WO2001097276A1 - Microparticle arrangement film, electrical connection film, electrical connection structure, and microparticle arrangement method - Google Patents

Microparticle arrangement film, electrical connection film, electrical connection structure, and microparticle arrangement method Download PDF

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WO2001097276A1
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Tatsuo Suzuki
Masateru Fukuoka
Kenji Iuchi
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Sekisui Chemical Co., Ltd.
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Definitions

  • the present invention relates to a fine particle arrangement film in which specific fine particles are arranged on a film, a conductive connection film used for electrical connection between fine electrodes, a conductive connection structure, and a method for arranging fine particles.
  • Conventional technology a fine particle arrangement film in which specific fine particles are arranged on a film, a conductive connection film used for electrical connection between fine electrodes, a conductive connection structure, and a method for arranging fine particles.
  • the method of disposing fine particles at a specific position on a film includes a method of mechanically placing individual particles, a method of transferring previously arranged particles to a film, and a method of applying an adhesive or the like to a specific position of a film.
  • a method of applying and spraying fine particles on the fine particles and attaching the fine particles thereto, and a method of dispersing fine particles in a paste and applying the same have been used.
  • connection portion When connecting such minute opposing electrodes, it is usually necessary to seal the periphery of the connection portion with a resin due to the problem that the strength of each connection portion is weak. Usually, this sealing is performed by injecting a sealing resin after connecting the electrodes. However, there is a problem that it is difficult to inject the sealing resin uniformly in a short time because the distance between the connection portions of the fine counter electrode is short.
  • conductive fine particles are mixed with Pinda resin.
  • Anisotropic conductive adhesives in the form of a film or paste can be considered.
  • anisotropic conductive adhesives usually have conductive fine particles randomly dispersed in the insulating adhesive, the conductive fine particles are continuous in the binder, or fine particles that are not on the counter electrode flow during heating and pressing. May cause leakage at adjacent electrodes.
  • a thin layer of an insulating material is likely to remain between the electrode and the fine particles, so that there is a problem that connection reliability is reduced.
  • the present invention provides a method for efficiently and easily arranging specific fine particles in an arbitrary position in a stable state without any excess or shortage, and an arranged film, that is, basically, one particle in one hole.
  • the method of arranging the fine particles, the fine particle arrangement film, and the fine electrodes facing each other are connected to each other by using a film in which conductive fine particles are arranged at an arbitrary position. It is an object of the present invention to provide a conductive connection film and a conductive connection structure that can easily and easily perform electrical connection with high connection reliability in a short time.
  • the present invention relates to a fine particle-arranged film in which fine particles having an average particle diameter of 5 to 800 / zm, an aspect ratio of less than 1.5, and a CV value of 10% or less are arranged.
  • a hole having a hole diameter of 12 to 2 times the average particle diameter of the fine particles, an aspect ratio of less than 2, and a CV value of 20% or less is provided, and the fine particles are arranged on or in the surface of the hole. It is a fine particle arrangement film.
  • the fine particles are preferably spherical particles having an average particle diameter of 20 to: L 50 ⁇ , an aspect ratio of less than 1.1, a CV value of 2% or less, a ⁇ value of 400 to 15,000 N / mm 2 , and a recovery rate of
  • the coefficient of linear expansion at room temperature is 5% or more, and the coefficient of linear expansion at room temperature is 10 to 200 ⁇ > ⁇ , the ⁇ value is 2000 to 8000 N / mm 2 , the recovery rate is 50% or more, and the coefficient of linear expansion at room temperature is 30. More preferably, it is 100100 ppm.
  • high molecular weight Preferably, the core has a body, and a structure having a metal coating layer is preferred. In the case of fine particles having a metal coating layer, the thickness of the metal coating layer is 0.
  • the metal preferably contains nickel or gold.
  • the fine particle-arranged film of the present invention is used as a conductive connection film, the fine particles are preferably conductive fine particles having a resistance value of 3 ⁇ or less, and are preferably conductive fine particles having a resistance value of 0.05 ⁇ or less. More preferably, there is.
  • a conductive connection structure formed by using the conductive connection film is also one aspect of the present invention.
  • the thickness of the film used for the fine particle-arranged film of the present invention is preferably 1/2 to 2 times the average particle size of the fine particles, and more preferably 3 to 4 to 1.3 times. Further, the Young's modulus of the film surface is preferably 1 OGPa or less. Further, the film preferably has a property of being adhered by pressing or heating, and preferably has a property of being cured by heating or UV irradiation. When the film has a curing property, the coefficient of linear expansion after curing is preferably from 10 to 200 ppm.
  • the holes have an average hole diameter on the surface of 45 to: L times the average particle diameter of the fine particles, a CV value of 5% or less, and an aspect ratio of less than 1.3.
  • the hole is preferably tapered or stepped in the thickness direction.
  • the average hole diameter on the back surface of the film is preferably equal to or less than the average hole diameter on the surface of the film, and is preferably 50% or more of the average hole diameter on the surface of the film. More preferably, it is not more than the hole diameter and at least 80% of the average hole diameter on the film surface. It is preferable that the above-mentioned hole is formed by using a laser.
  • the fine particle-arranged film of the present invention can be obtained by a fine particle arranging method in which fine particles are sucked from the back surface of a film having substantially no tack on the front surface.
  • the suction of the fine particles I is performed by suctioning the gas, and the degree of vacuum on the suction side is 110 kPa or less when the average particle size of the fine particles is 800 to 200 ⁇ m.
  • the average particle diameter of the fine particles is 200 to 40 ⁇ m, it is less than 120 kPa, and when the average particle diameter of the fine particles is less than 40 m, it is 130 kPa. It is preferably at most Pa.
  • the above arrangement method is air purge Alternatively, it is preferable to include a step of removing extra adhering particles with a brush, and a step of pressing a film on which fine particles are arranged.
  • FIG. 1 is a diagram showing one embodiment of a process for producing a conductive connection structure of the present invention.
  • 1 represents a film
  • 2 represents conductive fine particles
  • 3 represents a mouthpiece
  • 4 represents IC
  • 5 represents a substrate
  • 6 represents an electrode
  • 7 represents a protective film.
  • the average particle size of the fine particles is 5 to 800 m.
  • the above average particle diameter can be obtained by observing 100 arbitrary particles with a microscope.
  • the average particle size is less than 5 m, it is difficult to attract the particles, or the fine particles cannot be substantially arranged in the hole because the fine particles adhere or aggregate due to static electricity or the like.
  • it exceeds 800 / xm it can be arranged without inconvenience even by the conventional method.
  • the fine particle-arranged film of the present invention when used as a conductive connection film, if the average particle diameter is less than 5 ⁇ m, the particles do not come into contact with the electrodes due to the problem of the accuracy of the smoothness of the electrodes and the substrate, resulting in poor conduction. If it exceeds 800 ⁇ m, it will not be able to handle fine pitch electrodes and short-circuits will occur at adjacent electrodes.
  • the average particle size of the fine particles is preferably from 10 to 300 / m, more preferably from 20 to 150 ⁇ , and still more preferably from 40 to 80 im.
  • the aspect ratio of the fine particles is less than 1.5.
  • the above aspect ratio is a value obtained by dividing the average major axis of the particles by the average minor axis.
  • the aspect ratio is 1.5 or more, the particles are not uniform. Many particles clog the holes.
  • the fine particle-arranged film of the present invention is When used as an electrical connection film, the short diameter portion does not reach the electrode, causing a connection failure.
  • the above aspect ratio is preferably less than 1.3, more preferably less than 1.1, and if it is less than 1.05, the effect is significantly enhanced.
  • the fine particles used in the present invention are spheroidized by using surface expansion in a deformable state. It is preferable to make the particles spherical.
  • the CV value of the fine particles is 10% or less.
  • the CV value is represented by ( ⁇ / Dn) X I 00% (where ⁇ represents the standard deviation of the particle diameter, and D n represents the number average particle diameter). If the CV value exceeds 10%, the particle diameters become uneven, so that the particles are large, the particles are shifted or small from the holes in the film, and many particles are clogged in the holes. When the fine particle-arranged film of the present invention is used as a conductive connection film, when the CV value exceeds 10%, small particles do not reach the electrodes, which causes poor connection.
  • the above CV value is preferably 5% or less, more preferably 2% or less, and if it is 1% or less, the effect is remarkably enhanced.
  • the fine particles used in the present invention need to have a uniform particle size by classification or the like.
  • the fine particles among others, spherical particles having an average particle diameter of 20 to 150 / m, an aspect ratio of less than 1.1 and a CV value of 2% or less are preferable.
  • fine particles used in the present invention for example, high molecular weight substances; inorganic substances such as silica, ⁇ / remina, metal, carbon and the like and low molecular weight compounds can be used, but moderate elasticity, flexibility and recoverability can be used. It is preferable to use a high molecular weight core as it is easy to obtain spherical particles.
