WO2005109589A1 - 過電流検出回路及びこれを有する電源装置 - Google Patents

過電流検出回路及びこれを有する電源装置 Download PDF

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output voltage
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PCT/JP2005/008164
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Hirokazu Oki
Yuzo Ide
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Rohm Co., Ltd
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Definitions

  • the present invention relates to an overcurrent detection circuit used for a power supply device or the like.
  • the present invention relates to an overcurrent detection circuit used in a power supply device having a switching element that outputs a current to a load.
  • the present invention relates to a power supply device having the overcurrent detection circuit.
  • FIG. 4 is a diagram showing an electrical configuration of a power supply device 100 including a conventional overcurrent detection circuit.
  • the input voltage Va is supplied to the source electrode of a P-channel (P-type semiconductor) MOS transistor (insulated-gate field-effect transistor) 101, and its drain electrode is connected to the input of the power source of the diode 105 and the overcurrent detection circuit 104.
  • a capacitor 107 and one end of a load 102 via an inductor 106.
  • the anode of the diode 105, the other end of the capacitor 107, and the other end of the load 102 are grounded.
  • the overcurrent detection circuit 104 compares the voltage of the drain electrode of the MOS transistor 101 with a reference voltage provided therein, so that the drain current of the MOS transistor 101 does not become an overcurrent. (The overcurrent detection value determined by the reference voltage is not exceeded), and the result is given to the control unit 103.
  • the control unit 103 monitors the output voltage VL applied to the load 102, and controls the voltage of the gate electrode of the MOS transistor 101 so that the output voltage VL becomes constant. Further, the control unit 103 recognizes the overcurrent state of the MOS transistor 101 by receiving the output of the overcurrent detection circuit 104.
  • the input voltage Va is also supplied to the control circuit 103 and the overcurrent detection circuit 104 as their respective power supply voltages.
  • the first method is a method in which once overcurrent is detected, the cutoff state of the MOS transistor 101 is maintained thereafter. In order to release this interrupted state, supply of the input voltage Va is stopped once, and then It is necessary to input Va.
  • the output voltage VL becomes OV when the overcurrent protection functions due to a relatively large current (rush current) flowing when the power supply device 100 is started. And the power supply 100 does not start (startup failure occurs). This startup failure is remarkable when the input capacity of the load 102 is large.
  • the overcurrent detection value in the overcurrent detection circuit 104 is set to be larger than the maximum value of the inrush current in order to eliminate such a start-up failure, the load 102 may be detected due to a change or the like.
  • the MOS transistor 101 is not shut off even if the current (the current is ultimately equal to the overcurrent detection value) continues to flow through the MOS transistor 101 when the value is close to the value. This causes damage (thermal damage) of the diode 105, the inductor 106, the load 102, etc., which is not achieved only by the MOS transistor 101, and lowers the reliability of the power supply device 100.
  • the power MOS transistor 101, the diode 105, the inductor 106 (and, in some cases, the load 102), etc. have to have a large current rating, and the mounting area must be reduced. It leads to increase and cost increase.
  • the second method is called a constant current drooping method, in which the drain current of the MOS transistor 101 is controlled so as not to exceed a fixed value (that is, an overcurrent detection value) regardless of the output voltage VL. It is a method to do.
  • the second method for example, when the load 102 is short-circuited, the drain current of the MOS transistor 101 does not reach the overcurrent detection value (or below the overcurrent detection value) without maintaining the cutoff state of the MOS transistor 101. Will be maintained. If this second method is adopted, the start-up failure as seen in the first method does not occur.
  • an operation mode is switched at a predetermined time, and a switching control unit inputs a power activation signal from a remote ON / OFF terminal. Then, the main switching section starts operating, the current of the main switching section is detected, and when an overcurrent occurs, the overcurrent protection circuit operates to control the switching control section.
  • the timer setting time is within tl
  • the “overcurrent protection set value at overload” is sent, and after the timer setting time tl has elapsed, the signal that switches to the rated output “steady overcurrent protection set value” is output by the overcurrent protection circuit.
  • a power supply device having an overcurrent protection function characterized by providing a timer circuit for It is disclosed (see, for example, Patent Document 1).
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. H8-65879 (Japan)
  • the overcurrent detection value in the second method is set to a force slightly larger than the maximum value of the inrush current at the time of starting the power supply, or to the same level.
  • the power supply can be started quickly and powerfully without causing the start-up failure as seen in the above.
  • this overcurrent detection value is excessively large for a steady state (a state in which the output voltage VL is stabilized at a constant target voltage), and the load 102 is short-circuited in the steady state.
  • a drain current corresponding to an overcurrent detection value larger than necessary continues to flow through the MOS transistor 101, so that the reliability of the power supply device described above decreases, the mounting area increases, and the cost increases.
  • the current required by the load is not constant, and a motor that draws a capacitive load or a surge-like large current that requires a large current (charging current) in a short time (for example, several milliseconds) even at a time other than during startup. Is generally connected as a load.
  • a large current flows except at the time of startup, overcurrent protection functions, and the output voltage temporarily (eg, several msec) temporarily (for example, several msec) Or the output voltage becomes OV depending on the characteristics of the protection function.
  • an object of the present invention is to provide an overcurrent detection circuit that can achieve optimal overcurrent protection according to the state of a power supply device or the like. Another object of the present invention is to provide a power supply device having the overcurrent detection circuit.
  • an overcurrent detection circuit is an overcurrent detection circuit that detects an overcurrent state of a switching element that outputs a current to a load.
  • a steady state signal is output, and when the power is less than the predetermined time, a startup monitoring unit that outputs a startup state signal, and a first overcurrent detection value
  • An overcurrent detection unit that can set a two-stage overcurrent detection value of a second overcurrent detection value larger than the first overcurrent detection value and an overcurrent monitoring unit that monitors an overcurrent state of the switching element;
  • An output voltage monitoring unit that detects a normal Z abnormality of the output voltage by comparing a voltage corresponding to an output voltage to a load with a predetermined voltage, and provides a detection result to the overcurrent monitoring unit; The monitoring unit detects that the output voltage is abnormal. And, when the steady state signal is being output, the first overcurrent detection value is set as the overcurrent detection
  • a switching element or a component used for supplying a stable voltage to a load a component having a small current rating can be adopted, so that the mounting area is reduced and the cost is reduced. can do.
  • the startup monitoring unit outputs a startup status signal.
  • a second overcurrent detection value having a relatively large value is set as the output value. Therefore, if this second overcurrent detection value is set appropriately (for example, if it is slightly larger than or equal to the maximum value of the rush current at the time of power supply startup), the conventional first method described above can be used.
  • the output voltage can reach the target voltage as quickly as possible without causing start-up failure as can be seen.
  • the overcurrent detection value When the output voltage is normal (ie, when the output voltage has risen to a certain voltage or higher and no abnormality such as a short circuit has occurred in the load), the overcurrent detection value is relatively large.
  • the second overcurrent detection value having an appropriate value is set. Therefore, even if the load is not a start-up, even if the load is a capacitive load that requires a large charging current in a short time (for example, several milliseconds) or a motor that draws a large surge-like current, the overcurrent protection operation functions.
  • the output voltage does not temporarily reach the rating (for example, several milliseconds).
  • the switching element and the like should not be damaged even if the load is short-circuited for a long time (for example, one minute). Is required. Then, for example, the first overcurrent detection value is set so as to satisfy the necessity. That is, even if a current corresponding to the first overcurrent detection value is passed through the switching element for a long time (for example, one minute), the switching element and the like are not damaged (heat damage).
  • the first overcurrent detection is performed on the capacitive load or the like. Even if the second overcurrent detection value current exceeding the output value flows, the switching element etc. will not be damaged (thermal damage) if the current is short (for example, several msec or less). High reliability is maintained.
  • the output voltage monitoring unit compares the magnitude of the voltage according to the output voltage with the magnitude of a predetermined detection voltage, and determines that the magnitude of the voltage according to the output voltage is When the detected voltage is larger than the detected voltage, the output voltage is detected to be normal, while when the voltage corresponding to the output voltage is smaller than the detected voltage, the output voltage is determined to be abnormal. Detection may be performed, and the detection result may be provided to the overcurrent monitoring unit. Further, for example, in the above-described configuration, the startup monitoring unit supplies power to the overcurrent detection circuit and outputs a voltage corresponding to a power-up time while outputting the voltage corresponding to the power-on time.
  • a soft start circuit may be provided for controlling the switching element so that a rise is soft started, and the steady state signal or the start state signal may be output based on a voltage output from the soft start circuit. ,.
  • a general power supply device includes a soft start circuit. Therefore, the above configuration simplifies the circuit, reduces the mounting area, and reduces the cost as compared with the configuration described in Patent Document 1 above, in which it is not necessary to separately provide a timer circuit or the like in configuring the activation monitoring unit. Down can be realized.
  • the start-up monitoring unit is configured to control the steady-state signal or the start-up state signal based on a voltage generated by flowing a predetermined current to the capacitive element after the power is turned on. May be output.
  • the above-mentioned "voltage generated by applying a predetermined current to the capacitive element after power is turned on" can be output by a soft start circuit or the like provided in a general power supply device. . Therefore, it is not necessary to separately provide a timer circuit or the like in configuring the start-up monitoring unit. Therefore, compared to the configuration described in Patent Document 1, the circuit can be simplified, the mounting area can be reduced, and the cost can be reduced. Can be.
  • the first overcurrent detection value and the second overcurrent detection value are determined based on an input voltage to the switching element.
  • a control unit that controls the switching element according to a signal related to an overcurrent state of the switching element output by the overcurrent monitoring unit may be further provided. Is also good.
  • a power supply device includes the overcurrent detection circuit having the above configuration, the switching element, and a smoothing circuit that smoothes a voltage on an output side of the switching element and outputs the voltage to the load. ing.
  • the power supply device includes the overcurrent detection circuit having the above configuration, the reliability of the power supply device is increased as described above.
  • components having a low current rating can be used as components constituting the switching element and the smoothing circuit, the mounting area can be reduced and cost reduction can be achieved. Pin can be realized. The invention's effect
  • the overcurrent detection circuit of the present invention optimal overcurrent protection can be realized according to the state of the power supply device and the like.
  • the reliability of the power supply device and the like can be improved, and the mounting area of the power supply device and the like can be reduced and the cost can be reduced.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of an overcurrent detection circuit and a power supply device including the same according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram showing each voltage waveform and current waveform of the power supply device in FIG. 1.
