WO2006018983A1 - 放射線撮像素子及び放射線撮像方法 - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to a radiation imaging apparatus that acquires a radiation image as an image signal and a radiation imaging method using this apparatus, and is particularly suitable for applications such as inserting into the oral cavity and acquiring a radiation image of a tooth.
  • the present invention relates to a radiation imaging apparatus that can be made small and thin, and a radiation imaging method using the radiation imaging apparatus.
  • a radiation imaging system using a CCD instead of an X-ray photosensitive film has been widely used.
  • a radiation imaging system two-dimensional image data by radiation is acquired as an electrical signal using a radiation imaging apparatus having a plurality of pixels, and this signal is processed by a processing device to be displayed on a monitor. Is displayed.
  • a radiation imaging apparatus of the type disclosed in Patent Document 1 is known as a radiation imaging apparatus used by being inserted into the oral cavity for dentistry or the like.
  • an image sensor such as a CCD or other solid-state image sensor is arranged on a ceramic, glass, or epoxy wiring board, and radiation is received on the light receiving surface of the image sensor.
  • a scintillator that converts the light into detectable light is disposed.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 2001-330678
  • a radiation imaging apparatus that is inserted into the oral cavity is required to be as small and thin as possible. Conversely, it is desired to increase the imaging area as much as possible. For this reason, it is necessary to make the projected area of the main body on the same plane as the imaging surface as close as possible to the area of the image sensor.
  • Patent Document 1 The radiation image sensor disclosed in Patent Document 1 is smaller and thinner than conventional image sensors, but the base on which the image sensor is placed is wider than the image sensor. It is difficult to reduce the size and thickness while maintaining the area of the imaging area.
  • the present invention provides a radiation imaging apparatus and a radiation imaging method using the radiation imaging apparatus, which can further reduce the size and thickness of the entire apparatus while securing the area of the imaging area. Let it be an issue.
  • a radiation imaging apparatus includes (1) a flat scintillator layer that generates light of a predetermined wavelength in response to incident X-rays, and (2) one of the substrates. On the surface, a light detection unit that detects light of a predetermined wavelength emitted from the scintillator layer and an electrode unit are provided, the light detection unit is in close contact with one surface of the scintillator layer, and the electrode unit is exposed to the outside of the scintillator layer. And (3) a circuit board disposed on the other surface of the scintillator layer and electrically connected to the electrode portion of the image sensor and the electrode portion of the image sensor. It is characterized by that.
  • This radiation imaging apparatus employs a configuration in which a scintillator layer is sandwiched between an image sensor and a circuit board.
  • the electrode portion of the image sensor that protrudes outside the scintillator layer is electrically connected to the electrode of the circuit board on the opposite side across the scintillator layer by a wire or the like.
  • the scintillator layer, the image sensor, and the circuit board are accommodated and at least the radiation incident surface thereof is radiation transmissive.
  • the whole may be radiolucent, or the surface opposite the radiation entrance surface may be opaque.
  • the case is preferable to adopt moisture-proof structure, U.
  • a radiation imaging method is a radiation imaging method for acquiring a radiation image as an image signal using the radiation imaging apparatus according to the present invention, and (1) a radiation image is an image sensor. The surface force opposite to the surface where the light detection part is formed is also incident and transmitted through the image sensor. (2) The radiation image that has reached the scintillator layer is converted into a light image of light of a predetermined wavelength by the scintillator layer. ) The generated optical image is detected by the light detection part of the image sensor, and (4) the detected image signal is transmitted from the electrode part of the image sensor to the circuit board and acquired through the circuit board. It is characterized by. The invention's effect
  • the present invention it is possible to limit the components existing in the region protruding outside the scintillator layer to only the electrode portion of the image sensor in the imaging device. For this reason, the area protruding outside the light receiving area can be reduced, and the entire apparatus can be downsized. Further, by forming the circuit board on the scintillator layer, a thin circuit board can be used, and the overall thickness of the device can be reduced. Further, with such an arrangement, wiring work between the electrode part of the image sensor and the electrode part of the circuit board is facilitated.
  • a radiation imaging apparatus of the type that is inserted into the oral cavity has a shape with no irregularities on the outside, thereby reducing the burden on the subject and increasing the degree of freedom during imaging.
  • FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a radiation imaging apparatus 100 according to the present invention.
  • FIG. 2 is a longitudinal sectional view of an imaging unit 200 housed in the case 5 of the apparatus of FIG.
  • FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a configuration of a scintillating film 2 of the apparatus of FIG.
  • FIG. 4 is a plan view of the image sensor 1 used in the apparatus of FIG.
  • FIG. 5 is a longitudinal sectional view of FIG.
  • FIG. 6 is a plan view showing a state where the scintillating film 2 is attached to the image sensor 1 of FIG.
  • FIG. 7 is a longitudinal sectional view of FIG.
  • FIG. 8 is a plan view showing a state in which the circuit board 3 is mounted on the scintillating film 2 of FIG.
  • FIG. 9 is a longitudinal sectional view of FIG.
