WO2006016620A1 - 殺菌方法および殺菌装置 - Google Patents
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Definitions
- the sterilization target after reducing the resistance of the spores existing on the surface or inside of the sterilization target to gamma rays or ultraviolet rays, the sterilization target is irradiated with gamma rays or ultraviolet rays and then sterilized. Therefore, sterilization can be performed on a wide variety of objects to be sterilized with a high sterilization ability that can kill spores without causing thermal damage.
- the sterilizer 10 of the above embodiment may include a processing gas generator 40 that generates a processing gas containing HCHO by causing a catalyst to act on methanol, but instead of this, methanol is used. It is also possible to use a sterilizer equipped with a processing gas generator that generates processing gas by the action of ultrasonic waves, ultraviolet rays, or plasma. In addition, a processing gas generator that generates a processing gas by heating a formaldehyde aqueous solution or paraformaldehyde (solid) to a temperature higher than the vaporization temperature, or by applying ultrasonic waves, ultraviolet rays, plasma, or high-frequency electromagnetic waves to them is provided. It is also possible to use it.
- the sterilization apparatus that irradiates the sterilization target object with gamma rays or ultraviolet rays is, for example, a case where a radiation source that irradiates the sterilization target object in the processing chamber 20 with gamma rays or ultraviolet rays is added to the sterilization apparatus 10 of the above embodiment. At the same time, it can be realized by providing the controller 60 with a function of controlling the radiation source.
- HCHO gas concentration about 150ppm
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Abstract
