WO2005125284A1 - 有機el素子 - Google Patents

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Shinji Furuichi
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Hitachi Metals Ltd
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    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light

Definitions

  • the present invention relates to an organic electroluminescence (EL) element suitable for use in, for example, a self-luminous flat display.
  • EL organic electroluminescence
  • a cathode ray tube is currently widely used as a display because of its high luminance, good color reproducibility, and low cost.
  • CTR cathode ray tube
  • Liquid crystal displays such as active matrix drive have already been commercialized, but they have a narrow viewing angle, and because they are not self-luminous, they require a backlight in dark surroundings, and their power consumption is large. It has sufficient response performance to high-definition high-speed video signals that are expected to be put to practical use in the future, and there are problems such as the problem.
  • an organic electroluminescent element using an organic luminescent material (hereinafter, referred to as an organic EL element or simply as an organic EL) has recently attracted attention. I have. That is, by using an organic EL layer as a light emitting material, realization of a flat panel display which is self-luminous, has a fast response speed, and has no viewing angle dependence is expected.
  • the organic EL element is composed of a transparent electrode (anode) such as ITO (Indium Tin Oxide), an organic EL layer, an electron injection layer made of a film with a low work function, and a transparent substrate (eg, a glass substrate). It has a structure in which a minimum cathode is sequentially formed by, for example, a vacuum deposition method. Then, by selectively applying a DC voltage between the transparent electrode serving as the anode and the cathode, holes serving as carriers injected from the transparent electrode and electrons injected from the cathode cover form the electron injection layer. Then, recombination of electrons and holes occurs to generate light of a predetermined wavelength, which can be observed from the side of the transparent substrate.
  • anode such as ITO (Indium Tin Oxide)
  • an organic EL layer an electron injection layer made of a film with a low work function
  • a transparent substrate eg, a glass substrate.
  • Electron injection electrode materials that is, cathode materials are required to have characteristics such that electrons are easily emitted. is there.
  • the work function is a physical property that indicates the ease of electron emission.
  • a material with a value smaller than the work function of aluminum (A1) 4.20-4.28 eV is required.
  • Low work function metals are alkali metals and alkaline earth metals, whose work functions are less than 4 eV.
  • the handling of alkali metals and alkaline earth metals is troublesome because they have high activity and are readily oxidized and nitrided in the air and need to be stored in oil.
  • Patent Document 1 discloses that lithium (Li) having a low work function is used as a cathode material! Li has a work function of about 2.9.
  • a cathode film is formed by evaporating an alloy base material of indium (In) and lithium by resistive thermal evaporation or electron beam method.
  • Patent Document 2 discloses that as a cathode material, an alkali metal or alkaline earth metal oxide or an alkali metal or alkaline earth metal fluoride is used. Specifically, these compounds are , Lithium oxide, lithium fluoride, and magnesium fluoride. It is disclosed that since these compounds are insulating, they need to be formed to a thickness of 0.5 to: LOnm.
  • a cathode is formed by vacuum-depositing a very thin film of an alkali metal, an alkaline earth metal or a compound thereof and aluminum in order.
  • a combination of a lithium fluoride (LiF) electron injection layer and an aluminum cathode is often used.
  • LiF lithium fluoride
  • Patent Document 3 is an application filed by the inventor of the present invention.
  • the work function is smaller and higher than 4.5 eV in the initial stage of vapor deposition by one vapor deposition operation utilizing the difference in vapor pressure of metal.
  • a film having a gradient composition composed of a metal having a vapor pressure and having a low and low electric resistance at the end of vapor deposition and having a low vapor pressure, and a vapor deposition material used for vapor deposition of the film. Since it has a graded composition, copper, silver, gold, etc. can be used in addition to aluminum as the metal used at the end of the vapor deposition.
  • the organic EL devices described in Patent Document 1 and Patent Document 2 described above have a low work function in an electron injection layer provided between the cathode and the organic EL layer. It contains! / And Li.
  • the electrical resistance of lithium compounds and lithium alloys is large, Since the thickness of the injection layer is reduced and the amount of Li contained is reduced, there is a problem that the number of electrons injected into the organic EL layer is reduced and the current flowing through the organic EL element is reduced.
  • Patent Document 1 JP-A-5-198380
  • Patent Document 2 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-203080
  • Patent Document 3 JP 2004-010918 A
  • an object of the present invention is to provide an organic EL element having a cathode having a high electron emission capability, capable of increasing the current density flowing through the organic EL layer, and having high luminous efficiency. is there.
  • Another object of the present invention is to use a metal having high activity and a metal which is susceptible to oxidation or nitridation due to handling during manufacturing or during use in a part of the cathode material. handling
  • a further object of the present invention is to provide a cathode having a low light reflectance and a high image contrast.
  • the organic EL element of the present invention has an anode, a cathode, and an organic EL layer interposed therebetween.
  • the cathode is substantially deposited on the insulating electron injection layer formed on one side of the organic EL layer and on the other side of the insulating electron injection layer, and has a work function of less than OeV.
  • a low work function metal having a
  • the insulative electron injection layer is 0.5 to 5 nm thick and is composed of an oxide or fluoride of an alkali metal or alkaline earth metal.
  • the composite vapor-deposited film having a gradient composition is the same as that of the insulating electron injection layer.
  • a low work function metal is contained at a concentration of 70 at.% Or more near the boundary with other surfaces, and a low resistivity metal is contained at a concentration of 70 at.% Or more near the surface opposite to the boundary of the composite deposition film. Therefore, the force near the boundary of the composite vapor-deposited film, the force near the opposite surface, the concentration of the low work function metal is gradually decreasing, and the concentration of the low resistivity metal is gradually increasing.
  • An oxide or fluoride of at least one selected element is used. Is preferred,.
  • Alkali metal or alkaline earth metal oxides or fluorides have extremely high electric resistance.Thus, forming a thick electron injection layer reduces the current flowing through the organic EL layer and lowers the luminous efficiency of the organic EL device. Therefore, the thickness must be less than 5 nm.
  • the thickness of the electron injection layer is 0.5 nm or less, the number of atoms of the alkali metal Z and alkaline earth metal contained in the electron injection layer decreases, and the electron emission ability decreases. Is set to 0.5 to 5 nm.
  • a composite vapor-deposited film having a gradient composition is directly vapor-deposited on the insulating electron-injection layer, and a low work function with a concentration of 70 at. Contains metal.
