WO2004102725A2

WO2004102725A2 - Ｎｒｄガイド変換器、および誘電体と導体との結合構造

Info

Publication number: WO2004102725A2
Application number: PCT/JP2004/006973
Authority: WO
Inventors: Tsukasa Yoneyama; Futoshi Kuroki; Hirokazu Sawada
Original assignee: Intelligent Cosmos Research Institute
Priority date: 2003-05-16
Filing date: 2004-05-17
Publication date: 2004-11-25
Also published as: JP3843081B2; JP2004349741A; WO2004102725A3; KR100826489B1; KR20060012295A; US20070040629A1; US7541886B2; JP2005094616A

Abstract

伝送部分にＮＲＤガイドを用い、回路素子装荷部分にマイクロストリップ線路を用いるハイブリッド構造を低損失で実現するため、平行導体板に挟まれ、その間隔が１／２波長未満とする誘電体線路（１）と、誘電体線路１に平行に隣接配置された金属ロッド（３）上であって誘電体線路（１）の反対側側面に設けられたマイクロストリップ線路（４）と、金属ロッド（３）を貫通し、誘電体線路（１）とマイクロストリップ線路（４）とを接続する同軸線路（５）とを備える。

Description

明細書

N R Dガイド変、および誘電体と導体との結合構造技術分野

この発明は、伝送損失が極めて小さい NRDガイド（非放射性誘電体線路： Nonradiative Dielectric Wave Guide) と種々の回路を柔軟に構成することができるマイクロストリップ線路とを接続する NRDガイド変換器、およびこの誘電体線路と導体との結合あるいはマイクロストリツプ線路と同軸線路との結合における誘電体と導体との結合を含む一般的な誘電体と導体との結合構造に関するものである。背景技術

近年、超高速 ·大容量無線通信の実現が強く要望されており、この実現には、ミリ波帯の利用が有効である。特に免許の不要な 59〜 66 GH z帯を力パーする広帯域な回路素子の開発が重要である。これによつて、超高速無 ί泉 LAN、ホームリンク、テレビ室内無線伝送、車車間通信システムなどが、たとえば 400 Mb p s以上の伝送速度で実現することができる。

このようなミリ波、マイクロ波の伝送回路として従来から NRDガイドが用いられている。この NRDガイドは、第 11図に示すように、平行な一対の導体板 102 a, 102 b間に、たとえば比誘電率 s r = 2. 04のテフロン（登録商標）などの誘電体線路 101が設けられる。この導体板 102 a, 102 bの幅すなわち誘電体線路 101の高さは、ミリ波の波長の 1/2未満にし、誘電体線路 101の幅を 1/2波長程度にしている。たとえば、動作周波数が 60GHz である場合、誘電体線路 101の高さを 2. 25 mmとし、誘電体線路 101の幅を 2. 5mmとしている。この結果、誘電体線路 101には、動作周波数のミリ波が伝搬することができるが、誘電体線路 101の外であっては、動作周波数のミリ波は伝搬することができず、いわばミリ波が誘電体泉路 101内に閉じ込められて伝搬することになる。

この誘電体線路内を伝搬するミリ波の動作モード（L SMモード）は、第 11 図に示すような、断面内の電界が発生するが、一対の導体板 102 a, 102 b 間に誘電体線路 101の曲げや分岐などがある場合、第 12図に示すように、不要な寄生モードである L S Eモードが発生する。

この L S Eモードを抑制するため、従来は、第 15図に示すように、誘電体線路 101内に 1/4波長チョーク構造のモードサプレサ 103を挿入していた（特開 2000— 341003号公報参照）。

しかしながら、上述した従来のモードサプレサ 103は、誘電体線路 101に揷入する場合、一度作成した誘電体線路 101を長手方向に切り開き、この切り開いた部分にモードサブレサ 103を挿入し、貼着するという煩雑で時間と労力とがかかる作業が必要であるという問題点があった。そこで、本発明者らは、誘電体線路 101の近傍に、あるいは密着させて導体を配置することによって、寄生モードである L S Eモードを効果的に制御できることを見出した（特願 200 3-49953号参照）。

