WO2003104899A1 - 表面凹凸形成方法およびその利用 - Google Patents

Abstract

感エネルギー性ネガ型樹脂組成物を用いた表面凹凸形成方法であって、（Ａ）少なくとも１種類の（ｂ）重合可能な化合物を含有する感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜を形成する工程；（Ｂ）前記感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜に画像状に活性エネルギー線を照射する工程；および（Ｃ）前記感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜を、エッチング操作を行うことなく加熱する工程；を含む、前記画像に従った表面凹凸を形成する表面凹凸形成方法を開示する。この方法によれば、簡便にかつ安価に、任意の画像に従った表面凹凸形状を形成することができる。さらに、この方法に使用する感エネルギー性ネガ型樹脂組成物、ならびに、この方法を用いた転写原型、転写原型を形成する転写原型、転写ベースフィルム、転写フィルム、光学フィルム、拡散反射板およびその製造方法を開示する。

Description

明 細 書 表面凹凸形成方法およびその利用 技術分野

本発明は、 感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜を使用する表面凹凸形成方法と その利用に関する。 関連技術

樹脂表面に凹凸形状を形成する場合、 従来は、 パターン形成されたマスクを介 して感光性樹脂層に紫外線を照射し、 樹脂層の露光部分または未露光部分を現像 液で除去する方法が用いられてきた。

しかし、従来の方法では、所望の凹凸形状を得るために、感光性樹脂層の膜厚、 感光性樹脂の受光感度、 マスクの開口比、 露光量、 現像液濃度、 現像液温度ある いは現像時間の調整が必要であるため、 製造プロセス上の変動因子が多く、 同一 の条件で同一の凹凸形状を得ることは困難であり、 比較的高価でもある。 また、 多段階のプロセスを経るために、 基板や反射膜と樹脂層の界面で剥離が生じやす いという問題もあった。

一方で、 パターン形成されたマスクを用いなくてもよいという利点を備え、 光 /熱硬化性樹脂層の内部応力、 伸縮性を制御して凹凸を形成する方法が、 特開 2

0 0 0 - 1 7 1 7 9 2号公報、 特開 2 0 0 1— 1 7 4 8 0 3号公報、 特開 2 0 0

1 - 3 0 5 5 3 0号公報に開示されている。

しかし、 これらの先行技術では、 任意の画像に従った表面凹凸を形成すること ができず、 凹凸形状により得られる光学特性も、 印刷用版、 配向制御、 マイクロ カプセル制御への用途の制御性に欠けるものである。 発明の開示 本発明は、 簡便かつ安価に任意の画像に従った樹脂表面凹凸形状を形成できる 方法を提供することを目的とする。

別の本発明は、 この表面凹凸形成方法に使用される樹脂組成物、 同方法を用い た転写原型、転写原型を形成する転写原型、転写ベースフィルム、転写フィルム、 光学フィルム、 拡散反射板およびその製造方法を提供することを目的とする。 本発明の第 1の側面によれば、 感エネルギー性ネガ型樹脂組成物を用いた表面 凹凸形成方法であって、

(A) 少なくとも 1種類の （b ) 重合可能な化合物を含有する感エネルギー性 ネガ型樹脂組成物膜を形成する工程；

(B ) 前記感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜に画像状に活性エネルギー線を 照射する工程；および

(C) 前記感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜を、 エッチング操作を行うこと なく加熱する工程；

を含む、 前記画像に従った表面凹凸を形成する表面凹凸形成方法が提供される。 本発明の第 2の側面によれば、 感エネルギー性ネガ型樹脂組成物を用いた表面 凹凸形成方法であって、

(K) 少なくとも 1種類の （b ) 重合可能な化合物を含有する感エネルギー性 ネガ型樹脂組成物膜を形成する工程；

(L ) 前記感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜に、 所定の遮光パターンが形成 されたマスクを介して、 または所定の遮光部が形成されるように直接に、 活性ェ ネルギ一線を照射する工程；

(M) 前記感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜に画像状に活性エネルギー線を 照射する工程；

(N) 前記感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜の前記工程 （L ) の遮光された 箇所をエッチングする工程；および

(〇） 前記感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜を加熱する工程；

を含む、 前記画像に従った表面凹凸を形成する表面凹凸形成方法が提供される。 本発明の第 3の側面によれば、 活性エネルギー線を画像状に照射した後、 エツ チング操作を行うことなく加熱することにより表面に凹凸を形成するために用い られる組成物であって、 （a ) バインダポリマー、 1種類以上の （b ) 重合可能な 化合物、 および、 ( c )光重合開始剤、 を含む感エネルギー性ネガ型樹脂組成物が 提供される。

本発明の第 4の側面によれば、 上記表面凹凸形成方法を用いて形成された光学 フィルムが提供される。

本発明の第 5の側面によれば、 上記光学フィルムと、 この光学フィルムの表面 に設けられた反射膜とを含む拡散反射板が提供される。

本発明の第 6の側面によれば、 基板と表面凹凸形状を備えた薄膜層と反射膜と がこの順に積層されてなる拡散反射板であって、 薄膜層が 1種類以上の （a ) 重 合可能な化合物、 （b ) バインダポリマー、 および（c ) 光重合開始剤を含む組成 物を用いて形成されたものである拡散反射板が提供される。

本発明の第 7の側面によれば、 上記表面凹凸形成方法を用いて作製された表面 凹凸面を有する第 1の転写原型が提供される。

本発明の第 8の側面によれば、 上記第 1の転写原型の表面凹凸面を型として得 られた第 2の転写原型が提供される。

本発明の第 9の側面によれば、 ベースフィルムとこのベースフィルム上に形成 された下塗り層 （下塗り層からなる被転写層） とを含む転写ベースフィルムであ つて、 下塗り層が、 上記第 1または第 2の転写原型の表面凹凸形状の転写による 表面凹凸形状を有するものである転写べ一スフイルムが提供される。

本発明の第 1 0の側面によれば、 仮支持体とこの仮支持体上に形成された薄膜 層とを有する転写フィルムであつて、 仮支持体が上記転写ベースフィルムであつ て、 転写ベースフィルムの下塗り層表面に薄膜層が積層されており、 この薄膜層 の下塗り層側とは反対側の表面が被転写基板への直接の接着面を構成する転写フ イルムが提供される。

本発明の第 1 1の側面によれば、 下記の工程：上記転写フィルムを、 被転写基 板上に、 転写フィルムの薄膜層が被転写基板の表面に密着するように積層するェ 程；転写フィルムの転写ベースフィルムを剥がす工程；および転写された薄膜層 の表面に反射膜を形成する工程、 を含む拡散反射板の製造方法が提供される。 本発明の第 1 2の側面によれば、 上記転写フィルムにおいて仮支持体と薄膜層 の間にさらに反射膜を含む転写フィルム、 および、 この転写フィルムを用いた拡 散反射板の製造方法であって、 転写フィルムを、 被転写基板上に、 転写フィルム の薄膜層が被転写基板の表面に密着するように積層する工程；および転写フィル ムの転写ベースフィルムを剥がす工程、 を含む拡散反射板の製造方法が提供され る。

本発明の第 1 3の側面によれば、 下記の工程：上記転写ベースフィルムを、 薄 膜層付き基板の薄膜層の表面に、 転写ベースフィルムの下塗り層側が面するよう に押し当てて、 薄膜層の表面に下塗り層の表面凹凸形状を転写する工程；転写べ 一スフイルムを剥がす工程；および薄膜層の表面に反射膜を形成する工程、 を含 む拡散反射板の製造方法が提供される。

本発明の第 1 4の側面によれば、 上記いずれかの拡散反射板の製造方法により 得られた拡散反射板が提供される。

本発明の第 1 5の側面によれば、 上記転写ベースフィルムの下塗り層の表面に 反射膜を設けた拡散反射板が提供される。

本発明の第 1 6の側面によれば、 反射型液晶ディスプレイに用いられる、 上記 いずれかの拡散反射板、 および、 この拡散反射板を有する反射型液晶ディスプレ ィが提供される。 図面の簡単な説明

図 1 ( a ) 〜 （d ) は、 表面凹凸形成方法の一工程例を模式的に示す断面図で ある。

図 2は、 レーザー顕微鏡観察により得られた、 表面凹凸形状の凹凸段差の一例 (実施例 1および実施例 2 7 ) を示すグラフ図である。 図 3 (a) 〜 （f) は、 表面凹凸形成方法の別の一工程例を模式的に示す断面 図である。

図 4 (a) 〜 （f) は、 表面凹凸形成方法の別の一工程例を模式的に示す断面 図である。

図 5 (a) 〜 （f) は、 表面凹凸形成方法の別の一工程例を模式的に示す断面 図である。

図 6は、 転写フィルムの一例を模式的に示す断面図である。

図 7 (a) 〜 （e) は、 拡散反射板の製造方法の一例を模式的に示す断面図で ある。

図 8は、 拡散反射板の一例を模式的に示す断面図である。

図 9は、 反射型液晶ディスプレイの一例を模式的に示す断面図である。

図 10は、 実施例 1で得られた表面凹凸サンプル （S 6) の表面凹凸形状の顕 微鏡写真である。

図 1 1は、 実施例 3で得られた拡散反射板の反射光量の入射角依存性を示すグ ラフである。

図 12は、 レーザー顕微鏡観察により得られた、 実施例 5の表面凹部の断面プ 口ファイルを示すグラフである。

図 13は、 レーザー顕微鏡観察により得られた、 実施例 6の表面凸部の断面プ 口ファイルを示すグラフである。

図 14は、実施例 16で得られた転写原型の表面凹凸形状の顕微鏡写真である。 図 15は、 実施例 16で得られた拡散反射板の反射光量の入射角依存性を示す グラフである。

図 16 (a) 〜 （e) は、 実施例 27で実施した工程を模式的に示す断面図で ある。

図 17は、 実施例 27で得られた表面凹凸フィルムの表面凹凸形状の顕微鏡写 真である。

図 18は、 実施例 27で得られた拡散反射板の反射光量の入射角依存性を示す グラフである。

図 1 9は、 実施例 2 9のサンカレ No. 4の凹凸段差 （前加熱後） を示すグラフ である。

図 2 0は、 実施例 2 9のサンプル No. 4の凹凸段差 （後加熱後） を示すグラフ である。

図 2 1は、 実施例 3 0のサンプル No. 3の凹凸段差 （後加熱後） を示すグラフ である。 発明の実施の形態

本発明に係る表面凹凸形成方法は、 感エネルギー性ネガ型樹脂組成物 （以下、 「樹脂組成物 （R)」 という。） を用いるものであり、 感エネルギ一性ネガ型樹脂 組成物膜 （以下、 「樹脂組成物 （R) 膜」 という。） を形成する工程 （A) と、 樹 脂組成物（R)膜に対し画像状に（像的に）活性エネルギ一線を照射する工程（B ) と、 樹脂組成物 （R) 膜を加熱する工程 （C) とを含んでいる。 活性エネルギー 線の照射と加熱により、 照射部の樹脂組成物 （R) 膜の膜厚が非照射部の膜厚よ りも厚くなる。 その結果、 照射される活性エネルギー線の画像 （あるいはパター ン） に従った表面凹凸が形成される。 本発明において、 活性光線は活性エネルギ —線の一例である。

上記の表面凹凸形成方法において、 活性エネルギー線の照射は、 少なくとも 1 回行われるものであり、 2回以上の複数回行われる場合も含まれる。 活性エネル ギ一線の照射は、たとえば、画像状にパターン形成されたマスクを介して行われ、 その場合は、 マスクのパ夕一ンに従った表面凹凸が形成される。 あるいは、 マス クを用いずに、 パターンの直接描画により行われ、 この場合は、 直接描画された パターンに従った表面凹凸が形成される。 これらのパターンは、 規則的であって も、 不規則的であってもよい。 上記加熱工程は、 活性エネルギー線照射後のエツ チング操作を行うことなく実施される。

得られた表面凹凸は、 たとえば以下のような多様な用途を有している。 ( 1 ) この表面凹凸を有する光学フィルムを作製する。

( 2 ) この表面凹凸を有する転写原型を作製する。

( 3 ) さらにその転写原型を用いて作製した表面凹凸面を有する転写原型を作製 する。

( 4 ) 上記転写原型の表面凹凸面を、 ベースフィルム上に形成した下塗り層から なる被転写層に押当てることで、 表面凹凸形状が転写された転写べ一スフイルム を作製する。

( 5 ) この転写ベースフィルムを仮支持体として用い、 仮支持体の下塗り層 （す なわち、 転写原型が転写さ た面） に薄膜層を形成し、 薄膜層の仮支持体側と反 対側の面が被転写基板への直接の接着面 （すなわち被転写基板との接触面） を構 成する転写フィルムを作製する。

( 6 ) 拡散反射下地層としてこの表面凹凸を有する拡散反射板を作製する。 その 作製方法としては、 たとえば、 上記光学フィルムを用いる方法、 上記転写フィル ムを用いる方法、 上記転写ベースフィルムを用いる方法、 が挙げられる。 樹脂組成物 （R) (樹脂組成物 （R) 膜） は、 少なくとも 1種類の重合可能な化 合物 （b ) を含んでいる。 ここで、 重合可能な化合物は、 重合可能なモノマーお よび Zまたは重合可能なオリゴマーである。 好ましくは、 この重合可能な化合物 は、 分子内に少なくとも 1個の不飽和結合を有する化合物であり、 たとえば、 分 子内に少なくとも 1個のエチレン性不飽和基を有する化合物である。 さらに好ま しくは、樹脂組成物（R)膜は、 1種類以上の重合可能な化合物（b ) に加えて、 バインダポリマー （a ) と光重合開始剤 （c ) を含んでいる。 この光重合開始剤 は、 活性エネルギー線の照射により遊離ラジカルを生成する重合開始剤である。 なお、 本発明において、 バインダボリマ一とバインダ樹脂は同義である。 上記パインダポリマー （a ) としては、 フィルム付与性を有するものであれば 特に限定はされないが。 ビニル共重合体を好ましく用いることができる。 ビニル 共重合体に用いられるビニルモノマーとしては、 たとえば、 アクリル酸、 メ夕ク リル酸、 マレイン酸、 フマル酸、 ィタコン酸、 アクリル酸メチル、 メタクリル酸 メチル、 アクリル酸ェチル、 メタクリル酸ェチル、 アクリル酸 n-プロピル、 メタ クリル酸 n-プロピル、 アクリル酸 iso-プロピル、 メタクリル酸 i so-プロピル、 アクリル酸 n-プチル、 メ夕クリル酸 n -プチル、 アクリル酸 iso -プチル、 メタァ クリル酸 iso-ブチル、 アクリル酸 sec-ブチル、 メ夕クリル酸 sec-ブチル、 ァク リル酸 ter t-プチル、 メタクリル酸 tert -プチル、 アクリル酸ペンチル、 メタクリ ル酸ペンチル、 アクリル酸へキシル、 メタクリル酸へキシル、 アクリル酸へプチ ル、 メ夕クリル酸へプチル、 アクリル酸 2 -ェチルへキシル、 メ夕クリル酸 2 -ェ チルへキシル、アクリル酸ォクチル、メタクリル酸ォクチル、アクリル酸ノエル、 メタクリル酸ノニル、 アクリル酸デシル、 メタクリル酸デシル、 アクリル酸ドデ シル、 メタクリル酸ドデシル、 アクリル酸テトラデシル、 メタクリル酸テトラデ シル、 アクリル酸へキサデシル、 メタクリル酸へキサデシル、 アクリル酸ォクタ デシル、 メタクリル酸ォク夕デシル、 アクリル酸エイコシル、 メタクリル酸エイ コシル、 アクリル酸ドコシル、 メ夕クリル酸ドコシル、 アクリル酸シクロペンチ ル、 メタクリル酸シクロペンチル、 アクリル酸シクロへキシル、 メ夕クリル酸シ クロへキシル、 アクリル酸シクロへプチル、 メ夕クリル酸シクロへプチル、 ァク リル酸ベンジル、 メタクリル酸ベンジル、 アクリル酸フエニル、 メタクリル酸フ ェニル、 アクリル酸メトキシェチル、 メタクリル酸メトキシェチル、 アクリル酸 メトキシジエチレングリコール、 メタクリル酸メトキシジエチレングリコール、 アクリル酸メトキシジプロピレングリコ一ル、 メタクリル酸メトキシジプロピレ ングリコール、 アクリル酸メトキシトリエチレングリコール、 メタクリル酸メト キシトリエチレングリコール、 アクリル酸 2 -ヒドロキシェチル、 メ夕クリル酸 2 -ヒドロキシェチル、 アクリル酸ジメチルアミノエチル、 メタクリル酸ジメチルァ ミノェチル、 アクリル酸ジェチルアミノエチル、 メタクリル酸ジェチルアミノエ チル、 アクリル酸ジメチルァミノプロピル、 メ夕クリル酸ジメチルァミノプロピ ル、 アクリル酸 2 -クロロェチル、 メ夕クリル酸 2 -クロロェチル、 アクリル酸 2 - フルォロェチル、メ夕クリル酸 2 -フルォロェチル、ァクリル酸 2 -シァノエチル、 メタクリル酸 2 -シァノエチル、スチレン、 ひ-メチルスチレン、 ビニルトルエン、 塩化ビニル、 酢酸ビニル、 N-ビニルピロリドン、 ブタジエン、 イソプレン、 クロ 口プレン、 アクリルアミド、 メタクリルアミド、 アクリロニトリル、 メタクリロ 二トリルが挙げられる。 これらは単独で、 または 2種類以上を組み合わせて使用 される。

バインダポリマー （a ) として、 水酸基を有するビニル共重合体を用いること がさらに好ましい。 この場合、 前記ビニル共重合体 1 0 0重量部のうちの 2 0〜 5 0重量部にあたる、 さらに好ましくは 3 0〜4 0重量部にあたる単量体が、 分 子中に少なくとも 1個の水酸基を有するビニル単量体 （m_ l ) であることが、 良好な表面凹凸形状を得る観点から好ましい。

そのようなビニル単量体 （m— 1 ) としては、 たとえば、 アクリル酸 1—ブト キシー 2—ヒドロキシプロピル、 メ夕クリル酸 1—ブトキシー 2—ヒドロキシプ 口ピル、 アクリル酸 3—クロ口一 2—ヒドロキシプロピル、 メタクリル酸 3—ク ロロ一 2—ヒドロキシプロピル、 アクリル酸グリセロール、 メタクリル酸グリセ ロール、ァクリル酸 2—ヒドロキシェチル、メタクリル酸 2—ヒドロキシェチル、 アクリル酸 2—ヒドロキシプロピル、 メ夕クリル酸 2—ヒドロキシプロピル、 ァ クリル酸 1—フエノキシ一 2—ヒドロキシプロピル、 メタクリル酸 1一フエノキ シー 2—ヒドロキシプロピル力挙げられる。 これらを単独で、 または 2種類以上 を組み合わせて使用することができる。

上記バインダボリマ一 （a ) を構成する残りの 5 0〜8 0重量部にあたるビニ ル単量体 (m- 2 ) としては、 特に限定はされず、 たとえば、 アクリル酸、 メタ クリル酸、 マレイン酸、 フマル酸、 ィタコン酸、 アクリル酸メチル、 メタクリル 酸メチル、 アクリル酸ェチル、 メ夕クリル酸ェチル、 アクリル酸 n -プロピル、 メ 夕クリル酸 n -プロピル、ァクリル酸 iso-プロピル、メタクリル酸 i so-プロピル、 アクリル酸 n _プチル、 メ夕クリル酸 n-プチル、 アクリル酸 i so-プチル、 メタァ クリル酸 i so-ブチル、 ァクリル酸 sec-ブチル、 メタクリル酸 sec -プチル、 ァク リル酸 ter t -プチル、 メタクリル酸 ter t -プチル、 アクリル酸ペンチル、 メタクリ ル酸ペンチル、 アクリル酸へキシル、 メタクリル酸へキシル、 アクリル酸へプチ ル、 メタクリル酸へプチル、 アクリル酸 2 -ェチルへキシル、 メ夕クリル酸 2 -ェ チルへキシル、アクリル酸ォクチル、メタクリル酸ォクチル、アクリル酸ノエル、 メタクリル酸ノエル、 アクリル酸デシル、 メタクリル酸デシル、 アクリル酸ドデ シル、 メタクリル酸ドデシル、 アクリル酸テ卜ラデシル、 メ夕クリル酸テトラデ シル、 アクリル酸へキサデシル、 メタクリル酸へキサデシル、 アクリル酸ォクタ デシル、 メタクリル酸ォクタデシル、 アクリル酸エイコシル、 メタクリル酸エイ コシル、 アクリル酸ドコシル、 メタクリル酸ドコシル、 アクリル酸シクロペンチ ル、 メタクリル酸シクロペンチル、 アクリル酸シクロへキシル、 メタクリル酸シ クロへキシル、 アクリル酸シクロへプチル、 メタクリル酸シクロへプチル、 ァク リル酸ベンジル、 メタクリル酸ベンジル、 アクリル酸フエニル、 メタクリル酸フ ェニル、 アクリル酸メトキシェチル、 メ夕クリル酸メトキシェチル、 アクリル酸 ジメチルアミノエチル、 メタクリル酸ジメチルアミノエチル、 アクリル酸ジェチ ルアミノエチル、 メ夕クリル酸ジェチルアミノエチル、 アクリル酸ジメチルアミ ノプロピル、メタクリル酸ジメチルァミノプロピル、アクリル酸 2 -クロ口ェチル、 メタクリル酸 2 -クロロェチル、アクリル酸 2 -フルォロェチル、 メタクリル酸 2 - フルォロェチル、 アクリル酸 2 -シァノエチル、 メ夕クリル酸 2 -シァノエチル、 スチレン、 -メチルスチレン、 ビニルトルエン、 塩化ビニル、 酢酸ビニル、 N - ビニルピロリドン、 ブタジエン、 イソプレン、 クロ口プレン、 アクリルアミド、 メ夕クリルアミド、 アクリロニトリル、 メタクリロニトリルが挙げられる。 これ らは単独で、 または 2種類以上を組み合わせて使用される。

バインダボリマ一（a ) としては、 たとえば、 力ルポキシル基、 カルボニル基、 水酸基、 アミノ基、 アミド基、 イソシァネート基、 ォキシラン環、 ォキセタン環 および酸無水物等から選ばれた少なくとも 1個の官能基を有するビニル共重合体 ( a— 1 ) に、 カルボキシル基、 カルボ二ル基、 水酸基、 アミノ基、 アミド基、 ト基、 ォキシラン環、 ォキセタン環および酸無水物等から選ばれた 少なくとも 1個の官能基と少なくとも 1個のエチレン性不飽和基とを有する化合 物 （m— 3) を付加または縮合反応させて得られる、 側鎖にエチレン系不飽和基 を有するラジカル重合性ビニル共重合体 （a— 2) を使用することもできる。 上記の力ルポキシル基、 カルポニル基、 水酸基、 アミノ基、 アミド基、 イソシ ァネ一ト基、 ォキシラン環、 ォキセタン環および酸無水物等から選ばれた少なく とも 1個の官能基と少なくとも 1個のエチレン性不飽和基とを有する化合物 （m 一 3) としては、 たとえば、 アクリル酸、 メタクリル酸、 マレイン酸、 フマル酸、 ィタコン酸、 ケィ皮酸、 アクリル酸 2—ヒドロキシェチル、 メタクリル酸 2—ヒ ドロキシェチル、 アクリルアミド、 メタクリルアミド、 イソシアン酸ェチルメタ クリレート、 グリシジルァクリレート、 グリシジルメタクリレ一ト、 無水マレイ ン酸等が挙げられる。 これらは単独で、 または 2種以上を組み合わせて使用され る。

また、 上記のビニル共重合体 （a— 1) の製造に用いられる必須のビニル単量 体 （m— 4) としては、 たとえば、 アクリル酸、 メタクリル酸、 マレイン酸、 フ マル酸、 ィタコン酸、 ケィ皮酸、 アクリル酸 2—ヒドロキシェチル、 メタクリル 酸 2—ヒドロキシェチル、 アクリルアミド、 メタクリルアミド、 イソシアン酸ェ チルメタクリレート、 グリシジルァクリレート、 グリシジルメ夕クリレート、 無 水マレイン酸等が挙げられる。 これらは単独で、 または 2種以上を組み合わせて 使用される。

上記ビエル共重合体（ a— 1 )の製造には、必要に応じ、上記ビエル単量体（m -4) 以外の、 これらの官能基を有さない任意の 1種以上のビニル単量体 （たと えば、 上記のビニル単量体 （m— 1, m— 2) として列記された、 これらの官能 基を有さないエステル等） を上記ビニル単量体 （m— 4) に共重合させることが できる。

上記側鎖にェチレン性不飽和基を有するラジカル重合性ビニル共重合体 （ a― 2) のエチレン性不飽和基の濃度は、 1. 0X 10— ⁴〜6. 0X 10— ³モル Zg であることが好ましく、 2. 0X 10— ⁴~5. 0 X 10_³モル Zgであることが P 漏 3/07222

12 より好ましく、 3 X 10— ⁴〜4. 0 X 10—³モル であることが特に好ましい。 このエチレン性不飽和基濃度が 1. 0X 1 0— ⁴モル _ g未満では、 十分な硬化性 が得られないために液晶表示装置とした場合の耐熱性、 耐湿性等が低下する傾向 があり、 6. 0 X 10— ³モル/ gを超えると、 側鎖にエチレン性不飽和基を有す るラジカル重合性共重合体を製造する際にゲル化を起こす傾向がある。

以上のようなバインダポリマー （a) の重量平均分子量 （ゲルパーミエーショ ンクロマトグラフィーで測定し、 標準ポリスチレン換算した値） は、 耐熱性、 耐 湿性、 塗布性および溶媒への溶解性等の点から、 1, 000〜 300, 000で あることが好ましく、 5， 000〜 150， 000であることがより好ましい。 さらに、 コンタクトホール等を形成する場合など、 上述の現像により樹脂組成 物 （R) 層を選択的に除去してパターンを形成する場合に公知の各種現像液によ り現像可能となるように、 バインダボリマ一 （a) の酸価を規定することができ る。

たとえば、 炭酸ナトリウム、 炭酸カリウム、 水酸化テトラメチルアンモニゥム 等のアルカリ水溶液を用いて現像する場合には、 酸価は、 現像容易性の観点から 50mgKOH/g以上であることが好ましく、 耐現像液性 （現像により除去さ れずに残ってパターンとなる部分が現像液によって侵されない性質） の観点から 26 OmgKOHZg以下であることが好ましい。

1種以上の界面活性剤を含むアル力リ水溶液、 または水を用いて現像する場合 の酸価は、 上記と同様の理由から 16〜26 OmgKOHZgであることが好ま しい。

バインダポリマー （a) として、 この他に、 フエノキシ樹脂、 ポリビニルホル マール樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルプチラール樹脂、ポリエステル樹脂、 ポリアミド樹脂、 ポリイミド樹脂、 キシレン樹脂、 ポリウレタン樹脂等が挙げら れる。 これらの 1種以上を上記 1種以上のビニル共重合体と併用してもよい。 次に、 分子内に少なくとも 1個のエチレン性不飽和基を有する重合可能な化合 JP03/07222

13 物 （モノマーおよび zまたはオリゴマー） としては、 光重合性多官能モノマーと して従来より公知のモノマーおよびそのオリゴマーを全て用いることができる。 これらのラジカル重合性化合物は、 単独で、 または 2種類以上を組み合わせて使 用され、 これらのモノマ一とオリゴマーを混合して使用してもよい。 この他に、 ラジカルにより重合する官能基を有する化合物として、 マレイミド樹脂、 シトラ コンイミド樹脂、 ナジイミド樹脂などがあり、 これらも単独で、 あるいは 2種類 以上を混合して使用することができる。

