WO2005116104A1 - 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents

半導体封止用樹脂組成物および半導体装置 Download PDF

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Definitions

  • the present invention relates to a resin composition for semiconductor encapsulation and a semiconductor device using the same.
  • Patent Document 1 See, for example, Patent Document 1
  • Patent Document 2 a method of surface-treating an inorganic filler with a silane coupling agent to increase the blending amount of the inorganic filler is known (for example, see Patent Document 2).
  • Patent Document 2 a method of surface-treating an inorganic filler with a silane coupling agent to increase the blending amount of the inorganic filler.
  • the applicant of the present invention has developed a biphenylene skeleton-containing phenol aralkyl type epoxy resin excellent in solder crack resistance and flame retardancy, and an epoxy resin composition using a biphenylene skeleton-containing phenol aralkyl type curing agent.
  • this epoxy resin composition contains many aromatic rings in the molecular skeleton, it forms on the surface of the molded product during combustion. By forming a carbonized layer, further combustion is suppressed and excellent flame resistance is exhibited.
  • the improvement in hydrophobicity due to the inclusion of the aromatic ring structure and the lowering of the elastic modulus during heating due to the increase in the distance between cross-linking points contribute to the improvement in solder crack resistance.
  • Patent Document 1 JP-A-7-130919
  • Patent Document 2 JP-A-8-20673
  • Patent Document 3 Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-140277 Disclosure of Invention
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation having excellent solder crack resistance, excellent flame resistance, and excellent fluidity and curability. It is to provide a semiconductor device using the same.
  • the present invention provides
  • R is hydrogen or a hydrocarbon having 4 or less carbon atoms, which may be the same or different, and n is an average value and a positive number of 1 or more and 5 or less. Is.
  • R1 is a phenylene group, a biphenylene group or a naphthylene group; R2 is combined with the ⁇ H group to form a phenol, a hy-naphthol or a j3-naphthol skeleton.
  • R3 and R4 are groups introduced into R2 and R1, respectively, and are hydrogen or a hydrocarbon group having 10 or less carbon atoms, which may be the same or different from each other; n is an average value , A positive number from 1 to 10.
  • the compound (F) is a compound in which a hydroxyl group is bonded to each of two adjacent carbon atoms constituting the aromatic ring.
  • the compound (F) is a compound in which a hydroxyl group is bonded to two adjacent carbon atoms constituting the naphthalene ring.
  • the compound of the general formula (2) includes an embodiment such as the following general formula (2 ').
  • R5 is a phenylene group or a biphenylene group
  • R6 is hydrogen or a hydrocarbon having 4 or less carbon atoms, which may be the same or different.
  • N is an average value and is a positive number of 1 or more and 5 or less.
  • a surface mount type semiconductor device package having excellent fluidity during molding and excellent moldability without impairing solder crack resistance and flame resistance, which was difficult to obtain with the conventional technology.
  • An epoxy resin composition suitable for use can be obtained.
  • An epoxy resin composition as an embodiment of the resin composition for semiconductor encapsulation includes an epoxy resin (A) represented by the following general formula (1) and a phenolic resin represented by the following general formula (2) ( B), an inorganic filler (C), a curing accelerator (D), a silane coupling agent (E), and a compound in which a hydroxyl group is bonded to two or more adjacent carbon atoms constituting an aromatic ring. (F), whereby a resin composition for semiconductor encapsulation having excellent solder crack resistance and flame resistance, and excellent fluidity and curability can be obtained.
  • A epoxy resin represented by the following general formula (1)
  • B an inorganic filler
  • D curing accelerator
  • E silane coupling agent
  • F silane coupling agent
  • the epoxy resin (A) used in the present embodiment has a structure represented by the general formula (1)
  • R is hydrogen or a hydrocarbon having 4 or less carbon atoms, which may be the same or different, and is, for example, a methyl group, an ethyl group, or a t_butyl group.
  • n is an average value of the number of units composed of a phenylene skeleton portion and an oxyphenylene skeleton portion in the molecular chain, and is a positive number of 1 or more and 5 or less, preferably 1 or more and 3 or less.
  • the resin composition for semiconductor encapsulation using such an epoxy resin (A) has a lower aromatic ring content than a conventionally used biphenylene skeleton structure. Despite a slight decrease in flame resistance, it has excellent properties such as low viscosity, high curability, high glass transition temperature Tg, and bending strength during heating due to the reduced molecular structure. By reducing the viscosity, the amount of the inorganic filler compounded can be increased, so that the resin has excellent resistance to solder cracking due to low water absorption while covering the reduction in flame resistance of the resin itself. Further, by having a high glass transition temperature Tg, high-temperature storage characteristics, which is one of the long-term reliability of the semiconductor device, is improved.
  • epoxy resin (A) represented by the general formula (1) are shown in the following formula (3), but the epoxy resin (A) is not limited thereto.
  • n is an average value and is a positive number of 1 or more and 5 or less.
  • the epoxy resin that can be used in combination includes all monomers, oligomers and polymers having an epoxy group, such as phenol biphenyl aralkyl type epoxy resin; biphenyl type epoxy resin, stilbene type epoxy resin, hydroquinone type epoxy resin, bisphenol F Crystalline epoxy resins such as epoxy resin of epoxy type and bisphenol A type epoxy resin; onoreso cresol novolak type epoxy resin; dicyclopentadiene modified phenol type epoxy resin; naphthol type epoxy resin; These epoxy resins may be used alone or in combination.
  • an epoxy group such as phenol biphenyl aralkyl type epoxy resin; biphenyl type epoxy resin, stilbene type epoxy resin, hydroquinone type epoxy resin, bisphenol F Crystalline epoxy resins such as epoxy resin of epoxy type and bisphenol A type epoxy resin; onoreso cresol novolak type epoxy resin; dicyclopentadiene modified phenol type epoxy resin; naphthol type epoxy resin; These epoxy resins may be used alone or in combination.
  • the epoxy resin (A) has as little Na ions and C1 ions as ionic impurities as much as possible.
  • the epoxy equivalent is preferably 100 g / eq or more and 500 g / eq or less.
  • the phenolic resin (B) used in the present embodiment has a structure represented by the general formula (2).
  • R 1 is a phenylene group, a biphenylene group or a naphthylene group.
  • R2 together with the OH group, forms a phenol, hyphenaphthol or / 3-naphthol skeleton, and each R2 may be the same or different from each other.
  • R3 and R4 are groups introduced into R2 and R1, respectively, which may be the same or different and are hydrogen or hydrocarbons having 10 or less carbon atoms, such as methyl group, ethyl group, t_butyl Group.
