WO2003012808A1 - Elektrokeramisches bauelement, vielschichtkondensator und verfahren zur herstellung des vielschichtkondensators - Google Patents

Elektrokeramisches bauelement, vielschichtkondensator und verfahren zur herstellung des vielschichtkondensators Download PDF

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WO2003012808A1
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    • C04B2237/704—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the ceramic layers or articles

Definitions

  • the invention relates to a multilayer capacitor with a base body which is formed by a stack of layers lying one above the other with at least one ceramic dielectric layer and an electrode layer and in which the surface of the base body has two contact layers.
  • the known multilayer capacitors have the disadvantage that the ceramic used in the capacitor has a relatively low dielectric constant. As a result, capacitors with high capacities are produced Capacities of relatively large sizes are required. This is undesirable in the course of the progressive miniaturization of the electrical components, particularly in the mobile radio sector.
  • the aim of the present invention is therefore to provide a multilayer capacitor which allows high capacities to be achieved with small sizes at the same time.
  • the invention specifies a multilayer capacitor which has a base body.
  • the basic body is formed by a stack of superimposed layers. At least one of these layers is a ceramic dielectric layer. At least another of these layers is an electrically conductive electrode layer.
  • the surface of the base body has two contact layers. One of the dielectric layers has a dielectric constant e that is greater than 440.
  • e is the vacuum dielectric constant
  • A is the area of the opposing capacitor plates and d is the distance between the capacitor plates.
  • e is the dielectric constant of the dielectric arranged between the capacitor plates. Due to the high dielectric constant e> 440, a higher capacitance C of the component can be achieved with a constant plate capacitor area A or with constant spacing d of the capacitor plates. Conversely, the same capacitance C can be achieved with the aid of a component which has smaller geometric dimensions, which is determined by the area A of the capacitor plates or by the distance d of the capacitor plates from one another.
  • a dielectric layer contains a perovskite ceramic of the composition Ag (Nb ⁇ _ x Ta x ) O3. Furthermore, an electrode layer contains a metallic noble metal. This precious metal can be silver, for example.
  • the dielectric layers and the electrode layers of the layer stack forming the base body are sintered together.
  • Perovskite ceramics of the stated composition have been described according to the prior art, where only disk-shaped ceramic samples have been described and measured, in connection with smaller dielectric constants.
  • the construction of a multilayer capacitor and the joint sintering of the perovskite ceramic in conjunction with noble metal-containing electrode layers means that the perovskite ceramic has a significantly increased dielectric constant.
  • directly adjacent electrode layers are electrically conductively contacted. This results in a structure of two intermeshing combs with respect to the electrode layers, whereby individual capacitors formed by two adjacent electrode layers and the dielectric layer in between are connected in parallel with one another, whereby the capacitance of the multilayer capacitor can be increased.
  • a dielectric layer contains boric acid as a sintering aid in order to improve the sintering properties.
  • the invention specifies a method for producing the multilayer capacitor according to the invention, which has the following steps:
  • Process steps c) and f) are carried out in an atmosphere which has an increased oxygen content compared to normal ambient air.
  • Carrying out the process steps in an atmosphere with an increased oxygen content A has the advantage that the stability of the ceramic produced therewith is increased. It is important here that all process steps which take place after the addition of the silver and which take place at temperatures which are higher than room temperature are carried out in an atmosphere with an increased oxygen content.
  • Increased oxygen content means an increased oxygen content compared to air which has an oxygen content of approximately 21% by volume. The oxygen content must therefore be greater than 21%.
  • the mixture of the oxides Nb2Ü5 and Ta2Ü5 or their thermal treatment has the advantage that a mutual diffusion between the different oxides can take place.
  • the ceramic material in the dielectric layer is a single-phase perovskite ceramic as the main component. This has the advantage that the dielectric layers can be produced relatively easily, since, for example, different phases of one or more ceramic materials do not have to be produced.
  • FIG. 1 shows an example of a multilayer capacitor according to the invention in a schematic perspective illustration.
