WO2004077562A1 - 電極層および誘電体層を含む積層体ユニット - Google Patents

電極層および誘電体層を含む積層体ユニット Download PDF

Info

Publication number
WO2004077562A1
WO2004077562A1 PCT/JP2004/001841 JP2004001841W WO2004077562A1 WO 2004077562 A1 WO2004077562 A1 WO 2004077562A1 JP 2004001841 W JP2004001841 W JP 2004001841W WO 2004077562 A1 WO2004077562 A1 WO 2004077562A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
bismuth
symbol
group
layered compound
dielectric layer
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/001841
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Yukio Sakashita
Original Assignee
Tdk Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tdk Corporation filed Critical Tdk Corporation
Priority to JP2005502846A priority Critical patent/JPWO2004077562A1/ja
Publication of WO2004077562A1 publication Critical patent/WO2004077562A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/33—Thin- or thick-film capacitors 
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/228—Terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/01—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate comprising only passive thin-film or thick-film elements formed on a common insulating substrate
    • H01L27/016—Thin-film circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors
    • H01L28/55—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material
    • H01L28/56—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material the dielectric comprising two or more layers, e.g. comprising buffer layers, seed layers, gradient layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors
    • H01L28/60—Electrodes
    • H01L28/65—Electrodes comprising a noble metal or a noble metal oxide, e.g. platinum (Pt), ruthenium (Ru), ruthenium dioxide (RuO2), iridium (Ir), iridium dioxide (IrO2)
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component

