WO2005096041A1

WO2005096041A1 - マイクロパターン位相差素子

Info

Publication number: WO2005096041A1
Application number: PCT/JP2005/005848
Authority: WO
Inventors: Daisaku Matsunaga; Masanori Hashimoto; Christian Ruslim; Takashi Tamaki; Kunihiro Ichimura
Original assignee: National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology; Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha
Priority date: 2004-03-30
Filing date: 2005-03-29
Publication date: 2005-10-13
Also published as: US7736708B2; JPWO2005096041A1; US20070134442A1

Abstract

　本発明のマイクロパターン位相差素子は、延伸処理を必要とせず、かつフィルムの切削切除などの極めて高い位置決め精度を必要とせず、位相差域をμ単位の幅で制御したマイクロパターン位相差素子及びその製造方法に関するもので、該位相差素子は、光活性基を有する液晶性又は非液晶性の高分子薄膜層を基板上に設け、ついでマイクロパターン状に配向処理を施した後、該高分子薄膜層に接して複屈折層を設けることにより、該複屈折層の複屈折分子が該薄膜における光活性基の配向に従って配向し、マイクロパターン位相差素子を得ることができる。該位相差素子は立体表示装置などに使用される。

Description

明細書

マイクロパターン位相差素子

技術分野

[0001] 本発明は、新規なマイクロパターン位相差素子及びその製造方法、更にはマイクロノターン位相差素子を用いた立体視を可能にする液晶表示素子に関する。

背景技術

[0002] 画像を立体的に視る技術 (立体視）に関しては、様々な方法が提案されている。その一つである偏光を利用する二眼式立体視は、偏光眼鏡方式とも呼ばれるものである。右目、左目に、各々の偏光軸が直交する偏光板を使用した眼鏡をかけた状態で、右目、及び左目力得られる画像は両眼視差を有するものであり、各々光の偏光面を直交させ観察者の眼鏡の偏光板により左右の画像情報を各々左右の目に振り分けて観察する方式である。この方式にぉ、て偏光方向の異なる画像を映し出すには、 2台の表示装置や投影装置を用いて作られる画像をハーフミラー或、は偏光ミラ一で合成する方法がとられている。この場合、表示装置が高価になり、多数の観客に立体画像を見せる場合には適するが、家庭用或いは少人数で見るオフィス用及びその他ディスプレイ用には適さないという問題点を有していた。そこで、同一面内に偏光軸が直交するマイクロパターン偏光素子を表示装置として用いれば、 1台の表示装置中に右目用画像と左目用画像を同時に表示することが可能になり、装置の価格も安価にする事が出来ると提案されている。

[0003] 従来から偏光の透過軸方向が異なる複数の偏光領域にパターンを形成した偏光素子は、いくつか知られている。

例えば、特許文献 1には延伸したポリビュルアルコールフィルム上にレジストを塗布後、パターン露光'現像してレジストをパターユングし、レジストで覆われていない延伸ポリビニルアルコールフィルム部分を二色性ィ匕合物により染色して所望パターンの偏光領域を形成する方法が提案されている。 Sadeg M.Farisは 1991年の Society of Infomation and Display Conferanceにおいて、延伸した二色性ポリビュルアルコールフィルム上にレジストを塗布し、パター-ングした後、苛性ソーダ水溶液で溶解除去してパターンィ匕した偏光フィルムを得、偏光軸の直交する二枚のパターン化偏光フィルムを重ね合わせて; z Polという偏光素子を作製し、立体視に用いる方法を発表している (非特許文献 1)。また、特許文献 2、特許文献 3及び特許文献 4には、基板上に塗布した光配向物質力なる薄膜にパターン状に偏光を照射し、その上に、二色性色素溶液を塗布配向させて光軸を直交させたマイクロパターン偏光素子を作成し、それを LCD画素電極に対応して作り込む方式が提案されている。

一方特許文献 5、 6、 7及び 8には立体表示に使用するマイクロパターンを有する位相差フィルムが開示されて、る。

特許文献 5及び 6には透明な支持材上に接着剤を介して、位相差フィルムを設け、続いて、該位相差フィルムの所定位置にレジスト部材を設けた後、熱水に浸漬させ、位相差フィルムのレジスト部材の存在しな、部分の位相差機能を消失させた後、乾燥させて、位相差機能を有する部分と位相差機能を消失させた部分をマイクロパターン状に持つフィルムが提案されて、る。

また、特許文献 7及び特許文献 8には、透明な支持材上に位相差フィルムを設け、位相差フィルムの所定部分を超硬刃により切削除去し、位相差機能を有する部分と位相差機能を消失させた部分をマイクロパターン状に持つフィルムが提案されている特許文献 1 :特開昭 62— 96905号公報

特許文献 2 :特開 2001— 159713号公報

特許文献 3：特開 2002— 357720号公報

特許文献 4:米国特許第 5327285号明細書

特許文献 5：特開 2001— 59948号公報

特許文献 6：特開 2001— 59949号公報

特許文献 7：特開 2002— 14301号公報

特許文献 8：特開 2001— 147499号公報

非特許文献 l : Sadeg M.Faris SID 91 DIGEST p840- 843

発明の開示

発明が解決しょうとする課題 [0005] 従来から知られて!、る立体表示に使用する偏光透過軸方向が異なる複数の偏光領域をパターン形成した偏光素子又は位相差フィルムには、次のような問題点があるすなわ、偏光素子に関して、 Sadeg M.Faris力 Society of Infomation and Display Conferanceにおいて発表した方法 (非特許文献 1、特許文献 4)では、延伸した複屈折性ポリビニルアルコールフィルム上にレジストを塗布し、パターユングした後苛性ソーダ水溶液で溶解除去する際に残される偏光素子部分が膨潤するため偏光能が低下する事と偏光軸が直交する 2種類の基板を貼り合わせて製造するため貼合の際に極めて高!、位置決め精度が要求されると、う問題点がある。

[0006] 特許文献 2、特許文献 3及び特許文献 4の方法では、基板上に塗布した光配向物質薄膜にパターン状に偏光を照射し、その上に二色性色素溶液を塗布、配向させて光軸を直交させたマイクロパターン偏光素子を作成するので、偏光子の貼り合わせの工程などが大幅に短縮される利点はある力可視光全域をカバーするためには吸収帯の異なる複数の二色性色素を必要とする問題がある。