  • the high-molecular-weight polymer examples include a phenol resin, an amino resin, an acrylic resin, an ethylene monoacetate resin, a styrene-butadiene block copolymer, a polyester resin, a urea resin, a melamine resin, an alkyd resin, a polyimide resin, and urea resin.
  • Thermoplastic resins such as tan resins and epoxy resins; curable resins, cross-linked resins, and organic-inorganic hybrid polymers. Of these, crosslinked resins are preferred from the viewpoint of heat resistance. Further, a filler may be included as necessary.
  • the fine particles are required to further have mechanical characteristics 4, it is preferable that the fine particles have a K value of 400 to 15,000 N / mm ⁇ a recovery rate of 5% or more and a linear expansion coefficient at room temperature of 10 to 200 ppm.
  • the K value of the fine particles is preferably 400 to 1500 ON / mm 2 .
  • the K value is expressed as (3 / ⁇ 2) ⁇ F ⁇ S- 3 / 2 ⁇ R 1/2 and F is 20.
  • C load value at 10 ° / 0 compression deformation (N)
  • S is the value expressed by compression displacement (mm)
  • R is the value expressed by radius (mm).
  • the K value is preferably from 1,000 to 10,000, more preferably from 2,000 to 8,000, and still more preferably from 3,000 to 6,000.
  • the fine particles used in the present invention preferably have a recovery rate of 5% or more at 20 ° C. and 10% compression deformation. If the recovery rate is less than 5%, when the gap between the opposing electrodes spreads momentarily due to impact or the like, it cannot follow the spread, and the electrical connection may become momentarily unstable.
  • the above-mentioned recovery rate is preferably at least 20%, more preferably at least 50%, and a remarkable effect can be obtained when the recovery rate is more than 80%.
  • the fine particles used in the present invention preferably have a linear expansion coefficient at room temperature of 10 to 200 ppm. If the coefficient of linear expansion is less than 10 ppm, the difference in linear expansion between the film and the film is so large that it cannot follow the elongation of the film during thermal cycling, etc., and the electrical connection may become unstable. . Conversely, if it exceeds 200 ppm, if the film is adhered to the substrate when the film is adhered to the substrate due to excessive thermal stress, stress will be concentrated on the connection part of the electrode. It may cause poor connection. You.
  • the linear expansion coefficient is preferably from 20 to 150 ppm, and more preferably from 30 to 100 ppm.
  • the fine particles have a K value of 2000 to 800 NZmm 2 , a recovery rate of 50% or more, and a linear expansion coefficient at room temperature of 30 to 100 ppm.
  • the fine particle-arranged film of the present invention is used as a conductive connection film, the fine particles need to be conductive fine particles.
  • the conductive fine particles those obtained by providing a metal coating layer as a conductive layer on a high molecular weight core are preferably used.
  • the metal is not particularly limited, but may include nickel or gold.
  • the surface layer is preferably made of gold from the viewpoint that contact resistance with the electrode, conductivity and oxidation deterioration do not occur.
  • the conductive fine particles have a barrier layer for forming a multilayer and an adhesion between the core and the metal. It is preferable to provide a nickel layer for improving ⁇ 4.
  • the thickness of the metal coating layer is preferably 0.3 ⁇ or more. If it is less than 0.3 / zm, the metal coating film may peel off when handling the conductive fine particles. In addition, when the fine particle-arranged film of the present invention is used as a conductive connection film, sufficient conduction cannot be obtained, or the metal coating film is broken when pressurized to connect the counter electrode, causing a connection failure. It may be. More preferably, it is not less than 1. ⁇ , more preferably not less than 2.0 / xm. On the other hand, the thickness of the metal coating layer is preferably 1/5 or less of the particle diameter of the fine particles so as not to lose the characteristic "I" production of the high molecular weight substance as the core.
  • the conductive resistance of the conductive fine particles When the conductive resistance of the conductive fine particles is compressed by 10% of the average particle diameter, the conductive resistance of a single particle, that is, the resistance value is preferably 3 ⁇ or less. If the conductive resistance exceeds 3 ⁇ , it may not be possible to secure a sufficient current value, or it may not be able to withstand large voltages, and the device may not operate normally.
  • the above-mentioned conductive resistance is preferably 0.3 ⁇ or less, more preferably 0.05 ⁇ or less, and even if it is 0.01 ⁇ or less, it is possible to cope with a current-driven element while maintaining high reliability. The effect is remarkably enhanced.
  • Examples of the film used for the fine particle-arranged film of the present invention include, for example, Inorganic substances such as ceramics, metals, and carbon, and low molecular weight compounds can be used, but high molecular weight substances and their composites can be easily obtained because they have moderate elasticity, flexibility, and recoverability. Composites are preferred.
  • Examples of the high-molecular-weight polymer include a phenol resin, an amino resin, an acrylic resin, an ethylene monoacetate resin, a styrene-butadiene block copolymer, a polyester resin, a urea resin, a melamine resin, an alkyd resin, a polyimide resin, and urea resin.
  • Thermoplastic resins such as tan resins and epoxy resins; curable resins, cross-linked resins, organic-inorganic hybrid polymers, and the like.
  • epoxy resins are preferred because they have few impurities and are easily obtained in a wide range of physical properties.
  • Epoxy resins include mixtures of uncured epoxy and the above resins and those in a semi-cured state.
  • the film may contain an inorganic filler such as glass fiber or alumina particles.
  • the thickness of the film is preferably 1/2 to 2 times the average particle size of the fine particles. If the average particle diameter is less than 1 to 2, the arranged particles are likely to shift from the holes. Further, when the fine particle-arranged film of the present invention is used as a conductive connection film, it is difficult to support the substrate at the film portion. If it exceeds twice, surplus particles tend to enter the holes. Further, when the fine particle-arranged film of the present invention is used as a conductive connection film, the fine particles do not reach the electrode, which causes a connection failure.
  • the thickness of the film is preferably 2 to 3 to 1.5 times, more preferably 3 to 4 to 1.3 times, and 0.8 to 1.2 times the average particle size of the fine particles. More preferably, it is 0.9 to 1.1 times.
  • the thickness of the film when there is a bump on a device or an electrode of a substrate, the thickness of the film may be at least one time the average particle diameter of the fine particles. Conversely, when there is no bump, it is preferably 1 times or less.
  • the film has a surface Young's modulus of 1 OGPa or less. Exceeding this may damage the particles or cause them to fly off when subjected to slight external forces.
  • the Young's modulus is preferably 2 GPa or less, and a remarkable effect is obtained at 0.5 GPa or less.
  • the film used in the present invention preferably has an adhesive property by pressing or heating. No.
  • the fine particle-arranged film of the present invention is used as a conductive connection film, if the electrodes of the element and the substrate are aligned with the conductive fine particles of the film, they can be connected only by pressing or heating.
  • the film used in the present invention is preferably cured by heating or UV irradiation, whereby the reliability of the connection can be drastically improved.
  • the film used in the present invention preferably has a coefficient of linear expansion at room temperature after curing of 10 to 200 ppm.
  • the coefficient of linear expansion is less than 10 ppm, the difference in linear expansion from the fine particles is large, so when used as a conductive connection film, thermal cycling or the like cannot follow the elongation of the fine particles when applied. Electrical connection may be unstable. Conversely, if it exceeds 200 ppm, the gap between the electrodes becomes too wide when a thermal cycle or the like is applied, and the fine particles may separate from the electrodes and cause poor connection.
  • the linear expansion coefficient is preferably from 20 to: 150 ppm, more preferably from 30 to 100 ppm.
  • holes having an average hole diameter of 1/2 to 2 times the average particle diameter of the fine particles, an aspect ratio of less than 2, and a CV value of 20% or less are provided at an arbitrary position on the film surface.
  • the particles are located on or in the surface of the hole.
  • the average hole diameter of the holes is 1 to 2 times the average particle diameter of the fine particles. If the average particle size of the fine particles is less than 1/2, the arranged particles are likely to shift from the holes. In addition, when the fine particle-arranged film of the present invention is used as a conductive connection film, the particles are hard to reach from the back surface, so that the particles do not reach the electrode and cause a connection failure. On the other hand, if it exceeds twice, surplus particles may enter the holes or penetrate the film and fall off the film.
  • the average hole diameter is preferably 2/3 to 5 times the average particle diameter of the fine particles, more preferably 5 to 1.3 times, more preferably 4 to 5 to 1.3 times, and still more preferably 0.9 to 1.
  • the aspect ratio of the hole is less than 2.
  • the aspect ratio of the hole is the flatness of the hole diameter. It is the value obtained by dividing the average major axis by the average minor axis. If the aspect ratio is 2 or more, the fine particles may shift from the hole in the film or a large number of fine particles may clog the hole. Further, when the fine particle-arranged film of the present invention is used as a conductive connection film, the fine particles do not reach the electrodes, which causes a connection failure.