  • FIG. 10 is a diagram for explaining how to use the apparatus of FIG. Explanation of symbols
  • FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a radiation imaging apparatus 100 according to the present invention
  • FIG. 2 is a longitudinal sectional view of an imaging unit 200 housed in the case 5 of FIG.
  • the radiation imaging apparatus 100 includes an imaging unit 200 housed in a case 5 made of resin, and the imaging unit 200 is placed on a protective rubber sheet 4. This radiation imaging apparatus 100 is inserted into the oral cavity of a subject and acquires a radiation image of its teeth and the like, and the case surface on the rubber sheet 4 side becomes the incident surface 5a.
  • the imaging unit 200 has a configuration in which a scintillating film 2 and a circuit board 3 are stacked on the image sensor 1.
  • the image sensor 1 is a photodetection unit 11 in which a CCD (Charge Coupled Device) is formed on a rectangular flat silicon substrate 10 and reads a signal along one of its short sides.
  • an electrode part (bonding pad) 12 for sensor control is formed.
  • the scintillator film 2 has a three-layer laminated structure.
  • a scintillator 21 is deposited on a support substrate 20 and the surface thereof is covered with a protective film 22.
  • the support substrate 20 for example, a force ceramic or glass in which plastic is used, or a metal substrate having optical reflectivity, for example, aluminum may be used.
  • a material of the scintillator 21 Tb-doped Gd Os, T1-doped Csl, or the like can be used.
  • a transparent organic film or an inorganic film is impermeable to water.
  • PET polyethylene terephthalate
  • norylene-based resin can be used.
  • polyparaxylylene resin manufactured by ThreeBond, trade name Norylene
  • polyparachlorine xylylene product name Norylene
  • C and the like are preferable.
  • Circuit board 3 is mounted on FPC (Flexible Printed Circuit), PCB (Printed Circuit Board) or ceramic board board 30 that is mounted with electronic components. Circuit component 31 and electrode portion 32. The electrode part 12 of the image sensor 1 and the corresponding electrode part 32 of the circuit board 3 are electrically connected by the wire 6. Connected. An output cable 34 is connected to an output terminal 33 provided on a predetermined circuit component 31 of the circuit board 3, and passes through the case 5 and is drawn out of the case. Connected to the device.
  • FPC Flexible Printed Circuit
  • PCB Printed Circuit Board
  • ceramic board board 30 that is mounted with electronic components. Circuit component 31 and electrode portion 32. The electrode part 12 of the image sensor 1 and the corresponding electrode part 32 of the circuit board 3 are electrically connected by the wire 6. Connected.
  • An output cable 34 is connected to an output terminal 33 provided on a predetermined circuit component 31 of the circuit board 3, and passes through the case 5 and is drawn out of the case. Connected to the device.
  • an image sensor 1 as shown in FIGS. 4 and 5 is prepared.
  • This image sensor 1 uses a normal semiconductor manufacturing process on a silicon wafer to form a photodetection unit 11 in which light receiving pixels are two-dimensionally arranged and an electrode unit 12 electrically connected thereto, This can be obtained by dicing into chips.
  • the effective light receiving area of the light detection unit 11 is about 30 mm X 20 mm, and the area of the substrate 10 is about 32 mm X 22 mm.
  • the light detection unit 11 is arranged so as to be biased toward one short side of the rectangular substrate 10, and the electrode unit 12 is arranged along the other short side.
  • the thickness of the substrate 10 is about 600 to 700 m at the end of the semiconductor manufacturing process. By polishing the opposite surface (incident surface) 10a of the force detector 11, the thickness is reduced to about 300 m. This is preferable because the apparatus can be made thinner.
  • a scintillator film 2 (thickness of about 300 ⁇ m) that is slightly larger (31 mm X 21 mm) in length and width than the light detection section 11 of the image sensor 1 so as to cover the light detection section 11.
  • the protective film 22 is attached to the light detection unit 11 side with an adhesive, grease or the like (see FIGS. 6 and 7).
  • the thicknesses of the support substrate 20, the scintillator 21, and the protective film 22 of the scintillator film 2 are 150 m, 150 m, and 10 m in the f row.
  • this adhesive and resin those having the property of transmitting light emitted from the scintillator 21 when solidified are selected.
  • the circuit board 3 on which components are mounted is bonded onto the scintillating film 2 (see FIGS. 8 and 9).
  • the circuit board 3 may be bonded to the substrate 20 of the scintillating film 2 first, and this may be attached to the image sensor 1.
  • the electrode part 32 of the circuit board 3 is arranged on the electrode part 12 side of the image sensor 1, and the corresponding electrodes are arranged to face each other. Then, the corresponding electrodes are connected to each other by the wire 6. At this time, the wire 6 is Do wiring so that it does not protrude from part 12.
  • the imaging unit 200 shown in FIG. 2 is obtained. Since the thickness of the circuit board 3 on which the components are mounted is about 500 / zm, the thickness of the entire imaging unit 200 can be extremely thin, about 1.1 mm. In addition, since the region of the imaging unit 200 that protrudes outside the effective light receiving region can be reduced, and the wire 6 does not protrude beyond the image sensor 1, the imaging unit 200 is downsized.
