WO2005009088A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置 - Google Patents

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emitting layer
layer
phosphorescent compound
light emitting
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Yoshiyuki Suzuri
Hiroshi Kita
Aki Nakata
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Konica Minolta Holdings, Inc.
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Definitions

  • the present invention relates to an organic electroluminescence element, a lighting device, and a display device, and more particularly, to a long-life organic electroluminescence device, a lighting device, and a display device.
  • an electroluminescence display As a light-emitting electronic display device.
  • an inorganic electroluminescent element and an organic EL luminescent element (hereinafter, also referred to as an organic EL element) can be used.
  • the inorganic-emission-port luminescence device has been used as a flat light source, but a high AC voltage is required to drive the light-emitting device.
  • an organic electroluminescence device has a structure in which a light-emitting layer containing a compound that emits light is sandwiched between a cathode and an anode, and electrons and holes are injected into the light-emitting layer and recombined.
  • it since it is a self-luminous type, it has a wide viewing angle, high visibility, and is a thin-film type completely solid-state device, and is attracting attention from the viewpoint of space saving and portability.
  • an organic EL device that emits light with high luminance.
  • a stilbene derivative, a distyrylarylene derivative, or a tristyrylarylene derivative is doped with a small amount of a phosphor to improve the luminous luminance and improve the device.
  • Patent Document 1 A device having an organic light emitting layer in which an 8-hydroxyquinoline aluminum complex is used as a host compound and doped with a small amount of a phosphor (for example, Patent Document 2).
  • an element having an organic light emitting layer in which an 8-hydroxyquinoline aluminum complex is used as a host compound and doped with a quinatalidone dye is reported (for example, see Patent Document 3). ing.
  • the generation ratio of a luminescent excited species is 25% since the generation ratio between a singlet exciton and a triplet exciton is 1: 3.
  • the light extraction efficiency is about 20%, the limit of the external extraction quantum efficiency ext) is 5%.
  • Non-Patent Document 1 organic EL devices using phosphorescence from the triplet excited by Princeton are reported (for example, see Non-Patent Document 1), research on materials that exhibit phosphorescence at room temperature (for example, See Patent Literature 2 and Patent Literature 4.)
  • the upper limit of the internal quantum efficiency is 100%, so the luminous efficiency is four times as high as that of the excited singlet, and almost the same performance as a cold cathode tube is obtained. It is also applicable to applications and is attracting attention.
  • a phosphorescent device has a shorter lifetime than a fluorescent light emitting device, and an organic electroluminescent device using a phosphorescent compound as a light emitting material is continuously driven. Poor durability when moving.
  • the present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide an organic electroluminescent element, a lighting device, and a display device having a long life and high light emission efficiency. Disclosure of the invention
  • an organic EL device having at least a light emitting layer containing a phosphorescent compound between a cathode and an anode
  • the organic EL device is between the light emitting layer and the cathode and is adjacent to the light emitting layer.
  • the hole blocking layer 1 contains a phosphorescent compound, and the content of the phosphorescent compound is 0.1% of the content of the phosphorescent compound in the light emitting layer.
  • An organic electroluminescent device having a content of 1 to 50%.
  • the phosphorescent compound contained in the light emitting layer and the phosphorescent compound contained in the hole blocking layer 1 are different compounds, wherein the phosphorescent compound is a different compound.
  • Organic electoluminescence device
  • an organic electroluminescent device having at least a light emitting layer containing a phosphorescent compound between a cathode and an anode
  • the organic electroluminescent element is between the light emitting layer and the anode and is adjacent to the light emitting layer.
  • An electron blocking layer wherein the electron blocking layer contains a phosphorescent compound, and the content of the phosphorescent compound is 0.1 to 50% of the content of the phosphorescent compound in the light emitting layer.
  • Organic electroluminescent element is % Organic electroluminescent element.
  • an organic EL device having at least a light emitting layer containing a phosphorescent compound between a cathode and an anode
  • the organic EL device is located between the light emitting layer and the cathode and is adjacent to the light emitting layer.
  • the content of the phosphorescent compound is from 0 :!
  • An organic electroluminescent device wherein the content of the phosphorescent compound is 0.1 to 50% of the content of the phosphorescent compound in the light emitting layer.
  • the phosphorescent compound contained in the light-emitting layer and the phosphorescent light-containing compound contained in the hole blocking layer 1 are different from the phosphorescent compound by a force S, wherein 11.
  • the phosphorescent compound contained in the light emitting layer and the phosphorescent compound contained in the electron blocking layer 1 are the same compound, 13.
  • the phosphorescent compound contained in the light emitting layer and the phosphorescent compound contained in the electron blocking layer 1 are different compounds. Or the organic electroluminescent device according to item 1.
  • At least a light-emitting layer containing a phosphorescent compound is provided between the cathode and the anode.
  • An organic EL device having a hole blocking layer disposed between the light emitting layer and the cathode and adjacent to the light emitting layer, wherein the hole blocking layer 1 is a phosphorescent layer of the light emitting layer.
  • An organic electroluminescence device comprising a hole-blocking layer 1 containing a phosphorescent compound so as to have a phosphorescence emission of 0.1 to 50% of light emission.
  • An organic electroluminescent device having at least a light emitting layer containing a phosphorescent compound between a cathode and an anode, between the light emitting layer and the anode, and adjacent to the light emitting layer.
  • the electron blocking layer 1 so that the electron blocking layer 1 has a phosphorescence emission of 0.1 to 50% of the phosphorescence emission of the light emitting layer.
  • An organic electroluminescent luminescence device characterized by containing:
  • An organic electroluminescent device having at least a light-emitting layer containing a phosphorescent compound between a cathode and an anode, wherein the light-emitting layer is between the light-emitting layer and the cathode.
  • the hole blocking layer 1 contains a phosphorescent compound so as to have a phosphorescence emission of 0.1 to 50% of the phosphorescence emission of the electron emission layer.
  • An organic electroluminescent device comprising an electron blocking layer, wherein the electron blocking layer 1 contains a phosphorescent compound so as to have a phosphorescence emission of about 50%.
  • a display device comprising the organic electroluminescent element according to any one of the above (1) to (23).
  • a lighting device comprising the organic electroluminescent element according to any one of items 23 to 23.
  • a display device comprising: the lighting device according to the above item 25; and a liquid crystal element as a display means.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of a display device including an organic EL element.
  • FIG. 2 is a schematic diagram of a display unit.
  • FIG. 3 is a schematic diagram of a pixel.
  • FIG. 4 is a schematic diagram of a passive matrix type full color display device.
  • FIG. 5 is a schematic diagram of a lighting device.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the lighting device.
  • an organic electroluminescent device having at least a light emitting layer containing a phosphorescent compound between a cathode and an anode
  • the organic electroluminescent device is present between the light emitting layer and the cathode and is adjacent to the light emitting layer.
  • a hole blocking layer 1 is provided, and a phosphorescent compound is contained in the hole blocking layer 1.
  • the content of the phosphorescent compound in the hole blocking layer 1 is changed to the phosphorescent compound in the light emitting layer. It has been found that an organic EL device having a long life and a high luminous efficiency can be obtained by controlling the content ratio of 0.1 to 50%.
  • the present inventors set the content of the phosphorescent compound contained in the hole blocking layer 1 to 0.1 to 50% of the content of the phosphorescent compound in the light emitting layer. As a result, it has been found that holes injected into the hole blocking layer 1 can be stabilized, the deterioration of the hole blocking layer 1 can be suppressed, and the life of the device can be prolonged. In addition, they found that by increasing the recombination region, the concentration of triplet excitons can be reduced, T-T annihilation can be suppressed, and device luminous efficiency can be improved.
  • the present inventors have found that, in an organic electroluminescence device having at least a light emitting layer containing a phosphorescent compound between a cathode and an anode, the organic light emitting device is present between the light emitting layer and the anode and adjacent to the light emitting layer.
  • the electron blocking layer 1 is provided with a phosphorescent compound.
  • the content of the phosphorescent compound in the electron blocking layer 1 is 0% of the content of the phosphorescent compound in the light emitting layer. It has been found that by setting the concentration to 1 to 50%, an organic EL device having a long life and high luminous efficiency can be obtained.
  • the present inventors the content of the phosphorescent compound contained in the electron blocking layer 1, By setting the content of the phosphorescent compound in the light emitting layer to 0.1 to 50%, electrons injected into the electron blocking layer 1 are stabilized, and the deterioration of the electron blocking layer 1 is suppressed. It has been found that the life of the device can be extended. In addition, they found that by increasing the recombination region, the concentration of triplet excitons can be reduced, T-T annihilation can be suppressed, and device luminous efficiency can be improved.
  • an organic electroluminescent device having at least a light emitting layer containing a phosphorescent compound between a cathode and an anode, a positive electrode existing between the light emitting layer and the cathode and adjacent to the light emitting layer.
  • the hole blocking layer 1 is provided, and the hole blocking layer 1 is made to contain a phosphorescent compound.
  • the content of the phosphorescent compound in the hole blocking layer 1 is changed to the content of the phosphorescent compound in the light emitting layer. 0.1 to 50%, and an electron blocking layer 1 is provided between the light emitting layer and the anode, adjacent to the light emitting layer, and the electron blocking layer 1 is provided with a phosphorescent compound.
  • the content of the phosphorescent compound in the electron blocking layer 1 is set to be 0.1 to 50% of the content of the phosphorescent compound in the light emitting layer, so that the life is further extended. It has been found that an organic EL device having high luminous efficiency can be obtained. It is more preferable that the hole blocking layer 1 contains a phosphorescent compound so as to have a content of 1 to 20% of the content of the phosphorescent compound contained in the light emitting layer. An organic EL device having a longer life and high luminous efficiency can be obtained.
  • the content of the phosphorescent compound contained in the light emitting layer is as follows: More preferably, the phosphorescent compound is contained so as to have a content of up to 20%, whereby an organic EL device having a much longer life can be obtained.
  • a hole blocking layer 2 is preferably provided between the hole blocking layer 1 and the cathode and adjacent to the hole blocking layer 1.
  • an organic EL device having a longer life and a high light emission efficiency can be obtained.
  • an electron blocking layer 2 is preferably provided between the electron blocking layer 1 and the anode and adjacent to the electron blocking layer 1. As a result, an organic EL device having a longer life and a high light emission efficiency can be obtained.
  • the hole-blocking layer is a layer containing a hole-blocking material, and prevents electrons from flowing out of the light-emitting layer while transporting electrons to the light-emitting layer.
  • the probability of recombination of holes can be improved.
  • the hole blocking material is a compound that blocks holes moving from the light emitting layer and can efficiently transport electrons injected from the cathode toward the light emitting layer.
  • the physical properties required for the hole blocking material include the ionization potential I p 1 of the light emitting layer, the electron affinity E a 1, the ionization potential I p 2 of the hole blocking layer, and the electron affinity E a 2,
  • the excited triplet energy of the hole blocking material is larger than the excited triplet of the light emitting layer.
  • hole-blocking material examples include styryl compounds, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, oxadiazole derivatives, boron derivatives, carbazole derivatives, silole derivatives, and complexes such as aluminum complexes.
  • Examples of other hole blocking materials include the compounds exemplified in JP-A-2003-31367, JP-A-2003-31368, and Patent No. 2721441.
  • the electron-blocking layer is a layer containing an electron-blocking material, and prevents the outflow of electrons from the light-emitting layer while transporting holes to the light-emitting layer, thereby reducing the recombination probability of electrons and holes in the light-emitting layer. Can be improved.
  • the electron blocking material is a compound that functions to block electrons moving from the light emitting layer and can efficiently transport holes injected from the anode toward the light emitting layer.
  • the physical properties required of the electron blocking material include the ion emission potential I p 1 of the light emitting layer, the electron affinity E a 1, the ionization potential I p 3 of the electron blocking layer, and the electron affinity E a 3,
  • the excited triplet energy of the electron blocking material is larger than the excited triplet of the light emitting layer.
  • the ionization potential is defined as the energy required to emit an electron at the HOMO (highest occupied molecular orbital) level of a compound to a vacuum level.
  • the ionization potential of a film state The energy required to extract electrons from the compound, which can be measured directly by photoelectron spectroscopy.
  • ESCA Ori 00 uPS ultraviolet photoemissio nspectroscoy
  • Electron affinity is defined as the energy at which electrons in the vacuum level fall to the LUMO (lowest unoccupied molecular orbital) level of a material and stabilize,
  • Electron affinity (e V) ionization potential / I I p (e V) + band gap (e V).
  • the band gap represents the energy between HOMO and LUMO of a compound.
  • a band gap can be obtained by forming a film on a quartz substrate, measuring the absorption spectrum, and measuring the absorption spectrum.
  • electron blocking materials include triarylamine derivatives and carpazole derivatives.
  • an organic electroluminescent device having at least a light emitting layer containing a phosphorescent compound between a cathode and an anode
  • the organic electroluminescent device exists between the light emitting layer and the cathode and emits light.
  • a hole blocking layer 1 is provided adjacent to the layer, and the hole blocking layer 1 contains a phosphorescent compound so as to have a phosphorescence emission of 0.1 to 50% of the phosphorescence of the light emitting layer.
  • the present inventors include a hole-blocking layer 1 containing a phosphorescent compound so as to have a phosphorescence emission of 0.1 to 50% of the phosphorescence emission of the light-emitting layer, whereby The holes injected into the blocking layer 1 are stabilized by the emission of the phosphorescent compound contained in the hole blocking layer 1, suppressing the deterioration of the hole blocking layer 1 and extending the life of the organic EL device.
  • the concentration of triplet excitons can be reduced, the occurrence of TT annihilation can be suppressed, and the device luminous efficiency can be improved.
  • the present inventors have reduced the number of light-emitting layers containing a phosphorescent compound between a cathode and an anode.
  • the electron blocking layer 1 has a light emission 0.1 of the light emitting layer. It has been found that by incorporating a phosphorescent compound so as to have a phosphorescent emission of about 50%, an organic EL device having a long lifetime and high luminous efficiency can be obtained.
  • the electron blocking layer 1 contains a phosphorescent compound so as to have a phosphorescent emission of 0.1 to 50% of the phosphorescent emission of the light emitting layer, so that the electron blocking shoulder can be obtained.
  • the electrons injected into the electron blocking layer 1 can be stabilized by the light emission of the phosphorescent compound contained in the electron blocking layer 1, thereby suppressing the deterioration of the electron blocking layer 1 and extending the life of the organic EL device.
  • an organic electroluminescent device having at least a light emitting layer containing a phosphorescent compound between a cathode and an anode, a positive electrode existing between the light emitting layer and the cathode and adjacent to the light emitting layer.
  • a hole blocking layer 1 is provided, and the hole blocking layer 1 contains a phosphorescent compound so as to have a phosphorescent emission of 0.1 to 50% of the phosphorescent emission of the light emitting layer.
  • An electron-blocking layer 1 is provided between the anode and the light-emitting layer and is adjacent to the light-emitting layer. The electron-blocking layer 1 is configured to emit 0.1 to 50% of the phosphorescence of the light-emitting layer. It has been found that by including a photoluminescent compound, an organic EL device having a longer life and a higher luminous efficiency can be obtained.
  • the hole blocking layer 1 contains a phosphorescent compound so as to have a phosphorescence emission of 3 to 50% of the phosphorescence emission of the light emitting layer.
  • An organic EL device having high luminous efficiency can be obtained.
  • the electron blocking layer 1 contains a phosphorescent compound so as to have a phosphorescence emission of 3 to 50% of the phosphorescence of the light emitting layer.
  • An efficient organic EL device can be obtained.
  • the phosphorescence can be determined by measuring by electroluminescence.
  • a phosphorescent compound is used as a light emitting material. Thereby, high light emission efficiency can be obtained.
  • the phosphorescent compound according to the present invention can be appropriately selected from known compounds used for a light emitting layer of an organic EL device.
  • Platinum complexes such as iridium and osmium complexes and platinum complexes such as 2,3,7,8,12,13,17,18-otataethyl- 21H, 23H-porphyrin platinum complexes are also examples of the dopant.
  • a phosphorescent compound as a dopant, a light-emitting organic EL device having high internal quantum efficiency can be realized.
  • the phosphorescent compound used in the present invention is preferably a complex compound containing a Group 8 metal in the periodic table of the elements, and more preferably an iridium compound, an osmium compound, or a platinum compound (platinum compound).
  • Complex-based compounds) and rare earth complexes, among which the most preferred are the iridium compounds.
  • J. Am. Chem. SoC. 123 Vol. 4304-432 (2001), WO 00/70655, WO 02/15645, 2001-247859, JP 2001-345183, JP 2002-117978, JP 2002-170684, JP 2002-203678, JP 2002-235076, JP 2002-302671, JP
  • the phosphorescent conjugate according to the present invention has a phosphorescence quantum yield in a solution of not less than 0.001 at 25 ° C. Preferably, it is 0.01 or more. Further, it is preferably 0.1 or more.
  • the phosphorescence quantum yield can be measured by the method described in Spectroscopy II, 4th edition, Spectroscopy II, p. 398 (1992 edition, Maruzen).
  • anode in the organic EL device a material having a high work function (4 eV or more), a metal, an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof as an electrode material is preferably used.
