JPH0933344A - 光量測定装置 - Google Patents
光量測定装置Info
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- JPH0933344A JPH0933344A JP7180072A JP18007295A JPH0933344A JP H0933344 A JPH0933344 A JP H0933344A JP 7180072 A JP7180072 A JP 7180072A JP 18007295 A JP18007295 A JP 18007295A JP H0933344 A JPH0933344 A JP H0933344A
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
- B41J2/44—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using single radiation source per colour, e.g. lighting beams or shutter arrangements
- B41J2/442—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using single radiation source per colour, e.g. lighting beams or shutter arrangements using lasers
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 走査型露光装置において、露光量分布を測定
できる光量測定装置を提供する。 【解決手段】 コントローラ１８がウエハステージ１５
を走査させ、パルス光源１を発光させて走査方向に一列
に配列された複数の受光素子を有する照度計１７に対し
て露光を行う。露光中、パルス毎に照度計１７の各受光
素子の出力値を積算していき、露光終了後、メモリ１９
に格納してあった各受光素子の感度ばらつきの補正係数
を読み出して、それぞれ対応する受光素子の測定値を除
算し、各受光素子間の感度ばらつきが測定値に与えた影
響を除去する。これにより、走査方向に一列に配列され
た受光素子毎の測定値が露光領域の走査方向における露
光量分布として得られる。
できる光量測定装置を提供する。 【解決手段】 コントローラ１８がウエハステージ１５
を走査させ、パルス光源１を発光させて走査方向に一列
に配列された複数の受光素子を有する照度計１７に対し
て露光を行う。露光中、パルス毎に照度計１７の各受光
素子の出力値を積算していき、露光終了後、メモリ１９
に格納してあった各受光素子の感度ばらつきの補正係数
を読み出して、それぞれ対応する受光素子の測定値を除
算し、各受光素子間の感度ばらつきが測定値に与えた影
響を除去する。これにより、走査方向に一列に配列され
た受光素子毎の測定値が露光領域の走査方向における露
光量分布として得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光量測定装置に関
し、特に、この光量測定装置を用いて、１ショットの露
光領域の露光量分布を測定することにより、ウエハに適
切な露光量を与えることが可能な走査型露光装置に関す
るものである。
し、特に、この光量測定装置を用いて、１ショットの露
光領域の露光量分布を測定することにより、ウエハに適
切な露光量を与えることが可能な走査型露光装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスをフォトリソグラフィー
技術を用いて製造する際、レチクルのパターンを投影光
学系を介してフォトレジストが塗布されたウエハ上に露
光する投影露光装置が使用されている。近年、半導体デ
バイス１個当たりのチップパターンが、より大型化、微
細化する傾向にあり、そのため露光領域が大きく、且つ
高解像度の投影露光装置が求められている。
技術を用いて製造する際、レチクルのパターンを投影光
学系を介してフォトレジストが塗布されたウエハ上に露
光する投影露光装置が使用されている。近年、半導体デ
バイス１個当たりのチップパターンが、より大型化、微
細化する傾向にあり、そのため露光領域が大きく、且つ
高解像度の投影露光装置が求められている。
【０００３】露光領域の大面積化という要求に応えて、
スリット状の照明領域に対し、レチクルとウエハを同期
させて走査させることにより、照明領域よりも大きいレ
チクルのパターンをウエハ上に露光転写する走査型露光
装置が開発されている。
スリット状の照明領域に対し、レチクルとウエハを同期
させて走査させることにより、照明領域よりも大きいレ
チクルのパターンをウエハ上に露光転写する走査型露光
装置が開発されている。
【０００４】一方、高解像度の実現は光源波長の短波長
化によってなされ、従来の光源である水銀ランプに換え
てエキシマレーザが用いられようとしている。エキシマ
レーザは遠紫外領域で高出力であるものの、従来の光源
とは異なり、パルス発光のレーザであるという特徴をも
つ。
化によってなされ、従来の光源である水銀ランプに換え
てエキシマレーザが用いられようとしている。エキシマ
レーザは遠紫外領域で高出力であるものの、従来の光源
とは異なり、パルス発光のレーザであるという特徴をも
つ。
【０００５】
【発明が解決しようとしている課題】エキシマレーザの
ようなパルスレーザを光源とした走査型露光装置では、
光源の出力変動、発光タイミングのずれ、ステージの位
置ずれなどの様々な要因によって、露光領域の走査方向
の露光量分布が変化する。したがって、走査型露光装置
では、走査方向の露光量分布を測定すること、及びその
測定結果からウエハに与える露光量の制御を行い、露光
領域における露光ムラを抑えることが重要な課題であ
る。
ようなパルスレーザを光源とした走査型露光装置では、
光源の出力変動、発光タイミングのずれ、ステージの位
置ずれなどの様々な要因によって、露光領域の走査方向
の露光量分布が変化する。したがって、走査型露光装置
では、走査方向の露光量分布を測定すること、及びその
測定結果からウエハに与える露光量の制御を行い、露光
領域における露光ムラを抑えることが重要な課題であ
る。
【０００６】走査型露光装置で露光量を測定するには、
