TWI413801B - 微位相差板之製造系統及製造方法 - Google Patents

Description

微位相差板之製造系統及製造方法

本發明是有關於一種微位相差板之製造系統及製造方法，且特別是有關於一種以加熱處理方式製作微位相差板之製造系統及製造方法。

請參照第1圖，其繪示一種傳統之微位相差板910(micro－retarder)之製造方法的示意圖。微位相差板910係為立體顯示器的關鍵零組件。如第1圖所示，高分子薄膜911具有一特定高分子排列方向。偏極光穿越高分子薄膜後將產生光學相位延遲的現象。傳統之微位相差板910之製造方法係以一加熱源930對高分子薄膜911之特定局部區域加熱後，使得高分子薄膜911之高分子排列方向回復成無方向性。已加熱之局部區域910a與未加熱之局部區域910b交錯排列，如此即形成一種微位相差板910。

請參照第2圖，其繪示偏極光L9穿越微位相差板910之示意圖。偏極光L9穿越微位相差板910後，可切分成兩種偏極方向。當偏極光L9穿越已加熱之局部區域910a，偏極光L9沒有發生光學相位延遲的現象；當偏極光L9穿越未加熱之局部區域910b，偏極光L9則發生光學相位延遲的現象。藉此，微位相差板910即可應用在立體顯示器中，以創造出立體影像之效果。

請參照第3圖，其繪示傳統之微位相差板910之位相延遲曲線圖。第3圖之橫軸表示位置，縱軸表示相位延遲值。傳統之加熱源930在對高分子薄膜911加熱時，將產生加熱能量分布不均勻以及加熱能量擴散之情況。

請參照附圖1及第4圖，附圖1繪示採用震盪模式為TEM₀₀ 之雷射光之能量立體分佈圖，第4圖繪示採用震盪模式為TEM₀₀ 之雷射光之能量剖面分佈圖。尤其是採用震盪模式為TEM₀₀ 之雷射光束作為加熱源930時，其能量分佈呈高斯分佈曲線，其中央處的能量較高，邊緣處的能量較低。因此加熱能量分布不均勻之情況更為嚴重。如第3圖所示，在已加熱之局部區域910a與未加熱之局部區域910b之間，並非以筆直的陡峭直線作變化，而是以漸變的曲線作變化。也就是說，已加熱之局部區域910a與未加熱之局部區域910b之間的相位延遲程度無法有明顯的區隔。因此傳統之微位相差板910將形成散射光、影像對比不佳、甚至開口率偏低的問題。

本發明係有關於一種微位相差板之製造系統及製造方法，其利用移動控制裝置、量測裝置、冷卻裝置、偏極調整裝置及反射鏡組之搭配設計，不僅使得微位相差板之已加熱之局部區域與未加熱之局部區域之相位延遲程度具有明顯之差異，更增進製造程序的方便性。

根據本發明之一方面，提出一種微位相差板之製造系統。微位相差板之製造系統包括一承載裝置、一加熱裝置及一移動控制裝置。承載裝置用以承載一高分子薄膜。高分子薄膜具有一高分子排列方向。加熱裝置用以提供一加熱源。加熱源之中央處的能量小於加熱源之邊緣處的能量。移動控制裝置用以控制加熱源及高分子薄膜沿一第一方向相對移動，以使調整後之加熱源沿第一方向對高分子薄膜之至少一局部區域加熱，並改變此局部區域之高分子排列方向。

根據本發明之另一方面，提出一種微位相差板之製造方法。微位相差板之製造方法包括以下步驟：提供一高分子薄膜，具有一高分子排列方向。提供一加熱源。加熱源之中央處的能量小於加熱源之邊緣處的能量。沿一第一方向相對移動高分子薄膜及加熱源，以使加熱源沿第一方向對高分子薄膜之至少一局部區域加熱，並改變此局部區域之高分子排列方向。