  • the aspect ratio is preferably 1.5 or less, more preferably 1.3 or less, and even more preferably 1.1 or less.
  • the CV value of the above hole is less than 20%.
  • the CV value of a hole is represented by (H 2 0112) X I 00% ( ⁇ 2 represents the standard deviation of the hole diameter, and Dn 2 represents the average hole diameter). If the CV value of a hole exceeds 20%, the hole diameter will be uneven, so that a small hole will cause the particles to shift from the hole in the film, and a large hole will cause a large number of particles to clog or the particles to penetrate.
  • the fine particle-arranged film of the present invention is used as a conductive connection film, the fine particles do not reach the electrodes, which causes poor connection.
  • the CV value of the hole is preferably 10% or less, more preferably 5% or less, and the effect is remarkably enhanced at 2% or less.
  • the average hole diameter, aspect ratio, and CV value of the above holes indicate the average hole diameter, CV value, and aspect ratio in the state of suction when the fine particles are arranged by suction.
  • those having an average hole diameter of 4/5 to 1.3 times the average particle diameter of the fine particles, a CV value of 5% or less, and an aspect ratio of less than 1.3 are preferable.
  • the hole is preferably tapered or stepped in the thickness direction from the front surface to the back surface.
  • the suctioned particles are more stably arranged, and are less likely to be displaced.
  • the average hole diameter on the back surface when the holes are viewed from the rear surface is preferably not more than the average hole diameter on the film surface, and preferably not less than 50% of the average hole diameter on the film surface. If the average hole diameter on the back surface is larger than the average hole diameter on the front surface, the arranged particles are likely to be displaced from the holes and the particles may penetrate the film. If the average hole diameter on the back surface of the film is less than 50% of the average hole diameter on the front surface, the arranged particles are likely to shift from the holes.
  • the fine particle-arranged film of the present invention when used as a conductive connection film, if the average hole diameter on the back surface of the film is less than 50% of the average hole diameter on the front surface, the particles do not reach the electrode because the particles are difficult to reach from the back surface. Failure to do so.
  • Average hole diameter on the back of the film is good More preferably, it is 70% or more of the average hole diameter on the surface, more preferably 80% or more, and further preferably 90 to 95%.
  • a hole is provided at an arbitrary position of the film having substantially no tack on the surface (the entrance side of the fine particles) when the fine particles are sucked, and the fine particles are sucked from the back surface of the film so that the fine particles are placed on the surface of the holes
  • it can be produced by a method of arranging it inside.
  • the method for arranging the fine particles is also one of the present invention.
  • substantially no tack is defined as a component perpendicular to the film thickness direction at least with respect to the particles arranged in the hole of the film and the particles not arranged in the state of suction.
  • a hole-forming process using a laser is preferable.
  • the laser for drilling include a carbon dioxide gas laser, a YAG laser, and an excimer laser.
  • the type of laser to be used is determined in consideration of the required dimensional accuracy and cost.
  • the degree of vacuum on the suction side preferably conforms to the following conditions.
  • the average particle diameter of the fine particles is 800 to 200 m, 1 kPa or less
  • the average particle diameter of the fine particles is 200 to 40 / zm, 1 kPa or less
  • If the average particle size of the fine particles is less than 40 ⁇ m, it is not more than 30 kPa.If the degree of vacuum is lower than this, the suction force is weak, and the fine particles are not sufficiently sucked. It becomes easy.
  • the degree of vacuum is not more than 25 kPa (average particle size 800 to 200 / zm), -35 kPa or less (average particle size 200 to 40, mn), or -45 kPa or less (average particle size (Less than 40 ⁇ m in diameter), more preferably less than 40 kPa (average particle diameter 800-200 m), less than 50 kPa (average particle diameter 200-40 / zm), less than -60 kPa ( The average particle size is less than 40 ⁇ m).
  • the film itself may be deformed by suction, particularly if the film has flexibility. Therefore, it is preferable to provide a support plate at the suction port during suction.
  • the support plate is not particularly limited as long as it does not inhibit suction, and examples thereof include a mesh.
  • the fine particle-arranged film of the present invention When the fine particle-arranged film of the present invention is used as a conductive connection film, excess fine particles adhering to the film may cause a short circuit between adjacent electrodes. Therefore, the extra fine particles are removed with an air purge or a brush, a blade, a squeegee, or the like. It preferably includes a step. Above all, it is more preferable to remove the fine particles with a brush while sucking them.
  • a light press it is preferable to apply a light press to the film on which the fine particles are arranged, for the purpose of stabilizing the arrangement.
  • the arranged fine particles are remarkably stable, and no drop due to displacement or the like is caused.
  • an adhesive or a sealant may be applied later from the front surface or the rear surface to fix the arranged fine particles.
  • the center of gravity of the arranged fine particles is preferably in the film. In the film, it is extremely stable compared to the case where the center of gravity is outside the film surface, and there is no drop due to misalignment.
  • the fine particles are easily charged and tend to cause adhesion and aggregation of the particles. Therefore, it is preferable to dispose the fine particles while performing static elimination.
  • the surface of the arranged fine particles is preferably exposed on both sides of the film.
  • the surface of the fine particles is exposed on both sides of the film, more reliable connection can be made when the fine particle arrangement film of the present invention is used as a conductive connection film.
  • the application of the fine particle-arranged film of the present invention is not particularly limited, and examples thereof include an optical film, a sensor, a switching film, and a conductive connection film.
  • an optical film such as liquid crystal displays, personal computers, and portable communication devices
  • a conductive connection film used when connecting and connecting various electrodes.
  • the above conductive connection The film is also one of the present invention. In this case, conductive fine particles are used as the fine particles.
  • the above substrates are roughly classified into a flexible substrate and a rigid substrate.
  • a resin sheet having a thickness of 50 to 500 m and made of polyimide, polyamide, polyester, polysulfone, or the like is used as the flexible substrate.
  • the rigid substrates are roughly classified into those made of resin and those made of ceramic.
  • Examples of the above-mentioned resin include those made of glass fiber reinforced epoxy resin, phenol resin, cellulose fiber reinforced phenol resin and the like.
  • Examples of the above-mentioned ceramic made of silicon dioxide, alumina etc. What is it? .
  • a more rigid substrate is preferable from the viewpoint that the fine particles can be sufficiently pressed against the electrode.
  • a single-layer structure may be used, or a plurality of layers may be formed by means such as through-hole formation to increase the number of electrodes per unit area.
  • a multi-layer substrate for making electrical connection with each other may be used.
  • the above components are not particularly limited, and include, for example, active components such as semiconductors such as IC and LSI; passive components such as capacitors and crystal oscillators; and bare chips.
  • the conductive connection film of the present invention is particularly suitable for bare chip bonding. Furthermore, bumps are usually required when bare chips are joined by flip chips, but when the conductive connection film of the present invention is used, bumpless connection is possible because fine particles serve as bumps. There is a great merit that a complicated process in bump production can be omitted.
  • an electrode that is easily oxidized such as an aluminum electrode can be connected by breaking the oxide film.
  • An electrode is formed on the surface of the substrate or component.
  • the shape of the electrode is not particularly limited, and examples thereof include a stripe shape, a dot shape, and an arbitrary shape.
  • Examples of the material of the electrode include gold, silver, copper, nickel, palladium, carbon, aluminum, and ITO. In order to reduce the contact resistance, copper, nickel or the like further coated with gold may be used.
  • the thickness of the electrode is preferably 0.1 to 100 ⁇ m.
  • the width of the electrode is preferably 1 to 500 ⁇ .
  • FIG. 1 shows an embodiment of the method for producing a conductive connection film of the present invention and a method for producing a conductive connection structure using the conductive connection film.
  • a tapered hole is made in the film 1 using a laser.
  • the suction hole 3 is applied to the surface of the film 1 having the smaller hole diameter so as to cover all the holes formed in the film 1 and prevent air leakage, and the conductive fine particles 2 are sucked.
  • a conductive connection film in which the conductive fine particles 2 are arranged one by one in each hole formed in the film 1 without any excess or shortage is obtained.
  • a conductive connection film is placed on the substrate 5 provided with the electrodes 6 at regular intervals with the holes formed in the film 1 so that the electrodes 6 and the conductive fine particles 2 are in contact with each other.
  • the ICs 4 having the electrodes 6 provided at equal intervals are stacked so that the surface on which the electrodes 6 are formed faces downward, and the electrodes 6 and the conductive fine particles 2 are in contact with each other, and then heated and pressed. . Thereby, a conductive connection structure in which the substrate 5 and the IC 4 are electrically connected by the conductive connection film is obtained.
  • a crimping machine equipped with a heater is used.
  • an adhesive may be supplementarily applied to the film surface and used.