Definitions

  • Laminate unit including electrode layer and dielectric layer
  • the present invention relates to a laminate unit including an electrode layer and a dielectric layer, and more particularly, to a semiconductor unit together with other devices such as a field effect transistor (FET) and a PU (Central Processing Unit).
  • FET field effect transistor
  • PU Central Processing Unit
  • the present invention relates to a laminated unit including an electrode layer and a dielectric layer, which is capable of forming a small-sized, large-capacity thin-film capacitor having excellent dielectric characteristics suitable for being incorporated into a wafer.
  • FET field effect transistor
  • CPU Central Processing Unit
  • Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2001-150382 discloses that PZT, PLZT, (B a, S r) Tio 3 (BST), and T a are used as dielectric materials.
  • PZT, PLZT, (B a, S r) Tio 3 (BST), and T a are used as dielectric materials.
  • the dielectric thin film formed by these materials not only reduces the dielectric constant when the thickness is reduced, but also, for example, when an electric field of 100 kV / cm is applied, the capacitance becomes small.
  • these materials are used as a dielectric material of a thin film capacitor, it is difficult to obtain a small and large-capacity thin film capacitor.
  • the dielectric thin film formed by these materials has low surface smoothness, there is a problem that if the thickness is reduced, insulation failure or the like is likely to occur.
  • the properties of the bismuth layered compound as a ferroelectric substance are not preferable when the bismuth layered compound is used as a dielectric of a thin film capacitor, because it causes a change in the dielectric constant. It is preferable that the property is sufficiently exhibited.
  • the bismuth layer compound is oriented in the direction of the orientation axis that shows the property and quality as a ferroelectric substance of the bismuth layer compound and exhibits the property as a paraelectric substance, and the field effect transistor (FET) or CPU (Central Processing Unit) Along with other devices such as), there is a demand for the development of large-capacity thin-film capacitors with excellent dielectric properties suitable for incorporation into semiconductor wafers. Disclosure of the invention
  • the present invention relates to a field effect transistor (FET) or a CP.
  • FET field effect transistor
  • CP CP
  • U Central Processing Unit
  • the electrode layer and dielectric layer that can constitute a thin film capacitor with small size and excellent large-capacity dielectric properties suitable for being incorporated into semiconductor wafers
  • U Central Processing Unit
  • Such and other objects of the present invention are to provide a semiconductor device having a barrier layer, an electrode layer formed of a conductive material, and a puffer layer containing a bismuth layered compound oriented in the [001] direction.
  • a dielectric layer made of a dielectric material containing a bismuth layered compound formed by epitaxy growth and oriented in the [001] direction; and a bismuth layer formed in the buffer layer is formed in this order.
  • As the compound a bismuth layered compound excellent in orientation is selected.
  • the bismuth layered compound contained in the dielectric layer a bismuth layered compound excellent in characteristics as a capacitor material is selected, and the buffer layer and the dielectric are selected. This is achieved by a laminate unit in which an interface is formed between the layers.
  • the [001] orientation refers to the [001] orientation in cubic, tetragonal, monoclinic, and orthorhombic.
  • the material constituting the semiconductor wafer can be effectively prevented from dissolving into the electrode layer and invading the electrode layer.
  • the material constituting the electrode layer can be effectively prevented from diffusing into the semiconductor wafer and corroding the semiconductor wafer.
  • the capacitor characteristics are improved on the buffer layer.
  • a dielectric layer made of a dielectric material containing a bismuth layered compound oriented in an azimuth can be formed.
  • the present invention it becomes possible to orient the c-axis of the bismuth layer compound having excellent capacitor characteristics contained in the dielectric layer perpendicularly to the electrode layer.
  • the upper electrode When a voltage is applied between the electrode layer and the upper electrode, the direction of the electric field is almost the same as the c-axis of the bismuth layered compound contained in the dielectric layer, so the bismuth layer contained in the dielectric layer.
  • the properties of the compound as a ferroelectric can be suppressed, and the properties as a paraelectric can be fully exhibited. Therefore, a small-sized, large-capacity thin-film capacitor, together with other devices, can be used as a semiconductor device. It becomes possible to incorporate into.
  • the dielectric layer made of a dielectric material containing a bismuth layered compound with improved c-axis orientation has high insulating properties, the dielectric layer can be made thinner. According to this, it is possible to further reduce the size of the thin film capacitor, and it is possible to further reduce the size of the semiconductor device in which the thin film capacitor is incorporated.
  • an upper electrode is formed on a dielectric layer and another semiconductor device such as a CPU (Central Processing Unit) is mounted on the manufactured thin film capacitor
  • another semiconductor device such as a CPU (Central Processing Unit)
  • the thermal expansion of the thin film capacitor matches the coefficient of thermal expansion of the other semiconductor devices mounted on it, and the difference in the coefficient of thermal expansion between the mounted devices effectively breaks the junction between the two devices. Can be prevented.
  • the dielectric material containing the bismuth layer compound may contain unavoidable impurities.
  • the bismuth layer compound contained in the buffer layer has a different composition from the bismuth layer compound 1S contained in the dielectric layer, whereby the buffer layer and the dielectric layer have different compositions.
  • An interface is formed between the layers.
  • the buffer layer and the dielectric layer are formed by different thin film forming methods, whereby an interface is provided between the buffer layer and the dielectric layer. Are formed.
  • the bismuth layer compound contained in the buffer layer may have the same composition.
  • the material for forming a semiconductor wafer is not particularly limited as long as it is a material used for manufacturing a semiconductor device incorporating various devices.
  • a silicon single crystal Gallium arsenide crystal or the like can be used.
  • the laminate unit includes a paria layer on a semiconductor wafer.
  • the barrier layer has a function of preventing the material forming the semiconductor wafer from dissolving into the electrode layer formed on the barrier layer and invading the electrode layer.
  • the material for forming the barrier layer is not particularly limited as long as it can prevent the electrode layer from being affected by the semiconductor layer.
  • silicon oxide is preferably used to form a parier layer from the viewpoint of cost
  • gallium arsenide crystal is used as a semiconductor wafer, from the viewpoint of stability, in order to form the barrier layer, aluminum oxide (a 1 2 0 3) and magnesium oxide (M g O) is preferably used.
  • the barrier layer is formed so as to have a thickness greater than that of a metal layer formed thereon without being affected by the semiconductor wafer.
  • the laminate unit includes an electrode layer formed of a conductive material on the barrier layer.
  • the material for forming the electrode layer is not particularly limited, and platinum (Pt), ruthenium (Ru), rhodium (Rh), palladium (Pd), iridium (Ir ), gold (Au), silver (Ag), copper (C u), and alloys composed mainly metals and these such as nickel (N i), N d O , Nb O, R H_ ⁇ 2, O s 0 2, I R_ ⁇ 2, R u O 2, S r Mo O 3, S r R uO 3, C a R u 0 3, S r VO 3, S r C r O 3, S r C o O 3, L a N i ⁇ 3, N b doped S r T i O 3 conductive oxide, goods Contact Yopi mixtures thereof, such as news, superconducting, such as B i 2 S r 2 C u O 6 A superconductor having a conductive bismuth layer structure can be used.
  • the electrode layer is formed by a vacuum deposition method, a sputtering method, a pulse laser deposition method (pLD), a metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) method, an organic metal decomposition method.
  • metal-organic decomposition MO D
  • the laminate unit includes a buffer layer containing a bismuth layered compound oriented in the [001] direction, that is, in the c-axis direction, on the electrode layer.
  • the buffer layer is formed by epitaxially growing a dielectric material containing a bismuth layer compound having excellent capacitor characteristics, and forming a bismuth layer compound oriented in the [00 1] direction, that is, in the c-axis direction. It has a function of ensuring that a dielectric layer made of a dielectric material can be formed.
  • the bismuth layered compound forming the buffer layer a bismuth layered compound excellent in orientation different from the bismuth layered compound forming the dielectric layer is selected.
  • T a antimony
  • S b antimony
  • Mn manganese
  • V vanadium
  • Mo molybdenum
  • W tungsten
  • a bismuth layer compound each ⁇ 5 0 3 consists of la ( ⁇ - 1) were continuous the number of Bae Robusukai bets grating Layered base Robusukai coat layer 1, (B i 2 0 2 ) 2 + layer 2 and has a layered structure laminated alternately.
  • Layered Bae Robusukai coat layer 1 (B i 2 0 2) number of laminated 2+ layer 2 is not intended to be particularly limited, with a pair of (B i 2 0 2) 2+ layer 2 less, these It is sufficient to have one layered perovskite layer 1 sandwiched.
  • the c-axis of the bismuth layer compound a pair of (B i 2 0 2) 2+ layer 2 direction connecting to each other, ie, a [0 0 1] direction.
  • the chemistry of m 3 stoichiometric composition formula: (B i 2 0 2) 2+ (a 2 3 O 1 0) 2
  • B i 2 4 2 3 0 E 2 forms a buffer layer Therefore, it is preferably used.
  • the degree of orientation of the [001] orientation of the bismuth layered compound contained in the buffer layer that is, the degree of c-axis orientation is not necessarily 100%, and the degree of c-axis orientation is not necessarily 100%. What is necessary is just 80% or more.
  • the degree of c-axis orientation is preferably 90%. It is more preferable that the degree of axial orientation is 95% or more.
  • the degree of c-axis orientation of the bismuth layered compound is defined by the following equation (1).
  • P is the c-axis orientation ratio of a completely random bismuth layered compound, That is, the reflection intensity of the bismuth layered compound having a completely random orientation from the (0 2) plane / The total of (0 1) ⁇ / (0 0 i) and each of the bismuth layered compounds Reflection intensity from crystal plane ⁇ hk 1) /. , Hk 1, the ratio of ⁇ I 0 hk 1, and ( ⁇ /. (0 0) Z ⁇ /.
  • Is a known constant
  • the buffer layer is formed by vacuum deposition, sputtering, pulsed laser deposition (PLD), metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD), and metal-organic decomposition (MOCVD).
  • PLD pulsed laser deposition
  • MOCVD metal-organic chemical vapor deposition
  • MOCVD metal-organic decomposition
  • MOD ⁇ Zonole * It can be formed by various thin film formation methods such as liquid phase method (CSD method) such as Genole method, etc.
  • CSD method liquid phase method
  • the buffer layer needs to be formed at low temperature, Plasma CVD, optical CVD, laser CVD, optical CSD, laser, preferably using the SD method.
  • the laminate unit is formed on the buffer layer by epitaxial growth, and is made of a dielectric material containing a bismuth layered compound oriented in the [001] direction, that is, the c-axis direction. It has a body layer.
  • the dielectric layer is formed by epitaxially growing a dielectric material containing a bismuth layered compound on the buffer layer.
  • the dielectric layer is formed by epitaxially growing a dielectric material containing a bismuth layered compound on a buffer layer oriented in the [001] direction, that is, in the c-axis direction.
  • the bismuth layered compound contained in the layer is surely oriented in the [01] direction, that is, in the c-axis direction. Therefore, when a thin film capacitor is formed using the multilayer unit according to the present invention, the bismuth layer compound contained in the dielectric layer functions not as a ferroelectric but as a paraelectric. Therefore, it is possible to produce a small-sized, large-capacity thin-film capacitor having excellent dielectric properties by using the laminate unit according to the present invention.
  • the degree of orientation of the [001] orientation of the bismuth layered compound contained in the dielectric layer that is, the c-axis orientation is not necessarily 100%, and the c-axis orientation is not necessarily 100%. Should be 80% or more.
  • the c-axis orientation is preferably 90%, and more preferably 95% or more.
  • the degree of c-axis orientation of the bismuth layered compound is defined by equation (1).
  • the thickness of the dielectric layer is set to, for example, 100 nm or less.
  • a thin film capacitor having a relatively high dielectric constant and a low loss (tan ⁇ ) can be obtained, and has excellent leakage characteristics, improved withstand voltage, excellent dielectric constant temperature characteristics, and excellent surface smoothness. Can be obtained.
  • the bismuth layered compound for forming the dielectric layer is excellent in characteristics as a capacitor material among the above-mentioned bismuth layered compounds, and is different from the bismuth layered compound contained in the buffer layer A bismuth layer compound is selected.
  • the bismuth layered compound contained in the dielectric layer the stoichiometric compositional formula: C a X S r (1 - x) is represented by B i 4 T i 4 ⁇ 15 [delta] Composition have. Where 0 x ⁇ l.
  • a bismuth layered compound having such a composition is used, a dielectric layer having a relatively large dielectric constant can be obtained, and its temperature characteristics are further improved.
  • a part of the element represented by the symbol _ ⁇ or ⁇ represents scandium (S c;), yttrium (Y), lanthanum ( L a), cerium (C e :), praseodymium (P r), neodymium (N d), promethium (Pm), samarium (Sm), europium pium (E u), gadolinium (G d), terbi Group consisting of zinc (Tb), dysprosium (Dy), holmium (Ho), erbium (Er), thulium (Tm), ytterbium (Yb) and lutetium (Lu) It is preferably substituted by at least one element selected from the group consisting of? E (yttrium (Y) or a rare earth element).
  • the Curie temperature of the dielectric layer (the phase transition temperature from ferroelectric to paraelectric) is preferably at least 100 ° C. The temperature can be kept at not more than 500 ° C, more preferably, not less than 150 ° C and not more than 50 ° C. When the Curie point is between 100 ° C.
  • the dielectric constant of the dielectric layer is improved.
  • Curie temperature can be measured by DSC (differential scanning calorimetry) or the like. When the Curie point becomes lower than room temperature (25 ° C), ta ⁇ ⁇ further decreases, and as a result, the loss Q value further increases.
  • the dielectric layer of the laminate unit according to the present invention has excellent leakage characteristics, some of the elements represented by the symbol ⁇ or ⁇ in the stoichiometric composition formula of the bismuth layered compound However, when the element is replaced by an element, the leak characteristics of the dielectric layer can be further improved, which is preferable.
  • the dielectric unit of the laminate unit according to the present invention may be used. body layer, the leakage current when measured at electric field.
  • the short-circuit rate can be preferably 10% or less, more preferably 5% or less, but the stoichiometric composition of the bismuth layered compound in the stoichiometric composition formula some symbols _ ⁇ or ⁇ represented by element, by the element, when it is substituted, the leakage current when measured under the same conditions, preferably, 5 X 1 0- 8 AZ cm 2 or less, more preferably, it can be 1 X 1 0- 8 a / " cm 2 or less, the short rate , Preferably 5% or less, more preferably, it may be 3% or less.
  • the dielectric layer vacuum deposition, sputtering, pulse laser deposition (PLD), metal organic chemical vapor deposition (metal- organic chemical vapor deposition: MOCV ) N 3 ⁇ 4 machine metal content angles early method (metal-organic decomposition: MOD) ⁇
  • PLD pulse laser deposition
  • MOCV metal organic chemical vapor deposition
  • MOCV metal organic chemical vapor deposition
  • MOCV metal organic chemical vapor deposition
  • MOCV metal organic chemical vapor deposition
  • MOCV metal organic chemical vapor deposition
  • MOCV metal organic chemical vapor deposition
  • MOCV metal organic chemical vapor deposition