為讓本發明之上述內容能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：

第一實施例

請參照第5圖，其繪示本發明第一實施例之微位相差板110之製造系統100之示意圖。微位相差板110之製造系統100包括一承載裝置120、一加熱裝置130及一移動控制裝置150。

承載裝置120用以承載一高分子薄膜111。在本實施例中，承載裝置120係以一承載平台為例作說明。

加熱裝置130提供一加熱源H。加熱源H例如是一雷射光束、一紅外線、一超音波、一電子束或一中子束。在本實施例中，加熱源H係以一CO₂ 雷射光束為例作說明。微位相差板110之製造系統100更包括一反射鏡組160，反射鏡組160用以反射加熱源H至高分子薄膜111上。

在本實施例中，加熱源H之中央處之能量較低，邊緣處之能量較高。以雷射光束為例，具有此類特性之雷射光束係可選用震盪模式(transverse electromagnetic mode，TEM)為TEM₀₁ 、TEM₁₀ 或TEM₁₁ 。請參照附圖2~4及第6圖，附圖2~4分別繪示採用震盪模式為TEM₀₁ 、TEM₁₀ 及TEM₁₁ 之雷射光之能量立體分佈圖，第6圖繪示採用震盪模式為TEM₀₁ 、TEM₁₀ 及TEM₁₁ 之雷射光之沿雙峰之剖面分佈圖。如第6圖所示，採用震盪模式為TEM₀₁ 、TEM₁₀ 及TEM₁₁ 之雷射光之能量分佈呈逆高斯分佈曲線，其中央處之能量較低，邊緣處之能量較高。

移動控制裝置150用以控制加熱源H及高分子薄膜111相對移動，移動控制裝置150例如是步進馬達或伺服器馬達。移動控制裝置150之控制方式例如是控制承載裝置120移動、控制加熱裝置130移動或是直接控制加熱源H的反射路徑。在本實施例中，移動控制裝置150之控制方式係以控制承載裝置120移動為例作說明。

請參照第7圖，其繪示本發明第一實施例之微位相差板100之製造方法的流程圖。本發明第一實施例之微位相差板100之製造方法如下：首先，在步驟S102中，提供上述之高分子薄膜111。高分子薄膜111係設置於承載裝置120上。

接著，在步驟S104中，以加熱裝置130提供加熱源H，加熱源H之中央處的能量小於加熱源H之邊緣處的能量。

然後，在步驟S108中，以移動控制裝置150沿第一方向C1相對移動加熱源H及高分子薄膜111，以使加熱源H沿第一方向C1對高分子薄膜111之至少一局部區域加熱110a，以改變此局部區域110a之高分子排列方向。在此步驟中，移動控制裝置150係控制加熱源H與高分子薄膜111以一等速相對移動。在本實施例中，移動控制裝置150係控制承載裝置120以一等速移動。

當加熱源H對某一局部區域110a完成加熱處理後，移動控制裝置150更控制高分子薄膜111及加熱源H沿一第二方向C2相對移動，以使加熱源H對另一局部區域110a進行加熱處理。第二方向C2實質上垂直於第一方向C1(即分別為第4圖之X軸方向及Y軸方向)。

移動控制裝置150控制承載裝置120沿第一方向C1及第二方向C2移動，即可使加熱源H沿第一方向C1及第二方向C2相對移動。

請參照第8圖，其繪示第一實施例之加熱源H沿第一方向C1移動之能量累積示意圖。加熱源H之中央處的能量較低，邊緣處的能量較高。當加熱源H以等速沿第一方向C1移動時，加熱源H經過量測線L0時，能量累積如第8圖右側所示。如此一來，當加熱源H對一局部區域110a(繪示於第5圖)完成加熱處理後，局部區域110a內各處所受到的能量均相等。使得已加熱之局部區域100a與未加熱之局部區域110b(繪示於第5圖)的分子排列具有相當明顯的差異。

