DE102006038580A1

DE102006038580A1 - Vorrichtung und Verfahren zum Ermitteln der Lichtintensität von spektralen Anteilen von Licht

Info

Publication number: DE102006038580A1
Application number: DE200610038580
Authority: DE
Inventors: Jens Dr. Fürst; Debora Dr. Henseler
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 2006-08-17
Filing date: 2006-08-17
Publication date: 2008-02-21

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Überprüfen einer Lichtquelle (15, 21), aufweisend folgende Verfahrensschritte: Erzeugen einer flächenhaften Lichtverteilung mit einer Lichtquelle (15, 21), Erzeugen eines einem Bild (23) der flächenhaften Lichtverteilung zugeordneten Bilddatensatzes mit einem pixelierten flächenhaften Fotodetektor (1, 19), der eine der Pixelierung des Fotodetektors (1, 19) entsprechende Mehrzahl von Teilelektroden (2a) aufweisende strukturierte flächenhafte erste Elektrode (2), eine unstrukturierte oder entsprechend der flächenhaften ersten Elektrode (2) strukturierte flächenhafte zweite Elektrode (3) und wenigstens eine zwischen den beiden flächenhaften Elektroden (2, 3) angeordnete unstrukturierte oder entsprechend der flächenhaften ersten Elektrode (2) strukturierte fotoaktive Halbleiterschicht (5) aufweist, und Analysieren des Bilddatensatzes oder des Bildes (23). Die Erfindung betrifft außerdem Vorrichtungen (1, 19, 10) zum Überprüfen einer Lichtquelle (15, 21).

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und Vorrichtungen zum Überprüfen einer Lichtquelle.
Bei verschiedenen Anwendungen wird die Homogenität einer Lichtquelle überprüft. Ein Beispiel einer solchen Überprüfung ist eine Messung der Leuchtdichteverteilung einer Oberfläche, wie z.B. die Substratausleuchtung bei einem Belichtungsprozess im Rahmen einer Herstellung eines Halbleiterbauelements.
Um die Leuchtdichteverteilung auf der Oberfläche zu ermitteln, wird die Lichtstärke z.B. mit einem ca. 2cm² Detektor an verschiedenen Positionen der Oberfläche gemessen. Dieses Verfahren ist jedoch relativ zeitaufwändig und ungenau.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein verbessertes Verfahren und verbesserte Vorrichtungen zur Überprüfung einer Lichtquelle anzugeben.
Die Aufgabe der Erfindung wird gelöst durch ein Verfahren zum Überprüfen einer Lichtquelle, aufweisend folgende Verfahrensschritte:

– Erzeugen einer flächenhaften Lichtverteilung mit einer Lichtquelle,
– Erzeugen eines einem Bild der flächenhaften Lichtverteilung zugeordneten Bilddatensatzes mit einem pixelierten flächenhaften Fotodetektor, der eine der Pixelierung des Fotodetektors entsprechende Mehrzahl von Teilelektroden aufweisende strukturierte flächenhafte erste Elektrode, eine unstrukturierte oder entsprechend der flächenhaften ersten Elektrode strukturierte flächenhafte zweite Elektrode und wenigstens eine zwischen den beiden flächenhaften Elektroden angeordnete unstrukturierte oder entsprechend der flächenhaften ersten Elektrode strukturierte fotoaktive Halbleiterschicht aufweist, und
– Analysieren des Bilddatensatzes oder des Bildes.

Für das erfindungsgemäße Verfahren wird der pixelierte flächenhafte Fotodetektor verwendet. Der flächenhafte Fotodetektor ist pixiliert, sodass mit diesem ein Bilddatensatz aufgenommen werden kann, dessen zugeordnetes Bild eine Pixelierung entsprechend der Pixelierung des Fotodetektors aufweist. Zu diesem Zweck ist wenigstens eine der beiden flächenhaften Elektroden derart strukturiert, dass sie die Mehrzahl der Teilelektroden aufweist. Die entsprechende Elektrode ist derart strukturiert, dass jedem der einzelnen Teilelektroden ein Pixel (Bildpunkt) des entsprechenden, mit dem Fotodetektor aufgenommenen Bildes zugeordnet ist.
