WO2004040597A1

WO2004040597A1 - インダクタンス部品とそれを用いた電子機器

Info

Publication number: WO2004040597A1
Application number: PCT/JP2003/013894
Authority: WO
Inventors: Nobuya Matsutani; Akihiko Ibata; Yoshihisa Takase; Takeshi Takahashi
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Priority date: 2002-10-31
Filing date: 2003-10-30
Publication date: 2004-05-13
Also published as: US20050068150A1; JPWO2004040597A1; JP3807438B2; CN100517526C; CN1685452A; US7212094B2

Abstract

小型低背化しても十分なインダクタンスを得ることができるインダクタンス部品とそれを用いた電子機器を提供する。コイル（２１）と、前記コイル（２１）内のスルーホール部（２２）と、多層磁性層（３０）とを有するインダクタンス部品であって、前記コイル（２１）の上面及び下面と、前記スルーホール部（２２）の内壁とに前記多層磁性層（３０）を配置して構成する。

Description

明細書

インダクタンス部品とそれを用いた電子機器技術分野

本発明は、携帯電話等の電源回路に用いられるインダクタンス部品とそれを用いた電子機器に関する。背景技術

図 1 1 を用いて、携帯電話等に用いられる電源回路を説明する。例えば入力電圧として 4 Vの電池 1 0 1 を用いると、 2 Vの出力電圧を得ることが可能である ^ ?

o ^ ~ Πィル 1 0 2は、チヨクコイルと呼ばれる。コイル 1 0 2 を回路に入れることで安定した出力電圧を得るとができるた、より出力電圧を安定化させるためには、ィル 1 0 2のインダクタンスを大きくする必要がある。このようにして、図 1 1 に示す源回路は、より安定された直流の出力 Sis圧を供給することがでさる。

一般にコィル 1 0 2のインダク夕ンスを大きくするためにはコイル 1 0 2の nァ断面積を大きくしてコイルの巻き数を多 < する必要がある o そのため、コィル 1 0 2の容積を大きくしなければならないという問題点がある。一方近年携帯電話に対する小型低背化要求に伴て、その電源回路に用いられるコイルの小型低背化がますますく求められている 0 例えば、面積が 5 m m X 5 m m以下で、厚さ 1 m m以下のコィル 1 0 2が必要とされている。さらに、スィツチンク周波数も数百 k H zから数十 M H zへと高くなつているのようなスィツチング周波数の高周波化に伴い、コア損失の低減が求められている。また、機器が低電圧、高電流化した状態で使用されるようになり、小型低背化したコイルにおいても、 0 . 1 A以上の最大電流が流れる場合がある。そのため、コィル抵抗値をより低減することが必要となる。そこで、上記問題点を解決するための方法が特開平 9 一 2 2 3 6 3 6号公報（第 3頁、第 1 図）に開示されている。

図 1 2 を用いて従来のインダク夕ンス部品を説明する。多層磁性膜 1 1 2は、層間絶縁層 1 1 5 を介してコイル 1 1 1 を挟持している。そして、スルーホール部（以後 T H Pという） 1 1 4 をコイル 1 1 1 の側面及び中央に設ける。さらに、 T H P 1 1 4 は磁性体 1 1 3で充填される。そしてコイル 1 1 1 は銅などの高導電率材料を板状に巻いて形成されるため、コイル 1 1 1 を薄くすることができる。しかしながら、上記従来の構成のコイルでは、インダクタンスを十分に大きくすることができないという課題がある。さらに、 T H P 1 1 4の中に磁性層 1 1 3 を形成するため、磁性層 1 1 3の断面積は大きなものとなる。コイル 1 1 1 に電流を流すと、 T H P 1 1 4を垂直方向に貫く磁束が生じる。そして、磁性層 1 1 3 の水平面に渦電流が生じる。この時、磁性層 1 1 3 の断面積が大きいために、この渦電流が大きくなる。