  • FIG. 2 shows the dependency of the relative change in the capacitance of various multilayer capacitors according to the invention as a function of the temperature.
  • FIG. 1 shows a multilayer capacitor which contains a stack 1 of layers 2, 3 lying one above the other. Dielectric layers 2 are alternately stacked together with electrode layers 3. Contact layers 4, 5 are applied to opposite outer sides of the layer stack 1.
  • the dielectric layers 2 are produced on the basis of a perovskite ceramic with the composition Ag (Nbg s ⁇ Tag 42) 03.
  • the exemplary ceramic thus has an x of
  • the dielectric layers have a thickness of approximately 14 ⁇ m in the sintered state.
  • the electrode layers are applied in the form of a screen printing paste to the dielectric layers which are still in the form of a green sheet at the start of production.
  • the electrode layers alternately have free edges 6 at their end of the base body 1 adjacent to the contact layer 4 or adjacent to the contact layer 5, on which the relevant electrode layer is not guided all the way to the edge of the layer stack. As a result, each electrode layer 3 is only contacted with one contact layer 4, 5. This creates for the electrode layer ten 3 the structure of interlocking combs, whereby the capacitance of the capacitor can be increased.
  • the contact layers 4, 5 have each been applied in the form of silver baking pastes to an end face of the base body 1 of the multilayer capacitor.
  • ⁇ C / C_ stands for the maximum relative change in the capacitance of the capacitor in the temperature interval between -25 ° C and + 25 ° C and ⁇ C / C + for the maximum relative change in the capacitance in the temperature interval between + 25 ° C and + 85 ° C, each given in percent and based on the capacitance of the capacitor at a temperature of 25 ° C.
  • Table 2 Electrical properties of various multilayer capacitors according to the invention, measured at a frequency of 1 kHz
  • FIG. 2 shows the relative change ⁇ C / C in the capacitance in relation to the capacitance of the capacitor at the temperature of 25 ° C. in the temperature range between -25 ° C. and + 85 ° C. for samples 1, 2 and 3.
  • Curve K1 relates to sample 1, curve K2 to sample 2 and curve K3 to sample 3.
  • the temperature dependence of the capacitance weakens with an increasing number of internal electrodes (see also table).
  • the changes in capacitance measured in the capacitors produced according to the exemplary embodiment do not meet the requirements of the C0G characteristic, according to which the capacitance may change by a maximum of 0.6% in the temperature interval from -55 ° C. to + 125 ° C.
  • the capacitors according to the invention have temperature coefficients for capacitance (TKC) which are in the order of magnitude of the COG characteristic.
  • the ceramic material is sintered together with a metallic noble metal in order to increase the dielectric constant of the ceramic material.
  • the precious metal can be silver, for example. From this, advantageous electro-ceramic components can also be provided without internal electrodes but only with contact layers arranged on the base body.

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Abstract

Die Erfindung betrifft einen Vielschichtkondensator mit einem Grundkörper (1), der von einem Stapel aus übereinanderliegenden Schichten (2, 3) mit wenigstens einer keramischen Dielektrikumschicht (2) und einer Elektrodenschicht (3) gebildet ist, bei dem die Oberfläche des Grundkörpers (1) zwei Kontaktschichten (4, 5) aufweist und bei dem eine Dielektrikumschicht (2) eine Dielektrizitätskonstante ∈ aufweist, die größer als 440 ist. Der Kondensator hat den Vorteil, dass er eine hohe Elektrizitätskonstante aufweist und somit in kleiner Baugrösse mit hoher Kapazität hergestellt werden kann. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung des Vielschichtkondensators, sowie ein elektrokeramisches Bauelement.

Description

Beschreibung
Elektrokeramiscb.es Bauelement, Vielschichtkondensator und Verfahren zur Herstellung des Vielschichtkondensators
Die Erfindung betrifft einen Vielschichtkondensator mit einem Grundkörper, der von einem Stapel aus übereinanderliegenden Schichten mit wenigstens einer keramischen Dielektrikumschicht und einer Elektrodenschicht gebildet ist und bei dem die Oberfläche des Grundkörpers zwei Kontaktschichten aufweist .
