JP2000278006A - 超高周波回路 - Google Patents
超高周波回路Info
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- JP2000278006A JP2000278006A JP11085334A JP8533499A JP2000278006A JP 2000278006 A JP2000278006 A JP 2000278006A JP 11085334 A JP11085334 A JP 11085334A JP 8533499 A JP8533499 A JP 8533499A JP 2000278006 A JP2000278006 A JP 2000278006A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＬＳＥ01モード伝送型のＮＲＤガイドを使用
した超高周波回路の量産性を向上させる。 【解決手段】 ＬＳＥ01モード伝送型のＮＲＤガイドの
誘電体ストリップ１の側面に共平面線路４を形成し、該
共平面線路４に表面実装型のガンダイオード５を実装す
る。共平面線路４の中心ストリップ導体４３の端部を開
放端として、前記ＮＲＤガイドに結合させる。誘電体ス
トリップ１をセラミックス等の高誘電率材料で形成す
る。
した超高周波回路の量産性を向上させる。 【解決手段】 ＬＳＥ01モード伝送型のＮＲＤガイドの
誘電体ストリップ１の側面に共平面線路４を形成し、該
共平面線路４に表面実装型のガンダイオード５を実装す
る。共平面線路４の中心ストリップ導体４３の端部を開
放端として、前記ＮＲＤガイドに結合させる。誘電体ス
トリップ１をセラミックス等の高誘電率材料で形成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＥ01モード伝
送型のＮＲＤガイド（Nonradiative DielecticWaveguid
e ：非放射性誘電体ガイド）にマイクロ波回路素子を搭
載して構成した超高周波回路に関するものである。
送型のＮＲＤガイド（Nonradiative DielecticWaveguid
e ：非放射性誘電体ガイド）にマイクロ波回路素子を搭
載して構成した超高周波回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】超高周波回路では、その量産性の良さ等
からマイクロストリップ線路が従来から広く使われてき
たが、周波数の高い例えば３０ＧＨｚ以上のミリ波領域
では伝送損失が大きくなり、使用に不向きであるところ
から、そのミリ波領域での伝送損失の小さな線路とし
て、誘電体線路、特に不要輻射を抑制したＮＲＤガイド
（IEEE MTT-29,11,pp1188-1192,Nov.1981)が注目されて
いる。
からマイクロストリップ線路が従来から広く使われてき
たが、周波数の高い例えば３０ＧＨｚ以上のミリ波領域
では伝送損失が大きくなり、使用に不向きであるところ
から、そのミリ波領域での伝送損失の小さな線路とし
て、誘電体線路、特に不要輻射を抑制したＮＲＤガイド
（IEEE MTT-29,11,pp1188-1192,Nov.1981)が注目されて
いる。
【０００３】このＮＲＤガイドは、図３に示すように、
電磁波が伝搬する誘電体ストリップ１を導電性金属から
なる２枚の平行平板２，３で挟んだ構造であり、この平
行平板２，３の対面間隔を使用周波数の波長の1/2以下
に設定することにより、この誘電体ストリップ１以外の
場所での電磁波を遮断してその放射を抑制し、その電磁
波を誘電体ストリップ１に沿って低損失で伝搬させるこ
とができる。
電磁波が伝搬する誘電体ストリップ１を導電性金属から
なる２枚の平行平板２，３で挟んだ構造であり、この平
行平板２，３の対面間隔を使用周波数の波長の1/2以下
に設定することにより、この誘電体ストリップ１以外の
場所での電磁波を遮断してその放射を抑制し、その電磁
波を誘電体ストリップ１に沿って低損失で伝搬させるこ
とができる。
【０００４】従来では、このＮＲＤガイドの主要伝送波
として、その低伝送損失性から、ＬＳＭ01モードが使用
されてきたが、誘電体ストリップとして近年発展の目覚