具体的には、分子内に 1個の不飽和結合を有するモノマ一としては、たとえば、 アクリル酸またはメタクリル酸のエステル系モノマ一 （アクリル酸メチル、 メタ クリル酸メチル、 アクリル酸ェチル、 メ夕クリル酸ェチル、 アクリル酸 n -プロピ ル、 メ夕クリル酸 n -プロピル、 アクリル酸 i so-プロピル、 メタクリル酸 i so-プ 口ピル、ァクリル酸 n-ブチル、メタクリル酸 n-ブチル、ァクリル酸 i so -プチル、 メ夕クリル酸 i so-ブチル、 アクリル酸 sec-ブチル、 メタクリル酸 sec-ブチル、 アクリル酸 ter t -プチル、 メタクリル酸 ter t -ブチル、 アクリル酸ペンチル、 メタ クリル酸ペンチル、 アクリル酸へキシル、 メタクリル酸へキシル、 アクリル酸へ プチル、 メタクリル酸へプチル、 アクリル酸 2 -ェチルへキシル、 メタクリル酸 2 -ェチルへキシル、 アクリル酸ォクチル、 メ夕クリル酸ォクチル、 アクリル酸ノニ ル、 メタクリル酸ノエル、 アクリル酸デシル、 メタクリル酸デシル、 アクリル酸 ドデシル、 メタクリル酸ドデシル、 アクリル酸テトラデシル、 メ夕クリル酸テト ラデシル、 アクリル酸へキサデシル、 メ夕クリル酸へキサデシル、 アクリル酸ォ クタデシル、 メタクリル酸ォクタデシル、 アクリル酸エイコシル、 メ夕クリル酸 エイコシル、 アクリル酸ドコシル、 メタクリル酸ドコシル、 アクリル酸シクロべ ンチル、 メ夕クリル酸シクロペンチル、 アクリル酸シクロへキシル、 メタクリル 酸シクロへキシル、 アクリル酸シクロへプチル、 メ夕クリル酸シクロへプチル、 アクリル酸ベンジル、 メタクリル酸ベンジル、 アクリル酸フエニル、 メタクリル 酸フエニル、 アクリル酸メトキシェチル、 メタクリル酸メトキシェチル、 ァクリ ル酸ジメチルアミノエチル、 メタクリル酸ジメチルアミノエチル、 アクリル酸ジ 7222

14 メチルァミノプロピル、 メ夕クリル酸ジメチルァミノプロピル、 アクリル酸 2 - クロロェチル、 メタクリル酸 2 -クロロェチル、 アクリル酸 2 -フルォロェチル、 メタクリル酸 2 -フルォロェチル、アクリル酸 2 -シァノエチル、 メ夕クリル酸 2 - シァノエチル、 アクリル酸メトキシジエチレングリコール、 メタクリル酸メトキ シジエチレングリコール、 アクリル酸メトキシジプロピレングリコール、 メタク リル酸メトキシジプロピレングリコ一ル、 アクリル酸メトキシトリエチレンダリ コール、 メタクリル酸メトキシトリエチレンダリコール等）、スチレン系モノマー (スチレン、 ひ-メチルスチレン、 p - t -プチルスチレン等）、 ポリオレフイン系 モノマ一 （ブタジエン、 イソプレン、 クロ口プレン等）、 ビニル系モノマー （塩化 ビニル、 酢酸ビニル等）、 二トリル系モノマ一 （アクリロニトリル、 メ夕クリロ二 トリル等）、 1 - (メタクリロイロキシエトキシカルポニル） - 2 - ( 3 ' -クロ口- 2 ' -ヒドロキシプロポキシカルボニル） ベンゼンが挙げられる。

分子内に 2個の不飽和結合を有するモノマ一としては、 たとえば、 エチレング リコールジァクリレート、 エチレングリコールジメタクリレート、 ジエチレング リコールジァクリレート、 ジエチレングリコールジメタクリレート、 トリエチレ ングリコールジァクリレート、 トリエチレングリコ一ルジメ夕クリレート、 テト ラエチレングリコールジァクリレート、 テトラエチレングリコ一ルジメタクリレ ート、 ポリエチレングリコールジァクリレート、 ポリエチレングリコールジメタ クリレート、 へキサプロピレングリコ一ルジァクリレート、 へキサプロピレング リコ一ルジメタクリレート、 ポリプロピレングリコールジァクリレ一ト、 ポリプ ロピレングリコ一ルジメタクリレート、 ブチレングリコールジァクリレート、 ブ チレングリコールジメタクリレート、 ネオペンチルグリコールジァクリレート、 ネオペンチルグリコ一ルジメ夕クリレート、 1 , 3 -ブタンジオールジァクリレー ト、 1 , 3 -ブタンジォ一ルジメタクリレ一ト、 1， 4 -ブタンジオールジァクリ レート、 1 , 4 -ブタンジオールジメタクリレート、 1 , 5 -ペンタンジオールジ ァクリレート、 1， 5 -ペン夕ンジオールジメタクリレート、 1， 6 -へキサンジ オールジァクリレート、 1， 6 -へキサンジオールジメタクリレート、 ペン夕エリ スリトールジァクリレート、 ペン夕エリスリトールジメ夕クリレート、 トリメチ ロールプロパンジァクリレート、 トリメチロールプロパンジメタクリレー卜、 ビ スフエノール Aジァクリレート、 ビスフエノール Aジメタクリレート、 2， 2 - ビス （4 -ァクリロキシエトキシフエニル） プロパン、 2， 2 -ビス （4-メタクリ ロキシエトキシフエニル） プロパン、 2， 2 -ビス （4 -ァクリロキシジエトキシ フエニル） プロパン、 2， 2 -ビス （4 -メタクリロキシジエトキシフエニル） プ 口パン、 2 , 2 -ビス （4 -ァクリロキシポリエトキシフエニル） プロパン、 2 , 2 -ビス （4 -メタクリロキシポリエトキシフエニル） プロパン、 ビスフエノール Aジグリシジルエーテルジァクリレ一ト、 ビスフエノール Aジグリシジルエーテ ルジメタクリレート、 ウレタンジァクリレート化合物が挙げられる。

分子内に 3個の不飽和結合を有するモノマーとしては、 たとえば、 トリメチロ ールプロパントリァクリレート、 トリメチロールプロパントリメタクリレート、 ペン夕エリスリ 1 ^一ルトリアクリレート、 ペン夕エリスリトールトリメタクリレ —ト、 エチレンォキシド変性トリメチロールプロパントリアクリレ一ト、 ェチレ ンォキシド変性トリメチ口一ルプロパントリメ夕クリレート、 トリメチロールプ 口パントリダリシジルエーテルトリァクリレート、 トリメチロールプロパントリ ダリシジルエーテル卜リメタクリレー卜が挙げられる。

分子内に 4個の不飽和結合を有するモノマ一としては、 たとえば、 テトラメチ 口一ルプロパンテトラァクリレート、 テトラメチロールプロパンテトラメタクリ レート、 ペン夕エリスリ 1 ^一ルテトラァクリレート、 ペン夕エリスリ 1 ^一ルテト ラメタクリレートが挙げられる。

分子内に 5個の不飽和結合を有するモノマ一としては、 たとえば、 ジペンタエ リスリトールペン夕ァクリレート、 ジペン夕エリスリトールペンタメタクリレー 卜が挙げられる。

分子内に 6個の不飽和結合を有するモノマーとしては、 たとえば、 ジペンタエ リスリ 1 ルへキサァクリレート、 ジペン夕エリスリ トールへキサメタクリレー トが挙げられる。 これらの中で、 特に、 ペン夕エリスリトールジァクリレート、 ペン夕エリスリ トールジメ夕クリレート、 ペンタエリスリトールトリァクリレート、 ペン夕エリ スリトールトリメタクリレート、 ペンタエリスリ！ ^一ルテトラァクリレート、 ぺ ン夕エリスリトールテトラメ夕クリレートなどのペン夕エリスリ 1 ルァクリレ ートを含むものが、 表面凹凸形成用として好ましい。 効果的に凹凸形状を形成で きること、 および基板と樹脂組成物 （R) との密着性向上の観点から、 テトラメ チロールメタントリァクリレート（ペン夕エリスリトールトリァクリレート）が、 きわめて好ましいものとして例示できる。 '

これらの不飽和結合を有するモノマーは、 いずれにしても、 活性エネルギー線 の照射によりラジカル重合するものであればよい。 1個以上の不飽和結合を有す るこれらのモノマーは、 単独でまたは 2種類以上を組み合わせて使用される。 好ましい実施形態において、 この成分 （b ) として、 表面凹凸形状を有効に形 成できる観点から、 少なくとも 1個のエチレン性不飽和基を有し、 分子量が 1 0 0〜1 0 0 0 0である光重合性不飽和化合物を用いることができる。

凹凸形状を有効に形成させる観点から、 分子量が 1 0 0〜1 0 0 0 0であるこ とが好ましく、 1 1 0〜8 0 0 0であることがより好ましく、 1 2 0〜6 0 0 0 であることが特に好ましく、 1 3 0〜5 0 0 0であることが極めて好ましい。 分 子量が 1 0 0未満である場合には、 基板上に樹脂組成物 （R) 層を形成する場合 に、 乾燥時の加熱により成分 （b ) が揮発し、 組成の均一性が低下する傾向にあ り、 分子量が 1 0 0 0 0を超える場合には、 表面凹凸形状を有効に形成できない 傾向にある。

このような分子量が 1 0 0〜1 0 0 0 0である成分 （b ) の具体例としては、 たとえば、 多価アルコールに α， ]3—不飽和カルボン酸を反応させて得られる化 合物、 2， 2—ビス （4— (ジ （メタ） ァクリロキシポリエトキシ） フエニル） プロパン、 グリシジル基含有化合物にひ， /3—不飽和カルボン酸を反応させて得 られる化合物、 ウレタンモノマ一、 ノニルフエニルジォキシレン （メタ） ァクリ レート、 r—クロロー i3—ヒドロキシプロピル一 J3 '— (メタ） ァクリロイルォキ シェチル一 o—フタレート、 ）3—ヒドロキシェチルー /3 '— （メタ） ァクリロイル ォキシェチルー o—フタレート、 ]3—ヒドロキシプロピル一 ) 3 _ (メタ） ァクリ ロイルォキシェチルー o—フタレート、 （メタ）アクリル酸アルキルエステルが挙 げられる。

上記多価アルコールにひ， /3—不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物 としては、 たとえば、 エチレン基の数が 2〜 1 4であるポリエチレングリコール ジ （メタ） ァクリレート、 プロピレン基の数が 2〜 1 4であるポリプロピレング リコールジ （メタ） ァクリレ一ト、 トリメチロールプロパンジ （メタ） ァクリレ —ト、 トリメチロールプロパントリ （メタ） ァクリレート、 トリメチロールプロ パンエトキシトリ （メタ） ァクリレート、 トリメチロールプロパンジェトキシ卜 リ （メタ） ァクリレート、 トリメチロールプロパントリエトキシトリ （メタ） ァ クリレー卜、 トリメチロールプロパンテトラエトキシトリ （メタ）ァクリレート、 トリメチロールプロパンペンタエトキシトリ （メタ） ァクリレ一ト、 テトラメチ ロールメタントリ (メタ) ァクリレート (ペン夕エリスリ 1 ルトリ （メタ） ァ クリレート）、 テトラメチロールメタンテトラ （メタ） ァクリレート、 プロピレン 基の数が 2〜 1 4であるポリプロピレングリコ一ルジ （メタ） ァクリレート、 ジ ペン夕エリスリ！ ^一ルペン夕 （メタ） ァクリレート、 ジペン夕エリスリ！ ルへ キサ （メタ） ァクリレートが挙げられる。

上記ひ， ）3—不飽和カルボン酸としては、 たとえば、 （メタ） アクリル酸が挙げ られる。

上記 2， 2—ビス （4— (ジ （メタ） ァクリロキシポリエトキシ） フエニル） プロパンとしては、 たとえば、 2， 2—ビス （4— (ジ （メタ） ァクリロキシジ エトキシ） フエニル） プロパン、 2， 2—ビス （4— (ジ （メタ） ァクリロキシ トリエトキシ） フエニル） プロパン、 2， 2—ビス （4一 （ジ （メタ） ァクリロ キシペン夕エトキシ） フエニル） プロパン、 2 , 2—ビス （4— (ジ （メタ） ァ クリロキシデ力エトキシ） フエニル） が挙げられる。 上記グリシジル基含有化合物としては、 たとえば、 トリメチロールプロパント リグリシジルエーテルトリ （メタ） ァクリレート、 2， 2—ビス （4— (メタ） ァクリロキシ一 2—ヒドロキシープロピルォキシ） フェニルが拳げられる。 上記ウレタンモノマーとしては、 たとえば、 /3位に OH基を有する （メタ） ァ クリルモノマーとイソホロンジイソシァネート、 2 , 6—トルエンジイソシァネ —ト、 2 , 4—トルエンジイソシァネート、 1， 6—へキサメチレンジイソシァ ネート等との付加反応物、 トリス （（メタ） ァクリロキシテトラエチレングリコー ルイソシァネート） へキサメチレンイソシァヌレート、 エチレンォキシド変性ゥ レタンジ （メタ） ァクリレート、 エチレンォキシド, プロピレンォキシド変性ゥ レタンジ （メタ） ァクリレートが挙げられる。

上記 （メタ） アクリル酸アルキルエステルとしては、 たとえば、 （メタ） ァクリ ル酸メチルエステル、 （メタ） アクリル酸ェチルエステル、 （メタ） アクリル酸ブ チルエステル、 （メタ） アクリル酸 2—ェチルへキシルエステル力挙げられる。 好ましい一実施形態において、 効果的に凹凸形状を形成できること、 および基 板と樹脂組成物 （R) との密着性向上の観点からは、 成分 （b ) として分子量 4 0 8以下のものを用いることができる。

分子内に少なくとも 1個のエチレン性不飽和基を有する重合可能な化合物にお いて、 エチレン性不飽和基の数は特に制限されるものではないが、 効果的に凹凸 形状を形成できる観点から 2〜4個が好ましく、 3個がより好ましい。

さらに、 効果的に凹凸形状を形成できること、 および基板と樹脂組成物 （R) との密着性向上の観点からは、 成分 （b ) は、 水酸基、 カルポニル基、 カルポキ シル基、 アミド基およびァミノ基からなる群から選ばれた 1つ以上の官能基を有 する化合物であることが好ましい。 別の好ましい一実施形態において、 効果的に凹凸形状を形成できる点で、 成分 ( b ) は、 （b— 1 ) 1分子中に少なくとも 1個の水酸基と少なくとも 1個のェチ レン性不飽和基を有する光重合性不飽和化合物、 および、 （b— 2 ) 1分子中に少 なくとも 1個のエチレン性不飽和基を有し水酸基を含まない光重合性不飽和化合 物、 を含んでいる。

上記成分 （b— 1 ) の光重合性不飽和化合物としては、 たとえば、 1 - (メタク リロイロキシエトキシカルポニル） - 2 - ( 3 ' -クロ口- 2 ' -ヒドロキシプロポキシ 力ルポニル） ベンゼンペンタエリスリトールジァクリレート、 ペン夕エリスリト 一ルジメ夕クリレート、 卜リメチロールプロパンジァクリレート、 トリメチ口一 ルプロパンジメ夕クリレー卜、 ペン夕エリスリ 1 Jレトリァクリレート、 ペン夕 エリスリトールトリメタクリレート、 ビス （ァクリロキシェチル） ヒドロキシェ チルイソシァヌレート、 2， 2—ビス （4— ( 3—ァクリロキシ一 2—ヒドロキ シプロボキシ） フエニル） プロパン、 2 , 2—ビス （4— ( 1— ( 3—ァクリロ キシー 2—ヒドロキシプロボキシ） イソプロボキシ） フエニル） プロパン、 2 , 2—ビス （4— ( 3—メ夕クリロキシ一 2—ヒドロキシプロボキシ） フエニル） プロパン、 2， 2—ビス （4一 （1— ( 3—メタクリロキシー 2—ヒドロキシプ ロボキシ） イソプロポキシ） フエニル） プロパン、 1一ブトキシー 2—ヒドロキシ プロピルァクリレート、 1—ブトキシ一 2—ヒドロキシプロピルメタクリレート、 3—クロロー 2—ヒドロキシプロピルァクリレ一ト、 3—クロ口一 2—ヒドロキ シプロピルメタクリレート、 2 , 2 '—ビス （3—ァクリロキシー 2—ヒドロキシ プロボキシ） ジェチルエーテル、 2 , 2 '—ビス （3—メタクリロキシ— 2—ヒド ロキシプロボキシ） ジェチルェ一テル、 1， 2—ビス （3—ァクリロキシ— 2— ヒドロキシプロボキシ） ェタン、 1 , 2—ビス （3—メタクリロキシ一 2—ヒド ロキシプロボキシ） ェタン、 グリセロールァクリレート、 グリセロールメタクリ レート、 グリセロールジァクリレート、 グリセ口一ルジメタクリレート、 2—ヒ ドロキシェチルァクリレート、 2—ヒドロキシェチルメタクリレート、 2—ヒド ロキシプロピルァクリレート、 2—ヒドロキシプロピルメタクリレート、 1—フ エノキシー 2—ヒドロキシプロピルァクリレート、 1一フエノキシー2—ヒドロ キシプロピルメタクリレート、 ビス （3—ァクリロキシー 2—ヒドロキシプロピ ル） フタレート、 トリグリセロールジァクリレート、 トリグリセロールジメタク リレートが挙げられる。 これらは単独で、 または 2種以上を組み合わせて使用で 含る。

上記例示の化合物のなかでも、 効果的に凹凸形状を形成できること、 および基 板と樹脂組成物 （R) との密着性向上の観点から、 テトラメチロールメタントリ ァクリレート （ペン夕エリスリ ] ルトリァクリレート） がより好ましい。

上記成分 （b— 2 ) の光重合性不飽和化合物としては、 たとえば、 アクリル酸 またはメタクリル酸のエステル系モノマ （アクリル酸メチル、 メタクリル酸メチ ル、 アクリル酸ェチル、 メタクリル酸ェチル、 アクリル酸 n -プロピル、 メタクリ ル酸 n -プロピル、 アクリル酸 iso-プロピル、 メタクリル酸 i so-プロピル、 ァク リル酸 n _プチル、 メタクリル酸 n _プチル、 アクリル酸 iso -プチル、 メ夕クリル 酸 i so -プチル、 アクリル酸 sec -プチル、 メタクリル酸 sec-プチル、 アクリル酸 ter t -プチル、 メタクリル酸 ter t-ブチル、 アクリル酸ペンチル、 メタクリル酸べ ンチル、 アクリル酸へキシル、 メ夕クリル酸へキシル、 アクリル酸へプチル、 メ タクリル酸へプチル、 アクリル酸 2 -ェチルへキシル、 メ夕クリル酸 2 -ェチルへ キシル、 アクリル酸ォクチル、 メ夕クリル酸ォクチル、 アクリル酸ノニル、 メタ クリル酸ノエル、アクリル酸デシル、メ夕クリル酸デシル、アクリル酸ドデシル、 メタクリル酸ドデシル、 アクリル酸テトラデシル、 メタクリル酸テトラデシル、 ァクリル酸へキサデシル、メタクリル酸へキサデシル、ァクリル酸ォク夕デシル、 メタクリル酸ォクタデシル、 アクリル酸エイコシル、 メタクリル酸エイコシル、 アクリル酸ドコシル、 メタクリル酸ドコシル、 アクリル酸シクロペンチル、 メタ クリル酸シクロペンチル、 アクリル酸シクロへキシル、 メ夕クリル酸シクロへキ シル、 アクリル酸シクロへプチル、 メタクリル酸シクロへプチル、 アクリル酸べ ンジル、 メ夕クリル酸ベンジル、 アクリル酸フエニル、 メタクリル酸フエニル、 アクリル酸メトキシェチル、 メタクリル酸メトキシェチル、 アクリル酸ジメチル アミノエチル、 メタクリル酸ジメチルアミノエチル、 アクリル酸ジメチルァミノ プロピル、 メタクリル酸ジメチルァミノプロピル、 アクリル酸 2 -クロロェチル、 メ夕クリル酸 2 -クロロェチル、 アクリル酸 2 -フルォロェチル、 メタクリル酸 2 - フルォロェチル、 アクリル酸 2-シァノエチル、 メタクリル酸 2-シァノエチル、 アクリル酸メトキシジエチレングリコール、 メタクリル酸メトキシジエチレング リコール、 アクリル酸メトキシジプロピレングリコール、 メ夕クリル酸メトキシ ジプロピレングリコール、 アクリル酸メトキシトリエチレングリコール、 メ夕ク リル酸メトキシトリエチレングリコール等）、 スチレン系モノマ （スチレン、 - メチルスチレン、 P- t-プチルスチレン等）、 ポリオレフイン系モノマ （ブ夕ジェ ン、イソプレン、クロ口プレン等）、ビエル系モノマ（塩化ビニル、酢酸ビニル等）、 二トリル系モノマ （アクリロニトリル、 メタクリロニトリル等）、 エチレングリコ —ルジァクリレート、 エチレングリコールジメタクリレート、 ジエチレングリコ —ルジァクリレート、 ジエチレングリコールジメタクリレ一ト、 トリエチレング リコ一ルジァクリレート、 トリエチレングリコールジメタクリレート、 テトラエ チレングリコールジァクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、 ポリエチレングリコールジァクリレート、 ポリエチレンダリコールジメ夕クリレ ート、 へキサプロピレングリコールジァクリレート、 へキサプロピレングリコ一 ルジメタクリレート、 ポリプロピレングリコールジァクリレート、 ポリプロピレ ングリコールジメタクリレート、 ブチレングリコールジァクリレート、 ブチレン グリコ一ルジメタクリレ一ト、 ネオペンチルダリコールジァクリレート、 ネオべ ンチルダリコールジメタクリレート、 1， 3-ブタンジオールジァクリレート、 1, 3 -ブタンジオールジメタクリレ一ト、 1, 4 -ブタンジオールジァクリレート、 1, 4-ブタンジオールジメタクリレート、 1, 5-ペンタンジオールジァクリレ —ト、 1, 5-ペンタンジオールジメ夕クリレート、 1， 6-へキサンジオールジ ァクリレート、 1, 6-へキサンジオールジメタクリレート、 ビスフエノール Aジ ァクリレート、 ビスフエノール Aジメタクリレート、 2， 2-ビス （4-ァクリロ キシエトキシフエニル） プロパン、 2， 2-ビス （4-メ夕クリロキシエトキシフ ェニル） プロパン、 2， 2-ビス （4-ァクリロキシジエトキシフエニル） プロパ ン、 2, 2 -ビス （4-メタクリロキシジエトキシフエニル） プロパン、 2, 2- ビス （4-ァクリロキシポリエトキシフエニル） プロパン、 2, 2-ビス （4 -メタ 03 07222

22 クリロキシポリエトキシフエニル） プロパン、 ビスフエノール Aジグリシジルェ 一テルジァクリレート、 ビスフエノ一ル Aジグリシジルェ一テルジメタクリレー ト、 ウレ夕ンジァクリレート、 エチレンォキシド変性トリメチロールプロパント リアクリレート、 エチレンォキシド変性トリメチロールプロパントリメタクリレ —ト、 トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルトリァクリレート、 トリ メチロールプロパントリグリシジルエーテルトリメタクリレート、 テトラメチロ —ルプロパンテトラァクリレート、 テトラメチロールプロパンテトラメタクリレ ート、 ペンタエリスリトールテトラァクリレート、 ペン夕エリスリトールテトラ メタクリレ一トが挙げられる。 これらは単独で、 または 2種以上を組み合わせて 使用できる。 別の好ましい一実施形態において、 表面形状特性および基板との密着性に優れ た凹凸形状を形成できる点で、 前記成分 （b ) は、 1分子中に少なくとも 1個の 水酸基と少なくとも 2個のエチレン性不飽和基を有する光重合性不飽和化合物 ( X ) の水酸基に対して、 1分子中に少なくとも 1個のイソシァネート基と少な くとも 1個の加水分解性基含有シリル基を有する有機ゲイ素化合物 （y ) のイソ シァネート基を反応させて得られるシリル基含有光重合性不飽和化合物（b— 3 ) を含むことができる。

上記成分 （X ) の光重合性不飽和化合物としては、 1分子中に少なくとも 1個 の水酸基および少なくとも 2個のエチレン性不飽和基をそれぞれ有していれば、 特に制限はなく、 たとえば、 ェピクロロヒドリン変性ビスフエノール Aジ（メタ） ァクリレート、 ェピクロロヒドリンおよびアルキレンォキシド （炭素数 2〜8の アルキレンォキシド基の数が 1〜2 0 ) 変性ビスフエノール Aジ （メタ） ァクリ レート、 ェピクロロヒドリン変性ポリアルキレングリコール （炭素数 2〜8のァ ルキレンォキシド基の数が 1〜 2 0 ) ジ （メタ） ァクリレート、 ェピクロロヒド リン変性アルキル （炭素数が 2〜8 ) ジ （メタ） ァクリレート、 ヒドロキシアル キル （炭素数が 2〜 8 ) ジ （メタ） ァクリレート、 ジペン夕エリスリトールモノ ヒドロキシペン夕 （メタ） ァクリレート、 エポキシァクリレート、 グリセロール ジ （メタ） ァクリレート、 ジグリセロールジ （メタ） ァクリレート、 トリグリセ ロールジ （メタ） ァクリレート、 ポリグリセロールジ （メタ） ァクリレート、 ェ ピクロロヒドリン変性グリセロールトリ （メタ） ァクリレート、 ェピクロロヒド リン変性 1, 6-へキサンジオールジ （メタ） ァクリレート、 炭素数 2〜8のアル キレンォキシド基の数が 1〜 2 0であるアルキレンォキシド変性リン酸ジ（メタ） ァクリレート、 ェピクロロヒドリン変性フエノキシジ （メタ） ァクリレート、 ス テアリン酸変性ペンタエリスリトールジ （メタ） ァクリレート、 ェピクロロヒド リン変性フタル酸ジ （メタ） ァクリレート、 ェピクロロヒドリン変性ポリアルキ レンォキシド （炭素数 2〜8のアルキレンォキシド基の数が 1〜2 0 ) 変性フタ ル酸 （メタ） ァクリレート、 ェピクロロヒドリン変性トリメチロールプロパント リ （メタ） ァクリレートが挙げられる。 これらは単独で、 または 2種以上を組み 合わせて使用できる。

さらに具体的には、 成分 （X ) は、 エポキシエステル 3 0 0 2 A、 エポキシェ ステル 8 0 M F A (共栄社化学株式会社製、 商品名）、 デナコール D A- 8 1 1、 デナコール DM- 8 1 1、 デナコール DM- 8 5 1、 デナコ一ル D A- 3 1 4、 デナ コール D A- 3 2 1、 デナコール D A- 9 1 1 (ナガセ化成工業株式会社製、 商品 名）、 S R- 3 9 9 (SARTOMER Company製、 商品名）、 NKエステル 7 0 1 - A、 N Kエステル 7 0 1、 NKエステル A- TMM- 3 (新中村化学工業株式会社製、 商 品名）、 ァロニックス M- 3 0 5、 ァロニックス M- 2 3 3 (東亜合成化学工業株式 会社製、 商品名）、 KAYA R AD P E T- 3 0、 カャマ一 P M- 2 (日本化薬株 式会社製、 商品名） 等として、 商業的に入手可能である。