  • N is a phenylene, biphenylene or naphthylene skeleton in the molecular chain and It is an average of the number of units comprising the phenylene and oxinaphthylene skeletons, and is a positive number of 1 or more and 10 or less, preferably 1 or more and 5 or less.
  • Such a phenolic resin (B) has a hydrophobic phenylene group or a hydrophobic and rigid biphenylene skeleton or a naphthylene skeleton between oxyphenylene skeletons or oxynaphthylene skeletons. For this reason, the cured product of the epoxy resin composition using the same has a longer distance between cross-linking points than the case where a nopolak phenol resin is used. Also, it has excellent adhesion to metal substrates. Further, since the aromatic skeleton is hydrophobic and the number of phenolic hydroxyl groups is small, low water absorption can be realized. The manifestation of these properties makes it possible to improve solder resistance.
  • the area-surface-mount type semiconductor is reduced due to an increase in the glass transition temperature Tg due to the rigidity due to the naphthalene ring and a decrease in the linear expansion coefficient due to intermolecular interaction due to the planar structure. Low warpage of the package can be improved.
  • the aromatic group containing a phenolic hydroxyl group (one R2 ( ⁇ H) —) may be phenol, ⁇ -naphthol, or ⁇ -naphthol.
  • the aforementioned naphthylene As with the compound containing a skeleton, an increase in the glass transition temperature Tg and a decrease in the linear expansion coefficient not only have the effect of improving the low warpage property, but also have a large amount of aromatic carbon in the molecule. Improvements in flame resistance can also be realized.
  • Examples of the phenolic resin (B) represented by the general formula (2) include a phenol aralkyl resin having a phenylene skeleton and a phenol aralkyl resin having a biphenylene skeleton. And a naphthol aralkyl resin having a phenylene skeleton, but is not particularly limited as long as it has a structure represented by the formula (2).
  • the phenolic resin (B) represented by the general formula (2) can be used in combination with another phenolic resin.
  • phenol resins that can be used in combination include phenol novolak resins, cresol novolak resins, triphenol methane type phenol resins, terpene-modified phenol resins, and dicyclopentadiene-modified phenol resins.
  • the hydroxyl equivalent is preferably 90 to 250 g / eq from the viewpoint of curability.
  • Examples of the inorganic filler (C) used in the present embodiment include fused silica, spherical silica, crystalline silica, alumina, silicon nitride, aluminum nitride, and the like, which are generally used for a sealing material. .
  • the particle size of the inorganic filler is preferably 0.01 zm or more and 150 ⁇ m or less in consideration of the filling property into the mold. Further, the filling amount of the inorganic filler (C) is preferably 80% by weight or more and 92% by weight or less of the whole epoxy resin composition.
  • the filling amount of the inorganic filler is too small, the warpage of the cured product of the epoxy resin composition increases, and the amount of water absorption increases, and while the strength is reduced, the solder resistance becomes unsatisfactory. Since the moldability is impaired because the fluidity of the epoxy resin composition is impaired, by setting the amount of the inorganic filler in the above range, it is possible to obtain an epoxy resin composition having an excellent balance between the two. it can.
  • the curing accelerator (D) used in the present embodiment may be any one that promotes the reaction between the epoxy group of the epoxy resin and the hydroxyl group of the phenolic resin, and is generally used for encapsulating semiconductor elements.
  • What is used for the epoxy resin composition can be used. Specific examples include phosphorus atom-containing compounds such as organic phosphines, tetra-substituted phosphonium compounds, and phosphobetaine conjugates, and nitrogen atom-containing compounds such as 1,8 diazabicyclo (5,4,0) indene 7, benzyldimethylamine, and 2-methylimidazole. Compounds.
  • organic phosphine examples include first phosphine such as ethyl phosphine and phenyl phosphine, second phosphine such as dimethyl phosphine and diphenyl phosphine, trimethyl phosphine, triethyl phosphine, tributyl phosphine and triphenyl phosphine. No. 3 phosphine.
  • Examples of the tetra-substituted phosphonium compound include a compound represented by the general formula (4).
  • P represents a phosphorus atom.
  • R7, R8, R9 and R10 represent a substituted or unsubstituted aromatic group such as a monomethyl-substituted phenyl group, a monoethyl-substituted phenyl group and the like, or an alkyl group such as an ethyl group, a butyl group and a hexyl group.
  • A represents an anion of an aromatic organic acid having at least one functional group selected from a hydroxyl xyl group, a carboxyl group, and a thiol group in an aromatic ring.
  • AH represents an aromatic organic acid having at least one functional group selected from a hydroxyl group, a carboxyl group, and a thiol group on an aromatic ring.
  • a and b are integers of 1 or more and 3 or less
  • c is an integer of 0 or more and 3 or less
  • a b.
  • the compound represented by the general formula (4) is obtained, for example, as follows. First, tetra-substituted phosphonium bromide, an aromatic organic acid, and a base are mixed in an organic solvent and uniformly mixed to generate an aromatic organic acid anion in the solution system. Then water is added. Then, the compound represented by the general formula (4) can be precipitated. Further, when using the compound represented by the general formula (4), R7, R8, R9 and R10 bonded to the phosphorus atom are phenyl groups, and AH is a compound having a hydroxyl group on an aromatic ring, that is, phenols, And A preferably corresponds to an anion of the phenol.
  • Examples of the phosphobetaine compound include compounds represented by the following general formula (5).
  • X represents hydrogen or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms
  • represents hydrogen or a hydroxy group.
  • m and n are integers of 1 or more and 3 or less.
  • the compound represented by the general formula (5) is obtained, for example, as follows. First, the triaromatic substituted phosphine, which is the third phosphine, is brought into contact with a diazonium salt, and It is obtained through a step of performing a diazo reaction between the substituted phosphine and a diazonium group of the diazonium salt. However, it is not limited to this.
  • the content of the curing accelerator (D) used in the present embodiment is preferably from 0.1% by weight to 1% by weight based on the entire epoxy resin composition. If the content of the curing accelerator (D) is too small, the desired curability of the epoxy resin composition may not be obtained, while if it is too large, the fluidity of the epoxy resin composition may be reduced. However, by setting the content of the curing accelerator within the above range, an epoxy resin composition having an excellent balance between the two can be obtained.
  • the silane coupling agent (E) used in the present embodiment is, for example, epoxy silane, amino silane, ureido silane, mercapto silane and the like.
  • the epoxy resin composition and the inorganic filler Any method can be used as long as it improves the interface strength between the epoxy resin composition and the inorganic filler.