  • an electrode substance include metals such as Au, and conductive transparent materials such as CuI, indium tin oxide (ITO), SnO 2 , and ⁇ . It may also be used IDI XO (I n 2 0 3 -ZnO) spruce amorphous in can prepare a transparent conductive film material.
  • the anode may be formed into a thin film by a method such as evaporation or sputtering of these electrode substances, and a pattern having a desired shape may be formed by a photolithography method. m or more), and a pattern may be formed via a mask having a desired shape at the time of vapor deposition or sputtering of the electrode material.
  • a pattern having a desired shape may be formed by a photolithography method. m or more
  • a pattern may be formed via a mask having a desired shape at the time of vapor deposition or sputtering of the electrode material.
  • the sheet resistance of the anode is preferably several hundred ⁇ / port or less.
  • the film thickness is selected in the range of usually 10 to 1000 nm, preferably 10 to 200 nm, depending on the material.
  • the cathode a metal having a low work function (4 eV or less) (electron injectable metal), an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof are used as the electrode material.
  • electrode material include sodium, sodium and potassium alloys, magnesium, lithium, magnesium / copper mixtures, and magnesium Z silver.
  • a mixture of an electron-injecting metal and a second metal which is a metal having a large work function and a stable work function, such as a magnesium / silver mixture, in terms of electron-injecting properties and durability against oxidation.
  • the cathode can be manufactured by forming a thin film from these electrode substances by a method such as evaporation or sputtering.
  • the sheet resistance as the cathode is preferably several hundred ⁇ / port or less, and the film thickness is generally selected in the range of 10 ⁇ to 5; ⁇ , preferably in the range of 50 to 200 nm.
  • the anode or the cathode of the organic EL element is transparent or translucent, so that the emission luminance is improved.
  • a transparent or translucent cathode can be produced by producing the above metal on the cathode in a thickness of 1 to 20 nm, and then producing the conductive transparent material described in the description of the anode thereon. By applying this, it is possible to produce a device in which both the anode and the cathode have transparency.
  • the injection layer is provided as needed, and includes a cathode buffer layer (electron injection layer) and an anode buffer layer (hole injection layer). As described above, between the anode and the light emitting layer or the hole transport layer, and between the cathode and the light emitting layer. Layer or electron transport layer.
  • One layer of a buffer is a layer provided between an electrode and an organic layer in order to lower the driving voltage and improve the luminance of light emission. “One layer of organic EL devices and their industrialization frontier (NTT, January 30, 1998) This is described in detail in Vol. 2, Chapter 2, “Electrode Materials” (pages 123 to 166) of “.Issued by S. Co., Ltd.”. There are an anode buffer layer and a cathode buffer layer.
  • anode buffer layer hole injection layer
  • copper phthalocyanine is used.
  • cathode buffer layer electro injection layer
  • Alkali metal compound buffer layer represented by lithium fluoride Alkaline earth metal compound buffer layer represented by Magnesium fluoride
  • An oxide buffer typified by aluminum may be used. It is desirable that the above-mentioned buffer layer (injection layer) is an extremely thin film, and its thickness is preferably in the range of 0.1 nm to 5 ⁇ , depending on the material.
  • the hole blocking layers are the hole blocking layer 1 and the hole blocking layer 2 described above, and prevent the outflow of holes from the light emitting layer to provide an organic EL device with high light emission luminance and high light emission efficiency.
  • the electron blocking layer is the above-described electron blocking layer 1 and electron blocking layer 2.
  • the electron blocking layer prevents the outflow of electrons from the light emitting layer, thereby forming an organic EL device having high luminance and high luminous efficiency.
  • the light emitting layer according to the present invention is a layer that contains a phosphorescent compound and emits light by recombination of injected electrons and holes.
  • the light emitting portion of the light emitting layer may be in the light emitting layer or at the interface between the light emitting layer and an adjacent layer.
  • the above-mentioned phosphorescent compound can be used.
  • the excited state of the host compound is generated by the recombination of carriers on the host compound to which the carrier can be transported.
  • Energy transfer type in which light is emitted from a phosphorescent compound by transfer to a phosphorescent compound.
  • the phosphorescent compound becomes a carrier trap and carrier recombination occurs on the phosphorescent compound to cause phosphorescence.
  • the energy of the excited state of the phosphorescent compound must be lower than the energy of the excited state of the host compound.
  • the maximum phosphorescent emission wavelength of the phosphorescent compound is not particularly limited, and in principle, the central metal, the ligand, the substituent of the ligand, and the like can be selected. Although the obtained emission wavelength can be changed, it is preferable that the phosphorescence emission wavelength of the phosphorescent compound has a maximum wavelength of the phosphorescence emission at 380 to 480 nm. Examples of devices having such a phosphorescence emission wavelength include an organic EL device that emits blue light and an organic EL device that emits white light.
  • the hole-blocking layer 1 and the electron-blocking layer 1 it is possible to extend the lifetime as an effect of the present invention without changing the light-emitting spectrum. Can be achieved.
  • a similar effect can be obtained by including a different phosphorescent compound having the same chromaticity as the light emitting layer in the hole blocking layer and the electron blocking layer.
  • the compound can be used for adjusting the chromaticity.
  • the phosphorescent compound contained in the light-emitting layer and the phosphorescent compound contained in the hole-blocking layer and the electron-blocking layer are changed in type and doping amount to emit white light. Moyore.
  • the light emitting layer may contain a host compound in addition to the phosphorescent compound.
  • the phosphor compound is a compound having a phosphorescence quantum yield of phosphorescence at room temperature (25 ° C.) of less than 0.01 among the compounds contained in the light emitting layer.
  • a plurality of known host compounds may be used in combination. By using a plurality of types of host compounds, it is possible to adjust the transfer of electric charges, and it is possible to increase the efficiency of the organic EL device.
  • JP 2002-8860 JP 2002-334787, JP 2002-15871, JP 2002-334788, JP 2002-43056, JP 2002-334789, JP 2002-75645, JP 2002 —
  • the light emitting layer may further contain a host compound having a maximum fluorescence wavelength as the host compound.
  • a host compound having a maximum fluorescence wavelength is one having a high fluorescence quantum yield in a solution state.
  • the fluorescence quantum yield is preferably 10% or more, particularly preferably 30% or more.
  • host compounds having a fluorescence maximum wavelength include coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, croco-dye dyes, squarium dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, and rhodamine dyes.
  • Dyes, pyridium dyes, perylene dyes, stilbene dyes, polythiophene dyes and the like can be mentioned.
  • the fluorescence quantum yield can be measured by the method described in Spectroscopy II, pp. 3652 (1992 edition, Maruzen) of the 4th edition of Experimental Chemistry Lecture 7.
  • the light emitting layer can be formed by forming the above compound by a known thin film forming method such as a vacuum evaporation method, a spin coating method, a casting method, an LB method, and an ink jet method.
  • the thickness of the light-emitting layer is not particularly limited, but is usually selected in the range of 5 nm to 5 ⁇ , preferably 5 nm to 200 nm.
  • the light-emitting layer may have a single-layer structure composed of one or more of these phosphorescent compounds or host compounds, or a laminated structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions. You may.
  • the hole transport layer is made of a hole transport material having a function of transporting holes.
  • a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer.
  • the hole transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.
  • the hole transporting material has any of hole injection or transport and electron barrier properties, and may be any of an organic substance and an inorganic substance.
  • triazole derivatives oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, virazoline derivatives and pyrazoopene derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives And hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline-based copolymers, and conductive polymer oligomers, especially thiophene oligomers.
  • the hole transport material it is preferable to use a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound and a styrylamine compound, particularly an aromatic tertiary amine compound, which can use the above-mentioned ones.
  • aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N ', N'-tetraphenyl-1,4'-diaminophenole; N, ⁇ ' diphenynole ⁇ , N'-bis (3-methinolefenole) — [1,1'-biphenenole] -4, 4 'diamine (TPD); 2,2-bis (4-di- ⁇ -tolylaminophenyl) propane; 1,1-bis (4-di- ⁇ -tolylaminophenyl) cyclohexane; ⁇ , ⁇ , N ', N'—tetra- ⁇ -tolyl-4,4'-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di- ⁇ -torinoleaminophenii_; re) Norecyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-1
  • No. 5,061,569 for example, 4, ⁇ ′-bis [ ⁇ — ( 1-naphthyl) -1-phenylamino] biphenyl (NPD), 4, 4,, 4 in which three triphenylamine units described in JP-A-4-1308688 are connected in a starburst type One Tris [N— (3-Methylphene) One N-Pheninorea] Triphenylamine (MTDATA) and the like.
  • the hole transport layer is formed by thinning the above hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, and an LB method. Can be.
  • a vacuum deposition method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, and an LB method.
  • the thickness of the hole transport layer There is no particular limitation on the thickness of the hole transport layer. Force Normally, the thickness is about 5 nm to 5 m, and preferably 5 to 200 nm.
  • the hole transport layer may have a single-layer structure made of one or more of the above materials.
  • the electron transport layer is made of a material having a function of transporting electrons.
  • the electron transport layer includes an electron injection layer and a hole blocking layer.
  • the electron transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.
  • any material may be used as long as it has a function of transmitting electrons injected from the cathode to the light emitting layer.
  • any material can be selected from conventionally known compounds. Examples thereof include nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyrandioxide derivatives, carbodiimides, fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethane and phanthrone derivatives, and oxadiazole derivatives.
  • a thiadiazole derivative in which an oxygen atom of the oxaziazole ring is substituted with a sulfur atom, and a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron withdrawing group can also be used as the electron transporting material.
  • a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain, or a polymer material in which these materials are used as a polymer main chain can also be used.
  • metal complexes of 8-quinolino / le derivatives such as tris (8-quinolinol) anolemminium (A1q), tris (5,7-dichloromethyl-1-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-1) 8—quinolinol) aluminum, tris (2 -Methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methinole 8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), etc., and the central metals of these metal complexes are In, Mg, Cu, Ca Metal complexes replaced with Sn, Ga, or Pb can also be used as electron transport materials.
  • metal-free or metal phthalocyanine or those whose terminals are substituted with an alkyl group ⁇ sulfonic acid group or the like can be preferably used as the electron transporting material.
  • the distyryl virazine derivative exemplified as the material of the light emitting layer can be used as the electron transporting material.
  • n-type Si, n-type An inorganic semiconductor such as SiC can also be used as the electron transport material.
  • the electron transport layer can be formed by thinning the above electron transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, and an LB method. .
  • the thickness of the electron transport layer is not particularly limited. Force Normally 5 nm to 5 im, preferably 5 to 200 nm.
  • the electron transport layer may have a single-layer structure made of one or more of the above materials.
  • Substrate also referred to as substrate, substrate, support, etc.
  • the organic EL device of the present invention is preferably formed on a substrate.
  • the substrate that can be used in the organic EL device of the present invention is not particularly limited in the type of glass, plastic, and the like, and is not particularly limited as long as it is transparent. Examples thereof include glass, quartz, and a light-transmitting resin film.
  • a particularly preferred substrate is a resin film capable of providing the organic EL ′ element with flexipurity.
  • resin films examples include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyethersulfone (PES), and polyetherenole.
  • PET polyethylene terephthalate
  • PEN polyethylene naphthalate
  • PES polyethersulfone
  • polyetherenole examples include mid, polyether ether ketone, polyphenylene sulfide, polyarylate, polyimide, polycarbonate (PC), senorelostriacetate (TAC), cellulose acetate propionate (CAP), and the like.
  • an inorganic or organic coating or a hybrid coating of the coating may be formed on the surface of the resin film.
  • the external extraction efficiency of the organic electroluminescent device of the present invention for light emission at room temperature is preferably 1% or more, more preferably 5% or more.
  • the external extraction quantum efficiency (%) the number of photons emitted outside the organic EL device / the number of electrons flowing into the organic EL device x 100.
  • a hue improvement filter such as a color filter may be used in combination, or a color conversion filter for converting the emission color of the organic EL element into multiple colors using a phosphor may be used in combination.
  • L max of light emission of the organic EL device is preferably 480 nm or less.
  • anode Z anode buffer / hole transport layer / electron blocking layer 2 / electron blocking layer 1 light emitting layer / hole blocking layer 1 Z hole blocking layer 2 / electron A method for fabricating an organic EL device composed of a transport layer / a cathode buffer layer / a cathode will be described.
  • a thin film made of a desired electrode material for example, a material for an anode
  • a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a thickness of 1 ⁇ m or less, preferably 10 to 20 O nm.
  • an anode buffer layer which is an organic EL element material, a hole transport layer, an electron blocking layer 2, an electron blocking layer 1, a light emitting layer, a hole blocking layer 1, a hole blocking layer 2, and an electron transport layer.
  • Layer, cathode buffer, one organic compound thin film formed Make it.
  • a method for thinning the organic compound thin film there are a vapor deposition method and a wet process (spin coating method, casting method, ink jet method, printing method) as described above, but a uniform film is easily obtained, and From the viewpoint that holes are hardly generated, a vacuum evaporation method, a spin coating method, an ink jet method, and a printing method are particularly preferable. Further, a different film forming method may be applied to each layer.
  • the deposition conditions may vary due to kinds of materials used, generally boat temperature 5 0 ⁇ 4 5 0 ° C, vacuum degree of 1 0- 6 ⁇ 1 0- 2 P a, vapor deposition rate: 0.01 to 5 O nm / sec, substrate temperature: 50 to 300 ° C, film thickness: 0.111 m to 5 ⁇ m, preferably 5 to 200 nm. It is desirable to select one as appropriate.
  • a thin film composed of a cathode material is formed thereon by a method such as evaporation or sputtering so as to have a thickness of 1 m or less, preferably in the range of 50 to 200 nm.
  • a desired organic EL device can be obtained.
  • a shadow mask is provided only when the light-emitting layer is formed, and since the other layers are common, a pattern mask such as a shadow mask is not required, and a vapor deposition method, a casting method, and a spin coating method are applied to one surface.
  • the film can be formed by an ink jet method, an ink jet method, a printing method, or the like.
  • the method is not particularly limited, but is preferably a vapor deposition method, an ink jet method, or a printing method.
  • a vapor deposition method When using an evaporation method, patterning using a shadow mask is preferable.
  • the semiconductor device by reversing the manufacturing order.
  • the multiplicity obtained in this way When a DC voltage is applied to a color display device, light emission can be observed by applying a voltage of about 2 to 40 V with the anode being + and the cathode being of one polarity.
  • an AC voltage may be applied.
  • the waveform of the applied alternating current may be arbitrary.
  • the display device of the present invention can be used as a display device, a display, and various light-emitting light sources.
  • full-color display becomes possible by using three types of organic EL elements, blue, red and green.
  • Display devices and displays include televisions, personal computers, mopile devices, AV devices, teletext displays, and information displays in automobiles.
  • it may be used as a display device for reproducing still images or moving images, and when used as a display device for reproducing moving images, the driving method may be either a simple matrix (passive matrix) method or an active matrix method.
  • the lighting device of the present invention can be used for home lighting, car interior lighting, pack lights for watches and liquid crystals, signboard advertisements, traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electrophotographic copiers, light sources for optical communication processors, and optical sensors.
  • One light source may be used, but the present invention is not limited to this.
  • the organic EL device according to the present invention may be used as an organic EL device having a resonator structure.
  • the intended use of the organic EL device having such a resonator structure is, for example, a light source of an optical storage medium, a light source of an electrophotographic copying machine, a light source of an optical communication processor, a light source of an optical sensor, and the like. Not limited to.
  • laser oscillation may be used for the above purpose.
  • the organic EL device of the present invention may be used as a kind of lamp for illumination or an exposure light source, a projection device of an image projection type, or a still surface image or a moving image. May be used as a display device (display) of a type that allows the user to directly view and view the image.
  • the driving method may be either a simple matrix (passive matrix) method or an active matrix method.
  • a full-color display device can be manufactured by using three or more kinds of the organic EL elements of the present invention having different emission colors.
  • the Lmax of the organic EL emission may be less than 480 nm. preferable.
  • FIG. 1 is a schematic diagram illustrating an example of a display device including an organic EL element.
  • FIG. 2 is a schematic view of a display of a mobile phone or the like, for example, which displays image information by light emission of an organic EL element.
  • the display 1 includes a display unit A having a plurality of pixels, a control unit B for scanning the display unit A based on image information, and the like.
  • the control unit B is electrically connected to the display unit A, and sends a scanning signal and an image data signal to each of a plurality of pixels based on image information from the outside.
  • the image is scanned and the image information is displayed on the display unit A by sequentially emitting light according to the signal.
  • FIG. 2 is a schematic diagram of the display unit A.
  • the display unit A has a wiring portion including a plurality of scanning lines 5 and data lines 6 and a plurality of pixels 3 on a substrate.
  • the main members of the display unit A will be described below.
  • the scanning lines 5 and the plurality of data lines 6 in the wiring section are each made of a conductive material, and the scanning lines 5 and the data lines 6 are orthogonal to each other in a grid pattern and are connected to the pixels 3 at orthogonal positions (see the figure for details). Not shown).
