WO2005064696A1 - Strahlungsemittierendes und/oder strahlungsempfangendes halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung - Google Patents

Strahlungsemittierendes und/oder strahlungsempfangendes halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung Download PDF

Info

Publication number
WO2005064696A1
WO2005064696A1 PCT/DE2004/002738 DE2004002738W WO2005064696A1 WO 2005064696 A1 WO2005064696 A1 WO 2005064696A1 DE 2004002738 W DE2004002738 W DE 2004002738W WO 2005064696 A1 WO2005064696 A1 WO 2005064696A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
radiation
semiconductor component
semiconductor
semiconductor chip
molding compound
Prior art date
Application number
PCT/DE2004/002738
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Herbert Brunner
Harald JÄGER
Jörg Erich SORG
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE2003161801 external-priority patent/DE10361801A1/de
Application filed by Osram Opto Semiconductors Gmbh filed Critical Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority to EP04802941.7A priority Critical patent/EP1700349B1/de
Priority to US10/578,854 priority patent/US7666715B2/en
Priority to JP2006545908A priority patent/JP4939946B2/ja
Priority to KR1020067015391A priority patent/KR101176672B1/ko
Priority to CN200480032007.6A priority patent/CN1875491B/zh
Publication of WO2005064696A1 publication Critical patent/WO2005064696A1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H01L2224/48228—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad being disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder

Definitions

  • the invention relates to a radiation-emitting and / or radiation-receiving semiconductor component with a radiation-emitting and / or radiation-receiving semiconductor chip, a molded plastic part which is permeable to electromagnetic radiation to be emitted and / or received by the semiconductor component and with which the semiconductor chip is at least partially formed and with external electrical connections that are electrically connected to electrical contact surfaces of the semiconductor chip. It also relates to a method for producing such a semiconductor component.
  • Such semiconductor components are known for example from WO 01/50540.
  • a semiconductor chip is mounted on an eadframe.
  • the semiconductor chip and partial areas of the leadframe are encased in an injection-molded plastic molded body.
  • External electrical connections of the leadframe protrude from the molded plastic body.
  • the plastic molded body is, for example, made of an epoxy resin and can contain inorganic or organic conversion material as well as fillers.
  • a leadframe on which the semiconductor chip is located, is formed with a basic housing body which has a reflector-like recess.
  • the semiconductor chip is in the recess arranged.
  • the recess is filled after the assembly of semiconductor chips with a radiation-permeable, often transparent sealing compound at least to the extent that 'of the semiconductor chip and, if necessary. a bond wire from the chip to the leadframe are covered with the latter.
  • a known casting compound for such designs is, for example, transparent epoxy casting resin. Similar designs are known for example from WO 98/12757.
  • US Pat. No. 6,274,924 B1 describes a surface-mountable LED housing design in which a rigid plastic body, in which the semiconductor chip is arranged and electrically connected to external electrical connections of a lead frame, is filled with a soft, radiation-permeable encapsulation material, for example with silicone.
  • a lens cap is placed on the plastic body. This lens cap on the one hand gives the encapsulation material a defined shape and on the other hand prevents it from flowing out of the basic housing body. Due to the comparatively large number of housing components, this LED housing design requires a comparatively large manufacturing effort.
  • the present invention is based on the object of developing a semiconductor component of the type mentioned at the outset in such a way that it is technically simple to produce on the one hand and on the other hand is sufficiently aging-stable, in particular when using blue light or UV radiation-emitting semiconductor chips.
  • a radiation-emitting and / or radiation-receiving semiconductor component comprises the following components: a radiation-emitting and / or radiation-receiving semiconductor chip, in particular an injection-molded or injection-molded plastic molded part which is permeable to electromagnetic radiation to be emitted and / or received by the semiconductor component, with which the semiconductor chip is at least partially formed and which consists of a reaction-hardening silicone molding compound, and external electrical connections which are electrically connected to electrical contact surfaces of the semiconductor chip.
  • silicone molding compound includes not only molding compounds which consist exclusively of silicone, but also those molding compounds which can be processed into plastic molded parts by means of a molding process and which consist of silicone to such an extent that the aging stability of the molding compound compared to conventional molding compounds is sufficiently improved.
  • the silicone molding compound preferably has a curing time of equal to or less than 10 minutes. This advantageously facilitates the production of the semiconductor components while realizing economically sensible machine cycle times.
  • the silicone molding compound When cured, the silicone molding compound preferably has a hardness equal to or greater than 65 Shore D. This advantageously improves the dimensional stability of the plastic molded part with respect to mechanical influences.
  • the molding compound is preferably a silicone composite material which, in addition to silicone, comprises at least one further material, such as an epoxy resin.
  • silicone composite materials have the advantage that they can be adapted to the requirements of the respective application and the processes used.
  • silicone-epoxy resin composites generally harden faster than pure silicone molding compounds and have a higher mechanical strength. For this reason, they are usually easier to demold and shorter process times are possible.
  • the silicone molding compound contains converter material which absorbs at least part of an electromagnetic radiation of a first wavelength range emitted by the semiconductor chip and / or received by the semiconductor component and emits electromagnetic radiation which originates from a second wavelength range which differs from the first wavelength range is.
  • inorganic phosphor powders can be easily mixed into silicone material. Examples include cerium-doped yttrium aluminum garnet and cerium-doped terbium aluminum garnet powders. Other suitable inorganic phosphors are listed, for example, in the publications WO 01/50540 AI and WO 98/12757 AI, the disclosure content of which is hereby incorporated by reference.
  • a molded plastic part according to the invention is preferably used for semiconductor components that have a semiconductor Have chip that emits electromagnetic radiation from the blue or ultraviolet spectral range.
  • the semiconductor chip is produced from a single, one-piece plastic molding from reaction-curing silicone molding compound.
  • a basic principle of such a molded plastic part is described, for example, in publication WO 01/50540, the disclosure content of which is hereby incorporated by reference.
  • the semiconductor chip is applied to a carrier substrate or a carrier film with electrical conductor tracks for electrically connecting the semiconductor chip, and the semiconductor chip is encapsulated with a plastic molded part made of reaction-hardening silicone potting compound.
  • the semiconductor chip is fixed on a lead frame which has the external electrical connections and is electrically connected to the external electrical connections.
  • the semiconductor chip, including subregions of the leadframe, is subsequently shaped with a silicone molding compound by means of an injection molding process or by means of an injection molding process.
  • a semiconductor chip is applied to a carrier substrate or a carrier film with electrical conductor tracks for the electrical connection of the semiconductor chip and is electrically connected to the electrical conductor tracks. Subsequently, the semiconductor chip on the carrier substrate or the carrier film by means of a encapsulated by an injection molding process or by means of an injection molding process with a silicone molding compound.
  • the invention is particularly preferably used in radiation-emitting and / or radiation-receiving semiconductor components with a footprint of approximately 0.5 mm ⁇ 1.0 mm or less and / or with a total component height of only 350 ⁇ m or less, preferably 250 ⁇ m Or less.
  • FIG. 1 shows a schematic illustration of a section through a first exemplary embodiment
  • Figure 2 is a schematic representation of a section through a second embodiment
  • Figure 3 is a schematic representation of a section through a third embodiment.
  • the first exemplary embodiment according to FIG. 1 is a white light-emitting diode component based on a lead frame (lead frame).
  • the leadframe connections 11, 12 represent the external electrical connections of the light-emitting diode component.
  • each of the leadframe connections 11, 12 indicates an S-like bend 14, 15 from a chip mounting area 16 to a mounting side 13 of the light-emitting diode component on.
  • At least one inorganic filler such as Ti0 2 , Zr0 2 or - Al 2 0 3 can be added to the silicone molding compound 3.
  • the LED chip 1 is mounted in the chip mounting area 16 on the lead frame 10 and electrically conductively connected to the lead frame connections 11, 12.
  • the leadframe connections 11, 12 are provided with S-like bends 14, 15 before or after the semiconductor LED chip 1 has been mounted.
  • the semiconductor LED chip 1, including the S-like bends 14, 15 of the leadframe 10 are formed with a transparent silicone molding compound 3 by means of an injection molding or injection molding process.
  • the silicone molding compound 3 is then at least partially hardened in the injection molding or injection mold, so that a sufficiently dimensionally stable, one-piece plastic molding 5 is formed.
  • the semiconductor LED chip 1 has an emission spectrum which is in the ultraviolet or blue spectral range.
  • the semiconductor LED chip 1 is preferably constructed on the basis of GaN or InGaN. He can however alternatively also consist of the material system ZnS / ZnSe or another material system suitable for this spectral range.
  • a transparent silicone molding compound 3 is injected onto the leadframe connections 11 and 12 in a suitable injection molding or injection molding apparatus.
  • phosphor particles 4 are embedded, which consist of a conversion substance with which an at least partial wavelength conversion of the electromagnetic radiation emitted by the semiconductor LED chip 1 is brought about. An emission spectrum is generated by means of this wavelength conversion, which gives the optical impression of a white light source.
  • a suitable phosphor for the phosphor particles is, for example, cerium-doped yttrium aluminum garnet and cerium-doped terbium aluminum garnet powder.
  • the prefabrication of the leadframe 10 and the reshaping with the silicone molding compound 3, which optionally contains the phosphor particles 4 and possibly further fillers, is carried out in such a way that the leadframe sections 11 and 12 are led horizontally out of the plastic molding 5, in such a way that their Solder connection surfaces 11A and 12A lie essentially in the same plane as the rear side of the plastic molded part 5, which generally represents the contact surface of the component on a printed circuit board.
  • the leadframe connections 11 and 12 are already bent into the final shape before the casting. They therefore have the S-like bends from the chip connection area to the mounting surface even before the shaping, so that after the shaping no more bending stress is exerted on the component.
  • the silicone molding compound 3 has, for example, a curing time of equal to or less than 10 minutes and in the hardened state a hardness of equal to or greater than 65 Shore D.
  • the finished component can advantageously on the flat horizontal pads 11A and 12A on a printed circuit board (PCB) in the reflow process are soldered '. This produces a component that is suitable for .SMT (Surface Mounting Technology) mounting.
  • PCB printed circuit board
  • a UN or blue radiation-detecting photodiode component can be formed in the same way.
  • the second exemplary embodiment according to FIG. 2 differs from the first exemplary embodiment according to FIG. 1 in particular in that, instead of the lead frame 10, an electrically insulating carrier substrate 100 with electrical conductor tracks 111, 112 in the form of metallization layers is provided.
  • the plastic molding 5 is on. the carrier substrate 100. This component can be produced in a manner analogous to the first exemplary embodiment.
  • the third exemplary embodiment according to FIG. 3 is a miniature luminescence diode which has a flexible lead frame 10, an LED chip 1 with an active, radiation-emitting region and a plastic molded part 5.
  • the flexible lead frame 10 consists of a 60 ⁇ m thick metal foil 101 and a likewise 60 ⁇ m thick plastic foil 102, which are glued together with high precision.
  • the plastic film can consist of a silicone plastic.
  • the metal foil 101 is punched so that it defines a cathode and an anode. Are each over cathode and anode Cutouts punched into the plastic film 102.
  • the underside of the LED chip 1 is bonded to the cathode through one of the cutouts.
  • the anode is connected to the upper side of the LED chip 1 via a bonding wire 2 through the other cutout.
  • the so-called cavity-to-cavity molding is used for wrapping, for example, with which a plastic molded part 5 is produced above each flexible lead frame 10, which forms the LED chip 1 and the bonding wire 2 wrapped.
  • the plastic molded part consists of the same material as the plastic molded part of the aforementioned exemplary embodiments.
  • the components can also be encased using an array molding process.
  • array molding cavities of the tool are filled, each of which comprises several components.
  • the molded components are separated after the molded parts have cooled, for example by sawing.
  • the areal density in array molding is generally advantageously greater than in cavity-to-cavity molding.
  • the miniature luminescent diode has a footprint of approximately 0.5 mm x 1.0 mm and has a total component height of only 250 ⁇ m.
  • a photodiode chip can be used or a chip that is operated as a luminescence diode and as a photo diode.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