[0007] また、立体表示に使用するパターンを有する位相差フィルムに関しては、特許文献 5の方法では、透明な支持材上に接着剤を介して位相差フィルムを設け、続いて、該位相差フィルムの所定位置にレジスト部材を設けた後、熱水に浸漬させ、位相差フィルムのレジスト部材の存在しない部分に水が浸透し、該部分を変質させ、該部分のみ特定の波長域の光の振動方向を直線偏光状態のまま回転し得る性質 (位相差機能）が消失し、レジスト部材が存在する部分とレジスト部分が存在しない部分とで透過光の位相が 180° ずれたフィルムが得られることになる力熱水に浸漬させると浸漬された部分は部分的に膨潤 ·溶出'凹凸界面の現出等が起こるため、光が拡散し、解像度及びコントラストの低下をもたらす問題がある。

[0008] 特許文献 6の方法では、透明な支持材上に接着剤を介して位相差フィルムを設け、続いて、該位相差フィルムの所定位置にレジスト部材を設けた後、熱水に浸漬し、位相差フィルムのレジスト部材の存在しな、部分の位相差機能を消失させた後、乾燥後レジスト部材側に保護部材を設け耐湿熱性を改善しているが、熱水処理のため、位相差機能を消失させた部分と位相差機能を消失させない部分との境界が明確にならないという問題がある。

[0009] 特許文献 7及び特許文献 8の方法では、透明な支持材上に位相差フィルムを設け、位相差フィルムの所定部分を超硬刃により切削除去し、除去された凹溝部分は位相差フィルムが存しない為、当然、位相差フィルムが有する特定波長域の光の振動方向を直線偏光状態のまま回転し得るという性質は発揮されず、よって、凹溝部分とそれ以外の部分とで透過光の位相が 180° ずれるフィルムが得られることになるが、支持材 (基材)上に配置した位相差フィルムを部分的に超硬刃（ノコ刃）等により凹溝状に削る工程には極めて高、精度が要求されると、う問題がある。

[0010] 本発明者らは、立体表示に使用することができるマイクロパターンを有する位相差フィルムの上記の問題点を根本的に解決することを考えた。すなわち、本発明が解決しようとする課題は、上記のような問題のある熱水処理又は極めて高い精度を必要とする切削除去などの工程がなぐ部分的配向に優れたマイクロパターンが形成されてヽる複屈折層を有する新たな位相差素子を得ること、その位相差素子の製造方法及びこのマイクロパターン位相差素子を用いた液晶表示装置を提供することである。特に、今まで、 μ単位で位相差域を制御できる位相差フィルム若しくは位相差素子は知られておらず、そのような位相差素子 (位相差フィルムを含む)を提供することである。

課題を解決するための手段

[0011] 本発明者らは前記課題について鋭意検討し、本発明に到った。

すなわち、本発明は、複屈折層の配向性を全体的に高められた表示素子用として実用水準にあるマイクロパターン位相差素子について検討した。

従来位相差フィルムはフィルムの延伸により製造されるため、マイクロパターンを有する位相差フィルムを作成しょうとすると、上記のような方法以外、適当な方法が見いだされていなかった。

そこで本発明者らは位相差フィルムを延伸によらず、液晶の配向により位相差素子を製造すること、該液晶の配向を配向した高分子膜により制御し、液晶の配向をマイクロパターンィ匕することを考え検討した。

具体的には、始めに、複屈折層のマイクロパターン状異方的配列に適した光活性分子層について鋭意検討を行った。その結果、光活性分子層としては、光活性基を結合させたポリアミド、ポリイミド、ポリエステル等の液晶性重縮合高分子やポリウレタンのような液晶性重付加反応高分子或いは液晶性ポリ桂皮酸ビニル、及び光活性基を有する非液晶性のポリメタクロィル (アタリロイル)ォキシメトキシカルボ-ルォキシェチルァゾベンゼンがマイクロパターンィ匕するのに優れた適性を有することを見出した。

[0012] 次に、複屈折層について検討した。即ち、前記の光活性分子層の高分子薄膜に高度な配向性を与えることにより、その上に形成しょうとする複屈折層の分子配向性を十分に制御しうる可能性があると考えた。換言すると、高度な配向性を有する高分子薄膜の影響により、その上に形成される複屈折分子、例えば、液晶性物質を含む複屈折層の分子配向を十分に制御しうる可能性があると考え、検討した結果、高度に配向した高分子薄膜の場合、位相差素子に適したサーモト口ピック液晶性を有するネマチック液晶及びリオトロピック液晶性物質をマイクロパターンィ匕した位相差素子として適する程度に十分に配向させうることを見出した。

即ち、基板上に光活性基を有する液晶性又は非液晶性の高分子薄膜を形成し、該高分子薄膜に直線偏光を照射することにより、複屈折層の分子軸が光活性基の分子軸の配列方向、即ち該薄膜に照射した直線偏光の偏光軸で規定された方向に配列し、かつ偏光軸が固定されて、複屈折層によりマイクロパターンを形成することができ、マイクロパターン位相差素子が得られることを見出した。

[0013] このようにして得られる位相差素子力なる基板を用いると、同一面内に偏光軸が直交するマイクロパターン偏光素子を表示装置として用いることにより、 1台の表示装置中に右目用画像と左目用画像を同時に表示することが可能となり、装置の価格も安価な立体表示装置が得られることを見出した。

[0014] 即ち、本発明によれば、以下の発明が提供される。

(1)基板上に、光配向処理を施された光活性基を有する液晶性又は非液晶性の高分子薄膜層、及び該高分子薄膜層に接して、マイクロパターン状に配列されている複屈折層が設けられていることを特徴とする位相差素子。

(2)前記光活性基が非芳香族性の N=N、非芳香族性の C = C及び非芳香族性の C = N力なる群力も選ばれる少なくとも一つの基である（1)記載の位相差素子。

(3)前記液晶性の高分子薄膜層が、ポリアミド榭脂、ポリイミド榭脂、ポリエステル榭脂、ポリウレタン榭脂又はポリ桂皮酸ビニル榭脂からなる薄膜層である（1)又は（2)記載の位相差素子。

(4)前記非液晶性の高分子薄膜層がポリメタクロィル (アタリロイル)ォキシメトキシカルポ-ルォキシェチルァゾベンゼンからなる薄膜層である（1)又は（2)記載の位相差素子。

(5)前記マイクロパターン状に配列されている複屈折層が、複屈折分子がマイクロパターン状に配列されて、る複屈折層であることを特徴とする（1)〜 (4)の、ずれかに記載の位相差素子。

(6)前記複屈折分子がサーモト口ピック液晶性を有するネマチック液晶である（5)記載の位相差素子。

(7)前記複屈折層がリオトロピック液晶性物質である (5)記載の位相差素子。

(8)基板上に光活性基を有する液晶性又は非液晶性の高分子薄膜層を形成し、該高分子薄膜層に直線偏光を照射した後、該高分子薄膜層上に、複屈折層をマイクロパターン状に配列させて形成することを特徴とする位相差素子の製造方法。