  • the pixel 3 When the scanning signal is applied from the scanning line 5, the pixel 3 receives the image data signal from the data line 6, and emits light according to the received image data.
  • the pixel 3 By appropriately arranging pixels in the red, green, and blue light emission colors on the same substrate, a full-color display is possible.
  • FIG. 3 is a schematic diagram of a pixel.
  • the pixel includes an organic EL element 10, a switching transistor 11, a driving transistor 12, a capacitor 13, and the like.
  • Full-color display can be performed by using red, green, and blue light-emitting organic EL elements as the organic EL elements 10 for a plurality of pixels and juxtaposing them on the same substrate.
  • an image data signal is applied from the control unit B to the drain of the switching transistor 11 via the data line 6.
  • the scan signal is applied from the control unit B to the gate of the switching transistor 11 via the scanning line 5
  • the driving of the switching transistor 11 is turned on, and the image data signal applied to the drain is copied.
  • the driving transistor 1.2 has a drain connected to the power supply line 7, a source connected to the electrode of the organic EL element 10, and a power supply line 7 corresponding to the potential of the image data signal applied to the gate. Supplies a current to the organic EL element 10 from.
  • the driving of the switching transistor register 11 is turned off. Therefore, even if the drive of the switching transistor 11 is turned off, the capacitor 13 holds the potential of the charged image data signal, so that the drive of the drive transistor 12 is kept on and the next scan is performed. ⁇ ⁇ The light emission of the organic EL element 10 continues until the signal is applied.
  • the driving transistor 12 is driven according to the potential of the next image data signal synchronized with the scanning signal, and the organic EL element 10 emits light.
  • the light emission of the organic EL element 10 is provided by providing a switching transistor 11 and a drive transistor 12 which are active elements to the organic EL element 10 of each of the plurality of pixels, and The organic EL element 10 emits light.
  • a light emitting method is called an active matrix method.
  • the light emission of the organic EL element 10 may be light emission of a plurality of gradations by a multi-valued image data signal having a plurality of gradation potentials, or a predetermined light emission amount may be turned on by a binary image data signal. It may be off.
  • the holding of the potential of the capacitor 13 may be continued until the next scan signal is applied, or may be discharged immediately before the next scan signal is applied.
  • the present invention is not limited to the active matrix method described above, and may employ a passive matrix light emission drive in which the organic EL element emits light in response to a data signal only when a scanning signal is scanned.
  • FIG. 4 is a schematic diagram of a display device based on the passive matrix method.
  • a plurality of scanning lines 5 and a plurality of image data lines 6 are provided in a lattice shape so as to face each other with the pixel 3 interposed therebetween.
  • the scanning signal of the scanning line 5 is applied by the sequential scanning, the pixels 3 connected to the applied scanning line 5 emit light according to the image data signal.
  • the pixel 3 has no active element, and the manufacturing cost can be reduced.
  • the ITO transparent electrode After patterning the substrate (NA45, manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.) on a glass substrate of 10 OmmX 10 OmmX 1.1 mm with ITO (indium tin oxide) formed as a 100 nm anode, the ITO transparent electrode
  • the transparent support substrate provided with was cleaned by ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, dried by dry nitrogen gas, and cleaned by UV ozone for 5 minutes.
  • This transparent support substrate is fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum evaporation system, while 200 mg of NPD is placed in a molybdenum resistance heating boat, 200 mg of CBP is placed in another molybdenum resistance heating boat, and another molybdenum resistance heating boat is placed.
  • port I r one 1 put 10 Omg to put 200 mg Paso cupro-in (B CP) in a third resistive heating molybdenum boat, the Al q 3 placed 200mg yet another Moripuden resistance heating boat, vacuum deposition apparatus Attached to.
  • the heating boat containing CBP and Ir-1 was energized and heated, and each was deposited.
  • a 30 nm light emitting layer was provided by co-evaporation on the hole transport layer at a rate of 0.1 nm / sec and 0.006 nm / sec.
  • the heating boat containing BCP and Ir-11 was energized and heated, and was co-evaporated on the light emitting layer at a deposition rate of 0.2 nm / sec and 0.001 ⁇ / sec, respectively.
  • nm hole blocking layer 1 was provided.
  • the heating boat containing Alq 3 was further energized and heated, and deposited on the hole blocking layer 1 at a deposition rate of 0.1 nm / sec to provide an electron transporting layer having a thickness of 30 nm.
  • the substrate temperature at the time of vapor deposition was room temperature.
  • the hole blocking layer 1 was formed by evaporating only BCP without using Ir-11 (evaporation rate: 0.2 nm / sec, thickness: 20 nm) Prepared organic EL elements 1-2 in the same manner as in organic EL element 1-1.
  • a substrate NA45 manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.
  • ITO indium dimethyl oxide
  • the transparent support substrate provided with the ITO transparent electrode was subjected to ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.
  • This transparent support substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum evaporation apparatus, while 200 mg of NPD was placed in a molybdenum resistance heating boat, and 200 mg of compound 1 was placed in another molybdenum resistance heating boat.
  • the pressure in the vacuum chamber was reduced to 4 ⁇ 10-4 Pa, and the heating boat containing the NPD was energized and heated, and was vapor-deposited on a transparent support substrate at a vapor deposition rate of 0.1 nmZ sec.
  • a hole transport layer was provided.
  • the heating boat containing compound 1 and Ir-12 was energized and heated, and was co-deposited on the hole transport layer at a deposition rate of 0.2 nm / sec and 0.0004 ⁇ m / sec, respectively, to 20 nm.
  • the electron blocking layer 1 was provided.
  • the heating boat containing the compound 2 and I- 112 was heated by applying current, and co-deposited on the electron blocking layer 1 at a deposition rate of 0.1 nm / sec and 0.006 nm / sec, respectively, to obtain a thickness of 30 nm.
  • a deposition rate of 0.1 nm / sec and 0.006 nm / sec, respectively was provided.
  • the heating boat containing the iris compound 3 and Ir-12 was energized and heated, and was co-deposited on the light emitting layer at a deposition rate of 0.2 nm / sec and 0.0001 nm / sec, respectively.
  • a hole blocking layer 1 of 20 nm was provided.
  • the heating port containing Alq 3 was energized and heated, and deposited on the hole blocking layer 1 at a deposition rate of 0.1 nm / sec to provide an electron transporting layer having a thickness of 30 nm.
  • the substrate temperature at the time of vapor deposition was room temperature.
  • OmmX 10 OmmX 1.1 A substrate with 100 nm ITO (indium dimethyl oxide) formed on a 1 mm glass substrate (NA45 from NH Techno Glass) After patterning, the transparent support substrate provided with the jTO transparent electrode was subjected to ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.
  • ITO indium dimethyl oxide
  • This transparent support substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum evaporation system, while 200 mg of NPD was placed in a molybdenum resistance heating boat, 200 mg of compound 1 was placed in another molybdenum resistance heating boat, and another Add 20 Omg of Compound 2 to the resistance heating port, put 1 O Omg of Ir-12 in another molybdenum resistance heating boat, and 200 mg of Compound 3 in another molybdenum resistance heating boat, and add another ⁇ Lipden the a lq 3 placed 200mg in manufacturing resistive heating boat was attached to a vacuum deposition apparatus.
  • the pressure in the vacuum chamber was reduced to 4 ⁇ 10-4 Pa, and the heating boat containing the NPD was energized and heated, and was vapor-deposited on a transparent support substrate at a vapor deposition rate of 0.1 nmZs ec.
  • a hole transport layer was provided.
  • the heating boat containing Compound 1 was energized and heated, and deposited on the hole transport layer at a deposition rate of 0.1 nm / sec to provide a 10 nm electron blocking layer 2.
  • the heating boat containing the compound 1 and Ir-112 was energized and heated, and was co-evaporated on the light emitting layer at a deposition rate of 0.2 nm / sec and 0.000 ⁇ m / sec, respectively.
  • An electron blocking layer 1 of nm was provided.
  • the heating boat containing the conjugated substance 2 and Ir-12 was heated by being energized, and co-deposited on the electron blocking layer 1 at a deposition rate of 0.111 mZ sec and 0.006 nm / sec, respectively. To provide a 30 nm light emitting layer.
  • the heating boat containing compound 3 and Ir-112 was energized and heated, and co-deposited on the light emitting layer at a deposition rate of 0.2 nmZ sec and 0.001 nm / sec, respectively.
  • a 10 nm hole blocking layer 1 was provided.
  • the heating boat containing the compound 3 was energized and heated to provide a hole blocking layer 2 having a thickness of 10 nm on the hole blocking layer 1.
  • the heating boat containing A 1 q 3 was energized and heated, and was deposited on the hole blocking layer 2 at a deposition rate of 0.1 nm / sec to provide an electron transporting layer having a thickness of 3 O nm. .
  • the substrate temperature at the time of vapor deposition was room temperature.
  • the electron blocking layer 1 was formed by evaporating only the compound 1 without using Ir ⁇ 12 (evaporation rate: 0.2 nm / sec, thickness: 20 nm) Except that the hole blocking layer 1 was formed by evaporating only the compound 3 without using Ir-12 (evaporation rate: 0.2 nm / sec, thickness: 20 nm).
  • Organic EL elements 1 to 5 were produced in the same manner as EL elements 1 to 3.
  • the transparent support substrate provided with the ITO transparent electrode was ultrasonically washed with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV azo washing for 5 minutes.
  • This transparent support substrate was fixed to the substrate holder of a commercially available vacuum evaporation system, while 200 mg of NPD was placed in a molybdenum resistance heating boat, 200 mg of compound 1 was placed in another molybdenum resistance heating boat, and another Add 20 Omg of Compound 2 to the molybdenum resistance heating port, add 1 r O-1 to another molybdenum resistance heating boat, and 1 l O Omg to another molybdenum resistance heating boat.
  • pressure in the vacuum tank was reduced to 4 X 10 one 4 P a, and heated by supplying an electric current to the boat containing the NPD, it was deposited on the transparent supporting substrate at a deposition rate of 0. 1 nm / sec 25 nm positive A hole transport layer was opened.
  • the heating boat containing Compound 1 was energized and heated, and deposited on the hole transport layer at a deposition rate of 0.1 nm / sec to provide an electron blocking layer 2 of 10 nm.
  • the heating boat containing Compound 1 and Ir-12 was energized and heated, and each was co-deposited on the light emitting layer at a deposition rate of 0.1 nm / sec. Layer 1 was provided.
  • the heating boat containing Compound 2 and Ir-1 was further energized and heated, and co-deposited on the electron blocking layer 1 at a deposition rate of 0.1 nm / sec and 0.006 nm / sec, respectively.
  • a light emitting layer of nm was provided.
  • the heating boat containing the compound 3 and Ir-7 was energized and heated, and co-deposited on the light emitting layer at a deposition rate of 0.1 nmZsec and 0.0003 nmZsec, respectively, to form a 10 nm positive electrode.
  • a hole blocking layer 1 was provided.
  • the heating boat containing the compound 3 was energized and heated to provide a hole blocking layer 2 having a thickness of 10 nm on the hole blocking layer 1.
  • an electron transporting layer having a thickness of 3 On m was deposited on the HBL 2 at a deposition rate of 0. 1 nm / sec .
  • the substrate temperature at the time of vapor deposition was room temperature.
  • 10 OmmX 10 OmmX 1 As a positive electrode, 10 OmmX 10 OmmX 1. After patterning on a substrate (NA45, manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.) on which a film of ITO (indium dimethoxide) was formed on a glass substrate with a thickness of 10 Onm, the ITO The transparent support substrate provided with the transparent electrodes was ultrasonically washed with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and washed with UV ozone for 5 minutes.
  • a substrate NA45, manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.
  • ITO indium dimethoxide
  • This transparent support substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum evaporation system.
  • 200 mg of NPD was placed in a molybdenum resistance heating boat, and 200 mg of Compound 1 was placed in another molybdenum resistance heating boat, and another molybdenum 200 mg of Compound 2 in a resistance heating boat, Ir-l l O Omg in another molybdenum resistance heating boat, Ir-12 in another molybdenum resistance heating boat, l O Omg in another molybdenum resistance heating boat the I r one 7 placed l O Omg Den resistance heating boat, put 200 mg of compound 3 in a third resistive heating molybdenum baud DOO, further 200 mg insertion of a 1 q 3 in a third resistive heating molybdenum boat Attached to a vacuum evaporation device.
  • pressure in the vacuum tank was reduced to 4 X 10- 4 P a, and heated by supplying an electric current to the boat containing the NPD, it was deposited on the transparent supporting substrate at a deposition rate of 0. l nm / sec 25 nm positive A hole transport layer was provided.
  • the heating port containing compound 1 was energized and heated, and was deposited on the hole transport layer at a deposition rate of 0.1 nm / sec to provide a 20 nm electron blocking layer 1.
  • the heating boat containing Compound 2, Ir-1 and Ir-l2 was energized and heated, and the vapor deposition rate was 0.1 In / sec, 0.004 nm / sec, and 0.003 nm / sec, respectively. Then, a 30 nm light emitting layer was provided by co-evaporation on the electron blocking layer 1.
  • the heating boat containing the iris 3 and Ir-7 was energized and heated.
  • a 10 nm hole blocking layer 1 was provided by co-evaporation on the light emitting layer at a deposition rate of 0.1 nm / sec and 0.0003 nm / sec.
  • the heating boat containing the compound 3 was energized and heated to provide a 10 nm hole blocking layer 2 on the hole blocking layer 1.
  • an electron transporting layer having a thickness of 30 nm was deposited on the HBL 2 at a deposition rate of 0. 1 nm / sec.
  • the substrate temperature at the time of vapor deposition was room temperature.
  • 0.5 nm of lithium fluoride was vapor-deposited as one layer of a cathode buffer, and further, 110 nm of aluminum was vapor-deposited to form a cathode, thereby producing an organic EL element 117.
  • This transparent support substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum evaporation system, while 200 mg of NPD was placed in a molybdenum resistance heating boat, 200 mg of Compound 1 was placed in another molybdenum resistance heating boat, and another molybdenum Put 20 Omg of Compound 2 into the resistance heating port, put 1 11 O Omg into another molybdenum resistance heating boat, and put 12 I l O Omg into another molybdenum resistance heating boat.
  • Ir-7 is added to a molybdenum resistance heating boat, 200 mg of compound 3 is added to another molybdenum resistance heating boat, and A1q3 is added to another molybdenum resistance heating boat at 20 Gm. g, and attached to a vacuum evaporation apparatus.
  • the pressure in the vacuum chamber was reduced to 4 ⁇ 10-4 Pa, and then the heating bowl containing NPD was removed.
  • the substrate was heated by applying a current, and was deposited on a transparent support substrate at a deposition rate of 0.1 nm / sec to provide a 25 nm hole transport layer. Further, the heating boat containing Compound 1 was energized and heated, and deposited on the hole transport layer at a deposition rate of 0.1 nm / sec to provide a 20 nm electron blocking layer 1.
  • the heating boat containing Compound 2, Ir-1, Ir-17 and Ir-12 was energized and heated, and the vapor deposition rate was 0.1 nm / sec, 0.004 nm / sec, and 0, respectively. 003 nm / sec, 0.002 nm / sec was co-deposited on the electron blocking layer 1 to provide a 30 nm light emitting layer.
  • the heating boat containing the compound 3 was energized and heated, and vapor-deposited on the light emitting layer at a vapor deposition rate of 0.1 nm / sec to provide a hole blocking layer 1 of 1011 m.
  • the heating boat containing the compound 3 was energized and heated to provide a hole blocking layer 2 having a thickness of 10 nm on the hole blocking layer 1. Further, the heating boat containing A 1 q 3 was energized and heated, and was deposited on the hole blocking layer 2 at a deposition rate of 0.1 nm / sec to provide an electron transporting layer having a thickness of 3 O nm. .
  • the substrate temperature at the time of vapor deposition was room temperature.
  • the fabrication method is the same as for the organic EL device 1-1.
  • the dopant is fluorene, which is a fluorescent dopant. (10) Fabrication of organic EL device 1-10
  • the fabrication method is the same as for the organic EL device 1-2.
  • the dopant in the light-emitting layer is fluorene, which is a fluorescent dopant.
  • the preparation method is the same as for the organic EL element 1-2.
  • the dopant is fluorene, a fluorescent dopant.
  • the quantum efficiency (%) taken out from the fabricated organic EL device when a constant current of 2.5 mA Zcm 2 was applied at 23 ° C in a dry nitrogen gas atmosphere was measured.
  • a spectral radiance meter CS-1000 Minolta was used.
  • the luminescence lifetime measurement results in Table 2 show the relative values for the organic EL elements 1-1 and 1-2 assuming that the measured value of the organic EL elements 1-2 is 100, and the organic EL elements 113-: For I-5, it is expressed as a relative value when the measured value of organic EL element 1-5 is 100, and for organic £ 1 ⁇ elements 1-6 to 1-8, the measured value of organic EL element 1-8 Of the organic EL elements 1-9 and 1-10 was expressed as a relative value when the measured value of the organic EL element 1-10 was set to 100.
  • Table 2 shows that the organic EL device of the present invention has a long life.
  • the organic EL device 114 manufactured in Example 1 was used.
  • the organic EL device 1-1 manufactured in Example 1 was used.