ところが、誘電体線路 101と導体とを接触させる場合、設計通りの伝送特性が得られない場合が生じ、そのばらつきが大きいという問題点があった。

また、 NRDガイドを用いた回路では、マイクロストリップ線路を併用する場合があり、この場合 N R Dガイドとマイクロストリツプ線路とは同軸線路で結合するとその伝送特性の劣化を小さくすることができる。しかし、マイクロストリップ線路と同軸線路との結合においても、設計通りの伝送特性が得られない場合が生じ、そのばらつきが大きいという問題点があった。

ここで、この NRDガイドは、上述したように、ミリ波帯において極めて伝送損失が低く、誘電体^錄路の曲がりや不連続部などにおいて不要なミリ波の放; I†が全く発生しないという優れた特性を有している。し力し、 NRDガイドは、ダイォードなどの 2端子素子を装荷するには適して!/ヽるが、トランジスタなどの 3端子素子の装荷には適していないという問題点があった。

一方、マイクロストリップ線路は、 3端子素子の装荷などにも適し、柔軟な各種の回路を構成することができる。しかし、マイクロストリップ線路は、ミリ波帯では大きな伝送損失を呈するという問題点があった。

そこで、伝送部分については、 N R Dガイドを用い、 3端子素子などの回路素子装荷部分については、マイクロストリップ線路を用いるという、ハイブリッド構造が考えられるが、 N R Dガイドとマイクロストリツプ線路とを効率良く結合させることができないという問題点があった。

この発明は上記に鑑みてなされたもので、伝送部分に N R Dガイドを用い、回路素子装荷部分にマイクロストリツプ線路を用いるハイブリッド構造を低損失で実現することができる N R Dガイド変 «を提供することを目的とするとともに、簡易な構成で、設計通りの伝送特性を確実に得ることができる誘電体と導体との結合構造を提供することを目的とする。発明の開示

上記目的を達成するため、この発明にかかる N RDガイド変換器は、平行導体板に挟まれ、その高さが 1 Z 2波長未満とする誘電体線路と、前記誘電体線路に略平行に隣接配置された導体口ッド上であって前記誘電体線路の反对側側面に設けられたマイクロストリップ線路と、前記導体口ッドを貫通し、前記誘電体線路と前記マイクロストリップ線路とを接続する同軸線路と、を備えたことを特徴とする。

また、この発明にかかる N R Dガイド変換器は、平行導体板に挟まれ、その高さが 1 / 2波長未満である第 1の誘電体線路と、前記第 1の誘電体線路に対し、長手方向に縦列配置された第 2の誘電体線路と、前記第 1およぴ第 2の誘電体線路に略平行に隣接配置された導体口ッド上であって前記第 1および第 2の誘電体線路の反対側側面に設けられたマイクロストリップ線路と、前記導体口ッドのー端部近傍で貫通し、前記第 1の誘電体線路と前記マイクロストリツプ線路の一端部近傍とを接続する第 1の同軸線路と、前記導体ロッドの他端部近傍で貫通し、前記第 2の誘電体線路と前記マイクロストリップ線路の他端部近傍とを接続する第 2の同軸線路と、を'備え、前記第 1の誘電体線路、前記マイクロストリツプ線路、および前記第 2の誘電体線路を縦列接続したことを特徴とする。

また、この発明にかかる NR Dガイド変換器は、平行導体板に挾まれ、その高さ力 S 1 / 2波長未満である第 1および第 2の誘電体線路と、前記第 1およぴ第 2 の誘電体線路間に設けられ、該第 1および第 2の誘電体線路に略平行配置された第 1および第 2の導体ロッドと、前記第 1および第 2の導体ロッド間に設けられたマイクロストリツプ線路と、前記第 1の導体口ッドを貫通し、前記第 1の誘電体線路と前記マイクロストリップ線路の一端とを接続する第 1の同軸線路と、前記第 2の導体口ッドを貫通し、前記第 2の誘電体線路と前記マイクロストリップ線路の他端とを接続する第 2の同軸線路と、を備え、前記第 1の誘電体線路、前記マイクロストリップ線路、および前記第 2の誘電体線路を縦列接続したことを特徴とする。

また、この発明にかかる N R Dガイド変換器は、上記の発明において、前記第 1の誘電体線路に接続される第 1の同軸線路の一端と前記第 1の誘電体線路との間を接続する第 1の垂直ストリツプ線路と、前記第 2の誘電体線路に接続される第 2の同軸線路の一端と前記第 2の誘電体線路との間を接続する第 2の垂直ストリップ線路と、をさらに備えたことを特徴とする。