プラスチック製品など熱に弱い処理対象に対しても、熱的損傷を与えることなく、芽胞を殺傷し得る程度の高い殺菌能力で殺菌処理を実施することができる汎用性の高い殺菌方法および殺菌装置を提供する。 ＨＣＨＯを含有した処理ガスを処理室内に充満させて処理室内の殺菌処理対象物を殺菌処理する。その際、処理室内を所定温度Ｔ1に保ちつつ処理室内に処理ガスを供給して殺菌処理対象物を処理ガスに所定時間ｈ1だけ暴露した後、処理室内への処理ガスの供給を停止し、処理室内に処理ガスが残存している状態で、処理室内を所定温度Ｔ1よりも高く且つ殺菌処理対象物の耐熱温度Ｔ0以下の加熱処理温度Ｔ2まで上昇させる。
Description
明 細 書
殺菌方法および殺菌装置
技術分野
[0001] 本発明は、無菌室や手術室、手術用具、医療資材、介護用品など各種殺菌処理 対象物を殺菌処理する技術に関し、特に、耐熱性芽胞菌をその本来の死滅温度 (生 物学的防御機能が発現する温度)よりも低 、温度で死滅させる殺菌方法とこの方法 により殺菌処理を実施する殺菌装置に関する。
背景技術
[0002] 耐熱性芽胞菌（以下、単に芽胞と記す。 )の死滅温度は通常 100°C以上であるため
、芽胞に対する十分な殺菌効果を比較的短時間で得ようとする場合は、殺菌処理対 象物を 120°C以上の高温に加熱する必要がある。このためプラスチック製品など 100 °C程度の温度で損傷 (変形、変質、等)を受ける物に対しては、加熱による殺菌処理 を実施することができな力つた。
[0003] 芽胞をその死滅温度よりも低 、温度で死滅させる殺菌方法は 、くつか知られて!/、る 。しかし、これらの方法は、断熱圧縮により菌体内に強制的に侵入させた媒体を断熱 膨張させることにより菌体を破壊するものや、殺菌剤水溶液を使用するものであるた め、殺菌処理できる対象が制限されるという欠点があった。（特許文献 1、特許文献 2 )
特許文献 1：特開 2004 - 121161
特許文献 2：特開 2004 - 2229
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0004] 本発明が解決しょうとする課題は、プラスチック製品など熱に弱い処理対象に対し ても、熱的損傷を与えることなぐ芽胞を殺傷し得る程度の高い殺菌能力で殺菌処理 を実施することができる、汎用性の高い殺菌方法および殺菌装置を提供することにあ る。
課題を解決するための手段
[0005] 上記課題を解決するために、本発明の第 1の殺菌方法は、 HCHO等の殺菌有効 成分を含有した処理ガスを処理室内に充満させて当該処理室内の殺菌処理対象物 を殺菌処理する。その際、前記処理室内を所定温度に保ちつつ前記処理室内に前 記処理ガスを供給して前記殺菌処理対象物を前記処理ガスに曝した後、前記処理 室内への前記処理ガスの供給を停止し、前記処理室内を前記所定温度よりも高く且 つ前記殺菌処理対象物の耐熱温度の上限を超えな!/、範囲で可能な限り高!、加熱処 理温度まで上昇させる。
[0006] この殺菌方法によれば、殺菌処理対象物を HCHO等の殺菌有効成分を含有した 処理ガスに曝すことにより、殺菌処理対象物の表面や内部に存在する芽胞の熱に対 する耐性を低下させることができるので、その後処理室内を加熱することにより、本来 の死滅温度よりも格段と低 、温度で芽胞を死滅させることができる。加熱処理温度を 殺菌処理対象物の耐熱温度の上限を超えない範囲で可能な限り高い温度とすること により、プラスチック製品など熱に弱い殺菌処理対象物に対しても、熱的損傷を与え ることなぐ芽胞を殺傷し得る程度の高い殺菌能力で殺菌処理を実施することができ る。加熱処理によって最終的に芽胞を十分に死滅させることができればよいので、殺 菌有効成分として例えば HCHOを用いた場合、 HCHO濃度が 200ppm以下の低 濃度の処理ガスを使用することができる。低濃度であっても HCHO自体が殺菌処理 対象物に対する高い浸透力を持っているので、殺菌処理対象物の内部まで確実に 殺菌することができる。また、処理ガスを菌体内に強制的に侵入させる機構や殺菌剤 水溶液を使用しな 、ので、多種多様な対象を殺菌処理できる。
[0007] 本発明の第 2の殺菌方法は、殺菌処理対象物を HCHO等の殺菌有効成分を含有 した処理ガスに曝した後、当該殺菌処理対象物を当該殺菌処理対象物の耐熱温度 の上限を超えな!/、範囲で可能な限り高!、加熱処理温度に加熱する。
[0008] この殺菌方法によれば、殺菌処理対象物を HCHO等の殺菌有効成分を含有した 処理ガスに曝すことにより、殺菌処理対象物の表面や内部に存在する芽胞の熱に対 する耐性を低下させることができるので、その後殺菌処理対象物を加熱することによ り、本来の死滅温度よりも格段と低い温度で芽胞を死滅させることができる。加熱処 理温度を殺菌処理対象物の耐熱温度の上限を超えな!/、範囲で可能な限り高!、温度
