WO2002019405A1 - Polissoir - Google Patents

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WO2002019405A1
WO2002019405A1 PCT/JP2001/007323 JP0107323W WO0219405A1 WO 2002019405 A1 WO2002019405 A1 WO 2002019405A1 JP 0107323 W JP0107323 W JP 0107323W WO 0219405 A1 WO0219405 A1 WO 0219405A1
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WO
WIPO (PCT)
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polishing
polished
guide member
wafer
holding
Prior art date
Application number
PCT/JP2001/007323
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Isao Sugaya
Original Assignee
Nikon Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corporation filed Critical Nikon Corporation
Publication of WO2002019405A1 publication Critical patent/WO2002019405A1/ja

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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34Accessories
    • B24B37/345Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27Work carriers
    • B24B37/30Work carriers for single side lapping of plane surfaces

Definitions

  • the present invention relates to a polishing apparatus suitable for use in, for example, polishing for flattening a semiconductor device in a process of manufacturing a semiconductor device such as ULSI.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • a polishing apparatus that performs polishing by CMP includes a polishing body such as a polishing pad and a holding unit such as a chuck that holds an object to be polished such as a wafer, and a polishing agent is provided between the polishing body and the object to be polished.
  • a load is applied between the polishing body and the object to be polished in a state in which the object is interposed, and the object to be polished is polished by (1) and relatively moving.
  • the first problem is “pad inclination”.
  • the head section is a flexible mechanism having an angle-following property in order to absorb a parallelism error between the pad surface and the chuck surface due to the additional assembly and undulation of the wafer surface. Is adopted. For this reason, if the pad protrudes from the wafer while swinging, on the other hand, this flexibility backfires and tilts to the side where the pad protrudes, resulting in a problem that desired polishing is not performed.
  • the pressure of the pad against the wafer is not evenly distributed, resulting in edge flaws in which the edge of the wafer is cut most, resulting in non-uniform polishing. There was a problem that it would.
  • the second problem is “pad steps”. Pads not protruding from the wafer are crushed by the pressing force, but protruding portions are thicker than the former due to the restoring force of the pad material. The region that has been restored to this thickness by being released from the pressing force comes into contact with the wafer again due to the rotation of the head. At the moment when the step portion rides on the wafer, the released pad surface is rapidly compressed again, so that the pressure applied to the wafer becomes non-uniform near the edge. The same thing happens the moment the crushed pad is released from the pressure. For these reasons, there has been a problem that desired polishing cannot be obtained near the edge of the wafer.
  • the third problem is “pad pressure”.
  • the pressure of the knot on the wafer has a great influence on the polishing state. Basically, in order to perform uniform polishing on the entire wafer, it is desirable that the pressing force per unit area of the pad be uniform.
  • the contact surface changes because the pad surface sometimes protrudes from the wafer, and consequently the pressing force per unit area changes.
  • the guide member for supporting the protruding portion of the polishing pad which protrudes from the wafer to the periphery when polishing the wafer.
  • the guide surface for supporting the protruding portion of the guide member is arranged substantially flush with the polished surface of the wafer, and the guide member is arranged near the outer periphery of the wafer to minimize the distance between the two.
  • a wafer transfer device for loading a wafer to a holding portion such as a chuck with a face-up or unloading the wafer from the holding portion with a face-up after polishing is used as a wafer transfer device.
  • a transport device having a gripper for gripping the outer peripheral portion is generally used. Therefore, when the guide member is to be arranged close to the outer periphery of the wafer, the guide member becomes an obstacle to the gripping portion.
  • the guide member is arranged at a considerably large distance, for example, about 10 mm from the outer periphery of the wafer, or the guide member is basically arranged close to the outer periphery of the wafer. It is conceivable to form a notch only at the position where the gripping part enters the member.
  • the positioning accuracy of the transfer by the transfer device is limited, and the holding portion of the transfer device is opened to release from the outer peripheral portion of the object to be polished.
  • the position of the object to be polished with respect to the holding portion was likely to be shifted due to recoil at the moment of the movement or slippage due to water droplets on the holding portion, and the subsequent polishing was sometimes not performed well.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and uses a transfer device having a gripper for gripping an outer peripheral portion of an object to be polished, and performs mouth opening and unloading of the object to be polished to a holding unit.
  • a polishing apparatus that can polish an object to be polished more uniformly, can reduce abrasion of a polished body, and can prolong the life of the polished object, despite being able to perform polishing. With the goal.
  • Another object of the present invention is to provide a polishing apparatus capable of improving the positional accuracy of an object to be polished with respect to a holding portion and performing better polishing. Disclosure of the invention
  • a polishing apparatus includes a polishing body, and a holding unit that holds an object to be polished, wherein a polishing unit is provided between the polishing body and the object to be polished.
  • a polishing apparatus that polishes the polishing object by applying a load between the polishing body and the polishing object and moving the polishing object relative to the polishing object in a state in which an agent is interposed;
  • a guide member is provided for supporting a protruding portion of the polishing body that protrudes from the object to be polished to its periphery.
  • the object to be polished When the object to be polished is loaded and unloaded on the holding unit, the object is evacuated to a position where it does not interfere with the gripper that grips the outer peripheral portion of the object to be polished in the transport device that conveys the object to be polished. As described above, it is configured to be relatively movable with respect to the holding unit.
  • the guide member is provided for supporting the protruding portion of the abrasive body, and at least a part of the guide member is relatively retracted to a position where the guide member does not interfere with the gripping portion of the transfer device. So as to be movable relative to the holding portion. Therefore, when polishing the object to be polished, the guide surface for supporting the protruding portion of the guide member is arranged substantially flush with the polished surface of the wafer, and the guide member is arranged near the outer periphery of the wafer so as to be in close contact with each other.
  • the distance between the holders can be reduced as much as possible, while at the time of loading and unloading of the object to be polished to the holding portion, interference between the guide member and the grip portion can be avoided.
  • the object to be polished can be polished more uniformly, and wear of the polished body can be reduced.
  • the guide member has a guide surface that supports the protruding portion, and the guide surface is a polishing surface of the object to be polished. Between the first position, which is substantially flush with the second surface, and the second position, at which the guide surface falls from the polishing surface of the object to be polished. It is configured to be relatively movable, and performs polishing at the first position.
  • the polishing apparatus is the polishing apparatus according to the first aspect, wherein the guide member includes a plurality of individual guide members sequentially arranged along the periphery of the object to be polished and separated from each other.
  • the individual guide members are each A first position in a direction substantially along the polishing surface of the polishing object and radially inward, and a second position in a direction substantially along the polishing surface of the polishing object and radially outward. And polishing is performed at the first position.
  • a polishing apparatus is the polishing apparatus according to the first aspect, wherein the guide member includes a plurality of individual guide members that are sequentially arranged along the periphery of the object to be polished and are separated from each other.
  • Each of the individual guide members has a first position in a direction substantially along the polishing surface of the object to be polished and radially inward, and a direction substantially along the polishing surface of the object to be polished. And between the second position in the radially outward direction and the third position in the radially inward direction further than the first position. This is done at position 1.
  • a polishing apparatus is the polishing apparatus according to the first aspect, wherein the guide member includes one or more first individual guide members, and a plurality of second individual guide members.
  • the first individual guide member does not move relative to the holding portion at least with respect to movement other than rotation of the holding portion
  • the plurality of second individual guide members include It is configured to be relatively movable with respect to the holding portion so as to retreat to each position that does not interfere with the grip portion.
  • the second to fifth aspects are specific examples of the first aspect, but the first aspect is not limited to these examples.
  • the third position is set to the position of the polishing object. If it is set at a position suitable for high-accuracy ringing on the holding part, it will hold the polishing object by moving inside each individual guide member when mouthing the polishing object on the holding part. Centering with respect to the part enables accurate positioning. Therefore, better polishing can be achieved.
  • the object to be polished can be sent to the holding part and positioned accurately.
  • the individual guide members unlike the fourth embodiment, even when polishing, it is not necessary to increase the distance between the individual guide member and the outer periphery of the object to be polished with respect to the sensing time.
  • the individual guide members also rotate together with the object to be polished, and high-accuracy sensing can be performed only when the two members do not relatively move.
  • FIG. 1 schematically shows a state of a polishing apparatus according to a first embodiment of the present invention during polishing. It is a schematic sectional drawing shown typically.
  • FIG. 2 is a view taken along the line AA ′ in FIG.
  • FIG. 3 is a schematic bottom view showing a main part of the wafer transfer device.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a predetermined state of the polishing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic sectional view showing another state of the polishing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic sectional view showing still another state of the polishing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a schematic sectional view showing still another state of the polishing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic plan view schematically showing a main part of a polishing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a schematic perspective view showing an individual guide member and an air cylinder.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view taken along line CC ′ in FIG. 8 showing a predetermined state.
  • FIG. 11 is a schematic sectional view taken along the line CC ′ in FIG. 8 showing another predetermined state.