また、この発明にかかる N R Dガイド変換器は、上記の発明において、前記導体口ッド、前記第 1の導体口ッド、および前記第 2の導体口ッドは、その上下面に 1 / 4波長チヨーク構造を形成したことを特徴とする。

また、この発明にかかる N R Dガイド変換器は、上記の発明において、前記第 1の同軸線路および前記第 2の同軸線路と前記マイクロストリツプ線路との接触面に液状誘電体を充填したことを特徴とする。

また、この発明にかかる N RDガイド変換器は、上記の発明において、前記液状誘電体は、乾燥硬化性液状誘電体であることを特徴とする。また、この発明にかかる N R Dガイド変換器は、上記の発明において、前記乾燥硬化性液状誘電体は、ェナメルであることを特徴とする。

また、この発明にかかる誘電体と導体との結合構造は、上記の発明において、同軸線路の内部導体を、マイクロストリップ線路の誘電体基板に貫通させ、前記マイクロストリップ線路と前記同軸線路とが結合された結合構造において、前記内部導体と前記誘電体基板との接触面に液状誘電体を充填したことを特徴とするまた、この発明にかかる誘電体と導体との結合構造は、平行導体板に挟まれ、その間隔が 1 / 2波長未満とする誘電体線路によってミリ波を伝搬する N R Dガイドの該誘電体線路に導体を密着配置し、該誘電体線路と該導体との間に、液状誘 ' 電体を充填したことを特徴とする。

また、この発明にかかる誘電体と導体との結合構造は、上記の発明において、前記液状誘電体は、乾燥硬化性液状誘電体であることを特徴とする。

また、この発明にかかる誘電体と導体との結合構造は、上記の発明において、前記乾燥硬化性液状誘電体は、エナメルであることを特徴とする。図面の簡単な説明

第 1図は、この発明の実施の形態 1である N R Dガイド変換器の一部を破断した斜視図である。第 2図は、第 1図に示した N R Dガイド変換器の要部を示す平面図である。第 3図は、第 1図に示した N R Dガイド変の変換出力とリタ一ンロスの周波数特性を示す図である。第 4図は、この発明の実施の形態 2である N RDガイド変換器の要部を示す平面図である。第 5図は、第 4図に示した N R Dガイド変の変換出力とリターンロスの周波特性を示す図である。第 6図は、この発明の実施の形態 3である N R Dガイド変«の一部を破断した斜視図で ' ある。第 7図は、この発明の実施の形態 3である NR Dガイド変»の変形例の一部を破断した斜視図である。第 8図は、この発明の実施の形態 4であるマイクロストリップ線路と同軸線路との結合構造を示す斜めからみた一部破断図である。第 9図は、エナメルの充填有無による伝送特性の違いを示す図である。第 1 0 図は、この発明の実施の形態 5である NRDガイドモードサブレサの概要構成を示す斜めからみた一部破断図である。第 1 1図は、動作モードの電界分布を示す図である。第 12図は、寄生モードの電界分布を示す図である。第 13図は、 N RDガイドの屈曲に伴う電磁界分布の変化を示す図である。第 14図は、ェナメルの充填有無による伝送特性の違いを示す図である。第 15図は、従来の NRD ガイドモードサプレッサの構成を示す概要図である。発明を実施するための最良の形態

以下に添付図面を参照して、この発明にかかる NRDガイド変 »および誘電体と導体との結合構造の好適な実施の形態を詳細に説明する。

(実施の形態 1 )