その結果、 T H P 1 1 4を垂直方向に貫く磁束を減少させる。そのため、コイルのインダク夕ンスを大きくすることができなレ一方、高比抵抗磁性材料を用いることにより、ある程度渦電流を低減することができる。しかし、スィッチング周波数が数百 k H zから数十 M H zへと高周波化すると、十分な渦電流低減効果を得ることができない。また、例えばスルホールの直径 1 m m以下で、深さが 0 . 1 m m以上 1 m m以下の場合、この T H Pに磁性材料をスパッ夕、蒸着等で充填あるいは配置することは難しい。なぜなら、品質、生産性等の課題があるからである。本発明は上記課題を解決し、小型低背化しても十分なインダクタンスを得ることができるインダクタンス部品とそれを用いた電子機器を提供する。発明の開示

ィルと、刖記コィル内に形成したスルーホール部と、多層磁性層とを有するィンダク夕ンス部品であって刖スルーホール部の内壁と、刖記コィルの上面及び下面とに刖記多層磁性層を配置したィンダクタンス部 P

PPを提供する。図面の簡単な説明

図 1 は本発明の実施の形態 1 におけるィンダクタンス部 - ^aの斜視図である

図 2は本明の実施の形態 1 におけるインダクタンス

面図である

図 3は本明の実施の形態 1 における T H Pの拡大断面図である o

図 4は本明の形態におけるコイル上面の拡大断面図である図 5は本明の形態における T H Pの内壁の拡大断面図である o

図 6は本発明の実施の形態 2 における T H Pの内壁の拡大断面図である。図 7は本発明の実施の形態 3 \ ける多層磁性層のコーナー部付近の拡大断面図である。

図 8は本発明の実施の形態 4 \ ける T H P上面付近の拡大断面図である。

図 9は本発明の実施の形態 5 における多層磁性層の斜視図である。

図 1 0 発明の実施の形態 6 における T H P内壁の拡大斜視である

図 1 1 電話に用いられる電源回路の回路図である。

図 1 2 来のインダク夕ンス部品の断面図である。発明を実施するための最良の形態以下本発明の実施の形態を、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であり、各位置を寸法的に正しく示した ·ものではない。

(実施の形態 1 )