  • FIG. 1 Only a schematic diagram of the display section A of the apparatus is shown. That is, a wiring portion including a plurality of scanning lines 5 and data lines 6 and a plurality of pixels 3
  • the pixels of the red region, the pixels of the green region, the pixels of the blue region, etc.), and the scanning line 5 and the plurality of data lines 6 of the wiring portion are made of a conductive material, respectively. 6 is orthogonal to the grid, and is connected to the pixel 3 at an orthogonal position (details not shown).
  • the plurality of pixels 3 are driven by an active matrix method including an organic EL element corresponding to each emission color, a switching transistor as an active element, and a driving transistor, and a scanning signal from a scanning line 5. Is applied, an image data signal is received from the data line 6, and light is emitted according to the received image data. In this way, a full-color display device was manufactured by juxtaposing the red, green, and blue pixels appropriately.
  • the non-light-emitting surface of the organic EL element 116 was covered with a glass case to provide a lighting device.
  • the illuminating device was able to be used as a thin illuminating device that emits white light with high emission luminance and luminous efficiency and long life.
  • FIG. 5 is a schematic diagram of the lighting device
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the lighting device.
  • an organic electroluminescence element a lighting device, and a display device having a long life can be provided.

Abstract

陰極と陽極との間にリン光性化合物を含有する発光層を少なくとも有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記発光層と前記陰極との間にあり、前記発光層に隣接して正孔阻止層1を有し、前記正孔阻止層1がリン光性化合物を含有し、該リン光性化合物の含有率が前記発光層のリン光性化合物の含有率の0.1～50%であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

Description

明細書 有機エレクトロルミネッセンス素子、 照明装置及び表示装置 技術分野
本発明は、 有機エレクトロルミネッセンス素子、 照明装置、表示装置に関し、 詳 しくは長寿命である有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置、及び表示装置 に関する。 背景技術
従来、発光型の電子ディスプレイデバイスとして、エレクトロルミネッセンスデ イスプレイ （E L D) がある。 E L Dの構成要素としては、 無機エレクトロノレミネ ッセンス素子や有機ェレク ト口ルミネッセンス素子（以後、有機 E L素子ともいう） が拳げられる。無機ェレクト口ルミネッセンス素子は平面型光源として使用されて きたが、 発光素子を駆動させるためには交流の高電圧が必要である。
—方、有機エレクトロノレミネッセンス素子は、発光する化合物を含有する発光層 を陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させ ることにより励起子 (エキシトン) を生成させ、 このエキシトンが失活する際の光 の放出 （蛍光 ·りん光） を利用して発光する素子であり、 数 V〜数十 V程度の電圧 で発光が可能であり、 更に自己発光型であるために視野角に富み、 視認 1生が高く、 薄膜型の完全固体素子であるために、省スペース、携帯性等の観点から注目されて いる。
今後の実用化に向けた有機 E L素子の開発としては、更に低消費電力で効率よく 高輝度に発光する有機 EL素子が望まれているわけであり、例えば、スチルベン誘 導体、ジスチリルァリーレン誘導体又はトリススチリルァリーレン誘導体に、微量 の蛍光体をドープし、 発光輝度の向上、 素子の長寿命化を達成する技術 （例えば、 特許文献 1参照。） 力 また 8—ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホスト化 合物として、 これに微量の蛍光体をドープした有機発光層を有する素子 （例えば、 特許文献 2参照。） 、 更に、 8—ヒ ドロキシキノリンアルミニウム錯体をホス ト 化合物として、 これにキナタリ ドン系色素をドープした有機発光層を有する素子 (例えば、 特許文献 3参照。） が報告されている。
上記文献に開示されている技術では、励起一重項からの発光を用いる場合、一重 項励起子と三重項励起子の生成比が 1： 3であるため発光性励起種の生成確率が 2 5 %であることと、光の取り出し効率が約 20 %であるため、外部取り出し量子効 率 e x t) の限界は 5%とされている。
ところ力 プリンストン大ょり励起三重項からのりん光発光を用いる有機 E L素 子の報告 （例えば、 非特許文献 1参照。） がされて以来、 室温でりん光を示す材料 の研究 （例えば、 非特許文献 2、 特許文献 4参照。） が活発になってきている。 励起三重項を使用すると、内部量子効率の上限が 100%となるため、励起一重 項の場合に比べて原理的に発光効率が 4倍となり、冷陰極管とほぼ同等の性能が得 られ、 照明用にも応用可能であり注目されている。
Th e 10 t h I n t e r n a t i o n a l Wo r k s h o p o n I n o r g a n i c a n d O r g a n i c' E l e c t r o l um i n e s c e n c e (EL ' 00、 浜松） では、 燐光性化合物についていくつかの報告 がなされている。例えば、 I k a i等はホール輸送性の化合物を憐光性化合物のホ ストとして用いている。 また、 M. E. Tomp s on等は、 各種電子輸送性材料 を燐光性ィ匕合物のホストに新規なィリジゥム錯体をドープして用いている。さらに、 T s u t s u i等は、正孔阻止層 （エキシトン阻止層） の導入により高い発光輝度 を得ている。 正孔阻止層としては、 その他、 パイオニア社により、 ある種のアルミ ユウム錯体を使用する例、 及ぴ Ap p 1. P h y s . L e t t., 79卷、 156 ページ （2001年） において、 I k a i等は、 ホールプロック層 （エキシトンプ ロック層） としてフッ素置換化合物を用いることにより、高効率な発光を達成して いる。
【特許文献 1】
特許第 3093796号明細書
【特許文献 2】
特開昭 63— 264692号公報
【特許文献 3】
特開平 3— 255190号公報
【特許文献 4】
特開 2000— 21572号公報
【非特許文献 1】
M. A. B a 1 d o e t a l .， n a t u r e、 395巻、 151〜154ページ （1998年）
【非特許文献 2】
M. A. B a 1 d o e t a l .， n a t u r e、 403巻、
1 7号、 750— 753ページ （2000年）
しかしながら、一般的に、蛍光発光素子に比してリン光素子は寿命が短く、 リン 光性化合物を発光材料として用いた有機エレクトロルミネッセンス素子は連続駆 動時の耐久性に乏しい。
これは、発光材料にリン光性化合物を用いた有機 E L素子の高発光輝度、高発光 効率を達成するために設けられた阻止層の劣化から生じている。
即ち、例えば、発光層からの電子や正孔を阻止層で十分にブロックすることがで きず若干阻止層内に電子や正孔が注入されてしまレ、、 これにより、阻止層が劣化し て素子の寿命が短くなる。 また、 リン光発光ドーパントは励起寿命が長いため、励 起子の濃度が高くなると、 生成した三重項励起子が近くの三重項励起子と衝突し、 T一 T消滅を起こし、 発光効率低下につながる。
本発明は係る課題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、長寿命、高発 光効率である有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置および表示装置を提供 することである。 発明の開示
本発明の上記目的は下記構成により達成された。
( 1 ) 陰極と陽極との間にリン光性化合物を含有する発光層を少なくとも有す る有機ェレク ト口ルミネッセンス素子において、前記発光層と前記陰極との間にあ り、前記発光層に隣接して正孔阻止層 1を有し、前記正孔阻止層 1がリン光性化合 物を含有し、該リン光性化合物の含有率が前記発光層のリン光性化合物の含有率の 0 . 1〜5 0 %であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
( 2 ) 前記正孔阻止層 1と前記陰極との間にあり、前記正孔阻止層 1に隣接し て正孔阻止層 2を有することを特徴とする前記 1に記載の有機エレクトロノレミネ ッセンス素子。
( 3 ) 前記発光層に含有されるリン光性化合物と、前記正孔阻止層 1に含有さ れるリン光性化合物が同一化合物であることを特徴とする前記 1又は 2に記載の 有機エレクトロルミネッセンス素子。
( 4 ) 前記発光層に含有されるリン光性化合物と、前記正孔阻止層 1に含有さ れるリン光性化合物とが、異なる化合物であることを特徴とする前記 1又は 2に記 載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
( 5 ) 陰極と陽極との間にリン光性化合物を含有する発光層を少なくとも有す る有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記発光層と前記陽極との間にあ り、前記発光層に隣接して電子阻止層 1を有し、前記電子阻止層 1がリン光性化合 物を含有し、該リン光性化合物の含有率が前記発光層のリン光性化合物の含有率の 0 . 1〜5 0 %であることを特徴とする有機エレク ト口ルミネッセンス素子。
( 6 ) 前記電子阻止層 1と前記陽極との間にあり、前記電子阻止層 1に隣接し て電子阻止層 2を有することを特徴とする前記 5に記載の有機エレクトロルミネ ッセンス素子。
( 7 ) 前記発光層に含有されるリン光性化合物と、前記電子阻止層 1に含有さ れるリン光性化合物が同一化合物であることを特徴とする前記 5又は 6に記載の 有機エレクトロルミネッセンス素子。
( 8 ) 前記発光層に含有されるリン光性化合物と、前記電子阻止層 1に含有さ れるリン光性化合物と力 異なる化合物であることを特徴とする前記 5又は 6に記 載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
( 9 ) 陰極と陽極との間にリン光性化合物を含有する発光層を少なくとも有す る有機ェレクト口ルミネッセンス素子において、前記発光層と前記陰極との間にあ り、前記発光層に隣接して正孔阻止層 1を有し、前記発光層と前記陽極との間にあ り、前記発光層に隣接して電子阻止層 1を有し、前記正孔阻止層 1がリン光性化合 物を含有し、該リン光性化合物の含有率が前記発光層のリン光性化合物の含有率の 0. ：!〜 50 %であり、 前記電子阻止層 1がリン光性化合物を含有し、該リン光性 化合物の含有率が前記発光層のリン光性化合物の含有率の 0. 1 ~ 50 %であるこ とを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
(10) 前記正孔阻止層 1と前記陰極との間にあり、前記正孔阻止層 1に隣接 して正孔阻止層 2を有することを特徴とする前記 9に記載の有機エレクトロノレミ ネッセンス素子。
(1 1) 前記電子阻止層 1と前記陽極との間にあり、前記電子阻止層 1に隣接 して電子阻止層 2を有することを特徴とする前記 9又は 10に記載の有機エレク トロノレミネッセンス素子。
(12) 前記発光層に含有されるリン光性化合物と、前記正孔阻止層 1に含有 されるリン光性化合物が同一化合物であることを特徴とする前記 9〜 1 1のいず れか 1項に記載の有機ェレク トロルミネッセンス素子。
(13) 前記発光層に含有されるリン光性化合物と、前記正孔阻止層 1に含有 されるリン光チ生ィ匕合物と力 S、異なる化合物であることを特徴とする前記 9〜1 1の いずれか 1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 ·
(14) 前記発光層に含有されるリン光性化合物と、前記電子阻止層 1に含有 されるリン光性化合物が同一化合物であることを特徴とする前記 9〜1 2のいず れか 1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(15) 前記発光層に含有されるリン光性化合物と、前記電子阻止層 1に含有 されるリン光性化合物とが、 異なる化合物であることを特徴とする前記 9〜1 1、 13のいずれか 1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(16) 陰極と陽極との間にリン光性ィヒ合物を含有する発光層を少なくとも有 する有機ェレク ト口ルミネッセンス素子において、前記発光層と前記陰極との間に あり、前記発光層に隣接して正孔阻止層 1を有し、前記正孔阻止層 1が前記発光層 のリン光発光の 0 . 1〜 5 0 %のリン光発光を有するように、前記正孔阻止層 1に リン光性化合物を含有させたことを特徴とする有機エレクトロノレミネッセンス素 子。
( 1 7 ) 前記正孔阻止層 1と前記陰極との間にあり、前記正孔阻止層 1に隣接 して正孔阻止層 2を有することを特徴とする前記 1 6に記載の有機エレクトロル ミネッセンス素子。
( 1 8 ) 陰極と陽極との間にリン光性ィヒ合物を含有する発光層を少なくとも有 する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記発光層と前記陽極との間に あり、前記発光層に隣接して電子阻止層 1を有し、前記電子阻止層 1が前記発光層 のリン光発光の 0 . 1〜 5 0 %のリン光発光を有するように、前記電子阻止層 1に リン光性化合物を含有させたことを特徴とする有機ェレクトロノレミネッセンス素 子。
( 1 9 ) 前記電子阻止層 1と前記陽極との間にあり、前記電子阻止層 1に隣接 して電子阻止層 2を有することを特徴とする前記 1 8に記載の有機エレクトロル ミネッセンス素子。
( 2 0 ) 陰極と陽極との間にリン光性ィヒ合物を含有する発光層を少なくとも有 する有機ェレク ト口ルミネッセンス素子において、前記発光層と前記陰極との間に あり、前記発光層に隣接して正孔阻止層 1を有し、前記発光層と前記陽極との間に あり、前記発光層に隣接して電子阻止層 1を有し、前記正孔阻止層 1が前記発光層 のリン光発光の 0 . 1〜 5 0 %のリン光発光を有するように、前記正孔阻止層 1に リン光性化合物を含有させ、前記電子阻止層 1が前記発光層のリン光発光の 0 . 1 〜 5 0 %のリン光発光を有するように、前記電子阻止層 1にリン光性化合物を含有 させたことを特徴とする有機ェレクト口ルミネッセンス素子。
( 2 1 ) 前記正孔阻止層 1と前記陰極との間にあり、前記正孔阻止層 1に隣接 して正孔阻止層 2を有することを特徴とする前記 2 0に記載の有機エレクトロル ミネッセンス素子。
( 2 2 ) 前記電子阻止層 1と前記陽極との間にあり、前記電子阻止層 1に隣接 して電子阻止層 2を有することを特徴とする前記 2 0又は 2 1に記載の有機エレ クトロルミネッセンス素子。
( 2 3 ) 白色に発光することを特徴とする前記 1〜2 2のいずれか 1項に記载 の有機エレクトロルミネッセンス素子。
( 2 4 ) 前記 1〜2 3のいずれか 1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス 素子を備えたことを特徴とする表示装置。
( 2 5 ) 前記:！〜 2 3のいずれか 1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス 素子を備えたことを特徴とする照明装置。
( 2 6 ) 前記 2 5に記載の照明装置と、表示手段として液晶素子と、 を備えた ことを特徴とする表示装置。 図面の簡単な説明
第 1図は有機 E L素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。 第 2図は表示部の模式図である。
第 3図は画素の模式図である。
第 4図はパッシブマトリクス方式フルカラー表示装置の模式図である。
第 5図は照明装置の概略図である。 第 6図は照明装置の断面図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明を詳細に説明する。
本発明者等は、鋭意検討の結果、陰極と陽極との間にリン光性化合物を含有する 発光層を少なくとも有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層と 陰極との間に存在し発光層に隣接して正孔阻止層 1を設け、この正孔阻止層 1にリ ン光性化合物を含有させ、このとき正孔阻止層 1のリン光性化合物の含有率が発光 層のリン光十生化合物の含有率の 0 . 1〜 5 0 %となるようにすることにより、長寿 命、 高発光効率である有機 E L素子とすることができることを見い出した。
即ち、 本発明者等らは、 正孔阻止層 1に含有されるリン光性ィヒ合物の含有率を、 発光層のリン光性化合物の含有率の 0 . 1〜 5 0 %とすることにより、正孔阻止層 1に注入されてしまった正孔を安定化させ、正孔阻止層 1の劣化を抑えて、素子を 長寿命化させることができることを見出した。 また、 再結合領域を広げることで、 三重項励起子の濃度を下げ、 T一 T消滅の発生を抑え、素子発光効率を向上させる ことができることを見出した。
また、本発明者等は、陰極と陽極との間にリン光性化合物を含有する発光層を少 なくとも有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層と陽極との間 に存在し発光層に隣接して電子阻止層 1を設け、この電子阻止層 1にリン光性化合 物を含有させ、このとき電子阻止層 1のリン光性化合物の含有率が発光層のリン光 性化合物の含有率の 0. 1〜5 0 %となるようにすることにより、長寿命、 高発光 効率である有機 E L素子とすることができることを見い出した。
即ち、 本発明者等らは、 電子阻止層 1に含有されるリン光性ィ匕合物の含有率を、 発光層のリン光性化合物の含有率の 0 . 1〜 5 0 %とすることにより、電子阻止層 1に注入されてしまった電子を安定ィヒさせ、電子阻止層 1の劣化を抑えて、素子を 長寿命化させることができることを見出した。 また、 再結合領域を広げることで、 三重項励起子の濃度を下げ、 T一 T消滅の発生を抑え、素子発光効率を向上させる ことができることを見出した。
さらに、本発明者等は、陰極と陽極との間にリン光性化合物を含有する発光層を 少なくとも有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層と陰極との 間に存在し発光層に隣接して正孔阻止層 1を設け、この正孔阻止層 1にリン光性化 合物を含有させ、このとき正孔阻止層 1のリン光性化合物の含有率が発光層のリン 光性化合物の含有率の 0 . 1〜 5 0 %となるようにし、 さらに、発光層と陽極との 間に存在し発光層に隣接して電子阻止層 1を設け、この電子阻止層 1にリン光性化 合物を含有させ、このとき電子阻止層 1のリン光性化合物の含有率が発光層のリン 光性化合物の含有率の 0 . 1〜 5 0 %となるようにすることにより、 より一層長寿 命であり、 高発光効率である有機 E L素子とすることができることを見い出した。 正孔阻止層 1には、発光層に含有されるリン光性化合物の含有率の 1〜 2 0 %の 含有率となるようにリン光性化合物を含有させることがより好ましく、これにより、 より一層長寿命であり、 高発光効率な有機 E L素子とすることができる。
