎると共に、表面凹溝 16のエッジ部分(開口端縁部)におけるウェハとの接触 面圧が増大して食い込み状の研磨等が発生し易ぐ安定した研磨が実現され難い。
[0141] また、表面凹溝 16の溝深さ: Dtが小さ過ぎると、研磨用パッド 74の表面 14の剛性 が大きくなり過ぎて、研磨用パッド 74に付与される弾性が表面 14において有効に発 揮されずに精密な研磨が困難となる傾向にある。一方、表面凹溝 16の溝深さ: Dtが 大き過ぎると、過大な弾性が表面凹溝 16によって研磨用パッド 74に付与される。更 に、製造が困難となる一方、研磨用パッド 74の表面 14が変形し易くなると共に、ステ イツタスリップの発生のおそれもあり、研磨が不安定となり易い。
[0142] 更にまた、表面凹溝 16の径方向ピッチ: Ptが小さ過ぎると、製造が難しぐ研磨用 ノ^ド 74の表面 14の変形や損傷が発生し易くなつて安定した研磨が実現され難い。 一方、表面凹溝 16の径方向ピッチ: Ptが大き過ぎると、研磨精度や研磨効率の低下 を招くおそれがある。
[0143] 一方、力かるパッド基板 12の他方の面である裏面 20には、周方向に延びる円形溝 によって構成された裏側環状凹溝としての裏面凹溝 22が、パッド基板 12の中心軸 1 8の回りに形成されており、裏面 20に開口せしめられている。
[0144] 力かる裏面凹溝 22は、本実施形態において、図 17に示されているように、それぞ れ中心軸 18を曲率中心として延びる、相互に曲率半径が異ならせられた多数の円 形の溝 22, 22, 22, · · ·によって構成されている。
[0145] なお、裏面凹溝 22の各部寸法等の具体的な設定値もまた、パッド基板 12の材質 や厚さ寸法,外径寸法の他、研磨対象となるウェハの材質やウェハに形成されたメタ ル線の形状や材質、要求される研磨精度などを総合的に考慮して決定されるもので あって、特に限定されるものでなレ、が、一般に、裏面凹溝 22の溝幅: Bb,深さ: Db, 径方向ピッチ: Pbの各値は、以下の範囲内で設定されることが望ましい。
[0146] 〔略円形の周方向溝の場合〕
0. 005mm ≤ Bb ≤ 3. Omm
0. lmm ≤ Db ≤ 2. Omm
0. lmm ≥ Pb ≤ 5. Omm
[0147] また、より好ましくは、以下の範囲内に設定される。
〔略円形の周方向溝の場合〕
0. 005mm ≤ Bb ≤ 2. Omm
(より一層好ましくは、 0. 005mm ≤ Bb ≤ 1. 0mm)
0. lmm ≥ Db ≥ 1. Omm 0. 2mm ≤ Pb ≤ 2. Omm
[0148] 蓋し、裏面凹溝 22の溝幅: Bbや溝深さ: Dbが小さ過ぎると、研磨用パッド 74に対し て十分な弾性を付与することが困難となり、所期の研磨精度を実現することが難しい 。一方、裏面凹溝 22の溝幅: Bbや溝深さ: Dbが大き過ぎると、研磨用パッド 74の表 面 14において発揮される弾性が必要以上に大きくなつて、研磨精度の低下を招くお それがある。
[0149] 更にまた、裏面凹溝 22の径方向ピッチ: Pbが小さ過ぎると、製造が難しぐ損傷等 が発生しやすくなつて安定した研磨実現され難い。一方、裏面凹溝 22の径方向ピッ チ: Pbが大き過ぎると、裏面凹溝 22を構成する円形の溝 22, 22, 22, · · ·の数が少 なくなるため、表面 14において発揮される弾性が研磨用パッド 74の径方向位置に応 じて大きく異なることとなり、均一な研磨を効率よく行うことが困難となる。
[0150] また、表面凹溝 16及び裏面凹溝 22の底面は、形状等が限定されるものでなぐ湾 曲面や平坦面等の何れであっても良いが、特に本実施形態では、表面凹溝 16及び 裏面凹溝 22の底面が研磨用パッド 74の中心軸 18に対して直交する平坦面とされて いる。このように表面凹溝 16と裏面凹溝 22の底面を研磨用パッド 74の表面と略平行 な平坦面とすることにより、表面凹溝 16と裏面凹溝 22の有効深さを大きく設定した場 合でも、表面凹溝 16と裏面凹溝 22の底壁部の間隙を有利に確保して良好な強度特 性を得ることが可能となる。
[0151] さらに、特に本実施形態においては、表面凹溝 16の溝深さ: Dtと裏面凹溝 22の溝 深さ: Dbの合計値がパッド基板 12の厚さ寸法: Tよりも小さくされている。これにより、 研磨用パッド 74に対して弾性を適度に付与して、研磨精度の向上を図ることが出来 る。なお、特に本実施形態においては、パッド基板 12の厚さ寸法: Tの値が以下の範 圏内に設定されている。
0. 5mm ≤ T ≤ 10. Omm
より好ましくは、
1. Omm ≤ T ≤ 3. Omm
[0152] ここにおいて、特に本実施形態では、表面凹溝 16と裏面凹溝 22が互いに特定の 位置関係で形成されている。具体的には、隣り合う裏面凹溝 22, 22の径方向間の表 面 14側に表面凹溝 16が形成されており、特に本実施形態においては、裏面凹溝 22 , 22の径方向間における径方向略中央の表面 14側において一条の表面凹溝 16が 形成されている。更に、隣り合う表面凹溝 16の径方向中央部分には、その裏面 20に おいて、一条の裏面凹溝 22が形成されており、これによつて表面凹溝 16と裏面凹溝 22がパッド基板 12の表裏において径方向で互いにずれた位置に交互に形成されて いる。
[0153] そして、このような表面 14及び裏面 20を有する研磨用パッド 74は、従来と同様にし て、ウェハ等の研磨に用いられる。具体的には、例えば図 18に示されているように、 研磨装置の回転板 (支持板) 24の支持面上に載置されて、エアによる負圧吸引ゃ両 面テープによる接着等の手段で回転板 24に固定されて装着される。そして、中心軸 18の回りに回転駆動せしめられつつ、表面 14に対してウェハ 26が重ね合わせられ ることにより、研磨処理に供されることとなる。また、そのような研磨処理に際しては、 従来と同様に、一般に、研磨用パッド 74の表面 14とウェハ 26の被加工面 28の対向 面間に対して研磨液 (スラリ) 30が供給されると共に、ウェハ 26自体もその中心軸回り に回転駆動せしめられる。なお、研磨液 30は、例えば研磨用パッド 74の中央部分か ら研磨用パッド 74の表面に供給され、研磨用パッド 74の中心軸 18回りの回転に伴う 遠心力の作用で研磨用パッド 74の表面に広がるようにされる。
[0154] このような本実施形態に従う構造とされた研磨用パッド 74においては、上述した従 来技術の問題点における(問題点 1), (問題点 2) , (問題点 4)を有効に解決すること が出来る。
[0155] すなわち、研磨用パッド 74の表面 14において、被加工物、つまり研磨対象物に対 して当接せしめられる部分 (接触面)に対して面圧が作用せしめられると、接触面に 作用した応力は軸方向下方に伝達されることとなる。ここで、本実施形態においては 、表面 14において接触面が形成されている部分の裏面 20側には、裏面凹溝 22が 形成されており、弾性が付与されているため、応力の作用によって弾性的に変形して 応力を逃すことが可能となっている。それ故、裏面 20と回転板(支持板) 24との固着 面積を十分に確保しつつ、裏面凹溝 22が形成されることによって発揮される弾性を 表面 14において有利に発揮させることが出来て、高い平坦性や均一性をもって研磨 処理を実現することが出来る。