  • FIG. 3 is a circuit diagram of an overcurrent detection circuit and a power supply device having the same according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a circuit diagram of a power supply circuit including a conventional overcurrent detection circuit.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a power supply device 1 according to the first embodiment.
  • FIG. 1 Description of Configuration
  • the input voltage Vin supplied from the outside is supplied to the source electrode of the P-channel MOS transistor 2 as a switching element, and its drain electrode is connected to the inverting input terminal (1) of the comparator 7, the power source of the diode 22 and the Connected to one end.
  • the other end of the inductor 23 is grounded via a parallel circuit of a capacitor 24 and a load 25 for smoothing the output voltage Vo applied to the load 25.
  • the anode of the diode 22 is grounded.
  • the current is output (power is supplied) from the drain electrode of the MOS transistor 2 to the load 25, and the diode 22, the inductor 23, and the capacitor 24 are connected to the output voltage (
  • a smoothing circuit is configured to smooth the voltage of the drain electrode) and output it to the load 25.
  • the output voltage Vo is grounded via a series circuit of the resistor 20 and the resistor 21.
  • the connection point between the resistor 20 and the resistor 21 is connected to the inverting input terminal (1) of the error amplifier 5 and the non-inverting input terminal (+) of the comparator 9 for monitoring the output voltage Vo for normal Z abnormality.
  • the voltage sources 15, 16 and 17 generate an error reference voltage Ver, an SS (soft start) detection voltage Vss and a detection voltage Vab, respectively.
  • the voltage generated by each of the voltage sources 15, 16 and 17 is equal to the second non-inverting input terminal (+) of the error amplifier 5, the inverting input terminal (-) and the It is provided to the inverting input terminal (1) of the comparator 9 respectively. Also, the relationship of Ver> Vss holds.
  • the second non-inverting input terminal (+) of the error amplifier 5 is connected via its own first non-inverting input terminal (+), the non-inverting input terminal (+) of the comparator 8 and Connected to one end of capacitor 19. The other end of the capacitor 19 is grounded.
  • the output voltage of the error amplifier 5 and the triangular wave voltage output from the triangular wave generating circuit 6 are supplied to the inverting input terminal (1) and the non-inverting input terminal (+) of the PWM comparator 4, respectively.
  • the PWM comparator 4 outputs to the gate driver 3 a control signal for the MOS transistor 2 subjected to pulse width modulation.
  • the output ( ⁇ ) of the comparator 8 is supplied to one input terminal of the AND circuit 10, and the output of the comparator 9 is inverted by the inverter 14 and then supplied to the other input terminal of the AND circuit 10. I have.
  • the output (j8) of the AND circuit is supplied to the switch circuit 13 as a control voltage for controlling the switch circuit.
  • the input voltage Vin is applied to one end of each of the power sources 11 and 12 that output the voltage VI corresponding to the first overcurrent detection value and the voltage V2 corresponding to the second overcurrent detection value in the present invention.
  • Each other end is connected to a first fixed terminal and a second fixed terminal of the switch circuit 13, respectively.
  • the relationship of VI ⁇ V2 holds (that is, the second overcurrent detection value is larger than the first overcurrent detection value).
  • the common terminal of the switch circuit 13 is connected to the non-inverting input terminal (+) of the comparator 7, and the output of the comparator 7 is supplied to the gate driver 3 as a voltage indicating the overcurrent state of the MOS transistor 2. I have.
  • the ⁇ overcurrent state '' means that the drain current of the MOS transistor 2 becomes equal to or more than a predetermined overcurrent detection value (the first overcurrent detection value or the second overcurrent detection value) and the output of the comparator 7 is output. Becomes a high potential (high).
  • the output side of the gate driver 3 is connected to the gate electrode of the MOS transistor 2.
  • the gate driver 3 controls ON / OFF of the MOS transistor 2 according to the control signal output from the PWM comparator 4 while referring to the voltage output from the comparator 7 (indicating an overcurrent state of the MOS transistor 2).
  • a MOS transistor 2 a gate driver 3, a PWM comparator 4, an error amplifier 5, a triangular wave generation circuit 6, comparators 7, 8, 9 and an AND circuit 10, and voltage sources 11, 12 ,
  • the switch circuit 13, the inverter 14, the voltage sources 15, 16, 17 and the resistor 18 are provided in the same package and constitute one integrated circuit element 28.
  • the gate drivers 3 and the like included in the child 28 are all driven using the input voltage Vin as a power supply.
  • the terminals SS, INV, and SW of the integrated circuit element 28 are connected to the non-inverting input terminal (+) of the comparator 8, the inverting input terminal (1) of the error amplifier 5, and the drain electrode of the MOS transistor, respectively. .
  • FIG. 1 illustrates a state in which the common terminal of the switch circuit 13 is connected to the first fixed terminal (the voltage source 11 side).
  • FIG. 1 Description of operation
  • the error amplifier 5 has a condition that the voltage applied to the inverting input terminal (1) is lower than both the voltages applied to the first non-inverting input terminal (+) and the second non-inverting input terminal (+) (hereinafter referred to as “condition 1"), the output voltage is higher than when condition 1 is not satisfied.
  • condition 1 the voltage applied to the inverting input terminal (1) is lower than both the voltages applied to the first non-inverting input terminal (+) and the second non-inverting input terminal (+)
  • condition 1 the output voltage is higher than when condition 1 is not satisfied.
  • the driver 3 and the like are configured so that the ratio of time during which the transistor 2 is turned on increases.
  • the voltage obtained by dividing the output voltage Vo by the resistors 20 and 21 is compared with the error reference voltage Ver and the voltage applied to the terminal SS, and in a steady state (when the output voltage Vo is lower than the target voltage Vtar).
  • the MOS transistor 2 In the (stabilized state), the MOS transistor 2 is controlled so that these three voltages become equal. That is, the target voltage Vtar at which the output voltage Vo should be stabilized is determined based on the error reference voltage Ver and the voltage division ratio of the resistors 21 and 22, and the error amplifier 5, the PWM comparator 4, the triangular wave generator 6
  • the output voltage Vo is stabilized to the target voltage Vtar by the operation of the control unit 30 including the gate driver 3. That is, the control unit 30 controls the ON and OFF states of the MOS transistor 2 so that the output voltage Vo is maintained at the target voltage Vtar (so as to be stabilized).
  • the overcurrent monitor 33 mainly includes a voltage source 11, a voltage source 12, a switch circuit 13, and a comparator 7, and monitors an overcurrent state of the MOS transistor 2. Further, as described above, the overcurrent monitoring unit 33 can set a two-stage overcurrent detection value of a first overcurrent detection value and a second overcurrent detection value that is larger than the first overcurrent detection value. ing.
  • the output voltage monitoring section 34 mainly includes the comparator 9 and the voltage source 17.
  • the output voltage monitoring unit 34 divides the output voltage Vo by the resistor 20 and the resistor 21 (Vo-R2 / (Rl + R2); o) is compared with the detection voltage Vab. If Vo-R2 / (Rl + R2)> Vab holds, the output voltage Vo is detected as normal, while Vo'R2Z (Rl + R2) When Vab holds, the output voltage Vo is detected as abnormal. In other words, the normal Z abnormality of the output voltage Vo is detected by comparing the output voltage Vo with the voltage (Vab '(R1 + R2) ZR2). Then, the detection result is given to the overcurrent monitoring unit 33 via the inverter 14 and the AND circuit 10.
  • the power supply device 1 can be modified so that the output voltage Vo is negative, as a matter of course, the output voltage Vo is negative.
  • the output voltage monitoring unit 34 determines the absolute value of the voltage division (Vo'R2 / (Rl + R2); voltage according to the output voltage Vo) by the output voltage Vo by the resistors 20 and 21. (Magnitude) is compared with the absolute value (magnitude) of the detection voltage Vab. If I Vo -R2 / (Rl + R2) I> I Vab I holds, the output voltage Vo is detected as normal On the other hand, when I Vo 'R2Z (Rl + R2)
  • the inverter 14 can be regarded as a part of the output voltage monitoring unit 34, It can also be regarded as a part of the overcurrent monitoring unit 33. Further, the AND circuit 10 can be considered as a part of the overcurrent monitoring unit 33.
  • the soft start circuit 32 mainly includes a voltage source 15, a resistor 18, and a capacitor 19.
  • the soft start circuit 32 is configured to perform a soft start S when the power is turned on (when the input voltage Vin is turned on). This circuit controls the MOS transistor 2 (so that the output voltage Vo rises gradually). Without this soft-start circuit 32 (ie, with a resistance of 18 ohms SO ohms), a large inrush current flows to the load 25, etc. when the power is turned on, and the output voltage Vo rises sharply.
  • the inrush current to the load 25 at power-on becomes relatively small (compared to the case without the soft start circuit 32), and the output voltage Vo rises more slowly than in the case of soft start circuit 32 (it gradually rises).
  • ⁇ soft start of the rise of the output voltage Vo at power-on '' means that the output voltage Vo rises more slowly at power-on than when the soft-start circuit 32 is not provided.
  • the rated value of the input current of the inductor 23, the capacitor 24, and the load 25 can be reduced.
  • the presence of the soft start circuit 32 reduces the overshoot of the output voltage Vo due to the response delay of the error amplifier 5 and the like.
  • the activation monitoring unit 31 mainly includes the soft start circuit 32, the comparator 8, and the power source 16.
  • the overcurrent detection circuit 35 mainly includes a start monitoring unit 31, an overcurrent monitoring unit 33, and an output voltage monitoring unit 34, and detects an overcurrent state of the MOS transistor 2. Further, the control unit 30 may be considered to be included in the overcurrent detection circuit 35. The power supply for the overcurrent detection circuit 35 matches the input voltage Vin.
  • the potential at the connection point with the terminal SS starts to rise after the power is supplied to the overcurrent detection circuit 35.
  • the voltage applied to the terminal SS corresponds to the time since power-on, and the rate of increase of the voltage is determined by the error reference voltage Ver, the resistance value of the resistor 18, and the capacitance of the capacitor 19.
  • the voltage applied to the terminal SS is generated by supplying a current determined by the error reference voltage Ver, the resistance value of the resistor 18 and the capacitance of the capacitor 19 to the capacitor 19, which is a capacitive element after the power is turned on. Taden Pressure.
