WO2004049409A1 - 露光装置の製造方法、光源ユニット、露光装置、露光方法及び露光装置の調整方法 - Google Patents

露光装置の製造方法、光源ユニット、露光装置、露光方法及び露光装置の調整方法 Download PDF

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WO2004049409A1
WO2004049409A1 PCT/JP2003/014972 JP0314972W WO2004049409A1 WO 2004049409 A1 WO2004049409 A1 WO 2004049409A1 JP 0314972 W JP0314972 W JP 0314972W WO 2004049409 A1 WO2004049409 A1 WO 2004049409A1
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light source
solid
adjusting
exposure apparatus
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PCT/JP2003/014972
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Shuji Takenaka
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Nikon Corporation
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70116Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B19/00Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
    • G02B19/0004Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the optical means employed
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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
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    • G02B19/00Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
    • G02B19/0033Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use
    • G02B19/0047Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with a light source
    • G02B19/0061Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with a light source the light source comprising a LED
    • G02B19/0066Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with a light source the light source comprising a LED in the form of an LED array

Definitions

  • the present invention relates to a light source unit such as a semiconductor exposure apparatus or a liquid crystal substrate exposure apparatus.
  • the present invention relates to a method for adjusting an exposure apparatus.
  • a wavelength of about 360 nm is used as a light source of a projection exposure apparatus such as a semiconductor exposure apparatus or a liquid crystal substrate exposure apparatus that irradiates a desired surface with light from a light source and forms a precise pattern on a substrate.
  • a wavelength of about 360 nm is used.
  • mercury lamps were mainly used. The life of this mercury lamp is approximately 5001! Since it is about 1000 h, it is necessary to periodically replace the lamp, which is a heavy burden on the exposure apparatus user.
  • high power is required to ensure high illuminance, and measures such as heat generation are required.Therefore, there are problems with high running costs and the risk of rupture due to factors such as aging. Was.
  • UV-LEDs that achieve a high optical output of about 10 Omw at a wavelength of 365 nm have been developed.
  • An object of the present invention is to make it possible to use a solid-state light source in an exposure device using a light source such as a mercury lamp, which is a user's existing asset. Disclosure of the invention
  • the method of manufacturing an exposure apparatus according to the present invention is characterized in that the illumination optical system includes an optical integrator in an optical path between the plurality of solid-state light sources and the condenser optical system.
  • the method of manufacturing an exposure apparatus is directed to a method of manufacturing an exposure apparatus that illuminates a mask using an illumination optical system and transfers a pattern of the mask onto a photosensitive substrate.
  • An adjusting step of setting the characteristics of the second state to be appropriate according to the arrangement of the light sources.
  • the plurality of solid-state light sources are adjusted by the adjusting step. Since the characteristics of the illumination optical system set in the first state that is appropriate for the light source different from the light source are set to the characteristics in the second state that are appropriate depending on the arrangement of the solid-state light sources, An exposure apparatus provided with an illumination optical system having characteristics suitable for the solid-state light source can be manufactured.
  • the adjusting step may be performed by using the mask or The adjustment is performed by at least one of an illumination unevenness adjustment step of adjusting illumination unevenness on the photosensitive substrate and a telecentricity adjustment step of adjusting telecentricity on the mask or the photosensitive substrate.
  • the adjusting step includes: adjusting a divergence angle of at least one of a plurality of lights emitted from the plurality of solid-state light sources; The adjustment is performed by at least one of the light distribution adjustment steps of adjusting at least one light distribution among a plurality of lights emitted from the solid-state light source.
  • an exposure apparatus it is possible to manufacture an exposure apparatus in which a divergence angle of a plurality of lights emitted from a plurality of solid light sources and a light distribution of a plurality of lights emitted from the plurality of solid light sources are adjusted. it can.
  • the adjusting step includes: an illumination characteristic adjusting step of adjusting illumination characteristics of the illumination optical system; and an emission light adjusting step of adjusting emission lights from the plurality of solid-state light sources. And characterized in that:
  • the illumination characteristic adjusting step may include an illumination unevenness adjusting step of adjusting illumination unevenness on the mask or the photosensitive substrate, and a telescopic adjustment on the mask or the photosensitive substrate.
  • the adjustment is performed by at least one of the telecentricity adjustment steps for adjusting the centricity
  • the emission light adjustment step includes the step of adjusting at least one divergence angle of the plurality of lights emitted from the plurality of solid-state light sources.
  • an exposure apparatus it is possible to manufacture an exposure apparatus in which a divergence angle of a plurality of lights emitted from a plurality of solid light sources and a light distribution of a plurality of lights emitted from the plurality of solid light sources are adjusted. it can.
  • a method of manufacturing an exposure apparatus includes an illumination optical system including a condenser optical system.
  • a method of manufacturing an exposure apparatus for illuminating a mask using the method described above, and transferring the pattern of the mask onto a photosensitive substrate comprising: placing a plurality of solid-state light sources at a front focal position of the condenser optical system or at a position optically conjugate to the front focal position. Arranging the solid-state light source to be arranged; and setting the exposure condition of the exposure apparatus set to the first state that is appropriate for a light source different from the plurality of solid-state light sources, according to the arrangement of the plurality of solid-state light sources. And setting an exposure condition in the second state.
  • the method of manufacturing an exposure apparatus is directed to a method of manufacturing an exposure apparatus that illuminates a mask using an illumination optical system and transfers a pattern of the mask onto a photosensitive substrate.
  • the adjusting step includes a step of adding an offset value to a control device that controls the exposure amount.
  • the adjusting step includes: an illumination characteristic adjusting step of adjusting illumination characteristics of the illumination optical system; and an emission light adjusting step of adjusting emission lights from the plurality of solid-state light sources. Wherein at least one of the following is included.
  • the manufacturing method of the exposure apparatus when the light source different from the plurality of solid-state light sources, for example, the light source configured by a mercury lamp is replaced by the plurality of solid-state light sources, the light source is replaced by the adjusting step. It is possible to manufacture an exposure apparatus in which a difference in exposure conditions due to the above is used as an offset value and added to a control apparatus that controls an exposure amount.
  • the plurality of solid-state light sources include a light-emitting diode array.
  • the light source unit of the present invention is a light source unit attached to a lighting device, wherein: a solid state light source array in which a plurality of solid state light sources are arranged in an array; and an array arranged on a light emission side of the solid state light source array.
  • Emitting light having a divergence angle or light distribution set to the state characteristics is supplied to the lighting device.
  • the solid-state light source array and the optical element may be arranged in an optical path between an elliptical mirror that collects light from a lamp as a light source and an optical integrator in the lighting device.
  • the lighting device is set to a first state suitable for a light source different from the solid-state light source array, for example, a light source configured by a mercury lamp. It is possible to supply emitted light having a divergence angle or a light distribution that sets the characteristics of the illuminated device to the characteristics of the second state, which are made appropriate by the arrangement of the solid-state light source array.
  • the light source unit of the present invention is characterized by including an adjusting means for adjusting the light emission characteristics of the solid-state light source array. According to this light source unit, the light emission characteristics of the solid-state light source array can be adjusted by the adjusting means.
  • the light source unit of the present invention further includes a plurality of fibers, and each incident end of the plurality of fibers is optically connected to the plurality of solid-state light sources.
  • the light source unit is characterized by including a solid-state light source array in which a plurality of solid-state light sources are arranged in an array, and adjusting means for adjusting light emission characteristics of the solid-state light source array.
  • the adjusting means may include: a divergence angle of light emitted from the solid-state light source array; a light distribution of light emitted from the solid-state light source array; an uneven illumination on an illuminated surface; It is characterized in that at least one of telecentricity is adjustable.
  • the divergence angle of the light emitted from the solid-state light source array, the light distribution, the illumination unevenness on the irradiated surface, and the telecentricity can be adjusted by the adjusting means.
  • the light source unit of the present invention further includes a plurality of fibers, Each incident end of the eyebar is optically connected to the plurality of solid-state light sources.
  • the degree of freedom of the arrangement of the solid-state light source can be increased, and the arrangement of the emission ends of the plurality of fibers can be easily made into an arbitrary shape.
  • An exposure method using an exposure apparatus manufactured by the manufacturing method of the present invention comprising: an illumination step of illuminating the mask with light from the plurality of solid-state light sources; and applying a pattern of the mask to the photosensitive substrate. And a transfer step of transferring.
  • the transfer step includes a step of transferring the pattern of the mask to the photosensitive substrate using a projection optical system that projects the pattern image of the mask onto the photosensitive substrate. It is characterized by the following.
  • the characteristics of the illumination optical system set in the first state which is appropriate for a light source different from the plurality of solid-state light sources, become appropriate by the arrangement of the plurality of solid-state light sources. Since the exposure apparatus set to the state characteristics is used, the pattern of the mask can be satisfactorily transferred to the photosensitive substrate.
  • an exposure apparatus of the present invention includes: the optical unit of the present invention; and an illuminating device that illuminates the mask with light from the light source unit in order to expose a pattern of the mask onto a photosensitive substrate. I do.
  • the exposure apparatus of the present invention is further characterized by further comprising a projection optical system for projecting the mask pattern onto the photosensitive substrate.
  • the light source unit is set in the first state that is appropriate for a light source different from the solid-state light source array, for example, a light source constituted by a mercury lamp.
  • the pattern of the mask is satisfactorily transferred to the photosensitive substrate in order to supply emission light having a divergence angle or a light distribution that sets characteristics to be appropriate to the characteristics of the second state, depending on the arrangement of the solid-state light source array. Can be.
  • the exposure method of the present invention is an exposure method using the exposure apparatus of the present invention, comprising: an illumination step of illuminating the mask with light from the light source unit; and applying the mask pattern to the photosensitive substrate. And a transfer step of transferring.
  • the light source unit sets the illumination device in a first state suitable for a light source different from the solid-state light source array, for example, a light source configured by a mercury lamp.
  • the pattern of the mask is transferred to the photosensitive substrate satisfactorily because an exposure device that supplies emission light with a divergence angle or light distribution that sets the characteristics to the second state characteristics that is appropriate according to the arrangement of the solid-state light source array is used. can do.
  • the method of adjusting an exposure apparatus is directed to an exposure apparatus that illuminates a mask with light from light source means via an illumination optical system including a condenser optical system in order to transfer a pattern of a mask onto a photosensitive substrate.
  • the illumination optical system of the exposure apparatus can be adjusted by the adjusting step.
  • the lighting characteristics of the system can be maintained well. .
  • the method of adjusting an exposure apparatus is a method of adjusting an exposure apparatus, which illuminates a mask with light from a light source through an illumination optical system in order to transfer a pattern of a mask onto a photosensitive substrate.
  • An exposure method is an exposure method using the exposure apparatus adjusted by the adjusting method according to the present invention, wherein the mask is illuminated with light from the plurality of solid-state light sources via an illumination optical system.
  • An illumination step and a transfer step of transferring the pattern of the mask to the photosensitive substrate are provided.
  • the illumination characteristics of the illumination optical system are adjusted to those suitable for a plurality of solid-state light sources arranged in place of the light source means. Can be transcribed.
  • the method of adjusting an exposure apparatus includes the method of adjusting an exposure apparatus that illuminates a mask using an illumination optical system including a condenser optical system and transfers a pattern of the mask onto a photosensitive substrate.
  • the method of adjusting an exposure apparatus is a method of adjusting an exposure apparatus that illuminates a mask using an illumination optical system and transfers a pattern of the mask onto a photosensitive substrate.
  • An adjusting step of setting exposure conditions in the second state that is appropriate depending on the arrangement of the light sources.
  • the adjusting step includes a step of adding an offset value to a control device that controls the exposure amount.
  • the adjusting step includes: an illumination characteristic adjusting step of adjusting illumination characteristics of the illumination optical system; and an emission light adjusting step of adjusting emitted lights from the plurality of solid-state light sources. Characterized in that at least one of them is included.
  • an exposure apparatus according to the present invention is manufactured by the manufacturing method according to any one of claims 1 to 12.
  • an exposure apparatus according to the present invention is manufactured according to the manufacturing method according to any one of claims 25, 26, 28 to 31.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a projection exposure apparatus according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a flowchart showing a method of manufacturing the projection exposure apparatus according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a projection exposure apparatus according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a flowchart showing a method for manufacturing the projection exposure apparatus according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a projection exposure apparatus according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic configuration diagram of a projection exposure apparatus according to the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 7A is a diagram for explaining the light source unit according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 7B is a diagram for explaining the light source unit according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a diagram for explaining the light source unit according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 9A is a diagram for explaining the light source unit according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 9B is a diagram for explaining the light source unit according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 9C is a diagram for explaining the light source unit according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a flowchart showing a method for manufacturing such a micro device according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a flowchart showing a method for manufacturing such a micro device according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a diagram illustrating a configuration of a fiber light source according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a diagram illustrating a configuration of another fiber light source according to the embodiment of the present invention. is there.
  • FIG. 14A is a diagram for explaining the shape of a beam profile emitted from the light source according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 14B is a diagram for explaining the shape of the beam profile emitted from the light source according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 14C is a diagram for explaining the shape of the beam profile emitted from the light source according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 15A is a diagram showing the shape of the emission end of the fiber light source according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 15B is a diagram showing the shape of the exit end of the fiber light source according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a diagram showing that the shape of the exit end of the fiber light source according to the embodiment of the present invention is similar to the shape of the element of the fly'integrator.
  • FIG. 17 is a diagram for describing conditions for taking light emitted from a solid-state light source into an optical fiber without waste in the fiber light source according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 18 is a diagram showing a configuration from the exit end of the fiber light source to the fly'integrator according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 19 is a diagram showing a shape of one element of the fly-eye integrator according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 20 is a diagram showing the shape of the exit end of the fiber light source according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 21 is a diagram showing a roughened state in which the output characteristic variation of each solid-state light source according to the embodiment of the present invention is averaged.
  • FIG. 22 is a diagram showing a configuration of the scanning exposure apparatus according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 23 is a diagram showing four movable blades provided in the scanning exposure apparatus according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 24 is a diagram showing a configuration of an exposure apparatus provided with antistatic means according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a projection exposure apparatus according to the first embodiment.
  • the projection exposure apparatus shown in FIG. 1 has a light source 1 instead of a light source composed of a high-pressure mercury lamp. That is, the light source 1 is constituted by a light emitting diode array in which light emitting diodes (solid light sources) are arranged in an array, and is positioned at a second focal position of an elliptical mirror 2 having a reflection surface formed of a spheroid.
  • the second focal position of the elliptical mirror 2 is a position optically conjugate with a front focal position (light source focal position) of the condenser optical system 7 described later.
  • the position where the light source 1 is disposed may be near a position optically conjugate with the front focal position (light source side focal position) of the condenser optical system 7.
  • the light emitting diodes constituting the light source 1 each have an output of 1 OmW or more, and preferably have an output wavelength of 450 nm or less.
  • the light beam from the light source 1 arranged at the second focal position of the elliptical mirror 2 is converted into a substantially parallel light beam by the collimator lens 3 and then enters the fly-eye lens 4 as an optical illuminator.
  • the fly-eye lens 4 is configured by densely arranging a large number of lens elements having a positive refracting power vertically and horizontally and with their optical axes parallel to the reference optical axis AX.
  • Each lens element constituting the fly-eye lens 4 has a rectangular cross-section similar to the shape of the illumination field to be formed on the mask (and, consequently, the shape of the exposure area to be formed on the plate).