  • MOCV metal organic chemical vapor deposition
  • MOD machine metal content angles early method
  • ⁇ metal-organic decomposition: MOD
  • It can be formed using various thin film forming methods such as liquid phase method (CSD method) such as Zonore-Genole method.
  • CSD method liquid phase method
  • the laminate unit including the electrode layer and the dielectric layer according to the present invention can be used not only as a component of a thin film capacitor, but also to emit an inorganic EL element. Can also be used as a laminate unit for the purpose. That is, inorganic
  • an insulating layer is required between the electrode layer and the inorganic EL element, but a dielectric layer made of a dielectric material containing a bismuth layered compound having improved c-axis orientation is provided. Has a high insulating property, so that the inorganic EL element is disposed on the dielectric layer, another electrode is disposed on the inorganic EL element, and the electrode layer and another electrode are By applying a voltage during the period, the inorganic EL element can emit light as desired.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing the structure of a bismuth layered compound.
  • FIG. 2 is a schematic partial cross-sectional view of a laminated unit according to a preferred embodiment of the present invention. DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS OF THE INVENTION
  • FIG. 2 is a schematic partial cross-sectional view of a laminate unit according to a preferred embodiment of the present invention.
  • the laminate unit 1 includes a support substrate 2 on which a barrier layer 3, an electrode layer 4, a buffer layer 5, and a dielectric layer 6 are laminated in this order. It is formed.
  • the end substrate 2 of the multilayer unit 1 is formed of silicon single crystal.
  • the laminate unit 1 includes a parier layer 3 formed of silicon oxide on a support substrate 2.
  • the barrier layer 3 made of silicon oxide is formed by, for example, thermal oxidation of silicon.
  • an electrode layer 4 is formed on the barrier layer 3, and in this embodiment, the electrode layer 4 is formed of platinum oriented in the [111] direction. Have been.
  • the electrode layer 4 made of platinum When the electrode layer 4 made of platinum is directly formed on the support substrate 2 formed of a silicon single crystal, silicon dissolves in platinum, invades the electrode layer 4, and causes the laminate according to the present embodiment.
  • the electrode layer 4 is formed of the barrier layer 3 made of silicon oxide.
  • the laminated unit 1 according to the present embodiment is used as a component of a thin-film capacitor.
  • the electrode layer 4 made of platinum is used as a sputtering gas, for example.
  • the sputtering method was used to obtain the buffer layer. 4 is formed to a thickness of 100 nm.
  • platinum Since platinum has a cubic structure, when the electrode layer 4 made of platinum is formed on the parier layer 3 made of silicon oxide, the platinum is oriented in the most stable [111] direction. .
  • a buffer layer 5 made of a dielectric material is included.
  • the buffer layer 5 made of a dielectric material containing a bismuth layered compound having the composition represented by B i 4 T i 3.0 2 is formed, for example, by a metal-organic vapor-phase growth (metal-organic) chemical vapor deposition (MOCVD).
  • MOCVD metal-organic vapor-phase growth
  • the buffer layer 5 made of a dielectric material containing a bismuth layered compound having a composition represented by B i 4 T i 3 0 12 is formed by using a metalorganic chemical vapor deposition method, for example, , B i (CH.) 3 and ⁇ ⁇ Using T i (O—i—C 3 H 7 ) 4 , maintaining the temperature of the parier layer 3 formed by silicon oxide at 550 ° C., having a thickness of 10 nm,
  • the buffer layer 5 oriented in the azimuth, that is, in the c-axis direction is formed.
  • the buffer layer 5 is formed by epitaxially growing a dielectric material containing a bismuth layer compound on the buffer layer 5, and is surely oriented in the [001] direction, that is, in the c-axis direction. It has a function of ensuring that a dielectric layer 6 made of a dielectric material containing the obtained bismuth layered compound can be formed.
  • the laminated unit 1 includes a dielectric layer 6 formed on a buffer layer 5.
  • the dielectric layer 6 is formed by a dielectric material containing a bismuth layer compound having excellent capacitor characteristic having a composition represented by S r B i 4 T i 5 .
  • the dielectric layer 6 is formed on the buffer layer 5 by metal-organic decomposition (MOD).
  • MOD metal-organic decomposition
  • a toluene solution of 2-ethylhexanoic acid Sr, a 2-ethylhexanoic acid solution of 2-ethylhexanoic acid Bi, and a toluene solution of 2-ethylhexanoic acid Ti are mixed. 1 mol of 2-ethylhexanoic acid Sr, 4 mol of 2-ethylhexanoic acid Bi force S, and 4 mol of 2-ethylinohexanoic acid Ti were mixed in a stoichiometric ratio, and toluene was mixed.
  • the obtained raw material solution is applied onto the buffer layer 5 by spin coating, dried, and calcined under a temperature condition that does not crystallize the obtained dielectric layer 6.
  • the same raw material solution is applied onto the pre-fired dielectric layer 6 by spin coating, dried, pre-fired, and this operation is repeated.
  • the dielectric layer 6 is fully fired until a dielectric layer 6 having a required thickness, for example, a dielectric layer 6 having a thickness of 100 nm is obtained.
  • a series of operations consisting of coating, drying, pre-baking, coating, drying, pre-baking and final firing are repeated.
  • the dielectric material containing the bismuth layer compound grows epitaxially, and the dielectric layer 6 oriented in the [001] direction, that is, the c-axis direction is formed.
  • the multilayer unit 1 has a structure in which a paria layer 3, an electrode layer 4, a buffer layer 5, and a dielectric layer 6 are stacked on a support substrate 2 made of a silicon single crystal.
  • a paria layer 3, an electrode layer 4, a buffer layer 5, and a dielectric layer 6 are stacked on a support substrate 2 made of a silicon single crystal.
  • a thin film capacitor can be formed on the support substrate 2 made of silicon single crystal, together with other devices such as a field-effect transistor and a CPU. It is possible to fabricate a semiconductor device by easily incorporating.
  • the barrier layer 3 is formed by silicon oxide on the support substrate 2 formed of silicon single crystal, silicon dissolves in the electrode layer 4 and Therefore, it is possible to reliably prevent the layers from being corroded, and thus, when the thin film capacitor is manufactured by using the multilayer unit 1 according to the present embodiment as a component, it is ensured that the thin film capacitor will malfunction. Can be prevented.
  • the bismuth layer compound is the [0 0 1] direction position, i.e., formed so as to be oriented in the c-axis direction, on the buffer layer 5, represented by S r B i 4 T i 4 O i 5 Since the dielectric layer 6 is formed by epitaxially growing a dielectric material containing a bismuth layered compound having excellent compositional properties and forming the dielectric layer 6, the bismuth layered compound contained in the dielectric layer 6 can be reliably removed. , [001] direction, that is, c-axis direction.
  • the laminate unit 1 includes the dielectric layer 6 formed of the dielectric material including the bismuth layered compound oriented in the [001] direction, that is, the c-axis direction. Even if you have For example, when the upper electrode is provided on the dielectric layer 6 of the multilayer unit 1 according to the present embodiment to produce a thin film capacitor, and a voltage is applied between the electrode layer 5 and the upper electrode, The direction of the electric field almost coincides with the c-axis of the bismuth layered compound contained in the dielectric layer 6, thus suppressing the ferroelectric properties of the bismuth layered compound contained in the dielectric layer 6.
  • a semiconductor device can be manufactured by incorporating the semiconductor device into the support substrate 2 made of a single crystal.
  • the laminate unit 1 has the dielectric layer 6 formed of a dielectric material containing a bismuth layered compound oriented in the [001] direction, that is, the C-axis direction.
  • the dielectric layer 6 containing the bismuth layered compound with improved c-axis orientation has high insulation properties, the dielectric layer 6 can be made thinner, and therefore, the thin film capacitor can be made more compact. It is possible to further reduce the size, and it is possible to further reduce the size of the semiconductor device in which the thin film capacitor is incorporated.
  • the buffer layer 5 having a thickness of 10 nm is formed by epitaxially growing a bismuth layered compound having excellent capacitor characteristics on the buffer layer 5 in the [011] direction.
  • a dielectric layer 6 containing a bismuth layered compound which is surely oriented in the c-axis direction it is formed by metal-oreanic chemical vapor deposition (MOCVD).
  • MOCVD metal-oreanic chemical vapor deposition
  • the dielectric layer 6 which is thicker than the buffer layer 5 does not require any layers to be epitaxially grown on it, and the metallization method (metal -Organic decomposition (MOD) is formed so that the manufacturing cost of the laminated unit 1 can be reduced.
  • MOCVD metal-oreanic chemical vapor deposition
  • the laminate unit 1 is formed by laminating the barrier layer 3, the electrode layer 4, the buffer layer 5, and the dielectric layer 6 in this order on the support substrate 2.
  • the laminate unit 1 is further formed by laminating a plurality of unit laminates each including the electrode layer 4, the buffer layer 5, and the dielectric layer 6 on the dielectric layer 6.
  • the thin film capacitor may be formed by forming an upper electrode on the dielectric layer 6 of the uppermost unit laminate.
  • the electrode layer included in the unit laminate is formed on the dielectric layer. 6, the crystal of the conductive material is epitaxially grown and, when formed, the electrode layer can be oriented in the [001] direction.
  • the bismuth layered compound is formed on the electrode layer. It is possible to form a dielectric layer 6 made of a dielectric material containing a bismuth layered compound oriented in the [001] direction by epitaxially growing the dielectric material containing It is not necessary for the laminate to include the buffer layer 5, and a unit laminate can be formed by the electrode layer and the dielectric layer 6. Further, one or more unit laminates composed of the electrode layer and the dielectric layer 6 and a dielectric material including the electrode layer, the buffer layer 5 formed on the electrode layer, and a bismuth layered compound, One or more unit laminates composed of the dielectric layer 6 formed on the buffer layer 5 are laminated on the dielectric layer 6 in any order, and the dielectric of the uppermost unit laminate is laminated. A thin film capacitor may be formed by forming an upper electrode on the body layer 6.
  • the support substrate 2 of the laminate unit 1 is formed of silicon single crystal, but it is not always necessary to use the support substrate 2 formed of silicon single crystal.
  • the material for forming the semiconductor is not particularly limited as long as it is a material used for fabricating a semiconductor device incorporating various devices.For example, gallium arsenide may be used instead of silicon single crystal.
  • the support substrate 2 can also be formed by a crystal or the like.
  • the barrier layer 3 is formed on the support substrate 2 by silicon oxide.
  • the barrier layer 3 formed on the support substrate 2 is not necessarily formed by silicon oxide.
  • the barrier layer 3 may be formed of any material that is not necessary and is capable of preventing the electrode layer 4 formed thereon from being affected by the support substrate 2.
  • an aluminum oxide (A 1 2 0 3) and magnesium oxide (Mg o) is preferably Used as the support substrate 2.
  • the laminate unit 1 is provided with the electrode layer 4 made of platinum formed on the barrier layer 3.
  • the material for forming the electrode layer 4 is not particularly limited, as long as it is a material having conductivity, and is not particularly limited. Instead of platinum (Pt), ruthenium, (Ru), rhodium (Rh ), Palladium (Pd), Iridium (Ir), Gold (Au), Silver (Ag), Copper (Cu), Nickel (Ni) etc.
  • N d O, Nb O, O s 0 2 have R hO, I r 0 2, R u 0 2, S rMo O 3, S r R u O 3, C a Ru 0 3, S r VO 3, S r C R_ ⁇ 3, S r C o O 3 , L a N i 0 3, Nb -doped S r T i 0 3 conductive oxide Oyo Pibi mixtures thereof, such as news, B i 2 S r 2 Yes superconducting bismuth layer structure such as C u 0 6 That by using a superconductor, it can also form child the electrode layer 4.
  • the electrode layer 4 is formed by a sputtering method, but it is not always necessary to form the electrode layer 4 by a sputtering method, and instead of the sputtering method, a vacuum evaporation method, Liquid phase such as pulsed laser deposition (PLD), metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD), metal-organic decomposition (MOD), sol-genole method, etc.
  • the electrode layer 4 is formed by other thin film formation methods such as the CSD method. Can also be formed.
  • Buffer layer 5 formed of a dielectric material containing a bismuth layered compound excellent in the following.
  • the buffer layer 5 can be formed of a material, and further, the buffer layer 5 can be formed of a dielectric material containing another bismuth layered compound having a different constituent element.
  • the buffer layer 5 is formed by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) or metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). It is not always necessary to form by the growth method. Vacuum evaporation method, sputtering method, pulsed laser evaporation method (PLD), metal-organic decomposition (MOD) ⁇ The buffer layer 5 can be formed by using another thin film forming method such as a liquid phase method (CSD method).
  • a liquid phase method CSS method
  • the dielectric layer 6 can also be formed by a dielectric material containing a compound, and further induced by a dielectric material containing another bismuth layered compound having a different constituent element.
  • the conductor layer 6 can also be formed.
  • the dielectric layer 6 of the laminate unit 1 is formed by a metal-organic decomposition method (MOD). It is not always necessary to form it, but vacuum deposition, sputtering, pulsed laser deposition (PLD), metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD), Zonore Gnolet
  • MOD metal-organic decomposition method
  • PLD pulsed laser deposition
  • MOCVD metal-organic chemical vapor deposition
  • Zonore Gnolet Zonore Gnolet
  • the dielectric layer 6 can be formed by another thin film forming method such as another liquid phase method (CSD method). .
  • the laminate unit 1, on the electrode layer 4, the stoichiometric formula, orientation having a composition that is I Table by .LAMBDA.2 3 of B i 4 T i 3 O 1 2
  • Buffer layer 5 formed of a dielectric material containing a bismuth layered compound excellent in stiffness
  • SrB i 4 T i 4 O ⁇ 5 with ffl 4 in the stoichiometric composition formula
  • a dielectric layer 6 formed of a dielectric material containing a bismuth layered compound having a thread composition, wherein the buffer layer 5 and the dielectric layer 6 contain a bismuth layered compound having a different composition. If the buffer layer 5 and the dielectric layer 6 are formed by different thin film forming methods and an interface is formed between the buffer layer 5 and the dielectric layer 6, the buffer layer 5 and dielectric layer 6 have the same composition Bismuth layer-like compound that may contain.
  • the multilayer unit 1 is used as a component of the thin film capacitor.
  • the multilayer unit 1 is not only a component of the thin film capacitor but also has a high brightness of the inorganic EL element. It can also be used as a laminate unit for emitting light.
  • a highly insulating insulating layer is required between the electrode layer 4 and the inorganic EL element, but the c-axis orientation is improved.
  • the dielectric layer 6 made of a dielectric material containing the bismuth layered compound has a high insulating property.
  • the inorganic EL element is disposed on the dielectric layer 6 and the inorganic EL element is separately placed on the inorganic EL element. Place the electrodes of By applying a voltage between the electrode layer 4 and another electrode, the inorganic EL element can emit light as desired.
  • ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it is small and suitable for incorporation into a semiconductor wafer with other devices, such as a field effect transistor (FET) and CPU (Central Processing Unit), and has excellent large-capacity dielectric characteristics. It is possible to provide a laminate unit including an electrode layer and a dielectric layer that can constitute a thin film capacitor.
  • FET field effect transistor
  • CPU Central Processing Unit