  • the comparator 8 outputs the result of comparing the voltage applied to the terminal SS with the SS detection voltage Vss. That is, the startup monitoring unit 31 outputs the high-potential (high) voltage (the “steady state signal” in the present invention) when the time exceeds the time determined by the power detection voltage Vss after the power is supplied to the overcurrent detection circuit 35. ) Is output from the comparator 8, and a voltage of a low potential (low) (corresponding to the “activation state signal” in the present invention) when the time is equal to or less than (is less than) the time determined by the detection voltage Vss. ) Is output from the comparator 8.
  • the startup monitoring unit 31 outputs the high-potential (high) voltage (the “steady state signal” in the present invention) when the time exceeds the time determined by the power detection voltage Vss after the power is supplied to the overcurrent detection circuit 35. ) Is output from the comparator 8, and a voltage of a low potential (low) (corresponding to the “activation state signal”
  • the voltage applied to the terminal SS is a voltage output from the soft start circuit 32. Therefore, the startup monitoring unit 31 detects the time from when the power is supplied to the overcurrent detection circuit 35 based on the voltage (the voltage applied to the terminal SS) output from the soft start circuit 32, and detects the time. It can be said that the "steady state signal” or the “startup state signal” is output in accordance with the set time.
  • the error amplifier 5 controls the output voltage Vo when the power is turned on, based on the voltage output from the soft start circuit 32.
  • a voltage (Vin ⁇ Ron ⁇ Id) obtained by subtracting the product of the resistance value Ron of the on-resistance of the MOS transistor 2 and the drain current Id from the input voltage Vin is applied to the inverting input terminal of the comparator 7.
  • (Vin-V2) is applied to the non-inverting input terminal (+) of the comparator 7 when the output of the AND circuit 10 is high, and (Vin-VI) is applied when the output of the AND circuit 10 is low.
  • the switch circuit 13 is configured to be applied.
  • the overcurrent monitoring unit 33 sets the first overcurrent detection value (I) as the overcurrent detection value. That is, the overcurrent monitoring unit 33
  • the voltage (Ron'Id) is compared with the voltage VI, and the comparison result is given to the gate driver 3.
  • the comparator 7 gives a low signal to the gate driver 3 when Ron'Id and VI are satisfied. At this time, assuming that the MOS transistor 2 is not in an overcurrent state, normal control (control for maintaining the output voltage Vo at the target voltage Vtar) is performed.
  • Ron'Id> Vl (or Ron'Id ⁇ Vl) holds (when overcurrent occurs, )
  • the comparator 7 supplies a high signal to the gate driver 3.
  • the gate driver 3 shuts off the MOS transistor 2 assuming that the overcurrent detection circuit 35 has detected an overcurrent state.
  • Ron'Id> Vl (or Ron'Id ⁇ Vl) does not hold, but the MOS transistor 2 is turned on again by the function of the control unit 30.
  • Ron ⁇ Id> VI (sometimes! / Is Ron ⁇ Id ⁇ VI) is satisfied again, the MOS transistor 2 is turned off again.
  • control unit 30 including the gate driver 3 controls the MOS transistor 2 so that the drain current Id of the MOS transistor 2 becomes equal to or less than the current value (VlZRon) determined by the overcurrent detection value.
  • This control method is a constant-current droop method because the drain current is controlled to a fixed value or less regardless of the output voltage Vo.
  • the overcurrent monitoring unit 33 sets the second overcurrent detection value (I) as the overcurrent detection value. I do. In other words, overcurrent monitoring
  • the viewing unit 33 compares the voltage (Ron'Id) with the voltage V2 and gives the comparison result to the gate driver 3.
  • the second overcurrent detection value here is I
  • the comparator 7 gives a low signal to the gate driver 3 when Ron'Id ⁇ V2 holds, and conversely, when Ron'Id> V2 (or Ron'Id ⁇ V2) holds Apply a high signal to the gate driver 3 during the overcurrent condition.
  • the operation of the control unit 30 including the gate driver 3 according to the output of the comparator 7 is the same as when the output of the AND circuit 10 is high.
  • a detection MOS transistor (not shown) having, for example, a resistance value of 100 times the on-resistance of the on-resistance value Ron of the MOS transistor 2 is connected to the drain of the I ⁇ 1Z100.
  • Ron'I 100Ron-I ⁇ 1 ⁇ 100
  • This voltage Ron'I is converted to its own output voltage VI and iml Liml Limi
  • the MOS transistor 2 is formed as a single MOS transistor by connecting the drain, source, and gate of 100 unit cell transistors in parallel, and If the output MOS transistor (not shown) is formed from a single unit cell transistor, the ON resistance of the detection MOS transistor is about 100'Ron.
  • the unit cell transistors constituting the MOS transistor 2 and the unit cell transistors constituting the detection MOS transistor (not shown) are all formed on the same semiconductor substrate by using the same manufacturing process.
  • the voltage source 12 has the same configuration as the voltage source 11.
  • FIG. 2 Explanation Using Waveform
  • FIG. 2 [Koo !, solid lines 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, respectively, the voltage waveform of the human input voltage Vin, the voltage waveform applied to the terminal SS, and the output of the comparator 8; 1), the drain current (Id) waveform of the MOS transistor 2, the overcurrent detection value, the waveform of the output voltage Vo, and the voltage waveform of the output of the AND circuit 10 (j8; see FIG. 1).
  • the input voltage Vin is applied.
  • charging of the capacitor 19 is started, and the voltage applied to the terminal SS starts to increase.
  • the output voltage Vo is 0 V, so the control unit 30 controls the MOS transistor 2 to increase the output voltage Vo to the target voltage Vtar.
  • the drain current Id flows by the control of the MOS transistor 2, but the drain current Id increases relatively slowly by the function of the soft start circuit 32, and the output voltage Vo rises relatively slowly (period between timings T1 to T3). See).
  • the soft start circuit 32 the voltage applied to the terminal SS rises substantially in synchronization with the output voltage Vo.
  • the overcurrent detection value is the second overcurrent detection value (V2ZRon).
  • each component of the power supply device 1 is configured such that the output voltage Vo exceeds the normal / abnormal threshold value Vab (Rl + R2) ZR2 with a margin. Therefore, the output (
  • the MOS transistor 2 is cut off via the gate driver 3, so that the drain current Id does not exceed the second overcurrent detection value .
  • This second overcurrent detection value is usually calculated from the maximum value of the rush current when the power supply 1 is started (when the output voltage Vo first moves from OV to the target voltage Vtar after the input voltage Vin is applied). Set to be slightly larger or comparable. With this setting, the output voltage Vo quickly reaches the target voltage Vtar.
  • FIG. 2 illustrates the overcurrent protection operation so that the maximum value of the inrush current reaches the second overcurrent detection value.
  • the period during which the rush current flows through the load 25 is short (for example, several tens ⁇ sec to several msec or less), so the second overcurrent having a relatively large overcurrent detection value Even if the current detection value is set, the amount of heat generated by the MOS transistor 2, the diode 22, the inductor 23, and the like is small (at the same time, the amount of heat generated by the integrated circuit element 28 is small). Therefore, these components are not damaged (thermal damage), and the high reliability of the power supply device 1 is maintained.
  • the output voltage Vo reaches the target voltage Vtar.
  • the output voltage Vo is in a steady state in which the output voltage Vo is stabilized at the target voltage Vtar, and an inrush current flows at the time of startup, so that the drain current Id is a relatively small value. It has become.
  • the maximum value of the drain current Id is suppressed to the first overcurrent detection value smaller than the second overcurrent detection value, even though the output voltage Vo is 0V (at timings T5 to T5). ⁇ See section 6). Even if the period of the timing # 5 to # 6 is long (for example, one minute), a value that does not damage the MOS transistor 2, the diode 22, the inductor 23, and the like is set as the first overcurrent detection value. Therefore, the reliability of the power supply device 1 is extremely high.
  • the reliability of the power supply device 1 is maintained by appropriately setting the first overcurrent detection value.
  • components having a smaller current rating can be used for the components such as the MOS transistor 2, the diode 22, and the inductor 23, it is possible to reduce the mounting area and the cost.
  • the control unit 30 increases the drain current Id to a value larger than the first overcurrent detection value, and tries to match the output voltage Vo to the target voltage Vtar (period of timing T8 to T9).
  • the overcurrent protection function since the second overcurrent detection value is set as the overcurrent detection value, the overcurrent protection function does not operate, and the output voltage Vo quickly recovers to the target voltage Vtar.
  • the overcurrent protection operation does not function due to such a variation, and the output voltage Vo always becomes the target voltage Vtar (Strictly speaking, the target voltage Vtar quickly recovers).
  • FIG. 3 is a circuit configuration diagram of a power supply device 51 according to the second embodiment.
  • the same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
  • power supply device 51 Only the differences between power supply device 51 and power supply device 1 will be described.
  • an integrated circuit element 58 is provided instead of the integrated circuit element 28, and the integrated circuit element 58 is not provided with a switching element corresponding to the MOS transistor 2.
  • a switching element corresponding to the MOS transistor 2 As a switching element corresponding to the MOS transistor 2, a P-channel MOS transistor 52 is provided outside the integrated circuit element 58.
  • the output of the gate driver 3 is given to the gate electrode of the MOS transistor 52, and the gate driver 3 performs on-off control of the MOS transistor 52.
  • the input voltage Vin is applied to the source electrode of the MOS transistor 52 via the resistor 53 having a resistance value of R3, and the drain electrode of the MOS transistor 52 is connected to the power source of the diode 22 and one end of the inductor 23. ing.
  • the connection point between the resistor 53 and the source electrode of the MOS transistor 52 is connected to the inverting input terminal (1) of the comparator 7.
  • a soft start circuit 36 is provided instead of soft start circuit 32 in power supply device 1.
  • the soft start circuit 36 mainly includes a constant current source 60, a resistor 61, and a capacitor 19.
  • the voltage Vin is applied to one end of the constant current source 60, and the other end of the constant current source 60 is connected to the first non-inverting input terminal (+) of the error amplifier 5 via the resistor 61 and the non-inverting terminal of the comparator 8 .
  • the terminal SS is grounded via the capacitor 19 as in the power supply device 1.
  • the resistor 18 provided in the power supply 1 does not exist in the power supply 51.
  • the constant current output from the constant current source 60 charges the capacitor 19 when the power is turned on. It is.
