WO2005086553A1 - 多層基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

層同士の相対的な位置のズレを抑止し、層同士を電気的に接続する部位の位置を精度良く形成する多層基板の製造方法を提供する。本形態の多層基板の製造方法は、導電膜(13)をパターニングすることで形成された配線層(14)が絶縁膜(12)を介して積層される多層基板の製造方法において、最初に積層される導電膜(13)に確認孔(14)を設け、この確認部(14)の位置を認識してから、2層目以降の配線層(18)のパターンニングを行う構成に成っている。更に、本形態では、この確認部を用いて、配線層同士を接続する接続部の形成を行う。

Description

明 細 書 多層基板の製造方法 技術分野

本発明は多層基板の製造方法に関し、 特に、 各配線層同士の位置の精度 を向上させるこ とができる多層基板の製造方法に関する。 背景技術

電子機器の小型化おょぴ髙機能化に伴い、 その内部に収納される実装基 板においては、 多層配線構造が主流になっている。 第 9 図を参照して、 多層 配線基板の製造方法の一例を説明する （特開 2 0 0 3 — 3 2 4 2 6 3号公報 参照）。

先ず、 第 9図 （A ) を参照して、 樹脂等の絶縁性の材料から成る基材 1 0 0の表面おょぴ裏面に第 1 の導電箔 1 0 1 Aおよぴ第 2の導電箔 1 0 1 B を密着させる。

次に、 第 9図 （ B ) を参照して、 第 1 の導電箔 1 0 1 Aおよび第 2の導 電箔 1 0 1 Bの選択的なエッチングを行う こ とによ り 、 第 1 の配線層 1 0 2 Aおよぴ第 2の配線層 1 0 2 Bを形成する。 更に、 絶縁層 1 0 3 Aを介して 配線層を積層させ、 第 9図 （ C ) に示すよ う な、 多層の配線構造を実現する。 ここで、 接続部 1 0 4は、 各配線層同士を電機的に接続するための部位であ る。

しかしながら、 上述した方法では、 配線層同士の位置に誤差が生じてし ま う 問題があった。 更に、 層どう しを接続する接続部 1 0 4 を精度良く 形成 するのが困難である問題があった。 今日では、 小型および高機能化に対する 要望が益々高く なつてきているため、 パターンは益々微細になり 、 それに伴 い層間を接続する接続部や、 各配線層同士の位置精度には厳しい精度が要求 されている。

本発明は上述した問題点を鑑みて成されたものであり 、本発明の主な目的は、 層同士の相対的な位置のズレを抑止し、 層同士を電気的に接続する接続部の 位置を精度良く形成する多層基板の製造方法を提供するこ とにある。 発明の開示

本発明の多層基板の製造方法は、 配線および/または電極から成る配線 層が絶縁材料を介して複数層形成される多層基板の製造方法において、 第 1 層目の配線層に確認部を設け、 第 2層目以降の配線層を形成する際に、 前記 第 1層目の確認部を基準にしてパターユングするこ とを特徴とする。

更に本発明の多層基板の製造方法は、 絶縁材料から成るコア部の両側に、 配線おょぴ Zまたは電極から成る配線層が絶縁され複数層形成される多層基 板の製造方法において、 前記コア部の少なく と も一方の面に形成された第 1 層目の配線層に確認部を設け、 第 2層目以降の配線層を形成する際に、 前記 第 1 層目 の確認部を基準にしてパターユングするこ と を特徴とする。

更に本発明の多層基板の製造方法は、 シー ト状の絶縁材料から成る コア 部の両側に、 配線および/または電極から成る配線層が絶縁され複数層形成 される多層基板の製造方法において、 前記コア部の両面に形成された第 1層 目の配線層を一部含み、 コア部に対して垂直に貫通した確認部を設け、 第 2 層目以降の配線層を形成する際に、 前記第 1層目の確認部を基準にしてパタ 一二ングするこ と を特徴とする。

更に本発明の多層基板の製造方法は、 確認部を基準と して活用する時は、 確認部の上層に形成されている絶縁材料おょぴ配線層は、 取り 除かれるこ と を特徴とする。

更に本発明の多層基板の製造方法は、 前記確認部は、 上方から見て円形 であるこ と を特徴とする。

更に本発明の多層基板の製造方法は、 基準となる前記配線層の位置を、 X線を用いて認識するこ と を特徴とする。

更に本発明の多層基板の製造方法は、 コアとなる第 1 の絶縁膜の両主面 に第 1 の導電膜が積層されたシー トを用意する工程と、 前記シー トを貫通す る円柱状の確認孔を穿設する工程と、 前記確認孔を基準にして第 1 の接続部 に対応する两前記第 1 の導電膜をエッチングし、 露出した前記第 1 の絶縁膜 を取り 除いて第 1 の貫通孔を設ける工程と、 前記第 1 の貫通孔および前記両 第 1 の導電膜の表面に導電皮膜を形成する工程と、前記確認孔を基準にして、 前記両第 1 の導電膜をパターニングして第 1 の配線層を形成する工程と、 前 記シー トの両面に第 2 の絶縁膜を介して第 2 の導電膜を形成する工程と、 前 記確認孔を露出し、 第 2 の接続部に対応する前記第 2 の導電膜をエッチング し、 露出した前記第 2 の絶縁膜を取り 除いて第 2 の貫通孔を設ける工程と、 前記第 2 の貫通孔および前記両第 2 の導電膜に導電被膜を形成する工程と、 前記確認孔を基準にして第 2 の導電膜をパターニングして第 2 の配線層を形 成する工程と を有するこ とを特徴とする。