  • FIG. 12 is a schematic cross-sectional view taken along line C-C 'in FIG. 8, showing still another predetermined state.
  • FIG. 13 is a schematic sectional view taken along the line C-C 'in FIG. 8, showing still another predetermined state.
  • FIG. 14 is a schematic cross-sectional view showing a predetermined state of the polishing apparatus according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a schematic sectional view showing another predetermined state of the polishing apparatus according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a schematic sectional view showing still another predetermined state of the polishing apparatus according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 17 is a schematic plan view schematically showing a main part of a polishing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 18 is a schematic cross-sectional view taken along the line DD in FIG.
  • FIG. 19 is a schematic sectional view taken along line EE ′ in FIG. 17 showing a predetermined state.
  • FIG. 20 is a schematic sectional view taken along line EE ′ in FIG. 17 showing another predetermined state.
  • FIG. 21 is a schematic perspective view showing a movable guide member and an air cylinder.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view schematically showing a polishing apparatus according to a first embodiment of the present invention during polishing.
  • FIG. 2 is a view taken along the line AA ′ in FIG.
  • FIG. 3 is a schematic bottom view showing a main part of the wafer transfer device 12 and corresponds to a view taken along the line BB ′ in FIG. 4 to 7 are schematic cross-sectional views corresponding to FIG. 1, showing respective states of the polishing apparatus according to the present embodiment.
  • the polishing apparatus supplies a polishing member 1, a holding section 3 that holds a process wafer 2 as an object to be polished below the polishing member 1, and supplies an abrasive (slurry) onto the wafer 2.
  • a polishing agent supply section 4 and a guide member 5 for supporting a protruding portion of a polishing body 7 protruding from the wafer 2 to the periphery thereof during polishing of the wafer 2 are provided.
  • the polishing member 1 has a polishing body (polishing pad) 7 fixed to the lower surface of a polishing platen 6 and is rotated by a mechanism (not shown) as shown by arrows J, K, and L in FIG. It can be swung up and down and left and right (reciprocating).
  • the holding unit 3 includes a chuck 8 having a large number of air passages (not shown) and capable of vacuum-sucking the wafer 2 on the upper surface, a chuck table 9 supporting the chuck 8, and a member 10 constituting a rotating shaft. It has a known structure. Further, the holding section 3 is provided with a pipeline 11 for vacuum suction or the like. The wafer 2 is held on the holding unit 3 by vacuum suction, and the upper surface of the wafer 2 is a polished surface.
  • the holding section 3 is rotatable as shown by an arrow ⁇ in FIG. 1 by a mechanism (not shown) using an electric motor as an actuator.
  • the diameter of the polishing member 1 is smaller than the diameter of the wafer 2.
  • a part of the polishing body 7 temporarily protrudes from the wafer 2 to the periphery thereof as shown in FIG. 1 by swinging of the polishing member 1 in the direction indicated by the arrow L.
  • the guide member 5 is entirely retracted to a position where the guide member 5 does not interfere with the gripping claws 13 serving as a gripping portion of the wafer transfer device 12 when loading and unloading the wafer 2 onto the holding portion 3. So as to be movable relative to the holding unit 3.
  • the guide member 5 is formed in a ring shape from a ceramic material having excellent wear resistance such as zirconia alumina, and is held coaxially with the holding portion 3. It is arranged along the outer periphery of the part 3.
  • the upper surface of the guide member 5 is a guide surface 5a that supports the protruding portion of the polishing body 7 during polishing.
  • a cylindrical support member 14 is arranged coaxially with the holding portion 3 and along the outer periphery of the holding portion 3.
  • the support member 14 is fixed to a member (not shown) that supports the holding section 3 in a rotating manner, and does not rotate together with the holding section 3 even when the holding section 3 rotates in the direction of arrow M.
  • the cover member 30 is fixed to the support member 14.
  • the support member 14 may be fixed to the index table.
  • the index table supports the plurality of holding portions 3 so as to be freely rotatable. If an index tape is used, while one holding unit 3 is located on the polishing stage, another holding unit 4 is located on the mouth-loading stage or the unloading stage, etc., and a plurality of wafers 2 can be efficiently processed. Can be polished.
  • the polishing apparatus according to the present invention may have only a single holding section 3.
  • the support member 14 is provided with air cylinders 15 at four locations at 90 ° in the circumferential direction as a mechanism for moving the guide member 5 up and down.
  • Each air cylinder 15 has a cylinder body 16, a piston 17, a piston ring 18, a piston load 29, and an upper side defined by the piston 17 in the cylinder body 16.
  • a ventilation path 20 communicating with a lower chamber in the cylinder body 16.
  • the button rod 29 passes through a guide hole formed in the support member 14 and protrudes upward from the upper surface of the support member. The upper end of the piston rod 29 is fixed to the lower surface of the guide member 5.
  • the wafer transfer device 12 has a support 21 and six gripping claws 13 projecting downward from the lower surface of the support 21 via moving mechanisms 22 respectively.
  • the six gripping claws 13 are arranged at six positions at 60 ° in the circumferential direction in the horizontal plane.
  • Each of the gripping claws 13 is formed with an engagement groove 13 a that engages with the outer peripheral portion of the wafer 2. As shown in FIG. 3, each gripping claw 13 is moved inward and outward in the radial direction by each moving mechanism 22 to grip and release the outer peripheral portion of the wafer 2.
  • the wafer 2 is vacuum-adsorbed to the upper surface of the holding unit 3.
  • the air passage 19 is connected to the vacuum pump and the air passage 20 is opened to the atmosphere, so that the guide surface 5 a of the guide member 5 is substantially flush with the polished surface (upper surface) of the wafer 2. ing.
  • the inner circumference of the guide member 5 is extremely close to the outer circumference position of the wafer 2.
  • the polishing member 1 swings while rotating, and is pressed against the upper surface of the wafer 2 on the holding section 3 with a predetermined pressure.
  • the holder 2 is rotated to rotate the wafer 2 so that the wafer 2 and the polishing member 1 perform relative movement.
  • the abrasive is supplied from the abrasive supply unit 4 onto the wafer 2, and the abrasive is diffused on the wafer 2, and the abrasive body 7 and the wafer 2 are moved along with the relative movement between the abrasive member 1 and the wafer 2.
  • the chemical action of the abrasive acts synergistically to achieve good polishing.
  • the wafer 2 is unloaded from the holding section 3 in the order of FIG. 4 ⁇ FIG. 5 FIG. 6 FIG. That is, first, the gripper 13 of the wafer transfer device 12 is approached to the wafer 2 with the gripping claw 13 opened (FIG. 4). Next, the air passage 19 is opened to the atmosphere and the air passage 20 is evacuated. After being connected to the pump, the guide member 5 is retracted downward, and the gripping claws 13 are inserted near the outer periphery of the wafer 2 (FIG. 5). O After the gripper 13 grips the outer periphery of the wafer 2 (FIG. 6), the vacuum suction of wafer 2 is released, and wafer 2 is lifted (FIG. 7).
  • the guide surface 5 of the guide member 5 when polishing the wafer 2, the guide surface 5 of the guide member 5 is arranged substantially flush with the polished surface of the wafer 2, and the guide member 5 is 2 can be arranged close to the outer circumference of the holder 2 so that the distance between the two can be reduced as much as possible.
  • the loading and unloading of the wafer 2 with respect to the holding unit 3 is performed using the wafer transfer device 12 having the gripping claws 13 that grip the outer peripheral portion of the wafer 2.
  • the wafer 2 can be polished more uniformly, and the wear of the polishing body 7 can be reduced.
  • the guide member 5 is fixed separately from the holding portion 3 and does not rotate together with the holding portion 3, but the support member 14 is fixed to the holding portion 3 and the guide member 5 is fixed.
  • the member 5 may be rotated integrally with the holding section 3.
  • the guide member 5 is configured to move up and down with respect to the holding portion 3, but the guide member 5 is configured to be able to move up and down with respect to the guide member 5. May be.
  • FIG. 8 is a schematic plan view schematically showing a main part of a polishing apparatus according to a second embodiment of the present invention, and corresponds to FIG.
  • FIG. 9 is a schematic perspective view showing one individual guide member 35 and one air cylinder 38 for moving the individual guide member 35 in the radial direction.
  • Figures 1 0 to 1 3 shows the respective states of a polishing apparatus according to this embodiment
  • C in FIG. 8 - is a schematic cross-sectional view taken along the C 5 line.
  • FIGS. 10 to 13 correspond to FIGS. 4 to 7, respectively. 8 to 13, the same or corresponding elements as those in FIGS. 1 to 7 are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.
  • the guide member 5 is integrally formed as a whole and configured to move up and down, whereas in the present embodiment, the guide member 5 is formed on the outer periphery of the wafer 2. Are sequentially arranged along and separated from each other Each of the individual guide members 35 is configured to move in a radial direction substantially along the polished surface of the wafer 2.
  • the six individual guide members 35 have a Z-shaped cross section which is arranged coaxially with the holding section 3 and slightly spaced from the outer circumference of the holding section 3 along the outer circumference of the holding section 3.