  • the electrons emitted from the low work function metal enter the organic EL layer together with the electrons emitted from the electron injection layer and contribute to light emission.
  • the composite vapor-deposited film contains a low resistivity metal at a concentration of 7 Oat.% Or more near the surface opposite to the boundary with the insulative electron injection layer. Resistance is low. Then, in the composite deposited film, the concentration of the low work function metal gradually decreases toward the surface in the vicinity of the boundary with the insulating electron injection layer, and the concentration of the low resistivity metal gradually increases. The electric resistance gradually decreases.
  • the low work function metals are lithium (Li), sodium (Na), magnesium (Mg), calcium (Ca), strontium (Sr), norium (Ba) and manganese ( (Mn) force is a group force selected from at least one element, and the low resistivity metal is a group force including gold (Au), silver (Ag), copper (Cu) and aluminum (A1). It is preferably a species element.
  • the amount of the low work function metal contained in the composite vapor-deposited film increases, the electron emission ability increases, and a large amount of current flows through the organic EL element. Therefore, the amount of the low work function metal is preferably large. .
  • the low work function metal has a relatively high specific resistance, and if the low work function metal increases, the low specific resistance metal contained as the remainder of the composite vapor deposition film decreases and the resistance of the composite vapor deposition film increases. It is preferable to set an upper limit for each type of functional metal.
  • the low work function metals Li, Na, Mg and Ca are elements with relatively low specific resistance, so they can contain up to 5 at.% In the average content of the entire composite vapor deposition film. Sr, Ba, and Mn, which have high specific resistance, can achieve a higher current density when the average content of the entire composite vapor deposition film is up to 0.8 at.% Than when a pure aluminum film is used. .
  • Mn forms an interface with low reflectivity between the composite vapor deposition film and the electron injection layer, if it is used, it can be contained up to 3 at.%.
  • these low work function metals are contained in an amount exceeding 0. lat.% In the entire composite vapor-deposited film, the effect of adding these metals appears.
  • the low work function metal is selected so as to have a higher vapor pressure than the low specific resistance metal.
  • a metal that evaporates at a low temperature is called a "high vapor pressure” metal
  • a metal that evaporates at a high temperature is called a “low vapor pressure” metal.
  • the low work function metal has a higher vapor pressure than the low resistivity metal, heating the low work function metal and the low resistivity metal simultaneously to deposit these metals on the insulating electron injection layer Because the low work function metal has a higher vapor pressure, the low work function metal vaporizes before the low resistivity metal, and a layer mainly containing the low work function metal is formed on the electron injection layer.
  • a low-resistivity metal follows and evaporates, mainly containing a low-work-function metal, and a mixture of a low-work-function metal and a low-resistivity metal or An alloy layer is formed.
  • the concentration of the low work function metal in the deposited layer decreases, and the concentration of the low resistivity metal increases.
  • the concentration of the low resistivity metal will be more than 70at.% And close to 1 OOat.%.
  • a composite vapor deposition film having a gradient composition can be integrally formed by a single vapor deposition operation.
  • a low work function metal that is susceptible to oxidation and nitridation is covered with a stable low resistivity metal layer! The work function metal will not be damaged.
  • the organic EL device of the present invention using Mn as a low work function metal has a Mn-rich layer of a composite vapor deposition film having a gradient composition adjacent to the insulating electron-emitting layer. Since the Mn-rich layer has a low light reflectance, the image contrast can be improved.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an organic EL device of the present invention.
  • Fig. 2 shows the composition distribution of Mg and A1 in the film thickness direction of the composite vapor deposition film having a gradient composition of 1.66at.% Mg and the balance of A1 used in the organic EL device of Example 1. It is a graph shown.
  • FIG. 3 shows the organic EL device of Example 1 and the organic EL device of the conventional example (a device using a LiF insulating electron injection layer and pure aluminum as a cathode, and only a composite vapor-deposited film having a gradient composition).
  • 5 is a graph showing the current density (mAZc m 2 ) in relation to the applied voltage (V) for the organic EL devices of Comparative Example and Comparative Example.
  • FIG. 4 is a graph showing a relationship between current density (mAZcm 2 ) and applied voltage (V) for the organic EL device of Example 2.
  • FIG. 5 is a graph showing the current density (mAZcm 2 ) in relation to the applied voltage (V) with respect to the amount of Mn in the composite vapor-deposited film as a parameter for the organic EL device of Example 4.
  • FIG. 6 is a graph showing the light reflectance of the Al film containing Mn at 0.5 at.%, 3. Oat.%, And 10.95 at.%, Respectively, as a function of wavelength. Explanation of reference numerals
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic structure of the organic EL device 10.
  • an anode 5 made of ITO or the like
  • an organic EL layer 4 an insulating electron injection layer 2
  • a cathode 1 composed of a composite vapor-deposited film 3 having a gradient composition
  • a DC voltage 7 is applied between the anode 5 and the cathode 1 to cause the organic EL layer 4 to emit light.
  • the substrate 6 was 0.5 mm thick glass
  • the anode 5 was a 300 nm thick ITO film
  • the organic EL layer 4 was 40 nm thick Alq (8-hydroquinquinoline aluminum complex. ).
  • the insulating electron injection layer 2 is 0.5 to 5 nm thick and is made of an alkali metal or alkaline earth metal oxide, and also has a fluoride power.
  • an alkali metal or an alkaline earth metal it is preferable to use at least one of Li, Na, K, Cs, Ca, Sr and Ba having a work function of less than 3.OeV.
  • the fluoride LiF or CsO is preferably used.
  • a 2 nm-thick LiF layer was used as the insulating electron injection layer 2.
  • a composite vapor-deposited film 3 having a gradient composition is vapor-deposited on the insulating electron injection layer 2.
  • the composite vapor-deposited film 3 is substantially composed of 4. a low work function metal having a work function of less than OeV and 3. a low resistivity metal having a specific resistance of less than ⁇ 10 " 6 ⁇ ⁇ cm.
  • a low work function metal is contained at a concentration of 70 at.% Or more in the vicinity of the boundary between the composite vapor deposition film 3 and the insulating electron injection layer 2.
  • a low resistivity metal is contained at a concentration of 70 at.
  • the concentration of the low work function metal gradually decreases as going upward from the electron injection layer 2, and the concentration of the low resistivity metal gradually increases. I have.
  • the composite vapor-deposited film 3 having a gradient composition is formed of a columnar composite vapor-deposit composed of a core material made of a low work function metal and a low resistivity metal sleeve covering the outer periphery thereof.