更に本発明の多層基板の製造方法は、 前記第 2の導電膜の下に位置する 前記確認孔は、 X線を用いて認識するこ と を特徴とする。

更に本発明の多層基板の製造方法は、 前記確認孔を形成する第 1 の配線層 は、 開口部の周囲に鍔状に形成され、 この鍔状の第 1 の配線層の内側にレー ザ一が照射されて、 前記第 2 の絶縁膜が取り 除かれるこ と を特徴とする。 図面の簡単な説明

第 1 図 （A ) は、 本発明の多層基板の製造方法を示す平面図であり 、 第 1 図 （ B ) は、本発明の多層基板の製造方法を示す断面図であ り、第 1 図 （ C ) は、 本発明の多層基板の製造方法を示す断面図であり 、 第 1 図 （D ) は、 本 発明の多層基板の製造方法を示す断面図であり、 第 1 図 （ E ) は、 本発明の 多層基板の製造方法を示す断面図であり 、 第 1 図 （ F ) は、 本発明の多層基 板の製造方法を示す断面図であり 、 第 2図 （A ) は、 本発明の多層基板の製 造方法を示す平面図であり 、 第 2図 （ B ) は、 本発明の多層基板の製造方法 を示す断面図であり 、 第 2 図 （ C) は、 本発明の多層基板の製造方法を示す 断面図であり 、 第 2 図 （D) は、 本発明の多層基板の製造方法を示す断面図 であり 、 第 3図 （A) は、 本発明の多層基板の製造方法を示す平面図であ り 、 第 3図 （ B ) は、 本発明の多層基板の製造方法を示す断面図であり 、 第 3図 ( C ) は、 本発明の多層基板の製造方法を示す断面図であり 、 第 3 図 （D) は、 本発明の多層基板の製造方法を示す断面図であり 、 第 4図 （A) は、 本 発明の多層基板の製造方法を示す断面図であり 、 第 4図 （B ) は、 本発明の 多層基板の製造方法を示す断面図であり 、 第 4図 （C) は、 本発明の多層基 板の製造方法を示す概念図であ り 、 第 5 図 （A) は、 本発明の多層基板の製 造方法を示す平面図であ り 、 第 5図 （B ) は、 本発明の多層基板の製造方法 を示す断面図であり 、 第 5 図 （ C) は、 本発明の多層基板の製造方法を示す 断面図であり 、 第 6 図 （A) は、 本発明の多層基板の製造方法を示す断面図 であり 、 第 6 図 （B ) は、 本発明の多層基板の製造方法を示す概念図であ り 、 第 7図 （A) は、 本発明の多層基板の製造方法を示す平面図であり 、 第 7図 ( B ) は、 本発明の多層基板の製造方法を示す断面図であり 、 第 7図 （ C) は、 本発明の多層基板の製造方法を示す断面図であり 、 第 7 図 （D) は、 本 発明の多層墓板の製造方法を示す断面図であり 、 第 8図 （A) は、 本発明の 多層基板の製造方法によ り製造された多層基板が採用された構造を説明する 断面図であり 、 第 8 図 （B ) は、 本発明の多層基板の製造方法によ り製造さ れた多層基板が採用された構造を説明する断面図であ り 、 第 9図 （A) は、 従来の多層基板の製造方法を示す断面図であり 、 第 9 図 （B ) は、 従来の多 層基板の製造方法を示す断面図であり、 第 9 図 （ C ) は、 従来の多層基板の 製造方法を示す断面図である。 発明を実施するための最良の形態

本発明の多層基板の製造方法を図を参照しつつ説明する。 本形態の多層 配線とは、 2層以上の配線構造を指し、 多層配線を有する基板またはパッケ 一ジの為回路装置を実装する多層基板等が該当する ものである。

本形態の多層基板の製造方法は、 導電膜 1 3 をパターユングするこ とで 形成された配線層 1 4が絶縁膜 1 2 を介して積層される多層基板の製造方法 において、 最初に積層される導電膜 1 3 に確認孔 1 4 を設け、 この確認孔 1 4の位置を認識してから、 2層目以降の配線層 1 8 のパターンユングを行う 構成に成っている。 更に、 本形態では、 この確認部を用いて、 配線層同士を 接続する接続部 1 6 の形成を行う。 この詳細を下記にて説明する。

第 1 図を参照して、 積層シー ト 1 0 に確認孔 1 4 を形成する工程を説明 する。 第 1 図 （A) は本工程での積層シー ト 1 0 の平面図であり、 第 1 図 （B ) から第 1 図 （ F ) は各工程での積層シー ト 1 0 の断面図である。