  • the entrance surface of each lens element constituting the fly-eye lens 4 is formed in a spherical shape with the convex surface facing the incident side, and the exit surface is formed in a spherical shape with the convex surface facing the exit side. I have.
  • the light beam incident on the fly-eye lens 4 is split into wavefronts by a number of lens elements, and one light source image is formed on the rear focal plane of each lens element. That is, on the rear focal plane of the fly's eye lens 4, a substantial surface light source, ie, a secondary light source, composed of a large number of light source images is formed.
  • Fly eye lens 4 The luminous flux from the secondary light source formed on the rear focal plane is incident on the ⁇ stop 5 arranged near the secondary light source.
  • the ⁇ -stop 5 is arranged at a position optically substantially common to an entrance pupil plane of the projection optical system PL described later, and has a variable aperture for defining a range contributing to illumination of the secondary light source.
  • the ⁇ stop 5 determines the illumination condition by changing the aperture diameter of the variable aperture.
  • ⁇ value ratio of the aperture of the secondary light source image on the pupil plane to the aperture diameter of the pupil plane of the projection optical system
  • the light from the secondary light source passing through the ⁇ stop 5 is condensed by a condenser optical system 7 composed of a plurality of lenses 7 a to 7 c via a mirror 6, and then a predetermined pattern is formed. And illuminate the mask M thus superimposed uniformly.
  • the light beam transmitted through the pattern of the mask M forms an image of the mask pattern on a plate P, which is a photosensitive and raw substrate, via a projection optical system PL.
  • the light source 1 composed of the plurality of light emitting diodes (solid light sources) can provide an illuminance of 5 OmW / cm 2 or more on the plate P (surface to be irradiated).
  • the light source 1 can suppress uneven illuminance on the plate P (surface to be irradiated) to within ⁇ 10% of the average value (reference value).
  • the illuminance non-uniformity I (%) of the illuminance on the plate P with respect to the reference value is expressed by Imax (W / cm) of the average value of the illuminance on the plate P in the scanning direction (X-axis direction). 2 ) If the minimum value of the average of the illuminance on the plate P in the scanning direction (X-axis direction) is defined as Im in (W / cm 2 ), it is defined by the following formula.
  • the light source 1 emits illumination light at an output less than the rated output. . Therefore, the life of the solid state light source can be extended.
  • the pattern of the mask M is successively exposed in each exposure area of the plate P. Exposed.
  • the plate P is placed on the plate stage PS, and the uneven illuminance sensor 8 is arranged on the plate stage PS.
  • a beam splitter 9 is arranged in the optical path between the fly eye lens 4 and the mirror 6, and the light reflected by the beam splitter 9 is incident on an integrator sensor 10. Inn The detection signal from the Tegleater sensor 10 is output to the control unit 11. Further, a detection signal from the uneven illuminance sensor 8 is also output to the control unit 11.
  • the relationship between the detection signal of the integrator sensor 10 and the illuminance of the exposure light on the plate P is measured with high precision in advance and stored in a memory in the control unit 11.
  • the control unit 11 is configured so that the illuminance (average value) of the exposure light to the plate P and its integral value (average value of the integrated exposure amount) can be monitored indirectly from the detection signal of the integrator sensor 10. Have been. Then, the control unit 11 calculates the integrated value of the illuminance of the exposure light on the plate P via the integrator sensor 10 using the light from the light source 1 during the exposure. The control unit 11 calculates the illuminance integral value sequentially.
  • the output of the light source 1 is controlled so that an appropriate exposure amount is obtained on the plate P according to the result.
  • the detection result by the uneven illuminance sensor 8 and the detection result by the integrator sensor 10 are also displayed on the display unit 12.
  • FIG. 2 is a flowchart for explaining a method of manufacturing the projection exposure apparatus according to the first embodiment.
  • the light source composed of the high-pressure mercury lamp is removed from the projection exposure apparatus having the light source composed of the high-pressure mercury lamp (step S10).
  • the light source 1 composed of a light emitting diode array in which light emitting diodes (solid light sources) are arranged in an array is arranged at the second focal position of the elliptical mirror 2 (step S11).
  • the second focal position of the elliptical mirror 2 is a position optically conjugate with the front focal position of the condenser optical system 7.
  • the position where the light source 1 is disposed may be near a position optically conjugate with the front focal position of the condenser optical system 7.
  • Step S 1 2 the difference in exposure conditions due to the arrangement of the light source 1 composed of a light emitting diode array in place of the light source composed of a high-pressure mercury lamp is input to the control unit 11 via an input unit (not shown) as an offset value.
  • Step S 1 2 the exposure condition of the exposure apparatus set in the first state that is appropriate for the light source composed of a high-pressure mercury lamp, for example, the exposure time, the exposure amount, etc., in the second state that is appropriate for the light source 1 Set it as appropriate for the conditions.
  • the divergence angle of the light emitted from the light source 1 is adjusted (step S13).
  • the divergence angle of the light emitted from the light source 1 can be adjusted by adjusting the collimating lens 3 on which the light emitted from the light source 1 is incident.
  • the divergence angle of the light emitted from the light source 1 can also be adjusted by tilting some of the light emitting diodes constituting the light source 1.
  • the divergence angle of the light emitted from the light source 1 can be adjusted by selecting in advance a plurality of light-emitting diodes constituting the light source 1 that have an optimum divergence angle.
  • a lens array may be arranged on the light exit surface side of the light source 1 so as to adjust the divergence angle of light passing through the lens array.
  • the light distribution of the light emitted from the light source 1 is adjusted (step S14).
  • the distribution of the light emitted from the light source 1 can be adjusted by arranging a lens array on the light emitting surface side of the light source 1 and giving the lens array an aberration.
  • adjustment can be performed by arranging an angle characteristic filter on each light emission surface side of the plurality of light emitting diodes constituting the light source 1.
  • the light distribution characteristics of the light emitted from the light source 1 can be adjusted by inclining some of the light emitting diodes constituting the light source 1.
  • the illumination unevenness on the mask M or the plate P is adjusted (step S15).
  • the adjustment of the uneven illumination is performed based on the detection result by the uneven illuminance sensor 8 arranged on the plate P.
  • the adjustment of the uneven illumination includes the adjustment of the tilt unevenness and the adjustment of the center symmetric unevenness.
  • the tilt unevenness adjustment can be performed by shifting or tilting a part of the lens constituting the condenser optical system 7, for example, the lens 7b with respect to the optical axis AX. Further, it can be performed by shifting or tilting the collimating lens 3 with respect to the optical axis AX.
  • the adjustment of the central symmetry unevenness can be performed by moving a part of the lenses constituting the condenser optical system 7, for example, the lens 7b in the direction of the optical axis AX.
  • the telecentricity on the mask M or the plate P is adjusted (step S16).
  • the telecentricity is adjusted by moving a positioning sensor (not shown) provided below the plate P in the direction of the optical axis of the projection optical system. The position is detected and based on the detection result.
  • the adjustment of the telecentricity on the mask M or the plate P includes adjustment of the tilt telecentricity and adjustment of the magnification telecentricity.
  • the tilt telecentricity can be adjusted by shifting the fly eye, that is, the fly's eye lens 4 and the ⁇ stop 5 integrally with respect to the optical axis ⁇ ⁇ , or by shifting only the ⁇ stop 5 to the optical axis ⁇ ⁇ . This can be done by shifting it. Further, it can be performed by controlling the light amount distribution of a plurality of light emitting diodes constituting the light source 1.
  • the magnification telecentricity is adjusted by moving the fly-eye unit, that is, the fly-eye lens 4 and the ⁇ -stop 5 integrally in the optical axis direction, or by moving only the ⁇ -stop 5 in the optical axis direction. Can be. By performing the above adjustment, the manufacture of the projection exposure apparatus including the light source 1 is completed.
  • a light source of an existing projection exposure apparatus is changed from a lamp using a metal gas, a rare gas, or the like to a light emitting element having advantages such as long life and low running cost. It can be replaced by so-called solid light sources such as diodes and laser diodes. Therefore, it is possible to provide a projection exposure apparatus having a light source with a low running cost, a long life, and no risk of explosion.
  • FIG. 3 is a diagram showing a schematic configuration of a projection exposure apparatus according to the second embodiment.
  • the projection exposure apparatus shown in FIG. 3 includes a light source 1 instead of a light source composed of a high-pressure mercury lamp.
  • the light source 1 is composed of a light emitting diode array in which light emitting diodes (solid light sources) are arranged in an array, and is positioned at a front focal position of the condenser optical system 7.
  • the position where the light source 1 is arranged may be near the front focal position of the condenser optical system 7. .
  • the mask M on which the predetermined pattern is formed is superposed and uniform Light up.
  • the light beam transmitted through the pattern of the mask M forms an image of the mask pattern on the plate P, which is a photosensitive substrate, via the projection optical system PL.
  • the pattern of the mask M is successively exposed in each exposure area of the plate P. Exposed.
  • the plate P is mounted on a plate stage PS, and an uneven illuminance sensor 8 is arranged on the plate stage PS.
  • a beam splitter 9 is disposed in the optical path between the light source 1 and the mirror 6, and the light reflected by the beam splitter 9 is incident on the integrator sensor 10.
  • the detection signal from the integrator sensor 10 is output to the control unit 11. Further, a detection signal from the uneven illuminance sensor 8 is also output to the control unit 11.
  • the control unit 11 outputs a control signal to the light source 1 based on the stored exposure conditions.
  • the detection result by the uneven illumination sensor 8 and the detection result by the integrator sensor 10 are displayed on the display unit 12.
  • FIG. 4 is a flowchart for explaining a method of manufacturing the projection exposure apparatus according to the first embodiment.
  • the light source including the high-pressure mercury lamp, the collimating lens, the fly-eye lens, the ⁇ stop, and the like are removed from the projection exposure apparatus having the light source including the high-pressure mercury lamp (Step S 20).
  • the light source 1 composed of a light emitting diode array in which light emitting diodes are arranged in an array is arranged at the front focal position of the condenser lens 7 (step S21).
  • the position where the light source 1 is disposed may be near the front focal position of the condenser optical system 7.
  • step S22 the difference in exposure conditions due to the arrangement of the light source 1 composed of a light emitting diode array in place of the light source composed of a high-pressure mercury lamp is input to the control unit 11 via an input unit (not shown) as an offset value.
  • step S22 the exposure conditions of the exposure apparatus set in the first state that are appropriate for the light beam 1 composed of the high-pressure mercury lamp, for example, the exposure time, the exposure amount, etc., in the second state that are appropriate for the light source 1 Set a value suitable for the exposure conditions.
  • the divergence angle of the light emitted from the light source 1 is adjusted (step S23).
  • the divergence angle of the light emitted from the light source 1 can be adjusted by adjusting the condenser optical system 7 on which the light emitted from the light source 1 is incident. That is, the divergence angle of the light emitted from the light source 1 is adjusted by moving some of the lenses 7a to 7c constituting the condenser optical system 7 in the direction of the optical axis AX. be able to .
  • the divergence angle of the light emitted from the light source 1 can also be adjusted by inclining some of the light-emitting diodes constituting the light source 1.
  • the divergence angle of the light emitted from the light source 1 can be adjusted by selecting in advance a plurality of light-emitting diodes constituting the light source 1 that have an optimum divergence angle.
  • a lens array may be arranged on the light exit surface side of the light source 1 so as to adjust the divergence angle of light passing through the lens array.
  • the light distribution of the light emitted from the light source 1 is adjusted (step S24).
  • the distribution of the light emitted from the light source 1 can be adjusted by arranging a lens array on the light emitting surface side of the light source 1 and giving the lens array an aberration.
  • adjustment can be performed by arranging an angle characteristic filter on each light emission surface side of the plurality of light emitting diodes constituting the light source 1.
  • the light distribution characteristics of the light emitted from the light source 1 can be adjusted.
  • the illumination unevenness on the mask M or the plate P is adjusted (step S25).
  • the adjustment of the uneven illumination is performed based on the detection result of the uneven illumination sensor 8 arranged on the plate P.
  • the adjustment of the uneven illumination includes the adjustment of the tilt unevenness and the adjustment of the center symmetric unevenness.
  • the tilt unevenness adjustment can be performed by disposing a density tilt filter near the light exit surface side of the light source 1. Further, it can be performed by shifting or tilting a part of the lenses constituting the condenser optical system 7, for example, the lens 7b with respect to the optical axis AX. Further, it can be performed by changing the direction of a part of the light emitting diodes among the plurality of light emitting diodes constituting the light source 1.
  • the adjustment of the center symmetry unevenness can be performed by disposing a density distribution (center symmetry) filter near the light exit surface side of the light source 1. Further, it can be performed by moving a part of the lenses constituting the condenser optical system 7, for example, the lens 7b in the optical axis AX direction. Further, the correction can be performed by inserting an unevenness correction plate for correcting center-symmetric unevenness and an unevenness correction lens into an optical path near the mask M, at a position optically conjugate to the mask M, or in the vicinity thereof.
  • the telecentricity on the mask M or the plate P is adjusted (step S26).
  • the adjustment of the telecentricity is performed based on the detection result by detecting the imaging position while moving a positioning sensor (not shown) provided below the plate P in the optical axis direction of the projection optical system.
  • the adjustment of the telecentricity on the mask M or the plate P includes the adjustment of the magnification telecentricity and the adjustment of the tilt telecentricity.
  • Adjustment of the magnification telecentricity can be performed by moving the light source 1 in the optical axis AX direction. Further, it can be performed by moving a part of the lenses constituting the condenser optical system 7, for example, the lens 7b in the optical axis AX direction.
  • the correction can be performed by inserting a telecentric correction plate for correcting telecentricity and a telecentric correction lens in the optical path near the mask M, at a position optically conjugate with the mask M, or near the mask M, or the like.
  • the adjustment of the tilt telecentricity can be performed by moving the light source 1 in a direction perpendicular to the optical axis AX. Further, it can be performed by changing the light intensity distribution in the light emitting diode array constituting the light source 1. Further, the correction can be performed by inserting a telecentric correction plate for correcting telecentricity and a telecentric correction lens into an optical path near the mask M, at a position optically conjugate with the mask M, or near the same.
  • the light source of the existing projection exposure apparatus is changed from a lamp using a metal gas, a rare gas, or the like, and has advantages such as longer life and lower running cost. It can be replaced with a so-called solid state light source such as a light emitting diode or laser diode. Therefore, it is possible to provide a projection exposure apparatus having a light source having a low run-length cost, a long life, and no risk of rupture. Ma Further, the condensing optical system of the existing projection exposure apparatus can be eliminated. Therefore, a compact projection exposure apparatus can be provided.
  • the adjustment of the illumination characteristics of the illumination optical system is performed by adding an offset value for controlling the amount of exposure, and adjusting the divergence angle of light emitted from the light source 1. , Adjustment of the light distribution of the light emitted from the light source 1, adjustment of the illumination unevenness on the mask M or the plate P, and adjustment of the telecentricity on the mask M or the plate P.
  • the illumination characteristics of the illumination optical system may be adjusted by performing one.
  • FIG. 5 is a diagram showing a schematic configuration of a projection exposure apparatus according to the third embodiment.
  • the projection exposure apparatus shown in FIG. 5 includes a light source unit 20 instead of a light source composed of a high-pressure mercury lamp. That is, the light source unit 20 is positioned at the second focal position of the elliptical mirror 2 having a reflection surface formed of a spheroid.
  • the second focal position of the elliptical mirror 2 is a position optically conjugate with a front focal position of the condenser optical system 7 described later.
  • the position where the light source unit 20 is disposed may be near a position conjugate with the front focal position of the condenser optical system 7.
