WO2004051370A1 - 転写マスクブランク、転写マスク並びにその転写マスクを用いた転写方法 - Google Patents

転写マスクブランク、転写マスク並びにその転写マスクを用いた転写方法

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WO2004051370A1
WO2004051370A1 PCT/JP2003/015327 JP0315327W WO2004051370A1 WO 2004051370 A1 WO2004051370 A1 WO 2004051370A1 JP 0315327 W JP0315327 W JP 0315327W WO 2004051370 A1 WO2004051370 A1 WO 2004051370A1
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transfer mask
transfer
pattern
blank
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Hisatake Sano
Morihisa Hoga
Yukio Iimura
Yuki Aritsuka
Masaaki Kurihara
Hiroshi Nozue
Akira Yoshida
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Dai Nippon Printing Co., Ltd.
Leepl Corporation
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Definitions

  • the present invention is a.
  • the present invention relates to a transfer mask blank for a transfer mask and a method using the transfer mask. Background technology
  • the pattern transfer using a photomask (also referred to as a reticle) with the ⁇ B ' ⁇ m position is the mainstream.
  • Waves used for the exposure are i-line (view 365 nm), KrF excimer laser light (Hagoro 248 nm), ArF excimer laser light (Hara 193 nm), F 2 laser beam, a 1 5 7 nm), the F3 ⁇ 4i: is achieved short field in order to.
  • the photomask consists of fiber and patterned absorbers, because it is a very high-transition material (including fluorine dope products).
  • the photomask blank which is in an outgoing state of the photomask, has M ′ absorbed on one side of the stone collection ⁇ a3 ⁇ 4.
  • the number of steps required is small. It is decided in consideration of securing the rigidity of the mask in the evening. Difficult, the outer shape of the photomask plank is »awake, and it is ridden by S ⁇ ⁇ ⁇ , including 6 inch, 7 inch or 9 inch ( ⁇ fP « l).
  • the outer shape of this photomask is a ⁇ ⁇ thickness of 0.25 inch with a 6-inch angle.
  • X-rays, polar « ⁇ fountains, or ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ are applied to a transfer mask (hereinafter simply referred to as a mask) as a pattern transfer pattern.
  • a transfer mask hereinafter simply referred to as a mask
  • X-rays represent waves of 0.5 nmltsm
  • anti-waves represent waves of 13 nm
  • traps represent electrons or ions.
  • the stencil membrane has a pattern of penetrating elements Lh provided on a self-bell m (hereinafter referred to as a membrane!).
  • a membrane! a self-bell m
  • the mask can be either a stencil membrane ⁇ i or; ⁇ membrane; ifit.In the membrane; i, a 2 ⁇ m-thick silicon film is used for the PREVAIL field transfer mask that has a ⁇ SL body with a pattern pattern on the membrane.
  • the stencil membrane consisting of) is used as a stencil membrane;), and is used as a 150-nm-thick silicon nitride (S i N x ) and f1 ⁇ 2L body as a membrane for the SCAL PEL
  • the membrane is made of a composite film consisting of 6 nm thick chromium (Cr) and 27 nm thick tungsten (W). ⁇ ! ⁇ In the formula, the mask is placed in opposition to ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ i ⁇ i ⁇ transfer magnification is 1/4.
  • the mask takes a stencil membrane; As a membrane, silicon charcoal (SiC) or silicon (Si) with a thickness of 0.3 to 0.5 micron is used.
  • the mask is placed so as to face the wafer on which the resist has been removed. L
  • the distance between the mask and the wafer is 50 forces, and 40 ⁇ m.
  • the thing is ⁇ ⁇ -like, but the thing of ⁇ 3 ⁇ 4 is also lucky.
  • the ⁇ , the mask can be either a stencil membrane ⁇ or: ⁇ membrane; i.
  • mask takes ⁇ Menpuren view, for example, silicon 2 microns thick as surface Ren ⁇ I * i Certainly (S i N ⁇ ), 0. 5 micron thick tantalum absorber (T a ) Is an example of strokes.
  • the mask is placed so as to face the resist-coated surface. The distance between the mask and the surface is 20 forces, 5 microns.
  • «3 is implicated in 20-5 O mm square.
  • the migrating region moves the transcription region;
  • FIG. 5, FIG. 6, and FIG. 7 show the job of the transfer mask according to the original IJ, focusing on the outer shape.
  • the examples shown in FIGS. 5 (a) and 5 (b) are a plan view (a) and a ⁇ (b) of a photomask.
  • the outer shape of the mask 10 itself has the shape of the silicon layer since the silicon layer is used for the mask 11.
  • a pattern of about 5 O mm square 6 is provided on the opening 13, and a hole pattern 14 is formed thereon.
  • the fiber 11 has a 4-inch or 8-inch fiber.
  • healing 1 1 A hot spring with an outer diameter of 4 inches is used.
  • the outer shape is 3 ⁇ 43 ⁇ 46, the difference between S ⁇ l 1 and S3 ⁇ 4l 1 with a hole pattern is omitted.
  • FIG. 5 (c) is an X-ray mask 20 and only a cross-sectional view thereof is shown.
  • the substrate 21 has a wafer shape, and the substrate 21 has the wafer shape.
  • the central part 22 there is provided a butterfly on the opening part 23, on which an absorber or scattering is performed and a 24 turn is applied.
  • FIG. 6 (a) and cross-sectional view (b) is an X-ray mask 3.
  • the central part 3 2 of the 3 ⁇ 43 ⁇ 431 is provided with a pattern « ⁇ on the opening 33 and absorbed on it. ⁇ , body or release. Evening-3 4 has been @ Fantasy
  • This curtain 31 is also chewed on a frame 35 provided with an opening 36 corresponding to the opening 33 by fraud.
  • the outer diameter of the fiber 31 is 4 inches, and the outer diameter of the frame 35 is 5 inches.
  • ⁇ 3 ⁇ 4 »5 shows an example. It has a key similar to this; it's a good example of a battery mask, ⁇ 1 ⁇ 6.
  • FIG. 7 is an X-ray mask 40, and the fiber 41 is an occupation, and a pattern is provided on the opening 43 in the central portion 42 of the hologram 41, and an absorber or birth, ° turn 4 4 is followed.
  • the fiber 41 is sleeping on a frame 45 provided with an opening 46 corresponding to the opening 43 at the angle ⁇ ⁇ .
  • the outer ⁇ 6 inch angle and the thickness of 5.82 mm, that is, 0.25 inch is added by adding the thickness of S3 ⁇ 4.
  • the size of the pattern fiber indicates that the mask fiber is 4 inch wafers and is ___.
  • the frame 354 is formed by fixing the mask 3 ⁇ 43 ⁇ 4 3141 to the frame 345, thereby increasing the Oka I ⁇ of the entire mask and increasing the mask collection. It has the function of assuring the pattern position by preventing the mask substrate from being clogged in step (i) and making the handling of the mask on the mask thighs and the transfer device a forehead.
  • a ⁇ current ⁇ mask such as Ji, a near-line mask, and a mask blank (hereinafter simply referred to as plank) before making those masks is as follows. Not from » but from 3 ⁇ 4 ⁇ 3 ⁇ 4 ⁇ 3 ⁇ 4 ⁇ in the blanks.
  • the plank is subjected to a resist pattern (eg, resist, electrode pattern, resist development rinse), etched, and a perforated pattern (see Fig. 5 (b)), or a P and a collector or separator.
  • ° Turn pattern see Fig. 5 (c)).
  • ⁇ is the image range of the present invention described later.
  • ⁇ is plantas: fi ⁇ 3 ⁇ 4
  • the photomask device Since the photomask is patterned by an optical fiber device, the photomask device cannot be used for the photomask.
  • the cassette ⁇ is a photomask blank and a Stez blank of the first class, and is drawn into a town called a cassette (also called a pellet). This is a method of drawing in a different state.