従来のステッパ等に搭載されている照度計を用いる方法
が考えられる。照度計は、受光部に微小開口を有する光
強度検出器であり、受光部の高さとウエハ面の高さが一
致するようウエハステージ上に設置されている。
従来のステッパ等に搭載されている照度計を用いる方法
が考えられる。照度計は、受光部に微小開口を有する光
強度検出器であり、受光部の高さとウエハ面の高さが一
致するようウエハステージ上に設置されている。
【０００７】この照度計を一回走査して露光することに
よって、一つの微小領域における露光量が測定できる。
次に照度計を走査方向の他の位置に移動させて再び走査
露光し、露光量を測定する。この動作を繰り返し行うこ
とにより、マトリクス状あるいはライン状に複数の微小
領域の露光量が測定できる。
よって、一つの微小領域における露光量が測定できる。
次に照度計を走査方向の他の位置に移動させて再び走査
露光し、露光量を測定する。この動作を繰り返し行うこ
とにより、マトリクス状あるいはライン状に複数の微小
領域の露光量が測定できる。
【０００８】しかしながら、前述したようにエキシマレ
ーザは発光毎に出力の変動があるため、走査露光の度に
ある微小領域における露光量は変化する。上記の方法で
は、露光量の測定に当たって複数回の走査露光を行って
いるので、露光量がばらつく範囲を測定することはでき
ても、露光領域内の露光量分布を測定することはできな
い。したがって、露光量分布を測定するには、一回の走
査で露光量を測定しなければならない。
ーザは発光毎に出力の変動があるため、走査露光の度に
ある微小領域における露光量は変化する。上記の方法で
は、露光量の測定に当たって複数回の走査露光を行って
いるので、露光量がばらつく範囲を測定することはでき
ても、露光領域内の露光量分布を測定することはできな
い。したがって、露光量分布を測定するには、一回の走
査で露光量を測定しなければならない。
【０００９】本発明は上述したような問題点に鑑み、ウ
エハ上の露光量分布を測定できる走査型露光装置を提供
することを目的とする。
エハ上の露光量分布を測定できる走査型露光装置を提供
することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願第１発明は、複数の受光素子よりなる光強度測
定手段と、該光強度測定手段を被測定領域に対して相対
的に走査する走査手段とを有し、該走査手段によって前
記光強度測定手段を前記被測定領域に対して相対的に走
査しながら前記複数の受光素子が順次受光する光強度を
各受光素子毎に記憶手段に記憶し、該記憶手段に記憶さ
れた情報を用いて光量を測定することを特徴とする光量
測定装置である。
に、本願第１発明は、複数の受光素子よりなる光強度測
定手段と、該光強度測定手段を被測定領域に対して相対
的に走査する走査手段とを有し、該走査手段によって前
記光強度測定手段を前記被測定領域に対して相対的に走
査しながら前記複数の受光素子が順次受光する光強度を
各受光素子毎に記憶手段に記憶し、該記憶手段に記憶さ
れた情報を用いて光量を測定することを特徴とする光量
測定装置である。
【００１１】本願第１発明の光量測定装置により、走査
型露光装置のような走査照明系を有する装置において光
量分布を測定できる。
型露光装置のような走査照明系を有する装置において光
量分布を測定できる。
【００１２】本願第２発明は、複数の受光素子を照明領
域に対して相対的に走査し、前記各受光素子の測定値か
ら、該各受光素子の感度ばらつきを検出することを特徴
とする感度ばらつきの検出方法である。
域に対して相対的に走査し、前記各受光素子の測定値か
ら、該各受光素子の感度ばらつきを検出することを特徴
とする感度ばらつきの検出方法である。
【００１３】本願第２発明の感度ばらつきの検出方法に
より、複数の受光素子の感度ばらつきを補正するための
データが得られ、正確に光強度を検出できる。
より、複数の受光素子の感度ばらつきを補正するための
データが得られ、正確に光強度を検出できる。
【００１４】本願第３発明は、本願第１発明の光量測定
装置を用いて露光量を測定することを特徴とする露光装
置である。
装置を用いて露光量を測定することを特徴とする露光装
置である。
【００１５】本願第４発明は、光源と、該光源より発せ
られた光の照明領域をマスク及びウエハに対して相対的
に走査する走査手段とを有し、前記照明領域よりも広い
前記マスク及びウエハ上の被照明領域を照明し、前記マ
スク上に形成された転写パターンを前記ウエハに露光転
写する露光装置において、露光量分布測定手段を有する
ことを特徴とする露光装置である。
られた光の照明領域をマスク及びウエハに対して相対的
に走査する走査手段とを有し、前記照明領域よりも広い
前記マスク及びウエハ上の被照明領域を照明し、前記マ
スク上に形成された転写パターンを前記ウエハに露光転
写する露光装置において、露光量分布測定手段を有する
ことを特徴とする露光装置である。
【００１６】本願第５発明は、パルス光源と、該パルス
光源より発した複数のパルス光が順次形成する照明領域
をマスク及びウエハに対して相対的に走査する走査手段
とを有し、前記照明領域を前記マスク及びウエハ上で相
対的に変位させながら重ね合わせ、前記照明領域よりも
広い前記マスク及びウエハ上の被照明領域を照明し、前
記マスクに形成された転写パターンを前記ウエハに露光
転写する露光装置において、少なくとも走査方向に並ん
だ複数の受光素子よりなる光強度測定手段を有し、前記
光強度測定手段を前記照明領域に対して相対的に走査し
ながら照明し、前記複数の受光素子が順次受光する前記
複数のパルス光の光強度を各受光素子毎に記憶手段に記
憶し、該記憶手段に記憶された情報を用いて前記被照明
領域の露光量分布を求めることを特徴とする露光装置で
ある。
光源より発した複数のパルス光が順次形成する照明領域
をマスク及びウエハに対して相対的に走査する走査手段
とを有し、前記照明領域を前記マスク及びウエハ上で相
対的に変位させながら重ね合わせ、前記照明領域よりも
広い前記マスク及びウエハ上の被照明領域を照明し、前
記マスクに形成された転写パターンを前記ウエハに露光
転写する露光装置において、少なくとも走査方向に並ん
だ複数の受光素子よりなる光強度測定手段を有し、前記
光強度測定手段を前記照明領域に対して相対的に走査し
ながら照明し、前記複数の受光素子が順次受光する前記