とすることにより、プラスチック製品など熱に弱い殺菌処理対象物に対しても、熱的損 傷を与えることなぐ芽胞を殺傷し得る程度の高い殺菌能力で殺菌処理を実施するこ とができる。加熱処理によって最終的に芽胞を十分に死滅させることができればよい ので、殺菌有効成分として例えば HCHOを用いた場合、 HCHO濃度が 200ppm以 下の低濃度の処理ガスを使用することができる。低濃度であっても HCHO自体が殺 菌処理対象物に対する高い浸透力を持っているので、殺菌処理対象物の内部まで 確実に殺菌することができる。また、処理ガスを菌体内に強制的に侵入させる機構や 殺菌剤水溶液を使用しないので、多種多様な対象を殺菌処理できる。
[0009] 本発明の第 3の殺菌方法は、殺菌処理対象物を HCHO等の殺菌有効成分を含有 した処理ガスに曝した後、当該殺菌処理対象物にガンマ線または紫外線を照射する
[0010] この殺菌方法によれば、殺菌処理対象物を HCHO等の殺菌有効成分を含有した 処理ガスに曝すことにより、殺菌処理対象物の表面や内部に存在する芽胞のガンマ 線や紫外線に対する耐性を低下させることができるので、その後殺菌処理対象物に ガンマ線または紫外線を照射することにより殺菌処理対象物の表面や内部に存在す る芽胞を死滅させることができる。加熱処理を行わないので、プラスチック製品など熱 に弱い殺菌処理対象物に対しても、熱的損傷を与えることなぐ芽胞を殺傷し得る程 度の高い殺菌能力で殺菌処理を実施することができる。また、処理ガスを菌体内に 強制的に侵入させる機構や殺菌剤水溶液を使用しな!、ので、多種多様な対象を殺 菌処理できる。
[0011] 本発明の第 1の殺菌装置は、殺菌処理対象物を収容する処理室と、当該処理室を 加熱する電熱ヒータ (電気工ネルギを熱エネルギに変換する装置）と、 HCHO等の殺 菌有効成分を含有した処理ガスを発生する処理ガス発生器と、当該処理ガス発生器 で発生させた処理ガスを当該処理室内に導入するガス搬送系と、制御器とを備え、 HCHO等の殺菌有効成分を含有した処理ガスを当該処理室内に充満させて当該 処理室内の殺菌処理対象物を殺菌処理する。その際、制御器は、当該処理ガス発 生器及びガス搬送系の動作並びに当該電熱ヒータへの通電を制御することにより、 当該処理室内を所定温度に保ちつつ当該処理室内に処理ガスを供給して当該殺菌
処理対象物を前記処理ガスに曝した後、当該処理室内への前記処理ガスの供給を 停止し、当該処理室内を当該殺菌処理対象物の耐熱温度の上限を超えな!/、範囲で 可能な限り高!、加熱処理温度まで上昇させる。
[0012] この殺菌装置によれば、殺菌処理対象物を HCHO等の殺菌有効成分を含有した 処理ガスに曝すことにより、殺菌処理対象物の表面や内部に存在する芽胞の熱に対 する耐性を低下させることができるので、その後処理室内を加熱することにより、本来 の死滅温度よりも格段と低 、温度で芽胞を死滅させることができる。加熱処理温度を 殺菌処理対象物の耐熱温度の上限を超えない範囲で可能な限り高い温度とすること により、プラスチック製品など熱に弱い殺菌処理対象物に対しても、熱的損傷を与え ることなぐ芽胞を殺傷し得る程度の高い殺菌能力で殺菌処理を実施することができ る。加熱処理によって最終的に芽胞を十分に死滅させることができればよいので、殺 菌有効成分として例えば HCHOを用いた場合、 HCHO濃度が 200ppm以下の低 濃度の処理ガスを使用することができる。低濃度であっても HCHO自体が殺菌処理 対象物に対する高い浸透力を持っているので、殺菌処理対象物の内部まで確実に 殺菌することができる。また、処理ガスを菌体内に強制的に侵入させる機構や殺菌剤 水溶液を使用しな 、ので、多種多様な対象を殺菌処理できる。
[0013] 本発明の第 2の殺菌装置は、殺菌処理対象物を収容する処理室と、当該処理室内 の殺菌処理対象物にガンマ線または紫外線を照射する線源と、 HCHO等の殺菌有 効成分を含有した処理ガスを発生する処理ガス発生器と、当該処理ガス発生器で発 生させた処理ガスを処理室内に導入するガス搬送系と、制御器とを備え、当該制御 器は、当該処理ガス発生器及び当該ガス搬送系の動作並びに当該線源を制御する ことにより、当該処理室内を所定温度に保ちつつ当該処理室内に当該処理ガスを供 給して当該殺菌処理対象物を当該処理ガスに曝した後、当該処理室内への当該処 理ガスの供給を停止し、当該殺菌処理対象物にガンマ線または紫外線を照射する。