  • the one ring-shaped member has a shape such that it is separated at intervals of 60 ° along a plane passing through the central axis of the holding portion 3.
  • Each of the individual guide members 35 is guided by a lower member 36 and an upper member 37 arranged around the holding portion 3 as shown in FIGS. 8 and 10 to 13.
  • the holder 3 can be moved radially around the rotation axis of the holder 3.
  • the members 36 and 37 are fixed to a member (not shown) that rotatably supports the holding portion 3.
  • each individual guide member 35 serves as a guide surface 35 a for supporting the protruding portion of the polishing body 7 during polishing, and the polishing surface of the wafer 2 held on the holding portion 3. (Upper surface).
  • an air cylinder 38 having the same structure as the air cylinder 15 is provided one-to-one with the individual guide member 35.
  • Each air cylinder 38 is turned sideways and arranged radially as shown in FIG. 8, the cylinder body 39 is fixed to the members 36, 37, and the tip of the screw rod 40 is fixed to each member.
  • the individual guide member 35 is fixed to the outer peripheral surface of the outer falling portion.
  • each guide member 35 stops when it comes into contact with the outer inner wall and retreats to a position where it does not interfere with the gripping claws 13 of the wafer transfer device 12 during loading and unloading. Is set.
  • each individual guide member 35 is generally fixed separately from the holding portion 3 and does not rotate together with the holding portion 3, but as a special example, each member 36 , 37 may be fixed to the holding section 3 so that each individual guide member 35 rotates integrally with the holding section 3.
  • FIGS. 14 to 16 are schematic cross-sectional views showing respective states of the polishing apparatus according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a schematic cross-sectional view taken along line C-C ′ in FIG. Yes, it is.
  • the same or corresponding elements as those in FIGS. 8 to 13 are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.
  • each individual guide member 35 is formed in the radial direction.
  • the individual guide members 35 are configured to stop at the three radial positions.
  • a step portion 35b is formed at a lower portion of each individual guide member 35, and a stopper as a stopper capable of engaging with the step portion 35b of each individual guide member is provided. Solenoid plungers 45 are added for each individual guide member 35.
  • the wafer 2 is loaded on the holding unit 3 by the wafer transfer device 12. At this time, the positioning accuracy of the transfer by the wafer transfer device 12 is limited, the reaction at the moment when the gripper 13 of the transfer device 12 is opened and released from the outer peripheral portion of the wafer 2, the water drop on the holding portion 3, etc. In some cases, as shown in FIG. 14, the wafer 2 may shift in position due to slippage caused by, for example.
  • the air passage 41 of the air cylinder 38 is connected to a vacuum pump (not shown).
  • the ventilation path 42 is opened to the atmosphere and the air path is released to the atmosphere, the biston moves inward in the radial direction, abuts against the radially inner wall of the cylinder body 39, and stops.
  • the inner peripheral surface of 5 is located very close to the outer peripheral surface of the wafer 2 held on the holding section 3.
  • the dimensions are slightly changed, and the position of the inner peripheral surface of each individual guide member 35 in the state of FIG. 15 is the position of the inner peripheral surface of the individual guide member 35 in the state of FIGS. 10 and 13. Therefore, it is located further inward in the radial direction.
  • the air passage 41 is opened to the atmosphere and the air passage 42 is evacuated.
  • the plunger 45's mouth engages the lower step 35b of each individual guide member 35 and stops, and each individual guide member 35 in the state of Fig. 15 is stopped.
  • the position of the inner peripheral surface is the same as the position of the inner peripheral surface of the individual guide member 35 in the state of FIGS. 10 and 13.
  • the position of the inner peripheral surface of each individual guide member 35 is determined at the time of polishing in consideration of the fact that the wafer 2 rotates while the wafer 2 is polished but the individual guide members 35 do not rotate together.
  • the distance between the individual guide member 35 and the outer periphery of the wafer 2 is set to be wider than that at the time of the ringing shown in FIG.
  • the loading of the wafer 2 onto the holding unit 3 is performed in the order of FIG. 14, FIG. 15, and FIG. 16, and the wafer 2 may be polished in the state of FIG. 16. Then, the unloading of wafer 2 from holding unit 3 16 It should be done in the order of Fig. 14.
  • the same advantages as those of the first and second embodiments can be obtained, and the wafer 2 can be positioned relative to the holding portion 3 with high accuracy. Therefore, better polishing can be achieved.
  • the members 36 and 37 are fixed to the holder 3 so that the individual guide members 35 rotate integrally with the holder 3. If the position of the inner peripheral surface of each individual guide member 35 in the state shown in FIG. 10 and FIG. 13 is set to be the same as the position shown in FIG.
  • the wafer 2 can be mounted on the holder 3 with the same high accuracy.
  • FIG. 17 is a schematic plan view schematically showing a main part of a polishing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention, and corresponds to FIG.
  • FIG. 18 is a schematic sectional view taken along the line DD ′ in FIG.
  • FIGS. 19 and 20 are schematic cross-sectional views taken along the line EE in FIG. 17 showing the respective states of the polishing apparatus according to the present embodiment.
  • FIG. 21 is a schematic perspective view showing one movable guide member 56 and one air cylinder 15 for moving the movable guide member 56 up and down.
  • FIG. 19 corresponds to FIGS. 4 and 7
  • FIG. 20 corresponds to FIGS. 5 and 6.
  • FIGS. 17 to 21 the same or corresponding elements as those in FIGS. 1 to 7 are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.
  • the guide members 5 are integrally formed as a whole and are configured to move up and down.
  • the guide members 5 include one fixed guide. Member (first individual guide member) 5, and six movable guide members (second individual guide members) 56, the same number as the number of gripping claws 13 of the wafer transfer device 12.
  • the fixed guide member 55 is basically formed in a ring shape, is fixed to the upper surface of the cylindrical support member 14, and is disposed coaxially with the holding portion 3 along the outer periphery of the holding portion 3. .
  • the inner peripheral surface of the fixed guide member 55 is extremely close to the outer peripheral position of the wafer 2 except for a notch described later.
  • the upper surface of the fixed guide sound material 55 is a guide surface 55 a that supports the protruding portion of the polishing body 7 during polishing, and the polished surface (upper surface) of the wafer 2 held on the holder 3. ) And is almost flush.
  • the fixed guide members 5 5 are provided with six gripping claws 13 so as to avoid the six gripping claws 13 of the wafer transfer device 12 when loading and unloading the wafer 2 with respect to the holding section 3. There are six cutouts corresponding to each. Six movable guide members 56 are arranged in these six notched portions, respectively. Each movable guide member 56 has a shape that substantially fits into each notch of the fixed guide member 55. The upper surface of each movable guide member 56 is a guide surface 56a that supports the protruding portion of the polishing body 7 during polishing. The lower surface of each movable guide member 56 is fixed to the upper end of the piston rod 29 of each air cylinder 15.
  • the fixed guide member 55 and the movable guide member 56 are fixed separately from the holding part 3 and do not rotate together with the holding part 3, but the supporting member 14 is
  • the fixed guide member 55 and the movable guide member 56 may be fixed to the holding portion 3 so as to rotate integrally with the holding portion 3.
  • the air cylinder is used as an actuator that constitutes a moving mechanism that moves all or a part of the guide member 5, but instead, an air cylinder is used instead of a hydraulic cylinder and an electric motor. Alternatively, a moving mechanism using the above may be adopted.