第 1 図 （A) と第 1 図 （ B ) を参照して、 本形態に用いる積層シー ト 1 0の詳細を説明する。 積層シー ト 1 0は、 コアとなる第 1 の絶縁膜 1 2 Aの 両面に第 1 および第 2 の導電膜 1 3 A、 1 3 Bを密着させたものである。 第 1 の絶縁膜 1 2 Aの材料と しては熱可塑性榭脂または熱硬化性樹脂の何れか が選択される。 そして、 熱伝導性等が考慮されて、 無機のフィ ラーが樹脂に 混入されている。 また、 全体の強度を向上させるために、 第 1の絶縁膜 1 2 Aはガラスク ロスを含むものでも良いし、 ガラスク ロスに無機フィ ラーが混 入されているものでも良い。 第 1 の絶縁膜 1 2 Aの膜厚は 5 0 ミ ク ロ ン程度 にするこ とができ る。

第 1 およぴ第 2 の導電膜 1 3 A、 1 3 Bの材料と しては、 銅を主材料と した金属を全般的に採用する こ とができる。 本形態では、 圧延された銅箔を 第 1 および第 2の導電膜 1 3 A、 1 3 Bの材料と して採用 している。 また、 両導電箔の厚さは、 1 0 ミ ク ロ ン程度でよい。 また、 两導電膜は、 メ ツキ法、 蒸着法またはスパッタ法で直接第 1 の絶縁膜 1 2 Aに被覆されたり 、 圧延法 ゃメ ツキ法によ り形成された金属箔が貼着されても良い。

更に、 第 1 図 （A) を参照して、 積層シー ト 1 0 の詳細を説明する。 積 層シ一 ト 1 0 には 1 つの多層基板を構成する領域であるュニッ ト 1 1 が複数 個形成されている。 ここでは、 マ ト リ ックス状に配置された 4つのュニッ ト 1 1 が積層シー ト 1 0 に形成されている。 ここではュニッ ト 1 1 は、 矩形の 平面的形状を呈するが、 他の形状のュ-ッ ト 1 1 でもよい。

第 1 図 （ C ) を参照して、 積層シー ト 1 0 を貫通するよ う に確認孔 1 4 を設ける。 この確認孔 1 4は、 2層目以降のパターユングを行う 際に位置合 わせを行う ための確認部である。

更に、 この確認孔 1 4 は、 配線層 1 3 同士の電気的接続を行う接続部 1 6 の形成を行う 際にも用いられる。 この確認孔 1 4の形成は、 ドリルによる 削孔によ り行う こ とができる。 更に、 確認孔 1 4の形成領域の両導電箔 1 3 をエッチングによ り 除去した後に、 露出した絶縁膜をレーザーによ り 除去し ても良い。 本工程で形成される確認孔 1 4の径は、 例えば 0 . 1 5 m m程度 である。

第 1 図 （ A ) を参照して、 確認孔 1 4 が形成される箇所の詳細を説明す る。ここでは、各ュニッ ト 1 1 の外側の近傍に確認孔 1 4が形成されている。 またュニッ ト 1 1 毎に複数個の確認孔 1 4 を設けるこ とによ り 、 確 孔 1 4 を用いた位置合わせの精度をよ り 向上させるこ とが出来る。 ここでは 、 ュ二 ッ ト 1 1 毎の 4角付近に 4つの確認孔 1 4が設けられているが 、 この確認孔

1 4 の個数は任意である 例えば、 ュニッ 卜 1 4毎に 2つずつの確認孔 1 4 を形成しても良い。 また 、 1 つの積層シー 卜 1 0 に形成される確認孔 1 4の 個数は、 2個力、ら 1 0 0個程度の範囲で変化させるこ と も可能である

第 1 図 （ D ) を参照して、 第 1 の導電膜 1 3 Aを部分的に除去するこ と で、 第 1 の絶縁膜 1 2 Aが露出する露出部 1 5 を形成する。 ここではュ二、、ノ ト 1 1 毎の内部に露出部 1 5 は形成される の除去は、 ュ ッ 卜 1 1 毎に 設けた確認孔 1 4 の外郭を認識し、 それから中心点の位置を認識して行う。 確認孔 1 4 の形状が円のため、 円の大き さが違っていてもその中心が一致す る。 第 1 図 （ E ) を参照して、 出部 1 5から露出する第 1 の絶縁膜 1 2 A を除去するこ とによ り 、 貫通孔 1 5 Aを形成する 。 絶縁膜 1 2 Aの除去はレ 一ザ一を用いて行う こ とが出来る 。 このレーザーによる除去は、 貫通孔 1 5

Aの底部に第 2 の導電膜 1 3 Bの表面が露出されるまで行う。 こ こで用いる レ —ザ一と しては、 炭酸ガス レ一ザ一が好ま しい 。 また、 貫通孔 1 5 Aの底 部に残查が有る場合は、 過マンガン酸ソーダまたは過硫酸アンモニゥム等で クエツ トエッチングを行い、 この残查を除去する