  • the imaging unit 200 manufactured in this way is placed on the rubber sheet 4 in the case 5, the cable 34 is connected to the output terminal 33, and the case 5 is sealed with the cable 34 passing through the case 5.
  • the radiation imaging apparatus 100 useful for the present invention shown in FIG. 1 is obtained.
  • a thickness of about 200 ⁇ m is sufficient for the rubber sheet 4, and the thickness of the outer shell of the case 5 may be about 0.5 mm. Therefore, the thickness of the entire radiation imaging apparatus 100 should be 3 mm or less. It is possible to reduce the thickness and size sufficiently.
  • the radiation imaging apparatus 100 is placed in the oral cavity of the subject 7 and the radiation is projected from the radiation source 8 toward the radiation imaging apparatus 100. At this time, the incident surface 5a side is arranged on the radiation source 8 side. Because the radiation imaging device 100 is small and thin, it can relieve the foreign body feeling that the subject 7 feels when inserted into the oral cavity of the subject 7, and also improves the degree of freedom when placed in the oral cavity. There is an advantage.
  • the radiation imaging apparatus 100 When the radiation emitted from the radiation source 8 enters the oral cavity of the subject 7, it is absorbed by the teeth, gums, and the like, and the radiation imaging apparatus 100 has radiation image information corresponding thereto. Incident to. Radiation incident from the incident surface 5 a passes through the case 5 and the rubber sheet 4 and enters the incident surface 1 Oa of the image sensor 1 of the imaging unit 200. When passing through the image sensor 1, the low energy radiation is absorbed, and the high energy radiation is incident on the scintillation film 2.
  • the radiation incident on the scintillator film 2 passes through the protective film 22, is absorbed by the scintillator 21, and has a predetermined wavelength according to the amount of energy (in this embodiment, a wavelength of 550 nm). Centered light) is generated. The generated light is reflected directly or by the support substrate 20 and is incident on the light detection unit 11 of the image sensor 1. It is converted into an electrical signal. The light that reaches the light detection unit 11 is a light image including the original radiation image information, and the electrical signal obtained in each pixel corresponding to this light corresponds to the original radiation image.
  • the converted electric signal is transferred to the electrode unit 12 through each pixel and a transfer line as shown in the figure, and further transferred to the circuit board 3 through the wire 6 and the electrode unit 32.
  • the signal is transferred to the external processing device 90 by the output cable 34 connected to the output terminal 33.
  • the processing device 90 the transferred image information is stored and stored in an external storage device, and a radiation image is displayed on the monitor 91 based on the image information.
  • the radiation imaging apparatus 100 According to the radiation imaging apparatus 100 according to the present invention, low energy radiation is shielded by the substrate of the image sensor 1, so that a noise component can be reduced and a clear radiation image can be obtained.
  • the light generated in the scintillator 21 of the scintillator film 2 reflects the light traveling in the opposite direction to the image sensor 1 by the substrate 20 and guides it to the image sensor 1, thereby generating the light generated in the scintillator 21. Can be efficiently guided to the image sensor 1, so that the light output can be increased to obtain a clear and high-contrast image. For this reason, the radiation dose can be reduced, and the exposure dose of the subject and the operator can be reduced.
  • the force scintillator material using the scintillator film 2 may be deposited directly on the light detection unit 11 of the image sensor.
  • CM OS Complementary Metal Oxide Semiconductor
  • CCD Compact Disc
  • UV light is not limited to visible light, and may be infrared light or ultraviolet light as long as it is in a wavelength range that can be detected by the image sensor.
  • the above-described apparatus includes a flat scintillator layer 2, a photodetection section 11 that is in close contact with one surface of the scintillator layer 2, and an electrode section 12 that is exposed in a region outside the scintillator layer 2.
  • Image sensor 1, circuit board 3 having electrode portion 32 disposed on the other surface of scintillator layer 2 and electrically connected to electrode portion 12 of image sensor 1, scintillator layer 2, image Case 5 in which all of sensor 1 and circuit board 3 are accommodated, and at least its radiation incident surface is made of a radiation-transmitting material, and protective sheet 4 interposed between the inner surface of case 5 and scintillator layer 2 And.
  • the radiation transmissive material include plastic resin.
  • Examples of the material for the sheet 4 include urethane and silicone rubber, which are made of a radiation-transmitting elastic material. This device can further reduce the size and thickness of the entire device while maintaining the area of the imaging area, but it can be reinforced with the sheet 4 of elastic material while the radiation incident surface is thin. Moreover, the sheet 4 can protect the scintillator layer 2 and the image sensor 1 having a low mechanical strength with an elastic force.
  • the present invention can be used for a radiation imaging apparatus and a radiation imaging method using this apparatus.

