WO2004086065A1 - 電圧測定装置 - Google Patents

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WO2004086065A1
WO2004086065A1 PCT/JP2004/003944 JP2004003944W WO2004086065A1 WO 2004086065 A1 WO2004086065 A1 WO 2004086065A1 JP 2004003944 W JP2004003944 W JP 2004003944W WO 2004086065 A1 WO2004086065 A1 WO 2004086065A1
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WO
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voltage
switch group
turned
terminal
main electrode
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/003944
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English (en)
French (fr)
Inventor
Akio Iwabuchi
Masaki Kanazawa
Kazuya Aizawa
Norimasa Yamada
Toshiaki Ariyoshi
Takafumi Tsurumi
Yoshikazu Nomoto
Original Assignee
Sanken Electric Co. Ltd.
Honda Motor Co. Ltd.
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Filing date
Publication date
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Priority to US10/549,870 priority patent/US7126342B2/en
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/165Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values
    • G01R19/16533Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values characterised by the application
    • G01R19/16538Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values characterised by the application in AC or DC supplies
    • G01R19/16542Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values characterised by the application in AC or DC supplies for batteries
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/36Arrangements for testing, measuring or monitoring the electrical condition of accumulators or electric batteries, e.g. capacity or state of charge [SoC]
    • G01R31/396Acquisition or processing of data for testing or for monitoring individual cells or groups of cells within a battery
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    • G01R31/36Arrangements for testing, measuring or monitoring the electrical condition of accumulators or electric batteries, e.g. capacity or state of charge [SoC]
    • G01R31/382Arrangements for monitoring battery or accumulator variables, e.g. SoC
    • G01R31/3835Arrangements for monitoring battery or accumulator variables, e.g. SoC involving only voltage measurements

Definitions

  • the present invention relates to a voltage measuring device for measuring a voltage of a voltage source, and more particularly to a technique for improving measurement accuracy.
  • the terminal voltage of a battery is measured by integrating a plurality of battery cells constituting the battery. Modularization, charging the storage element with the voltage of each module via the first switch group, then turning off the first switch group, and then connecting the storage element to the voltmeter via the second switch group It is done by.
  • the MOS FET has a slow response speed and a large variation in response speed.Therefore, it is necessary to provide a margin for switching timing of each switch, and it is necessary to charge and discharge the storage element. It is difficult to switch accurately and quickly.
  • each switch does not have a protection function, even if it is designed so that short-circuit current does not flow by securing sufficient time for switch switching, it is driven by large noise from the motor and engine. If a signal malfunctions, each switch malfunctions, short-circuit current flows, and adversely affects the voltage measurement circuit.
  • the present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and has a problem that the terminal voltage of the battery cell can be measured at high speed and with high accuracy without requiring a special power supply, and furthermore, the noise resistance is improved.
  • a main aspect of the present invention is a voltage measurement device that divides a plurality of voltage sources connected in series into a plurality of blocks each including at least one voltage source and measures a voltage of the block.
  • the first voltage input connected to the terminal The first main electrode is connected to the terminal, and the first conductivity type turns on / off according to the voltage applied to the control electrode based on the voltage applied to the first main electrode.
  • a first main electrode is connected to a MOS FET and a second voltage input terminal connected to the other terminal of the block, and a voltage is applied to a control electrode based on a voltage applied to the first main electrode.
  • a first switch group having a second MOS FET of a first conductivity type to be turned on / off; and a second main electrode of a first MOS FET of the first conductivity type provided for each block.
  • a first power storage element connected between the second main electrode of the second MOSFET of the mold, Second main collector to the one terminal of the storage element
  • the second conductivity type which is a conductivity type opposite to the first conductivity type, to which the pole is connected and the first main electrode is connected to the first voltage output terminal and is turned on / off according to a signal input to the control electrode.
  • a second main electrode connected to the other terminal of the first power storage element and a first main electrode connected to the second voltage output terminal, and turned on / off in response to a signal input to the control electrode.
  • a second switch group having a second MOSFET of a second conductivity type, and a second main electrode connected to a control electrode of the first MOSFET of the first conductivity type and turned on in response to a signal input to the control electrode.
  • a second MOSFET of the second conductivity type that is turned off and a second main electrode that is connected to the control electrode of the second MOSFET of the first conductivity type and that turns on / off in response to a signal input to the control electrode;
  • a third switch group having a conductive type fourth MOSFET, and the first switch group being turned on by turning on the third switch group. was turned on, the first switch group by turning off the third switch group and a controlling means for turning on said second Suitsuchi group during a period in which off.
  • FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the voltage measuring device according to the first to third embodiments of the present invention.
  • FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of a voltage measuring circuit in the voltage measuring device according to the first embodiment of the present invention.
  • 3A to 3C are diagrams for explaining the operation of the voltage measuring circuit in the voltage measuring device according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a block diagram showing a modification of the voltage measuring device according to the first embodiment of the present invention.
  • 5A and 5B are timing charts for explaining the operation of the modification shown in FIG.
  • 6A and 6B are evening timing charts for explaining another operation of the modification shown in FIG.
  • FIG. 7 is a circuit diagram showing a configuration of a voltage measuring circuit in the voltage measuring device according to the second embodiment of the present invention. P Akira 004 Attraction 944
  • FIG. 8 is a circuit diagram showing a configuration of a voltage measuring circuit in the voltage measuring device according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a circuit diagram showing a configuration of a voltage measuring circuit in the voltage measuring device according to the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a voltage measuring device according to an embodiment of the present invention.
  • This voltage measuring device includes a battery 1, a voltage measuring unit 2, a voltage converting unit 3, and a control device 4.
  • the battery 1 includes ⁇ (n is an integer of 1 or more) blocks 10 to 10 n connected in series, and each block 10 corresponds to a voltage source according to the present invention. A plurality of battery cells are connected in series and formed. The battery 1 outputs a high voltage, for example, 100 to 200 V.
  • the voltage measurement unit 2 is composed of ⁇ voltage measurement circuits 20 to 20 n . Voltage measuring circuit 2 0, each to 2 0 n have the same configuration.
  • the voltage measurement circuit 20, ⁇ captures and holds the voltage from the blocks 10, to 10 ⁇ of the battery 1 according to the control signal from the control device 4, and the control signal from the control device 4. The held voltage is sent to the voltage conversion unit 3 according to.
  • the voltage converter 3 is composed of, for example, ⁇ A / D converters 30, ⁇ 3 ⁇ .
  • a / D converter 3 ( ⁇ ⁇ tio 0 "each have the same configuration.
  • a / D converter 30, to 30" the voltage measuring circuit 20, the voltage supplied as an analog signal from to 2 Omicron eta Is converted into a digital signal and sent to the control device 4.
  • the control device 4 the voltage measurement circuit 20 supplies a control signal to the 20 ", to control their operation, AZD converter 3 0, by adding the digital signals sent from -3 Omicron [pi Calculate the overall voltage of the battery 1 and the voltage of each block. The calculated voltage is used to monitor the charge status, discharge status, battery life, abnormality, etc. of the battery 1.
  • FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of a voltage measuring circuit in the voltage measuring device according to the first embodiment of the present invention. This voltage measuring circuit corresponds to the voltage measuring circuits 20 to 20 n shown in FIG.
  • the voltage measurement circuit has voltage input terminals A and B, control signal input terminals C, D, E and F, and voltage output terminals G and H.
  • the voltage input terminal A is connected to one terminal (positive terminal) of one of the blocks 10 to 10 ⁇ ⁇ constituting the battery 1, and the voltage input terminal ⁇ is the other terminal of the block. (Negative pole terminal).
  • the voltage output terminals G and ⁇ are connected to one A / D converter among a plurality of AZD converters 30 to ⁇ .
  • the control signal input terminals C, D, E and F are connected to the control device 4.
  • the voltage measuring device, P-channel MO S field effect transistor constituting a first switch group (hereinafter, referred to as rp c h _MO SFE Tj, corresponding to the MO SFET of the first conductivity type of the present invention.)
  • Q 1 and P ch—MO SFE TQ 2 N channel M 0 S field-effect transistor constituting the second switch group (hereinafter referred to as “N ch—MO SFE TJ; second conductivity type MO SFET of the present invention” It is equipped with Q 7 and N ch—MO SF ETQ 8, and N ch—MO SF ETQ 5 and N ch—MO SF ETQ 6 that constitute the third switch group.
  • N FE TQ 1 P ch—MO SFE TQ 2, N ch—MO SFE TQ 5, N ch—MO SFE TQ 6, N ch—MO SFETQ 7, and N ch—MO SF ETQ 8 depend on the voltage of battery 1. Although different, for example, an element having a high withstand voltage that can withstand 500 V is used.
  • the source (corresponding to the first main electrode of the present invention) of the P ch -MO SFE TQ 2 is connected to the voltage input terminal A via the resistor R 2, and the drain (corresponding to the second main electrode of the present invention) is the resistor R
  • the capacitor C 1 is connected to one terminal of a capacitor C 1 (corresponding to the first power storage element of the present invention) via the capacitor 9.
  • the gate of Pch-MOSFE TQ2 (corresponding to the control electrode of the present invention) is connected to the drain of Nch-MOSFETQ6, and the back gate (substrate) is connected to voltage input terminal A. It has been.
  • NPN transistor Q4 and a resistor R4 which are connected to function as a gate voltage limiter in the same manner as the Zener diode, are connected in parallel. That is, the collector and emitter of the NPN transistor Q4 are connected to the back gate (voltage input terminal A) of Pch—MO SFE TQ2, and the base is connected to the gate of Pch-MMSFETQ2. ing.
  • the resistor R2 corresponds to the resistance element constituting the current limiting section of the present invention
  • the NPN transistor Q4 corresponds to the voltage limiting element constituting the current limiting section of the present invention.
  • the current flowing through Pch-MOSFE TQ 2 is limited by Rungis Q4 to prevent its destruction.
  • Resistor R9 prevents overcurrent by resistor R9 so that excessive current does not flow even if current flows from storage element side to battery side due to unexpected situation. This is to prevent destruction, and the resistor R9 may not be required depending on the Pch-MO SFE TQ2 and operating conditions.
  • the source of P ch — MOS FETQ 1 is connected to the voltage input terminal B via the resistor R 1, and the drain is connected to the other terminal of the capacitor C ⁇ via the resistor R 8. Further, the gate of Pch—MOSFETQ1 is connected to the drain of Nch—MOSFETQ5, and the backgate is connected to the voltage input terminal B.
  • a Zener diode is connected between the back gate (voltage input terminal B) of the Pch—MOSFE TQ1 and the gate.
  • an NPN transistor Q3 and a resistor R3 connected so as to function as a gate voltage limiter are connected in parallel. That is, the collector and the emitter of the NPN transistor Q3 are connected to the back gate (voltage input terminal A) of Pch—MOSFETQ1, and the base is connected to the gate of Pch—M0SFETQ1.
  • the resistor R 1 corresponds to the resistance element forming the current limiting section of the present invention
  • the NPN transistor Q 3 corresponds to the voltage limiting element forming the current limiting section of the present invention.
  • the current flowing through the Pch—MOSFE TQ 1 is limited by the transistor Q 3, and its destruction is prevented.
  • Resistor R8 prevents overcurrent by resistor R8 so that excessive current does not flow even if current flows from the storage element side to the battery side due to an unexpected situation.
  • the resistor R8 may be omitted depending on the Pch—MOSF ETQ 1 and operating conditions.
  • Nch-MOS FETQ 6 is used to drive Pch-MOS FETQ2.
  • the drain of Nch—MOSFETQ 6 is connected to the gate of Pch—MOSFETQ2 as described above.
  • the source of the Nch—M0SFETQ 6 is connected to ground via a resistor R 6, and the gate (substrate) is also connected to ground.
  • the resistance R6 corresponds to a resistance element constituting the current limiting section of the present invention.
  • the resistor R 6 limits the current flowing through the N ch — MOS FETQ 6 and prevents its destruction.
  • the gate of the Nch_MOS FETQ 6 is connected to the control signal input terminal E.
  • a high-level (hereinafter referred to as ⁇ ⁇ ⁇ level) voltage is externally applied to the control signal input terminal E, Nch—MOSFETQ6 is turned on.
  • the Pch-MOS FETQ2 is also turned on, and the voltage from the voltage input terminal A is applied to one terminal of the capacitor C1.
  • N ch — MOS F ETQ 5 is used to drive P ch — MOS F ETQ 1.
  • the drain of Nch-MOSFETQ5 is connected to the gate of Pch-MOSFETQl as described above.
  • the source of Nch-MOSFETQ5 is connected to ground via resistor R5, and the kick gate (substrate) is also connected to ground.
  • the resistance R5 corresponds to a resistance element constituting the current limiting section of the present invention.
  • the resistor R5 limits the current flowing through the Nch-MOSFETQ5, preventing its destruction.