  • the guide member 5 is provided over the entire periphery of the holding portion 3. However, when the polishing body 7 protrudes only partially around the holding portion 3, However, the guide member 5 may be arranged only at a position corresponding to the portion. Industrial applicability
  • the polishing apparatus according to the present invention can be used, for example, for flattening and polishing semiconductor devices in the process of manufacturing semiconductor devices such as ULSI.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Description

技術分野
本発明は、 例えば、 U L S Iなどの半導体デバイスを製造する工程に おいて、 半導体デバイスの平坦明化研磨等に用いるのに好適な研磨装置に 関するものである。
田 背景技術
近年、 半導体デバイス等の表面のグローバル平坦化技術として、 化学 的機械的研磨 ( Chemical Mechanical Pol ishing又は Chemical Mechanical Planarization、 以下では C M Pと称す) 技術が採用されている。 C M P は、 物理的研磨に化学的な作用 (研磨剤、 溶液による溶かし出し) を併 用してウェハの表面凹凸を除いていく工程である。 C M Pによる研磨を 行う研磨装置は、 研磨パッ ド等の研磨体と、 ウェハ等の研磨対象物を保 持するチヤック等の保持部とを備え、 研磨体と前記研磨対象物との間に 研磨剤を介在させた状態で、 研磨体と研磨対象物との間に荷重を加え、 ■ かつ相対移動させることにより、 研磨対象物を研磨する。
この種の研磨装置には、 研磨対象物の研磨時に、 研磨体と研磨対象物 との相対移動により、 研磨体の一部を一時的に研磨対象物からその周囲 へはみ出せるものがある。 従来から、 例えば、 チャックにフェイスアツ プで真空吸着されたウェハを、 角度追従性のあるフレキシブルな研磨へ ヅ ド部に取り付けたスモールパッ ド (ウェハよりも小径の研磨パッ ド) で研磨する場合、 ウェハから研磨パッ ドを一時的にはみ出させる研磨装 置が提供されている。 ウェハ等の研磨対象物の研磨時に、 研磨パッ ド等の研磨体を研磨対象 物からその周囲へはみ出させる、 前述した従来の研磨装置では、 ウェハ から研磨パッ ドがはみ出した時に生ずるオーバ一ハングが原因で、 以下 に説明する 3つの問題が生じていた。
第 1の問題は、 「パッ ドの傾き」である。 前記従来の研磨装置では、 加 ェ組立に起因するパッ ド面とチヤック面の平行度誤差や、 ウェハ表面の うねりなどを吸収するために、 へッ ド部は角度追従性のあるフレキシブ ルな機構を採用している。 このため、 パッ ドが揺動中にウェハからはみ 出すと、 逆にこのフレキシブルさが裏目に出てしまいパッ ドがはみ出し た側に傾く結果、 所望の研磨が行われないという問題が生じていた。 具 体的には、 ウェハに対するパッ ドの加圧力が等分布にならず、 結果的に ウェハの端部が一番多く削れてしまうエツジファース トが生じてしまい、 研磨が均一に行われなくなってしまうという問題があった。
第 2の問題は、 「パヅ ドの段差」である。 ウェハからはみ出していない 箇所のパッ ドは加圧力により押しつぶされているが、 はみ出した箇所は パッ ド材の復元力により前者よりも厚くなっている。 加圧力から解放さ れてこの厚みに復元した領域は、 へッ ド部の回転により再びウェハに接 触する。 この段差部がウェハに乗り上げる瞬間は、 解放されていたパッ ド面が再び急激に圧縮されるために、 ウェハが受ける加圧状態はエツジ 付近で不均一になる。 押しつぶされていたパッ ドが加圧力から解放され る瞬間にも同様のことが起きる。 これらが原因で、 ウェハのエッジ近傍 では所望の研磨が得られないという問題が生じていた。
第 3の問題は、 「パッ ドの加圧力」である。ノ ッ ドのウェハに対する加 圧力は、 研磨状態に大きな影響力を持つ。 基本的に、 ウェハ全体に対し て均一な研磨を行うためには、 パッ ドのウェハに対する単位面積当たり の加圧力は均等になることが望ましい。 しかし、 上記の通り、 従来はパ ッ ド面がウェハからはみ出す時があるために接触面積が変化し、 結果的 に単位面積当たりの加圧力が変化してしまうという問題があった。
これの問題を解消するため、 ウェハの研磨時にウェハからその周囲へ はみ出す研磨パッ ドのはみ出し部分を支持するガイ ド部材を、 設けるこ とが考えられる。 この場合、 はみ出し部分がガイ ド部材により支持され るので、 前述した第 1乃至第 3の問題が解消され、 ウェハの研磨を均一 に行うことができるはずである。 この場合、 ガイ ド部材における前記は み出し部分を支持するガイ ド面をウェハの研磨面とほぼ面一に配置し、 ガイ ド部材をウェハの外周に近傍に配置して両者の間隔を極力狭めてお けば、 研磨パッ ドがウェハからはみ出しても、 研磨パッ ドがウェハから はみ出していない状態と実質的に同等の状態が実現され、 前述した第 1 乃至第 3の問題が解消され、 研磨対象物の研磨を均一に行うことが判明 した。
しかし、 前記従来の研磨装置を使用する場合、 ウェハをフェイスアツ プでチャック等の保持部にローデイ ングしたり、 研磨後にウェハを保持 部からフェイスアツプでアンローディ ングするウェハ搬送装置として、 ウェハの外周部を把持する把持部を有する搬送装置を、一般的に用いる。 したがって、 前記ガイ ド部材をウェハの外周に接近させて配置しようと すると、 ガイ ド部材が把持部にとって障害となってしまう。
そこで、 ガイ ド部材をウェハの外周から例えば 1 0 m m程度とかなり 大きい間隔をあけて配置するか、 あるいは、 ガイ ド部材を基本的にゥェ ハの外周に接近させて配置するが当該ガイ ド部材に把持部が入り込む位 置にだけ切欠きを形成することが考えられる。
ところが、 前者のようにガイ ド部材とウェハとの間隔を広げると、 研 磨パッ ドのはみ出し部分を支持するというガイ ド部材の効果が十分に発 揮されず、 前述した第 1乃至第 3の問題を十分に解消し得ず、 ウェハを 十分に均一に研磨することができない。 また、 後者のようにガイ ド部材 に切欠きを形成すると、 当該切欠きのエッジにより研磨パツ ドが急激に 摩耗してしまうなどの新たな問題が生じてしまう。
また、 前記従来の研磨装置では、 研磨対象物を保持部にローデイ ング する際に、 搬送装置による搬送の位置決め精度の限界や、 搬送装置の把 持部を開いて研磨対象物の外周部から解放した瞬間の反動や、 保持部上 の水滴等による滑りなどの原因で、 保持部に対する研磨対象物の位置ず れが生じ易く、 その後の研磨が良好に行われない場合もあった。
本発明は、 このような事情に鑑みてなされたもので、 研磨対象物の外 周部を把持する把持部を有する搬送装置を用いて、 保持部に対する研磨 対象物の口一ディ ング及びアンローディ ングを行うことができるにもか かわらず、 研磨対象物をより均一に研磨することができるとともに、 研 磨体の摩耗を低減し、 寿命を長くすることができる、 研磨装置を提供す ることを目的とする。
また、 本発明は、 これに加えて、 保持部に対する研磨対象物の位置精 度を向上させてより良好な研磨を行うことができる研磨装置を提供する ことを目的とする。 発明の開示
前記課題を解決するため、 本発明の第 1の態様による研璋装置は、 研 磨体と、 研磨対象物を保持する保持部とを備え、 前記研磨体と前記研磨 対象物との間に研磨剤を介在させた状態で、 前記研磨体と前記研磨対象 物との間に荷重を加え、 かつ相対移動させることにより、 前記研磨対象 物を研磨する研磨装置において、 前記研磨対象物の研磨時に前記研磨対 象物からその周囲へはみ出す前記研磨体のはみ出し部分を支持するガイ ド部材を備えたものである。 そして、 前記ガイ ド部材の少なく とも一部 が、 前記研磨対象物の前記保持部に対するローディ ング時及びアンロー ディング時に、 前記研磨対象物を搬送する搬送装置における前記研磨対 象物の外周部を把持する把持部と干渉しない位置に、 退避するように、 前記保持部に対して相対的に移動可能に構成される。