Aus der Druckschrift . Valant, D. Suvorov, "Microwave Cera- mics with Permittivity over 400", The 9th International Mee- ting on Ferroelectricity, Seoul, South Korea, 1997, Abstract Book, P-05-TH-067 sind Vielschichtkondensatoren bekannt, deren Dielektrikumschichten eine Keramik aufweisen, denen eine Niob-basierte perovskitartige "Solid-Solution" mit der allgemeinen Formel A (B]__xNbx) O3 zugrunde liegt. Es wurde gefunden, daß solche Keramiken sich durch eine hohe Dielektrizitätskonstante e «= 400 auszeichnen. Darüber hinaus weisen diese Keramikmaterialien bei niedrigen Frequenzen zwischen 100 kHz und 1 MHz geeignete dielektrische Eigenschaften auf, so daß sie für den Einsatz in Vielschichtkondensatoren geeignet sind.
Aus der Druckschrift A. Kania, Ag (Nbι_xTax) O3 Solid Solutions - Dielectric Properties and Phase Transitions, Phase Transitions, 1983, Volume 3, p . 131 bis 140, ist ein Keramikmaterial bekannt, das auf der Basis von Silber, Niob und Tantal, im folgenden ANT genannt, hergestellt ist und das in Form einer "Solid Solution" der beiden Materialien AgNbC>3 und AgTaO vorliegt. Die in dieser Druckschrift beschriebene Keramik weist die Zusammensetzung Ag (Nb]__xTax) O3 / im folgenden ANTx genannt, auf, wobei x zwischen 0 und 0,7 variieren kann. Je nach Zusammensetzung weist die Keramik bei einer Temperatur von etwa 300 K ein e zwischen 80 und 400 auf. Aus der Druckschrift Matjaz Valant, Danilo Suvorov, New High- Permittivity Ag (Nb]__xTax) O3 Microwave Ceramics : Part 2, Dielectric Characteristics, J. Am. Ceram. Soc . 82 [1], pp. 88 - 93 (1999) ist es bekannt, daß scheibenförmige Kera- mikkörper aus ANTx mit einem x-Parameter zwischen 0,46 und 0,54 eine starke relative Änderung der Dielektrizitätskonstanten e im Temperaturintervall zwischen -20 °C und 120 °C aufweisen. Dabei wurde insbesondere gezeigt, daß der Verlauf der relativen Änderung von e mit der Temperatur einer Kurve folgt, die zwischen 20 °C und 70 °C ein Maximum aufweist und Werte zwischen -0,07 und 0,01 annimmt. Die Dielektrizitätskonstante e beträgt dabei zwischen 360 und 415, abhängig vom Tantalgehalt der Keramik.
Aus der Druckschrift DE 196 53 792 AI sind Vielschichtkondensatoren bekannt, bei denen die Dielektrikumschichten aus verschiedenen Keramikmaterialien bestehen, wodurch verschiedene Temperaturkoeffizienten miteinander ausgeglichen werden können. Diese Kondensatoren haben den Nachteil, daß zu ihrer Herstellung die Erzeugung verschiedener keramischer Materialien und ein dementsprechend hoher Aufwand notwendig ist. Die verwendeten Keramiken basieren dabei zum einen auf Strontium- titanat beziehungsweise auf Strontiumtitanat mit Legierungen (TKC negativ) . Andererseits werden als Dielektrika mit posi- tiven Temperaturkoeffizienten Materialien auf der Basis von Tantaloxidmangantitanat verwendet .
Ferner ist aus der Druckschrift WO 98/03446 bekannt, daß durch Dotierung von ANT mit Lithium, Wolfram, Mangan oder Wismut der Temperaturkoeffizient der Dielektrizitätskonstanten TKe bei einzelnen Temperaturen auf sehr kleine Werte bis zu +/-70 ppm/K reduziert werden kann.