  • Nch-MOS FET Q5 is connected to the control signal input terminal F.
  • Nch-MOSFETQ5 turns on.
  • Pch—M0SFETQ1 is also turned on, and the voltage from the voltage input terminal B is applied to the other terminal of the capacitor C ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ .
  • the drain of the Nch-MOS FETQ 8 is connected to one terminal of the capacitor C1, and the source is the voltage output terminal G and the cathode of the Zener diode ZD1.
  • the anode of the Zener diode ZD1 is connected to ground. Because the input impedance of the A / D converter is very high, to prevent the voltage at the voltage output terminal from rising due to capacitance and leakage current, and to prevent the MOSFET in the second switch group from being destroyed. , Zener diode ZD 1 is inserted.
  • the back gate (substrate) of N ch—MO SFE TQ 8 is connected to ground, and the gate is connected to control signal input terminal C. When an H level voltage is externally applied to the control signal input terminal C, the Nch-MO SFE TQ8 is turned on, and the potential of one terminal of the capacitor C1 is output to the voltage output terminal G.
  • Nch-MOSFETQ7 The drain of Nch-MOSFETQ7 is connected to the other terminal of the capacitor C1, and the source is connected to the voltage output terminal H and ground via the resistor R7.
  • the back gate (substrate) of Nch-MOSFETQ 7 is connected to ground, and the gate is connected to control signal input terminal D.
  • the Nch-MOSFETQ 7 When an H-level voltage is externally applied to the control signal input terminal D, the Nch-MOSFETQ 7 is turned on, and the potential of the other terminal of the capacitor C1 is output to the voltage output terminal H.
  • the above-mentioned Pch-MOS F ETQ 1 and Q2 are composed of high-withstand voltage transistors.
  • the Pch-MOSF ETQ 1 and Pch-MOSF ETQ 1 are connected to the voltage input terminals A and B as they are. It can be used as a power supply for driving the gate of Q2.
  • a resistor R 4 and an NPN transistor Q 4 functioning as a Zener diode are connected in parallel between the gate and the source of the high withstand voltage P ch—MO SFE TQ 2 via the resistor R 2.
  • the NPN transistor Q4 causes Zener breakdown and keeps the gate-source voltage of the P ch—MO SF ETQ 2 at the breakdown voltage. Can be done.
  • the gate and the source of the P ch—MOSFE TQ 2 are short-circuited by the resistor R 4, and the accumulated P ch -OS FET T2 during the on state And the gate potential of Pch-MOS FETQ 2 is fixed to the source potential.
  • a resistor R 3 and an NPN transistor Q 3 functioning as a zener diode are connected in parallel between the gate and source of the high-withstand voltage P ch—M0S FETQ 1 via the resistor R 1.
  • the NPN transistor Q3 causes a Zener breakdown and keeps the gate-source voltage of the Pch-MOS FET QI at the breakdown voltage. be able to.
  • the Nch-MOSFE TQ 5 is in the OFF state, the gate and the source of the Pch-MOSFE TQ ⁇ are short-circuited by the resistor R3, and the Pch-MOS FQ accumulated in the ON state.
  • the gate charge of ETQ 1 is released, and the potential of the gate of P ch-MOS F ETQ 1 is fixed to the source potential. Therefore, it is not necessary to generate a voltage to be applied to the gate for turning on and off the Pch-MOSFETQ 1 and Q2 with a special power supply, so that the voltage measuring device can be configured at low cost and small size.
  • the first switch group described above can also be configured with a high breakdown voltage Nch-MOSFET.
  • the high-withstand-voltage Pch-M0SFETQ1 and Q2 it is possible to achieve a simpler circuit configuration than forming a circuit for the same purpose with the high-withstand-voltage Nch-MOSFET.
  • the gate potential must be changed to the source potential in order for the Nch-MOS FET to turn on. It needs to be higher by the threshold voltage.
  • the Nch-MOS FET when the Nch-MOS FET is turned on, the source potential rises to near the potential of the measured voltage source on the drain side, so the gate potential must be raised to a potential higher than the potential of the measured voltage source. , N ch-MOS FET cannot keep on state. Therefore, unlike the case of using Pch-MOS FET, the measured voltage source cannot be used as it is as the gate drive power supply, and the potential of the measured voltage source of the voltage input terminals A and B is Also, a circuit for generating a gate drive voltage higher by the threshold voltage is required separately. In order to generate such a gate drive voltage, a floating power supply drive, a bootstrap drive, a charge pump drive, or the like can be used, but the circuit configuration becomes complicated.
  • a low-level control signal (hereinafter referred to as “L level”) is supplied from the control device 4 to the control signal input terminals C and D, and an H-level control signal is supplied to the control signal input terminals E and F.
  • L level a low-level control signal
  • H-level control signal is supplied to the control signal input terminals E and F.
  • the Nch-MOS FETQs 6 and Q5 are turned on, and as a result, the Pch-MOS FETs Q2 and Q1 are turned on.
  • Nch-MOS FETQs 8 and 7 are turned off.
  • the current I from one block 10 of the battery 1 flows as shown to charge the capacitor C1.
  • This charging is performed by maintaining the control signals supplied to the control signal input terminals E and F at the H level until the voltage between both terminals of the capacitor C 1 becomes equal to the voltage between both terminals of the block 10. Be done.
  • the switches constituting the first to third switch groups are not PMOSFETs but Pch-MOS FETs and Nch-switches. Since the MOS FET is used, the response speed is fast, and the switching for charging and discharging the capacitor can be performed accurately and quickly. As a result, the voltage can be measured with high accuracy and high speed.
  • the Pch-MOSFET constituting the first switch group is turned on / off according to the voltage applied to the control electrode based on the voltage from the voltage source, and the Nch constituting the second and third switch groups.
  • ch-MO SFETs are capable of responding to external signals. 2004/003944
  • Pch-MOSFET and the Nch-MOSFET can be easily miniaturized and highly integrated, an inexpensive and compact voltage measuring device can be realized. Furthermore, Pch-MOSFET and Nch-MOSFET can be applied to a battery having a high operating temperature, such as a fuel cell, because the resistance to high temperature is easier than that of a photomask.
  • the voltage measuring device described above is used as the voltage measuring circuits 20 to 20 shown in Fig. 1. That is, the control device 4 performs the following operation of transmitting a control signal to the voltage measuring circuits 20, 20. That is, first, the first switch group included in the voltage measurement circuits 20 to 20 ⁇ is turned on, whereby the capacitors C 1 included in the voltage measurement circuits 20 to 20 ° are charged. . Next, the voltage measurement circuits 20 to 20. After turning off the first switch group included in, the second switch group is turned on.
  • a voltage is simultaneously output from each of the voltage output terminals G and ⁇ ⁇ of the voltage measurement circuits 20 to 20 ⁇ and supplied to the A / D converters 30 to 30 perennialA / D converter 30 , -30 ⁇ converts the input analog voltage into a digital signal and sends it to the control device 4.
  • the control device 4 adds the digital signals sent from the AZD converters 30 to 30 ⁇ and adds Calculate the overall voltage of 1 and the voltage of each block. The calculated voltage is used to monitor the charge status, discharge status, battery life, abnormality, etc. of battery 1.
  • the voltage measuring device of the present invention shown in FIG. 1 can be modified as shown in FIG. That is, the voltage converter 3 is constituted by one A / D converter 30.
  • the control device 4 controls the voltage measurement circuits 20 to 20 solved for the following steps: That is, the control device 4 firstly controls the voltage measurement circuits 20 ⁇ to 2 grind as shown in FIG.
  • the control signals IN 1 to! N n that turn on the first switch group included in On at the same time are sent, whereby each capacitor C 1 included in the voltage measurement circuits 20, -20 is charged.
  • the voltage measurement circuit 20 after turning off the first ⁇ switch group included in to 20 n, as shown in FIG. 5 B, a second Suitsu included voltage measurement circuit 20, to -20 [pi Control signals OUT 1 to OUT ⁇ for sequentially turning on the switch groups.
  • voltages are sequentially output from the voltage measurement circuits 20 to 20 ⁇ and supplied to the A_D converter 30.
  • the controller 4 tracks the digital signals sent from the A / D converter 30 and calculates the overall voltage of the battery 1. In some cases, only the digital signal sent at a desired timing is processed to calculate a desired one or a plurality of block voltages.
  • the number of A / D converters can be reduced, so that the voltage measuring device can be configured inexpensively and compactly.
  • the capacitor C1 included in all the voltage measurement circuits 20 to 20 ⁇ is charged simultaneously, and the measurement can be sequentially performed for each arbitrary block. It can accurately measure the battery voltage at a certain moment, such as during rapid acceleration or braking.
  • control signal output from the control unit 4 can configure to perform the voltage measurement circuit 20, the charging of the capacitor C 1 that is included in to 2 0 n at different timings.
  • the control device 4 first, as shown in FIG. 6 A, the voltage measuring circuit 20 sends a control signal IN. 1 to IN n, such as to sequentially turn on the first switch group included in the to 20 n.
  • the voltage measuring circuit 20 each capacitor C 1 that is included in the -20 n are charged sequentially.
  • the first switch group of the voltage measurement circuits 20 to 20 ° including the charged capacitor C1 is turned off.
  • the voltage measuring circuit 20 is not being charged, and sends a control signal OUT 1 ⁇ OUT n as to turn on the containing Murrell second switch groups to 20 n.
  • voltages are sequentially output from the voltage measuring circuits 20 to 20 ° that are not being charged and are supplied to the A / D converter 30.
  • the control device 4 is sent from the A / D converter 30
  • the digital signals are tracked and added to calculate the entire voltage of the battery 1. In some cases, only the digital signals sent at a desired timing are processed to calculate a desired voltage of one or a plurality of blocks. .
  • the capacitor C1 included in the voltage measurement circuits 20, -20 ⁇ is sequentially charged, and a voltage is taken from the capacitor C ⁇ not being charged.
  • charging and voltage extraction can be performed simultaneously between different voltage measurement circuits 20 to 20 n , and the measurement time can be reduced.
  • one A / D converter is provided for n voltage measurement circuits.
  • m is an integer of ⁇ or more and m ⁇ n
  • a / D converters are provided. It can also be configured to provide a converter.
  • the control device 4 appropriately controls the first switch group and the second switch group included in the voltage measurement devices 20, -20 °, thereby achieving the same or more effects as described above.
  • the voltage measuring apparatus corrects an error voltage generated due to a stray capacitance such as a switch, and speeds up a measurement cycle.
  • FIG. 7 is a circuit diagram showing a configuration of a voltage measuring circuit in the voltage measuring device according to the second embodiment.
  • This voltage measuring circuit includes a control signal input terminal I, a control signal input terminal, a voltage output terminal K, and a dummy capacitor C 2 (the present invention) in addition to the voltage measuring circuit according to the first embodiment shown in FIG.
  • the first switch group has a high withstand voltage P ch—MO SF ETQ 9
  • the third switch group has a high withstand voltage N ch -MOS F ETQ 11
  • the second switch The group is configured by adding N ch -MOS F ETQ l 2.
  • One terminal of the dummy capacitor C2 is connected to the other terminal of the capacitor C1.
  • the source of the Pch—MOS FETQ 9 is connected to the voltage input terminal B via the resistor R10, and the drain is connected to the other terminal of the dummy capacitor C2 via the resistor R14.
  • the gate of the Pch-MOS FETQ 9 is connected to the drain of the Nch-MOS FETQ 11, and the back gate is connected to the voltage input terminal B.
  • a Zener diode is connected between the back gate (voltage input terminal B) of the Pch—MOSFE TQ9 and the gate.
  • an NPN transistor Q10 connected to function as a gate voltage limiter and a resistor R11 are connected in parallel. That is, the collector and the emitter of the NPN transistor Q10 are Pch-M It is connected to the back gate (voltage input terminal B) of OSFE TQ 9, and the base is connected to the gate of P ch -MO SF ETQ 9.
  • the resistance R 10 corresponds to the resistance element forming the current limiting section of the present invention
  • the NPN transistor Q 10 corresponds to the voltage limiting element forming the current limiting section of the present invention.
  • Transistor Q10 limits the current flowing through Pch-MOSFETQ9 to prevent its destruction.
  • N ch — MOS FETQ11 is used to drive Pch — MOSFETQ2.
  • the drain of the Nch-MOS FETQ 11 is connected to the gate of the Pch-MOSFETQ 9 as described above.
  • the source of Nch—MOSFETQ 11 is connected to ground via a resistor R 12, and the back gate (substrate) is also connected to ground.
  • the resistance R12 corresponds to the resistance element constituting the current limiting section of the present invention.
  • the resistor R12 limits the current flowing through the Nch-MOS FETQ ⁇ 1 and prevents its destruction.
  • Nch—MOSFETQ 11 is connected to the control signal input terminal.