  • a low work function metal and a low resistivity metal were deposited by heating in vacuum.
  • the cut piece obtained by cutting the columnar composite vapor deposition material to an appropriate length shows a low work function metal on the cut surface. If a metal having a higher vapor pressure than the low resistivity metal is used as the low work function metal, the low work function metal evaporates earlier than the low resistivity metal, so that the low work function metal is deposited on the electron injection layer.
  • a layer having a concentration of 70 at.% Or more is formed.
  • the concentration of the low work function metal gradually decreases, and the concentration of the low resistivity metal gradually increases.
  • the vapor of the low work function metal disappears, resulting in a composition film mainly composed of a low resistivity metal.
  • the organic EL device of Example 1 has the structure shown in FIG. 1 described above, and has a 2 nm-thick LiF layer as an insulating electron injection layer and a composite vapor deposition film having a gradient composition.
  • An average composition film of 1.66 at.% Mg and the remaining Al force was used.
  • Mg is a low work function metal
  • A1 is a low resistivity metal.
  • the average composition of the film is represented by the composition of the vapor deposition material used for vapor deposition.
  • the composite vapor-deposited film having a gradient composition formed here is moved from the final vapor deposition surface (upper surface) to the initial vapor deposition surface.
  • FIG. 2 shows the results of the Auger analysis in the film thickness direction up to (the boundary with the LiF layer). From Fig. 2, the concentration of Mg is 70at.% Or more near the boundary with the LiF layer (near 0.2 m), and the concentration of A1 is 70at.% Or more near the top surface (near Ojum). You can see that In the meantime, the Mg concentration decreases toward the upper surface, and the A1 concentration increases. In Fig. 2, elements such as oxygen and nitrogen other than Mg and A1 detected by the Auge analysis are omitted, so that the total concentration of Mg and A1 does not become 100%.
  • FIG. Fig 3 A conventional organic EL device in which a pure aluminum film was formed on a LiF electron injection layer had a gradient composition of 1.66 at.% Mg balance A1 directly on the organic EL layer without a LiF electron injection layer.
  • the current was also measured for the conventional organic EL device with a composite vapor-deposited film formed and the comparative organic EL device with a composite vapor-deposited film having a gradient composition of 6.62 at.% Mg balance A1 on the LiF electron injection layer.
  • the relationship between the density and the applied voltage is also shown.
  • the high specific resistance of Mg was offset by the adverse effect, and the characteristics were almost the same as those of the organic EL device in which the pure aluminum film was formed on the LiF electron injection layer.
  • 0. lat.% Mg balance The current density of an organic EL device having a composite vapor-deposited film with a gradient composition of A1 was separately investigated. The characteristics of an organic EL device with a pure aluminum film formed on a LiF insulating electron injection layer was slightly exceeded. 0. lat.% Mg
  • the balance Mg content is low, as in the case of a composite vapor-deposited film having a gradient composition of A1. In the case where the Mg specific resistance is high, there is almost no effect. The effect of the function hardly appears. Therefore, Mg must be included in excess of 0.
  • the composite vapor deposition film having a gradient composition formed on the LiF insulating electron injection layer was replaced with 1.66 at.% Mg—remainder A1 of Example 1.
  • the relationship between the current density and the applied voltage was measured for each of the organic EL devices as 1.75 at.% Mg balance Ag, 1.30 at.% Mg balance Cu, and 1.60 at.% Mg balance Au.
  • the results are shown in the graph of FIG. FIG. 4 also shows the case of 1.66 at.% Mg—remainder A1 for comparison.
  • the composite vapor deposition film having a gradient composition formed on the LiF insulating electron injection layer was replaced with 1.66 at.% Mg—the remainder Al in Example 1.
  • 0.7at.% Li-balance Al, 0.7at.% Na-balance Al, 0.7at.% Ca-balance Al, 0.7at.% Sr-balance Al, 0.75at.% Ba-balance Al For each of the organic EL devices, a DC voltage of DC 10 V was applied between the anode and the cathode, and the current density was measured. Table 2 shows the measurement results of the current density.
  • a composite vapor-deposited film having a gradient composition containing Li, Na, Ca, Sr or Ba can be used for the organic EL device of the present invention.
  • Li, Na, Ca, Sr or Ba is contained in the composite vapor deposition film in excess of 0.lat.%, The current density becomes larger than that of the pure aluminum film, and the low work function is reduced. The effect can be demonstrated.
  • the composite vapor deposition film having a gradient composition formed on the LiF insulating electron injection layer was replaced with 1.66 at.% Mg—remainder A1 of Example 1.
  • Mn The remainder is A1.
  • the relationship between the current density of the organic EL layer and the applied DC voltage was measured for each OLED device in which the Mn content of the composite deposited film was changed from Oat.% To 10.95 at.%. Is shown in FIG. When the Mn content is 0.8 at.%, The current density is almost the same as the current density of the pure aluminum film (Mn content: Oat.%), And when the Mn content exceeds 0.8 at. The current density is lower than that of the aluminum film.
  • the current density is about 1Z2, which is much higher than without LiF.
  • Mn has a work function of less than 4.OeV
  • the power that can increase the current density by including it in the cathode of the organic EL device of the present invention can increase the low work function effect of Mn because the specific resistance of Mn is large.
  • the Mn content in the composite vapor-deposited film having a gradient composition needs to be 0.1 to 0.8 at.%. Since the specific resistance of Mn is large, when Mn is added in excess of 0.8 at.%, The low work function effect of Mn is lost.
  • FIG. 6 shows the results of measuring the light reflectance for wavelengths of up to 700 nm.
  • the light reflectance of each composite vapor-deposited film is expressed as a percentage based on the light reflectance of the pure aluminum film. From Fig.
  • the organic EL device of the present invention has a thin insulative electron injection layer and a composite vapor-deposited film having a gradient composition as a cathode adjacent to the organic EL layer. It is expected to be used for flat panel displays that can achieve a large luminous efficiency and have a fast response speed and have no viewing angle dependence, as compared with conventional ones.