Eine der beiden flächenhaften Elektroden ist die Anode und die andere flächenhafte Elektrode ist die Kathode des Fotodetektors. Die Anode weist beispielsweise Indium-Zinn-Oxid (ITO), Gold, Palladium, Silber oder Platin auf und wird beispielsweise auf die wenigstens eine fotoaktive Halbleiterschicht oder auf einem Substrat z.B. mittels eines Sputter- oder Aufdampfverfahrens aufgebracht. Die Kathode weist z.B. Ca, Al, Ag, ITO, LiF, Mg oder verschiedene Kombinationen aus diesen Materialien auf und wird insbesondere durch thermisches Verdampfen oder Elektronenstrahldampfen aufgebracht. Die Anode bzw. die Kathode müssen nicht aus Metall sein; sie können z.B. auch aus einem organischen Material gefertigt sein.
Zusätzlich zur flächenhaften ersten Elektrode kann auch die flächenhafte zweite Elektrode entsprechend der flächenhaften ersten Elektrode strukturiert sein. Dadurch kann die optische Auflösung des Fotodetektors erhöht werden.
Der Fotodetektor weist ferner die wenigstens eine fotoaktive Halbleiterschicht auf, die zwischen den beiden flächenhaften Elektroden angeordnet ist. Die wenigstens eine fotoaktive Halbleiterschicht kann unstrukturiert oder entsprechend der flächenhaften ersten Elektrode strukturiert sein. Die strukturierte oder unstrukturierte fotoaktive Halbleiterschicht wird insbesondere großflächig, z.B. mittels Spin-Coating, Spray Coating, Rakeln, Dip-Coating, Siebdruck, Flexodruck oder Slit-Coating, abgeschieden.
Zusätzlich zur wenigstens einen fotoaktiven Halbleiterschicht kann der flächenhafte Fotodetektor noch wenigstens eine unstrukturierte oder entsprechend der flächenhaften ersten Elektrode strukturierte Lochtransportschicht aufweisen.
Mit diesem flächenhaften Fotodetektor wird erfindungsgemäß die von der Lichtquelle erzeugte flächenhafte Lichtverteilung aufgenommen, wodurch der Bilddatensatz, der dem Bild der flächenhaften Lichtverteilung zugeordnet ist, entsteht. Durch die Analyse dieses Bildes oder des Bilddatensatzes kann die Lichtquelle insbesondere daraufhin überprüft werden, ob die Lichtquelle den Fotodetektor gleichmäßig ausgeleuchtet hat, d.h. ob die Lichtquelle eine homogenen Leuchtdichteverteilung auf der vom Fotodetektor definierten Fläche erzeugt. Da der verwendete Fotodetektor ein flächenhafte Ausdehnung hat, die bevorzugt wenigstens der Größe der flächenhaften Lichtverteilung entspricht, kann die gesamte Lichtverteilung auf einmal aufgenommen werden.
Nach einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist die Lichtquelle für eine Belichtung eines herzustellenden elektronischen Bauelements im Rahmen eines Belichtungsprozesses bei der Herstellung des Bauelements vorgesehen. Während der Herstellung insbesondere eines Halbleiterbauelementes wird dieses in allgemein bekannter Weise mit einer dafür vorgesehenen Lichtquelle belichtet. Die Lichtquelle soll die zu belichtende Fläche möglichst homogen belichten. Mittels des flächenhaften Fotodetektors kann diese homogene Belichtung relativ einfach insbesondere mittels genau einer Messung überprüft werden.
Gemäß einer Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens ist der pixelierte flächenhafte Fotodetektor für das Licht der Lichtquelle für den Belichtungsprozess im Wesentlichen transparent. Dadurch ist es möglich, wie es nach einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens vorgesehen ist, den Bilddatensatz mit dem pixelierten flächenhaften Fotodetektor während der Belichtung des Halbleiterbauelements zu erzeugen.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrnes ist diejenige Fläche des pixelierten flächenhaften Fotodetektors, auf die das Licht der Lichtquelle auftrifft, gekrümmt. Durch eine gekrümmte Fläche kann mit dem Fotodetektor ein dreidimensionaler Bilddatensatz erzeugt werden. Diejenige Fläche des pixelierten flächenhaften Fotodetektors, auf die das Licht der Lichtquelle auftrifft, kann beispielsweise glockenförmig oder kugelförmig ausgebildet sein.