  • the configuration is the same as that of the projection exposure apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a diagram showing a schematic configuration of a projection exposure apparatus according to the fourth embodiment.
  • the projection exposure apparatus shown in FIG. 6 includes a light source unit 20 instead of a light source composed of a high-pressure mercury lamp. That is, the light source unit 20 is positioned at the front focal position of the condenser optical system 7. The position where the light source unit 20 is disposed may be near the front focal position of the condenser optical system 7. Otherwise, the second The configuration is the same as that of the projection exposure apparatus according to the embodiment.
  • the light source unit 20 provided in the projection exposure apparatus has an array of light emitting diodes 20b on a substrate 20a.
  • a light-emitting diode array solid-state light source array
  • a micro-lens array in which micro-lenses 20c having positive power are arranged in an array form a micro-lens array on the light emitting surface of the light-emitting diode array. It is located near.
  • the divergence angle of the light emitted from each light emitting diode 20b is adjusted in the converging direction by controlling the numerical aperture of the light emitting diode array by a microlens array having a positive power. can do.
  • the light source unit 20 may have a configuration as shown in FIG. 7B.
  • the light source cutout 20 shown in FIG. 7B has a light emitting diode array (solid-state light source array) in which light emitting diodes 20b are arranged in an array on a substrate 20a and a microphone port having negative power.
  • the microlens array is configured by arranging lenses 20d in an array, and the microlens array is arranged near the light emitting surface of the light emitting diode array.
  • the divergence angle of light emitted from the light emitting diode 20b is adjusted in the diverging direction by controlling the numerical aperture of the light emitting diode array by a microlens array having a negative power. can do.
  • the light source and the unit 20 may have a configuration as shown in FIG.
  • the light source unit 20 shown in FIG. 8 includes a light-emitting diode array in which light-emitting diodes 20 b are arranged in an array on a substrate 20 a, an unevenness correction plate (a density distribution (central symmetry) filter and a density gradient filter). 0 e, and a telecentricity correction plate 20 f, wherein the unevenness correction plate 20 e and the telecentricity correction plate 20 f are arranged near the light emitting surface side of the light emitting diode array. .
  • the unevenness correction plate and the telecentricity correction plate may be replaced with an unevenness correction lens and a telecentricity correction lens, respectively.
  • the light source unit 20 shown in FIG. 8 is provided with a mechanism for moving the unevenness correction plate 20 e and the telecentricity correction plate 20 f into and out of the optical path.
  • By moving the telecentricity correction plate 20f in and out of the optical path it is possible to adjust the tilt unevenness, the central symmetry unevenness, the tilt telecentricity, and the magnification telecentricity.
  • the inclination unevenness of the illumination optical system can be adjusted by inclining the light source cutout 20 as shown in FIG. 9A.
  • the magnification telecentricity of the illumination optical system can be adjusted by moving the light source utut 20 in the optical axis direction, as shown in FIG. 9B.
  • the tilt telecentricity of the illumination optical system can be adjusted by moving the light source unit 20 in the direction perpendicular to the optical axis, as shown in FIG. 9C.
  • Such adjustment of the inclination of the light source unit 20 and movement in the optical axis direction or the direction perpendicular to the optical axis can be performed by a light source unit position adjustment mechanism (not shown).
  • the tilt telecentricity adjustment of the illumination optical system can also be performed by controlling the light amounts of a plurality of light-emitting diodes constituting a solid-state light source array.
  • the light source of the existing projection exposure apparatus is constituted by a solid light source such as a light emitting diode / laser diode and a micro lens array.
  • a solid light source such as a light emitting diode / laser diode and a micro lens array.
  • this light source unit it is possible to adjust the divergence angle of light emitted from the solid-state light source, the unevenness of inclination of the illumination optical system, the unevenness of the central symmetry, the magnification telecentricity of the illumination optical system, and the inclination telecentricity. it can.
  • the mask is illuminated by the illumination optical device (illumination step), and the transfer pattern formed on the mask is exposed on the photosensitive substrate using the projection optical system (exposure).
  • a micro device semiconductor element, imaging element, liquid crystal display element, thin film magnetic head, etc.
  • a manufacturing method of a semiconductor device to obtain a semiconductor device as a micro device, FIG. 1 This will be described with reference to the flowchart of FIG.
  • step S301 of FIG. 10 a metal film is deposited on one lot of wafers.
  • step S302 a photoresist is applied on the metal film on the wafer of the one lot.
  • step S303 using the exposure apparatus of the present embodiment, the image of the pattern on the mask is sequentially exposed and transferred to each shot area on the wafer of the lot through the projection optical system. You. That is, illumination light The mask is illuminated by a chemical device (illumination step), and the mask pattern is transferred onto a wafer (exposure step).
  • step S304 the photoresist on the one lot wafer is developed, and then in step S305, etching is performed on the one lot wafer using the resist pattern as a mask. Thereby, a circuit pattern corresponding to the pattern on the mask is formed in each shot area on each wafer. Thereafter, a device such as a semiconductor device is manufactured by forming a circuit pattern of a further upper layer. According to the above-described semiconductor device manufacturing method, a semiconductor device having an extremely fine circuit pattern can be obtained with good throughput.
  • a predetermined pattern (circuit pattern, electrode pattern, etc.) is formed on a plate (glass substrate), and thus the A liquid crystal display element as a device can also be obtained.
  • a method of manufacturing a liquid crystal display element as a micro device will be described with reference to the flowchart of FIG.
  • a so-called optical lithography is used in which a mask pattern is transferred and exposed to a photosensitive substrate (a glass substrate coated with a resist, etc.) using the exposure apparatus of the embodiment.
  • the process is executed.
  • a predetermined pattern including a large number of electrodes and the like is formed on the photosensitive substrate.
  • the exposed substrate is subjected to a development process, an etching process, a resist stripping process, and the like, whereby a predetermined pattern is formed on the substrate, and the process proceeds to a next color filter forming process S402. Transition.
  • a large number of sets of three dots corresponding to R (Red), G (Green), and B (Blue) are arranged in a matrix, or R, G, B
  • a color filter is formed by arranging a plurality of sets of three striped filters in the horizontal scanning line direction.
  • a cell assembling step S403 is performed.
  • a liquid crystal panel is formed using the substrate having the predetermined pattern obtained in the pattern forming step S 401, the color filter obtained in the color filter forming step S 402, and the like. (liquid crystal Assemble the cell).
  • a liquid crystal is interposed between the substrate having the predetermined pattern obtained in the pattern forming step S 401 and the color filter obtained in the color filter forming step S 402.
  • a liquid crystal panel liquid crystal cell
  • a module assembling step S404 components such as an electric circuit and a pack light for performing a display operation of the assembled liquid crystal panel (liquid crystal cell) are attached to complete a liquid crystal display element.
  • components such as an electric circuit and a pack light for performing a display operation of the assembled liquid crystal panel (liquid crystal cell) are attached to complete a liquid crystal display element.
  • a solid-state light source chip having a plurality of light-emitting points As the plurality of solid-state light sources, a solid-state light source chip having a plurality of light-emitting points, a solid-state light source chip array in which a plurality of chips are arranged in an array, and a plurality of light-emitting points on a single substrate It is also possible to use a type built in the product.
  • the solid-state light source element may be inorganic or organic.
  • a fiber light source combining a plurality of solid light sources and a plurality of light guides (fibers) such as optical fibers provided corresponding to each solid light source may be used as the light source. good.
  • the light source 1 of the first and second embodiments is changed to a fiber light source, and the solid-state light source arrays (20a, 20a, 20a, 20a) in the light source units 20 of the third and fourth embodiments are changed.
  • FIG. 12 shows a fiber light source 69 obtained by bundling a plurality of solid-state light sources 71 and optical fibers 72 provided corresponding to the respective solid-state light sources 71.
  • FIG. 13 shows a solid-state light source 71, a lens (condensing optical system) 73 provided corresponding to each solid-state light source 71, and a fiber light source 70 in which a plurality of optical fibers 72 are bundled. It is a figure.
  • the fiber light source 70 shown in FIG. 13 shows a solid-state light source 71, a lens (condensing optical system) 73 provided corresponding to each solid-state light source 71, and a fiber light source 70 in which a plurality of optical fibers 72 are bundled. It is a figure.
  • the beam profile 75 of the solid-state light source 71 which is usually elliptical, (see FIG. 14A)
  • a circular beam profile 76 see FIGS. 14B and 14C.
  • the shape of the emission end of the light source (arrangement shape of the emission end) into an optimal shape.
  • it can be formed into a rectangular shape as shown in FIG. 15A or into a shape as shown in FIG. 15B.
  • a plurality of fiber light sources 69 and 70 are bundled so that the shape of the bundled ends of the optical fibers and the shape of one element 81 of the fly-eye integrator 80 are similar. It becomes extremely easy to shape the shape of the exit end portion of the optical fiber.
  • FIG. 17 is a diagram showing one solid-state light source 71 of the fiber light source 70 shown in FIG. 13, a lens (condensing optical system) 73 and an optical fiber 72 provided corresponding thereto.
  • the numerical aperture of the light having the maximum emission angle (the sine (sin) of the maximum emission angle (half angle)) of the divergent light of the solid-state light source 71 is hereinafter referred to as the maximum numerical aperture.
  • NA1 the maximum value of the size (diameter) of the light emitting part of the solid-state light source 71 is ⁇
  • the sine (sin) of the angle range (half angle) within which the optical fiber 72 can take in light the so-called optical fiber
  • the maximum numerical aperture of the solid-state light source 71 is NA1
  • the maximum value of the size (diameter) of the light emitting portion of the solid-state light source 71 is ⁇
  • the core diameter of the incident end of the quartz fiber is ⁇ .
  • D is 0.3
  • the condition of 0.3 ⁇ / ⁇ 1 is satisfied.
  • FIG. 19 shows the fly's eye.
  • FIG. 20 is a diagram showing the shape of the emission end 83 of the fiber light sources 69 and 70.
  • one length of the incident surface of the element 81 of the fly-eye integrator 80 is a
  • the other length is b
  • one of the lengths of the exit end 83 in which a plurality of optical fibers 72 are bundled is A
  • the other length is B
  • the focal length of the collimating lens 82 located between the integrator 80 is f 1 and the focal length of the fly eye integrator 80 is ⁇ 2
  • AX f 2 / f 1 ⁇ & and f 2 / fl ⁇ b hold.
  • the fiber light source is composed of m sets of optical fiber light sources 69 and 70 (m is a natural number)
  • the total amount of light output from the m sets of optical fibers 72 is W
  • the output end of the optical fiber 72 is Assuming that the core diameter is d, it is desirable to satisfy the condition of [mX ⁇ d (i 2 / f 1) ⁇ 2 ⁇ / (4XaXb)] XW ⁇ 30 (mW).
  • the filling rate of the light source image with respect to one element 81 of the fly-eye integrator 80 can be optimized, and practical illuminance as an exposure apparatus can be obtained.
  • the fiber light source 69 shown in FIG. 12 and the fiber light source 70 shown in FIG. 13 when the maximum value of the time-varying light amount at the exit end of the optical fiber 72 is Pmax, and the minimum value is Pmin.
  • the ripple width of the light quantity required at the entrance end of the fly-eye integrator 80 is AW
  • the number n of the solid-state light sources 71 is n ⁇
  • the variation of the light output emitted from the exit end of the fiber light source 69, 70 is a solid light, it is averaged by more than the number n of sources 71 ( ⁇ 2, the averaging Fiber with stable light output due to the effect Light sources 69, 70 can be provided.
  • FIG. 21 is a graph showing a state in which variations in output characteristics of each solid-state light source 71 are averaged.
  • a VE is obtained by averaging the solid-state light sources 71 having different output characteristics and graphing them.
  • FIG. 22 is a configuration diagram of the scanning exposure apparatus.
  • This exposure apparatus is a scanning type exposure apparatus that transfers a mask pattern onto a plate while moving a mask stage and a substrate stage with respect to a projection optical system, and uses a synchronous blind (movable blind mechanism) 90. Have. In other respects, it has the same configuration as the exposure apparatus according to the first embodiment.
  • a fixed blind BLO and a movable blind mechanism 90 are arranged in the vicinity of the mask M.
  • four movable blind mechanisms are provided.
  • the width of the opening AP in the running exposure direction is determined by the edge of the movable blades BL1 and BL2, and the length of the opening AP in the non-scanning direction is determined by the edges of the movable blades BL3 and BL4.
  • the shape of the opening AP defined by each edge of the four movable blades BL1 to BL4 is determined so as to be included in the circular image field IF of the projection lens PL.
  • the illumination light passing through the opening of the fixed blind BL0 and the opening AP of the movable brand mechanism 90 irradiates the mask M.
  • the illumination of the mask M will be performed.
  • the image of the opening of the fixed blind BL0 is formed on the pattern surface of the mask M, but the periphery of the specific scanning exposure area on the mask M, that is, the area near the light-shielded portion is exposed.
  • the four movable blades BL1 to BL4 prevent illumination light from entering the outside of the light-shielding portion.
  • the movable blind mechanism 90 is provided in the vicinity of the mask M.
  • a movable blind mechanism may be provided in another position as long as the movable blind mechanism 90 is located at a position conjugate with or near the mask M. .
  • FIG. 24 is a configuration diagram of an exposure apparatus provided with antistatic means.
  • the exposure apparatus has the same configuration as the exposure apparatus according to the first embodiment.
  • a housing 92 for housing a light source and a housing 93 for housing an exposure apparatus body such as an illumination optical system and a projection optical system are separately provided.
  • the body 93 is electrically connected and further grounded. That is, the housing 92 and the housing 93 are kept at the same potential.
  • a power supply unit 94 for supplying power to the light source and a power supply unit 95 for supplying power to the exposure apparatus main body are separately provided, and each is grounded. Therefore, it is possible to prevent the light source of the exposure apparatus and the exposure apparatus main body from being charged with static electricity, and to prevent the solid-state light source from being damaged by the static electricity.
  • variable pattern generation device that generates a pattern to be projected may be used instead of the mask in each of the above embodiments.
  • Such a variable pattern generation device is roughly classified into a self-luminous image display device and a non-luminous surface image display device.
  • Self-luminous image display devices include CRT (cathode ray tube), inorganic EL display, organic EL display (0LED: Organic Light Emitting diode), LED display, LD display, field emission display (FED), Step A plasma display panel (PDP) is an example.
  • a non-emission type image display device is also called a spatial light modulator (SLM), and is an element that spatially modulates the amplitude, phase, or polarization state of light, and transmits light.
  • SLM spatial light modulator
  • Type spatial light modulator and reflection type spatial light modulator examples include a transmissive liquid crystal display (LCD) and an electrochromic display (ECD).
  • the reflective spatial light modulator includes a DMD (Deformable Micro- mirror Device, or Digital Micro-mirror Device), reflective mirror array, reflective liquid crystal display device, electrophoretic display (EPD), electronic paper (or electronic ink), diffraction light valve (Grating Light Valve) And so on.
  • DMD Deformable Micro- mirror Device, or Digital Micro-mirror Device
  • the characteristics of the illumination optical system set in the first state that are appropriate for a light source different from the plurality of solid state light sources should be set to the characteristics of the second state that are appropriate depending on the arrangement of the plurality of solid state light sources. Accordingly, an exposure apparatus having an illumination optical system having characteristics suitable for a plurality of solid-state light sources can be manufactured.