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

明細書 電極層および誘電体層を含む積層体ユニット 技術分野
本発明は、 電極層および誘電体層を含む積層体ュニットに関するも のであり、 さらに詳細には、 電界効果型トランジスタ （F ET) やじ PU (Central Processing Unit) などの他のデバイスとともに、 半導 体ウェハに組み込むのに適した小型で、 かつ、 大容量の誘電特性に優 れた薄膜コンデンサを構成することができる電極層および誘電体層を 含む積層体ュニットに関するものである。 従来の技術
電界効果型トランジスタ （F ET) や C PU (Central Processing Unit) などの他のデバイスとともに、 コンデンサを、 半導体ウェハに 組み込んで、 形成された半導体デバイスが知られている。
このような半導体デバイスにあっては、 コンデンサを、 他のデパイ スとともに、 半導体プロセスを用いて、 形成することが、 工程上、 有 利であるため、 従来は、 半導体プロセスによって形成することができ るシリコン系材料などよりなるコンデンサが、 半導体デバイスに形成 されていこ。
しかしながら、 半導体プロセスによって形成することができるシリ コン系材料などは、 誘電率が低いため、 容量の大きいコンデンサを形 成しようとすると、 その面積が必然的に大きくなり、 半導体デバイス が大型化するという問題があった。
かかる問題を解決するために、 小型で、 容量の大きい薄膜コンデン サを半導体ウェハに組み込んで、 半導体デバイスを作製することが考 えられる。
日本国公開特許公報第 2 0 0 1 - 1 5 3 8 2号は、 誘電体の材料と して、 P Z T、 P L Z T、 (B a , S r ) T i O 3 (B S T)、 T a。0 5などを用いた小型で、 容量の大きい薄膜コンデンサを開示している。 しかしながら、 これらの材料によって、 形成された誘電体薄膜は、 その厚みが薄くなると、 誘電率が低下するだけでなく、 たとえば、 1 0 0 k V/ c mの電界を加えた場合に、 静電容量が大きく低下すると いう問題があり、 これらの材料を、 薄膜コンデンサの誘電体材料とし て、 用いた場合には、 小型で、 かつ、 大容量の薄膜コンデンサを得る ことは困難である。 さらに、 これらの材料によって、 形成された誘電 体薄膜は、 表面平滑性が低いため、 その厚みを薄くすると、 絶縁不良 などが生じやすくなるという問題もある。
このような問題を解決するためには、 薄膜コンデンサの誘電体とし て、 ビスマス層状化合物を用いることが考えられる。 ビスマス層状化 合物については、 竹中正著 「ビスマス層状構造強誘電体セラミ ックス の粒子配向とその圧電'焦電材料への応用」、京都大学工学博士論文（ 1 9 8 4 ) の第 3章の第 2 3〜 3 6頁に記載されている。 . ビスマス層状化合物は結晶構造に異方性を有しており、 基本的に、 強誘電体としての性質を示すが、 ある配向軸方向については、 強誘電 体としての性質が小さく、 常誘電体としての性質を示すことが知られ ている。
ビスマス層状化合物が持つ強誘電体としての性質は、 ビスマス層状 化合物を、 薄膜コンデンサの誘電体として利用する場合には、 誘電率 の変動をもたらすため、 好ましくなく、 ビスマス層状化合物の常誘電 体としての性質が十分に発揮されることが好ましい。
よって、 ビスマス層状化合物の強誘電体としての性,質が小さく、 常 誘電体としての性質を示す配向軸方向に、 ビスマス層状化合物が配向 され、電界効果型トランジスタ（F E T )や C P U (Central Processing Unit) などの他のデバイスとともに、 半導体ウェハに組み込むのに適 した大容量の誘電特性に優れた薄膜コンデンサの開発が望まれている。 発明の開示
したがって、 本発明は、 電界効果型トランジスタ （F E T ) や C P U ( Central Processing Unit) などの他のデバイスとともに、 半導体 ウェハに組み込むのに適した小型で、 かつ、 大容量の誘電特性に優れ - た薄膜コンデンサを構成することができる電極層および誘電体層を含 む積層体ュニッ トを提供することを目的とするものである。
本発明のかかる目的およびその他の目的は、 半導体ウェハ上に、 バ リア層と、導電性材料によって形成された電極層と、 [ 0 0 1 ]方位に 配向されたビスマス層状化合物を含むパッファ層と、 ェピタキシャル 成長によって形成され、 [ 0 0 1 ]方位に配向されたビスマス層状化合 物を含む誘電体材料よりなる誘電体層とが、 この順に、 形成され、 前 記バッファ層に含まれるビスマス層状化合物として、 配向性に優れた ビスマス層状化合物が選択され、 前記誘電体層に含まれるビスマス層 状化合物として、 コンデンサ材料としての特性に優れたビスマス層状 化合物が選択され、 前記バッファ層と前記誘電体層との間に、 界面が 形成された積層体ュニットによって達成される。
ここに、 [ 0 0 1 ] 方位とは、 立方晶、 正方晶、 単斜晶およぴ斜方晶 における [ 0 0 1 ] 方位のことをいう。
本発明によれば、 半導体ウェハ上に、 パリア層が形成されているか ら、 半導体ゥヱハを構成する材料が、 電極層内に溶け込み、 電極層を 侵すことを効果的に防止することができ、 同時に、 電極層を構成する 材料が、 半導体ウェハ内に拡散し、 半導体ウェハを侵すことを効果的 に防止することができる。
また、 本発明によれば、 電極層上に、 配向性に優れ、 [ 0 0 1 ] 方位 に配向されたビスマス層状化合物を含むパッファ層が形成されている から、 バッファ層上で、 コンデンサ特性に優れたビスマス層状化合物 を含む誘電体材料をェピタキシャル成長させて、所望のように、 [ 0 0
1 ] 方位に配向されたビスマス層状化合物を含む誘電体材料よりなる 誘電体層を形成することができる。
したがって、 本発明によれば、 誘電体層に含まれるコンデンサ特性 に優れたビスマス層状化合物の c軸を、 電極層に対して、 垂直に配向 させることが可能になるから、 たとえば、 誘電体層上に、 上部電極を 設け、 電極層と上部電極との間に電圧を印加'した場合に、 電界の方向 力 誘電体層に含まれるビスマス層状化合物の c軸とほぼ一致するた め、 誘電体層に含まれるビスマス層状化合物の強誘電体としての性質 を抑制して、 常誘電体としての性質を十分に発揮させることができ、 したがって、 小型で、 かつ、 大容量の薄膜コンデンサを、 他のデパイ スとともに、 半導体ゥヱハに組み込むことが可能になる。
さらに、 c軸配向性が向上されたビスマス層状化合物を含む誘電体 材料よりなる誘電体層は高い絶縁性を有しているから、 誘電体層を薄 膜化することができ、 したがって、 本発明によれば、 薄膜コンデンサ を、 より一層小型化することが可能になり、 薄膜コンデンサが組み込 まれた半導体デバイスを、 より一層小型化することが可能になる。 また、 本発明によれば、 誘電体層上に、 上部電極を形成して、 作製 された薄膜コンデンサ上に、 C P U ( Central Processing Unit) など の他の半導体デバイスを実装する場合に、 他の半導体デバイスは、 半 導体ウェハ上に形成されているのが一般であるから、 他の半導体デバ イスの半導体ウェハが、 積層体ュニットの半導体ウェハと同じ材料を 形成されていれば、 薄膜コンデンサの熱膨張率と、 その上に実装され た他の半導体デバイスの熱膨張率とが合致し、 実装されたデパイス間 の熱膨張率の相違に起因して、 両デバイスの接合部が破損されること を効果的に防止することが可能になる。
本発明において、 ビスマス層状化合物を含む誘電体材料は、 不可避 的な不純物を含んでいてもよい。
本発明の好ましい実施態様においては、 前記バッファ層に含まれる ビスマス層状化合物と、 前記誘電体層に含まれるビスマス層状化合物 1S 異なる組成を有しており、 それによつて、 前記バッファ層と前記 誘電体層との間に、 界面が形成されている。
本発明の別の好ましい実施態様においては、 前記バッファ層と前記 誘電体層とが、 異なる薄膜形成法によって形成されており、 それによ つて、 前記バッファ層と前記誘電体層との間に、 界面が形成されてい る。 この場合には、前記バッファ層に含まれるビスマス層状化合物と、 前記誘電体層に含まれるビスマス層状化合物とが、 同じ組成を有して いてもよい。
本発明において、半導体ウェハを形成するための材料としては、種々 のデバイスを組み込んだ半導体デバイスを作製するのに用いられる材 料であれば、 とくに限定されるものではなく、 たとえば、 シリ コン単 結晶、 砒化ガリゥム結晶などを用いることができる。
本発明において、 積層体ユニットは、 半導体ウェハ上に、 パリア層 を備えている。 バリア層は、 バリア層上に形成される電極層に、 半導 体ウェハを形成している材料が溶け込み、 電極層を侵すことを防止す る機能を有している。
本発明において、 パリア層を形成するための材料は、 電極層が、 半 導体ゥヱハの影響を受けることを防止することができる材料であれば、 とくに限定されるものではない。 半導体ウェハとして、 シリ コン単結 晶が用いられる場合には、 コスト面力 ら、パリァ層を形成するために、 酸化シリコンが好ましく用いられ、 半導体ゥヱハとして、 砒化ガリウ ム結晶が用いられる場合には、 安定性の観点から、 バリア層を形成す るために、 酸化アルミニウム （A 1 203) や、 酸化マグネシウム （M g O) が好ましく用いられる。
バリア層は、 その上に形成された金属層が、 半導体ウェハの影響を 受けない程度の厚さ以上に形成される。
本発明において、 積層体ユニットは、 パリア層上に、 導電性材料に よって形成された電極層を備えている。
本発明において、 電極層を形成するための材料は、 とくに限定され るものではなく、 白金 （P t )、 ルテニウム （R u)、 ロジウム （R h)、 パラジウム （P d)、 イリジウム （ I r)、 金 （Au)、 銀 （Ag)、 銅 (C u)、 ニッケル（N i ) などの金属およびこれらを主成分とする合 金や、 N d O、 Nb O、 R h〇2、 O s 02、 I r〇2、 R u O2、 S r Mo O3、 S r R uO3、 C a R u 03、 S r VO3、 S r C r O3、 S r C o O3、 L a N i 〇3、 N b ドープ S r T i O 3などの導電性酸化 · 物おょぴこれらの混合物、 さらには、 B i 2 S r 2 C u O 6などの超伝 導性ビスマス層状構造を有する超伝導体を用いることができる。
本発明において、 電極層は、 真空蒸着法、 スパッタ リ ング法、 パル スレーザー蒸着法（p LD)、有機金属化学気相成長法（metal-organic chemical vapor deposition： MO C V D)、 有機金属分解法 metal - organic decomposition： MO D) ゃゾル ·ゲル法などの液相法 （C SD法） などの各種薄膜形成法を用いて、 形成することができる。 本発明において、積層体ュニットは、 電極層上に、 [00 1]方位に、 すなわち、 c軸方向に配向されたビスマス層状化合物を含むバッファ 層を備えている。 バッファ層は、 その上で、 コンデンサ特性に優れた ビスマス層状化合物を含む誘電体材料をェピタキシャル成長させて、 [00 1 ] 方位に、 すなわち、 c軸方向に配向ざれたビスマス層状化 合物を含む誘電体よりなる誘電体層を確実に形成することができるよ うに保証する機能を有している。
したがって、 バッファ層を形成するビスマス層状化合物としては、 誘電体層を形成するビスマス層状化合物とは異なる配向性に優れたビ スマス層状化合物が選ばれる。
ビスマス層状化合物は、 化学量論的組成式： （B i 202) 2+ {Am_
Figure imgf000008_0001
で表わされる 組成を有している。 ここに、 化学量論的組成式中の記号 inは正の整数 であり、 記号^ は、 ナトリウム （N a )、 カリウム （K)、 鉛 （P b)、 バリウム （B a)、 ストロンチウム （S r)、 カルシウム （C a) およ ぴビスマス （B i ) からなる群より選ばれる少なく とも 1つの元素で あり、 記号^は、 鉄 （F e )、 コバルト （C o)、 クロム （C r )、 ガ リウム （G a)、 チタン （T i )、 ニオブ （N b)、 タンタル.（T a )、 アンチモン （S b)、 マンガン （Mn)、 バナジウム （V)、 モリブデン (Mo) およびタングステン （W) からなる群より選ばれる少なく と も 1つの元素である。 記号^ および/ ^または^を 2つ以上の元素で構 成する場合、 それらの比率は任意である。
' 第 1図に示されるように、 ビスマス層状化合物は、 それぞれが^ 5 03 l aで構成される （ζπ— 1 ) 個のぺロブスカイ ト格子が連なった 層状べロブスカイ ト層 1と、 （B i 202) 2 +層 2 とが、 交互に積層さ れた層状構造を有している。
層状ぺロブスカイ ト層 1 と （B i 202) 2+層 2の積層数は、 とくに 限定されるものではなく、 少なく とも一対の （B i 202) 2+層 2と、 これらに挟まれた一つの層状べロプスカイ ト層 1を備えていれば十分 である。
ビスマス層状化合物の c軸とは、 一対の （B i 202) 2+層 2同士を 結ぶ方向、 すなわち、 [0 0 1] 方位を意味する。
これらのビスマス層状化合物のうち、 配向性に優れたビスマス層状 化合物が、 バッファ層を形成するために用いられ、 誘電体層を形成す るビスマス層状化合物として、 m= 4の化学量論的組成式： （B i 20 2) 2+ (43^4013) 2—、 あるいは、 B i 243 40 5で表わされ るビスマス層状化合物が用いられるときは、 m= 3の化学量論的組成 式： （B i 202) 2+ (A2 3O1 0) 2一、 あるいは、 B i 242 30ェ 2で表わされるビスマス層状化合物が、 バッファ層を形成するために、 好ましく用いられる。
本発明において、 バッファ層に含まれているビスマス層状化合物の [0 0 1] 方位の配向度、 すなわち、 c軸配向度 が 1 0 0%である ことは必ずしも必要でなく、 c軸配向度 が 8 0 %以上であればよい。 c軸配向度 が 9 0%であることが好ましく、 。軸配向度^が 9 5 % 以上であると、 より好ま'しい。
ビスマス層状化合物の c軸配向度 は、 次式 （ 1) によって定義さ れる。
F (%) = (P-P0) / ( 1 -Po 1 0 0 - ( 1) 式 （ 1 ) において、 P。は、 完全にランダムな配向をしているビス マス層状化合物の c軸配向比、 すなわち、 完全にランダムな配向をし ているビスマス層状化合物の （0 0 2) 面からの反射強度 /。 （0 0 1) の合計∑ /。 (0 0 i ) と、 そのビスマス層状化合物の各結晶面 {h k 1) からの反射強度 /。 、h k 1、 の合計∑ I 0 h k 1、 との 比 （{∑ /。 （0 0 ） Z∑ /。 （A 7)}) であり、 尸は、 X線回折 強度を用いて算出されたビスマス層状化合物の c軸配向比、すなわち、 ビスマス層状化合物の （o o _？) 面からの反射強度 / (0 0 i) の合 計∑ / (0 0 i) と、 ビスマス層状化合物の各結晶面 （ rゾ） から の反射強度 / {h k 1) の合計∑ / ( k 1) との比 （{∑ / (0 0 1) /∑ I {h k 1)}) である。 ここに、 h、 kヽ ゾは、 それぞれ、 0以上の任意の整数値を取ることができる。
ここに、 尸。は既知の定数であるから、 （ 0 0 2) 面からの反射強度 I (0 0 1) の合計∑ I {0 0 1) と、 各結晶面 h k 1、 からの反 射強度 / {h k 1) の合計∑ / {h k 1) が等しいとき、 すなわち、 尸 = 1のときに、 ビスマス層状化合物の c軸配向度 は 1 00 %とな る。
本発明において、 バッファ層は、 真空蒸着法、 スパッタリ ング法、 パルスレーザー蒸着法 （P LD)、 有機金属化学気相成長法 （metal- organic chemical vapor deposition： M O C V D 有機金 分角 (metal - organic decomposition： M O D ) ゃゾノレ * ゲノレ法などの 液相法 （C SD法） などの各種薄膜形成法を用いて、 形成することが できる。 とくに低温で、 バッファ層を形成する必要がある場合には、 プラズマ CVD、 光 CVD、 レーザー C VD、 光 C SD、 レーザー。 S D法を用いることが好ましい。
本発明において、 積層体ユニットは、 バッファ層上に、 ェピタキシ ャル成長によって形成され、 [ 0 0 1 ]方位に、 すなわち、 c軸方向に 配向されたビスマス層状化合物を含む誘電体材料よりなる誘電体層を 備えている。
本発明において、 誘電体層は、 ビスマス層状化合物を含む誘電体材 料を、 バッファ層上で、 ェピタキシャル成長させることによって形成 される。
誘電体層は、 [ 0 0 1 ]方位に、すなわち、 c軸方向に配向されたバ ッファ層上で、 ビスマス層状化合物を含む誘電体材料をェピタキシャ ル成長させて、 形成されるから、 誘電体層に含まれているビスマス層 状化合物を、 確実に、 [0 0 1 ] 方位に、 すなわち、 c軸方向に配向さ せることができ、 したがって、 本発明にかかる積層体ユニットを用い て、 薄膜コンデンサを構成したときに、 誘電体層に含まれるビスマス 層状化合物は、 強誘電体としてではなく、 常誘電体として機能するか ら、 本発明にかかる積層体ユニッ トを用いて、 小型で、 かつ、 大容量 の誘電特性に優れた薄膜コンデンサを作製することが可能になる。 本発明において、誘電体層に含まれているビスマス層状化合物の [ 0 0 1] 方位の配向度、 すなわち、 c軸配向度 が 1 0 0 %であること は必ずしも必要でなく、 c軸配向度 が 8 0 %以上であればよい。 c 軸配向度 が 9 0 %であることが好ましく、 c軸配向度 が 9 5 %以 上であると、 より好ましい。
ビスマス層状化合物の c軸配向度 は、 式 （ 1 ) によって定義され る。
このように、 ビスマス層状化合物を、 [0 0 1 ] 方位に、すなわち、 c軸方向に配向させることによって、 誘電体層の誘電特性を大幅に向 上させることが可能になる。
すなわち、 本発明にかかる積層体ユニッ トの誘電体層上に、 たとえ ば、 上部電極を形成して、 薄膜コンデンサを作製した場合、 誘電体層 の膜厚をたとえば 1 0 0 n m以下にしても、 比較的高い誘電率と低い 損失 （ t a n δ ) を有する薄膜コンデンサを得ることができ、 リーク 特性に優れ、 耐圧が向上し、 誘電率の温度特性に優れ、 表面平滑性に も優れた薄膜コンデンサを得ることが可能になる。
本発明において、 好ましくは、 誘電体層を形成するためのビスマス 層状化合物としては、 上述したビスマス層状化合物のうち、 コンデン サ材料としての特性に優れ、 バッファ層に含まれるビスマス層状化合 物とは異なるビスマス層状化合物が選ばれる。
ニ 3の化学量論的組成式： （B i 202) 2 + (Α2 ΒΆΟ 1 0) 2—、 あるいは、 B i 2 2 ^30 2で表わされるビスマス層状化合物が、 バ ッファ層を形成するために用いられているときは、 Λ2= 4の化学量論 的組成式 ·· （B i 202) 2 + ( 3 ^401 3) 2 、 あるいは、 B i 2 3 540 5で表わされるビスマス層状化合物が、 誘電体層を形成するた めに、 好ましく用いられる。
本発明において、 とくに好ましくは、 誘電体層に含まれるビスマス 層状化合物が、 化学量論的組成式： C a XS r (1— x) B i 4T i 4〇15 で表わされ δ組成を有している。 ここに、 0 x≤ lである。 このよ うな組成を有するビスマス層状化合物を用いると、 比較的大きな誘電 率を有する誘電体層が得られるとともに、 その温度特性が.さらに向上 する。
本発明において、 誘電体層に含まれるビスマス層状化合物の化学量 論的組成式中の記号 _Λまたは で表わされる元素の一部が、 スカンジ ゥム （S c；)、 イットリウム （Y)、 ランタン （L a)、 セリウム （C e：)、 プラセオジム （P r )、 ネオジム （N d)、 プロメチウム （Pm)、 サマ リ ウム （Sm)、 ユウ口ピウム （E u)、 ガドリニウム （G d)、 テルビ ゥム （T b)、 ジスプロシウム (D y )、 ホルミウム (H o), エルビゥ ム （E r )、 ツリ ウム （Tm)、 ィッテルビウム (Y b ) およぴルテチ ゥム （L u) からなる群より選ばれる少なく とも 1つの元素 ? e (ィ ットリウム （Y) または希土類元素） によって置換されていることが 好ましい。
元素 ? eによって、 置換する場合には、 好ましい置換量は、 J23の値 により異なるが、 たとえば、 JS= 3のときは、 化学量論的組成式： B i 2A2— x ? e
Figure imgf000012_0001
丄 2において、 好ましくは、 0. 4≤ x≤ l . 8 であり、 より好ましくは、 1. 0≤ ≤ 1. 4である。 元素 ? eによ る置換量をこの範囲に設定すれば、 誘電体層のキュリー温度 （強誘電 体から常誘電体への相転移温度） を、 好ましくは、 一 1 0 0°C以上、 1 0 0°C以下、 より好ましくは、 一 5 0°C以上、 5 0°C以下に収める ことが可能となる。 キュリー点が一 1 0 0°Cないし + 1 0 0°Cである と、 誘電体層の誘電率が向上する。 キュリー温度は、 D S C (示差走 查熱量測定） などによって測定することができる。 なお、 キュリー点 が室温 （2 5°C) 未満になると、 t a η δがさらに減少し、 その結果、 損失 Q値がさらに上昇する。
また、 J33= 4の場合には、 ィヒ学量論的組成式： B i 2 3_x ? e xJS 40 5において、 好ましくは、 0. 0 1≤ x≤ 2. 0であり、 より好 ましくは、 0. 1≤ χ^ 1. 0である。
本発明にかかる積層体ュニッ トの誘電体層は、 優れたリーク特性を 有しているが、 ビスマス層状化合物の化学量論的組成式中の記号^ ま たは^で表わされる元素の一部が、 元素 によって、 置換されてい る場合には、 誘電体層のリーク特性を一層向上させることができ、 好 ましい。
