JP2571054B2 - 露光装置及び素子製造方法 - Google Patents

露光装置及び素子製造方法

Info

Publication number
JP2571054B2
JP2571054B2 JP62103026A JP10302687A JP2571054B2 JP 2571054 B2 JP2571054 B2 JP 2571054B2 JP 62103026 A JP62103026 A JP 62103026A JP 10302687 A JP10302687 A JP 10302687A JP 2571054 B2 JP2571054 B2 JP 2571054B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
pulse
exposed
illuminance
exposure apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP62103026A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS63269022A (ja
Inventor
千種 大内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP62103026A priority Critical patent/JP2571054B2/ja
Publication of JPS63269022A publication Critical patent/JPS63269022A/ja
Priority to US07/542,652 priority patent/US5067811A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2571054B2 publication Critical patent/JP2571054B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/4228—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors arrangements with two or more detectors, e.g. for sensitivity compensation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/4257—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to monitoring the characteristics of a beam, e.g. laser beam, headlamp beam
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体露光装置の照明光学系特にエキシマ
レーザのようなパルス光源を有する照明光学系による被
照射域の照度むらを正確に測定することができるように
した露光装置及び素子製造方法に関する。
［従来技術］ 従来この種の装置や方法では、１個の小面積を有する
光検出器で測定領域（被照度域）をスキャンすることに
より測定領域の照度むらを測定するものや、２次元的に
配置した受光素子を用いるものが知られている。
［発明が解決しようとする問題点］ しかしながらこのような従来方式によれば、光源がエ
キシマレーザのようなパルス発光型でパルス毎に光束が
揺動されて被露光面での光強度分布が変化する場合には
正確な照度むらを測定することができないという欠点が
あった。
本発明の目的は、上述従来例の欠点を除去し、パルス
毎に光源の光強度分布が変化する場合でも簡単な構成に
より正確に照度むらが測定できるようにした露光装置及
び素子製造方法を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］ 上記目的を達成するため本発明の露光装置は、レーザ
から順次供給される複数個のパルス光を用い、被露光面
でのパルス光の強度分布を変化させながら露光を行なう
露光装置にあって、前記複数個のパルス光による前記被
露光面の照度分布を測定する測定手段を有し、前記測定
手段は、前記被露光面の各部分の照度を測定するための
受光素子を有し、該受光素子に順次入射する入射光の光
量を積算することを特徴とする。
また、本発明の素子製造方法は、レーザから順次供給
される複数個のパルス光を用い、被露光面でのパルス光
の強度分布を変化させながら露光を行なう段階を有する
素子の製造方法において、前記被露光面の各部分の照度
を測定するための受光素子を配し、該受光素子に順次入
射する入射光の光量を積算することにより前記複数個の
パルス光による前記被露光面の照度分布を測定する段階
を有することを特徴とする。
前記被露光面での強度分布の変化は、例えば、各パル
ス光毎になされ、レーザからのパルス光を受けて２次光
源を形成するハエノ目レンズと、前記パルス光の進行方
向を変化させる方向変更手段とにより行なわれる。この
場合、方向変更手段は前記パルス光の前記ハエノ目レン
ズに対する入射角を変えることにより、パルス光の進行
方向を変化させることができる。また、前記被露光面の
各部分の照度を測定するための受光素子としては、前記
各部分の照度を測定するために複数個の受光素子を２次
元的に配したものを用いることもできる。
［作用］ この構成において、露光時にレーザから順次供給され
る複数個のパルス光は、照度分布の均一化を図るため、
被露光面でのパルス光の強度分布を変化させなが供給さ
れる。これは例えば、パルス毎に光束揺動器を使ってパ
ルス光の光束の方向を変化させることにより行なわれ
る。そして、被露光面の各部分の照度分布を、照度分布
測定用の受光素子に順次入射する入射光（パルス光）の
光量を積算することにより、各パルス光の被露光面での
強度分布を積算した情報として得る。したがって、数個
のパルス光による被露光面の照度分布が正確に測定され
る。
［実施例］ 以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。
第１図は本発明の一実施例に係る照度むら測定装置を
適用したエキサマレーザを光源とする半導体露光装置の
照明系の構成を示す。同図において、１は光源であるエ
キシマレーザ、２は該レーザから発した光束、３は光束
２の角度を変化させる光束揺動器、４は光束揺動器３の
駆動装置、５は２次元光源を形成するハエノ目レンズ、
６はコンデンサレンズ、8aは照射光を受光し検出するCC
D等の２次元画像素子８を有する２次元画像素子ユニッ
ト、９は２次元画像素子８からコード8bを介して受ける
信号を記憶し演算処理する画像信号処理装置、10は全系
を制御するコントローラである。２次元画像素子ユニッ
ト8aはコード8bで画像信号処理装置とつながっている
が、ユニット全体は固定されておらずコード8bの長さの
範囲で持ち運び可能である。図では半導体露光装置のウ
エハステージ11上に載置された状態が示してある。12は
投影レンズ、13はレチクルステージである。２次元画像
素子８は本照明系の被照射域とほぼ同じ大きさを有す
る。
この構成において、エキシマレーザ１から発した光束
２はスペックル対策のため設けられている光揺動器３を
経て、ハエノ目レンズ５、コンデンサレンズ６および投
影レンズ12を透過した後、被照射領域に達する。そし
て、そこに設置されている２次元画像素子８により被照
射域上の光強度分布が電気信号として検出され、画像信
号処理装置９に送られて記憶され数値処理される。
次に、照射分布を積算して求める方法を説明する。
一般に、レーザを光源とする照射系に特有な現象とし
て、被照射面上にスペックルと呼ばれる細かな干渉パタ
ーンが発生する。これは干渉性の高い光束２がハエノ目
レンズ５を構成する各単レンズを透過した後被照射域で
重り合うため生じるものであり、例えば第２図に示すよ
うな光強度分布を程する。同図のグラフの横軸は被照射
域上での直線的距離を示し、縦軸は照射光の相対強度を
示す。そして、このグラフに現われているピークの位置
は、ハエノ目レンズ５に入射する光束２の入射角を変え
ることにより変化する。したがって、多パルス露光にお
いては、パルス毎に光束揺動器３を使って光束２の方向
を変化させることにより、被照射面上の積算露光量を均
一化することができる。ところでこのような露光を行な
うための露光装置で露光ムラを見るのに従来のスキャン
型小面積光検出器を使ったのでは各パルス毎の光検出器
位置での部分スペックルパターンしか検出できず、光束
揺動器を使った多パルス露光が終了した際の全体の積算
露光量のムラを検出する事はできなかった。そこで、こ
の積算露光量の空間分布つまり照度むらを測定するため
に、本実施例では、各パルス毎に光束２の方向を変化さ
せながら２次元画像素子８の各画素の露光量を画像信号
処理装置９に記憶し、各画素毎に所定パルス数に渡って
積算するようにしている。そして測定に際しては、この
目的のため、コントローラ10によりエキシマレーザ１と
揺動器駆動装置４と画像信号処理装置９は同期がとられ
る。すなわち揺動器駆動装置４により、光束揺動器３が
光束の角度を所定量変化させる毎に、エキシマレーザ１
が発光し、同時に画像信号処理装置９が信号をサンプリ
ングする。
［実施例の変形例］ 上述実施例において、被照射域に拡大投影系を用いて
結像させるようにすれば、２元画像素子８の画素より細
かな照度むら測定も可能である。
また、同様に縮小投影系を用いれば、２次元画像素子
８の有効面より大きな面積、例えば被照射域７の全面に
渡る照度むら測定も可能である。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、パルス毎に照度
分布が変化するような被露光面の各部分の照度分布を、
入射パルス光の各部分における光量を積算したものとし
て得るようにしたため、複数個のパルス光による被露光
面の照度分布を正確に測定することができる。したがっ
て、この測定結果を考慮することにより、パルス毎に照
度分布を変えることによる被露光面における露光量の均
一化を正確に行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の一実施例に係る照度むら測定装置を
適用した半導体露光装置の照明系の構成図、そして 第２図は、一般に被照射域で生ずるスペックル干渉によ
る照度むらを示すグラフである。 1:エキシマレーザ、 2:光束、 3:光束揺動器、 4:揺動器駆動装置、 6:コンデンサレンズ、 8:2次元画像素子、 8a:2次元画像素子ユニット、 8b:コード、 9:画像信号処理装置、 10:コントローラ、 11:ウエハステージ、 12:投影レンズ、 13:レチクルステージ。