Die bekannten Vielschichtkondensatoren haben den Nachteil, daß die zur Anwendung kommende Keramik in dem Kondensator eine relativ kleine Dielektrizitätskonstante aufweist. Dies hat zur Folge, daß zur Herstellung von Kondensatoren mit hohen Kapazitäten relativ große Baugrößen erforderlich sind. Dies ist im Zuge der fortschreitenden Miniaturisierung der elektrischen Bauelemente, insbesondere auf dem Mobilfunksektor, unerwünscht .
Ziel der vorliegenden Erfindung ist es daher, einen Vielschichtkondensator anzugeben, der es erlaubt, hohe Kapazitäten bei gleichzeitig kleinen Baugrößen zu realisieren.
Dieses Ziel wird erfindungsgemäß durch einen Vielschichtkondensator nach Patentanspruch 1 erreicht. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung und ein Verfahren zur Herstellung des Vielschichtkondensators sind den weiteren Patentansprüchen zu entnehmen .
Die Erfindung gibt einen Vielschichtkondensator an, der einen Grundkörper aufweist. Der Grundkorper ist von einem Stapel aus übereinanderllegenden Schichten gebildet. Wenigstens eine dieser Schichten ist eine keramische Dielektrikumschicht. We- nigstens eine weitere dieser Schichten ist eine elektrisch leitfähige Elektrodenschicht. Die Oberfläche des Grundkörpers weist zwei Kontaktschichten auf. Eine der Dielektrikumschichten weist eine Dielektrizitätskonstante e auf, die größer als 440 ist.
Für die Kapazität eines Plattenkondensators gilt :
C = 6 ■ 60 • - d
wobei e die Vakuum-Dielektrizitätskonstante, A die Fläche der einander gegenüberliegenden Kondensatorplatten und d der Abstand der Kondensatorplatten voneinander ist. e ist die Dielektrizitätskonstante des zwischen den Kondensatorplatten angeordneten Dielektrikums . Aufgrund der hohen Dielektrizitätskonstante e > 440 kann bei gleichbleibender Plattenkondensatorflache A beziehungsweise bei gleichbleibendem Abstand d der Kondensatorplatten eine höhere Kapazität C des Bauelements erreicht werden. Umgekehrt kann dieselbe Kapazität C mit Hilfe eines Bauelements erreicht werden, das kleinere geometrische Dimensionen aufweist, die durch die Fläche A der Kondensatorplatten beziehungsweise durch den Abstand d der Kondensatorplatten voneinander bestimmt ist.
In einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung enthält eine Dielektrikumschicht eine Perovskitkeramik der Zusammensetzung Ag (Nbι_xTax) O3. Ferner enthält eine Elektrodenschicht ein metallisches Edelmetall. Dieses Edelmetall kann bei- spielsweise Silber sein. Zudem sind die Dielektrikumschichten und die Elektrodenschichten des den Grundkörper bildenden Schichtstapels gemeinsam gesintert.
Perovskitkeramiken der genannten Zusammensetzung sind nach dem Stand der Technik, wo ausschließlich scheibenförmige Keramikproben beschrieben und vermessen worden sind, in Zusammenhang mit kleineren Dielektrizitätskonstanten beschrieben worden. Überraschenderweise wird durch den Aufbau eines Viel- schichtkondensators und durch die Gemeinsamsinterung der ge- nannten Perovskitkeramik in Verbindung mit edelmetallhaltigen Elektrodenschichten erreicht, daß die Perovskitkeramik eine deutlich erhöhte Dielektrizitätskonstante aufweist.
Desweiteren ist es vorteilhaft, wenn für den Parameter x in der oben angegebenen Zusammensetzung gilt:
0,5 ≤ l - x ≤ 0,7.