図 1 と図 2は、実施の形態 1 のインダクタ.ンス部品を示している。図 2 において、コイル 2 1 とスルーホール電極 5 0は銅や銀などの高導輋率材料をめつきして構成される。もちろん銅線等によりコイル 2 1 を形成してもよい。 T H P 2 2はコイル 2 1 の中心部に形成される。また、場合によってはコイル 2 1 の外側部分に形成してもよい。コイル 2 1 の厚みは、用いられる機器により異なるが、少なくとも大電流に対応するために 1 0 m以上の厚みが必要となる。また、コイル 2 1 の上段のコイルは、インダク夕ンス部品の一方の側面にある端子部 2 3から T H P 2 2に向かつて渦巻き状に巻かれている。そして、中央部で下段に移りスル一ホール電極 5 0からインダクタンス部品の他方の側面にある端子部 2 4向かって渦巻き状に巻いて形成される。なお、このコィル 2 1 の上段及び下段のコイルの巻く方向は同じ向きである。これによって、端子部 2 3から電流を入力した場合、電流はインダクタンス部品の側面から中央に向かってコイル 2 1 の上段を渦巻き状に流れる。さらに、上段から下段に流れ、インダクタンス部品の中央から側面に向かってコイル 2 1 の下段を渦巻き状に流れ、端子部 2 4に出力される。なお、コイル 2 1が、図 2のように二段ではなく、一段あるいは三段以上であってもよい。コイル 2 1 はコイル絶縁材 2 5内に埋設されている。このコイル絶縁材 2 5 は、コイル 2 1がショートするのを防ぐ。次に、多層磁性層（以後 ML Mという） 3 0 を、コイル 2 1 の上面に配置し、同時に T H P 2 2の内壁を形成する。ここで、 M L P 3 0は、磁性層 2 6 と絶縁層 2 9 とから構成されている。さらに、コイル 2 1 の下面にも M L M 3 0 を配置する。絶縁材 2 7は、 ML M 3 0を覆うように形成する。即ち、コイル 2 1 の上面及び下面の ML P 3 0 を覆い、さらに TH P 2 2内の M L P 3 0 を覆っている。その時、 T H P 2 2内の M L P 3 0からなる空間部にも絶縁材 2 7が充填される。絶縁材 2 7は、 M L M 3 0が露出した状態でインダクタンス部品を電子部品に搭載した場合に、ショートするのを防ぐために設ける。なお図 2は、丁11 ? 2 2内の1^ 1^ ? 3 0からなる空間部を絶縁材 2 7が完全に充填している状態を示しているが、必ずしも完全に充填する必要はない。しかし、インダク夕ンス部品を吸引して基板上に実装する場合は、絶縁材 2 7 を TH P 2 2内の M L P 3 0からなる空間部を完全に充填していることがより好ましい。また絶縁材 2 7 として、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂等の有機樹脂材料が好ましい。なお、図 2 においては、 M L M 3 0同士は一体になるよう形成されているが、必ずしも M L M 3 0 同士が一体になるよう形成する必要はない。しかし、磁束が最も集中しやすい T H P 2 2のコーナー部 7 1 において、磁気ギャップが生じないように連続的に磁性層を形成することが好ましい。このようにすると、漏洩磁束も少なく、インダクタンスも大きくすることできる。なお、丁 11 ? 2 2内の]^し ^[ 3 0上に磁性体を配置させてもよい。その際、できるだけ磁気ギャップが生じないように密着させることがより好ましい。また、磁性体は、フェライト磁性体、フェライト磁性粉末と絶縁性樹脂との複合体、あるいは金属磁性粉末と絶縁性樹脂との複合体からなる群のうちの少なくとも一つから構成される。このようにすると、絶縁材 2 7がない場合でも絶縁性が優れ且つ回路上でのショート等を低減できるので、優れた信頼性が得られる。図 3 は T H P 2 2 の拡大断面図である。めっき下地層 2 8は、コイル絶縁材 2 5 に M L M 3 0 を構成するために設ける。つまり、電気めつきでめつき下地層 2 8 の上に磁性層 2 6 を形成させ易くするために設けられる。めっき下地層 2 8は、例えば無電解めつきで形成され、導電性の優れた Cu、 N i あるいは金属磁性層が好ましく用いられる。

図 4に示すように、絶縁層 2 9が各磁性層 2 6 を隔てることで、 M L M 3 0 を構成する。 M L M 3 0は、以下のようにして形成される。まず、めっき下地層 2 8 の上に電気めつきで磁性層 2 6 を形成させ、その上に電気めつきあるいは電着等で絶縁層 2 9 を形成する。さらに、磁性層、絶縁層、磁性層の順で形成させることによって、薄い MLM 3 0を構成することができる。なお、図 4 においては M L M 3 0を三層としたが、多層ではない磁性層、つまり一層、または二層の磁性層あるいは四層以上であってもよい。また、コイル下面に配置する MLM 3 0の構成についても同様である。さらに、 M L M 3 0の構成において、電気めつきで磁性層を形成させ易くするために、絶縁層と磁性層の間にめつき下地層 2 8と同様な下地層を設けてもよい。なお磁性層を無電解めつきで形成してもよい。さらに、 MLM 3 0を上記以外の方法で積層しても、構造が同じであれば効果が同じことはいうまでもない。