Bei bestimmten Anwendungen soll die Lichtquelle insbesondere eine vorgegebene gekrümmte Oberfläche ausleuchten. Nach einer weiteren Ausführungsform ist daher diejenige Fläche des pixelierten flächenhaften Fotodetektors, auf die das Licht der Lichtquelle auftrifft, an die Fläche angepasst, die von der Lichtquelle homogen ausgeleuchtet werden soll.
Ein gekrümmter Fotodetektor kann beispielsweise hergestellt werden, indem die flächenhafte erste oder zweite Elektrode auf einem flexiblen Substrat aufgebracht ist. Als flexibles Substrat bietet sich beispielsweise eine Metall- oder Kunststofffolie an. Insbesondere die Kunststofffolie kann auch zumindest semitransparent ausgeführt werden.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist die wenigstens eine fotoaktive Halbleiterschicht eine organische fotoaktive Halbleiterschicht. Eine organische fotoaktive Halbleiterschicht kann im Vergleich zu einer anorganischen fotoaktiven Halbleiterschicht auch für relativ großflächige Fotodetektoren relativ preisgünstig hergestellt werden. Mit der organischen fotoak tiven Halbleiterschicht kann auch besser ein gekrümmter Fotodetektor hergestellt werden.
Die Aufgabe der Erfindung wird auch gelöst durch eine Vorrichtung zum Überprüfen einer Lichtquelle, aufweisend:

– einen für Licht einer zu untersuchenden Lichtquelle transparenten pixelierten flächenhaften Fotodetektor, der eine der Pixelierung des Fotodetektors entsprechende Mehrzahl von Teilelektroden aufweisende strukturierte flächenhafte erste Elektrode, eine unstrukturierte oder entsprechend der flächenhaften ersten Elektrode strukturierte flächenhafte zweite Elektrode und wenigstens eine zwischen den beiden flächenhaften Elektroden angeordnete unstrukturierte oder entsprechend der flächenhaften ersten Elektrode strukturierte fotoaktive Halbleiterschicht aufweist, und
– eine Auswertevorrichtung zum Auswerten eines mittels des Fotodetektors erzeugten Bilddatensatzes oder dem Bilddatensatz zugeordneten Bildes, wobei das Bild ein Bild einer mit der Lichtquelle erzeugten flächenhaften Lichtverteilung ist.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung kann insbesondere dann verwendet werden, wenn nach einer Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung der Fotodetektor derart ausgebildet ist, dass er das Licht der Lichtquelle aufnehmen kann, wenn diese für eine Belichtung eines herzustellenden elektronischen Bauelements im Rahmen eines Belichtungsprozesses bei der Herstellung des Bauelements vorgesehen ist.
Die Aufgabe der Erfindung wird auch gelöst durch eine Vorrichtung zum Überprüfen einer Lichtquelle, aufweisend:

– einen pixelierten flächenhaften Fotodetektor, der eine der Pixelierung des Fotodetektors entsprechende Mehrzahl von Teilelektroden aufweisende strukturierte flächenhafte erste Elektrode, eine unstrukturierte oder entsprechend der flächenhaften ersten Elektrode strukturierte flächenhafte zweite Elektrode und wenigstens eine zwischen den beiden flächenhaften Elektroden angeordnete unstrukturierte oder entsprechend der flächenhaften ersten Elektrode strukturierte fotoaktive Halbleiterschicht aufweist, wobei diejenige Fläche des pixelierten flächenhaften Fotodetektors, auf die Licht einer zu untersuchenden Lichtquelle auftrifft, gekrümmt ist, und
– eine Auswertevorrichtung zum Auswerten eines mittels des Fotodetektors erzeugten Bilddatensatzes oder dem Bilddatensatz zugeordneten Bildes, wobei das Bild ein Bild einer mit der Lichtquelle erzeugten flächenhaften Lichtverteilung ist.

Ein gekrümmter Fotodetektor, dessen fotoaktive Halbleiterschicht insbesondere eine organische fotoaktive Halbleiterschicht ist, kann z.B. mittels eines flexiblen Substrats realisiert werden, auf dem die flächenhafte erste oder zweite Elektrode aufgebracht ist.