上記成分 （y ) の有機ケィ素化合物としては、 1分子中にイソシァネート基と 加水分解性基含有シリル基をそれぞれ少なくとも 1個有していれば、 特に制限は なく、 たとえば、 イソシァネートメチルトリメトキシシラン、 イソシァネ一トメ チルジメトキシシラン、 イソシァネートメチルモノメトキシシラン、 イソシァネ —トメチルトリエトキシシラン、 イソシァネ一トメチルジェトキシシラン、 イソ シァネートメチルモノエトキシシラン、 イソシァネ一トメチルトリプロボキシシ ラン、 イソシァネ一トメチルジプロボキシシラン、 イソシァネートメチルモノプ ロボキシシラン、 イソシァネートメチルトリブ卜キシシラン、 イソシァネートメ チルジブトキシシラン、 イソシァネートメチルモノブトキシシラン、 イソシァネ —トェチルトリメトキシシラン、 イソシァネートェチルジメトキシシラン、 イソ シァネートェチルモノメトキシシラン、 ィソシァネ一トェチルトリエトキシシラ ン、 イソシァネートェチルジェトキシシラン、 イソシァネートェチルモノエトキ シシラン、 イソシァネートェチルトリプロボキシシラン、 イソシァネートェチル ジプロボキシシラン、 イソシァネートェチルモノプロボキシシラン、 イソシァネ —トェチルトリブトキシシラン、 イソシァネートェチルジブトキシシラン、 イソ シァネ一トェチルモノブトキシシラン、 ィソシァネ一卜プロピルトリメトキシシ ラン、 イソシァネートプロピルジメトキシシラン、 イソシァネートプロピルモノ メトキシシラン、 イソシァネートプロピルトリエトキシシラン、 イソシァネート プロピルジェトキシシラン、 イソシァネートプロピルモノエトキシシラン、 イソ シァネートプロピルトリプロボキシシラン、 イソシァネートプロピルジプロポキ シシラン、 イソシァネートプロピルモノプロボキシシラン、 イソシァネートプロ ピルトリブトキシシラン、 イソシァネートプロピルジブトキシシラン、 イソシァ ネートプロビルモノブトキシシラン、イソシァネートブチルトリメトキシシラン、 イソシァネートプチルジメトキシシラン、 イソシァネートブチルモノメトキシシ ラン、 イソシァネートブチルトリエトキシシラン、 イソシァネートプチルジェト キシシラン、 イソシァネートブチルモノエトキシシラン、 イソシァネートブチル トリプロボキシシラン、 イソシァネートプチルジプロボキシシラン、 イソシァネ 一トプチルモノプロボキシシラン、 イソシァネートブチルトリブトキシシラン、 ィソシァネ一トブチルジブトキシシラン、 イソシァネートブチルモノブトキシシ ラン、 イソシァネートペンチルトリメトキシシラン、 イソシァネートペンチルジ メトキシシラン、 イソシァネートペンチルモノメトキシシラン、 イソシァネート イソ シァネ一トペンチルモノエトキシシラン、 イソシァネ一トぺンチルトリプロポキ シシラン、 イソシァネートペンチルジプロボキシシラン、 イソシァネートペンチ ルモノプロボキシシラン、 イソシァネートペンチルトリブトキシシラン、 イソシ ァネートべンチルジブトキシシラン、 イソシァネートぺンチルモノブトキシシラ ン、 イソシァネートへキシルトリメトキシシラン、 イソシァネートへキシルジメ トキシシラン、 イソシァネー卜へキシルモノメ卜キシシラン、 イソシァネ一卜へ キシルトリエトキシシラン、 イソシァネートへキシルジェトキシシラン、 イソシ ァネートへキシルモノエトキシシラン、 イソシァネートへキシルトリプロポキシ シラン、 イソシァネ一卜へキシルジプロボキシシラン、 イソシァネートへキシル モノプロボキシシラン、 イソシァネートへキシルトリブトキシシラン、 イソシァ ネートへキシルジブトキシシラン、イソシァネートへキシルモノブトキシシラン、 エチレンォキシド変性イソシァネ一トトリメトキシシラン、 エチレンォキシド変 性イソシァネートジメトキシシラン、 エチレンォキシド変性イソシァネートモノ メ卜キシシラン、 エチレンォキシド変性イソシァネートトリエトキシシラン、 ェ チレンォキシド変性イソシァネートジエトキシシラン、 エチレンォキシド変性ィ ソシァネ一トモノエトキシシラン、 エチレンォキシド変性ィソシァネ一トトリプ ロボキシシラン、 エチレンォキシド変性イソシァネートジプロボキシシラン、 ェ チレンォキシド変性ィソシァネートモノプロボキシシラン、 エチレンォキシド変 性イソシァネートトリブトキシシラン、 エチレンォキシド変性イソシァネートジ ブトキシシラン、 エチレンォキシド変性イソシァネートモノブトキシシラン、 プ ロピレンォキシド変性イソシァネートトリメトキシシラン、 プロピレンォキシド 変性イソシァネートジメトキシシラン、 プロピレンォキシド変性イソシァネート モノメトキシシラン、 プロピレンォキシド変性イソシァネートトリエトキシシラ ン、 プロピレンォキシド変性イソシァネートジェトキシシラン、 プロピレンォキ シド変性イソシァネートモノエトキシシラン、 プロピレンォキシド変性イソシァ ネートトリプロボキシシラン、 プロピレンォキシド変性イソシァネートジプロボ キシシラン、 プロピレンォキシド変性イソシァネートモノプロボキシシラン、 プ ロピレンォキシド変性ィソシァネートトリブトキシシラン、 プロピレンォキシド 変性ィソシァネートジブトキシシラン、 プロピレンォキシド変性ィソシァネ一ト モノブトキシシランが挙げられる。 これらは単独で、 または 2種類以上を組み合 わせて使用することができる。

これら成分 （y) のうち、 基板との密着性を向上できる観点から、 イソシァネ —トプロビルトリメトキシシランまたはィソシァネートプロピルトリエトキシシ ランが特に好ましい。 このような化合物は、 Y- 5187、 A-1310 (日本ュ 二力一株式会社製、 商品名） として商業的に入手可能である。 バインダポリマー （a) の配合量は、 成分 （a) および成分 （b) の固形分総 量 100重量部に対して、 塗布性の観点から 10重量部以上であることが好まし く、 光硬化性、 耐熱性あるいは表面に凹凸形状を形成する際の凹凸形状形成性の 観点から 80重量部以下であることが好ましく、 20〜 75重量部とすることが より好ましく、 25〜73重量部とすることがさらに好ましく、 30〜70重量 部とすることが特に好ましい。

重合可能な化合物 （b) の使用量は、 成分 （a) および成分 （b) の固形分総 量 100重量部に対して、 光硬化性、 耐熱性あるいは表面凹凸形状形成性の観点 から 20重量部以上であることが好ましく、 塗布性の観点から 90重量部以下で あることが好ましく、 25〜80重量部とすることがより好ましく、 27〜75 重量部とすることがさらに好ましく、 30〜70重量部とすることが特に好まし い。

別の好ましい一実施形態においては、 バインダポリマー （a) と重合可能な化 合物 （b) の固形分配合比は、 重量比で （a) ： (b) = 80 ： 20〜40 ： 60 であり、 （a) ： (b) =70 ： 30〜50 ： 50とすることがより好ましい。 所望の凹凸形状として、 凹凸形状の段差を高くしたい場合は、 バインダボリマ 一 (a) と重合可能な化合物 （b) の固形分配合比を、 重量比で （a) ： (b) = 65 ： 35〜40 ： 60とすることが好ましく、 凹凸形状の段差を低くしたい場 合は （a) ： (b) =80 ： 20〜55 ： 45とすることが好ましい。 バインダ ポリマー （a) の固形分配合比が 80を超えると凹凸形状の段差が得にくい恐れ があり、重合可能な化合物（b)の固形分配合比が 60を超えると樹脂組成物（R) 膜のベタつきが増し、 活性エネルギー線を照射する際に樹脂組成物 （R) 膜上に マスクを置くと表面が荒れる、 などの問題を生じる恐れがある。

上記、 シリル基含有光重合性不飽和化合物（b— 3)を使用する場合、 その配合 量は、 成分 （a) および成分 （b) の固形分総量 100重量部に対して、 基板に 対する密着性向上効果の観点から 0. 1重量部以上とすることが好ましく、 樹脂 組成物 （R) とした場合の保存安定性の観点から 80重量部以下とすることが好 ましく、 1〜70重量部とすることがより好ましく、 5〜65重量部とすること が特に好ましく、 10〜60重量部とすることが極めて好ましい。 光重合開始剤（c) としては、 たとえば、芳香族ケトン（ベンゾフエノン、 N, Ν' -テトラメチル- 4, 4' -ジァミノべンゾフエノン (ミヒラーケトン）、 Ν, N' -テトラエチル- 4， 4' -ジァミノべンゾフエノン、 4-メトキシ- 4' -ジメ チルァミノべンゾフエノン、 2_ベンジル -2-ジメチルァミノ -1- (4-モルホリ ノフエニル） -ブ夕ノン- 1、 2, 2-ジメ卜キシ -1, 2-ジフエニルェタン- 1 - オン、 1-ヒドロキシ-シクロへキシル -フエ二ル-ケトン、 2-メチレ- 1- (4- (メ チルチオ） フエニル） -2-モルフォリノプロパノン- 1、 2, 4-ジェチルチオキ サントン、 2-ェチルアントラキノン、 フエナントレンキノン等）、 ベンゾインェ —テル （ベンゾインメチルエーテル、 ベンゾインェチルエーテル、 ベンゾインフ ェニルエーテル等）、 ベンゾイン （メチルペンゾイン、 ェチルベンゾイン等）、 ベ ンジル誘導体 （ベンジルジメチルケタール等）、 2-メルカプトべンズイミダゾ一 ル、 2, 4, 5 -トリァリ一ルイミダゾ一ルニ量体、 （2- (0-クロ口フエニル） - 4, 5-ジフエ二ルイミダゾ一ルニ量体、 2- (0-クロ口フエ二ル） - 4, 5-ジ（m -メトキシフエニル） イミダゾ一ルニ量体、 2- (0-フルオロフェニル） -4, 5 - フエ二ルイミダゾ一ルニ量体、 2- (0-メトキシフエ二ル） -4， 5-ジフエニル イミダゾ一ルニ量体、 2- (P-メトキシフエ二ル） - 4, 5-ジフエ二ルイミダゾ 一ルニ量体、 2， 4-ジ （P-メトキシフエニル） -5-フエ二ルイミダゾ一ルニ量 体、 2- (2, 4-ジメトキシフエ二ル） - 4， 5-ジフエ二ルイミダゾ一ルニ量体 等）、 ァクリジン誘導体 （9-フエ二ルァクリジン、 1， 7 -ビス (9, 9' -ァク リジニル） ヘプタン等） が挙げられる。 これらは単独でまたは 2種類以上を組み 合わせて使用される。

上記例示の光重合開始剤のなかで、 特に、 2— （0—クロ口フエニル） —4, 5 ージフエ二ルイミダゾ一ルニ量体が、 表面凹凸形成性に優れるので好ましい。 光重合開始剤 （c) の配合量は、 成分 （a) および成分 （b) の固形分総量 1 00重量部に対して、 0. 05〜 20重量部とすることが好ましく、 0. 1〜1 5重量部とすることがより好ましく、 0. 15〜10重量部とすることが特に好 ましい。 この配合量が、 0. 05重量部未満では、 光硬化が不十分となる傾向が あり、 20重量部を超えると、樹脂組成物（R)膜表面の活性光吸収が増大して、 内部の光硬化が不十分となる傾向がある。 樹脂組成物 （R) は、 必要に応じて、 添加剤として、 分子量 10000以下の 低融点物質を含んでいてもよい。添加剤としては、 公知の可塑剤 （たとえば、 「プ ラスチックス配合剤」 （遠藤 昭定、 須藤 眞編、 大成社発行、 平成 8年 1 1月 3 0日発行） 記載の可塑剤） ゃシラン化合物等が挙げられる。 シラン化合物は、 樹 脂組成物 （R) 膜に、 加熱による流動性やガラス基板との密着性を与えることが できる。 これらの添加剤の配合量は、 樹脂組成物 （R) 中の固形分総量の 1~7 0重量％とすることが好ましい。

これらの中で、 成分 （d) としてカップリング剤を用いると、 基材ゃ反射膜と 樹脂層の界面で剥離が生じにくいので好ましい。

このカップリング剤 （d) としては、 樹脂組成物 （R) 膜に加熱による流動性 やガラス基材との密着性を与える化合物、 たとえば「プラスチックス配合剤」 （遠 藤 昭定、 須藤 眞編、 大成社発行、 平成 8年 1 1月 30日発行） 記載のネルギ P 漏 3/07222

29

—性ネガ型シラン化合物、 アルミニウム化合物、 ジルコニウム化合物、 チタン化 合物が挙げられる。 これらは単独で、 または 2種類以上を組み合わせて使用され る。

そのようなものの中で、 基材ゃ反射膜に対する密着性を向上させるために、 力 ップリング剤としてシラン化合物を含むことが好ましい。シラン化合物としては、 たとえば、 ビニルトリクロルシラン、 ビニルトリス （j3 -メトキシェトキシ） シラ ン、 ビニルトリエトキシシラン、 ビエルトリメトキシシラン、 ァ-メ夕クリロキシ プロビルトリメトキシシラン、 β - ( 3 , 4 -エポキシシクロへキシル） ェチルト リメトキシシラン、 ァ-グリシドキシプロビルトリメトキシシラン、 ァ-グリシド キシプロピルメチルジェトキシシラン、 Ν- ]3 (アミノエチル） ァ-ァミノプロピ ルトリメトキシシラン、 Ν- i8 (アミノエチル） ァ-ァミノプロピルメチルジメト キシシラン、 ァ-ァミノプロピルトリエトキシシラン、 N-フエ二ル-ァ -アミノブ 口ビルトリメトキシシラン、 ァ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、 τ -ク ロロプロピルトリメトキシシラン、 了- ( 2 -アミノエチル） ァミノプロピルトリ メトキシシラン、 Ύ - ( 2 -アミノエチル） ァミノプロピルメチルジメトキシシラ ン、 ビニルトリァセトキシシラン、 ァ-ァ二リノプロビルトリメトキシシラン、 ォ クタデシルジメチル ( 3 - (卜リメトキシシリル) プロピル) アンモニゥムクロラ イド、 ァ-クロ口プロピルメチルジメトキシシラン、 ァ-メルカプトプロピルメチ ルジメトキシシラン、 ァ-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、 ァ-ゥ レイドプロピルトリエトキシシラン、ァ-メタクリロキシプロピルメチルジメトキ シシランが挙げられる。 これらは単独で、 または 2種類以上を組み合わせて使用 できる。 これらの中で、 特にァ-メタクリロキシプロビルトリメトキシシランが、 表面凹凸形成の際の生産性に優れるので好ましい。

成分 （d ) の配合量は、 樹脂組成物 （R) 中の成分 （a ) と （b ) の固形分総 量の 0 . 1〜3 0重量％とすることが好ましく、 2 . 0〜1 5重量％であることが より好ましい。 上記成分 （d ) の配合比が 0 . 1重量％より少ないと、 基材ゃ反 射膜と樹脂層の界面で剥離が生じやすくなる恐れがある。 P 漏 3/07222

30

少なくとも 1種類の重合可能な化合物（b ) を含む樹脂組成物 （R) (樹脂組成 物 （R) 膜） として、 上記以外の全く別の材料系を用いることもできる。

この材料系の 1つは、 成分 （b ) としてエポキシ基またはォキセ夕ニル基を少 なくとも 1個以上有する一種類以上の重合可能な化合物 （モノマーおよび/また はオリゴマー） （b— 4 ) を含み、 かつ、 活性エネルギー線の照射によりカチオン 重合性触媒を形成する潜在性カチオン重合性触媒 （e ) を含む系である。 ェポキ シ基を少なくとも 1個以上有する重合可能な化合物と、 ォキセ夕二ル基を少なく とも 1個以上有する重合可能な化合物とを併用してもよい。

エポキシ基を少なくとも 1個以上有する上記成分 （b— 4 ) としては、 具体的 には、 フエノールェ一テル系エポキシド （ビスフエノール A型エポキシド、 ビス フエノール F型エポキシド、 ハロゲン化ビスフエノール A型エポキシド、 フエノ ールノポラック型エポキシド、 クレゾ一ルノポラック型エポキシド、 ハロゲン化 フエノールノポラック型エポキシド等）、 エーテル系エポキシド （ポリオール、ポ リエーテルポリオール等とェピクロルヒドリンとの縮合物、 ジグリシジルエーテ ル、 ポリエチレングリコ一ルジグリシジルエーテル、 ポリプロピレングリコール ジグリシジルエーテル、 ブタンジオールジグリシジルエーテル、 ネオペンチルダ リコールジグリシジルェ一テル、 トリメチロールプロパントリダリシジルエーテ ル、 グリセリントリグリシジルエーテル等）、 エステルエポキシド （グリシジルァ クリレート、 グリシジルメタクリレ一ト等とエチレン性不飽和単量体 （メタクリ ル酸メチル、 アクリル酸ェチル、 アクリロニトリル等） との共重合体等）、 グリシ ジルァミン系エポキシド （ァニリン、 ジアミノジフエ二ルメタン、 アミノフエノ ール類、 キシリレンジァミン、 ハロゲン化ァニリン、 ビスアミノメチルシクロへ キサン等のアミン類とェピクロルヒドリンとの縮合物等）、脂肪族または脂環式ェ ポキシドなどが挙げられる。 脂環式エポキシドとしては、 たとえば、 ダイセル化 学工業株式会社製のセロキサイドが使用できる。 これらは単独で、 または 2種類 以上を組み合わせて使用される。 P T/JP03/07222

31 ォキセ夕二ル基を少なくとも 1個以上有する上記成分 （b— 4 ) としては、 上 記エポキシ基を少なくとも 1個以上有する成分 （b— 4 ) のエポキシ基をォキセ 夕ニル基に置き換えたものを使用できる。 これらは単独で、 または 2種類以上を 組み合わせて使用される。

分子内に 1個のォキセ夕ニル基 （ォキセタン環） を有する化合物としては、 下 記一般式 （1 ) で示される化合物等が挙げられる。

上記一般式 （1 ) において、 R ¹は、 水素原子、 メチル基、 ェチル基、 プロピル 基あるいはブチル基等の炭素数 1〜 6のアルキル基、 炭素数 1〜 6のフルォロア ルキル基、 ァリル基、 ァリール基、 フリル基、 またはチェニル基である。

R²は、 水素原子、 メチル基、 ェチル基、 プロピル基あるいはブチル基等の炭素 数 1〜6のアルキル基； 1 —プロぺニル基、 2—プロぺニル基、 2—メチル— 1 一プロぺニル基、 2—メチルー 2—プロぺニル基、 1ーブテニル基、 2—ブテニ ル基あるいは 3—ブテニル基等の炭素数 2〜 6のアルケニル基；フエニル基、 ベ ンジル基、 フルォ口べンジル基、 メトキシベンジル基あるいはフエノキシェチル 基等の芳香環を有する基；ェチルカルポニル基、 プロピル力ルポニル基あるいは プチルカルポニル基等の炭素数 2〜 6のアルキル力ルポニル基；ェトキシカルボ ニル基、 プロポキシカルボニル基あるいはブトキシカルポニル基等の炭素数 2〜 6のアルコキシカルボ二ル基；または、 ェチルカルバモイル基、 プロピル力ルバ モイル基、 プチルカルバモイル基ぁるいはペンチルカルバモイル基等の炭素数 2 〜 6の N—アルキル力ルバモイル基等である。

分子内に 2個のォキセ夕ニル基 （ォキセ夕ン環） を有する化合物としては、 下 記一般式 （2 ) で示される化合物等が挙げられる。

上記一般式 （2 ) において、 2個の R¹は、 それぞれ独立に、 前記一般式 （1 ) におけるものと同様の基である。

R³は、 たとえば、 エチレン基、 プロピレン基あるいはブチレン基等の線状ある いは分枝状アルキレン基；ポリ （エチレンォキシ） 基あるいはポリ （プロピレン ォキシ） 基等の線状あるいは分枝状ポリ （アルキレンォキシ） 基；プロべ二レン 基、 メチルプロべ二レン基あるいはブテニレン基等の線状あるいは分枝状不飽和 炭化水素基；カルポニル基、 カルボ二ル基を含むアルキレン基、 力ルポキシル基 を含むアルキレン基、 または力ルバモイル基を含むアルキレン基等である。

さらに、 上記 R³は、 下記一般式（3 ) 〜 （1 4 ) で示される基から選択される 多価基であってもよい。

(上記一般式 （3 ) において、 R⁴は、 水素原子、 メチル基、 ェチル基、 プロピル 基あるいはブチル基等の炭素数 1〜4のアルキル基；メトキシ基、 エトキシ基、 プロポキシ基あるいはブトキシ基等の炭素数 1〜4のアルコキシ基；塩素原子あ るいは臭素原子等のハロゲン原子；ニトロ基、 シァノ基、 メルカプト基、 低級ァ ルキルカルボキシル基、 力ルポキシル基、 または力ルバモイル基である。）

(上記一般式 （4 ) において、 R⁵は、 酸素原子、 硫黄原子、 メチレン基、 NH、 S O、 S〇₂ 、 C (C F ₃ ) ₂ 、 または C (C H₃) ₂である。）

(上記一般式 （5) において、 R⁶は、 水素原子、 メチル基、 ェチル基、 プロピル 基あるいはブチル基等の炭素数 1〜 4個のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、 プロポキシ基あるいはブトキシ基等の炭素数 1〜4個のアルコキシ基；塩素原子 あるいは臭素原子等のハロゲン原子；ニトロ基、 シァノ基、 メルカプト基、 低級 アルキルカルボキシル基、 力ルポキシル基、 または力ルバモイル基である。）

(上記一般式 （6) において、 R⁷は、 酸素原子、 硫黄原子、 メチレン基、 NH、 SO、 S〇₂ 、 C (CF₃ ) ₂、 または C (CH₃) ₂ 、 C (C₆H₅) (CH₃)、 C (C ₆H₅) ₂である。）

(7) (8)

(上記一般式 （7) および一般式 （8) において、 R⁸は、 水素原子、 メチル基、 ェチル基、 プロピル基あるいはブチル基等の炭素数 1〜4のアルキル基；メトキ シ基、 エトキシ基、 プロポキシ基あるいはブトキシ基等の炭素数 1〜4のアルコ キシ基；塩素原子あるいは臭素原子等のハロゲン原子；ニトロ基、 シァノ基、 メ ルカプト基、 低級アルキル力ルポキシル基、 力ルポキシル基、 または力ルバモイ ル基である。 さらに、 R⁸の置換数は 1個には限られず、 ナフタレン環に 2〜4個 置換していてもよい。）

(上記一般式（13)、 （14) において、 nは 0〜10の整数であり、それぞれ、 異なる数値の化合物の混合物でもよい。）

2個のォキセタニル基 （ォキセタン環） を有する化合物として、 上記した化合 物以外の好ましい例としては、 下記一般式 （15) で示される化合物が挙げられ る。 なお、 一般式 （15) において、 R¹は、 前記一般式 （1) におけるものと同 様の基である。

3〜 4個のォキセタニル基 （ォキセ夕ン環） を有する化合物としては、 下記一 般式 （16) で示される化合物等が挙げられる。

上記一般式 （16) において、 R'は、 前記一般式 （1) におけるものと同様の 基であり、 mは 3または 4である。

R⁹としては、 たとえば、 下記一般式 （17)、 (18) および （19) で示され る基等の炭素数 1〜12の分枝状アルキレン基、 下記一般式 （20) で示される 基等の分枝状ポリ （アルキレンォキシ） 基が挙げられる。

(上記一般式 （17) において、 R¹⁽⁾はメチル基、 ェチル基またはプロピル基等 の低級アルキル基である。）

CHつ―

-CHつ C- -CH― (18)

CHつ一

(19)

(上記一般式 （20) において、 nは 1〜10の整数である。）

上記の化合物以外にも、 分子量 000〜5, 000程度の比較的高分子量 の 1〜4個のォキセタニル基 （ォキセタン環） を有する化合物を用いることもで きる。

以上のォキセ夕二ル基を有する化合物 （b— 4) は、 2種類以上のものを組み 合わせて使用することができる。 成分 （e) の活性エネルギー線の照射によりカチオン重合性触媒を形成する潜 在性カチオン重合性触媒は、 上記成分 （b— 4) に配合して、 室温に放置する限 りにおいては長期間にわたって安定であるが、 活性エネルギー線の作用で、 直ち にカチオン重合性触媒を形成し、 成分 （b— 4) の重合反応を開始、 促進せしめ ることができる化合物である。

このような潜在性カチオン重合性触媒 （e) として具体的には、 以下に示すよ うな各種ォニゥム塩を挙げることができる。 たとえば、 下記一般式 （22) で示 される第四級アンモニゥム塩、 下記一般式 （23) で示されるホスホニゥム塩お よび下記一般式 （24)、 （25) または （26) で示されるスルホニゥム塩など がある。 ■Θ (22)

X

(上記一般式 （22) 中、 R¹ 〜R⁴ は、 それぞれ独立に、 炭素原子数 1〜20 のアルキル基、 炭素原子数 3〜12のアルケニル基、 ァリール基、 アルカリ一ル 基、 炭素原子数 1〜20のアル力ノール基もしくは炭素原子数 5〜10のシクロ アルキル基であり、 互いに同一でも異なっていてもよく、 また置換基を有してい ても有していなくてもよい。また、 R¹ 〜R⁴ のうち 2個が互いに結合して、 N、 P、〇または Sをへテロ原子とする複素環を形成していてもよい。さらに、 Xは、 BFい PFい As F₆ 、 S bFい S bC I₆ 、 （C₆ F₅ ) ₄ B、 S bF₅ (O H)、 HS0₄ 、 p-CH₃ C₆ H₄ S〇₃ 、 HC0₃ 、 H_z P 0₄、 CH₃ COOお よびノヽロゲン原子からなる群より選ばれる対イオン、 すなわち、 1価の陰イオン を表わす。）

(上記一般式 （23) 中、 R¹ 〜R⁴および Xは、 それぞれ、 前記一般式 （22) における 〜R⁴および Xと同じである。）

(上記一般式 （24) 中、 R¹ 〜R³および Xは、 それぞれ、 前記一般式 （22) における 〜R³ および Xと同じであり、 R¹ 〜R³ のうち 2個が互いに結合し て、 N、 P、 Oまたは Sをへテロ原子とする複素環を形成していてもよい。）

(上記一般式 （25) 中、 R¹ 、 R²および Xは、 それぞれ、 前記一般式 （22) における R^l 、 R² および Xと同じであり、 R¹ および R² が互いに結合して、 N、 P、〇または Sをへテロ原子とする複素環を形成していてもよい。また、 Arは、 置換基を有しても有さなくてもよいァリール基を表わす。）

(26)

(上記一般式 （26) 中、 R¹ 〜R⁴および Xは、 それぞれ、 前記一般式 （22) における R¹ 〜R⁴および Xと同じである。 また、 Arは、 前記一般式 （25) における A rと同じである。）