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Abstract

 電子放出能の大きい陰極を有していて有機EL層を流れる電流密度を大きくすることができる発光効率の高い有機EL素子を開示している。有機EL素子の陰極は、有機EL層に形成された絶縁性電子注入層と、絶縁性電子注入層上に蒸着された傾斜組成を持った複合蒸着膜とからなっている。複合蒸着膜は4.0eV未満の仕事関数を持った低仕事関数金属と、3.0X10-6Ω・cm未満の比抵抗を持った低比抵抗金属とから実質的になる。複合蒸着膜は、電子注入層との境界近傍に低仕事関数金属を70at.%以上の濃度に含有し、反対面近傍に低比抵抗金属を70at.%以上の濃度に含有し、それらの間では傾斜組成となっている。

Description

明 細 書
有機 EL素子
技術分野
[0001] 本発明は、例えば自発光の平面型ディスプレイに用いるのに好適な有機 EL (エレ タトロルミネッセンス)素子に関する。
背景技術
[0002] ブラウン管(CRT)は、輝度が高く色再現性が良いことと安価であるため、現在ディ スプレイとして多く使われている。しかし、奥行きが大きぐ重ぐまた消費電力も大き いという問題があるため、軽量で高効率のフラットパネルディスプレイが盛んに研究、 開発されて 、る。既にアクティブマトリックス駆動などの液晶ディスプレイが商品化さ れているが、それは視野角が狭ぐまた、自発光でないため周囲が暗い環境下では バックライトが必要であり、その消費電力が大きいことや、今後実用化が期待されてい る高精細度の高速ビデオ信号に対して十分な応答性能を有して 、な 、等の問題が ある。
[0003] これらの諸課題を解決する可能性のあるフラットパネルディスプレイとして、最近、有 機発光材料を用いた有機電界発光素子 (以下、有機 EL素子もしくは単に有機 ELと 称する。)が注目されている。即ち、発光材料として有機 EL層を用いることにより、自 発光で、応答速度が速ぐ視野角依存性のないフラットパネルディスプレイの実現が 期待される。
[0004] 有機 EL素子は透明基板 (例えばガラス基板)上に、 ITO (Indium Tin Oxide) 等の透明電極 (陽極)と、有機 EL層と、低仕事関数の膜からなる電子注入層と、アル ミニゥム陰極とを例えば真空蒸着法で順次成膜した構造を持つ。そして、陽極である 透明電極と陰極との間に直流電圧を選択的に印加することによって、透明電極から 注入されたキャリアとしてのホールと、陰極カゝら注入された電子とが電子注入層を経 て移動し、電子とホールとの再結合が生じて、所定波長の発光が生じ、透明基板の 側から観察できる。
[0005] 電子注入電極材料つまり陰極材料に求められる特性としては、電子が出易いことで ある。電子の出易さを示す物理特性として仕事関数があり、アルミニウム (A1)の仕事 関数 4. 20-4. 28eVよりも小さな値をした材料が求められる。仕事関数の小さな金 属は、アルカリ金属とアルカリ土類金属であり、それらの仕事関数は 4eV未満である 。しかし、アルカリ金属とアルカリ土類金属は、活性度が高く空気中では直ぐに酸ィ匕 ゃ窒化されるため油中保管が必要である等、取り扱 、が面倒である。
[0006] 特許文献 1に、陰極材料に低仕事関数のリチウム (Li)を用いることが開示されて!ヽ る。 Liの仕事関数は約 2. 9である。インジウム (In)とリチウムとの合金母材を抵抗力口 熱蒸着あるいは電子ビーム法で蒸発させて陰極膜を形成する。陰極膜と有機層との 界面からの厚さ OAから 10000Aの範囲にある In— Li合金陰極膜に含まれる Liの濃 度を 0. 01wt%力 0. lwt%にすることが好ましいと示されている。
[0007] 特許文献 2に、陰極材料として、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の酸ィ匕物あ るいはアルカリ金属またはアルカリ土類金属の弗化物を用いること、具体的にはこれ らの化合物は、酸化リチウム、フッ化リチウム、フッ化マグネシウムであることが示され ている。これらの化合物は絶縁性であるため、 0. 5〜: LOnmの厚さに形成する必要が あると開示されている。
[0008] 非常に薄いアルカリ金属、アルカリ土類金属もしくはこれらの化合物の膜と、アルミ 二ゥムとを順に真空蒸着して、陰極を形成している。特に、フッ化リチウム (LiF)電子 注入層とアルミニウム陰極との組合せが用いられることが多い。絶縁材であるフッ化リ チウムを厚く製膜すると電流が流れなくなるため、数 nmと非常に薄くする必要がある
[0009] 特許文献 3は本発明の発明者が出願したものであり、金属の蒸気圧の差を利用し て 1回の蒸着作業で、蒸着初期は 4. 5eVよりも仕事関数が小さくしかも高い蒸気圧 の金属で、蒸着終期が電気抵抗が低くしかも低!、蒸気圧の金属からなる傾斜組成の 膜およびその膜の蒸着に用いる蒸着材が開示されている。傾斜組成であるため、蒸 着終期に用いる金属としてアルミニウム以外に銅、銀、金なども用いることができる。
[0010] 上で述べた特許文献 1と特許文献 2とに記載されている有機 EL素子は、その陰極 ある 、は陰極と有機 EL層との間に設けられた電子注入層に仕事関数の小さ!/、Liを 含有している。しかし、リチウム化合物やリチウム合金の電気抵抗が大きいので電子 注入層を薄くするとともに含有する Li量を少なくしているために、有機 EL層へ注入す る電子数が少なくなつて有機 EL素子を流れる電流が少なくなるという問題があった。
[0011] 特許文献 3に記載されている有機 EL素子では、有機 EL層の上に直接金属を蒸着 しているので、金属の蒸着時に有機 EL層が過熱されて有機 EL層の陰極金属と接す る部分が分解するおそれがある。更に、有機 EL層に蒸着した高蒸気圧金属の仕事 関数力 よりも大きいことが多ぐ LiF電子注入層を陰極とした場合に比して、有機 E L素子を流れる電流が小さくなることがあった。
特許文献 1:特開平 5— 198380号公報
特許文献 2:特開 2001— 203080号公報