複数のパルス光の光強度を各受光素子毎に記憶手段に記
憶し、該記憶手段に記憶された情報を用いて前記被照明
領域の露光量分布を求めることを特徴とする露光装置で
ある。
【００１７】本願第６発明は、パルス光源と、該パルス
光源より発した複数のパルス光が順次形成する照明領域
をマスク及びウエハに対して相対的に走査する走査手段
とを有し、前記照明領域を前記マスク及びウエハ上で相
対的に変位させながら重ね合わせ、前記照明領域よりも
広い前記マスク及びウエハ上の被照明領域を照明し、前
記マスクに形成された転写パターンを前記ウエハに露光
転写する露光装置において、少なくとも走査方向に並ん
だ複数の受光素子よりなる光強度測定手段を有し、該光
強度測定手段を前記照明領域に対して静止して照明し、
各受光素子に入射した前記パルス光の光強度を各パルス
光毎に記憶手段に記憶し、該記憶手段に記憶された前記
光強度を実露光時における前記照明領域の相対的な変位
量に応じた分だけずらして積算させ前記被照明領域の露
光量分布を求めることを特徴とする露光装置である。
光源より発した複数のパルス光が順次形成する照明領域
をマスク及びウエハに対して相対的に走査する走査手段
とを有し、前記照明領域を前記マスク及びウエハ上で相
対的に変位させながら重ね合わせ、前記照明領域よりも
広い前記マスク及びウエハ上の被照明領域を照明し、前
記マスクに形成された転写パターンを前記ウエハに露光
転写する露光装置において、少なくとも走査方向に並ん
だ複数の受光素子よりなる光強度測定手段を有し、該光
強度測定手段を前記照明領域に対して静止して照明し、
各受光素子に入射した前記パルス光の光強度を各パルス
光毎に記憶手段に記憶し、該記憶手段に記憶された前記
光強度を実露光時における前記照明領域の相対的な変位
量に応じた分だけずらして積算させ前記被照明領域の露
光量分布を求めることを特徴とする露光装置である。
【００１８】本願第７発明は、本願第３乃至第６発明の
走査型露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴
とするデバイス製造方法である。
走査型露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴
とするデバイス製造方法である。
【００１９】本願第３乃至第６発明の露光装置及び本願
第７発明のデバイス製造方法を用いることにより、Ｉ
Ｃ、ＬＳＩ等の半導体デバイス、液晶デバイス、ＣＣＤ
等の撮像デバイス、磁気ヘッド等のデバイスを正確に製
造することができる。
第７発明のデバイス製造方法を用いることにより、Ｉ
Ｃ、ＬＳＩ等の半導体デバイス、液晶デバイス、ＣＣＤ
等の撮像デバイス、磁気ヘッド等のデバイスを正確に製
造することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】図１は本発明の特徴を最もよく表
す走査型露光装置の図である。１はエキシマレーザ等の
パルス光源である。２はパルス光源１から発振されたパ
ルス光のビーム形状を整えるための、シリンドリカルレ
ンズ、ビームエキスパンダ等で構成されたビーム整形光
学系である。３はパルス光源１からのパルス光の光量を
調節するためのＮＤフィルタ等の減光手段である。４は
パルス光源１からのパルス光の可干渉性を低減させて、
レチクル１１を均一に照明するためのインコヒーレント
均一化光学系である。
す走査型露光装置の図である。１はエキシマレーザ等の
パルス光源である。２はパルス光源１から発振されたパ
ルス光のビーム形状を整えるための、シリンドリカルレ
ンズ、ビームエキスパンダ等で構成されたビーム整形光
学系である。３はパルス光源１からのパルス光の光量を
調節するためのＮＤフィルタ等の減光手段である。４は
パルス光源１からのパルス光の可干渉性を低減させて、
レチクル１１を均一に照明するためのインコヒーレント
均一化光学系である。
【００２１】５はパルス光の一部を光検出器１６に入射
させ、大部分を透過させるビームスプリッタである。６
は視野絞り７を均一に照明するための第１リレーレンズ
であり、光検出器１６の受光面と視野絞り７は共役の関
係にある。７は矩形に光束を絞る視野絞りであり、８は
第２リレーレンズ、９は光路を曲げるためのミラー、１
０はコンデンサーレンズである。８、９、１０によっ
て、レチクル１１を均一に照明し、視野絞り７はレチク
ル１１と共役の関係である。レチクル１１は実際の露光
時には転写されるべきパターンが描かれているが、本実
施例では照明領域の光強度分布、および露光領域の露光
量分布を測定するため、パターンが描かれていないレチ
クルがレチクルステージ１２に搭載されている。もしく
はレチクル１１を取り外しておく。１３は、レチクル１
１のパターンをウエハ１４に縮小投影する投影レンズで
ある。
させ、大部分を透過させるビームスプリッタである。６
は視野絞り７を均一に照明するための第１リレーレンズ
であり、光検出器１６の受光面と視野絞り７は共役の関
係にある。７は矩形に光束を絞る視野絞りであり、８は
第２リレーレンズ、９は光路を曲げるためのミラー、１
０はコンデンサーレンズである。８、９、１０によっ
て、レチクル１１を均一に照明し、視野絞り７はレチク
ル１１と共役の関係である。レチクル１１は実際の露光
時には転写されるべきパターンが描かれているが、本実
施例では照明領域の光強度分布、および露光領域の露光
量分布を測定するため、パターンが描かれていないレチ
クルがレチクルステージ１２に搭載されている。もしく
はレチクル１１を取り外しておく。１３は、レチクル１
１のパターンをウエハ１４に縮小投影する投影レンズで
ある。
【００２２】１５はウエハ１４が搭載されるウエハステ
ージである。１７は照明領域内の光強度分布、および露
光領域内の露光量分布を測定する照度計である。照度計
１７の受光部には走査方向に一次元に配列された受光素
子が採用されている。この受光部は、ウエハ面と高さが
一致するようにウエハステージ１５上に照度計１７を設
置している。１８は、光検出器１６と照度計１７からの
出力を取り込み、演算を行い、レチクルステージ１２と
ウエハステージ１５を制御し、パルス光源１の発光タイ
ミングを制御するコントローラ、１９はコントローラ１
８のデータを記憶するメモリである。
ージである。１７は照明領域内の光強度分布、および露