上記一般式 （22) 〜 （26) において、 R'、 ² 、 ³ または R⁴ としての 炭素原子数 1〜20のアルキル基としては、 置換基を有していても、 有していな くてもよい直鎖または分岐を有するアルキル基が挙げられ、たとえば、メチル基、 ェチル基、 n—プロピル基、イソプロピル基、 n—ブチル基、 s e c—ブチル基、 t e r t—ブチル基、 n—ペンチル基、 イソペンチル基、 ネオペンチル基、 n— へキシル基、 イソへキシル基、 n—ヘプチル基、 n—ォクチル基、 ノニル基、 デ シル基、 ゥンデシル基、 ドデシル基、 トリデシル基、 テトラデシル基、 ペンタデ シル基、 へキサデシル基、 ォクタデシル基、 ノナデシル基およびエイコシル基が 挙げられる。

前記 R R² 、 R³ または R⁴ として炭素原子数 3〜12のアルケニル基とし ては、 置換基を有しても、 有さなくてもよい直鎖または分岐を有するアルケニル 07222

39 基が含まれ、 たとえば、 n—プロぺニル基、 n—ブテニル基、 s e c—ブテニル 基、 t e r t—ブテニル基、 n—ペンテニル基、 s e c—ペンテニル基、 へキセ ニル基、 n—ヘプテニル基、 s e c—ヘプテニル基、ォクテニル基、 ノネニル基、 デセニル基およびゥンセニル基が挙げられる。

前記 R ¹ 、 R² 、 R³ または R⁴ としてのァリール基としては、 たとえば、 置換 または非置換のフエニル基、 ナフチル基またはアントラセン基が含まれ、 特に、 フエニル基が好ましい。

前記 、 R² 、 R³ または R⁴ としてのアルカリール基としては、 前述の炭素 原子数 1〜 2 0のアルキル基およびァリール基で構成されるものが挙げられる。 前記 R^l 、 R² 、 R³ または R⁴ としての炭素原子数 1〜2 0のアル力ノール基 としては、 置換基を有しても、 有さなくてもよい直鎖または分岐を有するアル力 ノール基が含まれ、 たとえば、 エタノール基、 n—プロパノール基、 イソプロパ ノール基、 n—ブ夕ノール基、 s e c—ブ夕ノール基、 t e r tーブタノ一ル基、 n—ペンタノ一ル基、 s e c—ペン夕ノール基、 1一へキサノール基、 1一ヘプ 夕ノール基、 1—ォク夕ノール基、 1ーノナノ一ル基、 1ーデカノール基、 1— ゥンデ力ノール基、 1—ドデカノ一ル基、 1—トリデカノール基、 1—テトラデ カノ一ル基、 1一ペン夕デカノール基、 1—へキサデ力ノール基、 1一へプタデ カノ一ル基、 1一才クタデカノール基、 1一ノナデ力ノール基および 1一エイコ サノール基が挙げられる。

さらにまた、 前記 、 R² 、 R³ または R⁴ としての炭素原子数 5〜1 0のシ クロアルキル基としては、 置換基を有しても、 有さなくてもよい分岐を有するこ とのあるシクロアルキル基が含まれ、 たとえば、 シクロペンチル基、 2—メチル シクロペンチル基、 シクロへキシル基およびシクロへプチル基が挙げられる。 上記一般式 （2 5 ) および （2 6 ) において、 A rとしての置換基を有しても 有さなくてもよいァリール基としては、 置換または非置換のフエニル基またはナ フチル基が挙げられる。

上記一般式 （2 2 ) 〜 （2 6 ) において、 前記置換基としては、 たとえば、 フ ッ素原子などのハロゲン原子；メチル基、 ェチル基、 n—プロピル基、 イソプロ ピル基、 n—ブチル基、 s e c—プチル基、 t e r t —ブチル基、 n—ペンチル 基、 イソペンチル基、 ネオペンチル基、 n—へキシル基、 イソへキシル基、 n— ヘプチル基および n—才クチル基などの炭素原子数 1〜 8のアルキル基；シクロ ペンチル基、 シクロへキシル基およびシクロへプチル基などの炭素原子数 5〜7 のシクロアルキル基；またはメトキシ基、 エトキシ基、 プロポキシ基、 イソプロ ポキシ基、 ブトキシ基、 イソブトキシ基、 s e c 一ブトキシ基、 t e r t —ブト キシ基、ペンチルォキシ基、イソペンチルォキシ基、 s e c—ペンチルォキシ基、 へキシルォキシ基、 イソへキシルォキシ基、 ヘプチルォキシ基およびォクチルォ キシ基などの炭素原子数 1〜 8のアルコキシ基が挙げられる。

上記一般式 （2 2 ) で示される第四級アンモニゥム塩としては、 たとえば、 テ トラプチルアンモニゥムテトラフルォロポレート、 テトラプチルアンモニゥムへ キサフルォロホスフェート、 テ卜ラブチルアンモニゥムハイドロゲンサルフエ一 ト、 テトラエチルアンモニゥムテトラフルォロボレ一ト、 テトラエチルアンモニ ゥム p—トルエンスルホネート、 N, N—ジメチル— N—ベンジルァ二リニゥム 六フッ化アンチモン、 N, N—ジメチルー N—ベンジルァ二リニゥム四フッ化ホ ゥ素、 N, N—ジメチルー N—ベンジルピリジニゥム六フッ化アンチモン、 N, N—ジェチルー N—べンジルトリフルォロメタンスルホン酸、 N， N—ジメチル - N - ( 4ーメトキシベンジル) ピリジニゥム六フッ化アンチモン、 N， N—ジ エヂルー N— （4—メトキシベンジル） トルイジ二ゥム六フッ化アンチモンを挙 げることができる。

上記一般式 （2 3 ) で示されるホスホニゥム塩の具体例としては、 たとえば、 ェチルトリフエニルホスホニゥム六フッ化アンチモン、 テトラブチルホスホニゥ ム六フッ化アンチモンを挙げることができる。

上記一般式 （2 4 )、 （2 5 ) または （2 6 ) で示されるスルホニゥム塩として は、 たとえば、 トリフエニルスルホニゥム四フッ化ホウ素、 トリフエニルスルホ 二ゥム六フッ化アンチモン、 トリフエニルスルホニゥム六フッ化砒素、 トリ （4 07222

41 ーメトキシフエ二ル） スルホ二ゥム六フッ化砒素、 ジフエニル （4—フエニルチ オフェニル） スルホ二ゥム六フッ化砒素、 アデカオプトン SP— 150 (旭電化 工業株式会社製、 対イオン： PF₆ )、 アデカオプトン SP— 170 (旭電化工業 株式会社製、 対イオン： SbF₆ )、 アデカオプトン CP— 66 (旭電化工業株式 会社製、 対イオン： S bF₆ )、 アデカオプトン CP— 77 (旭電化工業株式会社 製、 対イオン： S b F₆ )、 サンエイド S I— 60 L (三新化学工業株式会社製、 対イオン： S b F₆)、 サンエイド S I - 80 L (三新化学工業株式会社製、 対ィ オン： S b F₆ )、 サンエイド S I— 100 L (三新化学工業株式会社製、 対ィォ ン： S bF₆ )、 サンエイド S I— 150 (三新化学工業株式会社製、 対イオン： SbF₆ )、 CYRACURE UV I— 6974 (ユニオン 'カーバイド社製、 対イオン： SbF₆ )、 CYRACURE UV I - 6990 (ユニオン '力一バ ィド社製、対イオン： PF₆ )、 UV I— 508 (ゼネラル'エレクトリック社製）、 UV I - 509 (ゼネラル 'エレクトリック社製）、 FC- 508 (ミネソタ 'マ イニング ·アンド ·マニファクチユアリング社製）、 FC— 509 (ミネソタ 'マ イニング'アンド 'マニファクチユアリング社製）、 CD- I 010 (サートマ一 社製）、 CD- 1011 (サ一トマ一社製） および C Iシリーズ（日本曹達株式会 社製、 対イオン： PF₆、 SbF₆ ) を挙げることができる。

さらに、 上記潜在性カチオン重合触媒 （e) として、 下記一般式 （27) で示 されるジァゾ二ゥム塩や下記一般式 （28) で示されるョ一ドニゥム塩を使用す ることもできる。

Θ Θ _/

Ar Ν≡Ν· X ' (²⁷)

(上記一般式 （27) 中、 Arおよび Xは、 それぞれ、 上記一般式 （25) にお ける A rおよび上記一般式 （22) における Xと同じである。） ^R\© Θ

I · X (28)

R⁶

(上記一般式 （28) 中、 Xは上記一般式 （22) における Xと同じであり、 R⁵ および R⁶ は、 互いに同一でも異なっていてもよく、 また置換基を有しても有さ なくてもよいァリール基である。）

上記一般式 （27) および （28) において、 A rとしての置換基を有しても 有さなくてもよいァリール基、 および、 Xとしての 1価の陰イオンの具体例は、 前述の通りである。 また、 R⁵ および R⁶ としての置換基を有しても有さなくて もよぃァリール基としては、 たとえば、 置換または非置換のフエニル基、 ナフチ ル基またはアントラセン基が挙げられ、 特に、 フエニル基が好ましい。 置換基と しては、 たとえば、 フッ素原子、 塩素原子、 臭素原子、 ヨウ素原子などの八ロゲ ン原子；メチル基、ェチル基、 n―プロピル基、ィソプロピル基、 n—プチル基、 s e c—プチル基、 t e r t—プチル基、 n—ペンチル基、 イソペンチル基、 ネ ォペンチル基、 n—へキシル基、 イソへキシル基、 n—へプチル基および n—ォ クチル基などの炭素原子数 1〜8のアルキル基；シクロペンチル基、 シクロへキ シル基およびシクロへプチル基などの炭素原子数 5〜 7のシクロアルキル基；ま たはメトキシ基、 エトキシ基、 プロポキシ基、 イソプロポキシ基、 ブトキシ基、 イソブトキシ基、 s e c一ブトキシ基、 t e r t—ブトキシ基、 ペンチルォキシ 基、 イソペンチルォキシ基、 s e c—ペンチルォキシ基、 へキシルォキシ基、 ィ ソへキシルォキシ基、 ヘプチルォキシ基およびォクチルォキシ基などの炭素原子 数 1〜8のアルコキシ基が挙げられる。

上記一般式（27)で示されるジァゾニゥム塩の具体例としては、アメリカン ' キャン社製の AMER I CURE (対イオン： BF₄ ) および旭電化工業株式会 社製の ULTRASET (対イオン： BF₄ 、 PF₆ ) などを挙げることができ る。

上記一般式 （28) で示されるョードニゥム塩の具体例としては、 ジフエニル ョ一ドニゥム六フッ化砒素、ジ— 4一クロ口フエ二ルョードニゥム六フッ化砒素、 ジ一 4—ブロムフエ二ルョードニゥム六フッ化砒素、 フエニル （4ーメトキシフ ェニル） ョ一ドニゥム六フッ化砒素、 ゼネラル'エレクトリック社製の UVEシ リーズ、 ミネソタ ·マイニング ·アンド ·マニファクチユアリング社製の FCシ リーズ、 東芝シリコーン社製の UV— 9310 C (対イオン： SbF₆ ) および 口一ヌプ一ラン社製の Photoinitiator 2074 (対イオン： （C₆ F₅ ) ₄ B) な どを挙げることができる。

潜在性カチオン重合性触媒 （e) の配合は、 上記成分 （b— 4) 100重合部 に対して、 硬化性の観点から 0. 01重量部以上が好ましく、 使用前の保存安定 性の観点から 20重量部以下が好ましく、 0. 1〜 10重量部がより好ましい。 以上の成分を含む樹脂組成物 （R) を、 必要に応じて適当な溶剤に溶解ないし 分散させ、 混合する。 混合は、 透明で均一な溶液となるまで十分に行われること が好ましく、 常法により濾過して塗液としてもよい。 溶剤は、 好ましくは 50〜 250°Cの範囲に沸点を有するものが用いられる。 そのような溶剤の例として、 アセトン、 メチルェチルケトン、 シクロへキサノン、 トルエン、 N, N-ジメチルァ セトアミド、 プロピレングリコールモノメチルエーテル、 プロピレングリコール モノメチルェ一テルアセテート、 N，N-ジメチルホルムアミド、 ジメチルスルホキ シド、 ニトロベンゼンが挙げられる。 これらは単独で、 または 2種類以上を混合 して使用される。 樹脂組成物 （R) の粘度に関しては、 基板上に樹脂組成物 （R) 層を形成した 際の乾燥時の塗布膜厚均一性の観点から、 80°Cにおける粘度が 1 X 10²Pa- sec 以上であることが好ましく、 加熱により凹凸形状を形成する工程において凹 凸形状を有効に形成させる観点から、 80 における粘度が 1 X 10⁷Pa-sec以 下であることが好ましい。 さらに、 この 80°Cにおける粘度は、 5X 10²〜5 X 10⁶Pa-secであることがより好ましく、 1 X 10³〜3X 10⁶Pa-secである . - 0307222

44 ことが特に好ましく、 5 X 10³〜 1 X 10⁶Pa' secであることが極めて好ましレ^ ここで、 上記粘度は、 直径 7mm、 厚さ 2 mmの円板形状の樹脂組成物 （R) サンプル片を作製し、 80°Cにおいて、 試料の厚さ方向に 1. 96 X 10— ²Nの 圧力を加えて厚さの変化速度を測定し、 この変化速度からニュートン流体を仮定 して、 下記の関係式 （1) を用いて粘度に換算した値である。

= (2 F ZV3 TTR⁴) / (d Z/d t) · · ·式 （1)

ίΐ ：粘度

F ：サンプルの厚さ方向に加えた力

Ζ ：サンプルの厚さ

R：サンプルの半径

t ：サンプルに力を加えた時間 好ましくは、 凹凸形状を再現性よく且つ有効に形成させ維持させる観点から、 樹脂組成物 （R) は、 以下の特性を有している。 すなわち、 遮光 5 ^m幅、 透過 5 m幅とした実質的に 10 m周期のストライプパターンが形成されたマスク を介して、 樹脂組成物 （R) 膜に活性エネルギー線を照射し、 続いてエッチング 操作を行うことなく 180 で加熱した場合に、 上記マスクパターンに従った段 差 0, 3 m以上の表面凹凸を形成しうるものであることが好ましい。あるいは、 直径 1 O^mの実質的に円形の遮光パターンが形成されたマスクを介して、 樹脂 組成物 （R) 膜に活性エネルギー線を照射し、 続いてエッチング操作を行うこと なく 180°Cで加熱した場合に、 上記マスクパターンに従った段差 0. 5 m以 上の表面凹凸を形成しうるものであることが好ましい。 上記において、 たとえば 基板上に形成された樹脂組成物 （R) 層は、 活性エネルギー線の照射に先立ち、 40〜 150°Cで 1〜30分間、 プリべークされることが好ましい。 マスクパ夕 —ンの種類や活性エネルギ一線の種類や照射線量等は、 後述する工程 （B) で述 ベるものと同様である。 PC蒙雇 22

45 以上に述べた本発明に係る樹脂組成物 （R) の層を支持体上に積層して、 感光 性エレメントとすることもできる。 この支持体としては、 特に制限はなく、 公知 のものを使用することができるが、 基板上に感光性ェレメントを貼り合わせる点 および貼り付けた後に、 はく離する点で特に好適であるという理由から、 ポリプ ロピレン、 ポリエチレンテレフ夕レート、 ポリエステル等を材質としたフィルム が挙げられる。

樹脂組成物 （R) 層を上記支持体に形成する方法としては、 公知の塗布方法を 用いることができ、 たとえば、 後述する工程 （A) において、 基板上に樹脂組成 物 （R) 層を形成するための塗布方法の全てを適用できる。

感光性エレメントにおける樹脂組成物 （R) 層の厚さは、 液晶表示装置とした 場合の電気的特性を考慮して、 0 , 1〜2 0 mとすることが好ましく、 0 . 3 〜1 5 mとすることがより好ましく、 0 . 5〜1 0 mとすることが特に好ま しい。

感光性エレメントの樹脂組成物 （R) 層の上に、 さらにカバ一フィルムが積層 されていてもよい。 カバーフィルムとしては、 ポリエチレン、 ポリプロピレン、 ポリエチレンテレフ夕レート、 ポリカーボネート等からなる厚さ 5〜1 0 0 m 程度のフィルムが挙げられる。

このようにして得られる感光性エレメントは、 ロール状に巻いて保管し、 また 使用できる。 感光性エレメントを使用する場合は、 カバーフィルムが存在してい るときはそのカバーフィルムを除去後、 任意の基板上に感光性エレメントを、 感 光性エレメントの樹脂組成物 （R) 層が接するようにして、 圧着ロールで圧着さ せる等の方法が好ましい。 圧着ロールは、 加熱圧着できるように加熱手段を備え たものであってもよく、 加熱圧着する場合の加熱温度は、 樹脂組成物 （R) 層と 基板との密着性の観点から 1 0 °C以上とすることが好ましく、 樹脂組成物 （R) 層中に含まれる配合成分の熱硬化あるいは熱分解を回避する観点から 1 8 0 ^以 下とすることが好ましく、 2 0〜1 6 O t:とすることがより好ましく、 3 0 ~ 1 5 0 °Cとすることが特に好ましい。 加熱圧着時の圧着圧力は、 樹脂組成物 （R) 層と基板との密着性の観点から、 線圧で 5 O NZm以上とすることが好ましく、 基板の破壊を回避する観点から、 線圧で 1 X 1 0 ⁵ NZm以下とすることが好ま しく、 2 . 5 X 1 0 ²〜5 X 1 0 ⁴ N/mとすることがより好ましく、 5 X 1 0 ² 〜4 X 1 0 ⁴ NZmとすることが特に好ましい。

感光性エレメントを上記のように加熱して圧着すれば、 基板を予熱処理するこ とは必要ではないが、 樹脂組成物 （R) 層と基板との密着性をさらに向上させる 観点から、 基板を予熱処理することも好ましい。 この時の予熱温度は、 3 0〜1 8 0 °Cとすることが好ましい。 次に、 上記のような樹脂組成物 （R) を用いた、 本発明に係る表面凹凸形成方 法の好ましい実施形態について、 その一例を示した図面を参照しつつ説明する。 まず、 工程 （A) として、 上記のようにして得られた樹脂組成物 （R) の塗液 を、任意の基板（支持体）（たとえばガラス基板） 2上に塗布して、樹脂組成物（R) 膜（樹脂組成物（R)層） 1を形成する （図 1 ( a ))。塗液の塗布方法としては、 口一ルコ一ティング法、 スピンコーティング法、 スプレーコ一ティング法、 ディ ップコーティング法、 カーテンフローコーティング法、 ワイヤバ一コーティング 法、 グラビアコーティング法、 エアナイフコ一ティング法、 インクジェットコ一 ティング法、 ドクターブレードコーティング法、 スクリーンコーティング法、 ダ イコーティング法、 キャップコーティング法等が挙げられる。 あるいは、 任意の ベースフィルムや仮支持体等の上に上記の方法で塗液を塗布して樹脂組成物（R) 層を形成してもよいし、 基板に直接塗布するのではなく、 任意のベースフィルム 等の上に形成された樹脂組成物 （R) 層を基板に転写するようにしてもよい。 樹脂組成物 （R) 層の形成に用いられる基板としては、 ガラス板、 クロムや I T Oなどの無機化合物を成膜したガラス板、 シリコン基板、 セラミックス、 ポリ カーボネート系樹脂フィルム、 アクリル系樹脂フィルム、 メタアクリル樹脂シー ト、 ポリエチレンテレフタートフィルム、 ポリエ一テルスルホン樹脂フィルム、 フッ素系樹脂フィルムなどが挙げられ、 複屈折率が少ない （Δ η = 0 . 0 1以下 の） 基板を用いることが好ましい。 基板には、 絶縁層、 電極、 T F T等が設けら れていてもよい。

樹脂組成物（R)層の乾燥後の厚みは、 0 . 1〜1 0 0 0 mが好ましく、 0 . 1〜： L 0 0 mがより好ましく、 1〜5 0 mが特に好ましい。

活性エネルギー線の照射に先立ち、 塗布した樹脂組成物 （R) 層を、 4 0〜1 5 0 で 1〜3 0分間プリべークすることが好ましい。

以上により形成される樹脂組成物 （R) 層 （プリべーク後） は、 表示デバイス や光学デバイスに用いることに鑑み、 可視光線透過率が 9 5 %以上のものである ことが好ましい。 可視光線は、 たとえば波長 5 0 0 n mの光線であることが好ま しい。 可視光線透過率は、 たとえば分光光度計により測定することができる。 次に、 工程 （B ) として、 必要に応じてプリべ一夕した樹脂組成物 （R) 層に 対し、たとえば図 1 ( b )に示したようにパターン形成されたマスク 4を介して、 あるいは、 直接描画法で （図示せず） 活性エネルギー線を照射する。 基板 2が光 線の透過性を妨げるものでなければ、 樹脂組成物 （R) 層 1側からではなく基板 2側から露光を行ってもよい。 マスクパターンまたは直接描画パターンは、 活性 エネルギー線遮断部と活性エネルギー線透過部からなる、 規則的あるいは不規則 的な繰り返しパターンを有し、 活性エネルギー線遮断部と活性エネルギー線遮断 部、 または、 活性エネルギー線透過部と活性エネルギー線透過部との距離が、 1 〜5 0 mであることが好ましく、 5〜2 0 mであることがより好ましい。 パ ターン形状は、特に限定されないが、例として、 円形、楕円形、 円輪形、多角形、 曲線、 直線、 あるいは各形の集合形が挙げられる。

活性エネルギー線としては、 赤外線、 可視光線、 紫外線、 赤外線より長波長の 電磁波、 紫外線より短波長の電磁波、 レーザー光、 電子線等を用いることができ る。なかでも、用いられる樹脂組成物（R)の反応性や装置の普及性の観点から、 紫外線を用いることが好ましい。 照射装置としては、 力一ボンアーク灯、 超高圧 水銀灯、 高圧水銀灯、 キセノンランプ、 メタルハライドランプ、 蛍光ランプ、 夕 PC漏膽 22

48

'。等が挙げられる。 また、 活性エネルギー線量は、 従来のエッチ ング工程を含む表面凹凸形成法において照射する紫外線量に比べて少なくて足り、 0. 005〜； L J /cm²が好ましく、 0. 01〜： L J / c m²がより好ましく、 0. 01〜0. 5 J/cm²がさらに好ましく、 0. 05〜0. l J/cm²が特 に好ましい。

パターン形成されたマスクを介して、 あるいは、 直接描画法で活性エネルギー 線を照射された樹脂組成物 （R) 層の膜厚は、 活性エネルギー線を照射されてい ない部分の膜厚'に比べ、 最終的に増加する。 上記のようにして活性エネルギー線を少なくとも 1回以上照射する工程の後、 工程 （C) として、 エッチング操作を行うことなく加熱が行われる。 この加熱に より、 図 1 (c) に模式的に示されているように、 活性エネルギー線を照射され た部分と照射されない部分との膜厚差が顕著なものとなる。 このときの加熱温度 は、 50〜250°Cであることが好ましい。 加熱は、 熱風加熱炉、 赤外線照射加 熱炉、 ホットプレートなどを用いた任意の方法により行われる。 さらに必要に応 じ、 樹脂組成物 （R) 層の凹凸形状保持が必要な箇所のすべてを一括して熱ゃ活 性エネルギー線により硬化して、 形状を固定することができる。 なお、 図 1 (d) は表面凹凸形状面上に反射膜 3を設ける実施形態を示す （後述)。

以上のようにして得られる表面凹凸形状の一例を、 図 2に示す。 これは、 ライ ン状のパターンが形成されたマスクを用いた露光により得られた表面凹凸形状を レーザー顕微鏡で測定して得られた断面凹凸段差を示している。 形成される表面凹凸形状は、 樹脂組成物 （R) 層の厚さ T=0. l〜20 ^m として、 加熱工程後の表面凹凸の段差が （0. 1〜0. 5) XT^mの範囲であ ることが好ましい。 ここで、 Tは、 上記工程 （A) により形成された、 乾燥後の (工程 （B) による活性エネルギー線照射前の） 樹脂組成物 （R) 層の平均膜厚 である。 したがって、 本発明に係る上記表面凹凸形成方法に用いる本発明に係る樹脂組 成物 （R) は、 凹凸形状を有効に形成させ維持させる観点から、 樹脂組成物 （R) 層の厚さ T=0. 1〜20 mに対し、加熱工程後の表面の段差が（0. 1〜0. 5) XT^mの範囲とすることができるものであることが好ましい。 表面の段差 を大きくする場合は、 拡散により移動しやすい低分子量の不飽和化合物量を増加 させるか、 基板上に設ける層の厚みを増加させることで調整できる。 形成される表面凹凸形状は、 凹凸形状を有効に形成させ維持させる観点から、 凹凸形状の凸部のビッカース硬さが 25°Cから 1 00°Cの範囲のいずれかの温度 で測定したときに 10〜 30HVであることが好ましく、 1 5〜25HVである ことがより好ましく、 17〜23HVであることが特に好ましい。 この凸部のビ ッカース硬さが 10HV未満である場合には、 形成した凹凸形状は長時間の経過 で変形する傾向にあり、 30HVを超える場合には、 加熱することにより凹凸形 状を形成する工程において、 表面凹凸形状を有効に形成できない傾向にある。 表面凹凸形状の機械的強度を維持し、かつ基板の柔軟性に追従させる観点から、 凸部のビッカース硬度は、 25°Cから 100°Cの範囲のいずれかの温度で測定し たときに、 凹部に対して 0〜5HV高いことが好ましく、 2〜5HV高いことが より好ましく、 4〜 5 HV高いことが特に好ましい。

本発明に係る上記表面凹凸形成方法に用いる本発明に係る樹脂組成物（R)は、 これらのビッカース硬度の特性を達成できる組成であることが好ましい。

上記ビッカース硬度とは、 20 周期の凹凸形状を形成した樹脂組成物（R) の 1 mm厚の板状サンプルに対し、 1 g f の荷重をかけた対角角 136° のビッ カース圧子を押し当て、 窪み対角線の長さの平均から、 下記式 （2) を用いて、 算出した値である。

Hv= (2 P s i n a/2) / ύ² · · '式 （2)

Ην ： ピツカ一ス硬さ

Ρ ： 荷重 [kg] TJP03/07222

50 d ：窪み対角線の長さの平均

：対角角 以上の工程 （A) 〜 （C) の表面凹凸形成工程群を （A) 群とし、 続いて、 樹 脂組成物 （R) 膜に、 所定の遮光パターンが形成されたマスクを介して、 または 所定の遮光部が形成されるように直接に、 活性エネルギー線を照射する工程 (D)；および樹脂組成物 （R) 膜の前記工程（D) の遮光された箇所をエツチン グにより除去する工程 （E) を行うことができる。 ここで、 コンタクトホール形 成箇所を工程 （D) における遮光された箇所として、 工程 （E) のエッチングに より樹脂組成物 （R) 膜にコンタクトホールを形成することができる。

すなわち、 コンタクトホールを形成する場合、 上記表面凹凸形成工程群 （A) の後に、 たとえば、 コンタクトホール用遮光パターンが形成されたマスクを介し て活性エネルギー線を 1回以上照射する工程、 所定のエッチング操作によりコン タクトホール部の樹脂組成物 （R) 層を除去する工程を含むコンタクトホール形 成工程群（またはエッチング工程群） （B) を順次施すことによって、 良好な表面 凹凸形状と、 良好なコンタクトホールを安定に得ることができ、 好ましい。 上記のようにコンタクトホールを形成する場合、 様々な方法をとることができ る。 その一例を、 図面を用いて説明する。