電子阻止層 1には、発光層に含有.されるリン光性化合物の含有率の：！〜 2 0 %の 含有率となるようにリン光性化合物を含有させることがより好ましく、これにより、 より一層長寿命である有機 E L素子とすることができる。
本発明においては、正孔阻止層 1と陰極^の間にあり、正孔阻止層 1に隣接して 正孔阻止層 2を設けることが好ましい。 これにより、 より一層長寿命であり、高発 光効率な有機 E L素子とすることができる。 本発明においては、電子阻止層 1と陽極との間にあり、電子阻止層 1に隣接して 電子阻止層 2を設けることが好ましい。 これにより、 より一層長寿命であり、高発 光効率な有機 E L素子とすることができる。
本発明において正孔阻止層とは、正孔阻止材料を含有する層であり、発光層に電 子を輸送しつつ発光層からの正孔の流出を阻止することで発光層での電子と正孔 の再結合確率を向上させることができる。
正孔阻止材料は、発光層から移動してくる正孔を阻止する役割と、陰極の方向か ら注入された電子を効率よく発光層の方向に輸送することができる化合物である。 正孔阻止材料に求められる物性としては発光層のイオン化ポテンシャル I p 1、 電子親和力 E a 1、正孔阻止層のイオン化ポテンシャル I p 2、電子親和力 E a 2 とした場合、
I p 2- I p l >Ea 2-Ea l
であり、 かつ、 正孔阻止材料の励起 3重項エネルギーは発光層の励起 3重項より も大きいものである。
正孔阻止材料としては、 スチリル化合物、 トリアゾール誘導体、 フエナントロリ ン誘導体、 ォキサジァゾール誘導体、 ボロン誘導体、 力ルバゾール誘導体、 シロー ル誘導体、 アルミニウム錯体などの錯体等が挙げられる。
その他の正孔阻止材料として、特開 2003— 31367号、同 2003— 31 368号、 特許第 2721441号等に記載の例示化合物が挙げられる。
さらに、 正孔阻止材料として下記に示す化合物等も挙げられる。
Figure imgf000014_0001
Z800請 OOZdf/ェ:) d 880600/S00Z OAV
Figure imgf000015_0001
Z800請 OOZdf/ェ:) d 880600/S00Z OAV
Figure imgf000016_0001
800請 OOZdf/ェ:) <I 880600/S00Z OAV
Figure imgf000017_0001
Figure imgf000018_0001
9T
Z800請 OOZdf/ェ:) d 880600/S00Z OAV
Figure imgf000019_0001
Z800請 OOZdf/ェ:) d 880600/S00Z OAV
Figure imgf000020_0001
Figure imgf000020_0002
Figure imgf000020_0003
Z800請 OOZdf/IDd 880600/S001 OAV
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6T
Z800請 OOZdf/ェ:) d 880600/S00Z OAV
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Z800請 OOZdf/ェ:) d 880600/S00Z OAV
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電子阻止層は、電子阻止材料を含有する層であり、発光層に正孔を輸送しつつ発 光層からの電子の流出を阻止することで発光層での電子と正孔の再結合確率を向 上させることができる。
電子阻止材料は、発光層から移動してくる電子を阻止する役割と、陽極の方向か ら注入された正孔を効率よく発光層の方向に輸送することができる化合物である。 電子阻止材料に求められる物性としては発光層のイオンィヒポテンシャル I p 1、 電子親和力 E a 1、電子阻止層のイオン化ポテンシャル I p 3、電子親和力 E a 3 とした場合、
E a 1 -E a 3> I p l - I p 3
であり、 かつ、 電子阻止材料の励起 3重項エネルギーは発光層の励起 3重項より も大きいものである。
ィォン化ポテンシャルとは、化合物の HOMO (最高被占分子軌道) レベルにあ る電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、具体的には膜状態 (層状態） のィ匕合物から電子を取り出すのに必要なエネルギーであり、 これらは光 電子分光法で直接測定することができる。 例えば、 アルバックーフアイ （株） 製 E S C A oり 00 uPS (u l t r a v i o l e t p h o t o emi s s i o n s p e c t r o s c o y ) にて測定することができる。
電子親和力は、真空準位にある電子が物質の L UMO (最低空分子軌道） レベル に落ちて安定化するエネルギーで定義され、
電子親和力 （e V) =イオン化ポテンシャ /レ I p ( e V) +バンドギャップ（e V) で求めることができる。バンドギャップは、化合物の HOMO— L UMO間のエネ ルギーを表し、具体的には石英基板上に膜を作製し、吸収スぺク トルを測定し、 そ の吸収端から求めることができる。 . 電子阻止材料としては、 トリァリールァミン誘導体、カルパゾール誘導体が挙げ られる。
また、本発明者等は、鋭意検討の結果、 陰極と陽極との間にリン光性化合物を含 有する発光層を少なくとも有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、発 光層と陰極との間に存在し発光層に隣接して正孔阻止層 1を設け、この正孔阻止層 1に、発光層のリン光発光の 0 . 1〜 5 0 %のリン光発光を有するようにリン光性 化合物を含有させることにより、長寿命であり、高発光効率な有機 E L素子とする ことができることを見い出した。
即ち、本発明者等らは、 正孔阻止層 1に、発光層のリン光発光の 0 . 1〜 5 0 % のリン光発光を有するようにリン光性化合物を含有させることにより、正孔阻止層 1に注入されてしまった正孔を、正孔阻止層 1に含有されるリン光性化合物の発光 により安定化させ、正孔阻止層 1の劣化を抑えて、有機 E L素子を長寿命化させる ことができることを見出した。 また、再結合領域を広げることで、三重項励起子の 濃度を下げ、 T— T消滅の発生を抑え、素子発光効率を向上させることができるこ とを見出した。
また、本発明者等は、陰極と陽極との間にリン光性化合物を含有する発光層を少 なくとも有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層と陽極との間 に存在し発光層に隣接して電子阻止層 1を設け、 この電子阻止層 1に、発光層のリ ン光発光の 0 . 1〜 5 0 %のリン光発光を有するようにリン光性化合物を含有させ ることにより、長寿命であり、高発光効率な有機 E L素子とすることができること を見い出した。
即ち、本発明者等らは、 電子阻止層 1に、発光層のリン光発光の 0 . 1〜 5 0 % のリン光発光を有するようにリン光性化合物を含有させることにより、電子阻止肩 1に注入されてしまった電子を電子阻止層 1に含有されるリン光性化合物の発光 により安定ィ匕させ、電子阻止層 1の劣化を抑えて、有機 E L素子を長寿命化させる ことができることを見出した。 また、再結合領域を広げることで、三重項励起子の 濃度を下げ、 T一 T消滅の発生を抑え、素子発光効率を向上させることができるこ とを見出した。
さらに、本発明者等は、陰極と陽極との間にリン光性化合物を含有する発光層を 少なくとも有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層と陰極との 間に存在し発光層に隣接して正孔阻止層 1を設け、この正孔阻止層 1に発光層のリ ン光発光の 0 . 1〜 5 0 %のリン光発光を有するようにリン光性化合物を含有させ、 かつ、発光層と陽極との間に存在し発光層に隣接して電子阻止層 1を設け、 この電 子阻止層 1に発光層のリン光発光の 0 . 1〜 5 0 %のリン光発光を有するようにリ ン光性化合物を含有させることにより、 より一層長寿命であり、高発光効率な有機 E L素子とすることができることを見い出した。
正孔阻止層 1には、発光層のリン光発光の 3〜 5 0 %のリン光発光を有するよう にリン光性化合物を含有させることがより好ましく、 これにより、 より一層長寿命 であり、 高発光効率な有機 E L素子とすることができる。 電子阻止層 1には、発光層のリン光発光の 3〜 50 %のリン光発光を有するよう にリン光性化合物を含有させることがより好ましく、 これにより、 より一層長寿命 であり、 高発光効率な有機 EL素子とすることができる。
なおリン光発光は、 電解発光で測定して求めることができる。
本発明では、発光材料としてリン光性化合物を用いている。 これにより、高い発 光効率を得ることができる。
本発明に係るリン光性化合物は、有機 EL素子の発光層に使用される公知のも の中から適宜選択して用いることができる。例えば、特開 2001— 247859 号明細書に挙げられるイリジウム錯体あるいは WO 00Z70， 655号明細書 1 6〜18ページに挙げられるような式で表される、例えば、 トリス （2—フエ二ノレ ピリジン）イリジウム等やオスミウム錯体、あるいは 2， 3, 7, 8， 12， 13, 17， 18—オタタエチル一 21 H， 23 H—ポルフィリン白金錯体のような白金 錯体もドーパントとして挙げられる。 ドーパントとしてこのようなリン光性化合物 を用いることにより、 内部量子効率の高い発光有機 E L素子を実現できる。
本発明で用いられるリン光性化合物としては、好ましくは元素の周期律表で 8族 の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくは、イリジウム化合物、 ォス ミゥム化合物、 または白金化合物 （白金錯体系化合物）、 希土類錯体であり、 中で も最も好ましいのはィリジゥム化合物である。
以下に、本発明で用いられるリン光性化合物の具体例を示すが、 これらに限定さ れるものではない。 これらの化合物は、 例えば、' I n o r g. C h e m. 40卷、 1704〜 1711に記載の方法等により合成できる。
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このほかにも、 例えば、 J. Am. Ch em. S o c. 123卷4304〜432頁 （2001年）、 WO 00/70655号、 WO 02ノ15645号、 特開 2001— 247859号、特開 2001— 345183号、特開 2002— 11 7978号、 特開 2002— 170684号、 特開 2002— 203678号、特 開 2002— 235076号、特開 2002— 302671号、特開 2002— 3 24679号、 特開 2002— 332291号、 特開 2002— 332292号、 特開 2002— 338588号等に記載の一般式であげられるィリジゥム錯体ぁ るいは具体的例として挙げられるィリジゥム錯体、特開 2002— 8860号記載 の式 （IV) で表されるイリジウム錯体等が挙げられる。 . 本発明に係るリン光性ィ匕合物は、 溶液中のリン光量子収率が 25°Cにおいて 0. 001以上である。 好ましくは、 0. 01以上である。 さらに、 好ましくは、 0. 1以上である。
リン光量子収率は、 第 4版実験化学講座 7の分光 IIの 398ページ （1992 年版、 丸善） に記載の方法で測定することが出来る。
次に、 本発明の有機 EL素子の構成層についてさらに詳細に説明する。
本発明において、有機 EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発 明はこれらに限定されない。
( 1 ) 陽極 Z正孔輸送層/発光層/正孔阻止層 1 /電子輸送層/陰極
( 2 )陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層 1 Z正孔阻止層 2 /電子輸送層/陰 極
( 3 ) 陽極 Z正孔輸送層/電子阻止層 1 Z発光層 Z電子輸送層 Z陰極
(4)陽極 Z正孔輸送層 Z電子阻止層 2 Z電子阻止層 1 Z発光層 Z電子輸送層 Z陰 極
( 5 )陽極ノ正孔輸送層/電子阻止層 1 Z発光層/正孔阻止層 1ノ電子輸送層/陰 極 ( 6 )陽極 Z正孔輸送層 Z電子阻止層 2 /電子阻止層 1 /発光層ノ正孔阻止層 1 Z 正孔阻止層 2 Z電子輸送層 Z陰極
( 7 )陽極/陽極バッファ一層/正孔輸送層 Z電子阻止層 2 /電子阻止層 1 /発光 層 Z正孔阻止層 1 /正孔阻止層 2ノ電子輸送層 陰極バッファ一層ノ陰極
〈陽極〉
有機 EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい （4 e V以上） 金属、合 金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用い.ら れる。 このような電極物質の具体例としては A u等の金属、 Cu l、インジウムチ ンォキシド （I TO)、 SnO2、 Ζ ηθ等の導電性透明材料が挙げられる。 また、 I D I XO ( I n203-ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いて もよい。 陽極は、 これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜 を形成させ、 フォトリソグラフィ一法で所望の形状のパターンを形成してもよく、 あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は （ 100 m以上程度）、 上記 電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形 成してもよい。 この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を 10%より大きく することが望ましく、また、陽極としてのシート抵抗は数百 Ω /口以下が好ましレ、。 さらに膜厚は材料にもよる力 通常 10〜1000 nm、好ましくは 10〜200 nmの範囲で選ばれる。
〈陰極〉
—方、 陰極としては、仕事関数の小さい （4 eV以下） 金属 （電子注入性金属と 称する）、 合金、 電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用 いられる。 このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリゥム一カリ ゥム合金、 マグネシウム、 リチウム、 マグネシウム/銅混合物、 マグネシウム Z銀 混合物、 マグネシゥム /アルミ二ゥム混合物、 マグネシゥム /ィンジゥム混合物、 アルミニウム/酸化アルミニウム （A 1 203) 混合物、 インジウム、 リチウムノア ルミ-ゥム混合物、希土類金属等が挙げられる。 これらの中で、電子注入性及び酸 化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安 定な金属である第二金属との混合物、例えばマグネシウム/銀混合物、マグネシゥ ム zアルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム z酸ィ匕 アルミニウム （A 1 203) 混合物、 リチウムノアルミニゥム混合物、 アルミ-ゥ 等が好適である。陰極は、 これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法によ り薄膜を形成させることにより、作製することができる。 また、 陰極としてのシー ト抵抗は数百 Ω /口以下が好ましく、膜厚は通常 1 0 η πι〜5 ;α πι、好ましくは 5 0〜2 0 0 n mの範囲で選ばれる。 なお、発光した光を透過させるため、有機 E L 素子の陽極または陰極のレ、ずれか一方が、透明または半透明であれば発光輝度が向 上し好都合である。
また、陰極に上記金属を 1〜 2 0 n mの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げ た導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製する ことができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製 することができる。
次に、 本発明の有機 E L素子の構成層として用いられる、 注入層、 阻止層、 電子 輸送層等について説明する。
〈バッファ一層〉 ：陰極バッファ一層、 陽極バッファ一層
注入層は必要に応じて設け、陰極バッファ一層 （電子注入層） と陽極バッファー 層（正孔注入層）があり、上記のごとく陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び、 陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもょレ、。 バッファ一層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設け られる層のことで、 「有機 EL素子とその工業化最前線 （1 9 98年 1 1月 30日 ェヌ .ティー.エス社発行)」 の第 2編第 2章 「電極材料」 （1 23〜1 6 6頁） に 詳細に記载されており、 陽極バッファー層と陰極バッファー層とがある。
陽極バッファー層 （正孔注入層） は、 特開平 9一 45479号、 同 9— 2600 62号、 同 8— 28 806 9号等にもその詳細が記載されており、 具体例として、 銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファ一層、酸化バナジゥムに代. 表される酸化物バッファ一層、アモルファスカーボンバッファ一層、ポリア二リン (ェメラルディン）ゃポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー 層等が挙げられる。
陰極バッファ一層 （電子注入層） は、 特開平 6— 325 8 7 1号、 同 9一 1 75 74号、同 10— 7458 6号等にもその詳細が記載されており、具体的にはスト ロンチウムゃアルミ二ゥム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代 表されるアル力リ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシゥムに代表されるアル カリ土類金属化合物バッファー層、酸ィ匕アルミニウムに代表される酸化物バッファ 一層等が挙げられる。 上記バッファ一層 （注入層） はごく薄い膜であることが望ま しく、 素材にもよるが、 その膜厚は 0. 1 nm〜5 μπιの範囲が好ましい。
く Ρ且止層〉 ：正孔阻止層、 電子阻止層
正孔阻止層は、 前述した、 正孔阻止層 1、 正孔阻止層 2であり、 発光層からの正 孔の流出を阻止して、 高発光輝度、 高発光効率め有機 EL素子としている。
電子阻止層は、 前述した、 電子阻止層 1、 電子阻止層 2であり、発光層からの電 子の流出を阻止して、 高発光輝度、 高発光効率の有機 EL素子としている。
〈発光層〉 本発明に係る発光層は、 リン光性化合物を含有し、注入されてくる電子及び正孔 が再結合して発光する層である。発光層の発光する部分は発光層の層内であっても 発光層と隣接層との界面であってもよい。
リン光 f生化合物を用いることで、発光効率の高い有機 E L素子とすることができ る。
リン光性化合物は、 前述したリン光性化合物を用いることができる。
リン光性化合物の発光は、原理としては 2種挙げられ、一つはキヤリァが輸送き れるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生 成し、このエネルギーをリン光性化合物に移動させることでリン光性化合物からの 発光を得るというエネルギー移動型、もう一^ 3はリン光性化合物がキヤリアトラッ プとなり、リン光性化合物上でキヤリァの再結合が起こりリン光性化合物からの発 光が得られるというキャリアトラップ型である力 いずれの場合においても、 リン 光性化合物の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーより も低いことが条件である。