第 1 図 （ F ) を参照して、 メ ツキ処理を施すこ と によ り 、 第 1 の導電膜

1 3 Aと第 2の導電膜 1 3 B と を電気的に接続する第 1 の接続部 1 6 Aを形 成する。よ り具体的には、貫通孔 1 5 Aを含む第 1 の導電膜 1 3 Aの全面に、 メ ツキ膜を形成する こ とで、 第 1 の接続^ 1 6 Aを形成する。 このメ ツキ膜 は無電解メ ツキと電解メ ツキの 方で形成され、 ここでは、 無電解メ ッキに り約 2 mの C u を少なく と あ貫通孔 1 5 Aを含む第 1 の導電膜 1 4 Aの 全面に形成する。 これによ り 第 1 の導電膜 1 3 Aと第 2の導電膜 1 3 B とが 気的に導通するため、 再度この両導電膜を電極にして電解メ ツキを行い、 約 2 0 /x mの C uをメ ッキする これによ り貫通孔 1 5 Aは C uで埋め込ま れ 、 第 1 の接続部 1 6 Aが形成される。 なお、 いわゆるフィ リ ングメ ツキを 行う と、 貫通孔 1 5 Aのみを選択的に埋め込むこ と も可能である。 またメ ッ キ膜は、 こ こでは C uを採用 したが、 A u、 A g、 P d等を採用しても良い。 またマスクを使用 して部分メ ツキを行う こ とで、 貫通孔 1 5 Aの部分のみに メ ツキ膜を形成しても良い。

また、 本工程によ り 、 確認孔 1 4の内壁にもメ ツキ膜から成る金属膜 1 7が形成される。 この金属膜 1 7は、 確認孔 1 4 の内壁に均一な膜厚で形成 される。 従って、 金属膜 1 7の付着によ り 、 確認孔 1 4の断面積は小さ く な る ものの、 円形の断面形状は保持される。

次に、 第 2図を参照して、 積層シー ト 1 0 に更に導電膜 1 3 を積層させ る工程を説明する。 第 2図 （A) は本工程での積層シー ト 1 0の平面図であ り 、 第 2 図 （B ) から第 2図 （D) は各ステップでの積層シー ト 1 0の断面 図である。

第 2 図 （B ) を参照して、 第 1 およぴ第 2の導電膜 1 3 A、 1 3 Bのェ ツチングを行う こ とによ り 、 第 1 およぴ第 2の配線層 1 8 A、 1 8 Bを形成 する。 これは、 エッチングレジス トを用いて各導電膜を選択的にエッチング するこ と によ り行う。 本工程では、 エッチングレジス トの露光を行う 際に、 確認孔 1 4の位置の認識を行って、 積層シー ト 1 0 と露光マスク と の相対的 な位置合わせを行っている。 確認孔 1 4のサイズか小さ く なつても円形であ るのでその中心点は前回の位置合わせと一致し、 その中心点を認識して位置 あわせする。

従って、 精度良く位置合わせを行う こ とが出来る。 更に、 本工程では、

X線で認識を行う為の認識部 2 0 もエッチングによ り形成される。 この認識 部は、 X線認識装置が認識できる形状なら四角、 丸、 十字等何でも良い。 ま たその位置は、 何処にあっても良いが、 一般にはュニッ トの周囲である。 第 2 図 （ C ) を参照して、 次に、 積層シー ト 1 0 の両主面に絶縁膜を介して 導電膜を密着させる。 具体的には、 積層シー ト 1 0の表面に第 2 の絶縁膜 1 2 B を介して第 3 の導電膜 1 3 Cが積層される。 そして、 積層シー ト 1 0 の 裏面には、 第 3 の絶縁膜 1 2 Cを介して第 4の導電膜 1 3 Dが積層される。 これら導電膜 1 3 の積層は、 真空プレスによ り行う こ とが可能である。 本ェ 程にて、確認孔 1 4 にも樹脂が充填される。本工程では、両絶縁層と しては、 プリ プレダを採用するこ とができる。 プリ プレダとは、 ガラス繊維等から成 る織物に、 エポキシ樹脂などを含浸させたものである。

第 2 図 （D ) を参照して、 次に、 積層シー ト 1 0 を貫通するよ う にガイ ド孔 1 9 を削孔する。 具体的には、 第 2 図 （ A ) を参照して、 積層シー ト 1 0の 4角付近の 4力所にガイ ド孔 1 9 を削孔する。 ガイ ド孔 1 9 の削孔は、 エッチングと レーザーの組み合わせ、 または、 ドリルによ り行う こ とができ る。 こ こで、 ドリル孔 1 9 の位置を特定する為の位置合わせは、 第 2図 （ C ) に示す確認部 2 0の位置を認識して行う。 この確認部 2 0 は、 ガイ ド孔 1 9 が形成される箇所に対応して設けられている。 更に、 確認部 2 0 は、 第 2の 配線層 1 8 Aの一部から成る。 ガイ ド孔 1 9 の径は、 数十ミ ク ロ ン程度から 2 mm程度の範囲でよい。