  • a light source different from the solid-state light source array for the lighting device for example, a lighting device set to a first state suitable for a light source constituted by a mercury lamp is provided. It is possible to supply emitted light having a divergence angle or a light distribution that sets the characteristic to a second state characteristic that is appropriate according to the arrangement of the solid-state light source array.
  • the characteristics of the illumination optical system set in the first state that is appropriate for a light source different from the plurality of solid-state light sources are determined by the arrangement of the plurality of solid-state light sources. Since an exposure apparatus set to an appropriate second state characteristic is used, the pattern of the mask can be satisfactorily transferred to the photosensitive substrate.
  • the light source unit is set in the first state that is appropriate for the illumination device with respect to a light source different from the solid-state light source array, for example, a light source configured by a mercury lamp.
  • the emitted light having a divergence angle or light distribution is set so that the characteristics of the illuminated lighting device are set to the characteristics of the second state that are appropriate depending on the arrangement of the solid-state light source array. Because of the supply, the pattern of the mask can be satisfactorily transferred to the photosensitive substrate.
  • the illumination characteristics of the illumination optical system are adjusted by the adjustment step when a plurality of solid light sources are arranged at predetermined positions of the illumination optical system instead of the light source means. Can be. Industrial applicability
  • the manufacturing method of the exposure apparatus of the present invention the light source unit used in the exposure apparatus, the exposure apparatus equipped with the light source unit, the exposure method using the exposure apparatus, and the adjusting method of the exposure apparatus are described in the following. It is suitable for use in the manufacture of devices such as devices, imaging devices, liquid crystal display devices, and thin-film magnetic heads.

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Abstract

コンデンサ光学系を含む照明光学系を用いてマスクを照明して、前記マスクのパターンを感光性基板に転写する露光装置の製造方法において、 複数の固体光源を前記コンデンサ光学系の前側焦点位置又はそれと光学的に共役な位置に配置する固体光源配置工程(S11)と、前記複数の固体光源とは別の光源に対して適切となる第1状態に設定された前記照明光学系の特性を、前記複数の固体光源の配置によって適切となる第2状態の特性に設定する調整工程(S12~S16)とを含む。

Description

露光装置の製造方法、 光源ユニット、 露光装置、 露光方法及び露光装置の調整 方法 技術分野
この発明は、 半導体露光装置あるいは液晶基板露光装置のような、 光源部から 明
の光を所望の面に照射し精密なパターンを形成する露光装置の製造方法、 該露光 装置に用いられる光源ユエット、 該光田源ユニットを備えた露光装置、 該露光装置 を用いた露光方法及び該露光装置の調整方法に関するものである。 背景技術
従来、 半導体露光装置あるいは液晶基板露光装置のような、 光源部からの光を 所望の面に照射し精密なパターンを基板上に形成する投影露光装置の光源として は、 波長約 3 6 0 n m程度の紫外領域においては主に水銀ランプなどが用いられ ていた。 この水銀ランプの寿命は、 概ね 5 0 0 1!〜 1 0 0 0 h程度であることか ら、 定期的にランプ交換が必要となり露光装置ユーザには大きな負担となってい た。 また、 高照度確保のために高電力が必要であり、,またそれに伴う発熱対策な どが必要になるなど、 高いランニングコストの問題や、 経時劣化などの要因に伴 う破裂の危険性を有していた。
これに対して発光ダイォードは、 水銀ランプなどに比べて発光効率が高く、 そ のため省電力、 小発熱という特長を持ち大幅なランニングコストの低減を実現で きる。 また寿命も 3 0 0 0 h程度のものもあるため、 交換にかかる負担も少なく 、 経時劣化などの要因に伴う破裂の危険性もない。 さらに最近では、 波長 3 6 5 n mで 1 0 O mw程度の高い光出力を達成した UV— L E Dなども開発されてい る。
発光ダイォードなどの固体光源を投影露光装置に用いる場合には、 上述のよう なメリットを享受できるが、 従来の水銀ランプ等を用いた光源を有する投影露光 装置を所有するユーザの視点に立てば、 新たな露光装置を導入するコストは決し て低いものではないことから、 現有露光装置が使用できる期間の新規露光装置へ の移行が促進されない。
この発明の課題は、 ユーザの既存資産である水銀ランプなどの光源を用いた露 光装置に固体光源の使用を可能にすることである。 発明の開示
この発明の露光装置の製造方法は、 コンデンサ光学系を含む照明光学系を用い てマスクを照明して、 前記マスクのパターンを感光性基板に転写する露光装置の 製造方法において、 複数の固体光源を前記コンデンサ光学系の前側焦点位置又は それと光学的に共役な位置に配置する固体光源配置工程と、 前記複数の固体光源 とは別の光源に対して適切となる第 1状態に設定された前記照明光学系の特性を 、 前記複数の固体光源の配置によつて適切となる第 2状態の特性に設定する調整 工程とを含むことを特徴とする。
また、 この発明の露光装置の製造方法は、 前記照明光学系が前記複数の固体光 源と前記コンデンサ光学系との間の光路中にォプティカルインテグレータを含む ことを特 ί敷とする。
また、 この発明の露光装置の製造方法は、 照明光学系を用いてマスクを照明し て、 前記マスクのパターンを感光性基板に転写する露光装置の製造方法において 、 複数の固体光源を前記照明光学系の所定の位置に配置する固体光源配置工程と 、 前記複数の固体光源とは別の光源に対して適切となる第 1状態に設定された前 記照明光学系の特性を、 前記複数の固体光源の配置によって適切となる第 2状態 の特性に設定する調整工程とを含むことを特徴とする。
この露光装置の製造方法によれば、 複数の固体光源とは別の光源、 例えば、 水 銀ランプにより構成される光源を、 複数の固体光源に取り換えた場合等において 、 調整工程により、 複数の固体光源とは別の光源に対して適切となる第 1状態に 設定された照明光学系の特性を、 複数の固体光源の配置によつて適切となる第 2 状態の特性に設定することから、 複数の固体光源に適した特性を有する照明光学 系を備えた露光装置を製造することができる。
また、 この発明の露光装置の製造方法は、 前記調整工程が、 前記マスク又は前 記感光性基板での照明むらを調整する照明むら調整工程と、 前記マスク又は前記 感光性基板でのテレセントリシティを調整するテレセントリシティ調整工程の中 の少なくとも一方の工程により調整を行うことを特徴とする。
この露光装置の製造方法によれば、 マスク又は感光性基板での照明むら、 マス ク又は感光性基板でのテレセントリシティを調整した露光装置を製造することが できる。
また、 この発明の露光装置の製造方法は、 前記調整工程が、 前記複数の固体光 源から射出される複数の光の内の少なくとも 1つの発散角を調整する発散角調整 工程と、 前記複数の固体光源から射出される複数の光の内の少なくとも 1つの配 光分布を調整する配光分布調整工程の中の少なくとも一方の工程により調整を行 うことを特徴とする。
この露光装置の製造方法によれば、 複数の固体光源から射出される複数の光の 発散角、 複数の固体光源から射出される複数の光の配光分布を調整した露光装置 を製造することができる。
また、 この発明の露光装置の製造方法は、 前記調整工程が、 前記照明光学系の 照明特性を調整する照明特性調整工程と、 前記複数の固体光源からの射出光を調 整する射出光調整工程とを含むことを特徴とする。
また、 この発明の露光装置の製造方法は、 前記照明特性調整工程が、 前記マス ク又は前記感光性基板での照明むらを調整する照明むら調整工程と、 前記マスク 又は前記感光性基板でのテレセントリシティを調整するテレセントリシティ調整 工程の中の少なくとも一方の工程により調整を行い、 前記射出光調整工程が、 前 記複数の固体光源から射出される複数の光の内の少なくとも 1つの発散角を調整 する発散角調整工程と、 前記複数の固体光源から射出される複数の光の内の少な くとも 1つの配光分布を調整する配光分布調整工程の中の少なくとも一方の工程 により調整を行うことを特徴とする。
この露光装置の製造方法によれば、 複数の固体光源から射出される複数の光の 発散角、 複数の固体光源から射出される複数の光の配光分布を調整した露光装置 を製造することができる。
また、 この発明の露光装置の製造方法は、 コンデンサ光学系を含む照明光学系 を用いてマスクを照明して、 前記マスクのパターンを感光性基板に転写する露光 装置の製造方法において、 複数の固体光源を前記コンデンサ光学系の前側焦点位 置又はそれと光学的に共役な位置に配置する固体光源配置工程と、 前記複数の固 体光源とは別の光源に対して適切となる第 1状態に設定された前記露光装置の露 光条件を、 前記複数の固体光源の配置によって適切となる第 2状態の露光条件に 設定する調整工程とを含むことを特徴とする。
また、 この発明の露光装置の製造方法は、 照明光学系を用いてマスクを照明し て、 前記マスクのパターンを感光性基板に転写する露光装置の製造方法において 、 複数の固体光源を前記照明光学系の所定の位置に配置する固体光源配置工程と 、 前記複数の固体光源とは別の光源に対して適切となる第 1状態に設定された前 記露光装置の露光条件を、 前記複数の固体光源の配置によって適切となる第 2状 態の露光条件に設定する調整工程とを含むことを特徴とする。
また、 この発明の露光装置の製造方法は、 前記調整工程が、 前記露光量を制御 する制御装置にオフセット値を付加する工程を含むことを特徴とする。
また、 この発明の露光装置の製造方法は、 前記調整工程が、 前記照明光学系の 照明特性を調整する照明特性調整工程と、 前記複数の固体光源からの射出光を調 整する射出光調整工程の中の少なくとも一方を含むことを特徴とする。
この露光装置の製造方法によれば、 複数の固体光源とは別の光源、 例えば、 水 銀ランプにより構成される光源を、 複数の固体光源に取り換えた場合等において 、 調整工程により、 光源を取り換えたことによる露光条件の差をオフセット値と して露光量を制御する制御装置に付加した露光装置を製造することができる。 また、 この発明の露光装置の製造方法は、 前記複数の固体光源が、 発光ダイォ 一ドアレイを含むことを特徴とする。
また、 この発明の光源ユニットは、 照明装置に取り付けられる光源ユニットに おいて、 複数の固体光源がアレイ状に配置された固体光源アレイと、 前記固体光 源アレイの光射出側に配置されたアレイ状の光学素子とを備え、 前記固体光源ァ レイとは別の光源に対して適切となる第 1状態に設定された前記照明装置の特性 を、 前記固体光源アレイの配置によって適切となる第 2状態の特性に設定する発 散角または配光分布を有する射出光を前記照明装置に対して供給することを特徴 とする。
また、 この発明の光源ユニットは、 前記固体光源アレイ及び前記光学素子は、 光源としてのランプからの光を集光する楕円鏡と前記照明装置内のオプティカル インテグレータとの間の光路中に配置できるように構成されることを特徴とする この光源ユエットによれば、 照明装置に対して固体光源アレイとは別の光源、 例えば、 水銀ランプにより構成される光源に対して適切となる第 1状態に設定さ れた照明装置の特性を、 固体光源ァレイの配置によって適切となる第 2状態の特 性に設定する発散角または配光分布を有する射出光を供給することができる。 また、 この発明の光源ユニットは、 前記固体光源アレイの光射出特性を調整す る調整手段を含むことを特徴とする。 この光源ユニットによれば、 調整手段によ り固体光源ァレイの光射出特性を調整することができる。
また、 この発明の光源ユニットは、 複数のファイバを更に備え、 前記複数のフ アイバのそれぞれの入射端は前記複数の固体光源と光学的に接続されていること を特徴とする。
この光源ュ-ットによれば、 固体光源の配置の自由度を大きくすることができ 、 また複数のフアイバの射出端の配列形状を容易に任意な形とすることができる また、 この発明の光源ユニットは、 複数の固体光源がアレイ状に配置された固 体光源ァレイと、 前記固体光源ァレイの光射出特性を調整する調整手段とを含む ことを特徴とする。
また、 この発明の光源ユニットは、 前記調整手段が、 前記固体光源アレイから 射出される光の発散角、 前記固体光源アレイから射出される光の配光分布、 被照 射面での照明むら及びテレセントリシティの内の少なくとも一つを調整可能に構 成されることを特徴とする。
この光源ュニットによれば、 調整手段により固体光源アレイから射出される光 の発散角、 光の配光分布、 被照射面での照明むら及びテレセントリシティを調整 することができる。
また、 この発明の光源ユニットは、 複数のファイバを更に備え、 前記複数のフ アイバのそれぞれの入射端は前記複数の固体光源と光学的に接続されていること を特徴とする。
この光源ュニットによれば、 固体光源の配置の自由度を大きくすることができ 、 また複数のフアイバの射出端の配列形状を容易に任意な形とすることができる また、 この発明の露光方法は、 この発明の製造方法により製造された露光装置 を用いた露光方法であって、 前記複数の固体光源からの光により前記マスクを照 明する照明工程と、 前記マスクのパターンを前記感光性基板に転写する転写工程 とを含むことを特徴とする。
また、 この発明の露光方法は、 前記転写工程が、 前記マスクのパターン像を前 記感光性基板に投影する投影光学系を用いて、 前記マスクのパターンを前記感光 性基板に転写する工程を含むことを特徴とする。
この露光方法によれば、 複数の固体光源とは別の光源に対して-適切となる第 1 状態に設定された照明光学系の特性を、 複数の固体光源の配置によって適切とな る第 2状態の特性に設定された露光装置を用いるため、 マスクのパターンを感光 性基板に良好に転写することができる。
また、 この発明の露光装置は、 この発明の光 ユニットと、 マスクのパターン を感光性基板に露光するために、 前記光源ュニットからの光により前記マスクを 照明する照明装置とを備えることを特徴とする。
また、 この発明の露光装置は、 前記マスクのパターンを前記感光性基板に投影 する投影光学系をさらに備えることを特徴とする。
この露光装置によれば、 光源ユエットが照明装置に対して、 固体光源アレイと は別の光源、 例えば、 水銀ランプにより構成される光源に対して適切となる第 1 状態に設定された照明装置の特性を、 固体光源ァレイの配置によつて適切となる 第 2状態の特性に設定する発散角または配光分布を有する射出光を供給するため 、 マスクのパターンを感光性基板に良好に転写することができる。
また、 この発明の露光方法は、 この発明の露光装置を用いた露光方法であって 、 前記光源ユニットからの光により前記マスクを照明する照明工程と、 前記マス クのパターンを前記感光性基板に転写する転写工程とを含むことを特徴とする。 この露光方法によれば、 光源ユニットが照明装置に対して、 固体光源アレイと は別の光源、 例えば、 水銀ランプにより構成される光源に対して適切となる第 1 状態に設定された照明装置の特性を、 固体光源アレイの配置によって適切となる 第 2状態の特性に設定する発散角または配光分布を有する射出光を供給する露光 装置を用いるため、 マスクのパターンを感光性基板に良好に転写することができ る。
また、 この発明の露光装置の調整方法は、 マスクのパターンを感光性基板に転 写するために、 コンデンサ光学系を含む照明光学系を介して、 光源手段からの光 によりマスクを照明する露光装置の調整方法において、 前記光源手段の代りに複 数の固体光源を前記コンデンサ光学系の前側焦点位置又はそれと光学的に共役な 位置に配置する固体光源配置工程と、 前記複数の固体光源の配置によつて前記照 明光学系の照明特性を調整する調整工程とを含むことを特徴とする。
この露光装置の調整方法によれば、 光源手段の代わりに複数の固体光源をコン デンサ光学系の前側焦点位置又はそれと光学的に共役な位置に配置しても、 調整 工程により露光装置の照明光学系としての照明特性を良好に維持することができ る。 .