MLM 3 0のうち少なくとも一層以上の主成分を、 Fe、 Ni、 Co からなる群のうち少なくとも一つを有するように MLM 3 0を構成する。このようにして、大電流に対応可能な高飽和磁束密度と高透磁率を満たす、優れた磁気特性を有する磁性層が得られ、そして高いインダクタンスを実現できる。磁性層の一層あたりの厚みは、スイッチング周波数によっても異なるが、数百 k H zから数十 M H zを想定した場合 1 mから 5 0 mが好ましい。また絶縁層の一層あたりの厚みは、比抵抗値にもよるが、 0. 0 1 m から 5 mが好ましい。また、絶縁層の比抵抗値も高ければ高いほどよいが、磁性層との比抵抗値の比が 10³以上であれば、効果がある。絶縁層として、有機樹脂材料あるいは金属酸化物等の無機材料が好ましい。さらにこれらの混合物でもよい。図 5は、 T H P 2 2の内壁の拡大断面図である。図 5に示すように、絶縁層 2 9が各磁性層 2 6を隔てることで、 MLM 3 0を構成する。 M LM 3 0は、以下のようにして形成される。まず、めっき下地層 2 8の上に電気めつきで磁性層 2 6を形成させ、次に電気めつきあるいは電着等で絶縁層 2 9 を形成する o さらに、その上に磁性層絶縁層、磁性層の順で形成させることによって、 M L M 3 0 を構成する。このようにして、めつさにより M L M 3 0の一層あたりの磁性層の断面積を十分に小さくしている。なお図 5 においては M L M 3 0 を三層としたが、多層ではない磁性層、つまり層、または二層の磁性層あるいは四以上の M L M 3 0であつてもよい。さらに、 M L M 3 0の構成において、電気めつきで磁性層 2 6 を形成させ易くするために、絶縁層と磁性層の間にめさ下地層 2 8 と同様な下地層を設けてもょレ ₀ なね、磁性層を

4 電解めつきで形成してもよい。さらに M L M 3 0 を上記以外の方法で積層しても、構造が同じであれば効果が同じであることはいうまでもない。 M L M 3 0のうち少なくとも一層以上の主成分を F e N i Coからなる群のうち少なくとも一つを有するように M L M 3 0を構成する。このようにして、大電流に対応可能な高飽和磁束密度と高透磁率を満たす、優れた磁気特性を有する M L M 3 0 を得ることができる。それと同時に、高いインダクタンスを実現することができる。磁性層の一層あたりの好ましい厚みは、スイッチング周波数によっても異なる。例えば、数百 k H zから数十 M H z を想定した場合、厚みは 1 mから 5 0 mが好ましレまた、絶縁層の一層あたりの厚みは、比抵抗値によっても異なるが、 0. 01 m〜 5 mが好ましい。

また、絶縁層の比抵抗値も高ければ高いほどよいが、磁性層との比抵抗値の比が 1 0³以上であれば、効果がある。絶縁層として、有機樹脂材料あるいは金属酸化物等の無機材料が好ましい。

さらに、これらの混合物でもよい。上記構成のインダクタンス部品について、以下その動作を説明する。コイル 2 1 は、規則正しく渦巻き状になっており、さらには二段構造を有しそれらの巻き方向も一致している。そのため、電流をコイル 2 1 に流すと、強い磁束を得ることができ、インダクタンス部品のインダクタンスを大きくすることができる。これによつて、小型低背化しても十分にインダクタンスの大きいインダクタンス部品を得ることができる。また、コイル 2 1は銅めつき等で形成され、その断面は円形ではなく四角形で構成される。その特長は、コイル 2 1 の断面が円形である場合に比べ、四角形であるためコイル 2 1 の断面積を大きくできる点にある。その結果、電気抵抗の小さい、小型低背化したコイル 2 1 を得ることができる。このような高占積率のコイルを用いることにより、コイル部に発生する損失（銅損）も低減できる。コイル 2 1 に電流を流すとインダクタンス部品には磁束が生じる。さらに、コイル 2 1 の上面及び下面に配置する M L M 3 0の面内方向にも磁束が生じる。そして、磁束は TH P 2 2の内壁に形成された ML M 3 0の面内方向にも生じる。この磁束により、 M L M 3 0の厚さ方向に渦電流が生じる。そして、これが ML M 3 0の面内方向に生じる磁束を減少させるので、ィンダク夕ンス部品のインダクタンスが小さくなる。また、 M L M 3 0の厚さ方向に発生する渦電流は、インダクタンス部品からの発熱の原因にもなる。しかし、本実施の形態のインダクタンス部品は、コイル 2 1 の上面及び下面に M L M 3 0が形成されている。その結果、 M L M 3 0の一層あたりの厚さ方向の断面積は渦電流に対して十分に小さいものとなる。さらに、 T H P 2 2の内壁に M L M 3 0 を形成しているので、 M L M 3 0 の一層あたりの厚さ方向の断面積は十分に小さい。そして、 M L M 3 0 の厚さ方向に生じる渦電流をおさえることができるので、 M L M 3 0 の面内方向に生じる磁束が減少させられるのを防ぐことができる。このようにして、インダク夕ンス部品のインダクタンスを大きくすることができる。また、インダクタンス部品からの発熱もおさえることができる。一方、例えばスルホール直径が 1 m m以下で、深さが 0 . 1 m m以上 1 m m以下である T H P 2 2の内壁に、 M