Dadurch wird der Vorteil erreicht, daß die Änderung der Kapa- zität des Kondensators mit der Temperatur relativ gering ist. Desweiteren ist es für die Erfindung vorteilhaft, wenn die Zahl der Elektrodenschichten größer als zehn ist. Es hat sich bei der Herstellung verschiedener Vielschichtkondensatoren gezeigt, daß mit zunehmender Anzahl von Innenelektroden die Dielektrizitätskonstante des Kondensators weiter ansteigt.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung sind direkt benachbarte Elektrodenschichten mit jeweils einer verschiedenen KontaktSchicht elektrisch leitend kontaktiert. Dadurch entsteht bezüglich der Elektrodenschichten eine Struktur von zwei nach dem Reißverschluß-Prinzip ineinandergreifenden Kämmen, wodurch durch zwei benachbarte Elektrodenschichten und der dazwischenliegenden Dielektrikumschicht gebildete Einzel- kondensatoren miteinander parallel geschaltet sind, wodurch die Kapazität des Vielschichtkondensators erhöht werden kann.
Desweiteren ist es vorteilhaft, wenn zur Verbesserung der Sintereigenschaften eine Dielektrikumschicht als Sinterhilfsmittel Borsäure enthält .
Desweiteren gibt die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung des erfindungsgemäßen Vielschichtkondensators an, das folgende Schritte aufweist:
a) Herstellen einer ersten Mischung aus Nb2Ü5 und Ta2θ5 und
Kalzinieren der ersten Mischung zur Bildung eines Precursors
b) Vermischen von Ag2θ und H3BO3 mit dem Precursor zur Bildung einer zweiten Mischung
c) Kalzination der zweiten Mischung
d) Herstellen von keramischen Folien aus der zweiten Mischung
e) Übereinanderstapeln von keramischen Folien und Elektrodenschichten f) Sintern des Folienstapels
g) Aufbringen von Kontaktschichten
Dabei werden die Verfahrensschritte c) und f) in einer Atmosphäre durchgeführt, die einen gegenüber normaler Umgebungsluft erhöhten Sauerstoffgehalt ausweist. Insbesondere ist es vorteilhaft, die genannten Verfahrensschritte in reiner Sauerstoffatmosphäre durchzuführen. Die Durchführung der Verfah- rensschritte in einer Atmosphäre mit erhöhtem Sauerstoffgehalt A hat den Vorteil, daß die Stabilität der damit hergestellten Keramik erhöht wird. Es kommt hierbei darauf an, daß sämtliche Verfahrensschritte, die nach der Zugabe des Silbers erfolgen und die bei gegenüber Raumtemperatur erhöhten Tempe- raturen ablaufen, in einer Atmosphäre mit erhöhtem Sauerstoffgehalt durchgeführt werden. Erhöhter Sauerstoffgehalt bedeutet einen gegenüber Luft, die einen Sauerstoffgehalt von zirka 21 Volumen-% aufweist, erhöhten Sauerstoffgehalt . Der Sauerstoffgehalt muß also größer als 21 % sein.
Die Mischung der Oxide Nb2Ü5 und Ta2Ü5 beziehungsweise deren thermische Behandlung hat den Vorteil, daß eine wechselseitige Diffusion zwischen den verschiedenen Oxiden stattfinden kann.
Vorteilhaft ist es zudem, wenn das Keramikmaterial in der Dielektrikumschicht als Hauptkomponente eine einphasige Perovskitkeramik ist. Dies hat den Vorteil, daß die Dielektrikumschichten relativ einfach hergestellt werden können, da beispielsweise nicht verschiedene Phasen eines oder mehrerer Keramikmaterialien hergestellt werden müssen.
Ein beispielhaftes Verfahren zur Herstellung eines erfindungsgemäßen Vielschichtkondensators ist der folgenden Tabel- le zu entnehmen: Tabelle 1
Ablauf der Keramikherstellung für die ANTx-Keramik beziehungsweise Herstellung eines erfindungsgemäßen Vielschicht- kondensators
Figure imgf000009_0001
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbei- spielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert . Figur 1 zeigt beispielhaft einen erfindungsgemäßen Vielschichtkondensator in einer schematischen perspektivischen Darstellung .
Figur 2 zeigt die Abhängigkeit der relativen Änderung der Kapazität verschiedener erfindungsgemäßer Vielschichtkondensatoren in Abhängigkeit von der Temperatur.