[0156] また、研磨用パッド 74の表面 14と裏面 20の両面にそれぞれ形成された表面凹溝 1 6と裏面凹溝 22を共に周方向に延びる円形の溝としたことにより、溝の形成加工が容 易となって、研磨用パッドの生産効率の向上を図ることが可能となる。
[0157] また、裏面凹溝 22を周方向に延びる円環溝としたことにより、表面 14側に供給され る研磨液 30が外周面を伝って裏面 20側へ浸入することを有利に防ぐことができる。 それ故、研磨液 30が裏面 20と回転板 24の支持面との対向面間に浸入することに起 因する、研磨用パッド 74が研磨装置の回転板 24から剥離したり、回転板 24上で変 位したりといった問題の発生を防止することが出来て、高い信頼性をもって研磨処理 を行うことが可能となる。
[0158] さらに、裏面凹溝 22の幅寸法: Bb,深さ寸法: Db,径方向ピッチ: Pbを上述した所 定の範囲内で設定することにより、研磨用パッド 74に十分な弾性を確保することが出 来ると共に、裏面 20と回転板 24との間で十分な固着力を得ることが出来て、高い信 頼性を実現することが可能となる。
[0159] 更にまた、表面凹溝 16の溝深さ: Dtと、裏面凹溝 22の溝深さ: Dbの合計値(Dt + Db)の値を、パッド基板 12の厚さ寸法よりも小さくしたことにより、研磨用パッド 74に 対して適度な弾性を付与すると共に、十分な剛性を保つことができて、研磨精度を高 度に確保することが可能となる。
[0160] 次に、図 19と図 20には、請求項 3, 4, 8, 11〜: 13に記載された本発明の別の実施 形態としての研磨用パッド 76, 78が示されている。なお、以下の説明において、前記 実施形態と実質的に同一の部材乃至は部位については、図中に同一の符号を付す ことにより説明を省略する。
[0161] 具体的には、パッド基板 12の一方の面である表面 14には、中心軸を曲率中心とし て同心的に周方向に延びる多数の円形の溝 36, 36, 36, · · ·によって構成された表 面凹溝 36がパッド基板 12の中心軸 18の回りに形成されており、表面 14に開口せし められている。
[0162] また、本実施形態においては、表面凹溝 36は、パッド基板の中心軸(中心軸 18に 平行な直線)に対して一定の角度で傾斜せしめられた傾斜溝によって構成されてい る。具体的には、例えば、表面凹溝 36の内周側の側壁面(以下「表面内側壁面」とい う) 40と表面凹溝 36の外周側の側壁面(以下「表面外側壁面」とレ、う) 42の何れもが 中心軸 18に対して所定角度: a t (中心軸 18に平行な直線との交角 = ひ t)だけ傾斜 せしめられた傾斜面とされている。要するに、本実施形態における表面凹溝 36では 、表面内側壁面 40と表面外側壁面 42が互いに平行な面とされており、表面凹溝 36 の周方向だけでなく深さ方向においても、表面凹溝 36の全体に亘つて略一定の幅 寸法: Btとされており、図 19に示された研磨用パッド 76においては、かかる表面凹溝 36が、開口部に行くに従って次第に中心軸 18から外周側に離隔して、パッド基板 1 2の径方向斜め外方に向かって開口せしめられている一方、図 20に示された研磨用 ノ^ド 78においては、かかる表面凹溝 36が、開口部に行くに従って次第に中心軸 1 8に接近して、パッド基板 12の径方向斜め内方に向かって開口せしめられている。
[0163] なお、表面凹溝 36の各部寸法等の具体的な設定値は、パッド基板 12の材質や厚 さ寸法,外径寸法の他、研磨対象となるウェハの材質やウェハに形成されたメタル線 の形状や材質、要求される研磨精度などを総合的に考慮して決定されるものであつ て、特に限定されるものでなレ、が、一般に、表面凹溝 36の溝幅: Bt,深さ: Dt,径方 向ピッチ: Pt,傾斜角度: a tの各値は、以下の範囲内で設定されることが望ましい。
[0164] 〔略円形の周方向溝の場合〕
0. 005mm ≤ Bt ≤ 3. 0mm
0. lmm ≤ Dt ≤ 2. 0mm
0. lmm ≤ Pt ≤ 10. 0mm
_ 30度 ≤ ひ t ≤ 30度
[0165] また、より好ましくは、以下の範囲内に設定される。
〔略円形の周方向溝の場合〕
0. 005mm ≤ Bt ≤ 2. 0mm
(より一層好ましくは、 0. 005mm ≤ Bt ≤ 1. 0mm)
0. lmm ≥ Dt ^ 1. 0mm
0. 2mm ≤ Pt ≤ 2. 0mm
—30度 ≤ a t ≤ —10度 又は、 10度 ≤ ひ t ≤ 30度
[0166] 蓋し、表面内外側壁面 40, 42の傾斜角度:ひ tが小さ過ぎると、研磨用パッド 76, 7 8に十分な弾性を付与することができず、所期の性能を発揮できないおそれがある。 一方、表面内外側壁面 40, 42の傾斜角度:ひ tが大き過ぎると、製造が難しくなるだ けでなぐ表面凹溝 36の側壁部分の強度が低下して面圧分布が安定し難くなつたり 、研磨用パッド 76, 78の耐久性が充分に得られ難くなるおそれがある。
[0167] 一方、パッド基板 12の他方の面である裏面 20には、周方向に延びる円形溝によつ て構成された裏面凹溝 22が、パッド基板の中心軸 18の回りに形成されており、裏面 20に開口せしめられている。力かる裏面凹溝 22は、本実施形態において、中心軸を 曲率中心として同心的に延びる多数の円形の溝 22, 22, 22, · · ·によって構成され ている。
[0168] このような本実施形態に従う構造とされた研磨用パッド 76, 78においては、上述し た従来技術の問題点における(問題点 1) , (問題点 4)を有効に解決することができる
[0169] 次に、図 21と図 22には、請求項 3, 4, 8, 9, 10, 13に記載された本発明の別の実 施形態としての研磨用パッド 80, 82が示されてレ、る。
[0170] 具体的には、パッド基板 12の一方の面である表面 14には、中心軸を曲率中心とし て周方向に延びる、相互に曲率半径が異ならせられた多数の円形の溝 16, 16, 16 , …によって構成された表面凹溝 16が、パッド基板 12の中心軸 18の回りに形成さ れており、表面 14に開口せしめられている。
[0171] 一方、パッド基板 12の他方の面である裏面 20には、周方向に延びる円形溝によつ て構成された裏面凹溝 38が、パッド基板の中心軸 18の回りに形成されており、裏面 20に開口せしめられている。力かる裏面凹溝 38は、本実施形態において、中心軸を 曲率中心として同心的に延びる多数の円形の溝 38, 38, 38, · · ·によって構成され ている。