本発明においては、リン光性化合物のリン光発光極大波長としては特に制限され るものではなく、原理的には、 中心金属、配位子、 配位子の置換基等を選択するこ とで得られる発光波長を変化させることができるが、リン光性化合物のリン光発光 波長が 3 8 0〜4 8 0 n mにリン光発光の極大波長を有することが好ましい。この ようなリン光発光波長を有するものとしては、青色に発光する有機 E L素子や白色 に発光する有機 E L素子が挙げられる。
例えば、発光層、正孔阻止層 1、 電子阻止層 1に同一リン光性化合物を含有され ることにより、発光スぺクトルを変ィ匕させることなく、本発明の効果である長寿命 化を達成させることができる。 また、発光層と同じ色度を有する異なるリン光性化合物を正孔阻止層、電子阻止 層に含有させることでも、 同様の効果が得られる。
更に、発光層とは若干色度の異なるリン光性化合物を正孔阻止層、電子阻止層に 含有させることにより、 色度の調節に用いることもできる。
これは、発光層とは全く異なる色度を有するリン光性化合を正孔阻止層、電子阻 止層に含有させることで、 全く異なる色調にすることも可能である。
即ち、 リン光性化合物を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能と なり、 これにより任意の発光色を得ることができる。 リン光性化合物の種類、 ドー プ量を調整することで白色発光が可能であり、照明、バックライトへの応用もでき る。
本発明においては、発光層に含有されるリン光性化合物と、正孔阻止層、電子阻 止層に含有されるリン光性化合物との種類、 ドープ量を変えて、 白色発光させて用 いてもよレヽ。
また、 発光層には、 リン光性化合物の他にホスト化合物を含有してもよい。 本発明においてホズト化合物は、 発光層に含有される化合物のうちで室温 （2 5 °C) においてリン光発光のリン光量子収率が、 0 . 0 1未満の化合物である。 本発明においては、ホスト化合物として前述した本発明の有機 E L素子用材料を 用いることが好ましい。 これにより、 より一層発光効率を高くすることができる。 さらに、公知のホスト化合物を複数種併用して用いてもよい。 ホスト化合物を複 数種もちいることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機 E L素子を高 効率化することができる。
これらの.公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、 か つ、発光の長波長化を防ぎ、 なおかつ高 T g (ガラス転移温度） である化合物が好 ましい。
公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙 げられる。
特開 2001— 257076、特開 2002— 308855、特開 2001— 3 13179、特開 2002— 319491、特開 2001— 357977、特開 2
002— 334786、 特開 2002— 8860、 特開 2002— 334787、 特開 2002— 15871、特開 2002— 334788、特開 2002— 430 56、特開 2002— 334789、特開 2002— 75645、特開 2002—
338579、特開 2002— 105445、特開 2002— 343568、特開 2002— 141 173、特開 2002— 352957、特開 2002— 2036
83、特開 2002— 363227、特開 2002— 231453、特開 2003 — 3165、特開 2002— 234888、特開 2003— 27048、特開 20 02— 255934、特開 2002— 260861、特開 2002— 280183、 特開 2002— 299060、特開 2002— 302516、特開 2002— 30 5083、 特開 2002— 305084、 特開 2002— 308837等。
さらに、 ホスト化合物として下記化合物等も挙げられる。
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880600/S00Z OAV
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また、発光層は、ホスト化合物としてさらに蛍光極大波長を有するホスト化合物 を含有していてもよい。 この場合、他のホスト化合物とリン光性化合物から蛍光性 化合物へのエネルギー移動で、有機 E L素子としての電界発光は蛍光極大波長を有 する他のホスト化合物からの発光も得られる。蛍光極大波長を有するホスト化合物 として好ましいのは、溶液状態で蛍光量子収率が高いものである。 ここで、蛍光量 子収率は 1 0 %以上、特に 3 0 %以上が好ましい。具体的な蛍光極大波長を有する ホスト化合物としては、 クマリン系色素、 ピラン系色素、 シァニン系色素、 クロコ -ゥム系色素、 スクァリウム系色素、 ォキソベンツアントラセン系色素、 フルォレ セイン系色素、 ローダミン系色素、 ピリリゥム系色素、ペリレン系色素、 スチルベ ン系色素、 ポリチォフェン系色素等が挙げられる。蛍光量子収率は、前記第 4版実 験化学講座 7の分光 IIの 3 6 2頁 （1 9 9 2年版、 丸善） に記載の方法により測 定することができる。
本明細書の発光する色は、 「新編色彩科学ハンドブック」 （日本色彩学会編、東京 大学出版会、 1 9 8 5 ) の 1 0 8頁の図 4. 1 6において、 分光放射輝度計 C S— 1 0 0 0 (ミノルタ製）で測定した結果を C I E色度座標に当てはめたときの色で 決定される。
発光層は、 上記化合物を、 例えば真空蒸着法、 スピンコート法、 キャスト法、 L B法、ィンクジェット法等の公知の薄膜ィ匕法により製膜して形成することができる。 発光層としての膜厚は特に制限はないが、通常は 5 n m〜5 μ πι、好ましくは 5 n m〜 2 0 0 n mの範囲で選ばれる。 この発光層は、 これらのリン光性化合物やホス ト化合物が 1種または 2種以上からなる一層構造であってもよいし、あるいは、同 一組成または異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。
〈正孔輸送層〉
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で 正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層 設けることができる。
正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有す るものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えばトリァゾール誘導 体、ォキサジァゾール誘導体、ィミダゾール誘導体、ポリアリ一ルアルカン誘導体、 ビラゾリン誘導体及ぴピラゾ口ン誘導体、フエ二レンジアミン誘導体、ァリールァ ミン誘導体、 ァミノ置換カルコン誘導体、 ォキサゾール誘導体、 スチリルアントラ セン誘導体、 フルォレノン誘導体、 ヒ ドラゾン誘導体、 スチルベン誘導体、 シラザ ン誘導体、 ァニリン系共重合体、 また、 導電性高分子オリゴマー、 特にチォフェン オリゴマ一等が挙げられる。
正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができる力 ポルフィリン化 合物、芳香族第三級ァミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級ァ ミン化合物を用いることが好ましい。
芳香族第三級ァミン化合物及びスチリルァミン化合物の代表例としては、 N, N, N' , N' ーテトラフェニル一4, A' —ジァミノフエュノレ； N, Ν' ージフエ二 ノレ一 Ν, N' —ビス (3—メチノレフエ二ノレ) — 〔1， 1 ' —ビフエ二ノレ〕 -4, 4' ージァミン （TPD) ； 2, 2—ビス （4—ジ一 ρ—トリルアミノブェニル） プロ パン； 1， 1—ビス （4—ジ一 ρ—トリルァミノフエ二ル） シクロへキサン； Ν, Ν, N' ， N' —テトラ一 ρ—トリル一 4， 4' ージァミノビフエ二ル； 1， 1― ビス （4—ジ一ρ—トリノレアミノフエ二 _；レ） 一4一フエ-ノレシクロへキサン； ビス (4—ジメチルアミノー 2—メチルフエニル) フエニルメタン； ビス (4ージ 1 一トリルァミノフエニル） フエニルメタン； Ν, Ν' —ジフエ-ルー N， N' —ジ (4ーメ トキシフエニル） 一4， 4' ージァミノビフエエノレ； Ν, Ν, Ν' , Ν' —テトラフエニル一 4, 4' ージアミノジフエニルエーテル； 4, 4' —ビス （ジ フエニルァミノ） クオードリフエニル； Ν， Ν， Ν—トリ （ρ—トリル） ァミン； 4― (ジー ρ—トリノレアミノ） —4, - [4- (ジ— ρ―トリノレアミノ） スチリル〕 スチルベン; 4 -Ν, Ν—ジフエニルァミノ一 (2—ジフエニノレビニル)ベンゼン； 3—メ トキシ一 4' -Ν, Ν—ジフエニルァミノスチルベンゼン； Ν—フエ二ルカ ルバゾール、 さらには、 米国特許第 5， 06 1, 56 9号明細書に記載されている 2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば 4, Α' 一ビス 〔Ν— （1—ナ フチル） 一 Ν—フエニルァミノ〕 ビフエニル （NPD)、 特開平 4一 308 6 88 号に記載されているトリフエニルァミンュニットが 3つスターバースト型に連結 された 4， 4, , 4 一トリス 〔N— (3—メチルフエ-ノレ） 一N—フエニノレアミ ノ〕 トリフエニルァミン (MTDATA) 等が挙げられる。
さらに、 これらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主 鎖とした高分子材料を用いることもできる。 また、 p型一 S i , p型一 S i C等の 無機化合物も正孔注入材料、 正孔輸送材料として使用することができる。 正孔輸送層は、 上記正孔輸送材料を、 例えば真空蒸着法、 スピンコート法、 キヤ スト法、インクジエツト法を含む印刷法、 L B法等の公知の方法により、薄膜化す ることにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はない 力 通常は 5 n m〜 5 m程度、好ましくは 5〜 2 0 0 n mである。 この正孔輸送 層は、 上記材料の 1種または 2種以上からなる一層構造であってもよい。
〈電子輸送層〉 .
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入 層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けるこ とができる。
電子輸送材料としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有し ていればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して 用いることができ、例えば、 ニトロ置換フルオレン誘導体、 ジフヱ二ルキノン誘導 体、 チォピランジオキシド誘導体、 カルポジイミド、 フレオレニリデンメタン誘導 体、アントラキノジメタン及ぴァントロン誘導体、才キサジァゾール誘導体等が挙 げられる。 さらに、上記ォキサジァゾール誘導体において、 ォキサジァゾール環の 酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られて いるキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いるこ とができる。
さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖 とした高分子材料を用いることもできる。
また、 8—キノリノ一/レ誘導体の金属錯体、 例えばトリス （8—キノリノール） ァノレミニゥム （A l q )、 トリス （5， 7—ジクロ口一 8—キノリノール） アルミ ユウム、 トリス （5， 7—ジブロモ一 8—キノリノール）アルミニウム、 トリス （2 ーメチルー 8一キノリノール） アルミニウム、 トリス (5—メチノレー 8—キノリノ ール） アルミニウム、 ビス （8—キノリノール） 亜鉛 (Z n q) 等、 及びこれらの 金属錯体の中心金属が I n、 Mg、 Cu、 Ca、 Sn、 Gaまたは Pbに置き替わ つた金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。 その他、 メタルフリー 若しくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基ゃスルホン酸基 等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。 ま た、発光層の材料として例示したジスチリルビラジン誘導体も、電子輸送材料とレ て用いることができるし、 正孔注入層、 正孔輸送層と同様に、 n型一 S i、 n型一 S i C等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
電子輸送層は、 上記電子輸送材料を、 例えば真空蒸着法、 スピンコート法、 キヤ スト法、インクジエツト法を含む印刷法、 LB法等の公知の方法により、薄膜化す ることにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はない 力 通常は 5 nm〜 5 im程度、好ましくは 5 ~ 200 n mである。電子輸送層は、 上記材料の 1種または 2種以上からなる一層構造であってもよい。
〈基体 （基板、 基材、 支持体等ともいう）〉
本発明の有機 E L素子は基体上に形成されているのが好ましい。
本発明の有機 EL素子に用いることができる基体としては、ガラス、プラスチッ ク等の種類には特に限定はなく、 また、透明のものであれば特に制限はないが、好 ましく用いられる基板としては例えばガラス、石英、光透過性樹脂フィルムを挙げ ることができる。特に好ましい基体は、有機 E L'素子にフレキシプル.性を与えるこ とが可能な樹脂フィルムである。
樹脂フィルムとしては、 例えばポリエチレンテレフタレート （PET)、 ポリエ チレンナフタレート (PEN)、 ポリエーテルスルホン （PES)、 ポリエーテノレイ ミ ド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフエ二レンスルフィ ド、ポリアリ レート、 ポリイミド、 ポリカーボネート （P C)、 セノレローストリアセテート （TA C)、 セ ルロースァセテ一トプロピオネート（C A P )等からなるフィルム等が挙げられる。 樹脂フィルムの表面には、無機物または有機物の被膜またはその两者のハイプリッ ド被膜が形成されていてもよい。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光の室温における外部取り出 し効率は 1 %以上であることが好ましく、より好ましくは 5 %以上である。ここに、 外部取り出し量子効率（％) =有機 E L素子外部に発光した光子数/有機 E L素子 に流した電子数 X 1 0 0である。
また、カラーフィルタ一等の色相改良フィルタ一等を併用しても、有機 E L素子 からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよ レ、。色変換フィルターを用いる場合においては、有機 E L素子の発光の; L m a xは 4 8 0 n m以下が好ましい。
〈有機 E L素子の作製方法〉
本発明の有機 E L素子の作製方法の一例として、陽極 Z陽極バッファ一層/正孔 輸送層/電子阻止層 2 /電子阻止層 1ノ発光層/正孔阻止層 1 Z正孔阻止層 2 / 電子輸送層/陰極バッファー層/陰極からなる有機 E L素子の作製法について説 明する。
まず適当な基体上に、所望の電極物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、 1 μ m以下、好ましくは 1 0〜2 0 O n mの B莫厚になるように、蒸着やスパッタリング 等の方法により形成させ、 陽極を作製する。次に、 この上に有機 E L素子材料であ る陽極バッファ一層、 正孔輸送層、 電子阻止層 2、 電子阻止層 1、発光層、 正孔阻 止層 1、正孔阻止層 2、電子輸送層、 陰極バッファ一層の有機化合物薄膜を形成さ せる。
この有機化合物薄膜の薄膜化の方法としては、前記の如く蒸着法、 ゥヱットプロ セス （スピンコート法、 キャスト法、 インクジェット法、 印刷法） 等があるが、 均 質な膜が得られやすく、 かつピンホールが生成しにくい等の点から、 真空蒸着法、 スピンコート法、ィンクジェット法、 印刷法が特に好ましい。 さらに層ごとに異な る製膜法を適用してもよい。製膜に蒸着法を採用する場合、 その蒸着条件は、使用 する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度 5 0〜 4 5 0 °C、真空 度 1 0— 6〜 1 0— 2 P a、蒸着速度 0 . 0 1 〜 5 O n m/秒、基板温度— 5 0〜 3 0 0 °C、膜厚 0 . 1 11 m〜 5 μ m、好ましくは 5〜 2 0 0 n mの範囲で適宜選ぶこと が望ましい。
これらの層を形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、 1 m以下好ましく は 5 0〜 2 0 0 n mの範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリング等の 方法により形成させ、 陰極を設けることにより、 所望の有機 E L素子が得られる。 この有機 E L素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作 製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製膜法を施してもかまわない。そ の際、 作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。
本発明の多色の表示装置は、発光層形成時のみシャドーマスクを設け、他層は共 通であるのでシャドーマスク等のパターユングは不要であり、一面に蒸着法、キヤ スト法、 スピンコート法、 インクジェット法、 印刷法等で膜を形成できる。
発光層のみパターユングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着 法、インクジエツト法、印刷法である。蒸着法を用いる場合においてはシャドーマ スクを用いたパターニングが好ましい。
また作製順序を逆にして作製することも可能である。このようにして得られた多 色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には、 陽極を +、陰極を一の極性として 電圧 2〜4 0 V程度を印加すると、発光が観測できる。 また交流電圧を印加しても よい。 なお、 印加する交流の波形は任意でよい。
本発明の表示装置は、表示デバイス、 ディスプレー、各種発光光源として用いる ことができる。 表示デバイス、 ディスプレーにおいて、 青、 赤、 緑発光の 3種の有 機 E L素子を用いることにより、 フルカラーの表示が可能となる。
表示デバイス、 ディスプレーとしてはテレビ、 パソコン、 モパイル機器、 AV機 器、文字放送表示、 自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を 再生する表示装置として使用してもよく、動画再生用の表示装置として使用する場 合の駆動方式は単純マトリックス （パッシブマトリックス）方式でもァクティブマ トリックス方式でもどちらでもよい。
本発明の照明装置は、家庭用照明、 車内照明、 時計や液晶用のパックライト、看 板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、 光センサ一の光源等が挙げられるがこれに限定するものではない。
また、本発明に係る有機 E L素子に共振器構造を持たせた有機 E L素子として用 いてもよい。
このような共振器構造を有した有機 E L素子の使用目的としては、光記憶媒体の 光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げら れるが、 これらに限定されなレ、。 また、 レーザー発振をさせることにより、 上記用 途に使用してもよい。
〈表示装置〉
本発明の有機 E L素子は，照明用や露光光源のような 1種のランプとして使用し てもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクシヨン装置や、静止面像や動画像 を直接視認、するタイプの表示装置（ディスプレイ） として使用してもよい。動画再 生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス（パッシブマトリ クス） 方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。 または、異なる発 光色を有する本発明の有機 E L素子を 3種以上使用することにより、フルカラー表 示装置を作製することが可能である。 または、一色の発光色、例えば白色発光を力 ラーフィルターを用いて B G Rにし、フルカラー化することも可能である。さらに、 有機 E Lの発光色を色変換フィルターを用いて他色に変換しフルカラー化する.こ とも可能であるが、その場合、有機 E L発光の； L m a xは 4 8 0 n m以下であるこ とが好ましい。