たとえば、 ビスマス層状化合物の化学量論的組成式中の記号^ また は^で表わされる元素の一部が、 元素 によって、 置換されていな い場合においても、 本発明にかかる積層体ユニッ トの誘電体層は、 電 界.強度 5 0 k V// c mで測定したときのリーク電流を、 好ましくは、 1 X 1 0— 7 AZ c m2以下、 より好ましくは、 5 X 1 0— 8AZ c m2 以下に抑制することができ、 しかも、 ショート率を、 好ましくは、 1 0 %以下、 より好ましくは、 5 %以下にすることができるが、 ビスマ ス層状化合物の化学量論的組成式中の記号 _Λまたは^で表わされる 元素の一部が、 元素 によって、 置換されている場合には、 同条件 で測定したときのリーク電流を、 好ましくは、 5 X 1 0— 8 AZ c m2 以下、 より好ましくは、 1 X 1 0— 8 A/" c m 2以下にすることができ、 ショート率を、 好ましくは、 5 %以下、 より好ましくは、 3 %以下に することができる。
本発明において、 誘電体層は、 真空蒸着法、 スパッタリング法、 パ ルス レーザー蒸着法 （P L D)、 有機金属化学気相成長法 （metal- organic chemical vapor deposition : M O C V ) N ¾機金属分角早法 (metal - organic decomposition： MO D ) ゃゾノレ · ゲノレ法などの 液相法 （C SD法） などの各種薄膜形成法を用いて、 形成することが できる。 とくに低温で、 誘電体層を形成する必要がある場合には、 プ ラズマ CVD、 光 CVD、 レーザー CVD、 光 C SD、 レーザー C S D法を用いることが好ましい。
本発明にかかる電極層および誘電体層を含む積層体ユニットは、 薄 膜コンデンサの構成部品としてだけでなく、 無機 E L素子を発光させ るための積層体ユニットとして用いることもできる。 すなわち、 無機
E L素子を発光させるためには、 電極層と、 無機 E L素子との間に、 絶縁層が必要であるが、 c軸配向性が向上されたビスマス層状化合物 を含む誘電体材料よりなる誘電体層は高い絶縁性を有しており'、 した がって、 誘電体層上に、 無機 E L素子を配置するとともに、 無機 E L 素子上に、 別の電極を配置し、 電極層と別の電極との間に電圧を加え ることによって、 無機 E L素子を、 所望のように、 発光させることが 可能になる。
本発明の前記およびその他の目的や特徴は、 添付図面に基づいた以 下の説明から明らかになるであろう。 図面の簡単な説明
第 1図は、 ビスマス層状化合物の構造を模式的に示す図である。 第 2図は、 本発明の好ましい実施態様にかかる積層体ュニッ トの略 一部断面図である。 発明の好ましい実施態様の説明
以下、 添付図面に基づき、 本発明の好ましい実施態様につき、 詳細 に説明を加える。
第 2図は、 本発明の好ましい実施態様にかかる積層体ユニッ トの略 一部断面図である。
第 2図に示されるように、本実施態様にかかる積層体ュニッ ト 1は、 支持基板 2上に、 バリア層 3、 電極層 4、 バッファ層 5および誘電体 層 6が、 この順に、 積層されて、 形成されている。
本実施態様において、 積層体ユニッ ト 1の末持基板 2は、 シリコン 単結晶によつて形成されている。
本実施態様にかかる積層体ユニッ ト 1は、 支持基板 2上に、 酸化シ リコンによって形成されたパリァ層 3を備えている。
酸化シリ コンよりなるバリア層 3は、 たとえば、 シリ コンの熱酸化 によって形成される。 第 2図に示されるように、 バリア層 3上には、 電極層 4が形成され ており、 本実施態様においては、 電極層 4は、 [ 1 1 1]方位に配向さ れた白金によって形成されている。
シリ コン単結晶によって形成された支持基板 2上に、 直接、 白金よ りなる電極層 4を形成する場合には、 シリコンが白金中に溶け込み、 電極層 4を侵し、 本実施態様にかかる積層体ュニット 1を薄膜コンデ ンサの構成部品として用いたときに、 薄膜コンデンサの動作不良が生 じるおそれがあるが、 本実施態様においては、 電極層 4は、 酸化シリ コンによって形成されたパリア層 3上に、 形成されるから、 本実施態 様にかかる積層体ュニット 1を薄膜コンデンサの構成部品として用い
'たときに、 薄膜コンデンサが動作不良を起こすことを確実に防止する ことができる。
白金よりなる電極層 4は、 たとえば、 スパッタリングガスとして、
1パス力ノレ (P a ) の圧力のアルゴンガスを用い、 バッファ層 4の温 度を 4 0 0°C、 電力を 1 0 0 Wに設定して、 スパッタリング法によつ て、 ノ ッファ層 4上に、 1 0 0 nmの厚さに形成される。
白金は立方晶構造を有しているため、 酸化シリコンよりなるパリァ 層 3上に、 白金よりなる電極層 4を形成した場合には、 白金は、 最も 安定な [ 1 1 1] 方位に配向する。
第 2図に示されるように、本実施態様にかかる積層体ュニット 1は、 電極層 4上に、 B i 4T i 3Ο 2で表わされる組成を有する配向性に優 れたビスマス層状化合物を含む誘電体材料よりなるバッファ層 5を備 えている。
本実施態様において、 B i 4T i 3.0 2で表わされる組成を有するビ スマス層状化合物を含む誘電体材料よりなるバッファ層 5は、 たとえ ば、 有機金 ィ匕学気相成長 ¾ ( metal-organic chemical vapor deposition： M O C V D ) によって形成される。
有機金属化学気相成長法を用いて、 B i 4T i 3012で表わされる組 成を有するビスマス層状化合物を含む誘電体材料よりなるバッファ層 5を形成する場合には、 たとえば、 原料として、 B i (CH。） 3およ ぴ T i (O— i — C3H7) 4を用い、 酸化シリ コンによって形成され たパリァ層 3の温度を 5 5 0°Cに保持して、 1 0 nmの厚さを有し、
[00 1] 方位に、 すなわち、 c軸方向に配向されたバッファ層 5が 形成される。
本実施態様において、 バッファ層 5は、 その上で、 ビスマス層状化 合物を含む誘電体材料をェピタキシャル成長.させて、 確実に、 [0 0 1 ] 方位に、 すなわち、 c軸方向に配向されたビスマス層状化合物を 含む誘電体材料よりなる誘電体層 6を形成することができるように保 証する機能を有している。
第 2図に示されるように、本実施態様にかかる積層体ュニット 1は、 バッファ層 5上に形成された誘電体層 6を備えている。
本実施態様において、誘電体層 6は、 S r B i 4T i 5で表わさ れる組成を有するコンデンサ特性に優れたビスマス層状化合物を含む 誘電体材料によって形成されている。
本実施態様においては、 誘電体層 6は、 有機金属分解法 （metal- organic decomposition： MOD) によって、 ノ ッファ層 5上に开成 される。
具体的には、 2—ェチルへキサン酸 S rのトルエン溶液と、 2—ェ チルへキサン酸 B iの 2—ェチルへキサン酸溶液と、 2—ェチルへキ サン酸 T iのトルエン溶液を、 2—ェチルへキサン酸 S rが 1モル、 2ーェチルへキサン酸 B i力 S 4モル、 2—ェチノレへキサン酸 T iが 4 モルとなるように、 化学量論比で混合し、 トルエンで希釈して、 得た 原料溶液を、 スピンコーティング法によって、 バッファ層 5上に塗布 し、 乾燥後、 得られた誘電体層 6を結晶化させない温度条件で、 仮焼 成する。
次いで、 仮焼成した誘電体層 6上に、 スピンコーティング法によつ て、 同じ原料溶液を塗布して、 乾燥し、 仮焼成し、 この操作を繰り返 す。
仮焼成が完了すると、 誘電体層 6が本焼成され、 必要な厚さの誘電 体層 6、 たとえば、 1 0 0 nmの厚さの誘電体層 6が得られるまで、 塗布、 乾燥、 仮焼成、 塗布、 乾燥、 仮焼成おょぴ本焼成よりなる一連 の操作が繰り返される。
この過程で、 ビスマス層状化合物を含む誘電体材料はェピタキシャ ル成長し、 [ 0 0 1 ] 方位に、 すなわち、 c軸方向に配向された誘電体 層 6が形成される。
本実施態様によれば、 積層体ユニッ ト 1は、 シリ コン単結晶よりな る支持基板 2上に、 パリア層 3、 電極層 4、 バッファ層 5および誘電 体層 6が積層された構造を有しているから、 たとえば、 誘電体層 6上 に、 上部電極を設けることによって、 シリ コン単結晶よりなる支持基 板 2に、 電界効果型トランジスタや C P Uなどの他のデバイスととも に、 薄膜コンデンサを容易に組み込んで、 半導体デバイスを作製する ことが可能になる。 - また、 本実施態様によれば、 シリコン単結晶によって形成された支 持基板 2上に、酸化シリコンによって、パリア層 3が形成されるから、 シリ コンが、 電極層 4中に溶け込んで、 電極層を侵すことを確実に防 止することができ、 したがって、 本実施態様にかかる積層体ユニッ ト 1を構成部品として、 薄膜コンデンサを作製した場合に、 薄膜コンデ ンサが動作不良を起こすことを確実に防止することが可能になる。 さらに、 本実施態様によれば、 電極層 4上に、 B i 4 T i 3 0 1 2で表 わされる組成を有する配向性に優れたビスマス層状化合物を含む誘電 体材料よりなるバッファ層 5を、 ビスマス層状化合物が、 [ 0 0 1 ]方 位に、 すなわち、 c軸方向に配向されるように形成し、 バッファ層 5 上で、 S r B i 4 T i 4 O i 5で表わされる組成を有するコンデンサ特性 に優れたビスマス層状化合物を含む誘電体材料をェピタキシャル成長 させて、 誘電体層 6を形成しているから、 誘電体層 6に含まれている ビスマス層状化合物を、 確実に、 [ 0 0 1 ] 方位に、 すなわち、 c軸方 向に配向させることが可能になる。
したがって、 本実施態様によれば、 積層体ュニッ ト 1は、 [ 0 0 1 ] 方位に、 すなわち、 c軸方向に配向されたビスマス層状化合物を含む 誘電体材料によって形成された誘電体層 6を有しているから、 たとえ ば、 本実施態様にかかる積層体ユニッ ト 1の誘電体層 6上に、 上部電 極を設けて、 薄膜コンデンサを作製し、 電極層 5と上部電極との間に 電圧を印加したときに、 電界の方向が誘電体層 6に含まれているビス マス層状化合物の c軸とほぼ一致し、 したがって、 誘電体層 6に含ま れているビスマス層状化合物の強誘電体としての性質を抑制して、 常 誘電体としての性質を十分に発揮させることが可能になるから、 小型 で、 かつ、 大容量の誘電特性に優れた薄膜コンデンサを、 電界効果型 トランジスタや C P Uなどの他のデバイスとともに、 シリコン単結晶 よりなる支持基板 2に組み込んで、 半導体デバイスを作製することが 可能になる。
さらに、 本実施態様によれば、 積層体ュニット 1は、 [ 0 0 1 ]方位 に、 すなわち、 C軸方向に配向されたビスマス層状化合物を含む誘電 体材料によって形成された誘電体層 6を有し、 c軸配向性が向上され たビスマス層状化合物を含む誘電体層 6は高い絶縁性を有しているか ら、 誘電体層 6を薄膜化することができ、 したがって、 薄膜コンデン サを、 より一層小型化することが可能になり、 薄膜コンデンサが組み 込まれた半導体デバイスを、 より一層小型化することが可能になる。 また、 本実施態様によれば、 1 0 n mの厚さのバッファ層 5は、 そ の上で、 コンデンサ特性に優れたビスマス層状化合物をェピタキシャ ル成長させて、 [ 0 0 1 ] 方位に、 すなわち、 c軸方向に確実に配向し たビスマス層状化合物を含む誘電体層 6を形成するために、 有機金属 ィ匕学気ネ目成長法 (metal-oreanic chemical vapor deposition： M O C V D ) によって形成されるように構成されている一方で、 その上で、 何の層もェピタキシャル成長させる必要がなく、 バッファ層 5よりも 厚さが大きい誘電体層 6は、 安価なプロセスである有機金属分解法 (metal - organic decomposition： M O D ) によって形成されるよ うに構成されているから、 積層体ュニッ ト 1の製造コストを低減させ ることが可能になる。
本発明は、 以上の実施の形態に限定されることなく、 特許請求の範 囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、 それらも本 発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
たとえば、 前記実施態様においては、 積層体ユニッ ト 1は、 支持基 板 2上に、 バリア層 3、 電極層 4、 バッファ層 5および誘電体層 6力 S、 この順に、 積層されて、 形成されているが、 積層体ユニット 1は、 さ らに、 誘電体層 6上に、 それぞれが、 電極層 4、 バッファ層 5および 誘電体層 6を含む複数の単位積層体が、 積層されて形成されていても よく、 最上の単位積層体の誘電体層 6上に、 上部電極を形成すること によって、 薄膜コンデンサを形成するようにしてもよレ、。 ただし、'積 層体ユニット 1が、 誘電体層 6上に、 さらに、 複数の単位積層体が積 層されて形成されている場合に、 単位積層体に含まれる電極層が、 誘 電体層 6上で、 導電性材料の結晶をェピタキシャル成長させて、 形成 されているときは、 電極層を [ 0 0 1 ]方位に配向させることができ、 したがって、 電極層上で、 ビスマス層状化合物を含む誘電体材料をェ ピタキシャル成長させて、 [ 0 0 1 ]方位に配向されたビスマス層状化 合物を含む誘電体材料よりなる誘電体層 6を形 することが可能にな るから、 単位'積層体がバッファ層 5を備えていることは必要でなく、 電極層および誘電体層 6によって、 単位積層体を構成することができ る。 さらに、 電極層および誘電体層 6によって構成された 1または 2 以上の単位積層体と、 電極層、 電極層上に形成されたバッファ層 5お よびビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成され、 パッフ ァ層 5上に形成された誘電体層 6によって構成された 1または 2以上 の単位積層体を、 誘電体層 6上に、 任意の順序で、 積層し、 最上の単 位積層体の誘電体層 6上に、 上部電極を形成することによって、 薄膜 コンデンサを形成するようにしてもよい。
また、前記実施態様においては、積層体ュニット 1の支持基板 2は、 シリコン単結晶によって形成されているが、 シリコン単結晶によって 形成された支持基板 2を用いることは必ずしも必要でなく、 支持基板 2を形成するための材料としては、 種々のデバイスを組み込んだ半導 体デバイスを作製するのに用いられる材料であれば、 とくに限定され るものではなく、 たとえば、 シリコン単結晶に代えて、 砒化ガリウム 結晶などによって、 支持基板 2を形成することもできる。
さらに、 前記実施態様においては、 支持基板 2上に、 酸化シリ コン によって、 バリア層 3が形成されているが、 支持基板 2上に形成され るバリア層 3を、 酸化シリコンによって形成することは必ずしも必要 でなく、 その上に形成される電極層 4が、 支持基板 2の影響を受ける ことを防止することができる材料であれば、 いかなる材料で、 バリア 層 3を形成してもよい。 たとえば、 支持基板 2として、 砒化ガリウム 結晶が用いられる場合には、 安定性の観点から、 バリア層を形成する ために、 酸化アルミニウム （A 1 203) や、 酸化マグネシウム （Mg o) が好ましく用いられる。
また、 前記実施態様においては、 積層体ユニット 1は、 バリア層 3 上に形成された白金よりなる電極層 4を備えている力 S、白金によつ ：、 電極層 4を形成することは必ずしも必要でなく、 電極層 4を形成する 材料は、導電性を有する材料であれば、格別限定されるものではなく、 白金 （P t ) に代えて、 ルテニウム ，（R u)、 ロジウム （R h)、 パラ ジゥム （P d)、 イリジウム （ I r )、 金 （Au)、 銀 （A g)、 銅 （C u)、 ニッケル （N i ) などの金属おょぴこれらを主成分とする合金や、 N d O、 Nb O、 R hOい O s 02、 I r 02、 R u 02、 S rMo O 3、 S r R u O 3 , C a Ru 03、 S r VO3、 S r C r〇3、 S r C o O3、 L a N i 03、 Nb ドープ S r T i 03などの導電性酸化物およ ぴびこれらの混合物、 さらには、 B i 2 S r 2C u 06などの超伝導性 ビスマス層状構造を有する超伝導体を用いて、 電極層 4を形成するこ ともできる。
さらに、 前記実施態様においては、 電極層 4は、 スパッタリング法 によって形成されているが、 電極層 4をスパッタリ ング法によって形 成することは必ずしも必要でなく、 スパッタリング法に代えて、 真空 蒸着法、 パルスレーザー蒸着法 （P LD)、 有機金属化学気相成長法 metal-organic chemical vapor deposition： MOCVD)、 ¾機金厲 分角军法 (metal - organic decomposition： MOD) ゃゾル ·ゲノレ法 などの液相法 （C SD法） などの他の薄膜形成法によって、 電極層 4 を形成することもできる。
また、 前記実施態様においては、 積層体ユニッ ト 1は、 電極層 4上 に、化学量論組成式において、 ιπ= 3の B i 4T i 3O12によって表わ される組成を有する配向性に優れたビスマス層状化合物を含む誘電体 材料によって形成されたバッファ層 5を有しているが、 バッファ層 5 を、化学量論組成式において、 m= 3の B i 4T i 3O12によって表わ される組成を有するビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形 成することは必ずしも必要でなく、 配向性に優れたビスマス層状化合 物であれば、 が 3以外のビスマス層状化合物を含む誘電体材料によ つて、 バッファ層 5を形成することもでき、 さらには、 構成元素を異 にする他のビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって、 バッファ 層 5を形成することもできる。
さらに、 前記実施態様においては、 バッファ層 5は、 有機金属化学 5¾や '日成 法 、 metal-organic chemical vapor deposition： MO C V D によって、 形成されているが、 バッファ層 5を、 有機金属化学気相成 長法によって形成することは必ずしも必要でなく、 真空蒸着法、 スパ ッタリ ング法、 パルスレーザー蒸着法 （P L D)、 有機金属分解法 (metal - organic decomposition： MOD) ゃゾノレ ·ケノレ、法などの 液相法 （C S D法） などの他の薄膜形成法を用いて、 バッファ層 5を 形成することもできる。
また、 前記実施態様においては、 積層体ユニッ ト 1は、 バッファ層 5上に、化学量論組成式において、 m= 4の S r B i 4T i 4O i 5で表 わされる組成を有するビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって 形成された誘電体層 6を備えているが、 バッファ層 5上に、 化学量論 組成式において、 = 4の S r B i 4T i 4 O i 5で表わされる組成を有 するビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって、 誘電体層 6を形 成することは必ずしも必要でなく、 コンデンサ特性に優れたビスマス 層状化合物であれば、 が 4以外のビスマス層状化合物を含む誘電体 材料によって、 誘電体層 6を形成することもでき、 さらには、 構成元 素を異にする他のビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって、 誘 電体層 6を形成することもできる。
さらに、 前記実施態様においては、 積層体ユニット 1の誘電体層 6 は、 有機金属分解法 （metal - organic decomposition ： M O D ) に よって形成されているが、 誘電体層 6を、 有機金属分解法によって形 成することは必ずしも必要でなく、 真空蒸着法、 スパッタリ ング法、 パルスレーザー蒸着法 （P L D )、 有機金属化学気相成長法 （metal- organic chemical vapor deposition ： M O C V D )、 ゾノレ · グノレ '/去な'ど の他の液相法 （C S D法） などの他の薄膜形成法によって、 誘電体層 6を形成することもできる。 .
また、 前記実施態様においては、 積層体ユニット 1は、 電極層 4上 に、化学量論組成式において、 Λ2 = 3の B i 4 T i 3 O 1 2によって表わ される組成を有する配向性に優れたビスマス層状化合物を含む誘電体 材料によって形成されたバッファ層 5と、 バッファ層 5上に、 化学量 論組成式において、 ffl = 4の S r B i 4 T i 4 O丄 5で表わされる糸且成を 有するビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された誘電 体層 6を備えており、 バッファ層 5と、 誘電体層 6が、 異なる組成を 有するビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成されている 力 バッファ層 5と、 誘電体層 6とが、 異なる薄膜形成法によって形 成され、 バッファ層 5と誘電体層 6との間に、 界面が形成されていれ ば、 バッファ層 5と、 誘電体層 6とが、 同じ組成を有するビスマス層 状化合物を含んでいてもよい。
さらに、 前記実施態様においては、 積層体ユニット 1は、 薄膜コン デンサの構成部品として、 用いられているが、 積層体ユニット 1は、 薄膜コンデンサの構成部品としてだけでなく、 無機 E L素子を高輝度 に発光させるための積層体ユニットとして用いることもできる。 すな わち、 無機 E L素子を高輝度に発光させるためには、 電極層 4と、 無 機 E L素子との間に、 絶縁性の高い絶縁層が必要であるが、 c軸配向 性が向上されたビスマス層状化合物を含む誘電体材料よりなる誘電体 層 6は高い絶縁性を有しており、 したがって、 誘電体層 6上に、 無機 E L素子を配置するとともに、無機 E L素子上に、別の電極を配置し、 電極層 4と別の電極との間に、 電圧を印加することによって、 無機 E L素子を、 所望のように、 発光させることが可能になる。
本発明によれば、 電界効果型トランジスタ （ F E T) や C P U (Central Processing Unit) などの他のデバイスとともに、 半導体ゥ ェハに組み込むのに適した小型で、 かつ、 大容量の誘電特性に優れた 薄膜コンデンサを構成することができる電極層および誘電体層を含む 積層体ュニッ トを提供することが可能になる。