[0172] また、本実施形態においては、裏面凹溝 38は、パッド基板の中心軸 18 (中心軸 18 に平行な直線)に対して一定の角度で傾斜せしめられた傾斜溝によって形成されて いる。具体的には、例えば、裏面凹溝 38の内周側の側壁面(以下「裏面内側壁面」と レ、う) 44と裏面凹溝 38の外周側の側壁面(以下「裏面外側壁面」とレ、う) 46の何れも が中心軸 18に対して所定角度: a t (中心軸 18に平行な直線との交角 = a t)だけ傾 斜せしめられた傾斜面とされている。要するに、本実施形態における裏面凹溝 38で は、裏面内側壁面 44と裏面外側壁面 46が互いに平行な面とされており、裏面凹溝 3 8の周方向だけでなく深さ方向においても、裏面凹溝 38の全体に亘つて略一定の幅 寸法: Btとされており、図 21に示された研磨用パッド 80においては、かかる裏面凹溝 38が、開口部に行くに従って次第に中心軸 18から外周側に離隔して、パッド基板 1 2の径方向斜め外方に向かって開口せしめられている一方、図 22に示された研磨用 ノ ッド 82においては、力かる裏面凹溝 38が、開口部に行くに従って次第に中心軸 1 8に接近して、パッド基板 12の径方向斜め内方に向かって開口せしめられている。
[0173] なお、裏面凹溝 38の各部寸法等の具体的な設定値は、パッド基板 12の材質や厚 さ寸法,外径寸法の他、研磨対象となるウェハの材質やウェハに形成されたメタル線 の形状や材質、要求される研磨精度などを総合的に考慮して決定されるものであつ て、特に限定されるものでなレ、が、一般に、裏面凹溝 38の溝幅: Bb,深さ: Db,径方 向ピッチ: Pbの各値は、以下の範囲内で設定されることが望ましレ、。
〔略円形の周方向溝の場合〕
0. 005mm ≤ Bb ≤ 3. 0mm
0. lmm ≤ Db ≤ 2. 0mm
0. lmm ≥ Pb ≤ 5. 0mm
_ 50度 ≤ ひ b ≤ 50度
[0174] また、より好ましくは、以下の範囲内に設定される。
〔略円形の周方向溝の場合〕
0. 005mm ≤ Bb ≤ 2. 0mm
(より一層好ましくは、 0. 005mm ≤ Bb ≤ 1. 0mm)
0. lmm ≥ Db ≥ 1. 0mm
0. 2mm ≤ Pb ≤ 2. 0mm
—45度 ≤ ひ b ≤ —20度
又は、 20度 ≤ a b ≤ 45度 [0175] 蓋し、裏面内外側壁面 44, 46の傾斜角度:ひ bが小さ過ぎると、研磨用パッド 80, 82に十分な弾性を付与することができず、所期の性能を発揮できないおそれがある 。一方、裏面内外側壁面 44, 46の傾斜角度:ひ bが大き過ぎると、製造が難しくなる だけでな 裏面凹溝 38の側壁部分の強度が低下して面圧分布が安定し難くなつた り、研磨用パッド 80, 82の耐久性が充分に得られ難くなるおそれがある。
[0176] このような本実施形態に従う構造とされた研磨用パッド 80, 82においては、上述し た従来技術の問題点における(問題点 1) , (問題点 2) , (問題点 4)を有効に解決す ること力 Sできる。
[0177] また、図 23, 24には、請求項 3, 4, 8〜: 13に記載された本発明の別の実施形態と しての研磨用パッド 84, 86が示されている。なお、以下の説明において、前記実施 形態と実質的に同一の部材乃至は部位については図中に同一の符号を付すことに より説明を省略する。
[0178] 具体的には、研磨用パッド 84, 86には、その表面 14において中心軸 18を曲率中 心として同心的に周方向に延びる多数の傾斜溝によって構成された表面凹溝 36が 形成されている一方、その裏面 20において同じく中心軸 18を曲率中心として同心的 に周方向に延びる多数の傾斜溝によって構成された裏面凹溝 38が形成されている
[0179] なお、図 23に示されているように、研磨用パッド 84においては、表面凹溝 36が径 方向斜め外方に向かって開口して形成されていると共に、裏面凹溝 38が径方向斜 め内方に向かって開口して形成されている。
[0180] また、図 24に示されているように、研磨用パッド 86においては、表面凹溝 36が径方 向斜め内方に向かって開口して形成されていると共に、裏面凹溝 38が径方向斜め 外方に向かって開口して形成されている。
[0181] このような本実施形態に従う構造とされた研磨用パッド 84, 86においては、上述し た従来技術の問題点における(問題点 1) , (問題点 2) , (問題点 4)を有効に解決す ること力 Sできる。
[0182] また、図 25, 26には、請求項 1 , 3, 4, 5, 8〜: 13に記載された本発明の別の実施 形態としての研磨用パッド 88, 90が示されている。なお、以下の説明において、前記 実施形態と実質的に同一の部材乃至は部位については図中に同一の符号を付すこ とにより説明を省略する。
[0183] 具体的には、研磨用パッド 88, 90には、その表面 14において中心軸 18を曲率中 心として同心的に周方向に延びる多数の傾斜溝によって構成された表面凹溝 36が 形成されている一方、その裏面 20において同じく中心軸 18を曲率中心として同心的 に周方向に延びる多数の傾斜溝によって構成された裏面凹溝 38が形成されている
[0184] また、図 25に示されているように、研磨用パッド 88においては、表面凹溝 36が径方 向斜め外方に向かって開口して形成されていると共に、裏面凹溝 38が径方向斜め 外方に向かって開口して形成されている。
[0185] また、図 26に示されているように、研磨用パッド 90においては、表面凹溝 36が径方 向斜め内方に向かって開口して形成されていると共に、裏面凹溝 38が径方向斜め 内方に向かって開口して形成されている。
[0186] このような本実施形態に従う構造とされた研磨用パッド 88, 90においては、上述し た従来技術の問題点における(問題点 1) , (問題点 2) , (問題点 4)を有効に解決す ること力 Sできる。
[0187] さらに、図 27には、請求項 3, 8, 13に記載された本発明の別の実施形態としての 研磨用パッド 92が示されている。なお、以下の説明において、前記実施形態と実質 的に同一の部材乃至は部位については図中に同一の符号を付すことにより説明を 省略する。
[0188] 具体的には、パッド基板 12の一方の面である表面 14には、表面凹溝 16がパッド基 板 12の中心軸 18の回りに形成されており、表面 14に開口せしめられている一方、パ ッド基板 12の他方の面である裏面 20には、裏面凹溝 22がパッド基板の中心軸 18の 回りに形成されており、裏面 20に開口せしめられている。
[0189] ここにおいて、特に本実施形態では、裏面凹溝 22の径方向ピッチ: Ptが、表面凹 溝 16の径方向ピッチ: Pbに比して小さくされている。より詳細には、裏面凹溝 22が表 面凹溝 16の略二倍の径方向ピッチで形成されており、裏面凹溝 22は表面凹溝 16 に比して多く形成されてレ、る。 [0190] このような本実施形態に従う構造とされた研磨用パッド 92においては、上述した従 来技術の問題点における(問題点 1), (問題点 4)を有効に解決することができる。