特許文献 3 :特開 2004— 010918号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0012] そこで本発明の目的とするところは、電子放出能の大きい陰極を有していて有機 E L層を流れる電流密度を大きくすることができ、発光効率の高い有機 EL素子を提供 することである。
[0013] 本発明の他の目的は、陰極素材の一部に製造途中や使用時の取扱いによって酸 化や窒化を受けやす 、活性の高 、金属を用いて 、るにもかかわらず、製造や取扱
V、の容易な有機 EL素子を提供することである。
[0014] 本発明の更なる目的は、低い光反射率を持った陰極を有し、映像コントラストの高
V、有機 EL素子を提供することである。
課題を解決するための手段
[0015] 本発明の有機 EL素子は、陽極と、陰極と、それらの間に介装している有機 EL層と を持っている。その陰極は実質的に、有機 EL層に一方の面が接して形成された絶 縁性電子注入層と、その絶縁性電子注入層の他の面に蒸着され、 4. OeV未満の仕 事関数を持った低仕事関数金属と、 3. ΟΧ10_6 Ω ·«η未満の比抵抗を持った低比 抵抗金属とからなる傾斜組成を持った複合蒸着膜とからなる。絶縁性電子注入層は 0. 5〜5nm厚で、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属の酸化物あるいはフッ化 物から構成されている。傾斜組成を持った複合蒸着膜は、絶縁性電子注入層の前記 他の面との境界近傍に、低仕事関数金属を 70at. %以上の濃度に含有し、複合蒸 着膜の境界の反対面近傍に、低比抵抗金属を 70at. %以上の濃度に含有し、複合 蒸着膜の境界近傍力 反対面近傍に向力 、低仕事関数金属の濃度が次第に低くな つているとともに、低比抵抗金属の濃度が次第に高くなつている。
[0016] 絶縁性電子注入層を構成するアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属の酸ィ匕物あ るいはフッ化物として、仕事関数が 3. OeV未満のリチウム (Li) ,ナトリウム (Na) ,カリ ゥム(K) ,セシウム(Cs) ,カルシウム(Ca) ,ストロンチウム(Sr)およびバリウム(Ba)か らなる群力 選ばれた少なくとも 1種の元素の酸ィ匕物あるいはフッ化物が用いられるこ とが好まし 、。アルカリ金属ある 、はアルカリ土類金属の酸化物あるいはフッ化物は 電気抵抗が極めて大きいので、電子注入層を厚く形成すると有機 EL層を通って流 れる電流が小さくなり有機 EL素子の発光効率が低くなるので、 5nm未満の厚さにす る必要がある。電子注入層の厚さが 0. 5nm以下となると、電子注入層に含まれてい るアルカリ金属 Zアルカリ土類金属の原子数が少なくなつて電子放出能が小さくなる ので、電子注入層の厚さを 0. 5〜5nmとする。
[0017] 傾斜組成を持った複合蒸着膜が絶縁性電子注入層の上に直接蒸着されており、 複合蒸着膜の絶縁性電子注入層との境界近傍に 70at.%以上の濃度の低仕事関数 金属を含有している。低仕事関数金属から放出された電子が、電子注入層から放出 された電子とともに有機 EL層内に入って、発光に寄与する。
[0018] 複合蒸着膜は、絶縁性電子注入層との境界と反対面近傍には、低比抵抗金属を 7 Oat.%以上の濃度で含んで ヽるので、リード線を接続する個所では電気抵抗が低く なっている。そして、複合蒸着膜は、絶縁性電子注入層との境界近傍カゝらその反対 面に向かい低仕事関数金属の濃度が次第に低くなり、低比抵抗金属の濃度が次第 に高くなつて 、るので、次第に電気抵抗が低くなつて 、る。
[0019] 本発明の有機 EL素子において、低仕事関数金属はリチウム (Li) ,ナトリウム (Na) ,マグネシウム(Mg) ,カルシウム(Ca) ,ストロンチウム(Sr) , ノ リウム(Ba)およびマ ンガン (Mn)力 なる群力 選ばれた少なくとも 1種の元素であり、低比抵抗金属は金 (Au) ,銀 (Ag) ,銅 (Cu)およびアルミニウム (A1)からなる群力も選ばれた少なくとも 1種の元素であることが好まし 、。 [0020] 複合蒸着膜に含まれている低仕事関数金属が多くなると電子放出能が大となり有 機 EL素子に多くの電流が流れるので、低仕事関数金属の量が多!、ことは好ま 、。 しかし、低仕事関数金属は比較的比抵抗が高ぐ低仕事関数金属が増えると複合蒸 着膜の残部として含まれる低比抵抗金属が少なくなつて複合蒸着膜の抵抗が増すの で、低仕事関数金属の種類ごとに上限量を設けることが好ましい。低仕事関数金属 のうちでも Li, Na, Mgおよび Caは比抵抗が比較的低い元素なので、複合蒸着膜全 体の中の平均含有量で 5at.%まで含むことができる。比抵抗の高い Sr、 Baおよび M nは複合蒸着膜全体の中の平均含有量で 0. 8at.%まで含む場合に純アルミニウム 膜を用いた場合と比べて多くの電流密度を得ることができる。 Mnは、複合蒸着膜と 電子注入層との間に低反射率を持つ界面を形成するので、それを利用する場合は 3 at. %まで含むことができる。これらの低仕事関数金属は複合蒸着膜全体の中に 0. lat.%を超えた量を含有することで、それらの金属を添加した効果が出てくる。
[0021] 本発明の有機 EL素子において、低仕事関数金属が低比抵抗金属よりも高い蒸気 圧を持つように選択されて 、ることが好ま 、。
[0022] この明細書では、低い温度で蒸発する金属を「高蒸気圧」金属、高い温度で蒸発 する金属を「低蒸気圧」金属と呼ぶ。低仕事関数金属が低比抵抗金属よりも高い蒸 気圧を持っている場合、絶縁性電子注入層の上にこれらの金属を蒸着させるために 低仕事関数金属と低比抵抗金属とを同時に加熱すると、低仕事関数金属がより高い 蒸気圧を持っているために低仕事関数金属が低比抵抗金属よりも先に気化して電子 注入層の上に低仕事関数金属を主に含んでいる層を形成する。より低い蒸気圧を持 つて 、る低比抵抗金属が続 、て気化して、低仕事関数金属を主に含んで 、る層の 上に、低仕事関数金属と低比抵抗金属との混合物あるいは合金の層が形成される。 蒸着層の厚さが厚くなるに従い、蒸着層中の低仕事関数金属の濃度が低くなり、低 比抵抗金属の濃度が高くなる。最終的には低比抵抗金属の濃度が 70at. %以上、 1 OOat. %近くになる。このように、低仕事関数金属が低比抵抗金属よりも高い蒸気圧 を持っていると、傾斜組成を持った複合蒸着膜を一体的に一度の蒸着作業で形成 することができる。