  • Nch—MOSFETQ 1 I turns on.
  • P ch — MOS FETQ 9 is also turned on, and the voltage from the voltage input terminal B is applied to the other terminal of the dummy capacitor C 2.
  • N ch — MOS F E TQ 12 The drain is connected to the other terminal of dummy capacitor C 2, and the source is connected to voltage output terminal K and ground via resistor R 13.
  • N ch — The back gate (substrate) of MOS FETQ 12 is connected to ground, and the gate is connected to control signal input terminal I.
  • the Nch-MOSFETQ 12 When an H-level voltage is applied to the control signal input terminal I, the Nch-MOSFETQ 12 is turned on, and the potential of the other terminal of the dummy capacitor C 2 is output to the voltage output terminal K.
  • the source of the Nch-MOS FE TQ 7 is connected to the voltage output terminal H and the power source of the Zener diode ZD3, and the anode of the Zener diode ZD3 is connected to ground. Since the input impedance of the AZD converter is very high, the voltage at the voltage output terminal rises due to capacitance and leakage current, and the second To prevent damage to the MOS FET of the switch group, a zena one-die ZD 3 is inserted.
  • the zener diode ZD1 is inserted between the voltage output terminal G and the ground
  • the zener diode ZD3 is inserted between the voltage output terminal H and the ground.
  • Connect the cathode of the die connect the cathode of the second Zener to the voltage output terminal H, connect the anodes of the first and second Zener in common, and connect the third Zener to this connection point.
  • the cathode of the third diode may be connected to the anode of the third diode and connected to the voltage output terminal K.
  • the voltage measuring device solves such a problem.
  • the dummy capacitor C2 is provided in consideration of the symmetry of the circuit viewed from the voltage input terminal A and the circuit viewed from the voltage input terminal B. That is, when Pch-MOS FETQ1, Q2 and Q9 are turned on, the electric charges based on the voltage supplied from the voltage input terminal A and the voltage input terminal B are respectively condensed. It is stored in the parasitic capacitance of Nch-MOS FETQ 8 and Q7 at the same time as being stored in the sensor C1 and the dummy capacitor C2.
  • the voltage output terminal K is used as the ground terminal.
  • a voltage corresponding to the total capacitance of the capacitor capacitance C 1 and the parasitic capacitance (a 1) of Q 8 is output from the N ch—MO SF ETQ8 to the voltage output terminal G
  • a voltage corresponding to the parasitic capacitance ( ⁇ 2) of Q 7 is output from the MOS FET Q 7 to the voltage output terminal H.
  • the voltage across the dummy capacitor C 2 is zero, and ⁇ 1 and ⁇ 2 have substantially the same value. Therefore, the potential difference between the voltage output terminal G and the voltage output terminal ⁇ is equal to the capacitance C 1 Corresponding voltage. Therefore, it is not necessary to increase the capacity of the capacitor C1 in consideration of the error, so that the charge / discharge time can be shortened and the measurement cycle can be sped up.
  • the voltage measuring device enables measurement of a negative voltage.
  • Country 8 is a circuit diagram showing a configuration of a voltage measuring circuit in the voltage measuring device according to the third embodiment.
  • This voltage measuring circuit connects the source of the Nch-MOS FETQ 8 and the back gate (substrate) to the voltage measuring circuit according to the second embodiment shown in FIG.
  • Output terminal H is connected to ground via Zener diode ZD2.
  • the Zener diode ZD2 By using the Zener diode ZD2, it is possible to raise the potential of the voltage output terminal H, which is used as a reference potential in the subsequent stage, by a fixed voltage value with respect to the ground potential by using a power supply (not shown). Become. As a result, even if the potential difference between the voltage input terminals A and B becomes a negative potential in the voltage connected to the voltage source to be measured, measurement becomes possible.
  • the voltage measurement circuit according to the first embodiment see Country 2
  • the Nch-MO SFE TQ 8 is used. At this time, if the voltage of the power supply to be measured is higher than the source-to-backgate breakdown voltage of Nch—M0SFE TQ 8, a breakdown occurs between the voltage output terminal G and ground. As a result, the voltage cannot be measured.
  • Nch-MOSFETQ8 since the threshold of Nch-MOSFETQ8 does not increase without a substrate bias effect, it can be turned on / off without applying a high gate voltage.
  • the source of Nch—MOSF ETQ 7 is connected to the voltage output terminal H and the power source of the Zener diode ZD 2 through the resistor R 7, and the source of the Zener diode ZD 2 is connected. Is connected to ground. Since the input impedance of the A / D converter is very high, the voltage at the voltage output terminals does not rise due to capacitance or leakage current, and the MOS FETs in the second switch group are not destroyed. Zener diode ZD 2 is inserted for protection.
  • the source and the back gate (substrate) of the Nch-MOSFET Q8 in the voltage measuring device according to the first embodiment are connected, although the voltage output terminal H is connected to ground via a Zener diode ZD2, the voltage output terminal H is connected to the source of Nch-MO SFE TQ 8 in the voltage measuring device according to the second embodiment.
  • the voltage output terminal H can be connected to the ground via the Zener diode ZD3. In this case, the same operation and effect as those described above can be obtained.
  • FIG. 9 is a circuit diagram showing a configuration of a voltage measuring circuit in the voltage measuring device according to the fourth embodiment.
  • the first switch group is composed of Pch-MOSFET
  • the second switch group and the third switch group are ch-OS
  • the voltage measurement circuit shown in FIG. 9 is different from the FE-fing in that the plurality of voltage sources are negative voltages, and the first switch group is composed of Nch-MOS FETs.
  • the second switch group and the third switch group are composed of Pch-MOSFET.
  • Voltage input terminal A is connected to one terminal (negative terminal) of one block, and voltage input terminal B is connected to the other terminal (positive terminal) of the block.
  • Nch—Mo SFE TQ2 is provided instead of Pch—MOS FETQ2
  • PNP transistor Q24 is provided instead of NPN transistor Q4
  • Pch—MOS FETQ1 is replaced with Nch— A MO SFE TQ 21 is provided, and a PNP transistor Q23 is provided in place of the NPN transistor Q3.
  • a P ch-MOS F ETQ25 is provided in place of the N ch -MO SF ETQ 5
  • a P ch-MOS F ETQ 26 is provided in place of the N ch -MO SF ETQ 6
  • a N ch -MOS F ETQ 7 is provided.
  • a Pch-MOSFETQ27 is provided, and instead of the Nch-MOSFETQ8, a Pch_MOSFETQ28 is provided.
  • a zener diode ZD4 is provided instead of the zener diode ZD1.
  • the control device 4 supplies an H-level control signal to the control signal input terminals C and D, and the control signal input terminal E And F are supplied with an L level control signal.
  • the Pch-MOS FET ETQ26 and Q25 are turned on, and as a result, the Nch-MOSF ETQ22 and Q2 are turned on. Also, the Pch-MOS FET Q28 and Q27 are turned off. In this state, the current I from one block 10 of the battery 1 flows as shown to charge the capacitor C1.
  • This charging is performed by keeping the control signals supplied to the control signal input terminals E and F at the L level until the voltage between both terminals of the capacitor C1 becomes equal to the voltage between both terminals of the block 10. Be done.
  • the control device 4 supplies an H-level control signal to the control signal input terminals E and F.
  • the Pch-MOSFETQ 26 and Q25 are turned off, and as a result, the Nch-M0 SFETQ22 and Q21 are turned off. Also, the Pch-MOS FETQ 28 and Q27 are kept off.
  • the capacitor C 1 holds the voltage based on the previous charge.
  • an L-level control signal is supplied from control device 4 to control signal input terminals C and D. This turns on the Pch-MOS FETQ 28 and Q 27 as shown in FIG. 3C. As a result, the voltage across the capacitor C1 is output between the voltage output terminal G and the voltage output terminal H. Thereafter, the state shown in FIG. 3B is reached to the state shown in FIG. 3A, and the above-described measurement cycle is repeated.
  • the voltage measurement device according to the fourth embodiment also has the same operation and effect as the operation and effect of the voltage measurement device according to the first embodiment.
  • modifications of the voltage measuring device according to the first embodiment and other modifications FIGGS. 4 to 6A and 6B), the voltage measuring device according to the second embodiment (FIG. 7),
  • the plurality of voltage sources are set to negative voltages and the first switch group is set to Nch.
  • -MO SFETs, and the second switch group and the third switch group may be configured by Pch-MOS FETs. Even with this configuration, the same operation and effect can be obtained.
  • the third switch group when the third switch group is turned on, the second switch group is turned on, and the voltage applied between the first voltage input terminal and the second voltage input terminal is changed.
  • the first storage element is charged and the third switch group is turned off, the second switch group is turned on while the first switch group is turned off, and the first storage element is held by the first storage element.
  • the output voltage is output between the first voltage output terminal and the second voltage output terminal. That is, the switches constituting the first to third switch groups are not the MOS FETs but the M-types of the first conductivity type. 2004/003944
  • the response speed is fast, and switching for charging and discharging the first storage element can be performed. It can be performed accurately and quickly, so that the voltage can be measured with high accuracy and high speed.
  • the Pch-MOSFET and the Nch-MOSFET are easily miniaturized and highly integrated, an inexpensive and compact voltage measuring device can be realized. Further, Pch-MOSFET and Nch-MOSFET can be applied to a battery having a high operating temperature, such as a fuel cell, because the high temperature resistance is easier than that of the photo-MOSFET.
  • the third switch group when the third switch group is turned on, the first switch group is turned on and the third switch group is turned on by the voltage applied between the first voltage input terminal and the second voltage input terminal.
  • the first storage element is charged by charging the storage element and the second storage element, and the third switch group is turned off, and the second switch group is turned on while the second switch group is off. Since the voltage held by the element is output between the first voltage output terminal and the second voltage output terminal, and the third voltage output terminal is held at the ground potential, the second switch group is formed.
  • the voltage error appearing between the first voltage output terminal and the second voltage output terminal can be corrected based on the floating capacitance of the first and second N ch -MOS FETs.
  • the capacity of the first power storage element can be reduced, so that the charge / discharge time of the first power storage element can be shortened, and high-speed and highly accurate voltage measurement can be performed.
  • the present invention even when the potential difference between the first voltage input terminal and the second voltage input terminal connected to the voltage source to be measured becomes a negative potential due to, for example, a battery failure or the like, the voltage is reduced. Measurement becomes possible.
  • noise is superimposed on an external signal or the like, and, for example, the Pch-MOSFET constituting the first switch group and the Nch-MOSFET constituting the second switch group are simultaneously turned on. Even if such a state occurs, it is possible to avoid a situation in which the elements constituting the voltage measuring device and the devices connected to the first and second voltage output terminals are destroyed.
  • the current flowing through the MOS FETs constituting the first to third switch groups is limited only by inexpensive resistance elements and voltage limiting elements, thereby achieving a constant current characteristic. Since they can be used, expensive components such as FETs are not required for constant current. As a result, the voltage measuring device can be configured at low cost.
  • charging of all the first storage elements can be performed simultaneously, and measurement can be sequentially performed for each arbitrary block.
  • the battery voltage at a certain moment, such as during braking or braking, can be accurately measured.
  • the present invention by controlling the first switch group and the second switch group so that the operation of charging the first storage element and the operation of measuring the output from the second storage element do not overlap each other. Since charging and measurement can be performed for each block, the measurement time can be reduced.
  • the Pch-MOSFET constituting the first switch group is turned on in accordance with the voltage applied to the control electrode based on the voltage from the voltage source, and the second and third switches are turned on.
  • the Nch-MOS FET that constitutes the switch group is turned on / off according to the input signal, so that a special power supply is not required and an inexpensive and small voltage measuring device can be realized.
  • the Nch-MOSFET constituting the first switch group is turned on / off in accordance with the voltage applied to the control electrode based on the voltage from the voltage source, and the second and second switches are turned on / off.
  • the Pch-MOS FET which constitutes the three switch groups, turns off in response to an input signal, so that a special power supply is not required, and an inexpensive and compact voltage measuring device can be realized.
  • the voltage limiting element since the voltage limiting element is provided, the voltage of the voltage output terminal does not increase due to the capacitance or the leakage current, and the M0SFET of the second switch group is damaged. Is gone.