[0191] なお、図 27に示された研磨用パッド 92においては、表面凹溝と裏面凹溝が共に中 心軸に対して傾斜角度を有しない円形溝によって構成された表面凹溝 16と裏面凹 溝 22とされてレ、る。し力しながら、これらの各実施形態においても、図 28〜33にそれ ぞれ示されているように、表面凹溝として中心軸に対して傾斜せしめられた傾斜溝で 構成された表面凹溝 36を採用することが可能であると共に、図 30〜35にそれぞれ 示されているように、裏面凹溝としても中心軸に対して傾斜せしめられた傾斜溝で構 成された裏面凹溝 38を採用することが可能である。
[0192] 一方、図 36には、請求項 3, 6, 8, 13に記載された本発明の別の実施形態として の研磨用パッド 94が示されている。なお、以下の説明において、前記実施形態と実 質的に同一の部材乃至は部位については図中に同一の符号を付すことにより説明 を省略する。
[0193] 具体的には、パッド基板 12の一方の面である表面 14には、表面凹溝 16がパッド基 板 12の中心軸 18の回りに形成されており、表面 14に開口せしめられている一方、パ ッド基板 12の他方の面である裏面 20には、裏面凹溝 22がパッド基板の中心軸 18の 回りに形成されており、裏面 20に開口せしめられている。
[0194] ここにおいて、本実施形態では、裏面凹溝 22の径方向ピッチ: Pbが、表面凹溝 16 の径方向ピッチ: Ptに比して大きくされている。より詳細には、裏面凹溝 22が表面凹 溝 16の略半分の径方向ピッチで形成されており、裏面凹溝 22が表面凹溝 16に比し て多く形成されている。
[0195] これにより、裏面 20において裏面凹溝 22が形成されていることにより研磨用パッド 9 2に付与されている弾性が、より一層有効に発揮されることとなる。
[0196] このような本実施形態に従う構造とされた研磨用パッド 94においては、上述した従 来技術の問題点における(問題点 1), (問題点 4)を有効に解決することができる。
[0197] なお、図 36にしめされた研磨用パッド 94においては、表面凹溝が中心軸に対して 傾斜角度を有しない円形溝によって構成された表面凹溝 16とされている。しかしな がら、これらの各実施形態においても、図 37〜44にそれぞれ示されているように、表 面凹溝として中心軸に対して傾斜せしめられた傾斜溝で構成された表面凹溝 36を 採用することが可能である。これにより、請求項 11に記載された本発明の構造を有す ることとなり、上述した従来技術の問題点における(問題点 1), (問題点 4)を有効に 角军決すること力 Sできる。
[0198] また、図 36にしめされた研磨用パッド 94においては、裏面凹溝が中心軸に対して 傾斜角度を有しない円形溝によって構成された裏面凹溝 22とされている。しかしな がら、図 39〜44にそれぞれ示されているように、裏面凹溝としては中心軸に対して 傾斜せしめられた傾斜溝で構成された裏面凹溝 38を採用することが可能である。こ れにより、請求項 9に記載された本発明の構造を有することとなり、上述した従来技術 の問題点における(問題点 1), (問題点 4)に加えて(問題点 2)を有効に解決すること ができる。
[0199] 次に、図 45には、請求項 3, 4, 7, 13に記載された本発明の実施形態としての研 磨用パッド 96が示されている。なお、以下の説明において、前記実施形態と実質的 に同一の部材乃至は部位については、図中に同一の符号を付すことにより説明を省 略する。
[0200] 具体的には、パッド基板 12の一方の面である表面 14には、表面凹溝 16がパッド基 板 12の中心軸 18の回りに形成されており、表面 14に開口せしめられている一方、パ ッド基板 12の他方の面である裏面 20には、裏面凹溝 22がパッド基板の中心軸 18の 回りに形成されており、裏面 20に開口せしめられている。
[0201] ここにおいて、本実施形態では、表面凹溝 16の溝深さ: Dtと裏面凹溝 22の溝深さ : Dbの合計値 (Dt + Db)力 パッド基板 12の厚さ寸法: Tよりも大きくされている。こ れにより、研磨用パッド 96には、より大きな弾性が有利に付与されることとなる。
[0202] このような本実施形態に従う構造とされた研磨用パッド 96においては、上述した従 来技術の問題点における(問題点 1), (問題点 4)を有効に解決することができる。
[0203] なお、図 45に示された研磨用パッド 96においては、表面凹溝が中心軸に対して傾 斜角度を有しない円形溝によって構成された表面凹溝 16とされている。しかしながら 、図 46〜51にそれぞれ示されているように、表面凹溝として中心軸に対して傾斜せ しめられた傾斜溝で構成された表面凹溝 36を採用することが可能である。これにより 、請求項 11に記載された本発明の構造を有することとなり、上述した従来技術の問 題点における(問題点 1) , (問題点 4)を有効に解決することができる。
[0204] また、図 45に示された研磨用パッド 96においては、裏面凹溝が中心軸に対して傾 斜角度を有しない円形溝によって構成された裏面凹溝 22とされている。しかしながら 、図 48〜53にそれぞれ示されているように、裏面凹溝としては中心軸に対して傾斜 せしめられた傾斜溝で構成された裏面凹溝 38を採用することが可能である。これに より、請求項 9に記載された本発明の構造を有することとなり、上述した従来技術の問 題点における(問題点 1) , (問題点 4)に加えて(問題点 2)を有効に解決することがで きる。
〔実施形態 D〕
[0205] また、図 54〜56には、請求項 9, 13に記載された本発明の一実施形態としての研 磨用パッド 98, 100が示されている。
[0206] より詳細には、この研磨用パッド 98, 100は、全体に一定の厚さ寸法: Tを有する薄 肉円板形状のパッド基板 12によって形成されている。このパッド基板 12は、例えば 硬質の発泡或いは未発泡の合成樹脂材料や硬質ゴム材料,或いは繊維材料や無 機材料などをはじめとする各種の適当な材料によって形成されており、特に本実施 形態においては、発泡ウレタンによって形成されている。なお、パッド厚さ寸法は、限 定されるものでなぐパッド基板 12の材質だけでなぐ加工対象となるウェハの材質や 、要求される加工精度などに応じて適宜に設定される。
[0207] また、本実施形態におけるパッド基板 12の一方の面である表面 14は、溝などが形 成されてレ、なレ、平坦面とされてレ、る。
[0208] 一方、パッド基板 12の他方の面である裏面 20には、周方向に延びる円形溝によつ て構成された裏面凹溝 38が、パッド基板の中心軸 18の回りに形成されており、裏面 20に開口せしめられている。
[0209] 力かる裏面凹溝 38は、本実施形態において、図 54に示されているように、それぞ れ中心軸 18を曲率中心として延びる、相互に曲率半径が異ならせられた多数の円 形の溝 38, 38, 38, · · ·によって構成されている。