  • a conductive connection structure such as a substrate or a component connected using the conductive connection film is also one of the present invention. '
  • conductive fine particles can also be used as a material for forming a bump.
  • the conductive fine particles of the disposition film of the present invention are placed on the electrode of the chip so as to come on the electrode, and pressed while pressing.
  • the pump can be manufactured by a method such as fixing.
  • silver paste or the like may be used as an auxiliary.
  • the fine particle placement film of the present invention is capable of efficiently arranging fine particles easily and stably at an arbitrary position of the film without any excess or shortage by sucking specific fine particles from the back surface of the film having specific holes. Thus, it is possible to obtain a film in which fine particles are stably arranged at an arbitrary position.
  • a fine counter electrode can be formed without electrical leakage of an adjacent electrode and an electrical connection with high connection reliability. Connections and connection structures can be easily obtained in a short time.
  • the methylmethacrylic cross-linked copolymer obtained by the suspension polymerization was classified by a sieve and airflow classification to obtain microspheres having an average particle size of 150 ⁇ , an aspect ratio of 1.05, and a CV value of 2%.
  • 32 holes were formed in a 2 cm square polyester film with a Young's modulus of 2 GPa, a thickness of 150 ⁇ , and a square of 0.5 mm pitch.
  • a 120 m tapered hole was drilled so that the hole had a CV value of 3% and an aspect ratio of 1.05.
  • a suction port with a diameter of 7 mm is placed on the back side of the film, and all the holes in the film are covered, and suction is performed at a vacuum of 50 kPa while applying no leakage.
  • each hole in the film had one or more particles placed one after the other.
  • static elimination was performed so that fine particles did not adhere.
  • After adsorbing and disposing the fine particles gently press the film between glass plates to release the vacuum and stabilize the fine particles. I did it. The center of gravity of the fine particles was in the film, and the particles did not leave the holes even when the film was vibrated.
  • Fine polystyrene particles with an average particle size of 250 / m, an aspect ratio of 1.15, and a CV value of 4% were prepared. Also, 32 holes were formed in a polyimide film with a Young's modulus of 6 GPa, a thickness of 180 m, and a size of 2 cm square so as to form a square shape at a pitch of 0.5 mm, using a CO 2 laser with a surface of 220 / zm and a back surface of 190 mm. It was drilled so as to have a ⁇ taper shape and a hole CV value of 6% and an aspect ratio of 1.25. By using a CO 2 laser, desired dimensions and shapes could be obtained with high accuracy.
  • a suction port with a diameter of 7 mm is placed on the back side of this film to cover all the holes of the film and to prevent leakage.
  • the dibulbenzen copolymer obtained by seed polymerization was classified by a sieve and wet classification to obtain fine spheres. Thereafter, a nickel layer having a thickness of 0.2 / zm was formed by electroless plating, and a gold layer having a thickness of 2.3 / zm was further formed by electric plating. The particles were further classified, with an average particle size of 75 / zm, an aspect ratio of 1.03, a CVjtl% NK value of 400 N / mm, a recovery rate of 60%, a linear expansion coefficient at room temperature of 50 ppm, and a resistance of 0.01 ⁇ . Was obtained.
  • Young's modulus 0.4 GPa, thickness 68 m, 1 c Two rows of 18 holes separated by about 3 mm at a pitch of about 300 m so that the electrode of the IC chip is aligned with the semi-cured epoxy film of m square size, C 0 2
  • the laser was opened in a tapered shape with a front surface of 75 ⁇ and a back surface of 68 m so that the CV value of the hole was 2% and the aspect ratio was 1.04.
  • the use of C 0 2 laser it was possible to accurately obtain the desired dimensions' shape.
  • a suction port of 8 mm in diameter is placed on the back side of this film, covering all the holes in the film and not leaking.Then, while sucking at a vacuum of 65 kPa, approach the fine particles and absorb the fine particles. went.
  • the mouthpiece was equipped with a SUS mesh with openings of 50 // m for supporting the film. Within a few seconds, the particles were placed in each hole of the film one by one without excess or shortage. During this time, static elimination was performed so that fine particles did not adhere. Also, although there was almost no extra particles attached, the surface was swept with a soft brush to remove foreign substances just in case. After adsorbing the fine particles, the film was sandwiched between glass plates and pressed lightly to break the vacuum and stabilize the fine particles. The center of gravity of the particles was in the film, and the particles did not leave the holes even when the film was vibrated.
  • the conductive connection film obtained in this manner is placed on the FR-4 substrate on which the electrode pattern is drawn so that the position of the electrode and the position of the conductive fine particles are aligned, and lightly pressed and temporarily pressed, and then the chip
  • the position of the aluminum electrode was aligned with the position of the conductive fine particles by heating and pressing, and the epoxy resin was cured to perform flip chip bonding.
  • the linear expansion coefficient of the cured epoxy resin at room temperature was 50 ppm.
  • connection structure thus obtained operates normally because stable conduction is obtained at all electrodes and there is no leakage at adjacent electrodes.
  • a thermal cycle test of C was performed 100 ° times, but no abnormalities were found in the connection resistance increase or operation at low or high temperatures.
  • the fine particles of the methyl methacrylic cross-linked copolymer were provided with a 0.1 m-thick layer by electroless plating, and further, a gold layer with a thickness of 0.9 / zm was provided by electric plating.
  • Average particle size 45 m, aspect ratio J l .05, CV value 2%, K value 200 N / mm 2 , recovery rate 50%, linear expansion coefficient at room temperature 80 ppm, resistance value 0 0.3 ⁇ metal-coated microspheres were obtained.
  • the holes were separated by about 2 mm and two rows were tapered with an excimer laser so that the front surface was 43 / im and the back surface was 38 ⁇ m, and the holes were opened so that the CV value of the holes was 2% and the aspect ratio was 1.05.
  • an excimer laser desired dimensions and shapes could be obtained with high accuracy.
  • a suction port with a diameter of 5 mm is placed on the back side of this film so as to cover all the holes in the film and to prevent leakage.
  • the suction is performed at a vacuum of 65 kPa while approaching the fine particles to absorb the fine particles. went. Within a few seconds, the particles were placed in each hole of the film one by one without any excess or shortage. During this time, static elimination was performed so that fine particles did not adhere. In addition, although there was almost no extra particles attached, the surface was swept with a soft brush to remove foreign substances just in case. After adsorbing the fine particles, the film was sandwiched between glass plates and pressed lightly to release the vacuum and stabilize the fine particles. The center of gravity of the fine particles is in the film and even if the film is vibrated, the particles will not leave the hole.
  • the conductive connection film thus obtained is placed on the ceramic substrate on which the electrode pattern is drawn so that the position of the electrodes and the position of the conductive fine particles match, and after being heated gently and temporarily pressed, about
  • the position of the gold electrode on the chip with the gold bump of 20 m and the position of the conductive fine particles were aligned by heat and pressure, and the epoxy resin was cured to perform flip chip bonding.
  • the linear expansion coefficient of the cured glass-epoxy at room temperature was 30 ppm.
  • connection structure thus obtained operates normally because all the electrodes have stable conduction and there is no leakage at the adjacent electrodes.
  • the thermal cycle test of C was performed 100 times. I did not always see it.
  • a nickel layer having a thickness of 0 was attached to the microspheres of the crosslinked epoxy resin particles by electroless plating, and a gold layer having a thickness of 0 was attached by electroless displacement plating.
  • the particles were classified into an average particle size of 200 m, an aspect ratio of 1.1, a CVffi of 2%, a K value of 300 ON / mm 2 , a recovery of 70%, a linear expansion coefficient at room temperature of 60 ppm, and a resistance of 0.3 ⁇ .
  • a metal-coated microsphere was obtained.
  • a suction port with a diameter of 7 mm is placed on the back side of the film so as to cover all the holes in the film and to prevent leakage.
  • I went. In about 10 seconds, almost all of the particles were placed in each hole of the film, one by one. During this time, static elimination was performed so that fine particles did not adhere. Very rarely, extra particles adhered near the hole, but could be easily removed by sweeping the surface with a soft brush. After adsorbing the fine particles, the film was sandwiched between glass plates and lightly pressed to release the vacuum and stabilize the fine particles. The center of gravity of the fine particles was in the film, and the particles did not leave the holes even when the film was vibrated.
  • the conductive connection film thus obtained is placed on a FR-4 substrate on which the electrode pattern is drawn so that the position of the electrode and the position of the conductive fine particles are aligned with each other.
  • the epoxy resin was cured by heat and pressure bonding to perform flip chip bonding.
  • the cured epoxy resin had a linear expansion coefficient at room temperature of 80 ppm.
  • connection structure obtained in this way had a high conduction resistance, but it was still conducting properly, and was subjected to a thermal cycle test at 125 to 100 ° C for 100 times. But it was not so high. In addition, there was almost no increase in the resistance value of the connection at both low and high temperatures.