  • Cassette-less means that the photomask blank is placed in the laboratory and is ugly on the table. That is, no cassette is used: ⁇ .
  • cassettes ⁇ was mostly used in hot pot drawing machines, but nowadays, cassettes are no longer adept at ionizing IT equipment, and the flow of leaks is heading towards cassettes.
  • the reason is that the cassette-less camera is easier to control the photomask planner, and because it is the target of the photomask blank, it is easier to control the photomask blank, regardless of the cassette. This is from L ⁇ , who can easily obtain the ranking.
  • a photo mask electrode is shown as a mask blank in FIG.
  • ⁇ is to put WS® (hereinafter referred to as a pattern) within the focus range of the light. The details are described below.
  • FIGS. 8A and 8B are a plan view (a) and an ffl diagram (b) that schematically show the drawing of the mask blank 50 of FIG.
  • the photomask blank 50 at the European position on the tray in the drawing room of the photomask pot drawing device is arranged as shown in FIG. It should be noted that a force applied to the resist is not shown on the upper surface of the photomask plank 50.
  • a photomask blank 50 is a hemisphere 5 2 made of ruby, etc., made of three 5 1 5 ′′ ET® in a photomask electrographic device.
  • the top surface of the three hemispheres 52 (hereinafter referred to as points ⁇ ) is attached to the top of the photo at the time of drawing.
  • ⁇ PS which is the upper surface position of the mask blank 50.
  • the position of these three points, A is different for each photomask sir device maker, but is at a position 5 to 10 mm from the outer circumference of the photomask blank 50.
  • the heater is illuminated at the beginning of the photomask plank 50, the focal surface of the heater is a, and Have been male.
  • 3 ⁇ 4 surface The deviation from the electrode surface on which the photoresist is exposed causes the deterioration of the resist pattern image. Depending on the requirements, it is at most 10 to 30 microns.
  • a cassette is used; however, the cassette is provided with a photomask blank 50 as shown in FIG. Therefore, in the cassette drawing device, when the cassette is placed in the cassette room, the focal plane of the electric current is set to the above-mentioned value.
  • the pattern surface of the photomask blank 50 and the pattern surface of the photomask blank 50 in the drawing chamber of the photomask pan straightening apparatus are aligned on the same plane. More specifically, the outer periphery of the photomask blank 50 at the three points ⁇ is located at the center of the photomask blank. This is a function that can be ignored by the drawing correction to the pattern position, which can be ignored.
  • FIG. 9 is a schematic diagram of placing a blank 40 ′ for the mask 40 in FIG. 7 on a table in a drawing room of a photomask electrode device and performing a ⁇ drawing ⁇ . Note that the top of the blank 40 'is covered with a fountain resist. , Are not shown.
  • the pattern escape surface of ®P® and plank 40 ′ that is swirled at the three points A is the thickness d of the fiber 41 (including the thickness of the dependent layer depending on the age). Suitable, 0.4-0.6 mm) apart.
  • the focal plane of w is adjusted to this 3 ⁇ 4 ⁇ .
  • the focal plane of the electric power is changed based on the pattern ⁇ length ' If the surface is ii, it will not be humiliated if it is 0.3 mm JJI, and if the fiber 41 and the frame 45 are fixed to each other, The fact that the upper surface is kept at the TO with the upper surface of the frame 45 is «t? ⁇ , And as the upper surface force of 41 increases, the problem that the height of the pattern surface deviates from the focal range of the power is likely to occur.
  • the position of the photomask blank should be outside the photomask blank; Positioning and fixing ⁇ ⁇ ⁇ Positioning force for 1S positioning ⁇ As shown in Fig. 5 and Fig. 6 ⁇ ⁇ ⁇ Asahi masks for masks 10, 20 and 30
  • the positioning provided in advance in such a photomask electrographic apparatus cannot be performed, and thus the mask pattern cannot be drawn accurately on the center fiber of the blank. There is a question ⁇ . Disclosure of the invention
  • the present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and has as its object the purpose of using a vertical transfer mask, an XH transfer mask, and a conventional transfer mask for a photomask, for example.
  • the purpose of the present invention is to use a SIT device to improve the transfer mask blank and the transfer mask obtained from the transfer mask plank, which is good and can improve the mask pattern accuracy. Also, the present invention
  • the transfer mask blank of the present invention having the above object is provided by:
  • Another transfer mask blank of the present invention is located outside the screen, and has an opening at a substantially central portion thereof, and has an opening at a substantially central portion thereof.
  • the male who looks at the pattern at the moment is that the pattern «and its surroundings « are within the same «».
  • the total force or the total force can be the power of the old frame and the outline of the outline of the body.
  • the latter age, the position of the curtain and the frame, is determined by the transfer mask plank in the pattern drawing if device or in the cassette containing the transfer mask blank.
  • the transfer mask blank for Lh be a plank for an lf transfer mask or a blank for a hot spring transfer mask.
  • the transfer mask of the present invention is substantially a solid body, and an opening is provided at a substantially central portion of the S ⁇ f®, which corresponds to a so-called s opening at a substantially central portion of the tafeJ surface.
  • ⁇ x is provided with an absorber or scatterer of the mask butter, and has a ltitS / And a peripheral area around the same are in the same plane.
  • ⁇ the total force The force that is difficult ⁇ or the whole fiber and the frame of the outer shape it ⁇ body; Also, it is preferable to use the transfer mask of 3 ⁇ 4 ⁇ as a transfer mask or an X-ray or extreme key transfer mask.
  • the conversion method of the present invention An opening is provided in the approximate center.
  • a self-assembly that adds a pattern fiber to the so-called 3 opening in the approximate center of the afei surface.
  • the TUB mask pattern using a transfer mask located in the plane of the twill! Is the way.
  • the spring is a transferable spring transfer mask.
  • the transfer mask of a good and positive mask pattern can be removed. Therefore, it is possible to transfer such a high-resolution pattern of a transfer mask to a positive pattern.
  • FIG. 1 is a plan view (a) and a cross-sectional view (b) of an example of a stencil-type transfer mask according to the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view (a) and a cross-sectional view (b) of another example of the stencil-type transfer mask according to the invention.
  • FIG. 3 is a diagram showing a mask blank of the transfer mask of FIG. 1 and a process C of the mask.
  • Figure 4 shows a translation (a) and a figure of a wild goose (b) showing the mask blank for the transfer mask of Fig. 2 and the drawing job for the mask blank.
  • FIG. 6 A plain image (a) and a cut image (b) of the transfer mask of tt3 ⁇ 4 * [
  • FIG. 7 is a translation (a) and a (b) of the transfer mask of FIG.
  • FIGS. 8A and 8B are diagrams (a) and (b), each of which schematically shows a method of preventing the photomask blank from being hardened.
  • Fig. 9 shows the blank for the transfer mask shown in Fig. 7 ⁇ D] 3. It is a drawing C that is fixed on the table in the drawing room of the drawing device and performs drawing ⁇ .
  • FIG. 1 is a diagram (a) and a verb (b) of an example of a stencil-type transfer mask according to the present invention.
  • This mask 1 is provided with a pattern view 4 on the opening 3 in the center of the fiber 2 and the pattern view 4 is formed by a membrane m or # 3 having a through hole h with a pattern recess on the opening 3.
  • the outer periphery of the pattern 4 is covered with 2 peripheral fibers 5 for polishing the upper surface.
  • the stencil-type transfer mask 1 has an outline of the mask 1, and is configured so as to have a shape of “ ⁇ ” and a surrounding area of H3 ⁇ 45. Is used as a transfer mask for X-rays or for i-fountains.
  • Figures 3 (a) to 3 (d) show the blank process and Fig. 3 (e) to 3) show the mask process using the blank.
  • Fig. 3 (a) as an element 61, a 6-inch-wide, 6-inch-wide, 0.25-inch-thick body-shaped silicon crystal was used, and one side (battery area or other area) was used. (Hereinafter referred to as the surface).