Figur 1 zeigt einen Vielschichtkondensator, der einen Stapel 1 von übereinanderliegenden Schichten 2, 3 enthält. Dabei sind Dielektrikumschichten 2 abwechselnd mit Elektrodenschichten 3 miteinander verstapelt. An gegenüberliegenden Außenseiten des Schichtstapels 1 sind Kontaktschichten 4, 5 aufgebracht. Figur 1 zeigt eine spezielle Bauform eines Viel- Schichtkondensators mit den Abmessungen: Länge = 1,25 mm, Breite = 2 mm und Höhe = 0,8 mm.
Die Dielektrikumschichten 2 sind auf der Basis einer Perovskitkeramik der Zusammensetzung Ag(Nbg sβTag 42)03 her- gestellt. Die beispielhafte Keramik weist somit ein x von
0,42 auf. Dieser Keramik ist additiv noch 1 Gew.-% H3BO3 zugefügt worden. Die Dielektrikumschichten weisen dabei eine Dicke von etwa 14 μm im gesinterten Zustand auf. Die Elektrodenschichten bestehen aus einer Paste, die eine Mischung aus Silber und Palladium im Gewichtsverhältnis von Ag/Pd = 70/30 enthält. Es kann auch ein anderes Gewichtsverhältnis gewählt werden. Wichtig ist lediglich, daß der Silbergehalt größer als 60 % ist. Die Elektrodenschichten werden in Form einer Siebdruckpaste auf die zu Beginn der Herstellung noch in Form einer Grünfolie vorliegenden Dielektrikumschichten aufgebracht. Die Elektrodenschichten weisen abwechselnd an ihrem der Kontaktschicht 4 angrenzenden beziehungsweise an der Kontaktschicht 5 angrenzenden Ende des Grundkörpers 1 Freiränder 6 auf, an denen die betreffende Elektrodenschicht nicht bis ganz zum Rand des Schichtstapels geführt ist. Dadurch ist jede Elektrodenschicht 3 nur mit jeweils einer KontaktSchicht 4, 5 kontaktiert. Dadurch entsteht für die Elektrodenschich- ten 3 die Struktur von ineinandergreifenden Kämmen, wodurch die Kapazität des Kondensators erhöht werden kann.
Die Kontaktschichten 4, 5 sind in Form von Silbereinbrennpa- sten jeweils auf eine Stirnseite des Grundkörpers 1 des Vielschichtkondensators aufgebracht worden.
Es wurden basierend auf der zur Figur 1 beschriebenen Perovskitkeramik elektrische VielSchichtbauelemente mit einer unterschiedlichen Anzahl von Elektrodenschichten hergestellt. Die Anzahl der Elektrodenschichten ist gleich der Anzahl der Innenelektroden. Die folgende Tabelle 1 zeigt im Überblick die elektrischen Eigenschaften der hergestellten Vielschichtkondensatoren im Vergleich. Dabei steht in der ersten Spalte die Nummer der entsprechenden Probe. Desweiteren steht N für die Anzahl der Innenelektroden, C für die Kapazität des Kondensators in der Einheit Nanofarad, e für die Dielektrizitätskonstante, tangδ für den Verlustfaktor, R-j_s für den Isolationswiderstand in der Einheit 106 MΩ. ΔC/C_ steht für die maximale relative Änderung der Kapazität des Kondensators im Temperaturintervall zwischen -25°C und +25°C sowie ΔC/C+ für die maximale relative Änderung der Kapazität im Temperaturintervall zwischen +25°C und +85°C, jeweils angegeben in Prozent und bezogen auf die Kapazität des Kondensators bei der Temperatur 25°C.
Tabelle 2 : Elektrische Eigenschaften verschiedener erfindungsgemäßer Vielschichtkondensatoren, gemessen bei einer Frequenz von 1 kHz
Figure imgf000011_0001
In Figur 2 ist die relative Änderung ΔC/C der Kapazität bezogen auf die Kapazität des Kondensators bei der Temperatur von 25°C im Temperaturbereich zwischen -25°C und +85°C für die Proben 1, 2 und 3 dargestellt. Dabei bezieht sich die Kurve Kl auf die Probe 1, die Kurve K2 auf die Probe 2 und die Kurve K3 auf die Probe 3.