  • Example 5 a nickel layer having a thickness of 0.4 ⁇ was attached by electroless plating to microspheres of silica instead of the epoxy resin particles, and a gold layer having a thickness of 0.1 / iii was attached by electroless displacement plating.
  • the particles were classified, the average particle diameter was 200 / zm, the aspect ratio was 1.1, the C Vf [i 2%, the K value was 160 N / mm 2 , the recovery rate was 95%, A metal-coated microsphere having a linear expansion coefficient of 10 ppm at room temperature and a resistance of 0.3 ⁇ was obtained.
  • connection structure obtained in this way had a high conduction resistance, but it was still conducting properly, and when subjected to a thermal cycle test at 125 to 100 ° C for 100 times, the resistance of the connection structure was reduced. The rise was seen, but not to a problem. Although conduction became slightly unstable at high temperatures, and noise and other noises were found in the impact test, it was considered that some devices could be used satisfactorily.
  • Example 7 In Example 5, a non-crosslinked acryl microsphere was replaced with a 0.4 m thick nickel layer by electroless plating instead of the epoxy resin particles. Layered. The particles were classified, average particle diameter 200 // m, aspect ratio 1.1, CV value 2%, K value SO ONZmm 2 recovery rate 4%, linear expansion coefficient at room temperature 150 ppm, resistance value 0.3 ⁇ Was obtained.
  • connection structure obtained in this way had a high conduction resistance, it was all conducting properly, and when subjected to a thermal cycle test at 25 to 100 ° C 1000 times, the resistance was found to increase. It wasn't problematic. Although conduction became slightly unstable at low temperatures and some noises were found in the impact test, it was considered that some devices could be used satisfactorily.
  • Example 5 except that a ceramic film having a Young's modulus of 20 GPa was used instead of the epoxy film, the particles were adsorbed in the same manner. Particles were observed being flicked away, and it took some extra time to place them. In addition, although a small scratch or peeling was observed on a part of the coating metal of the arranged particles, there was no practical problem. .
  • the divinylbenzene copolymer obtained by seed polymerization was classified by a sieve and wet classification to obtain microspheres. Thereafter, a nickel layer having a thickness of 0.2 m was applied by electroless plating, and a gold layer having a thickness of 1.8 ⁇ was further applied by electric plating. The particles were further classified to have an average particle size of 75 / zm, an aspect ratio of 1.03, and a CV value of 1. / 0 , ⁇ value 3800 Metal-coated microspheres having an N / mm 2 recovery rate of 60%, a linear expansion coefficient at room temperature of 50 ppm, and a resistance value of 0.01 ⁇ were obtained. The conductive fine particles thus obtained were observed, but no peeling or the like of the metal coating film was observed.
  • a pitch of about 300 / m is applied to a semi-cured epoxy film with a Young's modulus of 0.4 GPa, a thickness of 68 / zm, and a size of 1 cm square to align with the electrodes of the IC chip.
  • C_ ⁇ 2 laser was it is possible to get high accuracy desired size and shape.
  • a suction port with a diameter of 8 mm is applied to the back side of this film so as to cover all the holes in the film and to prevent leakage.
  • the near fine particles were adsorbed.
  • the mouthpiece was provided with a SUS mesh having an aperture of 50 / zm for supporting the film.
  • each hole in the film had one or more particles placed one after the other.
  • the charging was performed so that the fine particles did not adhere.
  • the surface was swept with a soft brush to remove foreign substances just in case.
  • the film was sandwiched between glass plates and lightly pressed to release the vacuum and stabilize the fine particles. The center of gravity of the fine particles was in the film, and the particles did not leave the holes even when the film was vibrated.
  • the conductive film obtained in this way is placed on the FR-4 substrate on which the electrode pattern is drawn so that the position of the electrode and the position of the conductive fine particles are aligned, and then lightly pressed and temporarily pressed, and then the chip is formed.
  • the position of the aluminum electrode was aligned with the position of the conductive fine particles by heat and pressure bonding, and the epoxy resin was cured to perform flip chip bonding.
  • the linear expansion coefficient of the cured epoxy resin at room temperature was 50 ppm. Observation of the conductive fine particles after thermocompression bonding revealed no peeling of the metal coating film due to rupture.
  • connection structure thus obtained operates normally because stable conduction is obtained at all electrodes and there is no leakage at adjacent electrodes, and a thermal cycle test at 125 to 100 ° C was performed at 100 ° C. The test was performed 0 times, but there were no abnormalities in the increase in resistance or operation at the connection at low or high temperatures. In addition, an impact test was conducted, but no noise was found or no instantaneous disconnection occurred.
  • Example 1 an attempt was made to obtain a fine particle arranging film in the same manner except that microspheres having an aspect ratio of 1.5 and a CV value of 15% were used, but a large number of fine particles escaped to the vacuum side during suction. There was a hole in which two or more particles clogged, and flat particles and large particles were once drawn and placed, but they shifted when the vacuum was released.
  • Example 1 an attempt was made to obtain a fine particle arrangement film in the same manner as in Example 1 except that the hole diameter on the film surface was set to 70 m and the rear surface was set to 50 m. Some particles were displaced even in the state, and most of the particles were displaced when the vacuum was released.
  • Example 1 an attempt was made to obtain a fine particle-arranged film in the same manner except that the hole diameter on the film surface was set to 310 ⁇ ⁇ and the back surface was set to 250 ⁇ , but the fine particles escaped to the vacuum side. The particles could not be located.
  • Example 1 an attempt was made to obtain a film having fine particles arranged therein, except that the holes on the film surface had an aspect ratio of 2 and a CV value of 25% .However, many fine particles escaped to the vacuum side during suction. There was a hole in which two or more particles were clogged, and some particles were sucked and arranged once, but shifted when the vacuum was released. (Comparative Example 5)
  • Example 1 As in Example 1, an attempt was made to adsorb methyl methacrylic crosslinked copolymer fine particles having an average particle size of 4 m into a thin film of polyester with a hole of about 3 to 4 tm. There was too much adhesion and it could not be arranged properly.
  • Example 3 flip-chip bonding was attempted in the same manner except that an ACF was prepared by randomly dispersing metal-coated microspheres in an epoxy film, and this was used. Electrodes for which conduction was not obtained occurred. Although the amount of the conductive fine particles was gradually increased, a portion where the adjacent electrode leaked occurred on the way. Also, when large particles came to the chip other than the electrodes, the load was concentrated on the chip and the chip's protective film was destroyed.
  • Example 4 a conductive connection film using microspheres having an aspect ratio of 1.5 and a CV value of 12% was prepared, and flip-chip bonding was performed using this conductive connection film in the same manner as in Example 4. Even when the thermal pressure conditions were changed, a large number of electrode parts that did not conduct were suddenly damaged.
  • Example 3 a conductive connection film was prepared using metal-coated microspheres having a nickel layer having a thickness of 0.1 ⁇ by electroless plating and a gold layer having a thickness of 0.1 / zm by electric plating. Then, flip-chip bonding was performed using this conductive connection film in the same manner as in Example 3, but the metal coating layer was destroyed and the electrode that was not electrically connected was not obtained. Many parts occurred. Industrial applicability
  • the present invention Since the present invention has the above-described configuration, by sucking specific fine particles from the back surface of a film having a specific hole, the fine particles can be easily and efficiently placed at an arbitrary position on the film without excess or shortage in a stable state.
  • the film can be arranged, and a film in which the fine particles are stably arranged at an arbitrary position can be obtained.
  • a fine counter electrode by using a specific film in which specific conductive fine particles are arbitrarily arranged, a fine counter electrode can be connected without leakage of an adjacent electrode, and has a highly reliable electrical connection and connection structure. The body can be obtained easily in a short time.