ましいセラミックス等の高誘電率材料を用いた場合に
は、予想以上に伝送損失が大きく、また不要モードが発
生し易いという問題が明らかになってきた。
として、その低伝送損失性から、ＬＳＭ01モードが使用
されてきたが、誘電体ストリップとして近年発展の目覚
ましいセラミックス等の高誘電率材料を用いた場合に
は、予想以上に伝送損失が大きく、また不要モードが発
生し易いという問題が明らかになってきた。
【０００５】しかし、セラミック等の高誘電率材料を効
果的に使用できれば、回路の小型化や伝送損失の低減が
実現可能であり、そのメリットが大きいところから、近
年の研究において、伝送損失が大きいと一般的に考えら
れ、使用されることの少なかったＬＳＥ01モードが注目
されてきた。
果的に使用できれば、回路の小型化や伝送損失の低減が
実現可能であり、そのメリットが大きいところから、近
年の研究において、伝送損失が大きいと一般的に考えら
れ、使用されることの少なかったＬＳＥ01モードが注目
されてきた。
【０００６】このＬＳＥ01モードは、ＬＳＭ01モードよ
りも遮断周波数が低く、ＮＲＤガイドの非放射モードと
しては最低次のモードであり、他モードとのモード結合
を起こしにくく、その取り扱いは比較的容易であるが、
従来一般に使用されてきたテフロン、ポリスチレン等の
低誘電率材料を誘電体ストリップとして用いた場合に
は、伝送帯域が狭いという問題があった。
りも遮断周波数が低く、ＮＲＤガイドの非放射モードと
しては最低次のモードであり、他モードとのモード結合
を起こしにくく、その取り扱いは比較的容易であるが、
従来一般に使用されてきたテフロン、ポリスチレン等の
低誘電率材料を誘電体ストリップとして用いた場合に
は、伝送帯域が狭いという問題があった。
【０００７】ところが、近年研究が進み、誘電体ストリ
ップとして前記したセラミック等の高誘電率材料を用い
た場合には、ＬＳＥ01モードの伝送帯域幅や損失等は、
ＬＳＭ01モードにまさる特性を有することが判明してき
た。
ップとして前記したセラミック等の高誘電率材料を用い
た場合には、ＬＳＥ01モードの伝送帯域幅や損失等は、
ＬＳＭ01モードにまさる特性を有することが判明してき
た。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このようなＬＳＥ01モ
ードを伝送波としたＮＲＤガイドを使用して超高周波回
路を構成する場合、半導体デバイス、ＭＭＩＣ等のマイ
クロ波回路素子をいかに装着して回路を構成するかが重
要な課題となる。
ードを伝送波としたＮＲＤガイドを使用して超高周波回
路を構成する場合、半導体デバイス、ＭＭＩＣ等のマイ
クロ波回路素子をいかに装着して回路を構成するかが重
要な課題となる。
【０００９】ＬＳＥ01モード伝送ＮＲＤガイドは、図４
に示すような電磁界分布を持っているので、ＮＲＤガイ
ドとマイクロ波回路素子の結合方法として、マイクロ波
回路素子の出力を同軸出力とし、図５に示すように誘電
体ストリップ１の側面に同軸線路２１の中心導体２１１
を押し当てるようにした構造が考えられている。２２は
同軸線路２１の取付用及びインピーダンスマッチング用
として働く金属ブロックである。
に示すような電磁界分布を持っているので、ＮＲＤガイ
ドとマイクロ波回路素子の結合方法として、マイクロ波
回路素子の出力を同軸出力とし、図５に示すように誘電
体ストリップ１の側面に同軸線路２１の中心導体２１１
を押し当てるようにした構造が考えられている。２２は
同軸線路２１の取付用及びインピーダンスマッチング用
として働く金属ブロックである。
【００１０】しかしながら、この構造は、マイクロ波回
路素子の入出力線路に同軸線路を使用するものであり、
バラツキやコスト高を招き、量産性が悪く現実的でな
い。
路素子の入出力線路に同軸線路を使用するものであり、
バラツキやコスト高を招き、量産性が悪く現実的でな
い。
【００１１】本発明の課題は、マイクロ波回路素子を生
産性良くＬＳＥ01モード伝送ＮＲＤガイドに装着可能に
した超高周波回路を提供することである。
産性良くＬＳＥ01モード伝送ＮＲＤガイドに装着可能に
した超高周波回路を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の第１の発明は、導電性の平行平板により誘電体ストリ