  • the compound (F) described below can significantly improve the viscosity characteristics and flow characteristics due to a synergistic effect when used in combination with the silane coupling agent), and thus the effect of the use of the compound (F) is sufficiently improved.
  • the use of the silane coupling agent (E) is indispensable in order to obtain a good performance.
  • silane coupling agents (E) may be used alone or in combination.
  • the content of the silane coupling agent (E) in the present embodiment is 0.01% by weight or more and 1% by weight or less, preferably 0.05% by weight or more and 0.8% by weight or less in the total epoxy resin composition. It is particularly preferably from 0.1% by weight to 0.6% by weight.
  • the content of the silane coupling agent (E) is too small, the synergistic effect with the compound (F) cannot be sufficiently obtained, while if it is too large, the water absorption of the epoxy resin composition becomes large. In either case, the soldering resistance of the epoxy resin composition in the semiconductor packaging may decrease.
  • the compound (F) in which a hydroxyl group is bonded to two or more adjacent carbon atoms constituting an aromatic ring (hereinafter referred to as compound (F)) used in the present embodiment is a compound other than a hydroxyl group. May be provided.
  • the compound (F) a monocyclic compound represented by the following general formula (6) or a polycyclic compound represented by the following general formula (7) can be used.
  • one of R11 and R15 is a hydroxyl group. That is, when one is a hydroxyl group, the other is hydrogen, a hydroxyl group or a substituent other than a hydroxyl group, and examples of the substituent other than a hydroxyl group include an alkyl group.
  • R12, R13, and R14 are hydrogen, a hydroxyl group, or a substituent other than a hydroxyl group.
  • one of R16 and R22 is a hydroxyl group. That is, when one is a hydroxyl group, the other is hydrogen, a hydroxyl group or a substituent other than a hydroxyl group, and examples of the substituent other than a hydroxyl group include an alkyl group.
  • R17, R18, R19, R20 and R21 are hydrogen, a hydroxyl group or a substituent other than a hydroxyl group.
  • specific examples of the monocyclic compound represented by the general formula (6) include, for example, catechol, pyrogallol, gallic acid, gallic acid ester, and derivatives thereof.
  • Specific examples of the polycyclic compound represented by the general formula (7) include 1,2-dihydroxysinaphthalene, 2,3-dihydroxynaphthalene, and derivatives thereof. So Among them, a compound in which a hydroxyl group is bonded to each of two adjacent carbon atoms constituting an aromatic ring is preferable from the viewpoint of fluidity and curability.
  • the mother nucleus is a compound having a low volatility, a high mass stability and a naphthalene ring.
  • the compound (F) a compound having a naphthalene ring such as 1,2-dihydroxynaphthalene, 2,3-dihydroxynaphthalene and a derivative thereof can be used. Two or more of these compounds (F) may be used in combination.
  • the content of the compound (F) is 0.01% by weight or more, preferably 0.1% by weight, based on the whole epoxy resin composition.
  • the content is from 01% by weight to 1% by weight, more preferably from 0.03% by weight to 0.8% by weight, particularly preferably from 0.05% by weight to 0.5% by weight. If the content of the compound (F) is too small, the viscosity and flow characteristics expected from the synergistic effect with the silane coupling agent (E) cannot be obtained, while if it is too large, the epoxy resin composition In some cases, the curing reaction of the compound is inhibited and the properties of the obtained cured product are poor, so that the performance as a semiconductor encapsulating resin may be reduced. Thus, an epoxy resin composition having an excellent balance between the two can be obtained.
  • the epoxy resin composition of the present embodiment contains the components (A) to (F) as essential components.
  • a natural wax such as carnauba wax, a synthetic wax such as polyethylene wax, Higher fatty acids such as stearic acid and zinc stearate and release agents such as metal salts or paraffin; coloring agents such as carbon black and red iron; low stress additives such as silicone oil and silicone rubber; bismuth oxide water
  • Various additives such as an inorganic ion exchanger such as a sump may be appropriately blended.
  • the epoxy resin composition of the present embodiment is prepared by uniformly mixing the components (A) to (F) and other additives at room temperature using a mixer or the like, and then using a heating roll or kneader, an extruder, or the like. It can be produced by melt-kneading, cooling and pulverizing.
  • a molding method such as transfer molding, compression molding, injection molding, or the like is used for the epoxy resin composition. Molding and curing.
  • Example 1 Hereinafter, the present invention will be described specifically with reference to Experimental Examples, but the present invention is not limited to these Experimental Examples.
  • the blending ratio is by weight.
  • R1 biphenylene group
  • R3 hydrogen atom
  • R4 hydrogen atom
  • Spherical fused silica (average particle size 30 ⁇ m) 86.0 parts by weight Triphenylphosphine 0.2 parts by weight
  • 'Curing torque ratio Using a curast meter (manufactured by Orientec Co., Ltd., JSR curast meter IVP S type), the mold temperature was 175 ° C, and 90 to 300 seconds after the start of heating, Tonorek was determined. , Curing torque ratio: (torque after 90 seconds) / (tornole after 300 seconds) was calculated. Tonorek in the curast meter is a parameter of thermal rigidity, and the larger the curing torque ratio, the better the curability. Units%.
  • a 6 x 6 x 0.30mm Si chip bonded to a 4mm 100pQFP (Cu frame) was molded at a mold temperature of 175 ° C, an injection time of 10sec, a curing time of 90sec, and an injection pressure of 9.8MPa.
  • the obtained molded product is humidified for 48 hours at 85 ° C and 85% relative humidity, and continuously subjected to IR reflow at a peak temperature of 260 ° C three times (255 ° C or more).
  • the sample was passed for 10 seconds X 3 times), and the presence or absence of internal cracks and peeling was measured using an ultrasonic flaw detector, and the number of chip peelings and internal cracks in 10 packages was determined.
  • Biphenyl type epoxy resin manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., YX-4000H, melting point 105 ° C, epoxy equivalent 191
  • Phenol novolak resin (Sumitomo Bakelite Co., Ltd., PR_HF_3, softening point 80 ° C, hydroxyl equivalent 105)
  • DBU 8-Diazabicyclo (5,4,0) ndene-1 7 (hereinafter abbreviated as DBU) Curing accelerator represented by formula (8)
  • the experimental example 21 is further inferior in terms of low water absorption, flame resistance, and solder crack resistance.
  • the silane coupling agent (E) was not used, the adhesion to the organic substrate or the metal substrate was reduced, resulting in poor solder crack resistance.
  • Experimental examples 18, 22, 23, 25 in which the compound (F) in which a hydroxyl group is bonded to two or more adjacent carbon atoms constituting an aromatic ring are not used, or the compounding amount is insufficient.