Abstract

第1スイッチ群Q1、Q2と、第2スイッチ群Q7、Q8と、第3スイッチ群Q5、Q6とを備え、第3スイッチ群Q5、Q6がオンされることにより第1スイッチ群Q1、Q2がオンされて電圧入力端子Aと電圧入力端子Bとの間に印加される電圧でコンデンサC1が充電され、第3スイッチ群Q5、Q6がオフされることにより第1スイッチ群Q1、Q2がオフされている期間に第2スイッチ群Q7、Q8がオンされることによりコンデンサC1に保持されている電圧が電圧出力端子Gと電圧出力端子Hとの間に出力される。

Description

明細書 電圧測定装置 技術分野
本発明は、電圧源の電圧を測定する電圧測定装置に関し、特に測定精度を 向上させる技術に関する。 背景技術
従来、環境保護という観点から車両走行用の駆動源としてモータを備えた 電気自動車、あるいはモータとエンジンを備えたハイプリッド車両が知られ ている。
これらモ一夕を駆動するための電源として、 数百個の蓄電池や燃料電池 (以下、 「電池」 と総称する) を直列に接続して使用することが多い。 走行 中に時々刻々変化する電池の充電状況、 放電状況、 各電池の寿命、 異常等を モニタするために、直列に接続され数百ボル卜の電圧が印加されている各電 池セルの ΐポル卜前後の端子電圧を高精度で測定する必要性が高まってき ている。
このような要求に応えるために、特開 2 0 0 1 - 1 1 6 7 7 7公報に記載 の技術においては、電池の端子電圧の測定は、電池を構成する電池セルを複 数個まとめてモジュール化し、各モジュールの電圧を第 1スィッチ群を介し て蓄電素子に充電し、次に第 1スィッチ群をオフにした後、第 2スィッチ群 を介して蓄電素子を電圧測定器に接続することにより行われている。
上記技術では、スィツチ素子としてフォ卜 M O S F Ε Τあるいはこれに相 当する素子を使用している。 このため、 スィッチ駆動信号系と測定電圧信号 系の分離が容易で、スィッチ駆動信号も測定電圧による影響を受け難く、ス ィツチ駆動回路に特別な工夫を必要としないという利点がある。 発明の開示
しかしながら、 上述技術には、 以下のような問題がある。 即ち、 (1 ) フ才卜 MOS F ETは応答速度が遅く、応答速度のばらつきも大きい ために、各スィツチの切リ換えタイミングに余裕を確保する必要があリ、蓄 電素子を充放電するための切り換えを正確且つ素早く行うことが困難であ る。
(2) フォト MOS F E Tは、 その構造上、 小型化、 高集積化が困難である ので、 測定装置が大型化して高価になる。
(3)フォト MOS F E Tを駆動するための電源が必要であり、測定個所が 増えると、 大きな電流が必要になる。
(4)蓄電池に比べて運転温度が高くなる燃料電池の電圧を測定する場合に は、その回路の動作温度を高温に耐え得るようにする必要があるが、 フォト
MO S F E Tでは耐高温化が困難である。
(5)各スィツチは保護機能を備えていないため、スィツチの切り換え時間 に余裕を十分確保することにより、短絡電流が流れない様に設計しても、モ 一夕やエンジンからの大きなノイズで駆動信号が誤動作すると、各スィツチ が誤動作し、 短絡電流が流れ、 電圧測定回路に悪影響を及ぼす。
本発明は、上述した諸問題を解決するためになされたものであり、その課 題は、特別の電源を必要とせずに電池セルの端子電圧を高速且つ高精度で測 定でき、しかも耐ノイズ性に鐸れた小型且つ低価格な電圧測定装置を提供す るしとにのる。
本発明の主要な側面は、直列に接続された複数の電圧源を、少なくとも 1 つの電圧源からなる複数のブロックに分割し、ブロックの電圧を測定する電 圧測定装置において、前記ブロックの一方の端子に接続される第 1電圧入力 端子に第 1主電極が接続され第 1主電極に印加される電圧に基づき制御電 極に印加される電圧に応じてオン/オフする第 1導電型の第 1 MOS F E Tと、前記ブロックの他方の端子に接続される第 2電圧入力端子に第 1主電 極が接続され第 1主電極に印加される電圧に基づき制御電極に印加される 電圧に応じてオン/オフする第 1導電型の第 2 MOS F E Tとを有する第 1スィッチ群と、各ブロック毎に設けられ、前記第 1導電型の第 1 MOS F ETの第 2主電極と前記第 1導電型の第 2 MO S F ETの第 2主電極との 間に接続された第 1蓄電素子と、前記第 1蓄電素子の一方の端子に第 2主電 極が接続され且つ第 1主電極が第 1電圧出力端子に接続され制御電極に入 力された信号に応じてオン/オフする前記第 1導電型とは反対導電型とな る第 2導電型の第 1 M O S F E Tと、前記第 1蓄電素子の他方の端子に第 2 主電極が接続され且つ第 1主電極が第 2電圧出力端子に接続され制御電極 に入力された信号に応じてオン/オフする第 2導電型の第 2 M O S F E T とを有する第 2スィッチ群と、前記第 1導電型の第 1 M O S F E Tの制御電 極に第 2主電極が接続され制御電極に入力された信号に応じてオン Zオフ する第 2導電型の第 3 M O S F E Tと、前記第 1導電型の第 2 M O S F E T の制御電極に第 2主電極が接続され制御電極に入力された信号に応じて才 ン /オフする第 2導電型の第 4 M O S F E Tとを有する第 3スィッチ群と、 前記第 3スィツチ群をオンさせることによリ前記第 1スィツチ群をオンさ せ、前記第 3スィッチ群をオフさせることにより前記第 1スィッチ群がオフ している期間に前記第 2スィツチ群をオンさせる制御手段とを備えること を特徴とする。 図面の簡単な説明
図 1 は、本発明の第 1〜第 3の実施の形態に係る電圧測定装置の構成を示 すプロック図である。
図 2は、本発明の第 1の実施の形態に係る電圧測定装置内の電圧測定回路 の構成を示す回路図である。
図 3 A〜 3 Cは、本発明の第〗の実施の形態に係る電圧測定装置内の電圧 測定回路の動作を説明するための図である。
図 4は、本発明の第 1の実施の形態に係る電圧測定装置の変形例を示すブ 口ック図である。
図 5 A, 5 Bは、 図 4に示した変形例の動作を説明するためのタイミング チャートである。
図 6 A, 6 Bは、 図 4に示した変形例の他の動作を説明するための夕イミ ングチャートである。
図 7は、本発明の第 2の実施の形態に係る電圧測定装置内の電圧測定回路 の構成を示す回路図である。 P 聰 004趣 944
4 図 8は、本発明の第 3の実施の形態に係る電圧測定装置内の電圧測定回路 の構成を示す回路図である。
図 9は、本発明の第 4の実施の形態に係る電圧測定装置内の電圧測定回路 の構成を示す回路図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の実施の形態を図面を参照しながら詳細に説明する。
図 1は本発明の実施の形態に係る電圧測定装置の構成を示す図である。こ の電圧測定装置は、 電池 1、 電圧測定部 2、 電圧変換部 3及び制御装置 4か ら構成されている。
電池 1は、 π個 (nは 1以上の整数) のブロック 1 0,〜 1 0nが直列に接 続されて構成されており、 各ブロック 1 0は、 本発明の電圧源に対応し、 複 数の電池セルが直列に接続されて搆成されている。 この電池 1 は、例えば 1 00 ~ 200 Vといった高い電圧を出力する。
電圧測定部 2は、 π個の電圧測定回路 2 0,〜2 0nから構成されている。 電圧測定回路 2 0,〜2 0nの各々は同一の構成を有する。電圧測定回路 20 , Οηは、 制御装置 4からの制御信号に応じて、 電池 1のブロック 1 0 , ~ 1 0„からの電圧をそれぞれ取り込んで保持する。 そして、 制御装置 4か らの制御信号に応じて、 保持している電圧を電圧変換部 3に送る。
電圧変換部 3は、例えば η個の A/D変換器 3 0,-3 Οπから構成されて いる。 A/D変換器 3 (^〜ョ 0„の各々は同一の構成を有する。 A/D変換 器 30,~30„は、 電圧測定回路 20,〜2 Οηからアナログ信号として供給 される電圧をデジタル信号に変換して制御装置 4に送る。
制御装置 4は、 電圧測定回路 20,〜20„に制御信号を供給して、 それら の動作を制御すると共に、 AZD変換器 3 0,-3 Οπから送られてくるデジ タル信号を加算し、電池 1の全体の電圧やブロック毎の電圧を算出する。算 出された電圧は、 電池 1の充電状況、 放電状況、 電池の寿命、 異常等をモニ 夕するために使用される。
(第 1の実施の形態) 図 2は本発明の第 1の実施の形態に係る電圧測定装置内の電圧測定回路 の構成を示す回路図である。 この電圧測定回路は、図 1 に示す電圧測定回路 2 0,〜20nに対応する。
電圧測定回路は、 電圧入力端子 A及び B、 制御信号入力端子 C、 D、 E及 び F、並びに電圧出力端子 G及び Hを備えている。電圧入力端子 Aは電池 1 を構成する複数のブロック 1 0,〜 1 0Πの中の 1つのブロックの一方の端 子(正極端子)に接続され、電圧入力端子 Βはそのプロックの他方の端子(負 極端子) に接続される。 電圧出力端子 G及び Ηは、 複数の AZD変換器 3 0 ,~ 1 0ηの中の 1つの A/D変換器に接続される。 また、 制御信号入力端子 C、 D、 E及び Fは制御装置 4に接続される。
この電圧測定装置は、第 1 スィッチ群を構成する Pチャンネル MO S電界 効果トランジスタ (以下、 r p c h _MO S F E Tj といい、 本発明の第 1 導電型の MO S F E Tに対応する。 ) Q 1及び P c h— MO S F E TQ 2、 第 2のスィツチ群を構成する Nチヤンネル M 0 S電界効果卜ランジス夕(以 下、 「N c h— MO S F E TJ といい、 本発明の第 2導電型の MO S F E T に対応する。 ) Q 7及び N c h— MO S F ETQ 8、 並びに第 3のスィツチ 群を構成する N c h— MO S F ETQ 5及び N c h—MO S F ETQ 6を 備えている。これら P c h— MOS F E TQ 1 、 P c h— MO S F E TQ 2、 N c h— MO S F E TQ 5、 N c h -MO S F E TQ 6, N c h -MO S F E T Q 7及び N c h—MO S F ETQ 8としては、電池 1の電圧によって異 なるが、 例えば 5 00 Vに耐え得る高耐圧の素子が使用される。
P c h -MO S F E TQ 2のソース(本発明の第 1主電極に対応)は抵抗 R 2を介して電圧入力端子 Aに接続され、 ドレイン(本発明の第 2主電極に 対応) は抵抗 R 9を介してコンデンサ C 1 (本発明の第 1蓄電素子に対応) の一方の端子に接続されている。また、 P c h— MO S F E TQ 2のゲート (本発明の制御電極に対応)は N c h -MO S F E TQ 6のドレインに接続 され、 更に、 バックゲ一卜 (サブストレート) は電圧入力端子 Aに接続され ている。
P c h -MO S F ETQ 2のバックゲー卜(電圧入力端子 A)とゲー卜と の間には、 P c h— MOS F ETQ 2のゲート電圧を確定させるために、ッ ェナーダイ才ードと同様にゲー卜電圧のリミッタとして機能するように接 続された N P Nトランジスタ Q 4と抵抗 R 4とが並列に接続されている。即 ち、 N P N トランジスタ Q 4のコレクタ及びエミッ夕は P c h— MO S F E TQ 2のバックゲート (電圧入力端子 A) に接続され、 ベースは P c h -M 〇 S F E TQ 2のゲ一卜に接続されている。
抵抗 R 2は本発明の電流制限部を構成する抵抗素子に、 N P N 卜ランジス 夕 Q 4は本発明の電流制限部を構成する電圧制限素子にそれぞれ対応し、こ れら抵抗 R 2及び N P N卜ランジス夕 Q4により、 P c h— MO S F E TQ 2に流れる電流が制限されてその破壊が防止される。
抵抗 R 9は予期せぬ事態によリ、蓄積素子側から電池側に電流が流れても、 過大な電流が流れないよう、抵抗 R 9により過電流を防止し P c h— M〇 S F E T Q 2の破壊を防止するためのもので、 P c h— MO S F E TQ 2や使 用条件によって抵抗 R 9は無くてもよい。
また、 P c h— MO S F ETQ 1のソースは、抵抗 R 1を介して電圧入力 端子 Bに接続され、ドレインは抵抗 R 8を介してコンデンサ C〗の他方の端 子に接続されている。また、 P c h— MO S F E TQ 1のゲー卜は N c h— MO S F E TQ 5のドレインに接続され、更に、バックゲー卜は電圧入力端 子 Bに接続されている。
P c h— MO S F E TQ 1のバックゲート(電圧入力端子 B) とゲー卜と の間には、 P c h— MO S F E TQ 1のゲー卜電圧を確定させるために、 ッ ェナ一ダイ才ードと同様にゲー卜電圧のリミッタとして機能するように接 続された N P Nトランジスタ Q 3と抵抗 R 3とが並列に接続されている。即 ち、 N P Nトランジスタ Q 3のコレクタ及びエミッ夕は P c h— MO S F E TQ 1のバックゲー卜 (電圧入力端子 A) に接続され、 ベースは P c h— M 0 S F E T Q 1のゲートに接続されている。
抵抗 R 1 は本発明の電流制限部を構成する抵抗素子に、 N P N卜ランジス 夕 Q 3は本発明の電流制限部を構成する電圧制限素子にそれぞれ対応し、こ れら抵抗 R 1及び N P N卜ランジス夕 Q 3により、 P c h— MO S F E TQ 1 に流れる電流が制限されてその破壊が防止される。 抵抗 R 8は予期せぬ事態により、蓄積素子側から電池側に電流が流れても、 過大な電流が流れないよう、抵抗 R 8により過電流を防止し P c h - OS F E T Q 1の破壊を防止するためのもので、 P c h— MO S F ETQ 1や使 用条件によって抵抗 R 8は無くてもよい。