另請參照第5圖，微位相差板110之製造系統100更包括一量測裝置170、一分射裝置171、一驅動裝置180及一處理裝置181。分射裝置171係設置於加熱裝置130及反射鏡組160之間，分射裝置171用以將部分之加熱源H轉投射至量測裝置170。分射裝置171例如是分光透鏡等。透過上述之量測裝置170及分射裝置171，本實施例之微位相差板110製造方法更包括下列回饋調整之步驟：首先，以量測裝置170量測加熱源H之一加熱能量，例如是量測雷射光束之溫度或雷射光束之亮度等。在本實施例中，量測裝置170係接收部分之雷射光束後，據以量測雷射光束之溫度。

接著，加熱裝置130依據加熱能量調整加熱源H之一驅動能量。舉例來說，若處理裝置181判斷加熱能量由預定位準降低至第一位準，則控制驅動裝置180增加加熱裝置130之驅動能量，直到加熱能量回復至預定位準；若處理單元181判斷加熱能量已增高至第二位準，則控制驅動裝置180降低加熱裝置130之驅動能量，直到加熱能量回復至預定位準。使得加熱源H之加熱能量隨時間保持穩定。

此外，請再參照第5圖，微位相差板110之製造系統100更包括一冷卻裝置190。冷卻裝置190用以冷卻已加熱之局部區域110a。微位相差板1l0之製造方法更透過冷卻已加熱之局部區域110a之步驟來快速降低已加熱之局部區域110a之熱量。使得已加熱之局部區域110a的熱量不會擴散至不欲加熱之局部區域110b。因此已加熱之局部區域110a與未加熱之局部區域110b的分子排列具有相當明顯的差異。

此外，本實施例之微位相差板110之製造系統100更包括一偏極調整裝置191。偏極調整裝置191例如是一偏光板。偏極調整裝置191係設置於雷射光束傳遞路徑上。由於高分子薄膜111在未加熱前，其分子排列已具有一定之高分子排列方向。微位相差板110之製造方法更依據高分子薄膜111之高分子排列方向，調整雷射光束之一偏極角度。例如是調整雷射光束之偏極方向與高分子薄膜111之高分子排列方向之間成平行狀態、垂直狀態或成一特定角度。偏極角度之調整係可依據實際操作參數(如雷射光束的種類或高分子薄膜的材質)來作調整。

雷射光束調整偏極角度後，雷射光束投射於高分子薄膜111時，可減少高分子薄膜111的熱擴散之速度。因此，已加熱之局部區域110a與未加熱之局部區域110b的分子排列更可維持相當明顯的差異。

第二實施例

請參照第9圖，其繪示本發明第二實施例之微位相差板110之製造系統200之示意圖。本實施例之微位相差板110之製造系統200與製造方法與第一實施例之微位相差板110之製造系統100與製造方法不同之處在於：微位相差板110之製造系統更包括一圓錐型透鏡241及一聚焦透鏡242，並且加熱裝置130輸出之雷射光束的震盪模式係為TEM₀₀ ，其餘相同之處不再重述。

請參照第10圖，其繪示圓錐形透鏡241及聚焦透鏡242與雷射光束之能量分佈的示意圖。圓錐型透鏡241用以偏折雷射光束之中央處的能量，以使雷射光束形成中央處的能量小於邊緣處的能量之加熱源H。當雷射光束穿越圓錐型透鏡241時，雷射光束之能量分佈由高斯分佈曲線改變成谷狀分佈曲線。雷射光束再穿越聚焦透鏡242後，雷射光束之能量分佈由谷狀分佈曲線改變成逆高斯分佈曲線。如此一來，本實施例採用圓錐型透鏡241及聚焦透鏡242之搭配方式亦可獲得中央處之能量較低且邊緣處之能量較高之加熱源H。