L M 3 0 をスパッタ、蒸着法等で形成することは困難である。めつき法で形成することがもっとも好ましい。のようにして、小型低背化しても十分にインダクタンスの大きいィンダク夕ンス部品を得ることができる。以上述べたように本実施の形態のィンダク夕ンス部品は、小型低背化しても十分に大さいィンダクタンスが得られるので、各種小型電子機器例えば帯電話等に塔載してもよい。

(実施の形態 2 )

次に図 6 を参照しながら、実施の形態 2のィンダクタンス部品を説明する。インダク夕ンス部品の基本的な構成は、実施の形態

1のインダクタンス部品と同様である。ただ M L M 3 0 を構成する各磁性層 2 6の厚さが異なっている点が実施の形態 1 と相違している。図 6において、 M L M 3 0は各磁性層 2 6 を絶縁層 2 9で隔てることで構成されている。 M L M 3 0は、以下のようにして形成される。まず、めっき下地層の上に電気めつきで磁性層 2 6 を形成させ、次に電気めつきあるいは ¾着等で絶縁層

2 9を形成する。さらに、'磁性層、絶縁層、磁性の順で形成することによって、 M L M 3 0が構成される。のようにして、めっきにより M L M 3 0の一層あたりの磁性層の断面積を十分に小さくしている。本実施の形態においてインダクタンス部品の TH P 2 2の内壁に形成する M L M 3 0は、実施の形態 1 と異なり、以下のように構成される。 ML M 3 0 を構成するそれぞれの磁性層 2 6の厚さが、コイル 2 1 の中心に向かうにつれて厚くなるように形成する。なお、図 6 においては M L M 3 0 を三層としたが、二層の磁性層または四層以上の ML M 3 0であってもよい。また、 M L M 3 0の構成において、形成し易くするために絶縁層と磁性層の間にめつき下地層 2 8 と同様な下地層を設けてもよレ^ 上記構成のインダクタンス部品について、以下その動作を説明する。コイル 2 1 に電流を流すと磁束が発生する。この磁束は、主にコイル 2 1 の外壁、上面、下面及び TH P 2 2 の内壁を沿うように磁気回路を構成する。そしてこの磁気回路の外側の磁束は、磁路長が長いために磁束が弱くなる。 TH P 2 2の内壁に形成した M L M 3 0 の面方向に貫く磁束は、コイル 2 1 の中心に近づくにつれて M L M 3 0で構成される磁気回路の外側に位置する。そして、磁路長が長くなるので、磁束が弱くなる。その結果、 TH P 2 2の内壁に形成した M L M 3 0 を貫く磁束は不均一なものとなる。しかし、本実施の形態によれば T H P 2 2の内壁に形成する ML M 3 0のそれぞれの磁性層 2 6の厚さは、コイル 2 1 の中心に向かうにつれて厚くなるように形成されている。その結果、それぞれの磁性層 2 6で形成されている磁気抵抗は均一化される。そして、 M L M 3 0のそれぞれの磁性層 2 6の面方向に貫く磁束が、コイル 2 1 の中心に近づくにつれて、弱くなることはない。これによつて、 TH P 2 2の内壁に形成した ML M 3 0 を貫く磁束は均一なものとなり、漏洩磁束を低減することができる。以上のように、本実施の形態のインダクタンス部品は、コィル 2 1 の TH P 2 2の内壁に形成した ML M 3 0 を貫く磁束が均一なものとなる。その結果、漏洩磁束を低減でき、インダクタンスをより大きくすることができる。

