WO2003008352B1 - Device and method for scribing fragile material substrate - Google Patents

Device and method for scribing fragile material substrate

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Claims

捕正書の請求の範囲 [ 2 0 0 3年 1月 6日 （0 6 . 0 1 . 0 3 ) 国際事務局受理：新しい請求の範囲 8— 1 0が加えられた；出願当初の請求の範囲 4は捕正された；他の請求の範囲は変更 なし。 （2頁) ]
1 . (補正後） 脆性材料基板の表面におけるスクライブ形成予定ラインに沿つ て、 該脆性材料基板の軟化点よりも低い温度で連続して加熱する加熱手段と、 該加熱手段によって加熱された脆性材料基板表面の領域の近傍を冷却する冷 却手段と、
前記加熱手段によって前記脆性材料表面の初期亀裂の形成予定箇所が加熱さ れた後に、 該スクライブ形成予定ラインに沿つた初期亀裂を該初期亀裂の形成 予定箇所に形成する亀裂形成手段と、
を具備する脆性材料基板のスクライブ装置。
2 . 前記冷却手段にて冷却された領域の近傍をさらに加熱する加熱手段が設け られている請求項 1に記載の脆性材料基板のスクライブ装置。
3 . 前記亀裂形成手段は、 短波長のパルスレーザ一発振器を有している請求項 1に記載の脆性材料基板のスクライブ装置。
4 . (補正後） 脆性材料基板の表面におけるスクライブ形成予定ラインに沿つ て、 該脆性材料基板の軟化点よりも低い温度で脆性材料基板の表面を加熱しつ つ、 該加熱された領域の近傍の領域を連続して冷却することにより、 該スクラ ィブ形成予定ラインに沿ってクラックを形成する脆性材料基板のスクライブ方 法であって、
前記脆性材料基板表面の初期亀裂の形成予定箇所が、 まず加熱された後の時 点で該初期亀裂の形成予定箇所にスクライブ形成予定ラインに沿つた初期亀裂 を形成することを特徴とする脆性材料基板のスクライブ方法。
5 . 前記初期亀裂は、 短波長のパルスレ一ザビームによって形成されることを 特徴とする請求項 4に記載の脆性材料基板のスクライブ方法。
6 . 前記初期亀裂は、 前記脆性基板の側縁部に形成される請求項 5に記載の脆 性材料基板のスクライブ方法。
7 . 前記初期亀裂は、 前記形成されたスクライブラインに対して、 前記形成さ れたスクライブラインの直後に、 ほぼ直角に接するように形成される請求項 6 に記載の脆性材料基板のスクライブ方法。
8 . (追加） 脆性材料基板の表面におけるスクライブ形成予定ラインに沿って、
20
補正された用紙 （条約第 19条） 該脆性材料基板の軟化点よりも低い温度で連続して加熱する加熱手段と、 該加熱手段によって加熱された脆性材料基板表面の領域の近傍を冷却する冷 却手段と、
該スクライブ形成予定ラインに沿った初期亀裂を脆性材料基板表面の初期亀 裂の形成予定箇所に形成する亀裂形成手段と、
を具備する脆性材料基板のスクライブ装置において、
前記加熱手段によつて前記初期亀裂の形成予定箇所が加熱され、 該初期亀裂 の形成予定箇所の周辺に圧縮応力が発生した状況で、 前記初期亀裂形成手段に よつて前記スクライブ予定ラインに沿つた初期亀裂を形成することを特徴とす る脆性材料基板のスクライブ装置。
9 . (追加） 前記冷却手段にて冷却された領域の近傍をさらに加熱する加熱手 段が設けられている請求項 8に記載の脆性材料基板のスクライブ装置。
1 0 . (追加） 前記亀裂形成手段は、 短波長のパルスレーザー発振器を有して いる請求項 8に記載の脆性材料基板のスクライブ装置。
21
補正された用紙（条約第 19条）
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