また、 この発明の露光装置の調整方法は、 マスクのパターンを感光性基板に転 写するために、 照明光学系を介して、 光源手段からの光によりマスクを照明する 露光装置の調整方法において、 前記光源手段の代わりに複数の固体光源を前記照 明光学系の所定の位置に配置する固体光源配置工程と、 前記複数の固体光源の配 置によって前記照明光学系の照明特性を調整する調整工程とを含むことを特徴と する。 ,
この露光装置の調整方法によれば、 光源手段の代わりに複数の固体光源を照明 光学系の所定の位置に配置したとしても露光装置の照明光学系としての照明特性 又は露光条件を良好に維持することが可能となる。
また、 この発明の露光方法は、 この発明の調整方法により調整された露光装置 を用いた露光方法であって、 照明光学系を介した前記複数の固体光源からの光に より前記マスクを照明する照明工程と、 前記マスクのパターンを前記感光性基板 に転写する転写工程とを含むことを特徴とする。 この露光方法によれば、 照明光学系の照明特性が、 光源手段の代わりに配置さ れた複数の固体光源に適したものに調整されているため、 マスクのパターンを感 光性基板に良好に転写することができる。
また、 この発明の露光装置の調整方法は、 コンデンサ光学系を含む照明光学系 を用いてマスクを照明して、 前記マスクのパターンを感光性基板に転写する露光 装置の調整方法において、 複数の固体光源を前記コンデンサ光学系の前側焦点位 置又はそれと光学的に共役な位置に配置する固体光源配置工程と、 前記複数の固 体光源とは別の光源に対して適切となる第 1状態に設定された前記露光装置の露 光条件を、 前記複数の固体光源の配置によって適切となる第 2状態の露光条件に 設定する調整工程とを含むことを特徴とする。
また、 この発明の露光装置の調整方法は、 照明光学系を用いてマスクを照明し て、 前記マスクのパターンを感光性基板に転写する露光装置の調整方法において 、 複数の固体光源を前記照明光学系の所定の位置に配置する固体光源配置工程と 、 前記複数の固体光源とは別の光源に対して適切となる第 1状態に設定された前 記露光装置の露光条件を、 前記複数の固体光源の配置によって適切となる第 2状 態の露光条件に設定する調整工程とを含むことを特徴とする。
また、 この発明の露光装置の製造方法は、 前記調整工程が前記露光量を制御す る制御装置にオフセット値を付加する工程を含むことを特徴とする。
また、 この発明の露光装置の調整方法は、 前記調整工程が前記照明光学系の照 明特性を調整する照明特性調整工程と、 前記複数の固体光源からの射出光を調整 する射出光調整工程の中の少なくとも一方を含むことを特徴とする。
また、 この発明の露光装置は、 請求項 1乃至請求項 1 2の何れか一項に記載の 製造方法に従って製造されたことを特徴とする。
また、 この発明の露光装置は、 請求項 2 5、 請求項 2 6、 請求項 2 8乃至請求 項 3 1の何れか一項に記載の製造方法に従つて製造されたことを特徴とする。 図面の簡単な説明
図 1は、 この発明の第 1の実施の形態のかかる投影露光装置の概略構成図であ る。 図 2は、 この発明の第 1の実施の形態のかかる投影露光装置の製造方法を示す フローチヤ一トである。
図 3は、 この発明の第 2の実施の形態のかかる投影露光装置の概略構成図であ る。
図 4は、 この発明の第 2の実施の形態のかかる投影露光装置の製造方法を示す フローチヤ一トである。
図 5は、 この発明の第 3の実施の形態のかかる投影露光装置の概略構成図であ る。
図 6は、 この発明の第 4の実施の形態のかかる投影露光装置の概略構成図であ る。
図 7 Aは、 この発明の実施の形態にかかる光源ユニットを説明するための図で ある。
図 7 Bは、 この発明の実施の形態にかかる光源ユニットを説明するための図で ある。
図 8は、 この発明の実施の形態にかかる光源ュニットを説明するための図であ る。
図 9 Aは、 この発明の実施の形態にかかる光源 ニットを説明するための図で ある。
図 9 Bは、 この発明の実施の形態にかかる光源ュニットを説明するための図で める。
図 9 Cは、 この発明の実施の形態にかかる光源ュニットを説明するための図で ある。
図 1 0は、 この発明の実施の形態のかかるマイクロデバイスの製造方法を示す フローチヤ一トである。
図 1 1は、 この発明の実施の形態のかかるマイクロデバイスの製造方法を示す フローチャートである。
図 1 2は、 この発明の実施の形態にかかるファイバ光源の構成を示す図である 図 1 3は、 この発明の実施の形態にかかる別のファイバ光源の構成を示す図で ある。
図 1 4 Aは、 この発明の実施の形態にかかる光源から射出されるビームプロフ ァィルの形状を説明するための図である。
図 1 4 Bは、 この発明の実施の形態にかかる光源から射出されるビームプロフ アイルの形状を説明するための図である。
図 1 4 Cは、 この発明の実施の形態にかかる光源から射出されるビームプロフ ァィルの形状を説明するための図である。
図 1 5 Aは、 この発明の実施の形態にかかるファイバ光源の射出端の形状を示 す図である。
図 1 5 Bは、 この発明の実施の形態にかかるファイバ光源の射出端の形状を示 す図である。
図 1 6は、 この発明の実施の形態にかかるファイバ光源の射出端の形状とフラ ィアイ 'インテグレータのエレメントの形状とが相似形であることを示す図であ る。
図 1 7は、 この発明の実施の形態にかかるファイバ光源において、 固体光源か ら射出される光を無駄なく光ファイバに取り込むための条件を説明するための図 である。
図 1 8は、 この発明の実施の形態にかかるファイバ光源の射出端からフライア ィ 'インテグレータまでの構成を示す図である。
図 1 9は、 この発明の実施の形態にかかるフライアイ 'インテグレータの 1つ のエレメントの形状を示す図である。
図 2 0は、 この発明の実施の形態にかかるファイバ光源の射出端の形状を示す 図である。
図 2 1は、 この発明の実施の形態にかかる各固体光源の出力特 1 "生のばらつきを 平均化した状態をダラフ化した図である。
図 2 2は、 この発明の実施の形態にかかる走査型露光装置の構成を示す図であ る。
図 2 3は、 この発明の実施の形態にかかる走査型露光装置に設けられた 4枚の 可動ブレードを示す図である。 図 2 4は、 この発明の実施の形態にかかる帯電防止手段を備えた露光装置の構 成を示す図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 図面を参照して、 この発明の実施の形態を説明する。 図 1は第 1の実施 の形態にかかる投影露光装置の概略構成を示す図である。
図 1に示す投影露光装置は、 高圧水銀ランプからなる光源に代えて光源 1を備 えている。 即ち光源 1は、 発光ダイオード (固体光源) をアレイ状に配列した発 光ダイオードアレイにより構成され、 回転楕円面からなる反射面を有する楕円鏡 2の第 2焦点位置に位置決めされている。 ここで楕円鏡 2の第 2焦点位置は、 後 .述するコンデンサ光学系 7の前側焦点位置 (光源側焦点位置) と光学的に共役な 位置である。 なお、 光源 1を配置する位置は、 コンデンサ光学系 7の前側焦点位 置 (光源側焦点位置) と光学的に共役な位置の近傍であってもよい。 また、 光源 1を構成する発光ダイオードは、 1個当たり 1 O mW以上の出力を有するもので あり、 出力波長が 4 5 0 n m以下であることが好ましい。
楕円鏡 2の第 2焦点位置に配置された光源 1からの光束は、 コリメートレンズ 3によりほぼ平行な光束に変換された後、 オプティカルィンテグレータとしての フライアイレンズ 4に入射する。
フライアイレンズ 4は、 正の屈折力を有する多数のレンズエレメントをその光 軸が基準光軸 A Xと平行になるように縦横に且つ稠密に配列することによって構 成されている。 フライアイレンズ 4を構成する各レンズエレメントは、 マスク上 において形成すべき照野の形状 (ひいてはプレート上において形成すべき露光領 域の形状) と相似な矩形状の断面を有する。 また、 フライアイレンズ 4を構成す る各レンズエレメントの入射側の面は入射側に凸面を向けた球面状に形成され、 射出側の面は射出側に凸面を向けた球面状に形成されている。
したがって、 フライアイレンズ 4に入射した光束は多数のレンズエレメントに より波面分割され、 各レンズエレメントの後側焦点面には 1つの光源像がそれぞ れ形成される。 すなわち、 フライアイレンズ 4の後側焦点面には、 多数の光源像 からなる実質的な面光源すなわち二次光源が形成される。 フライアイレンズ 4の 後側焦点面に形成された二次光源からの光束は、 その近傍に配置された σ絞り 5 に入射する。 σ絞り 5は、 後述する投影光学系 PLの入射瞳面と光学的にほぼ共 役な位置に配置され、 二次光源の照明に寄与する範囲を規定するための可変開口 部を有する。 σ絞り 5は、 可変開口部の開口径を変化させることにより、 照明条 件を決定する σ値 (投影光学系の瞳面の開口径に対するその瞳面上での二次光源 像の口径の比) を所望の値に設定する。
σ絞り 5を介した二次光源からの光は、 ミラー 6を介して複数のレンズ 7 a〜 7 cにより構成されるコンデンサ光学系 7の集光作用を受けた後、 所定のパター ンが形成されたマスク Mを重畳的に均一照明する。 マスク Mのパターンを透過し た光束は、 投影光学系 PLを介して、 感光 1·生基板であるプレート P上にマスクパ ターンの像を形成する。
なお、 この複数の発光ダイオード (固体光源) により構成される光源 1により 、 プレート P (被照射面) では、 5 OmW/ cm2以上の照度が得られる。 また 、 光源 1により、 プレート P (被照射面) では、 照度むらを平均値 (基準値) に 対して ± 10%以内に抑えることができる。 ここで、 プレート P上の照度の基準 値に対する照度むら I (%) は、 プレート P上の照度の走査方向 (X軸方向) で の平均値のうちの最大値を I m a X (W/ cm2 ) 、 プレート P上の照度の走査 方向 (X軸方向) での平均値のうちの最小値を Im i n (W/cm2 ) とすると 、 次の数式により定義される。
I = { (Ima x- Im i n) / (Ima x+ Im i n) } X 100 (%) また、 この投影露光装置においては、 光源 1が、 定格出力以下の出力で照明光 の射出を行っている。 従って、 固体光源の寿命を延ばすことができる。
そして、 投影光学系 P Lの光軸と直交する平面内においてプレート Pを二次元的 に駆動制御しながら一括露光またはスキャン露光を行うことにより、 プレート P の各露光領域にはマスク Mのパターンが逐次露光される。
なお、 プレート Pは、 プレートステージ P S上に載置されており、 プレートス テージ PS上には、 照度むらセンサ 8が配置されている。 また、 フライアイレン ズ 4とミラー 6との間の光路中には、 ビームスプリッタ 9が配置され、 ビームス プリッタ 9により反射された光は、 インテグレータセンサ 10に入射する。 イン テグレータセンサ 1 0による検出信号は、 制御部 1 1に対して出力される。 また 、 照度むらセンサ 8による検出信号も制御部 1 1に対して出力される。
ここで、 インテグレータセンサ 1 0の検出信号とプレート P上での露光光の照 度との関係は予め高精度に計測されて、 制御部 1 1内のメモリに記憶されている 。 制御部 1 1は、 ィンテグレータセンサ 1 0の検出信号より間接的にプレート P に対する露光光の照度 (平均値) 及びその積分値 (積算露光量の平均値) をモ- タできるように構成されている。 そして、 この制御部 1 1は、 露光中において、 光源 1からの光を、 インテグレータセンサ 1 0を介してプレート Pに対する露光 光の照度の積分値を算出する。 制御部 1 1では、 その照度の積分値を逐次算出し
、 この結果に応じてプレート P上において適正露光量が得られるように、 光源 1 の出力を制御する。 なお、 照度むらセンサ 8による検出結果及びインテグレータ センサ 1 0による検出結果は、 表示部 1 2によっても表示される。
次に、 この第 1の実施の形態にかかる投影露光装置の製造方法の説明を行う。 図 2は、 第 1の実施の形態にかかる投影露光装置の製造方法を説明するためのフ ローチャートである。 まず、 高圧水銀ランプからなる光源を有する投影露光装置から高圧水銀ランプ からなる光源を取除く (ステップ S 1 0 ) 。 次に、 発光ダイオード (固体光源) をァレイ状に配列した発光ダイォードアレイにより構成される光源 1を楕円鏡 2 の第 2焦点位置に配置する (ステップ S 1 1 ) 。 ここで楕円鏡 2の第 2焦点位置 は、 コンデンサ光学系 7の前側焦点位置と光学的に共役な位置である。 なお、 光 源 1を配置する位置は、 コンデンサ光学系 7の前側焦点位置と光学的に共役な位 置の近傍であってもよい。
次に、 高圧水銀ランプからなる光源に代えて発光ダイォードアレイにより構成 される光源 1を配置したことによる露光条件の差をオフセット値として、 図示し ない入力部を介して制御部 1 1に入力する (ステップ S 1 2 ) 。 即ち、 高圧水銀 ランプからなる光源に対して適切となる第 1状態に設定された露光装置の露光条 件、 例えば、 露光時間、 露光量等を光源 1に対して適切となる第 2状態の露光条 件に適したものに設定する。
次に、 光源 1から射出される光の発散角の調整を行う (ステップ S 1 3 ) 。 こ こで光源 1から射出される光の発散角の調整は、 光源 1から射出された光が入射 するコリメートレンズ 3の調整により行うことができる。 例えばコリメ一トレン ズ 3を複数のレンズで構成し、 一部のレンズを光軸 A X方向に移動等することに より光源 1から射出される光の発散角の調整を行うことができる。 また、 光源 1 を構成する複数の発光ダイォードの中の一部の発光ダイォードを傾けることによ つても、 光源 1から射出される光の発散角の調整を行うことができる。
更に、 光源 1を構成する複数の発光ダイオードとして、 発散角が最適なものを 予め選択することによつても、 光源 1から射出される光の発散角の調整を行うこ とができる。 また、 光源 1の光射出面側にレンズアレイを配置し、 レンズアレイ を介した光の発散角を調整するようにしてもよい。
次に、 光源 1から射出される光の配光分布の調整を行う (ステップ S 1 4 ) 。 ここで光源 1から射出される光の配光分布の調整は、 光源 1の光射出面側にレン ズァレイを配置し、 レンズァレイに収差を持たせることにより調整することがで きる。 また、 光源 1を構成する複数の発光ダイオードのそれぞれの光射出面側に 角度特性フィルタを配置することにより調整することができる。 更に、 光源 1を 構成する複数の発光ダイォードの中の一部の発光ダイォードを傾けることによつ ても、 光源 1から射出される光の配光特性の調整を行うことができる。
次に、 マスク M又はプレート P上の照明むらの調整を行う (ステップ S 1 5 ) 。 なお、 照明むらの調整は、 プレート P上に配置されている照度むらセンサ 8に よる検出結果に基づいて行われる。 ここで照明むらの調整には、 傾斜むら調整と 中心対称むら調整が含まれる。 傾斜むら調整は、 コンデンサ光学系 7を構成する 一部のレンズ、 例えばレンズ 7 bを光軸 A Xに対してシフト、 又はチルトさせる ことにより行うことができる。 また、 コリメートレンズ 3を光軸 A Xに対してシ フト、 又はチルトさせることにより行うことができる。 また、 中心対称むら調整 は、 コンデンサ光学系 7を構成する一部のレンズ、 例えばレンズ 7 bを光軸 A X 方向に移動させることにより行うことができる。
次に、 マスク M又はプレート P上のテレセントリシティの調整を行う (ステツ プ S 1 6 ) 。 なお、 テレセントリシティの調整は、 プレート Pの下部に設けられ た図示しないポジショニングセンサを投影光学系の光軸方向に移動させつつ結像 位置の検出を行いこの検出結果に基づいて行う。 ここでマスク M又はプレート P 上のテレセントリシティの調整には、 傾斜テレセントリシティの調整及び倍率テ レセントリシティの調整が含まれる。 傾斜テレセントリシティの調整は、 フライ アイュ-ット、 即ちフライアイレンズ 4及び σ絞り 5を一体として光軸 Α Χに対 してシフトさせることにより、 又は σ絞り 5のみを光軸 Α Χに対してシフトさせ ることにより行うことができる。 また、 光源 1を構成している複数の発光ダイォ 一ドの光量分布を制御することによつても行うことができる。
また、 倍率テレセントリシティの調整は、 フライアイユニット、 即ちフライァ ィレンズ 4及び σ絞り 5を一体として光軸方向に移動させることにより、 又は σ 絞り 5のみを光軸方向に移動させることにより行うことができる。 以上の調整を 行うことにより、 光源 1を備えた投影露光装置の製造が終了する。
この実施の形態にかかる投影露光装置の製造方法によれば、 既存の投影露光装 置の光源を、 金属ガスや希ガス等を用いたランプから長寿命、 低ランニングコス トなどのメリットを持つ発光ダイオードやレーザーダイオードなど、 いわゆる固 体光源に置き換えることができる。 従って、 低ランニングコストで長寿命かつ破 裂の危険性のない光源を有する投影露光装置を提供することができる。
次に、 図 3を参照して、 この発明の第 2の実施の形態にかかる投影露光装置の 説明を行う。 この第 2の実施の形態の説明においては、 第 1の実施の形態にかか る投影露光装置の構成と同一の構成には、 第 1の実施の形態に用いたものと同一 の符号を付して説明を行う。
図 3は第 2の実施の形態にかかる投影露光装置の概略構成を示す図である。 図 3に示す投影露光装置は、 高圧水銀ランプからなる光源に代えて光源 1を備えて いる。 ここで光源 1は、 発光ダイオード (固体光源) をアレイ状に配列した発光 ダイォードアレイにより構成され、 コンデンサ光学系 7の前側焦点位置に位置決 めされている。 なお、 光源 1を配置する位置は、 コンデンサ光学系 7の前側焦点 位置の近傍であってもよい。 .