請參照第11圖，其繪示第二實施例之加熱源H沿第一方向C1移動之能量累積示意圖。加熱源H之中央處的能量較低，邊緣處的能量較高，儼然如同一甜甜圈狀。當加熱源H以等速沿第一方向C1移動時，加熱源H經過量測線L0時，能量累積如第11圖右側所示。如此一來，當加熱源H對一局部區域110a(繪示於第9圖)完成加熱處理後，局部區域110a內各處所受到的能量均相等。使得已加熱之局部區域110a與未加熱之局部區域110b(繪示於第9圖)的分子排列具有相當明顯的差異。

請參照第12A~12C圖，其繪示第10圖之圓錐型透鏡241及聚焦透鏡242之其他配置方式圖。雖然本實施例之圓錐型透鏡241及聚焦透鏡242係以第10圖之配置方式為例作說明，然圓錐型透鏡241及聚焦透鏡242之配置方式並不在此限，例如圓錐型透鏡241及聚焦透鏡242亦可前後交換位置，或者圓錐型透鏡241亦可翻轉，如第12A~12C圖所示。

第三實施例

請參照第13圖，其繪示本發明第三實施例之微位相差板110之製造系統300之示意圖。本實施例之微位相差板110之製造系統300及製造方法與第一實施例之微位相差板110之製造系統100及製造方法不同之處在於：移動控制裝置350不控制承載裝置120移動，而控制加熱源H的反射路徑，其餘相同之處不再重述。

如第13圖所示，反射鏡組160包括第一反射鏡161及一第二反射鏡162。第一反射鏡161及第二反射鏡162反射加熱源H後，將加熱源H投射於高分子薄膜111上。移動控制裝置350可控制第二反射鏡162沿第一方向C1移動且控制第一反射鏡161跟著第二反射鏡162沿第一方向C1從動(即第一反射鏡161隨著第二反射鏡162沿第一方向C1移動，以使第一反射鏡161所反射之加熱源H仍投射於第二反射鏡162)，以使加熱源H投射於高分子薄膜111上的位置沿著第一方向C1移動。移動控制裝置350更可控制第二反射鏡162沿著第二方向C2移動並控制第一反射鏡161隨著第二反射鏡162從動(即第一反射鏡161隨著第二反射鏡162轉動，以使第一反射鏡161所反射之加熱源H仍投射於第二反射鏡162)，以使加熱源H投射於高分子薄膜111上的位置沿著第二方向C2移動。

此外，反射鏡組160之控制方式並非限於此。舉例來說，反射鏡組160之控制方式亦可以採取以下之方式：移動控制裝置350可控制第一反射鏡161沿第一方向C1移動且控制第二反射鏡162跟著第一反射鏡161沿第一方向C1從動(即第二反射鏡162隨著第一反射鏡161沿第一方向C1移動，以使第一反射鏡161所反射之加熱源H仍投射於第二反射鏡162)，以使加熱源H投射於高分子薄膜111上的位置沿著第一方向C1移動。移動控制裝置350更可控制第一反射鏡161沿著第二方向C2移動並控制第二反射鏡162隨著第一反射鏡161從動(即第二反射鏡162隨著第一反射鏡161轉動，以使第一反射鏡161所反射之加熱源H仍投射於第二反射鏡162)，以使加熱源H投射於高分子薄膜111上的位置沿著第二方向C2移動。

如此一來，加熱裝置130及承載裝置120皆不須移動，僅需移動反射鏡組160即可改變加熱源H投射於高分子薄膜111之位置。反射鏡組160具有質量輕及移動方便等特性，使得加熱源H之移動控制變的相當容易。

第四實施例

參照第14圖，其繪示本發明第四實施例之微位相差板110之製造系統400之示意圖。本實施例之微位相差板110之製造系統400及製造方法與第一實施例之微位相差板110之製造系統100及製造方法不同之處在於：承載裝置420係為一空心圓桶，其餘相同之處不再重述。

承載裝置420具有一中心軸L420，高分子薄膜111係設置於承載裝置420之內壁。反射鏡組460係設置於中心軸L420上，以使加熱源H經由反射鏡組460反射後，投射於高分子薄膜111上。移動控制裝置450用以控制承載裝置420相對中心軸L420持續轉動，以使加熱源H投射於高分子薄膜111之位置沿著高分子薄膜111之表面移動。當承載裝置420相對中心軸L420轉動一圈時，加熱源H亦沿著一長條型局部區域110a加熱，以改變此局部區域110a之高分子排列方向。