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】レーザから順次供給される複数個のパルス
    光を用い、被露光面でのパルス光の強度分布を変化させ
    ながら露光を行なう露光装置において、前記複数個のパ
    ルス光による前記被露光面の照度分布を測定する測定手
    段を有し、前記測定手段は、前記被露光面の各部分の照
    度を測定するための受光素子を有し、該受光素子に順次
    入射する入射光の光量を積算することを特徴とする露光
    装置。
  2. 【請求項２】各パルス光毎に前記被露光面での強度分布
    を変化させることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
    載の露光装置。
  3. 【請求項３】前記レーザからのパルス光を受けて２次光
    源を形成するハエノ目レンズと、前記パルス光の進行方
    向を変化させる方向変更手段とを有し、前記方向変更手
    段により前記パルス光の強度分布を変化させることを特
    徴とする特許請求の範囲第１項記載の露光装置。
  4. 【請求項４】前記方向変更手段は前記パルス光の前記ハ
    エノ目レンズに対する入射角を変えることを特徴とする
    特許請求の範囲第３項記載の露光装置。
  5. 【請求項５】前記各部分の照度を測定するために複数個
    の受光素子を２次元的に配していることを特徴とする特
    許請求の範囲第１項記載の露光装置。
  6. 【請求項６】レーザから順次供給される複数個のパルス
    光を用い、被露光面でのパルス光の強度分布を変化させ
    ながら露光を行なう段階を有する素子の製造方法におい
    て、前記被露光面の各部分の照度を測定するための受光
    素子を配し、該受光素子に順次入射する入射光の光量を
    積算することにより前記複数個のパルス光による前記被
    露光面の照度分布を測定する段階を有することを特徴と
    する素子製造方法。
  7. 【請求項７】各パルス光毎に前記被露光面での光強度分
    布を変化させることを特徴とする特許請求の範囲第６項
    記載の素子製造方法。
JP62103026A 1987-04-28 1987-04-28 露光装置及び素子製造方法 Expired - Lifetime JP2571054B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62103026A JP2571054B2 (ja) 1987-04-28 1987-04-28 露光装置及び素子製造方法
US07/542,652 US5067811A (en) 1987-04-28 1990-06-25 Illuminance distribution measuring system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62103026A JP2571054B2 (ja) 1987-04-28 1987-04-28 露光装置及び素子製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63269022A JPS63269022A (ja) 1988-11-07
JP2571054B2 true JP2571054B2 (ja) 1997-01-16