[0210] ここにおいて、特に本実施形態においては、裏面凹溝 38が円形の溝であると共に 、パッド基板 12の中心軸 18に対して一定の角度だけ傾斜せしめられた傾斜溝によつ て構成されている。具体的には、例えば、縦断の拡大説明図である図 55,図 56に示 されているように、力かる裏面凹溝 38は、その内周側の側壁面(以下「裏面内側壁面 」とレ、う) 44と外周側の側壁面(以下「裏面外側壁面」とレ、う) 46の何れも力 周方向の 全長に亘つて、中心軸 18に対して所定角度:ひ b (中心軸 18に平行な直線に対する 交角 = ひ b)だけ傾斜せしめられた傾斜面とされている。要するに、図 57, 58に示さ れた裏面凹溝 38では、裏面内側壁面 44と裏面外側壁面 46が、互いに平行な面とさ れており、裏面凹溝 38の周方向だけでなく深さ方向においても、裏面凹溝 38の全体 に亘つて略一定の幅寸法: Bbとされており、図 55に示された研磨用パッド 98におい ては、力かる裏面凹溝 38が、開口部に行くに従って次第に中心軸 18に接近して、パ ッド基板 12の径方向斜め内方に向かって開口せしめられている一方、図 56に示され た研磨用パッド 100においては、力かる裏面凹溝 38が、開口部に行くに従って次第 に中心軸 18から外周側に離隔して、パッド基板 12の径方向斜め外方に向かって開 口せしめられている。
[0211] なお、裏面凹溝 38の各部寸法等の具体的な設定値は、パッド基板 12の材質や厚 さ寸法,外径寸法の他、研磨対象となるウェハの材質やウェハに形成されたメタル線 の形状や材質、要求される研磨精度などを総合的に考慮して決定されるものであつ て、特に限定されるものでなレ、が、一般に、裏面凹溝 38の溝幅: Bb,深さ: Db,径方 向ピッチ: Pbの各値は、以下の範囲内で設定されることが望ましレ、。
[0212] 〔略円形の周方向溝の場合〕
0. 005mm ≤ Bb ≤ 3. 0mm
0. lmm ≤ Db ≤ 2. 0mm
0. lmm ≥ Pb ≤ 5. 0mm
_ 50度 ≤ ひ b ≤ 50度
[0213] また、より好ましくは、以下の範囲内に設定される。
〔略円形の周方向溝の場合〕
0. 005mm ≤ Bb ≤ 2. 0mm
(より一層好ましくは、 0. 005mm ≤ Bb ≤ 1. 0mm) 0. lmm ≤ Db ≤ 1. 0mm
0. 2mm ≤ Pb ≤ 2. Omm
—45度 ≤ ひ b ≤ —20度
又は、 20度 ≤ ひ b ≤ 45度
[0214] 蓋し、裏面凹溝 38の溝幅: Bbや溝深さ: Dbが小さ過ぎると、研磨用パッド 98, 100 に対して十分な弾性を付与することが困難となり、所期の研磨精度を実現することが 難しい。一方、裏面凹溝 38の溝幅: Bbや溝深さ: Dbが大き過ぎると、研磨用パッド 9 8, 100の裏面 20において発揮される弾性が必要以上に大きくなつて、研磨精度の 低下を招くおそれがある。
[0215] さらに、裏面凹溝 38の径方向ピッチ: Pbが小さ過ぎると、製造が難しぐ損傷等が 発生しやすくなつて安定した研磨実現され難い。一方、裏面凹溝 38の径方向ピッチ : Pbが大き過ぎると、裏面凹溝 38を構成する円形の溝 38, 38, 38, …の数が少な くなるため、裏面 20において発揮される弾性が研磨用パッド 98, 100の径方向位置 に応じて大きく異なることとなり、均一な研磨を効率よく行うことが困難となる。
[0216] 更にまた、裏面内外側壁面 44, 46の傾斜角度: a bが小さ過ぎると、研磨用パッド 98, 100に十分な弾性を付与することができず、所期の性能を発揮できないおそれ がある。一方、裏面内外側壁面 44, 46の傾斜角度: a bが大き過ぎると、製造が難し くなるだけでな 裏面凹溝 38の側壁部分の強度が低下して面圧分布が安定し難く なったり、研磨用パッド 98, 100の耐久性が充分に得られ難くなるおそれがある。
[0217] また、裏面凹溝 38の底面は、形状等が限定されるものでなぐ湾曲面や平坦面等 の何れであっても良いが、特に本実施形態では、裏面凹溝 38の底面が研磨用パッド 98, 100の中心軸 18に対して直交する平坦面とされている。このように裏面凹溝 38 の底面を研磨用パッド 98, 100の表面と略平行な平坦面とすることにより、裏面凹溝 38の有効深さを大きく設定した場合でも、裏面凹溝 38の底壁部の間隙を有利に確 保して良好な強度特性を得ることが可能となる。
[0218] そして、このような表面 14及び裏面 20を有する研磨用パッド 98, 100は、従来と同 様にして、ウェハ等の研磨に用いられる。具体的には、例えば図 55, 56に示されて いるように、研磨装置の回転板(支持板) 24の支持面上に載置されて、エアによる負 圧吸引や両面テープによる接着等の手段で回転板 24に固定されて装着される。そ して、中心軸 18の回りに回転駆動せしめられつつ、表面 14に対してウェハ 26が重ね 合わせられることにより、研磨処理に供されることとなる。また、そのような研磨処理に 際しては、従来と同様に、一般に、研磨用パッド 98, 100の表面 14とウェハ 26の被 加工面 28の対向面間に対して研磨液 (スラリ) 30が供給されると共に、ウェハ 26自体 もその中心軸回りに回転駆動せしめられる。なお、研磨液 30は、例えば研磨用パッド 98, 100の中央部分力も研磨用パッド 98, 100の表面に供給され、研磨用パッド 98 , 100の中心軸 18回りの回転に伴う遠心力の作用で研磨用パッド 98, 100の表面に 広がるようにされる。
[0219] このような本実施形態に従う構造とされた研磨用パッド 98, 100においては、上述 した従来技術の問題点における(問題点 2) , (問題点 4)を有効に解決することができ る。
[0220] すなわち、裏面凹溝 38を中心軸に対して傾斜せしめられた傾斜溝としたことにより 、凹溝の形成によって研磨用パッド 98, 100に付与される弾性を、より有利に確保す ることが可能となって、研磨用パッド 98, 100に対する種々の要求性能に対して確実 に対応することが可能となる。しかも、傾斜溝を円環状に延びる態様で採用すること により、溝を傾斜せしめたことによって被加工物への接触面 (加工面)に作用する応 力に基づくパッド基板 12の弾性変形が、一方向に剪断的に発生することを効果的に 回避することが出来るため、ウェハ等の被力卩ェ物を軸直角方向で固定的に位置決め して保持することが出来て、高精度の研磨を安定して行うことが可能となる。
[0221] また、裏面凹溝 38を周方向に延びる円環溝としたことにより、表面 14側に供給され る研磨液 30が外周面を伝って裏面 20側へ浸入することを有利に防ぐことができる。 それ故、研磨液 30が裏面 20と回転板 24の支持面との対向面間に浸入することに起 因する、研磨用パッド 98, 100が研磨装置の回転板 24から剥離したり、回転板上で 変位したりといった問題の発生を防止することが出来て、高い信頼性をもって研磨処 理を行うことが可能となる。
[0222] さらに、裏面凹溝 38の幅寸法: Bb,深さ寸法: Db,径方向ピッチ: Pb, ひ bを上述し た所定の範囲内で設定することにより、研磨用パッド 98, 100に十分な弾性を確保 することが出来ると共に、裏面 20と回転板 24との間で十分な固着力を得ることが出 来て、高い信頼性を実現することが可能となる。