(実施の形態 3 )

次に、本実施の形態のインダクタンス部品を、図 7 を参照しながら説明する。インダクタンス部品の基本的な構成は実施の形態 1 のインダクタンス部品と同様である。コイル 2 1 の TH P 2 2 の内壁に形成した M L M 3 0 と、コイル上面及び下面に配置する M L M 3 0 とからなるコーナ一部 7 1 の磁性層の厚みを厚くした点に相違がある。図 7 において、コ一ナ一部 7 1 は、 M L M 3 0 のそれぞれの磁性層の厚みが厚くなるよう形成されている。そのため、コーナー部 7 1 の M L M 3 0の厚さ方向の断面積は、コィル 2 1 の上面及び下面に配置する ML M 3 0や TH P 2 2の内壁に形成された M L M 3 0の厚さ方向の断面積に比べて大きくなつている。上記構成のインダクタンス部品について、以下その動作を説明する。コイル 2 1 に電流を流すと磁束が発生するが、この磁束は主にコイル 2 1 の外壁、上面、下面及び TH P 2 2の内壁を沿うように磁気回路を構成する。さらに、 M L M 3 0の面内方向にも磁束が生じる。この M L M 3 0の面内方向の磁束は、磁束の一番集中しやすい T H P 2 2の ML M 3 0 のコーナ一部 7 1 において、 M L Mで構成される磁気回路から漏れやすくなる。

しかし、本実施の形態のインダクタンス部品は、コーナ一部 7 1 の M L M 3 0のそれぞれの磁性層の厚みが、' 厚くなるよう形成されている。その結果、コーナ一部 7 1 の ML M 3 0の厚さ方向の断面積が大きくなつているため、コーナー部 7 1 の ML M 3 0 の面内方向に貫く磁束に対する磁気抵抗が小さくなる。そのため、コーナ—部 7 1 の ML M 3 0の面内方向に貫く磁束が、 ML M 3 0で構成される磁気回路から漏洩するのを防ぐことができる。このようにして、インダクタンス部品のインダク夕ンスを大きくすることができる。つまり、本実施の形態によれば、十分にィンダクタンスの大きいインダク夕ンス部品を得ることができる。 (実施の形態 4 )

次に、図 8 を参照しながら、本実施の形態のインダクタンス部品を説明する。ィンダク夕ンス部品の基本的な構成は実施の形態 1 のインダクタンス部品と同様である。しかし、 TH P 2 2の上面と下面のうち少なくともいずれか一方の絶縁材 2 7 に、凹部を設ける点に相違がある。図 8は、本実施の形態のインダク.タンス部品の T H P 2 2の上面付近の拡大図である。図 8において、絶縁材 2 7は、 T H P 2 2内の M L P 3 0からなる空間部に充填される。そして、 TH P 2 2の上面と下面のうち少なくともいずれか一方に凹部を設ける。また絶縁材 2 7 として、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ァクリル樹脂等の有機樹脂材料が好ましい。

上記構成のインダクタンス部品について、以下その動作を説明する。本実施の形態のインダクタンス部品を携帯電話等の電子機器の電源回路の基板に設置する時は、完成したインダクタンス部品を吸引して基板上に実装する。この際に、インダクタンス部品の TH P 2 2の上面と下面のうち少なくともいずれか一方に凹部を設けていると、より吸引しやすくなる。凹部の深さは吸引が容易になる程度で十分で、浅い方が好ましい。これによつてインダク夕ンス部品が吸引され移動する際の落下等を、防止することができる。なお、上記実施の形態 1から 4の L部品を磁性体、金属板、多層磁性層で覆ってもよい。これによつて、漏れ磁束をさらに減少させることができる。なお、この場合はこれらの磁性層に吸引のための凹部を設けてもよい。