Description

明細書
微粒子配置フィルム、 導電接続フィルム、 導電接続構造体及ぴ微粒子の配置方法 技術分野
本発明は、 特定な微粒子がフィルムに配置された微粒子配置フィルム、 微細電 極間の電気的接続に用いられる導電接続フィルム、 導電接続構造体及び微粒子の 配置方法に関する。 従来の技術
従来、 フィルムの特定な位置に微粒子を配置する方法としては、 個々の粒子を 機械的に置いてゆく方法、 あらかじめ配置させた粒子をフイルムに転写する方法 やフィルムの特定の位置に接着剤等を塗布しその上に微粒子を散布して付着させ る方法、 更にはペースト中に微粒子を分散しそれを塗布する方法等が用いられて きた。
しかしながらこれらの方法は、 配置する効率が悪かったり、 工程が煩雑であつ たり、 微粒子が必要量以上に多量に配置されたり、 逆に必要な部分に微粒子が配 置されていない等の不具合があった。
また、 液晶ディスプレー、 パーソナルコンピュータ、 携帯通信機器等のエレク トロ二タス製品において、 半導体素子等の小型部品を基板に電気的に接続したり 、 基板同士を電気的に接続する方法のうち、 微細な電極を対向させて接続する方 法としては、 金属バンプ等を用いハンダゃ導電ペーストで接続したり、 金属パン プ等を直接圧着したりする方法が用いられている。
このような微細な対向する電極を接続する場合には、 個々の接続部の強度が弱 い等の問題から通常接続部の周辺を樹脂で封止する必要がある。 通常、 この封止 は電極の接続後に封止樹脂を注入することにより行われる。 しかしながら、 微細 な対向電極は接続部の距離が短いこともあり、 封止樹脂を短時間で均一に注入す ることが困難であるという問題がある。
このような不具合を解決する方法として、 導電性微粒子をパインダ一樹脂と混 ぜ合わせてフィルム状又はペースト状にした異方性導電接着剤が考えられ、 例え ば、 特開昭 63— 23 1889号公報、 特開平 4一 259766号公報、 特開平
3— 291807号公報、 特開平 5— 75250号公報等に開示されている。 但し、 異方性導電接着剤は通常導電性微粒子が絶縁性接着剤にランダムに分散 されているため、 バインダー中で導電性微粒子が連なっていたり、 加熱圧着時に 対向電極上にない微粒子が流動して連なったりするため、 隣接電極でリークを発 生させる可能性がある。 また、 加熱圧着により電極又はバンプ上に微粒子を押し つけた場合でも、 電極と微粒子との間に絶縁材の薄層が残り易いため、 接続信頼 性を低下させるという問題がある。 発明の要約
本発明は、 上記に鑑み、 フィルムの任意の位置に、 効率よく容易に過不足なく 特定の微粒子を安定した状態で配置する方法及ぴ配置したフィルム、 即ち、 基本 的に一つの穴に 1粒子を配置する微粒子の配置方法及ぴ配置した微粒子配置フィ ルム、 並びに、 微細な対向する電極を接続するに際し、 導電性微粒子を任意の位 置に配置したフィルムを用いることにより、 隣接電極のリークがなく接続信頼性 の高い電気的接続を短時間で容易に行える導電接続フィルム及び導電接続構造体 を提供することを目的とする。
本発明は、 平均粒径 5〜800 /zm、 アスペク ト比 1. 5未満、 CV値 10% 以下の微粒子が配置されている微粒子配置フィルムであって、 フィルム表面の任 意の位置に、 平均穴径が前記微粒子の平均粒径の 1 2〜 2倍、 アスペク ト比 2 未満、 CV値 20%以下の穴が設けられており、 前記微粒子は、 前記穴の表面上 又は中に配置されている微粒子配置フィルムである。
上記微粒子は、 平均粒径 20〜： L 50 μπι、 アスペク ト比 1. 1未満、 CV値 2 %以下の球状粒子であることが好ましく、 Κ値が 400〜 15000 N/mm 2、 回復率が 5 %以上、 常温での線膨張係数が 10〜200 ρ ί>ιηであることが 好ましく、 Κ値が 2000〜 8000 N/mm 2、 回復率が 50 %以上、 常温で の線膨張係数が 30〜100 p pmであることがより好ましい。 また、 高分子量 体をコアとするものが好ましく、 金属の被覆層を有する構造であることが好まし い。 金属の被覆層を有する微粒子である場合、 金属の被覆層の厚みは 0 .
以上であり、 金属はニッケル又は金を含むものであることが好ましい。 更に、 本 発明の微粒子配置フィルムを導電接続フィルムとして用いる場合には、 上記微粒 子は、 抵抗値が 3 Ω以下の導電性微粒子であることが好ましく、 0 . 0 5 Ω以下 の導電性微粒子であることがより好ましい。 上記導電接続フィルムを用いて接続 してなる導電接続構造体もまた、 本発明の 1つである。
本発明の微粒子配置フィルムに用いるフィルムは、 フィルムの厚みが微粒子の 平均粒径の 1 / 2〜2倍であることが好ましく、 3 Z 4〜1 . 3倍であることが より好ましい。 また、 フィルム表面のヤング率は 1 O G P a以下であることが好 ましい。 更に、 上記フィルムは、 押圧又は加熱により接着する性質を有している ことが好ましく、 加熱又は U V照射により硬化する性質を有するものが好ましい 。 フィルムが硬化する性質を有する場合、 硬化後の線膨張係数が 1 0〜2 0 0 p p mであることが好ましい。
上記穴は、 表面の平均穴径が微粒子の平均粒径の 4 5〜： L . 3倍、 C V値 5 %以下、 アスペク ト比 1 . 3未満であることが好ましい。 また、 上記穴は、 厚み 方向にテーパー状又は階段状であることが好ましい。 この場合、 フィルム裏面の 平均穴径がフィルム表面の平均穴径以下であり、 かつ、 フィルム表面の平均穴径 の 5 0 %以上であることが好ましく、 フィルム裏面の平均穴径がフィルム表面の 平均穴径以下であり、 かつ、 フィルム表面の平均穴径の 8 0 %以上であることが より好ましい。 上記穴の穴開け加工は、 レーザーを用いて行うことが好ましい。 本発明の微粒子配置フィルムは、 表面に実質的にタックのないフィルムの裏面 力 ら微粒子を吸引する微粒子の配置方法により得られる。 この場合、 微粒子の吸 弓 Iは気体の吸引により行い、 吸引側の真空度は、 微粒子の平均粒径が 8 0 0〜 2 0 0 μ mである場合には一 1 0 k P a以下であり、 微粒子の平均粒径が 2 0 0〜 4 0 μ mである場合には一 2 0 k P a以下であり、 微粒子の平均粒径が 4 0 m 未満である場合には一 3 0 k P a以下であることが好ましい。 また、 吸引時には 吸引口に支持板を設けることが好ましい。 更に、 上記配置方法は、 エアーパージ 又はブラシで余分な付着粒子を除去する工程、 微粒子を配置したフィルムをプレ スする工程を含むことが好ましく、 微粒子の重心がフィルム中にあること、 微粒 子の配置を除電しながら行うことが好ましい。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の導電接続構造体を製造する工程の一実施態様を表した図であ る。
図中、 1はフィルムを表し、 2は導電性微粒子を表し、 3は吸い口を表し、 4 は I Cを表し、 5は基板を表し、 6は電極を表し、 7は保護膜を表す。 発明の詳細な開示
以下に本発明を詳述する。
上記微粒子の平均粒径は 5〜 8 0 0 mである。
上記平均粒径は任意の微粒子 1 0 0個を顕微鏡で観察することにより得られる 。 平均粒径が 5 m未満の場合は、 粒子の吸引が困難であるか、 若しくは微粒子 が静電気等で付着、 凝集等を起こすため実質的に微粒子を穴に配置することがで きない。 また、 8 0 0 /x mを超える場合は従来の方法でも不都合なく配置するこ とができる。
また、 本発明の微粒子配置フィルムを導電接続フィルムとして用いる場合、 平 均粒径が 5 μ m未満の場合は、 電極や基板の平滑性の精度の問題から粒子が電極 と接触せず導通不良を発生する可能性があり、 8 0 0 μ mを超える場合は微細ピ ツチの電極に対応できず隣接電極でショートを発生する。
上記微粒子の平均粒径は、 好ましくは 1 0〜 3 0 0 / m、 より好ましくは 2 0 〜1 5 0 μ πιであり、 更に好ましくは 4 0〜8 0 i mである。
上記微粒子のアスペク ト比は 1 . 5未満である。
上記ァスぺクト比は粒子の平均長径を平均短径で割った値であり、 ァスぺクト 比が 1 . 5以上では粒子が不揃いとなるため、 やはり粒子がフィルムの穴からズ レたり多数粒子が穴に詰まったりする。 また、 本発明の微粒子配置フィルムを導 電接続フィルムとして用いる場合、 短径部分が電極に届かず接続不良の原因とな る。