N c h— MOS F ETQ 6は、 P c h— MOS F E TQ 2を駆動するため に用いられる。 N c h— MO S F ETQ 6のドレインは、上述したように P c h— MO S F ETQ 2のゲ一卜に接続されている。また、 N c h— M 0 S F ETQ 6のソースは抵抗 R 6を介してグランドに接続されており ック ゲート (サブス卜レ一卜) もグランドに接続されている。抵抗 R 6は本発明 の電流制限部を構成する抵抗素子に対応する。抵抗 R 6により、 N c h— M OS F ETQ 6に流れる電流が制限され、 その破壊が防止される。
更に、 N c h _MOS F ETQ 6のゲー卜は制御信号入力端子 Eに接続さ れている。 制御信号入力端子 Eに外部から高レベル (以下、 ΓΗレベル」 と いう)の電圧が印加されることにより N c h— MO S F E TQ 6はオンにな る。 その結果、 P c h— MOS F ETQ 2もオンになり、 電圧入力端子 Aか らの電圧がコンデンサ C 1の一方の端子に印加される。
N c h— MOS F ETQ 5は、 P c h— MOS F ETQ 1を駆動するため に用いられる。 N c h— MO S F ETQ 5のドレインは、上述したように P c h -MO S F ETQ lのゲー卜に接続されている。また、 N c h -MO S F E TQ 5のソースは抵抗 R 5を介してグランドに接続され ックゲ一卜 (サブス卜レー卜)もグランドに接続されている。抵抗 R 5は本発明の電流 制限部を構成する抵抗素子に対応する。抵抗 R 5により、 N c h— MO S F ETQ 5に流れる電流が制限され、 その破壊が防止される。
更に、 N c h— MOS F ET Q 5のゲートは制御信号入力端子 Fに接続さ れている。制御信号入力端子 Fに外部から Hレベルの電圧が印加されること により N c h— MO S F ETQ5はオンになる。その結果、 P c h— M 0 S F ETQ 1 もオンになり、電圧入力端子 Bからの電圧がコンデンサ C〗の他 方の端子に印加される。
N c h -MOS F ETQ 8のドレインはコンデンサ C 1の一方の端子に 接続され、ソースは電圧出力端子 G及びツエナーダイ才ード Z D 1のカソー ドに接続され、ツエナ一ダイォード Z D 1のアノードはグランドに接続され ている。 A/D変換器の入力インピーダンスは非常に高いため、静電容量や リ一ク電流のために電圧出力端子の電圧が上昇し第 2スィツチ群の M O S F E Tが破壊することがないよう保護のために、ツエナーダイオード Z D 1 が挿入されている。 N c h— MO S F E TQ 8のバックゲー卜(サブストレ 一卜)はグランドに接続され、ゲートは制御信号入力端子 Cに接続されてい る。制御信号入力端子 Cに外部から Hレベルの電圧が印加されることにより N c h -MO S F E TQ8はオンになり、コンデンサ C 1の一方の端子の電 位が電圧出力端子 Gに出力される。
N c h -MO S F E TQ 7のドレインはコンデンサ C 1の他方の端子に 接続され、ソースは抵抗 R 7を介して電圧出力端子 H及びグランドに接続さ れている。
N c h -MO S F E TQ 7のバックゲ一卜(サブス卜レー卜)はグランド に接続され、ゲ一卜は制御信号入力端子 Dに接続されている。制御信号入力 端子 Dに外部から Hレベルの電圧が印加されることにより N c h— MO S F ETQ 7はオンになり、コンデンサ C 1の他方の端子の電位が電圧出力端 子 Hに出力される。
上述した P c h— MOS F ETQ 1及び Q 2は高耐圧のトランジスタか ら構成されており.、電圧入力端子 A及び Bに接続された被測定電圧源をその まま P c h— MO S F ETQ 1及び Q 2のゲー卜駆動用電源として利用で さる。
即ち、高耐圧の P c h— MO S F E TQ 2のゲ一卜—ソース間には、抵抗 R 2を介して、抵抗 R 4及びツエナーダイ才一ドとして機能する N P Nトラ ンジス夕 Q 4が並列に接続されており、高耐圧の N c h -MO S F E TQ 6 がオン状態の期間は、 N P Nトランジスタ Q4がツエナー降伏を起こし、 P c h— MO S F ETQ 2のゲー卜一ソース間電圧を降伏電圧に保つことが できる。 また、 N c h— MO S F E TQ 6がオフ状態の期間は、 P c h— M O S F E TQ 2のゲート一ソース間が抵抗 R 4によって短絡され、オン状態 の期間に蓄積された P c h - OS F E TQ 2のゲー卜電荷を放出すると 共に、 P c h— MOS F ETQ 2のゲートの電位をソース電位に固定する。 同様に、高耐圧の P c h— M0S F ETQ 1のゲ一卜一ソース間には、抵 抗 R 1を介して、抵抗 R 3及びツエナ一ダイオードとして機能する N P N卜 ランジスタ Q 3が並列に接続されており、高耐圧の N c h -MOS F E TQ 5がオン状態の期間は、 N P Nトランジスタ Q 3がツエナ一降伏を起こし、 P c h -MOS F E TQ Iのゲート—ソース間電圧を降伏電圧に保つこと ができる。 また、 N c h—MO S F E TQ 5がオフ状態の期間は、 P c h— MO S F E TQ〗のゲート一ソース間が抵抗 R 3によって短絡され、オン状 態の期間に蓄積された P c h -MOS F ETQ 1のゲ一卜電荷を放出する と共に、 P c h— MOS F ETQ 1のゲー卜の電位をソース電位に固定する。 従って、 P c h— MO S F ETQ 1及び Q 2をオン及びオフさせるために ゲートに印加する電圧を特別の電源で生成する必要がなく、電圧測定装置を 安価且つ小型に構成することができる。
なお、上述した第 1スィツチ群は、高耐圧の N c h -MO S F E Tで構成 することもできる。 しかしながら、高耐圧の P c h— M0 S F ETQ 1及び Q 2を用いることにより、高耐圧の N c h— MO S F ETで同じ目的の回路 を構成するよりも簡素な回路構成とすることができる。つまり、高耐圧の P c h -MO S F ETQ 1及び Q 2の代わリに高耐圧の N c h— MOS F E Tを使用した場合、 N c h— MOS F E Tがオンするためには、ゲー卜電位 をソース電位より閾電圧分だけ高くする必要がある。また、 N c h -MOS F E Tがオンした場合には、ソース電位がドレイン側の被測定電圧源の電位 の近くまで上昇するので、ゲー卜電位を被測定電圧源の電位より高い電位に 上げないと、 N c h—MOS F E Tはオン状態を続けることができない。 従って、 P c h— MOS F ETを使用した場合のように、被測定電圧源を そのままゲー卜駆動用電源として利用することができず、電圧入力端子 A及 び Bの被測定電圧源の電位よりも閾電圧分だけ高いゲー卜駆動用電圧を生 成する回路が別途必要になる。このようなゲ一卜駆動用電圧を生成するため には、 フローティング電源駆動、 ブー卜ストラップ駆動、 チャージポンプ駆 動等を用いることができるが、 回路構成が複雑になってしまう。
次に、以上のように構成される本発明の第 1の実施の形態に係る電圧測定 装置の動作を、 図 3を参照しながら説明する。 まず、 制御装置 4から制御信号入力端子 C及び Dに低レベル(以下、 「L レベル」 という) の制御信号が供給されると共に、 制御信号入力端子 E及び Fに Hレベルの制御信号が供給される。 これにより、 図 3 Aに示すように、 N c h -MOS F ETQ 6及び Q 5がオンされ、その結果、 P c h— MO S F E TQ 2及び Q 1がオンされる。 また、 N c h— MOS F E TQ 8及び Q 7はオフされる。 この状態で、電池 1の 1つのブロック 1 0からの電流 Iが 図示するように流れてコンデンサ C 1を充電する。 この充電は、 コンデンサ C 1 の両端子間の電圧がブロック 1 0の両端子間の電圧に等しくなるまで、 制御信号入力端子 E及び Fに供給される制御信号を Hレベルに保つことに より行われる。
次に、図 3 Aに示す状態において、制御装置 4から制御信号入力端子 E及 び Fに Lレベルの制御信号が供給される。これによリ、図 3 Bに示すように、 N c h -MOS F E TQ 6及び Q 5がオフされ、その結果、 P c h— MO S F E TQ 2及び Q 1がオフされる。また、 N c h— MO S F E TQ 8及び Q 7はオフ状態を維持する。 この状態では、 コンデンサ C 1 は先の充電に基づ く電圧を保持している。
次に、図 3 Bに示す状態において、制御装置 4から制御信号入力端子 C及 び Dに Hレベルの制御信号が供給される。これにより、図 3 Cに示すように、 N c h -MOS F E TQ8及び Q 7がオンされる。その結果、電圧出力端子 Gと電圧出力端子 Hとの間にコンデンサ C 1の両端の電圧が出力される。そ の後、 図 3 Bに示す状態を経て図 3 Aに示す状態に至り、 以下、 上述した測 定サイクルが繰り返される。
以上説明したように、第 1の実施の形態に係る電圧測定装置によれば、第 1〜第 3スィッチ群を構成するスィッチとしてフォ卜 MOS F ETではな く P c h— MOS F E T及び N c h -MO S F E Tを使用しているので、応 答速度が速く、コンデンサを充放電するための切リ換えを正確且つ素早く行 うことができ、 その結果、 高精度且つ高速で電圧を測定できる。
また、第 1スィッチ群を構成する P c h— MO S F ETは電圧源からの電 圧に基づき制御電極に印加される電圧に応じてオン/オフし、第 2及び第 3 スィッチ群を構成する N c h -MO S F E Tは外部からの信号に応じて才 2004/003944
11 ン /オフするので、特別の電源を必要とせず、安価且つ小型の電圧測定装置 を実現できる。
また、 P c h -MO S F ET及び N c h— MO S F ETは小型化、高集積 化が容易であるので、 安価且つ小型の電圧測定装置を実現できる。 更に、 P c h -MO S F E T及び N c h -MO S F E Tは耐高温化がフォ卜 MO S F Ε Τに比べて容易であるので、燃料電池等の運転温度が高くなる電池に適 用できる。
以上説明した電圧測定装置は、図 1 に示す電圧測定回路 20,~20„とし て使用される。 即ち、 制御装置 4は、 電圧測定回路 20,~20。に制御信号 を送る以下の動作を行わせる。 即ち、 まず、 電圧測定回路 20,〜20ηに含 まれる第 1スィッチ群をオンさせる。 これにより、 電圧測定回路 20 ,〜 2 0„に含まれる各コンデンサ C 1が充電される。 次に、 電圧測定回路 20, 〜20。に含まれる第 1スィッチ群をオフさせた後、 第 2スィッチ群をオン させる。
これにより、電圧測定回路 20,〜20ηの各々の電圧出力端子 G及び Ηか ら一斉に電圧が出力され、 A/D変換器 30,〜30„に供給される。 A/D 変換器 30,-30ηは、入力されたアナログの電圧をデジタル信号に変換し て制御装置 4に送る。 制御装置 4は、 AZD変換器 30,〜30ηから送られ てくるデジタル信号を加算し、電池 1の全体の電圧やブロック毎の電圧を算 出する。 算出された電圧は、 電池 1の充電状況、 放電状況、 電池の寿命、 異 常等をモニタするために使用される。
図 1 に示した本発明の電圧測定装置は、図 4に示すように変形することが できる。 即ち、 電圧変換部 3を 1個の A/D変換器 30で構成する。 この場 合、 制御装置 4は、 電圧測定回路 20,~ 20„を以下のように制御する。 即 ち、 制御装置 4は、 まず、 図 5 Αに示すように、 電圧測定回路 20〗〜2 On に含まれる第 1スィッチ群を同時にオンさせるような制御信号 I N 1〜! N nを送る。 これにより、 電圧測定回路 20,-20。に含まれる各コンデン サ C 1が充電される。
次に、電圧測定回路 20,〜20nに含まれる第〗スィッチ群をオフさせた 後、 図 5 Bに示すように、 電圧測定回路 20,-20Πに含まれる第 2スイツ チ群を順次にオンにさせるような制御信号 OUT 1〜OUT ηを送る。これ により、電圧測定回路 20,〜20ηからは電圧が順次に出力されて A_ D変 換器 30に供給される。制御装置 4は、 A/D変換器 30から送られてくる デジタル信号を追跡的に加算し、電池 1の全体の電圧を算出する。場合によ つては、所望のタイミングで送られてくるデジタル信号のみを処理し、所望 の 1又は複数のプロックの電圧を算出する。
このような構成によれば、 A/D変換器の数を減らすことができるので、 電圧測定装置を安価且つ小型に構成できる。 また、全ての電圧測定回路 20 ,〜20„に含まれるコンデンサ C 1への充電は同時に行い、計測は任意のブ ロック毎に順次に実施することができるので、電池が車両に搭載される場合、 急加速時や、 ブレーキ時などの、ある瞬間の電池電圧を正確に計測すること ができる。
更に、 制御装置 4から出力する制御信号により、 電圧測定回路 20,〜2 0nに含まれるコンデンサ C 1への充電を異なるタイミングで行うように構 成できる。
制御装置 4は、 まず、 図 6 Aに示すように、 電圧測定回路 20,〜20n に含まれる第 1スィッチ群を順次にオンさせるような制御信号 I N 1〜 I N nを送る。 これにより、 電圧測定回路 20,-20nに含まれる各コンデン サ C 1が順次に充電される。充電が済んだコンデンサ C 1を含む電圧測定回 路 20,〜20„の第 1スィッチ群はオフされる。