本発明の有機 E L素子から構成される表示装置の一例を図面に基づいて以下に 説明する。
第 1図は、 有機 E L素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。 有機 E L素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプ レイの模式図である。
ディスプレイ 1は、複数の画素を有する表示部 A、画像情報に基づいて表示部 A の画像走査を行う制御部 B等からなる。
制御部 Bは、表示部 Aと電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画 像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線毎の画 素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部 A に表示する。 '
第 2図は、 表示部 Aの模式図である。
表示部 Aは基板上に、複数の走査線 5及びデータ線 6を含む配線部と、複数の画 素 3等とを有する。表示部 Aの主要な部材の説明を以下に行う。第 2図においては、 画素 3の発光した光が、 白矢印方向 （下方向） へ取り出される場合を示している。 配線部の走査線 5及び複数のデータ線 6は、それぞれ導電材料からなり、走査線 5とデータ線 6は格子状に直交して、直交する位置で画素 3に接続している （詳細 は図示せず)。
画素 3は、走査線 5から走査信号が印加されると、データ線 6から画像データ信 号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。発光の色が赤領域の画素、 緑領域の画素、 青領域の画素を、適宜、 同一基板上に並置することによって、 フレ カラー表示が可能となる。
次に、 画素の発光プロセスを説明する。
第 3図は、 画素の模式図である。
画素は、有機 E L素子 1 0、 スイッチングトランジスタ 1 1、駆動トランジスタ 1 2、 コンデンサ 1 3等を備えている。複数の画素に有機 E L素子 1 0として、赤 色、緑色、青色発光の有機 E L素子を用い、 これらを同一基板上に並置することで フルカラー表示を行うことができる。
第 3図において、制御部 Bからデータ線 6を介してスィツチングトランジスタ 1 1のドレインに画像データ信号が印加される。そして、制御部 Bから走査線 5を介 してスイッチングトランジスタ 1 1のゲートに走查信号が印加されると、スィツチ ングトランジスタ 1 1の駆動がオンし、 ドレインに印加された画像データ信号がコ ンデンサ 1 3と駆動トランジスタ 1 2のゲートに伝達される。
画像データ信号の伝達により、コンデンサ 1 3が画像データ信号の電位に応じて 充電されるとともに、駆動トランジスタ 1 2の駆動がオンする。駆動トランジスタ 1 .2は、 ドレインが電源ライン 7に接続され、 ソースが有機 E L素子 1 0の電極に 接続されており、ゲートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン 7 から有機 E L素子 1 0に電流が供給される。
制御部 Bの順次走査により走査信号が次の走査線 5に移ると、スィツチングトラ レジスタ 1 1の駆動がオフする。 し力 し、スイッチングトランジスタ 1 1の駆動が オフしてもコンデンサ 1 3は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆 動トランジスタ 1 2の駆動はオン状態が保たれて、次の走查信号の印加が行われる まで有機 E L素子 1 0の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加され たとき、走査信号に同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ 1 2が駆動して有機 E L素子 1 0が発光する。
すなわち、有機 E L素子 1 0の発光は、複数の画素それぞれの有機 E L素子 1 0 に対して、アクティブ素子であるスィツチングトランジスタ 1 1と駆動トランジス タ 1 2を設けて、 複数の画素 3それぞれの有機 E L素子 1 0の発光を行っている。 このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。
ここで、有機 E L素子 1 0の発光は、複数の階調電位を持つ多値の画像データ信 号による複数の階調の発光でもよいし、 2値の画像データ信号による所定の発光量 のオン、 オフでもよい。
また、 コンデンサ 1 3の電位の保持は、次の走查信号の印加まで継続して保持し てもよいし、 次の走査信号が印加される直前に放電させてもよい。
本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走 査されたときのみデータ信号に応じて有機 E L素子を発光させるパッシブマトリ タス方式の発光駆動でもよい。
第 4図は、パッシブマトリタス方式による表示装置の模式図である。第 4図にお いて、複数の走査線 5と複数の画像データ線 6が画素 3を挟んで対向して格子状に 設けられている。 順次走査により走査線 5の走査信号が印加されたとき、印加された走査線 5に接 続している画素 3が画像データ信号に応じて発光する。パッシブマトリクス方式で は画素 3にアクティブ素子がなく、 製造コストの低減が計れる。
【実施例】
以下、実施例により本発明を説明するが、本発明の実施態様はこれらに限定され るものではない。
実施例 1
く有機 EL素子 1一 1〜：！一 10の作製 >
(1) 有機 EL素子 1—1の作製
陽極として 10 OmmX 10 OmmX 1. 1 mmのガラス基板上に I T O (イン ジゥムチンォキシド）を 100 nm製膜した基板（NHテクノグラス社製 NA45) にパターニングを行った後、この I TO透明電極を設けた透明支持基板をィソプロ ピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、 UVオゾン洗浄を 5分間 行った。 この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、 一方、 モリプデン製抵抗加熱ボートに NPDを 200mg入れ、別のモリプデン製抵抗加 熱ボートに CBPを 200mg入れ、別のモリプデン製抵抗加熱ポートに I r一 1 を 10 Omg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにパソキュプロイン（B CP) を 200 m g入れ、 更に別のモリプデン製抵抗加熱ボートに Al q3を 200mg 入れ、 真空蒸着装置に取り付けた。
次いで、真空槽を 4 X 10— 4P aまで減圧した後、 NPDの入った前記加熱ボー トに通電して加熱し、蒸着速度 0. 1 n m/ s e cで透明支持基板に蒸着し 45 n m正孔輸送層を設けた。
更に C B Pと I r— 1の入つた前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着 速度 0. 1 n m/ s e c、 0. 006 n m/ s e cで正孔輸送層上に共蒸着して 3 0 nmの発光層を設けた。
更に、 B C Pと I r一 1の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸 着速度 0. 2 n m/ s e c、 0. 000 1 η / s e cで発光層上に共蒸着して 2 O n mの正孔阻止層 1を設けた。
更に A l q 3の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、 蒸着速度 0. l nm/ s e cで前記正孔阻止層 1上に蒸着して膜厚 30 nmの電子輸送層を設けた。 なお、 蒸着時の基板温度は室温であつた。
引き続き陰極バッファ一層としてフッ化リチウム 0. 5 nmを蒸着し、更に、 ァ ルミニゥム 1 1 0 nmを蒸着して陰極を形成し、 有機 E L素子 1— 1を作製した。
(2) 有機 EL素子 1一 2の作製
有機 E L素子 1一 1の作製において、正孔阻止層 1に I r一 1を用いず B C Pの みを蒸着して形成した (蒸着速度： 0. 2 nm/s e c、厚さ： 20 nm)以外は、 有機 EL素子 1— 1と同じ方法で、 有機 EL素子 1一 2を作製した。
(3) 有機 EL素子 1一 3の作製
陽極として 1 0 OmmX 1 0 OmmX 1. 1 mmのガラス基板上に I TO (イン ジゥムチンォキシド）を 1 00 nm製膜した基板（NHテクノグラス社製 NA45) にパターユングを行った後、この I TO透明電極を設けた透明支持基板をィソプロ ピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、 UVオゾン洗浄を 5分間 行った。 この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、 一方、 モリブデン製抵抗加熱ボートに NPDを 200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加 熱ボ^"トに化合物 1を 200 m g入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに化合物 2を 200 m g入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに I r一 1 2を l O Omg 入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに化合物 3を 200 m g入れ、更に別のモ リプデン製抵抗加熱ボートに A l q3を 200mg入れ、 真空蒸着装置に取り付け た。
次いで、真空槽を 4 X 10— 4P aまで減圧した後、 NPDの入った前記加熱ボー トに通電して加熱し、蒸着速度 0. 1 n mZ s e cで透明支持基板に蒸着し 25 n m正孔輸送層を設けた。
更に化合物 1と I r一 12の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ 蒸着速度 0. 2 nm/ s e c, 0. 0004η m/ s e cで正孔輸送層上に共蒸着 して 20 nmの電子阻止層 1を設けた。
更に化合物 2と I Γ一 12の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ 蒸着速度 0. l nm/s e c、 0. 006 nm/s e cで電子阻止層 1上に共蒸着 して 30 nmの発光層を設けた。
更に、ィ匕合物 3と I r— 12の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞ れ蒸着速度 0. 2 n m/ s e c、 0. 0001 n m/ s e cで発光層上に共蒸着し て 20 n mの正孔阻止層 1を設けた。
'更に A l q 3の入った前記加熱ポートに通電して加熱し、 蒸着速度 0. 1 nm/ s e cで前記正孔阻止層 1上に蒸着して膜厚 30 nmの電子輸送層を設けた。 なお、 蒸着時の基板温度は室温であった。
引き続き陰極バッファ一層としてフッ化リチウム 0. 5nmを蒸着し、 更に、 ァ ルミニゥム 1 1011 mを蒸着して陰極を形成し、 有機 EL素子 1一 3を作製した。
(4) 有機 EL素子 1—4の作製
陽極として 10 OmmX 10 OmmX 1. 1mmのガラス基板上に I TO (イン ジゥムチンォキシド）を 100 nm製膜した基板（NHテクノグラス社製 NA45) にパターニングを行った後、この j TO透明電極を設けた透明支持基板をィソプロ ピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、 UVオゾン洗浄を 5分間 行った。 この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、 一方、 モリブデン製抵抗加熱ボートに NPDを 200mg入れ、別のモリプデン製抵抗加 熱ボートに化合物 1を 200 m g入れ、別のモリプデン製抵抗加熱ポートに化合物 2を 20 Omg入れ、別のモリプデン製抵抗加熱ボートに I r— 1 2を 1 O Omg 入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに化合物 3を 200 m g入れ、更に別の^ リプデン製抵抗加熱ボートに A l q3を 200mg入れ、 真空蒸着装置に取り付け た。
次いで、真空槽を 4 X 1 0— 4P aまで減圧した後、 NPDの入った前記加熱ボー トに通電して加熱し、蒸着速度 0. I nmZs e cで透明支持基板に蒸着し 2 5 n m正孔輸送層を設けた。
更に化合物 1の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度 0. 1 nm/ s e cで正孔輸送層上に蒸着して 1 0 n m電子阻止層 2を設けた
更に化合物 1と I r一 1 2の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ 蒸着速度 0. 2 n m/ s e c, 0. 000 η m/ s e cで発光層上に共蒸着して 1 0 nmの電子阻止層 1を設けた。
更にィ匕合物 2と I r— 1 2の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ 蒸着速度 0. 111 mZ s e c, 0. 006 n m/ s e cで電子阻止層 1上に共蒸着 して 30 nmの発光層を設けた。 '
更に、化合物 3と I r一 1 2の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞ れ蒸着速度 0. 2 nmZ s e c, 0. 000 1 nm/ s e cで発光層上に共蒸着し て 1 0 nmの正孔阻止層 1を設けた。 更に、化合物 3の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、正孔阻止層 1上に 1 0 nmの正孔阻止層 2を設けた。
更に A 1 q 3の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、 蒸着速度 0. 1 nm/ s e cで前記正孔阻止層 2上に蒸着して膜厚 3 O nmの電子輸送層を設けた。 なお、 蒸着時の基板温度は室温であった。
引き続き陰極バッファ一層としてフッ化リチウム 0. 5 nmを蒸着し、 更に、 ァ ルミニゥム 1 1 0 nmを蒸着して陰極を形成し、 有機 E L素子 1一 4を作製し 。
(5) 有機 EL素子 1一 5の作製
有機 E L素子 1一 3の作製において、電子阻止層 1に I r— 1 2を用いずィ匕合物 1のみを蒸着して形成 （蒸着速度： 0. 2 nm/ s e c、 厚さ： 20 nm) し、 正 孔阻止層 1に I r— 1 2を用いずィ匕合物 3のみを蒸着して形成した（蒸着速度： 0. 2 nm/ s e c、 厚さ： 20 nm) 以外は、 有機 E L素子 1— 3と同じ方法で、 有 機 E L素子 1— 5を作製した。
(6) 有機 EL素子 1— 6の作製
陽極として 1 0 OmmX 1 0 OmmX 1. 1 mmのガラス基板上に I T O (イン ジゥムチンォキシド）を 1 0 0 nm製膜した基板（NHテクノグラス社製 NA4 5) にパターユングを行った後、この I TO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロ ピルアルコールで超音波洗净し、乾燥窒素ガスで乾燥し、 UVォゾ ^洗浄を 5分間 行った。 この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、 一方、 モリプデン製抵抗加熱ボートに NPDを 20 0mg入れ、別のモリブデン製抵抗加 熱ボートに化合物 1を 20 0 m g入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ポートに化合物 2を 2 0 Omg入れ、別のモリプデン製抵抗加熱ボートに I r— 1を 1 O Omg入 れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに I r一 1 2を l O Omg入れ、別のモリブ デン製抵抗加熱ボートに I r一 7を l O Omg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボ 一トに化合物 3を 200 m g入れ、更に別のモリプデン製抵抗加熱ボートに A 1 q 3を 200 m g入れ、 真空蒸着装置に取り付けた。
次いで、真空槽を 4 X 10一4 P aまで減圧した後、 NPDの入った前記加熱ボー トに通電して加熱し、蒸着速度 0. 1 nm/s e cで透明支持基板に蒸着し 25 n m正孔輸送層を篛けた。
更に化合物 1の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度 0. 1 nm/ s e cで正孔輸送層上に蒸着して 10 nmの電子阻止層 2を設けた
更に化合物 1と I r— 12の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ 蒸着速度 0. 1 n m/ s e c 0. 0006 n mZ s e cで発光層上に共蒸着して 1011 mの電子阻止層 1を設けた。
更に化合物 2と I r— 1の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸 着速度 0. 1 n m/ s e c, 0. 006 n m/ s e cで電子阻止層 1上に共蒸着し て 30 nmの発光層を設けた。
更に、化合物 3と I r— 7の入つた前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ 蒸着速度 0. l nmZs e c、 0. 0003 n mZ s e cで発光層上に共蒸着して 10 n mの正孔阻止層 1を設けた。
更に、化合物 3の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、正孔阻止層 1上に 1 0 nmの正孔阻止層 2を設けた。
更に A 1 q 3の入った前記加熱ポートに通電して加熱し、 蒸着速度 0. 1 nm/ s e cで前記正孔阻止層 2上に蒸着して膜厚 3 On mの電子輸送層を設けた。 なお、 蒸着時の基板温度は室温であった。
弓 Iき続き陰極バッファ一層としてフッ化リチウム 0. 5nmを蒸着し、更に、 了 ルミニゥム 1 1 Onmを蒸着して陰極を形成し、 有機 EL素子 1—6を作製した。 (7) 有機 EL素子 1一 7の作製
陽極として 10 OmmX 10 OmmX 1. 1 mmのガラス基板上に I TO (イン ジゥムチンォキシド）を 10 Onm製膜した基板（NHテクノグラス社製 NA45) にパターユングを行った後、この I TO透明電極を設けた透明支持基板をィソプロ ピルアルコールで超音波洗净し、乾燥窒素ガスで乾燥し、 UVオゾン洗浄を 5分間 行った。 この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、 一方、 モリプデン製抵抗加熱ボートに NPDを 200mg入れ、別のモリプデン製抵抗加 熱ボートに化合物 1を 200 m g入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに化合物 2を 200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに I r— lを l O Omg入 れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに I r一 12を l O Omg入れ、別のモリプ デン製抵抗加熱ボートに I r一 7を l O Omg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボ 一トに化合物 3を 200 m g入れ、更に別のモリブデン製抵抗加熱ボートに A 1 q 3を 200 m g入れ、 真空蒸着装置に取り付けた。
次いで、真空槽を 4 X 10— 4P aまで減圧した後、 N P Dの入った前記加熱ボー トに通電して加熱し、蒸着速度 0. l nm/s e cで透明支持基板に蒸着し 25 n m正孔輸送層を設けた。
更に化合物 1の入った前記加熱ポートに通電して加熱し、蒸着速度 0. 1 nm/ s e cで正孔輸送層上に蒸着して 20 nm電子阻止層 1を設けた