光領域内の露光量分布を測定する照度計である。照度計
１７の受光部には走査方向に一次元に配列された受光素
子が採用されている。この受光部は、ウエハ面と高さが
一致するようにウエハステージ１５上に照度計１７を設
置している。１８は、光検出器１６と照度計１７からの
出力を取り込み、演算を行い、レチクルステージ１２と
ウエハステージ１５を制御し、パルス光源１の発光タイ
ミングを制御するコントローラ、１９はコントローラ１
８のデータを記憶するメモリである。
【００２３】以上の構成により、照明領域における光強
度分布を測定する場合には、図２（ａ）に示すように、
照度計１７の受光素子が照明領域の走査方向の長さをカ
バーする位置に来るように、コントローラ１８によりウ
エハステージ１５の位置を制御し、パルス光源１を発光
させる。そして、メモリ１９に格納してあった各受光素
子の感度ばらつきの補正係数（補正係数の求め方は後述
する）を読み出して、それぞれ対応する受光素子の測定
値を除算することによって、各受光素子間の感度ばらつ
きが測定値に与えた影響を除去する。このようにして、
走査方向に一列に配列された受光素子毎の前記測定値が
照明領域の走査方向における光強度分布として得られ
る。更に、受光素子を走査方向と直角方向に移動させた
位置で前述の測定を繰り返すことによって、照明領域全
域の光強度分布が得られる。
度分布を測定する場合には、図２（ａ）に示すように、
照度計１７の受光素子が照明領域の走査方向の長さをカ
バーする位置に来るように、コントローラ１８によりウ
エハステージ１５の位置を制御し、パルス光源１を発光
させる。そして、メモリ１９に格納してあった各受光素
子の感度ばらつきの補正係数（補正係数の求め方は後述
する）を読み出して、それぞれ対応する受光素子の測定
値を除算することによって、各受光素子間の感度ばらつ
きが測定値に与えた影響を除去する。このようにして、
走査方向に一列に配列された受光素子毎の前記測定値が
照明領域の走査方向における光強度分布として得られ
る。更に、受光素子を走査方向と直角方向に移動させた
位置で前述の測定を繰り返すことによって、照明領域全
域の光強度分布が得られる。
【００２４】また、露光領域の走査方向における露光量
分布の測定を行う場合にも、図２（ｂ）に示すように照
度計１７の受光素子が露光領域の走査方向の長さをカバ
ーできる位置に来るようにコントローラ１８がウエハス
テージ１５を走査開始位置に停止させる。コントローラ
１８がウエハステージ１５を走査させ、パルス光源１を
発光させて照度計１７に対して露光を行う。露光中、パ
ルス毎に照度計１７の各受光素子の出力値を積算してい
き、図２（ｃ）に示した露光終了後、メモリ１９に格納
してあった各受光素子の感度ばらつきの補正係数を読み
出して、それぞれ対応する受光素子の測定値を除算し、
各受光素子間の感度ばらつきが測定値に与えた影響を除
去する。このようにして、走査方向に一列に配列された
受光素子毎の前記測定値が露光領域の走査方向における
露光量分布として得られる。
分布の測定を行う場合にも、図２（ｂ）に示すように照
度計１７の受光素子が露光領域の走査方向の長さをカバ
ーできる位置に来るようにコントローラ１８がウエハス
テージ１５を走査開始位置に停止させる。コントローラ
１８がウエハステージ１５を走査させ、パルス光源１を
発光させて照度計１７に対して露光を行う。露光中、パ
ルス毎に照度計１７の各受光素子の出力値を積算してい
き、図２（ｃ）に示した露光終了後、メモリ１９に格納
してあった各受光素子の感度ばらつきの補正係数を読み
出して、それぞれ対応する受光素子の測定値を除算し、
各受光素子間の感度ばらつきが測定値に与えた影響を除
去する。このようにして、走査方向に一列に配列された
受光素子毎の前記測定値が露光領域の走査方向における
露光量分布として得られる。
【００２５】以下に、照度計１７の受光素子間の感度ば
らつきの補正方法を示す。
らつきの補正方法を示す。
【００２６】この補正方法は、各受光素子に等しい露光
量を与えることによって、受光素子の出力の違いから感
度ばらつきの補正係数を求めるという方法である。等し
い露光量を各受光素子に与えるには、１パルス毎の照度
計１７の走査方向の変位量が、素子間隔の整数倍で且つ
受光素子全体の長さよりも短い距離、もしくは素子間隔
の整数分の一ずつの距離でパルス露光を行えばよい。そ
してパルス光源の出力変動を補正し、照明領域の走査方
向における断面の光強度を積算した露光量を各受光素子
に与える。
量を与えることによって、受光素子の出力の違いから感
度ばらつきの補正係数を求めるという方法である。等し
い露光量を各受光素子に与えるには、１パルス毎の照度
計１７の走査方向の変位量が、素子間隔の整数倍で且つ
受光素子全体の長さよりも短い距離、もしくは素子間隔
の整数分の一ずつの距離でパルス露光を行えばよい。そ
してパルス光源の出力変動を補正し、照明領域の走査方
向における断面の光強度を積算した露光量を各受光素子
に与える。
【００２７】受光素子の例としては、ＣＣＤラインセン
サやフォトダイオード・アレイが挙げられる。本実施例
では、走査方向の長さが３０ｍｍ以上のものを使用す
る。また、露光量分布を十分に分解できるように、素子
間隔２０μｍ、走査方向と直角方向の幅２０μｍ程度の
ものが考えられる。
サやフォトダイオード・アレイが挙げられる。本実施例
では、走査方向の長さが３０ｍｍ以上のものを使用す
る。また、露光量分布を十分に分解できるように、素子
間隔２０μｍ、走査方向と直角方向の幅２０μｍ程度の
ものが考えられる。
【００２８】以下に素子数Ｍ、素子間隔ｐの受光素子を
照度計１７に採用した場合の各受光素子間の感度ばらつ
きの補正係数を求める手順を図３のフローチャート、図
４の動作説明図を用いて説明する。
照度計１７に採用した場合の各受光素子間の感度ばらつ
きの補正係数を求める手順を図３のフローチャート、図
４の動作説明図を用いて説明する。
【００２９】ステップ１では、まず図４（ａ）に示すよ
うに、全受光素子が照明領域にかからない位置に静止さ
せておく。初期値として、１番目の受光素子から照明領
域までの距離をＬ０、パルス光源１が一回発光する間に
ウエハステージ１５が走査する間隔をＰ、全受光素子が
照明領域を通過するまでの走査距離をＬとする。すなわ
ち、ラインセンサの感度ムラを補正するのにステージを