次に、 図 6 Bに示すように、 充電中でない電圧測定回路 20,〜20nに含 まれる第 2スィッチ群をオンさせるような制御信号 OUT 1〜OUT nを 送る。
これにより、 充電中でない電圧測定回路 20,〜20„から電圧が順次に出力 されて A/D変換器 30に供給される。制御装置 4は、 A/D変換器 30か ら送られてくるデジタル信号を追跡的に加算し、電池 1の全体の電圧を算出 する。場合によっては、所望のタイミングで送られてくるデジタル信号のみ を処理し、 所望の 1又は複数のブロックの電圧を算出する。
このような構成によれば、電圧測定回路 20,-20Πに含まれるコンデン サ C 1への充電を順次に行い、充電中でないコンデンサ C〗から電圧が取り 出されるので、異なる電圧測定回路 20,〜20nの間で充電と電圧の取り出 しとを同時に行うことができ、 計測時間を短縮できる。
なお、 この変形例では、 n個の電圧測定回路に対して 1個の A/D変換器 を設ける構成としたが、 m個 (mは Ί以上の整数で、 m<n) の A/D変換 器を設けるように構成することもできる。 この場合も、制御装置 4が電圧測 定装置 20,-20„に含まれる第 1スィッチ群及び第 2スィッチ群を適宜 制御することにより、 上述したのと同等又はそれ以上の効果を奏する。
(第 2の実施の形態)
本発明の第 2の実施の形態に係る電圧測定装置は、スィッチ等の浮遊容量 に起因して発生する誤差電圧を補正し、測定サイクルの高速化を図るもので ある。
図 7はこの第 2の実施の形態に係る電圧測定装置内の電圧測定回路の構 成を示す回路図である。 この電圧測定回路は、図 2に示した第 1の実施の形 態に係る電圧測定回路に、 制御信号入力端子 I、 制御信号入力端子」、 電圧 出力端子 K、 ダミーコンデンサ C 2 (本発明の第 2蓄電素子に対応) が追加 されると共に、第 1スィッチ群に高耐圧の P c h— MO S F ETQ 9、第 3 スィッチ群に高耐圧の N c h -MOS F ETQ 1 1、及び第 2スィッチ群に N c h -MOS F ETQ l 2が追加されて構成されている。ダミーコンデン サ C 2の一方の端子は、 コンデンサ C 1の他方の端子に接続されている。
P c h— MOS F E TQ 9のソースは抵抗 R 1 0を介して電圧入力端子 Bに接続され、ドレインは抵抗 R 1 4を介してダミーコンデンサ C 2の他方 の端子に接続されている。 また、 P c h -MOS F ETQ 9のゲートは N c h— MO S F ETQ 1 1のドレインに接続され、更に、バックゲー卜は電圧 入力端子 Bに接続されている。
P c h— MO S F E TQ 9のバックゲート(電圧入力端子 B) とゲー卜と の間には、 P c h— MOS F ETQ 9のゲー卜電圧を確定させるために、ッ ェナ一ダイ才ードと同様にゲー卜電圧のリミッタとして機能するように接 続された N P N トランジスタ Q 1 0と抵抗 R 1 1 とが並列に接続されてい る。即ち、 N PNトランジスタ Q 1 0のコレクタ及びエミッタは P c h— M O S F E TQ 9のバックゲート (電圧入力端子 B) に接続され、 ベースは P c h -MO S F ETQ 9のゲー卜に接続されている。
抵抗 R 1 0は本発明の電流制限部を構成する抵抗素子に、 N P N卜ランジ スタ Q 1 0は本発明の電流制限部を構成する電圧制限素子にそれぞれ対応 し、 これら抵抗 R 1 0及び N P Nトランジスタ Q 1 0により、 P c h— MO S F E TQ 9に流れる電流が制限されてその破壊が防止される。
N c h— MOS F E TQ 1 1は、 P c h— MO S F ETQ 2を駆動するた めに用いられる。 N c h— MOS F ETQ 1 1のドレインは、上述したよう に P c h— MOS F E TQ 9のゲー卜に接続されている。 また、 N c h— M O S F ETQ 1 1のソースは抵抗 R 1 2を介してグランドに接続されてお り、 バックゲート (サブストレート) もグランドに接続されている。 抵抗 R 1 2は本発明の電流制限部を構成する抵抗素子に対応する。抵抗 R 1 2によ リ、 N c h— MOS F ETQ〗 1に流れる電流が制限され、その破壊が防止 される。
更に、 N c h— MO S F ETQ 1 1のゲー卜は制御信号入力端子」に接続 されている。制御信号入力端子」に外部から Hレベルの電圧が印加されるこ とにより N c h— MO S F ETQ 1 Iはオンになる。その結果、 P c h— M OS F ETQ 9もオンになり、電圧入力端子 Bからの電圧がダミーコンデン サ C 2の他方の端子に印加される。
N c h— MOS F E TQ 1 2 ドレインはダミーコンデンサ C 2の他方の 端子に接続され、ソースは抵抗 R 1 3を介して電圧出力端子 K及びグランド に接続されている。 N c h— MOS F ETQ 1 2のバックゲート(サブス卜 レー卜)はグランドに接続され、ゲートは制御信号入力端子 I に接続されて いる。制御信号入力端子 I に Hレベルの電圧が印加されることにより N c h -MO S F ETQ 1 2はオンになり、ダミーコンデンサ C 2の他方の端子の 電位が電圧出力端子 Kに出力される。
N c h -MOS F E TQ 7のソースは電圧出力端子 H及びツエナーダイ オード Z D 3の力ソードに接続され、ツエナ一ダイ才ード Z D 3のアノード はグランドに接続されている。 AZD変換器の入力インピーダンスは非常に 高いため、静電容量やリーク電流のために電圧出力端子の電圧が上昇し第 2 スィッチ群の MOS F ETが破壊することがないよう保護のために、ツエナ 一ダイ才ード Z D 3が挿入されている。
この例では、電圧出力端子 Gとグランド間にツエナーダイオード Z D 1を 挿入し、電圧出力端子 Hとグランド間にツエナーダイオード Z D 3を挿入し ているが、例えば、電圧出力端子 Gに第 1ツエナ一ダイ才ードのカソードを 接続し、電圧出力端子 Hに第 2ツエナーダイ才ードのカソードを接続し、第 1及び第 2ツエナーダイ才一ドのアノードを共通接続し、この接続点に第 3 ツエナーダイ才ードのカソードを接続し、第 3ツエナ一ダイ才ードのァノー ドを電圧出力端子 Kに接続しても良い。
上述した第 1の実施の形態に係る電圧測定装置(図 2参照) の場合、 P c h— MOS F ETQ 1及び Q 2をオンすると、コンデンサ C 1 に電荷が蓄積 されるが、それと同時に N c h -MO S F E TQ 7及び Q 8の寄生容量にも 電荷が蓄積される。 N c h— MOS F £丁 8及び07を才ンすると、電圧 出力端子 Gと電圧出力端子 Hとの間には、それらの間に存在する容量に保持 された電圧が現れる。ところが、電圧出力端子 Hはグランド電位として使用 されるため、 N c h— MOS F ETQ 7の寄生容量に蓄積された電荷は、グ ランドに放出されてしまい、電圧出力端子 Gにはコンデンサ C 1 と N c h— MOS F ETQ8の寄生容量とに蓄積された電荷に対応する電圧、つまり N c h -MOS F ETQ8の寄生容量の電荷分だけ被測定電圧よリも大きな 電圧が現れてしまう。従って、 コンデンサ C 1 としては、 N c h— MOS F ETQ8の寄生容量による誤差分を無視できる容量のコンデンサ、つまり N c h -MOS F ETQ8の寄生容量よリ十分大きな容量のコンデンサを使 用しなければならない。 このため、 コンデンサ C 1の電荷の充放電時間が長 くなつてしまい、 測定サイクルを高速化できない。
第 2の実施の形態に係る電圧測定装置は、このような問題を解消するもの である。ポイントは、電圧入力端子 Aから見た回路と電圧入力端子 Bから見 た回路の対象性を考慮してダミーコンデンサ C 2を設けたことである。つま り、 P c h— MOS F ETQ 1、 Q 2及び Q 9をオンすると、 電圧入力端子 A及び電圧入力端子 Bから供給される電圧に基づく電荷は、それぞれコンデ ンサ C 1 とダミーコンデンサ C 2に蓄積されるのと同時に、 N c h— MOS F ETQ 8及び Q 7の寄生容量にも蓄積される。
この電圧測定回路の場合、電圧出力端子 Kがグランド端子として使用され る。
従って、 同じコンデンサ容量、 同じ寄生容量に電荷が蓄積され、 且つ N c h 一 MOS F E T Q 8及び Q 7をオンしても寄生容量に蓄積された電荷の逃 げ道がないため、電圧出力端子 Gと電圧出力端子 Hとの間には電圧入力端子 Aと電圧入力端子 Bとの電位差に相当する正確な電圧値が現れる。
もっと具体的に説明すると、 N c h— MO S F ETQ8から電圧出力端子 Gへは、 コンデンサ容量 C 1 と Q 8の寄生容量(a 1 ) との総和容量に応じ た電圧が出力され、 N c h -MOS F E TQ 7から電圧出力端子 Hへは Q 7 の寄生容量 (α 2) に応じた電圧が出力される。 ここで、 ダミーコンデンサ C 2の両端電圧はゼロであり、 α 1 と α 2とが略同一値であるので、 電圧 出力端子 Gと電圧出力端子 Ηとの間の電位差は、コンデンサ容量 C 1 に対応 した電圧となる。従って、誤差を考慮してコンデンサ C 1の容量を大きくす る必要がないので、充放電時間の短縮化が可能であり、測定サイクルを高速 化することができる。
(第 3の実施の形態)
本発明の第 3の実施の形態に係る電圧測定装置は、負電圧の測定を可能に するものである。
國 8は第 3の実施の形態に係る電圧測定装置内の電圧測定回路の構成を 示す回路図である。 この電圧測定回路は、 図 2に示した第〗の実施の形態に 係る電圧測定回路に対して、 N c h -MOS F E TQ 8のソースとバックゲ 一卜 (サブストレート) とを接続すると共に、 電圧出力端子 Hをツエナーダ ィ才一ド Z D 2を介してグランドに接続したものである。
ツエナーダイオード Z D 2を用いることにより、後段で基準電位として使 用される電圧出力端子 Hの電位を、図示していない電源を用いてグランド電 位に対して一定電圧値分だけ持ち上げることが可能になる。 これにより、被 測定電圧源に接続されている電圧に電圧入力端子 A及び Bの電位差が、負電 位となる場合であっても計測が可能になる。 また、 第 1の実施の形態に係る電圧測定回路(國 2参照) では、 コンデン サ C〗 に蓄積された電圧を電圧出力端子 G及び Hに出力する際に、 N c h— MO S F E TQ 8をオンにするが、この時被測定電源の電圧が N c h— M 0 S F E TQ 8のソース一バックゲー卜耐圧よりも高い電圧であると、電圧出 力端子 Gとグランドとの間でブレイクダウンしてしまい、電圧測定ができな い。
また、基板バイアス効果により N c h— MO S F E TQ 8の閾値が上昇す るため、 より高いゲート電圧が必要となる。
これに対し、第 3の実施の形態に係る電圧測定回路のように N c h -MO S F E TQ 8のソースとバックゲー卜をショー卜すると、そのような問題は 生じない。 この構成により、 バックゲ一卜の耐圧に依存せずに、 より高い電 圧の測定が可能になる。
また、基板バイアス効果もなく N c h -MO S F E TQ 8の閾値が上昇す ることがないため、高いゲート電圧を印加することなくオン/オフができる。 また、 N c h— MO S F ETQ 7のソースは抵抗 R 7を介して電圧出力端 子 H及びツエナ一ダイ才一ド Z D 2の力ソードに接続され、ツエナ一ダイォ ード Z D 2のァノ一ドはグランドに接続されている。 A/D変換器の入カイ ンピ一ダンスは非常に高いため、静電容量やリーク電流のために電圧出力端 子の電圧が上昇し第 2スィッチ群の MOS F E Tが破壊することがないよ う保護のために、 ツエナーダイオード Z D 2が挿入されている。
なお、第 3の実施の形態は、第 1の実施の形態に係る電圧測定装置におけ る N c h— MO S F ET Q 8のソースとバックゲ一卜(サブス卜レー卜) と を接続すると共に、電圧出力端子 Hをツエナ一ダイ才一ド Z D 2を介してグ ランドに接続したものであるが、第 2の実施の形態に係る電圧測定装置にお ける N c h— MO S F E TQ 8のソースとバックゲート (サブストレート) とを接続すると共に、電圧出力端子 Hをツエナーダイ才ード Z D 3を介して グランドに接続するように構成することもできる。この場合も上述したもの と同様の作用及び効果を奏する。
(第 4の実施の形態) 図 9は第 4の実施の形態に係る電圧測定装置内の電圧測定回路の構成を 示す回路図である。図 2に示す電圧測定回路は、複数の電圧源が正電圧の場 合で、第 1スィッチ群が P c h -MO S F ETから構成され、第 2スィッチ 群及び第 3スィツチ群が、 c h - OS F E丁から構成されていたのに対 して、 図 9に示す電圧測定回路は、 複数の電圧源が負電圧の場合で、 第 1ス イッチ群が N c h -MOS F ETから構成され、第 2スィッチ群及び第 3ス イッチ群が P c h -MO S F ETから構成されることを特徴とする。
ここでは、 図 2に示す構成に対して、 相違する構成のみを説明する。 電圧 入力端子 Aは 1つのブロックの一方の端子(負極端子) に接続され、 電圧入 力端子 Bはそのブロックの他方の端子(正極端子) に接続される。 P c h— MOS F ETQ 2に代えて、 N c h— MO S F E TQ2を設け、 N P Nトラ ンジス夕 Q 4に代えて、 P N Pトランジスタ Q 24を設け、 P c h— MOS F E T Q 1 に代えて、 N c h— MO S F E TQ 2 1を設け、 N P N卜ランジ スタ Q 3に代えて、 P N Pトランジスタ Q 23を設けている。 また、 N c h -MO S F ETQ 5に代えて、 P c h— MOS F ETQ25を設け、 N c h -MO S F ETQ 6に代えて、 P c h— MOS F ETQ26を設け、 N c h -MOS F ETQ 7に代えて、 P c h— MOS F ETQ27を設け、 N c h -MO S F ETQ 8に代えて、 P c h _MOS F ETQ 28を設けている。 ツエナ一ダイォード Z D 1 に代えて、ツエナ一ダイオード Z D4を設けてい る。