Es wird beobachtet, daß die Temperaturabhängigkeit der Kapazität mit zunehmender Anzahl von Innenelektroden schwächer wird (vgl. auch Tabelle) . Die bei den gemäß dem Ausführungsbeispiel hergestellten Kondensatoren gemessenen Änderungen der Kapazität erfüllen zwar nicht die Vorgaben der C0G- Charakteristik, wonach sich die Kapazität im Temperaturintervall von -55°C bis +125°C um maximal 0,6 % ändern darf, je- doch haben die erfindungsgemäßen Kondensatoren Temperaturkoeffizienten für die Kapazität (TKC) , die in der Größenordnung der COG-Charaktteristik liegen.
Die Untersuchungen zeigen, daß durch die Gemeinsamsinterung der Silber, Niob und Tantal enthaltenden Perovskitkeramik mit silberhaltigen Innenelektroden eine wesentliche Verbesserung der Dielektrizitätskonstante erreicht werden kann. Es hat sich ferner gezeigt, daß eine weitere Verbesserung erreicht werden kann, indem eine möglichst große Kontaktfläche zwi- sehen Keramikschichten und Innenelektroden vorgesehen wird. Eine solche erhöhte Kontaktfläche kann beispielsweise durch eine erhöhte Anzahl von Innenelektroden erreicht werden. Es ist aber genauso gut denkbar, bei gleichbleibender Zahl von Innenelektroden die Grundfläche des Grundkδrpers gemäß Figur 1 zu vergrößern.
Es kommt also lediglich darauf an, daß das Keramikmaterial zusammen mit einem metallischen Edelmetall gesintert wird, um die Dielektrizitätskonstante des Keramikmaterials zu erhöhen. Das Edelmetall kann beispielsweise Silber sein. Daraus können vorteilhafte elektrokeramische Bauelemente auch ohne Innenelektroden sondern lediglich mit auf dem Grundkörper angeordneten Kontaktschichten bereitgestellt werden.

Claims

Patentansprüche
1. Elektrokeramisches Bauelement (1),
- mit einem Grundkörper (1) , auf dessen Oberfläche zwei Kontaktschichten (4, 5) angeordnet sind,
- bei dem der Grundkörper (1) eine einphasige Perovskitkeramik der Zusammensetzung Ag (Nbl-xTax) O3 enthält, die zusammen mit einem in dem Grundkörper angeordneten metallischen Edelmetall gesintert ist .
2. Vielschichtkondensator mit einem Grundkörper (1), der von einem Stapel aus übereinanderliegenden Schichten (2, 3) mit wenigstens einer keramischen Dielektrikumschicht (2) und einer Elektrodenschicht (3) gebildet ist, - bei dem die Oberfläche des Grundkδrpers (1) zwei Kontakt- schichten (4, 5) aufweist
- und bei dem eine Dielektrikumschicht (2) eine Dielektrizitätskonstante e aufweist, die größer als 440 ist.
3. Vielschichtkondensator nach Anspruch 2, bei dem Dielektrikumschichten (2) und Elektrodenschichten (3) gemeinsam gesintert sind,
- bei dem eine Dielektrikumschicht (2) eine Perovskitkeramik der Zusammensetzung Ag (Nbl-xTax) O3 enthält, - und bei dem eine Elektrodenschicht (3) ein metallisches Edelmetall enthält.
4. Vielschichtkondensator nach Anspruch 3, bei dem für die Perovskitkeramik gilt: 0,5 ≤ 1-x < 0,7.
5. Vielschichtkondensator nach einem der Ansprüche 2 bis 4, bei dem die Zahl der Elektrodenschichten (3) größer als zehn ist .
6. Vielschichtkondensator nach einem der Ansprüche 2 bis 5, bei dem jede Elektrodenschicht mit genau einer der Kontakt- schichten (4, 5) kontaktiert ist und bei dem benachbarte Elektrodenschichten mit verschiedene Kontaktschichten (4, 5) kontaktiert sind.