除了控制承載裝置420相對中心軸L420持續轉動以外，若改控制反射鏡組460相對中心軸L420轉動，亦可以使加熱源H投射於高分子薄膜111之位置沿著高分子薄膜111之表面移動。使用者係可依據實際產品及設備的需求來選用。

此外，移動控制裝置450更控制反射鏡組460沿中心軸L420相對加熱裝置130前後移動。當反射鏡組460沿中心軸L420相對加熱裝置130移動時，加熱源H投射於高分子薄膜111之位置亦移至另一長條型局部區域110a，以使加熱源H對高分子薄膜111之數個局部區域110a加熱。

本實施例藉由移動控制裝置450驅動空心圓桶狀之承載裝置420不停地以等速轉動。在控制空心圓桶狀之承載裝置420轉動時，不需要刻意地減速或加速，僅須利用慣性作用不斷地轉動。並且反射鏡組460亦只須沿中心軸L420相對加熱裝置130前後移動。使得加熱源H之移動控制變的相當容易。

本發明上述實施例所揭露之微位相差板之製造系統及製造方法，係利用移動控制裝置、量測裝置、冷卻裝置、偏極調整裝置及反射鏡組之搭配設計，除了使微位相差板之已加熱之局部區域與未加熱之局部區域之高分子排列方向具有明顯之差異外，更具有多項優點，以下僅列舉部分優點說明如下：1.加熱源之中央處的能量較低，邊緣處的能量較高。當加熱源以等速沿第一方向移動時，加熱源之能量累積相當地平均。如此一來，當加熱源對一局部區域完成加熱處理後，局部區域內各處所受到的能量均相等。使得已加熱之局部區域與未加熱之局部區域的分子排列具有相當明顯的差異。

2.量測裝置用以量測加熱源之加熱能量，加熱裝置再依據加熱能量調整加熱裝置之驅動能量，使得加熱源之加熱能量隨時間保持穩定。

3.冷卻裝置用以冷卻已加熱之局部區域，使得已加熱之局部區域的熱量不會擴散至不欲加熱之局部區域。因此已加熱之局部區域與未加熱之局部區域的分子排列具有相當明顯的差異。

4.偏極調整裝置係依據高分子薄膜之高分子排列方向來調整雷射光束之偏極角度，使得雷射光束投射於高分子薄膜時，可減少高分子薄膜的熱擴散之速度。因此，已加熱之局部區域與未加熱之局部區域的分子排列更可維持相當明顯的差異。

5.在加熱裝置輸出之雷射光束的震盪模式係為TEM₀₀ 的情況下，透過圓錐型透鏡來偏折雷射光束之中央處的能量，亦可使雷射光束形成中央處的能量小於邊緣處的能量之加熱源。

6.移動控制裝置更可控制反射鏡組移動，以改變加熱源的反射路徑。藉由反射鏡組具有質量輕及移動方便等特性，使得加熱源之移動控制變的相當容易。

7.此外，承載裝置亦可以是一空心圓桶。藉由移動控制裝置驅動空心圓桶狀之承載裝置不停地以等速轉動。在控制空心圓桶狀之承載裝置轉動時，不需要刻意地減速或加速，僅須利用慣性作用不斷地轉動。並且反射鏡組亦只須沿中心軸相對加熱裝置前後移動。使得加熱源之移動控制變的相當容易。

綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100、200、300、400．．．微位相差板之製造系統