コンデンサ光学系 7の前側焦点位置に配置された光源 1から射出された光束は 、 ミラー 6を介して複数のレンズ 7 a〜7 cにより構成されるコンデンサ光学系 7の集光作用を受けた後、 所定のパターンが形成されたマスク Mを重畳的に均一 照明する。 マスク Mのパターンを透過した光束は、 投影光学系 P Lを介して、 感 光性基板であるプレート P上にマスクパターンの像を形成する。 こうして、 投影 光学系 P Lの光軸と直交する平面内においてプレート Pを二次元的に駆動制御し ながら一括露光またはスキヤン露光を行うことにより、 プレート Pの各露光領域 にはマスク Mのパターンが逐次露光される。
なお、 プレート Pは、 プレートステージ P S上に載置されており、 プレートス テージ P S上には、 照度むらセンサ 8が配置されている。 また、 光源 1とミラー 6との間の光路中には、 ビームスプリッタ 9が配置され、 ビームスプリッタ 9に より反射された光は、 インテグレータセンサ 1 0に入射する。 インテグレータセ ンサ 1 0による検出信号は、 制御部 1 1に対して出力される。 また、 照度むらセ ンサ 8による検出信号も制御部 1 1に対して出力される。 制御部 1 1は、 記憶さ れている露光条件に基づいて、 光源 1に対して制御信号の出力を行う。 なお、 照 度むらセンサ 8による検出結果及びィンテグレータセンサ 1 0による検出結果は 、 表示部 1 2により表示される。
次に、 この第 2の実施の形態にかかる投影露光装置の製造方法の説明を行う。 図 4は、 第 1の実施の形態にかかる投影露光装置の製造方法を説明するためのフ ローチャートである。
まず、 高圧水銀ランプからなる光源を有する投影露光装置から高圧水銀ランプ からなる光源、 コリメートレンズ、 フライアイレンズ及び σ絞り等を取除く (ス テツプ S 2 0 ) 。 次に、 発光ダイオードをアレイ状に配列した発光ダイオードァ レイにより構成される光源 1をコンデンサレンズ 7の前側焦点位置に配置する ( ステップ S 2 1 ) 。 なお、 光源 1を配置する位置は、 コンデンサ光学系 7の前側 焦点位置の近傍でもよい。
次に、 高圧水銀ランプからなる光源に代えて発光ダイォードアレイにより構成 される光源 1を配置したことによる露光条件の差をオフセット値として、 図示し ない入力部を介して制御部 1 1に入力する (ステップ S 2 2 ) 。 即ち、 高圧水銀 ランプからなる光 ¾1に対して適切となる第 1状態に設定された露光装置の露光条 件、 例えば、 露光時間、 露光量等を光源 1に対して適切となる第 2状態の露光条 件に適したものに設定する。 次に、 光源 1から射出される光の発散角の調整を行う (ステップ S 2 3 ) 。 こ こで光源 1から射出される光の発散角の調整は、 光源 1から射出された光が入射 するコンデンサ光学系 7の調整により行うことができる。 即ち、 コンデンサ光学 系 7を構成する複数のレンズ 7 a〜7 cの中の一部のレンズを光軸 A X方向に移 動等することにより光源 1から射出される光の発散角の調整を行うことができる 。 また、 光源 1を構成する複数の発光ダイオードの中の一部の発光ダイオードを 傾けることによつても、 光源 1から射出される光の発散角の調整を行うことがで きる。
更に、 光源 1を構成する複数の発光ダイオードとして、 発散角が最適なものを 予め選択することによつても、 光源 1から射出される光の発散角の調整を行うこ とができる。 また、 光源 1の光射出面側にレンズアレイを配置し、 レンズアレイ を介した光の発散角を調整するようにしてもよい。
次に、 光源 1から射出される光の配光分布の調整を行う (ステップ S 2 4 ) 。 ここで光源 1から射出される光の配光分布の調整は、 光源 1の光射出面側にレン ズァレイを配置し、 レンズァレイに収差を持たせることにより調整することがで きる。 また、 光源 1を構成する複数の発光ダイオードのそれぞれの光射出面側に 角度特性フィルタを配置することにより調整することができる。 更に、 光源 1を 構成する複数の発光ダイォードの中の一部の発光ダイォードを傾けることによつ てち、 光源 1から射出される光の配光特性の調整を行うことができる。
次に、 マスク M又はプレート P上の照明むらの調整を行う (ステップ S 2 5 ) 。 なお、 照明むらの調整は、 プレート P上に配置されている照明むらセンサ 8に よる検出結果に基づいて行われる。 ここで照明むらの調整には、 傾斜むら調整と 中心対称むら調整が含まれる。 傾斜むら調整は、 光源 1の光射出面側の近傍に濃 度傾斜フィルタを配置することにより行うことができる。 また、 コンデンサ光学 系 7を構成する一部のレンズ、 例えばレンズ 7 bを光軸 A Xに対してシフト、 又 はチルトさせることにより行うことができる。 また、 光源 1を構成する複数の発 光ダイォードの中の一部の発光ダイォードの方向を変化させることにより行うこ とができる。 更に、 光源 1全体を一体として傾けることにより行うことができる また、 中心対称むら調整は、 光源 1の光射出面側の近傍に濃度分布 (中心対称 ) フィルタを配置することにより行うことができる。 また、 コンデンサ光学系 7 を構成する一部のレンズ、 例えばレンズ 7 bを光軸 A X方向に移動させることに より行うことができる。 更に中心対称むらを補正するためのむら補正板、 むら捕 正レンズをマスク Mの近傍、 マスク Mと光学的に共役な位置又はその近傍などの 光路中に揷入することにより行うことができる。
次に、 マスク M又はプレート P上のテレセントリシティの調整を行う (ステツ プ S 2 6 ) 。 なお、 テレセントリシティの調整は、 プレート Pの下部に設けられ た図示しないポジショニングセンサを投影光学系の光軸方向に移動させつつ結像 位置の検出を行いこの検出結果に基づいて行う。 ここでマスク M又はプレート P 上のテレセントリシティの調整には、 倍率テレセントリシティの調整及び傾斜テ レセントリシティの調整が含まれる。 倍率テレセントリシティの調整は、 光源 1 を光軸 A X方向に移動させることにより行うことができる。 また、 コンデンサ光 学系 7を構成する一部のレンズ、 例えばレンズ 7 bを光軸 A X方向に移動させる ことにより行うことができる。 更にテレセントリシティを補正するためのテレセ ン補正板、 テレセン補正レンズをマスク Mの近傍、 マスク Mと光学的に共役な位 置又はその近傍などの光路中に挿入することにより行うことができる。
また、 傾斜テレセントリシティの調整は、 光源 1を光軸 A Xに対して垂直な方 向に移動させることにより行うことができる。 また、 光源 1を構成している発光 ダイォードアレイにおける光強度分布を変化させることにより行うことができる 。 更にテレセントリシティを補正するためのテレセン補正板、 テレセン補正レン ズをマスク Mの近傍、 マスク Mと光学的に共役な位置又はその近傍などの光路中 に挿入することにより行うことができる。 以上の調整を行うことにより、 光源 1 を備えた投影露光装置の製造が終了する。
この第 2の実施の形態にかかる投影露光装置の製造方法によれば、 既存の投影 露光装置の光源を、 金属ガスや希ガス等を用いたランプから長寿命、 低ランニン グコストなどのメリットを持つ発光ダイォードゃレーザーダイォードなど、 いわ ゆる固体光源に置き換えることができる。 従って、 低ランエングコストで長寿命 力つ破裂の危険性のない光源を有する投影露光装置を提供することができる。 ま た、 既存の投影露光装置の集光光学系を取除くことができる。 従って、 コンパク トな投影露光装置を提供することができる。
なお、 上述の第 1及び第 2の実施の形態においては、 照明光学系の照明特性の 調整を、 露光量制御のためのオフセット値の付加、 光源 1から射出される光の発 散角の調整、 光源 1から射出される光の配光分布の調整、 マスク M又はプレート P上の照明むらの調整、 及びマスク M又はプレート P上のテレセントリシティの 調整により行っているが、 この中の少なくとも 1つを行うことにより照明光学系 の照明特性の調整を行うようにしてもよい。
次に、 図 5を参照して、 この発明の第 3の実施の形態にかかる投影露光装置の 説明を行う。 この第 3の実施の形態の説明においては、 第 1の実施の形態にかか る投影露光装置の構成と同一の構成には、 第 1の実施の形態において用いたもの と同一の符号を付して説明を行う。
図 5は第 3の実施の形態にかかる投影露光装置の概略構成を示す図である。 図 5に示す投影露光装置は、 高圧水銀ランプからなる光源に代えて光源ュニット 2 0を備えている。 即ち光源ユニット 2 0は、 回転楕円面からなる反射面を有する 楕円鏡 2の第 2焦点位置に位置決めされている。 ここで楕円鏡 2の第 2焦点位置 は、 後述するコンデンサ光学系 7の前側焦点位置と光学的に共役な位置である。 なお、 光源ユエット 2 0を配置する位置は、 コンデンサ光学系 7の前側焦点位置 と共役な位置の近傍であってもよい。 その他の点においては、 第 1の実施の形態 にかかる投影露光装置と同一の構成である。
次に、 図 6を参照して、 この発明の第 4の実施の形態にかかる投影露光装置の 説明を行う。 この第 4の実施の形態の説明においては、 第 1の実施の形態にかか る投影露光装置の構成と同一の構成には、 第 1の実施の形態において用いたもの と同一の符号を付して説明を行う。
図 6は第 4の実施の形態にかかる投影露光装置の概略構成を示す図である。 図 6に示す投影露光装置は、 高圧水銀ランプからなる光源に代えて光源ュニット 2 0を備えている。 即ち光源ュニット 2 0は、 コンデンサ光学系 7の前側焦点位置 に位置決めされている。 なお、 光源ユニット 2 0を配置する位置は、 コンデンサ 光学系 7の前側焦点位置の近傍であってもよい。 その他の点においては、 第 2の 実施の形態にかかる投影露光装置と同一の構成である。
この第 3及び第 4の実施の形態にかかる投影露光装置に備えられている光源ュ ニット 2 0は、 図 7 Aに示すように、 基板 2 0 a上に発光ダイオード 2 0 bをァ レイ状に配列した発光ダイオードアレイ (固体光源アレイ) 及び正のパワーを持 つマイクロレンズ 2 0 cをアレイ状に配列したマイクロレンズアレイにより構成 され、 マイクロレンズァレイが発光ダイォードアレイの光射出面の近傍に配置さ れている。 この光源ユニット 2 0においては、 正のパワーを持つマイクロレンズ アレイにより発光ダイォードアレイの開口数を制御することにより、 各発光ダイ オード 2 0 bから射出される光の発散角を収束方向に調整することができる。 また、 光源ユニット 2 0は、 図 7 Bに示すような構成であってもよい。 この図 7 Bに示す光源ュ-ット 2 0は、 基板 2 0 a上に発光ダイオード 2 0 bをアレイ 状に配列した発光ダイオードアレイ (固体光源アレイ) 及ぴ負のパワーを持つマ イク口レンズ 2 0 dをアレイ状に配列したマイクロレンズアレイにより構成され 、 マイクロレンズァレイが発光ダイォードアレイの光射出面の近傍に配置されて いる。 この光源ユニット 2 0においては、 負のパワーを持つマイクロレンズァレ ィにより発光ダイォードアレイの開口数を制御することにより、 発光ダイォード 2 0 bから射出される光の発散角を発散方向に調整することができる。
また、 光源、ユニット 2 0は、 図 8に示すような構成であってもよい。 この図 8 に示す光源ュニット 2 0は、 基板 2 0 a上に発光ダイオード 2 0 bをアレイ状に 配列した発光ダイオードアレイ、 むら補正板 (濃度分布 (中心対称) フィルタ及 び濃度傾斜フィルタ) 2 0 e、 及びテレセントリシティ補正板 2 0 f により構成 され、 むら捕正板 2 0 e及びテレセントリシティ補正板 2 0 f が発光ダイォード アレイの光射出面側の近傍に配置されたものである。 なお、 むら補正板、 テレセ ントリシティ補正板は、 それぞれむら補正レンズ、 テレセントリシティ補正レン ズに置き換えてもよい。 図 8に示されている光源ユニット 2 0においては、 むら 補正板 2 0 e、 及びテレセントリシティ補正板 2 0 f を光路内に出し入れするた めの機構が設けられており、 むら補正板 2 0 e、 テレセントリシティ補正板 2 0 f を光路内に出し入れすることにより傾斜むら、 中心対称むら、 傾斜テレセント リシティ及び倍率テレセントリシティを調整することができる。 また、 照明光学系の傾斜むら調整は、 図 9 Aに示すように、 光源ュ-ット 2 0 を傾けることにより行うこともできる。 また、 照明光学系の倍率テレセントリシ ティの調整は、 図 9 Bに示すように、 光源ュュット 2 0を光軸方向に移動させる ことにより行うことができる。 また、 照明光学系の傾斜テレセントリシティ調整 は、 図 9 Cに示すように、 光源ユニット 2 0を光軸垂直方向に移動させることに より行うことができる。 このような光源ユニット 2 0の傾きの調整、 光軸方向又 は光軸に垂直な方向への移動は、 図示しない光源ュニット位置調整機構により行 うことができる。 更に、 照明光学系の傾斜テレセントリシティ調整は、 固体光源 ァレイを構成する複数の発光ダイォードの光量を制御することによつても行うこ とができる。
この第 3及び第 4の実施の形態にかかる投影露光装置によれば、 既存の投影露 光装置の光源を、 発光ダイォードゃレーザーダイォードなどの固体光源及びマイ クロレンズアレイにより構成した光源ュ-ットに置き換えることができる。 また 、 この光源ユニットにおいては、 固体光源から射出される光の発散角、 照明光学 系の傾斜むら、 中心対称むら、 照明光学系の倍率テレセントリシティ、 及び傾斜 テレセントリシティの調整を行うことができる。
上述の各実施の形態にかかる露光装置では、 照明光学装置によってマスクを照 明し (照明工程) 、 投影光学系を用いてマスクに形成された転写用のパターンを 感光性基板に露光する (露光工程) ことにより、 マイクロデバイス (半導体素子 、 撮像素子、 液晶表示素子、 薄膜磁気ヘッド等) を製造することができる。 以下 f 、 実施の形態の露光装置を用いて感光基板としてのウェハ (プレート) 等に所定 の回路パターンを形成することによって、 マイクロデバイスとしての半導体デバ イスを得る半導体デバイスの製造方法を、 図 1 0のフローチャートを参照して説 明する。
先ず、 図 1 0のステップ S 3 0 1において、 1ロットのウェハ上に金属膜が蒸 着される。 次のステップ S 3 0 2において、 その 1ロットのウェハ上の金属膜上 にフォトレジストが塗布される。 その後、 ステップ S 3 0 3において、 本実施の 形態の露光装置を用いて、 マスク上のパターンの像がその投影光学系を介して、 その 1ロットのウェハ上の各ショット領域に順次露光転写される。 即ち、 照明光 学装置によりマスクを照明し (照明工程) 、 マスクのパターンをウェハ上に転写 する (露光工程) 。