発明の効果 [0023] 本発明の有機 EL素子は、有機 EL層に隣接した陰極として薄 、絶縁性電子注入 層と傾斜組成を持った複合蒸着膜とからなつており、複合蒸着膜の絶縁性電子注入 層との境界近傍に 70at.%以上の濃度に低仕事関数金属を持っているので、低仕事 関数金属から放出された電子が電子注入層から放出された電子とともに有機 EL層 内に入り有機 EL素子を流れる電流の電流密度を、従来の絶縁性電子注入層だけか らなる陰極あるいは低仕事関数金属を有機 EL層に隣接させた陰極を持つ有機 EL 素子よりも大きくすることができて、大きな発光効率を得ることができる。
[0024] また、本発明の有機 EL素子は、酸化や窒化を受けやすい低仕事関数金属が安定 な低比抵抗金属層によって覆われて!/、るので、製造途中や使用時の取扱いによって 低仕事関数金属が損傷を受けることがな 、。
[0025] さらに、低仕事関数金属として Mnを用いている本発明の有機 EL素子においては 、絶縁性電子放出層に隣接して傾斜組成を持った複合蒸着膜の Mnリッチ層を有し ており、 Mnリッチ層は低い光反射率を持つので、映像コントラストを良くすることがで きる。
図面の簡単な説明
[0026] [図 1]図 1は、本発明の有機 EL素子を説明するための断面図である。
[図 2]図 2は、実施例 1の有機 EL素子に用いている 1. 66at.%Mg—残部 A1傾斜組 成を持った複合蒸着膜の膜厚方向の Mgと A1との組成分布を示すグラフである。
[図 3]図 3は、実施例 1の有機 EL素子、従来例の有機 EL素子 (LiF絶縁性電子注入 層と純アルミニウムとを陰極として用いたものと、傾斜組成を持った複合蒸着膜のみ を陰極として用いたもの)および比較例の有機 EL素子について、電流密度 (mAZc m2)を印加電圧 (V)との関係で示すグラフである。
[図 4]図 4は、実施例 2の有機 EL素子について、電流密度 (mAZcm2)を印加電圧( V)との関係で示すグラフである。
[図 5]図 5は、実施例 4の有機 EL素子について、複合蒸着膜中の Mn量をパラメータ として、電流密度 (mAZcm2)を印加電圧 (V)との関係で示すグラフである。
[図 6]図 6は、 Mnをそれぞれ 0. 5at. %、 3. Oat. %、 10. 95at. %含み残部 Alの膜 の光反射率を波長との関係で示すグラフである。 符号の説明
[0027] 1 陰極
2 絶縁性電子注入層
3 傾斜組成を持った複合蒸着膜
4 有機 EL層
5 陽極
6 透明基板
7 直流電圧
10 有機 EL素子
発明を実施するための最良の形態
[0028] 以下、図面を参照しながら本発明の有機 EL素子を実施例に基づいて詳細に説明 する。図 1は有機 EL素子 10の構造模式を示す断面図である。ガラス等の透明基板 6 の上に ITO等の陽極 5、有機 EL層 4、絶縁性電子注入層 2と傾斜組成を持った複合 蒸着膜 3とからなる陰極 1の順に積層されている。陽極 5と陰極 1の間に直流電圧 7を 印加し、有機 EL層 4を発光させる。
[0029] 以下の実施例の有機 EL素子では、基板 6は 0. 5mm厚のガラス、陽極 5は 300nm 厚の ITO膜、有機 EL層 4は 40nm厚の Alq (8—ヒドロキンキノリンのアルミ錯体)であ る。
[0030] 絶縁性電子注入層 2は、 0. 5〜5nm厚で、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属 の酸ィ匕物ある 、はフッ化物力も構成されて 、る。アルカリ金属ある 、はアルカリ土類 金属として、仕事関数が 3. OeV未満の Li, Na, K, Cs, Ca, Srおよび Baの少なくと も 1種を用いるのが好ましぐこれらの酸化物あるいはフッ化物として、 LiFあるいは Cs Oを用いるのがよい。有機 EL層 4上に絶縁性電子注入層 2を真空蒸着で形成する
2
ことができる。以下の実施例では、 2nm厚の LiF層を絶縁性電子注入層 2として用い た。
[0031] 傾斜組成を持った複合蒸着膜 3が絶縁性電子注入層 2の上に蒸着されている。複 合蒸着膜 3は、 4. OeV未満の仕事関数を持った低仕事関数金属と、 3. ΟΧ10"6 Ω · cm未満の比抵抗を持った低比抵抗金属とから実質的にできている。傾斜組成を持 つた複合蒸着膜 3の絶縁性電子注入層 2との境界近傍に低仕事関数金属を 70at. %以上の濃度に含有している。複合蒸着膜 3の反対面すなわち図 1では上面近傍に は低比抵抗金属を 70at. %以上の濃度に含有している。それらの間では、複合蒸着 膜 3の中で、電子注入層 2から上に向かうにしたがって低仕事関数金属の濃度が次 第に低くなつているとともに、低比抵抗金属の濃度が次第に高くなつている。
[0032] 以下の実施例では、傾斜組成を持った複合蒸着膜 3は、低仕事関数金属からなる 芯材と、その外周を覆っている低比抵抗金属スリーブとからなる円柱状複合蒸着材を 真空中で加熱して、低仕事関数金属と低比抵抗金属とを蒸着して形成した。円柱状 複合蒸着材を適当な長さに切断した切断片は、その切断面に低仕事関数金属が見 える。低仕事関数金属として低比抵抗金属よりも高い蒸気圧を持つ金属を用いると、 低仕事関数金属が低比抵抗金属よりも先に蒸発するので、電子注入層の上に低仕 事関数金属の濃度が 70at. %以上となった層が形成される。そして、低い蒸気圧を 持つ低比抵抗金属が次に蒸発するので、低仕事関数金属の濃度が次第に低下し、 低比抵抗金属の濃度が次第に高くなる。蒸着の終期には低仕事関数金属の蒸気が なくなるので、低比抵抗金属が主になつた組成膜となる。
[0033] 以下に説明する実施例を理解する上で、各金属元素の比抵抗、仕事関数、蒸気圧 を参照する必要があると思われるので、それらを表 1に示す。なお、仕事関数の値は 光電子仕事関数と熱電子仕事関数との間に差があり、また不純物を含むと変わって くるが、本明細書では平均値的な値を用いる。蒸気圧は、金属材料データ'シート蒸 発速度と蒸気圧との関係(出典: Honig, R. E. : RCA Review, 23, 567 (196 2) )より 10_4Torrにおける温度を読み取って ヽる。