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Abstract

　撮像エリアの面積を確保したまま、さらに装置全体を小型化・薄型化することを可能とした放射線撮像装置とこれを用いた放射線撮像方法を提供する。放射線入射により所定波長の光を発するシンチレータフィルム２は、イメージセンサ１と回路基板３とに挟まれてケース５内に収容されている。イメージセンサ１は、その光検出部１１がシンチレータフィルム２に密接するとともに、その電極部１２はシンチレータフィルム２から外側に迫り出して露出して配置されており、電極部１２は、回路基板３の電極部３２にワイヤ６によって電気的に接続されている。

Description

明 細 書
放射線撮像素子及び放射線撮像方法
技術分野
[0001] 本発明は、放射線画像を画像信号として取得する放射線撮像装置及びこの装置を 用いた放射線撮像方法に関し、特に、口腔内に挿入して歯牙の放射線画像を取得 するような用途に適した小型'薄型化を可能とした放射線撮像装置とこれを用いた放 射線撮像方法に関する。
背景技術
[0002] 医療用の X線診断装置として X線感光フィルムに代えて CCDを用いた放射線ィメ 一ジングシステムが普及してきて ヽる。このような放射線イメージングシステムにお!/ヽ ては、複数の画素を有する放射線撮像装置を用いて放射線による 2次元画像データ を電気信号として取得し、この信号を処理装置により処理して、モニタ上に表示して いる。
[0003] 歯科用等の口腔内に挿入して用いる放射線撮像装置としては、特許文献 1に開示 されているようなタイプの放射線撮像装置が知られている。この放射線検出器は、セ ラミックやガラス、エポキシ製の配線基板上に CCD等の固体撮像素子カゝらなるィメー ジセンサを配置し、このイメージセンサの受光面に放射線を可視光等のイメージセン サで検出可能な光に変換するシンチレータを配置したものである。
特許文献 1：特開 2001— 330678号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0004] このように口腔内に挿入するタイプの放射線撮像装置については、できる限り小型 ィ匕、薄型化することが要求されている。逆に、撮像面積についてはできる力ぎり大型 化することが望まれている。このため、撮像面と同一面における本体の投影面積をィ メージセンサの面積にできるかぎり近づけることが必要となっている。
[0005] 特許文献 1に開示されている放射線撮像素子は、従来の撮像素子に比べると小型 ィ匕、薄型化されているが、イメージセンサを載置する基台はイメージセンサより横に広 がっており、撮像エリアの面積を維持したまま、さらに小型化'薄型化するのは難しい
[0006] そこで本発明は、撮像エリアの面積を確保したまま、さらに装置全体を小型化'薄 型化することを可能とした放射線撮像装置とこれを用いた放射線撮像方法を提供す ることを課題とする。
課題を解決するための手段
[0007] 上記課題を解決するため、本発明にかかる放射線撮像装置は、（1)入射 X線に応 じて所定波長の光を発生する平板状のシンチレータ層と、（2)基板の一方の面上に シンチレータ層が発する所定波長の光を検出する光検出部と電極部とを備え、光検 出部がシンチレータ層の一方の面に密接するとともに、電極部がシンチレータ層の外 側に露出するよう配置されているイメージセンサと、（3)シンチレータ層の他方の面上 に配置され、その電極部とイメージセンサの電極部とが電気的に接続されている回路 基板と、を備えていることを特徴とする。
[0008] この放射線撮像装置においては、シンチレ一タ層をイメージセンサと、回路基板と で挟み込んだ構成を採用している。そして、シンチレータ層より外側にはみ出したィメ ージセンサの電極部をシンチレ一タ層を挟んで反対側にある回路基板の電極にワイ ヤー等により電気的に接続する構成をとつている。
[0009] シンチレータ層、イメージセンサ、回路基板の全てを収容し、少なくともその放射線 入射面が放射線透過性であるケースをさらに備えていることが好ましい。このケース は全体が放射線透過性であってもよ ヽし、放射線入射面と反対の面は不透過性であ つてもょ 、。ケースは防湿構造を採用して 、ることが好ま U、。
[0010] 本発明にカゝかる放射線撮像方法は、本発明にカゝかる放射線撮像装置を用いて放 射線画像を画像信号として取得する放射線撮像方法であって、（1)放射線画像をィ メージセンサの光検出部形成面と反対の面力も入射させてイメージセンサを透過さ せ、（2)シンチレータ層に到達した放射線によりシンチレータ層で放射線画像を所定 波長の光による光画像に変換し、（3)発生した光画像をイメージセンサの光検出部 で検出し、（4)検出した画像信号をイメージセンサの電極部から回路基板へと伝送し て、回路基板を通じて取得する工程を備えて ヽることを特徴とする。 発明の効果
[0011] 本発明によれば、撮像装置のうち、シンチレータ層より外側に張り出した領域に存 在する構成部分をイメージセンサの電極部のみに限定することができる。このため、 受光エリアの外側に張り出す領域を小さくすることができ、装置全体の小型化が可能 となる。また、回路基板をシンチレータ層上に形成することで、薄型の回路基板を用 いることができ、装置全体の薄型化を達成することができる。さらに、このような配置と することで、イメージセンサの電極部と、回路基板の電極部との配線作業も容易にな る。