ップを挟み込んで構成したＬＳＥ01モード伝送型のＮＲ
Ｄガイドを使用する超高周波回路において、前記誘電体
ストリップの側面に共平面線路を形成し、該共平面線路
に表面実装型のマイクロ波回路素子を実装して構成し
た。
の第１の発明は、導電性の平行平板により誘電体ストリ
ップを挟み込んで構成したＬＳＥ01モード伝送型のＮＲ
Ｄガイドを使用する超高周波回路において、前記誘電体
ストリップの側面に共平面線路を形成し、該共平面線路
に表面実装型のマイクロ波回路素子を実装して構成し
た。
【００１３】第２の発明は、第１の発明において、前記
共平面線路を一対の接地導体と該両接地導体の間に配置
した中心ストリップ導体とから構成し、該中心ストリッ
プ導体の端部を開放端として、前記ＮＲＤガイドに結合
させるよう構成した。
共平面線路を一対の接地導体と該両接地導体の間に配置
した中心ストリップ導体とから構成し、該中心ストリッ
プ導体の端部を開放端として、前記ＮＲＤガイドに結合
させるよう構成した。
【００１４】第３の発明は、第１又は第２の発明におい
て、前記誘電体ストリップをセラミックス等の高誘電率
材料で形成して構成した。
て、前記誘電体ストリップをセラミックス等の高誘電率
材料で形成して構成した。
【００１５】第４の発明は、第１乃至第３の発明におい
て、前記マイクロ波回路素子に電圧を供給する電源供給
部を、前記共平面線路に形成して構成した。
て、前記マイクロ波回路素子に電圧を供給する電源供給
部を、前記共平面線路に形成して構成した。
【００１６】
【発明の実施の形態】［実施形態１］図１は本発明の超
高周波回路をガン発振器に適用した実施形態１の構成を
示す図である。図３と同様に、１は誘電体ストリップ、
２、３はこの誘電体ストリップ１を両側から挟持する導
電性金属からなる平行平板であり、これらによりＮＲＤ
ガイドが構成されている。
高周波回路をガン発振器に適用した実施形態１の構成を
示す図である。図３と同様に、１は誘電体ストリップ、
２、３はこの誘電体ストリップ１を両側から挟持する導
電性金属からなる平行平板であり、これらによりＮＲＤ
ガイドが構成されている。
【００１７】４は誘電体ストリップ１の側面に金属薄膜
により形成した共平面線路であり、インピーダンスマッ
チング用のテーパ部４１１、４２１を有する接地導体４
１，４２、その接地導体４１，４２の中間に配置され一
端が開放端４３１に形成された中心ストリップ導体４３
から構成されている。接地導体４１，４２と中心ストリ
ップ導体４３は同一平面内に形成されている。なお、接
地導体８１，８２は平行平板２，３と導通する。
により形成した共平面線路であり、インピーダンスマッ
チング用のテーパ部４１１、４２１を有する接地導体４
１，４２、その接地導体４１，４２の中間に配置され一
端が開放端４３１に形成された中心ストリップ導体４３
から構成されている。接地導体４１，４２と中心ストリ
ップ導体４３は同一平面内に形成されている。なお、接
地導体８１，８２は平行平板２，３と導通する。
【００１８】そして、その接地導体４１，４２、中心ス
トリップ導体４３には表面実装型のガンダイオード５が
搭載されている。６は直流電源導入部、７はこの直流電
源導入部６と中心ストリップ導体４３の他端との間に配
置したチョークである。
トリップ導体４３には表面実装型のガンダイオード５が
搭載されている。６は直流電源導入部、７はこの直流電
源導入部６と中心ストリップ導体４３の他端との間に配
置したチョークである。
【００１９】本実施形態のガン発振器では、ＮＲＤガイ
ドの寸法（平行平板２，３の対向間隔等）を、使用周波
数帯域でＬＳＥ01モードが伝送可能で、且つＬＳＭ01モ
ードが遮断される寸法に設定する。なお、共平面線路４
の接地導体４１，４２、中心ストリップ導体４３の金属
薄膜の形成には、どのような方法でも適用でき、例え
ば、誘電体ストリップ１の側面をメタライズしてそれに
エッチング技術を用いてパターン描画して形成する方法
がある。
ドの寸法（平行平板２，３の対向間隔等）を、使用周波
数帯域でＬＳＥ01モードが伝送可能で、且つＬＳＭ01モ
ードが遮断される寸法に設定する。なお、共平面線路４