Diejenige Fläche des pixelierten flächenhaften Fotodetektors, auf die das Licht der Lichtquelle auftrifft, ist nach Varianten der erfindungsgemäßen Vorrichtung glockenförmig oder kugelförmig ausgebildet oder ist an eine Fläche angepasst, die von der Lichtquelle homogen ausgeleuchtet werden soll.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den beigefügten schematischen Zeichnungen exemplarisch dargestellt. Es zeigen:
1 einen pixelierten flächenhaften Fotodetektor in teilweiser Darstellung,
2 eine Draufsicht des Fotodetektors der 21 in teilweiser Darstellung,
3 eine Ansteuerungsvorrichtung zum Ansteuern des Fotodetektors der 1,
4 ein herzustellendes Halbleiterbauelement, das mit einer Lichtquelle beleuchtet wird, und den Fotodetektor der 1,
5 einen weiterer Fotodetektor mit einer weiteren Lichtquelle und
6 ein Flussdiagramm.
Die 1 zeigt einen Teil eines Fotodetektor 1 in teilweise geschnittener Darstellung. Der Fotodetektor 1 weist eine mehrere Teilanoden 2a umfassende strukturierte Anode 2 und eine entsprechend der Anode 2 strukturierte Kathode 3 auf. Die Anode 2, die auf einem Substrat 6 aufgetragen ist, ist beispielsweise aus ITO, aus Metall oder einem organischen Material und die Kathode 3 ist beispielsweise aus Ca/Ag, Al, ITO oder einem organischen Material. Auf der Anode 2 ist im Falle des vorliegenden Ausführungsbeispiels eine entsprechend der Kathode 3 und der Anode 2 strukturierte organische Lochtransportschicht 4 aufgetragen, auf der sich wiederum eine entsprechend der Kathode 3 und der Anode 2 strukturierte organische fotoaktive Halbleiterschicht 5 befindet. Die organische Halbleiterschicht 5 ist im Falle des vorliegenden Ausführungsbeispiels ein so genanntes "Bulk Heterojunction", z.B. realisiert als Blend aus einem lochtransportierenden Polythiophen und einem elektronentransportierenden Fulleren-Derivat.
Die organische Lochtransportschicht 4 und die fotoaktive Halbleiterschicht 5 sind derart strukturiert, dass sie jeweils den Teilanoden 2a zugeordnete und voneinander getrennte aktive Bereiche 4a bzw. 5a aufweisen, die z.B. durch Lasern während der Herstellung des Fotodetektors 1 in die Lochtransportschicht 4 bzw. fotoaktive Halbleiterschicht 5 eingebracht wurden. Die aktiven Bereiche der Lochtransportschicht 4 sind mit den Bezugszeichen 4a und die aktiven Bereiche der fotoaktiven Halbleiterschicht 5 sind mit den Bezugszeichen 5a versehen.
Die Kathode 3 ist im Falle des vorliegenden Ausführungsbeispiels entsprechend der Anode 2 strukturiert und umfasst voneinander getrennte Teilkathoden 3a.
Um den Fotodetektor 1 zu schützen, ist dieser in nicht dargestellter Weise verkapselt. Die Verkapselung ist derart ausgeführt, dass diese für Licht transparent ist.
Die Anode 2, die Kathode 3, die Lochtransportschicht 4 und die Halbleiterschicht 5 sind im Falle des vorliegenden Ausführungsbeispiels matrixförmig strukturiert und ergeben daher eine matrixförmig angeordnete Mehrzahl von lichtempfindlichen Elementen. D.h. der Fotodetektor 1 ist spalten- und zeilenförmig ausgeführt und weist Zeilen 7.1 bis 7.4 und Spalten 8.1 bis 8.8 auf. Eine Draufsicht des Fotodetektors 1 ist in der 2 gezeigt, die die Strukturierung der Kathode 3 mit ihren Teilkathoden 3a zeigt.
Trifft Licht auf die Kathode 3 auf, so bildet sich in bekannter Weise eine Ladungsverteilung innerhalb des Fotodetektors 1 bzw. innerhalb der einzelnen lichtempfindlichen Elemente. Die Ladungsverteilungen der einzelnen lichtempfindlichen Elemente können im Falle des vorliegenden Ausführungsbeispiels mit im Substrat 6 matrixförmig angeordneten, mit der Anode 2 verbundenen und in der 3 dargestellten Transistoren 9 ausgelesen werden. Der Auslesevorgang wird von einer mit dem Fotodetektor 1 verbundenen und in der 4 gezeigten Auswertevorrichtung 10 gesteuert, die auch aus den ausgelesenen Signalen einen Bilddatensatz erzeugt, dessen zugeordnetes Bild 23 mit einem mit der Auswertevorrichtung 10 verbundenen Monitor 11 betrachtet werden kann. Das dem Bilddatensatz zugeordnete Bild 23 weist matrixförmig angeordnete Pixel, die der Struktur der Anode 2 entsprechen, auf.