この第 1の態様によれば、 研磨体のはみ出し部分を支持するガイ ド部 材を備え、 しかも、 ガイ ド部材の少なく とも一部が、 搬送装置の把持部 と干渉しない位置に相対的に退避するように、 保持部に対して相対的に 移動可能に構成されている。 したがって、 研磨対象物の研磨時には、 ガ ィ ド部材における前記はみ出し部分を支持するガイ ド面をウェハの研磨 面とほぼ面一に配置し、 ガイ ド部材をウェハの外周に近傍に配置して両 者の間隔を極力狭めておく ことができる一方、 保持部に対する研磨対象 物のローディ ング時及びアンローディ ング時には、 ガイ ド部材と把持部 との干渉を回避することができる。このため、前記第 1の態様によれば、 研磨対象物の外周部を把持する把持部を有する搬送装置を用いて、 保持 部に対する研磨対象物の口一ディ ング及びアンローディ ングを行うこと ができるにもかかわらず、 研磨対象物をより均一に研磨することができ るとともに、 研磨体の摩耗を低減することができる。
本発明の第 2の態様による研磨装置は、 前記第 1の態様において、 前 記ガイ ド部材は前記はみ出し部分を支持するガイ ド面を有し、 前記ガイ ド面が前記研磨対象物の研磨面とほぼ面一となる第 1の位置と、 前記ガ ィ ド面が前記研磨対象物の研磨面から立ち下がる第 2の位置との間を、 前記ガイ ド部材の全体が前記保持部に対して相対的に移動し得るように 構成され、 研磨を前記第 1の位置で行うものである。
本発明の第 3の態様による研磨装置は、 前記第 1の態様において、 前 記ガイ ド部材は、 前記研磨対象物の周囲に沿って順次配置され互いに分 離した複数の個別ガイ ド部材を含み、 前記各個別ガイ ド部材が、 前記研 磨対象物の研磨面にほぼ沿った方向であって放射状の内側方向の第 1の 位置と、 前記研磨対象物の研磨面にほぼ沿つた方向であって放射状の外 側方向の第 2の位置との間を、 それそれ移動し得るように構成され、 研 磨を前記第 1の位置で行うものである。
本発明の第 4の態様による研磨装置は、 前記第 1の態様において、 前 記ガイ ド部材は、 前記研磨対象物の周囲に沿って順次配置され互いに分 離した複数の個別ガイ ド部材を含み、 前記各個別ガイ ド部材が、 前記研 磨対象物の研磨面にほぼ沿った方向であって放射状の内側方向の第 1の 位置と、 前記研磨対象物の研磨面にほぼ沿った方向であって放射状の外 側方向の第 2の位置と、 前記第 1の位置より更に前記放射状の内側方向 の第 3の位置との間を、 それそれ移動し得るように構成され、 研磨を前 記第 1の位置で行うものである。
本発明の第 5の態様による研磨装置は、 前記第 1の態様において、 前 記ガイ ド部材は、 1つ以上の第 1の個別ガイ ド部材と、 複数の第 2の個 別ガイ ド部材とを含み、 前記第 1の個別ガイ ド部材は、 少なく とも前記 保持部の自転以外の動きに関しては、 前記保持部に対して相対的に移動 せず、 前記複数の第 2の個別ガイ ド部材は、 前記把持部と干渉しない各 位置にそれそれ退避するように、 前記保持部に対して相対的に移動可能 に構成されたものである。
前記第 2乃至第 5の態様は前記第 1の態様の具体例であるが、 前記第 1の態様はこれらの例に限定されるものではない。
前記第 4の態様の場合には、 前記第 1の態様に関して述べた利点が得 られるのみならず、 各個別ガイ ド部材が放射状の方向に移動するので、 前記第 3の位置を研磨対象物の保持部に対する高精度のセン夕リングに 適した位置に設定しておけば、 研磨対象物の保持部に対する口一ディン グ時に、 各個別ガイ ド部材の内側への移動によって、 研磨対象物を保持 部に対してセンタリングして精度良く位置決めすることが可能になる。 よって、 より良好な研磨を達成することができる。
前記第 4の態様では、 例えば、 研磨対象物の研磨時に、 研磨対象物と 個別ガイ ド部材とが相対的に移動する場合 (例えば、 研磨対象物が自転 するが個別ガイ ド部材が自転しない場合) に、 その移動時に互いに接触 しないように、 研磨時にはセン夕リング時に比べて個別ガイ ド部材と研 磨対象物の外周との間隔を広げる必要がある場合であっても、 精度の良 いセン夕リングが可能となる。
前記第 3の態様の場合には、 前記第 1の位置を研磨対象物の保持部に 対する高精度のセン夕リ ングに適した位置に設定すれば、 前記第 4の態 様と同様に、 研磨対象物を保持部に対してセン夕リングして精度良く位 置決めすることが可能になる。 ただし、 前記第 3の態様では、 前記第 4 の態様と異なり、 研磨時においてもセン夕リング時に対して個別ガイ ド 部材と研磨対象物の外周との間隔を広げる必要がない場合、 例えば、 研 磨時には個別ガイ ド部材も研磨対象物と一緒に自転して両者が相対的に 移動しない場合にのみ精度の良いセン夕 リングが可能となる。 研磨時に 個別ガイ ド部材と研磨対象物とが相対的に移動する場合には、 第 1の位 置で個別ガイ ド部材の何れもが研磨対象物に非接触とされ、 セン夕リン グはされない。
本発明によれば、 研磨対象物の外周部を把持する把持部を有する搬送 装置を用いて、 保持部に対する研磨対象物のローディ ング及びアンロー デイ ングを行うことができるにもかかわらず、 研磨対象物をより均一に 研磨することができるとともに、研磨体の摩耗を低減することができる。 図面の簡単な説明
図 1は、 発明の第 1の実施の形態である研磨装置の研磨時の状態を模 式的に示す概略断面図である。
図 2は、 図 1中の A— A ' 矢視図である。
図 3は、 ウェハ搬送装置の要部を示す概略底面図である。
図 4は、 本発明の第 1の実施の形態である研磨装置の所定の状態を示 す概略断面図である。
図 5は、 本発明の第 1の実施の形態である研磨装置の他の状態を示す 概略断面図である。
図 6は、 本発明の第 1の実施の形態である研磨装置の更に他の状態を 示す概略断面図である。
図 7は、 本発明の第 1の実施の形態である研磨装置の更に他の状態を 示す概略断面図である。
図 8は、 本発明の第 2の実施の形態である研磨装置の要部を模式的に 示す概略平面図である。
図 9は、 個別ガイ ド部材とエアシリンダを示す概略斜視図である。 図 1 0は、 所定の状態を示す図 8中の C— C ' 線に沿った概略断面図 である。
図 1 1は、 他の所定の状態を示す図 8中の C— C ' 線に沿った概略断 面図である。
図 1 2は、 更に他の所定の状態を示す図 8中の C一 C ' 線に沿った概 略断面図である。
図 1 3は、 更に他の所定の状態を示す図 8中の C一 C ' 線に沿った概 略断面図である。
図 1 4は、 本発明の第 3の実施の形態である研磨装置の所定の状態を 示す概略断面図である。
図 1 5は、 本発明の第 3の実施の形態である研磨装置の他の所定の状 態を示す概略断面図である。 図 1 6は、 本発明の第 3の実施の形態である研磨装置の更に他の所定 の状態を示す概略断面図である。
図 1 7は、 本発明の第 4の実施の形態である研磨装置の要部を模式的 に示す概略平面図である。
図 1 8は、 図 1 7中の D— D, 線に沿った概略断面図である。
図 1 9は、 所定の状態を示す図 1 7中の E— E ' 線に沿った概略断面 図である。
図 2 0は、 他の所定の状態を示す図 1 7中の E— E ' 線に沿った概略 断面図である。
図 2 1は、可動ガイ ド部材及びエアシリンダを示す概略斜視図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の実施の形態である研磨装置のうち最良と思われるもの について、 図面を参照して説明する。
[第 1の実施の形態]
図 1は、 本発明の第 1の実施の形態である研磨装置の研磨時の状態を 模式的に示す概略断面図である。 図 2は、 図 1中の A— A ' 矢視図であ る。 図 3は、 ウェハ搬送装置 1 2の要部を示す概略底面図であり、 図 4 中の B— B ' 矢視図に相当している。 図 4乃至図 7はそれそれ、 本実施 の形態による研磨装置の各状態を示す、 図 1に対応する概略断面図であ る。
本実施の形態による研磨装置は、 研磨部材 1 と、 該研磨部材 1の下側 に研磨対象物としてのプロセスウェハ 2を保持する保持部 3と、 ウェハ 2上に研磨剤 (スラリー) を供給する研磨剤供給部 4と、 ウェハ 2の研 磨時にウェハ 2からその周囲へはみ出す研磨体 7のはみ出し部分を支持 するガイ ド部材 5と備えている。 研磨部材 1は、 研磨定盤 6の下面に研磨体 (研磨パッ ド) 7を固定し たものであり、 図示しない機構によって、 図 1中の矢印 J , K, Lで示 すように、 回転、 上下動及び左右に揺動 (往復動) できるようになって いる。 研磨体 7 としては、 例えば、 シート状の発泡ポリウレタン、 ある いは表面に溝構造を有した無発泡樹脂などを用いることができる。 保持部 3は、 図示しない多数の通気路を有し上面にウェハ 2を真空吸 着可能なチャック 8 と、 チャック 8を支持するチャック台 9と、 回転軸 を構成する部材 1 0 とが一体化された、公知の構造を有している。また、 保持部 3には、 真空吸着等のための管路 1 1が設けられている。 ウェハ 2は、 保持部 3上に真空吸着により保持され、 ウェハ 2の上面が研磨面 となっている。 保持部 3は、 ァクチユエ一夕として電動モー夕を用いた 図示しない機構によって、 図 1中の矢印 Μで示すように、 回転できるよ うになつている。