(実施の形態 5 )

次に、本実施の形態のインダクタンス部品について、図 9を参照しながら説明する。ィンダク夕ンス部品の基本的な構成は実施の形態 1 のインダク夕ンス部品と同様であるが、 M L M 3 0の面内方向にスリット 9 1 を構成している点に相違がある。

また、図 2 と同様にコイル 2 1 の下面に配置する M L M 3 0 の面内方向にもスリット 9 1が設けられている。

なお、図 9ではスリット 9 1 を四つ設けているが、一つでも二つ以上でもあってもよい。上記構成のインダクタンス部品について、以下その動作を説明する。コイル 2 1 に電流を流すとインダクタンス部品には磁束が生じる。そして、大部分の磁束はコイル 2 1 の上面及び下面に配置する M L M 3 0 の面内方向に生ずる。しかし、小型低背化になればなるほどコイル 2 1 の上面及び下面に配置する多層磁性層 3 0 の厚さ方向にも磁束が生ずる。この磁束により上面及び下面に配置する M L M 3 0 の面内方向に渦電流が生じるため、インダク夕ンスが小さくなる。また、 M L M 3 0の厚さ方向に発生する渦電流は、インダク夕ンス部品からの発熱の原因にもなる。しかし、本実施の形態のインダク夕ンス部品は、 M L M 3 0の面内方向にスリツト 9 1 を構成しているため、 M L M 3 0の面内方向の断面積を小さくすることができる。

その結果、上面及び下面に配置する M L M 3 0の面内方向に生じる渦電流をおさえることができる。このようにして、インダクタンス部品のインダクタンスを大きくすることができる。また、インダク夕ンス部品からの発熱もおさえることができる。これによって、小型低背化しても十分にインダク夕ンスの大きいインダクタンス部品を得ることができる。なお、本実施の形態のインダクタンス部品は、コイル 2 1 の上面及び下面に配置する M L M 3 0の面内方向にスリット 9 1 を構成している。そして、コイル 2 の上面及び下面にめっき下地層 2 8 を形成する時は、そのめつき下地層 2 8 の面内方向にスリット 9 1 を構成する。その結果、めっき下地層 2 8 の厚さ方向に生じる磁束が打ち消されるのを防ぐことができる。このようにすれば、インダク夕ンス部品のインダクタンスを大きくすることができるのでより好ましい。また、インダクタンス部品からの発熱もおさえることができる。これによって、小型低背化しても十分にインダクタンスの大きいインダクタンス部品を得ることができる。 · (実施の形態 6 )

次に、本実施の形態のインダクタンス部品について図 1 0 を参照しながら説明する。インダクタンス部品の基本的な構成は実施の形態 1 のインダク夕ンス部品と同様である。 T H P 2 2の内壁に形成した M L M 3 0の縦方向に、上部より下部にわたるスリット 9 2 を構成している点に相違がある。上記構成のインダクタンス部品について、以下その動作を説明する。コイル 2 1 に電流を流すとインダク夕ンス部品には磁束が生じる。そして、大部分の磁束はコイル 2 1 の上面及び下面、さらに TH P 2 2 の内壁に配置している M L M 3 0の面内方向に生ずる。さらに、 TH P 2 2 の内壁に形成された M L P 2 6からなる空間部の中央あたりにも縦方向の磁束が生ずる。この磁束を打ち消す方向、特に TH P 2 2の内壁に配置された環状の M L P 3 0 の円周方向に渦電流が生じる。その結果、インダク夕ンスが小さくなる。しかし、本実施の形態のインダクタンス部品は T H P 2 2の内壁に形成された M L M 3 0の縦方向に，スリット 9 2 を構成している。そのため、円周方向の渦電流を断つことができ、インダク夕ンス部品のインダクタンスを大きくすることができる。また、インダク夕ンス部品からの発熱もおさえることができる。なお、図 1 0ではスリツトを縦に一箇所設けているが、二つ以上でもよいことはいうまでもない。さらに、できるだけ細いスリットを縦方向に一箇所構成されている方が、高いインダクタンスが得られる点から好ましい。なお、スリットの巾は 0. 0 1〜 5 0 mで、好ましくは 1〜 1 0 mである。また、スリットの形成は、マスキング一エッチング、レーザ一カツト法などの公知の方法によって行われる。