110、910．．．微位相差板

110a、910a．．．已加熱之局部區域

110b、910b．．．未加熱之局部區域

111、911．．．高分子薄膜

120、420．．．承載裝置

130．．．加熱裝置

150、350、450．．．移動控制裝置

160、460．．．反射鏡組

161．．．第一反射鏡

162．．．第二反射鏡

170．．．量測裝置

171．．．分射裝置

180．．．驅動裝置

181．．．處理裝置

190．．．冷卻裝置

191．．．偏極調整裝置

241．．．圓錐型透鏡

242．．．聚焦透鏡

L0．．．量測線

L420．．．中心軸

L9．．．偏極光

H、930．．．加熱源

C1．．．第一方向

C2．．．第二方向

第1圖繪示一種傳統之微位相差板之製造方法的示意圖；第2圖繪示偏極光穿越微位相差板之示意圖；第3圖繪示傳統之微位相差板之位相變化曲線圖；第4圖繪示採用震盪模式為TEM₀₀ 之雷射光之能量剖面分佈圖；第5圖繪示本發明第一實施例之微位相差板之製造系統之示意圖；第6圖繪示採用震盪模式為TEM₀₁ 、TEM₁₀ 及TEM₁₁ 之雷射光之沿雙峰之剖面分佈圖；第7圖繪示本發明第一實施例之微位相差板之製造方法的流程圖；第8圖繪示第一實施例之加熱源沿第一方向移動之能量累積示意圖；第9圖繪示本發明第二實施例之微位相差板之製造系統之示意圖；第10圖繪示圓錐形透鏡及聚焦透鏡與雷射光束之能量分佈的示意圖；第11圖繪示第二實施例之加熱源H沿第一方向移動之能量累積示意圖；第12A~12C圖繪示第10圖之圓錐型透鏡及聚焦透鏡之其他配置方式圖；第13圖繪示本發明第三實施例之微位相差板之製造系統之示意圖；第14圖繪示本發明第四實施例之微位相差板之製造系統之示意圖附圖1繪示採用震盪模式為TEM₀₀ 之雷射光之能量立體分佈圖；以及附圖2~4分別繪示採用震盪模式為TEM₀₁ 、TEM₁₀ 及TEM₁₁ 之雷射光之能量立體分佈圖。。

100．．．微位相差板之製造系統

110．．．微位相差板

110a．．．已加熱之局部區域

110b．．．未加熱之局部區域

111．．．高分子薄膜

120．．．承載裝置

130．．．加熱裝置

150．．．移動控制裝置

160．．．反射鏡組

170．．．量測裝置

171．．．分射裝置

180．．．驅動裝置

181．．．處理裝置

190．．．冷卻裝置

191．．．偏極調整裝置

H．．．加熱源

C1．．．第一方向

C2．．．第二方向

Claims (26)