[0014] この殺菌装置によれば、殺菌処理対象物を HCHO等の殺菌有効成分を含有した 処理ガスに曝すことにより、殺菌処理対象物の表面や内部に存在する芽胞のガンマ 線や紫外線に対する耐性を低下させることができるので、その後殺菌処理対象物に ガンマ線または紫外線を照射することにより殺菌処理対象物の表面や内部に存在す
る芽胞を死滅させることができる。加熱処理を行わないので、プラスチック製品など熱 に弱い殺菌処理対象物に対しても、熱的損傷を与えることなぐ芽胞を殺傷し得る程 度の高い殺菌能力で殺菌処理を実施することができる。また、処理ガスを菌体内に 強制的に侵入させる機構や殺菌剤水溶液を使用しな!、ので、多種多様な対象を殺 菌処理できる。
[0015] 本発明の殺菌方法及び殺菌装置において、前記加熱処理温度は最高で 80°Cで あることが望ましい。
[0016] また、第 1及び第 2の殺菌方法並びに第 1の殺菌装置において、前記処理ガスは、メ タノールの酸ィ匕的分解反応によって生じる活性種を含む処理ガスであることが望まし い。
[0017] また、第 1の殺菌方法及び第 1の殺菌装置において、前記処理室内への前記処理 ガスの供給を停止した後、前記処理室内に前記処理ガスが残存している状態で、前 記処理室内を前記所定温度よりも高く且つ前記殺菌処理対象物の耐熱温度以下の 加熱処理温度まで上昇させてもょ ヽ。処理ガスの供給停止後も処理室内に処理ガス を残存させておくことにより、処理ガス中の殺菌有効成分による殺菌作用と加熱によ る殺菌作用との相乗作用により、高 、殺菌効果が期待できる。
発明の効果
[0018] 本発明によれば、殺菌処理対象物の表面や内部に存在する芽胞の熱に対する耐 性を低下させた後、殺菌処理対象物の耐熱温度以下の加熱処理温度まで上昇させ て殺菌処理するので、多種多様な殺菌処理対象物に対して、熱的損傷を与えること なぐ芽胞を殺傷し得る程度の高い殺菌能力で殺菌処理を実施することができる。
[0019] 本発明によれば、殺菌処理対象物の表面や内部に存在する芽胞のガンマ線や紫 外線に対する耐性を低下させた後、その後殺菌処理対象物にガンマ線または紫外 線を照射して殺菌処理するので、多種多様な殺菌処理対象物に対して、熱的損傷を 与えることなぐ芽胞を殺傷し得る程度の高い殺菌能力で殺菌処理を実施することが できる。
図面の簡単な説明
[0020] [図 1]本発明にかかる殺菌方法を実施するための殺菌装置の構成例を示す外観の
斜視図
[図 2]殺菌装置の構成を概念的に示す斜視図
[図 3]処理ガス供給装置の構成図
圆 4]処理ガス発生器の構成図
[図 5]本発明の方法により殺菌処理を実施した場合における殺菌処理対象物内部の 温度変化を例示した温度曲線図
符号の説明
10 殺菌装置
20 処理室 (処理容器）
25 電 ヒータ
30 処理ガス供給装置
40 処理ガス発生器
42 気化室
43 触媒槽
50 ガス搬送系
51 吸気ポンプ (処理ガス搬送器)
52 湿度調節器
53 温度調節器
54 排ガス処理器
55 排気ポンプ (ガス排出器）
60 制御器
発明を実施するための最良の形態
[0022] 以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。
[0023] 図 1は本発明にかかる殺菌方法を実施するための殺菌装置の構成例を示す外観 斜視図である。図 2は図 1に示す殺菌装置の構成を概念的に示す斜視図である。こ の殺菌装置 10は、殺菌処理対象物を収容する処理室 20と、密閉された処理室 20 内に処理ガスを供給する処理ガス供給装置 30とを備えて 、る。
[0024] 処理室 20は、耐試薬性、耐熱性、耐圧性を有する。処理室 20の前面には殺菌処
理対象物を出し入れするための開口部 21が設けられている。開口部 21には扉 22が 設けられており、扉 22を閉じると処理室 20内が気密に密閉される構造になっている。 処理室 20の処理ガス供給部 30側隔壁 20aには、処理室 20内に処理ガスを導入す るための導入口 23及び排ガスを排出するための排出口 24が設けられている。導入 口 23には処理ガス導入管 31の下流端力 排出口 24には排気管 32の上流端が、そ れぞれ接続されて!、る。処理ガス導入管 31の上流端は処理ガス供給装置 30の処理 ガス排出口 30aに、排気管 32の下流端は処理ガス供給装置 30の排ガス吸気口 30b に、それぞれ接続されている。
[0025] また、処理室 20の側壁内部には、処理室 20内を加熱するための電熱ヒータ 25が 設けられている。処理室 20内には図示しない温度センサが設けられており、その温 度センサの出力が処理ガス供給装置 30内の制御器 60 (図 3参照）に入力される。