  • the soft start circuit 36 has the same function as the soft start circuit 32 in the power supply device 1 so that the rising of the output voltage Vo at the time of turning on the power (when the input voltage Vin is turned on) is soft-started ( This is a circuit for controlling the MOS transistor 52 so that the output voltage Vo gradually rises.
  • the activation monitoring unit 37 mainly includes the soft start circuit 36, the comparator 8, and the power source 16 and performs the same operation as the activation monitoring unit 39 in the power supply device 1.
  • the overcurrent detection circuit 38 mainly includes a start monitoring unit 37, an overcurrent monitoring unit 33, and an output voltage monitoring unit 34, and detects an overcurrent state of the MOS transistor 52. Further, the control unit 30 may be considered to be included in the overcurrent detection circuit 38.
  • the power supply for the overcurrent detection circuit 38 matches the input voltage Vin.
  • the overcurrent detection can be accurately performed regardless of the resistance value of the ON resistance of the MOS transistor 52 (because the product of the resistance value R3 and the drain current Id can be obtained). Based on overcurrent detection). Therefore, a junction field effect transistor-bipolar transistor can be used as a switching element instead of the MOS transistor.
  • both or one of voltage source 11 and voltage source 12 may be provided outside integrated circuit element 58 so that the overcurrent detection value can be set freely according to the intended use.
  • the output voltage Vo that causes the voltage at the connection point between the resistors 20 and 21 to be applied to the non-inverting input terminal (+) of the comparator 9 remains unchanged.
  • the circuit configurations in FIGS. 1 and 3 may be modified so as to add to the inverting input terminal (+).
  • the soft start circuit 32 of the power supply device 1 and the soft start circuit 36 of the power supply device 51 can be replaced with each other.
  • the present invention is not limited to the power supply device 1 (see FIG. 1) and the power supply device 51 (FIG. 3), and is applicable to a power supply device having various switching regulators, such as a DC-DC converter. Is possible
  • the present invention is also applicable to a power supply device provided with a series regulator (dropper-type regulator) such as a three-terminal regulator.
  • a series regulator dropper-type regulator
  • the present invention is suitable for a power supply device or a high-side switch that requires an overcurrent protection function.
  • a power supply device for a vehicle which often requires high reliability, or a device having a negative capacitance. It is suitable for a power supply device that outputs a current to a load.

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Abstract

 負荷(25)に電流を出力するトランジスタ(2)の過電流状態を検出する過電流検出回路(35)において、起動時と定常時とを区別する起動監視部(31)と、トランジスタ(2)の過電流状態を監視する過電流監視部(33)と、負荷(25)への出力電圧の正常/異常を検出する出力電圧監視部(34)と、を備えている。過電流監視部(31)は、起動監視部(31)及び過電流監視部(33)からの情報を参照しつつ、過電流検出値を変更する。

Description

明 細 書
過電流検出回路及びこれを有する電源装置
技術分野
[0001] 本発明は、電源装置等に用いられる過電流検出回路に関する。特に負荷に電流を 出力するスイッチング素子を備えた電源装置等に用いられる過電流検出回路に関す る。また、本発明は、その過電流検出回路を有する電源装置に関する。
背景技術
[0002] 図 4は、従来の過電流検出回路を備えた電源装置 100の電気的構成を示した図で ある。入力電圧 Vaが Pチャンネル(P形半導体)の MOSトランジスタ(絶縁ゲート型の 電界効果トランジスタ) 101のソース電極に供給され、そのドレイン電極は、ダイォー ド 105の力ソード及び過電流検出回路 104の入力側に接続されるとともに、インダク タ 106を介してコンデンサ 107の一端と負荷 102の一端に接続されている。ダイォー ド 105のアノード、コンデンサ 107の他端及び負荷 102の他端はそれぞれ接地され ている。
[0003] 過電流検出回路 104は、 MOSトランジスタ 101のドレイン電極の電圧と自身の内 部に設けられた基準電圧とを比較することにより、 MOSトランジスタ 101のドレイン電 流が過電流となっていないか (前記基準電圧により定まる過電流検出値以上となって いないか)を監視し、その結果を制御部 103に与える。制御部 103は、負荷 102に印 加される出力電圧 VLを監視して、該出力電圧 VLが一定になるように、 MOSトランジ スタ 101のゲート電極の電圧を制御する。また、制御部 103は、過電流検出回路 104 の出力を受けることにより、 MOSトランジスタ 101の過電流状態を認知する。また、入 力電圧 Vaは、制御回路 103及び過電流検出回路 104にも、それぞれの電源電圧と して与えられている。
[0004] この電源装置 100における過電流保護の方式としては、主に 3つの方式 (後述する 第 1の方式乃至第 3の方式)が存在する。第 1の方式は、一度過電流を検知すると、 その後 MOSトランジスタ 101の遮断状態が維持されるようにする方式である。この遮 断状態を解除するためには、一旦入力電圧 Vaの供給を止めてから、再度入力電圧 Vaを投入する必要がある。
[0005] しかし、上記第 1の方式を採用すると、電源装置 100の起動時に流れる比較的大き な電流 (突入電流)によって、その過電流保護が機能してしまった場合、出力電圧 V Lが OVになってしまい、電源装置 100が起動しない(起動不良が起こる)。この起動 不良は、負荷 102の入力容量が大き 、場合は顕著である。
[0006] また、仮にそのような起動不良を解消するために、過電流検出回路 104における過 電流検出値を突入電流の最大値より大きく設定すると、負荷 102が変動等に起因し て過電流検出値に近 、電流(究極的には過電流検出値と等 、電流)が MOSトラン ジスタ 101に流れ続けても、 MOSトランジスタ 101が遮断されない。このことは、 MO Sトランジスタ 101だけでなぐダイオード 105、インダクタ 106及び負荷 102等の破損 (熱破損)を招き、電源装置 100の信頼性を低下させる。また、それら部品の破損を 防止するためには、パワー MOSトランジスタ 101、ダイオード 105、インダクタ 106 ( 場合によっては、負荷 102)等に電流定格を大きなものを採用せざるを得ず、実装面 積の増大やコストアップを招く。
[0007] 第 2の方式は、定電流垂下方式と呼ばれるもので、出力電圧 VLの如何によらず M OSトランジスタ 101のドレイン電流が一定値 (つまり、過電流検出値)以上とならない ように制御する方式である。この第 2の方式において、例えば負荷 102が短絡した場 合は、 MOSトランジスタ 101の遮断状態が維持されることなぐ MOSトランジスタ 101 のドレイン電流は過電流検出値 (または、過電流検出値以下)に維持される。この第 2 の方式を採用すると、第 1の方式で見られるような起動不良は起こらない。