の接地導体４１，４２、中心ストリップ導体４３の金属
薄膜の形成には、どのような方法でも適用でき、例え
ば、誘電体ストリップ１の側面をメタライズしてそれに
エッチング技術を用いてパターン描画して形成する方法
がある。
【００２０】以上のように構成されたガン発振器では、
ガンダイオード５に対して直流電源導入部６から所定の
直流電圧が印加され発振動作が開始する。そして、ここ
で発振したマイクロ波は、共平面線路４からその中心ス
トリップ導体４３の開放端４３１においてＮＲＤガイド
と結合し、伝送損失の少ないＮＲＤガイドによって他の
図示しない素子に伝送される。このとき、直流電源導入
部６の方向へ漏洩するマイクロ波は、チョーク７によっ
て大きく抑制され、その直流電源部６の保護が図られ
る。
ガンダイオード５に対して直流電源導入部６から所定の
直流電圧が印加され発振動作が開始する。そして、ここ
で発振したマイクロ波は、共平面線路４からその中心ス
トリップ導体４３の開放端４３１においてＮＲＤガイド
と結合し、伝送損失の少ないＮＲＤガイドによって他の
図示しない素子に伝送される。このとき、直流電源導入
部６の方向へ漏洩するマイクロ波は、チョーク７によっ
て大きく抑制され、その直流電源部６の保護が図られ
る。
【００２１】このように、本実施形態１では、ＮＲＤガ
イドの誘電体ストリップ１の側面に共平面線路４を構成
し、そこに表面実装型のガンダイオード５を搭載するこ
とで、ＮＲＤガイドのＬＳＥ01モードにそのガンダイオ
ード５を結合可能であり、よってガン発振器の量産性に
向き、その製造コストを低く抑えることができる。
イドの誘電体ストリップ１の側面に共平面線路４を構成
し、そこに表面実装型のガンダイオード５を搭載するこ
とで、ＮＲＤガイドのＬＳＥ01モードにそのガンダイオ
ード５を結合可能であり、よってガン発振器の量産性に
向き、その製造コストを低く抑えることができる。
【００２２】また、ＮＲＤガイドの誘電体ストリップ１
として、セラミックス等（例えばアルミナでは比誘電率
が９程度）の高誘電率材料を用いることで小形化が可能
であり、このセラミックス等の高誘電率材料は低誘電率
材料であるテフロンやポリスチレン等（比誘電率が２〜
４）に比べて熱伝導率が高いので、ガンダイオード５で
発生した熱を誘電体ストリップ１を経由させて平行平板
２，３に効率良く伝達させることができ、そのガンダイ
オード５の温度上昇を効果的にお抑えることができる。
として、セラミックス等（例えばアルミナでは比誘電率
が９程度）の高誘電率材料を用いることで小形化が可能
であり、このセラミックス等の高誘電率材料は低誘電率
材料であるテフロンやポリスチレン等（比誘電率が２〜
４）に比べて熱伝導率が高いので、ガンダイオード５で
発生した熱を誘電体ストリップ１を経由させて平行平板
２，３に効率良く伝達させることができ、そのガンダイ
オード５の温度上昇を効果的にお抑えることができる。
【００２３】［実施形態２］図２は本発明の超高周波回
路を低雑音増幅器に適用した実施形態２の構成を示す図
である。
路を低雑音増幅器に適用した実施形態２の構成を示す図
である。
【００２４】８は誘電体ストリップ１の側面に金属薄膜
により形成した共平面線路であり、インピーダンスマッ
チング用のテーパ部８１１、８１２を両端に有する接地
導体８１、同様にインピーダンスマッチング用のテーパ
部８２１、８２２を両端に有する接地導体８２、その接
地導体８１，８２の中間に配置され両端が開放端８３
１、８３２に形成された中心ストリップ導体８３から構
成されている。９は表面実装型の低雑音増幅素子であ
り、共平面線路８上に搭載され、接地導体８１に分離形
成された直流電源導入部１０から電源が供給されるよう
になっている。
により形成した共平面線路であり、インピーダンスマッ
チング用のテーパ部８１１、８１２を両端に有する接地
導体８１、同様にインピーダンスマッチング用のテーパ
部８２１、８２２を両端に有する接地導体８２、その接
地導体８１，８２の中間に配置され両端が開放端８３
１、８３２に形成された中心ストリップ導体８３から構
成されている。９は表面実装型の低雑音増幅素子であ
り、共平面線路８上に搭載され、接地導体８１に分離形
成された直流電源導入部１０から電源が供給されるよう
になっている。