研磨部材 1の径は、 ウェハ 2の径より小さくされている。 ウェハ 2の 研磨時に、 研磨部材 1の矢印 Lで示す方向の揺動によって、 図 1 に示す ように、 研磨体 7の一部が一時的にウェハ 2からその周囲へはみ出すよ うになつている。
ガイ ド部材 5は、 その全体が、 ウェハ 2の保持部 3に対するローディ ング時及びアンローディ ング時に、 ウェハ搬送装置 1 2の把持部として の把持爪 1 3 と干渉しない位置に、 相対的に退避するように、 保持部 3 に対して相対的に移動可能に構成されている。
具体的に説明すると、 本実施の形態では、 ガイ ド部材 5は、 ジルコ二 ァゃアルミナ等の耐摩耗性に優れたセラミ ック材料でリング状に構成さ れ、 保持部 3 と同軸に保持部 3の外周に沿って配置されている。 ガイ ド 部材 5の上面が、 研磨時に研磨体 7のはみ出し部分を支持するガイ ド面 5 aとなっている。 図 1に示すように、 保持部 3 と同軸に保持部 3の外周に沿って、 筒状 の支持部材 1 4が配置されている。 支持部材 1 4は、 保持部 3を回転自 在に支持している図示しない部材に対して固定されており、 保持部 3が 矢印 M方向に回転しても一緒に回転することはない。支持部材 1 4には、 カバー部材 3 0が固定されている。 例えば、 特開 2 0 0 0— 1 2 7 0 2 8号公報に開示されているようなィンデックステーブル構造を採用する 場合には、 支持部材 1 4は、 インデックステーブルに固定すればよい。 ィンデックステーブルは、 複数の保持部 3をそれそれ回動自在に支持す るものである。 インデックステ一プルを用いれば、 ある保持部 3が研磨 ステージに位置している際に、 他の保持部 4が口一ディ ングステージや アンローディングステージ等に位置し、 効率良く複数のウェハ 2を研磨 することができる。 もっとも、 本発明による研磨装置は、 単一の保持部 3のみを有していてもよい。
支持部材 1 4には、 ガイ ド部材 5を上下動させる機構として、 図 1及 び図 2に示すように、 円周方向に 9 0 ° ずつ 4箇所にそれそれエアシリ ンダ 1 5が設けられている。 各エアシリンダ 1 5は、 シリンダ本体 1 6 と、 ピス ト ン 1 7 と、 ピス トンリ ング 1 8 と、 ピス トンロヅ ド 2 9 と、 シリンダ本体 1 6内におけるピス トン 1 7により画成される上側の室に 連通する通気路 1 9 と、 シリンダ本体 1 6内の下側の室に連通する通気 路 2 0 とを有している。 ビス トンロッ ド 2 9は、 支持部材 1 4に形成さ れたガイ ド孔を揷通して、 支持部材の上面から上方に突出している。 ピ ス トンロッ ド 2 9の上端が、 ガイ ド部材 5の下面に固着されている。 通気路 1 9を真空ポンプ (図示せず) に接続するとともに通気路 2 0 を大気に解放すると、 図 1及び図 4に示すように、 ピス トン 1 7が上方 へ移動してシリンダ本体 1 6の上側の内壁に当接して停止し、 ガイ ド部 材 5のガイ ド面 5 aが、 保持部 3上に保持されたウェハ 2の研磨面 (上 面) とほぼ面一となるように、 各部の寸法が設定されている。 また、 通 気路 1 9を大気に解放するとともに通気路 2 0を真空ポンプに接続する と、 図 5及び図 6に示すように、 ピス トン 1 7が下方へ移動してシリン ダ本体 1 6の下側の内壁に当接して停止し、 ガイ ド部材 5が口一ディ ン グ時及びアン口一ディング時のウェハ搬送装置 1 2の把持爪 1 3 と干渉 しない位置に退避するように、 各部の寸法が設定されている。
ウェハ搬送装置 1 2は、 支持体 2 1 と、 支持体 2 1の下面にそれそれ 移動機構 2 2を介して下方に突設された 6本の把持爪 1 3とを有してい る。 6本の把持爪 1 3は、 水平面内の円周方向に 6 0 ° ずつ 6箇所に配 置されている。 各把持爪 1 3には、 ウェハ 2の外周部と係合する係合溝 1 3 aが形成されている。 各把持爪 1 3は、 図 3に示すように、 各移動 機構 2 2によって、 径方向の内側及び外側へ移動し、 ウェハ 2の外周部 を把持及び解放するようになっている。
次に、 本実施の形態による研磨装置の動作について、 説明する。
ウェハ 2の研磨時には、 図 1 に示すように、 ウェハ 2が保持部 3の上 面に真空吸着されている。 また、 通気路 1 9が真空ポンプに接続される とともに通気路 2 0が大気に解放されて、 ガイ ド部材 5のガイ ド面 5 a がウェハ 2の研磨面 (上面) とほぼ面一となつている。 ガイ ド部材 5の 内周は、 ウェハ 2の外周位置に対して極めて近接している。
この状態において、 研磨部材 1は、 回転しながら揺動して、 保持部 3 上のウェハ 2の上面に所定の圧力で押し付けられる。 保持部 3を回転さ せてウェハ 2も回転させ、 ウェハ 2 と研磨部材 1 との間で相対運動を行 わせる。 この状態で、 研磨剤が研磨剤供給部 4からウェハ 2上に供給さ れ、 研磨剤はウェハ 2上で拡散し、 研磨部材 1 とウェハ 2の相対運動に 伴って研磨体 7 とウェハ 2 との間に入り込み、 ウェハ 2の研磨面を研磨 する。すなわち、研磨部材 1 とウェハ 2の相対運動による機械的研磨と、 研磨剤の化学的作用が相乗的に作用して良好な研磨が行われる。
このとき、 図 1に示すように、 研磨部材 1が図 1中の L方向へ揺動す ることにより、 研磨体 7の一部が一時的にウェハ 2からその周囲へはみ 出す。 しかし、 このはみ出し部分は、 ウェハ 2の研磨面とほぼ面一でゥ ェハ 2の外周に近接したガイ ド部材 5により支持されるので、 研磨体 7 がウェハ 2からはみ出していない状態と実質的に同等の状態が実現され る。 その結果、 前述した第 1乃至第 3の問題が解消され、 研磨対象物の 研磨を均一に行うことができる。 しかも、 ガイ ド部材 5には何ら切欠き がないので、 切欠きのェヅジにより研磨体 7の摩耗速度が早まるような ことがない。
ウェハ 2の研磨が終了すると、 図 4→図 5 図 6 図 7の順で、 ゥェ ハ 2が保持部 3からアンローデイ ングされる。 すなわち、 まず、 ウェハ 搬送装置 1 2の把持爪 1 3が開いた状態でウェハ 2に接近される(図 4 ) < 次に、 通気路 1 9が大気に解放されるとともに通気路 2 0が真空ポンプ に接続されて、 ガイ ド部材 5が下方へ退避し、 把持爪 1 3がウェハ 2の 外周付近に挿入される (図 5 ) o把持部 1 3がウェハ 2の外周部を把持し た後 (図 6 )、 ウェハ 2の真空吸着が解除され、 ウェハ 2がリフ トされる (図 7 )。 図 7に示す例では、 このリフ トが完了すると、 ガイ ド部材 5が 元の位置に復帰させられている。 もっとも、 続けて次のウェハ 2が搬送 されてくる場合には、 ガイ ド部材 5を上昇させずに、 そのまま退避位置 で待機させてもよい。 保持部 3に対するウェハ 2のローデイ ングは、 逆 に、 図 7→図 6→図 5 ~>図 4の順で行えばよい。
以上説明したように、本実施の形態によれば、ウェハ 2の研磨時には、 ガイ ド部材 5のガイ ド面 5をウェハ 2の研磨面とほぼ面一に配置し、 ガ ィ ド部材 5をウェハ 2の外周に近傍に配置して両者の間隔を極力狭めて おく ことができる一方、 保持部 3に対するウェハ 2のローディ ング時及 びアン口一ディ ング時には、 ガイ ド部材 5 と把持部 1 3 との干渉を回避 することができる。 このため、 本実施の形態によれば、 ウェハ 2の外周 部を把持する把持爪 1 3部を有するウェハ搬送装置 1 2を用いて、 保持 部 3に対するウェハ 2の口一ディング及びアンローディ ングを行うこと ができるにもかかわらず、 ウェハ 2をより均一に研磨することができる とともに、 研磨体 7の摩耗を低減することができる。
なお、 本実施の形態では、 ガイ ド部材 5は、 保持部 3 と別に固定され ていて保持部 3 と一緒に回転することはないが、 支持部材 1 4を保持部 3に固定し、 ガイ ド部材 5が保持部 3と一体的に回転するようにしても よい。 また、 本実施の形態では、 ガイ ド部材 5が保持部 3に対して上下 動するように構成されていたが、 逆に保持部 3をガイ ド部材 5に対して 上下動し得るように構成してもよい。
[第 2の実施の形態]