図 3 (a) 〜 （f) は、 表面凹凸形成方法の工程を示し、 （a) 〜 （d) は表面 凹凸形成工程群 （A) を、 （e) および （f) はエッチング工程群 （B) を示す。 まず、 表面の任意の箇所に TFT、 TFD等の下層膜 22が形成された基板 （基 材） 2を準備する （図 3 (a))。 次に、 上記工程 （A) として、 基材 2上に樹脂 組成物 （R) 層 1を設ける （図 3 (b))。 得られた樹脂組成物 （R) 層 1上に、 上記工程 （B) として、 パターン形成されたマスク 4を介して活性エネルギー線 5を照射する （図 3 (c))。

マスク 4のマスクパターンは、 活性エネルギー線遮断部と活性エネルギー線透 過部からなり、 規則的あるいは不規則的な繰り返しパターンを有している。 この 活性エネルギー線遮断部には、 後にコンタクトホールを形成される部分が含まれ ていることが好ましい。 すなわち、 上記工程 （D) における遮光された箇所が上 記工程 （B) においても遮光部となっていることが好ましい。

続いて、 エッチング操作を行うことなく加熱 （前加熱） する工程 （C) を行う (図 3 (d))。 ここでの加熱温度 （T1) は、 50〜180°Cであることが好ま しい。 この工程 （C) の加熱により、 活性エネルギー線がマスクを介して透過し た部分の樹脂組成物 （R) 層 1は凸状となり、 マスクにより遮光された部分の樹 脂組成物 （R) 層 1は凹状となる。

次に、 樹脂組成物 （R) 層の除去する箇所以外に、 活性エネルギー線を照射す る工程 （D) を行う （図 3 (e))。 この工程は、 具体的には、 コンタクトホール を形成したい部分のマスクパターンを活性エネルギー線遮断部としたマスク 6を 用い、 活性エネルギー線を照射する。

続いて、 工程 （E) として、 活性エネルギー線がマスクの遮光部により照射さ れなかった樹脂組成物 （R) 層をエッチング (現像)する （図 3 (ί))。 本明細書 において、 エッチングは現像のことである。 このエッチング （現像） により、 樹 脂組成物 （R) 層 1を貫通し基板 2上に形成された下層膜 22に達するコンタク トホール 20が形成される。

この工程 （Ε) の後に、 さらに、 加熱 （後加熱） 工程 （F) を含んでいること が好ましい。 この工程 （F) における加熱温度 （Τ2) は、 上記工程 （C) の加 熱温度 (T1) より高い温度で、 かつ、 250 以下で行うことが好ましい。 次に、 図 4 (a) 〜 （ί) を参照しつつ、 別のコンタクトホール形成工程例を 説明する。

表面の任意の箇所に TFT、 TFD等の下層膜 22が形成された基板 （基材） 2を準備する （図 4 (a))。 この基板 2上に、樹脂組成物（R)層 1を設ける （図 4 (b))。 得られた樹脂組成物 （R) 層 1上に、 上記工程 （B) として、 パター 2

52 ン形成されたマスク 7を介して、 活性エネルギー線 5を照射する （図 4 (c))。 このマスク 7のマスクパターンは、 樹脂組成物 （R) 層を除去する箇所 （たと えば、 後にコンタクトホールを形成する部分） が活性エネルギー線遮断部となつ ており、 さらに、 表面凹凸形成のための活性エネルギー線遮断部と活性エネルギ 一線透過部からなる規則的あるいは不規則的な繰り返しパターンを有している。 続いて、 エッチング操作を行うことなく、 加熱 （前加熱） する工程 （C) を行 う （図 4 (d))。 この工程 （C) における加熱温度 （T1) は、 50〜180 であることが好ましい。 この加熱により、 活性エネルギー線がマスクを介して透 過した部分の樹脂組成物 （R) 層 1は凸状となり、 マスクにより遮断された部分 の樹脂組成物 （R) 層 1は、 凹状となる。 ここで、 凹凸形状を再現性よく且つ有 効に形成させ維持させる観点から、 工程 （C) の加熱後の表面の段差は 0.

m以下であることが好ましい。

次に、 工程 （G) として、 活性エネルギー線がマスクの遮断部により照射しな かった樹脂組成物 （R) 層をエッチング （現像） する （図 4 (e))。 このエッチ ング （現像） により、 樹脂組成物 （R) 層 1を貫通し基板 2上に形成された下層 膜 22に達したコンタクトホール 20が形成される。

続いて、工程（H) として、加熱（後加熱）を行うことが好ましい（図 4 (f ))。 この工程 （H) における加熱温度 （T3) は、 上記工程 （C) における加熱温度 (T 1) より高い温度で、 かつ、 .250°C以下であることが好ましい。 さらに別の表面凹凸形成方法は、図 5 (a)〜（f) にその一例を示すように、 下記の工程 （K) 〜 （0) を含み、 たとえば、 これを用いてコンタクトホールを 形成することのできる方法である。 この方法に使用できる樹脂組成物 （R) は、 上述したものと同じである。

まず、表面の任意の箇所に TFT、 TFD等の下層膜 22が形成された基板（基 材） 2を準備する （図 5 (a))。 この基板 2上に、 工程 （K) として、 少なくと も 1種類の重合可能な化合物 （b) を含む樹脂組成物 （R) の層 1を設ける （図 5 (b))。 この工程 （K) は、 上記工程 （Α) と同様に行うことができる。

得られた樹脂組成物 （R) 層 1上に、 工程 （L) として、 所定の遮光パターン が形成されたマスク (樹脂轵成物 （R) 層除去用マスク） 71を介して、 活性ェ ネルギ一線 5を照射する （図 5 (c))。 このマスク 71には、 たとえばコンタク トホ一ルのように、 樹脂組成物 （R) 層を除去して基板表面を露出させたい位置 に、 活性エネルギー線を遮蔽する遮蔽部が設けられている。 この工程 （L) の活 性エネルギー線の照射は、 マスク 71を介さずに、 所定の遮光部が形成されるよ うに、 直接描画法により直接に行ってもよい。 この工程 （L) および下記の工程 (M) における活性エネルギー線の種類、 線量、 照射方法等は、 上記工程 （B) で述べたと同様である。

続いて、 樹脂組成物 （R) 層に画像状に活性エネルギー線を照射する工程 （M) を行う （図 5 (d))。 この工程 （M) は、 たとえば図 5 (d) に示したようにパ 夕一ン形成されたマスク （パターニングマスク） 72を介して、 あるいは、 直接 描画法で （図示せず） 行うことができる。 このマスク 72は、 活性エネルギー線 遮断部と活性エネルギー線透過部からなる規則的あるいは不規則的な繰り返しパ ターンを有しており、 上記工程 （L) の遮光部 （たとえば、 コンタクトホールを 設けたい位置） に、 活性エネルギー線遮断部が配置されるようになっていること が好ましい。

次に、 工程 （N) として、 たとえばコンタクトホールとなる、 活性エネルギー 線の遮光部の樹脂組成物 （R) 層 1をエッチング （現像） し、 基板表面に形成さ れた下層膜 22に達するコンタクトホール 20を形成する （図 5 (e))。

そして、 樹脂組成物 （R) 層 1を加熱 （後加熱） する工程 （〇） を行う （図 5 (f))。 この工程 （O) の加熱は、 50〜250°Cで行うことが好ましい。 この 後加熱により、 活性エネルギ一線がマスクを介して透過した部分の樹脂組成物 (R) 層 1は凸状となり、 マスクにより遮光された部分の樹脂組成物 （R) 層 1 は凹状となって、 表面凹凸が形成される。 以上に述べた表面凹凸形成方法を用いて表面凹凸形状を形成した樹脂組成物 (R) 層を光学フィルムとすることができる。 すなわち、 本発明に係る光学フィ ルムは、 上記表面凹凸形成方法を用いて形成した表面凹凸形状を備えたフィルム である。

この光学フィルムは、 たとえば、 上記の樹脂組成物 （R) 層形成用として例示 したような基板 （支持体） 上に上記のようにして樹脂組成物 （R) 層を形成し、 その後基板を剥離することにより好ましく製造することができる。

さらに、この光学フィルムの表面凹凸形状面上に反射膜を設けて拡散反射板（図 1 ( d ) 参照） とすることができる。 ここで、 本発明において反射膜は、 半透過 反射膜も含むものである。 また、 反射膜または半透過反射膜は、 積層する表面の 一部に設けられていてもよいし、 全面に設けられていてもよい。

この反射膜の材料は、 反射したい波長領域に応じて適切に選択すればよい。 た とえば、 反射型 L C D表示装置では、 可視光波長領域である 3 0 0 n mから 8 0 0 n mにおいて反射率の高い金属、 たとえばアルミニウムや金、 銀を用い、 真空 蒸着法またはスパッタリング法等によって反射膜を形成する。 反射増加膜 （光学 概論 2、辻内順平、朝倉書店、 1 9 7 6年発行）を上記の方法で積層してもよい。 屈折率差を利用して反射させる場合、 I T Oや五酸化タンタル、 酸化チタン等の 膜とシリコンやアルミニウム等の酸化膜ゃ窒化膜、 酸窒化膜を、 真空蒸着法また はスパッ夕リング法等によって積層形成することができる。反射膜の厚みは、 0 . 0 1〜5 0 mが好ましい。 反射膜の必要な部分だけに、 フォトリソグラフィ一 法、 マスク蒸着法等によりパターンを形成してもよい。

一方、 半透過反射膜は、 可視光線の半透過機能を付与させた膜であり、 反射膜 と同様にその材料が選択され、 形成される。 さらに、 半透過反射膜上に反射増加 膜を積層してもよい。 屈折率差を利用して反射させる場合、 I T Oや五酸化タン タル、 酸化チタン等の膜とシリコンやアルミニウム等の酸化膜ゃ窒化膜、 酸窒ィ匕 膜を、真空蒸着法またはスパッタリング法等によって積層形成することができる。 半透過反射膜の厚みは、 0 . 0 0 3〜5 が好ましい。 半透過反射膜の必要な 部分だけに、 フォトリソグラフィ一法、 マスク蒸着法等によりパターニングして もよい。

好ましい実施形態において、 拡散反射板は、 基板と表面凹凸形状を備えた薄膜 層と反射膜とがこの順に積層されてなり、 薄膜層が （a ) バインダボリマ一、 1 種類以上の （b ) 重合可能な化合物、 および （c ) 光重合開始剤を含む組成物を 用いて形成されたものである。 薄膜層の表面凹凸形状は、 上記の表面凹凸形成方 法により形成されることが好ましい。 次に、 本発明に係る転写原型について説明する。 第 1の転写原型は、 上記の表 面凹凸形成方法を用いて形成された表面凹凸をそのまま型とするものである。 こ の第 1の転写原型の表面凹凸面を型として、 第 2の転写原型を作製することがで きる。 さらに、 第 2の転写原型の表面凹凸面を型として第 3の転写原型を作成す ることもできる。 この場合、 2度転写しているので、 第 3の転写原型は、 第 1の 転写原型の表面凹凸形状と同じ凹凸形状を有するものとなる。

これらの転写原型は、 一般に、 表面凹凸の形成されたフィルム （すなわち樹脂 組成物 （R) 層） とその基板 （支持体） とから構成され、 表面凹凸面の上に保護 層がさらに形成されていてもよい。 基板の例としては、 上記の樹脂組成物 （R) 層形成用として例示した基板のほか、 金属板、 金属ロール、 金属スタンパなどが 挙げられる。 保護層としては、 上記反射膜の材料として例示したものなどが使用 できる。

第 1の転写原型は、 たとえば、 任意の基板上に、 上 の表面凹凸形成方法によ り形成された表面凹凸面を有する樹脂組成物 （R) 層を積層することにより容易 に製造することができる。 第 2の転写原型は、 上記第 1の転写原型を、 任意の基 板上に積層された任意の転写原型形成用の樹脂層に押し当てて、 第 1の転写原型 の表面凹凸形状を転写することにより、 容易に製造することができる。 転写原型 形成用の樹脂は、 光硬化性樹脂であることが好ましく、 たとえば、 上記の表面凹 凸形成方法に用いられる榭脂組成物 （R) を転写原型用に用いることもできる。 本発明に係る転写ベースフィルムは、 ベ一スフィルムとベースフィルム上に形 成された被転写層 （下塗り層） とを含む。 下塗り層は、 上記の第 1または第 2の 転写原型の表面凹凸形状の転写による表面凹凸形状を有している。 すなわち、 転 写べ一スフイルムは、 ベ一スフイルムと、 表面凹凸形状を有する下塗り層とを含 んでいる。

さらに、 上記転写べ一スフイルムを仮支持体として用い、 仮支持体の転写原型 を転写した面 （すなわち下塗り層） 上に薄膜層を形成し、 薄膜層における仮支持 体 （すなわち下塗り層） に接着されていない面が被転写基板への接着面を構成す る転写フィルムとすることができる。

すなわち、 図 6にその一実施形態を示すように、 この転写フィルム 5 0は、 ベ —スフイルム 5 1と下塗り層 5 2を含む、 仮支持体としての転写ベースフィルム

4 0と、その上に積層された薄膜層 5 3とを有している。転写べ一スフイルム（仮 支持体） 4 0の下塗り層 5 2表面の薄膜層 5 3の、 下塗り層側とは反対側の表面 が被転写基板への直接の接着面を構成するものである。 薄膜層 5 3の上には、 任 意にカバーフィルム （保護フィルム） 5 4が積層されていてもよい。

さらに、 図面には示されていないが、 仮支持体 4 0 (下塗り層 5 2 ) と薄膜層

5 3の間に反射膜をさらに含んでいてもよい。

上記転写ベースフィルム 4 0のベースフィルム 5 1としては、 化学的、 熱的に 安定であり、 シートまたは板状に成形できるものを用いることができる。 具体的 には、 ポリエチレン、 ポリプロピレン等のポリオレフイン、 ポリ塩化ビュル、 ポ リ塩化ビエリデン等のポリハロゲン化ビニル類、 セルロースアセテート、 ニトロ セルロース、 セロハン等のセルロース誘導体、 ポリアミド、 ポリスチレン、 ポリ カーボネート、 ポリイミド、 ポリエステル、 あるいはアルミニウム、 銅等の金属 類等である。 これらの中で特に好ましいのは、 寸法安定性に優れた 2軸延伸ポリ エチレンテレフ夕レートである。

ベ一スフイルム 5 1上に形成する下塗り層 5 2としては、.凹凸形成後には薄膜 P T/JP03/07222

57 層 5 3よりも硬くなるものを用いることが好ましい。 たとえば、 ポリエチレン、 ポリプロピレンなどのポリオレフィン；エチレンと酢酸ビエル、 エチレンとァク リル酸エステル、 エチレンとビニルアルコールのようなエチレン共重合体；ポリ 塩化ビニル、 塩化ビエルと酢酸ビニルの共重合体、 塩化ビエルとビニルアルコー ルの共重合体、 ポリ塩化ビニリデンのような含塩素系樹脂；ポリスチレン、 スチ レンと （メタ） アクリル酸エステルのようなスチレン共重合体；ポリビニルトル ェン、 ビエルトルエンと （メタ） アクリル酸エステルのようなビニルトルエン共 重合体；ポリ （メタ） アクリル酸エステル、 （メタ） アクリル酸プチルと酢酸ビニ ルのような （メタ） アクリル酸エステルの共重合体；合成ゴム、 セルロース誘導 体等から選ばれた、少なくとも 1種類以上の有機ポリマーを用いることができる。 凹凸形成後に硬化させるために、 必要に応じて、 光開始剤やエチレン性二重結合 を有するモノマー等を添加することができる。 感光タイプは、 ネガ型、 ポジ型の いずれであってもよい。

転写フィルム 5 0の薄膜層 5 3の形成には、 仮支持体上に塗布しフィルム状に 巻き取ることが可能な任意の樹脂組成物を用いることができる。 この樹脂組成物 に、 必要に応じて、 染料、 有機顔料、 無機顔料、 粉体およびその複合物を、 単独 または混合して配合してもよい。 薄膜層形成用として、 光硬化性樹脂組成物を用 いることが好ましい。 また、 薄膜層形成用として、 上記の表面凹凸形成用の樹脂 組成物 （R) を用いてもよい。 薄膜層の軟化温度は、 特に制限されないが、 2 0 0 °C以下であることが望ましい。 また加熱による流動性を得るために、 分子量 1 0 0 0 0以下の低融点物質を添加することができる。

なかでも、 基板 （被転写基板） に対する密着性が良好で、 転写ベースフィルム 4 0からの剥離性がよいものを、 薄膜層 5 3として用いるのが好ましい。 たとえ ば、 光硬化性樹脂組成物に含まれる有機ポリマーとしては、 アクリル樹脂、 ポリ エチレン、 ポリプロピレン等のポリオレフイン；ポリ塩化ビエル、 ポリ塩化ビニ リデン等のポリハロゲン化ビニル類;セルロースアセテート、ニトロセルロース、 セロハン等のセルロース誘導体；ポリアミド、ポリスチレン、ポリカーボネート、 03 07222

58 ポリエステル等を用いることができる。 T F T液晶表示装置に用いる場合は、 基 板に形成された T F Tとのコンタクトホールを形成するためにその部分の薄膜層 を除けるように、 アルカリ等で現像可能な感光性樹脂を用いることもできる。 ま た、 耐熱性、 耐溶剤性、 形状安定性を向上させるために、 熱によって硬化可能な 樹脂組成物を用いることもできる。 さらに、 カップリング剤、 接着性付与剤を添 加することで、 基板との密着を向上させることもできる。 接着を向上させる目的 で、 基板または薄膜層の接着面に接着性付与剤を塗布することもできる。

薄膜層の加熱による流動性を得るために、 分子量 1 0 0 0 0以下の低融点物質 を添加することが好ましい。 このような物質としては、 たとえば 「プラスチック ス配合剤」 （遠藤 昭定、 須藤 眞編、 大成社発行、 平成 8年 1 1月 3 0日発行） 記載の可塑剤や、 エチレン性二重結合を分子内に少なくとも 1個以上有するモノ マーが挙げられる。 これらの低融点物質の使用量は、 薄膜層を形成する樹脂組成 物中の固形分総量の 1〜 7 0重量％とすることが好ましい。

上記薄膜層に使用可能なエチレン性二重結合を分子内に少なくとも 1個以上有 するモノマ一としては、 たとえば、 トリメチロールプロパントリァクリレート、 トリメチ口一ルプロパンジァクリレート、 トリエチレングリコールジァクリレー ト、 ジエチレングリコールジアタリレート、 テトラエチレングリコールジァクリ レート、 へキサメチレングリコールジァクリレート、 ネオペンチルグリコールジ ァクリレート、 フルフリルァクリレート、 テトラメチロールメタンテトラァクリ レ一ト、 レゾルシノールジァクリレート、 P , P， 一ジヒドロキシジフエニルジ ァクリレ ト、 スピログリコールジァクリレート、 シクロへキサンジメチロール ジァクリレート、 ビスフエノール Aジァクリレート、 ポリプロピレングリコ一ル ジァクリレート、 ペン夕エリスリトールテトラァクリレート、 エチレングリコー ル化ペンタエリスリトールテトラァクリレート、 ジペン夕エリスリトールへキサ ァクリレート、 および上記のァクリレートに対応するメタクリレート化合物、 メ チレンビスァクリルアミド、 ウレタン系ジァクリレート等の多官能モノマーが挙 げられる。 また、 E C H (ェピクロルヒドリン）変性フタル酸ジァクリレート、 トリス （ァ クリロキシェチル） イソシァヌレート、 トリス （メタクリロキシェチル） イソシ ァヌレ一ト、 トリス （2 -ヒドロキシェチル） イソシァヌレート、 ポリエチレング リコールジメ夕クリレート、トリブロモフエニルァクリレート、エチレンォキサイ ド変性トリブロモフエノールァクリレート， エチレンオキサイド変性テトラブロ モビスフエノールジメタクリレートなどの、 2 5 °Cで固体または粘度が 1 O O P a · s ( 1 0万 c s p ) 以上であるモノマーおよびオリゴマーを用いてもよい。 さらに 「感光材料リストブック」 （フォトポリマー懇話会編、 ぶんしん出版発行、 1 9 9 6年 3月 3 1日発行） 記載のものから選ばれるのが好ましい。

さらに、 メチルメタクリレート、 ェチルメタクリレート、 n—ブチルメタクリ レート、 イソブチルメタクリレート、 2—ェチルへキシルメタクリレート、 アル キルメタクリレート、 シクロへキシルメタクリレート、 テトラヒドロフルフリル メタクリレート、 ベンジルメ夕クリレート、 モノ （2—メタクリロイルォキシェ チル） アシッドホスフェート、 ジメチルアミノエチルメタクリレート四級化物等 の単官能モノマーを用いることもできる。

薄膜層用のこれらのモノマ一ノォリゴマー成分は単独で、 または 2種類以上を 混合して用いることもできる。

薄膜層を形成する樹脂が光硬化性樹脂の楊合の光重合開始剤としては、 たとえ ば、 ベンゾフエノン、 N, N ' ーテトラェチルー 4 , 4 ' ージァミノべンゾフエ ノン、 4—メトキシー 4 ' ージメチルァミノべンゾフエノン、 ベンジル、 2 , 2 ージエトキシァセトフエノン、 ベンゾイン、 ベンゾインメチルエーテル、 ベンゾ インイソブチルエーテル、 ベンジルジメチルケタール、 ひーヒドロキシイソプチ ルフエノン、 チォキサントン、 2—クロ口チォキサントン、 1—ヒドロキシシク 口へキシルフェニルケトン、 2—メチル— 1— [ 4— (メチルチオ〉 フエニル] —2—モルホリノ一 1一プロパン、 t一プチルアントラキノン、 1一クロ口アン トラキノン、 2， 3—ジクロ口アントラキノン、 3—クロル一 2—メチルアント ラキノン、 2—ェチルアントラキノン、 1 , 4一ナフトキノン、 9 , 1 0—フエ ナントラキノン、 1 , 2—ベンゾアントラキノン、 1， 4一ジメチルアントラキ ノン、 2—フエ二ルアントラキノン、 2 — ( o—クロ口フエニル） ー4， 5—ジ フエ二ルイミダゾ一ルニ量体が挙げられる。 これらの光重合開始剤は単独で、 ま たは 2種類以上を組み合わせて使用される。 光重合開始剤の使用量は、 樹脂組成 物中の固形分総量の 0 . 0 1〜2 5重量％とすることが好ましく、 1〜2 0重量％ であることがより好ましい。

薄膜層の表面 （被転写基板に転写される面） には、 保護フィルム （カバ一フィ ルム） 5 4を積層することができる。 このカバーフィルムとしては、 化学的およ ぴ熱的に安定で、 薄膜層との剥離が容易であるものが望ましい。 具体的には、 ポ リエチレン、 ポリプロピレン、 ポリエチレンテレフ夕レート、 ポリビニルアルコ

—ル等の、 薄いシート状で表面平滑性の高いものが好ましい。 剥離性を付与する ために、 カバーフィルムの表面に離型処理をしたものも好ましい。

上記転写べ一スフイルムの製造工程は、 たとえば、 ベ一スフイルム上に下塗り 層を形成する工程；および得られた下塗り層に、 上記の第 1または第 2の転写原 型を押し当てて表面凹凸形状を転写する工程とを含んでいる。

上記転写フィルムは、 上記転写ベースフィルム （仮支持体） 上に薄膜層を形成 することにより製造することができる。

下塗り層や薄膜層の形成方法は、 特に限定はされないが、 これらの層を形成す るための樹脂組成物をべ一スフイルムまたは仮支持体上に塗布することにより、 好ましく形成することができる。 この塗布方法としては、 ロールコ一夕塗布、 ス ビンコ一夕塗布、 スプレー塗布、 ディップコータ塗布、 カーテンフローコ一夕塗 布、 ワイヤバ一コ一夕塗布、 グラビアコ一夕塗布、 エアナイフコー夕塗布等が挙 げられる。

このようにして転写ベースフィルム 4 0表面に形成した薄膜層 5 3の膜厚 （乾 燥後） は、 0 . 1 m〜5 0 mの範囲が好ましい。 このとき、 下塗り層 5 2の 凹凸形状の最大高低差より薄膜層の膜厚が厚い方が、 薄膜層における凹凸形状の 再現が容易である。 薄膜層の膜厚がこの凹凸形状の最大高低差と等しいか、 ある いは薄いと、 原型凸部 （下塗り層 5 2の凸部） で薄膜層を突き破ってしまい、 不 必要な平面部が発生し、 反射効率の良好な拡散反射板を得にくくなる。 次に、 上記転写フィルムを用いた拡散反射板の製造方法について説明する。 図 7にその一工程例を模式的に示すが、 まず、 図 7 ( a ) に示すように転写フ イルム 5 0にカバ一フィルム 5 4が存在する場合はカバーフィルム 5 4を剥離し、 ガラス基板 5 6等の被転写基板上に、 転写フィルム 5 0を、 その薄膜層 5 3が被 転写基板 5 6の表面に密着するようにしてラミネートし、加熱圧着して、図 7 ( b ) にみるように薄膜層 5 3を被転写基板 5 6に転写する。 さらに密着性を必要とす る場合には、 基板を必要な薬液等で洗浄する、 基板に接着付与剤を塗布する、 基 板に紫外線等を照射する等の方法を用いてもよい。 薄膜層を転写する装置として は、 たとえば、 加熱、 加圧可能なゴムロール （熱圧着ゴムロール） 5 5と基板 5 6の間に保護フィルムを外した転写フィルム 5 0全体を挟み、 ロール 5 5を回転 させて、 薄膜層 5 3を基板 5 6に押し当てながら基板 5 6を送りだす、 口一ルラ ミネ一夕を用いることが好ましい。

薄膜層 5 3を積層したのち、 仮支持体 4 0を剥離する （図 7 ( d ) )。

続いて、 転写フィルムが反射膜を含んでいない場合は、 薄膜層 5 3上に反射膜 5 7を積層して拡散反射板 6 0が得られる （図 7 ( e ) )。 転写フィルムが下塗り 層 5 2と薄膜層 5 3の間に反射膜を有するものである場合は、 この反射膜の積層 工程は必要ない。

上記工程において、 光を拡散し得る形状を保持するために、 薄膜層 5 3を露光 し、 感光 ·硬化させることが好ましい （図 7 ( c ))。 露光機としては、 カーボン アーク灯、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、キセノンランプ、メタル八ライドランプ、 蛍光ランプ、 タングステンランプ等が挙げられる。 露光は、 仮支持体 （4 0 ) を 剥がす前か、 または剥がした後に行う。場合によっては、露光後に、温風加熱炉、 または赤外線加熱炉、 ホットプレート等で加熱を行ってもよい （図 7 ( e ) )。 こ の露光後の加熱は、 仮支持体を剥がした後の任意の段階で行われ、 反射膜を形成 した後に行ってもよい。

図 8に、 別の実施形態として、 樹脂組成物 （R) 層 1上に反射膜 3を設けた、 コンタクトホール 2 0を有する拡散反射板の例を示す。

さらに、 上記転写ベースフィルムを基板に押し当てて基板表面に表面凹凸形状 を転写することにより拡散反射板を製造することもできる。 この場合は、 任意の 薄膜層が設けられた薄膜層付き基板を用意し、 その薄膜層の表面に、 転写ベース フィルムを、 その下塗り層側が面するように押し当てて、 薄膜層の表面に下塗り 層の表面凹凸形状を転写し、 転写ベースフィルムを剥がし、 その後、 薄膜層の表 面に反射膜を形成することにより拡散反射板が製造される。 基板上の薄膜層とし ては、 たとえば、 上記の転写フィルムの薄膜層に用いられるものが好ましく使用 できる。 この場合も、 凹凸形状転写後に、 薄膜層を硬化させることが好ましい。 また、 上記転写べ一スフイルムの下塗り層の表面に反射膜を設けて、 そのまま 拡散反射板とすることもできる。