[0034] [表 1] 金属元素 比抵抗 仕事関数 蒸気圧
xlO- 6Ω ι e V °C 低比抵抗金属 Au 2.2 5 1130
Ag 1.62 4.4 830
Cu 1.72 4.3 1030
Al 2.65 4.2 980 低仕事関数 アルカリ金 Li 9.4 1.91 360 金属 属 a 4.6 2.34 160
アルカリ土 Mg 4.46 3.63 360 類金属 Ca 3.43 2.75 440
Sr 30.7 2.61 370
Ba 15.3 2.71 510 他 Mn 43.1 3.83 720 実施例 1
[0035] 実施例 1の有機 EL素子は上に説明した図 1に示す構造をしており、絶縁性電子注 入層として 2nm厚の LiF層を、傾斜組成を持った複合蒸着膜として実質的に 1.66a t. %Mgと残部 Al力 なる平均組成膜を用いた。ここで Mgが低仕事関数金属で、 A1 が低比抵抗金属である。膜の平均組成は、蒸着に用いた蒸着材の組成で表している
[0036] ここで形成した傾斜組成を持った複合蒸着膜を蒸着終期面 (上面)から蒸着初期面
(LiF層との境界)まで膜厚方向にオージュで分析した結果を図 2に示す。図 2から、 LiF層との境界近傍 (膜厚 0.2 m近く)では Mgが 70at. %以上の濃度となっており 、上面近傍 (膜厚 Ojum近く)では A1が 70at. %以上の濃度となっていることがわかる 。またその間では上面に向かうにしたがって Mg濃度が低下し、 A1濃度が上昇してい る。図 2では、オージュ分析で検出された Mgと A1以外の酸素や窒素等の元素は省 いて図示しているので、 Mgと A1との濃度を合計しても lOOat. %にはならない。
[0037] LiF電子注入層上に 1.66at. %Mg—残部 Alの傾斜組成を持った複合蒸着膜を 形成した陰極を持つ本発明の有機 EL素子について、有機 EL層の電流密度と陽極 と陰極との間に印加した直流電圧との関係を測定して、その結果を図 3に示す。図 3 には、 LiF電子注入層上に純アルミニウム膜を形成した従来の有機 EL素子、 LiF電 子注入層を付けずに有機 EL層上に直接 1. 66at. %Mg 残部 A1の傾斜組成を持 つた複合蒸着膜を形成した従来の有機 EL素子、および LiF電子注入層上に 6. 62a t. %Mg 残部 A1の傾斜組成を持った複合蒸着膜を形成した比較例の有機 EL素 子についても電流密度と印加電圧との関係を併せて示す。
[0038] 本発明の有機 EL素子 (LiF上に 1. 66at. %Mg—残部 A1)では印加電圧が約 5V 力も電流が流れ始めて、従来の有機 EL素子や比較例の有機 EL素子よりも電流密 度が大きくなつて 、る。 LiF電子注入層を持たな 、従来の有機 EL素子では印加電 圧が 6V以上になってはじめて電流が流れ始めている。比較例の有機 EL素子では 傾斜組成を持った複合蒸着膜のなかに比抵抗の高い Mgを 6. 62at. %と多量に含 むことによる抵抗が高くなつたことのために Mgの低仕事関数の効果が失われて 、る ものと考えられる。 LiF絶縁性電子注入層上に形成した 5. Oat. %Mg 残部 A1の傾 斜組成を持った複合蒸着膜の例は図 3に示していないが、その場合は Mgの低仕事 関数の効果と Mgの比抵抗の高 、ことによる逆効果とが相殺されて、 LiF電子注入層 上に純アルミニウム膜を形成した有機 EL素子の特性とほぼ同じとなった。 0. lat. % Mg 残部 A1の傾斜組成を持った複合蒸着膜を有する有機 EL素子の電流密度を 別途調べたところ、 LiF絶縁性電子注入層上に純アルミニウム膜を形成した有機 EL 素子の特性を少し超えた程度であった。 0. lat. %Mg 残部 A1の傾斜組成を持つ た複合蒸着膜のように Mg含有量の低 、場合は、 Mgの比抵抗の高 、こと〖こよる影響 はほとんどないが、 Mgの低仕事関数の効果もほとんど現れない。そこで Mgは 0. la t. %を超えて含む必要がある。
実施例 2
[0039] 図 1に示す有機 EL素子で、 LiF絶縁性電子注入層の上に形成した傾斜組成を持 つた複合蒸着膜を、実施例 1の 1. 66at. %Mg—残部 A1に代えて、 1. 75at. %Mg 残部 Ag、 1. 30at. %Mg 残部 Cu、 1. 60at. %Mg 残部 Auそれぞれとして、 それぞれの有機 EL素子について、電流密度と印加電圧との関係を測定した。その 結果を図 4のグラフに示している。なお、図 4には 1. 66at. %Mg—残部 A1の場合も 比較のために併せて示している。 Ag, Cu, Auを複合蒸着膜の残部成分に用いた場 合、 Alを複合蒸着膜の残部成分に用いた場合と同じ傾向の電流密度が得られてい るので、 Ag, Cu, Auは Alと互換可能であることがわかる。
実施例 3
[0040] 図 1に示す有機 EL素子で、 LiF絶縁性電子注入層の上に形成した傾斜組成を持 つた複合蒸着膜を、実施例 1の 1. 66at. %Mg—残部 Alに代えて、 0. 7at. %Li— 残部 Al、 0. 7at. %Na—残部 Al、 0. 7at. %Ca—残部 Al、 0. 7at. %Sr—残部 Al 、 0. 75at. %Ba—残部 Alそれぞれとして、それぞれの有機 EL素子について、陽極 と陰極との間に DC10Vの直流電圧を印加して電流密度を測定した。電流密度の測 定結果を表 2に示す。
[0041] [表 2]
Figure imgf000013_0001