以上のように構成された第 4の実施の形態に係る電圧測定装置によれば、 制御装置 4から制御信号入力端子 C及 Dに Hレベルの制御信号が供給され ると共に、 制御信号入力端子 E及び Fに Lレベルの制御信号が供給される。 これにより、図 3 Aに示すように、 P c h— MOS F ETQ26及び Q 25 がオンされ、その結果、 N c h— MO S F ETQ22及び Q2 Ίがオンされ る。 また、 P c h— MOS F E TQ 28及び Q 27はオフされる。 この状態 で、電池 1の〗つのブロック 1 0からの電流 Iが図示するように流れてコン デンサ C 1を充電する。 この充電は、 コンデンサ C 1の両端子間の電圧がブ ロック 1 0の両端子間の電圧に等しくなるまで、制御信号入力端子 E及び F に供給される制御信号を Lレベルに保つことにより行われる。 次に、 図 3 Aに示す状態において、制御装置 4から制御信号入力端子 E及 び Fに Hレベルの制御信号が供給される。これにより、図 3 Bに示すように、 P c h— MO S F ETQ26及び Q 25がオフされ、その結果、 N c h— M 0 S F E T Q 22及び Q 2 1がオフされる。また、 P c h— MOS F ETQ 28及び Q 27はオフ状態を維持する。 この状態では、 コンデンサ C 1 は先 の充電に基づく電圧を保持している。
次に、図 3 Bに示す状態において、制御装置 4から制御信号入力端子 C及 び Dに Lレベルの制御信号が供給される。これにより、図 3 Cに示すように、 P c h -MOS F ETQ 28及び Q 27がオンされる。その結果、電圧出力 端子 Gと電圧出力端子 Hとの間にコンデンサ C 1の両端の電圧が出力され る。 その後、 図 3 Bに示す状態を経て図 3 Aに示す状態に至り、 以下、 上述 した測定サイクルが繰り返される。
即ち、第 4の実施の形態に係る電圧測定装置においても、第 1の実施の形 態に係る電圧測定装置の作用及び効果と同様な作用及び効果を奏する。 なお、第 1の実施の形態に係る電圧測定装置の変形例及びその他の変形例 (図 4〜図 6 A, 6 B) 、 第 2の実施の形態に係る電圧測定装置 (図 7) 、 第 3の実施の形態に係る電圧測定装置(図 8) のそれぞれにおいても、 第 4 の実施の形態に係る電圧測定装置と同様に、複数の電圧源を負電圧とし、第 1スィツチ群を N c h -MO S F E Tから構成し、第 2スィツチ群及び第 3 スィッチ群を P c h -MOS F ETから構成するようにしても良い。このよ うに構成しても同様な作用及び効果を奏する。 産業上の利用可能性
以上説明したように、本発明によれば、第 3スィツチ群がオンされること により第〗スィッチ群がオンされて第 1電圧入力端子と第 2電圧入力端子 との間に印加される電圧で第 1蓄電素子が充電され、第 3スィッチ群がオフ されることによリ第 1スィッチ群がオフされている期間に第 2スィツチ群 がオンされることによリ第 1蓄電素子に保持されている電圧が第 1電圧出 力端子と第 2電圧出力端子との間に出力される。即ち、第 1〜第 3スィッチ 群を構成するスィッチとしてフォ卜 MOS F ETではなく、第 1導電型の M 2004/003944
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O S F ET (例えば P c h -MOS F E T )及び第 2導電型の M O S F ET (例えば N c h -MO S F E T) を使用しているので、 応答速度が速く、 第 1蓄電素子を充放電するための切り換えを正確且つ素早く行うことができ、 その結果、 高精度且つ高速で電圧を測定できる。 また、 P c h— MO S F E T及び N c h— MO S F ETは、 小型化、 高集積化が容易であるので、 安価 且つ小型の電圧測定装置を実現できる。更に、 P c h— MO S F E T及び N c h -MO S F E Tは、耐高温化がフォ卜 MO S F E Tに比べて容易である ので、 燃料電池等の運転温度が高くなる電池に適用できる。
また、本発明によれば、第 3スィツチ群がオンされることによリ第 1スィ ツチ群がオンされて第 1電圧入力端子と第 2電圧入力端子との間に印加さ れる電圧で第 1蓄電素子及び第 2蓄電素子を充電し、第 3スィッチ群がオフ されることによリ第〗スイツチ群がオフされている期間に第 2スイツチ群 がオンされることによリ第 1蓄電素子に保持されている電圧を第 1電圧出 力端子と第 2電圧出力端子との間に出力し、且つ第 3電圧出力端子がグラン ド電位に保持されているので、第 2スィツチ群を構成する第 1及び第 2 N c h -MOS F E Tの浮遊容量に基づいて第 1電圧出力端子及び第 2電圧出 力端子間に出現する電圧誤差を補正することができる。その結果、第 1蓄電 素子の容量を小さくすることができるので、第 1蓄電素子の充放電時間を短 くすることができ、 更に高速で高精度な電圧の測定が可能になる。
更に、本発明によれば、例えばバッテリ不良等で被測定電圧源に接続され ている第 1電圧入力端子と第 2電圧入力端子との間の電位差が負電位にな る場合であっても電圧の計測が可能になる。
また、 本発明によれば、 外部からの信号等にノイズが重畳されて、 例えば 第 1スィッチ群を構成する P c h— MO S F E Tと第 2スィツチ群を構成 する N c h— MO S F ETが同時にオンされる状態が生じても、当該電圧測 定装置を構成している各素子や第 1及び第 2電圧出力端子に接続される機 器を破壊するといつた事態を回避できる。
更に、本発明によれば、安価な抵抗素子や電圧制限素子のみで第 1〜第 3 スイツチ群を構成する MO S F E Tに流れる電流を制限して定電流特性を 持たせることができるので、定電流化のため例えば F E Tといつた高価な部 品を必要としない。 その結果、 電圧測定装置を安価に構成できる。
また、 本発明によれば、 全ての第 1蓄電素子への充電は同時に行い、 計測 は任意のブロック毎に順次に実施することができるので、電池が車両に適用 される場合、 急加速時や、 ブレーキ時などの、 ある瞬間の電池電圧を正確に 計測することができる。
更に、本発明によれば、 第 1蓄電素子に充電する動作と、 第〗蓄電素子か らの出力を計測する動作とが互いに重ならないよう第〗スィッチ群と第 2 スィッチ群を制御することにより、任意のブロック毎の充電と計測とが可能 になるので、 計測時間を短縮できる。
また、本発明によれば、第 1スィツチ群を構成する P c h— MO S F ET は、電圧源からの電圧に基づき制御電極に印加される電圧に応じてオン 才 フし、第 2及び第 3スィッチ群を構成する N c h— MOS F ETは、入力さ れた信号に応じてオン/オフするので、特別の電源を必要とせず、安価且つ 小型の電圧測定装置を実現できる。
更に、本発明によれば、第 1スィッチ群を構成する N c h— MO S F ET は、電圧源からの電圧に基づき制御電極に印加される電圧に応じてオン/才 フし、第 2及び第 3スィツチ群を構成する P c h— MOS F ETは、入力さ れた信号に応じて才ン オフするので、特別の電源を必要とせず、安価且つ 小型の電圧測定装置を実現できる。
加えて、 本発明によれば、 電圧制限素子を設けたので、 静電容量やリーク 電流によリ電圧出力端子の電圧が上昇しなくなリ、第 2スィッチ群の M 0 S F ETを破損することがなくなる。

Claims

請求の範囲
1. 直列に接続された複数の電圧源を、少なくとも 1つの電圧源からなる 複数のブロックに分割し、プロックの電圧を測定する電圧測定装置であって、 前記ブロックの一方の端子に接続される第〗電圧入力端子に第〗主電極 が接続され第〗主電極に印加される電圧に基づき制御電極に印加される電 圧に応じてオン オフする第 1導電型の第 1 MO S F E Tと、前記ブロック の他方の端子に接続される第 2電圧入力端子に第 1主電極が接続され第 1 主電極に印加される電圧に基づき制御電極に印加される電圧に応じてオン /オフする第 1導電型の第 2 MOS F ETとを有する第 1スィッチ群と、 各ブロック毎に設けられ、前記第 1導電型の第 1 MOS F E Tの第 2主電 極と前記第〗導電型の第 2 MO S F E Tの第 2主電極との間に接続された 第 1蓄電素子と、
前記第 1蓄電素子の一方の端子に第 2主電極が接続され且つ第 1主電極 が第 1電圧出力端子に接続され制御電極に入力された信号に応じてオン/ オフする前記第 1導電型とは反対導電型となる第 2導電型の第 1 MO S F E Tと、前記第 1蓄電素子の他方の端子に第 2主電極が接続され且つ第 1主 電極が第 2電圧出力端子に接続され制御電極に入力された信号に応じて才 ン /オフする第 2導電型の第 2 MO S F ETとを有する第 2スィッチ群と、 前記第 1導電型の第 1 MO S F ETの制御電極に第 2主電極が接続され 制御電極に入力された信号に応じてオン/オフする第 2導電型の第 3 MO 3「 £丁と、前記第1導電型の第 2 MO S F ETの制御電極に第 2主電極が 接続され制御電極に入力された信号に応じてオン オフする第 2導電型の 第 4 MO S F E Tとを有する第 3スィッチ群と、
前記第 3スィッチ群をオンさせることにより前記第 1スィッチ群をオン させ、前記第 3スィッチ群をオフさせることにより前記第 1スイツチ群が才 フしている期間に前記第 2スィッチ群をオンさせる制御手段と、を備えるこ とを特徴とする。
2. 請求項 1記載の電圧測定装置であって、 一方の端子が前記第 1蓄電素子の他方の端子に接続された第 2蓄電素子 を備え、
前記第 1スイツチ群は、前記第 2蓄電素子の他方の端子に第 2主電極が接 続され、前記第 2電圧入力端子に第 1主電極が接続され第 1主電極に印加さ れる電圧に基づき才ン Zオフする第 1導電型の第 3 MO S F ETを備え、 前記第 2スィツチ群は、前記第 2蓄電素子の他方の端子に第 2主電極が接 続され且つ第 1主電極がグランド電位に保持された第 3電圧出力端子に接 続され制御電極に入力される信号に応じてオンノオフする第 2導電型の第 5 MO S F E Tを備え、
前記第 3スィッチ群は、前記第 Ί導電型の第 3 MO S F E Tの制御電極に 第 2主電極が接続され制御電極に入力される信号に応じてオン/オフする 第 2導電型の第 6 MO S F E丁を備えることを特徴とする。
3. 請求項 1記載の電圧測定装置であって、
前記第 2導電型の第 2 MO S F E Tの第 1主電極から前記第 2電圧出力 端子に出力される電位をグランド電位に対して一定電圧値分だけ持ち上げ ることのできる手段を備えることを特徴とする。
4. 請求項 1記載の電圧測定装置であって、
前記第 1スィッチ群、第 2スィッチ群及び第 3スィッチ群のうち少なくと も 1つに含まれる複数の M O S F E Tに流れる電流を制限する電流制限部 を備えることを特徴とする。
5. 請求項 4記載の電圧測定装置であつて、
前記電流制限部は、前記第 1スィッチ群に含まれる前記第 1導電型の第 1 MOS F E T及び前記第 2 MO S F E丁の各々の第 1主電極と制御電極間 に直列に挿入された抵抗素子及び電圧制限素子から構成されることを特徵 とする。 請求項 4記載の電圧測定装置であつて、 前記電流制限部は、前記第 3スィツチ群に含まれる前記第 2導電型の第 3 M O S F E T及び前記第 4 M O S F E Tの各々の第〗主電極に接続された 抵抗素子から構成されることを特徴とする。
7 . 請求項 1記載の電圧測定装置であって、
前記制御手段は、前記複数のプロックの前記第 1スィツチ群を同時にオン させて各プロックの両端電圧を各プロックに対応する各々の第 1蓄電素子 に保持させ、前記複数のプロックの前記第 1スィッチ群がオフされている期 間に、前記複数のプロックの前記第 2スィツチ群の中の 1以上の前記第 2ス イッチ群を同時にオンさせ、 1以上の前記第 2スィッチ群に対応する 1以上 の前記第 1蓄電素子に保持されている電圧を、 1以上の前記第 2スィッチ群 に対応する 1以上の電圧出力端子から出力させることを特徴とする。
8 . 請求項 1記載の電圧測定装置であって、
前記制御手段は、前記複数のブロックの前記第 1スィッチ群の中の 1以上 の前記第 1 スィツチ群を同時にオンさせて 1以上の前記第 1スィツチ群に 対応する 1以上のブロックの両端電圧を 1以上のブロックに対応する 1以 上の第 1蓄電素子に保持させ、 1以上の前記第〗スィッチ群がオフされてい る期間に、前記 1以上の第 1スィッチ群に対応する 1以上の第 2スィッチ群 を同時にオンさせて前記 1以上の第 1蓄電素子に保持されている電圧を前 記 1以上の第 2スィッチ群に対応する 1以上の前記電圧出力端子から出力 させることを特徴とする。
9 . 請求項 1記載の電圧測定装置であって、
前記複数の電圧源が正電圧の場合には、前記第〗スィツチ群は、 P c h— M O S F E Tから構成され、前記第 2スィツチ群及び前記第 3スィッチ群は、 N c h - M O S F E Tから構成されることを特徴とする。