[0223] なお、本実施形態において表面 14は凹溝等が形成されていない平滑面とされてい た力 表面 14には、図 57〜60,或レ、は図 2〜4, 8〜: 15, 18〜49, 61〜67に示さ れているような各種形状を有する表面凹溝を形成することが可能である。具体的には 、例えば、中心軸 18を曲率中心として周方向に延びる多数の円形溝によって構成さ れた表面凹溝 16や、径方向一方向において直線的に延びる多数の直線溝によって 構成された表面凹溝 50, 中心軸 18を曲率中心として周方向に延びて、中心軸 18 ( 中心軸 18に平行な直線)に対して所定の傾斜角度をもって傾斜せしめられた多数の 円形溝によって構成された表面凹溝 36,径方向一方向において直線的に延びて、 中心軸 18 (中心軸 18に平行な直線)に対して所定の傾斜角度をもって傾斜せしめら れた多数の直線傾斜溝によって構成された表面凹溝 60,図 64に示されているように 、略直交する径方向二方向にそれぞれ延びる多数の直線溝によって構成された表 面凹溝 102,図 65に示されているように、円環凹溝によって構成された表面凹溝 16 (36)と直線溝によって構成された表面凹溝 50 (60)とを組み合わせて構成された表 面凹溝 104,図 66に示されているように、屈曲せしめられてジグザグに延びる表面凹 溝 106,図 67に示されているように、中心軸 18から放射状に延びる表面凹溝 108な ど、各種態様の表面凹溝が適宜に選択されて表面 14に形成され得る。
[0224] また、上述の説明力らも明ら力なように、図 3, 4, 10〜: 15, 21〜26, 30〜35, 41 〜44, 48〜53においてそれぞれ示されている前記各実施形態は、何れも本発明の 請求項 9に記載された発明の構造を有しており、本実施形態において説明したように 、従来技術の問題点における(問題点 2)と(問題点 4)を有効に解決することが可能 である。
〔実施形態 E〕
[0225] また、図 68〜70には、請求項 11, 12, 13に記載された本発明の一実施形態とし ての研磨用パッド 110, 112が示されている。
[0226] より詳細には、この研磨用パッド 110, 112は、全体に一定の厚さ寸法: Tを有する 薄肉円板形状のパッド基板 12によって形成されている。このパッド基板 12は、例え ば硬質の発泡或いは未発泡の合成樹脂材料や硬質ゴム材料,或いは繊維材料や 無機材料などをはじめとする各種の適当な材料によって形成されており、特に本実 施形態においては、発泡ウレタンによって形成されている。なお、パッド厚さ寸法は、 限定されるものでなぐパッド基板 12の材質だけでなぐ加工対象となるウェハの材質 や、要求される加工精度などに応じて適宜に設定される。
[0227] また、力かるパッド基板 12の一方の面である表面 14には、周方向に延びる円形溝 によって構成された表面凹溝 36が、パッド基板 12の中心軸 18の回りに形成されて おり、表面 14に開口せしめられている。
[0228] 力かる表面凹溝 36は、本実施形態において、図 68に示されているように、それぞ れ中心軸 18を曲率中心として延びる、相互に曲率半径が異ならせられた多数の円 形の溝 36, 36, 36, · · ·によって構成されている。
[0229] また、本実施形態においては、表面凹溝 36は、パッド基板の中心軸(中心軸 18に 平行な直線)に対して一定の角度で傾斜せしめられた傾斜溝によって構成されてい る。具体的には、例えば、表面凹溝 36の内周側の側壁面(以下「表面内側壁面」とい う) 40と表面凹溝 36の外周側の側壁面(以下「表面外側壁面」とレ、う) 42の何れもが 中心軸 18に対して所定角度: a t (中心軸 18に平行な直線との交角 = a t)だけ傾斜 せしめられた傾斜面とされている。要するに、本実施形態における表面凹溝 36では 、表面内側壁面 40と表面外側壁面 42が互いに平行な面とされており、表面凹溝 36 の周方向だけでなく深さ方向においても、表面凹溝 36の全体に亘つて略一定の幅 寸法: Btとされており、図 69に示された研磨用パッド 110においては、かかる表面凹 溝 36が、開口部に行くに従って次第に中心軸 18から外周側に離隔して、パッド基板 12の径方向斜め外方に向かって開口せしめられている一方、図 70に示された研磨 用パッド 1 12においては、かかる表面凹溝 36が、開口部に行くに従って次第に中心 軸 18に接近して、パッド基板 12の径方向斜め内方に向かって開口せしめられている
[0230] なお、表面凹溝 36の各部寸法等の具体的な設定値は、パッド基板 12の材質や厚 さ寸法,外径寸法の他、研磨対象となるウェハの材質やウェハに形成されたメタル線 の形状や材質、要求される研磨精度などを総合的に考慮して決定されるものであつ て、特に限定されるものでなレ、が、一般に、表面凹溝 36の溝幅: Bt,深さ: Dt,径方 向ピッチ: Pt,傾斜角度:ひ tの各値は、以下の範囲内で設定されることが望ましい。
[0231] 〔略円形の周方向溝の場合〕
0. 005mm ≤ Bt ≤ 3. 0mm
0. lmm ≤ Dt ≤ 2. 0mm
0. lmm ≤ Pt ≤ 10. 0mm
_ 30度 ≤ ひ t ≤ 30度
[0232] また、より好ましくは、以下の範囲内に設定される。
〔略円形の周方向溝の場合〕
0. 005mm ≤ Bt ≤ 2. 0mm
(より一層好ましくは、 0. 005mm ≤ Bt ≤ 1. 0mm)
0. lmm ≥ Dt 丄. 0mm
0. 2mm ≤ Pt ≤ 2. 0mm
—30度 ≤ a t ≤ —10度
又は、 10度 ≤ a t ≤ 30度
[0233] 蓋し、表面凹溝 36の溝幅: Btが小さ過ぎると、研磨くず等による表面凹溝 36の目 詰まりが発生し易くなつて安定した効果が発揮され難い。一方、表面凹溝 36の溝幅: Btが大き過ぎると、表面凹溝 36によって研磨用パッド 110, 112に付与される弾性が 大きくなりすぎると共に、表面凹溝 36のエッジ部分(開口端縁部)におけるウェハとの 接触面圧が増大して食い込み状の研磨等が発生し易ぐ安定した研磨が実現され難 レ、。
[0234] また、表面凹溝 36の溝深さ: Dtが小さ過ぎると、研磨用パッド 110, 112の表面 14 の剛性が大きくなり過ぎて、研磨用パッド 110, 112に付与される弾性が表面 14にお レ、て有効に発揮されずに精密な研磨が困難となる傾向にある。一方、表面凹溝 36の 溝深さ: Dtが大き過ぎると、過大な弾性が表面凹溝 36によって研磨用パッド 110, 1 12に付与される。更に、製造が困難となる一方、研磨用パッド 110, 112の表面 14が 変形し易くなると共に、スティックスリップの発生のおそれもあり、研磨が不安定となり 易い。 [0235] 更にまた、表面凹溝 36の径方向ピッチ: Ptが小さ過ぎると、製造が難しぐ研磨用 ノ^ド 110, 112の表面 14の変形や損傷が発生し易くなつて安定した研磨が実現さ れ難い。一方、表面凹溝 36の径方向ピッチ: Ptが大き過ぎると、研磨精度や研磨効 率の低下を招くおそれがある。