これによつて、小型低背化しても十分にインダクタンスの大きいインダク夕ンス部品を得ることができる。なお、 T H P 2 2の内壁に形成した ML M 3 0の横方向にスリットを構成しても、 T H P 2 2 の内壁に形成した ML M 3 0の円周方向の渦電流を断つことができない。産業上の利用可能性

本発明のインダクタンス部品は、小型低背化しても十分に大きいインダクタンスを有している。そのため、小型低背化が必要とされる電子機器などのインダクタンス部品として最適である。例えば携帯電話等の電源回路などに用いられる。

Claims

請求の範囲

1 . コイルと、前記コイル内に形成したスルーホール部と、多層磁性層とを有するインダクタンス部品であって、前記スルーホール部の内壁と、前記コイルの上面及び下面とに前記多層磁性層を配置したインダクタンス部品。

2 . コイルと、前記コイル内に形成したスルーホール部と、多層磁性層とを有するインダク夕ンス部品であって、前記スルーホール部の内壁に前記多層磁性層を、前記コイルの上面及び下面に磁性体を配置したインダク夕ンス部品。

3 . 前記磁性体が、フェライト磁性体、フェライト磁性粉末と絶縁性樹脂との複合体、あるいは金属磁性粉末と絶縁性樹脂との複合体からなる群のうちの少なくとも一つである請求項 2記載のインダクタンス部品。

4 . 前記スルーホール部の内壁に形成された前記多層磁性層からなる空間部に、絶縁材を充填した請求項 1 と請求項 2のうちいずれか一つに記載のインダク夕ンス部品。

5 . 前記多層磁性層は、磁性層と絶縁層が交互に積層して構成される請求項 1 と請求項 2のうちいずれか一つに記載のインダクタンス部品。

6 . 前記多層磁性層は、めっき法により形成した層を少なくとも一つを有する請求項 1 と請求項 2のうちいずれか一つに記載のインダクタンス部品。

7 . 前記多層磁性層は、主組成が F e、 N i、 Coからなる群のうちのうち少なくとも一つを有する請求項 1 と請求項 2のうちいずれか一つに記載のインダクタンス部品。

8 . 前記コイルの前記スルーホール部の内壁に形成した前記多層磁性層を構成するそれぞれの磁性層の厚さが、前記コイルの中心に向かうにつれて厚くなるように形成されている請求項 1 と請求項 2のうちいずれか一つに記載のインダク夕ンス部品。

9 . 刖記コイルの刖記スル一ホール部の内壁に形成した BU B己多層磁性 /曰と、刖 Bdコィルの上面及び下面に配置する刖 d多層磁性層とが一体になるよ Όに構成した請求項 1記載のインダクタン部ロロ。

1 0 . 前記コィレの前記スルーホール部の内壁に形成した前記多層磁性層と、刖ィルの上面及び下面に配置する前記多層磁性層とからなるコーナ一部の磁性層の厚みを厚くした請求項 9 記載のィンダクタンス部 P

ΠΡ o

1 1 . 前記絶縁材の上面と下面のうち少なくともいずれか一方に凹部を有する請求項 4に記載のインダクタンス Bliロロ 0

1 2 . 前記コィルの上面及び下面に配置する前記多層磁性層の面内方向にスリツ卜を構成した請求項 1 に記載のインダクタン s部ロロ。

1 3 . 刖記スレ一ホ —ル部の内壁に形成した前記多層磁性層の少なくとも縦方向の一部にスリットを構成した請求項 1請求項

2のうちいずれか一つに記載のインダクタンス部品 o

1 4 . 請求項 1 または請求項 2 に記載のィンダクタンス部品を搭載した電子機器。