  • 26, 27, 28, and 29 have poor fluidity, and have a high possibility of causing defects during semiconductor encapsulation molding, such as gold wire deformation and poor filling.
  • the epoxy resin composition of the present invention it is possible to provide a semiconductor device package having an excellent balance among curability, fluidity, flame resistance, and solder resistance.

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Abstract

 耐半田クラック性、耐燃性を損なうことなく流動性・成形性に優れた特性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供することを目的とする。本発明は、所定の構造を有するエポキシ樹脂(A)と、所定の構造を有するフェノール系樹脂(B)と、無機充填剤(C)と、硬化促進剤(D)と、シランカップリング剤(E)と、芳香環を構成する2個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物(F)と、を含むことを特徴とする半導体封止用樹脂組成物である。

Description

明 細 書
半導体封止用樹脂組成物および半導体装置
技術分野
[0001] 本発明は、半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置に関するも のである。
背景技術
[0002] 近年、半導体装置は生産性、コスト、信頼性等のバランスに優れることからエポキシ 樹脂組成物を用いて封止されるのが主流となっている。半導体装置の小型化、薄型 化に伴い、封止用エポキシ樹脂組成物に対しては、より一層の低粘度化、高強度化 が要求されている。また、環境問題から Br化合物や酸化アンチモン等の難燃剤を使 わずに難燃化する要求が高まってきている。このような背景から、最近のエポキシ樹 脂組成物の動向は、より低粘度の樹脂を適用し、より多くの無機充填剤を配合する傾 向が強くなつている。また新たな動きとして、半導体装置を実装する際、従来よりも融 点の高い無鉛半田の使用が高まってきている。この半田の適用により実装温度を従 来に比べ約 20°C高くする必要があり、実装後の半導体装置の信頼性が現状に比べ 著しく低下する問題が生じている。このようなことからエポキシ樹脂組成物のレベルァ ップによる半導体装置の信頼性の向上要求が加速的に強くなつてきており、樹脂の 低粘度化と無機充填剤の高充填化に拍車力かかっている。
[0003] 成形時に低粘度で高流動性を維持するためには、溶融粘度の低い樹脂を用いたり
(例えば、特許文献 1参照)、また無機充填材の配合量を高めるために無機充填剤を シランカップリング剤で表面処理する方法が知られている(例えば、特許文献 2参照) 。しかし、これらの方法だけでは実装時の耐半田クラック性、流動性、および難燃性 のすベてを満足する手法は未だ見出されてレヽなレ、。
[0004] そこで本出願人は、耐半田クラック性、難燃性に優れたビフヱ二レン骨格含有フエノ ールァラルキル型エポキシ樹脂、ビフヱ二レン骨格含有フエノールァラルキル型硬化 剤を用いたエポキシ樹脂組成物を提案している(例えば、特許文献 3参照)。このェ ポキシ樹脂組成物は分子骨格に芳香族環を多く含むことから燃焼時、成形物表層に 炭化層を形成することにより、さらなる燃焼を抑え、優れた耐燃性を示す。また、芳香 族環構造含有による疎水性の向上、架橋点間距離増大による熱時低弾性率化が耐 半田クラック性向上に寄与している。
特許文献 1 :特開平 7— 130919号公報
特許文献 2:特開平 8 _ 20673号公報
特許文献 3:特開平 11 - 140277号公報発明の開示
[0005] し力 ながら、難燃剤フリーでかつ半導体装置の信頼性向上に対する要求が高度 化し、さらなる耐半田クラック性、耐燃性の向上が望まれている。その対策としては無 機充填剤の配合量を高めることで解決できると考えられるが、ビフエ二レン骨格含有 エポキシ樹脂、硬化剤は溶融粘度が低くなぐ流動性、硬化性が損なわれる可能性 が高い。流動性と硬化性も併せて満足する技術が求められていた。
[0006] 本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、耐半田クラック性、 耐燃性に優れ、且つ流動性、硬化性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物お よびそれを用いた半導体装置を提供することにある。
[0007] 本発明は、
[1]下記一般式(1)で示されるエポキシ樹脂 (A)と、下記一般式(2)で示されるフエ ノール系樹脂 (B)と、無機充填剤(C)と、硬化促進剤(D)と、シランカップリング剤 (E )と、芳香環を構成する 2個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した 化合物 (F)と、を含むことを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。
[0008] [化 1]
Figure imgf000003_0001
[0009] (ただし、上記一般式(1)において、 Rはそれぞれ同一でも異なっていてもよぐ水素 または炭素数 4以下の炭化水素であり、 nは平均値で、 1以上 5以下の正数である。 ) [0010] [化 2]
Figure imgf000004_0001
(ただし、上記一般式(2)において、 R1はフエ二レン基、ビフエ二レン基又はナフチレ ン基であり; R2は〇H基と一緒になつてフエノール、 ひ一ナフトール又は j3—ナフトー ル骨格を形成し; R3, R4はそれぞれ R2、 R1に導入される基であり、水素又は炭素 数 10以下の炭化水素基であり、これらは互いに同一でも異なっていてもよく; nは平 均値で、 1以上 10以下の正数である。 )
[0011] [2]上記第 [1]項に記載の半導体封止用樹脂組成物において、前記化合物 (F)を 当該樹脂組成物全体の 0. 01重量%以上含むことを特徴とする半導体封止用樹脂 組成物、
[3]上記第 [1]項に記載の半導体封止用樹脂組成物において、シランカップリング 剤 (E)を当該樹脂組成物全体の 0. 01重量%以上 1重量%以下含むことを特徴とす る半導体封止用樹脂組成物、
[4]上記第 [1]項に記載の半導体封止用樹脂組成物において、前記化合物 (F)は、 前記芳香環を構成する 2個の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合 物であることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物、