  • a 0.4 micron thick silicon oxide layer b as an etch stop layer 62, and a 0.4 micron thick silicon layer 6 as a stencil layer thereon.
  • a substrate 60 having a 0.6 ⁇ m thick silicon oxide layer 64 formed thereon is subjected to ⁇ .
  • Such 60 is called SOI (Silicon On Insulator) fiber, and bonding can be performed by the SI MOX (Separa- tion by IMplanted OXygen) method.
  • SI MOX Silicon On Insulator
  • the internal stress of the silicon layer 63 on the surface is Dili by a boron bump method so that the tensile stress is 5 MPa or less. Further, it is assumed that the full-width portion of the hole 60 is appropriately cut.
  • the opening 3 (hereinafter referred to as the window 65 t3 ⁇ 4o) is measured until the thickness measured from the surface becomes 60 microns.
  • the window 65 t3 ⁇ 4o the opening 3
  • FIG. 3 (b) only one window 65 is shown, but it is also possible to use a piece of iron.
  • the silicon of age 61 left in the window 65 from ⁇ the silicon oxide layer 62 on the front side functions as an etch stop layer.
  • a method for silicon of the base material 61 remaining in the window 65 either raw etching or dry etching using a silicon oxide layer 64 as a mask can be used.
  • SF 6 hexagonal yellow
  • C 4 F 8 butane octafluoride
  • FIGS. 3 (e) to 3 (f) show a mask KT process using the plank 66.
  • FIG. 3 (e) a resist is spun on the surface of the plank 66, and the resist layer 67 is thinned.
  • a blank 66 formed on this surface with a resist layer 67 is placed on a table in the drawing chamber, and as shown in FIG. Of the three hemispheres 5 2 is lifted up from below by the ⁇ 5 3, and 11 ⁇ of the three hemispheres 5 2 are formed. Face ⁇ "" 3 ⁇ 4.
  • the plank 66 has a substantially fi ⁇ -shaped outer shape, similar to the photomask blank 50, the X-y position is determined by using the positioning network arranged in the drawing room of the photomask S-image apparatus.
  • the blank 66 can be accurately positioned so as to freely take the shape of the photomask blank. Therefore, the patterning electrode on the pattern
  • the exposed resist layer 67 is developed and rinsed to obtain a resist pattern 68 on the resist layer 67 on the window 65.
  • the resist pattern 68 is used as a mask to penetrate the surface membrane m through the silicon layer 63 by dry etching, and the resist pattern 68 is
  • FIG. 2 shows another example of a stencil-type transfer mask according to the present invention.
  • ⁇ There is an example ⁇ (a) and 8) ⁇ ®0 (b).
  • the mask 70 has a frame 2 in which a pattern 4 is provided on the central opening 3 and an opening 7 corresponding to the opening 3 is provided. It is a Nada that follows the 3 ⁇ 4B side of ⁇ Kankan 2, and pattern 4 of sickle 2 has a m3 # membrane m with a patterned through hole h above the opening 3.
  • the peripheral region 5 where the upper surface of the fiber 2 is located on the outer periphery of the pattern fiber 4 is disposed.
  • the outer shape of the mask 70 is substantially an asymmetrical body, and the outer periphery of the mask 70 is the same as that of the pattern area 4 and the surroundings thereof;
  • This stencil-type transfer mask 70 is used as a transfer mask for X ⁇ ffl or ⁇ .
  • the blanks for the stencil-type transfer mask 70 are the same blanks as in FIGS. 3 (a) to 3 (d) ⁇ : 66 (the transfer mask plank 66 in the difficult example in FIG. 1).
  • the frame 6 provided with the opening 7 is formed as a 3 ⁇ 4 (i), and is shown as a blank 80 in FIG.
  • FIG. 4 shows the stencil-type transfer mask 70 of FIG. 2: ⁇ , as described above, an opening 3 is provided at the center, and the tabletop is self-assembled for the paper 4
  • the drawing ⁇ for the fiber 2 provided with the male and male, the opening 6 corresponding to the opening 3, the frame 6 provided with the opening 6, and the blank 80 fixed to the force M is shown in a trial manner.
  • the pattern of the mask blank 80 and the periphery 5 are on the same plane.
  • the surrounding area 5 includes three lectures A that are lengthened at the top of a hemisphere 5 2 glipped into three 5 1 5® in the drawing room of the photomask electronic S image device. L
  • the plank 80 kneeled on the table in the drawing room in the drawing process is arranged as shown in FIG. 4.
  • the blanks 66 of the mask blank 80 and the frame 6 are located at the positions corresponding to the three reference points A. In the direction perpendicular to the BC®, it is followed by a “ ⁇ ”.
  • ⁇ As shown above, the fixing position B between the plank (S3 ⁇ 4) 66 and the frame 6 is determined by the blank @@ Alternatively, if the blank point is set to “ ⁇ ”, the force (moment) that moves the S3 ⁇ 42 relative to the frame 6 when the plank is @@ can be minimized. Inferior or poor pattern position accuracy due to the above can be avoided.
  • a mask plank 80 for controlling the stencil-type transfer mask 70 in FIG. 2 is applied to the iHiSiir device for photomasks.
  • the patterning resist layer on the blank 80 window (consisting of the window 65 and the opening 7) is precisely focused on the resist for drawing.
  • it is possible to draw accurate and high-precision mask patterns it is possible to draw accurate mask patterns.
  • a peripheral fiber is defined as a fiber including, for example, a fiber in contact with a drawback of w in a drawing room of a drawing IT device.
  • the fresh point of Kenya is 3 to 6 ⁇ at a position 5 to 10 mm away from the circumference of the fiber. It is not that the entire circumference is the surrounding «, but the 3 « to is the 6 »3 ⁇ 4tt's 113 ⁇ 4.
  • the direction of the blank is not specified, and it is 90 degrees, 180 degrees about 10 times
  • ⁇ is 4 sides (d ⁇ is the power to specify the peripheral view.
  • ⁇ ⁇ feJ such as ⁇ ⁇
  • ⁇ ⁇ is approximately in the middle of the surface ⁇ ⁇ Battery fibers, peripheral fibers, and the transfer mask blank in the plane of the power cavity, and the transfer mask made from it are SR ⁇ ® excluding the pattern H3 ⁇ 4 and the peripheral fibers.
  • ⁇ ⁇ may be reduced to Ufl, for example.
  • the depth of the recess is about 10 microns BLh. The lack of a deeper depth means that the resist method used in the photomask of thorns, that is, the method cannot be used. When the resist is ⁇ ?
  • the peripheral fibers may be cut away from the pattern.
  • the outer shape of the frame consisting of ⁇ S ⁇ and the frame is not the same as that of NIST, and may be L with no corners, etc., and may be smaller in size.
  • the present invention is applicable not only to the transfer mask for X-rays and pole masks, but also to the PREVAIL electrode transfer mask. If the pattern can be made smaller, 6 inch NIST « ⁇ transposition becomes possible. For those who are not, 7-inch or 9-inch photomasks are preferred because of their ability to reverse NIST nuances. A 7-inch or 9-inch blank can be drawn Photomasks are available because there are already ionization devices for photomasks.
  • the outer shape of the transfer mask blank is a substantially rectangular parallelepiped, and the substantially central pattern area and the peripheral area are on the same plane. If Izumi transfer mask, X-ray transfer mask, and Izumi transfer mask can be used to tilt the transfer mask of the mask pattern with high and high efficiency using, for example, an electrophotographic S-apparatus for photomask o With such a force, it is possible to transfer an accurate and high-quality pattern to the forehead from such a transfer mask.

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Description

明 細 書 転写マスクブランク、転写マスク並びにその転写マスクを用いた転 法
技 術 分 野 .