[0026] また、処理ガス供給装置 30の前面部には、処理ガスの濃度、温度、湿度、供給時 間 hl、処理室 20内の温度 (処理ガス供給時の温度 (所定温度 T1)、加熱処理温度 T2)、等を設定するための各種操作子 61や状態表示器 62が設けられている。
[0027] 図 3は処理ガス供給装置 30の構成図である。処理ガス供給装置 30は、処理ガス発 生器 40と、この処理ガス発生器 40で発生させた処理ガスを密閉された処理室 20内 に導入するガス搬送系 50と、制御器 60とを備えている。制御器 60は、処理ガス発生 器 40およびガス搬送系 50の動作を制御する機能と、処理室 20の電熱ヒータ 25への 通電を制御する機能とを兼ね備えて 、る。
[0028] 図 4は処理ガス発生器 40の構成図である。処理ガス発生器 40内には、図示しない メタノール供給源力も搬送管 41を通してメタノールが供給される気化室 42と、気化室 42を周囲から加熱する第 1温度調節器 43と、気化室 42の上方に接続された略円筒 状の触媒槽 44と、触媒槽 44を周囲から加熱する第 2温度調節器 45とが設けられて いる。触媒槽 44には、粒状化した触媒 46が充填されている。触媒 46〖こは、白金、銅 、アルミニウム、または炭素、あるいはこれらの混合物が用いられる。
[0029] 処理ガス発生器 40にて処理ガスを発生させる際、まず気化室 42内に所定量のメタ ノールが供給される。気化室 42に供給されたメタノールは、加熱により気化されて触 媒槽 44に供給される。触媒槽 44内では、メタノールガスに触媒が作用することにより
、 HCHOおよび各種ラジカル種を含む処理ガスが発生する。処理ガスの発生量は、 気化室 42におけるメタノールの気化量、触媒槽 44に供給されるメタノールガスの量、 触媒槽 44の加熱温度、等に依存する。
[0030] ガス搬送系 50は、外気または処理ガス (処理ガスまたは処理ガスと外気との混合気 体)を処理室 20内に送り込む吸気ポンプ (処理ガス搬送器） 51と、処理室 20内に供 給する処理ガスの湿度を調節する湿度調節器 52と、処理室 20内に供給する処理ガ スの温度を調節する温度調節器 53と、処理室 20内からの排ガスを処理 (不活性化） するための排ガス処理器 54、処理済の排ガスを排出する排気ポンプ (ガス排出器） 5 5とを有する。排気ポンプ 55の排気口側通路と吸気ポンプ 51の吸気口側通路は、還 流空気通路 56により接続されて 、る。
[0031] 処理ガス発生器 40、吸気ポンプ 51、湿度調節器 52、温度調節器 53、排ガス処理 器 54および排気ポンプ 55は、制御器 60により制御される。
[0032] 制御器 60は、処理ガス発生器 40を制御することにより処理ガスの濃度 (発生量)を 所定範囲の濃度に制御しつつ、湿度調節器 52と温度調節装置 53とを制御すること により処理室 20内に供給する処理ガスの温度および湿度を所定の範囲に制御する とともに、吸気ポンプ 51と排気ポンプ 55とを制御することにより処理室 20内への処理 ガスの搬送量および処理室 20内からの排ガスの排出量を制御する。
[0033] また、制御器 60は、処理室 20内の温度センサの検出値に応じて、電熱ヒータ 25に 通電する電流量を制御する。
[0034] 次に、上記のように構成された殺菌装置 10による殺菌処理方法について説明する
[0035] 殺菌処理時における殺菌処理対象物および処理室 20の取り扱 、ならびに処理ガ ス供給装置 30の操作は専門の作業員が行う。
[0036] 殺菌処理を行うに際し、殺菌処理対象物を処理室 20内に収容し、扉 22を閉める。
その後、処理ガス供給時の温度 Tl (20〜40°Cの範囲力 選ばれる。）、加熱処理温 度 T2 (Tl <T2<T0≤8O°C ;T0は殺菌処理対象物の耐熱温度。）、処理ガスの温度 (T1) ·湿度湘対湿度 70〜90%の範囲力も選ばれる。）、などを設定して、殺菌装置 10を殺菌処理モードで運転させる。すると、電熱ヒータ 25への通電が開始され、処
理室 20内が所定温度 Tlまで昇温される。処理室 20内が温度 T1になったら、処理室 20内に処理ガスが供給され、処理室 20内に収容されている殺菌処理対象物の殺菌 処理が行なわれる。その際、処理室 20内に供給される処理ガスの温度も処理室 20 内の温度と同じ所定温度 T1に制御される。また、供給される処理ガスの湿度は設定 された湿度 HIに制御される。