Strahlungsemittierendes und/oder strahlungsempfangendes Halbleiterbauelement mit einem strahlungsemittierenden und/oder strahlungsempfangenden Halbleiterchip, einem Kunststoff-Formteil, das für eine vom Halbleiterbauelement zu emittierende und/oder zu empfangende elektromagnetische Strahlung durchlässig ist und mit dem der Halbleiterchip zumindest teilweise umformt ist, und mit externen elektrischen Anschlüssen, die mit elektrischen Kontaktflächen des Halbleiterchips elektrisch verbunden sind. Das Kunststoff-Formteil besteht aus einer reaktionshärtenden Silikon-Formmasse. Weiterhin ist ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Halbleiterbauelements angegeben.

Description

Beschreibung
Strahlungsemittierendes und/oder Strahlungsempfangendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
Die Erfindung bezieht sich auf ein Strahlungsemittierendes und/oder Strahlungsempfangendes Halbleiterbauelement mit einem Strahlungsemittierenden und/oder Strahlungsempfangenden Halbleiterchip, einem Kunststoff -Formteil, das für eine vom Halbleiterbauelement zu emittierende und/oder zu empfangende elektromagnetische Strahlung durchlässig ist und mit dem der Halbleiterchip zumindest teilweise umformt ist, und mit externen elektrischen Anschlüssen, die mit elektrischen Kontaktflächen des Halbleiterchips elektrisch verbunden sind. Sie bezieht sich weiterhin auf ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Halbleiterbauelements.
Derartige Halbleiterbauelemente sind beispielsweise aus der WO 01/50540 bekannt. Bei dem dort beschriebenen Bauelement ist ein Halbleiterchip auf einem eadframe montiert. Der Halbleiterchip und Teilbereiche des Leadframes sind mit einem spritzgepressten Kunststoff-Formkörper umhüllt. Externe e- lektrische Anschlüsse des Leadframes ragen aus dem Kunststoff-Formkörper heraus. Der Kuns stoff-Formkörper ist beispielsweise aus einem Epoxidharz gefertigt und kann anorganischen oder organischen Konversionsstoff sowie Füllstoffe enthalten.
Eine andere Art von optoelektronischen Bauelementen ist beispielsweise in der WO 99/07023 beschrieben. Bei diesen ist ein Leadframe, auf dem sich der Halbleiterchip befindet, mit einem Gehäusegrundkörper umformt, der eine reflektorartige Ausnehmung aufweist. In der Ausnehmung ist der Halbleiterchip angeordnet. Die Ausnehmung wird nach der Montage des Halbleiterchips mit einer strahlungsdurchlässigen, oftmals transparenten Vergussmasse zumindest so weit gefüllt, dass' der Halbleiterchip und ggf . ein Bonddraht vom Chip zum Leadframe mit dieser umhüllt sind. Eine bekannte Vergussmasse für solche Bauformen ist beispielsweise transparentes Epoxidgießharz . Ähnliche Bauformen sind beispielsweise aus der WO 98/12757 bekannt .
In der US 6,274,924 Bl ist eine oberflächenmontierbare LED- Gehäusebauform beschrieben, bei der ein starrer Kunststoffkörper, in dem der Halbleiterchip angeordnet und mit externen elektrischen Anschlüssen eines Leiterrahmens elektrisch verbunden ist, mit einem weichen strahlungsdruchlässigen Verkap- selungsmaterial, beispielsweise mit Silikon, gefüllt ist. Auf den Kunststoffkörper ist eine Linsenkappe aufgesetzt. Diese - Linsenkappe verleiht dem Verkapselungsmaterial einerseits eine definierte Form und verhindert andererseits dessen Herausfließen aus dem Gehäusegrundkörper. Aufgrund der vergleichsweise großen Zahl von Gehäusekomponenten erfordert diese LED- Gehäusebauform einen vergleichsweise großen Fertigungsaufwand.
.Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, ein Halbleiterbauelement der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass es einerseits technisch einfach herstellbar und andererseits insbesondere bei Einsatz von blaues Licht oder UV-Strahlung emittierenden Halbleiterchips hinreichend alterungsstabil ist.
Diese Aufgabe wird durch ein Halbleiterbauelement mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 und durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruches 9 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen des Halbleiterbauelements sind in den Ansprüchen 2 bis 8 angegeben.
Ein Strahlungsemittierendes und/oder Strahlungsempfangendes Halbleiterbauelement gemäß der Erfindung umfaßt folgende Bestandteile : einen Strahlungsemittierenden und/oder strahlungsempfan- genden Halbleiterchip, ein insbesondere spritzgegossenes oder spritzgepresstes Kunststoff-Formteil, das für eine vom Halbleiterbauelement zu emittierende und/oder zu empfangende elektromagnetische Strahlung durchlässig ist, mit dem der Halbleiterchip zumindest teilweise umformt ist und das aus einer reaktions- härtenden Silikon-Formmasse besteht, und externe elektrische Anschlüsse, die mit elektrischen Kontaktflächen des Halbleiterchips elektrisch verbunden sind.
Unter den Begriff Silikon-Formmasse fallen vorliegend nicht nur Formmassen, die ausschließlich aus Silikon bestehen, sondern auch solche mittels eines Mold-Prozesses zu Kunststoff- Formteilen verarbeitbare Forramassen, die zu einem solchen Anteil aus Silikon bestehen, dass die Alterungsstabilität der Formmasse gegenüber herkömmlichen Formmassen hinreichend verbessert ist.
Die Silikon-Formmasse weist vorzugsweise eine Aushärtezeit von gleich oder weniger als 10 Minuten auf. Dies erleichtert vorteilhafterweise die Herstellung der Halbleiterbauelemente unter Realisierung von wirtschaftlich sinnvollen Maschinen- taktzeiten.
Die Silikon-Formmasse weist im ausgehärteten Zustand bevorzugt eine Härte von gleich oder größer als 65 Shore D auf. Dadurch wird vorteilhafterweise _die Formstabilität des Kunststoff-Formteils gegenüber mechanischen Einflüssen verbessert.