[0012] 放射線入射面を放射線透過性としたケース内に収容することで、装置の耐湿性、 耐久性が向上し、また、装置の取り扱いも容易となる。特に、口腔内に挿入するタイ プの放射線撮像装置としては、外側に凹凸のない形状とすることにより、被験者の負 担が軽くなり、撮影時の自由度が増す。
[0013] 放射線をイメージセンサの裏側力も入射させることで、ノイズの要因となる低ェネル ギー放射線を遮断することができる。このため、シンチレータ層へと到達する放射線 画像を鮮明なものとすることができ、これにより発生する光画像もノイズの少な ヽもの となるから、イメージセンサでも鮮明な画像を検出することができる。
図面の簡単な説明
[0014] [図 1]図 1は本発明にかかる放射線撮像装置 100の縦断面図である。
[図 2]図 2は図 1の装置のケース 5の内部に収容された撮像部 200の縦断面図である
[図 3]図 3は図 1の装置のシンチレ一タフイルム 2の構成を示す縦断面図である。
[図 4]図 4は図 1の装置で用いられるイメージセンサ 1の平面図である。
[図 5]図 5は図 4の縦断面図である。
[図 6]図 6は図 4のイメージセンサ 1にシンチレ一タフイルム 2を貼り付けた状態を示す 平面図である。
[図 7]図 7は図 6の縦断面図である。
[図 8]図 8は図 6のシンチレ一タフイルム 2上に回路基板 3を搭載した状態を示す平面 図である。 [図 9]図 9は図 8の縦断面図である。
[図 10]図 10は図 1の装置の使用方法を説明する図である。 符号の説明
1 イメージセンサ
2 シンチレ一タフイルム
3 回路基板
4 ゴムシート
5 ケース
5a 入射面
6 ワイヤ
7 被験者
8 放射線源
10 シリコン基板
10a 入射面
11 光検出部
12 電極部
20 サポート基板
21 シンチレータ
22 保護膜
30 基板
31 回路部品
32 電極部
33 出力端子
34 出力ケープノレ
90 処理装置
91 モニタ
100 放射線撮像装置
200 撮像部 発明を実施するための最良の形態
[0016] 以下、添付図面を参照して本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。
説明の理解を容易にするため、各図面において同一の構成要素に対しては可能な 限り同一の参照番号を附し、重複する説明は省略する。
[0017] 図 1は、本発明にかかる放射線撮像装置 100の縦断面図であり、図 2は、図 1のケ ース 5の内部に収容された撮像部 200の縦断面図である。この放射線撮像装置 100 は、榭脂製のケース 5内に撮像部 200が収容されたものであって、撮像部 200は、保 護用のゴムシート 4上に載置されている。この放射線撮像装置 100は、被験者の口腔 内に挿入して、その歯牙等の放射線画像を取得するものであり、ゴムシート 4側のケ ース表面が入射面 5aとなる。
[0018] 撮像部 200は、イメージセンサ 1上に、シンチレ一タフイルム 2、回路基板 3を積層し た構成をとる。イメージセンサ 1は、長方形の平板状であるシリコン基板 10上に CCD (電荷結合素子： Charge Coupled Device)を形成して光検出部 11としたもので あり、その短辺の一方に沿って信号読み出し及びセンサ制御用の電極部（ボンディ ングパッド） 12が形成されている。
[0019] シンチレ一タフイルム 2は、図 3に示されるように、 3層の積層構造をなし、サポート 基板 20上に、シンチレータ 21が堆積され、その表面を保護膜 22で覆っている。サボ ート基板 20としては、例えば、プラスチックが使用される力 セラミックやガラス、光反 射性を有する金属基板、例えば、アルミを用いてもよい。シンチレータ 21の材料とし ては、 Tbドープの Gd O Sや T1ドープの Csl等を利用することができる。保護膜 22と
2 2
しては、透明な有機膜あるいは無機膜を用いるとよぐ水分不透過性であることが好 ましい。例えば、 PET (polyethylene terephthalate)、 ノリレン系榭脂を用いるこ とができ、ポリパラキシリレン榭脂 (スリーボンド社製、商品名ノ リレン)のうち、ポリパラ クロ口キシリレン（同社製、商品名ノ リレン C)等が好適である。
[0020] 回路基板 3は、電子部品を実装した FPC (Flexible Printed Circuit :フレキシ ブル印刷回路）、 PCB (Printed Circuit Board：印刷回路基板)またはセラミック 基板カゝらなる基板 30と、その上に実装された回路部品 31、電極部 32からなる。ィメ ージセンサ 1の電極部 12と、対応する回路基板 3の電極部 32とはワイヤ 6により電気 的に接続されている。回路基板 3の所定の回路部品 31に設けられた出力端子 33に は出力ケーブル 34が接続され、ケース 5を貫通してケース外へと引き出され、図示し て!ヽな!ヽ処理装置や表示装置へと接続される。