[0236] また、表面内外側壁面 40, 42の傾斜角度: a tが小さ過ぎると、研磨用パッド 110, 112に十分な弾性を付与することができず、所期の性能を発揮できないおそれがあ る。一方、表面内外側壁面 40, 42の傾斜角度: a tが大き過ぎると、製造が難しくな るだけでなぐ表面凹溝 36の側壁部分の強度が低下して面圧分布が安定し難くなつ たり、研磨用パッド 110, 112の耐久性が充分に得られ難くなるおそれがある。
[0237] 一方、パッド基板 12の他方の面である裏面 20には、周方向に延びる円形溝によつ て構成された裏面凹溝 22が、パッド基板の中心軸 18の回りに形成されており、裏面 20に開口せしめられている。
[0238] 力かる裏面凹溝 22は、本実施形態において、それぞれ中心軸 18を曲率中心とし て延びる、相互に曲率半径が異ならせられた多数の円形の溝 22, 22, 22, ' "によ つて構成されている。
[0239] なお、裏面凹溝 22の各部寸法等の具体的な設定値は、パッド基板 12の材質や厚 さ寸法,外径寸法の他、研磨対象となるウェハの材質やウェハに形成されたメタル線 の形状や材質、要求される研磨精度などを総合的に考慮して決定されるものであつ て、特に限定されるものでなレ、が、一般に、裏面凹溝 22の溝幅: Bb,深さ: Db,径方 向ピッチ: Pbの各値は、以下の範囲内で設定されることが望ましレ、。
[0240] 〔略円形の周方向溝の場合〕
0. 005mm ≤ Bb ≤ 3. 0mm
0. lmm ≤ Db ≤ 2. 0mm
0. lmm ≥ Pb ≤ 5. 0mm
[0241] また、より好ましくは、以下の範囲内に設定される。
〔略円形の周方向溝の場合〕
0. 005mm ≤ Bb ≤ 2. 0mm
(より一層好ましくは、 0. 005mm ≤ Bb ≤ 1. 0mm) 0. lmm ≤ Db ≤ 1. 0mm
0. 2mm ≤ Pb ≤ 2. Omm
[0242] 蓋し、裏面凹溝 22の溝幅: Bbや溝深さ: Dbが小さ過ぎると、研磨用パッド 110, 11 2に対して十分な弾性を付与することが困難となり、所期の研磨精度を実現すること が難しい。一方、裏面凹溝 22の溝幅: Bbや溝深さ: Dbが大き過ぎると、研磨用パッド 110, 112の裏面 20において発揮される弾性が必要以上に大きくなつて、研磨精度 の低下を招くおそれがある。
[0243] さらに、裏面凹溝 22の径方向ピッチ: Pbが小さ過ぎると、製造が難しぐ損傷等が 発生しやすくなつて安定した研磨実現され難い。一方、裏面凹溝 22の径方向ピッチ : Pbが大き過ぎると、裏面凹溝 22を構成する円形の溝 22, 22, 22, …の数が少な くなるため、裏面 20において発揮される弾性が研磨用パッド 110, 112の径方向位 置に応じて大きく異なることとなり、均一な研磨を効率よく行うことが困難となる。
[0244] また、表面凹溝 36及び裏面凹溝 22の底面は、形状等が限定されるものでなぐ湾 曲面や平坦面等の何れであっても良いが、特に本実施形態では、表面凹溝 36と裏 面凹溝 22の底面が研磨用パッド 110, 112の中心軸 18に対して直交する平坦面と されている。このように表面凹溝 36と裏面凹溝 22の底面を研磨用パッド 110, 112の 表面と略平行な平坦面とすることにより、表面凹溝 36と裏面凹溝 22の有効深さを大 きく設定した場合でも、表面凹溝と裏面凹溝 22の底壁部の間隙を有利に確保して良 好な強度特性を得ることが可能となる。
[0245] また、本実施形態においては、表面凹溝 36の溝深さ: Dtと裏面凹溝 22の溝深さ: Dbの合計値 (Dt + Db)力 パッド基板 12の厚さ寸法: Tよりも小さくされている。なお 、特に本実施形態においては、パッド基板 12の厚さ寸法: Tの値が以下の範囲内に 設定されている。
0. 5mm ≤ T ≤ 10. 0mm
より好ましくは、
1. Omm ≤ T ≤ 3. Omm
[0246] そして、このような表面 14及び裏面 20を有する研磨用パッド 110, 112は、従来と 同様にして、ウェハ等の研磨に用いられる。具体的には、例えば図 69, 70に示され ているように、研磨装置の回転板(支持板) 24の支持面上に載置されて、エアによる 負圧吸引や両面テープによる接着等の手段で回転板 24に固定されて装着される。 そして、中心軸 18の回りに回転駆動せしめられつつ、表面 14に対してウェハ 26が重 ね合わせられることにより、研磨処理に供されることとなる。また、そのような研磨処理 に際しては、従来と同様に、一般に、研磨用パッド 110, 112の表面 14とウェハ 26の 被カ卩工面 28の対向面間に対して研磨液 (スラリ) 30が供給されると共に、ウェハ 26自 体もその中心軸回りに回転駆動せしめられる。なお、研磨液 30は、例えば研磨用パ ッド 110, 112の中央部分から研磨用パッド 110, 112の表面に供給され、研磨用パ ッド 110, 112の中心軸 18回りの回転に伴う遠心力の作用で研磨用パッド 110, 112 の表面に広がるようにされる。
[0247] このような本実施形態に従う構造とされた研磨用パッド 110, 112においては、上述 した従来技術の問題点における(問題点 1) , (問題点 4)を有効に解決することができ る。
[0248] すなわち、研磨用パッド 110, 112の裏面 20に裏面凹溝 22を形成すると共に、表 面 14に表面凹溝 36を形成したことにより、研磨用パッド 110, 112に対して弾性を有 利に付与することが可能となる。しかも、表面凹溝 36を中心軸に対して傾斜せしめら れた傾斜溝によって構成したことにより、凹溝の形成によって研磨用パッド 110, 112 に付与される弾性をより一層有利に確保することが可能となって、研磨用パッド 110, 112に対する種々の要求性能に対して対応することが可能となる。
[0249] また、裏面凹溝 22を周方向に延びる円環溝としたことにより、表面 14側に供給され る研磨液 30が外周面を伝って裏面 20側へ浸入することを有利に防ぐことができる。 それ故、研磨液 30が裏面 20と回転板 24の支持面との対向面間に浸入することに起 因する、研磨用パッド 110, 112が研磨装置の回転板 24から剥離したり、回転板上 で変位したりといった問題の発生を防止することが出来て、高い信頼性をもって研磨 処理を行うことが可能となる。
[0250] なお、図 3, 4, 10〜15, 19, 20, 23〜26, 28〜33, 37〜42, 46〜53, 59, 60 , 63に示された各実施形態としての研磨用パッドは、請求項 11に記載された発明に 従う構造を有しており、本実施形態において示した上述の如き効果を有効に発揮す ることが可能となる。
[0251] また、本実施形態においては、表面凹溝 36を構成する傾斜溝を円環状に延びる 態様で採用することにより、被カ卩ェ物への接触面 (加工面)に作用する応力に基づく ノ^ド基板 12の弾性変形が、溝を傾斜せしめたことによって一方向に剪断的に発生 することを効果的に回避することが出来るため、ウェハ等の被力卩ェ物を軸直角方向で 固定的に位置決めして保持することが出来て、高精度の研磨を安定して行うことが可 能となる。