Weiterhin ist die Formmasse bevorzugt ein Silikon-Composite- Material, das neben Silikon mindestens ein weiteres Material umfasst, wie beispielsweise ein Epoxidharz. Solche Composite- Materialien bieten den Vorteil, dass sie an die Anforderungen der jeweiligen Anwendung und der verwendeten Prozesse ange- passt werden können. Silikon-Epoxidharz-Composite härten beispielsweise in der Regel schneller aus als reine Silikonformmassen und besitzen eine höhere mechanische Festigkeit. Aus diesem Grund lassen sie sich meist leichter entformen und es sind kürzere Prozesszeiten möglich.
Zur Herstellung von Mischlicht emittierenden Halbleiterbauelementen enthält die Silikon-Formmasse Konvertermaterial, das zumindest einen Teil einer vom Halbleiterchip emittierten und/oder vom Halbleiterbauelement empfangenen elektromagnetischen Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs absobiert und elektromagnetische Strahlung emittiert, die aus einem zweiten Wellenlängenbereich stammt, der vom ersten Wellenlängenbereich verschieden ist. Insbesondere anorganische Leuchtstoffpulver lassen sich auf einfache Weise in Silikon- Material einmischen. Beispielhaft seien diesbezüglich Cer- dotierte Yttriumaluminiumgranat- und Cer-dotierte Terbiumaluminiumgranat-Pulver genannt. Andere geeignete anorganische Leuchtstoffe sind beispielsweise in den Druckschriften WO 01/50540 AI und WO 98/12757 AI aufgeführt, deren Offenbarungsgehalt insofern hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Bevorzugt wird ein Kunststoff-Formteil gemäß der Erfindung bei Halbleiterbauelmenten eingesetzt, die einen Halbleiter- chip aufweisen, der elektromagnetische Strahlung aus dem blauen oder ultravioletten Sprektralbereich emittiert.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist der Halbleiterchip von einem einzigen einstückigen Kuntstoff-Formteil aus reak- tionshärtender Silikon-Formmasse hergestellt. Ein Grundprinzip eines derartigen Kunststoff-Formteils ist beispielsweise in der Druckschrift WO 01/50540 beschrieben, deren Offenbarungsgehalt insofern hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Bei einer anderen bevorzugten Ausführungsform ist der Halbleiterchip auf einem Trägersubstrat oder einer Trägerfolie mit elektrischen Leiterbahnen zum elektrischen Anschließen des Halbleiterchips aufgebracht und der Halbleiterchip mit einem Kunststoff-Formteil aus reaktionshärtender Silikon- Vergussmasse eingekapselt .
Bei einem bevorzugten Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements gemäß der Erfindung wird der Halbleiterchip auf einem Leiterrahmen befestigt, der die externen elektrischen Anschlüsse aufweist, und mit den externen elektrischen Anschlüssen elektrisch verbunden. Nachfolgend wird der Halbleiterchip einschließlich Teilbereiche des Leiterrahmens mittels eines Spritzgußverfahrens oder mittels eines Spritzpressverfahrens mit einer Silikon-Formmasse umformt.
Bei einem anderen bevorzugten Verfahren wird ein Halbleiterchip auf einem Trägersubstrat oder einer Trägerfolie mit e- lektrischen Leiterbahnen zum elektrischen Anschließen des Halbleiterchips aufgebracht und mit den elektrischen Leiterbahnen elektrisch verbunden. Nachfolgend wird der Halbleiterchip auf dem Trägersubstrat bzw. der Trägerfolie mittels ei- nes Spritzgußverfahrens oder mittels eines Spritzpressverfahrens mit einer Silikon-Formmasse verkapselt.
Besonders bevorzugt findet die Erfindung Verwendung bei Strahlungsemittierenden und/oder Strahlungsempfangenden Halbleiterbauelementen mit einer Stellfläche (footprint) von etwa 0,5 mm x 1,0 mm oder weniger und/oder mit einer gesamten- Bauteilhöhe von lediglich 350 μm oder weniger, vorzugsweise 250 μm oder weniger.
Weitere Vorteile, Weiterbildungen und vorteilhafte Ausführungsformen ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren 1 bis 3 erläuterten Ausführungsbeispielen. Es zeigen:
Figur 1, eine schematische Darstellung eines Schnittes durch ein ersten Ausführungsbeispiel,
Figur 2, eine schematische Darstellung eines Schnittes durch ein zweites Ausführungsbeispiel, und
Figur 3, eine schematische Darstellung eines Schnittes durch ein drittes Ausführungsbeispiel .
In den verschiedenen Ausführungsbeispielen sind gleiche oder gleichwirkende Bestandteile jeweils gleich bezeichnet und mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren sind grundsätzlich nicht als maßstabsgerecht anzusehen. Die einzelnen Bestandteile sind grundsätzlich auch nicht mit den tatsächlichen Größenverhältnissen zueinander dargestellt. Beim ersten Ausführungsbeispiel gemäß Figur 1 handelt es sich um ein weißes Licht emittierendes Leuchtdiodenbauelement auf Leiterrahmen (Leadframe) -Basis .
Ein metallischer Leiterrahmen (Leadframe) 10, auf dem in einem Chipmontagebereich 16 ein LED-Chip 1 montiert ist, ist mit einer transparenten Silikon-Formmasse 3 umformt, aus der an zwei gegenüberliegenden Seitenflächen je ein Leadfra- meanschluß 11,12 herausragt. Die Leadfra e-Anschlüsse 11,12 stellen die externen elektrischen Anschlüsse des Leuchtdiodenbauelements dar. Innerhalb der transparenten Silikon- Formmasse 3 weist jeder der Leadframeanschlüsse 11,12 eine S- artige Biegung 14,15 von einem Chipmontagebereich 16 zu einer Montageseite 13 des Leuchtdiodenbauelements hin auf.
Der Silikon-Formmasse 3 kann zur Erhöhung des Brechungsindex mindestens ein anorganischer Füllstoff wie Ti02, Zr02 oder - Al203 beigemengt sein.
Bei dem Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdioden- Lichtquelle gemäß der Figur 1 wird der LED-Chip 1 im Chipmontagebereich 16 auf dem Leadframe 10 montiert und mit den Leadframeanschlüssen 11,12 elektrisch leitend verbunden. Die Leadframeanschlüsse 11,12 werden vor oder nach dem Montieren des Halbleiter-LED-Chips 1 mit S-artigen Biegungen 14,15 versehen. Der Halbleiter-LED-Chip 1 einschließlich der S-artigen Biegungen 14,15 des Leadframes 10 werden mittels eines Spritzpress- oder Spritzgussverfahrens mit einer transparenten Silikon-Formmasse 3 umformt. Die Silikon-Formmasse 3 wird dann noch in der Spritzpress- oder Spritzgussform zumindest teilweise gehärtet, so dass ein hinreichend formstabiles einstückiges Kunststoff-Formteil 5 gebildet wird.