以上のようにして得られる拡散反射板は、 特に、 反射型液晶ディスプレイの拡 散反射板として好ましく使用できる。

この拡散反射板を有する反射型液晶ディスプレイの一例を、 図 9に示す。 図示 された反射型液晶ディスプレイ 7 0では、 ガラス基板 5 6と薄膜層 5 3と反射膜 5 7を含む拡散反射板 6 0が背面側 （下側） に設けられている。 このガラス基板 5 6と対向して、 スぺーサ 1 4を介して、 表示側 （上側） の透明基板 （ガラス基 板） 6 6が設けられ、 両基板 5 6， 6 6の間に液晶層 1 3が設けられ、 背面側の 絶縁基板 5 6と表示側の透明基板 6 6に、 それぞれ、 透明電極 1 0 , 1 0が形成 されている。 反射膜 5 7の上には、 さらに平坦ィ匕膜 1 1が形成されている。 表示 側から入った外部光線 （周囲光） は、 この反射膜 5 7の表面で反射され、 液晶層 1 3を通過して再度表示側に出射することで表示が行われる。 この反射膜 5 7の 表面の凹凸形状により、 反射光を正面方向に集光させることができる。 平坦化膜 1 1および透明電極 1 0の上には、 配向膜 1 2， 1 2が形成される。

表示側のガラス基板 6 6には、 位相差フィルム 1 5および偏光板 1 6が設けら P T/JP賺 7222

63 れ、 他方側には、 赤、 緑、 青の各カラーフィルタ 8、 ブラックマトリックス 9、 平坦化膜 1 1が設けられる。 以上、 図 9に示すような反射型液晶ディスプレイで説明したが、 本発明に係る 拡散反射板は、 外部光線や内部光線を拡散反射させることが必要な液晶用バック ライト反射板、 プロジェクタ用スクリーン、 電気泳動表示装置、 有機 E L表示装 置、 無機 E L表示装置、 エレクト口クロミック表示装置、 フォトエレクト口クロ ミズム表示装置等の表示デバィスに用いることができる。

本発明に係る光学フィルムは、ノングレアシート、液晶用バックライト拡散板、 視野角制御フィルム、 リアプロジェクシヨン用透過スクリーン、 ビューファイン ダ一用マイクロレンズ、 プロジェクタ用マイクロレンズ、 立体テレビ用視野角制 御フィルム、 光学式バイオメ卜リクス個人認証センサー （指紋センサーなど） 等 の光学デバイスに用いることができる。また、必要に応じて基材と組み合わせて、 生体高分子等の各種高分子や各種低分子化合物など、 様々な分子用の分子固定化 用基板、 分子分離用流路、 分子検出用セル、 分子反応用容器として用いることが できる。

さらに、 本発明に係る表面凹凸形成方法は、 印刷用版、 液晶表示装置の MVA 用配向制御、 溝構造高分子液晶分子配向制御、 溝構造低分子液晶分子配向制御、 表示素子等に用いるマイクロ力プセル形成、 表示素子基板間ギヤップ形成用スぺ ーサ形成、 生体高分子等の各種高分子や各種低分子化合物など、 様々な分子用の 分子固定化用基板、 分子分離用流路、 分子検出用セル、 分子反応用容器の形成な どに用いることができる。 本発明によれば、 簡便にかつ安価に、 感光性樹脂層表面に凹凸形状を形成する ことができる。

別の本発明によれば、 液晶表示用基板等の基板上に、 表面形状特性および基板 との密着性に優れ、 簡便にかつ安価な方法で、 表面凹凸形状を有する感光性樹脂 層を形成することができる。

別の本発明によれば、液晶表示用基板において、高温処理時の形状安定性を高め ることができる。 ³

さらに別の本発明によれば、 従来の方法では困難である、 感光性樹脂表面の所 望の凹凸形状を維持したまま、 ある特定領域にコンタクトホールを形成すること ができる。 特に、 感光性樹脂層下部に配置される T FTと感光性樹脂層上部に配 置される反射電極とが導通されていることが必要とされる、 T FT反射型デイス プレイの拡散反射板を製造するために好適な、 コンタクトホールを有する表面凹 凸形状を安定に得ることができる。 実施例

以下、 実施例により本発明をさらに具体的に説明する。

[実施例 1 ]

<ポリマー Aの合成 >

撹拌機、 還流冷却機、 不活性ガス導入口および温度計を備えたフラスコに、 表 1に示す（1)を仕込み、窒素ガス雰囲気下で 80 に昇温し、反応温度を 8 O : 土 2 に保ちながら、 表 1に示す （2) を 4時間かけて均一に滴下した。 （2) の 滴下後、 8 O 土 2でで 6時間撹拌を続けた後、 表 1に示す （3) を添加した。

(3) を添加後、 反応系を 100 に昇温し、 0. 5時間かけて表 1に示す（4) を滴下した。 （4) の滴下後、 100°Cで 20時間撹拌を続けた後、 室温に冷却し て、 重量平均分子量が約 70， 000、 酸価約 75、 固形分約 39. 1重量％の ポリマー Aを得た。

[表 1]

配合成分 配合量

(重量部）

プロピレングリコールモノメチルエーテル

(1 ) 1 50

ァセテ一卜

(2) メタクリル酸 1 9. 2 スチレン 33 メタクリル酸 n-ブチル 1 0

メタクリル酸メチル 37. 8

2， 2' -ァゾビス （イソプチロニ卜リル） 1. 0

(3) 八ィドロキノン 0. 05

メ夕クリル酸グリシジル 1 0. 7

塩化べンジル卜リメチルアンモニゥ厶 0. 1

(4)

プロピレングリコールモノメチルエーテル

50

アセテート

<表面凹凸サンプルの作製 >

6枚のガラス基板を用意し、 表 2に示す配合の樹脂組成物 （R) の塗液を、 各 ガラス基板上に、 毎分 1000回転で 10秒間スピンコートし、 ホットプレート 上、 90°Cで 4分間加熱し、 それぞれ膜厚 6 mの樹脂組成物 （R) 層を有する 6個のサンプルを得た。 この樹脂組成物 （R) 層の波長 500 nmの光線の透過 率は 96%であった。

[表 2]

得られた各サンプルの樹脂組成物 （R) 層の上に、 それぞれ、 紫外線透過部と 紫外線遮光部の境界線が不規則的な曲線でパターニングされたマスクを置き、 マ スク面垂直上方より 0. 06 JZcm²の紫外線を照射した。 その後、 6個のサ P 漏 3/07222

66 ンプルのそれぞれを、 90で、 12 O 140°C、 180で、 200tおよび 230でで 30分間加熱して、 それぞれが異なる温度条件で硬化された 6種類の サンプル （順に S 1〜S 6) を得た。 各サンプルの樹脂組成物 （R) 層上に、 ス パッ夕により、 アルミニウム金属膜 0. 1 mを作製した。

以上により、 樹脂組成物 （R) 層の紫外線照射部断面が凸、 紫外線遮光部断面 が凹の凹凸ピッチ 1 0 の形状を有し、 その凹凸段差が 0. 26 m (S 1)、 0. 25 m (S 2)、 0. 28 urn (S 3), 0. 43 m (S 4), 0. 57 f m (S 5) および 0. 68 m (S 6) である 6種類の表面凹凸サンプソレ （たと えば、 表面凹凸を有する転写原型） が得られた。

図 10に 230°Cで 30分間の加熱により硬化した表面凹凸サンプル （S 6) の表面凹凸形状の顕微鏡写真を示し、 図 2にその断面の凹凸段差を示す。

[実施例 2 ]

実施例 1と同じ樹脂組成物 （R) の塗液を、 ポリエーテルスルホン基板上に、 毎分 1300回転で 10秒間スピンコートし、 ホットプレート上 90°Cで 4分間 加熱し、 膜厚 4 mの樹脂組成物 （R) 層を得た。 この樹脂組成物 （R) 層の上 に紫外線照射部と紫外線遮光部の境界線が不規則的な曲線でパターニングされた マスクを置き、マスク面垂直上方より 0. 06 J /cm²の紫外線を照射した後、 180°Cで 30分間の加熱により硬化させ、 スパッ夕により膜厚 0. のァ ルミニゥム金属膜を形成した。

その結果、 樹脂組成物 （R) 層の紫外線照射部断面が凸、 紫外線遮光部断面が 凹の、 凹凸ピッチ 8 mの形状を有し、 その凹凸段差が 0. 7 である表面 凹凸サンプル （たとえば、 表面凹凸を有する転写原型） が得られた。

上記実施例 1および 2で得られた表面凹凸サンプルは、 そのまま拡散反射板と して使用することができるものであった。

[実施例 3 ]

ベースフィルムとして厚さ 1 00 mのポリエチレンテレフタレ一トフイルム を用い、 このベースフィルム上に下塗り層として、 表 3に示す光硬化性樹脂溶液 を、 コンマコーターで 20 mの膜厚 （乾燥後） になるよう塗布した。 次に、 得 られた下塗り層に、 実施例 1に記載の 23 O :の加熱硬化で得られた表面凹凸サ ンプル （S 6) を転写原型として押しあて、 紫外線照射により下塗り層の光硬化 性樹脂を硬化させた。 その後、 下塗り層から転写原型とした表面凹凸サンプルを 分離し、 光硬化性樹脂層 （下塗り層） の表面に凹凸形状が形成された転写ベース フィルムを得た。

次に、 得られた転写ベースフィルム上に、 上記表 2の樹脂組成物 （R) の塗液 を、 コンマコ一夕一で乾燥後の平均膜厚が 8 zmになるよう塗布乾燥し、 カバー フィルムとしてポリエチレンフィルムを被覆して、 転写フィルムを得た （図 6参 照）。次に、 図 7に示したように、 この転写フィルムのカバーフィルムを剥がしな がら、 樹脂組成物 （R) 層がガラス基板に接するようにして、 転写フィルムをガ ラス基板にラミネートした。 ラミネートは、 ラミネ一夕 （口一ルラミネ一夕 HL Ml 500、 日立化成テクノブラント株式会社製商品名） を用いて、 基板温度 9 0 、 ロール温度 80°C、 ロール圧力 0. 686MP a (7 k g/cm²), 速度 0. 5m/分で行った。これにより、ガラス基板上に、下から順に樹脂組成物（R) 層と転写ベースフィルムが積層された基板を得た。

次に、 転写ベースフィルムを剥離し、 ガラス基板上に、 実施例 1の表面凹凸サ ンプルと同じ表面凹凸形状を有する樹脂組成物 （R) 層を得た。 次に、 オーブン で 230で、 30分間の加熱による硬化を行い、 真空蒸着法で、 アルミニウム薄 膜を 0 . 1 mの膜厚になるよう積層した反射層を形成し、 拡散反射板を得た。 図 1 1に、 実施例 3により得られた拡散反射板の真正面への反射強度 （標準白 色板に対する相対強度） の入射角度依存性を示す。

図 1 1から明らかであるように、 一 1 5 ° 〜1 5 ° の入射角度範囲において、 反射強度 4を超える優れた拡散反射板を簡便に得ることができた。

[実施例 4 ]

実施例 1と同じ樹脂組成物 （R) の塗液を、 ガラス基板上に、 毎分 1 3 0 0回 転で 1 0秒間スピンコートし、 ホットプレート上 9 0でで 4分間加熱し、 膜厚 4 mの樹脂組成物 （R) 層を得た。 この樹脂組成物 （R) 層の上に紫外線照射部 と紫外線遮光部の境界線が規則的な直線でパ夕一ニングされたマスクを置き、 マ スク面垂直上方より 9 0 0 mm²の範囲に 0 . 0 6 J Z c m²の紫外線を照射した 後、 1 8 0でで 3 0分間の加熱により硬化させた。

その結果、 樹脂組成物 （R) 層の紫外線照射部断面が凸、 紫外線遮光部断面が 凹の、 凹凸ピッチ 8 mの形状を有し、 その凹凸段差が 0 . 7 mである、 厚み 約 3 mの配向膜が得られた。 この配向膜上に、 シァノビフエニル系液晶のプロ ピレングリコ一ルモノェチルエーテルアセテート溶液をスピンコートし、 ホット プレート上 7 0でで 5分間加熱し、 液晶配向膜を得た。

2枚の偏光フィルムを互いに偏光軸が垂直になるように配置して、 この液晶配 向膜を挾み、 配向膜表面にパターニングされた直線を各偏光軸に対して 4 5 ° の 角度に配置し、 白色光を透過させて観察したところ、 パターンが存在する 9 0 0 mm²の範囲で、 液晶が λ/ 2の位相差を持つことに起因した透過白色光が観察さ れた。 これにより、 得られた配向膜上の液晶の配向を確認した。

[実施例 5 ]

実施例 1と同じ樹脂組成物 （R) の塗液を、 ポリエーテルスルホン基板上に、 毎分 1 0 0 0回転で 1 0秒間スピンコ一トし、 ホットプレート上 9 0でで 4分間 加熱し、 膜厚 6 mの樹脂組成物 （R) 層を得た。 この樹脂組成物 （R) 層の上 に紫外線遮光部が直径 15 の円形にパターニングされたマスクを置き、 マス ク面垂直上方より 0. 06 JZcm²の紫外線を照射した後、 200 で 30分 間の加熱により硬化させた。

その結果、 樹脂組成物 （R) 層の紫外線遮光部断面が凹である直径 15 imの 偏平半球形状 （お椀形状） を有し、 凹部深さが 1. 2 の凹みが得られた。 図 12に、 得られた表面凹部の断面プロファイルを示す。

このお椀形状を有する基板に、インクジエツト法で赤色インキを塗布した結果、 お椀形状内の赤色濃度が強くなることを光学顕微鏡で確認でき、 マイクロカプセ ルとしての機能を有することを確認した。

[実施例 6 ]

実施例 1と同じ樹脂組成物 （R) の塗液を、 ガラス基板上に、 毎分 1000回 転で 10秒間スピンコートし、 ホットプレート上 90でで 4分間加熱し、 膜厚 6 mの樹脂組成物 （R) 層を得た。 この樹脂組成物 （R) 層の上に紫外線照射部 が直径 15 tmの円形にパターニングされたマスクを置き、 マスク面垂直上方よ り 0. 06 JZcm²の紫外線を照射した後、 200°Cで 30分間の加熱により 硬化させた。

その結果、 樹脂組成物 （R) 層の紫外線照射部断面が凸である直径 10 の 偏平半球形状を有し、 凸部高さが 0. 4 のマイクロレンズが得られた。 図 1 3に、 得られた表面凸部の断面プロファイルを示す。

[比較例 1 ]

実施例 1の樹脂組成物 （R) の塗液を、 ガラス基板上に、 毎分 1000回転で 10秒間スピンコートし、 ホットプレート上 90 で 4分間加熱し、 膜厚 6 m の樹脂組成物 （R) 層を得た。 この樹脂組成物 （R) 層の上に、 紫外線透過部と 紫外線遮光部の境界線が不規則的な曲線でパターニングされたマスクを置き、 マ スク面垂直上方より 0. 06 JZ cm²の紫外線を照射した。 その後、 加熱を行 うことなく室温 （25°C) で 1時間放置したところ、 樹脂組成物 （R) 層の表面 に表面凹凸段差が観測されなかった。

[比較例 2]

実施例 1の樹脂組成物 （R) の塗液を、 ガラス基板上に、 毎分 1000回転で 10秒間スピンコートし、 ホットプレート上 90 で 4分間加熱し、 膜厚 6 m の樹脂組成物 （R) 層を得た。 この樹脂組成物 （R) 層の上に、 紫外線照射部と 紫外線遮光部の境界線が不規則的な曲線でパ夕一ニングされたマスクを置き、 マ スク面垂直上方より 0. 2 J/cm²の紫外線を照射した。 その後、 加熱を行う ことなく室温 （25°C) で 1時間放置したところ、 樹脂組成物 （R) 層の表面に 表面凹凸段差が観測されなかった。

[比較例 33

実施例 1の樹脂組成物 （R) の塗液を、 ガラス基板上に、 毎分 1000回転で 10秒間スピンコートし、 ホットプレート上 90°Cで 4分間加熱し、 膜厚 6 zm の樹脂組成物 （R) 層を得た。 この樹脂組成物 （R) 層の上に、 紫外線照射部と 紫外線遮光部のパターニングされたマスクを置かずに、 樹脂組成物 （R) 層の垂 直上方より 0. 06 J/cm²の紫外線を全面照射した後、 230でで 30分間 の加熱をした。 その結果、 樹脂組成物 （R) 層の表面に表面凹凸段差が観測され なかった。

以上より、 実施例では反射特性に極めて優れた表面凹凸が形成されたが， 加熱 工程のない比較例 1, 2および全面に紫外線を照射した比較例 3では、 表面凹凸 段差が生じなかった。

[実施例 4〜10]

バインダボリマ一として上記表 1のポリマ一 Aを用い、 ポリマー Aとモノマー の固形分配合比 （重量比） を 80 : 20、 70 : 30、 65 : 35、 60 : 40、 55 : 45、 50 : 50、および 40： 60として調製した表 4の樹脂組成物（R) の塗液を、 ガラス基板上に、 それぞれ順に、 1300 r pmで 15秒間、 130 O rpmで 15秒間、 1300、 1100、 950、 800および 64 O r pm でそれぞれ 10秒間スピンコートし、ホットプレート上、 90でで 4分間加熱し、 膜厚 5 mの実施例 4〜10の樹脂組成物 （R) 層を得た。

[表 4]

得られた榭脂組成物 （R) 層の上に、 紫外線照射部と紫外線遮光部の境界線が 不規則的な曲線でパターニングされたマスクを置き、 マスク面垂直上方より 0. 08 Jノ cm²の紫外線を照射した後、 230°Cで 30分間の加熱により硬化さ せた。 さらに、 スパッタにより、 硬化樹脂組成物 （R) 層上に膜厚 0. 1 mの A 1金属膜を形成した。

その結果、 樹脂組成物 （R) 層の紫外線照射部断面が凸、 紫外線遮光部断面が 凹の、 凹凸ピッチ 10 の形状を有し、 その凹凸段差がそれぞれ 0. 45 m (実施例 4)、 0. 61^m (実施例 5)、 0. 89 im (実施例 6)、 0. 94 m (実施例 7)、 1. (実施例 8)、 1. 17 xm (実施例 9 ) および 1. 42 m (実施例 10) である 7種類の転写原型が得られた。 0307222

72 実施例 4〜10の転写原型を用いて、 上記実施例 3と同様に拡散反射板を製造 した結果、 良好な拡散反射板を得ることができた。

[実施例 11〜： L 4]

表 5に示すように、 バインダボリマ一として上記表 1のポリマー Aを用い、 開 始剤の配合割合がパインダポリマーとモノマーの固形分総量の 5. 0、 2. 5、 1. 25、 および 0. 25重量％であるように、 実施例 1 1〜 14の樹脂組成物 (R) の塗液を調製した。

[表 5]

得られた樹脂組成物 （R) の各塗液を、 ガラス基板上に、 1300 r pmで 1 0秒間スピンコートし、 ホットプレート上、 90 で 4分間加熱して、 それぞれ 膜厚 5 xmの樹脂組成物 （R) 層を得た。

得られた各樹脂組成物 （R) 層上に、 紫外線照射部と紫外線遮光部の境界線が 不規則的な曲線でパ夕一ニングされたマスクを置き、 マスク面垂直上方より 0. 08 J /cm²の紫外線を照射した後、 230でで 30分間の加熱により硬化さ せた。 さらに、 硬化樹脂組成物 （R) 層上に、 スパッ夕により膜厚 0. l mの A 1金属膜を形成した。

その結果、 樹脂組成物 （R) 層の紫外線照射部断面が凸、 紫外線遮光部断面が 凹の、 凹凸ピッチ 10 mの形状を有し、 その凹凸段差が 1. (実施例 1 1)、 0. 89 m (実施例 12)、 0. 59 m (実施例 13 ) および 0. 10 m (実施例 14) である 4種類の転写原型が得られた。

得られた実施例 1 1〜14の転写原型を用いて上記実施例 3と同様にして拡散 反射板を製造した結果、 良好な拡散反射板を得ることができた。

[実施例 15]

表 6に示す組成の樹脂組成物 （R) の塗液を、 ガラス基板上に、 毎分 1300 回転で 10秒間スピンコートし、 ホットプレート上 90 で 4分間加熱し、 膜厚 5 mの樹脂組成物 （R) 層を得た。 表 6]

得られた樹脂組成物 （R) 層の上に、 紫外線透過部と紫外線遮光部の境界線が 不規則的な曲線でパターニングされたマスクを置き、 マスク面垂直上方より 0. 06 J /cm²で紫外線を照射した後、 23 で 30分間の加熱により硬化さ せた。 さらに、 硬化樹脂組成物 （R) 層上に、 スパッ夕により、 膜厚 0. l ^m の A 1金属膜を形成した。

その結果、 樹脂組成物 （R) 層の紫外線照射部断面が凸、 紫外線遮光部断面が 凹の、 凹凸ピッチ 10 の形状を有し、 その凹凸段差が 0. 89 mである転 写原型が得られた。

得られた転写原型を用いて、上記実施例 3と同様に拡散反射板を製造した結果、 良好な拡散反射板を得ることができた。

[実施例 16 ]

上記成分 （b— 4) のエポキシ基を少なくとも 1個以上有する重合可能な化合 物として、 ダイセル化学工業株式会社製のセロキサイド 35 g、 上記成分 （e) の潜在性カチオン重合性触媒として、三新化学工業株式会社製サンエイド SI— 1 00L (IV) 2 g、 およびェチルメチルケトンを混合し、 樹脂組成物 （R) の塗液 を得た。 これを、 厚さ 20 mのポリイミドフィルム上にロールコート法で塗布 し、 ホットプレート上 80"Cで 1分間加熱し、 膜厚 5 mの樹脂組成物 （R) 層 を得た。

得られた樹脂組成物 （R) 層上に、 紫外線透過部と紫外線遮光部の境界線が不 規則的な曲線でパターニングされたマスクを置き、 マスク面垂直上方より 0. 2 JZcm²の紫外線を照射した後、 200°Cで 60分間の加熱により硬化させ、 図 14に示す表面凹凸形状を有する光学フィルムを得た。 断面凹凸形状の段差は 0. 22 mであった。

得られた光学フィルムの凹凸表面上に、 真空蒸着法で、 アルミニウム薄膜を、 0. 1 mの膜厚になるよう積層して反射層を形成し、 拡散反射板を得た。

図 15に、 得られた拡散反射板の真正面への反射強度 （標準白色板に対する相 対強度） の入射角度依存性を示す。 — 15° 〜15° の入射角度範囲において、 反射強度 3を超える、 優れた拡散反射板を簡便に得ることができた。 [実施例 17 ]

表 7〜9に示すように、 上記成分 （b— 1) の、 分子中に少なくとも 1個の水 酸基と少なくとも 1個のェチレン性不飽和基を有するモノマー Aと、上記成分（ b 一 2) の、 分子中に少なくとも 1個のエチレン性不飽和基を有し水酸基を含まな いモノマー Bを異なる組成で配合した樹脂組成物 （R) 溶液 （V— 1、 V— 2お よび V— 3)を調製した。ポリマーとして上記ポリマー Aを、モノマー Aとして、 水酸基を有するペン夕エリスリトールトリァクリレートを、 モノマー Bとして、 水酸基を有しないトリメチロールプロパントリァクリレート （モノマ一 Aの水酸 基がメチル基に置換した分子構造を有する。） を、 それぞれ用いた

[表 7] 樹脂組成物 （R) 溶液 （V— 1) の組成

配合成分

(重量部） ポリマー A (固形分約 39. 1重量％) 330 モノマー A 166. 3 モノマー B 8. 7

2- (0-クロ口フエニル） -4， 5-ジフエ二ルイミダゾ一ルニ量体 10. 0

N, N' -テ卜ラエチノ U"4， 4' -ジァミノべンゾフエノン（開女 ID 1. 5

2-メルカプトべンズイミダゾール （開鲔リ） 1. 0 シリコーン （添加剤） 0. 35

2- (卜リメトキシシリル）一プロピルメタクリレート （ Π剤） 41. 6 プロピレンダリコールモノメチルエーテルァセテ一卜 （溶剤） 1244

[表 8] (R)瞧 (v-2) の誠

配合成分 ポリマー A (固形分約 39. 1重量％) 330 モノマー A 87. 5 モノマー B 87. 5

2- (0-クロ口フエニル） -4, 5-ジフエ二ルイミダゾール二量体 10. 0

N, Ν' -テ卜ラエチ 4， 4' -ジァミノべンゾフエノン（開^ IJ) 1. 5 2-メルカプトべンズイミダゾール（開 ½¾IJ) 1 - 0 シリコーン （添加剤） 0. 35

2— （卜リメ卜キシシリル） 一プロピルメタクリレー卜 （添 剤） 41. 6 プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート （溶剤） 1244

[表 9] m (R) 賺 （v—3) の糸滅

配合成分 配^ *

(重量部） ポリマー A (固形分約 39. 1重量％) 330 モノマー A 8. 7 モノマー B 1 66. 3

2 - （0-クロ口フエ二ル） -4, 5-ジフエ二ルイミダゾ一ルニ量体 10. 0 (開議

N, Ν' -テ卜ラエチ k4， 4' -ジァミノべンゾフエノン（開 ½¾IJ) 1. 5

2-メルカプトベンズイミダゾール（開赚 IJ) 1. 0 シリコーン（添加剤） 0. 35

2— （卜リメ卜キシシリル） 一プロピルメタクリレー卜 （ Π剤） 41. 6 プロピレンダリコールモノメチルエーテルァセテ一卜 （溶剤） 1244 それぞれの樹脂組成物 （R) 溶液を、 ガラス基板上に、 毎分 1300回転で 1 0秒間スピンコートし、 ホットプレート上 90°Cで 4分間加熱し、 それぞれ膜厚 4 mの樹脂組成物 （R) 層を得た。 得られた各樹脂組成物 （R) 層の上に、 紫 外線照射部と紫外線遮光部の境界線が規則的な周期 10 zmでパターエングされ たマスクを置き、 マスク面垂直上方より 1X 10³ J Zm²の紫外線を照射した後、 180*Cで 30分間の加熱を行った。

その結果、 榭脂組成物 （R) 溶液 V—l, V— 2， V— 3から得られたいずれ の樹脂組成物 （R) 層にも、 紫外線照射部断面が凸、 紫外線遮光部断面が凹の、 10 m周期の凹凸形状が現れた。

表 10に、 それぞれの表面の段差を示す。 モノマ一 Aの配合比率が高い樹脂組 成物 （R) ほど、 高い段差を示した。

各々の凹凸表面上に、 膜厚 0. 1 zmの A 1金属膜をスパッタにより形成した 結果、 段差の形状が崩れることなく、 良好に形成することができた。 [表 10]

[実施例 183

<表面凹凸形状の形成 >

実施例 17に記載の樹脂組成物 （R) 溶液 （V— 2) を用い、 実施例 17と同 様にして、 ガラス基板上に膜厚 4 j mの樹脂組成物 （R) 層を形成した。