1. 一種微位相差板(micro－retarder)之製造系統，包括：一承載裝置，用以承載一高分子薄膜，該高分子薄膜具有一高分子排列方向；一加熱裝置，用以提供一加熱源，該加熱源之中央處的能量小於該加熱源之邊緣處的能量；以及一移動控制裝置，用以控制該高分子薄膜及該加熱源沿一第一方向相對移動，以使調整後之該加熱源沿該第一方向對該高分子薄膜之至少一局部區域加熱，並改變該局部區域之該高分子排列方向。
2. 如申請專利範圍第1項所述之微位相差板之製造系統，其中該移動控制裝置更控制該高分子薄膜及該加熱源沿一第二方向相對移動，該第二方向實質上垂直於該第一方向，以使調整後之該加熱源對複數個局部區域加熱，並使該高分子薄膜形成複數個已加熱之局部區域及複數個未加熱之局部區域，該些已加熱之局部區域及該些未加熱之局部區域皆沿該第一方向延伸且交錯排列。
3. 如申請專利範圍第1項所述之微位相差板之製造系統，其中該加熱源係為一雷射光束，該雷射光束之震盪模式(transverse electromagnetic mode，TEM)選用TEM₀₁ 、TEM₁₀ 或TEM₁₁ 。
4. 如申請專利範圍第1項所述之微位相差板之製造系統，其中該加熱源係為一雷射光束，該微位相差板之製造系統更包括：一圓錐型透鏡，用以偏折該雷射光束之中央處的能量，以使該雷射光束之中央處的能量小於邊緣處的能量。
5. 如申請專利範圍第1項所述之微位相差板之製造系統，其中該加熱源包含一雷射光束、一紅外線、一超音波、一電子束及一中子束。
6. 如申請專利範圍第1項所述之微位相差板之製造系統，其中該控制裝置係控制該高分子薄膜之移動對應於該加熱源以一等速相對移動，使均勻加熱。
7. 如申請專利範圍第1項所述之微位相差板之製造系統，更包括：一量測裝置，用以量測該加熱源之一加熱能量，該加熱裝置係依據該加熱能量調整該加熱裝置之一驅動能量，以使該加熱源之該加熱能量隨時間保持穩定。
8. 如申請專利範圍第1項所述之微位相差板之製造系統，更包括：一冷卻裝置，用以冷卻已加熱之該局部區域。
9. 如申請專利範圍第1項所述之微位相差板之製造系統，其中該加熱源係為一雷射光束，該微位相差板之製造系統更包括：一偏極調整裝置，係依據該高分子薄膜之該高分子排列方向，調整該雷射光束之一偏極角度。
10. 如申請專利範圍第1項所述之微位相差板之製造系統，其中該承載裝置係為一平台，該移動控制裝置用以控制該承載裝置沿該第一方向及一第二方向移動，該第二方向實質上垂直於該第一方向。
11. 如申請專利範圍第1項所述之微位相差板之製造系統，其中該承載裝置係為一平台，該微位相差板之製造系統更包括：一反射鏡組，用以反射該加熱源於該高分子薄膜上，該移動控制裝置用以控制該反射鏡組所反射之該加熱源沿該第一方向及一第二方向移動，該第二方向實質上垂直於該第一方向。
12. 如申請專利範圍第11項所述之微位相差板之製造系統，其中該反射鏡組包括：一第一反射鏡；及一第二反射鏡，該加熱源係依序經由第一反射鏡及第二反射鏡反射至該高分子薄膜上；其中，該移動控制裝置係控制該第二反射鏡沿該第一方向移動，並控制該第一反射鏡沿該第一方向移動，以使該第一反射鏡所反射之該加熱源投射於該第二反射鏡，並使該第二反射鏡所反射之該加熱源沿該第一方向移動；該移動控制裝置係控制該第二反射鏡沿該第二方向移動，並控制該第一反射鏡隨著該第二反射鏡轉動，以使該第一反射鏡所反射之該加熱源投射於該第二反射鏡，並使該第二反射鏡所反射之該加熱源沿該第二方向移動。
13. 如申請專利範圍第11項所述之微位相差板之製造系統，其中該反射鏡組包括：一第一反射鏡；及一第二反射鏡，該加熱源係依序經由第一反射鏡及第二反射鏡反射至該高分子薄膜上；其中，該移動控制裝置係控制該第一反射鏡沿該第一方向移動，並控制該第二反射鏡沿該第一方向移動，以使該第一反射鏡所反射之該加熱源投射於該第二反射鏡，並使該第二反射鏡所反射之該加熱源沿該第一方向移動；該移動控制裝置係控制該第一反射鏡沿該第二方向移動，並控制該第二反射鏡隨著該第一反射鏡轉動，以使該第一反射鏡所反射之該加熱源投射於該第二反射鏡，並使該第二反射鏡所反射之該加熱源沿該第二方向移動。