(9)前記光活性基が非芳香族性の N=N、非芳香族性の C = C及び非芳香族性の C=N力なる群力も選ばれる少なくとも一つの基であることを特徴とする（8)記載の位相差素子の製造方法。

(10)前記液晶性の高分子薄膜層が、ポリアミド榭脂、ポリイミド榭脂、ポリエステル榭脂、ポリウレタン榭脂又はポリ桂皮酸ビニル榭脂からなる薄膜層である（8)又は（9)記載の位相差素子の製造方法。

(11)前記非液晶性の高分子薄膜層がポリメタクロィル (アタリロイル)ォキシメトキシカルポ二ルォキシェチルァゾベンゼン力もなる薄膜層であることを特徴とする（8)〜（1 0)の、ずれかに記載の位相差素子の製造方法。

(12)前記複屈折層をマイクロパターン状に配列させて形成することが、複屈折分子をマイクロパターン状に配列させて形成することを特徴とする（8)〜（11)のいずれかに記載の位相差素子の製造方法。 ( 13)前記複屈折分子がサーモト口ピック液晶性を有するネマチック液晶であることを特徴とする（12)記載の位相差素子の製造方法。

(14)前記複屈折層がリオトロピック液晶性物質である（12)記載の位相差素子の製造方法。

(15)前記該高分子薄膜層に直線偏光を、マイクロパターン状のマスクを介して行うことを特徴とする（8)〜（14)の、ずれかに記載の位相差素子の製造方法。

(16)基板上に光活性基を有する液晶性又は非液晶性の高分子薄膜を形成し、該高分子薄膜層にマイクロパターン状のマスクを介して直線偏光を照射し、っヽで別のマイクロパターン状のマスクを介して異なる偏光軸を有する直線偏光を照射したすることにより、該高分子薄膜層上に複屈折分子力なる複屈折層を設け、該複屈折分子をマイクロパターン状に配列させることを特徴とする位相差素子の製造方法。

(17)前記光活性基が非芳香族性の N=N、非芳香族性の C = C及び非芳香族性の C=N力もなる群力も選ばれる少なくとも一つの基である（16)記載の位相差素子の製造方法。

(18)前記液晶性の高分子薄膜層が、ポリアミド榭脂、ポリイミド榭脂、ポリエステル榭脂、ポリウレタン榭脂又はポリ桂皮酸ビニル榭脂からなる薄膜層である（15)又は（16 )記載の位相差素子の製造方法。

(19)液晶性の高分子薄膜層がポリメタクロィル (アタリロイル)ォキシメトキシカルボ- ルォキシェチルァゾベンゼン力なる薄膜層である（15)又は（16)記載の位相差素子の製造方法。

(20)前記直線偏光を照射することを、偏光性を有するレーザ光を照射することにより行われることを特徴とする（16)記載の位相差素子の製造方法。

(21)液晶表示装置であって、対向する上下基板の少なくとも一方が、（1)〜（7)のいずれかに記載の位相差素子を有する基板である立体表示装置。発明の効果

本発明によれば、直線偏光を照射した光活性基を有する液晶性又は非液晶性の高分子薄膜層上に複屈折分子を含む複屈折層を設け、その分子をマイクロパターン状に配列させるだけで、マイクロパターン位相差素子が得られる。延伸操作が必要ないのでガラス基板のような延伸不可能な基板上にも直接位相差素子を作り込むことが可能となった。また、高分子薄膜に照射する直線偏光の偏光軸を変えるだけで複屈折層の分子配列を任意に変えることが可能であり、そのため基板上に偏光軸が異なるマイクロパターン位相差素子の製造が可能となった。この基板を使用した液晶表示素子を用いることにより容易に立体画像の表示が可能となる。

ネマチック液晶の面内配向を部分制御することが可能な本発明の位相差素子を用いた液晶表示装置は、ミクロンメータの微小領域の液晶の面内配向を任意の方向に制御することができるので、低消費電力駆動、高精細表示、高臨場感表示など高品質 LCDに応用が可能であり、低消費電力駆動が必須な携行性表示メディア、高コントラストで高精細な高品位テレビ、臨場感あふれる立体液晶テレビなどへの実用化が見込まれる。

図面の簡単な説明

[0016] [図 1]実施例 1による直線偏光照射による部分配向の状態を示す模式図。

[図 2]実施例 1による光配向した複屈折層の偏光顕微鏡像を示す図。

[図 3]実施例 2による光配向した複屈折層の偏光顕微鏡像を示す図。

発明を実施するための最良の形態

[0017] 以下、本発明について詳細に説明する。

本発明で使用する光活性基を有する液晶性高分子化合物は、直線偏光照射により光活性基の分子軸配向変化を起こす液晶性高分子のことである。ここで言う分子軸配向変化とは、直線偏光の光エネルギーを吸収した後に、その分子軸の方向がその直線偏光に応じて一定方向に変わる現象を意味する。

このような直線偏光照射により光活性基の分子軸配向変化を起こす性質を有する基は全て本発明における光活性基に含まれる。このような光活性基としては、例えば N = N、 C = C、 C = N、等で例示される二重結合基であって、その二重結合基が非芳香族性である基が挙げられる。

[0018] 非芳香族性の N=N結合を有する基の例としては、ァゾベンゼン基、ァゾナフタレン基、ビスァゾ基、ホルマザン基等の芳香族ァゾ基、更にはァゾキシベンゼン基等を挙げることができる。これらの基の好ま、具体例としては例えば下記式一 N = N— A— X、一 OCO (CH ) O— p 'phe— N = N— B— Y、一 Α— Ν = Ν— ρ

2 Ρ

•phe— Υ

(式中、 Α及び Βは、置換基を有していてもよいベンゼン環又はナフタレン環を示す。 Xは、炭素数 1〜10のアルコキシ基、又はジアルキルアミノ基（アルキル基の炭素数は 1〜3)を表し、ジアルキルアミノ基におけるアルキル基は両者同じでも又は異なつてもよぐまた非置換又は片方若しくは両者がシァノ基若しくはヒドロキシ基で置換されていてもよい。 Υは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、ニトロ基、シァノ基、炭素数 1〜10のアルキル基、炭素数 1〜10のアルコキシ基、アルキルォキシカルボ-ルビュル基 (アルキル基の炭素数は 1〜4)、ジアルキルアミノ基 (アルキル基の炭素数は 1〜3)、ジヒドロキシェチルァミノ基、ヒドロキシアルキルアミノ基（アルキル基の炭素数は 1〜3)、ジシァノエチルァミノ基又はシァノエチルアルキルアミノ基（アルキル基の炭素数は 1〜3)力も選ばれる原子又は基を表す。また、 ρは、 1〜： L0の整数を表し、 pheはベンゼン環を示し、 p 'phe又は ο· pheは、各 2つの置換基がパラ位又はォルト位にあることを示す。 )