[0021] 次に、この放射線撮像装置の製造方法について具体的に説明する。最初に、図 4 、図 5に示されるようなイメージセンサ 1を準備する。このイメージセンサ 1は、シリコン ウェハ上に通常の半導体製造プロセスを用いて、受光画素を二次元に配列した光検 出部 11と、これに電気的に接続された電極部 12とを形成し、これをダイシングによつ てチップ状に分割することで得られる。光検出部 11の有効受光領域は 30mm X 20 mm程度であり、基板 10の面積は 32mm X 22mm程度である。光検出部 11は、長 方形の基板 10の一方の短辺側に偏って配置されており、他方の短辺側に沿って電 極部 12が配置される。基板 10の厚さは、半導体製造プロセス終了時点では 600〜7 00 m程度である力 光検出部 11の反対面 (入射面） 10aを研磨することにより、そ の厚さを 300 m程度まで薄くしておくと、装置のより一層の薄型化が可能となるため 好ましい。
[0022] 次に、このイメージセンサ 1の光検出部 11より縦横とも若干大きめ（31mm X 21m m)のシンチレ一タフイルム 2 (厚さ 300 μ m程度）を用意し、光検出部 11を覆うように して、その保護膜 22を光検出部 11側へと向けて接着剤、榭脂等により貼り付ける（図 6、図 7参照）。シンチレ一タフイルム 2のサポート基板 20、シンチレータ 21、保護膜 2 2のそれぞれの厚みは、 f列えば、 150 m、 150 m、 10 mである。この接着剤、 榭脂は、固化時にシンチレータ 21が発する光を透過する特性を有しているものを選 択する。そして、電極部 12に接着剤、榭脂等がつかず、電極部 12を確実に露出させ るため、貼り付け時 (イメージセンサ 1側に接着剤、榭脂を塗布する場合には塗布時） には電極部 12とその周囲をマスキングして覆っておくとよ!、。
[0023] 次に、シンチレ一タフイルム 2上に部品実装済みの回路基板 3を接着する（図 8、図 9参照)。なお、先にシンチレ一タフイルム 2の基板 20上に回路基板 3を接着しておい て、これをイメージセンサ 1へと貼り付けてもよい。ここで、回路基板 3の電極部 32がィ メージセンサ 1の電極部 12側に配置され、対応する電極同士が対向するように配置 する。そして、ワイヤ 6により、対応する電極同士を接続する。このとき、ワイヤ 6が電極 部 12から外側へはみ出さな ヽように注意して配線を行う。
[0024] これにより、図 2に示される撮像部 200が得られる。部品が実装された回路基板 3の 厚みは 500 /z m程度であるため、撮像部 200全体の厚みは 1. 1mm程度ときわめて 薄くできる。また、撮像部 200において有効受光領域より外側にはみ出している領域 を小さくすることができ、また、ワイヤ 6がイメージセンサ 1より外側にはみ出すことがな いため、撮像部 200が小型化される。
[0025] こうして製造された撮像部 200をケース 5内のゴムシート 4に載置し、出力端子 33に ケーブル 34を接続し、ケース 5をケーブル 34が貫通した状態で、ケース 5を密閉する 。これ〖こより、図 1に示される本発明に力かる放射線撮像装置 100が得られる。
[0026] ゴムシート 4の厚さは 200 μ m程度で十分であり、ケース 5の外皮の厚さは 0. 5mm 程度とすればよいため、放射線撮像装置 100全体の厚さは 3mm以下とすることがで き、十分に薄型化 ·小型化が可能となる。
[0027] 次に、図 10を参照して、この放射線撮像装置を用いた放射線撮像方法を説明する 。被験者 7の口腔内に放射線撮像装置 100を配置し、放射線源 8から放射線撮像装 置 100に向けて放射線を投射する。このとき、放射線源 8側へ入射面 5a側が配置さ れる。放射線撮像装置 100が小型 ·薄型であるため、被験者 7の口腔内に挿入する 際に被験者 7が感ずる異物感を緩和することができ、また、口腔内に配置する際の自 由度も向上するという利点がある。
[0028] 放射線源 8から発せられた放射線は被験者 7の口腔内へと入射する際に、歯牙、歯 茎等に吸収され、それらに応じた放射線画像情報を有した状態で放射線撮像装置 1 00へと入射する。入射面 5aから入射した放射線はケース 5、ゴムシート 4を通過して、 撮像部 200のイメージセンサ 1の入射面 1 Oaへと入射する。イメージセンサ 1を通過 する際に、低エネルギーの放射線は吸収されて、高エネルギーの放射線がシンチレ 一タフイルム 2へと入射する。
[0029] シンチレ一タフイルム 2へと入射した放射線は、その保護膜 22を通過し、シンチレ ータ 21で吸収されて、そのエネルギー量に応じた所定波長の光 (本実施形態では波 長 550nmを中心とした光）が発生する。発生した光は、直接、あるいは、サポート基 板 20により反射されて、イメージセンサ 1の光検出部 11へと入射し、各画素において 電気信号へと変換される。光検出部 11へと到達した光は元の放射線画像情報を含 む光画像であり、この光に対応して各画素で得られる電気信号は元の放射線画像に 対応したものとなる。
[0030] 変換された電気信号は、各画素及び図示して 、な 、転送ラインを通じて電極部 12 へと転送され、さらに、ワイヤ 6、電極部 32を介して回路基板 3へと転送され、所定の 信号処理を行った後に、出力端子 33に接続された出力ケーブル 34によって、外部 の処理装置 90に転送される。処理装置 90においては、転送された画像情報の外部 記憶装置への蓄積'保存や、画像情報を基に放射線画像のモニタ 91への表示等を 行う。