[0252] さらに、表面凹溝 36及び裏面凹溝 22の幅寸法: Bb深さ寸法: Db,径方向ピッチ: Pbを上述した所定の範囲内で設定することにより、研磨用パッド 110, 112に十分な 弾性を確保することが出来ると共に、裏面 20と回転板 24との間で十分な固着力を得 ることが出来て、高い信頼性を実現することが可能となる。
[0253] 更にまた、表面凹溝 36の溝深さ: Dtと、裏面凹溝 22の溝深さ: Dbの合計値(Dt + Db)の値を、パッド基板 12の厚さ寸法よりも小さくしたことにより、研磨用パッド 110, 112に対して適度な弾性を付与すると共に、十分な剛性を保つことができて、研磨精 度を高度に確保することが可能となる。
[0254] 以上、本発明の幾つかの実施形態について説明してきた力 これはあくまでも例示 であって、本発明は、力かる実施形態における具体的な記載によって、何等、限定的 に解釈されるものではない。
[0255] 例えば、図 4〜60に示された各実施形態、即ち、実施形態 B, C, Dにおいて、表 面 14に形成される表面凹溝の溝幅: Bt,溝深さ: Dt,径方向ピッチ: Pt,傾斜角度: ひ tの各値と、裏面凹溝の溝幅: Bb,溝深さ: Db,径方向ピッチ: Pb,傾斜角度:ひ b の各値とは相互に異なっていても良レ、。具体的には、例えば、図 63に示されているよ うに、溝幅が相互に異なる表面凹溝 36と裏面凹溝 38を組み合わせて採用しても良 レ、。また、例えば、図 62に示されているように、溝深さが相互に異なる表面凹溝 16と 裏面凹溝 22を組み合わせて採用することも可能である。更に、例えば、図 63に示さ れているように、傾斜角度が相互に異なる傾斜溝によってそれぞれ形成された表面 凹溝 16と裏面凹溝 22を組み合わせて採用することも可能である。
[0256] また、図 5〜: 15に示された各実施形態、即ち、実施形態 Bに係る研磨用パッドおい て、表面 14に形成される表面凹溝の形状は、前記各実施形態のものに何等限定さ れない。具体的には、例えば、図 64に示されているような略直交する二方向に延び る直線溝によって構成された格子状の表面凹溝 102や、図 65に示されているような 周方向に延びる円形溝と直線的に延びる直線溝とを組み合わせて構成された表面 凹溝 104なども適宜に採用され得る。
[0257] また、前記各実施形態において、表面凹溝 16, 36, 50, 60及び裏面凹溝 22, 38 の底面は、表面 14及び裏面 20と平行に広がる平坦面とされていたが、例えば、図 7 1に示すように、湾曲面によって構成されていても良い。
[0258] また、前記各実施形態において示された研磨用パッドはシリコンウェハ等の研磨の 他、ガラス基板の研磨などにも好適に採用され得る。
[0259] その他、一々列挙はしないが、本発明は、当業者の知識に基づいて種々なる変更 ,修正,改良等をカ卩えた態様において実施され得るものであり、また、そのような実施 態様が、本発明の趣旨を逸脱しない限り、何れも、本発明の範囲内に含まれるもので あることは、言うまでもなレ、。

Claims

請求の範囲
[1] 薄肉円板形状を有しており、裏面において支持面に固着されることにより研磨装置 に装着され、表面において半導体ウェハ等の加工対象物に対して研磨作用を施す 研磨用パッドであって、
前記裏面と前記表面の両面に対して、中心軸周りで同心的に延びる複数条の環状 凹溝を、同一の断面形状と同一の径方向間隔で、略同じ数だけ形成したことを特徴 とする研磨用パッド。
[2] 薄肉円板形状を有しており、裏面において支持面に固着されることにより研磨装置 に装着され、表面において半導体ウェハ等の加工対象物に対して研磨作用を施す 研磨用パッドであって、
前記裏面に対して中心軸回りで同心的に延びる複数条の環状凹溝を形成する一 方、前記表面に対して、互いに平行に延びる複数条の直線凹溝を少なくとも一方向 に形成したことを特徴とする研磨用パッド。
[3] 薄肉円板形状を有しており、裏面において支持面に固着されることにより研磨装置 に装着され、表面において半導体ウェハ等の加工対象物に対して研磨作用を施す 研磨用パッドであって、
前記裏面に対して、中心軸回りで同心的に延びる複数条の裏側環状凹溝を所定 の径方向間隔で形成すると共に、前記表面に対して、中心軸回りで同心的に延びる 複数条の表側環状凹溝を所定の径方向間隔で形成する一方、これら裏側環状凹溝 と表側環状凹溝の何れか一方の環状凹溝の径方向間に、他方の環状凹溝が一本 乃至複数本位置するようにしたことを特徴とする研磨用パッド。
[4] 前記表側環状凹溝を、前記裏側環状凹溝と同じ一定の径方向間隔で形成すると 共に、該表側環状凹溝が該裏側環状凹溝の径方向間の略中央部分に位置するよう にした請求項 3に記載の研磨用パッド。
[5] 請求項 1に記載の構成を採用した、請求項 4に記載の研磨用パッド。
[6] 前記裏側環状凹溝を、前記表側環状凹溝よりも小さな径方向間隔で形成した請求 項 3に記載の研磨用パッド。
[7] 前記裏側環状凹溝と前記表側環状凹溝の何れか一方の環状凹溝の深さ寸法と、 該一方の環状凹溝の径方向間に位置せしめられた前記他方の環状凹溝の深さ寸法 との合計値が、パッド全体の厚さ寸法よりも大きくされた請求項 3乃至 6の何れかに記 載の研磨用パッド。
[8] 前記裏側環状凹溝の深さ寸法と前記表側環状凹溝の深さ寸法の合計値を、パッド 全体の厚さ寸法よりも小さくした請求項 3乃至 6の何れかに記載の研磨用パッド。
[9] 薄肉円板形状を有しており、裏面において支持面に固着されることにより研磨装置 に装着され、表面において半導体ウェハ等の加工対象物に対して研磨作用を施す 研磨用パッドにおいて、
前記裏面に対して、中心軸回りで同心的に延びる複数条の裏側環状凹溝を形成 すると共に、それら複数条の裏側環状凹溝を、何れも、その内周面と外周面が何れも 中心軸に対して略一定の傾斜角度を持って平行に傾斜せしめられた略一定の断面 形状で周方向の全周に亘つて延びる傾斜凹溝としたことを特徴とする研磨用パッド。
[10] 請求項 1乃至 8の何れかに記載の構成を採用した、請求項 9に記載の研磨用パッド
[11] 薄肉円板形状を有しており、裏面において支持面に固着されることにより研磨装置 に装着され、表面において半導体ウェハ等の加工対象物に対して研磨作用を施す 研磨用パッドにおいて、
前記裏面に対して中心軸回りで同心的に延びる複数条の環状凹溝を形成する一 方、前記表面に対して複数条の表側凹溝を形成すると共に、それら表側凹溝を、両 側壁内面が略平行に傾斜せしめられた傾斜凹溝としたことを特徴とする研磨用パッド
[12] 請求項 1乃至 10の何れかに記載の構成を採用した、請求項 11に記載の研磨用パ ッド'。
[13] 前記裏面に形成された複数条の環状溝における幅寸法: B,深さ寸法: D,径方向 ピッチ: Pを、下式:
0. 005mm ≤ B ≤ 3. 0mm
0. lmm ≤ D ≤ 2. 0mm
0. lmm ≥ P ≤ 5. 0mm の範囲で設定した請求項 1乃至 12の何れかに記載の研磨用パッド。
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