で表される基が挙げられる。

[0019] 非芳香族性の C = C結合を有する基としては、ポリェン、スチルベン、スチルバゾール、スチルバゾリゥム、桂皮酸、インジゴ、チォインジゴ、へミチオインジゴ等の残基を有する基が挙げられる。これらの基の好ましいものとしては例えば下記式で表される基が挙げられる。

CH = C (X ) (X )

1 2

(式中 X及び Xは、片方が水素原子を示し、他方が置換基を有してもよい芳香族基

1 2

、アルコキシカルボニル基（アルコキシ基の炭素数は 1〜3)を示す力又は X及び X

1 2 が結

合し、—S— ο · phe— CO で示される基を示す。 ο · pheは置換基を有していてもよ Vヽ。芳香族基及び phe基上の置換基としては前記 Yで示したものなどが挙げられる。 )

[0020] 非芳香族性の C=N結合を有する基としては、芳香族シッフ塩基、芳香族ヒドラゾン基等を挙げることができ、好まし、ものとして下記式で表される基が挙げられる。一 NH— N = C (X ) (X )、一 N = CH— B—Y、一A— CH = N— p 'phe—Y

3 4

(式中 X及び Xは、片方が水素原子又はアルコキシカルボ-ル基（アルコキシ基の

3 4

炭素数は 1から 4)を示し、他方が B—Yで示される基又はアルコキシカルボ-ル基 (アルコキシ基の炭素数は 1から 4)を示す力、又は X及び Xの両方が結合して、 C

3 4

H = N— N (アルキル） CO で示される基（アルキル基の炭素数は 1から 4)を示す。また、 A、 B、 Y、 p 'pheは前記と同じ意味を示す。 )

[0021] これらの光活性基を有する液晶性高分子化合物が吸収する光の波長は、可視光域のものにとどまらず、紫外線や赤外線の領域のものも含まれる。これらの光活性基を有する液晶性高分子化合物の薄膜に、該化合物が吸収する波長範囲を含む直線偏光を照射することにより、容易に分子軸配向変化を起こすことができる。

[0022] 本発明で使用する光活性基を有する液晶性高分子としては、例えば、光活性基を結合させたポリアミド、同ポリイミド、同ポリエステル等の液晶性重縮合高分子ゃ光活性基を結合させたポリウレタンのような液晶性重付加反応高分子及び液晶性ポリ桂皮酸ビニル等を挙げることができる。該液晶性高分子は、光活性基を有する単量体を反応させたホモポリマー、光活性基を有する単量体と光活性基を持たな!ヽ単量体好ましくは同種の単量体とを反応させたコポリマーのいずれでもよい。該コポリマーの場合、光活性基を有する単量体 1モルに対して、光活性基を持たない単量体好ましくは同種の単量体を 100モル以内の割合で重合させたポリマーが好ましぐより好ましくは光活性基を持たない同種の単量体 50モル以内の割合で重合させたポリマーが好まし!/、。このような光活性基を有する高分子は前記特許文献 2等に公知であるか、それに準じた方法等で容易に合成することができる。

[0023] 該液晶性高分子の具体的な例としては、下記一般式（1)〜 (4)で示される部分構造を有し、かつ高分子全体が実質的にこの部分構造力構成されているホモポリマ一又は液晶性ポリ桂皮酸ビュルのホモポリマー、又は該部分構造若しくは桂皮酸ビ -ルに対応する部分構造をモル割合で、ほぼ 1モル％以上、より好ましくは 2モル％以上含むコポリマーを挙げることが出来る。

[0024] 下記一般式（1)で表される部分構造を有するポリアミド化合物。

[化 1]

(式中、 Rは、メチル基、ェチル基、 i プロピル基又は塩素原子を表す。 nは、 5〜10 000の整数を表す。

Zは、下記式 (a)〜（e)で示される基の何れかを表す。

(a)— N = N— A— X

(b) -CH = C (X ) (X )

1 2

(c) -NH-N = C (X ) (X )

3 4

(d) N = CH— B— Y

(e) -OCO (CH ) O— p 'phe— N = N— B—Y

2 P

(上記式中 Aは、置換基を有していてもよいベンゼン環又はナフタレン環を、 Xは、炭素数 1〜10のアルコキシ基、又はジアルキルアミノ基（アルキル基の炭素数は 1〜3) を表し、ジアルキルアミノ基におけるアルキル基は両者同じでも又は異なってもよぐまた非置換又は片方若しくは両者がシァノ基若しくはヒドロキシ基で置換されて!、てもよい。また、 X及び Xは、片方が水素原子を示し、他方が置換基を有してもよい芳

1 2

香族 6員環、アルコキシカルボニル基（アルキル基の炭素数は 1〜3)を示す力、又は X及び Xが結合し、 -S -o-phe-CO-で示される基を示す。

1 2

また、 X及び Xは、片方が水素原子又はアルコキシカルボニル基（アルコキシ基の

3 4

炭素数は 1〜4)を示し、他方が— B—Yで示される基又は低級アルコキシカルボ- ル基 (アルコキシ基の炭素数は 1〜4)を示す力、又は X及び Xの両方が結合して、

3 4

CH = N— N (低級アルキル） CO で示される基（アルキル基の炭素数は 1から 3)を示す。

また、 Bは置換基を有していてもよいベンゼン環又はナフタレン環を、 Yは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、ニトロ基、シァノ基、炭素数が 1〜3のアルキル基、アルコキシ基（アルキル基の炭素数は 1〜10)、アルキルォキシカルボ-ルビ-ル基（アルキル基の炭素数は 1〜4)、ジアルキルアミノ基（アルキル基の炭素数は 1〜3)、ジヒド口キシェチルァミノ基、ヒドロキシアルキルアミノ基（アルキル基の炭素数は 1〜3)、ジシァノエチルァミノ基又はシァノエチルアルキルアミノ基（アルキル基の炭素数は 1〜 3)をそれぞれ表す。

また、 pは、 1〜10の整数を表し、 pheはベンゼン環を示し、 p'phe又は o 'pheは 2 つの置換基がパラ位又はオルト位にあることを示す。 )

下記一般式 (2)で表される部分構造を有するポリイミド化合物。

[化 2]

〔式中、 Rは、脂環式又は芳香環テトラカルボン酸の残基、 η'は 2〜： L0000の整数を

1

示し、 Rは、下記式 (f)又は式 (g)で表される光活性基を有する基を示す。

2

[化 3]