[0031] 本発明にカゝかる放射線撮像装置 100によれば、低エネルギーの放射線をイメージ センサ 1の基板で遮蔽することで、ノイズ成分を減らして、鮮明な放射線画像を得るこ とができる。また、シンチレ一タフイルム 2のシンチレータ 21で発生した光のうち、ィメ ージセンサ 1と逆方向へ進行する光を基板 20で反射してイメージセンサ 1へと導くこ とで、シンチレータ 21で発生した光を効率よくイメージセンサ 1へと導くことができるの で、光出力を増大させて鮮明でコントラストの高い画像を得ることもできる。このため、 放射線量が少なくてすみ、被験者や操作者の被爆量を低減する効果もある。
[0032] 以上の説明では、シンチレ一タフイルム 2を用いた力 シンチレータ材料を直接、ィ メージセンサの光検出部 11上に堆積させてもよい。この場合、シンチレータ上に保護 膜を形成するとよぐ保護膜を多層構造として間に反射膜を形成すると好ましい。な お、ケースによって十分な耐湿性'気密性が確保できる場合には、必ずしも保護膜は 必要としない。
[0033] 以上の説明では、撮像素子として CCDを用いた場合を例に説明してきた力 CM OS (Complementary Metal Oxide Semiconductor：相ネ甫型金属酸ィ匕物半導 体)やその他の固体撮像素子を用いてもよい。シンチレータが放射線入射により発す る光は可視光に限られず、イメージセンサで検出可能な波長範囲の光であれば、赤 外光や紫外光であってもよ 、。
[0034] 上述の装置は、平板状のシンチレータ層 2と、シンチレータ層 2の一方の面に密接 する光検出部 11及びシンチレータ層 2の外側の領域において露出する電極部 12を 有するイメージセンサ 1と、シンチレータ層 2の他方の面上に配置され、イメージセン サ 1の電極部 12に電気的に接続された電極部 32を有する回路基板 3と、シンチレ一 タ層 2、イメージセンサ 1、回路基板 3の全てを収容し、少なくともその放射線入射面 が放射線透過性の材料で構成されたケース 5と、ケース 5の内面とシンチレータ層 2と の間に介在する保護用のシート 4とを備えている。放射線透過性の材料としては、プ ラスチック榭脂等が挙げられる。シート 4の材料としてはウレタン、シリコーンゴム等が 挙げられ、放射線透過性の弾性材料からなる。この装置では、撮像エリアの面積を確 保したまま、さらに装置全体を小型化'薄型化することができるが、放射線入射面を 薄くした状態で弾性材料のシート 4でこれを補強することができ、しかも、シート 4が機 械的強度が弱いシンチレータ層 2とイメージセンサ 1を弾性カを以つて保護することが できる。
産業上の利用可能性
本発明は、放射線撮像装置及びこの装置を用いた放射線撮像方法に利用すること ができる。

Claims

請求の範囲
[1] 入射 X線に応じて所定波長の光を発生する平板状のシンチレータ層と、
基板の一方の面上に前記シンチレータ層が発する所定波長の光を検出する光検 出部と電極部とを備え、該光検出部が前記シンチレータ層の一方の面に密接すると ともに、該電極部が前記シンチレータ層の外側に露出するよう配置されているィメー ジセンサと、
前記シンチレータ層の他方の面上に配置され、その電極部と前記イメージセンサの 電極部とが電気的に接続されている回路基板と、
を備えて ヽることを特徴とする放射線撮像装置。
[2] 前記シンチレータ層、前記イメージセンサ、前記回路基板の全てを収容し、少なくと もその放射線入射面が放射線透過性であるケースをさらに備えていることを特徴とす る請求項 1記載の放射線撮像装置。
[3] 請求項 1または 2に記載の放射線撮像装置を用いて放射線画像を画像信号として 取得する放射線撮像方法であって、
放射線画像を前記イメージセンサの光検出部形成面と反対の面カゝら入射させて前 記イメージセンサを透過させ、
前記シンチレータ層に到達した放射線によりシンチレータ層で放射線画像を所定 波長の光による光画像に変換し、
発生した光画像を前記イメージセンサの光検出部で検出し、
検出した画像信号を前記イメージセンサの電極部から前記回路基板へと伝送して 、前記回路基板を通じて取得する
工程を備えて ヽることを特徴とする放射線撮像方法。
[4] 平板状のシンチレータ層と、
前記シンチレータ層の一方の面に密接する光検出部及び前記シンチレータ層の外 側の領域において露出する電極部を有するイメージセンサと、
前記シンチレータ層の他方の面上に配置され、前記イメージセンサの前記電極部 に電気的に接続された電極部を有する回路基板と、
前記シンチレータ層、前記イメージセンサ、前記回路基板の全てを収容し、少なくと もその放射線入射面が放射線透過性の材料で構成されたケースと、
前記ケースの内面と前記シンチレータ層との間に介在し放射線透過性の弾性材料 力もなるシートと、
を備えて ヽることを特徴とする放射線撮像装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2008117589A1 (ja) * 2007-03-27 2010-07-15 コニカミノルタエムジー株式会社 放射線用シンチレータパネル及び放射線画像撮影装置
JP2016180707A (ja) * 2015-03-24 2016-10-13 キヤノン株式会社 放射線撮像装置および放射線撮像システム

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2891401B1 (fr) * 2005-09-23 2007-10-26 Thales Sa Realisation d'un detecteur de rayonnement.