上記アスペク ト比は好ましくは 1. 3未満で、 より好ましくは 1. 1未満であ り、 1. 05未満では著しく効果が高まる。 - 微粒子は製造方法にもよるが、 通常ァスぺクト比が高いものが多いため、 本発 明で用いるような微粒子は変形可能な状態で表面脹カを利用する等の方法で球形 化処理をして球状にすることが好ましい。
上記微粒子の C V値は 10 %以下である。
上記 CV値は、 （σ/Dn) X I 00% ( σは粒子径の標準偏差を表し、 D n は数平均粒子径を表す） で表される。 CV値が 10%を超えると粒子径が不揃い となるため、 大きレ、粒子がフィルムの穴からズレたり小さ 、粒子は多数粒子が穴 に詰まったりする。 また、 本発明の微粒子配置フィルムを導電接続フィルムとし て用いる場合、 CV値が 10%を超えると小さい粒子が電極に届かず接続不良の 原因となる。
上記 CV値は好ましくは 5%以下で、 より好ましくは 2%以下であり、 更に 1 %以下では著しく効果が高まる。
通常の微粒子は CV値が大きいため、 本発明で用いるような微粒子は分級等に より粒子径を揃える必要がある。 特に 200 /zm以下の粒子は精度良く分級する のが困難であるため、 篩や気流分級、 湿式分級等を組み合わせることが好ましい 。 上記微粒子としては、 なかでも、 平均粒径 20〜 150 / m、 ァスぺクト比 1 . 1未満、 CV値 2%以下の球状粒子が好ましい。
本発明で用いる微粒子としては、 例えば、 高分子量体；シリカ、 ァ/レミナ、 金 属、 カーボン等の無機物や低分子量化合物等を使用することができるが、 適度な 弾性や柔軟性、 回復性を有し球状のものが得やすいという点から高分子量体をコ ァとすることが好ましい。
上記高分子量体としては、 例えば、 フエノール樹脂、 ァミノ樹脂、 アクリル樹 脂、 エチレン一酢酸ビュル樹脂、 スチレン一ブタジエンプロック共重合体、 ポリ エステル樹脂、 尿素樹脂、 メラミン樹脂、 アルキド樹脂、 ポリイミド樹脂、 ウレ タン樹脂、 エポキシ樹脂等の熱可塑性樹脂；硬化性樹脂、 架橋樹脂、 有機無機ハ イブリツド重合体が挙げられる。 これらのうち、 耐熱性の点から架橋榭脂が好ま しい。 また、 必要に応じて充填物を含んでいてもよい。
上記微粒子としては、 更に、 機械的特4が要求されるので、 K値 400〜15 000 N/mm\ 回復率 5 %以上、 常温での線膨張係数 10〜200 p p mで あるものが好ましい。
上記微粒子の K値は、 400~1500 ON/mm2であることが好ましい。 ここで、 K値は、 （3/ΛΓ2) · F · S— 3/2 · R 1/2で表され Fは 20。C、 1 0°/0圧縮変形における荷重値 （N) 、 Sは圧縮変位 (mm) 、 Rは半径 (mm) で表される値である。 K値が 400未満では対向する電極に微粒子が充分食い込 むことができないため、 電極表面が酸化されている場合等に導通がとれなかった り、 接触抵抗が大きく導通信頼性が落ちる場合がある。 また、 15000を超え る場合には、 対向電極で挟み込んだ際に電極に局部的に過度の圧力がかかり素子 が破壊されたり、 粒径の大きな粒子のみにより電極間のギャップが決まってしま い粒径の小さい粒子が電極に届かず接続不良の原因となる。
上記 K値は好ましくは 1000〜1万であり、 より好ましくは 2000〜 80 00であり、 更に好ましくは 3000〜6000である。
本発明で用いる微粒子は、 20°C、 10%圧縮変形における回復率が 5%以上 であることが好ましい。 回復率が 5%未満では、 衝撃等により対向する電極間が 瞬間的に広がった際それに追従することができず、 瞬間的に電気的接続が不安定 になることがある。 上記回復率は好ましくは 20%以上であり、 より好ましくは 50%以上であり、 更に 80%^上では著しい効果が得られる。
本発明で用いる微粒子は、 常温での線膨張係数が 10〜200 p pmであるこ とが好ましい。 上記線膨張係数が 10 p p m未満ではフィルムとの線膨張の差が 大きいために、 熱サイクル等がかかった際フィルムの伸びに追従することができ ず、 電気的接続が不安定になることがある。 逆に 200 p pmを超えると、 熱サ イタル等がかかった際電極間が広がりすぎフィルムが基板と接着されている場合 には、 その接着部分が破壌され電極の接続部に応力が集中し接続不良の原因にな る。
上記線膨張係数は、 好ましくは 20~1 50 p p mで、 より好ましくは 3 0〜 1 00 p p mである。
上記微粒子としては、 より好ましくは、 K値 2000〜80 0 0NZmm2、 回復率 5 0%以上、 常温での線膨張係数 3 0〜1 00 p pmであるものである。 また、 本発明の微粒子配置フィルムを導電接続フィルムとして用いる場合は、 微粒子は導電性微粒子である必要がある。 該導電性微粒子としては、 高分子量体 のコアに導電層として金属の被覆層を設けたものが好適に用いられる。 上記金属 としては特に限定されないが、 ニッケル又は金を含むものが挙げられる。 電極と の接触抵抗や導電性及ぴ酸化劣化を起こさないという点から表面層が金であるこ とが好ましく、 また、 導電性微粒子には、 複層化のためのパリア層やコアと金属 の密着^4向上のためニッケル層を設けることが好ましい。
上記金属被覆層の厚みは、 0. 3 μΐη以上であることが好ましい。 0. 3 /zm 未満であると、 導電性微粒子を取り扱う際に金属被覆膜が剥離することがある。 また、 本発明の微粒子配置フィルムを導電接続フィルムとして用いる場合に、 充 分な導通が得られなかったり、 対向電極を接続するために加圧した際に金属被覆 膜が破壊され、 接続不良の原因となることがある。 よ'り好ましくは 1. Ο Π以 上、 更に好ましくは 2. 0 /xm以上である。 一方、 コアである高分子量体の特' I"生 が失われないよう金属被覆層の厚さは微粒子の粒径の 1/5以下であることが好 ましい。
上記導電性微粒子の導電抵抗は、 平均粒径の 1 0%圧縮した場合、 単粒子の導 電抵抗、 即ち、 抵抗値が 3 Ω以下であることが好ましい。 導電抵抗が 3 Ωを超え ると充分な電流値を確保できなかつたり、 大きな電圧に耐えられず素子が正常に 作動しなくなることがある。
上記導電抵抗は好ましくは 0. 3 Ω以下で、 より好ましくは 0. 05 Ω以下で あり、 更に 0. 0 1 Ω以下では電流駆動型の素子でも高い信頼' を保ったまま対 応が可能になる等著しく効果が高まる。
本発明の微粒子配置フィルムに用いるフィルムとしては、 例えば、 高分子量体 及ぴその複合物；セラミック、 金属、 カーボン等の無機物や低分子量化合物等を 用いることができるが、 適度な弾性や柔軟性、 回復性を持つものが得やすいとい う点から高分子量体及びその複合物が好ましい。
上記高分子量体としては、 例えば、 フエノール樹脂、 ァミノ樹脂、 アクリル樹 脂、 エチレン一酢酸ビュル樹脂、 スチレン一ブタジエンプロック共重合体、 ポリ エステル樹脂、 尿素樹脂、 メラミン樹脂、 アルキド樹脂、 ポリイミド樹脂、 ウレ タン樹脂、 エポキシ樹脂等の熱可塑性樹脂；硬化性樹脂、 架橋樹脂、 有機無機ハ イブリツド重合体等が挙げられる。 これらのうち、 不純物が少なく広い物性の範 囲のものが得やすいという点からエポキシ系樹脂が好ましい。 エポキシ系樹脂に は未硬化のエポキシと上記樹脂との混合物や半硬化状態のものが含まれる。 また 、 必要に応じてガラス繊維やアルミナ粒子等の無機充填物を含んでいてもよい。 上記フィルムの厚みは、 微粒子の平均粒径の 1 / 2〜 2倍であることが好まし レ、。 平均粒径の 1ノ 2未満では配置された粒子が穴からズレ易くなる。 また、 本 発明の微粒子配置フィルムを導電接続フィルムとして用いる際、 フィルム部分で 基板を支持しにくくなる。 2倍を超えると、 余剰粒子が穴に入りやすくなる。 ま た、 本発明の微粒子配置フィルムを導電接続フィルムとして用いる際、 微粒子が 電極に届かず接続不良の原因となる。 上記フィルムの厚みは好ましくは微粒子の 平均粒径の 2ノ3〜1 . 5倍、 更に好ましくは 3ノ 4〜1 . 3倍、 0 . 8〜1 . 2倍では著しい効果が得られる。 更に好ましくは 0 . 9〜1 . 1倍である。 特に、 本発明の微粒子配置フィルムを導電接続フィルムとして用いる場合、 素 子又は基板の電極上にバンプがあるような場合にはフィルムの厚みは微粒子の平 均粒径の 1倍以上であることが好ましく、 逆にバンプがない場合には 1倍以下で あることが好ましい。