7. Vielschichtkondensator nach einem der Ansprüche 3 bis 6, bei dem die Perovskitkeramik als Sinterhilfsmittel 0,1 - 10 Gew.-% Borsäure enthält.
8. Verfahren zur Herstellung eines Vielschichtkondensators nach einem der Ansprüche 2 bis 7 mit folgenden Schritten:
a) Herstellen einer ersten Mischung von Nb2Ü5 und Ta2Ü5 und Kalzinieren der ersten Mischung zur Bildung eines Precursors b) Vermischen von Ag2θ und H3BO3 mit dem Precursor zur Bildung einer zweiten Mischung c) Kalzination der zweiten Mischung d) Herstellen von keramischen Folien aus der zweiten Mischung e) Übereinanderstapeln von keramischen Folien und Elektrodenschichten (3) f) Sintern des Folienstapels g) Aufbringen von Kontaktschichten (4, 5)
wobei die Schritte c) und f) in einer Atmosphäre durchgeführt werden, die einen gegenüber der Umgebungsluft erhöhten Sauerstoffgehalt aufweist.
9. Elektrokeramisches Bauelement nach Anspruch 1, bei dem das Edelmetall Silber ist .
10. Vielschichtkondensator nach einem der Ansprüche 2 bis 7, bei dem das Edelmetall Silber ist.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005012395A1 (de) * 2005-03-17 2006-09-21 Epcos Ag Durchführungsfilter und elektrisches Mehrschicht-Bauelement
JP2006265629A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Yamaha Marine Co Ltd 電気防食装置用電極
JP2006265628A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Yamaha Marine Co Ltd 船舶用エンジンの外部電源式電気防食装置
DE102005022142B4 (de) * 2005-05-12 2011-12-15 Epcos Ag Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Durchführungsbauelementes
DE102005050638B4 (de) 2005-10-20 2020-07-16 Tdk Electronics Ag Elektrisches Bauelement
CN111524705A (zh) * 2020-04-29 2020-08-11 深圳市峰泳科技有限公司 堆叠结构的平面电容及其制作方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5629252A (en) * 1995-06-15 1997-05-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for manufacturing a dielectric ceramic composition dielectric ceramic and multilayer high frequency device
WO1998003446A1 (en) * 1996-07-19 1998-01-29 Ins^¿Titut Joz^¿Ef Stefan Microwave dielectric ceramics based on silver, niobium and tantalum oxides
DE10042359A1 (de) * 2000-08-29 2002-03-21 Epcos Ag Kondensator

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4027209A (en) * 1975-10-02 1977-05-31 Sprague Electric Company Ceramic capacitor having a silver doped dielectric of (Pb,La)(Zr,Ti)O3
JPS60124306A (ja) * 1983-12-06 1985-07-03 京セラ株式会社 誘電体磁器組成物
US4640905A (en) * 1985-05-01 1987-02-03 E. I. Du Pont De Nemours And Company Dielectric compositions
DE19653792A1 (de) * 1996-12-21 1998-06-25 Philips Patentverwaltung Bauteil mit flacher Temperaturcharakteristik

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5629252A (en) * 1995-06-15 1997-05-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for manufacturing a dielectric ceramic composition dielectric ceramic and multilayer high frequency device
WO1998003446A1 (en) * 1996-07-19 1998-01-29 Ins^¿Titut Joz^¿Ef Stefan Microwave dielectric ceramics based on silver, niobium and tantalum oxides
DE10042359A1 (de) * 2000-08-29 2002-03-21 Epcos Ag Kondensator

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
VALANT M ET AL: "New high-permittivity AgNb1-xTaxO3 microwave ceramics. I. Crystal structures and phase-decomposition relations", JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY, AMERICAN CERAMIC SOCIETY. COLUMBUS, US, vol. 82, no. 1, January 1999 (1999-01-01), pages 81 - 87, XP002186343, ISSN: 0002-7820 *

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Publication number Publication date
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