表 2の電流密度から明らかなように、アルミニウム中に Li, Na, Ca, Sr, Baをそれぞ れ約 0. 7at. %含む傾斜組成を持った複合蒸着膜を LiF絶縁性電子注入層の上に 設けた有機 EL素子は何れも、図 3のグラフに示す LiF絶縁性電子注入層の上に純 アルミニウム膜をつけた陰極をもった従来の有機 EL素子での印加電圧 DC10Vにお ける電流密度約 225mAZcm2 (図 3のグラフ参照)よりも大きな電流密度を持ってい る。 Li, Na, Ca, Sr, Baはいずれも仕事関数は 2. 34〜2. 91という低い値なので、 比抵抗の違!ヽが電流密度の違レヽとなって現れてレヽるものと考えられる。 Srは比抵抗 が A1の比抵抗の約 12倍なので、 0. 7at. %Sr—残部 Alの場合は、 0. 7at. %Li— 残部 Al、 0. 7at. %Na—残部 Alおよび 0. 7at. %Ca—残部 Alそれぞれの傾斜組 成を持った複合蒸着膜を LiF絶縁性電子注入層上に持っているものに比して電流密 度が小さくなつている。 0. 75at. %Ba—残部 A1の傾斜組成を持った複合蒸着膜で は Ba量が上限の 0. 8at. %に近い量含んでいるのと、 Baの比抵抗が大きいので、純 アルミニウムの場合の約 225mAZcm2よりも少しだけ高い 250mAZcm2の電流密 度となっている。
[0043] この結果力 Li, Na, Ca, Srあるいは Baを含む傾斜組成を持った複合蒸着膜は 本発明の有機 EL素子に用いることができることが明らかとなった。なお、複合蒸着膜 の中に Li, Na, Ca, Srあるいは Baが 0. lat. %を超えて含まれることで、純アルミ- ゥム膜の場合よりも電流密度が大きくなり低仕事関数の効果が発揮できる。
実施例 4
[0044] 図 1に示す有機 EL素子で、 LiF絶縁性電子注入層の上に形成した傾斜組成を持 つた複合蒸着膜を、実施例 1の 1. 66at. %Mg—残部 A1に代えて、 Mn—残部 A1と した。複合蒸着膜の Mn含有量を Oat. %から 10. 95at. %まで変化させたそれぞれ の有機 EL素子について、有機 EL層の電流密度と印加した直流電圧との関係を測 定して、その結果を図 5に示している。 Mn含有量が 0. 8at. %では電流密度が純ァ ルミ-ゥム膜 (Mn含有量: Oat. %)の電流密度とほぼ同じとなり、 0. 8at. %を超えた Mn含有量では純アルミニウム膜の場合の電流密度よりも低くなつて 、る。 Mn含有 量が 3. Oat. %となると電流密度が更に低くなる力 0. 5at. %Mn—残部 A1の傾斜 組成を持った複合蒸着膜を LiF絶縁性電子注入層上に設けた有機 EL素子の電流 密度の約 1Z2となっており、 LiFを用いていない場合よりもはるかに大きな電流密度 となっている。 Mnは 4. OeV未満の仕事関数を持っているので本発明の有機 EL素 子の陰極に含むことで電流密度を上げることができる力 Mnの比抵抗が大きいので Mnの持つ低仕事関数効果を有効にするには傾斜組成をもった複合蒸着膜中の M n含有量を 0. 1〜0. 8at. %にする必要がある。 Mnの比抵抗が大きいので、 0. 8at . %を超えて Mnを添加すると Mnの持つ低仕事関数効果はなくなつてしまう。
[0045] しかし、多量の Mnを含有する膜では可視光に対する光反射率が低くなる。膜平均 組成で 0. 5at. %—残部 A1, 3. Oat. %—残部 Al、 10. 95at. %—残部 A1それぞ れの成分を持つ傾斜組成を持った複合蒸着膜では、蒸着初期に形成された膜部分 をォージェ分析した結果それぞれ約 70at. %、約 85at. %、約 90at. %の Mn含有 量を持つことが判明した。これらの複合蒸着膜を 400ηπ!〜 700nmの波長について 光反射率を測定した結果を図 6に示している。純アルミニウム膜の光反射率を基準と して各複合蒸着膜の光反射率を百分率で表している。図 6から、 0. 5at. %—残部 A 1, 3. Oat. %—残部 Al、 10. 95at. %—残部 A1のいずれの場合も可視光領域にお いて低い反射率を持つことがわかる。しかし、 3. Oat. %を超えて Mnを含む傾斜組 成を持った複合蒸着膜は図 5に示したように低い電流密度となるので、 3. Oat. %以 下の Mnを含むことが好まし!/、。
産業上の利用可能性
以上説明したように、本発明の有機 EL素子は、有機 EL層に隣接した陰極として薄 い絶縁性電子注入層と傾斜組成を持った複合蒸着膜とを有するので、有機 EL素子 を流れる電流密度を従来のものよりも大きくすることができて、大きな発光効率を得る ことができ、応答速度が速ぐ視野角依存性のないフラットパネルディスプレイに用い ることが期待される。

Claims

請求の範囲
[1] 陽極と、陰極と、それらの間に介装している有機 EL層とを持っている有機 EL素子 において、
前記陰極は、
前記有機 EL層に一方の面が接して形成された絶縁性電子注入層と、
その絶縁性電子注入層の他の面に蒸着され、 4. OeV未満の仕事関数を持った低仕 事関数金属と、 3. ΟΧ10_6 Ω 'cm未満の比抵抗を持った低比抵抗金属とから実質 的になる傾斜組成を持った複合蒸着膜とからなり、
前記絶縁性電子注入層は 0. 5〜5nm厚で、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金 属の酸ィ匕物あるいはフッ化物力 構成されており、
傾斜組成を持った前記複合蒸着膜は、
絶縁性電子注入層の前記他の面との境界近傍に、前記低仕事関数金属を 70at. % 以上の濃度に含有し、
複合蒸着膜の前記境界と反対面近傍に、前記低比抵抗金属を 70at. %以上の濃度 に含有し、
複合蒸着膜の前記境界近傍から前記反対面近傍に向かい前記低仕事関数金属の 濃度が次第に低くなつているとともに、前記低比抵抗金属の濃度が次第に高くなつて いる
ことを特徴とする有機 EL素子。
[2] 前記低仕事関数金属は Li, Na, Mg, Ca, Sr, Baおよび Mnからなる群力 選ば れた少なくとも 1種の元素であり、前記低比抵抗金属は Au, Ag, Cuおよび A1からな る群力 選ばれた少なくとも 1種の元素である
請求項 1記載の有機 EL素子。
[3] 前記低仕事関数金属が前記低比抵抗金属よりも高! ゝ蒸気圧を持つ請求項 2記載 の有機 EL素子。
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