[0037] 処理ガスの供給を開始してから所定時間 hiが経過すると、処理ガスの供給が停止 される。それと同時に、電熱ヒータ 25への通電量が増加され、処理室 20内が加熱処 理温度 T2になるまで加熱される。この間、処理室 20内には処理ガスが残存している
[0038] 処理室 20内が加熱処理温度 T2に達すると、電熱ヒータ 25への通電が停止される。
それと同時に排気運転が開始される。すなわち、処理ガス発生器 40を停止させた状 態で、吸気ポンプ 51および排気ポンプ 55が運転される。そして、処理室 20内力もの 排ガスを排ガス処理器 54により処理する。排ガス処理器 54により処理された排ガス は、還流空気通路 56を介して吸気ポンプ 51に供給され、再度処理室 20内に供給す ることにより処理室 20内の空気を循環させる。この処理を処理室 20内の処理ガス濃 度が所定の値より低くなるまで実施する。その後、処理室 20内に外気を取り込む換 気運転が行われる。
[0039] 以上の一連の工程を終えた後、作業者は、処理室 20内から処理済みの殺菌処理 対象物を取り出す。
[0040] 図 5は、処理ガス供給時の温度 T1を 35°C、加熱処理温度 Tlを 75°Cに設定して殺 菌処理を実施した場合における殺菌処理対象物内部の温度変化を例示している。こ の例では外気温が約 20°Cであるので、電熱ヒータ 25による処理ガス供給前の処理 室 20内の温度調節を行っている力 外気温が 30°C程度であれば、処理ガス発生器 40により発生させた温風を処理室 20内に供給して温度調節を行ってもよいし、処理 室 20内の温度調節を行わずに処理ガスの供給を開始してもよい。
[0041] この殺菌方法によれば、処理室 20内を所定温度 T1に保ちつつ、 HCHOを含有し た処理ガスを処理室 20内に供給して、処理室 20内に収容した殺菌処理対象物を処 理ガスに所定時間暴露することにより、殺菌処理対象物の表面や内部に存在する芽
胞の熱に対する耐性を低下させてから、処理室 20内を処理ガス供給時の温度 T1よ りも高く且つ殺菌処理対象物の耐熱温度 TO以下の加熱処理温度 T2に加熱すること により、本来の死滅温度よりも格段と低い温度 T2で、殺菌処理対象物の表面及び内 部に存在する芽胞を含む全ての細菌を死滅させることができる。加熱処理温度 T2を 殺菌処理対象物の耐熱温度以下としたことにより、プラスチック製品など熱に弱い殺 菌処理対象物に対しても、熱的損傷を与えることなぐ芽胞を殺傷し得る程度の高い 殺菌能力で殺菌処理を実施することができる。また、処理ガスの供給停止後も処理 室 20内には処理ガスが残存して ヽるため、処理ガス中の HCHOによる殺菌作用と 加熱による殺菌作用との相乗作用により、高い殺菌効果が得られる。また、加熱処理 によって最終的に芽胞を十分に死滅させることができればよいので、 HCHO濃度が 200ppm以下の低濃度の処理ガスを使用することができる。低濃度であっても HCH O自体が殺菌処理対象物に対する高い浸透力を持っているので、殺菌処理対象物 の内部まで確実に殺菌することができる。また、本発明の殺菌方法は、処理ガスを菌 体内に強制的に侵入させる機構や殺菌剤水溶液を使用しないので、多種多様な対 象を殺菌処理でき汎用性が高 、。
[0042] また、従来、 HCHOを含む処理ガスによる殺菌処理は、処理ガスの暴露のみで十 分な殺菌効果が得られることが必要であるとの認識の下、 HCHO濃度が 2000ppm 以上の高濃度の処理ガスを使用して行われていたため、殺菌処理後における HCH Oの残留が問題となっていたが、本発明の殺菌方法によれば、 HCHOの濃度が 15 0〜200ppmあるいはそれ以下の極低濃度の処理ガスを使用することが可能である ので、 HCHOの残留が問題となることはなく安全に殺菌処理を実施できる。
[0043] なお、上記実施形態の殺菌装置 10は、メタノールに触媒を作用させることにより H CHOを含む処理ガスを発生させる処理ガス発生器 40を備えて ヽるが、これに代えて 、メタノールに超音波、紫外線、またはプラズマを作用させて処理ガスを発生させる 処理ガス発生器を備えた殺菌装置を使用することも可能である。また、ホルムアルデ ヒド水溶液またはパラホルムアルデヒド（固体)を気化温度以上に加熱することにより、 あるいはこれらに超音波、紫外線、プラズマ、または、高周波電磁波を作用させること により処理ガスを発生させる処理ガス発生器を使用することも可能である。