更に化合物 2、 I r一 1、 I r— l 2の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、 それぞれ蒸着速度 0. I n / s e c、 0. 004n m/ s e c、 0. 003 nm /s e cで電子阻止層 1上に共蒸着して 30 nmの発光層を設けた。
更に、ィ匕合物 3と I r— 7の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ 蒸着速度 0. l nm/s e c、 0. 0003 n m/ s e cで発光層上に共蒸着して 10 nmの正孔阻止層 1を設けた。
更に、化合物 3の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、正孔阻止層 1上に 1 0 n mの正孔阻止層 2を設けた。
更に A 1 q 3の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、 蒸着速度 0. 1 nm/ s e cで前記正孔阻止層 2上に蒸着して膜厚 30 nmの電子輸送層を設けた。 なお、 蒸着時の基板温度は室温であった。 . 引き続き陰極バッファ一層としてフッ化リチウム 0. 5nmを蒸着し、更に、 ァ ルミニゥム 1 10 nmを蒸着して陰極を形成し、 有機 EL素子 1一 7を作製した。
(8) 有機 EL素子 1—8の作製
陽極として 10 OmmX 10 OmmX 1. 1 mmのガラス基板上に I TO (イン ジゥムチンォキシド）を 10 Onm製膜した基板（NHテクノグラス社製 NA45) にパターニングを行った後、この I TO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロ ピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、 UVオゾン洗浄を 5分間 行った。 この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、 一方、 モリプデン製抵抗加熱ボートに NPDを 200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加 熱ボートに化合物 1を 200 m g入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ポートに化合物 2を 20 Omg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに I r一 1を 1 O Omg入 れ、別のモリプデン製抵抗加熱ボートに I r一 12を l O Omg入れ、別のモリプ デン製抵抗加熱ボートに I r— 7を l O Omg入れ、別のモリプデン製抵抗加熱ボ 一トに化合物 3を 200 m g入れ、更に別のモリブデン製抵抗加熱ボートに A 1 q 3を 20 Gm g入れ、 真空蒸着装置に取り付けた。
次いで、真空槽を 4 X 10— 4P aまで減圧した後、 NPDの入った前記加熱ボー トに通電して加熱し、蒸着速度 0. 1 nm/s e cで透明支持基板に蒸着し 25 n m正孔輸送層を設けた。 更に化合物 1の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度 0. 1 nm/ s e cで正孔輸送層上に蒸着して 20 nm電子阻止層 1を設けた
更に化合物 2、 I r— 1、 I r一 7、 I r一 1 2の入った前記加熱ボートに通電 して加熱し、それぞれ蒸着速度 0. 1 n m/ s e c、 0. 004 n m/ s e c、 0. 003 nm/ s e c, 0. 00 2 nm/ s e cで電子阻止層 1上に共蒸着して 30 nmの発光層を設けた。
更に、ィヒ合物 3の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度 0. 1 nm /s e cで発光層上に蒸着して 1 011 mの正孔阻止層 1を設けた。
更に、化合物 3の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、正孔阻止層 1上に 1 0 n mの正孔阻止層 2を設けた。 更に A 1 q 3の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、 蒸着速度 0. 1 nm/ s e cで前記正孔阻止層 2上に蒸着して膜厚 3 O nmの電子輸送層を設けた。 なお、 蒸着時の基板温度は室温であった。
引き続き陰極バッファ一層としてフッ化リチウム 0. 5 nmを蒸着し、更に、 ァ ルミユウム 1 10 nmを蒸着して陰極を形成し、 有機 EL素子 1一 8を作製した。 蛍光ドーパントをドープした例 （比較例）
(9) 有機 EL素子 1—9の作製
素子構成
I TO/NPD/CB P ：ルブレン/ B CP ：ルブレン/ A 1 q 3/L i ¥/ A 1
作製方法は有機 EL素子 1— 1と同じ。 ドーパントが蛍光性ドーパントであるル プレンである。 (10) 有機 EL素子 1—10の作製
素子構成
I TO/NPD/CB P：ルプレン/ BCP/A 1 q 3/L i F/A 1 1-9の正孔阻止層にルプレンをドープしない例
作製方法は有機 E L素子 1— 2と同じ。発光層のドーパントが蛍光性ドーパント であるルプレンである。
作成方法は有機 E L素子 1— 2と同じ。 ドーパントが蛍光性ドーパントである ルプレンである。 作製した有機 E L素子 1一 1〜：！一 10について、発光色、正孔阻止層 1、 電子 P且止層 1、発光層におけるリン光性化合物の含有率、各層のリン光性化合物の含有 率、 リン光発光についての関係式のデータを表 1に示す。
NPD CBP
Figure imgf000078_0001
化合物 1
Figure imgf000079_0001
Figure imgf000079_0002
表 1
Figure imgf000080_0001
：正孔阻止層 1のリン光発光 Z発光層のリン光発光 X loo
※ ：電子阻止層 1のリン光発光 Z発光層のリン光発光 X 100
〈有機 E L素子 1一 1〜 1一 10の評価〉
以下のようにして作製した有機 EL素子 1— 1〜1— 10の発光寿命の評価を 行い、 その結果を表 1に示す。
(発光寿命）
23 °C、 乾燥窒素ガス雰囲気下で 2. 5 mA/ c m2の一定電流で駆動したとき に、輝度が発光開始直後の輝度 （初期輝度） の半分に低下するのに要した時間を測 定し、 これを半減寿命時間 （τ 0. 5) 'として寿命の指標とした。 なお測定には分 光放射輝度計 CS— 1000 (ミノノレタ製） を用いた。
(外部取り出し量子効率）
作製した有機 EL素子について、 23 °C、 乾燥窒素ガス雰囲気下で 2. 5 mA Zcm2定電流を印加したときの外部取り出し量子効率 （％) を測定した。 なお測 定には同様に分光放射輝度計 CS—1000 (ミノルタ製） を用いた。
表 2の発光寿命の測定結果は、有機 EL素子 1— 1、 1一 2については有機 E L 素子 1一 2の測定値を 100とした時の相対値で表し、有機 E L素子 1一 3〜： I— 5については有機 EL素子 1—5の測定値を 100としたときの相対値で表し、有 機£1^素子1ー6〜1ー8については、有機 E L素子 1—8の測定値を 100とし たときの相対値で表し、有機 EL素子 1ー9、 1 - 10については有機 EL素子 1 -10の測定値を 100とした時の相対値で表した。 表 2
Figure imgf000082_0001
表 2力 ら、 本発明の有機 E L素子は、 長寿命であることが分かった。
実施例 2
〈フル力ラー表示装置の作製〉
(青色発光有機 E L素子）
実施例 1で作製した有機 E L素子 1一 4を用いた。
(緑色発光有機 E L素子）
実施例 1で作製した有機 E L素子 1― 1を用いた。
(赤色発光有機 E L素子）
実施例 1で作製した有機 E L素子 1—4において、 1— 1 2の替えて I r— 9を 用いた以外は、有機 E L素子 1— 4と同様の方法で作製した有機 E L素子 1— 4 R を用いた。
上記の赤色、緑色及び青色発光有機 E L素子を、 同一基板上に並置し、第 1図に 記載の形態を有するァクティブマトリクス方式フルカラー表示装置を作製し、第 2 図には、作製した前記表示装置の表示部 Aの模式図のみを示した。 即ち、 同一基板 上に、複数の走査線 5及びデータ線 6を含む配線部と、並置した複数の画素 3 (発 光の色が赤領域の画素、 緑領域の画素、 青領域の画素等） とを有し、 配線部の走査 線 5及び複数のデータ線 6はそれぞれ導電材料からなり、走査線 5とデータ線 6は 格子状に直交して、 直交する位置で画素 3に接続している （詳細は図示せず)。 前 記複数の画素 3は、それぞれの発光色に対応した有機 E L素子、アクティブ素子で あるスィツチングトランジスタと駆動トランジスタそれぞれが設けられたァクテ イブマトリクス方式で駆動されており、走査線 5から走査信号が印加されると、デ ータ線 6から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。 この様に各赤、緑、 青の画素を適宜、'並置することによって、 フルカラー表示装置 を作製した。
該フルカラー表示装置を駆動することにより、長寿命であるフルカラー動画表示 が得られることを確認することができた。
実施例 3
有機 E L素子 1一 6の非発光面をガラスケースで覆い、照明装置とした。照明装' 置は、発光輝度、発光効率の高く、長寿命である白色光を発する薄型の照明装置と して使用することができた。第 5図は照明装置の概略図で、第 6図は照明装置の断 面図である。 産業上の利用可能性
本発明により、長寿命である有機エレクトロノレミネッセンス素子、照明装置およ び表示装置を提供することができた。

Claims

82 請求の範囲
1 - 陰極と陽極との間にリン光性化合物を含有する発光層を少なくとも有する 有機ェレク ト口ルミネッセンス素子において、前記発光層と前記陰極との間にあり, 5 前記発光層に隣接して正孔阻止層 1を有し、前記正孔阻止層 1がリン光性化合物を 含有し、 該リン光性化合物の含有率が前記発光層のリン光性化合物の含有率の 0 . 1〜5 0 %であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
2 . 前記正孔阻止層 1と前記陰極との間にあり、前記正孔阻止層 1に隣接して 10 正孔阻止層 2を有することを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の有機エレクト 口ルミネッセンス素子。
3 . 前記発光層に含有されるリン光性化合物と、前記正孔阻止層 1に含有され - るリン光性化合物が同一化合物であることを特徴とする請求の範囲第 1項に記載 15 の有機エレク ト口ルミネッセンス素子。 . 前記発光層に含有されるリン光性化合物と、前記正孔阻止層 1に含有され るリン光性化合物と力 異なる化合物であることを特徴とする請求の範囲第 1項に 記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
20
5 . 陰極と陽極との間にリン光性化合物を含有する発光層を少なくとも有する 有機ェレクト口ノレミネッセンス素子において、前記発光層と前記陽極との間にあり - 前記発光層に隣接して電子阻止層 1を有し、前記電子阻止層 1がリン光性化合物を 含有し、 該リン光性化合物の含有率が前記発光層のリン光性化合物の含有率の 0 . ：!〜 5 0 %であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
6 . 前記電子阻止層 1と前記陽極との間にあり、前記電子阻止層 1に隣接して 電子阻止層 2を有することを特徴とする請求の範囲第 5項に記載の有機エレクト 口/レミネッセンス素子。
7 . 前記発光層に含有されるリン光性化合物と、前記電子阻止層 1に含有され るリン光性化合物が同一化合物であることを特徴とする請求の範囲第 5項に記載 の有機エレク ト口ルミネッセンス素子。
8 . 前記発光層に含有されるリン光性化合物と、前記電子阻止層 1に含有され るリン光性化合物と力 異なる化合物であることを特徴とする請求の範囲第 5項に 記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
9 . 陰極と陽極との間にリン光性化合物を含有する発光層を少なくとも有する 有機ェレク ト口ルミネッセンス素子において、前記発光層と前記陰極との間にあり、 前記発光層に隣接して正孔阻止層 1を有し、 前記発光層と前記陽極との間にあり、 前記発光層に隣接して電子阻止層 1を有し、前記正孔阻止層 1がリン光性化合物を 含有し、 該リン光性化合物の含有率が前記発光層のリン光性化合物の含有率の 0 . 1〜 5 0 %であり、前記電子阻止層 1がリン光性化合物を含有し、該リン光性化合 物の含有率が前記発光層のリン光†生化合物の含有率の 0 . 1〜 5 0 %であることを 特徴とする有機エレク ト口ルミネッセンス素子。 1 o . 前記正孔阻止層 1と前記陰極との間にあり、前記正孔阻止層 1に隣接して 正孔阻止層 2を有することを特徴とする請求の範囲第 9項に記載の有機ェレク ト 口ルミネッセンス素子。 1 1 . 前記電子阻止層 1と前記陽極との間にあり、前記電子阻止層 1に隣接して 電子阻止層 2を有することを特徴とする請求の範囲第 9項に記載の有機エレクト ロノレミネッセンス素子。 '
1 2 . 前記発光層に含有されるリン光性化合物と、前記正孔阻止層 1に含有され るリン光性化合物が同一化合物であることを特徴とする請求の範囲第 9項に記載 の有機エレクトロルミネッセンス素子。
1 3 . 前記発光層に含有されるリン光性化合物と、前記正孔阻止層 1に含有され るリン光性ィヒ合物と力 異なるィ匕合物であることを特徴とする請求の範囲第 9項に 記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
1 4 . 前記発光層に含有されるリン光性化合物と、前記電子阻止層 1に含有され るリン光性ィヒ合物が同一化合物であることを特徴とする請求の範囲第 9項に記載 の有機エレク トロルミネッセンス素子。
1 5 . 前記発光層に含有されるリン光性化合物と、前記電子阻止層 1に含有され るリン光性ィ匕合物と力 S、異なる化合物であることを特徵とする請求の範囲第 9項に 記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 O 2005/009088
85
1 6 . 陰極と陽極との間にリン光性化合物を含有する発光層を少なくとも有する 有機ェレクト口ノレミネッセンス素子において、前記発光層と前記陰極との間にあり、 前記発光層に隣接して正孔阻止層 1を有し、前記正孔阻止層 1が前記発光層のリン 光発光の 0 · 1 ~ 5 0 %のリン光発光を有するように、前記正孔阻止層 1にリン光 性化合物を含有させたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
1 7 . 前記正孔阻止層 1と前記陰極との間にあり、前記正孔阻止層 1に隣接して 正孔阻止層 2を有することを特徴とする請求の範囲第 1 6項に記載の有機エレク トロノレミネッセンス素子。
1 8 . 陰極と陽極との間にリン光性化合物を含有する発光層を少なくとも有する 有機ェレクト口ルミネッセンス素子において、前記発光層と前記陽極との間にあり、 前記発光層に隣接して電子阻止層 1を有し、前記電子阻止層 1が前記発光層のリン 光発光の 0 . 1〜 5 0 %のリン光発光を有するように、前記電子阻止層 1にリン光 性化合物を含有させたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
1 9 . 前記電子阻止層 1と前記陽極との間にあり、前記電子阻止層 1に隣接して 電子阻止層 2を有することを特徴とする請求の範囲第 1 8項に記載の有機エレク トロルミネッセンス素子。
2 0 . 陰極と陽極との間にリン光性化合物を含有する発光層を少なくとも有する 有機ェレク トロルミネッセンス素子において、前記発光層と前記陰極との間にあり、 前記発光層に隣接して正孔阻止層 1を有し、 前記発光層と前記陽極との間にあり、 O 2005/009088
86
前記発光層に隣接して電子阻止層 1を有し、前記正孔阻止層 1が前記発光層のリン 光発光の 0. 1〜 5 0 %のリン光発光を有するように、前記正孔阻止層 1にリン光 性化合物を含有させ、 前記電子阻止層 1が前記発光層のリン光発光の 0 . 1〜5 0 %のリン光発光を有するように、前記電子阻止層 1にリン光性化合物を含有させ たことを特徴とする有機エレク ト口ルミネッセンス素子。
2 1 . 前記正孔阻止層 1と前記陰極との間にあり、前記正孔阻止層 1に隣接して 正孔阻止層 2を有することを特徴とする請求の範囲第 2 0項に記載の有機ェレク ト口ルミネッセンス素子。
2 2 . 前記電子阻止層 1と前記陽極との間にあり、前記電子阻止層 1に隣接して 電子阻止層 2を有することを特徴とする請求の範囲第 2 0項に記載の有機エレク トロノレミネッセンス素子。 2 3 . 白色に発光することを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の有機エレクト ロノレミネッセンス素子。
2 4 . 請求の範囲第 1項に記載の有機エレク ト口ルミネッセンス素子を備えたこ とを特徴とする表示装置。
2 5 . 請求の範囲第 1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたこ とを特徴とする照明装置。
2 6 . 請求の範囲第 2 5項に記載の照明装置と、表示手段として液晶素子とを備 えたことを特徴とする表示装置。
2 7 . 白色に発光することを特徴とする請求の範囲第 5項に記載の有機エレクト ロノレミネッセンス素子。
2 8 . 請求の範囲第 5項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた とを特徴とする表示装置。 2 9 . 請求の範囲第 5項に記載の有機エレク ト口ルミネッセンス素子を備えたこ とを特徴とする照明装置。
3 0 . 請求の範囲第 2 9項に記載の照明装置と、表示手段として液晶素子とを備 えたことを特徴とする表示装置。
3 1 . 白色に発光することを特徴とする請求の範囲第 9項に記載の有機エレクト ロノレミネッセンス素子。
3 2 . 請求の範囲第 9項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたこ とを特徴とする表示装置。
3 3 請求の範囲第 9項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたこ とを特徴とする照明装置。
3 4 . 請求の範囲第 3 3項に記載の照明装置と、表示手段として液晶素子とを備 えたことを特徴とする表示装置。 3 5 . 白色に発光することを特徴とする請求の範囲第 1 6項に記載の有機エレク ト口ルミネッセンス素子。
3 6 . 請求の範囲第 1 6項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子を備えた ことを特徴とする表示装置。
3 7 . 請求の範囲第 1 6項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた ことを特徴とする照明装置。
3 8 . 請求の範囲第 3 7項に記載の照明装置と、表示手段として液晶素子とを備 えたことを特徴とする表示装置。
3 9 . 白色に発光することを特徴とする請求の範囲第 1 8項に記載の有機エレク ト口ルミネッセンス素子。
4 0 . 請求の範囲第 1 8項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子を備えた ことを特徴とする表示装置。
4 1 . 請求の範囲第 1 8項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた ことを特徴とする照明装置,
4 2 . 請求の範囲第 4 1項に記載の照明装置と、表示手段として液晶素子とを備 えたことを特徴とする表示装置。
4 3 . 白色に発光することを特徴とする請求の範囲第 2 0項に記載の有機エレク トロノレミネッセンス素子。
4 4 . 請求の範囲第 2 0項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた ことを特徴とする表示装置。
4 5 . 請求の範囲第 2 0項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた ことを特徴とする照明装置。 4 6 . 請求の範囲第 4 5項に記載の照明装置と、表示手段として液晶素子とを備 えたことを特徴とする表示装置。
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