本発明は、
Figure imgf000003_0001
スク、転写マスクブランク並びに転写マスクを用いた転 法に係わるものであ り、特に、避電 写マスク、転写マスクプランク並びに転写マスクを 用いた転 法や他の 立子、 X線ある ヽは 用の転写マスクのため の転写マスクブランク並びにその転写マスクを用いた転 法に係わるものであ る。 背 景 技 術
回隱置の のリソグラフイエ程においては、 ^B'^m 置によるフォトマスク （レチクルとも ま、れている。 )を用いたパターン転 写が主流である。その露光に用いられる 波は、 i線（觀 3 6 5 nm)、 K r Fエキシマレ一ザ光（波艮 2 4 8 nm)、 A r Fエキシマレ一ザ光（波良 1 9 3 nm)、 F2 レーザ光 , 1 5 7 nm)であり、 を f¾i:させるため短 画 図られている。 これらの 1»波に対して (フッ素ド一プ品を含む。 )のような非常に翻生の高い材料か^^るため、 フォトマスクの職は 纖とパターン化された吸収体とからなるのが である。つまり、 フォトマス クを «する 出^^態であるフォトマスクブランクは、石集 ¾a¾の片面に吸 収 ^ 1されてなるのが M 'ある。 この齢、石 »上記の露;) fefeに财る 吸収應非常に小さい （つまり、透明†4 ^非常に高い）ので、纖の厚さに対 する吿喲は少なく、 フォトマスクブランクの外形は、必要な/、。夕一ン«¾びマ スクの剛性の確保を考慮して決められている。難、 フォトマスクプランクの外 形は »醒でぁり、 6インチ、 7ィンチ乃至は 9ィンチの も含め S ΕΜ Ιにより 匕されている （^ fP«l )。 の¾«フォトマスクの 外形は 6ィンチ角の ϊΕ¾η厚さ 0. 2 5ィンチである。
ί紘 ^^回離置の観のリソグラフイエ程においては、パターン転 写の雜として、転写マスク （以下では、単にマスクと呼ぶ。 ) に X線、極 « ^泉又は^ ¾立子を,射し、マスクを した X泉、極 泉又は^ H立^ マスクパターンに応じた? によってレジストを ϋ¾させる方法がある。 ここで
、 X線は-腹 0. 5 nmltsmの 波、極 «繼は »1 3 nmの載波、荷 ¾立子は電子又はイオンを意味する。
これらの: H、極 又は; ^立子に対しては、 フォトリソグラフィで使 用される 1»波における： 5»ような菌 f生の高い材料は;^しない。 したがつ て、そのマスクの; ftiiは、 これらの X線、極 ΪΪ» 泉又は 立子に対して、 ス テンシルメンブレン; f^ と メンプレン; li と呼 をとる。ステンシルメ ンプレン とは、図 5 (a)、 (b) に示すように、 自己 鐘 m (以下、 メンブレンと! ^る。） にパターン状の貫通子 Lhを設けた である。 fe¾"、連 続メンブレン; li とは、図 5 (c) に示すように、 メンブレン mにパターン伏の 吸収体又は舰体 aを設けた離である。
1 0 0 k e Vという高工ネルギ一の電子を用いる^！ ¾¾¾には、 P REV A I L (^ fi¾2) と、 S CAL P E L (^ t許; «3 ) と力ある 。 マスクは、 ステンシルメンブレン^ i と;^メンプレン; ifitの何れもとり得る なお、 メンプレン; i では、 メンブレン上にパターン伏の ¾SL体を有する P RE VA I L用電 泉転写マスクでは、 2ミクロン厚のシリコンからなるス テンシルメンプレン;) fi^辞 されており、 S C AL P E L用電 泉転写マスク では、 メンブレンとして 1 5 0 nm厚のシリコン窒ィ匕物（S i Nx )、 f½L体と して 6 nm厚のクロム （C r) と 2 7 nm厚のタングステン （W)からなる複合 膜を採用した メンブレン^^?瞎されている。 これらの電^^!^ 式では、マスクは ¾ ^電 ¾ ^系 ¾ ^してレジストを魏したゥェ一八と対向し て配置させら その転写倍率は 1 / 4倍である。
2乃至 5 k e Vというィ ネルギ一の電子を用いるィ
式（^ 許: ¾#4)では、マスクはステンシルメンプレン; をとる。 メンプレ ンとして 0. 3乃至 0. 5ミクロン厚のシリコン炭ィ幽（S i C)やシリコン （ S i )力辞 g ^されている。マスクはレジストを脑したゥヱーハと対向して避 させて配置させら l マスクとゥヱ一ハとの間隔は 5 0力、ら 4 0ミクロンである 極 泉を用いる転¾¾では、マスクは をとるのが^ δ的であるが 、 ϋ¾のものも幸瞎されている。 その^、マスク は、 ステンシルメンブ レン^ と:^メンブレン; i の何れでもあり得る。
X線転¾¾では、マスクは纖メンプレン観をとり、例えば、 メンブ レンとして 2ミクロン厚のシリコン窒ィ *i勿（S i N∑ )、吸収体として 0. 5ミ クロン厚のタンタル（T a) を撫した例か ¾ ^されている。マスクはレジスト を^したゥヱ一ハと対向して させて配置させら マスクとゥヱ一ハとの 間隔は 2 0力、ら 5ミクロンである。
なお、避 X線転 ¾¾0^腿電¾^¾1^¾¾¾における転写倍率は
、 1倍である。 したがって、パターン観には、転写されるべき^ H«回路 が 1敏は数個が 置される。多数を配置すると、一度に転写できる 回路が増え、鐘 する力 大きな のメンブレンを有するマスクでは
、パターンの位置精度カ 化するという困纖じるので、パターン観の大きさ
«3 は 2 0〜5 O mm角に帝喲される。 ゥヱ—ハでの転写では、遊欠、転写領 域を移動させる; ¾¾¾¾¾されている。
マスク ¾¾、ら見た^、 XH¾ ¾¾用マスク （以下、 泉マスク と呼 ) と 16¾電¾1¾«1^¾5¾用マスク （以下、 電^泉マスクと 呼ぶ。 ) は類似の職を有しているので、以下の籠侖では、 をまとめ う 碰 X線マスクにおける吸収!^、 °ターンと避電 マスクにおける誕し体と 力対応することに留»ると、パターン繊を除けば、一方の職は、額に他 方の^ とし し得るものである。
ここで、賺 IJによる転写マスクの職を、外形に着目して、図 5、 図 6及び 図 7に示す。図 5 (a) 、 (b) に示す例はヽ 電 マスクの平面図 (a) と βΒΙ (b)である。 このマスク 1 0自体の外形は、 ¾¾ 1 1にシリコンゥェ を用いているため、 シリコンゥェ一 の形状である。基仮 1 1の中央部 1 2 には開口部 1 3の上に約 5 O mm角のパターン «6設けら その上に穴開き パターン 1 4力研城されている。纖 1 1は、 4インチないしは 8インチウ ハの纖を有している。実際上癒 1 1外径が 4インチである碰電 泉マス クカ されている。なお、上記の説明においては、外形に ¾¾6¾ゎれている ので、穴開きパターンをな^^才と S¾l 1の との異同の議侖は略されてい る。
図 5 (c) に示す例は、 ¾¾X線マスク 2 0であり、その断面図のみを示すが 、基板 2 1はゥェ一ハ形伏で、 そのゥェ一ハ形伏の基板 2 1の中央部 2 2には開 口部 2 3の上にバタ一ン令應設けら その上に吸収体又は散乱 、°ターン 2 4力 されている。
図 6に 図（a) と断面図 (b) を示す例は、避 X線マスク 3。であり、 纖 3 1はゥェ一ハ職で、図 5 ( c)の と同様に、 ¾¾ 3 1の中央部 3 2 には開口部 3 3の上にパターン « ^設けら その上に吸収体又は離し Φ、。夕 —ン 3 4が @»されている。 この簾 3 1が同じく « ^ ゥヱーハ开欺で開口 部 3 3に対応する開口部 3 6が設けられたフレーム 3 5に瞻されている。纖 3 1外开 4インチ、 フレーム 3 5外形が 5ィンチのものが、 N I S Τ»とし て夫遍匕されている。 ^¾» 5にィ懷例があげられる。 これと類似の鍵を 有する;^電 泉マスクの «例力、 ^ 1^ 6に幸瞎されている。