図 8は、 本発明の第 2の実施の形態である研磨装置の要部を模式的に 示す概略平面図であり、 図 2に対応するものである。 図 9は、 1つの個 別ガイ ド部材 3 5、 及び、 この個別ガイ ド部材 3 5を径方向に移動させ る 1つのエアシリンダ 3 8を示す、 概略斜視図である。 図 1 0乃至図 1 3はそれぞれ、 本実施の形態による研磨装置の各状態を示す、 図 8中の C - C 5 線に沿った概略断面図である。 図 1 0乃至図 1 3は、 図 4乃至 図 7にそれそれ対応している。 図 8乃至図 1 3において、 図 1乃至図 7 図中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、 その重複する 説明は省略する。
本実施の形態が前記第 1の実施の形態と異なる所は、 以下に説明する 点である。 前記第 1の実施の形態では、 ガイ ド部材 5が全体として一体 に構成され上下動するように構成されていたのに対し、 本実施の形態で は、 ガイ ド部材 5は、 ウェハ 2の外周に沿って順次配置され互いに分離 した 6個の個別ガイ ド部材 3 5で構成され、 各個別ガイ ド部材 3 5がゥ ェハ 2の研磨面にほぼ沿った放射状の方向にそれそれ移動するように構 成されている。
本実施の形態では、 6個の個別ガイ ド部材 3 5は、 保持部 3と同軸に 保持部 3の外周に沿って保持部 3の外周からわずかに間隔をあけて配置 された断面 Z字状の 1つのリング状部材が、 保持部 3の中心軸を通る面 に沿って 6 0 ° ずつに分離されたような、 形状を有している。 各個別ガ ィ ド部材 3 5は、 図 8、 図 1 0乃至図 1 3に示すように、 保持部 3の周 囲に配設された下側部材 3 6及び上側部材 3 7により案内されて、 保持 部 3の回転軸を中心として径方向にそれぞれ移動し得るようになつてい る。 部材 3 6 , 3 7は、 保持部 3を回転自在に支持している図示しない 部材に対して固定されている。 ィンデックステーブル構造を採用する場 合には、 部材 3 6 , 3 7は、 インデックステーブルに固定すればよい。 各個別ガイ ド部材 3 5の内側立ち上がり部の上面が、 研磨時に研磨体 7 のはみ出し部分を支持するガイ ド面 3 5 aとなっており、 保持部 3上に 保持されたウェハ 2の研磨面 (上面) とほぼ面一となるように配置され ている。
また、 本実施の形態では、 前記エアシリンダ 1 5 と同じ構造を有する エアシリンダ 3 8が、 個別ガイ ド部材 3 5 と 1対 1に設けられている。 各エアシリンダ 3 8は、 横倒しにされて図 8に示すように放射状に配置 され、 そのシリ ンダ本体 3 9が部材 3 6 , 3 7に固定され、 そのビス ト ンロッ ド 4 0の先端が各個別ガイ ド部材 3 5の外側立ち下がり部の外周 面に固着されている。
エアシリ ンダ 3 8の通気路 4 1を真空ポンプ (図示せず) に接続する とともに通気路 4 2 を大気に解放すると、図 8及び図 1 0に示すように、 ピス トンが径方向内側へ移動してシリンダ本体 3 9の径方向内側の内壁 に当接して停止し、 各個別ガイ ド部材 3 5の内周面が、 保持部 3上に保 持されたウェハ 2の外周面の近傍に位置するように、 各部の寸法が設定 されている。 また、 通気路 4 1を大気に解放するとともに通気路 4 2を 真空ポンプに接続すると、 図 1 1及び図 1 2に示すように、 ビス トンが 径方向外側へ移動してシリンダ本体 3 9の外側の内壁に当接して停止し、 各個別ガイ ド部材 3 5がローデイング時及びアンローデイング時のゥェ ハ搬送装置 1 2の把持爪 1 3と干渉しない位置に退避するように、 各部 の寸法が設定されている。
本実施の形態によれば、 ウェハ 2の研磨が終了すると、 図 1 0 図 1 1■ 図 1 2 図 1 3の順で、 ウェハ 2が保持部 3からアンローデイ ング される。 保持部 3に対するウェハ 2のローデイ ングは、 逆に、 図 1 3→ 図 1 2 図 1 1 図 1 0の順で行えばよい。
本実施の形態によっても、 前記第 1の実施の形態と同様の利点が得ら れる。
なお、 本実施の形態では、 各個別ガイ ド部材 3 5は、 一般に、 保持部 3と別に固定されていて保持部 3 と一緒に回転することはないが、 特別 な例として、 各部材 3 6 , 3 7を保持部 3に固定し、 各個別ガイ ド部材 3 5が保持部 3 と一体的に回転するようにしてもよい。
[第 3の実施の形態]
図 1 4乃至図 1 6はそれぞれ、 本発明の第 3の実施の形態による研磨 装置の各状態を示す概略断面図であり、 図 8中の C一 C ' 線に沿った概 略断面図に対応している。 図 1 4乃至図 1 6において、 図 8乃至図 1 3 中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、 その重複する説 明は省略する。
本実施の形態が前記第 2の実施の形態と異なる所は、 以下に説明する 点である。 前記第 2の実施の形態では、 各個別ガイ ド部材 3 5が径方向 の 2つの位置で停止するように構成されていたのに対し、 本実施の形態 では、 各個別ガイ ド部材 3 5が径方向の 3つの位置で停止するように構 成されている。 具体的には、 本実施の形態では、 各個別ガイ ド部材 3 5 の下部に段部 3 5 bが形成され、 各個別ガイ ド部材の段部 3 5 bに係合 し得るス トッパーとしてのソレノィ ドプランジャ 4 5が各個別ガィ ド部 材 3 5に対応して追加されている。
本実施の形態では、 図 1 4に示すように、 各プランジャ 4 5のロヅ ド が各個別ガイ ド部材 3 5側に進出していない状態において、 通気路 4 1 を大気に解放するとともに通気路 4 2を真空ポンプに接続すると、 図 1 1及び図 1 2の場合と同じく、 ピス トンが径方向外側へ移動してシリン ダ本体 3 9の外側の内壁に当接して停止し、 各個別ガイ ド部材 3 5が口 一ディ ング時及びアンローディング時のウェハ搬送装置 1 2の把持爪 1 3と干渉しない位置に退避するようになつている。
図 1 4の状態において、 ウェハ搬送装置 1 2によりウェハ 2を保持部 3に対してローデイ ングする。 このとき、 ウェハ搬送装置 1 2による搬 送の位置決め精度の限界や、 搬送装置 1 2の把持爪 1 3を開いてウェハ 2の外周部から解放した瞬間の反動や、 保持部 3上の水滴等による滑り などの原因で、 図 1 4に示すように、 ウェハ 2のセン夕ズレが生ずる場 合がある。
また、 図 1 5 に示すように、 プランジャ 4 5のロッ ドが各個別ガィ ド 部材 3 5側に進出していない状態において、 エアシリンダ 3 8の通気路 4 1を真空ポンプ (図示せず) に接続するとともに通気路 4 2を大気に 解放すると、 ビス トンが径方向内側へ移動してシリ ンダ本体 3 9の径方 向内側の内壁に当接して停止し、 各個別ガイ ド部材 3 5の内周面が、 保 持部 3上に保持されたウェハ 2の外周面の極めて近傍に位置するように なっている。 本実施の形態では、 前記第 1の実施の形態の場合に比べて 若干寸法が変更されて、 図 1 5の状態における各個別ガイ ド部材 3 5の 内周面の位置は、 図 1 0及び図 1 3の状態における個別ガイ ド部材 3 5 の内周面の位置より、 更に径方向内側の位置となっている。
保持部 3によるウェハ 2の真空吸着前に、 図 1 4の状態から図 1 5の 状態に移行すると、 図 1 5に示すように、 各個別ガイ ド部材 3 5の内周 面がウェハ 2の外周面に接触してウェハ 2がセン夕リングされ、 その後 に保持部 3にウェハ 2を真空吸着させれば、 極めて高い精度でウェハ 2 が位置決めされる。 なお、 図 1 5の状態において、 対向する 2つの個別 ガイ ド部材 3 5の内周面が同時に両側からウェハ 2の外周面に接触する わけではなく、 一方の個別ガイ ド部材 3 5の内周面とウェハ 2の外周面 との間には極めて微小であるが隙間があき、 ウェハ 2に無用な力が働か ないようになっている。
さらに、 図 1 6に示すように、 プランジャ 4 5のロッ ドが各個別ガイ ド部材 3 5側に進出している状態において、 通気路 4 1を大気に解放す るとともに通気路 4 2を真空ポンプに接続すると、 プランジャ 4 5の口 ッ ドが各個別ガイ ド部材 3 5の下部の段部 3 5 bに係合して停止し、 図 1 5の状態における各個別ガイ ド部材 3 5の内周面の位置は、 図 1 0及 び図 1 3の状態における個別ガイ ド部材 3 5の内周面の位置と同じ位置 となる。 このときの各個別ガイ ド部材 3 5の内周面の位置は、 ウェハ 2 の研磨時にウェハ 2が自転するが個別ガイ ド部材 3 5が一緒に回転しな いことを考慮して、 研磨時には図 1 5に示すセン夕リング時に比べて個 別ガイ ド部材 3 5 とウェハ 2の外周との間隔を広げるように、 設定され ている。
本実施の形態では、 保持部 3に対するウェハ 2のローデイ ングは、 図 1 4 図 1 5→図 1 6の順で行い、 図 1 6の状態でウェハ 2の研磨を行 えばよい。 そして、 保持部 3からのウェハ 2のアンローデイ ングは、 図 1 6 図 1 4の順で行えばよい。