第 1図は、この発明の実施の形態 1である N R Dガイド変換器の一部を破断した斜視図である。第 1図において、この NRDガイド変«は、平行な導体板 2 a, 2 bに挟まれた誘電体線路 1と、この誘電体線路 1に近接し、平行に配置された導体である金属ロッド 3とを有する。この金属ロッド 3の誘電体線路 1側の反対側側面には、マイクロストリップ線路 4が形成されている。同軸線路 5は、誘電体線路 1との接続が容易であるとともに、マイクロストリツプ線路 4との接続も容易であるため、誘電体線路 1とマイクロストリップ線路 4とを、同軸線路 5を介して接続するようにしている。なお、金属口ッド 3は、誘電体線路 1と同様に、導体板 2 a, 2 bに挟まれている。また、誘電体線路 1は、比誘電率 ε r =2. 04、 tan6 =1. 5 X 10— ⁴程度のテフロン（登録商標）によって実現され、高さ aは 2 · 25 mm、幅 bは 2 · 5 mmである。誘電体線路 1を伝搬するミリ波の動作周波数を 60GHzとすると、その波長 λは約 5 mmであり、高さ aは、 1/2波長以下となり、誘電体,锒路 1以外の導体板 2 a, 2 b間には動作周波数のミリ波は伝搬しない。これに対して、誘電体線路 1内は、波長が短縮され、動作周波数のミリ波が伝搬することができる。この結果、動作周波数帯においてミリ波が誘電体線路 1内のみを伝搬する NRDガイドが形成される。ここで、第 2図を参照して同軸線路 5近傍の構成について説明する。第 2図において、同軸路 5は、金属ロッド 3に円筒状の孔が設けられ、この孔にテフ口ン（登録商標）などによって実現される誘電体 5 bが充填され、この誘電体 5 b の軸に、中心導体 5 aが貫通することによって形成される。中心導体 5 aの誘電体線路 1側の一端は、誘電体線路 1の側面に圧着した状態で結合し、中心導体 5 aのストリップ 4 a側の他端は、ストリップ 4 aに接続される。

マイクロストリツプ線路 4は、金属ロッド 3上に誘電体 4 bを設け、この誘電体 4 b上にストリップ状のストリップ 4 aを形成することによって実現される。マイクロストリツブ線路 4は、たとえば基板厚さ 0. 2 iim、比誘電率 ε r = 2 . 3の誘電体 4 bと線幅 0. 5mmのストリップ 4 aによって実現される。ストリップ 4 aは、中心導体 5 aとの結合点から L / 4離隔した位置で金属ロッド 3 に接地される。

金属口ッド 3と誘電体線路 1との間の中心導体 5 aの長さは、例えば; L Z 4とすることができ、一般的には、 /4 + η · (λ/2) としてもよい。なお、 η は、 0， 1 , 2， …であり、 0を含む整数である。また、金属ロッド 3は、その断面形状を Η型とし、中心導体 5 a方向の辺の長さはそれぞれ 1/4波長に設定され、誘電体線路 1側とマイクロストリップ線路 4側との間における動作周波数帯の電波の漏れを防止するチョーク構造としている。

第 3図は、第 1図および第 2図に示した NRDガイド変換器のポート P 1から入力された電力のポート P 2への出力 I S₂₁ | と、ポート P 1でのリターンロス I s_u Iの周波数特性を示す図である。第 3図に示すように、リターンロス I s_t i Iは、 60 GH zを中心に 2 GH zの帯域にわたって 20 d B以下となっており、誘電体線路 1から同軸線路 5を介したマイクロストリツプ線路 4への出力 I S |は、効率のよい変換出力となっている。すなわち、十分実用に耐える誘電体線路 1とマイクロストリップ線路 4との間の変換器を実現している。

(実施の形態 2)

つぎに、この発明の実施の形態 2について説明する。上述した実施の形態 1では、 1つの誘電体線路 1と 1つのマイクロストリツプ線路 4とを結合するものであつたが、この実施の形態 2では、マイクロストリツプ線路の両端にそれぞれ誘電体線路を結合するようにしている。

第 4図は、この発明の実施の形態 2である NRDガイド変換器の要部を示す平面図である。第 4図に示すように、マイク.ロストリップ,锒路 14のストリップ 1 4 aの両端において同軸線路 5に対応する同軸線路 15 a， 15 bが形成され、それぞれ誘電体線路 1 l a, l i bに接続される。なお、中心導体 15 a— 1， 15 b— 1は、中心導体 5 aに相当し、誘電体 14 bは、誘電体 4 bに相当し、誘電体 15 a-2, 15 b— 2は、誘電体 5 bに相当する。'