図 7の例は、避 X線マスク 4 0であり、繊 4 1はゥ ヽ職で、 ¾¾ 4 1の中央部 4 2には開口部 4 3の上にパターン 設けら その上に吸収体 又は誕 、°ターン 4 4が隨されている。 この纖 4 1が角开狱で開口部 4 3 に対応する開口部 4 6力設けられたフレーム 4 5に睡されている。同様に、低 速電 ¾1マスクにお L、て、 4インチ、厚さ 0. 5 2 5 mm、 フレーム 外^^ 6ィンチ角で厚さが 5. 8 2 mmのものが、つまり、 S¾の厚さを加えて 0. 2 5インチとなるもの力 されている。
Uiの例では、パターン繊の大きさから、マスク繊としては、 4インチウ ハで ·_ ^であることカ纷かる。 図 6 2及び図 7の¾*^) 3において は、 フレーム 3 5 4 5は、マスク¾¾3 1 4 1をフレーム 3 5 4 5と固着 することによって、マスク全体の岡 I胜を高め、マスク集 ¾i 程におけるマスク基 板の «を防止することによるパターン位贿度の確級びマスク腿や転写装 置内でのマスクの取り扱いを額にする働き力ある。
図 5の ¾WU1において、 ¾¾ 1 1 2 1として 8インチサイズのゥェ —ハ赚を観するのは、纖 1 1 2 1の外形を大きくすることで、パターン H¾¾ ^の^にフレームと同じ働きをさせること、及び、 P REVA I L用電 転写マスクの外？^^ 8ィンチサイズのゥェ一、職であるため、避電 マスクに対しても同じ職を翻することで、 S¾i¾置の細化を図れる利点が あるからである。
なお、 Jiのような ^電^泉マスク、近 線マスクとそれらのマスクを作 る前のマスクブランク （以下では、単にプランクと呼ぶ。 ) の藝について 説明すると、 ® β¾階でのマスクは、 »からではなく、 ブランクスとい う中 ¾Ι¾ω¾πから力 ΡΙされる。 プランクに対し、 レジスト籍（例、 レジス ト»、電 ¾¾s画、 レジスト現像'リンス）、エッチングを施して、穴開きパ ターン （図 5 (b)参 )、又は、 P及収体又は離 ヽ°ターン （図 5 (c)参照 )のパターン腿を形 β ^る。 ブランクから力 ΡΙ^始まらず、力 ΠΊΙΰΜ^職し ても、マスクの として同じもの力■される：^は、後記する本発明の文像 範囲となる。 した力つて、マスクの; ^は、 プランタスの： fi^として ¾|¾される ので、以下には、 ブランクス職を ¾ る。
瞻想 1〕
特開 2 0 0 2 - 2 9 9 2 2 9号
〔特許 2〕
特»8— 3 0 6 6 1 4号 難許 «1〕
SEMI Pl-92: Specification for Hard Surface Photomask Substrate s
赚 «2〕
圧 C. Pfeiffer, Journal of Vacuum Science and Technology B17 p .2840 (1999)
騰; «3〕
L. R. Herriott, Journal of Vacuum Science and Technology B15 p .2130 (1997)
難許 〕
T. Utsumi, Journal of Vacuum Science and Technology B17 p.2897
(1999)
贿許細 5〕
Y. Tanaka他 Proceedings of SPIE 4409 p.664 (2001) 赚 6〕
K. Kurihara他 Proceedings of SPIE 4409 p.727 (2001) し力、しな力ら、図 5の¾*^| 1及び図 6の ¾*^| 2のブランクでは、 规であるために、転写マスクの搬における工程、例えば電 ^離画工程、 ド ライエッチング工程、異物 ι«Γ程、欠陥^:程、 ^¾電子显 による寸 據懒江程にお L、て、 フォトマスク 置を删し難いという欠 がある。 も し、 フォトマスク^ i¾置を翻できれば、嫌的な凰害及び経済 δ カ果は大き い。特に電 離画工程において、 この利点は大きい。
フォトマスクは、電 繊 装置でパターン描画されるため、 フォトマスク用 装置はフォトマスク用に ί匕さ^ フォトマスク开 の纖では離度な描 画ができなくなつている。
Figure imgf000008_0001
、一つはカセット^であり、 もう一つはカセットレス である。 カセット^;とは、 フォトマスクブランク及びゥヱ一ハ开狱の Stezブランク に対して、描 でカセット （ペレツトとも呼ぶ。 ) という街 に し て、 カセットごと描画室に ¾λ出し、 カセットに Sl¾された优態で描画を行う方 式である。
カセットレス とは、 フォトマスクブランク力 画室に ®«tされ 、テーブル上の醜麵で歐される つまり、 カセットを用いない:^で ある。
過去には、 カセット^^ほとんどの電 鍋画装置 τ¾¾されていたが、今 では、 カセット: の電 離 IT装置の顧カ沙なくなり、漏の流れは、カセ ヅトレス へと向かっている。理由は、カセットレス; の方が、 フォトマス プランクの' 御がやさしく、かつ、 に @¾された »フォトマスブ ランクの^ 的であるため、 カセットの によらず、安 ¾ή勺かつ高いパ タ一ン位 度を得やす Lヽからである。
フォトマスク用電 ¾¾S画装置 能な形^ ©マスクブランクとして、図 7の の m ^键されている。 ただし、 このブランクに対しフォトマス ク用電 画装置を用いようとすると、 WS® (以下、パターン と称 する。 ) を電 の焦 範囲内に収めるのが瞧であるという問駒 ずる。以 下で、 この点を詳しく述べる。
以下では、 カセットレス^;の描画装置での 1例をあげる。図 8は、 のフ 才トマスクブランク 5 0に财る描画 を^ ζ的に示した平面図 (a) と ffl腼 図（b)である。 フォトマスク用電 鍋画装置の描画室内のテ一カレ上の歐 位置におけるフォトマスクブランク 5 0は図 8のような配置になる。 なお、 フォ トマスクプランク 5 0の上面には電 ^泉レジスト力 されている力、図示を略 している。
この例では、 フォトマスクブランク 5 0は、図 8に示すように、 フォトマスク 用電^ ¾¾S画装置内の 3本の 5 1の 5"E¾T®に されたルビ一等からな る半球 5 2に下方から持ち上げ麵 5 3によつ Τί甲し付けら 3つの半球 5 2 の頂 （以下で 点 Αと る。）カ岍 る面が、描画時におけるフォト マスクブランク 5 0の上面位置を する^ PSとなる。 この 3つの ®点、 Aの 位置は、 フォトマスク用 ¾¾sir装置のメーカ毎に異なるが、 ®t、 フォトマ スクブランク 5 0の の外周から 5〜1 O mmの 1¾ϋの位置にある。 このフォ トマスク用電 ¾¾面装置を用いて、 フォトマスクプランク 5 0のパ夕一ン« に電 ^泉を照 ji る^、電 泉の焦^面は a 、上記の awに ~»るよう 雄されている。 フォトマスクプランク 5 0のパターン ||¾面（電 レジスト が »された上 の電 ¾¾ 面からのずれは、 レジストパターン像の劣化を 生じさせる。雜される難上のずれは、文像パターンの要^ によって異 なるが、せいぜい 1 0乃至 3 0ミクロン «である。
カセットを用いる;^でも、カセットには、図 8に示すものと同様にフォトマ スクブランク 5 0を歐し、 を夫旋する 壩えられている。 したがつ て、カセット の描画装置では、 カセットカ 画室内に されたときには、 電 の焦^面〖*® 、上記の に^ るよう されている。