Family

ID=14343134

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62103026A Expired - Lifetime JP2571054B2 (ja) 1987-04-28 1987-04-28 露光装置及び素子製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5067811A (ja)
JP (1) JP2571054B2 (ja)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03221848A (ja) * 1990-01-26 1991-09-30 Canon Inc 異物検査装置
GB9107013D0 (en) * 1991-04-04 1991-05-22 Power Lasers Inc Solid state artificial cornea for uv laser sculpting
JPH0536586A (ja) * 1991-08-02 1993-02-12 Canon Inc 像投影方法及び該方法を用いた半導体デバイスの製造方法
US5420417A (en) * 1991-10-08 1995-05-30 Nikon Corporation Projection exposure apparatus with light distribution adjustment
JP2715895B2 (ja) * 1994-01-31 1998-02-18 日本電気株式会社 光強度分布シミュレーション方法
US20010046088A1 (en) 1994-02-14 2001-11-29 Naoto Sano Exposure apparatus and device manufacturing method using the same
US5609780A (en) * 1994-11-14 1997-03-11 International Business Machines, Corporation Laser system
JPH08179237A (ja) * 1994-12-26 1996-07-12 Nikon Corp 照明光学装置
US5978053A (en) * 1995-07-07 1999-11-02 New Mexico State University Technology Transfer Corporation Characterization of collimation and beam alignment
US5818597A (en) * 1996-10-22 1998-10-06 Ultra Stereo Labs, Inc. Projection system visual characteristics analyzer
US6771417B1 (en) * 1997-08-01 2004-08-03 Carl Zeiss Jena Gmbh Applications of adaptive optics in microscopy
US6013911A (en) * 1998-03-02 2000-01-11 Ultra Stereo Labs Inc. Lamp illumination control system and method
US6118113A (en) * 1998-03-02 2000-09-12 Hibbard; Earl Roger Focusing mirror control system and method for adjusting same
US7136159B2 (en) * 2000-09-12 2006-11-14 Kla-Tencor Technologies Corporation Excimer laser inspection system
JP4230676B2 (ja) * 2001-04-27 2009-02-25 株式会社東芝 露光装置の照度むらの測定方法、照度むらの補正方法、半導体デバイスの製造方法及び露光装置
JP2005156403A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Canon Inc シアリング干渉を利用した測定方法及び装置、それを利用した露光方法及び装置、並びに、デバイス製造方法
US7738692B2 (en) * 2006-07-20 2010-06-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Methods of determining quality of a light source
DE102006038580A1 (de) * 2006-08-17 2008-02-21 Siemens Ag Vorrichtung und Verfahren zum Ermitteln der Lichtintensität von spektralen Anteilen von Licht
TWI413801B (zh) * 2008-01-04 2013-11-01 Ind Tech Res Inst 微位相差板之製造系統及製造方法
CN101498804B (zh) * 2008-01-29 2011-04-20 财团法人工业技术研究院 微位相差板的制造系统及制造方法
TW201145397A (en) * 2010-03-23 2011-12-16 Japan Steel Works Ltd Laser annealing device
JP5759232B2 (ja) * 2011-04-04 2015-08-05 キヤノン株式会社 測定装置
TW201416166A (zh) * 2012-10-18 2014-05-01 Max See Industry Co Ltd 加工機之工件檢測方法及其裝置
JP6593678B2 (ja) * 2015-03-30 2019-10-23 株式会社ニコン 照明光学系、照明方法、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
CN115598937B (zh) * 2022-12-13 2023-04-07 华芯程(杭州)科技有限公司 一种光刻掩膜形状预测方法及装置、电子设备