第 5図は、第 4図に示した NRDガイド変換器のポート P 1から入力された電力のポート P 2への出力 I S₂₁ Iとポート P 1でのリターンロス i S_u Iの周波数特性を示す図である。なお、ポート P 1は、誘電体線路 11 b側のポートであり、ポート P 2は、誘電体線路 11 a側のポートである。第 5図に示すように、リターンロス 1 S_u Iは、 60 GHzを中心に 2 GHzの帯域にわたって約 10 d B以下となっており、誘電体線く路 l i bから同軸線路 15 b、マイクロストリップ線路 14、同軸線路 15 aを介した誘電体線路 11 aへの出力 | S₂₁ |は、効率のよい変換出力となっている。

この実施の形態 2では、マイクロストリツプ線路 14を、 3端子デバィスのマゥントとして用いることができる。

(実施の形態.3 )

上述した実施の形態 1， 2では、導体板 2 a, 2 bの間に形成される空間を有効利用するために、金属ロッド 3， 13の側面を有効利用し、この側面にマイクロストリツプ線路 4， 14を設けるようにしていたが、この実施の形態 3では、さらに大きな装荷面積を得ることが出来る NRDガイド変換器を実現している。第 6図は、この発明の実施の形態 3である N R Dガイド変換器の一部を破断した斜視図である。第 6図において、この NRDガイド変換器は、導体板 22 a, 22bに挟まれた 2つの誘電体線路 21 a, 21 bを有し、これらは、誘電体線路 1， 1 1 a， 1 1 bに相当する。誘電体線路 21 a， 21 bの間には、金属口ッド 3， 1 3に対応するロッド部 23 a， 23 bを有した金属板 23が設けられる。そして、金属板 2 3の中央の凹部上に誘電体 24 bが形成され、さらにストリップ 24 aが設けられる。すなわち、中央凹部と誘電体 24 bとストリップ 2 4 aとによってマイクロストリップ線路 24が形成される。

ロッド部 23 a， 2 3 bの中央には、誘電体 5 bに相当する誘電体 25 a— 2 ， 25 b_2が設けられ、これらを貫通するように中心導体 5 aに相当する中心導体 25 a_l， 25 b - 1が設けられる。中心導体 25 a -1, 25 b— 1は、ストリップ 24 aの両端に接続されるとともに、それぞれ誘電体線路 21 a， 21 bの側面に圧着される。すなわち、誘電体,锒路 2 1 a, 21 bとマイクロストリップ線路 24とが同軸線路 5に対応する同軸線路 2 5 a, 2 5 bによって結合接続される。 '

ここで、金属板 23の中央凹部は、導体板 22 a, 22 bに平行な平面を形成するため、大きな装荷面積をもつマイクロストリップ線路 24を形成することができる。すなわち、この実施の形態 3に示した NRDガイド変換器は、大きな回路面積を必要とするマイクロストリップ線路 24について用いることができる。第 7図は、第 6図に示した N R Dガイド変換器の変形例を示す一部を破断した斜視図である。この NRDガイド変換器では、中心導体 35 a— 1, 3 5 b- 1 を誘電体線路 3 1 a， 3 1 bに直接接続せず、垂直ストリップ線路 3 6 a, 3 6 bを介在させている。この垂直ストリップ線路 36 a, 36 bの介在によって、誘電体線路 31 a， 3 1 bの結合部分には不要な寄生モードである L S Eモードを抑制するモードサプレサ 37 a， 3 7 が設けられる。垂直ストリップ線路 3 6 a, 36 bは、誘電体線路 3 1 a， 3 1 bとロッド部 33 a， 3 3 bとを物理的に離隔し、誘電体線路 3 1 a, 3 1 bに対して結合部分近傍からの動作モード電波の影響を低減するとともに、誘電体線路 3 1 a， 3 1 bと中心導体 35 a— 1， 35 b— 1とをそれぞれ低損失で結合している。

この実施の形態 3では、広い装荷面積を必要とするマイクロストリップ線路の形成を低損失で実現することができる。

以上説明したように、この発明によれば、導体ロッドを貫通する同軸線路によつて、極めて低損失の誘電体線路と柔軟な回路構成が実現できるマイクロストリップ線路とを接続し、伝送部分に誘電体線路を用い、回路素子装荷部分にマイクロストリツプ線路を用いたハイブリッド構成を容易に実現することができるという効果を奏する。

また、この発明によれば、第 1の誘電体線路、マイクロストリップ線路、および第 2の誘電体線路を縦列接続するようにしているので、マイクロストリップ線路に 3端子回路を装荷できるハイプリッド構成を実現できる.という効果を奏する。 .