14. 如申請專利範圍第1項所述之微位相差板之製造系統，其中該承載裝置包括一空心圓桶，該承載裝置具有一中心軸，該高分子薄膜係設置於該承載裝置之內壁，該微位相差板之製造系統更包括：一反射鏡組，係設置於該中心軸上，該移動控制裝置用以控制該承載裝置相對該中心軸轉動，並控制該反射鏡組沿該中心軸移動。
15. 如申請專利範圍第1項所述之微位相差板之製造系統，其中該承載裝置包括一空心圓桶，該承載裝置具有一中心軸，該高分子薄膜係設置於該承載裝置之內壁，該微位相差板之製造系統更包括：一反射鏡組，係設置於該中心軸上，該移動控制裝置用以控制該反射鏡組相對該中心軸轉動，並控制該反射鏡組沿該中心軸移動。
16. 一種微位相差板之製造方法，包括：提供一高分子薄膜，具有一高分子排列方向；提供一加熱源，該加熱源之中央處的能量小於該加熱源之邊緣處的能量；以及沿一第一方向相對移動該高分子薄膜及該加熱源，以使該加熱源沿該第一方向對該高分子薄膜之至少一局部區域加熱，並改變該局部區域之該高分子排列方向。
17. 如申請專利範圍第16項所述之微位相差板之製造方法，更包括：沿一第二方向相對移動該高分子薄膜及該加熱源，該第二方向實質上垂直於該第一方向，以使該加熱源對複數個局部區域加熱，並使該高分子薄膜形成複數個已加熱之局部區域及複數個未加熱之局部區域，該些已加熱之局部區域及該些未加熱之局部區域皆沿該第一方向延伸且交錯排列。
18. 如申請專利範圍第16項所述之微位相差板之製造方法，其中該加熱源係為一雷射光束，該雷射光束之震盪模式(transverse electromagnetic mode，TEM)選用TEM₀₁ 、TEM₁₀ 或TEM₁₁ ，以使該雷射光束形成中央處的能量小於邊緣處的能量。
19. 如申請專利範圍第16項所述之微位相差板之製造方法，其中該加熱源係為一雷射光束，調整該加熱源之該步驟係以一圓錐型透鏡偏折該雷射光束之中央處的能量，以使該雷射光束之中央處的能量小於邊緣處的能量。
20. 如申請專利範圍第16項所述之微位相差板之製造方法，其中該加熱源包含一雷射光束、一紅外線、一超音波、一電子束及一中子束。
21. 如申請專利範圍第16項所述之微位相差板之製造方法，其中在沿該第一方向相對移動之該步驟中，該高分子薄膜及該加熱源係以一相對移動，使均勻加熱。
22. 如申請專利範圍第16項所述之微位相差板之製造方法，更包括：量測該加熱源之一加熱能量；以及依據該加熱源之該加熱能量，調整該加熱裝置之一驅動能量，以使該加熱源之該加熱能量隨時間保持穩定。
23. 如申請專利範圍第16項所述之微位相差板之製造方法，更包括：冷卻已加熱之該局部區域。
24. 如申請專利範圍第16項所述之微位相差板之製造方法，該加熱源係為一雷射光束，該微位相差板之製造方法更包括：依據該高分子薄膜之該高分子排列方向，調整該雷射光束之一偏極角度。
25. 一種微位相差板之製造系統，包括：一承載裝置，用以承載一高分子薄膜，該高分子薄膜具有一高分子排列方向；以及一加熱裝置，用以提供一雷射光束，該雷射光束之中 央處的能量小於其邊緣處的能量；一偏極調整裝置，係依據該高分子薄膜之該高分子排列方向，調整該雷射光束之一偏極角度；以及一移動控制裝置，用以控制該承載裝置及該加熱裝置沿一第一方向相對移動，以使調整後之該加熱源沿該第一方向對該高分子薄膜之至少一局部區域加熱，並改變該局部區域之該高分子排列方向。
26. 一種微位相差板之製造方法，包括：提供一高分子薄膜，具有一高分子排列方向；提供一雷射光束，該雷射光束之中央處的能量小於其邊緣處的能量；依據該高分子薄膜之該高分子排列方向，調整該雷射光束之一偏極角度；以及沿一第一方向相對移動該高分子薄膜及該雷射光束，以使該雷射光束沿該第一方向對該高分子薄膜之至少一局部區域加熱，並改變該局部區域之該高分子排列方向。