1 0 . 請求項 1記載の電圧測定装置であって、 前記複数の電圧源が負電圧の場合には、前記第 1スィツチ群は、 N c h— MOS F E Tから構成され、前記第 2スィツチ群及び前記第 3スィッチ群は、 P c h -MOS F E Tから構成されることを特徴とする。
1 1. 請求項 1記載の電圧測定装置であって、
前記電圧出力端子間、及び/又は前記電圧出力端子とグランド間に電圧制 限素子を設けたことを特徴とする。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009103546A (ja) * 2007-10-23 2009-05-14 Honda Motor Co Ltd 電圧検出装置
US7550945B2 (en) 2004-10-06 2009-06-23 Sanken Electric Co., Ltd. Voltage measurement device
WO2012144373A1 (ja) 2011-04-21 2012-10-26 ルネサスエレクトロニクス株式会社 スイッチ回路、選択回路、及び電圧測定装置
US20130335095A1 (en) * 2011-03-31 2013-12-19 Renessas Electronics Corporation Voltage monitoring module and voltage monitoring system
JP2015112007A (ja) * 2011-05-31 2015-06-18 日立オートモティブシステムズ株式会社 電池システム監視装置

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100669434B1 (ko) * 2005-04-07 2007-01-15 삼성에스디아이 주식회사 이차 전지 모듈 제어방법
KR100717789B1 (ko) * 2005-07-29 2007-05-11 삼성에스디아이 주식회사 이차 전지 모듈의 전지 잔존용량 산출방법
KR100740097B1 (ko) * 2005-10-20 2007-07-16 삼성에스디아이 주식회사 배터리의 soc 추정 방법 및 이를 이용한 배터리 관리시스템
KR100739054B1 (ko) * 2005-10-20 2007-07-12 삼성에스디아이 주식회사 배터리 관리 시스템 및 배터리의 셀 전압 측정방법
US20070210805A1 (en) * 2006-03-08 2007-09-13 Yazaki Corporation Insulation detecting method and insulation detecting device
JP4597905B2 (ja) * 2006-05-01 2010-12-15 矢崎総業株式会社 電圧検出装置
US8288999B2 (en) * 2006-08-01 2012-10-16 Aeneas Energy Technology Co., Ltd. Charging circuit for balance charging serially connected batteries
KR100796668B1 (ko) * 2006-09-26 2008-01-22 삼성에스디아이 주식회사 배터리 관리 시스템 및 그의 구동 방법
KR100859688B1 (ko) * 2006-10-12 2008-09-23 삼성에스디아이 주식회사 배터리 관리 시스템 및 그의 구동 방법
KR100814884B1 (ko) * 2006-10-16 2008-03-20 삼성에스디아이 주식회사 배터리 관리 시스템 및 그 구동방법
KR100839381B1 (ko) * 2006-11-01 2008-06-20 삼성에스디아이 주식회사 배터리 관리 시스템 및 그 구동방법
KR100882913B1 (ko) * 2007-03-19 2009-02-10 삼성에스디아이 주식회사 배터리 팩
US20090171599A1 (en) * 2007-12-28 2009-07-02 Textron Inc. Battery Discharge Indicator For Golf Car
JP5169491B2 (ja) * 2008-05-28 2013-03-27 株式会社Gsユアサ 組電池監視装置及び組電池用配線の断線検出方法
JP4811446B2 (ja) * 2008-10-21 2011-11-09 トヨタ自動車株式会社 電源システムおよびそれを備えた車両、ならびに電源システムの制御方法
DE102009000674A1 (de) * 2009-02-06 2010-08-12 Robert Bosch Gmbh Traktionsbatterie mit erhöhter Verfügbarkeit
JP4691171B2 (ja) * 2009-03-11 2011-06-01 本田技研工業株式会社 充放電装置
JP5538054B2 (ja) * 2010-04-28 2014-07-02 矢崎総業株式会社 燃料電池の電圧検出装置
RU2496191C2 (ru) * 2011-02-28 2013-10-20 Виктор Иванович Косюк Устройство для измерения электрической емкости химических источников тока
US20150185291A1 (en) * 2011-03-31 2015-07-02 Elite Power Solutions Llc Switched capacitor battery unit monitoring system
JP5708625B2 (ja) * 2012-12-03 2015-04-30 トヨタ自動車株式会社 蓄電システム
JP2014137272A (ja) * 2013-01-16 2014-07-28 Denso Corp 電圧監視装置
US10589049B2 (en) * 2013-12-18 2020-03-17 Koninklijke Philips N.V. Fluid connector with exhaust valve
WO2015134569A1 (en) 2014-03-04 2015-09-11 Alsentis, Llc Simultaneous time domain differential sensing and electric field sensing
CN110837037B (zh) * 2019-11-13 2021-12-14 福建星云电子股份有限公司 一种锂电池组保护板二次过压检测电路
US11175350B2 (en) 2020-04-20 2021-11-16 Lear Corporation Leakage current monitoring system
JP2022066139A (ja) * 2020-10-16 2022-04-28 オーツー マイクロ, インコーポレーテッド バッテリセル電圧を検出するためのコントローラおよび方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61125700A (ja) * 1984-11-21 1986-06-13 三菱電機株式会社 計測入力装置
JPH0661813A (ja) * 1992-08-13 1994-03-04 Nissin Electric Co Ltd アナログ計測回路
JPH091617A (ja) * 1995-06-21 1997-01-07 Toyo Mach & Metal Co Ltd 成形機の温度測定装置
US6020717A (en) * 1994-11-08 2000-02-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Monitoring apparatus for a series assembly of battery modules
US6362627B1 (en) * 1998-03-06 2002-03-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Voltage measuring instrument with flying capacitor
US6437538B1 (en) * 1999-10-21 2002-08-20 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Battery voltage measurement apparatus

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3580123B2 (ja) * 1998-03-20 2004-10-20 富士通株式会社 バッテリ装置
TW472426B (en) * 1998-10-06 2002-01-11 Hitachi Ltd Battery apparatus and control system therefor
US6104164A (en) * 1998-10-20 2000-08-15 Denso Corporation Cell voltage detecting device for combination battery
JP2001289886A (ja) * 2000-04-03 2001-10-19 Sanyo Electric Co Ltd 電池電圧測定装置
JP4421070B2 (ja) * 2000-04-10 2010-02-24 パナソニック株式会社 積層電圧計測装置
US6407534B1 (en) * 2001-02-06 2002-06-18 Quallion Llc Detecting a microcurrent and a microcurrent detecting circuit
JP3791767B2 (ja) * 2001-03-27 2006-06-28 株式会社デンソー フライングキャパシタ式電圧検出回路

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61125700A (ja) * 1984-11-21 1986-06-13 三菱電機株式会社 計測入力装置
JPH0661813A (ja) * 1992-08-13 1994-03-04 Nissin Electric Co Ltd アナログ計測回路
US6020717A (en) * 1994-11-08 2000-02-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Monitoring apparatus for a series assembly of battery modules
JPH091617A (ja) * 1995-06-21 1997-01-07 Toyo Mach & Metal Co Ltd 成形機の温度測定装置
US6362627B1 (en) * 1998-03-06 2002-03-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Voltage measuring instrument with flying capacitor
US6437538B1 (en) * 1999-10-21 2002-08-20 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Battery voltage measurement apparatus

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1617229A4 *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7550945B2 (en) 2004-10-06 2009-06-23 Sanken Electric Co., Ltd. Voltage measurement device
JP2009103546A (ja) * 2007-10-23 2009-05-14 Honda Motor Co Ltd 電圧検出装置
JP4616875B2 (ja) * 2007-10-23 2011-01-19 本田技研工業株式会社 電圧検出装置
US20130335095A1 (en) * 2011-03-31 2013-12-19 Renessas Electronics Corporation Voltage monitoring module and voltage monitoring system
US9945910B2 (en) * 2011-03-31 2018-04-17 Renesas Electronics Corporation Voltage monitoring module and voltage monitoring system which compares voltages to determine leakage
US10895603B2 (en) 2011-03-31 2021-01-19 Renesas Electronics Corporation Voltage monitoring module and voltage monitoring system to detect a current leakage
WO2012144373A1 (ja) 2011-04-21 2012-10-26 ルネサスエレクトロニクス株式会社 スイッチ回路、選択回路、及び電圧測定装置
US9453886B2 (en) 2011-04-21 2016-09-27 Renesas Electronics Corporation Switch circuit, selection circuit, and voltage measurement device
JP2015112007A (ja) * 2011-05-31 2015-06-18 日立オートモティブシステムズ株式会社 電池システム監視装置

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