Bei einer Weißlichtquelle weist der Halbleiter-LED-Chip 1 ein Emissionsspektrum auf, das im ultravioletten oder blauen Spektralbereich liegt. Vorzugsweise ist der Halbleiter-LED- Chip 1 auf der Basis von GaN oder InGaN aufgebau . Er kann jedoch alternativ auch aus dem Materialsystem ZnS/ZnSe oder aus einem anderen für diesen Spektralbereich geeigneten Materialsystem bestehen.
Nach dem Aufbringen und Kontaktieren des Halbleiter-LED-Chips 1 wird in einer geeigneten Spritzguss- oder Spritzpressapparatur eine transparente Silikon-Formmasse 3 an die Leadfra- meanschlüsse 11 und 12 angespritzt. In die Silikon-Formmasse 3 sind Leuchtstoffpartikel 4 eingebettet, die aus einem Konversionsstoff bestehen, mit dem eine mindestens teilweise Wellenlängenkonversion der von dem Halbleiter-LED-Chip 1 e- mittierten elektromagnetischen Strahlung herbeigeführt wird. Mittels dieser Wellenlängenkonversion wird ein Emissionsspektrum erzeugt, das den optischen Eindruck einer Weißlichtquelle hervorruft. Ein geeigneter Leuchtstoff für die Leucht- stoffpartikel ist beispielsweise Cer-dotiertes Yttriumaluminiumgranat- und Cer-dotiertes Terbiumaluminiumgranat-Pulver.
Die Vorfertigung des Leadframes 10 und die Umformung mit der Silikon-Formmasse 3, die gegebenenfalls die Leuchtstoffpartikel 4 und gegebenenfalls weitere Füllstoffe enthält erfolgt derart, dass die Leadframeabschnitte 11 und 12 horizontal aus dem Kunststoff-Formteil 5 herausgeführt sind, und zwar derart, dass deren Löt-Anschlussflachen 11A und 12A im Wesentlichen in derselben Ebene liegen wie die Rückseite des Kunststoff-Formteiles 5, die in der Regel die Auflagefläche des Bauelements auf einer Leiterplatte darstellt. Die Leadframeanschlüsse 11 und 12 sind hierzu vor dem Vergießen bereits in die endgültige Form gebogen. Sie weisen also die S-artigen Biegungen vom Chipanschlußbereich zur Montagefläche hin bereits vor dem Umformen auf, so dass nach dem Umformen kein Biegestress mehr auf das Bauelement ausgeübt wird. Dies ist insbesondere bei stark miniaturisierten Bauelementen mit kleinvolumigem Kunststoff-Formteil 5 von besonderem Vorteil, denn gerade hier besteht bei einer Delamination zwischen Ver- guss und Leadframe, ausgelöst beispielsweise durch Biege- stress, eine sehr große Gefahr, dass keine hermetische Dichtigkeit des fertigen Bauteils erreicht wird.
Die Silikon-Formmasse 3 weist beispielsweise eine Aushärtezeit von gleich oder weniger als 10 Minuten und im ausgehärteten Zustand eine Härte von gleich oder größer als 65 Shore D auf .
Das fertige Bauelement kann vorteilhafterweise an den ebenen horizontalen Anschlussflächen 11A und 12A auf einer Leiterplatte (Platine) im Reflow-Verfahren aufgelötet werden'. Dadurch wird ein für .die SMT- (Surface Mounting Technology) Montage geeignetes Bauelement hergestellt.
Auf gleiche Weise kann ein UN- oder blaue Strahlung detektie- rendes Photodioden-Bauelement ausgebildet werden.
Das zweite Ausführungsbeispiel gemäß Figur 2 unterscheidet sich von dem ersten Ausführungsbeispiel gemäß Figur 1 insbesondere dadurch, dass an Stelle des Leiterrahmens 10 ein e- lektrisch isolierendes Trägersubstrat 100 mit elektrischen Leiterbahnen 111,112 in Form von Metallisierungsschichten vorgesehen ist. Das Kunststoff-Formteil 5 befindet sich auf . dem Trägesubstrat 100. Dieses Bauelement kann in analoger Weise wie das erste Ausführungsbeispiel hergestellt werden.
Das dritte Ausführungsbeispiel gemäß Figur 3 ist eine Miniatur-Lumineszenzdiode, die einen flexiblen Leiterrahmen 10, einen LED-Chip 1 rnit-einem aktiven, Strahlungsemittierenden Bereich und einen Kunststoff-Formteil 5 aufweist. Der flexible Leiterrahmen 10 besteht dabei aus einer 60 μm dicken Metallfolie 101 und einer ebenfalls 60 μm dicken Kunststoff- Folie 102, die hochgenau miteinander verklebt sind. Die Kunststoff-Folie kann aus einem Silikon-Kunststoff bestehen.
Die Metallfolie 101 ist so gestanzt, dass sie eine Kathode und eine Anode definiert. Jeweils über Kathode und Anode sind Aussparungen in die Kunststoff-Folie 102 gestanzt. Der LED- Chip 1 ist mit seiner Unterseite durch eine der Aussparungen hindurch auf die Kathode gebondet . Die Anode ist über einen Bonddraht 2 durch die andere Aussparung mit der Oberseite des LED-Chips 1 verbunden.
Um auf dem flexiblen Rahmen möglichst viele Bauteile realisieren zu können, wird zum Umhüllen beispielsweise das sogenannte Cavity-to-Cavity Molding eingesetzt, mit dem über jedem flexiblen Leiterrahmen 10 ein Kunststoff-Formteil 5 hergestellt wird, das den LED-Chip 1 und den Bonddraht 2 umhüllt. Durch die Führung eines Anspritzkanals durch die Bauteile wird die Anzahl der Anspritzkanäle reduziert. Das Kunststoff-Formteil besteht aus dem gleichen Material wie das Kunststoff-Formteil der vorgenannten Ausführungsbeispiele.
Weiterhin können die Bauteile auch mit einem Array-Molding- Verfahren umhüllt werden. Beim Array-Molding werden Kavitäten des Werkzeuges gefüllt, die jeweils mehrere Bauteile umfassen. Die umspritzen Bauteile werden nach dem Erkalten der Formteile getrennt, beispielsweise durch Sägen. Die Flächendichte ist beim Array-Molding in der Regel vorteilhafterweise größer als beim Cavity-to-Cavity-Molding.
Insgesamt hat die Miniatur-Lumineszenzdiode eine Stellfläche (footprint) von etwa 0,5 mm x 1,0 mm und weist eine gesamte Bauteilhöhe von lediglich 250μm auf.
Die in der vorstehenden Beschreibung, in der Zeichnung sowie in den Ansprüchen offenbarten Merkmale der Erfindung können sowohl einzeln als auch in beliebiger Kombination für die Verwirklichung der Erfindung wesentlich sein. An Stelle des Lumineszenzdiodenchips kann ein Photodiodenchip eingesetzt sein oder ein Chip der als Lumineszenzdiode- und als Photo- Diode betrieben wird.