Im Falle des vorliegenden Ausführungsbeispiels sind die Drain-Anschlüsse der einzelnen Transistoren 9 jeweils über ein Via 12 des Substrats 6 mit jeweils einer der Teilanoden 2a verbunden. Die Source-Anschlüsse der Transistoren 9 einer Spalte 8.1-8.6 sind jeweils mit einer Signalsteuerungsleitung 13.1-13.6 und die Gate-Anschlüsse der Transistoren 9 einer Zeile 7.1-7.4 sind mit einer Adressierungsleitung 14.1-14.4 verbunden. Die einzelnen Teilkathoden 3a liegen im Falle des vorliegenden Ausführungsbeispiels auf einem Potenzial von 5V.
Die Signalsteuerungsleitungen 13.1-13.6 und die Adressierungsleitung 14.1-14.4 sind in allgemein bekannter Weise mit der Auswertevorrichtung 10 verbunden, sodass im Falle des vorliegenden Ausführungsbeispiels der Fotodetektor 1 in der so genannten Aktiv-Matrix-Steuerung betrieben wird.
Im Falle des vorliegenden Ausführungsbeispiels ist es vorgesehen, die Lichtdichteverteilung einer in der 4 gezeigten Lichtquelle 15 mittels des Fotodetektors 1 zu überprüfen. Die Lichtquelle 15 ist im Falle des vorliegenden Ausführungsbeispiels für einen Belichtungsprozess für die Herstellung eines Halbleiterbauelements 16 vorgesehen. Für den Belichtungsprozess soll die Lichtquelle 15 eine Fläche 17 des herzustellenden Halbleiterbauelements 16 mit einer im Wesentlichen homogenen Lichtverteilung beleuchten.
Für die Überprüfung der Lichtquelle 15 wird der Fotodetektor 1 in einem ersten Ausführungsbeispiel derart zur Lichtquelle 15 ausgerichtet, dass der Fotodetektor 1 in etwa in der Ebene der zu belichtenden Fläche 17 des herzustellenden Halbleiterbauelements 16 liegt. Anschließend wird die Lichtquelle 15 eingeschaltet und ein Bild 23 der Lichtverteilung der Lichtquelle 15 bzw. ein diesem Bild 23 zugeordneter Bilddatensatz mittels des Fotodetektors 1 erzeugt, indem die Auswertevorrichtung 10 den Fotodetektor 1 in allgemein bekannter Weise ausliest. Das Bild 23 kann anschließend mittels des Monitors 11 analysiert werden. Alternativ oder zusätzlich läuft auf der Auswertevorrichtung 10 ein Rechenprogramm, das automatisch den Bilddatensatz daraufhin analysiert, ob die aufgenommene Lichtverteilung homogen ist.
In einem zweiten Ausführungsbeispiel sind die Materialien für den Fotodetektor 1 bzw. die Schichtdicken der Anode 2, der Lochtransportschicht 4, der fotoaktiven Halbleiterschicht 5 und der Kathode 6 derart gewählt, dass der Fotodetektor 1 für das von der Lichtquelle 15 abgegebene Licht 18 im Wesentlichen transparent ist. Dadurch ist es möglich, die Lichtverteilung der Lichtquelle 15 während der Belichtung des herzustellenden Halbleiterbauelementes 16 zu überprüfen.
Die 5 zeigt einen weiteren Fotodetektor 19 und eine weitere Licht 20 abgebende Lichtquelle 21. Wenn folgend nicht anders beschrieben, dann sind Bestandteile des in der 5 gezeigten Fotodetektors 19, welche mit Bestandteilen des in der 1 gezeigten Fotodetektors 1 weitgehend bau- und funktionsgleich sind, mit denselben Bezugszeichen versehen.
Der Fotodetektor 19 unterscheidet sich im Wesentlichen vom Fotodetektor 1 dadurch, dass diejenige Fläche 22, auf die das von der Lichtquelle 21 abgegebene Licht 20 auftrifft, gekrümmt ist. Um den Fotodetektor 19 gekrümmt auszuführen, ist im Falle des vorliegenden Ausführungsbeispiels das Substrat 6 eine flexible Kunststofffolie.