[0008] また、第 3の方式は、下記特許文献 1に示すように、所定時間により動作モードを切 り換えるもので、リモート ON/OFF端子からの電源起動信号をスイッチングコントロー ル部が入力して、メインスイッチング部が動作を開始し、メインスイッチング部の電流 を検出し、過電流が発生すると過電流保護回路が作動してスイッチングコントロール 部を制御する電源装置において、当該電源起動信号を入力し、タイマー設定時間 tl 以内では「過負荷時の過電流保護設定値」を送出し、タイマー設定時間 tl経過後で は定格出力の「定常の過電流保護設定値」に切り換える信号を過電流保護回路に出 力するタイマー回路を設けたことを特徴とする過電流保護機能を有する電源装置が 開示されている (例えば、特許文献 1を参照)。
[0009] 特許文献 1 :特開平 8— 65879号公報(日本国)
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0010] 一般的に、上記第 2の方式における過電流検出値は、電源起動時の突入電流の 最大値よりもやや大きくする力、あるいは同程度としており、これによつて上記第 1の 方式で見られるような起動不良を起こすことなぐ速や力な電源起動を実現している。 しかしながら、この過電流検出値は定常状態(出力電圧 VLが一定の目標電圧に安 定化された状態)にとつては必要以上に大きすぎるものであり、定常状態において負 荷 102が短絡等した場合は、その必要以上に大きい過電流検出値に相当するドレイ ン電流が MOSトランジスタ 101に流れ続けるため、結局、上述したような電源装置の 信頼性の低下や、実装面積の増大、コストアップを招く。
[0011] また、特許文献 1に記載の従来構成例においては、タイマー設定時間 tl経過後で は、定格出力の「定常の過電流保護設定値」に切り換える信号が過電流保護回路に 与えられる。つまり、タイマー設定時間 tl経過後は、「定常の過電流保護設定値」に 固定される。
[0012] ところが、負荷が必要とする電流は一定ではなぐ起動時以外でも短時間(例えば、 数 msec)に大きな電流(充電電流)を必要とする容量性負荷やサージ状の大電流を 引き込むモータ等が負荷として接続されることも一般的である。特許文献 1に記載の 従来構成例において、起動時以外にこのような大きな電流が流れると過電流保護が 機能してしまい、出力電圧が一時的 (例えば、数 msec)に定格(目標電圧)に達しな くなつたり、保護機能の特性によっては出力電圧が OVになったりしてしまう。
[0013] 一時的(例えば、数 msec)であっても出力電圧が定格に達しなくなるということは、 特にマイコン等を含む負荷の安定動作にとっては致命的である。また、「起動時以外 に大きな電流が流れることにより過電流保護が機能してしまい、一時的であっても出 力電圧が定格に達しなくなる」という問題は、特許文献 1に記載の従来構成例におい てのみ生じるものではなぐ図 4における従来例で上記第 2の方式を採用し、その過 電流検出値を無理に小さく設定した場合にも生じるものである。 [0014] 本発明は、上記の点に鑑み、電源装置等の状態に応じて最適な過電流保護を実 現できる過電流検出回路を提供することを目的とする。また、本発明は、その過電流 検出回路を有する電源装置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0015] 上記目的を達成するために本発明に係る過電流検出回路は、負荷に電流を出力 するスイッチング素子の過電流状態を検出する過電流検出回路であって、当該過電 流検出回路に対して電源投入して力 の時間が、所定時間を超えるときに定常状態 信号を出力する一方、前記所定時間未満のときに起動状態信号を出力する起動監 視部と、第 1過電流検出値と該第 1過電流検出値より大きい第 2過電流検出値との 2 段階の過電流検出値を設定可能であって、前記スイッチング素子の過電流状態を監 視する過電流監視部と、前記負荷への出力電圧に応じたを所定電圧と比較すること により、前記出力電圧の正常 Z異常を検出し、その検出結果を前記過電流監視部に 与える出力電圧監視部とを備え、前記過電流監視部は、前記出力電圧が異常であり 、且つ前記定常状態信号が出力されているとき、前記過電流検出値として前記第 1 過電流検出値を設定する一方、前記出力電圧が正常であるか、又は前記起動状態 信号が出力されているとき、前記過電流検出値として前記第 2過電流検出値を設定 する。
[0016] このように構成することにより、負荷等の短絡に起因して出力電圧が異常となり、且 つ定常状態信号が出力されているとき (即ち、起動時ではないとき)には、過電流検 出値として比較的小さな値を有する第 1過電流検出値が設定される。従って、スイツ チング素子及び負荷に安定ィ匕電圧を供給するために用いられる部品 (ダイオードや インダクタであり、図 1においてはダイオード 22やインダクタ 23等)等の発熱は比較的 小さなものに抑えられ、当該過電流検出回路を備えた電源装置の信頼性を向上せし めることができる。
[0017] また、スイッチング素子や、負荷に安定ィ匕電圧を供給するために用いられる部品と して、電流定格も小さなものを採用できるようになるため、実装面積の軽減やコストダ ゥンを実現することができる。
[0018] また、起動時においては、起動監視部が起動状態信号を出力するため、過電流検 出値として比較的大きな値を有する第 2過電流検出値が設定される。従って、この第 2過電流検出値を適当に設定すれば (例えば、電源起動時の突入電流の最大値より もやや大きくするか、あるいは同程度とすれば)、上記従来の第 1の方式で見られるよ うな起動不良を起こさせることがなぐ速やかに出力電圧を目標とする電圧に到達さ せることができる。
[0019] また、出力電圧が正常であるとき (即ち、出力電圧が一定電圧以上に立ち上がって おり、負荷に短絡等の異常が発生していないとき)は、過電流検出値として比較的大 きな値を有する第 2過電流検出値が設定される。従って、起動時以外でも短時間 (例 えば、数 msec)に大きな充電電流を必要とする容量性負荷やサージ状の大電流を 引き込むモータ等が負荷となっていても、過電流保護動作は機能せず、出力電圧が 一時的(例えば、数 msec)に定格に達しなくなるという事態を引き起こすこともない。
[0020] この際、過電流検出回路を備えた電源装置の信頼性を維持するためには、例えば 長時間(例えば、 1分)にわたつて負荷を短絡してもスイッチング素子等が破損しない ことが必要となる。そして、例えばその必要性を満たすように上記第 1過電流検出値 は設定されることとなる。即ち、第 1過電流検出値に相当する電流を長時間(例えば、 1分)にわたつてスイッチング素子に流しても、スイッチング素子等は破損 (熱破損)す ることはないのである。
[0021] 従って、出力電圧が正常である(即ち、出力電圧が一定電圧以上に立ち上がって おり、負荷に短絡等の異常が発生していない)ときに、容量性負荷等に第 1過電流検 出値を超える第 2過電流検出値電流を流しても、それが短時間(例えば、数 msec以 下)であれば、スイッチング素子等は破損 (熱破損)することはないため、電源装置の 高い信頼性は維持される。
[0022] また、例えば上記構成において、前記出力電圧監視部は、前記出力電圧に応じた 電圧の大きさと所定の検出電圧の大きさとを比較し、前記出力電圧に応じた電圧の 大きさが前記検出電圧の大きさより大きいときには、前記出力電圧は正常であると検 出する一方、前記出力電圧に応じた電圧の大きさが前記検出電圧の大きさより小さ いときには、前記出力電圧は異常であると検出して、その検出結果を前記過電流監 視部に与えるようにしてもょ 、。 [0023] また、例えば上記構成において、前記起動監視部は、当該過電流検出回路に対し て電源投入して力ゝらの時間に対応する電圧を出力しつつ前記電源投入時における 前記出力電圧の立ち上がりがソフトスタートするように前記スイッチング素子を制御す るソフトスタート回路を備えるとともに、該ソフトスタート回路の出力する電圧に基づい て、前記定常状態信号または前記起動状態信号を出力するようにしてもょ 、。
[0024] 一般的な電源装置は、ソフトスタート回路を備えている。従って、上記構成とするこ とにより、上記起動監視部を構成するにあたって別途タイマー回路等を設ける必要が なぐ上記特許文献 1に記載の構成に比べて、回路の簡素化、実装面積の低減及び コストダウンを実現することができる。
[0025] また、例えば上記構成において、前記起動監視部は、前記電源投入後において容 量性素子に所定の電流を流すことによって生じた電圧に基づいて、前記定常状態信 号または前記起動状態信号を出力するようにしてもょ 、。
[0026] 上記「電源投入後にお!/、て容量性素子に所定の電流を流すことによって生じた電 圧」は、一般的な電源装置に備えられているソフトスタート回路等が出力可能である。 従って、上記起動監視部を構成するにあたって別途タイマー回路等を設ける必要が ないため、上記特許文献 1に記載の構成に比べて、回路の簡素化、実装面積の低 減及びコストダウンを実現することができる。
[0027] また、例えば上記構成において、前記第 1過電流検出値及び前記第 2過電流検出 値は、前記スイッチング素子への入力電圧を基準として定められている。
[0028] また、例えば上記構成にぉ 、て、前記過電流監視部が出力する、前記スイッチング 素子の過電流状態に関わる信号に応じて、前記スイッチング素子を制御する制御部 を更に備えるようにしてもよい。
[0029] また、本発明に係る電源装置は、上記構成の過電流検出回路と、前記スイッチング 素子と、前記スイッチング素子の出力側の電圧を平滑化して前記負荷へ出力する平 滑回路とを備えている。
[0030] 上記電源装置は、上記構成の過電流検出回路を備えているため、上述したように 電源装置の信頼性が高くなる。また、スイッチング素子や平滑回路を構成する部品と して、電流定格も小さなものを採用できるようになるため、実装面積の軽減やコストダ ゥンを実現することができる。 発明の効果
[0031] 上述した通り、本発明に係る過電流検出回路によれば、電源装置等の状態に応じ て最適な過電流保護を実現できる。これにより、電源装置等の信頼性を向上させるこ とができるとともに、電源装置等の実装面積の低減及びコストダウンを実現することが できる。
図面の簡単な説明
[0032] [図 1]本発明の第 1実施形態に係る過電流検出回路及びこれを有する電源装置の回 路図である。
[図 2]図 1における電源装置の各電圧波形、電流波形を示す図である。
[図 3]本発明の第 2実施形態に係る過電流検出回路及びこれを有する電源装置の回 路図である。
[図 4]従来の過電流検出回路を備えた電源回路の回路図である。
符号の説明
[0033] 1、 51、 100 電源装置
2、 52、 101 MOSトランジスタ
3 ゲートドライバ
4 PWMコンパレータ
5 エラーアンプ
6 三角波発生回路
7、 8、 9 コンノ レータ
10 アンド回路
11、 12、 15、 16、 17 電圧源
13 スィッチ回路
14 インバータ
18、 20、 21、 53 抵抗
19、 24、 107 コンデンサ
22、 105 ダイオード 23、 106 インダクタ
25、 102 負荷
28、 58 集積回路素子
30、 103 制御部
31、 37 起動監視部
32、 36 ソフ卜スター卜回路
33 過電流監視部
34 出力電圧監視部
35、 38、 104 過電流検出回路