このように、 フォトマスク用電 鍋直装置の描画室内の S«とフォトマス クブランク 5 0のパターン 面は、同一平面に誠されている。なお、 より詳 しくは、外周 3点 ^されたフォトマスクブランク 5 0の はその中央部 力自 ¾ ^球面伏に^ j、ことになる力 そのパターン激面での撓みの大きさは理 論的に予 ¾1 ^能であり、そのパターン位 ©it度への寄 描画 補正により無 視できる键に小さくできる。
このような配置で描画前に れる高さ計 !|¾置では、図 8 (b) に示すよう に、パターン令遞面の高さ力 症される。図 8 (b) には、 2組のレーザ 光 5 4 !、 5 4 2をパターン掘面に斜めに照射して、励した光を図示しない 2 の C C Dラインセンサ一 る ¾5ζを示している。 この言十測によつて/、。夕 —ン H¾面の §βからの高さ力夫! ¾値（例えば 2 0ミクロン） を默る： ^に は、描画を中止するように^ ¾する例もある。
図 9は、 図 7の のマスク 4 0用のブランク 4 0 ' を、 フォトマスク用 電 ^^^sir装置の描画室内のテーブル上に 置し τ¾画 βをする 模 式図である。なお、 ブランク 4 0 ' 上面には電 泉レジストか ¾φされているが 、図示を略している。 ここで、 3つの卿点 Aでま旋される ®P®とプランク 4 0 ' のパターン令避面は、繊 4 1の厚さ d (齢によっては、據層の厚さを 含"? K適、 0. 4〜0. 6 mm)だけ離れている。
次に、 カセット¾¾の描画装置のおける、上記とは別のカセット職の例をあ げる。 この例のカセットでは、図 8における 3組の 半球、持ち上げ嫌 の ^りに、左側 1列で 3組、右側 1列で 3組、計 6組の @m半球、持ち上 げ麵を^ 3。 これらは周 ¾6、ら 5〜1 O mm離れた位置にある。 このカセット に醜されたフォトマスクブランク 5 0の纖は自重により円筒伏に 、ことに なるが、そのパターン llllffiでの撓みの大きさは SI ^的に予呵能であり、その パターン位離度への豁を描画の捕正により謹できる禾 に小さくできる。 ちなみに、 この例での は ~g的ではなく、； && 6個の半球の に接する 曲面となる。先 ίこ述べた例での はこの例でも成り立つ。
上記したように、 のフォトマスクブランク描画のための配置では、 w の焦 面はこの ¾βに合わせてある。 図 7の ¾*^J 3のマスク 4 0用のブラン ク 4 0， に対しては、パターン β¾さ' W に基づき、電 の焦 面を薩 し "dS画するのである力、電 の焦 、面が ii の である から 0. 3 mm JJIれると、高い I«t度カ辱られないという。 ある。 また、纖 4 1とフレーム 4 5とを固着させた形態において、 ¾¾ 4 1の上面がフレーム 4 5 の上面と TOに保たれることは «t?、 ¾¾ 4 1の上面力頃くことによりパター ン 面の高さ力電¾の焦 範囲からはずれるという問題も生じやすヽ。 さらに、 フォトマスク用電 離 IT装置においては、 フォトマスクブランクの Sfe^ 角型であることを識にして、テ一プル上の ― y座 由にフォトマ スクブランクの外;^ ) になるように位置決めして固 ¾1S置する位置決め β をとっている力 図 5や図 6に示すように 开 旭のマスク 1 0、 2 0、 3 0用のブランクに描画する場合は、そのようなフォトマスク用電 画装置に 予め備えられた位置決め えず、 したか、つて、 ブランクの中央部のハ°ター ン繊に正確にマスクパターンを描画することができないという問^^ある。 発 明 の 開 示
本発明ば従 の上記の問^に鑑みてなされたものであり、 その目的は、 電^!^の 立 ¾転写マスク、 XH転写マスク、和ί»¾Ι転写マスクを既 例えばフォトマスク用電 ^ SIT装置を用い τ¾ ^良く、かつ、マスクパタ ―ンのカ Π 精度を改善して すること力できる転写マスクブランクとその転写 マスクプランクから «した転写マスクを «することである。 また、本発明は
、 そのような転写マスクを■した転写方法を することを目的とする。 上記目的を する本発明の転写マスクブランクは、
Figure imgf000012_0001
あり、力、つ、その 面の略中:^ Dパターン n¾と周辺繊とが同一平面内に あることを »とするものである。
本発明の別の転写マスクブランクは、簾の外 ^ Β^τ'あり、力、つ、そ の の略中央部に開口部が設けら 面の略中央部の備3開口部に 対応した »にパターン観を る自己 雄が さ そのパターン «とその周辺の周辺 «とが同一 «内にあることを »とするものである。 これらにおいて、全 で «されている力 \ あるいは、全体力舊と外 略訪体のフレームで さ tu ¾δ醜されているものとすること力で きる。
後者の齢、簾とフレームとの歐位置が、パターン描 if装置内における、 又は、転写マスクブランクを収容するカセットにおける転写マスクプランク g¾
«の»点に ること力 ましい。
また、 Lhの転写マスクブランクは、 lf立子転写マスク用のプランク、 ある いは、 は極 ¾»¾泉転写マスク用のブランクとすることカ ましい。 本発明の転写マスクは、 の外^^略 ϋ¾体であり、かつ、その S^f®の 略中央部に開口部が設けら t afeJ面の略中央部の謂 s開口部に対応した にバタ一ン繊を る自 Ξ ^譲 さ 謂 3自己娥纏にマスク バタ一ンの貫通 ¾xはマスクバタ一ンの吸収体あるいは散乱体が設けれられてお り、 ltitS/、°ターン領 I或とその周迈の周辺領域とが同一平面内にあることを と するものである。 この；^、全体力 難されている力 \ あるいは、全体カ纖と外开 略 it^体のフレームで； «さ されているものとすること力できる。 また、 ·¾±の転写マスクは、欄立子転写マスク、 あるいは、 X線又は極鍵 転写マスクとして用いること力 ましい。
本発明の転 法は、
Figure imgf000013_0001
略 中央部に開口部が設けら afei面の略中央部の謂 3開口部に対応した に パターン繊を«^る自己娥讓 さ t 備 3自己幾纏にマスクパ 夕―ンの貫通? はマスクパターンの吸収体ある 、は 設けれられており
、 tO!H^夕一ン繊とその周辺の周辺繊と力洞一平面内にある転写マスクを用 い TUBマスクパターンを欄立子又は X線又は極 泉を用いて転写するこ とを とする方法である。
本発明においては、纖の外开 略 Β¾体であり、力つ、その 面の略中 パターン働と周辺繊と力洞一平面内にあるので、欄立 泉転写マスク
、 XH転写マスク、和 泉転写マスクを ¾ί?©例えばフォトマスク用電 泉 描画装置を用いて、 ¾W良 かつ、正 ¾ '高赚のマスクパターンの転写マス クを m¾すること力 <できる。 したがつて、 このような転写マスクカヽら正 s e高解 像のパターンを^に転写すること力できる。 画の簡単な説明
図 1は本発明によるステンシル型転写マスクの 1 例の平面図 (a) と断面 図（b) ある。
図 2 発明によるステンシル型転写マスクの別の 例の平面図 (a) と断 面図 (b) ある。
図 3は図 1の »例の転写マスクのマスクブランク及びマスクの ¾ C程を示 す図である。
図 4は図 2の転写マスク用のマスクブランクとそのマスクブランクに対する描 画職をネ試的に示す平翻 (a) と仰雁図 (b)である。
図 5ば^ ¾ 1の転写マスクの sp®図 (a) と断面図 (b)、その^^の断 面図（C )である。
図 6 tt¾* [| 2の転写マスクの平画 (a) と断画 (b)である。
図 7 t¾»J 3の転写マスクの平翻 (a) と麵図 (b)である。