Im Falle des vorliegenden Ausführungsbeispiels ist die Lichtquelle 21 derart ausgeführt, dass sich auf einer gekrümmten Fläche eine homogene Lichtverteilung ergibt. Diejenige Fläche 22 des Fotodetektors 19, auf die das Licht 20 der Lichtquelle 21 auftrifft, ist im Falle des vorliegenden Ausführungsbeispiels an die Fläche angepasst, die von der Lichtquelle 21 homogen ausgeleuchtet werden soll.
Die 6 veranschaulicht mit einem Flussdiagramm die Schritte zur Überprüfung der Lichtquelle 15 bzw. der Lichtquelle 21.
Zunächst erzeugt die Lichtquelle 15 bzw. die Lichtquelle 21 eine flächenhafte Lichtverteilung, Schritt S1. Danach erzeugt der Fotodetektor 1 bzw. der Fotodetektor 19 einen einem Bild 23 der flächenhaften Lichtverteilung zugeordneten Bilddatensatz, Schritt S2. danach wird das Bild 23 mittels des Monitors 11 oder der Bilddatensatz mit der Auswertevorrichtung 10 automatisch ausgewertet, Schritt S3.
Sowohl die Anode 2 als auch die Kathode 3 der beschriebenen Fotodetektoren 1, 19 sind strukturiert. Dies ist nicht notwendig. Es kann auch nur eine dieser beiden Elektroden (Anode 2, Kathode 3) strukturiert sein, wobei die andere dann unstrukturiert ausgeführt ist.
Auch die Lochtransportschicht 4, die optional ist, und/oder die fotoaktive Halbleiterschicht 5 können unstrukturiert sein.
Darüber hinaus können auch andere Bestandteile des Fotodetektors 1, 19, wie z.B. die Anode 2 oder die Kathode 3, aus einem organischen Material sein.
Die beschriebenen Fotodetektoren 1, 19 werden in den Ausführungsbeispielen mittels einer Aktiv-Matrix-Ansteuerung ausgelesen. Dies ist nicht unbedingt nötig. Insbesondere eine Passiv-Matrix Ansteuerung kann ebenfalls verwendet werden.
Obwohl bevorzugt, müssen die beschriebenen Fotodetektoren 1, 19 nicht notwendigerweise organische Fotodetektoren 1, 19 sein. Die fotoaktive Halbleiterschicht bzw. die Lochtransportschicht können auch aus einem anorganischen Material gefertigt sein.

Claims

Verfahren zum Überprüfen einer Lichtquelle, aufweisend folgende Verfahrensschritte: – Erzeugen einer flächenhaften Lichtverteilung mit einer Lichtquelle (15, 21), – Erzeugen eines einem Bild (23) der flächenhaften Lichtverteilung zugeordneten Bilddatensatzes mit einem pixelierten flächenhaften Fotodetektor (1, 19), der eine der Pixelierung des Fotodetektors (1, 19) entsprechende Mehrzahl von Teilelektroden (2a) aufweisende strukturierte flächenhafte erste Elektrode (2), eine unstrukturierte oder entsprechend der flächenhaften ersten Elektrode (2) strukturierte flächenhafte zweite Elektrode (3) und wenigstens eine zwischen den beiden flächenhaften Elektroden (2, 3) angeordnete unstrukturierte oder entsprechend der flächenhaften ersten Elektrode (2) strukturierte fotoaktive Halbleiterschicht (5) aufweist, und – Analysieren des Bilddatensatzes oder des Bildes (23).
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Lichtquelle (15) für eine Belichtung eines herzustellenden elektronischen Bauelements (16) im Rahmen eines Belichtungsprozesses bei der Herstellung des Bauelements (16) vorgesehen ist.
Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der pixelierte flächenhafte Fotodetektor (1) für das Licht der Lichtquelle (15) für den Belichtungsprozess im Wesentlichen transparent ist.
Verfahren nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch Erzeugen des Bilddatensatzes mit dem pixelierten flächenhaften Fotodetektor (1) während der Belichtung des Bauelements (16).
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass diejenige Fläche (22) des pixelierten flächenhaften Fotodetektors (19), auf die das Licht (20) der Lichtquelle (21) auftrifft, gekrümmt ist.
Verfahren nach Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass diejenige Fläche (22) des pixelierten flächenhaften Fotodetektors (19), auf die das Licht (21) der Lichtquelle (21) auftrifft, glockenförmig oder kugelförmig ausgebildet ist.