得られた樹脂組成物 （R) 層に、 活性光線透過部と活性光線遮光部の境界線が 不規則的な曲線パターンと直径 10 の活性光線不透過部分とを有するフォト マスクを用い、 平行光線露光機 （オーク製作所株式会社製、 EXM1201) を 使用して、 マスク面垂直上方より露光量 5. 0X 10² JZm²で紫外線を像的に 照射した後、 120 で 30分間、 ボックス型乾燥機で加熱した。

次いで、 0. 5重量％の界面活性剤を含有した 0. 5重量％水酸化テトラメチ ルアンモニゥム水溶液を用いて、 25°Cで 50秒間スプレー現像して、 樹脂組成 物 （R) 層を選択的に除去して、 ホールパターンを形成した。

得られたホールパターンを観察したところ、 光硬化後の樹脂組成物 （R) 層が 基板から剥がれることなく、 直径 10 zmのホ一ルパターンが良好に形成されて いた。

次いで、 東芝電材株式会社製東芝紫外線照射装置を使用して、 3 X 10⁴ J m²の紫外線照射を行い、 樹脂組成物 （R) 層全体を光硬化させた後、 230で で 30分間、 ボックス型乾燥機で加熱した。 さらに、 スパッ夕により、 硬化樹脂 組成物 （R) 層上に膜厚 0. 1 zmの A 1金属膜を形成した。

得られた樹脂組成物 （R) 層は、 パターン露光における活性光線透過部の断面 が凸形状、 活性光線遮光部の断面が凹形状である、 凹凸ピッチ 10 /zmの形状を 有し、 その凹凸段差は 0 . であった。

さらに、 得られた凹凸形状を有する樹脂組成物 （R) 層形成基板を、 液晶表示 装置用拡散反射板として評価した結果、 拡散反射特性に優れた凹凸形状面を維持 しており、 設計どおりの拡散反射特性が得られた。

[実施例 1 9 ]

上記成分 （b— 1 ) の、 分子内に水酸基とエチレン性不飽和基を有するモノマ 一 または、 上記成分 （b— 2 ) の、 分子内にエチレン性不飽和基を有し水酸 基を有しないモノマ一 Bを配合した表 1 1に示す樹脂組成物 （R) 溶液を調製し た。 バインダポリマーとして上記ポリマ一 Aを、 モノマー Aとしてペン夕エリス リトールトリァクリレートを、 モノマー Bとしてトリメチ口一ルプロパントリア クリレート （モノマー Aの水酸基がメチル基に置換した分子構造を有する。） を、 それぞれ用いた。 [表 1 1 ] 樹脂組成物 （R) 溶液の組成

上記 2種類（モノマー Αを含むものとモノマ一 Βを含むもの）の樹脂組成物（R) 溶液を、 ガラス基板上に、 毎分 1 3 0 0回転で 1 0秒間スピンコートし、 ホット プレート上 9 0 °Cで 4分間加熱し、 それぞれ膜厚 4 mの樹脂組成物 （R) 層を 得た。 この樹脂組成物 （R) 層の上に、 紫外線照射部と紫外線遮光部の境界線が 規則的な周期 10 でパターエングされたマスクを置き、 マスク面垂直上方よ り、 それぞれ 1 X 10³ JZm²および 2 X 10³ JZm²の紫外線を照射した後、 180"Cで 30分間の加熱をした。 さらに、 各硬化樹脂組成物 （R) 層上に、 膜 厚 0 , 1 X mの A 1金属膜をスパッ夕によりそれぞれ形成した。

その結果、 樹脂組成物 （R) 層の紫外線照射部断面が凸、 紫外線遮光部断面が 凹の、 10 m周期の凹凸形状が得られた。 表 12に段差測定結果を示す。 水酸 基を有するモノマー Aを配合した樹脂組成物 （R) から得られた段差は、 水酸基 を有しないモノマー Bを配合した樹脂組成物 （R) から得られた段差の 2倍以上 であった。

[表 12]

上記のように、樹脂組成物（R)層の厚さ T= 4 に対し、表面の段差が（ 0. 1〜0. 5) T zm= 0. 4〜2. 0 mであるのは、 分子中に少なくとも 1個 の水酸基と少なくとも 1個のエチレン性不飽和基を有する光重合性不飽和化合物

(b- 1) であるモノマー Aを使用した場合であった。

[実施例 20 ]

上記表 11に示す実施例 19の樹脂組成物 （R) 溶液 （モノマー Aを使用） を 用い、 ガラス基板上に膜厚 4 mの樹脂組成物 （R) 層を形成した。

得られた樹脂組成物 （R) 層に、 活性光線透過部と活性光線遮光部の境界線が 規則的で透過部と不透過部のピッチが 10 である直線パターンと、 ホ一ルパ ターン形成用の直径 10 UL mの活性光線不透過部分とを有するフォトマスクを用 レ 、 平行光線露光機 （オーク製作所株式会社製、 EXM1201) を使用して、 マスク面垂直上方より露光量 5. 0X 10² Jノ m²で紫外線を像的に照射した後、 120°Cで 30分間、 ボックス型乾燥機で加熱した。 07222

80 次いで、 0 . 5重量％の界面活性剤を含む 0 . 5重量％水酸化テトラメチルァ ンモニゥム水溶液を用いて、 2 5 :で 5 0秒間スプレー現像して、樹脂組成物（R) 層を選択的に除去して、 ホールパターンを形成した。

得られたホールパターンを観察した結果、 光硬化した樹脂組成物 （R) 層が基 板から剥がれることなく、 直径 1 0 i mのホールパターンが良好に形成されてい た。

次いで、 東芝電材株式会社製東芝紫外線照射装置を使用して、 3 X 1 0 " , m²の紫外線照射を行い、 樹脂組成物 （R) 層全体を光硬化させた後、 2 3 0 で 3 0分間、 ボックス型乾燥機で加熱した。 さらに、 スパッ夕により、 樹脂組成 物 （R) 層上に 0 . 1 mの A 1金属膜を形成した。

得られた樹脂組成物 （R) 層は、 パターン露光における活性光線透過部の断面 が凸形状、 活性光線遮光部の断面が凹形状である、 凹凸ピッチ 1 0 mの形状を 有し、 その凹凸段差は約 1 /z mであった。

また、 得られた凹凸形状を有する樹脂組成物 （R) 層形成基板を液晶表示装置 用拡散反射板として評価した。 この樹脂組成物 （R) 層形成基板は、 拡散反射特 性に優れた凹凸形状面を維持しており、 設計どおりの拡散反射特性が得られた。

[実施例 2 1 ]

支持体としてポリエチレンテレフ夕レートフィルムを使用し、 実施例 1 7で調 製した樹脂組成物 （R) 溶液 （V— 2 ) または実施例 1 9で調製した樹脂組成物 (R) 溶液 （モノマー Aを使用） を、 支持体上に、 コンマコーターを用いて均一 に塗布し、 1 0 0 の熱風対流式乾燥機で 3分間乾燥して溶剤を除去し、 厚さ 4 mの樹脂組成物 （R) 層を形成した。

得られた樹脂組成物 （R) 層の上に、 さらに、 厚さ 2 5 mのポリエチレンフ イルムをカバーフィルムとして張り合わせて、 感光性エレメントを作製した。 得られた感光性ェレメントのポリエチレンフィルムをはがしながら、 厚さ 1 m mのガラス基板上に、 樹脂組成物 （R) 層が接するようにして、 感光性エレメン 卜をラミネートし、 ガラス基板上に、 樹脂組成物 （R) 層および支持体が積層さ れた基板を作製した。ラミネートは、ラミネ一夕として日立化成工業株式会社製、 商品名 HLM- 1 500型を用い、 ロール温度 1 20°C、基板送り速度 0. 5mZ 分、 圧着圧力 （シリンダ圧力） 4X 10⁵P a (厚さが lmm、 縦 10 cmX横 10 cmの基板を用いたため、 この時の線圧は 9. 8 X 10³N/m) の条件で 仃つた。

次いで、 活性光線透過部と活性光線遮光部の境界線が不規則的な曲線でパター ニングされたフォトマスクを用い、 縮小投影露光機 （キャノン株式会社製、 FP A-3000 iw) を使用して、 マスク面垂直上方より露光量 1. 5 1 0³ ノ m²で紫外線を像的に照射し、さらに支持体を引き剥がして除去した後、 120 で 30分間、 ボックス型乾燥機で加熱した。

続いて、 東芝電材株式会社製東芝紫外線照射装置を使用して、 3 X 1 0⁴ J Z m²の紫外線照射を行い、 榭脂組成物 （R) 層全体を光硬化した後、 230°Cで 30分間、 ボックス型乾燥機で加熱し、 さらにスパッ夕により、 樹脂組成物 （R) 層上に膜厚 0. 1 mの A 1金属膜を形成した。

得られた樹脂組成物 （R) 層は、 パターン露光における活性光線透過部の断面 が凸形状、 活性光線遮光部の断面が凹形状である凹凸形状を有し、 その凹凸段差 は、実施例 1 7の樹脂組成物（R)溶液（V—2) を用いた場合が約 0. 7 nm, 実施例 1 9の樹脂組成物 （R) 溶液 （モノマー A使用） を用いた場合が約 0. 6 •imであつに。

また、 得られた凹凸形状を有する樹脂組成物 （R) 層形成基板を液晶表示装置 用拡散反射板として評価した。 この樹脂組成物 （R) 層形成基板は、 拡散反射特 性に優れた凹凸形状面を維持しており、 設計どおりの拡散反射特性が得られた。

[実施例 223

表 13に示す樹脂組成物 （R) 塗液を調製して、 ガラス基板上に毎分 500回 転で 10秒間スピンコートし、 ホットプレート上 90 で 4分間加熱し、 膜厚 1 O mの樹脂組成物 （R) 層を得た。 [表 1 3 ] 樹脂組成物 （R) 溶液の組成

得られた樹脂組成物 （R) 層の上に、 1 0 m線幅の紫外線照射部と 1 線幅の紫外線遮光部が交互に配置されたパターンをもつマスクを置き、 マスク面 垂直上方より 6 0 J Zm²の紫外線を照射した後、 1 8 0 で 3 0分間の加熱を 行った。 その結果、 樹脂組成物 （R) 層の紫外線照射部断面が凸で、 紫外線遮光 部断面が凹の、 2 0 m周期の凹凸形状が得られ、 その凹凸段差は 1 mであつ た。

ダイナミック超微小硬度計 （島津製作所製） を用いて、 樹脂組成物 （R) 層の 凹部および凸部のビッカース硬さを測定 （押し込み荷重 0 . 5 g f ) した結果、 それぞれ、 1 0 において 1 8 HV (凹部） および 2 2 HV (凸部） であり、 その差は 4 HVであった。

得られた表面凹凸フィルム上に、 スパッ夕により膜厚 0 . 1 mの A 1金属膜 を形成した結果、 反射型液晶ディスプレイ用拡散反射板として良好な反射特性を 示した。

[実施例 2 3 ]

実施例 2 1と同様にして、 実施例 2 2の樹脂組成物 （R) を用いて感光性エレ メントを作製した。 得られた感光性エレメントを用いて、 実施例 21と同様にして表面凹凸形状を 作製した。 得られた樹脂組成物 （R) 層は、 パターン露光における活性光線透過 部の断面が凸形状、 活性光線遮光部の断面が凹形状である、 凹凸ピッチ 10 m の形状を有し、 その凹凸段差は約 1 jLimであった。

また、 得られた凹凸形状を有する樹脂組成物 （R) 層形成基板を液晶表示装置 用拡散反射板として評価した結果、 拡散反射特性に優れた凹凸形状面を維持して おり、 設計どおりの拡散反射特性が得られた。

実施例 22と同様に凹凸形状の凹部と凸部のピツカ一ス硬さを測定した結果、 25 において 17 HV (凹部） および 22HV (凸部） であり、 その差は 5 H Vであった。

[実施例 24 ]

<シリル基含有光重合性不飽和化合物 （b— 3) の合成 （製造例 1) >

撹拌機、 還流冷却機、 不活性ガス導入口および温度計を備えたフラスコに、 表 14に示す （1) を仕込み、 乾燥窒素ガス雰囲気下で、 反応温度を 60で±2で に保ちながら、 表 14に示す （2) を 2時間かけて均一に滴下した。 （2) の滴下 後、 60 ± 2 で 2時間撹拌を続け、 さらに表 14に示す （3) を滴下して、

60 ±2 で 0. 5時間撹拌し、 シリル基含有光重合性不飽和化合物（ b— 3 ) を得た。

[表 14]

ぐパインダボリマ一溶液 （Α— 1) の作製 （製造例 2) > 撹拌機、 還流冷却機、 不活性ガス導入口および温度計を備えたフラスコに、 表

15に示す （1) を仕込み、 窒素ガス雰囲気下で 80 に昇温し、 反応温度を 8 O iZtに保ちながら、 表 15に示す （2) を 4時間かけて均一に滴下した。

(2) の滴下後、 80 土 2 °Cで 6時間撹拌を続けた後、 表 15に示す （3) を 添加した。 （3) を添加後、 反応系を 100 に昇温し、 0. 5時間かけて表 15 に示す （4) を滴下した。 （4) の滴下後、 100 で 20時間撹拌を続けた後、 室温（25 C)に冷却して、 重量平均分子量が約 30, 000のフィルム性付与ポ リマ一溶液 （固形分 36. 0重量％、 エチレン性不飽和基濃度 6. 8 X 10— ⁴モ ル /g) (A— 1) を得た。

<樹脂組成物 （R) 溶液 （V— 4) の調製 >

表 16に示す成分を、 攪拌機を用いて 15分間混合し、 樹脂組成物 （R) 溶液

(V-4) を調製した。

[表 15]バインダポリマー溶液 (A-1)

[表 16] 樹職脈物 (R)繊 (V-4)

配合成分 配^ *

(重

製激 で得られたシリ S含有光重合性不飽和化^ b— 3) 20 製 iii列 2で得られたバインダポリマー溶液 (Α-Ί) 135. 5

涸形分 55) ペンタエリスリ卜一ノレ卜リアクリレー卜 25 2 - （2-クロ口フエニル） -1- 〔2- (2-クロ口フエニル） - 4,

5 -ジフエ二；》U~1， 3-ジァゾ一リ 2-ィル〕 -4， 5-ジフエニル 1. 5 イミダゾール

N, N' -テトラエチノ!/" 4， 4' -ジァミノべンゾフエノン 0. 2 メチルェチルゲ卜ン 80

<表面凹凸形状の形成 >

得られた樹脂組成物 （R) 溶液 （V— 4) を、 厚さ lmmのガラス基板上に、 スピンコ一タを使用して 1700回転/分で回転塗布して、ホットプレート上で 9 O 、 5分間乾燥して溶剤を除去し、 膜厚 4 mの樹脂組成物 （R) 層を形成し た。

得られた樹脂組成物 （R) 層に、 活性光線透過部と活性光線遮光部が 10 で規則的にパターニングされたフォトマスクを用い、 縮小投影露光機 （キャノン 株式会社製、 FPA-300 Oiw)を使用して、マスク面垂直上方より露光量 1. 5 X 10³ J/m²で紫外線を像的に照射した後、 フォトマスクを除去し、 12 0でで 30分間、 ボックス型乾燥機で加熱した。

次に、 東芝電材株式会社製東芝紫外線照射装置を使用して、 3 X 10⁴ J /m² の紫外線照射を行い、 樹脂組成物 （R) 層全体を光硬化した後、 230°Cで 30 分間、 ボックス型乾燥機で加熱し、 さらにスパッ夕により、 樹脂組成物 （R) 層 上に膜厚 0. 1 の A 1金属膜を形成した。

得られた樹脂組成物 （R) 層は、 フォトマスクに形成された画像に対応して、 パターン露光における活性光線透過部の断面が凸形状、 活性光線遮光部の断面が 凹形状である、 凹凸ピッチ 10 mの形状を有し、 その凹凸段差は約 2 であ つ 7こ。

得られた凹凸形状を有する樹脂組成物 （R) 層形成基板を液晶表示装置用拡散 反射板として評価した結果、 拡散反射特性に優れた凹凸形状面を維持しており、 設計どおりの拡散反射特性が得られた。

また、 上記工程において、 A 1金属膜形成前の凹 ύ形状面を有する樹脂組成物 (R) 層形成基板を、 温度 60で、 湿度 90%に保った恒温槽内に 24時間投入 した後、 クロスカット試験 （JIS- K 5400、 1mm角碁盤目法） を行った。 そ の結果、 凹凸形状面を有する樹脂組成物 （R) 層の剥がれが一切なく、 良好な基 板密着性を有することが判明した。

[実施例 25]

実施例 24と同様に、 樹脂組成物 （R) 溶液 （V— 4) を用い、 ガラス基板上 に、 膜厚 4 mの樹脂組成物 （R) 層を形成した。

得られた樹脂組成物 （R) 層に、 活性光線透過部と活性光線遮光部の境界線が 不規則的で透過部と不透過部のピッチが 10 iimである曲線パターンと、 ホール パターン形成用の直径 10 mの活性光線不透過部分とを有するフォトマスクを 用い、平行光線露光機（オーク製作所株式会社製、 EXM1201)を使用して、 マスク面垂直上方より露光量 5. 0X10² JZm²で紫外線を像的に照射した後、 120でで 30分間、 ボックス型乾燥機で加熱した。

次いで、 0. 5重量％の界面活性剤を含む 0. 5重量％水酸化テトラメチルァ ンモニゥム水溶液を用いて、 25Tで 50秒間スプレ一現像して、樹脂組成物（R) 層を選択的に除去してホールパターンを形成した。

得られたホールパターンを観察した結果、 光硬化した樹脂組成物 （R) 層が基 板から剥がれることなく、 良好な基板密着性を示し、 直径 10 mのホールパ夕 ーンが良好に形成されていた。

次いで、 東芝電材株式会社製東芝紫外線照射装置を使用して、 3X 10"/ m²の紫外線照射を行い、 樹脂組成物 （R) 層全体を光硬化した後、 230 で 30分間、 ボックス型乾燥機で加熱し、 さらにスパッ夕により樹脂組成物 （R) 層上に膜厚 0. 1 mの A 1金属膜を形成した。

得られた樹脂組成物 （R) 層は、 フォトマスクパターンの画像に対応した、 パ 夕一ン露光における活性光線透過部の断面が凸形状、 活性光線遮光部の断 ®が凹 形状である凹凸ピッチ 10 z^rnの形状を有し、その凹凸段差は約 2 imであった。 得られた凹凸形状を有する樹脂組成物 （R) 層形成基板を液晶表示装置用拡散 07222

87 反射板として評価した結果、 拡散反射特性に優れた凹凸形状面を維持しており、 設計どおりの拡散反射特性が得られた。

また、 実施例 2 4と同じ方法で （つまり、 恒温槽への投入も含む）、 A 1金属膜 形成前の、 凹凸形状面を有する樹脂組成物 （R) 層形成基板に対しクロスカット 試験を行なった。 その結果、 凹凸形状面を有する樹脂組成物 （R) 層の剥がれが 一切なく、 良好な基板密着性を有することが判明した。

[実施例 2 6 ]

支持体としてポリエチレンテレフ夕レートフィルムを使用し、 実施例 2 4で得 られた樹脂組成物 （R) 溶液 （V— 4 ) を、 コンマコ一夕一を用いて支持体上に 均一に塗布し、 1 0 0での熱風対流式乾燥機で 3分間乾燥して溶剤を除去し、 厚 さ 4 /i mの樹脂組成物 （R) 層を形成した。

得られた樹脂組成物 （R) 層の上に、 さらに、 2 5 mの厚さのポリエチレン フィルムをカバーフィルムとして張り合わせて、 感光性ェレメントを作製した。 得られた感光性エレメントを、 そのポリエチレンフィルムをはがしながら、 厚 さ l mmのガラス基板上に、 樹脂組成物 （R) 層が接するようにラミネートし、 ガラス基板上に樹脂組成物 （R) 層および支持体が積層された基板を作製した。 ラミネートは、 ラミネ一夕として日立化成工業株式会社製、 商品名 H L M— 1 5 0 0型を用い、 ロール温度 1 2 0で、 基板送り速度 0 . 5 m 分、 圧着圧力 （シ リンダ圧力） 4 X 1 0 ⁵ P a (厚さが 1 mm、 縦 1 0 c m横 1 0 c mの基板を用 いたため、 この時の線圧は 9 . 8 X 1 0 ³ N/m) の条件で行った。

実施例 2 4と同様に、 フォトマスクを用いた紫外線照射からスパッ夕による A 1金属膜の形成までの一連の操作を順に行った。

得られた樹脂組成物 （R) 層は、 パターン露光におけるフォトマスクの画像に 対応した、 活性光線透過部の断面が凸形状、 活性光線遮光部の断面が凹形状であ る凹凸ピッチ 1 0 t mの形状を有し、 その凹凸段差は約 2 mであった。

得られた凹凸形状を有する樹脂組成物 （R) 層形成基板を液晶表示装置用拡散 反射板として評価した結果、 拡散反射特性に優れた凹凸形状面を維持しており、 設計どおりの拡散反射特性が得られた。

また、 実施例 24と同じ方法で（つまり、 恒温槽への投入も含む）、 A 1金属膜 形成前の、 凹凸形状面を有する樹脂組成物 （R) 層形成基板に対しクロスカット 試験を行った。 その結果、 凹凸形状面を有する樹脂組成物 （R) 層の剥がれが一 切なく、 良好な基板密着性が示された。

[実施例 27 ]

実施例 1の表 2と同じ塗液を、図 16 (a)に示すように、ガラス基板 2上に、 毎分 1000回転で 10秒間スピンコ一卜し、 ホットプレート上 90 で 4分間 加熱し、 膜厚 6 mの樹脂組成物 （R) 層 1を得た。

得られた樹脂組成物 （R) 層 1の上に、 紫外線透過部と紫外線遮光部の境界線 が不規則的な曲線でパターニングされたマスク (パターニングマスク) 72を置 き、 マスク面垂直上方より 0. 06 JZcm²の紫外線 5を照射 （図 16 (b) 参照） した後、 230でで 30分間の加熱 （図 16 (c) 参照） を行い、 表面凹 凸形状を得た。 得られた凹凸段差は、 図 2に示すものと同じであった。

この表面凹凸形状が形成された樹脂組成物 （R) 層 1の上に、 一辺が 15 in の正方形からなる紫外線遮光部が 80 m ごとに配置されるようにパターニング されたマスク （樹脂組成物 （R) 層除去用マスク） 7 1を置き、 紫外線遮光部が 先の紫外線照射時の遮光部と重なる様にマスクの位置を合わせ、 マスク面垂直上 方より 24 JZcm²の紫外線 5を照射した （図 16 (d) 参照）。

その後、 所定のエッチング操作を行ってコンタクトホール 20を形成 （図 16 (e) 参照） した後、 230°C 30分の後加熱を行って、 コンタクトホール 20 を有する表面凹凸フィルムを作製した。 上記の表面凹凸形状の顕微鏡写真を図 1 7に示す。

得られた表面凹凸フィルムに、 真空蒸着法で、 アルミニウム薄膜を 0. l ^m の膜厚になるよう積層した反射層を形成し、 拡散反射板を得た。

図 18には、 得られた拡散反射板の真正面への反射強度 （標準白色板に対する 相対強度）の入射角度依存性を示す。一 15° 〜15° の入射角度範囲において、 反射強度 4を越える優れた拡散反射板を簡便に得ることができた。 [実施例 28 ]

4枚のガラス基板を用意し、 実施例 1の表 2の塗液と同じ組成の樹脂組成物 (R) の塗液を、 各ガラス基板上に、 毎分 1300回転で 10秒間スピンコート し、 ホットプレート上 90°Cで 4分間加熱し、 それぞれ膜厚 5 zzmの樹脂組成物 (R) 層を有する 4個のサンプル （S 7〜S 10) を得た。 ' 各サンプルの樹脂組成物 （R) 層上に、 紫外線透過部と紫外線遮光部の境界線 が不規則的な曲線でパターニングされたマスクを置き、 マスク面垂直上方より、 0. 01 J/cm² (S 7)、 0. 04 J/cm² (S 8)、 0. 06 J/cm² (S 9)、 0. 15 J/cm² (S 10) の紫外線をそれぞれに照射した後、 230 で 30分間の加熱により硬化させた。 得られた各硬化樹脂組成物 （R) 層上に、 スパッ夕により膜厚 0. 1 mの A 1金属膜をそれぞれ形成した。

その結果、 樹脂組成物 （R) 層の紫外線照射部断面が凸、 紫外線遮光部断面が 凹の、凹凸ピッチ 10 mの形状を有し、その凹凸段差が 1. 5 m(S 7)、 1. 13 ^m (S 8)、 0. 78 m (S 9) および 0. 65 zm (S 10 ) の 4種類 の転写原型が得られた。

これらの各転写原型を使用して、上記実施例 3と同様に拡散反射板を製造した。 その結果、 良好な拡散反射板を得ることができた。

[実施例 29 ]

8枚のガラス基板を用意し、実施例 1と同じ表 2の樹脂組成物（R)の塗液を、 各ガラス基板上に、 毎分 1300回転で 10秒間スピンコートし、 ホットプレー ト上 90 で 4分間加熱し、 それぞれ膜厚 4 zmの樹脂組成物 （R) 層を有する 8個のサンプル （No. l〜No. 8) を得た。

得られた各サンプルの樹脂組成物 （R) 層に、 樹脂組成物 （R) 層を除去する 箇所が遮断部であって紫外線照射部と紫外線遮断部の境界線が規則的な 10 jam 周期でパターニングされたマスクを介して、 0. 09 JZcm²の紫外線を照射 した後、 表 17に示すように、 90°C、 120 または 135 でそれぞれ 5分 間加熱（前加熱） した。前加熱後のサンプル No.4の凹凸段差を、 図 19に示す。 次に、 樹脂組成物 （R) 層に対し、 水酸化カリウムを 0. 3重量％含む 30で の水溶液シャワーを、 表 17に示すように、 120、 214または 265秒間あ ててエッチング （現像） し、 230^で 30分間の後加熱をした。

この結果、 樹脂組成物 （R) 層の除去部分に基板露出面が形成され、 除去部分 以外に、 紫外線照射部断面が凸、 紫外線遮断部断面が凹の凹凸ピッチ 10 の 形状を有する表 17に示した凹凸段差が得られた。 図 20に、 サンプル No. 4の 後加熱後の凹凸段差を示す。

[表 17]

[実施例 30 ]

4枚のガラス基板を用意し、実施例 1と同じ表 2の樹脂組成物（R)の塗液を、 各ガラス基板上に、 毎分 1300回転で 10秒間スピンコートし、 ホットプレ一 卜上 90でで 4分間加熱し、 それぞれ膜厚 4^ mの樹脂組成物 （R) 層を有する 4個のサンプル （No. l〜No. 4) を得た。

得られた各サンプルの樹脂組成物 （R) 層の、 後の紫外線照射工程で照射しな い箇所の一部であって後のエッチングで除去する箇所以外を 0. 04 JZcm² の紫外線で照射した後、 さらに樹脂組成物 （R) 層上に、 紫外線照射部と紫外線 遮光部が規則的な周期 10 / mでパターニングされたマスクを置き、 マスク面垂 直上方より 0. 06 JZ cm²の紫外線を照射した。 次に、 樹脂組成物 （R) 層に対し、 水酸化カリ'ゥムを 0. 3重量％含む 30で の水溶液シャワーを、 表 18に示すように、 それぞれ 120、 170、 214ま たは 265秒間あててエッチング （現像） し、 23 で 30分間の後加熱を行 つた。