[0044] また、上記実施形態では処理ガス供給装置 30のガス搬送系 50が二つのポンプ 51 、 55を備えた構成例について説明した力 ポンプを一つだけ備え、そのポンプによつ て処理容器内へのガスの供給および排出がなされるように構成してもよい。
[0045] また、上記実施形態では殺菌有効成分として HCHOを含む処理ガスを用いた殺 菌方法について説明した力 HCHOの代わりに過酸ィ匕水素やオゾンなどのその他 の殺菌有効成分を含む処理ガスを用いても十分な殺菌効果が得られる。
[0046] また、上記実施形態では、殺菌処理対象物を HCHO等の殺菌有効成分を含有し た処理ガスに曝した後、加熱処理を実施する殺菌方法および殺菌装置につ！ヽて説 明したが、加熱処理の代わりに、当該殺菌処理対象物にガンマ線または紫外線を照 射することによつても、有効に殺菌処理を行うことができる。
[0047] 処理室内を所定温度に保ちつつ当該処理室内に当該処理ガスを供給して当該殺 菌処理対象物を当該処理ガスに曝した後、当該処理室内への当該処理ガスの供給 を停止し、当該殺菌処理対象物にガンマ線または紫外線を照射する殺菌装置は、例 えば、上記実施形態の殺菌装置 10に、処理室 20内の殺菌処理対象物にガンマ線 または紫外線を照射する線源を付加するととともに、線源を制御する機能を制御器 6 0等に持たせることにより実現できる。この場合、電熱ヒータ 25は必須ではないが、電 熱ヒータ 25を有することにより、殺菌処理対象物を処理ガスに曝す処理、殺菌処理 対象物を加熱する処理、及び殺菌処理対象物にガンマ線や紫外線を照射する処理 を併用することが可能となる。
[0048] 殺菌処理対象物を処理ガスに曝す処理と殺菌処理対象物にガンマ線や紫外線を 照射する処理とを併用すれば、殺菌処理対象物の表面や内部に存在する芽胞の熱 に対する耐性をより効果的に低下させることができるので、より低濃度の処理ガスの 使用が可能となる。殺菌処理対象物にガンマ線や紫外線を照射するタイミングは、加 熱処理を開始する前であれば、殺菌処理対象物を処理ガスに曝す前でも後でもよ ヽ 。殺菌処理対象物を処理ガスに曝す処理と同時に、ガンマ線や紫外線を照射する処 理を実施してもよい。
実施例
[0049] [実施例]
セルテックラボラトリー社製の Bacillus Subtilis (牙胞） ATCC9372を寒天培地で培養 して、生菌数が 2. 19 X 106ZDiscのバイオロジカル 'インジケータ BIを作成し、それ をベッド用マットレスに埋め込んだ状態で、（株)バイオメディア社製小型 MRガス滅 菌装置を使用し、 MRガス (メタノールまたはホルムアルデヒドに由来するラジカルを 含む処理ガス）と HCHOガスとを発生させて殺菌処理を実施した。その際、処理ガス 暴露処理時間は 30分とし、加熱処理時間は 60分とした。 MRガス発生時と HCHO ガス発生時とにおける装置内の温度、湿度及び HCHOガス濃度はそれぞれ下記の 通りである。
MRガス発生時
温度、湿度： 36.0〜40.09°C、 80.0〜88.0%
HCHOガス濃度： 150ppm程度
HCHOガス発生時
温度、湿度： 37.5〜40.09°C、 82.2〜86.2%
HCHOガス濃度： 200ppm程度
処理ガス暴露処理後に BIの生菌数をカウントし、加熱処理後に再び BIの生菌数を カウントした。その結果を下記の表 1に示した。また、培養後 7日間の BIの培養結果を 下記の表 2に示した。
[0050] [表 1]
[0051] [表 2]
( +) ：菌が生育した （一） ：菌が生育せず
[0052] この試験結果から、殺菌処理対象物を MRガスまたは HCHOガスに曝した後加熱 処理することにより、滅菌レベルの強い殺菌作用が得られることが確認された。この結 果より、通常では殺菌作用が得られないような低濃度且つ短時間（HCHO濃度が 20 Oppm以下で 30分）の MRガスまたは HCHOガス暴露処理により滅菌レベルの殺菌 処理が可能であることが確認できた。すなわち、通常殺菌で使用されるような濃度より も極めて低濃度で滅菌できるため、殺菌対象物に対する処理ガスの残留性や処理 ガスそのものの毒性を軽減することが可能となる。また、金属部品を含む殺菌対象物 に対しても、処理ガスによる腐食性が軽減される。