Claims

請求の範囲
1. 半導体ウェハ上に、 パリア層と、 導電性材料によって形成された 電極層と、 [00 1]方位に配向されたビスマス層状化合物を含むパ ッファ層と、ェピタキシャル成長によつて形成され、 [00 1]方位 に配向されたビスマス層状化合物を含む誘電体材料よりなる誘電体 層とが、 この順に、 形成され、 前記バッファ層に含まれるビスマス 層状化合物として、配向性に優れたビスマス層状化合物が選択され、 前記誘電体層に含まれるビスマス層状化合物として、 コンデンサ材 料としての特性に優れたビスマス層状化合物が選択され、 前記バッ ファ層と前記誘電体層との間に、 界面が形成されたことを特徴とす る積層体ュニット。
2. 前記バッファ層に含まれるビスマス層状化合物と、 前記誘電体層 に含まれるビスマス層状化合物が、 異なる組成を有していることを 特徴とする請求の範囲第 1項に記載の積層体ュニット。
3. 前記支持基板が、 シリ コン単結晶によって形成され、 前記パリア 層が、 酸化シリコンによって形成されたことを特徴とする請求の範 囲第 1項に記載の積層体ュニット。
4. 前記支持基板が、 シリ コン単結晶によって形成され、 前記パリア 層が、 酸化シリコンによって形成されたことを特徴とする請求の範 囲第 2項に記載の積層体ュニット。
5. 前記電極層が、 白金 （P t )、 ルテニウム （Ru)、 ロジウム （R h)、 パラジウム （P d)、 イリジウム （ I r)、 金 （Au)、 銀 （A g)、 銅 （Cu)、 ニッケル （N i ) からなる群より選ばれた少なく とも一つの金属を含んでいることを特徴とする請求の範囲第 1項に 記載の積層体ユニット。
6. 前記電極層が、 白金 （P t： )、 ルテニウム （Ru)、 ロジウム （R h)、 パラジウム （P d)、 イリジウム （ I r )、 金 （Au)、 銀 （A g)、 銅 （C u)、 ニッケル （N i ) からなる群より選ばれた少なく とも一つの金属を含んでいることを特徴とする請求の範囲第 2項に 記載の積層体ュニッ ト。
7. 前記電極層が、 白金 （P t )、 ルテニウム （Ru)、 ロジウム （R h)、 パラジウム （P d)、 イリジウム （ I r )、 金 （Au)、 銀 （A g)、 銅 （C u)、 ニッケル （N i ) からなる群より選ばれた少なく とも一つの金属を含んでいることを特徴とする請求の範囲第 3項に 記載の積層体ユニッ ト。
8. 前記電極層が、 白金 （P t )、 ルテニウム （Ru)、 ロジウム （R h )、 パラジウム （ P d )、 イリジウム （ I r )、 金 （ A u )、 銀 （ A g)、 銅 （C u)、 ニッケル （N i ) からなる群より選ばれた少なく とも一つの金属を含んでいることを特徴とする請求の範囲第 4項に 記載の積層体ュニッ ト。
9. 前記バッファ層が、 化学量論的組成式： （B i 2O2) 2+ {Am^x m03m+ 1) 2—、 あるいは、 B i 24m—
Figure imgf000025_0001
3で表わされる 組成を有するビスマス層状化合物 （記号 は正の整数であり、 記号 4は、 ナトリ ウム （N a)、 カリ ウム （K)、 鉛 （P b)、 バリ ウム （B a )、 ス トロンチウム （S r )、 カルシウム （C a ) およびビスマス ( B i ) からなる群より選ばれる少なく とも 1つの元素であり、 記 号^は、 鉄 （F e )、 コバルト （C o)、 クロム （C r )、 ガリ ウム （G a )、 チタン （T i )、 ニオブ （N b)、 タンタル （T a)、 アンチモ ン （S b)、 マンガン （Mn)、 バナジウム （V)、 モリブデン （Mo) およびタングステン （W) からなる群より選ばれる少なく とも 1つ の元素である。 記号^ およびノまたは^を 2つ以上の元素で構成す る場合、それらの比率は任意である。） を含んでいることを特徴とす る請求の範囲第 1項に記載の積層体ュニッ ト。
10. 前記バッファ層が、 化学量論的組成式： （B i 202) 2+ {Am_
Figure imgf000026_0001
3で表わされ る組成を有するビスマ 層状化合物 （記号∞は正の整数であり、 記 号^ 4は、 ナトリ ウム （N a)、 カリウム （K)、 鉛 （P b)、 バリウム (B a)、 ス トロンチウム （S r )、 カルシウム （C a ) およびビス マス （B i ) からなる群より選ばれる少なく とも 1つの元素であり、 記号^ほ、 鉄 （F e：)、 コバルト （C o)、 クロム （C r )、 ガリ ウム (G a)、 チタン （T i )、 ニオブ （N b)、 タンタル （T a)、 アン チモン （S b )、 マンガン （Mn)、 バナジウム （V)、 モリブデン （M o ) およびタングステン (W) からなる群より選ばれる少なく とも 1つの元素である。 記号 Aおよび/ /または^を 2つ以上の元素で構 成する場合、それらの比率は任意である。） を含んでいることを特徴 とする請求の範囲第 2項に記載の積層体ュニット。
11. 前記バッファ層が、 化学量論的組成式： （B i 202) 2+ {Am_l BmOZm+ x) 2_、 あるいは、 B i 24 —
Figure imgf000026_0002
3で表わされる 組成を有するビスマス層状化合物 （記号 222は正の整数であり、 記号
•Λは、 ナトリ ゥム （N a )、 カリ ゥム （K)、 鉛 （P b)、 バリウム （B a )、 ス トロンチウム （S r)、 カノレシゥム （C a ) およびビスマス (B i ) からなる群より選ばれる少なく とも 1つの元素であり、 記 号^は、 鉄 （F e：)、 コパルト （C o)、 クロム （C r)、 ガリウム （G a)、 チタン （T i )、 ニオブ （N b)、 タンタル （T a )、 アンチモ ン （S b)、 マンガン （Mn)、 バナジウム （V)、 モリブデン （Mo) およびタングステン （W) からなる群より選ばれる少なくとも 1つ の元素である。 記号^ および Zまたは を 2つ以上の元素で構成す る場合、それらの比率は任意である。） を含んでいることを特徴とす る請求の範囲第 3項に記載の積層体ユニッ ト。
12. 前記バッファ層が、 化学量論的組成式： （B i 202) 2+ (Am_1 BmO,m+ 1) 2一、 あるいは、 B i 2_Affl一
Figure imgf000027_0001
で表わされる 組成を有するビスマス層状化合物 （記号 i22は正の整数であり、 記号 _Λは、 ナトリ ウム （N a )、 カリウム （K)、 鉛 （P b )、 バリ ウム （B a)、 ス トロンチウム （S r )、 カノレシゥム （C a ) ぉょぴビスマス (B i ) からなる群より選ばれる少なく とも 1つの元素であり、 記 号 5は、 鉄 （F e)、 コバルト （C o)、 クロム （C r )、 ガリウム （G a)、 チタン （T i )、 ニオブ （Nb )、 タンタル （T a )、 アンチモ ン （S b)、 マンガン （Mn)、 バナジウム { ヽヽ モリプデン （Mo) およびタングステン （W) からなる群より選ばれる少なく とも 1つ の元素である。 記号^ および/または を 2つ以上の元素で構成す る場合、それらの比率は任意である。） を含んでいることを特徴とす る請求の範囲第 4項に記載の積層体ュニッ ト。
13. 前記バッファ層が、 化学量論的組成式： （B i 202) 2+ {Am_1 Bm03m+ 1) 2—、 あるいは、 B i 24 一 ^0^+ 3で表わされる 組成を有するビスマス層状化合物 （記号 ΙΠは正の整数であり、 記号 は、 ナトリ ウム （N a )、 カリウム （K)、 鉛 （P b )、 バリ ウム （B a)、 ス トロンチウム （S r )、 カルシウム （C a ) およびビスマス (B i ) からなる群より選ばれる少なく とも 1つの元素であり、 記 号 5は、 鉄 （F e )、 コバルト （C o)、 クロム （C r )、 ガリ ウム （G a)、 チタン （T i )、 ニオブ （N b)、 タンタル （T a)、 アンチモ ン （S b)、 マンガン （Mn)、 バナジウム （V)、 モリブデン （Mo) およびタングステン （W) からなる群より選ばれる少なく とも 1つ の元素である。 記号^ および/または 5を 2つ以上の元素で構成す る場合、それらの比率は任意である。） を含んでいることを特徴とす る請求の範囲第 5項に記載の積層体ュニット。
14. 前記バッファ層が、 化学量論的組成式： （B i 202) 2+ {Am^1 BmO,m+ 1) 2—、 あるいは、 B i
Figure imgf000028_0001
で表わされる 組成を有するビスマス層状化合物 （記号 は正の整数であり、 記号
4は、 ナトリ ウム （N a )、 カリ ウム （K)、 鉛 （P b )、 バリ ウム （B a )、 ス トロンチウム （S r )、 カルシウム （C a ) およびビスマス (B i ) からなる群より選ばれる少なく とも 1つの元素であり、 記 号 5は、 鉄 （F e )、 コバルト （C o)、 クロム （C r )、 ガリ ウム （G a )、 チタン （T i )、 ニオブ （N b)、 タンタル （T a )、 アンチモ ン （S b )、 マンガン （Mn)、 バナジウム （V)、 モリブデン （Mo) およびタングステン （W) からなる群より選ばれる少なく とも 1つ の元素である。 記号 _Λおよび/または を 2つ以上の元素で構成す 〗 る場合、 それらの比率は任意である。） を含んでいることを特徴とす る請求の範囲第 6項に記載の積層体ュニッ ト。
15. 前記バッファ層が、 化学量論的組成式： （B i 2〇2) 2 + (Am_x Bm03m+ 1) 2_、 あるいは、 B i
Figure imgf000028_0002
で表わされる 組成を有するビスマス層状化合物 （記号 は正の整数であり、 記号 Aは、 ナトリ ウム （N a )、 カリ ウム （K)、 鉛 （P b )、 ノくリ ウム （B a )、 ス トロンチウム (S r )、 カルシウム （C a ) およぴビスマス (B i ) からなる群より選ばれる少なく とも 1つの元素であり、 記 号 は、 鉄 （F e )、 コパルト （C o)、 クロム （C r )、 ガリ ウム （G a )、 チタン （T i )、 ニオブ （N b )、 タンタル （T a )、 アンチモ ン （S b )、 マンガン （Mn )、 バナジウム （V)、 モリプデン （M o ) およびタングステン （W) からなる群より選ばれる少なく とも 1つ の元素である。 記号 Aおよび/または^を 2つ以上の元素で構成す る場合、 それらの比率は任意である。） を含んでいることを特徴とす る請求の範囲第 7項に記載の積層体ュニッ ト。
16. 前記バッファ層が、 化学量論的組成式： （B i 202) 2 + (Am_1 Bm032B+ 1) 2—、 あるいは、 B i 2Affl— ∞03 +3で表わされる 組成を有するビスマス層状化合物 （記号 inは正の整数であり、 記号 4は、 ナトリ ウム （N a )、 カリ ウム （K)、 鉛 （P b )、 ノ リ ウム （B a )、 ストロンチウム （S r )、 カルシウム （C a ) およびビスマス (B i ) からなる群より選ばれる少なく とも 1つの元素であり、 記 号 は、 鉄 （F e )、 コバルト （C o)、 クロム （C r )、 ガリ ウム （G a)、 チタン （T i )、 ニオブ （N b)、 タンタル （T a )、 アンチモ ン （S b)、 マンガン （Mn)、 バナジウム （V)、 モリブデン （M o ) およびタングステン （W) からなる群より選ばれる少なく とも 1つ の元素である。 記号 Aおよび/または を 2つ以上の元素で構成す る場合、それらの比率は任意である。） を含んでいることを特徴とす る請求の範囲第 8·項に記載の積層体ユニット。
17. 前記誘電体層が、 化学量論的組成式：（B i 202) 2 + (^Jn_1
03m+ 1) 2 、 あるいは、 B i 2Am—丄 03 + 3で表わされる組成 を有するビスマス層状化合物 （記号 mは正の整数であり、 記号^ 4は、 ナトリウム （N a )、 カリウム （K)、 鉛 （P b ) 、 ノくリウム （B a ) 、 ストロンチウム （S r )、 カルシウム （C a ) およびビスマス （B i ) からなる群より選ばれる少なくとも 1つの元素であり、 記号^は、 鉄 (F e )、 コバルト (C o ), クロム （C r )、 ガリ ウム (G a ) 、 チタン （T i )、 ニオブ （N b)、 タンタル （T a )、 アンチモン （ S b)、 マンガン （Mn)、 バナジウム （V)、 モリブデン （Mo ) およ ぴタングステン （W) からなる群より選ばれる少なく とも 1つの元 素である。 記号^ および/または を 2つ以上の元素で構成する場 合、それらの比率は任意である。） を含んでいることを特徴とする請 求の範囲第 1項に記載の積層体ュニット。
18. 前記誘電体層が、 化学量論的組成式：（B i 202) 2 + (Am_1 Bm 03m+ 1) 2—、 あるいは、 B i 2_Am― i
Figure imgf000029_0001
で表わされる組成 を有するビスマス層状化合物 （記号 inは正の整数であり、 記号 _Λは、 ナトリウム （N a)、 カリウム （K)、 鉛 （P b)、 バリウム （B a )、 ス ト口ンチウム （S r )、 カルシウム （C a ) およぴビスマス （B i.) からなる群より選ばれる少なくとも 1つの元素であり、 記号 は、 鉄 （F e)、 コバルト （C o)、 クロム （C r )、 ガリ ウム （G a )、 チタン （T i )、 ニオブ (N b )、 タンタル (T a )、 アンチモン (S b)、 マンガン （Mn)、 バナジウム （V)、 モリブデン （Mo) およ びタングステン （W) からなる群より選ばれる少なく とも 1つの元 素である。 記号 Aおよび または を 2つ以上の元素で構成する場 合、それらの比率は任意である。） を含んでいることを特徴とする請 求の範囲第 2項に記載の積層体ュニッ ト。
19. 前記誘電体層が、 化学量論的組成式： （B i 202) 2+ {Am_xBm 03m+ 1) 2 、 あるいは、 B i 2 ^0^+ 3で表わざれる組成 を有するビスマス層状化合物 （記号 は正の整数であり、 記号 Aは、 ナトリウム （N a )、 カリウム (K)、 鉛 （P b )、 バリウム (B a )、 ス ト口ンチウム （S r )、 カルシウム （C a ) およびビスマス (B i ) からなる群より選ばれる少なくとも 1つの元素であり、 記号 は、 鉄 （F e)、 コバルト （C o)、 クロム （C r )、 ガリ ウム （G a)、 チタン (T i )、 ニオブ (N b )、 タンタル (T a )、 アンチモン ( S b)、 マンガン (Mn)、 バナジウム （V)、 モリブデン （Mo) およ ぴタングステン （W) からなる群より選ばれる少なく とも 1つの元 素である。 記号 lおよび/または 5を 2つ以上の元素で構成する場 合、それらの比率は任意である。） を含んでいることを特徴とする請 求の範囲第 3項に記載の積層体ュニット。
20. 前記誘電体層が、 化学量論的組成式：（B i 202) 2+ {Am_xBm O3m +！) 2 、 あるいは、 B i
Figure imgf000030_0001
m〇3 +3で表わされる組成 を有するビスマス層状化合物 （記号 ffiは正の整数であり、 記号^ は、 ナトリウム （N a)、 カリウム （K)、 鉛 （P b)、 バリ ウム （B a)、 ス トロンチウム （S r )、 カルシウム （C a ) およびビスマス .（B i ) からなる群より選ばれる少なくとも 1つの元素で'あり、 記号 は、 鉄 （F e：)、 コバルト （C o)、 クロム （C r )、 ガリ ウム （G a)、 チタン （T i )、 ニオブ （N b)、 タンタル （T a )、 アンチモン （S b)、 マンガン （Mn)、 バナジウム （V)、 モリブデン （Mo) およ ぴタングステン （W) からなる群より選ばれる少なく とも 1つの元 素である。 記号^ および/または^を 2つ以上の元素で構成する場 合、それらの比率は任意である。） を含んでいることを特徴とする請 求の範囲第 4項に記載の積層体ュニッ ト。
21. 前記誘電体層が、 化学量論的組成式：（B i 202) 2+ (Am_1 Bm 03m+ 1) 2—、 あるいは、 B i
Figure imgf000031_0001