[5]上記第 [1]項に記載の半導体封止用樹脂組成物において、前記化合物 (F)の 芳香環がナフタレン環であることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物、
[6]上記第 [5]項に記載の半導体封止用樹脂組成物において、前記化合物 (F)は、 前記ナフタレン環を構成する 2個の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した 化合物であることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物、
[7]上記第 [1]項に記載の半導体封止用樹脂組成物において、無機充填剤 (C)の 含有量が 80重量%以上 92重量%以下であることを特徴とする半導体封止用樹脂組 成物、 [8]上記第 [1]項に記載の半導体封止用樹脂組成物を用いて半導体素子を封止し てなることを特徴とする半導体装置、
である。
[0012] なお、上記一般式(2)の化合物には、下記一般式(2' )のような態様が含まれる。
[0013] [化 3]
Figure imgf000005_0001
(ただし、上記一般式(2,)において、 R5はフエ二レン基又はビフエ二レン基であり、 R 6はそれぞれ同一でも異なっていてもよぐ水素または炭素数 4以下の炭化水素であ り、 nは平均値で、 1以上 5以下の正数である。 )
[0014] 本発明によれば、従来技術では得るのが困難であった耐半田クラック性、耐燃性を 損なうことなく成形時の流動性'成形性に優れ、表面実装型の半導体装置パッケ一 ジ用として好適なエポキシ樹脂組成物を得ることができる。
発明を実施するための最良の形態
[0015] 以下、本発明の半導体封止用樹脂組成物の実施形態について詳細に説明する。
前記半導体封止用樹脂組成物の実施形態であるエポキシ樹脂組成物は、下記の 一般式(1)で示されるエポキシ樹脂 (A)と、下記の一般式(2)で示されるフエノール 系樹脂 (B)と、無機充填剤(C)と、硬化促進剤 (D)と、シランカップリング剤 (E)と、芳 香環を構成する 2個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物( F)と、を含み、これにより耐半田クラック性、耐燃性に優れ、且つ流動性、硬化性に 優れた半導体封止用樹脂組成物が得られるものである。
[0016] 以下、各成分について詳細に説明する。
本実施形態で用いられるエポキシ樹脂 (A)は、一般式(1)で示される構造を有する
[0017] [化 4]
Figure imgf000006_0001
[0018] 一般式(1)において、 Rはそれぞれ同一でも異なっていてもよぐ水素または炭素 数 4以下の炭化水素であり、例えばメチル基、ェチル基、 t_ブチル基である。また、 nは分子鎖中のフエ二レン骨格部分およびォキシフエ二レン骨格部分からなるュニッ ト数の平均値で、 1以上 5以下、好ましくは 1以上 3以下の正数である。
[0019] このようなエポキシ樹脂 (A)を用いた半導体封止用樹脂組成物は、従来より用いら れているビフヱ二レン骨格構造と比べると芳香族環の含有率が低くなることから、若 干の耐燃性の低下が見られるものの、分子構造が小さくなることによる低粘度性、高 い硬化性、高いガラス転移温度 Tg、加熱時曲げ強度に優れた特性を有する。低粘 度化により、無機充填剤の配合量を高めることができるため、樹脂自体の耐燃性の低 下をカバーしつつ、低吸水化による優れた耐半田クラック性を有するものである。また 、高いガラス転移温度 Tgを有することにより、半導体装置の長期信頼性の一つであ る高温保管特性が良好になる。
[0020] ここで一般式(1)で示されるエポキシ樹脂 (A)の具体例を下記式(3)に示すが、ェ ポキシ樹脂 (A)はこれらに限定されるものではない。
[0021] [化 5]
Figure imgf000006_0002
[0022] (ただし、上記式(3)において、 nは平均値で、 1以上 5以下の正数である。 ) また、一般式(1)で示されるエポキシ樹脂を用いることによる効果が損なわれない 範囲で、他のエポキシ樹脂と併用することができる。併用できるエポキシ樹脂としては 、エポキシ基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を指し、例えばフエノール ビフエニルァラルキル型エポキシ樹脂;ビフヱニル型エポキシ樹脂、スチルベン型ェ ポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、ビスフエノール F型エポキシ樹脂、ビスフ ェノール A型エポキシ樹脂等の結晶性エポキシ樹脂;オノレソクレゾールノボラック型ェ ポキシ樹脂、ジシクロペンタジェン変性フエノール型エポキシ樹脂、ナフトール型ェポ キシ榭脂等が挙げられる。またこれらのエポキシ樹脂は、単独もしくは混合して用い ても差し支えない。
[0023] 半導体封止用エポキシ樹脂組成物としての耐湿信頼性を考慮すると、エポキシ榭 脂 (A)にはイオン性不純物である Naイオンや C1イオンが極力少ない方が好ましぐ 一方で硬化性の点からエポキシ当量は 100g/eq以上 500g/eq以下であることが 好ましい。
[0024] 本実施形態で用いられるフエノール系樹脂(B)は、一般式(2)で示される構造を有 する。
[0025] [化 6]
Figure imgf000007_0001
[0026] 一般式(2)におレ、て、 R1はフエ二レン基、ビフエ二レン基又はナフチレン基である。
また、 R2は OH基と一緒になつてフエノール、 ひ一ナフトール又は /3—ナフトール骨 格を形成し、各 R2は互いに同一でも異なっていてもよレ、。 R3, R4はそれぞれ R2, R 1に導入される基であり、これらはそれぞれ同一でも異なっていてもよぐ水素または 炭素数 10以下の炭化水素であり、例えばメチル基、ェチル基、 t_ブチル基である。 また、 nは分子鎖中のフエ二レン、ビフエ二レン又はナフチレン骨格部分およびォキシ フエ二レン、ォキシナフチレン骨格部分からなるユニット数の平均値で、 1以上 10以 下、好ましくは 1以上 5以下の正数である。
[0027] このようなフエノール系樹脂(B)は、ォキシフエ二レン骨格、あるいはォキシナフチレ ン骨格間に疎水性のフヱニレン基又は疎水性でありかつ剛直なビフヱ二レン骨格、 ナフチレン骨格を有する。このため、これを用いたエポキシ樹脂組成物の硬化物はノ ポラック型フエノール樹脂を用いた場合と比べて、架橋点間距離が長いため、高温下 において低弾性率化され、半導体素子、有機基板及び金属基板との密着性に優れ る。また、芳香族骨格が疎水性であり、かつ、フエノール性水酸基が少ないことから、 低吸水化を実現することができる。それらの特性の発現により、耐半田性向上が可能 になる。さらにナフチレン骨格を含有する化合物においては、ナフタレン環に起因す る剛直性によるガラス転移温度 Tgの上昇やその平面構造に起因する分子間相互作 用による線膨張係数の低下により、エリア表面実装型半導体パッケージにおける低 反り性を向上させることができる。また、フエノール性水酸基を含有する芳香族基(一 R2 (〇H)—)としては、フエノール、あるいは α—ナフトール、 β—ナフトールのいず れでもよいが、特にナフトールである場合は前述のナフチレン骨格を含有する化合 物と同様に、ガラス転移温度 Tgの上昇や線膨張係数の低下により、低反り性を向上 させる効果が得られる上に、さらに分子中に芳香族炭素を多く存在させることから耐 燃性の向上も実現することができる。