本工程では、 認識部 2 0は、 上層の第 3 の導電膜 1 3 Cによ り覆われて いるため、可視光線にてその位置を認識するこ とは出来ない。このこ とから、 認識部 2 0 の位置認識は X線等を照射して行い、 ドリルを位置あわせして開 口 させる。 また、 本工程での位置合わせは、 積層シー ト 1 0 の外形寸法が所 定の精度を満たしていたら、 外形を基準にして行う こ と も可能である。

第 3 図を参照して、 位置合わせを行 う ための碓認孔 1 4 を露出させる。 第 3 図 （A) は本工程での積層シー ト 1 0 の平面図であり 、 第 3 図 （B ) か ら第 3 図 （D) は各ステップでの積層シー ト 1 0の断面図である。

第 3図 （A) を参照して、 円形のガイ ド孔 1 9 の位置を認識してから第 3 の導電膜 1 3 Cを部分的に除去するこ とで、 露出部 2 2 を形成する。 具体 的には、 ガイ ド孔 1 9 の位置を基準と して、 第 3の導電膜 1 3 Cの表面にェ ツチングマスクをパターユングしてエッチングを行う こ とで、 露出部 2 2 を 形成する。 また、 本工程では、 第 4の導電膜 1 3 Dについてついても同様の 工程を行う こ とで、 積層シー ト 1 0の裏面にも露出部 2 2 を形成する。

露出部 2 0の平面的な大き さは、 確認孔 1 4の断面よ り も大き く形成さ れる。 具体的には、 確認孔 1 4 の平面的大き さが 0. 1 5 mm径の円形であ るのに対し、 露出部 2 0の平面的な大き さは 1 . 5 mm程度の円形である。 また、 本工程では、 確認孔 1 4周辺部が露出するよ う に露出部 2 2が形成さ れる。

また、 このよ う に露出部 2 2 を確認孔 1 4 よ り も大き く するこ とで、 ガ ィ ド孔 1 9 による位置認識がラフにされても、 確認孔 1 4 を露出部 2 2の形 成される領域内に位置させるこ とが出来る。

第 3図 （ B ) を参照して、 次に、 認識部 2 1 の位置を認識してから、 レ 一ザ一によ り確認孔 1 4 の露出を行う。 具体的には、 先ず、 認識部 2 1 の位 - 置を認識す る とで 、 レーザー照射器 （図示せず） と確認孔 1 4 と の相対的 位置を調整 した後にヽ レーザーの照射を行う。 また、 レーザーの照射は、 積 層シー ト 1 0 の表面のみから行っても良いし、 两面から行っても良い。 ここ で、 確認孔 1 4 と連続して形成される保護部 2 4 とは鍔形を形成している。

第 3 図 ( C ) を参照して、 確認孔 1 4 の周辺部には、 導電膜から成る鍔 状の保護部 2 4が形成されている。 即ち、 確認孔 1 4の側面に付着された金 属膜 1 7 と 1k.するメ ツキ膜によ り保護部 2 4が形成されている。 この保護 部 2 4は金属から成るので、 この領域にレ一ザ一 2 3が照射されても保護部

2 4は影響を受けない

レーザ 2 3 はゝ 確認孔 1 4 の領域よ り も広い領域に照射が行われてい る。 このこ とで 、 確認孔 1 4が形成された領域以外の積層シー ト 1 0の表面 にレーザー 2 3が照射された場合でも、 その領域がレーザー 2 3 によるダメ ージを受け るのを防止するこ とが出来る。

確認孔 1 4の側 は、 メ ツキ膜から成る金属膜 1 7 よ り保護されている 従って、 レ ―ザ一 2 3が確認孔 1 4 の側壁に照射された場合でも、 金属膜 1

7 によ り レ一ザ ― 2 3は反射されるので、 確認孔 1 4の側壁が浸食されてし ま う のを防 Atするこ とができる。

第 3 図 ( D ) を参照して、 レーザー 2 3 を照射するこ と によ り各確認孔

1 4は絶縁 1 2から露出される。 また、 レーザー 2 3 による確認孔 1 4 の 露出は、 各ュ二ッ 卜 1 1 について行われる 。 即ち、 確認孔 2 1 が完全に露出 され、 しか も各ュ二ッ トの表面には、 第 3および第 4の導電膜 1 3 C、 1 3

Dが残存す る

次に、 第 4図およぴ第 5 図を参照して 、 絶縁層 1 2 を貫通して各配線層

1 8 同士を接続する接続部 1 6 を新たに形成する。 具体的には、 形成予定の 第 2の接続部 1 6 Bに対応する領域の第 3 の導電膜 1 3 Cおよぴ第 2の絶縁 膜 1 2 Bを部分的に除去し、その除去した領域にメ ツキ膜を形成するこ とで、 第 2 の接続部 1 6 B を形成する。 また、 同様の方法で、 第 3 の絶縁膜 1 2 C を貫通する第 2 の接続部 1 2 B も形成する。