60 定電流源
Vinゝ Va 入力電圧
Vo、 VL 出力電圧
SS、 INV、 SW 端子
発明を実施するための最良の形態
[0034] < <第 1実施形態 > >
以下、本発明に係る過電流検出回路及びこれを有する電源装置の第 1実施形態 について説明する。図 1は、第 1実施形態に係る電源装置 1の回路構成図である。
[0035] (図 1 :構成の説明)
外部から供給される入力電圧 Vinは、スイッチング素子としての Pチャンネル MOSト ランジスタ 2のソース電極に供給され、そのドレイン電極はコンパレータ 7の反転入力 端子(一)、ダイオード 22の力ソード及びインダクタ 23の一端に接続されている。イン ダクタ 23の他端は、負荷 25に印加される出力電圧 Voを平滑ィ匕するためのコンデン サ 24と負荷 25との並列回路を介して接地されている。また、ダイオード 22のアノード は接地されている。このように、 MOSトランジスタ 2のドレイン電極から負荷 25に電流 が出力(電力が供給)されるよう構成されており、ダイオード 22、インダクタ 23及びコ ンデンサ 24は、 MOSトランジスタ 2の出力側の電圧(ドレイン電極の電圧)を平滑ィ匕 して負荷 25へ出力する平滑回路を構成している。
[0036] また、出力電圧 Voは抵抗 20と抵抗 21との直列回路を介して接地されており、抵抗 20と抵抗 21の接続点は、エラーアンプ 5の反転入力端子(一)及び出力電圧 Voの 正常 Z異常を監視するためのコンパレータ 9の非反転入力端子(+ )に、それぞれ接 続されている。電圧源 15、 16及び 17は、それぞれ誤差基準電圧 Ver、 SS (ソフトス タート)検出電圧 Vss及び検出電圧 Vabを発生している。電圧源 15、 16及び 17がそ れぞれ発生した電圧は、 GND (接地)を基準として、エラーアンプ 5の第 2の非反転 入力端子(+ )、コンパレータ 8の反転入力端子(-)及びコンパレータ 9の反転入力 端子(一)にそれぞれ与えられている。また、 Ver>Vssの関係が成り立つ。
[0037] また、エラーアンプ 5の第 2の非反転入力端子(+ )は、抵抗 18を介して自身の第 1 の非反転入力端子( + )、コンパレータ 8の非反転入力端子( + )及びコンデンサ 19 の一端に接続されている。また、コンデンサ 19の他端は接地されている。
[0038] PWMコンパレータ 4の反転入力端子(一)及び非反転入力端子(+ )には、それぞ れエラーアンプ 5の出力電圧及び三角波発生回路 6が出力する三角波状の電圧が 与えられており、 PWMコンパレータ 4はパルス幅変調された MOSトランジスタ 2に対 する制御信号をゲートドライバ 3に出力する。
[0039] コンパレータ 8の出力( α )はアンド回路 10の一方の入力端子に与えられ、コンパレ ータ 9の出力はインバータ 14により反転された後、アンド回路 10の他方の入力端子 に与えられている。アンド回路の出力( j8 )は、スィッチ回路を制御する制御電圧とし て、スィッチ回路 13に与えられている。
[0040] 本発明における第 1過電流検出値に対応する電圧 VI、第 2過電流検出値に対応 する電圧 V2をそれぞれ出力する電源源 11、 12の各一端には入力電圧 Vinが与え られており、各他端はそれぞれスィッチ回路 13の第 1固定端子、第 2固定端子に接 続されている。ここで、 VI <V2の関係が成り立つている(即ち、第 1過電流検出値よ り第 2過電流検出値の方が大きい)。また、スィッチ回路 13の共通端子はコンパレー タ 7の非反転入力端子(+ )に接続されており、コンパレータ 7の出力は MOSトランジ スタ 2の過電流状態を示す電圧としてゲートドライバ 3に与えられている。ここにおい て、「過電流状態」とは、 MOSトランジスタ 2のドレイン電流が定められた過電流検出 値 (第 1過電流検出値または第 2過電流検出値)以上となって、コンパレータ 7の出力 が高電位 (ハイ)となる状態を 、う。 [0041] ゲートドライバ 3の出力側は、 MOSトランジスタ 2のゲート電極に接続されている。ゲ ートドライバ 3は、コンパレータ 7の出力する電圧(MOSトランジスタ 2の過電流状態を 示す)を参照しつつ、 PWMコンパレータ 4が出力する制御信号に従って MOSトラン ジスタ 2をオン Zオフ制御する。
[0042] また、 MOSトランジスタ 2と、ゲートドライバ 3と、 PWMコンパレータ 4と、エラーアン プ 5と、三角波発生回路 6と、コンパレータ 7、 8、 9とアンド回路 10と、電圧源 11、 12 と、スィッチ回路 13と、インバータ 14と、電圧源 15、 16、 17と、抵抗 18とは、同一の ノ^ケージ内に設けられて一つの集積回路素子 28を構成しており、その集積回路素 子 28に含まれるゲートドライバ 3等は、全て入力電圧 Vinを電源として駆動して 、る。 その際、集積回路素子 28の端子 SS、 INV、 SWは、それぞれコンパレータ 8の非反 転入力端子(+ )、エラーアンプ 5の反転入力端子(一)、 MOSトランジスタのドレイン 電極に接続されている。
[0043] 但し、集積回路素子 28の内部に設けられる部品と外部に設けられる部品を区別し たのは、あくまで例示であって、例えば、 MOSトランジスタ 2を集積回路素子 28の外 部に設け、入力電圧 Vin以外の電圧を電源電圧として集積回路素子 28に供給する ようにしてもよいし、コンパレータ 9を集積回路素子 28に設けずに集積回路素子 28の 外部に接続するようにしてもょ 、し、コンデンサ 19を集積回路素子 28の内部に設け るようにしてもよい。尚、図 1においては、スィッチ回路 13の共通端子が第 1固定端子 (電圧源 11側)に接続されている状態を、例示している。
[0044] (図 1 :動作の説明)
エラーアンプ 5は、第 1の非反転入力端子(+ )及び第 2の非反転入力端子(+ )に 加わる電圧の双方より、反転入力端子(一)に加わる電圧が低いという条件 (以下、「 条件 1」という)が成立するときに、条件 1が成立しない場合と比べて高い電圧を出力 するように構成されており、条件 1が成立するときに、条件 1が成立しない場合と比べ て MOSトランジスタ 2がオンする時間的割合が大きくなるように、ドライバー 3等は構 成されている。
[0045] 出力電圧 Voが抵抗 20と抵抗 21とにより分圧された電圧が、誤差基準電圧 Ver及 び端子 SSに加わる電圧と比較され、定常状態(出力電圧 Voが目標電圧 Vtarに安 定化された状態)においては、それら 3つの電圧が等しくなるように MOSトランジスタ 2は制御される。即ち、誤差基準電圧 Verと抵抗 21及び抵抗 22の分圧比とにより、出 力電圧 Voが安定すべき目標電圧 Vtarは決定されており、主にエラーアンプ 5、 PW Mコンパレータ 4、三角波発生回路 6及びゲートドライバ 3から構成される制御部 30の 働きによって、出力電圧 Voは目標電圧 Vtarに安定ィ匕される。つまり、制御部 30は、 出力電圧 Voが目標電圧 Vtarで保たれるように(安定化されうように)、 MOSトランジ スタ 2をオン Zオフ制御する。
[0046] 過電流監視部 33は、主として電圧源 11、電圧源 12、スィッチ回路 13及びコンパレ ータ 7から構成されており、 MOSトランジスタ 2の過電流状態を監視する。また、上述 したように、過電流監視部 33は、第 1過電流検出値と該第 1過電流検出値より大きい 第 2過電流検出値との 2段階の過電流検出値が設定可能となっている。
[0047] 出力電圧監視部 34は、主としてコンパレータ 9及び電圧源 17から構成されている。
抵抗 20及び抵抗 21の抵抗値をそれぞれ Rl、 R2とすると、出力電圧監視部 34は、 出力電圧 Voの抵抗 20及び抵抗 21とによる分圧 (Vo -R2/ (Rl +R2);出力電圧 V oに応じた電圧)を検出電圧 Vabと比較し、 Vo -R2/ (Rl +R2) >Vabが成立すると きには、出力電圧 Voは正常であると検出する一方、 Vo 'R2Z (Rl +R2)く Vabが 成立するときには、出力電圧 Voは異常であると検出する。換言すれば、出力電圧 Vo を電圧 (Vab ' (R1 +R2) ZR2)と比較することにより、出力電圧 Voの正常 Z異常を 検出する。そして、その検出結果をインバータ 14及びアンド回路 10を介して過電流 監視部 33に与えている。
[0048] また、電源装置 1においては、出力電圧 Voが正である例を示している力 勿論出力 電圧 Voが負であるようにも電源装置 1は変形可能である。その場合を含めて考えると 、出力電圧監視部 34は、出力電圧 Voの抵抗 20及び抵抗 21とによる分圧 (Vo 'R2 / (Rl +R2);出力電圧 Voに応じた電圧)の絶対値 (大きさ)を検出電圧 Vabの絶対 値 (大きさ)と比較し、 I Vo -R2/ (Rl +R2) I > I Vab Iが成立するときには、出 力電圧 Voは正常であると検出する一方、 I Vo 'R2Z (Rl +R2) | < | Vab |が成 立するときには、出力電圧 Voは異常であると検出する。
[0049] 尚、インバータ 14は出力電圧監視部 34の一部であると捉えることもできるし、上記 過電流監視部 33の一部であると捉えることもできる。また、アンド回路 10は過電流監 視部 33の一部であると捉えることもできる。
[0050] ソフトスタート回路 32は、主として電圧源 15、抵抗 18及びコンデンサ 19から構成さ れており、電源投入時 (入力電圧 Vinの投入時)における出力電圧 Voの立ち上がり 力 Sソフトスタートするように(出力電圧 Voが徐々に立ち上るように) MOSトランジスタ 2 を制御するための回路である。このソフトスタート回路 32がなければ (即ち、抵抗 18 力 SOオームであれば)、電源投入時において負荷 25等へ大きな突入電流が流れて、 出力電圧 Voが急激に立ち上がる。し力しながら、このソフトスタート回路 32とエラーァ ンプ 5の機能とにより、電源投入時における負荷 25等への突入電流が比較的 (ソフト スタート回路 32がない場合と比べて)小さくなり、出力電圧 Voはソフトスタート回路 32 力 、場合よりも、緩やかにたち上がる (徐々に立ち上がる)。つまり「電源投入時に おける出力電圧 Voの立ち上がりがソフトスタートする」とは、電源投入時において、ソ フトスタート回路 32がない場合と比べて出力電圧 Voが緩やかに立ち上がることを意 味し、これにより、インダクタ 23やコンデンサ 24や負荷 25の入力電流の定格値を小 さくすることができる。また、このソフトスタート回路 32の存在により、エラーアンプ 5の 応答遅れ等に起因する出力電圧 Voのオーバーシュートが軽減される。
[0051] 起動監視部 31は、主として上記ソフトスタート回路 32、コンパレータ 8及び電源源 1 6から構成される。
[0052] 過電流検出回路 35は、主として起動監視部 31、過電流監視部 33及び出力電圧 監視部 34から構成されており、 MOSトランジスタ 2の過電流状態を検出する。また、 制御部 30も過電流検出回路 35に含まれると考えてもよい。過電流検出回路 35に対 する電源は、入力電圧 Vinに一致する。