走査する範囲および走査条件をセットする。
うに、全受光素子が照明領域にかからない位置に静止さ
せておく。初期値として、１番目の受光素子から照明領
域までの距離をＬ０、パルス光源１が一回発光する間に
ウエハステージ１５が走査する間隔をＰ、全受光素子が
照明領域を通過するまでの走査距離をＬとする。すなわ
ち、ラインセンサの感度ムラを補正するのにステージを
走査する範囲および走査条件をセットする。
【００３０】ここでＬ０はウエハステージ１５が走査し
始めて一定の速度に達するのに十分な距離であり、Ｐは
素子間隔ｐの整数倍もしくは整数分の一ずつの距離であ
る。
始めて一定の速度に達するのに十分な距離であり、Ｐは
素子間隔ｐの整数倍もしくは整数分の一ずつの距離であ
る。
【００３１】ステップ２で、コントローラ１８がウエハ
ステージ１５の走査を開始させる。
ステージ１５の走査を開始させる。
【００３２】ステップ３では、ウエハステージ１５が一
定速度に達したか判断する。Ｎｏならば、ステップ４に
行き、Ｙｅｓならば、ステップ５に進む。
定速度に達したか判断する。Ｎｏならば、ステップ４に
行き、Ｙｅｓならば、ステップ５に進む。
【００３３】ステップ４では、ウエハステージ１５が所
望の速度になるように速度を調整する。
望の速度になるように速度を調整する。
【００３４】ステップ５では、受光素子が照明領域にか
かる前に、コントローラ１８はパルス光源１に第１回目
の発光をさせる。このとき、パルス光源１の発光回数を
ｉ＝１にセットし、以降コントローラ１８でｉをカウン
トしていく。そして、パルス光源１の一部の出力をモニ
タしている光検出器１６からの出力をコントローラ１８
で取り込み、メモリ１９に測定値Ｅ１として保存する。
かる前に、コントローラ１８はパルス光源１に第１回目
の発光をさせる。このとき、パルス光源１の発光回数を
ｉ＝１にセットし、以降コントローラ１８でｉをカウン
トしていく。そして、パルス光源１の一部の出力をモニ
タしている光検出器１６からの出力をコントローラ１８
で取り込み、メモリ１９に測定値Ｅ１として保存する。
【００３５】ステップ６では、ウエハステージ１５が受
光素子間隔ｐで決まる一定値Ｐ（素子間隔の整数倍また
は整数分の１）だけ動いたら、パルス光源１に２回目の
発光をさせる。各受光素子の出力Ｖｋ２（ｋは受光素子
の順番位置：１≦ｋ≦Ｍ）と光検出器１６からの出力Ｅ
２をコントローラ１８が取り込み、メモリ１９に保存す
る。
光素子間隔ｐで決まる一定値Ｐ（素子間隔の整数倍また
は整数分の１）だけ動いたら、パルス光源１に２回目の
発光をさせる。各受光素子の出力Ｖｋ２（ｋは受光素子
の順番位置：１≦ｋ≦Ｍ）と光検出器１６からの出力Ｅ
２をコントローラ１８が取り込み、メモリ１９に保存す
る。
【００３６】以後、ウエハステージ１５が一定間隔分Ｐ
だけ走査するたびにパルス光源１を発光させ（ｉは発光
回数）、各受光素子の出力Ｖｋｉおよび光検出器１６の
出力Ｅｉをコントローラ１８に取り込み、メモリ１９に
保存する。
だけ走査するたびにパルス光源１を発光させ（ｉは発光
回数）、各受光素子の出力Ｖｋｉおよび光検出器１６の
出力Ｅｉをコントローラ１８に取り込み、メモリ１９に
保存する。
【００３７】ステップ７では、図４（ｂ）に示すよう
に、受光素子が照明領域を通過するまでの走査距離Ｌだ
け、ウエハステージ１５が走査したならば、ステップ８
に進む。
に、受光素子が照明領域を通過するまでの走査距離Ｌだ
け、ウエハステージ１５が走査したならば、ステップ８
に進む。
【００３８】ステップ８では、メモリ１９からＥｉ、Ｖ
ｋｉを呼び出す。Ｅ１を基準としてパルス光源の出力ば
らつきの補正係数αｉ＝Ｅｉ／Ｅ１を求める。αｉでＶ
ｋｉを除算すると、パルスパルス光源１の出力ばらつき
の影響によるＶｋｉの変動が除かれる。
ｋｉを呼び出す。Ｅ１を基準としてパルス光源の出力ば
らつきの補正係数αｉ＝Ｅｉ／Ｅ１を求める。αｉでＶ
ｋｉを除算すると、パルスパルス光源１の出力ばらつき
の影響によるＶｋｉの変動が除かれる。
【００３９】次に、ｋ番目の受光素子の出力の積算値は
Σ（Ｖｋｉ／αｉ）と表せる。ここで、Σ（Ｖｋｉ／α
ｉ）は照明領域の走査方向における断面の光強度分布を
積算した値となり、１からＭ番目までの受光素子それぞ
れにおける積算値Σ（Ｖ１ｉ／αｉ）、・・・、Σ（Ｖ
Ｍｉ／αｉ）は、受光素子間の感度ばらつきが無ければ
等しくなる。すなわち、これらΣ（Ｖｋｉ／αｉ）の値
の違いが感度ばらつきに相当する。したがって、受光素
子の１番目（ｋ＝１）の積算値Σ（Ｖ１ｉ／αｉ ）で
他の受光素子の積算値を規格化することによって、受光
素子間の感度ばらつきの補正係数βｋ＝Σ（Ｖｋｉ／α
ｉ）／Σ（Ｖ１ｉ／αｉ）が得られる。そして、これら
補正係数をメモリ１９に保存する。
Σ（Ｖｋｉ／αｉ）と表せる。ここで、Σ（Ｖｋｉ／α
ｉ）は照明領域の走査方向における断面の光強度分布を
積算した値となり、１からＭ番目までの受光素子それぞ
れにおける積算値Σ（Ｖ１ｉ／αｉ）、・・・、Σ（Ｖ
Ｍｉ／αｉ）は、受光素子間の感度ばらつきが無ければ
等しくなる。すなわち、これらΣ（Ｖｋｉ／αｉ）の値
の違いが感度ばらつきに相当する。したがって、受光素
子の１番目（ｋ＝１）の積算値Σ（Ｖ１ｉ／αｉ ）で
他の受光素子の積算値を規格化することによって、受光
素子間の感度ばらつきの補正係数βｋ＝Σ（Ｖｋｉ／α
ｉ）／Σ（Ｖ１ｉ／αｉ）が得られる。そして、これら
補正係数をメモリ１９に保存する。
【００４０】ステップ９で、補正係数を求める手順を終
了する。
了する。
【００４１】また、上記実施例ではラインセンサの感度
ばらつき補正係数を求めるときに、照度計１７を走査し
て測定したが、ウエハステージを素子間隔の整数倍また
は整数分の１だけ、照度計１７を移動させ、停止した時
点でパルス露光を行うという動作でも、ラインセンサの
感度ばらつき補正係数を求めることが可能である。その
うえ、停止した位置で複数回の露光を行って積算露光を
行えば、光源の出力変動による影響を平均化させる効果
も生じる。
ばらつき補正係数を求めるときに、照度計１７を走査し
て測定したが、ウエハステージを素子間隔の整数倍また
は整数分の１だけ、照度計１７を移動させ、停止した時
点でパルス露光を行うという動作でも、ラインセンサの
感度ばらつき補正係数を求めることが可能である。その
うえ、停止した位置で複数回の露光を行って積算露光を