その後、 ステップ S 3 0 4において、 その 1ロットのウェハ上のフォトレジス トの現像が行われた後、 ステップ S 3 0 5において、 その 1ロットのウェハ上で レジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、 マスク上のパ ターンに対応する回路パターンが、 各ウェハ上の各ショット領域に形成される。 その後、 更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、 半導体素 子等のデバイスが製造される。 上述の半導体デバイス製造方法によれば、 極めて 微細な回路パターンを有する半導体デバイスをスループット良く得ることができ る。
また、 図 1、 図 3、 図 5及び図 6に示す本実施の形態の露光装置では、 プレー ト (ガラス基板) 上に所定のパターン (回路パターン、 電極パターン等) を形成 することによって、 マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることもできる 。 以下、 図 1 1のフローチャートを参照して、 マイクロデバイスとしての液晶表 示素子を製造する方法を説明する。
図 1 1において、 パターン形成工程 S 4 0 1では、 実施の形態の露光装置を用 いてマスクのパターンを感光性基板 (レジストが塗布されたガラス基板等) に転 写露光する、 所謂光リソグラフイエ程が実行される。 この光リソグラフイエ程に よって、 感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。 その 後、 露光された基板は、 現像工程、 エッチング工程、 レジスト剥離工程等の各ェ 程を経ることによって、 基板上に所定のパターンが形成され、 次のカラーフィル タ形成工程 S 4 0 2へ移行する。
次に、 カラーフィルタ形成工程 S 4 0 2では、 R (Red) 、 G (Green) 、 B ( Blue) に対応した 3つのドットの組がマトリックス状に多数配列され、 または R 、 G、 Bの 3本のストライプのフィルタの組を複数水平走査線方向に配列した力 ラーフィルタを形成する。 そして、 カラーフィルタ形成工程 S 4 0 2の後に、 セ ル組み立て工程 S 4 0 3が実行される。 セル組み立て工程 S 4 0 3では、 パター ン形成工程 S 4 0 1にて得られた所定パターンを有する基板、 およびカラーフィ ルタ形成工程 S 4 0 2にて得られたカラーフィルタ等を用いて液晶パネル (液晶 セル) を組み立てる。 セル組み立て工程 S 4 0 3では、 例えば、 パターン形成ェ 程 S 4 0 1にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルタ形成工程 S 4 0 2にて得られたカラーフィルタとの間に液晶を注入して、 液晶パネル (液晶 セル) を製造する。
その後、 モジュール組み立て工程 S 4 0 4にて、 組み立てられた液晶パネル ( 液晶セル) の表示動作を行わせる電気回路、 パックライト等の各部品を取り付け て液晶表示素子として完成させる。 上述の液晶表示素子の製造方法によれば、 極 めて微細な回路パターンを有する液晶表示素子をスループット良く得ることがで きる。
また、 上述の各実施の形態において、 複数の固体光源として、 複数の発光点を 有する固体光源チップ、 チップを複数個ァレイ状に配列した固体光源チップアレ ィ、 さらに複数の発光点を一枚の基板に作り込んだタイプのものなどを用いても 良い。 なお、 固体光源素子は無機、 有機を問わない。
また、 上述の各実施の形態において、 光源として、 複数個の固体光源と各固体 光源に対応して設けられた複数の光ファイバ等のライトガイド (ファイバ) とを 組み合わせたファイバ光源を用いても良い。 この場合には、 第 1及ぴ第 2の実施 の形態の光源 1がフアイバ光源に変更され、 第 3及び第 4の実施の形態の光源ュ ニット 2 0内の固体光源アレイ (2 0 a、 2 0 b ) がファイバ光源に変更される 図 1 2は、 固体光源 7 1と各固体光源 7 1に対応して設けられた光ファイバ 7 2とを複数個束ね合わせたファイバ光源 6 9を示す図である。 図 1 2に示すファ ィバ光源 6 9においては、 固体光源 7 1から射出される光は、 光ファイバ 7 2の 入射端に入射して、 光ファイバ 7 2の射出端から射出する。 即ち、 光ファイバ 7 2のそれぞれの入射端は、 固体光源 7 1と光学的に接続されている。 また、 図 1 3は、 固体光源 7 1、 各固体光源 7 1に対応して設けられたレンズ (集光光学系 ) 7 3及び光ファイバ 7 2を複数個束ね合わせたファイバ光源 7 0を示す図であ る。 図 1 3に示すファイバ光源 7 0においては、 固体光源 7 1から射出される光 は、 レンズ 7 3に入射して、 レンズ 7 3により集光されて光ファイバ 7 2の入射 端に入射し、 光ファイバ 7 2の射出端から射出する。 即ち、 光ファイバ 7 2のそ れぞれの入射端は、 固体光源、 71と光学的に接続されている。
図 12に示すファイバ光源 69及び図 13に示すファイバ光源 70においては 、 適切な開口数を有する光ファイバ 72を用いることにより、 通常楕円形である 固体光源 71のビームプロファイル 75 (図 14 A参照) を円形のビームプロフ アイル 76 (図 14B及び図 14C参照) に成形することができる。
また、 複数個の光ファイバの射出端部分を任意の形に束ね合わせることにより 光源の射出端の形状 (射出端の配置形状) を最適な形状に成形することが可能で ある。 例えば、 図 15 Aに示すような矩形状に成形することもでき、 図 15Bに 示すような形状に成形することもできる。 また、 図 16に示すように、 ファイバ 光源 69、 70の光ファイバの射出端を束ねた形状とフライアイ 'インテグレー タ 80の 1つのエレメント 81の形状とが相似形になるように、 複数個の光ファ ィバの射出端部分の形状を成形することも極めて容易となる。
. ここで、 図 17は、 図 13に示すファィバ光源 70の 1つの固体光源 71、 そ れに対応して設けられたレンズ (集光光学系) 73及び光ファイバ 72を示す図 である。 図 13に示すファイバ光源 70においては、 固体光源 71の発散光の内 で最大の射出角度を持つ光の開口数 (最大の射出角度 (半角) の正弦 (s i n) 、 以下、 最大開口数と呼ぶこととする) を NA1、 固体光源 71の発光部の大き さ (直径) の最大値を φ、 光ファイバ 72が光を取り込むことが可能な角度範囲 (半角) の正弦 (s i n) 、 いわゆる光ファイバ 72の開口数を NA2、 光ファ ィバ 72の入射端のコア直径を Dとしたとき、 NA2 φ DXNAlの条件を 満足している。 この条件を満足することにより、 固体光源 71から射出される光 を無駄なく光ファイバ 72に取り込むことができ、 固体光源 71から射出される 光の光量を維持して、 光ファイバ 72の射出端から射出させることができる。 また、 光ファイバとして石英ファイバを用いる場合、 固体光、源 71の最大開口 数を NA1、 固体光源 71の発光部の大きさ (直径) の最大値を ψ、 石英フアイ バの入射端のコア直径を Dとしたとき、 0. 3≥φ/ϋΧΝΑ1の条件を満足し ている。 この条件を満足することにより、 固体光源から射出される光を無駄なく 石英フ了ィバに取り込むことができ、 固体光源から射出される光の光量を維持し て、 光ファイバ 72の射出端から射出させることができる。 また、 図 18はファイバ光源 69、 70の射出端からフライアイ 'インテグレ ータ 80までの構成を示す図、 図 19はフライアイ ■インテグレータ 80の 1つ のエレメント 81における入射面の形状を示す図、 図 20はファイバ光源 69、 70の射出端 83の形状を示す図である。 ここで、 フライアイ ·インテグレータ 80のエレメント 81の入射面の一方の長さを a、 他方の長さを b、 複数個の光 ファイバ 72を束ね合わせた射出端 83の形状において一方の長さを A、 他方の 長さを B、 光ファイバ 72とフライアイ ■インテグレータ 80との間に位置する コリメートレンズ 82の焦点距離を f 1、 フライアイ ·インテグレータ 80の焦 点距離を ί 2としたとき、 AX f 2/f 1≤&及び f 2/f l≤bの関係が 成り立つ。
また、 ファイバ光源が m組の光ファイバ光源 69、 70で構成される場合 (m は自然数) 、 m組の光ファイバ 72から射出される光出力の総量を W、 光フアイ バ 72の射出端のコア直径を dとしたとき、 [mX{d (i 2/f 1) }2 π/ ( 4 X a X b) ] XW≥ 30 (mW) の条件を満足することが望ましい。 この条件 を満足することにより、 フライアイ ■インテグレータ 80の 1つのエレメント 8 1に対する光源像の充填率を最適な状態にすることができ、 露光装置として実用 的な照度を得ることができる。 なお、 この場合において、 光ファイバ 72の射出 端を束ねた形状とフライアイ ·インテグレータ 80のエレメント 81の形状とは 相似形であることが望ましい。
また、 図 12に示すファイバ光源 69及び図 13に示すファイバ光源 70にお いては、 光ファイバ 72の射出端における時間的に変化する光量の最大値を Pm a x、 最小値を Pm i nとしたとき、 その光ファイバ 72の射出端における光量 の平均リップノレ幅 Δ Pは、 Δ P= (Pma x~Pm i n) / (Pma x + Pm i n) により算出される。 ここで、 フライアイ ·インテグレータ 80の入射端にお いて要求される光量のリップル幅を AWとしたとき、 固体光源 71の数 nは n≥
(AP/AW) 2 の条件を満足することが望ましい。
この条件を満足することにより、 ファイバ光源 69、 70の射出端から射出さ れる光出力のばらつきは、 固体光、源 71の数 nを (ΔΡΖΔ 2 より多くする ことにより平均化され、 その平均化効果により安定した光出力を有するファイバ 光源 6 9、 7 0を提供することができる。
また、 図 1 2に示すフ了ィバ光源 6 9及び図 1 3に示すファィバ光源 7 0にお いては、 それぞれの固体光源 7 1の波長、 光量等の出力特性にばらつきがある場 合、 それら出力特性の異なる複数個の固体光源 7 1をファイバ光源の光源として 用いることによりファイバ光源 6 9、 7 0の射出端において出力特性のばらつき が平均化される。 ファイバ光源 6 9、 7 0の射出端において平均化された光は、 さらにフライアイ 'インテグレータ 8 0により平均化される。 図 2 1は、 各固体 光源 7 1の出力特性のばらつきを平均化した状態をグラフ化した図である。 それ ぞれ異なった出力特性を持つ固体光源 7 1を平均化して、 グラフ化したものが A V Eである。 このように、 出力特性の異なる複数個の固体光源 7 1を組み合わせ たものをファイバ光源 6 9、 7 0に使用した場合において、 平均化効果により安 定した光出力を有する照明光を得ることができる。
また、 露光装置が走査型露光装置である場合に、 同期ブラインドを備えても良 い。 図 2 2は、 走査型露光装置の構成図である。 この露光装置は、 投影光学系に 対して、 マスクステージ及び基板ステージが移動しつつ、 マスクのパターンをプ レート上に転写する走査型露光装置であり、 同期ブラインド (可動ブラインド機 構) 9 0を有する。 その他の点においては、 第 1の実施の形態にかかる露光装置 と同一の構成を有する。
図 2 2に示すように、 マスク Mの近傍には、 固定ブラインド B L Oと、 可動ブ ラインド機構 9 0とが配置されており、 図 2 3に示すように、 この可動ブライン ド機構は、 4枚の可動ブレード B L 1、 B L 2、 B L 3、 B L 4からなる。 可動 ブレード B L 1、 B L 2のェッジによつて走查露光方向の開口 A Pの幅が決定さ れ、 可動ブレード B L 3、 B L 4のエッジによって非走查方向の開口 A Pの長さ が決定される。 また、 4枚の可動ブレード B L 1〜: B L 4の各エッジで規定され た開口 A Pの形状は、 投影レンズ P Lの円形イメージフィールド I F内に包含さ れるように定められる。
固定ブラインド B L 0の開口と可動ブランド機構 9 0の開口 A Pとを通過した 照明光はマスク Mを照射する。 つまり、 各可動ブレード B L 1〜B L 4によって 形成される開口 A Pと固定ブラインドの開口とが重なっている領域についてのみ 、 マスク Mの照明が行われることになる。 通常の露光状態においては、 固定ブラ インド B L 0の開口の像がマスク Mのパターン面に結像されるが、 マスク M上の 特定走査露光領域の周辺すなわち遮光部分の近傍領域の露光が行われる場合、 4 枚の可動ブレード B L 1〜B L 4によって遮光部分の外側に照明光が入射するこ とが防止される。 即ち、 マスクステージの走査に際して、 照明光学系から射出さ れる光束とマスク Mとの相対位置に関する情報が監視される。 この監視情報に基 づいて、 マスク M上の特定走査露光領域の露光開始時や露光終了時において遮光 部分の近傍領域について露光が始まると判断した場合、 可動プレード B L 1、 B L 2のエッジ位置を移動させ、 走査露光方向の開口 A Pの幅を制御する。 これに より、 不要なパターン等がプレートに対して転写されるのを防止することができ る。 なお、 この露光装置においては、 マスク M近傍に可動ブラインド機構 9 0を 設けているが、 マスク Mと共役な位置又はその近傍の位置であれば、 他の位置に 可動プラインド機構を設けても良い。
また、 露光装置に帯電防止手段を設けるようにしても良い。 図 2 4は、 帯電防 止手段を備えた露光装置の構成図である。 その他の点においては、 第 1の実施の 形態にかかる露光装置と同一の構成を有する。 この露光装置においては、 光源を 収容する筐体 9 2と、 照明光学系及び投影光学系等の露光装置本体を収容する筐 体 9 3とが別々に設けられており、 筐体 9 2と筐体 9 3とが電気的に接続され、 更にアースされている。 即ち、 筐体 9 2と筐体 9 3とが同電位に保たれている。 また、 光源に電力を供給する電源部 9 4と露光装置本体に電力を供給する電源部 9 5とが別々に設けられており、 それぞれアースされている。 したがって、 露光 装置の光源及び露光装置本体に静電気が帯電するのを防止することができ、 静電 気による固体光源の破損を防止することができる。