[0053] また、ソフトスタート回路 32において、端子 SSとの接続点の電位は過電流検出回 路 35への電源投入後、上昇し始める。その端子 SSに加わる電圧は、電源投入して からの時間に対応しており、その電圧の上昇率は誤差基準電圧 Ver、抵抗 18の抵抗 値及びコンデンサ 19の静電容量で定まる。換言すれば、端子 SSに加わる電圧は、 電源投入後において容量性素子であるコンデンサ 19に、誤差基準電圧 Ver、抵抗 1 8の抵抗値及びコンデンサ 19の静電容量で定まる電流を流すことによって生じた電 圧である。
[0054] そして、端子 SSにカ卩わる電圧を SS検出電圧 Vssと比較した結果をコンパレータ 8 が出力する。つまり、起動監視部 31は、過電流検出回路 35に対して電源投入してか らの時間力 検出電圧 Vssで定まる時間を超えるときに高電位 (ハイ)の電圧 (本発明 における「定常状態信号」に相当する)をコンパレータ 8から出力する一方、検出電圧 Vssで定まる時間以下 (ある 、は未満)のときに低電位 (ロー)の電圧 (本発明におけ る「起動状態信号」に相当する)をコンパレータ 8から出力する。
[0055] また、端子 SSに加わる電圧はソフトスタート回路 32が出力する電圧であるとの捉え ることもできる。従って、起動監視部 31は、そのソフトスタート回路 32が出力する電圧 (端子 SSに加わる電圧)に基づ 、て過電流検出回路 35に対して電源投入してから の時間を検出し、その検出された時間に応じて前記「定常状態信号」または「起動状 態信号」を出力するものとも言える。また、エラーアンプ 5は、ソフトスタート回路 32が 出力する電圧に基づいて、電源投入時の出力電圧 Voを制御する。
[0056] コンパレータ 7の反転入力端子には、入力電圧 Vinから MOSトランジスタ 2のオン 抵抗の抵抗値 Ronとドレイン電流 Idとの積を引 、た電圧 (Vin -Ron · Id)が加わる。 また、コンパレータ 7の非反転入力端子(+ )には、アンド回路 10の出力がハイのとき に (Vin—V2)が印加され、アンド回路 10の出力がローのときに (Vin— VI)が印加さ れるように、スィッチ回路 13は構成されている。
[0057] アンド回路 10の出力がハイのとき、即ち、出力電圧 Voが異常であり( I Vo'R2Z( R1 +R2) I < I Vab Iが成立し)、且つコンパレータ 8 (起動監視部 31)より「定常 状態信号」(ハイの出力信号)が出力されているとき、過電流監視部 33は、その過電 流検出値として第 1過電流検出値 (I )を設定する。つまり、過電流監視部 33は、
Liml
電圧 (Ron 'Id)と電圧 VIとを比較し、その比較結果をゲートドライバ 3に与える。ここ における第 1過電流検出値とは、 I =VlZRonである。
Liml
[0058] そして、コンパレータ 7は、 Ron'Idく VIが成立するときはロー信号をゲートドライバ 3に与える。このときは、 MOSトランジスタ 2は過電流状態でないとして、通常の制御( 出力電圧 Voを目標電圧 Vtarに保つ制御)を行う。
[0059] 逆に、 Ron'Id>Vl (あるいは Ron'Id≥Vl)が成立するとき(過電流状態であると き)、コンパレータ 7はハイ信号をゲートドライバ 3に与える。このとき、ゲートドライバ 3 は、過電流検出回路 35により過電流状態であることが検出されたとして、 MOSトラン ジスタ 2を遮断する。これにより、ー且 Ron'Id>Vl (あるいは Ron'Id≥Vl)は成立 しなくなるが、制御部 30の機能により、再度 MOSトランジスタ 2はオンされる。そして、 再び Ron · Id > VI (ある!/、は Ron · Id≥ VI)が成立すれば、再度 MOSトランジスタ 2 は遮断される。
[0060] このように、ゲートドライバ 3を含む制御部 30は、 MOSトランジスタ 2のドレイン電流 I dが過電流検出値で定まる電流値 (VlZRon)以下になるように MOSトランジスタ 2 を制御している。この制御方式は、出力電圧 Voの如何によらずドレイン電流を一定 値以下にするものであるため、定電流垂下方式である。
[0061] 一方、アンド回路 10の出力がローのとき、即ち、出力電圧 Voが正常であるか( I V o -R2/ (Rl +R2) I > I Vab Iが成立するか)、又はコンパレータ 8 (起動監視部 3 1)より「起動状態信号」(ローの出力信号)が出力されているとき、過電流監視部 33 は、その過電流検出値として第 2過電流検出値 (I )を設定する。つまり、過電流監
Lim2
視部 33は、電圧 (Ron'Id)と電圧 V2とを比較し、その比較結果をゲートドライバ 3に 与える。ここにおける第 2過電流検出値とは、 I
Lim2 =V2ZRonである。
[0062] そして、コンパレータ 7は、 Ron'Id<V2が成立するときに、ロー信号をゲートドライ バ 3に与え、逆に、 Ron'Id>V2 (あるいは Ron'Id≥V2)が成立するとき(過電流状 態であるとき)に、ハイ信号をゲートドライバ 3に与える。コンパレータ 7の出力に応じた ゲートドライバ 3を含む制御部 30の動作は、アンド回路 10の出力がハイのときと同じ である。
[0063] 尚、 MOSトランジスタ 2のオン抵抗の抵抗値 Ronに対して、例えば 100倍のオン抵 抗の抵抗値を有する検出用 MOSトランジスタ(不図示)に、 I · 1Z100のドレイン
Liml
電流を流すと、検出用 MOSトランジスタのドレイン ソース電極間には電圧 Ron'I ( = 100Ron-I · 1Ζ100)が生じる。この電圧 Ron'I を、自身の出力電圧 VI し iml Liml Limi
とするようにして、電圧源 11は構成されるようにすればよ!、。
[0064] 例えば、 MOSトランジスタ 2を、 100個の単位セルトランジスタのドレイン、ソース及 びゲートをそれぞれ並列接続することにより単一の MOSトランジスタとして形成し、検 出用 MOSトランジスタ(不図示)を、単一の単位セルトランジスタより形成するようにす れば、検出用 MOSトランジスタのオン抵抗の抵抗値は約 100'Ronとなる。但し、 M OSトランジスタ 2を構成する単位セルトランジスタ及び前記検出用 MOSトランジスタ( 不図示)を構成する単位セルトランジスタは、全て同一の半導体基板上に同一の製 造プロセスを用いて形成されている。また、電圧源 12も電圧源 11と同様に構成され る。
[0065] (図 2 :波形を用いた説明)
次に、電源装置 1における各電圧波形、電流波形を示した図 2を用いて、過電流検 出回路 35及び電源装置 1の動作を説明する。
[0066] 図 2【こお!ヽて、実線 40、 41、 42、 43、 44、 45、 46ίま、それぞれ人力電圧 Vinの電 圧波形、端子 SSに加わる電圧波形、コンパレータ 8の出力 ;図 1参照)の電圧波 形、 MOSトランジスタ 2のドレイン電流 (Id)波形、過電流検出値、出力電圧 Voの波 形、アンド回路 10の出力(j8;図 1参照)の電圧波形を示す。
[0067] まず、タイミング T1において入力電圧 Vinが投入される。すると、コンデンサ 19の充 電が開始され、端子 SSに加わる電圧が上昇を開始する。また、電源投入直後は、出 力電圧 Voは 0Vであるため、制御部 30は、出力電圧 Voを目標電圧 Vtarに上昇させ るべく MOSトランジスタ 2を制御する。この MOSトランジスタ 2に対する制御により、ド レイン電流 Idが流れるが、ソフトスタート回路 32の機能によってドレイン電流 Idは比較 的緩やかに増加し、出力電圧 Voも比較的緩やかに立ち上がる(タイミング T1〜T3 の期間を参照)。ソフトスタート回路 32の動作により、端子 SSに加わる電圧は、出力 電圧 Voとおおよそ同期して上昇することとなる。
[0068] また、コンパレータ 8の出力 )がロー(Lo)であるため、アンド回路 10の出力(j8 ) もローとなる。従って、過電流検出値は第 2過電流検出値 (V2ZRon)となっている。
[0069] タイミング T2において、端子 SSに加わる電圧が SS検出電圧 Vssに達し、コンパレ ータ 8の出力(α )は、ロー力もハイに切り替わる。尚、このタイミング Τ2においては、 出力電圧 Voが余裕をもって正常 Ζ異常の閾値である Vab (Rl +R2) ZR2を超える ように、電源装置 1の各部品は構成されている。従って、この時点におけるアンド回路 10の出力(|8 )はローである。 [0070] タイミング T3において、ドレイン電流 Idが第 2過電流検出値に達すると、 MOSトラン ジスタ 2はゲートドライバ 3を介して遮断されるので、ドレイン電流 Idは第 2過電流検出 値を超えない。この第 2過電流検出値は、通常、電源装置 1の起動時 (入力電圧 Vin が印加された後、初めて出力電圧 Voが OVから目標電圧 Vtarに向力う時)における 突入電流の最大値よりやや大きいか、または同程度に設定される。そのように設定す ること〖こより、出力電圧 Voは速やかに目標電圧 Vtarに達する。図 2は、過電流保護 動作の説明のために、第 2過電流検出値に突入電流の最大値が達するように記載し ている。
[0071] また、起動時において、負荷 25に突入電流が流れる期間は短時間(例えば、数 10 μ sec〜数 msec以下)であるため、過電流検出値として比較的大きな値を有する第 2 過電流検出値を設定していても、 MOSトランジスタ 2、ダイオード 22及びインダクタ 2 3等の発熱量は少ない(同時に、集積回路素子 28全体の発熱量は少ない)。従って 、それらの部品が破損 (熱破損)することはないため、電源装置 1の高い信頼性は維 持される。
[0072] タイミング T4にお!/、て、出力電圧 Voが目標電圧 Vtarに達する。タイミング T4〜T5 の間は、出力電圧 Voが目標電圧 Vtarに安定化された定常状態となっており、起動 時におけるような突入電流は流れて 、な 、ため、ドレイン電流 Idは比較的小さな値に なっている。
[0073] タイミング T5において、負荷 25が短絡されたとすると、出力電圧 Voは Vab (Rl +R 2) ZR2より小さい 0Vまで降下する。このとき、コンパレータ 9の出力はローとなるから 、アンド回路 10の出力( β )はハイとなる。その結果、過電流検出値は、第 1過電流検 出値 (VlZRon)に切り替わる。
[0074] そうすると、出力電圧 Voが 0Vであるのにも拘らず、ドレイン電流 Idの最大値は第 2 過電流検出値よりも小さな第 1過電流検出値に抑えられることとなる(タイミング T5〜 Τ6間を参照)。仮にタイミング Τ5〜Τ6の期間が長時間(例えば、 1分間)に及んでも 、 MOSトランジスタ 2やダイオード 22、インダクタ 23等が破損しないような値を第 1過 電流検出値として設定しておけば、電源装置 1の信頼性は極めて高くなる。
[0075] また、第 1過電流検出値を適切に設定することにより、電源装置 1の信頼性を維持 しつつも、 MOSトランジスタ 2、ダイオード 22及びインダクタ 23等の部品に、電流定 格のより小さなものを採用できるようになるため、実装面積の低減やコストダウンを実 現することも可能である。