具体的には、 第 4図 （A) を参照して、 先ず、 第 3 の導電膜 1 3 Cを被 覆するよ う にエッチングレジス ト 2 5 を塗布する。 そして、 露光マスク 3 1 を用いてレジス ト 2 5 の露光を行う。 露光マスク 3 1 は、 ガラス等の透明性 を有する基材の表面に遮光パターン 3 2 を有する。 遮光パターン 3 2の形状 は、 形成予定の第 2 の接続部 1 6 B と逆転したパターン形状を有する。 ここ では、 光線 3 0 が照射されなかった箇所が残存するポジ型のレジス トが、 レ ジス ト 2 5 と して採用されている。 ここで、 ネガ型のものをレジス ト 2 5 と して採用する こ と も可能である。

第 4図 （B ) を参照して、 上記露光の工程等によ りパター二ングされた レジス ト 2 5 を介してエッチングを行う こ とで、 第 2 の接続部 1 6 Βの領域 に対応する第 3 の導電膜 1 3 Cが除去される。 また、 第 2の接続部 1 6 Βの 領域に対応する第 4 の導電膜 1 3 Dも除去される。

第 4図 （ C ) を参照して、 確認孔 1 4 を用いた位置合わせの詳細を説明 する。 本形態では、 露光マスク 3 1 の位置合わせは、 確認孔 1 4の中心部を 基準 と して行う。 具体的には、 C C Dカメ ラ等の撮像手段を用いて 、 確認孔

1 4 の形状を画像化する。 この図では、 画像化した状態の確認孔 1 4の断面 を示 している。 そして、 確認孔 1 4の外周部にて任意の 3点の観測を行い、 それ らの位置を特定する。 ここでは、 第 1観測点 K 1 、 第 2観測 Κ 2、 第

3観測点 K 3 の観測を行い、 それらの平面的な座標を特 る。 更に、 これ らの点の座標値から、 幾何学の定理によ り 、 確認孔 1 4 の中心点 Cの座標を 算出する。 確認孔 1 4の平面的形状は円形であるので 中心点 Cの座標の算 出は容易に行えるメ リ ッ トがある。 また、 中心点を基準と して、 露光マスク

3 1 の位置合わせを行う こ とから、 極めて位置精度が髙い露光を行つ こ と力 出来る。

更に、 第 4 の導電膜 1 3 Dの部分的除去を行う ための露光も、 確認孔 1 4の中心位置を基準と して行っている。従って、同一の確認孔 1 4 を用いて、 積層シー ト 1 0の表面おょぴ裏面に塗布されたレジス ト 2 5 の露光を行う の で、 両者の露光さ れる相対的位置を精度良くするこ とができる。

次に、 第 5図 を参照して、 第 3 の導電膜 1 3 Cから露出された第 2 の絶 縁層 1 2 Bの除去 を行う。 更に、 第 4 の導電膜 1 3 Dから露出された第 3 の 絶縁膜 1 2 Cの部分的除去も行う。 図 5 ( A) は積層シー ト 1 0の平面図で あり 、 第 5 図 （B ) および第 5図 （ C ) は積層シー ト 1 0 の断面図である。

第 5図 （A) を参照して、 各ユニッ ト 1 1 の 4角の近傍には確認孔 1 4 が形成されている 。 そして、 ュニッ ト毎に形成される接続部 1 6 の位置の特 定は、 その近傍に形成された確認孔 1 4 を用いて行う。 確認孔 1 4 とュニッ ト 1 1 とが近いほ ど、 位置合わせの精度が向上するからである。

第 5図 （B) を参照して、 次に、 レーザー 2 3 の照射を行って第 2の絶 縁膜を部分的に蒸発させるこ とで、 貫通孔 1 5 Aを形成する。 貫通孔 1 5 A の底部には、 第 1 の配線層 1 8 Aの上面が露出している。 ここでも、 レーザ 一 2 3 と積層シー ト 1 0 との位置合わせは、 確認孔 1 4の中心点を基準と し て行っている。 従って、 第 1 の配線層 1 8 Aと貫通孔 1 5 Aとの相対的な位 置の精度は非常に 良い。

第 5図 （C) を参照して、 次に、 無電界メ ツキ処理および電解メ ツキ処 理を行う こ とで、 貫通孔 1 5 Aにメ ツキ膜から成る第 2の接続部 1 6 Bを形 成する。 本工程の メ ツキ処理の詳細は、 第 1 図 （ F ) を参照して説明した方 法と同様である。 本工程のメ ツキ処理では、 確認孔 1 4の内壁にもメ ツキ膜 が形成さる。 確認、孔 1 4 は円筒状を呈しているので、 その内壁にメ ツキ膜が 形成されることで断面は小さ く なるが、 円形状の断面形状は保持される。 同 様に、 ガイ ド孔 1 9 の内壁にもメ ツキ膜が形成される。

第 6図 （A) を参照して、 次に、 第 3 の導電膜 1 3 Cおよぴ第 4の導電 膜 1 3 Dのエッチングを行う こ とで、 新たな電極や配線のパターンを形成す る。 具体的には、 第 3 の導電膜 1 3 Cの表面にエッチングレジス ト 2 5 を塗 布した後に、 露光マスク 3 1 を用いて露光行つてレジス ト 2 5 のパターニン グを行う。 更に、 パターニングされたレジス 卜 2 5 を介して、 第 3およぴ第