行えば、光源の出力変動による影響を平均化させる効果
も生じる。
【００４２】本実施例に関して、ウエハ面上の照明領域
の形状が図２に示すように矩形状であっても、図５に示
すように照明領域の形状が円弧状であっても、走査方向
に直角方向の照明領域の長さが３０ｍｍ程度であるのに
対して、照度計１７の受光素子の走査方向に直角方向の
幅が２０μｍと非常に小さいため、照明領域の形状に関
係なく照度分布、および露光量分布の測定が可能であ
る。
の形状が図２に示すように矩形状であっても、図５に示
すように照明領域の形状が円弧状であっても、走査方向
に直角方向の照明領域の長さが３０ｍｍ程度であるのに
対して、照度計１７の受光素子の走査方向に直角方向の
幅が２０μｍと非常に小さいため、照明領域の形状に関
係なく照度分布、および露光量分布の測定が可能であ
る。
【００４３】上記実施例では受光素子の長さを、走査方
向の露光領域をカバーできる長さ（３０ｍｍ以上）とし
たが、この長さを照明領域の走査方向の長さ（５ｍｍ程
度）がカバーできる長さに短くしても露光量分布の測定
が可能である。この場合には、照度計を走査させずに走
査方向の照明領域をカバーする位置に静止させた状態で
露光を行い、照明領域の照度分布を測定する。パルス露
光毎に各受光素子からの出力の測定値を保存しておき、
露光終了後に、パルス毎の測定値を実露光時の各パルス
発光毎のウエハステージの変位量に相当する素子数分ず
らして積算することによって、露光量分布が求められ
る。
向の露光領域をカバーできる長さ（３０ｍｍ以上）とし
たが、この長さを照明領域の走査方向の長さ（５ｍｍ程
度）がカバーできる長さに短くしても露光量分布の測定
が可能である。この場合には、照度計を走査させずに走
査方向の照明領域をカバーする位置に静止させた状態で
露光を行い、照明領域の照度分布を測定する。パルス露
光毎に各受光素子からの出力の測定値を保存しておき、
露光終了後に、パルス毎の測定値を実露光時の各パルス
発光毎のウエハステージの変位量に相当する素子数分ず
らして積算することによって、露光量分布が求められ
る。
【００４４】また、図６に示すように、照明領域の走査
方向における断面の光強度分布形状が矩形状（図６
（ａ））であっても、台形状（図６（ｂ））であって
も、ガウス分布状（図６（ｃ））であっても、走査方向
の照明領域の幅が５ｍｍ程度であるのに対して、照時計
１７の受光素子の走査方向の幅が２０μｍと非常に小さ
いため、それぞれの光分布形状の変化を十分分解でき、
照明領域の走査方向における断面の光強度分布の形状に
かかわらず、照明領域の光強度分布、および露光量分布
の測定が可能である。
方向における断面の光強度分布形状が矩形状（図６
（ａ））であっても、台形状（図６（ｂ））であって
も、ガウス分布状（図６（ｃ））であっても、走査方向
の照明領域の幅が５ｍｍ程度であるのに対して、照時計
１７の受光素子の走査方向の幅が２０μｍと非常に小さ
いため、それぞれの光分布形状の変化を十分分解でき、
照明領域の走査方向における断面の光強度分布の形状に
かかわらず、照明領域の光強度分布、および露光量分布
の測定が可能である。
【００４５】上記の実施例では、光源にパルス光源を用
いているが、水銀ランプやＹＡＧレーザ等の連続発光す
る光源を用いた場合においても、前述の受光素子間の感
度ばらつきの補正係数を求める方法と、受光部に一次元
に配列された受光素子を採用した照度計を用いることに
よって、光源の出力が変動することによる影響を受けず
に露光領域の露光量分布の測定が可能な露光装置を実現
できる。
いているが、水銀ランプやＹＡＧレーザ等の連続発光す
る光源を用いた場合においても、前述の受光素子間の感
度ばらつきの補正係数を求める方法と、受光部に一次元
に配列された受光素子を採用した照度計を用いることに
よって、光源の出力が変動することによる影響を受けず
に露光領域の露光量分布の測定が可能な露光装置を実現
できる。
【００４６】以上の実施例では、走査方向に一次元に配
列された受光素子を照度計に採用したが、走査方向およ
び走査方向に直角な方向に二次元に配列された受光素子
を採用しても、前述の受光素子間の感度ばらつきを補正
する方法を用いて、露光領域の露光量分布を実露光と同
条件で測定できる露光装置を実現できる。
列された受光素子を照度計に採用したが、走査方向およ
び走査方向に直角な方向に二次元に配列された受光素子
を採用しても、前述の受光素子間の感度ばらつきを補正
する方法を用いて、露光領域の露光量分布を実露光と同
条件で測定できる露光装置を実現できる。
【００４７】次に図１の投影露光装置を利用した半導体
デバイスの製造方法の実施例を説明する。図７は半導体
デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル
やＣＣＤ）の製造フローを示す。ステップ７１（回路設
計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ７
２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成した
マスク（レチクル１１）を製作する。一方、ステップ７
３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハ
（ウエハ１４）を製造する。ステップ７４（ウエハプロ
セス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハ
とを用いて、リソグラフィー技術によってウエハ上に実
際の回路を形成する。次のステップ７５（組み立て）は
後工程と呼ばれ、ステップ７４によって作成されたウエ
ハを用いてチップ化する工程であり、アッセンブリ工程
（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程
（チップ封入）等の工程を含む。ステップ７６（検査）
ではステップ７５で作成された半導体デバイスの動作確
認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程
を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ
７７）される。
デバイスの製造方法の実施例を説明する。図７は半導体
デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル
やＣＣＤ）の製造フローを示す。ステップ７１（回路設
計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ７
２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成した
マスク（レチクル１１）を製作する。一方、ステップ７
３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハ
（ウエハ１４）を製造する。ステップ７４（ウエハプロ
セス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハ
とを用いて、リソグラフィー技術によってウエハ上に実
際の回路を形成する。次のステップ７５（組み立て）は
後工程と呼ばれ、ステップ７４によって作成されたウエ
ハを用いてチップ化する工程であり、アッセンブリ工程
（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程
（チップ封入）等の工程を含む。ステップ７６（検査）
ではステップ７５で作成された半導体デバイスの動作確
認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程
を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ
７７）される。
【００４８】図８は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ８１（酸化）ではウエハ（ウエハ１
４）の表面を酸化させる。ステップ８２（ＣＶＤ）では
ウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ８３（電極
形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ス
テップ８４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち
込む。ステップ８５（レジスト処理）ではウエハにレジ
スト（感材）を塗布する。ステップ８６（露光）では上
記投影露光装置によってマスク（レチクル１１）の回路
パターンの像でウエハを露光する。ステップ８７（現
像）では露光したウエハを現像する。ステップ８８（エ
ッチング）では現像したレジスト以外の部分を削り取
る。ステップ８９（レジスト剥離）ではエッチングが済
んで不要となったレジストを取り除く。これらステップ
を繰り返し行うことによりウエハ上に回路パターンが形
成される。
を示す。ステップ８１（酸化）ではウエハ（ウエハ１
４）の表面を酸化させる。ステップ８２（ＣＶＤ）では
ウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ８３（電極
形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ス
テップ８４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち
込む。ステップ８５（レジスト処理）ではウエハにレジ
スト（感材）を塗布する。ステップ８６（露光）では上
記投影露光装置によってマスク（レチクル１１）の回路
パターンの像でウエハを露光する。ステップ８７（現
像）では露光したウエハを現像する。ステップ８８（エ
ッチング）では現像したレジスト以外の部分を削り取
る。ステップ８９（レジスト剥離）ではエッチングが済
んで不要となったレジストを取り除く。これらステップ
を繰り返し行うことによりウエハ上に回路パターンが形
成される。
【００４９】本実施例の製造方法を用いれば、従来は難
しかった高集積度の半導体デバイスを製造することが可
能になる。
しかった高集積度の半導体デバイスを製造することが可
能になる。
【００５０】
【発明の効果】以上の説明のように本発明の光量測定装
置を走査型露光装置に用いることにより、従来の走査型
露光装置では不可能であった露光領域の走査方向におけ
る露光量分布の測定を、実露光と同条件で測定すること
が可能になり、ウエハに適切な露光量を与えることがで
き、均一に露光することが可能になる。
置を走査型露光装置に用いることにより、従来の走査型
露光装置では不可能であった露光領域の走査方向におけ
る露光量分布の測定を、実露光と同条件で測定すること
が可能になり、ウエハに適切な露光量を与えることがで
き、均一に露光することが可能になる。
【図１】本発明を適用した走査型露光装置全体のシステ
ム構成図である。
ム構成図である。
【図２】照明領域の光強度分布、及び露光領域の露光量
分布を測定する場合の説明図である。
分布を測定する場合の説明図である。
【図３】受光素子間の感度ばらつきの補正係数を求める
際のフローチャートである。
際のフローチャートである。
【図４】受光素子間の感度ばらつきの補正係数と求める
際の動作説明図である。
際の動作説明図である。
【図５】円弧状の照明領域を示した図である。
【図６】照明領域の走査方向における断面の光強度分布
の形状を示した図である。
の形状を示した図である。
【図７】半導体デバイスの製造工程を示す図である。
【図８】図７の工程中のウエハプロセスの詳細を示す図
である。
である。
１ パルス光源 ２ ビーム整形光学系 ３ 減光手段 ４ インコヒーレント・均一化光学系 ５ ビームスプリッタ ６ 第１リレーレンズ ７ 視野絞り ８ 第２リレーレンズ ９ ミラー １０ コンデンサーレンズ １１ レチクル １２ レチクルステージ １３ 投影レンズ １４ ウエハ １５ ウエハステージ １６ 光検出器 １７ 照度計 １８ コントローラ １９ メモリ
Claims (16)
- 【請求項１】 複数の受光素子よりなる光強度測定手段
と、該光強度測定手段を被測定領域に対して相対的に走
査する走査手段とを有し、該走査手段によって前記光強
度測定手段を前記被測定領域に対して相対的に走査しな
がら前記複数の受光素子が順次受光する光強度を各受光
素子毎に記憶手段に記憶し、該記憶手段に記憶された情
報を用いて光量を測定することを特徴とする光量測定装
置。 - 【請求項２】 前記複数の受光素子は、少なくとも走査