[0028] 一般式(2)で表されるフエノール系樹脂(B)としては、例えばフエ二レン骨格を含有 するフエノールァラルキル樹脂、ビフヱ二レン骨格を含有するフヱノールァラルキル樹 脂、フエ二レン骨格を含有するナフトールァラルキル樹脂が挙げられるが、式(2)の 構造を有する範囲であれば特に限定するものではない。
[0029] また、一般式(2)で表されるフエノール系樹脂(B)による効果が損なわれなレ、範囲 で、他のフエノール樹脂と併用することができる。併用できるフエノール樹脂としては、 例えばフエノールノボラック樹脂、クレゾ一ルノボラック樹脂、トリフエノールメタン型フ ヱノール樹脂、テルペン変性フヱノール樹脂、ジシクロペンタジェン変性フエノール樹 脂等が挙げられる。併用されるフエノール樹脂において、硬化性の点から水酸基当 量は 90〜250g/eqであることが好ましい。 [0030] 本実施形態で用いられる無機充填剤(C)としては、一般に封止材料に用いられて レ、る溶融シリカ、球状シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミ等が挙げら れる。無機充填剤の粒径としては、金型への充填性を考慮すると 0. 01 z m以上 15 0 μ m以下であることが望ましい。また無機充填剤(C)の充填量としてはエポキシ樹 脂組成物全体の 80重量%以上 92重量%以下が好ましい。無機充填剤の充填量が 小さすぎると、エポキシ樹脂組成物の硬化物の反りが増加し、且つ吸水量が増加し、 強度が低下するため耐半田性が不満足になる一方で、大きすぎると、エポキシ樹脂 組成物の流動性が損なわれるために成形性に不具合を生じるところ、無機充填剤の 充填量を上記の範囲にすることで、両者のバランスに優れたエポキシ樹脂組成物を 得ること力 Sできる。
[0031] 本実施形態で用いられる硬化促進剤(D)は、エポキシ樹脂のエポキシ基とフエノー ル系樹脂の水酸基との反応を促進するものであればよぐ一般に半導体素子の封止 に用いられるエポキシ樹脂組成物に使用されているものを利用することができる。具 体例として有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニゥム化合物、ホスホべタインィ匕合物等 のリン原子含有化合物、 1 , 8 ジァザビシクロ(5, 4, 0)ゥンデセン 7、ベンジルジ メチルァミン、 2—メチルイミダゾール等の窒素原子含有化合物が挙げられる。
[0032] 有機ホスフィンとしては、例えばェチルホスフィン、フエニルホスフィン等の第 1ホス フィン、ジメチルホスフィン、ジフエニルホスフィン等の第 2ホスフィン、トリメチルホスフ イン、トリェチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフエニルホスフィン等の第 3ホスフ インが挙げられる。
[0033] テトラ置換ホスホニゥム化合物としては、一般式 (4)に示す化合物が挙げられる。
[0034] [化 7]
J c (4)
Figure imgf000009_0001
[0035] 一般式 (4)において、 Pはリン原子を表す。 R7、 R8、 R9および R10は置換もしくは 無置換の芳香族基、例えばモノメチル置換フエニル基、モノェチル置換フエニル基 等、またはアルキル基、例えばェチル基、ブチル基、へキシル基等を表す。 Aはヒド 口キシル基、カルボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環 に少なくとも 1つ有する芳香族有機酸のァニオンを表す。 AHはヒドロキシノレ基、カル ボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも 1つ 有する芳香族有機酸を表す。 a、 bは 1以上 3以下の整数、 cは 0以上 3以下の整数で あり、かつ a = bである。
[0036] この一般式 (4)に示す化合物は、例えば以下のようにして得られる。まず、テトラ置 換ホスホニゥムブロマイドと芳香族有機酸と塩基を有機溶剤に混ぜ均一に混合し、そ の溶液系内に芳香族有機酸ァニオンを発生させる。次いで水を加える。すると、上記 一般式 (4)に示す化合物を沈殿させることができる。また、一般式 (4)に示す化合物 の使用に際して、リン原子に結合する R7、 R8、 R9および R10がフエニル基であり、 かつ AHはヒドロキシル基を芳香環に有する化合物、すなわちフエノール類であり、か つ Aは該フエノール類のァニオンに相当するものであることが好ましレ、。
[0037] ホスホべタイン化合物としては、下記一般式(5)に示す化合物が挙げられる。
[0038] [化 8]
Figure imgf000010_0001
Yn
[0039] 一般式(5)において、 Xは水素または炭素数 1以上 3以下のアルキル基であり、 Υは 水素またはヒドロキシノレ基を表す。 m、 nは 1以上 3以下の整数である。
[0040] この一般式(5)に示す化合物は、例えば以下のようにして得られる。まず、第 3ホス フィンであるトリ芳香族置換ホスフィンとジァゾニゥム塩とを接触させ、前記トリ芳香族 置換ホスフィンと前記ジァゾニゥム塩が有するジァゾニゥム基とのジァゾ反応を行うェ 程を経て得られる。しかしこれに限定されるものではない。
[0041] 本実施形態で用いられる硬化促進剤(D)の含有量は、全エポキシ樹脂組成物中 0 . 1重量%以上 1重量%以下が好ましい。硬化促進剤(D)の含有量が、小さすぎると 、エポキシ樹脂組成物に対して目的とする硬化性が得られないことがある一方で、大 きすぎると、エポキシ樹脂組成物の流動性が損なわれることがあるところ、硬化促進 剤の含有量を上記の範囲にすることで、両者のバランスに優れるエポキシ樹脂組成 物を得ることができる。
[0042] 本実施形態で用いられるシランカップリング剤(E)は、エポキシシラン、アミノシラン 、ウレイドシラン、メルカプトシラン等であり、特に限定されることはなぐエポキシ樹脂 組成物と無機充填剤との間で反応し、エポキシ樹脂組成物と無機充填剤との界面強 度を向上させるものであればよい。また、後述する化合物(F)は、シランカップリング 剤 )と併せて用いたときの相乗効果により、粘度特性および流動特性を著しく改善 させることができるため、化合物(F)の利用による効果を充分に得るためにも、シラン カップリング剤 (E)の使用は必須である。これらのシランカップリング剤 (E)は単独で も併用してもよい。本実施形態におけるシランカップリング剤(E)の含有量は、全ェポ キシ榭脂組成物中 0. 01重量%以上 1重量%以下、好ましくは 0. 05重量%以上 0. 8重量%以下、特に好ましくは 0. 1重量%以上 0. 6重量%以下である。ここで、シラ ンカップリング剤(E)の含有量が、小さすぎると、化合物(F)との相乗効果が充分に 得られない一方で、大きすぎると、エポキシ樹脂組成物の吸水性が大きくなり、いず れの場合においてもエポキシ樹脂組成物の半導体のパッケージングにおける耐半田 性が低下することがあるところ、シランカップリング剤(E)の含有量を上記の範囲にす ることで、半導体のパッケージングにおける耐半田性が良好なエポキシ樹脂組成物 を得ることができる。