(式中、 Zは、 Y— p'phe— N = N— B―、 Y— p 'phe— N = CH— B―、又は、 Y— p 'phe— CH=N— B—で表される基を示し、 Bは、 B又は— C H 0 (CH ) CO—

o o 6 4 2 P を示し、式中の Y、 p 'phe、 B及び pの各記号は前記と同じ意味を示す。また、 qは、 2 〜4の整数を示す。 )

[化 4]

(式中 Zは前記と同じ意味を示し、 rは 1〜5の整数、 sは 2〜8の整数をそれぞれ示す

1

。）〕

下記一般式 (3)で表される部分構造を有するポリウレタン化合物。

[化 5]

(式中、 Rは前記一般式（2)におけるのと同じ意味を表し、 Rは—（CH ) m—を表し

2 3 2

、 mは 2〜8を表す。 nは 5〜 10000の整数を表す。）

[0027] 下記一般式 (4)で表される部分構造を有するポリエステル化合物。

[化 6]

(式中、 Zは、（a)—N = N—A—X、 U¾ (e)—OCO (CH ) O— p 'phe— N = N—

2 2 P

B— Yで表される基を示す。式中の A、 X、 p、 p 'phe、 B及び Yの各記号は前記一般式（1)と同じ意味を示す。また、 Rは、ベンゼン環、ナフレタン環、炭素数 4〜6のメチ

4

レン基 (テトラメチレン基及びへキサメチレン基等）を表し、 ηは、 5〜 10000の整数を表す。）

[0028] 上記おいて好ましいものとしては、下記のものを挙げることができる。

(1)一般式（1)においては、 Ζが前記（a)— Ν = Ν— Α— X、又は前記（e)—OCO (C H ) O— p 'phe— N = N— B—Yである部分構造を有するポリアミド化合物。

2 P

(2)一般式（2)及び（3)にお、て、前記式 (f)又は (g)における Z 1S Y-p -phe-N

1

=N— A—である部分構造を有するポリイミドィ匕合物又はポリウレタンィ匕合物。

(3)一般式 (4)の部分構造を有するポリエステル化合物。

(4)液晶性ポリ桂皮酸ビニルのホモポリマー又はコポリマー。 [0029] これらのうち、上記（1)〜（3)の液晶性重縮合高分子及び液晶性重付加反応高分子は、光活性基を有する二官能単量体であり、もう一方の二官能単量体とを等モルで反応させて所望の液晶性高分子化合物（ホモポリマー）を得ることが出来る。

コポリマーを製造するときには、光活性基を有する二官能単量体と共に、例えば、光活性基を有しない同種の二官能単量体を併用し、上記と同様にもう一方の二官能単量体を等モルで反応させることにより所望のコポリマーを得ることができ、その結果、液晶性高分子化合物を得ることが出来る。

光活性基を有する単量体と光活性基を有しない同種の単量体との使用割合を変えることにより、高分子化合物中の光活性基の結合量を調節することが出来る。光活性基を有する二官能単量体と反応させるもう一方の二官能単量体としては、例えば 4, 4'—ジァミノ一 3, 5, 3', 5'—テトラ R置換一ジフエ-ルメタン (Rは前記一般式（1)におけると同じ意味を示す。）、脂環式又は芳香環テトラカルボン酸、炭素数 2〜8の脂肪族ジカルボン酸などを挙げることができる。

脂環式又は芳香族テトラカルボン酸としては炭素数力〜6の脂環式又は芳香族テトラカルボン酸、炭素数 8〜： LOの縮合環上に 4つのカルボキシル基を持つ縮合環テトラカルボン酸又は 2つのカルボキシル基を有する炭素数 4〜6の脂環式又は芳香族若しくは炭素数 8〜10の縮合環上に 2つのカルボキシル基を持つ縮合環が、架橋基を介して又は介さずして、 2つ結合したテトラカルボン酸等が挙げられる。採用しうる架橋基としては、特に制限はないが、低級アルキレン基、 CO基、窒素原子、酸素原子などが挙げられる。

[0030] また、液晶性ポリ桂皮酸ビニルのホモポリマーは、桂皮酸ビニルモノマーを重合させることにより得られる。コポリマーを得る場合には、桂皮酸ビニルモノマーとこれと共重合可能で液晶性を阻害せず、かつ光活性基を有しな、単量体と共に重合することにより、所望のコポリマー力なる液晶性高分子化合物を得ることが出来る。桂皮酸ビュルモノマーと前記光活性基を有しない単量体との使用割合を変えることにより、高分子化合物中の光活性基の結合量を調節することが出来る。コポリマーを得るための桂皮酸ビニルモノマーと共重合が可能で、光活性基を有しな、単量体の具体例としては、例えば 4— (4'—n—ペンチル）フエ-ルスチレン、 4— (4'— n—へキシル）フエ-ルスチレン、 4— (4'—n—ペンチル）シクロへキシルスチレン、 4— (4'— n—へキシル）シクロへキシルスチレン等が挙げられる。

[0031] 光活性基を有する二官能単量体と、コポリマーを得るために該光活性基を有する二官能単量体と反応させる光活性基を有しな!/ゝ単量体との使用割合は、単量体の構造にも依存するが、モル比で 1 : 0から 1 : 100、より好ましくは 1 : 0から 1 : 50の範囲である。

[0032] 重合反応は、従来公知のポリアミド化合物、ポリイミドィ匕合物、ポリウレタンィ匕合物又はポリエステルィヒ合物、ポリ桂皮酸ビニル重合体を得る従来公知の方法に準じて、通常溶媒中での溶液重合法等で行えばょ、。

[0033] 上記のようにして得られる本発明で使用する光活性基を有する液晶性高分子は、その重合度等については特に制限はなぐ榭脂の種類、光活性基の種類等により異なるので一概には言えないが、通常 2以上、好ましくは 5以上、更に好ましくは 10以上〜 10000程度である。

[0034] 光活性基を有する二官能単量体としては、例えば光活性基をベンゼン核上に有するオルトフタル酸、 2個のアルキル基で置換されて、る窒素原子が更に光活性基で置換されているジ〔ァミノアルキル（アルキル基の炭素数は 2〜4)、またはアミノアルキル（アルキル基の炭素数は 2〜8)ァミノカルボニルアルキル（アルキル基の炭素数は

1〜5)〕ァミン等が挙げられる。

本発明で使用される液晶性高分子の原料となる光活性基を有する二官能単量体の具体例を次に示すが、これらは例示で有り、これらに限定されるものではない。

[0035] (1)光活性基として非芳香族性の N=N結合を有する基を持つ単量体の例としては下記するものが挙げられる。

ポリアミドィ匕合物又はポリエステルィ匕合物の調製に適する単量体

これらの好ましいものとしては光学活性を有する置換基 Zとして、前記 (a)、又は（e) を有するイソフタル酸が挙げられる。

下記に好ま、化合物例を示す。

[化 7]