図 8はフォトマスクブランクの固^ び寄さ計 ¾防法を^的に示す « 図（a) と (b)である。
図 9は図 7 <D ] 3の転写マスク用のブランクをフォトマスク用電子！ 画 装置の描画室内のテーブル上に固 ¾E置して描画 βをする^ C図である
発明を するための の形態
以下に、本発明の転写マスクとその転写マスクを するための転写マスクブ ランクを 例に基づい 明する。
図 1は、本発明によるステンシル型転写マスクの 1 例の ¥®図 (a) と断 翻 (b) ある。 このマスク 1は、繊 2の中央部の開口部 3上にパターン観 4力設けら そのパターン観 4には、開口部 3の上にパターン伏の貫通孔 h を設けたメンプレン mか ¾3#されており、パターン «4の外周に 2の上面 力研 ¾¾ る周辺繊 5か丽されている。そして、マスク 1の外形は略 体で あり、かつ、 ヽ "夕一ン観 4と周辺 H¾ 5力洞一平 ® になるように、 に構 成されてなるものである。 このステンシル型転写マスク 1は、 X線用又は纏立 i泉用転写マスクとして用いられる。
この雄例の転写マスク 1のィ懷例を説明しながら、 この難例の転写マスク 1に用 I、る転写マスクブランクを説明する。
図 3 (a)〜（d) にブランクのィ «r程を、図 3 ( e)〜 ） にそのブラ ンクを用いたマスク Ml程を示す。図 3 (a) に示すように、謝 6 1として 、外 6インチ、横 6インチ、厚さ 0. 2 5ィンチの 体の職晶シリコ ンを採用し、その一面（バタ一ン領或となる »を含む面。以下、表面と称する )の上にエッチストップ層 6 2として 0. 4ミクロン厚のシリコン酸ィ b 、そ の上にステンシル層として 0. 4ミクロン厚の雜晶シリコン層 6 3を形成し、 その表面の^ t側の面（以下、 asと称する。） には 0. 6ミクロン厚のシリコ ン酸ィ匕層 6 4を形成してなる基板 6 0を βする。 このような 6 0は S O I (Silicon On Insulator)纖と呼ば 貼り合わせ叙は S I MOX (Separa tion by IMplanted OXygen)法によって ¾¾できる。 なお、表面のシリコン層 6 3の内部応力は、例えば、 ボロンド一プ法によって、 には、 5 MP a以下の 引っ張り応力であるように Diliされているものとする。 また、 この ®¾ 6 0の全 角部は適切に ®¾りされているものとする。
このような 6 0を用いて、 まず、図 3 (b) に示すように、 ¾®から ¾ 力旺法（ IWmi)又は超昔皮細蛀により、開口部 3 (以下では、窓 6 5と t¾o ) に対応する を表面から測った厚さが 6 0ミクロン纖になるまで ^する。 この図 3 (b)では、窓 6 5は 1個しか図示していないが、ネ鐵個を 开 ることも可倉である。
次に、図 3 (c) に示すように、 βから窓 6 5に残つ 才 6 1のシリコン を [^する。 この際、表面側のシリコン酸ィ匕層 6 2はェッチストップ層として働 く。窓 6 5に残つた基材 6 1のシリコンの 法としては、 のシリコン酸 ィ k¾ 6 4をマスクとした ¾†生エッチング又はドライエッチングを用いることが できる。 ¾ ^生ェッチングは 9 0 °Cの水酸化力リゥム水赚によつて、 ドライエ ツチングは六フツイ ¾黄 (S F6 )ガスによるエッチンク L程と八フッ化ブタン (C4 F8 )ガスによる側壁^ X程を相互に繰り返す B o s c h法によって可 能である。
最後に、図 3 (d) に示すように、 ¾¾6 0の麵から、謹フツイ 素酸（ フツイ 素酸とフッ化アンモニゥムとの? を用いて、エッチストップ層 のシリコン酸ィ 6 2と ¾®のシリコン酸ィ匕層 6 4を する。 この形^^、転 写マスクプランク 6 6である。 なお、図 3 (c)の段階（シリコン酸ィ til 6 2、 6 4力 つた段皆）の开態も転写マスクブランクとして^ ffi可倉である。
次いで、図 3 (e)〜（f ) にそのプランク 6 6を用いたマスク KT程を示 す。 まず、図 3 (e) に示すように、 プランク 6 6の表面にレジストを回^ φ し、 レジスト層 6 7 嫩る。次に、 フォトマスク用電 鍋画装置を用いて 、図 8のフォトマスクブランク 5 0の代わりにこの表面にレジスト層 6 7 ¾ ^成 したブランク 6 6をその描画室内のテーブル上に配置して、図 8に示すように、 描画室内の 3本の g« 5 1の に g!¾された半球 5 2に下方から持ち上 げ β 5 3によって ί甲し付け、 3つの半球 5 2の 11^が形成する^ ®とレジス ト層 6 7の面^"" ¾させるようにする。 また、 プランク 6 6の外形は、 フォトマ スクブランク 5 0と同様に略 fi^体であるため、そのフォトマスク用電 ¾¾S画 装置の描画室内に配置された位置決め灘を利用して X— y座機由にフオトマス クブランクの外形 になるようにブランク 6 6を正確に位置決めすることが できる。 そのため、 ブランク 6 6の窓 6 5上のパターン ||¾のレジスト層 6 7に 描画用の電¾ ^正確に焦^が合 L、、かつ、正確な位置に ること力《できる ので、正 ¾ '高! ^のマスクパタ―ンを描画することができる。
そのようなマスクパターンの描画の後、露光済みのレジスト層 6 7の現像、 リ ンスを経て、窓 6 5上のレジスト層 6 7にレジストパターン 6 8を得る。最後に 、図 3 (f ) に示すように、そのレジストパターン 6 8をマスクにしてドライエ ッチングにより表面のメンブレン mを るシリコン層 6 3に貫通?し]!を し、 レジストパターン 6 8を | ¾することにより、図 1の X線用又は^ ¾立 用のステンシル型転写マスク 1カ¾¾"る。
図 2は、本発明によるステンシル型転写マスクの別の！ ^例の平 β (a) と 8)Τ®0 (b) ある。 このマスク 7 0は、図 1のように、 中央部の開口部 3の上に パターン « 4力設けられた ®¾ 2と、 2の開口部 3に対応する開口部 7が 設けられたフレーム 6と力観 2の ¾B側に隨されてなる灘のもので、鎌 2のパターン 4には、開口部 3の上にパターン状の貫通孔 hを設けたメンブ レン mが ¾3#されており、パターン繊 4の外周に繊 2の上面が嫩る周辺 領域 5か ¾置されて Lヽるものである。
そして、 この も、マスク 7 0の外形は略虐方体であり、かつ、パターン領 域 4と周辺 5力同一平 ®±になるように; «されてなるものである。 このス テンシル型転写マスク 7 0は、 X ^ffl又は^ ¾立 泉用転写マスクとして用いら れる。 このステンシル型転写マスク 7 0のためのブランクは、図 3 (a)〜（d) と 同様なィ 程雜て個されたブランク^: 6 6 (図 1の難例の転写マスク プランク 6 6に相当） に、開口部 7が設けられたフレーム 6を ¾®(i』に して なるもので、図 4にブランク 8 0として示してある。
図 4は、図 2のステンシル型転写マスク 7 0を する:^に、上記のように 、 中央部に開口部 3力 « に設けら その表藤』にパ夕一ン繊 4のための 自己娥雄が設けられてなる繊 2と、その開口部 3に対応する開口部 7カ彀 けられたフレーム 6と力 M本に固着されてなるブランク 8 0に対する描画 βを ネ試的に示した平面図 (a) と佃雁図 (b)である。 なお、マスクブランク 8 0 の上面にはレジストが されている力 図示を略している。