【００２５】この低雑音増幅器では、共平面線路８の中
心ストリップ導体８３の一方の開放端８３１がマイクロ
波の入力端子（又は出力端子）、他方の開放端８３２が
出力端子（又は入力端子）として、ＮＲＤガイドと結合
している。なお、接地導体８１，８２は平行平板２，３
と導通する。低雑音増幅素子９への電圧は、平板２に形
成した貫通孔から直流電源導入部１０にリード線で供給
する。この電圧供給経路にはチョーク（図示せず）を設
けて電源を保護することが好ましい。
心ストリップ導体８３の一方の開放端８３１がマイクロ
波の入力端子（又は出力端子）、他方の開放端８３２が
出力端子（又は入力端子）として、ＮＲＤガイドと結合
している。なお、接地導体８１，８２は平行平板２，３
と導通する。低雑音増幅素子９への電圧は、平板２に形
成した貫通孔から直流電源導入部１０にリード線で供給
する。この電圧供給経路にはチョーク（図示せず）を設
けて電源を保護することが好ましい。
【００２６】このように、２個の端子を持つ低雑音増幅
素子１０であっても、ＮＲＤガイドに容易に搭載可能で
ある。また、この低雑音増幅器でも、誘電体ストリップ
１にセラミックス等の高誘電率材料を使用することで、
低雑音増幅素子１０に発生する熱を平板２，３に効果的
に放熱できる。
素子１０であっても、ＮＲＤガイドに容易に搭載可能で
ある。また、この低雑音増幅器でも、誘電体ストリップ
１にセラミックス等の高誘電率材料を使用することで、
低雑音増幅素子１０に発生する熱を平板２，３に効果的
に放熱できる。
【００２７】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ＬＳＥ01
モード伝送型のＮＲＤガイドの誘電体ストリップに共平
面線路を形成し、そこに表面実装型のマイクロ波回路素
子を実装するので、同軸線路を使用することなく、共平
面線路を介してマイクロ波回路素子とＮＲＤガイドとを
結合することができ、製造が容易で量産性に適する構成
を実現できる。
モード伝送型のＮＲＤガイドの誘電体ストリップに共平
面線路を形成し、そこに表面実装型のマイクロ波回路素
子を実装するので、同軸線路を使用することなく、共平
面線路を介してマイクロ波回路素子とＮＲＤガイドとを
結合することができ、製造が容易で量産性に適する構成
を実現できる。
【００２８】また、誘電体ストリップにセラミック等の
高誘電率材料を使用することで、ＮＲＤガイドを小型化
させたり、共平面線路に表面実装したマイクロ波回路素
子で発生する熱を効果的に平行平板に放熱させることが
できる。
高誘電率材料を使用することで、ＮＲＤガイドを小型化
させたり、共平面線路に表面実装したマイクロ波回路素
子で発生する熱を効果的に平行平板に放熱させることが
できる。
【図１】 本発明の実施形態１のガン発振器の構成を示
す図である。
す図である。
【図２】 本発明の実施形態２の低雑音増幅器の構成を
示す図である。
示す図である。
【図３】 ＮＲＤガイドの構成を示す図である。
【図４】 ＬＳＥ01モード伝送型のＮＲＤガイドの電磁
界分布の説明図である。
界分布の説明図である。
【図５】 ＬＳＥ01モード伝送型のＮＲＤガイドと同軸
線路との結合の構成を示す図である。
線路との結合の構成を示す図である。
１：誘電体ストリップ ２，３：導電性金属の平行平板 ４：共平面線路、４１、４２：接地導体、４１１，４２
１：テーパ部、４３：中心ストリップ導体、４３１：開
放端 ５：ガンダイオード（表面実装型のマイクロ波回路素
子） ６：直流電源導入部 ７：チョーク ８：共平面線路、８１：接地導体、８１１，８１２：テ
ーパ部、８２：接地導体、８２１，８２２：テーパ部、
８３：中心ストリップ導体、８３１，８３２：開放端 ９：低雑音増幅素子（表面実装型のマイクロ波回路素
子） １０：直流電源導入部
１：テーパ部、４３：中心ストリップ導体、４３１：開
放端 ５：ガンダイオード（表面実装型のマイクロ波回路素
子） ６：直流電源導入部 ７：チョーク ８：共平面線路、８１：接地導体、８１１，８１２：テ
ーパ部、８２：接地導体、８２１，８２２：テーパ部、
８３：中心ストリップ導体、８３１，８３２：開放端 ９：低雑音増幅素子（表面実装型のマイクロ波回路素