[0043] 本実施形態で用いられる芳香環を構成する 2個以上の隣接する炭素原子にそれぞ れ水酸基が結合した化合物(F) (以下化合物(F)と称する)は、水酸基以外の置換 基を有していてもよい。化合物 (F)としては、下記一般式 (6)で示される単環式化合 物または下記一般式(7)で示される多環式化合物を用いることができる。 [0044] [化 9]
Figure imgf000012_0001
[0045] 一般式(6)において、 Rl l、 R15はどちらか一方が水酸基である。すなわち、片方 が水酸基のとき他方は水素、水酸基または水酸基以外の置換基であり、水酸基以外 の置換基としては例えばアルキル基が挙げられる。 R12、 R13、 R14は水素、水酸基 または水酸基以外の置換基である。
[0046] [化 10]
R 1 6 R 1 7
Figure imgf000012_0002
R21 R20
[0047] 一般式(7)において、 R16、 R22はどちらか一方が水酸基である。すなわち、片方 が水酸基のとき他方は水素、水酸基または水酸基以外の置換基であり、水酸基以外 の置換基としては例えばアルキル基が挙げられる。 R17、 R18、 R19、 R20、 R21は 水素、水酸基または水酸基以外の置換基である。
[0048] ここで、一般式(6)で示される単環式化合物の具体例として、例えば、カテコール、 ピロガロール、没食子酸、没食子酸エステルまたはこれらの誘導体が挙げられる。ま た、一般式(7)で示される多環式化合物の具体例として、例えば、 1, 2—ジヒドロキ シナフタレン、 2, 3—ジヒドロキシナフタレンおよびこれらの誘導体が挙げられる。そ のうち流動性および硬化性の制御のしゃすさから、芳香環を構成する 2個の隣接す る炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物が好ましい。また、混練工程での揮 発を考慮した場合、母核は低揮発性で枰量安定性の高レ、ナフタレン環である化合物 とすることがより好ましい。この観点からは、化合物(F)としては、例えば 1, 2—ジヒド ロキシナフタレン、 2, 3—ジヒドロキシナフタレンおよびその誘導体等のナフタレン環 を有する化合物を用いることができる。これらの化合物(F)は 2種以上併用してもよい
[0049] 化合物(F)の含有量は全エポキシ樹脂組成物中 0. 01重量%以上、好ましくは 0.
01重量%以上 1重量%以下、さらに好ましくは 0. 03重量%以上 0. 8重量%以下、 特に好ましくは 0. 05重量%以上 0. 5重量%以下である。化合物(F)の含有量が、 小さすぎると、シランカップリング剤 (E)との相乗効果により期待されるような粘度特性 および流動特性が得られない一方で、大きすぎると、エポキシ樹脂組成物の硬化反 応が阻害され、また得られる硬化物の物性が劣るため、半導体封止樹脂としての性 能が低下することがあるところ、化合物(F)の含有量を上記の範囲にすることで、両 者のバランスに優れるエポキシ樹脂組成物を得ることができる。
[0050] 本実施形態のエポキシ樹脂組成物は、 (A)〜(F)成分を必須成分とするが、これ 以外に必要に応じてカルナバワックス等の天然ワックス、ポリエチレンワックス等の合 成ワックス、ステアリン酸やステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸及びその金属塩類若し くはパラフィン等の離型剤;カーボンブラック、ベンガラ等の着色剤;シリコーンオイノレ 、シリコーンゴム等の低応力添加剤;酸化ビスマス水和物等の無機イオン交換体;等 、種々の添加剤を適宜配合してもよい。
[0051] 本実施形態のエポキシ樹脂組成物は、(A)〜(F)成分およびその他の添加剤等を ミキサー等を用いて常温で均一に混合した後、加熱ロールまたはニーダー、押出機 等で溶融混練し、冷却後粉砕して製造することができる。
[0052] 本実施形態のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子を封止して半導体装置 を製造する際には、このエポキシ樹脂組成物をトランスファーモールド、コンプレツシ ヨンモールド、インジェクションモールド等の成形方法で成形硬化する。
(実施例 1) [0053] 以下、本発明を実験例にて具体的に説明するが、本発明はこれらの実験例により なんら限定されるものではない。なお、配合割合は重量部とする。
[0054] (実験例 1)
フエノールフエニルァラルキル型エポキシ樹脂(エポキシ当量 235、式(1)の「n」 = 4. 0、融点 52°C) 6. 8重量部 フエノールビフヱニルァラルキル樹脂(明和化成(株)製、 MEH— 7851SS、水酸 基当量 203、式(2)の「n」= 2. 5、軟化点 66°C、式(2)において R1:ビフヱ二レン基 、 R2 (OH):フエノール、 R3:水素原子、 R4:水素原子) 5. 9重量部
球状溶融シリカ(平均粒径 30 μ m) 86. 0重量部 トリフエニルホスフィン 0. 2重量部
2, 3—ジヒドロキシナフタレン 0. 05重量部 カルナバワックス 0. 2重量部 カーボンブラック 0. 3重量部 をミキサーにて常温混合し、 80〜100°Cの加熱ロールで溶融混練し、冷却後粉砕し 、エポキシ樹脂組成物を得た。評価結果を表 1に示す。
[0055] 'スパイラルフロー: EMMI— 1— 66に準じた金型を用レ、、実験例 1のエポキシ樹脂 組成物を低圧トランスファー成形機にて 175°C、成形圧 6. 9MPa、保圧時間 120秒 の条件で成形し測定。スパイラルフローは、流動性のパラメータであり、数値が大きい 方が流動性が良好である。単位は cm。
[0056] '硬化トルク比:キュラストメーター(オリエンテック(株)製、 JSRキュラストメーター IVP S型)を用い、金型温度 175°C、加熱開始 90秒後、 300秒後のトノレクを求め、硬化ト ルク比:(90秒後のトルク)/ (300秒後のトノレク)を計算した。キュラストメーターにお けるトノレクは熱剛性のパラメータであり、硬化トルク比の大きい方が硬化性が良好で ある。単位は%。
[0057] ·吸水率:トランスファー成形機を用いて、金型温度 175°C、注入圧力 7. 4MPa、硬 化時間 2分で、直径 50mm、厚さ 3mmの成形品を成形し、 175°C、 8時間で後硬化 し、得られた成形品を 85°C、相対湿度 85%の環境下で 168時間加湿処理し、重量 変化を測定して吸水率を求めた。単位は重量%。