Claims

Patentansprüche
1. Strahlungsemittierendes und/oder Strahlungsempfangendes Halbleiterbauelement mit einem Strahlungsemittierenden und/oder Strahlungsempfangenden Halbleiterchip, einem Kunststoff-Formteil, das für eine vom Halbleiterbauelement zu emittierende und/oder zu empfangende elektromagnetische Strahlung durchlässig ist und mit dem der Halbleiterchip zumindest teilweise umformt ist, und mit externen elektrischen Anschlüssen, die mit elektrischen Kontaktflächen des Halbleiterchips elektrisch verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, dass das Kunststoff-Formteil aus einer reaktionshärtenden Silikon-Formmasse besteht.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Silikon-Formmasse eine Aushärtezeit von gleich o- der weniger als 10 Minuten aufweist.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2 , dadurch gekennzeichne , dass die Silikon-Formmasse im ausgehärteten Zustand eine Härte von gleich oder größer als 65 Shore D aufweist.
4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Silikon-Formmasse ein Silikon-Composite-Material ist .
5. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Silikon-Formmasse Konvertermaterial enthält, das zumindest einen Teil einer vom Halbleiterchip emittierten und/oder vom Halbleiterbauelement empfangenen elektromagnetischen Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs ab- sobiert und elektromagnetische Strahlung emittiert, die aus einem zweiten Wellenlängenbereich stammt, der vom ersten Wellenlängenbereich verschieden ist.
6. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterchip elektromagnetische Strahlung aus dem blauen oder ultravioletten Sprektralbereich emittiert.
7. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass es eine Stellfläche (footprint) von etwa 0,5 mm x 1,0 mm oder kleiner aufweist.
8. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass es eine gesamte Bauteilhöhe von 350 μm oder weniger, vorzugsweise 250 μm oder weniger aufweist.
9. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass - der Halbleiterchip auf einem metallischen Leiterrahmen, einem Trägersubstrat oder einer Trägerfolie befestigt, der die externen elektrischen Anschlüsse aufweist, - der Halbleiterchip einschließlich Teilbereiche des Leiterrahmens, des Trägersubstrats oder der Trägerfolie in eine Kavität einer Spritzform eingebracht werden,
- Silikon-Formmasse mittels eines Spritzgußverfahrens oder mittels eines Spritzpressverfahrens in die Kavität eingespritzt wird, und
- die Silikon-Formmasse in der Kavität zumindest derart gehärtet wird, dass ein formstabiles Kunststoff-Formteil gebildet wird.
PCT/DE2004/002738 2003-12-30 2004-12-14 Strahlungsemittierendes und/oder strahlungsempfangendes halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung WO2005064696A1 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP04802941.7A EP1700349B1 (de) 2003-12-30 2004-12-14 Verfahren zum herstellen einer mehrzahl strahlungsemittierender und/oder strahlungsempfangender halbleiterbauelemente
US10/578,854 US7666715B2 (en) 2003-12-30 2004-12-14 Radiation-emitting and/or radiation-receiving semiconductor component and method for the production thereof
JP2006545908A JP4939946B2 (ja) 2003-12-30 2004-12-14 ビーム発光型及び／又はビーム受光型半導体構成素子
KR1020067015391A KR101176672B1 (ko) 2003-12-30 2004-12-14 방사선을 방출하거나 방사선을 수신하는 반도체 소자 및 그 제조 방법
CN200480032007.6A CN1875491B (zh) 2003-12-30 2004-12-14 发射辐射和/或接收辐射的半导体组件及其制造方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2003161801 DE10361801A1 (de) 2003-12-30 2003-12-30 Strahlungsemittierendes und/oder strahlungsempfangendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10361801.5 2003-12-30
DE202004005228U DE202004005228U1 (de) 2003-12-30 2004-04-02 Strahlungsemittierendes und/oder strahlungsempfangendes Halbleiterbauelement
DE202004005228.8 2004-04-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2005064696A1 true WO2005064696A1 (de) 2005-07-14