4 の導電膜 1 3 C 、 1 3 Dのエツチングを行 こでも、 露光マスク 3 1 と積層シー 卜 1 0 との位置合わせは、 確認孔 1 4 の中心点を認識するこ とで 行う。

第 6図 （ B ) を参照して、 本工程での確認孔 1 4の認識方法は、 第 4図 ( C ) を参照 して説明した認識方法と基本的には同一である。 こ こでは、 確 認孔 1 4の内壁にメ ツキ膜が形成されるこ とで、 その断面が小さ く なつてい る。 この図では、 メ ツキ膜が内壁に形成される前の確認孔 1 4の断面を V 1 で示した点線で示している。 そして、 内壁にメ ツキ膜が形成された後の確認 孔 1 4の断面を実線で示している。 確認孔 1 4 の内壁に均一な膜厚のメ ツキ が形成されるこ とで 、 確認孔 1 4 の断面積は小さ く なつても 、 円形は保持 されている。 従つて、 本工程でも、 確認孔 1 4 の周辺部にて 、 3 つの観測点

(第 1 の観測点 K 1、 第 2 の観測点 K 2、 第 3 の観測点 K 3 ) を観測するこ とで、 中心点 Cの位置を正確に計測する こ とが可能となる

第 7図を参照して次に、 積層シー ト 1 0 の表面および裏面に露出する配線 層 1 8 をソルダ一レジス トで被覆する。 第 7図 （A ) は積層シ一ト 1 0 の平 面図であり、 図 （ B ) から第 7図 （ D ) は積層シ ト 1 0 の断面図であ 第

ス

7図 （ B ) を参照して 、 上 S己し 7こエツチングの工程によ り 、 積層シー 卜 1 0 の表面には、 第 3 の配線層 1 8 Cが形成され、 積層シ一卜 1 0 の裏面 には第 4 の酉己線層 1 8 Dが形成されている。

第 7図 （ C ) を参照して 、 積層シー ト 1 0 の表面およぴ裏面に形成され た第 3 の配線層 1 3 Cおよび第 4 の配線層 1 8 Dが被覆されるよ う にレジス 卜 2 6 を形成する。 レジス ト 2 6 を形成する樹脂が、 確認孔 1 4およびガイ ド孔 1 9 に充填されても良い

第 7図 （ D ) を参照して 、 レーザーを用いた蒸発あるいは y ソグラフィ 工程によ り 、 レジス ト 2 6 に開口部 2 7 を設ける。 この開口部 2 7は、 積層 シー ト 1 0の両面にも設けても良いし、 片面のみに設けて'も良い。 開口部 2 7の底部には、 第 3 の配線層 1 8 Cまたは、 第 4 の配線層 1 8 Dが露出して いる。 この開口部 2 7の形成は、 第 3 の配線層 1 8 Cから成る確認部 2 8 の 位置を認識する こ とで行う こ とが出来る。 更に、 本工程でも、 確認孔 1 4の 位置を基準と して、 開口部 2 7 の形成を行う こ とが出来る。

上記工程が終了した後に、 一点鎖線で示す分割線 L 1 で積層シー ト 1 0 の分割を行う こ とで、 各ユニッ ト 1 1 の分離を行う こ とが出来る。 この分離 は、 レーザーを用いて、 配線層 1 8が形成されていない領域の積層シー ト 1 0 を切断するこ とで行う こ とが出来る。 このこ と によ り 、 切断を行う際の振 動の発生を極力抑えて、 各ユニッ ト 1 1 の分離を行う こ とが出来る。 以上の 工程によ り 、 多層の配線構造を有する多層基板が完成する。 また、 各ュニッ トの分割は、 開 口部 2 7 を介して回路素子を積層シー ト 1 0 に固着した後に 行っても良い。 また、 上記分離は、 ルーターを用いた加工、 プレス加工でも 行う こ とが出来る。

次に、 第 8 図 （A ) を参照して、 上記工程によ り製造された多層基板 3 6 を用いた実装構造を説明する。 多層基板 3 6 の表面には、 半導体素子であ る回路素子 3 3 Bがろ う材 3 4 を介して実装されている。 ここでは、 回路素 子 3 3 Bはフェイスダウンで実装されているが、 金属細線を用いた固着構造 を採用するこ と も出来る。 回路素子 3 3 Aはチップ抵抗やチップコンデンサ 等の受動素子であ り 、 ロ ウ材 3 4 を介して多層基板 3 6 に固着されている。 また必要によ り 外部との接続手段である リ ー ドまたはコネクタが実装されて も良い。 またモジュール基板と して成り 、 ケース付けされない場合、 半導体 素子は、 パッケージされた I C、 C S P等が実装され、 ケース付けされる場 合は、 この他にベアチップが実装されても良い。