方向に並んでいることを特徴とする請求項１記載の光量
測定装置。 - 【請求項３】 前記複数の受光素子間の感度ばらつきを
補正する補正手段を有することを特徴とする請求項１、
２記載の光量測定装置。 - 【請求項４】 複数の受光素子を照明領域に対して相対
的に走査し、前記各受光素子の測定値から、該各受光素
子の感度ばらつきを検出することを特徴とする感度ばら
つきの検出方法。 - 【請求項５】 パルス光により前記照明領域が形成さ
れ、前記複数の受光素子の走査方向の素子間隔が前記照
明領域の走査方向の幅に対して十分に小さい場合におい
て、前記複数の受光素子の前記照明領域に対する１パル
ス光毎の相対的な変位量が、前記複数の受光素子の走査
方向の素子間隔の整数倍であり、且つ前記複数の受光素
子の走査方向の長さよりも小さいことを特徴とする請求
項４記載の感度ばらつきの検出方法。 - 【請求項６】 パルス光により前記照明領域が形成され
る場合において、前記複数の受光素子の前記照明領域に
対する１パルス光毎の相対的な変位量が、前記複数の受
光素子の走査方向の素子間隔の整数分の１であることを
特徴とする請求項４記載の感度ばらつきの検出方法。 - 【請求項７】 請求項１乃至３記載の光量測定装置を用
いて露光量を測定することを特徴とする露光装置。 - 【請求項８】 光源と、該光源より発せられた光の照明
領域をマスク及びウエハに対して相対的に走査する走査
手段とを有し、前記照明領域よりも広い前記マスク及び
ウエハ上の被照明領域を照明し、前記マスク上に形成さ
れた転写パターンを前記ウエハに露光転写する露光装置
において、露光量分布測定手段を有することを特徴とす
る露光装置。 - 【請求項９】 前記露光量分布測定手段は、複数の受光
素子よりなる光強度測定手段と、該光強度測定手段を前
記照明領域に対して相対的に走査しながら照明し、前記
複数の受光素子が順次受光する光強度を各受光素子毎に
記憶する記憶手段とを有することを特徴とする請求項８
記載の露光装置。 - 【請求項１０】 前記複数の受光素子は、少なくとも走
査方向に並んでいることを特徴とする請求項９記載の露
光装置。 - 【請求項１１】 パルス光源と、該パルス光源より発し
た複数のパルス光が順次形成する照明領域をマスク及び
ウエハに対して相対的に走査する走査手段とを有し、前
記照明領域を前記マスク及びウエハ上で相対的に変位さ
せながら重ね合わせ、前記照明領域よりも広い前記マス
ク及びウエハ上の被照明領域を照明し、前記マスクに形
成された転写パターンを前記ウエハに露光転写する露光
装置において、少なくとも走査方向に並んだ複数の受光
素子よりなる光強度測定手段を有し、前記光強度測定手
段を前記照明領域に対して相対的に走査しながら照明
し、前記複数の受光素子が順次受光する前記複数のパル
ス光の光強度を各受光素子毎に記憶手段に記憶し、該記
憶手段に記憶された情報を用いて前記被照明領域の露光
量分布を求めることを特徴とする露光装置。 - 【請求項１２】 パルス光源と、該パルス光源より発し
た複数のパルス光が順次形成する照明領域をマスク及び
ウエハに対して相対的に走査する走査手段とを有し、前
記照明領域を前記マスク及びウエハ上で相対的に変位さ
せながら重ね合わせ、前記照明領域よりも広い前記マス
ク及びウエハ上の被照明領域を照明し、前記マスクに形
成された転写パターンを前記ウエハに露光転写する露光
装置において、少なくとも走査方向に並んだ複数の受光
素子よりなる光強度測定手段を有し、該光強度測定手段
を前記照明領域に対して静止して照明し、各受光素子に
入射した前記パルス光の光強度を各パルス光毎に記憶手
段に記憶し、該記憶手段に記憶された前記光強度を実露
光時における前記照明領域の相対的な変位量に応じた分
だけずらして積算させ前記被照明領域の露光量分布を求
めることを特徴とする露光装置。 - 【請求項１３】 前記複数の受光素子間の感度ばらつき
を補正する補正手段を有することを特徴とする請求項８
乃至１２記載の露光装置。 - 【請求項１４】 前記光強度測定手段は、１次元ライン
センサであることを特徴とする請求項８乃至１３記載の
露光装置。 - 【請求項１５】 前記光強度測定手段は、２次元エリア
センサであることを特徴とする請求項８乃至１３記載の
露光装置。 - 【請求項１６】 請求項８乃至１５記載の露光装置を用
いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造
方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18007295A JP3591922B2 (ja) | 1995-07-17 | 1995-07-17 | 光量測定装置 |
| US08/677,525 US5949468A (en) | 1995-07-17 | 1996-07-10 | Light quantity measuring system and exposure apparatus using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18007295A JP3591922B2 (ja) | 1995-07-17 | 1995-07-17 | 光量測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0933344A true JPH0933344A (ja) | 1997-02-07 |
| JP3591922B2 JP3591922B2 (ja) | 2004-11-24 |
Family
ID=16076976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18007295A Expired - Fee Related JP3591922B2 (ja) | 1995-07-17 | 1995-07-17 | 光量測定装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5949468A (ja) |
| JP (1) | JP3591922B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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