フォトマスク用電 離 1Γ装置に鶴する以前は、マスクブランク 8 0のバタ ―ン« と周辺 5は同一平面にある。 ここで、周辺 5とは、 フォトマ スク用電 ¾S画装置の描画室内の 3本の 5 1の 5¾Τ®に gl¾された半 球 5 2の頂 で縦される 3つの講点 Aを含む «を Lヽう。
図 3 ( e)カ^ j"応する描画工程において、描画室内のテーブル上に跪された プランク 8 0は図 4のような配置になる。 ここで、パターン 4の面は、 ® 面 Sとから 的に予祖 I何能な自重による撓みの分だけ下方に位置している。 ここで、マスクブランク 8 0のブランク 本6 6とフレーム 6とは、 3つの基 準点 Aに対応する位置 B C®に垂直な方向で"^ "る位 ©で隨されている。 このように、 プランク (S¾) 6 6とフレーム 6との固着位置 Bを、描面酸 置のブランク @¾纖による、又は、 カセットによるブランクの辭点に "^さ せると、 プランクが @¾されるときに、 フレーム 6に対し S¾ 2を相対的に動か す力 (モーメント）力最も小さくできるので、薩の固着位置に起因するパター ン位置精度の劣、化を避けることができる。
ί のように、 フォトマスク用電 iHiSiir装置に、図 2のステンシル型転写マ スク 7 0をィ權するためのマスクプランク 8 0を し "OS画しようとする;^ 、図 3の説明でも説明したように、 ブランク 8 0の窓（窓 6 5と開口部 7からな る）上のパターン應 4のレジスト層に描画用の電 !^正確に焦 が合い、か つ、正確な位置に ること力できるので、正確で高籠のマスクパターンを 描画すること力できるようになる。
本発明では、周辺繊は、例えば描 IT装置の描画室内の ®¾wの難点に接 する纖»を含む繊と定義される。実際には、醜灘の鮮点は、纖の 周¾ヽら 5〜 1 0 mm離れた位置に 3乃至 6 βある。 した力つて、外周全てが 周辺 «ということではなく、 3«至は 6個の »した ¾ttの 11¾である。 し かし、 ブランクは、向きは指定せず、ある向きから瞎十回りの 9 0度、 1 8 0度
、 2 7 0度 しても、 プランクとして利用できること力好ましいので、 ± は 4辺 (d^に周辺観を指定するの力好まい、。
なお、 Η±のような ¾feJ:面の略中^ ωバタ一ン繊と周辺繊と力洞一平面 内にある転写マスクブランク及びそれから した転写マスクは、パターン H¾ 及び周辺繊を除く SR^®开狱は、例えは Uflに削られていてもよい。避マスク では、転 はパターン観のみがゥヱ一ハに通することが必要である力、他 の ¾ ^は、 ゥヱ一ハから離れている方が、 ゥェ一ハの 出時にマスクとゥェ一 ハカ垂する危 るという利点がある。 また、その凹部の深さは、約 1 0ミクロン BLhである。 »を深くすることによる欠 は、棘のフォトマス ク^ tで用いられているレジスト 法、つまり、 法が禾 J用できなくな る点がある。 の に対し 法でレジストを^?すると、 中央部
(バタ一ン繊を含む） と周辺 «τ'レジスト^?^異なったり、嶋の段のと ころで膜が厚く付くという»ある。 この。 は別の ^^法（例えば、 ¾2謹のレジスド^ よれば、 ¾¾Xはノズルを移動させてノズルか らミスト状にレジストを吹き付けることにより、繊全面にレジストを^ rる )で！^できる力 専用 »装置の^ ^カ¾ ^になる。
なお、転写マスクに力 ΠΙ後は、周辺繊もパターン観より削つ させて もよい。
また、マスク外形として、 N I S T廳に職すること力必要である。ただし ヽ S¾とフレームからなる の外形は N I S T夫 通りでなく、角等が 欠けて L、てもよく、寸法カ沙し小さくてもよい。 また、本発明は、 X線、極 奴は纏立子用の避転写マスクのみなら ず、 P RE VA I L用電 泉転写マスクにも删可能である。パターン を小 さくできれば、 6ィンチ N I S T«©翻は可能となる。 そうでない齢には 、 7インチ又は 9インチフォトマスク N I S T膽を翻するの力く好ましい。 7 ィンチ又は 9ィンチブランクを描通河倉なフォトマスク用電 離離装置はすで に存在しているので、 フォトマスク は可能である。
R_h、本発明の転写マスクブランク、転写マスク並びにその転写マスクを用い た転 法を«例に基づ L ^x mしてきた力、 これら 例に κ¾され «々 の^ 6何能である。
^m :の利用可能 f生
Lhの説明から明らかなように、本発明の転写マスクブランクによると、 の外形が略直方体であり、かつ、その 面の略中央のパターン領域と周辺領 域とが同一平面内にあるので、 立 if泉転写マスク、 X線転写マスク、極 ¾ 泉転写マスクを 例えばフォトマスク用電 ¾S画装置を用いて、 率良 く、かつ、正 高赚のマスクパターンの転写マスクを傾すること力できる o した力つて、 このような転写マスクから正確で高赚のパターンを額に転写 すること力できる。

Claims

請 求 の 範 囲
1. の外开^ 6略 あり、かつ、その 面の略中; パターン
«と周辺 «と力同一平面内にあることを とする転写マスクブランク。
2. 基板の外形が略直方体であり、かつ、その基^ F®の略中央部に開口部 カ彀けら U 面の略中央部の編開口部に対応した »にパターン観を る自己娥纖か ¾fさ そのパターン繊とその周辺の周辺繊とが 同一平面内にあることを «とする転写マスクブランク。
3. 全体力 Φ^滅されていることを とする請求項 1又は 2 の転 写マスクプランク。
4. 全体が 蔵と外开 ^^略 体のフレームで驢さ ]¾ 歐さ れていることを とする請求項 1又は 2 の転写マスクプランク。
5. Ιΐί!¾¾と フレームとの匿淀位置が、パターン描画装置内における 、又は、転写マスクブランクを収容するカセットにおける転写マスクブランク固 ¾jfの^ ft に することを «とする請求項 4 «の転写マスクブラン ク。
6. ？ ^立子転写マスク用のブランクであることを とする請求項 1から 5の何れカヽ 1 ΐ¾ の転写マスクブランク。
7. X線又は極 転写マスク用のブランクであること^ とする請 求項 1から 5の何れか 1穩 の転写マスクプランク。
8. の外开 略 it^体であり、力つ、 その の略中央部に開口部 が設けら SfeJ面の略中央部の謂 3開口部に対応した »にバタ一ン繊を «する自己^ ΜϋΛ^寺されへ It記自己 ¾¾i奠にマスクパターンの貫通子し 又はマスクパターンの吸収体あるいは誕し体が設けれられており、窗 B ^ターン «とその周辺の周辺 H¾と力洞一平面内にあることを とする転写マスク。
9. 全体力 されていること^ mとする請求項 8言職の転写マス り。
1 0. 全 ίφ5¾¾ί ^反と外^^略 体のフレームで ¾さ
されていることを ：とする請求項 8 の転写マスク。
1 1. 写マスクとして用いられることを 1¾とする請求項 8から 1 0の何れか 1 の転写マスク。
1 2. は極 転写マスクとして用いられることを 1：とする請 求項 8カヽら 1 0の何れか 1 の転写マスク。
1 3. の外^^略 it^体であり、力、つ、その ¾^1¾の略中央部に開口 部が設けら† 面の略中央部の蘭 3開口部に対応した にバタ―ン繊 を«^る自己雄難が ¾3#さ 備 3自己娥纏にマスクパターンの貫通 ¾Xはマスクバタ一ンの吸収体ある L、は離し体が設けれられており、 ItJ!H、。タ一 ン領域とその周辺の周辺領域とが同一 内にある転写マスクを用い ΐϋκマス クパターンを 立子又は X線又は極 ¾^泉を用いて転写することを 1¾とす る転 法。
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