第 8 図 （ B ) を参照して、 多層基板を使った半導体パッケージを説明す る。 ここでは、 多層基板 3 6 の表面に上述した回路素子 3 3 が実装され、 回 路素子 3 3 が封止される よ う に多層基板 3 6 の表面に封止樹脂 3 5が形成さ れている。 本発明の多層基板 3 6 は極めて薄型になっているので、 このよ う な多層基板を回路装置に適用させる こ とで、 薄型の回路装置を提供するこ と が出来る。 また近年で fま、 I C 自体が 5 0 0 ピン、 1 0 0 0 ピンと多ピン化 傾向で且つ外部電極のサイズも微細で狭ピッチな傾向にある。 よって多層基 板を採用すれば I C、 ディスク リー ト素子、 チップコンデンサ、 チップ抵抗 等を使った回路モジュール、 いわゆる S I Pが可能になる。

本発明の多層基板の製造方法によれば、 最初に形成される導電膜に設け られた確認部の位置を認識して、 2層目以降の導電膜のパターユングを行つ ている。 従って、 複数の配線層の形成を行う場合でも、 最初に形成した 1 つ の確認部によ り位置認識を行う ので、 層同士の相対的な位置を精度良く する こ とが出来る。 更に、 配線層同士を接続する接続部も、 この確認部の位置を 認識してから行っている。 従って、 接続部が形成される箇所の位置精度を向 上させるこ とが出来る。

更に本発明では、 絶縁膜の両面に密着された導電膜から成る積層シー ト を貫通するよ う に確認孑しを設け、 この確認孔を用いて次工程以降の位置合わ せを行っている。従って、積層シー トの両面に配線層を積層させた場合でも、 いずれの配線層も同一の確認孔を用いて位置合わせを行う こ とから、 配線層 の位置精度を向上させるこ とが出来る。 更に、 層同士の電気接続を行う部位 である接続部の形成も、 確認孔の位置を認識してから行う ので、 その位置精 度を向上させるこ とが出来る。

Claims

請 求 の 範 囲 配線および/または電極から成る配線層が絶縁材料を介して複数層 形成される多層基板の製造方法において、 第 1層目の配線層に確認部 を設け、 第 2層 目以降の配線層を形成する際に、 前記第 1層目の前 記確認部を基準に してパターユングする こ と を特徴とする多層基板 の製造方法。

絶縁材料から成るコア部の両側に、 配線および/または電極から成る 配線層が絶縁され複数層形成される多層基板の製造方法において、 前 記コア部の少なく と も一方の面に形成された第 1 層 目 の配線層に確 認部を設け、 第 2層 目以降の配線層を形成する際に、 前記第 1層目 の確認部を基準に してパターユングする こ と を特徴とする多層基板 の製造方法。

シー ト状の絶縁材料から成るコア部の両側に、 配線およびノまたは電 極から成る配線層が絶縁され複数層形成される多層基板の製造方法 において、 前記コア部の両面に形成された第 1 層目の配線層を一部 含み、 コア部に対して垂直に貫通した確認部を設け、 第 2層目以降の 配線層を形成する際に、 前記第 1層目 の確認部を基準にしてパター二 ングするこ と を特徴とする多層基板の製造方法。

確認部を基準と して活用する時は、 確認部の上層に形成されている絶 縁材料おょぴ配線層は、 取り 除かれる こ と を特徴とする請求の範囲第 1項から第 3項のいずれかに記載の多層基板の製造方法。

前記確認部は、 上方から見て円形である こ とを特徴とする請求の範囲 第 1項から第 3項のいずれかに記載の多層基板の製造方法。

基準となる前記配線層の位置を、 X線を用いて認識するこ と を特徴と する請求の範囲第 1 項から第 3項のいずれ；^に記載の多層基板の製 造方法。

コアとなる第 1 の絶縁膜の両主面に第 1 の導電膜が積層されたシー ト を用意する工程と、 前記シー トを貫通する円柱状の確認孔を穿設する 工程と、 前記確認孔を基準にして第 1 の接続部に対応する両前記第 1 の導電膜をエッチングし、 露出した前記第 1 の絶縁膜を取り 除いて 第 1 の貫通孔を設ける工程と、 前記第 1 の貫通孔および前記第 1 の導 電膜の表面に導電皮膜を形成する工程と、 前記確認孔を基準にして、 前記两第 1 の導電膜を z ターユングして第 1 の配線層を形成する工程 と、 前記シー トの雨面に第 2 の絶縁膜を介して第 2 の導電膜を形成す る工程と、 前記確認孔を露出し、 第 2 の接続部に対応する前記第 2 の 導電膜をエッチングし、 露出した前記第 2 の絶縁膜を取り 除いて第 2 の貫通孔を設ける工程と、 前記第 2 の貫通孔および前記両第 2 の導電 膜に導電被膜を形成する工程と、 前記確認孔を基準にして第 2の導電 膜をパターユングして 第 2 の配線層を形成する工程と を有する こ と を特徴とする多層基板の製造方法。

前記第 2の導電膜の下に位置する前記確認孔は、 X線を用いて認識す るこ とを特徴とする請求の範囲第 7項に記載の多層基板の製造方法。 前記確認孔を形成する第 1 の配線層は、 開口部の周囲に鍔状に形成さ れ、 この鍔状の第 1 の配線層の内側にレーザーが照射されて、 前記第 2 の絶縁膜が取り 除かれる こ と を特徴とする請求の範囲第 7項に記 載の多層基板の製造方法。