[0058] ·難燃性:金型温度 175°C、注入時間 15sec、硬化時間 120sec、注入圧 9. 8MPa で 3. 2mm厚の難燃試験片を成形し、 UL94の規格に貝 I」り難燃試験を行った。
[0059] '耐半田クラック性:低圧トランスファー成形機を用いて、ボディーサイズ 14 X 14 X 1
. 4mmの 100pQFP (Cuフレーム)に 6 X 6 X 0. 30mmの Siチップを接着したフレー ムを、金型温度 175°C、注入時間 10sec、硬化時間 90sec、注入圧 9. 8MPaで成形 し、 175°C8hrの条件で後硬化後、得られた成形品を 85°C、相対湿度 85%の環境 下で 48hr加湿処理し、ピーク温度 260°Cの IRリフローに連続 3回(255°C以上が 10 秒 X 3回)通し、超音波探傷機を用いて内部クラック、剥離の有無を測定し、 10パッ ケージ中のチップ剥離と内部クラックの数で判定した。
[0060] (実験例 2〜29)
表 1および表 2の配合に従レ、、実験例 1と同様にしてエポキシ樹脂組成物を製造し 、実験例 1と同様にして評価した。評価結果を表 1および表 2に示す。
[0061] 実験例 1以外で用いた成分について、以下に示す。
ビフエニル型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製、 YX— 4000H、融点 1 05°C、エポキシ当量 191)
フエノールフエニルァラルキル樹脂(三井化学 (株)製、 XLC—4L、軟ィ匕点 65°C、 水酸基当量 165、式(2)の「n」= 3. 4、式(2)において R1:フヱニレン基、 R2 (OH) :フエノール、 R3:水素原子、 R4:水素原子)
ナフトールフエニルァラルキル樹脂 (新日鐵化学 (株)製、 SN_485、軟化点 85°C 、水酸基当量 210。式(2)の「n」= l . 6、式(2)において R1:フヱニレン基、 R2 (〇H ): β—ナフトール、 R3 :水素原子、 R4 :水素原子)
フエノールノボラック樹脂(住友ベークライト (株)製、 PR_HF_ 3、軟化点 80°C、 水酸基当量 105)
Figure imgf000015_0001
8—ジァザビシクロ(5, 4, 0)ゥンデセン一 7 (以下、 DBUと略す) 式 (8)で示される硬化促進剤
[0062] [化 11]
Figure imgf000016_0001
[0063] 式(9)で示される硬化促進剤 [0064] [化 12]
Figure imgf000016_0002
[0065] 1, 2—ジヒドロキシナフタレン 力テコーノレ
ピロガローノレ
1, 6 _ジヒドロキシナフタレン レゾルシノール
[0066] [表 1]
表 1
Figure imgf000017_0001
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二 d ^田0
Figure imgf000018_0001
樹脂 (A)、及び一般式 (2)で示されるフエノール系樹脂 (B)を用いてレ、なレ、実験例 2 1は、低吸水性、耐燃性、耐半田クラック性の面で更に劣る結果となっている。また、 シランカップリング剤(E)を用いていない実験例 23及び 24は、有機基板又は金属基 板との密着性が低下することにより、耐半田クラック性が劣る結果となっている。また、 芳香環を構成する 2個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合 物(F)を用いていないか、又はその配合量が不足している実験例 18、 22、 23、 25、 26、 27、 28及び 29は、流動性が劣る結果となっており、金線変形や充填不良等、 半導体封止成形時に不具合を生じる可能性が高いものとなっている。以上より、本発 明のエポキシ樹脂組成物を使用することにより、硬化性、流動性、耐燃性、耐半田性 のバランスの優れた半導体装置パッケージを提供することができる。

Claims

請求の範囲 下記一般式(1)で示されるエポキシ樹脂 (A)と、下記一般式(2)で示されるフエノ ール系樹脂 (B)と、無機充填剤(C)と、硬化促進剤 (D)と、シランカップリング剤 (E) と、芳香環を構成する 2個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化 合物 (F)と、を含むことを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。 [化 1]
(ただし、上記一般式(1)において、 Rはそれぞれ同一でも異なっていてもよぐ水素 または炭素数 4以下の炭化水素であり、 nは平均値で、 1以上 5以下の正数である。 ) [化 2]
Figure imgf000020_0002
(ただし、上記一般式(2)において、 R1はフエ二レン基、ビフエ二レン基又はナフチレ ン基であり; R2は〇H基と一緒になつてフエノール、 ひ一ナフトール又は j3—ナフトー ル骨格を形成し; R3, R4はそれぞれ R2、 R1に導入される基であり、水素又は炭素 数 10以下の炭化水素基であり、これらは互いに同一でも異なっていてもよく; nは平 均値で、 1以上 10以下の正数である。 )
[2] 請求の範囲第 1項に記載の半導体封止用樹脂組成物において、
前記化合物 (F)を当該樹脂組成物全体の 0. 01重量%以上含むことを特徴とする 半導体封止用樹脂組成物。
[3] 請求の範囲第 1項に記載の半導体封止用樹脂組成物において、
シランカップリング剤(E)を当該樹脂組成物全体の 0. 01重量%以上 1重量%以下 含むことを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。
[4] 請求の範囲第 1項に記載の半導体封止用樹脂組成物において、
前記化合物 (F)は、前記芳香環を構成する 2個の隣接する炭素原子にそれぞれ水 酸基が結合した化合物であることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。
[5] 請求の範囲第 1項に記載の半導体封止用樹脂組成物において、
前記化合物 (F)の芳香環がナフタレン環であることを特徴とする半導体封止用樹 脂組成物。
[6] 請求の範囲第 5項に記載の半導体封止用樹脂組成物において、
前記化合物(F)は、前記ナフタレン環を構成する 2個の隣接する炭素原子にそれ ぞれ水酸基が結合した化合物であることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。
[7] 請求の範囲第 1項に記載の半導体封止用樹脂組成物において、
前記無機充填剤(C)の含有量が 80重量%以上 92重量%以下であることを特徴と する半導体封止用樹脂組成物。
[8] 請求の範囲第 1項に記載の半導体封止用樹脂組成物を用いて半導体素子を封止 してなることを特徴とする半導体装置。
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