[0076] タイミング T6にお 、て、負荷 25の短絡が解除され、出力電圧 Voは再び上昇を開 始する。
[0077] 続いて、タイミング T7において、出カ電圧¥0が¥&1) (1^1 +1^2) 71^2に達し、アン ド回路 10の出力( β )がローに切り替わるとともに、過電流検出値が第 2過電流検出 値に切り替わる。その後、タイミング Τ7とタイミング Τ8の間において、出力電圧 Voは 再度、目標電圧 Vtarに達する。
[0078] 尚、タイミング T6以降に、出力電圧 Voが目標電圧 Vtarまで上昇する過程におい ては、出力電圧 Voの立ち上がりがソフトスタートするようになっていないが、ソフトスタ ートするようにするには、以下(1)及び(2)を満たすように、図 1における回路を変形 すればよい。
(1)タイミング T5におけるように、出力電圧 Voが 0Vとなっている状態においては、 SS端子に加わる電圧がー且、 0Vに落ちるようにする。
(2)電源投入後、一度コンパレータ 8の出力がハイになれば、以後アンド回路 10の 一方の入力端子 (インバータ 14の出力が接続されていない入力端子)には、常時ノ、 ィ信号が加わるようにするラッチ回路 (不図示)を、コンパレータ 8の出力からアンド回 路 10の一方の入力端子に伸びる線路に挿入する。
[0079] 次に、タイミング T8において、負荷 25の必要とする電流が増大し、一時的に出力 電圧 Voが目標電圧 Vtar未満になる(但し、 Vab (Rl +R2) ZR2以上)とする。する と、制御部 30は、ドレイン電流 Idを第 1過電流検出値より大きな値にまで増加させて 、出力電圧 Voを目標電圧 Vtarに一致させようとする(タイミング T8〜T9の期間)。こ のときにおいては、過電流検出値としては第 2過電流検出値が設定されているため、 過電流保護機能は動作せず、出力電圧 Voは速やかに目標電圧 Vtarに回復する。
[0080] 十分に長!、時間で平均した負荷 25の消費電流は安定的であっても、短時間(例え ば、数 msec等)に着目すれば、起動時以外でも負荷 25が必要とする電流が大きく変 動することは通常である。この変動は、負荷 25が起動時以外でも短時間(例えば、数 msec)に大きな充電電流を必要とする容量性負荷である場合やサージ状の大電流 を引き込むモータ等である場合は顕著である。しかし、過電流検出値として比較的大 きな値の第 2過電流検出値が設定されているため、そのような変動によっては過電流 保護動作が機能せず、出力電圧 Voは常に目標電圧 Vtarに維持される (厳密には、 速やかに目標電圧 Vtarに回復する)。
[0081] < <第 2実施形態 > >
次に、本発明に係る過電流検出回路及びこれを有する電源装置の第 2実施形態に ついて説明する。図 3は、第 2実施形態に係る電源装置 51の回路構成図である。図 3において、図 1と同一の部分は同一の符号を付して説明を省略する。
[0082] 電源装置 51が、電源装置 1と相違する点のみを説明する。電源装置 51においては 、集積回路素子 28に代えて集積回路素子 58が備えられおり、集積回路素子 58には 、 MOSトランジスタ 2に相当するスイッチング素子は設けられていない。 MOSトランジ スタ 2に相当するスイッチング素子としては、集積回路素子 58の外部に Pチャンネル の MOSトランジスタ 52が備えられている。ゲートドライバ 3の出力は、この MOSトラン ジスタ 52のゲート電極に与えられており、ゲートドライバ 3は MOSトランジスタ 52のォ ン Zオフ制御を行う。
[0083] 入力電圧 Vinは、抵抗値が R3の抵抗 53を介して MOSトランジスタ 52のソース電 極に与えられ、 MOSトランジスタ 52のドレイン電極は、ダイオード 22の力ソード及び インダクタ 23の一端に接続されている。また、抵抗 53と MOSトランジスタ 52のソース 電極との接続点は、コンパレータ 7の反転入力端子(一)に接続されている。
[0084] また、電源装置 1におけるソフトスタート回路 32に代えてソフトスタート回路 36が設 けられている。このソフトスタート回路 36は、主として定電流源 60、抵抗 61及びコン デンサ 19から構成されている。定電流源 60の一端には電圧 Vinが与えられており、 定電流源 60の他端は、抵抗 61を介してエラーアンプ 5の第 1の非反転入力端子(+ )、コンパレータ 8の非反転入力端子(+ )、及び端子 SSに共通接続されている。端 子 SSは、電源装置 1と同様、コンデンサ 19を介して接地されている。尚、電源装置 1 では設けられていた抵抗 18は、電源装置 51では存在しない。
[0085] 定電流源 60の出力する一定の電流により、電源投入時にコンデンサ 19が充電さ れる。このソフトスタート回路 36は、電源装置 1におけるソフトスタート回路 32と同様の 機能を有するものであり、電源投入時 (入力電圧 Vinの投入時)における出力電圧 V oの立ち上がりがソフトスタートするように(出力電圧 Voが徐々に立ち上るように) MO Sトランジスタ 52を制御するための回路である。
[0086] 起動監視部 37は、主として上記ソフトスタート回路 36、コンパレータ 8及び電源源 1 6から構成され、電源装置 1における起動監視部 39と同様の動作を行う。過電流検 出回路 38は、主として起動監視部 37、過電流監視部 33及び出力電圧監視部 34か ら構成されており、 MOSトランジスタ 52の過電流状態を検出する。また、制御部 30も 過電流検出回路 38に含まれると考えてもよい。過電流検出回路 38に対する電源は 、入力電圧 Vinに一致する。
[0087] 上記のように構成した場合は、 MOSトランジスタ 52のドレイン電流 Idと抵抗 53の抵 抗値 R3との積である電圧 (R3, Id)力 電圧 VIまたは電圧 V2と比較されることとなる 。即ち、過電流検出回路 35にとつては、コンパレータ 7により電圧 VIまたは電圧 V2と 比較される電圧が、電圧 (R3 'Id)に代わっている(第 1実施形態においては電圧 (R on 'Id) )だけである。
[0088] 従って、電源装置 51のように構成しても、電源装置 1と同様の動作が実現され、電 源装置 1と同様に信頼性向上等、様々な効果が得られる。また、電源装置 51のように 構成した場合は、 MOSトランジスタ 52のオン抵抗の抵抗値に関係なぐ正確に過電 流検出を行うことができる(なぜなら、抵抗値 R3とドレイン電流 Idとの積に基づいて過 電流検出を行うから)。従って、 MOSトランジスタに代えて、接合型電界効果トランジ スタゃバイポーラトランジスタをスイッチング素子として採用することもできる。
[0089] また、電圧源 11、電圧源 12の双方、または一方を集積回路素子 58の外部に設け るようにして、過電流検出値を用途に合わせて自由に設定できるようにしてもよい。
[0090] < <変形等 > >
電源装置 1及び電源装置 51においては、抵抗 20と抵抗 21との接続点の電圧がコ ンパレータ 9の非反転入力端子(+ )に加わるようにしている力 出力電圧 Voがその ままコンパレータ 9の非反転入力端子(+ )に加わるように、図 1及び図 3の回路構成 を変形してもよい。 [0091] また、電源装置 1のソフトスタート回路 32と電源装置 51のソフトスタート回路 36は、 相互に置換可能である。
[0092] また、本発明は、電源装置 1 (図 1参照)や電源装置 51 (図 3)に限らず、様々なスィ ツチングレギユレータゃ DC— DCコンバータ等を備えた電源装置に適用可能である
。更にまた、本発明は、 3端子レギユレータ等のシリーズレギユレータ(ドロッパ型レギ ユレータ)を備えた電源装置にも適用可能である。
産業上の利用可能性
[0093] 本発明は、過電流保護機能を必要とする電源装置やハイサイドスィッチ等に好適 であり、特に、高い信頼性が必要となることが多い車載用の電源装置や、容量性の負 荷に電流を出力する電源装置に好適である。

Claims

請求の範囲
[1] 負荷に電流を出力するスイッチング素子の過電流状態を検出する過電流検出回路 であって、
当該過電流検出回路に対して電源投入して力 の時間が、所定時間を超えるとき に定常状態信号を出力する一方、前記所定時間未満のときに起動状態信号を出力 する起動監視部と、
第 1過電流検出値と該第 1過電流検出値より大きい第 2過電流検出値との 2段階の 過電流検出値を設定可能であって、前記スイッチング素子の過電流状態を監視する 過電流監視部と、
前記負荷への出力電圧に応じた電圧を所定電圧と比較することにより、前記出力 電圧の正常 Z異常を検出し、その検出結果を前記過電流監視部に与える出力電圧 監視部とを備え、
前記過電流監視部は、前記出力電圧が異常であり、且つ前記定常状態信号が出 力されているとき、前記過電流検出値として前記第 1過電流検出値を設定する一方、 前記出力電圧が正常である力、又は前記起動状態信号が出力されているとき、前記 過電流検出値として前記第 2過電流検出値を設定することを特徴とする過電流検出 回路。
[2] 前記出力電圧監視部は、前記出力電圧に応じた電圧の大きさと所定の検出電圧 の大きさとを比較し、前記出力電圧に応じた電圧の大きさが前記検出電圧の大きさよ り大きいときには、前記出力電圧は正常であると検出する一方、前記出力電圧に応じ た電圧の大きさが前記検出電圧の大きさより小さいときには、前記出力電圧は異常で あると検出して、その検出結果を前記過電流監視部に与えることを特徴とする請求項 1に記載の過電流検出回路。
[3] 前記起動監視部は、当該過電流検出回路に対して電源投入してからの時間に対 応する電圧を出力しつつ前記電源投入時における前記出力電圧の立ち上がりがソ フトスタートするように前記スイッチング素子を制御するソフトスタート回路を備えるとと もに、該ソフトスタート回路の出力する電圧に基づいて、前記定常状態信号または前 記起動状態信号を出力することを特徴とする請求項 1または請求項 2に記載の過電 流検出回路。
[4] 前記起動監視部は、前記電源投入後において容量性素子に所定の電流を流すこ とによって生じた電圧に基づいて、前記定常状態信号または前記起動状態信号を出 力することを特徴する請求項 1または請求項 2に記載の過電流検出回路。
[5] 前記第 1過電流検出値及び前記第 2過電流検出値は、前記スイッチング素子への 入力電圧を基準として定められていることを特徴する請求項 1または請求項 2に記載 の過電流検出回路。
[6] 前記過電流監視部が出力する、前記スイッチング素子の過電流状態に関わる信号 に応じて、前記スイッチング素子を制御する制御部を更に備えて 、ることを特徴する 請求項 1または請求項 2に記載の過電流検出回路。
[7] 請求項 1または請求項 2に記載の過電流検出回路と、
前記スイッチング素子と、
前記スイッチング素子の出力側の電圧を平滑化して前記負荷へ出力する平滑回路 とを備えたことを特徴とする電源装置。
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