^SH¾、

81"8S00/S00Zdf/X3d 91· 0960/S00Z OAV /v:/ OS00ifcl£ Ϊさ 960sosAV L _■ 9§

[0037] [ィ匕 9]

HOOCs

/。₂Η₄。Ν j- OCO(CH₂)₁₀0- -N=N-Q N<

C₂H₄CN

HOOC

[0038] ポリイミド化合物又はポリウレタン化合物の調製に適する単量体 [化 10]

CN

[0039] [化 11]

HOC₂H₄、 'C₂H₄NH₂

>N— ),— N=N—( L— N

HOC2_n_4 / f ヽ C_?H i₄NH₂

H₃C、 'C₃H₆NH₂

N<

H₃C 、C₃H₆NH₂

[0040] (2)光活性基として非芳香族性の C=N結合を有する基を持つ単量体の例としては下記するものが挙げられる。

[化 12]

[0041] ポリイミド化合物又はポリウレタンィ匕合物の調製に適する単量体

[化 13]

[0042] (3)光活性基として非芳香族性の C = C結合を有する基を持つ単量体の例としては下記するものが挙げられる。

[化 14]

ポリイミド化合物又はポリウレタンィ匕合物の調製に適する単量体 [化 15]

H₉C₄—

[0044] 本発明にお、て、非結晶性高分子の例としては、ポリメタクロィル (アタリロイル)ォキシメトキシカルボ-ルォキシェチルァゾベンゼン類が挙げられ、その具体例としてはポリメタクロィル（アタリロイル）ォキシメトキシカルボ-ルォキシェチルァゾベンゼンが挙げられる。

[0045] このような光活性基を有する液晶性又は非結晶性高分子の薄膜を基板上に設ける方法としては、種々の方法が採用可能である。本発明のためには回転塗布法を用いることが出来る。液晶性又は非結晶性高分子薄膜をラングミュア一プロジェット法によつて基板上に設けたり、液晶性又は非結晶性高分子化合物の溶液に基板を浸漬して吸着させることもできる。そして、回転塗布法は、好ましい方法である。

膜厚は通常 5 m以下程度が好ましい。より好ましくは 3 m以下であり、： L m以下でも十分に満足する結果を得ることが出来る。これらの塗膜を設ける場合、通常該液晶性又は非液晶性高分子を、溶媒に溶解させて得られる液晶性又は非液晶性高分子化合物の溶液を、使用する。溶液中の該高分子の濃度は、該高分子の種類、重合度、塗布方法、希望する膜厚等により適切な濃度は異なるので一概には言えないが、通常 0. 1重量％〜10重量％程度であり、好ましくは 0. 5重量％〜5重量％程度である。

適切な濃度は、採用する塗布方法により、予備的な試験を行うことにより容易に決定することができる。使用される溶媒としては該高分子化合物を溶解するものであれば特に限定されないが、使用しうる溶媒の具体例としてはピリジン、ジメチルホルムァミド（DMF)、ジメチルスルフォキシド（DMSO)、 N—メチルピロリジノン（NMP)、ジメチルァセトアミド（DMAC)、ジメチルイミダゾリン (DMI)等の非プロトン性極性溶媒が挙げられる。

本発明において、基板としては、透明な有機、無機の材料が使用出来る。使用しうる基板の具体例としてはガラス板、ポリエステルフィルム、トリアセテートフィルム、ポリエーテルスルフォンフィルム等が挙げられる。基板の厚さは表示素子用基板に適する範囲で任意のものが使用される。

[0046] 基板上に設けられた光活性基を有する液晶性又は非液晶性高分子化合物の薄膜に直線偏光を照射する方法は、公知の様々な照射方法を適用することができる。本発明のマイクロパターン位相差素子を製造するためには、パターンを光活性基を有する液晶性又は非液晶性高分子薄膜に焼き付ける事が必要であり、そのためには所望するマスクパターンを通して、直線偏光を該薄膜に照射することにより行われる。また、偏光性を有するレーザ光をレンズ等を用いて集光し、レーザ光の照射軌跡が、ノターン状になるように操作することにより行うことができる。

露光エネルギーは、 lnijZcm²から lOjZcm²の範囲が好まし!/、。

該薄膜の直線偏光照射による分子軸配向変化は可逆的であり、マスクパターン毎に異なる偏光軸の直線偏光を照射することによりパターンを自由に重ね書きすることが出来る。

[0047] このようにして得られる一定方向に分子軸の配列した光活性基を有する液晶性又は非液晶性高分子薄膜に、複屈折性分子をマイクロパターン状に吸着させるだけで、即ち、該薄膜上に複屈折層をマイクロパターン状に設けるだけで、複屈折層の分子軸は、光活性基の分子軸の配列方向、即ち該薄膜に照射した直線偏光の偏光軸で規定された方向に配列し、かつそのまま固定されてマイクロパターン位相差素子としての性質が発揮される。

該薄膜上に複屈折層をマイクロパターン状に設ける方法は特に制限はなぐ該薄膜上に、複屈折性分子 (例えば位相差素子に適した液晶、例えば無色の液晶）の分子軸が該薄膜における配向した光活性基の配向に制御されて、一定方向に配向されるように複屈折層を形成すればよい。

この事を更に具体的に説明すると、一定方向に分子軸の配列した光活性基を有する液晶性又は非結晶性高分子薄膜を有する基板上に、複屈折性分子、例えば、サ一モト口ピックもしくはリオトロピック性のネマチック液晶性分子の溶液を塗布するか、もしくは該基板の該薄膜側を内側にし、好ましくは 2枚の該基板で複屈折性分子を挟み、必要に応じて、周りを密封することにより、該薄膜における一定方向に分子軸の配列した光活性基の影響により、複屈折性分子が一定方向に配向し、マイクロパターン状の該複屈折層を形成することができる。

該高分子薄膜を有する基板に上記複屈折性分子溶液を塗布する場合、リオトロピック性のネマチック液晶性分子の溶液が好ましぐ該溶液としてはクロモグリケートなどのクロモニック化合物の溶液 (例えば 1— 20、好ましくは 2—10質量％程度）が好ましい。

上記複屈折性分子、例えば液晶を 2枚の基板 (少なくとも 1枚の基板は該高分子薄膜を有する基板)で挟み位相差素子とする場合は、サーモト口ピック液晶又はリオトロピック液晶の、ずれもネマチック液晶状態で挟むのが好まし、。通常は内側に該高分子薄膜を有する空の液晶セルを作成し、その中に上記ネマチック液晶状態の液を封入するのが好ましい。