ffl〇3m+3で表わされる組成 を有するビスマス層状化合物' （記号/ πは正の整数であり、 記号 ·Αは、 ナトリウム （N a )、 カリウム （K)、 鉛 （P b )、 バリウム （B a )、 ス ト口ンチウム （S r )、 カルシウム （C a ) およびビスマス （B i ) からなる群より選ばれる少なく とも 1つの元素であり、 記号^は、 鉄 (F e )、 コバルト (C o), クロム （C r )、 ガリ ウム (G a )、 チタン （T i )、 ニオブ (N b )、 タンタル （T a)、 アンチモン ( S b)、 マンガン （Mn)、 バナジウム （V)、 モリブデン （Mo) およ ぴタングステン （W) からなる群より選ばれる少なく とも 1つの元 素である。 記号 Aおよび Zまたは を 2つ以上の元素で構成する場 合、それらの比率は任意である。） を含んでいることを特徴とする請 求の範囲第 5項に記載の積層体ユニット。
22. 前記誘電体層が、 化学量論的組成式：（B i.202) 2+ {Am_xBm 3m+ 1) 2—、 あるいは、 B i 2^^— ^^0^+ 3で表わされる組成 を有するビスマス層状化合物 （記号 は正の整数であり、 記号^ は、 ナトリ ウム （N a)、 カリ ウム （K)、 鉛 （P b)、 バリ ウム （B a)、 ス トロンチウム （S r )、 カルシウム （C a ) およびビスマス （B i ) からなる群より潭ばれる少なく とも 1つの元素であり、 記号^は、 鉄 （F e)、 コバルト （C o)、 クロム （C r )、 ガリ ウム （G a)、 チタン （T i )、 ニオブ （N b)、 タンタル （T a )、 アンチモン （S b)、 マンガン （Mn)、 バナジウム （V)、 モリブデン （Mo) およ ぴタングステン （W) からなる群より選ばれる少なく とも 1つの元 素である。 記号 および/または 5を 2つ以上の元素で構成する場 合、 それらの比率は任意である。） を含んでいることを特徴とする請 求の範囲第 6項に記載の積層体ュニット。
23. 前記誘電体層が、 化学量論的組成式：（B i 202) 2+ {Am_xBm O 3 M+ 1) 、 あるいは、 B i 2_Λπ Ο 3 ΐΗ+ 3で表わされる組成 を有するビスマス層状化合物 （記号 nは正の整数であり、 記号 Aは、 ナトリ ウム （N a )、 カリ ウム （K)、 鉛 （P b )、 ノ リ ウム （B a )、 ス トロンチウム （S r )、 カルシウム （C a ) およびビスマス （B i ) からなる群より選ばれる少なく とも 1つの元素であり、 記号^は、 鉄 （F e)、 コバルト （C o)、 クロム （C r )、 ガリ ウム （G a )、 チタン （T i )、 ニオブ (N b )、 タンタル (T a )、 アンチモン (S b)、 マンガン （Mn)、 バナジウム （V)、 モリブデン （Mo) およ ぴタングステン （W) からなる群より選ばれる少なく とも 1つの元 素である。 記号 Aおよび/または 5を 2つ以上の元素で構成する場 合、それらの比率は任意である。） を含んでいることを特徴とする請 求の範囲第 7項に記載の積層体ュニット。
24. 前記誘電体層が、 化学量論的組成式：（B i 202) 2+ (^ m_1 JBra 3m+ 1) 、 あるいは、 B i
Figure imgf000032_0001
で表わされる組成 を有するビスマス層状化合物 （記号 inは正の整数であり、 記号^ は、 ナトリ ウム （N a)、 カリ ウム （K)、 鉛 （P b)、 バリ ウム (B a)、 ス トロンチウム （S r )、 カルシウム （C a ) およびビスマス （B i ) からなる群より選ばれる少なく とも 1つの元素であり、 記号 5は、 鉄 （F e)、 コバルト （C o)、 クロム （C r )、 ガリ ウム （G a)、 チタン （T i )、 ニオブ （N b)、 タンタル （T a)、 アンチモン （S b)、 マンガン （Mn)、 バナジウム （V)、 モリブデン （Mo) およ ぴタングステン （W) からなる群より選ばれる少なく とも 1つの元 素である。 記号 Aおよび/または を 2つ以上の元素で構成する場 合、それらの比率は任意である。） を含んでいることを特徴とする請 求の範囲第 8項に記載の積層体ュニッ ト。
25. 前記誘電体層が、 化学量論的組成式： （B i 202) 2+ (Am_1Bm 3a+ 1) 2—、 あるいは、 B i 2Am— i 3ffl+3で表わされる組成 を有するビスマス層状化合物 （記号 は正の整数であり、 記号 Aは、 ナトリウム （N a )、 カリウム （K)、 鉛 （P b )、 バリウム （B a )、 ス ト口ンチウム （S r )、 カ シウム (C a ) およびビスマス （B i ) からなる群より選ばれる少なく とも 1つの元素であり、 記号^は、 鉄 （F e)、 コバルト （C o)、 クロム （C r)、 ガリウム （G a)、 チタン （T i )、 ニオブ （N b)、 タンタル （T a)、 アンチモン （S b)、 マンガン （Mn)、 バナジウム （V)、 モリブデン （Mo) およ びタングステン （W) からなる群より選ばれる少なく とも 1つの元 素である。 記号^ および Zまたは を 2つ以上の元素で構成する場 合、それらの比率は任意である。） を含んでいることを特徴とする請 求の範囲第 9項に記載の積層体ュニッ ト。
26. 前記誘電体層が、 化学量論的組成式： （B i 202) 2+ {Am^ Bm 03m+ 1) 2—、 あるいは、 B i 2^4m— i 3in+3で表わされる組成 を有するビスマス層状化合物 （記号/ πは正の整数であり、 記号 Aは、 ナトリウム （N a )、 カリウム （K)、 鉛 （P b )、 バリウム （B a )、 ス ト口ンチゥム （ S r )、 カルシウム （C a ) およびビスマス （B i ) からなる群より選ばれる少なく とも 1つの元素であり、 記号 は、 鉄 （F e；)、 コバルト （C o)、 クロム （C r)、 ガリ ウム （G a)ゝ チタン （T i )、 ニオブ （N b)、 タンタル （T a)、 アンチモン （S b)、 マンガン （Mn)、 バナジウム （V；)、 モリブデン （Mo) およ びタングステン （W) からなる群より選ばれる少なく とも 1つの元 素である。 記号^ 4および/または 5を 2つ以上の元素で構成する場 合、それらの比率は任意である。） を含んでいることを特徴とする請 求の範囲第 10項に記載の積層体ユニット。
27. 前記誘電体層が、 化学量論的組成式： （B i 202) 2+ {Am_ Bm 03m+ 1) 2_、 あるいは、 B i 2 ^^— ^^0^+ 3で表わされる組成 を有するビスマス層状化合物 （記号 222は正の整数であり、 記号 ·Λは、 ナトリ ウム （N a )、 カリ ウム （K)、 鉛 （P b)、 バリ ウム （B a )、 ス トロンチウム （S r )、 カルシウム （C a) およびビスマス （B i ) からなる群より選ばれる少なくとも 1つの元素であり、 記号 は、 鉄 （F e )、 コバルト （C o)、 クロム （C r )、 ガリ ウム （G a)、 チタン （T i )、 ニオブ （N b)、 タンタル （T a )、 アンチモン （ S b)、 マンガン （Mn)、 バナジウム （V)、 モリブデン （Mo) およ びタングステン （W) からなる群より選ばれる少なく とも 1つの元 素である。 記号^!および Zまたは^を 2つ以上の元素で構成する場 合、それらの比率は任意である。） を含んでいることを特徴とする請 求の範囲第 11項に記載の積層体ュニット。
28. 前記誘電体層が、 化学量論的組成式： （B i 202) 2+ Am_ Bm O 3m+ 1) 、 あるいは、 B i 24m— mO 3m+3で表わされる組成 を有するビスマス層状化合物 （記号 122は正の整数であり、 記号 Aは、 ナトリウム （N a )、 カリ ウム （K)、 鉛 （P b )、 バリウム （B a )、 ス トロンチウム （S r )、 カルシウム （C a ) およびビスマス （B i ) からなる群より選ばれる少なく とも 1つの元素であり、 記号^は、 鉄 （F e：)、 コバルト （C o)、 クロム （C r )、 ガリ ウム （G a)、 チタン （T i )、 ニオブ （Nb)、 タンタル （T a)、 アンチモン （S b)、 マンガン （Mn)、 バナジウム （V)、 モリブデン （Mo) およ ぴタングステン （W) からなる群より選ばれる少なくとも 1つの元 素である。 記号 Aおよび Zまたは を 2つ以上の元素で構成する場 合、それらの比率は任意である。） を含んでいることを特徴とする請 求の範囲第 12項に記戴の積層体ュニッ ト。
29. 前記誘電体層が、 化学量論的組成式：（B i 202) 2+ (Am_xBm 3m+ 1) 2—、 あるいは、 B i i で表わされる組成 を有するビスマス層状化合物 （記号 nは正の整数であり、 記号 4は、 ナトリ ウム （N a )、 カリ ウム （K)、 鉛 （P b )、 ノ リ ウム （B a )、 ス トロンチウム （S r )、 カルシウム （C a ) およびビスマス （B i ) からなる群より選ばれる少なく とも 1つの元素であり、 記号 ^は、 鉄 （F e)、 コバルト （C o)、 クロム （C r )、 ガリ ウム （G a )、 チタン （T i )、 ニオブ （N b)、 タンタル （T a )、 アンチモン （S b)、 マンガン （Mn)、 バナジウム （V)、 モリブデン （M o) およ びタングステン （W) からなる群より選ばれる少なく とも 1つの元 素である。 記号^ Lおよび/または を 2つ以上の元素で構成する場 合、 それらの比率は任意である。） を含んでいることを特徴とする請 求の範囲第 13項に記載の積層体ュニッ ト。
30. 前記誘電体層が、 化学量論的組成式：（B i 202) 2+ (Am_1 Bm 3m+ 1) 2—、 あるいは、 B i
Figure imgf000035_0001
で表わされる組成 を有するビスマス層状化合物 （記号 _mは正の整数であり、 記号 Aは、 ナトリ ウム （N a )、 カリ ウム （K)、 鉛 （P b )、 バリ ウム （B a )、 ス ト口ンチウム （ S r )、 カルシウム (C a ) およびビスマス (B i ) からなる群より選ばれる少なく とも 1つの元素であり、 記号 は、 鉄 （F e)、 コバルト （C o)、 クロム （C r )、 ガリ ウム （G a )、 チタン （T i )、 ニオブ （N b)、 タンタル （T a )、 アンチモン （S b)、 マンガン （Mn)、 バナジウム （V)、 モリブデン （M o ) およ ぴタングステン （W) からなる群より選ばれる少なく とも 1つの元 素である。 記号^ 4および/または を 2つ以上の元素で構成する場 合、 それらの比率は任意である。） を含んでいることを特徴とする請 求の範囲第 14項に記載の積層体ユニッ ト。 ·
31. 前記誘電体層が、 化学量論的組成式： （B i 202) 2 + {Am^ Bm
03M+ 1) 2—、 あるいは、 B i 2
Figure imgf000035_0002
で表わされる組成 を有するビスマス層状化合物 （記号 inは正の整数であり、 記号^ は、 ナトリウム （N a)、 カリ ウム （K)、 鉛 （P b)、 バリウム （B a)、 ス トロンチウム （S r )、 カルシウム （C a) およびビスマス （ B i ) からなる群より選ばれる少なく とも 1つの元素であり、 記号 は、 鉄 （F e)、 コバルト （C o)、 クロム （C r )、 ガリウム （G a)、 チタン （T i )、 ニオブ (N b )、 タンタル (T a )、 アンチモン (S b)、 マンガン （Mn)、 バナジウム （V)、 モリブデン （Mo) およ ぴタングステン （W) からなる群より選ばれる少なく とも 1つの元 素である。 記号 Aおよび/または^を 2つ以上の元素で構成する場 合、それらの比率は任意である。） を含んでいることを特徴とする請 求の範囲第 15項に記載の積層体ユニット。
32. 前記誘電体層が、 化学量論的組成式： （B i 202) 2+ Am_xBm.
3m÷ 1) あるいは、 B i
Figure imgf000036_0001
で表わされる組成 を有するビスマス層状化合物 （記号 22は正の整数であり、 記号 ^4は、 ナトリウム （N a)、 カリウム （K)、 鉛 （P b) リウム （B a)、 ス トロンチウム （S r )、 カルシウム （C a ) およびビスマス （B i ) からなる群より選ばれる少なくとも 1つの元素であり、 記号 Hは、 鉄 (F e )、 コバルト (C o), クロム (C r )、 ガリウム ( G a ) チタン （T i )、 ニオブ （Nb)、 タンタル （T a)、 アンチモン ( S b)、 マンガン （Mn)、 バナジウム （V)、 モリプデン （Mo) およ ぴタングステン （W) からなる群より選ばれる少なくとも 1つの元 素である。 記号^ および Zまたは を 2つ以上の元素で構成する場 合、それらの比率は任意である。） を含んでいることを特徴とする請 求の範囲第 16項に記載の積層体ュニット。
33. 前記バッファ層が、 122= 3のビスマス層状化合物を含み、 前記誘 電体層が、
Figure imgf000036_0002
4のビスマス層状化合物を含んでいることを特徴と する請求の範囲第 17項に記載の積層体ュニッ ト。
34. 前記バッファ層が、 3のビスマス層状化合物を含み、 前記誘 電体層が、 /π = 4のビスマス層状化合物を含んでいることを特徴と する請求の範囲第 18項に記載の積層体ュニット。
35. 前記バッファ層が、 Λ2 = 3のビスマス層状化合物を含み、 前記誘 電体層が、 222 = 4のビスマス層状化合物を含んでいることを特徴と する請求の範囲第 19項に記載の積層体ユニット。
36. 前記バッファ層が、 22 == 3のビスマス層状化合物を含み、 前記誘 電体層が、 = 4のビスマス層状化合物を含んでいることを特徴と する請求の範囲第 20項に記載の積層体ユニット。
37. 前記バッファ層が、 = 3のビスマス層状化合物を含み、 前記誘 電体層が、 Λ2 = 4のビスマス層状化合物を含んでいることを特徴と する請求の範囲第 21項に記載の積層体ュニット。
38. 前記バッファ層が、 π = 3のビスマス層状化合物を含み、 前記誘 電体層が、 4のビスマス層状化合物を含んでいることを特徴と する請求の範囲第 22項に記載の積層体ュニット。
39. 前記バッファ層が、 3のビスマス層状化合物を含み、 前記誘 電体層が、 m = 4のビスマス層状化合物を含んでいることを特徴と する請求の範囲第 23項に記載の積層体ュニット。
40. 前記バッファ層が、 = 3のビスマス層状化合物を含み、 前記誘 電体層が、 = 4のビスマス層状化合物を含んでいることを特徴と する請求の範囲第 24項に記載の積層体ュニット。
41. 前記バッファ層が、 π = 3のビスマス層状化合物を含み、 前記誘 電体層が、 ζπ = 4のビスマス層状化合物を含んでいることを特徴と する請求の範囲第 25項に記載の積層体ユニット。
42. 前記バッファ層が、 = 3のビスマス層状化合物を含み、 前記誘 電体層が、 m= 4のビスマス層状化合物を含んでいることを特徴と する請求の範囲第 26項に記載の積層体ュニッ ト。
43. 前記バッファ層が、 π= 3のビスマス層状化合物を含み、 前記誘 電体層が、 m= 4のビスマス層状化合物を含んでいることを特徴と する請求の範囲第 27項に記載の積層体ュニット。
44. 前記バッファ層が、 m== 3のビスマス層状化合物を含み、 前記誘 電体層が、 4のビスマス層状化合物を含んでいることを特徴と する請求の範囲第 28項に記載の積層体ユニット。
45. 前記バッファ層が、 = 3のビスマス層状化合物を含み、 前記誘 電体層が、 n= 4のビスマス層状化合物を含んでいることを特徴と する請求の範囲第 29項に記載の積層体ュニット。
46. 前記バッファ層が、 3のビスマス層状化合物を含み、 前記誘 電体層が、 m= 4のビスマス層状化合物を含んでいることを特徴と する請求の範囲第 30項に記載の積層体ユニッ ト。
47. 前記バッファ層が、 = 3のビスマス層状化合物を含み、 前記誘 電体層が、 4のビスマス層状化合物を含んでいることを特徴と する請求の範囲第 31項に記載の積層体ュ-ッ ト。
48. 前記バッファ層が、 n= 3のビスマス層状化合物を含み、 前記誘 電体層が、 ιπ= 4のビスマス層状化合物を含んでいることを特徴と する請求の範囲第 32項に記載の積層体ユニッ ト。
PCT/JP2004/001841 2003-02-26 2004-02-18 電極層および誘電体層を含む積層体ユニット WO2004077562A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005502846A JPWO2004077562A1 (ja) 2003-02-26 2004-02-18 電極層および誘電体層を含む積層体ユニット