また、この発明によれば、第 1および第 2の導体口ッド間にマイクロストリツプ線路を設けるようにし、たとえば、平行導体板に平行な面を形成し、大きな装荷面積を有したマイクロストリップ線路を搭載したハイプリッド構成を実現できるという効果を奏する。

また、この発明によれば、第 1および第 2の垂直ストリップ線路によって、第 1およぴ第 2の導体ロッドと第 1および第 2の誘電体線路との間をそれぞれ離隔するようにし、第 1および第 2の誘電体線路に対する電波の乱れを低減したハイブリッド構成を実現できるという効果を奏する。

また、この発明によれば、誘電体線路側とマイクロストリップ側とを電気的に分離するようにしているので、高性能なハイブリッド構成を実現できるという効果を奏する。

(実施の形態 4 ) '

つぎに、この発明の実施の形態 4について説明する。この実施の形態 4は、マイクロストリップ線路と同軸線路とを結合する場合について説明する。特にこの実施形態 4は、上述した実施の形態 1などに適用することによって、さらに伝送損失の劣化を防止できる。第 8図は、この発明の実施の形態 4であるマイクロストリツプ線路と同軸線路との結合構造を示す斜めからみた一部破断図である。第 8図に示すように、マイクロストリツプ線路 6 0は、導体板 6 1上に誘電体基板 6 2を介してストリップ 6 3が形成される。このマイクロストリツプ線路 6 3に結合する同軸線路 5 0は、同軸誘電体 5 2が導体板を貫通し、同軸誘電体 5 2内の内部導体 5 1は、さらに誘電体基板 6 2を貫通し、ストリップ 6 3に結合する。この場合、導体板 6 1 は、外部導体として機能する。

ここで、内部導体 5 1と誘電体基板 6 2との間には、完全に隙間がない構造を形成することは困難であり、第 9図の破線で示すように、伝送特性が劣化する。そこで、内部導体 5 1と誘電体基板 6 2との間の空隙を完全に埋めるべく、ェナメノレ 7 0を充填すると、第 9図の実線で示すように 5 d B以上の特性向上を得ることができる。

このように、電磁界分布が強いところに生じた空隙を埋めることによって、伝送特性は設計時の特性を確実に得ることができる。なお、実線で示した伝送特性は、エナメル 7 0を充填した状態であっても、 2 d B程度の損失があるが、この損失は、マイクロストリツプ線路 6 0と同軸線路 5 0との変換による損失ではなく、マイクロストリツプ線路 6 0自体の伝送損失である。

この実施の形態 4によれば、単に、マイクロストリツプ線路 6 0と同軸線路 5 0とを結合する場合であっても、電磁界が集中する誘電体基板 6 2と内部導体 5 1との間に生じる空隙をエナメル 7 0で充填するようにし、これによつて伝送特性の劣化をなくすことができる。

(実施の形態 5 )

この実施の形態 5は、実施の形態 4における液状誘電体充填の方法を N R Dガィドモードサプレサプレセッサに適用したものである。

第 1 0図は、この発明の実施の形態 5である N R Dガイドモードサプレッサの概要構成を示す斜めからみた一部破断図である。第 1 0図において、この N R D ガイドモードサプレッサは、平行な導体板 2 a , 2 bに挟まれた誘電体線路 1を有する。誘電体線路 1は、比誘電率 ε r = 2 . 0 4、 tan <5 = 1 . 5 x 1 0 ⁴程度のテフロン（R) によって実現され、高さ aは 2 . 2 5 mm, 幅 bは 2 . 5 m mである。誘電体線路 1を伝搬する電磁波の動作周波数を 6 0 GH _Zとすると、その波長 ί は約 5 mmであり、高さ aは、 λ / 2未満となり、誘電体線路 1以外の導体板 2 a， 2 b間には、動作周波数のミリ波は伝搬しない。これに対して、誘電体線路 1内は、波長 λが短縮され、動作周波数のミリ波が伝搬することができる。この結果、動作周波数帯において、ミリ波が誘電体線路 1內のみを伝 i般する N RDガイドを形成する。