また、 上述の各実施形態におけるマスクに替えて、 投影すべきパターンを生成 する可変パターン生成装置を用いても良い。 このような可変パタ一ン生成装置は 、 自発光型画像表示素子と、 非発光型面像表示素子とに大別される。 自発光型画 像表示素子としては、 C R T (cathode ray tube)、 無機 ELディスプレイ、 有機 EL ディスプレイ (0LED: Organic Light Emitting diode) 、 L E Dディスプレイ、 L Dディスプレイ、 電界放出ディスプレイ(FED : field emission display) , プ ラズマディスプレイ(PDP: Plasma Display Panel)が例としてあげられる。 また 、 非発光型画像表示素子は、 空間光変調器 (Spatial Light Modulator:以下 SLM と略記する)とも呼ばれ、 光の振幅、 位相あるいは偏光の状態を空間的に変調す る素子であり、 透過型空間光変調器と反射型空間光変調器とに分けられる。 透過 型空間光変調器としては、 透過型液晶表示素子 (LCD: Liquid Crystal Display) 、 エレクトロクロミックディスプレイ(ECD)などが例としてあげられ、 反射型空 間光変調器としては、 DMD (Deformable Micro - mirror Device, または Digital Micro-mirror Device)、 反射ミラーアレイ、 反射型液晶表示素子、 電気泳動デ イスプレイ(EPD: ElectroPhoretic Display) , 電子ペーパー (または電子インク ) 、 光回折型ライトバルブ (Grating Light Valve)などが例としてあげられる。 この発明の露光装置の製造方法によれば、 複数の固体光源とは別の光源、 例え ば、 水銀ランプにより構成される光源を、 複数の固体光源に取り換えた場合等に おいて、 調整工程により、 複数の固体光源とは別の光源に対して適切となる第 1 状態に設定された照明光学系の特性を、 複数の固体光源の配置によって適切とな る第 2状態の特性に設定することから、 複数の固体光源に適した特性を有する照 明光学系を備えた露光装置を製造することができる。
また、 この発明の光源ユニットによれば、 照明装置に対して固体光源アレイと は別の光源、 例えば、 水銀ランプにより構成される光源に対して適切となる第 1 状態に設定された照明装置の特性を、 固体光源アレイの配置によって適切となる 第 2状態の特性に設定する発散角または配光分布を有する射出光を供給すること ができる。
また、 この発明の露光方法によれば、 複数の固体光源とは別の光源に対して適 切となる第 1状態に設定された照明光学系の特性を、 複数の固体光源の配置によ つて適切となる第 2状態の特性に設定された露光装置を用いるため、 マスクのパ ターンを感光性基板に良好に転写することができる。
また、 この発明の露光装置によれば、 光源ユニットが照明装置に対して、 固体 光源アレイとは別の光源、 例えば、 水銀ランプにより構成される光源に対して適 切となる第 1状態に設定された照明装置の特性を、 固体光源アレイの配置によつ て適切となる第 2状態の特性に設定する発散角または配光分布を有する射出光を 供給するため、 マスクのパターンを感光性基板に良好に転写することができる。 また、 この発明の露光装置の調整方法によれば、 光源手段の代わりに複数の固 体光源を照明光学系の所定の位置に配置した場合に調整工程により照明光学系の 照明特性を調整することができる。 産業上の利用可能性
以上のように、 この発明の露光装置の製造方法、 該露光装置に用いられる光源 ユニット、 該光源ユニットを備えた露光装置、 該露光装置を用いた露光方法及び 該露光装置の調整方法は、 半導体素子、 撮像素子、 液晶表示素子、 薄膜磁気へッ ド等のデバイスの製造に用いるのに適している。

Claims

請求の範囲
1 . コンデンサ光学系を含む照明光学系を用いてマスクを照明して、 前記マ スクのパターンを感光性基板に転写する露光装置の製造方法において、
複数の固体光源を前記コンデンサ光学系の前側焦点位置又はそれと光学的に共 役な位置に配置する固体光源配置工程と、
前記複数の固体光源とは別の光源に対して適切となる第 1状態に設定された前 記照明光学系の特性を、 前記複数の固体光源の配置によって適切となる第 2状態 の特性に設定する調整工程と
を含むことを特徴とする露光装置の製造方法。
2 . 前記照明光学系は、 前記複数の固体光源と前記コンデンサ光学系との間 の光路中にォプティ力ルインテグレータを含むことを特徴とする請求項 1に記載 の露光装置の製造方法。
3 . 照明光学系を用いてマスクを照明して、 前記マスクのパターンを感光性 基板に転写する露光装置の製造方法において、
複数の固体光源を前記照明光学系の所定の位置に配置する固体光源配置工程と 前記複数の固体光源とは別の光源に対して適切となる第 1状態に設定された前 記照明光学系の特性を、 前記複数の固体光源の m置によって適切となる第 2状態 の特性に設定する調整工程と
を含むことを特徴とする露光装置の製造方法。
4 . 前記調整工程は、
前記マスク又は前記感光性基板での照明むらを調整する照明むら調整工程と、 前記マスク又は前記感光性基板でのテレセントリシティを調整するテレセント リシティ調整工程の中の少なくとも一方の工程により調整を行うことを特徴とす る請求項 1乃至請求項 3の何れか一項に記載の露光装置の製造方法。
5 . 前記調整工程は、
前記複数の固体光源から射出される複数の光の内の少なくとも 1つの発散角を 調整する発散角調整工程と、 前記複数の固体光源から射出される複数の光の内の 少なくとも 1つの配光分布を調整する配光分布調整工程の中の少なくとも一方の 工程により調整を行うことを特徴とする請求項 1乃至請求項 3の何れか一項に記 載の露光装置の製造方法。
6 . 前記調整工程は、
前記照明光学系の照明特性を調整する照明特性調整工程と、 前記複数の固体光 源からの射出光を調整する射出光調整工程とを含むことを特徴とする請求項 1乃 至請求項 3の何れか一項に記載の露光装置の製造方法。
7 . 前記照明特性調整工程は、 前記マスク又は前記感光性基板での照明むら を調整する照明むら調整工程と、 前記マスク又は前記感光性基板でのテレセント リシティを調整するテレセントリシティ調整工程の中の少なくとも一方の工程に より調整を行い、
前記射出光調整工程は、 前記複数の固体光源から射出される複数の光の内の少 なくとも 1つの発散角を調整する発散角調整工程と、 前記複数の固体光源から射 出される複数の光の内の少なくとも 1つの配光分布を調整する配光分布調整工程 の中の少なくとも一方の工程により調整を行うことを特徴とする請求項 6に記載 の露光装置の製造方法。
8 . コンデンサ光学系を含む照明光学系を用いてマスクを照明して、 前記マ スクのパターンを感光性基板に転写する露光装置の製造方法において、
複数の固体光源を前記コンデンサ光学系の前側焦点位置又はそれと光学的に共 役な位置に配置する固体光源配置工程と、
前記複数の固体光源とは別の光源に対して適切となる第 1状態に設定された前 記露光装置の露光条件を、 前記複数の固体光源の配置によって適切となる第 2状 態の露光条件に設定する調整工程と
を含むことを特徴とする露光装置の製造方法。
9 . 照明光学系を用いてマスクを照明して、 前記マスクのパターンを感光性 基板に転写する露光装置の製造方法において、
複数の固体光源を前記照明光学系の所定の位置に配置する固体光源配置工程と
前記複数の固体光源とは別の光源に対して適切となる第 1状態に設定された前 記露光装置の露光条件を、 前記複数の固体光源の配置によって適切となる第 2状 態の露光条件に設定する調整工程と
を含むことを特徴とする露光装置の製造方法。
1 0 . 前記調整工程は、 前記露光量を制御する制御装置にオフセット値を付 加する工程を含むことを特徴とする請求項 8または請求項 9に記載の露光装置の 製造方法。
1 1 . 前記調整工程は、 前記照明光学系の照明特性を調整する照明特性調整 工程と、 前記複数の固体光源からの射出光を調整する射出光調整工程の中の少な くとも一方を含むことを特徴とする請求項 8乃至請求項 1 0の何れか一項に記載 の露光装置の製造方法。
1 2 . 前記複数の固体光源は、 発光ダイオードアレイを含むことを特徴とす る請求項 1乃至請求項 1 1の何れか一項に記載の露光装置の製造方法。
1 3 . 照明装置に取り付けられる光 ュニットにおいて、
複数の固体光源がアレイ状に配置された固体光源アレイと、
前記固体光源ァレイの光射出側に配置されたァレイ状の光学素子とを備え、 前記固体光源ァレイとは別の光源に対して適切となる第 1状態に設定された前 記照明装置の特性を、 前記固体光源ァレイの配置によって適切となる第 2状態の 特性に設定する発散角または配光分布を有する射出光を前記照明装置に対して供 給することを特徴とする光源ュニット。
1 4 . 前記固体光源アレイ及び前記光学素子は、 光源としてのランプからの 光を集光する楕円鏡と前記照明装置内のオプティカルインテグレータとの間の光 路中に配置できるように構成されることを特徴とする請求項 1 3に記載の光源ュ ニット。
1 5 . 前記固体光源ァレイの光射出特性を調整する調整手段を含むことを特 徴とする請求項 1 3または請求項 1 4に記載の光源ユエット。
1 6 . 複数のファイバを更に備え、
前記複数のフアイパのそれぞれの入射端は前記複数の固体光源と光学的に接続 されていることを特徴とする請求項 1 3乃至請求項 1 5の何れか一項に記載の光 源ュ-ット。
1 7 . 複数の固体光源がアレイ状に配置された固体光源アレイと、 前記固体光源ァレイの光射出特性を調整する調整手段と
を含むことを特徴とする光源ュニット。
1 8 . 前記調整手段は、 前記固体光源アレイから射出される光の発散角、 前 記固体光源ァレイから射出される光の配光分布、 被照射面での照明むら及びテレ セントリシティの内の少なくとも一つを調整可能に構成されることを特徴とする 請求項 1 7に記載の光源ュニット。
1 9 . 複数のファイバを更に備え、
前記複数のファィパのそれぞれの入射端は前記複数の固体光源と光学的に接続 されていることを特徴とする請求項 1 7または請求項 1 8に記載の光源ュニット
2 0 . 請求項 1乃至請求項 1 2の何れか一項に記載の製造方法により製造さ れた露光装置を用いた露光方法であって、
前記複数の固体光源からの光により前記マスクを照明する照明工程と、 前記マスクのパターンを前記感光性基板に転写する転写工程と
を含むことを特徴とする露光方法。
2 1 . 前記転写工程は、 前記マスクのパターン像を前記感光性基板に投影す る投影光学系を用いて、 前記マスクのパターンを前記感光性基板に転写する工程 を含むことを特徴とする請求項 2 0に記載の露光方法。
2 2 . 請求項 1 3乃至請求項 1 9の何れか一項に記載の光源ュニットと、 マスクのパターンを感光性基板に露光するために、 前記光源ュエツトからの光 により前記マスクを照明する照明装置と
を備えることを特徴とする露光装置。
2 3 . 前記マスクのパターンを前記感光性基板に投影する投影光学系をさら に備えることを特徴とする請求項 2 2に記載の露光装置。
2 4 . 請求項 2 2または請求項 2 3に記載の露光装置を用いた露光方法であ つて、
前記光源ユエットからの光により前記マスクを照明する照明工程と、 前記マスクのパターンを前記感光性基板に転写する転写工程と を含むことを特徴とする露光方法。
2 5 . マスクのパターンを感光性基板に転写するために、 コンデンサ光学系 を含む照明光学系を介して、 光源手段からの光によりマスクを照明する露光装置 の調整方法において、
前記光源手段の代りに複数の固体光源を前記コンデンサ光学系の前側焦点位置 又はそれと光学的に共役な位置に配置する固体光源配置工程と、
前記複数の固体光源の配置によつて前記照明光学系の照明特性を調整する調整 工程と
を含むことを特徴とする露光装置の調整方法。
2 6 . マスクのパターンを感光性基板に転写するために、 照明光学系を介し て、 光源手段からの光によりマスクを照明する露光装置の調整方法において、 前記光源手段の代わりに複数の固体光源を前記照明光学系の所定の位置に配置 する固体光源配置工程と、
前記複数の固体光源の配置によつて前記照明光学系の照明特性を調整する調整 工程と
を含むことを特徴とする露光装置の調整方法。
2 7 . 請求項 2 5または請求項 2 6に記載の調整方法により調整された露光 装置を用いた露光方法であって、
照明光学系を介した前記複数の固体光源からの光により前記マスクを照明する 照明工程と、
前記マスクのパターンを前記感光性基板に転写する転写工程とを含むことを特 徴とする露光方法。
2 8 . コンデンサ光学系を含む照明光学系を用いてマスクを照明して、 前記 マスクのパターンを感光性基板に転写する露光装置の調整方法において、 複数の固体光源を前記コンデンサ光学系の前側焦点位置又はそれと光学的に共 役な位置に配置する固体光源配置工程と、
前記複数の固体光源とは別の光源に対して適切となる第 1状態に設定された前 記露光装置の露光条件を、 前記複数の固体光源の配置によつて適切となる第 2状 態の露光条件に設定する調整工程とを含むことを特徴とする露光装置の調整方法
2 9 . 照明光学系を用いてマスクを照明して、 前記マスクのパターンを感光 性基板に転写する露光装置の調整方法において、
複数の固体光源を前記照明光学系の所定の位置に配置する固体光源配置工程と 前記複数の固体光源とは別の光源に対して適切となる第 1状態に設定された前 記露光装置の露光条件を、 前記複数の固体光源の配置によつて適切となる第 2状 態の露光条件に設定する調整工程とを含むことを特徴とする露光装置の調整方法
3 0 . 前記調整工程は、 前記露光量を制御する制御装置にオフセット値を付 加する工程を含むことを特徴とする請求項 2 8または請求項 2 9に記載の露光装 置の調整方法。
3 1 . 前記調整工程は、 前記照明光学系の照明特性を調整する照明特性調整 工程と、 前記複数の固体光源からの射出光を調整する射出光調整工程の中の少な くとも一方を含むことを特徴とする請求項 2 8乃至請求項 3 0の何れか一項に記 載の露光装置の調整方法。
3 2 . 請求項 1乃至請求項 1 2の何れか一項に記載の製造方法に従って製造 されたことを特徴とする露光装置。
3 3。 請求項 2 5、 請求項 2 6、 請求項 2 8乃至請求項 3 1の何れか一項に 記載の調整方法に従つて製造されたことを特徴とする露光装置。
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