本実施の形態によれば、 前記第 1及び第 2の実施の形態と同様の利点 が得られる他、 ウェハ 2を保持部 3に対してセン夕リングして精度良く 位置決めすることができる。 したがって、 より良好な研磨を達成するこ とができる。
なお、 前記第 2の実施の形態の場合であっても、 各部材 3 6 , 3 7を 保持部 3に固定し、 各個別ガイ ド部材 3 5が保持部 3と一体的に回転す るようにし、 図 1 0及び図 1 3に示す状態における各個別ガイ ド部材 3 5の内周面の位置を図 1 5に示す位置と同じに設定しておけば、 前記第 3の実施の形態と同程度に高い精度でウェハ 2を保持部 3に対してセン 夕リングすることができる。
[第 4の実施の形態]
図 1 7は、 本発明の第 4の実施の形態による研磨装置の要部を模式的 に示す概略平面図であり、 図 2に対応するものである。 図 1 8は、 図 1 7中の D— D ' 線に沿った概略断面図である。 図 1 9及び図 2 0はそれ それ、本実施の形態による研磨装置の各状態を示す、 図 1 7中の E— E, 線に沿った概略断面図である。 図 2 1は、 1つの可動ガイ ド部材 5 6、 及び、 この可動ガイ ド部材 5 6を上下動させる 1つのエアシリンダ 1 5 を示す、 概略斜視図である。 図 1 9は図 4及び図 7に対応し、 図 2 0は 図 5及び図 6に対応している。 図 1 7乃至図 2 1において、 図 1乃至図 7図中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、 その重複す る説明は省略する。
本実施の形態が前記第 1の実施の形態と異なる所は、 以下に説明する 点である。 前記第 1の実施の形態では、 ガイ ド部材 5が全体として一体 に構成され上下動するように構成されていたのに対し、 本実施の形態で は、 ガイ ド部材 5は、 1つの固定ガイ ド部材 (第 1の個別ガイ ド部材) 5 5 と、 ウェハ搬送装置 1 2の把持爪 1 3と同数の 6個の可動ガイ ド部 材 (第 2の個別ガイ ド部材) 5 6 とで、 構成されている。
固定ガイ ド部材 5 5は、 基本的にリング状に構成され、 筒状の支持部 材 1 4の上面に固定されて、 保持部 3と同軸に保持部 3の外周に沿って 配置されている。 固定ガイ ド部材 5 5の内周面は、 後述する切欠き部を 除いて、 ウェハ 2の外周位置に対して極めて近接している。 固定ガイ ド 音 ί材 5 5の上面が、 研磨時に研磨体 7のはみ出し部分を支持するガイ ド 面 5 5 aとなっており、 保持部 3上に保持されたウェハ 2の研磨面 (上 面) とほぼ面一とされている。
固定ガイ ド部材 5 5は、 保持部 3に対するウェハ 2のローデイ ング時 及びアンローディ ング時にウェハ搬送装置 1 2の 6個の把持爪 1 3を回 避するように、 6個の把持爪 1 3にそれぞれ対応する 6箇所が切り欠か れている。 これらの 6個の切欠き部には、 6個の可動ガイ ド部材 5 6が それぞれ配置されている。 各可動ガイ ド部材 5 6は、 固定ガイ ド部材 5 5の各切欠き部にほぼ適合する形状を有している。 各可動ガイ ド部材 5 6の上面が、 研磨時に研磨体 7のはみ出し部分を支持するガイ ド面 5 6 aとなっている。 各可動ガイ ド部材 5 6の下面が各エアシリンダ 1 5の ピス トンロッ ド 2 9の上端に固着されている。
エアシリンダ 1 5の通気路 1 9を真空ポンプに接続するとともに通気 路 2 0を大気に解放すると、 図 1 9に示すように、 ピス トンが上方へ移 動してシリンダ本体 1 6の上側の内壁に当接して停止し、 可動ガイ ド部 材 5 6のガイ ド面 5 6 aが、 保持部 3上に保持されたウェハ 2の研磨面 及び固定ガイ ド部材 5 5のガイ ド面 5 5 aとほぼ面一となるようになつ ている。 また、 通気路 1 9を大気に解放するとともに通気路 2 0を真空 ポンプに接続すると、 図 2 0に示すように、 ピス トンが下方へ移動して シリンダ本体 1 6の下側の内壁に当接して停止し、 可動ガイ ド部材 5 6 が口一ディ ング時及びアン口一ディ ング時のウェハ搬送装置 1 2の把持 爪 1 3 と干渉しない位置に退避するようになっている。
本実施の形態によっても、 前記第 1の実施の形態と同様の利点が得ら れる。 なお、 本実施の形態において可動ガイ ド部材 5 6を取り除く と、 研磨時に、 固定ガイ ド部材 5 5の切欠き部のエッジにより研磨体 7が急 激に摩耗してしまう。 これに対し、 本実施の形態では、 可動ガイ ド部材 5 6によりそのような研磨体 7の急激な摩耗が抑制される。
なお、 本実施の形態では、 固定ガイ ド部材 5 5及び可動ガイ ド部材 5 6は、 保持部 3 と別に固定されていて保持部 3 と一緒に回転することは ないが、 支持部材 1 4を保持部 3に固定し、 固定ガイ ド部材 5 5及び可 動ガイ ド部材 5 6が保持部 3と一体的に回転するようにしてもよい。 以上、 本発明の各実施の形態について説明したが、 本発明はこれらの 実施の形態に限定されるものではない。
例えば、 前述した各実施の形態では、 ガイ ド部材 5の全部又は一部を 移動させる移動機構を構成するァクチユエ一夕としてエアシリンダが用 いられていたが、 代わりに油圧シリンダゃ電動モ一夕を用いた移動機構 を採用してもよい。 また、 前述した各実施の形態では、 ガイ ド部材 5は 保持部 3の全周に渡って設けられていたが、 研磨体 7が保持部 3の周囲 の一部にしかはみ出さない場合には、 その部分に対応する箇所にのみガ ィ ド部材 5を配置してもよい。 産業上の利用可能性
本発明に係る研磨装置は、 例えば、 U L S Iなどの半導体デバイスを 製造する工程において、 半導体デバイスの平坦化研磨等に用いることが できる。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 研磨体と、 研磨対象物を保持する保持部とを備え、 前記研磨体と 前記研磨対象物との間に研磨剤を介在させた状態で、 前記研磨体と前記 研磨対象物との間に荷重を加え、 かつ相対移動させることにより、 前記 研磨対象物を研磨する研磨装置において、
前記研磨対象物の研磨時に前記研磨対象物からその周囲へはみ出す前 記研磨体のはみ出し部分を支持するガイ ド部材を備え、
前記ガイ ド部材の少なくとも一部が、 前記研磨対象物の前記保持部に 対するローデイング時及びアンローデイング時に、 前記研磨対象物を搬 送する搬送装置における前記研磨対象物の外周部を把持する把持部と干 渉しない位置に、 退避するように、 前記保持部に対して相対的に移動可 能に構成されたことを特徴とする研磨装置。
2 . 前記ガイ ド部材は前記はみ出し部分を支持するガイ ド面を有し、 前記ガイ ド面が前記研磨対象物の研磨面とほぼ面一となる第 1の位置と、 前記ガイ ド面が前記研磨対象物の研磨面から立ち下がる第 2の位置との 間を、 前記ガイ ド部材の全体が前記保持部に対して相対的に移動し得る ように構成され、 研磨を前記第 1の位置で行うことを特徴とする請求の 範囲 1に記載の研磨装置。
3 . 前記ガイ ド部材は、 前記研磨対象物の周囲に沿って順次配置され 互いに分離した複数の個別ガイ ド部材を含み、
前記各個別ガイ ド部材が、 前記研磨対象物の研磨面にほぼ沿った方向 であって放射状の内側方向の第 1の位置と、 前記研磨対象物の研磨面に ほぼ沿った方向であって放射状の外側方向の第 2の位置との間を、 それ それ移動し得るように構成され、 研磨を前記第 1の位置で行うことを特 徴とする請求の範囲 1に記載の研磨装置。
4 . 前記ガイ ド部材は、 前記研磨対象物の周囲に沿って順次配置され 互いに分離した複数の個別ガイ ド部材を含み、
前記各個別ガイ ド部材が、 前記研磨対象物の研磨面にほぼ沿った方向 であって放射状の内側方向の第 1の位置と、 前記研磨対象物の研磨面に ほぼ沿った方向であって放射状の外側方向の第 2の位置と、 前記第 1の 位置より更に前記放射状の内側方向の第 3の位置との間を、 それそれ移 動し得るように構成され、 研磨を前記第 1の位置で行うことを特徴とす る請求の範囲 1に記載の研磨装置。
5 . 前記ガイ ド部材は、 1つ以上の第 1の個別ガイ ド部材と、 複数の 第 2の個別ガイ ド部材とを含み、
前記第 1の個別ガイ ド部材は、 少なく とも前記保持部の自転以外の動 きに関しては、 前記保持部に対して相対的に移動せず、
前記複数の第 2の個別ガイ ド部材は、 前記把持部と干渉しない各位置 にそれぞれ退避するように、 前記保持部に対して相対的に移動可能に構 成されたことを特徴とする請求の範囲 1に記載の研磨装置。
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