ここで、誘電体線路 1は、曲率半径 R = 1 2 mmで屈曲した構造となっており、この場合、図 1 1及ぴ図 1 2に示すように、動作モードである L S Mモード以外に、寄生モードである L S Eモードが発生する。ここで、誘電体線路 1の屈曲内側に、導体である金属リング 4 3を密着させると L S Eモードが抑制される。この金属リング 4 3と誘電体線路 1とを密着させるために、金属リング 4 3と誘電体線路 1との間に、乾燥硬化性液状誘電体としてエナメル 4 0を充填して密着させる。

第 1 3図に示すように、誘電体線路 1が直線状である場合に比較して、誘電体線路 1が屈曲していると、電磁界が屈曲内側にシフトし、屈曲内側の電磁界強度が大きくなる。ここで、第 1 4.図に示すように、誘電体線路 1と金属リング 4 3 との間に生じる空隙に加えて電磁界強度の強さの増大によってスパイク状の劣化が生じるが、エナメル 4 0を充填することによって、このスパイク状の劣ィヒを除去することができる。すなわち、誘電体線路 1と金属リング 4 3との間の空隙が生じないように設計し、製造するが、この微小な空隙の存在を除去することは困難であり、エナメル 4 0の充填によってこの空隙の影響をなくすことができる。この実施の形態 5によれば、誘電体 1と金属リング 4 3との間に生じる空隙を、エナメル 4 0の充填によって確実になくすことができ、この結果、スパイク状に生じる伝送特性の劣化を確実になくすことができる。なお、エナメル 4 0は、乾燥硬化性液状誘電体であるが、これに限らず、液状誘電体であればよく、オイルでもよい。ただし、エナメル 4 0のように硬化して接着性を有することが好ましい。

なお、上述した実施の形態 4， 5では、マイクロストリツプ線路と同軸線路との結合と、 NR Dガイドサプレサの場合との場合について説明したが、これに限らず、誘電体と金属（導体）とを密着させて結合する場合の空隙をなくす構造のすべてに適用できる。たとえば、第 8図において、誘電体基板 6 2と導体板 6 1 との間にも適用でき、簡易に完全に隙間をなくすことが可能であり、伝送特性の改善に効果を奏する。産業上の利用可能性

以上のように、この発明にかかる N RDガイド変換器は、導体口ッドを貫通する同軸線路によって、極めて低損失の誘電体線路と柔軟な回路構成が実現できるマイクロストリップ,锒路とを接続し、伝送部分に誘電体線路を用い、回路素子装荷部分にマイクロストリップ線路を用いたハイプリッド構成を容易に実現することができるので、超高速無線 L AN、ホームリンク、室内テレビ無線伝送、車車間通信システムに適用することができる。また、この発明にかかる液状誘電体を充填して実現される誘電体と導体との結合構造では、誘電体と導体とを密着させて結合させる構造の全てに適用され、特に伝送特性劣化を防止する通信; I»全般に適用することができる。

Claims

1 . 平行導体板に挟まれ、その間隔が 1 Z 2波長未満とする誘電体線路と、前記誘電体線路に略平行に隣接配置された導体口ッド上であって前記誘電体線路の反対側側面に設けられたマイクロストリツプ線路と、

前記導体口ッドを貫通し、前記誘電体線路と前記マイクロストリップ線路とを接続する同軸線路と、言

を備えたことを特徴とする N R D求ガイド変 «。

wの

2 . 平行導体板に挟まれ、その間隔が 1 / 2波長未満である第 1の誘電体線路と、囲

前記第 1の誘電体線路に対し、長手方向に縦列配置された第 2の誘電体線路と、前記第 1および第 2の誘電体線路に略平行に隣接配置された導体ロッド上であつて前記第 1およぴ第 2の誘電体線路の反対側側面に設けられたマイクロストリップ線路と、

前記導体口ッドの一端部近傍で貫通し、前記第 1の誘電体線路と前記マイク口ストリップ線路の一端部近傍とを接続する第 1の同軸線路と、

前記導体口ッドの他端部近傍で貫通し、前記第 2の誘電体線路と前記マイク口ストリップ線路の他端部近傍とを接続する第 2の同軸線路と、

を備え、前記第 1の誘電体線路、前記マイクロストリップ線路、および前記第 2の誘電体線路を縦列接続したことを特徴とする NRDガイド変 m¾。

3 . 平行導体板に挟まれ、その間隔が 1 2波長未満である第 1および第 2の誘電体線路と、

前記第 1および第 2の誘電体線路間に設けられ、該第 1および第 2の誘電体線路に略平行配置された第 1および第 2の導体口ッドと、

前記第 1および第 2の導体口ッド間に設けられたマイクロストリップ線路と、前記第 1の導体口ッドを貫通し、前記第 1の誘電体線路と前記マイクロストリップ線路の一端とを接続する第 1の同軸線路と、