この結果、 樹脂組成物 （R) 層の除去部分に基板露出面が形成され、 除去部分 以外に、 紫外線照射部断面が凸、 紫外線遮蔽部断面が凹の、 凹凸ピッチ l O 'm の形状を有する表 18に示す凹凸段差が得られた。 サンプル No. 3の後加熱後の 表面凹凸形状の凹凸段差を図 21に示す。

[表 18]

[実施例 31]

実施例 1と同じ表 2の樹脂組成物 （R) の塗液を、 ガラス基板上に毎分 130 0回転で 10秒間スピンコートし、 ホットプレート上 '90°Cで 4分間加熱し、 膜 厚 4 の樹脂組成物 （R) 層を得た。 この樹脂組成物 （R) 層上に、 紫外線照 射部 （5 m幅） と紫外線遮光部 （5 ^m幅） の境界線がピッチ 10 の規則 的なストライプパターンとして形成されたマスクを置き、 マスク面垂直上方より 0. 1 JZcm²の紫外線を照射した後、 180 で 5分間加熱した。

• その結果、 樹脂組成物 （R) 層の紫外線照射部断面が凸、 紫外線遮光部断面が 凹の凹凸ピッチ 10 mの形状を有し、 その凹凸段差が 0. 63 mの表面凹凸 形状が得られた。 *

[実施例 32]

実施例 31のパターニングされたマスクを 10 ΠΙ径の円形の遮光パターンに 代えた以外は、 実施例 31と同様に行って、 表面凹凸形状を得た。 その凹凸段差 は 1. 4 mであった c

[実施例 33 ]

実施例 1の表 2に示したモノマー （ペン夕エリスリトールトリァクリレート； PET— 30) の代わりに表 19に示したモノマーを配合した樹脂組成物 （R) の各塗液をそれぞれ調製し、 それらをスピンコートして、 膜厚 4 mの各樹脂組 成物 （R) 層を得た。 実施例 31と同様な方法で表面凹凸形状を作製し、 得られ た凹凸表面の凹凸段差を表 19に示した。表中、 「分子量」 は各モノマーの分子量 を、 「エチレン性不飽和基数」 は各モノマーのそれを表す。

[表 19]

C OCOCH=C CH₂0C0CH-CH_Z

HOH₂C-C-CH₂0COCH=CH_z H₃CHzC -C -CH₂0 CO CH= CH₂

CHzOCOCh CHz CH₂0C0CH=CH₂

PET-30 Tjin¾thylolpropawe bia2iykte (A-TMPTI CHz*CH-COOCHi

A-TMMT

EPHA

CH₃ CH₃

HzC =d— C - 0 i-CHjCHaO -C-C =CHz

4G:n=4, 表 19に示したように、 ストライプパターンを形成したマスクを用いたとき、 マスクパターンに従った凹凸段差 0. 3 m以上を形成するのは、 No. 1， 4 のみであり、 No. 2， 3， 5の凹凸段差は 0. 3 m以下であった。 この結果 から、 他の実験とも絡め、 エチレン性不飽和基を 1個以上有する重合可能なモノ マ一の分子量が 408以下であると良く、また、エチレン性不飽和基が 2個以上、 4個以下であると好ましく、 No. 1のようにモノマーが水酸基を含んでいるこ とが好ましいことが理解できる。 上記分子量に関しては、 低分子量のモノマーほ ど拡散により移動しやすいためと考えられる。 [実施例 34]

<バインダボリマー溶液 （A— 2) 〜 （A—4) の製造 >

それぞれ表 20〜 22に示す成分を用い、 以下のようにして、 バインダボリマ 一溶液 （A— 2) 〜 （A— 4) を製造した。

撹拌機、 還流冷却機、 不活性ガス導入口および温度計を備えたフラスコに、 表 20〜22の （1) を仕込み、 窒素ガス雰囲気下で 80でに昇温し、 反応温度を 80で± 2°Cに保ちながら、 表 20〜22の （2) を 4時間かけて均一に滴下し た。 その後、 80 ±2でで 6時間撹拌を続けた後、 表 20〜22の （3) を添 加した。 （3) を添加後、 反応系を 100でに昇温し、 0. 5時間かけて表 20〜 22の （4) を滴下した。 （4) の滴下後、 100でで 20時間撹拌を続けた後、 室温に冷却して、 重量平均分子量が約 30, 000のパインダポリマー溶液 （固 形分 36. 0重量％、 エチレン性不飽和基濃度 6. 8 X 10— ⁴モル/ g) (A— 2 )、 重量平均分子量が約 30， 000のバインダポリマー溶液（固形分 33. 3 重量％、 エチレン性不飽和基濃度 6. 5 X 1 0_⁴モル Zg) (A— 3)、 および、 重量平均分子量が約 30, 000のパインダポリマー溶液 (固形分 33.3重量％、 エチレン性不飽和基濃度 6. 4X 1 0— ⁴モル Zg) (A— 4) を得た。

[表 20] バイン夕"ポリマー溶液 （A - 2)

配合成分

(重量部）

(1) プロピレンダリコールモノメチルエーテルァセテ一卜 1 50

メタクリル酸 1 9 スチレン 33

(2) メタクリル酸 n-ブチル Ί 0

メタクリル酸メチル 38

2, 2， -ァゾビス (イソプチロニ卜リル) 2. 5

(3) 八ィドロキノン 0. 05 メタクリル酸グリシジル , 1 0. 7

(4) 塩化べンジル卜リメチルアンモニゥ厶 0. 1

プロピレングリコールモノメチルエーテルァセテ一卜 5 0

[表 2 1 ] バインダポリマー溶液 （ A - 3 )

く樹脂組成物 （R) 溶液 （V— 3〜V— 7 ) の調製 >

表 2 3〜2 5に示す成分を、 それぞれ攪拌機を用いて 1 5分間混合し、 順 ( 樹脂組成物 （R) 溶液 V— 5、 V— 6、 および V— 7を調製した。 [表 2 3 ] 樹脂 $脈物 （R) 灘 (V- 5 ) 配合成分 配^ a

(重量部） バインダポリマー藩夜 (A-2) 180. 6

(固形分 65) ペン夕エリスリ卜一ノレ卜リアクリレー卜 35

2 -（2-クロ口フエ二ル） -1-〔2- (2-クロ口フエ二ル）

- 4, 5-ジフエニリ 1， 3-ジァゾーソ 2-ィル〕 -4, 5- 2. 0 ジフエ二ルイミダゾール

N, Ν' -テ卜ラエチゾ U~4， 4' -ジァミノべンゾフエノン 0. 3

「-メタクリロキシプロピル卜リメ卜キシシラン 8. 6 プロピレンダリコールモノメチルエーテルァセテ一卜 70 メチルェチルケトン 70

[表 24] (R)溶液（v— 6)

配合成分

(重量部） バインダポリマー溶液 (A-3) 180. 6

涸形分 65) ペンタエリスリトール卜リァクリレー卜 35

2- (2-クロ口フエ二ノレ） -1- C2- (2-クロ口フエ二ノレ）

-4， 5-ジフエニゾ 3-ジァゾーゾ 2-ィル〕 -4, 5- 2. 0 ジフエ二ルイミダゾ一ル

N, N' -テ卜ラエチゾ 4, 4' -ジァミノべンゾフエノン 0. 3

「-メタクリロキシプロピル卜リメ卜キシシラン 8. 6 プロピレングリコールモノメチルエーテルァセテ一卜 70 メチルェチルゲ卜ン 70

[表 25] 樹職誠物 （R)溶液 (V-7)

配合成分

(重量部） バインダポリマー溶液 (A-4) 180. 6

(固形分 65) ペン夕エリスリ卜一ノレ卜リアクリレー卜 35

2- (2-クロ口フエ二レ） -1- C2- (2—クロ口フエ: ZJレ）

-4, 5-ジフエ二 3-ジァゾ一リ k 2-ィル〕 -4， 5- 2. 0 ジフエ二ルイミダゾール

N, N' -テトラエチ 4， 4' -ジァミノべンゾフエノン 0. 3

「-メタクリロキシプロピリレ卜リメ卜キシシラン 8. 6 プロピレングリコールモノメチルエーテルァセテ一卜 70 メチルェチルゲ卜ン 0

<表面凹凸形状の形成 >

得られた樹脂組成物 （R) 溶液 V— 5、 V— 6、 V— 7のそれぞれを、 ガラス 基板上に毎分 1300回転で 10秒間の条件でスピンコートにより塗布して成膜 し、 ホットプレート上 90°Cで 4分間加熱し、 それぞれ膜厚 4^ mの樹脂組成物

(R) 層を得た。 この樹脂組成物 （R) 層の上に、 紫外線照射部と紫外線遮光部 の境界線が規則的な周期 10 /xmでパ夕一ニングされたマスクを置き、 マスク面 垂直上方より 1 X 10³ J/m²の紫外線を照射し、 続いて、 140でで 30分間 の後加熱を行った。 それにより、 樹脂組成物 （R) 層の紫外線照射部が凸、 紫外 線遮光部が凹である、 10 iim周期のライン状の凹凸が得られた。 得られた各樹 脂組成物 （R) 層上に、 スパッ夕により、 厚み 1 mの A 1金属膜を形成し た。

表 26に各樹脂組成物 （R) 溶液から得られた凹凸段差と、 それぞれに使用し たバインダボリマ一 100重.量部あたりの、 水酸基を有するビニル単量体の重量 部数を示す。 表 26から明らかなように、 バインダポリマー中の水酸基を有する ビニル単量体の重量部数の増加に伴い、 取得段差が増加した。

いずれの場合も、 表面凹凸フィルムの厚さ （T) に対し、 TX (0. 1〜0.

5) mである表面段差が得られた。

[表 26]

[実施例 35 ]

<感光性エレメントの製造 >

上記実施例 34で得られた樹脂組成物溶液 （V— 5) を用い、 実施例 21と同 様にして感光性エレメントを作製した。

<表面凹凸形状の形成 >

得られた感光性エレメントを用い、 実施例 21と同様にして、 これを基板にラ ミネートし、 表面凹凸形状を作製した。

その結果、 活性光線透過部の断面が凸形状、 活性光線遮光部の断面が凹形状で ある凹凸ピッチ 10 の形状を有し、 その凹凸段差が約 0. 5 mの表面凹凸 形状を有する樹脂組成物 （R) 層が得られた。

得られたガラス基板を、液晶表示装置用拡散反射板として評価した。その結果、 この基板は、 拡散反射特性に優れた凹凸形状面を維持しており、 設計どおりの拡 散反射特性が得られた。 本願の開示は、 2002年 6月 6日に出願された特願 2002- 165052 号、 2002年 6月 28日に出願された特願 2002— 190508号、 200 2年 6月 28日に出願された特願 2002— 190509号、 2002年 6月 2 8日に出願された特願 2002— 190510号、 2002年 6月 28日に出願 された特願 2002— 19051 1号、 2002年 6月 28日に出願された特願 2002— 190512号、 2002年 6月 28日に出願された特願 2002 - 190513号、 2002年 6月 28日に出願された特願 2002— 19051 4号、 2002年 6月 28日に出願された特願 2002— 190515号、 20 02年 6月 28日に出願された特願 2002— 190516号、 2002年 6月 28日に出願された特願 2002— 190517号、 2002年 7月 31日に出 願された特願 2002— 223407号、 2002年 1 1月 29日に出願された 特願 2002— 348024号、 2002年 12月 20日に出願された特願 20 02— 370617号、 2002年 12月 20日に出願された特願 2002— 3 70618号、 2002年 12月 20日に出願された特願 2002— 37061 9号、 2002年 12月 20日に出願された特願 2002— 370620号、 2 002年 12月 20日に出願された特願 2002— 370626号、 2002年 12月 20日に出願された特願 2002— 370627号、 2002年 12月 2 7222

98

0日に出願された特願 2002— 370628号、 2002年 12月 20日に出 願された特願 2002— 370629号、 2002年 12月 20日に出願された 特願 2002— 370621号、 2002年 12月 20日に出願された特願 20 02— 370625号、 2002年 12月 20日に出願された特願 2002— 3 70616号、 2002年 12月 24日に出願された特願 2002— 37189 1号、 2002年 12月 24日に出願された特願 2002— 37 1890号、 2 003年 5月 23日に出願された特願 2003- 146196号に記載の主題と 関連しており、 それらの開示内容は引用により援用される。

本明細書に記載されたすベての文献の各開示内容は、 引用によりここに援用さ れる。

既に述べられたもの以外に、本発明の新規かつ有利な特徴から外れることなく、 上記の実施形態に様々な修正や変更を加えてもよいことに注意すべきである。 従 つて、 そのような全ての修正や変更は、 添付の請求の範囲に含まれることが意図 されている。

Claims

請 求 の 範 囲

1. 感エネルギー性ネガ型樹脂組成物を用いた表面凹凸形成方法であって、

(A) 少なくとも 1種類の （b) 重合可能な化合物を含有する感エネルギー性 ネガ型樹脂組成物膜を形成する工程；

(B) 前記感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜に画像状に活性エネルギー線を 照射する工程；および

(C) 前記感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜を、 エッチング操作を行うこと なく加熱する工程；

を含む、 前記画像に従った表面凹凸を形成する表面凹凸形成方法。

2. 前記工程（B)が、画像状にパターン形成されたマスクを介して行われ、 前記マスクのパターンに従った表面凹凸を形成する請求項 1記載の表面凹凸形成 方法。

3. 前記工程 （B) が、 パターンの直接描画により行われ、 前記直接描画さ れたパターンに従った表面凹凸を形成する請求項 1記載の表面凹凸形成方法。

4. 前記画像が活性エネルギー線遮断部と活性エネルギー線透過部からなる 繰り返しパターンを有し、 前記活性エネルギー線遮断部と活性エネルギー線遮断 部または活性エネルギー線透過部と活性エネルギー線透過部との距離が 1〜 50 mである請求項 1記載の表面凹凸形成方法。

5. 前記工程 （C) が 50〜250 で行われる請求項 1記載の表面凹凸形 成方法。

6. 前記活性エネルギー線が紫外線である請求項 1記載の表面凹凸形成方法。

7. 前記活性エネルギー線の照射量が 0. 005〜1. O JZcm²である 請求項 1記載の表面凹凸形成方法。

8. 前記感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜が、 （a)バインダボリマ一、 1 種類以上の （b)重合可能な化合物、 および、 （c)光重合開始剤、 を含むもので ある請求項 1記載の表面凹凸形成方法。

9. 前記成分 （a) と成分 （b) の固形分配合比が重量比で （a)： (b) = 80 ： 20〜40 ： 60である請求項 8記載の表面凹凸形成方法。 ；

10. 前記成分 （a) が水酸基を有するビニル共重合体を含む請求項 8記載 の表面凹凸形成方法。

1 1. 前記成分 （b) が、 分子量 408以下の化合物を含む請求項 1記載の 表面凹凸形成方法。

12. 前記成分 （b) が、 分子内に少なくとも 1個のエチレン性不飽和基を 有する化合物を含む請求項 1記載の表面凹凸形成方法。

13. 前記成分 （b) が、 分子内に 2〜4個のエチレン性不飽和基を有する 化合物を含む請求項 12記載の表面凹凸形成方法。

14. 前記成分 （b) が、 水酸基、 カルポニル基、 力ルポキシル基、 アミド 基、 およびァミノ基からなる群から選ばれた 1以上の官能基を有する化合物を含 む請求項 1記載の表面凹凸形成方法。

15. 前記成分 （b) が、 ペンタエリスリトールァクリレートを含む請求項 14記載の表面凹凸形成方法。

16. 前記成分 （b) が、 （b— 1) 分子中に少なくとも 1個の水酸基と少な くとも 1個のエチレン性不飽和基を有する光重合性不飽和化合物、および、 （b— 2) 分子中に少なくとも 1個のエチレン性不飽和基を有し水酸基を含まない光重 合性不飽和化合物、 を含む請求項 1記載の表面凹凸形成方法。

17. 前記成分 （b) が、 分子中に少なくとも 1個の水酸基と少なくとも 2 個のエチレン性不飽和基を有する光重合性不飽和化合物の水酸基に対して、 分子 中に少なくとも 1個のイソシァネート基と少なくとも 1個の加水分解性基含有シ リル基を有する有機ケィ素化合物のイソシァネート基を反応させて得られる （b 一 3) シリル基含有光重合性不飽和化合物、 を含む請求項 1記載の表面凹凸形成 方法。

18. 前記成分 （c) の配合量が、 前記成分 （a) と成分 （b) の固形分合 計量 100重量部に対して 0. 1〜10重量部である請求項 8記載の表面凹凸形 成方法。

19. 前記成分 （c) が、 2— (0—クロ口フエニル） —4， 5—ジフエニル ィミダゾールニ量体を含む請求項 8記載の表面凹凸形成方法。

20. 前記感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜の可視光線透過率が 95 %以 上である請求項 1記載の表面凹凸形成方法。

21. 前記感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層が、 1種類以上の （ b— 4 ) エポキシ基およびォキセタニル基のうちの少なくとも一方の官能基を 1個以上有 する重合可能な化合物、 および、 （e)活性エネルギー線の照射によりカチオン重 合性触媒を形成する潜在性カチオン重合性触媒、 を含む請求項 1記載の表面凹凸 形成方法。

22. 形成される感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜の厚さが T (ただし、 T=0. 1〜20 m) であるときの形成される表面凹凸の段差が ΤΧ (0. 1 〜0. 5) mである請求項 1記載の表面凹凸形成方法。

23. 形成される表面凹凸形状の凸部のビッカース硬さが、 25〜100^ の範囲のいずれかの温度において 10〜30HVである請求項 1記載の表面凹凸 形成方法。

24. 形成される表面凹凸形状の凹部と凸部のビッカース硬さの差が、 25 〜100 の範囲のいずれかの温度において 0〜 5 HVである請求項 1記載の表 面凹凸形成方法。

25. 前記感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜が、 80^における粘度が 1

X 10²〜1 X 10⁷Pa-sec の組成物を用いて形成される請求項 1記載の表面凹 凸形成方法。

26. 前記工程 （C) の後に、 さらに、

(D) 前記感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜に、 所定の遮光パターンが形成 されたマスクを介して、 または所定の遮光部が形成されるように直接に、 活性ェ ネルギ一線を照射する工程；および

(E) 感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜の前記工程 （D) の遮光された箇所 をエッチングにより除去する工程；

を含む請求項 1記載の表面凹凸形成方法。

27. 前記工程 （D) における遮光された鲔所が前記工程 （B) においても 遮光部となっている請求項 26記載の表面凹凸形成方法。

28. 前記工程 （D) における遮光された箇所がコンタクトホール形成箇所 であり、 前記エッチングにより前記感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜にコンタ クトホールが形成される請求項 26記載の表面凹凸形成方法。

29. 前記工程 （E) の後に、 さらに、

(F) 前記感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜を加熱する工程；

を含む請求項 26記載の表面凹凸形成方法。

30. 前記工程 （C) の加熱温度 （T 1) が 50〜180 であり、 前記ェ 程 （F) の加熱温度 （T2) が T1<T2≤250 である請求項 29記載の表 面凹凸形成方法。

31. 前記工程 （Β) において、 コンタクトホール形成のための遮光部がさ らに設けられており、 前記工程 （C) の後に、 さらに、

(G) 前記感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜の前記遮光部をエッチングする 工程；および

(Η) 前記感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜を加熱する工程；

を含み、 前記工程 （C) 後の表面凹凸段差が 0. 5 zzm以下である請求項 1記載 の表面凹凸形成方法。

32. 前記工程 （C) の加熱温度 （T1) が 50〜180でであり、 前記ェ 程 （H) の加熱温度 （T3) が T 1<T3≤25 O である請求項 31記載の表 面凹凸形成方法。

33. 感エネルギー性ネガ型樹脂組成物を用いた表面凹凸形成方法であって、

(K) 少なくとも 1種類の （b) 重合可能な化合物を含有する感エネルギー性 ネガ型樹脂組成物膜を形成する工程；

(L) 前記感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜に、 所定の遮光パターンが形成 されたマスクを介して、 または所定の遮光部が形成されるように直接に、 活性ェ ネルギ一線を照射する工程；

(M) 前記感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜に画像状に活性エネルギー線を 照射する工程； (N) 前記感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜の前記工程 （L) の遮光された 箇所をエッチングする工程；および

(O) 前記感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜を加熱する工程；

を含む、 前記画像に従った表面凹凸を形成する表面凹凸形成方法。

34. 活性エネルギー線を画像状に照射した後、 エッチング操作を行うこと なく加熱することにより表面に凹凸を形成するために用いられる組成物であって、 (a) バインダポリマー、 1種類以上の （b) 重合可能な化合物、 および、 （c) 光重合開始剤、 を含む感エネルギー性ネガ型樹脂組成物。

35. 前記成分 （a) と成分 （b) の固形分配合比が重量比で （a)： (b) =80 ： 20〜40 ： 60である請求項 34記載の感エネルギー性ネガ型樹脂組 成物。

36. 前記成分 （a) が水酸基を有するビエル共重合体を含む請求項 34記 載の感エネルギー性ネガ型樹脂組成物。

37. 前記成分 （b) が、 分子量 408以下の化合物を含む請求項 34記載 の感エネルギー性ネガ型樹脂組成物。

38. 前記成分 （b) が、 分子内に少なくとも 1個のエチレン性不飽和基を 有する化合物を含む請求項 34記載の感エネルギー性ネガ型樹脂組成物。

39. 前記成分 （b) が、 分子内に 2〜 4個のエチレン性不飽和基を有する 化合物を含む請求項 34記載の感エネルギー性ネガ型樹脂組成物。

40. 前記成分 （b) が、 水酸基、 カルポニル基、 力ルポキシル基、 アミド 基、 およぴァミノ基からなる群から選ばれた 1以上の官能基を有する化合物を含 む請求項 34記載の感エネルギー性ネガ型樹脂組成物。

41. 前記成分 （b) が、 ペン夕エリスリト一ルァクリレートを含む請求項 34記載の感エネルギー性ネガ型樹脂組成物。

42. 前記成分（b) が、 （b— 1)分子中に少なくとも 1個の水酸基と少な くとも 1個のエチレン性不飽和基を有する光重合性不飽和化合物、および、 （b— 2) 分子中に少なくとも 1個のエチレン性不飽和基を有し水酸基を含まない光重 合性不飽和化合物、を含む請求項 34項記載の感エネルギー性ネガ型樹脂組成物。

43. 前記成分 （b) が、 分子中に少なくとも 1個の水酸基と少なくとも 2 個のエチレン性不飽和基を有する光重合性不飽和化合物の水酸基に対して、 分子 中に 1個のイソシァネート基と少なくとも 1個の加水分解性基含有シリル基を有 'する有機ケィ素化合物のイソシァネート基を反応させて得られる （b— 3) シリ ル基含有光重合性不飽和化合物、 を含む請求項 34記載の感ェネルギ一性ネガ型 樹脂組成物。

44. 前記成分 （c) の配合量が、 前記成分 （a) と成分 （b) の固形分合 計量 100重量部に対して 0. 1〜10重量部である請求項 34記載の感ェネル ギ一性ネガ型榭脂組成物。

45. 前記成分 （c) が、 2— （0—クロ口フエニル） 一 4, 5—ジフエニル ィミダゾールニ量体を含む請求項 3 記載の感エネルギー性ネガ型樹脂組成物。

46. 8 O :における粘度が 1 X 10²~1 X 10⁷Pa-secである請求項 34 記載の感エネルギー性ネガ型樹脂組成物。

47. 感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜を形成する工程；遮光 5 /im幅、 透過 5 m幅とした実質的に 1 O^m周期のストライプパターンが形成されたマ スクを介して、 前記感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜に活性エネルギー線を照 射する工程；および前記感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜を、 エッチング操作 を行うことなく 18 で加熱する工程、 を順次施すことにより、 前記マスクパ ターンに従った段差 0. 3 以上の表面凹凸を形成しうる請求項 34記載の感 エネルギー性ネガ型樹脂組成物。

48. 感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜を形成する工程；直径 10 の 実質的に円形の遮光パターンが形成されたマスクを介して、 前記感エネルギー性 ネガ型樹脂組成物膜に活性エネルギー線を照射する工程；および前記感ェネルギ 一性ネガ型樹脂組成物膜を、 エッチング操作を行うことなく 180でで加熱する 工程、 を順次施すことにより、 前記マスクパターンに従った段差 0. 5 m以上 の表面凹凸を形成しうる請求項 34記載の感エネルギー性ネガ型樹脂組成物。

49. 請求項 1記載の表面凹凸形成方法を用いて形成された光学フィルム。

50. 請求項 49記載の光学フィルムと、 前記光学フィルムの表面に設けら れた反射膜とを含む拡散反射板。

5 1 . 基板と表面凹凸形状を備えた薄膜層と反射膜とがこの順に積層されて なる拡散反射板であって、 前記薄膜層が （a ) バインダポリマー、 1種類以上の ( b ) 重合可能な化合物、 および （c ) 光重合開始剤を含む組成物を用いて形成 されたものである拡散反射板。

5 2 . 請求項 1または 3 3記載の表面凹凸形成方法を用いて作製された表面 凹凸面を有する第 1の転写原型。

5 3 . 請求項 5 2記載の第 1の転写原型の表面凹凸面を型として得られた第 2の転写原型。

5 4. ベ一スフイルムと前記べ一スフイルム上に形成された下塗り層とを含 む転写ベースフィルムであって、 前記下塗り層が、 請求項 5 2または 5 3記載の 第 1または第 2の転写原型の表面凹凸形状の転写による表面凹凸形状を有するも のである転写ベースフィルム。

5 5 . 仮支持体と前記仮支持体上に形成された薄膜層とを有する転写フィル ムであって、 前記仮支持体が請求項 5 4記載の転写ベースフィルムであって前記 転写ベースフィルムの下塗り層表面に前記薄膜層が積層されており、 前記薄膜層 の前記下塗り層側とは反対側の表面が被転写基板への直接の接着面を構成する転 写フィルム。

5 6 . 前記仮支持体と前記薄膜層の間に反射膜をさらに含む請求項 5 5記載 の転写フィルム。

5 7 . 下記の工程を含む拡散反射板の製造方法：

請求項 5 5記載の転写フィルムを、 被転写基板上に、 前記転写フィルムの薄膜 層が前記被転写基板の表面に密着するように積層する工程；

前記転写フィルムの転写ベースフィルムを剥がす工程；および

転写された前記薄膜層の表面に反射膜を形成する工程。

5 8 . 下記の工程を含む拡散反射板の製造方法：

請求項 5 6記載の転写フィルムを、 被転写基板上に、 前記転写フィルムの薄膜 層が前記被転写基板の表面に密着するように積層する工程；および 前記転写フィルムの転写べ一スフィルムを剥がす工程。

5 9 . 下記の工程を含む拡散反射板の製造方法：

請求項 5 4記載の転写ベースフィルムを、 薄膜層付き基板の前記薄膜層の表面 に、 前記転写ベースフィルムの下塗り層側が面するように押し当てて、 前記薄膜 層の表面に前記下塗り層の表面凹凸形状を転写する工程；

前記転写ベースフィルムを剥がす工程；および

前記薄膜層の表面に反射膜を形成する工程。

6 0 . 請求項 5 7〜 5 9のいずれか 1項記載の拡散反射板の製造方法により 得られた拡散反射板。

6 1 . 請求項 5 4記載の転写ベースフィルムの下塗り層の表面に反射膜を設 けた拡散反射板。

6 2 . 反射型液晶ディスプレイに用いられる請求項 5 0、 5 1、 6 0および 6 1のいずれか 1項記載の拡散反射板。

6 3 . 請求項 6 2記載の拡散反射板を有する反射型液晶