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4320462A (en) * 1980-03-31 1982-03-16 Hughes Aircraft Company High speed laser pulse analyzer
JPS57101839A (en) * 1980-12-18 1982-06-24 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposure device for wafer or photomask
JPS57117238A (en) * 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
JPH0715875B2 (ja) * 1984-12-27 1995-02-22 キヤノン株式会社 露光装置及び方法
JPS60168026A (ja) * 1984-02-13 1985-08-31 Canon Inc 投影露光装置
US4799791A (en) * 1984-02-13 1989-01-24 Canon Kabushiki Kaisha Illuminance distribution measuring system
US4619508A (en) * 1984-04-28 1986-10-28 Nippon Kogaku K. K. Illumination optical arrangement
WO1986000427A1 (en) * 1984-06-21 1986-01-16 American Telephone & Telegraph Company Deep-uv lithography
JPS61177723A (ja) * 1985-02-01 1986-08-09 Canon Inc 露光監視装置
JPS61212816A (ja) * 1985-03-18 1986-09-20 Canon Inc 照明装置
JPS6252929A (ja) * 1985-09-02 1987-03-07 Canon Inc 照明光学装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPS63269022A (ja) 1988-11-07
US5067811A (en) 1991-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2571054B2 (ja) 露光装置及び素子製造方法
KR100300621B1 (ko) 노광장치,노광방법,노광제어장치,노광제어방법,레이저장치,및디바이스제조방법
US6741082B2 (en) Distance information obtaining apparatus and distance information obtaining method
US4799791A (en) Illuminance distribution measuring system
US5898480A (en) Exposure method
TW202024563A (zh) 厚度量測裝置
JPH06204113A (ja) 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法
JP2884830B2 (ja) 自動焦点合せ装置
JP4174307B2 (ja) 露光装置
JP2008058477A (ja) 描画装置
JPH0933344A (ja) 光量測定装置
CN108333880B (zh) 光刻曝光装置及其焦面测量装置和方法
JP3282167B2 (ja) 露光方法、走査型露光装置、及びデバイス製造方法
JP2004186234A (ja) 露光装置
KR102206972B1 (ko) 주사 노광 장치 및 물품 제조 방법
JPH10281729A (ja) マーク位置検出装置および方法
US10455160B2 (en) Detecting apparatus, detecting method, computer-readable medium storing a program, lithography apparatus, and article manufacturing method that control imaging device to perform imaging at particular time period
EP0357426B1 (en) Light quantity controlling apparatus
JP3211281B2 (ja) 露光装置及び露光方法
JPS59164910A (ja) 距離測定装置
JPH0560602A (ja) 光強度分布測定装置
JPH05259029A (ja) 位置検出装置
JPH0555332A (ja) 異物検査装置
JP2830430B2 (ja) 異物検査装置
KR101035624B1 (ko) 노광 장치 및 디바이스 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071024

Year of fee payment: 11