この際、該複屈折層の分子軸は、光活性基を有する液晶性又は非液晶性高分子薄膜に対して照射した直線偏光の偏光軸により規定された方向に配列し、マイクロパターン位相差素子としての特性を発揮することができる。

なお、液晶性高分子はある一定の条件下で液晶性を示す高分子である。溶媒の存在下で、わゆるリオトロピック液晶性を示す高分子と、溶媒の介在なしに溶融状態で液晶構造を示すサーモト口ピック液晶性高分子が知られて、る。一般に液晶性高分子は液晶状態で流動方向に分子の鎖が高度に配向した層を持ち、その配向状態を固定ィ匕することで高強度、高弾性材料を得てヽるものである。

[0048] 従来例に示した特許文献 5及び特許文献 6には、部分的に位相が 180° 違っている素子と液晶表示装置を組み合わせて、 3D画像表示を行う方法が示されて、る。本発明では、前記のようにして作製されたマイクロパターン位相差素子を、その位相が 180° ずれるようにして、液晶表示装置を組み合わせることにより、 3D画像表示を、立体画像として認識することが可能になる。

[0049] 本発明で用いるサーモト口ピックネマチック液晶としては、 E— 8、 ZLI— 1565、 ZLI — 2140、 ZLI- 2582, ZU— 2788、 ZU— 3462— 000、 ZLI— 1844、 MLC- 9 000-000/100, MLC— 9100— 000Z100 (以上 Merck社）、 LIXON5005、 LIXON5011, LIXON5013, LIXON5016, LIXON6520, LIXON9160, LIX ON9839 (以上チッソ (株））が好適に用いられる力これら以外のものを用いてもよい。ビフエ-ル系サ一モト口ピックネマチック液晶、例えば上記 E— 8は好ましいものの一つである。

また、リオトロピック液晶を形成する化合物としては、荷電がァ-オン性、カチオン性、ノ-オン性の両親媒性低分子化合物、セルロース誘導体やポリシロキサンなどの高分子化合物、又はクロモグリケートなどのクロモニック化合物が挙げられる。これらのリオト口ピック液晶を溶解する溶媒としては、水、アルコール類、エーテル類、ピリジン、ジメチルホルムアミド（DMF)、ジメチルスルフォキシド（DMSO)、 N—メチルピロリジノン（NMP)、ジメチルァセトアミド（DMAC)、ジメチルイミダゾリン（DMI)等の非プロトン性極性溶媒が好ましい。特に、水を主体とする混合溶媒が好ましい。この際の有機溶媒の混合量は、任意である力通常 0〜70質量％、特に 0〜50質量％が好ましい。

リオトロピック液晶溶液を基板で挟んで密封する場合には、該液晶化合物のネマチック液晶状態を示す濃度の溶液として充填すればよく、前記高分子薄膜に塗布する場合には、乾燥途中でネマチック液晶状態を形成しうる濃度であれば特に問題はない。これらの溶液における液晶化合物の濃度は一概には言えないが、 1〜60質量％、好ましくは 2〜50質量％程度である。

[0050] 以下、実施例により本発明を具体的に説明する。本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例中、特に限定しない限り、部は質量部を、％は質量％をそれぞれ表す。

実施例 1

[0051] 光活性基含有ポリアミド薄膜の作製及び直線偏光照射。

ポリ {イミノー 5—〔4' (4' 'ージメチルァミノフエ-ルァゾ）フエノキシゥンデカノィルォキシ〕イソフタノィルイミノ一 1, 4— (3, 5 ジェチル）フエ-レンメチレン一 1, 4— ( 3, 5 ジェチルフエ-レン） } (ポリアミド化合物）の精製品 2部を NMP98部に溶解し、 2%ポリマー溶液を作製する。次にガラス基板上に乾燥膜厚 0. 6— 0. 7 mとなるようにスピンコートし、 180°Cにて 10分間加熱乾燥して該ポリアミド薄膜を形成する。こうして作製した 2枚のガラス基板の周囲に、約 7 mの球状シリカスぺーサーを混入したエポキシ榭脂を液晶の注入口を残して、塗り、光配向膜が内側に向き合うようにガラス基板を貼り付けた。該ポリアミド薄膜を形成したこのガラス基板の膜全面に超高圧水銀ランプ（500WZhr)を使用し 400nmカットオフフィルターで可視光とし、更に偏光板を通して直線偏光とした後、該ポリアミド薄膜から 50cmの距離から 1分間照射して、光活性基の分子軸を一定方向に配列させる。ついで約 70 m間隔のストライブ状のフォトマスクで、ストライブの方向が最初に照射した直線偏光の電気ベクトルに平行となるように、ガラス基板全面を覆い、この上から、最初の直線偏光とは 45° 回転した直線偏光を照射し、空の液晶セルを作成した。図 1は、直線偏光照射による光活性基の部分配向状態を模式的に示したものである。

光照射後に、空の液晶セルの空隙（2枚のガラス基板の空隙）にサーモト口ピックネマチック液晶 E— 8 (商品名： Merck社製）を注入し、液晶セルの周りをエポキシ榭脂で完全に封止し本発明の位相差素子を得た。これを偏光顕微鏡で観察し、 E— 8 の配向制御状態を確認した。図 2に偏光顕微鏡による観察像の写真を示す。

実施例 2

[0052] ストライプ状のフォトマスクの向きを変えた以外は、実施例 1と同様に、光照射した空の液晶セルを作製し、該液晶セルの空隙に約 32%のリチウム 4—trans ペンチルシクロへキサノエートの水溶液を約 45°Cで注入し、液晶セルの周りをエポキシ榭脂で完全に封止した。液晶セルを室温（25°C)に下げて、偏光顕微鏡で観察し、配向制御状態を確認した。図 3に偏光顕微鏡による観察像の写真を示す。

なお、リオトロピック液晶性を示すリチウム 4—trans ペンチルシクロへキサノエートを 4 trans ペンチルシクロへキサン酸と水酸化リチウムから下記のように合成した

5%水酸化リチウム水溶液 100ml中に 4— trans ペンチルシクロへキサノエートを

4— trans ペンチルシクロへキサン酸 19. 8gを加熱撹拌溶解する。完全に溶解後ロータリーエバポレーターを用いて減圧濃縮する。十分濃縮して析出した結晶を含む水溶液にエタノール 100mlをカ卩え、ろ過し、エタノールで洗浄する。得られた白色結晶を含水エタノール力再結晶精製する。