子） １０：直流電源導入部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 南谷 康次郎 埼玉県上福岡市福岡２丁目１番１号 新日 本無線株式会社川越製作所内 Ｆターム(参考） 5J014 HA06
Claims (4)
- 【請求項１】導電性の平行平板により誘電体ストリップ
を挟み込んで構成したＬＳＥ01モード伝送型のＮＲＤガ
イドを使用する超高周波回路において、 前記誘電体ストリップの側面に共平面線路を形成し、該
共平面線路に表面実装型のマイクロ波回路素子を実装し
たことを特徴とする超高周波回路。 - 【請求項２】前記共平面線路を一対の接地導体と該両接
地導体の間に配置した中心ストリップ導体とから構成
し、該中心ストリップ導体の端部を開放端として、前記
ＮＲＤガイドに結合させたことを特徴とする請求項１に
記載の超高周波回路。 - 【請求項３】前記誘電体ストリップをセラミックス等の
高誘電率材料で形成したことを特徴とする請求項１又は
２に記載の超高周波回路。 - 【請求項４】前記マイクロ波回路素子に電圧を供給する
電源供給部を、前記共平面線路に形成したことを特徴と
する請求項１乃至３に記載の超高周波回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08533499A JP3946377B2 (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 超高周波回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08533499A JP3946377B2 (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 超高周波回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000278006A true JP2000278006A (ja) | 2000-10-06 |
| JP3946377B2 JP3946377B2 (ja) | 2007-07-18 |
Family
ID=13855754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08533499A Expired - Fee Related JP3946377B2 (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 超高周波回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3946377B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004102725A2 (ja) * | 2003-05-16 | 2004-11-25 | Intelligent Cosmos Research Institute | Ｎｒｄガイド変換器、および誘電体と導体との結合構造 |
| JP2008503128A (ja) * | 2004-06-17 | 2008-01-31 | サントル ナショナル デチュード スパシアル（セー．エヌ．ウー．エス） | 導波管と、それぞれがコプレーナ線路に接続された二つの冗長回路との間における移行冗長装置 |
| JP2017532833A (ja) * | 2014-08-26 | 2017-11-02 | エイ・ティ・アンド・ティ インテレクチュアル プロパティ アイ，エル．ピー． | 導波結合器及び導波結合方法 |
| JP2017533652A (ja) * | 2014-10-21 | 2017-11-09 | エイ・ティ・アンド・ティ インテレクチュアル プロパティ アイ，エル．ピー． | 電磁波を伝送するための方法及び装置 |
-
1999
- 1999-03-29 JP JP08533499A patent/JP3946377B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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