前記第 2の導体口ッドを貫通し、前記第 2の誘電体線路と前記マイクロストリップ線路の他端とを接続する第 2の同軸線路と、

を備え、前記第 1の誘電体線路、前記マイクロストリツプ線路、およぴ前記第 2の誘電体線路を縦列接続したことを特徴とする N R Dガイド変雄。

4 . 前記第 1の誘電体線路に接続される第 1の同軸線路の一端と前記第 1の誘電体線路との間を接続ずる第 1の垂直ストリップ線路と、

前記第 2の誘電体線路に接続される第 2の同軸線路の一端と前記第 2の誘電体線路との間を接続する第 2の垂直ストリップ線路と、

をさらに備えたことを特徴とする請求の範囲第 3項に記載の NRDガイド変換

5 . 前記導体口ッド、前記第 1の導体口ッド、および前記第 2の導体口ッドは、その上下面に 1 /4波長チョーク構造を形成したことを特徴とする請求の範囲第:！〜 4項に記載の N R Dガイド変換器。

6 . 前記マイクロストリツプ線路と前記同軸線路との接触面に液状誘電体を充填したことを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の NRDガイド変換器。

7 . 前記液状誘電体は、乾燥硬化性液状誘電体であることを特徴とする請求の範囲第 6項に記載の N RDガイド変換器。 8 . 前記乾燥硬ィ匕性液状誘電体は、エナメルであることを特徴とする請求の範囲第 7項に記載の NRDガイド変換器。 9 · 前記第 1の同軸線路およぴ前記第 2の同軸線路と前記マイクロストリップ線路との接触面に液状誘電体を充填したことを特徴とする請求の範囲第 2項に記载の N R Dガイド変換器。 1 0 . 前記液状誘電体は、乾燥硬化性液状誘電体であることを特徴とする請求の範囲第 9項に記載の N R Dガイド変換器。

1 1 . 前記乾«化性液状誘電体は、エナメルであることを特徴とする請求の範囲第 1 0項に記載の N R Dガイド変換器。

1 2 . 前記第 1の同軸線路およぴ前記第 2の同軸線路と前記マイクロストリツプ線路との接触面に液状誘電体を充填したことを特徴とする請求の範囲第 3項に記載の N R Dガイド変換器。 1 3 . 前記液状誘電体は、乾燥硬化性液状誘電体であることを特徴とする請求の範囲第 1 2項に記載の N RDガイド変換器。

1 4 . 前記乾燥硬化性液状誘電体は、エナメルであることを特徴とする請求の範囲第 1 3項に記載の N R Dガイド変換器。

1 5 . 平行導体板に挟まれ、その間隔が 1 Z 2波長未満とする誘電体線路によつて電磁波を伝搬する N R Dガイドの該誘電体線路の曲がり部に導体を密着配置し、該誘電体線路と該導体との間に、液状誘電体を充填したことを特徴とする NRDガイドモードサプレッサ。

1 6 . 前記液状誘電体は、乾燥硬化性液状誘電体であることを特徴とする請求の範囲第 1 5項に記載の誘電体と導体との結合構造。

1 7 . 前記乾燥硬化性液状誘電体は、エナメルであることを特徴とする請求の範囲第 1 6項に記載の誘電体と導体との結合構造。

1 8 . 同軸線路の内部導体を、マイクロストリップ線路の誘電体基板に貫通させ、前記マイクロストリップ線路と前記同軸線路とが結合された結合構造において、前記内部導体と前記誘電体基板との接触面に液状誘電体を充填したことを特徴とする誘電体と導体との結合構造。

1 9 . 前記液状誘電体は、乾燥硬化性液状誘電体であることを特徴とする請求の範囲第 1 8項に記載の誘電体と導体との結合構造。

2 0 . 前記乾燥硬化性液状誘電体は、エナメルであることを特徴とする請求の範囲第 1 9項に記載の誘電体と導体との結合構造。