[0053] 殺菌処理対象物を MRガスや HCHOガスに曝した後加熱処理することにより、滅 菌レベルの強い殺菌作用が得られる理由としては、（1)これらの処理ガスに曝される ことにより細菌芽胞が大きなダメージを受けてその耐熱性が低下し死滅しやすくなつ たこと、 (2)処理ガスに曝された後の殺菌処理対象物に残存する HCHOが加熱によ り活性化し殺菌能力を持つこと、等が考えられる。
[0054] [比較例]
セルテックラボラトリー社製の Bacillus Subtilis (牙胞） ATCC9372を寒天培地で培養 して、生菌数が 1. 02 106/ 3(；の81を複数作成し、インキュベータ内で加熱処理 のみ実施した。加熱処理温度は 80°Cおよび 60°Cとし、処理後における BIの生菌数 をカウントした。その結果を下記の表 3に示す。
[0055] [表 3]
想理前 BI生蔺数 1.02 X 106/Disc
[0056] この試験結果から、実施例よりも高い 80°Cの加熱処理温度で一定時間加熱し続け ても、 BIの牙胞はほとんど死なな!/、ことがわ力る。
[0057] 以上の結果からわかるように、処理ガス暴露処理および加熱処理は、どちらも単独 では牙胞に対する殺菌力が弱ぐ生菌数を 10一5〜 10_6に減らす程の高い殺菌効果 は得られない。これに対し、処理ガス暴露処理を行った後、加熱処理を行うことで、 8 0°C以下の加熱処理温度でも高い殺菌効果が得られる。その理由は、処理ガスに暴 露されることにより、牙胞は死んでいないもののダメージを受けており、この弱ったとこ ろに加熱処理がなされることにより、菌体のタンパク質が容易に熱変性を起こすため であると考えられる。
産業上の利用可能性
[0058] 本発明によれば、無菌室や手術室、手術用具、医療資材、介護用品など各種殺菌 処理対象物に対して、熱的損傷を与えることなぐ芽胞を殺傷し得る程度の高い殺菌 能力で殺菌処理を実施できる。したがって、本発明の殺菌方法および殺菌装置はゥ ィルス ·ゲノム不活性化処理にも有効に利用可能である。
Claims
[1] 殺菌有効成分を含有した処理ガスを処理室内に充満させて当該処理室内の殺菌 処理対象物を殺菌処理する殺菌方法であって、
前記処理室内を所定温度に保ちつつ前記処理室内に前記処理ガスを供給して前 記殺菌処理対象物を前記処理ガスに曝した後、前記処理室内への前記処理ガスの 供給を停止し、前記処理室内を前記所定温度よりも高く且つ前記殺菌処理対象物の 耐熱温度の上限を超えな 、範囲で可能な限り高!、加熱処理温度まで上昇させるよう にしたことを特徴とする殺菌方法。
[2] 殺菌処理対象物を殺菌有効成分を含有した処理ガスに曝した後、当該殺菌処理 対象物を当該殺菌処理対象物の耐熱温度の上限を超えない範囲で可能な限り高い 加熱処理温度に加熱するようにしたことを特徴とする殺菌方法。
[3] 殺菌処理対象物を殺菌有効成分を含有した処理ガスに曝した後、当該殺菌処理 対象物にガンマ線または紫外線を照射するようにしたことを特徴とする殺菌方法。
[4] 前記加熱処理温度は最高で 80°Cである請求項 1記載の殺菌方法。
[5] 殺菌処理対象物を収容する処理室と、
当該処理室を加熱する電熱ヒータと、
殺菌有効成分を含有した処理ガスを発生する処理ガス発生器と、
当該処理ガス発生器で発生させた処理ガスを当該処理室内に導入するガス搬送系 と、
制御器とを備え、
当該制御器は、当該処理ガス発生器及び当該ガス搬送系の動作並びに当該電熱ヒ ータへの通電を制御することにより、当該処理室内を所定温度に保ちつつ当該処理 室内に当該処理ガスを供給して当該殺菌処理対象物を当該処理ガスに曝した後、 当該処理室内への当該処理ガスの供給を停止し、当該処理室内を当該所定温度よ りも高く且つ当該殺菌処理対象物の耐熱温度の上限を超えない範囲で可能な限り 高い加熱処理温度まで上昇させることを特徴とする殺菌装置。
[6] 殺菌処理対象物を収容する処理室と、
当該処理室内の殺菌処理対象物にガンマ線または紫外線を照射する線源と、
殺菌有効成分を含有した処理ガスを発生する処理ガス発生器と、
当該処理ガス発生器で発生させた処理ガスを処理室内に導入するガス搬送系と、 制御器とを備え、
当該制御器は、当該処理ガス発生器及び当該ガス搬送系の動作並びに当該線源を 制御することにより、当該処理室内を所定温度に保ちつつ当該処理室内に当該処理 ガスを供給して当該殺菌処理対象物を当該処理ガスに曝した後、当該処理室内へ の当該処理ガスの供給を停止し、当該殺菌処理対象物にガンマ線または紫外線を 照射することを特徴とする殺菌装置。
前記加熱処理温度は最高で 80°Cである請求項 3記載の殺菌装置。
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