JP5014853B2 (ja) * 2007-03-23 2012-08-29 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
JP2009031140A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Fujifilm Corp 放射線画像検出器
JP2010071726A (ja) * 2008-09-17 2010-04-02 Fujifilm Corp 放射線検出装置及び放射線画像撮影システム
JP5137763B2 (ja) 2008-09-26 2013-02-06 富士フイルム株式会社 放射線検出装置及び放射線画像撮影システム
CN101957452A (zh) * 2009-07-16 2011-01-26 Ge医疗系统环球技术有限公司 X射线检测器及其制造方法
JP5535670B2 (ja) * 2010-01-28 2014-07-02 富士フイルム株式会社 放射線画像検出器の製造方法
JP5568486B2 (ja) * 2011-01-05 2014-08-06 富士フイルム株式会社 放射線撮影用電子カセッテ
RU2595795C2 (ru) 2011-03-24 2016-08-27 Конинклейке Филипс Н.В. Спектральный детектор изображения
JP2013174465A (ja) * 2012-02-23 2013-09-05 Canon Inc 放射線検出装置
US9063238B2 (en) * 2012-08-08 2015-06-23 General Electric Company Complementary metal-oxide-semiconductor X-ray detector
JP6177663B2 (ja) * 2013-10-30 2017-08-09 株式会社日立製作所 Ｘ線透過像撮像装置
KR20150134629A (ko) * 2014-05-22 2015-12-02 주식회사바텍 센서 일체형 방사선 차폐장치
US9526468B2 (en) 2014-09-09 2016-12-27 General Electric Company Multiple frame acquisition for exposure control in X-ray medical imagers
JP6707130B2 (ja) * 2017-03-22 2020-06-10 富士フイルム株式会社 放射線検出器及び放射線画像撮影装置
WO2018173894A1 (ja) * 2017-03-22 2018-09-27 富士フイルム株式会社 放射線検出器及び放射線画像撮影装置
US11762108B2 (en) * 2020-01-21 2023-09-19 LightSpin Technologies Inc. Modular pet detector comprising a plurality of modular one-dimensional arrays of monolithic detector sub-modules

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59149076U (ja) * 1983-03-25 1984-10-05 株式会社島津製作所 放射線検出器
JPH05505025A (ja) * 1990-01-08 1993-07-29 ジェネラル・イメージング・コーポレイション Ｘ線イメージングシステム及びその固体検出器
JP2002014168A (ja) * 2000-06-27 2002-01-18 Canon Inc Ｘ線撮像装置
JP2002048870A (ja) * 2000-08-03 2002-02-15 Hamamatsu Photonics Kk 放射線検出器およびシンチレータパネル
JP2003060181A (ja) * 2001-08-16 2003-02-28 Konica Corp 放射線画像検出器

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59149076A (ja) 1983-02-16 1984-08-25 Agency Of Ind Science & Technol 半導体光集積回路装置の製造方法
US5041729A (en) * 1987-10-28 1991-08-20 Hitachi, Ltd. Radiation detector and manufacturing process thereof
FR2698184B1 (fr) * 1992-08-26 1994-12-30 Catalin Stoichita Procédé et dispositif capteur d'images par rayons X utilisant la post-luminiscence d'un scintillateur.
US5548123A (en) * 1994-12-06 1996-08-20 Regents Of The University Of California High resolution, multiple-energy linear sweep detector for x-ray imaging
JP3815766B2 (ja) * 1998-01-28 2006-08-30 キヤノン株式会社 二次元撮像装置
JP4234304B2 (ja) * 2000-05-19 2009-03-04 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器
JP2002214352A (ja) * 2001-01-19 2002-07-31 Canon Inc 放射線画像撮影装置
US6895077B2 (en) * 2001-11-21 2005-05-17 University Of Massachusetts Medical Center System and method for x-ray fluoroscopic imaging
JP4191459B2 (ja) * 2002-11-26 2008-12-03 浜松ホトニクス株式会社 放射線撮像装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59149076U (ja) * 1983-03-25 1984-10-05 株式会社島津製作所 放射線検出器
JPH05505025A (ja) * 1990-01-08 1993-07-29 ジェネラル・イメージング・コーポレイション Ｘ線イメージングシステム及びその固体検出器
JP2002014168A (ja) * 2000-06-27 2002-01-18 Canon Inc Ｘ線撮像装置
JP2002048870A (ja) * 2000-08-03 2002-02-15 Hamamatsu Photonics Kk 放射線検出器およびシンチレータパネル
JP2003060181A (ja) * 2001-08-16 2003-02-28 Konica Corp 放射線画像検出器

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPWO2008117589A1 (ja) * 2007-03-27 2010-07-15 コニカミノルタエムジー株式会社 放射線用シンチレータパネル及び放射線画像撮影装置
JP2016180707A (ja) * 2015-03-24 2016-10-13 キヤノン株式会社 放射線撮像装置および放射線撮像システム

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