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/375,919 US6891714B2 (en) 2003-02-26 2003-02-26 Multi-layered unit including electrode and dielectric layer
US10/375,919 2003-02-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2004077562A1 true WO2004077562A1 (ja) 2004-09-10

Family

ID=32869064

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2004/001841 WO2004077562A1 (ja) 2003-02-26 2004-02-18 電極層および誘電体層を含む積層体ユニット

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6891714B2 (ja)
JP (1) JPWO2004077562A1 (ja)
WO (1) WO2004077562A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009260301A (ja) * 2008-03-26 2009-11-05 Tdk Corp 誘電体素子及びその製造方法
WO2010084711A1 (ja) * 2009-01-20 2010-07-29 パナソニック株式会社 圧電体薄膜とその製造方法、インクジェットヘッド、インクジェットヘッドを用いて画像を形成する方法、角速度センサ、角速度センサを用いて角速度を測定する方法、圧電発電素子ならびに圧電発電素子を用いた発電方法
US9954155B2 (en) 2015-10-01 2018-04-24 Samsung Electronics Co., Ltd Thermoelectric structure, thermoelectric device and method of manufacturing the same

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050108368A (ko) * 2003-02-27 2005-11-16 티디케이가부시기가이샤 고유전율 절연막, 박막 용량 소자, 박막 적층 콘덴서 및박막 용량 소자의 제조 방법
KR20050100700A (ko) * 2003-02-27 2005-10-19 티디케이가부시기가이샤 박막용량소자 및 그것을 포함한 전자회로 및 전자기기
KR100576849B1 (ko) * 2003-09-19 2006-05-10 삼성전기주식회사 발광소자 및 그 제조방법
JP2005108887A (ja) * 2003-09-26 2005-04-21 Kyocera Corp 可変コンデンサ
US7428137B2 (en) * 2004-12-03 2008-09-23 Dowgiallo Jr Edward J High performance capacitor with high dielectric constant material
JP2006196712A (ja) * 2005-01-13 2006-07-27 Toshiba Corp 薄膜素子の製造方法
JP2007095750A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Canon Anelva Corp 磁気抵抗効果素子
WO2009122916A1 (ja) * 2008-03-18 2009-10-08 京セラ株式会社 圧電磁器およびそれを用いた圧電素子
US8647737B2 (en) * 2011-09-30 2014-02-11 Uchicago Argonne, Llc Method for fabrication of crack-free ceramic dielectric films
DE102018206061A1 (de) 2018-04-20 2019-10-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Hochvolt-Kondensator zur Integration in elektrische Leistungsmodule sowie Verfahren zur Herstellung

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08335672A (ja) * 1995-06-05 1996-12-17 Sony Corp 強誘電体不揮発性メモリ
JPH10200059A (ja) * 1997-01-10 1998-07-31 Sharp Corp 強誘電体薄膜素子及びその製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5206788A (en) * 1991-12-12 1993-04-27 Ramtron Corporation Series ferroelectric capacitor structure for monolithic integrated circuits and method
US5248564A (en) 1992-12-09 1993-09-28 Bell Communications Research, Inc. C-axis perovskite thin films grown on silicon dioxide
US5426075A (en) * 1994-06-15 1995-06-20 Ramtron International Corporation Method of manufacturing ferroelectric bismuth layered oxides
KR100199095B1 (ko) 1995-12-27 1999-06-15 구본준 반도체 메모리 셀의 캐패시터 구조 및 그 제조방법
JP3193302B2 (ja) 1996-06-26 2001-07-30 ティーディーケイ株式会社 膜構造体、電子デバイス、記録媒体および強誘電体薄膜の製造方法
JP3195265B2 (ja) * 1997-01-18 2001-08-06 東京応化工業株式会社 Ｂｉ系強誘電体薄膜形成用塗布液およびこれを用いて形成した強誘電体薄膜、強誘電体メモリ
JP3472087B2 (ja) 1997-06-30 2003-12-02 Ｔｄｋ株式会社 膜構造体、電子デバイス、記録媒体および酸化物導電性薄膜の製造方法
US5994276A (en) 1997-09-08 1999-11-30 Mcmaster University Composite high Tc superconductor film
JP3549715B2 (ja) * 1997-10-15 2004-08-04 日本電気株式会社 Ｂｉ層状強誘電体薄膜の製造方法
US6096343A (en) 1997-10-27 2000-08-01 Gerhard Gergely Instant calcium/soybean granules, their use and process for their preparation
JP2001015382A (ja) 1999-06-29 2001-01-19 Kyocera Corp 薄膜コンデンサ
US6566698B2 (en) * 2000-05-26 2003-05-20 Sony Corporation Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory and operation method thereof
JP2003209179A (ja) 2002-01-15 2003-07-25 Fujitsu Ltd 容量素子及びその製造方法
JP4036707B2 (ja) * 2002-08-12 2008-01-23 三洋電機株式会社 誘電体素子および誘電体素子の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08335672A (ja) * 1995-06-05 1996-12-17 Sony Corp 強誘電体不揮発性メモリ
JPH10200059A (ja) * 1997-01-10 1998-07-31 Sharp Corp 強誘電体薄膜素子及びその製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009260301A (ja) * 2008-03-26 2009-11-05 Tdk Corp 誘電体素子及びその製造方法
WO2010084711A1 (ja) * 2009-01-20 2010-07-29 パナソニック株式会社 圧電体薄膜とその製造方法、インクジェットヘッド、インクジェットヘッドを用いて画像を形成する方法、角速度センサ、角速度センサを用いて角速度を測定する方法、圧電発電素子ならびに圧電発電素子を用いた発電方法
JP4524000B1 (ja) * 2009-01-20 2010-08-11 パナソニック株式会社 圧電体薄膜とその製造方法、インクジェットヘッド、インクジェットヘッドを用いて画像を形成する方法、角速度センサ、角速度センサを用いて角速度を測定する方法、圧電発電素子ならびに圧電発電素子を用いた発電方法
US7965021B2 (en) 2009-01-20 2011-06-21 Panasonic Corporation Piezoelectric thin film and method of manufacturing the same, ink jet head, method of forming image with the ink jet head, angular velocity sensor, method of measuring angular velocity with the angular velocity sensor, piezoelectric generating element, and method of generating electric power with the piezoelectric generating element
US9954155B2 (en) 2015-10-01 2018-04-24 Samsung Electronics Co., Ltd Thermoelectric structure, thermoelectric device and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2004077562A1 (ja) 2006-06-08
US20040166357A1 (en) 2004-08-26
US6891714B2 (en) 2005-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6876536B2 (en) Thin film capacitor and method for fabricating the same
WO2004077562A1 (ja) 電極層および誘電体層を含む積層体ユニット
JP6859805B2 (ja) 積層体、熱電変換素子
US6930875B2 (en) Multi-layered unit
JPWO2003021615A1 (ja) 薄膜容量素子用組成物、高誘電率絶縁膜、薄膜容量素子および薄膜積層コンデンサ
TWI234174B (en) Thin film capacitive element, and electronic circuit and electronic device including the same
US6977806B1 (en) Multi-layered unit including electrode and dielectric layer
US6958900B2 (en) Multi-layered unit including electrode and dielectric layer
WO2004077561A1 (ja) 電極層および誘電体層を含む積層体ユニット
WO2004077563A1 (ja) 電極層および誘電体層を含む積層体ユニット
US6788522B1 (en) Multi-layered unit including electrode and dielectric layer
JP2004165370A (ja) 電源ノイズ低減用薄膜コンデンサ
JP2006073685A (ja) 積層体ユニットおよび薄膜容量素子
US7067458B2 (en) Multi-layered unit including electrode and dielectric layer
TWI235390B (en) Thin film capacitive element, and electronic circuit and electronic device including the same

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2005502846

Country of ref document: JP

122 Ep: pct application non-entry in european phase