Family

ID=34740521

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/DE2004/002738 WO2005064696A1 (de) 2003-12-30 2004-12-14 Strahlungsemittierendes und/oder strahlungsempfangendes halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7666715B2 (de)
EP (1) EP1700349B1 (de)
KR (1) KR101176672B1 (de)
TW (1) TWI275189B (de)
WO (1) WO2005064696A1 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007025515A1 (de) * 2005-08-30 2007-03-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung
EP1770796A1 (de) * 2005-09-29 2007-04-04 Osram Opto Semiconductors GmbH Strahlungsemittierendes Bauelement
CN107946377A (zh) * 2017-11-22 2018-04-20 深圳成光兴光电技术股份有限公司 一种贴片式红外线接收管

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007050608A1 (de) * 2007-10-23 2009-04-30 Infineon Technologies Ag Gehäuse für einen Halbleiter-Chip
DE102008024704A1 (de) 2008-04-17 2009-10-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils
DE102008044847A1 (de) * 2008-08-28 2010-03-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP5383611B2 (ja) * 2010-01-29 2014-01-08 株式会社東芝 Ｌｅｄパッケージ
KR101725220B1 (ko) * 2010-12-22 2017-04-10 삼성전자 주식회사 형광체 도포 방법 및 형광체 도포 장치
DE102011115150A1 (de) 2011-09-27 2013-03-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung mindestens eines strahlungsemittierenden und/oder -empfangenden Halbleiterbauteils und Halbleiterbauteil
US8907362B2 (en) 2012-01-24 2014-12-09 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods
US8896010B2 (en) 2012-01-24 2014-11-25 Cooledge Lighting Inc. Wafer-level flip chip device packages and related methods
WO2013112435A1 (en) 2012-01-24 2013-08-01 Cooledge Lighting Inc. Light - emitting devices having discrete phosphor chips and fabrication methods
DE102013220960A1 (de) * 2013-10-16 2015-04-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
WO2015119858A1 (en) 2014-02-05 2015-08-13 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods
DE102015105661B4 (de) 2015-04-14 2022-04-28 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische Vorrichtung mit einer Mischung aufweisend ein Silikon und ein fluor-organisches Additiv
EP3499560B1 (de) * 2017-12-15 2021-08-18 Infineon Technologies AG Halbleitermodul und verfahren zu dessen herstellung
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59107584A (ja) * 1982-12-13 1984-06-21 Casio Comput Co Ltd 発光ダイオ−ド
JPH04111366A (ja) * 1990-08-30 1992-04-13 Kyocera Corp 画像装置
JPH05327028A (ja) * 1992-05-26 1993-12-10 Sharp Corp 光学装置の製造方法
JPH08298345A (ja) * 1995-04-26 1996-11-12 Shichizun Denshi:Kk チップ型発光ダイオード
JPH08335719A (ja) * 1995-06-08 1996-12-17 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体発光ダイオード
US5648687A (en) * 1993-04-30 1997-07-15 Sharp Kabushiki Kaisha Resin for sealing compound semiconductor, semiconductor device, and process for manufacturing it
EP1249873A2 (de) * 2001-04-09 2002-10-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Lichtemittierende Vorrichtung
EP1267423A2 (de) * 2001-06-15 2002-12-18 Toyoda Gosei Co., Ltd. Vergussmasse für einer Leuchtdiode
JP2003051618A (ja) * 2001-08-06 2003-02-21 Rohm Co Ltd チップ型半導体発光装置
DE10214119A1 (de) * 2002-03-28 2003-10-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3444440A (en) 1964-11-27 1969-05-13 Motorola Inc Multiple lead semiconductor device with plastic encapsulation supporting such leads and associated elements
US3971747A (en) * 1975-04-11 1976-07-27 Dow Corning Corporation Curable compositions
GB2104827B (en) 1981-07-01 1985-09-11 Kras Corp Molding of electronic components
FR2645680B1 (fr) * 1989-04-07 1994-04-29 Thomson Microelectronics Sa Sg Encapsulation de modules electroniques et procede de fabrication
JP3535602B2 (ja) * 1995-03-23 2004-06-07 松下電器産業株式会社 面実装型ｌｅｄ
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US6274890B1 (en) * 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
US6088901A (en) * 1997-06-10 2000-07-18 Siemens Aktiengesellschaft Method for producing a carrier element for semiconductor chips
EP1566846B1 (de) 1997-07-29 2016-02-03 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Optoelektronisches Bauelement
JP3173586B2 (ja) * 1998-03-26 2001-06-04 日本電気株式会社 全モールド型固体撮像装置およびその製造方法
JPH11354673A (ja) * 1998-06-05 1999-12-24 Toshiba Microelectronics Corp 半導体装置
JP3857435B2 (ja) 1998-08-31 2006-12-13 ローム株式会社 光半導体素子、光半導体素子の実装構造、および光半導体素子群の包装構造
US6274924B1 (en) 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
US6521916B2 (en) * 1999-03-15 2003-02-18 Gentex Corporation Radiation emitter device having an encapsulant with different zones of thermal conductivity
US6489637B1 (en) * 1999-06-09 2002-12-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device
DE19963806C2 (de) 1999-12-30 2002-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdioden-Weißlichtquelle, Verwendung einer Kunststoff-Preßmasse zum Herstellen einer Leuchtioden-Weißlichtquelle und oberflächenmontierbare Leuchtdioden-Weißlichtquelle
JP3609709B2 (ja) 2000-09-29 2005-01-12 株式会社シチズン電子 発光ダイオード
US6686676B2 (en) * 2001-04-30 2004-02-03 General Electric Company UV reflectors and UV-based light sources having reduced UV radiation leakage incorporating the same
JP4045781B2 (ja) * 2001-08-28 2008-02-13 松下電工株式会社 発光装置
US6936855B1 (en) * 2002-01-16 2005-08-30 Shane Harrah Bendable high flux LED array
DE10228634A1 (de) * 2002-06-26 2004-01-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbare Miniatur-Lumineszenz-und/oder Photo-Diode und Verfahren zu deren Herstellung
US7915085B2 (en) * 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59107584A (ja) * 1982-12-13 1984-06-21 Casio Comput Co Ltd 発光ダイオ−ド
JPH04111366A (ja) * 1990-08-30 1992-04-13 Kyocera Corp 画像装置
JPH05327028A (ja) * 1992-05-26 1993-12-10 Sharp Corp 光学装置の製造方法
US5648687A (en) * 1993-04-30 1997-07-15 Sharp Kabushiki Kaisha Resin for sealing compound semiconductor, semiconductor device, and process for manufacturing it
JPH08298345A (ja) * 1995-04-26 1996-11-12 Shichizun Denshi:Kk チップ型発光ダイオード
JPH08335719A (ja) * 1995-06-08 1996-12-17 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体発光ダイオード
EP1249873A2 (de) * 2001-04-09 2002-10-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Lichtemittierende Vorrichtung
EP1267423A2 (de) * 2001-06-15 2002-12-18 Toyoda Gosei Co., Ltd. Vergussmasse für einer Leuchtdiode
JP2003051618A (ja) * 2001-08-06 2003-02-21 Rohm Co Ltd チップ型半導体発光装置
DE10214119A1 (de) * 2002-03-28 2003-10-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement

Non-Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 008, no. 226 (E - 272) 17 October 1984 (1984-10-17) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 016, no. 354 (E - 1242) 30 July 1992 (1992-07-30) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 018, no. 144 (E - 1521) 10 March 1994 (1994-03-10) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1997, no. 03 31 March 1997 (1997-03-31) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1997, no. 04 30 April 1997 (1997-04-30) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 2003, no. 06 3 June 2003 (2003-06-03) *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007025515A1 (de) * 2005-08-30 2007-03-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung
JP2009506556A (ja) * 2005-08-30 2009-02-12 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 表面実装可能なオプトエレクトロニクス素子及び表面実装可能なオプトエレクトロニクス素子の製造方法
EP1770796A1 (de) * 2005-09-29 2007-04-04 Osram Opto Semiconductors GmbH Strahlungsemittierendes Bauelement
US7675085B2 (en) 2005-09-29 2010-03-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation emitting component
CN107946377A (zh) * 2017-11-22 2018-04-20 深圳成光兴光电技术股份有限公司 一种贴片式红外线接收管

Also Published As

Publication number Publication date
US20070131957A1 (en) 2007-06-14
US7666715B2 (en) 2010-02-23
KR101176672B1 (ko) 2012-08-23
EP1700349B1 (de) 2017-11-01
TWI275189B (en) 2007-03-01
EP1700349A1 (de) 2006-09-13
KR20070006733A (ko) 2007-01-11
TW200525785A (en) 2005-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1700349B1 (de) Verfahren zum herstellen einer mehrzahl strahlungsemittierender und/oder strahlungsempfangender halbleiterbauelemente
DE102005041064B4 (de) Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102012109905B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauteilen
EP2577754B1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements und eines verbunds
EP1929547B1 (de) Elektromagnetische strahlung emittierendes optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
EP1516372B1 (de) Oberflächenmontierbare lumineszenz- und/oder photo-diode und verfahren zu deren herstellung
EP1794817B1 (de) Optoelektronisches bauelement und gehäuse für ein optoelektronisches bauelement
WO2001082385A1 (de) Strahlungsemittierendes halbleiterbauelement mit lumineszenzkonversionselement
WO2003005458A1 (de) Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes bauelement und verfahren zu dessen herstellung
WO2014095923A1 (de) Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauteils und optoelektronisches halbleiterbauteil
DE102014108368A1 (de) Oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10361801A1 (de) Strahlungsemittierendes und/oder strahlungsempfangendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102013100711A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Bauelemente und optoelektronisches Bauelement
WO2004017407A1 (de) Oberflächenmontierbares halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung
WO2014183800A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE102013207111B4 (de) Optoelektronisches Bauelement
DE10153615C1 (de) Verfahren zur Herstellung von elektronischen Bauteilen
WO2018172276A1 (de) Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen
DE112017005653B4 (de) Leiterrahmen, optoelektronisches Bauelement mit einem Leiterrahmen und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
WO2012013435A1 (de) Licht emittierendes halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines licht emittierenden halbleiterbauelements
DE10261672B4 (de) LED-Chip mit Konversionsstoff, optoelektronisches Bauelement mit einem derartigen LED-Chip und Verfahren zum Herstellen eines derartigen LED-Chips
DE102013022665B3 (de) Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102013022642B3 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement
WO2010043205A1 (de) Elektrischer anschlussleiter für ein halbleiterbauelement, halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines elektrischen anschlussleiters
WO2012041983A1 (de) Reflektorelement, optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines reflektorelements und eines optoelektronischen bauelements

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200480032007.6

Country of ref document: CN

AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2004802941

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2004802941

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007131957

Country of ref document: US

Ref document number: 10578854

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2006545908

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020067015391

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2004802941

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020067015391

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 10578854

Country of ref document: US