Verfahren nach einem der Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass diejenige Fläche (22) des pixelierten flächenhaften Fotodetektors (19), auf die das Licht (20) der Lichtquelle (21) auftrifft, an eine Fläche angepasst ist, die von der Lichtquelle (21) homogen ausgeleuchtet werden soll.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die flächenhafte erste oder zweite Elektrode (2, 3) auf einem flexiblen Substrat (6) aufgebracht ist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine fotoaktive Halbleiterschicht eine organische fotoaktive Halbleiterschicht (5) ist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Größe der Fläche (22) des Fotodetektors (1, 19), auf die das Licht (18, 20) der Lichtquelle (15, 21) auftrifft, wenigstens der Größe der flächenhaften Lichtverteilung entspricht.
Vorrichtung zum Überprüfen einer Lichtquelle, aufweisend: – einen für Licht (18) einer zu untersuchenden Lichtquelle (15) transparenten pixelierten flächenhaften Fotodetektor (1), der eine der Pixelierung des Fotodetektors (1) entsprechende Mehrzahl von Teilelektroden (2a) aufweisende strukturierte flächenhafte erste Elektrode (2), eine unstrukturierte oder entsprechend der flächenhaften ersten Elektrode (2) strukturierte flächenhafte zweite Elektrode (3) und wenigstens eine zwischen den beiden flächenhaften Elektroden (2, 3) angeordnete unstrukturierte oder entsprechend der flächenhaften ersten Elektrode (2) strukturierte fotoaktive Halbleiterschicht (5) aufweist, und – eine Auswertevorrichtung (10) zum Auswerten eines mittels des Fotodetektors (1) erzeugten Bilddatensatzes oder dem Bilddatensatz zugeordneten Bildes (23), wobei das Bild (23) ein Bild (23) einer mit der Lichtquelle (15) erzeugten flächenhaften Lichtverteilung ist.
Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Lichtquelle (15) für eine Belichtung eines herzustellenden elektronischen Bauelements (16) im Rahmen eines Belichtungsprozesses bei der Herstellung des Bauelements (16) vorgesehen ist.
Vorrichtung zum Überprüfen einer Lichtquelle, aufweisend: – einen pixelierten flächenhaften Fotodetektor (19), der eine der Pixelierung des Fotodetektors (19) entsprechende Mehrzahl von Teilelektroden (2a) aufweisende strukturierte flächenhafte erste Elektrode (2), eine unstrukturierte oder entsprechend der flächenhaften ersten Elektrode (2) strukturierte flächenhafte zweite Elektrode (3) und wenigstens eine zwischen den beiden flächenhaften Elektroden (2, 3) angeordnete unstrukturierte oder entsprechend der flächenhaften ersten Elektrode (2) strukturierte fotoaktive Halbleiterschicht (5) aufweist, wobei diejenige Fläche (22) des pixelierten flächenhaften Fotodetektors (19), auf die Licht (20) einer zu untersuchenden Lichtquelle (21) auftrifft, gekrümmt ist, und – eine Auswertevorrichtung (10) zum Auswerten eines mittels des Fotodetektors (1) erzeugten Bilddatensatzes oder dem Bilddatensatz zugeordneten Bildes (23), wobei das Bild (23) ein Bild (23) einer mit der Lichtquelle (15) erzeugten flächenhaften Lichtverteilung ist.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass diejenige Fläche (22) des pixelierten flächenhaften Fotodetektors (19), auf die das Licht (20) der Lichtquelle (21) auftrifft, glockenförmig oder kugelförmig ausgebildet ist.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass diejenige Fläche (22) des pixelierten flächenhaften Fotodetektors (19), auf die das Licht (20) der Lichtquelle (21) auftrifft, an eine Fläche angepasst ist, die von der Lichtquelle (21) homogen ausgeleuchtet werden soll.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die flächenhafte erste oder zweite Elektrode (2, 3) auf einem flexiblen Substrat (6) aufgebracht ist.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine fotoaktive Halbleiterschicht eine organische fotoaktive Halbleiterschicht (5) ist.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Größe der Fläche (22) des Fotodetektors (1, 19), auf die das Licht (18, 20) der Lichtquelle (15, 21) auftrifft, wenigstens der Größe der flächenhaften Lichtverteilung entspricht.