針状結晶。融点 236 - 238。C。赤外スペクトル (KBr) 2913, 2850, 1550、 1445c m- 1。元素分析 C12H2102Li(%)：理論値 C, 70. 55 ;H, 10. 38。測定値 C, 70. 16 ;H, 10. 22。

リチウム 4 - trans -ペンチルシクロへキサノエートの水溶液の臨界ミセル濃度は 1. 676 X 10-2 molZLであり、室温（25°C)において約 32%でネマチック相を示し、約 37%でへキサゴナル相を示した。

実施例 3

[0053] ポリ（1一（2 メタクロィルォキシメトキシ） 4 '—カルボ-ルォキシェチルァゾ

ベンゼン)を用いて光配向膜を作製し、実施例 1と同様に液晶セルを作製し、光照射した液晶セルの 2枚のガラス基板の空隙に約 32%のリチウム 4—trans ペンチルシクロへキサノエートの水溶液を注入し、リチウム 4 trans ペンチルシクロへキサノエートのリオトロピック液晶相の光配向を行、、良好な配向状態を得た。

実施例 4

[0054] 実施例 1に準じて光活性基含有ポリアミド薄膜を有するガラス基板を作成し、該ガラス基板に超高圧水銀ランプを使用し 400nmカットオフフィルターで可視光とし、更に偏光板を通して直線偏光とした後、該基板力も 50cmの距離から 1分間照射して、光活性基の分子軸を一定方向に配列させる。っ、で 70 μ m間隔のストライプ状のフォトマスクを最初に照射した直線偏光の電気ベクトルに平行となるようにガラス基板全面を覆い、この上から、最初の直線偏光とは 45° 回転した直線偏光を照射し、露光基板を作成した。

次に、クロモグリク酸ナトリウム（シオノケミカル社製） 5部、エマール 20C (商品名：花王株式会社製) 0. 2部を脱イオン水 94. 8部に溶解した液を調整する。この液を上記露光基板上に塗布し、 25°C、 60%RHの条件下に乾燥して本発明のストライプ状の位相差素子を得た。

産業上の利用可能性

Claims

請求の範囲

[1] 基板上に、光配向処理を施された光活性基を有する液晶性又は非液晶性の高分子薄膜層、及び該高分子薄膜層に接して、マイクロパターン状に配列されている複屈折層が設けられていることを特徴とする位相差素子。

[2] 前記光活性基が非芳香族性の N=N、非芳香族性の C = C及び非芳香族性の C

=N力なる群力選ばれる少なくとも一つの基である請求項 1記載の位相差素子。

[3] 前記液晶性の高分子薄膜層が、ポリアミド榭脂、ポリイミド榭脂、ポリエステル榭脂、ポリウレタン榭脂又はポリ桂皮酸ビニル榭脂からなる薄膜層である請求項 1又は 2記載の位相差素子。

[4] 前記非液晶性の高分子薄膜層力 Sポリメタクロィル (アタリロイル)ォキシメトキシカルボニルォキシェチルァゾベンゼン力もなる薄膜層である請求項 1又は 2記載の位相差素子。

[5] 前記マイクロパターン状に配列されている複屈折層が、複屈折分子がマイクロパターン状に配列されている複屈折層であることを特徴とする請求項 1〜4のいずれかに記載の位相差素子。

[6] 前記複屈折分子がサーモト口ピック液晶性を有するネマチック液晶である請求項 5 記載の位相差素子。

[7] 前記複屈折層がリオトロピック液晶性物質である請求項 5記載の位相差素子。

[8] 基板上に光活性基を有する液晶性又は非液晶性の高分子薄膜層を形成し、該高分子薄膜層に直線偏光を照射した後、該高分子薄膜層上に、複屈折層をマイクロパターン状に配列させて形成することを特徴とする位相差素子の製造方法。

[9] 前記光活性基が非芳香族性の N=N、非芳香族性の C = C及び非芳香族性の C

=N力なる群力選ばれる少なくとも一つの基であることを特徴と請求項 8記載の位相差素子の製造方法。

[10] 前記液晶性の高分子薄膜層が、ポリアミド榭脂、ポリイミド榭脂、ポリエステル榭脂、ポリウレタン榭脂又はポリ桂皮酸ビニル榭脂からなる薄膜層である請求項 8又は 9記載の位相差素子の製造方法。ボニルォキシェチルァゾベンゼン力なる薄膜層であることを特徴とする請求項 8〜1

0の、ずれかに記載の位相差素子の製造方法。

[12] 前記複屈折層をマイクロパターン状に配列させて形成することが、複屈折分子をマイク口パターン状に配列させて形成することを特徴とする請求項 8〜： L 1のいずれかに記載の位相差素子の製造方法。

[13] 前記複屈折分子がサーモト口ピック液晶性を有するネマチック液晶であることを特徴とする請求項 12記載の位相差素子の製造方法。

[14] 前記複屈折層がリオトロピック液晶性物質である請求項 12記載の位相差素子の製造方法。

[15] 前記該高分子薄膜層に直線偏光を、マイクロパターン状のマスクを介して行うことを特徴とする請求項 8〜 14のいずれかに記載の位相差素子の製造方法。

[16] 基板上に光活性基を有する液晶性又は非液晶性の高分子薄膜層を形成し、該高分子薄膜層にマイクロパターン状のマスクを介して直線偏光を照射し、っヽで別のマイクロバターン状のマスクを介して異なる偏光軸を有する直線偏光を照射することにより、該高分子薄膜層上に複屈折分子力なる複屈折層を設け、該複屈折分子をマイクロバターン状に配列させることを特徴とする位相差素子の製造方法。

[17] 前記光活性基が非芳香族性の N=N、非芳香族性の C = C及び非芳香族性の C

=N力もなる群力も選ばれる少なくとも一つの基である請求項 16記載の位相差素子の製造方法。

[18] 前記液晶性の高分子薄膜層が、ポリアミド榭脂、ポリイミド榭脂、ポリエステル榭脂、ポリウレタン榭脂又はポリ桂皮酸ビニル榭脂からなる薄膜層である請求項 15又は 16 記載の位相差素子の製造方法。

[19] 液晶性の高分子薄膜層がポリメタクロィル (アタリロイル)ォキシメトキシカルボ-ルォキシェチルァゾベンゼン力もなる薄膜層である請求項 15又は 16記載の位相差素子の製造方法。

[20] 前記直線偏光を照射することを、偏光性を有するレーザ光を照射することにより行われることを特徴とする請求項 16記載の位相差素子の製造方法。

[21] 液晶表示装置であって、対向する上下基板の少なくとも一方が請求項 1〜7のいずれかに記載の位相差素子を有する基板である立体表示装置。