上記フィルムは、 表面のヤング率が 1 O G P a以下であることが好ましい。 こ れを越えると微粒子が傷ついたり、 若干の外力がかかった際に弾け飛んだりする ことがある。 上記ヤング率は好ましくは 2 G P a以下であり、 更に 0 . 5 G P a 以下では著しい効果が得られる。
本発明で用いるフィルムは、 押圧又は加熱により接着性を有することが好まし い。 特に、 本発明の微粒子配置フィルムを導電接続フィルムとして用いる場合、 素子及び基板の電極とフィルムの導電性微粒子との位置を合わせれば、 押圧又は 加熱のみで接続することが可能となる。
更に、 本発明で用いるフィルムは加熱又は UV照射により硬化することが好ま しく、 これにより接続の信頼性を飛躍的に高めることができる。
これら、 接着、 硬化の機能は、 別途硬化型接着剤を塗布することによつても得 られるが、 フィルム自体がこの機能を持つことにより本発明の微粒子配置フィル ムの製造工程を非常に簡 化することができる。
本努明で用いるフィルムは、 硬化後の常温での線膨張係数が 10〜200 p p mであることが好ましい。 上記線膨張係数が 10 p p m未満では微粒子との線膨 張の差が大きいために、 導電接続フィルムとして用いた場合、 熱サイクル等がか 力、つた際微粒子の伸びに追従することができず、 電気的接続が不安定になること がある。 逆に 200 p pmを超えると、 熱サイクル等がかかった際電極間が広が りすぎ、 微粒子が電極から離れ接続不良の原因になることがある。 上記線膨張係 数は、 好ましくは 20〜： 150 p p mであり、 より好ましくは 30〜100 ρ ρ mである。
本発明の微粒子配置フィルムは、 フィルム表面の任意の位置に平均穴径が上記 微粒子の平均粒径の 1/2〜 2倍、 アスペク ト比 2未満、 CV値 20%以下の穴 が設けられており、 微粒子は、 穴の表面上又は中に配置されている。
上記穴の平均穴径は、 微粒子の平均粒径の 1 Z 2〜 2倍である。 微粒子の平均 粒径の 1/2未満では、 配置された粒子が穴からズレ易くなる。 また、 本発明の 微粒子配置フィルムを導電接続フィルムとして用いる際、 粒子が裏面からでにく いため粒子が電極に届力ず接続不良の原因となる。 逆に 2倍を超えると、 余剰粒 子が穴に入り込んだり、 フィルムを貫通してフィルムから落ちてしまったりする 。 上記平均穴径は、 好ましくは微粒子の平均粒径の 2/3〜： L. 5倍であり、 よ り好ましく）ま 4_ 5〜1. 3倍であり、 更に好ましくは 0. 9〜1. 2倍であり 、 特に好ましくは 0. 95〜1. 1倍であり、 1〜1. 05倍が最も好ましい。 上記穴のアスペクト比は 2未満である。 ここで、 穴のアスペクト比は穴径の平 均長径を平均短径で割った値である。 アスペク ト比が 2以上では、 微粒子がフィ ルムの穴からズレたり多数の微粒子が穴に詰まったりする。 また、 本発明の微粒 子配置フィルムを導電接続フィルムとして用いる場合、 微粒子が電極に届かず接 続不良の原因となる。 アスペク ト比は好ましくは 1. 5以下であり、 より好まし くは 1. 3以下であり、 更に好ましくは 1. 1以下である。
上記穴の CV値は 20%以下である。 ここで、 穴の CV値は、 （ひ 2 0112 ) X I 00% (σ 2は穴径の標準偏差を表し、 Dn 2は平均穴径を表す） で表さ れる。 穴の CV値が 20%超えると穴径が不揃いとなるので、 小さい穴では粒子 がフィルムの穴からズレたり、 .大きい穴では粒子が多数個が詰まったり、 粒子が 貫通してしまったりする。 また、 本発明の微粒子配置フィルムを導電接続フィル ムとして用いる場合、 微粒子が電極に届かず接続不良め原因となる。 穴の CV値 は好ましくは 10 %以下であり、.より好ましくは 5 %以下であり、 更に 2 %以下 では著しく効果が高まる。
上記穴の平均穴径、 アスペク ト比、 CV値は、 吸引により微粒子を配置する場 合には、 吸引した状態での平均穴径、 CV値、 アスペク ト比を示す。
上記穴としては、 なかでも、 平均穴径が微粒子の平均粒径の 4/5〜1. 3倍 、 CV値 5%以下、 アスペク ト比 1. 3未満であるものが好ましい。
上記穴は、 表面から裏面に向けて厚み方向にテーパー状又は階段状になってい ることが好ましい。 この場合吸引された粒子がより安定に配置され、 ズレ等を発 生しにくい。
上記穴を裏面から見た場合の裏面の平均穴径は、 フィルム表面の平均穴径以下 であり、 かつ、 フィルム表面の平均穴径の 50%以上であることが好ましい。 裏 面の平均穴径が表面の平均穴径より大きいと配置された粒子が穴からズレ易かつ たり粒子がフィルムを貫通してしまったりする。 フィルム裏面の平均穴径が表面 の平均穴径の 50 %未満では、 配置された粒子が穴からズレ易くなる。
また、 本発明の微粒子配置フィルムを導電接続フィルムとして用いる際、 フィ ルム裏面の平均穴径が表面の平均穴径の 50%未満では、 粒子が裏面からでにく いため粒子が電極に届かず接続不良の原因となる。 フィルム裏面の平均穴径は好 ましくは、 表面の平均穴径の 70 %以上であり、 より好ましくは 80 %以上であ り、 更に 90〜95%であるのが好ましい。
本発明の微粒子配置フィルムは、 微粒子の吸引時に表面 （微粒子の侵入側） に 実質的にタックのないフィルムの任意の位置に穴を設け、 フィルムの裏面から吸 引し、 微粒子を穴の表面上又は中に配置する方法により作製することができる。 上記微粒子の配置方法もまた本発明の 1つである。
なお、 本明細書において、 実質的にタックがないとは、 少なくとも吸引してい る状態でフィルムの穴に配置された粒子と配置されていない粒子に対し、 フィル ムの厚み方向に垂直な成分を持つある外力を同じ大きさで加えたときに、 配置さ れていない粒子のみを移動させることができる状態を意味する。
上記微粒子配置フィルムに穴を設ける方法としては特に限定されないが、 レー ザ一を用いた穴開け加工が好ましい。 ドリル等を用いて機械的に行う穴開け加工 では、 所望の寸法精度が得られにくく、 また、 加工に要する時間がかかることが ある。 穴開け加工用レーザーとしては、 例えば、 炭酸ガスレーザー、 YAGレー ザ一、 エキシマレーザー等が挙げられる。 必要となる寸法精度とコストとを考慮 して、 用いるレーザーの種類を決定する。
上記微粒子の吸引を気体の吸引により行う場合、 吸引側の真空度は以下の条件 に従うことが好ましい。
( 1 ) 微粒子の平均粒径が 800〜 200 mである場合、 一 10 k P a以下 (2) 微粒子の平均粒径が 200〜40 /zmである場合、 一 20 k P a以下 ( 3 ) 微粒子の平均粒径が 40 μ m未満である場合、 一 30 k P a以下 真空度がこれより低いと、 吸引力が弱いため微粒子が充分吸引されず配置され なかったり配置されても穴からズレ易くなつたりする。 より好ましくは、 真空度 は一 25 k P a以下 （平均粒径 800〜200 /zm) 、 - 35 k P a以下 （平均 粒径 200~40,mn) 、 -45 k P a以下 （平均粒径 40 μ m未満） であり、 より好ましくは一 40 kP a以下 （平均粒径 800〜 200 m) 、 一 50 k P a以下 （平均粒径 200〜40 /zm) 、 -60 kP a以下 （平均粒径 40 μ m未 満） である。 吸引を行う場合、 特にフィルムが柔軟性を持っているとフィルム自体が吸引に より変形する場合があるので吸引時に吸引口に支持板を設けることが好ましい。 上記支持板としては吸引を阻害しないものであれば特に限定されず、 例えば、 メ ッシュ等が挙げられる。
本発明の微粒子配置フィルムを導電接続フィルムとして用いる場合、 フィルム に付着した余分な微粒子は隣接電極のショートの原因となるので、 エアーパージ 又はブラシ及ぴブレード、 スキージ等で余分な付着粒子を除去する工程を含むこ とが好ましい。 なかでも、 微粒子を吸引した状態でブラシで取り除くことがより 好ましい。
上記微粒子が配置されたフィルムには、 配置をより安定ィ匕する目的で軽いプレ スを行うことが好ましい。 これにより配置された微粒子は著しく安定ィ匕し、 ズレ 等による欠落を起こすことがなくなる。 また、 配置された微粒子を固定するため に後から接着剤やシール剤を表面及ぴ裏面から塗布してもよい。
配置された微粒子の重心はフィルム中にあることが好ましい。 フィルム中にあ ると、 フィルム面外に重心がある場合に比べ著しく安定で、 やはりズレ等による 欠落を起こすことがない。
通常微粒子は帯電しやすく、 付着や粒子の凝集を起こしやすいので微粒子の配 置は除電を行いながら行うことが好ましい。
配置された微粒子の表面は、 フィルムの表裏両面に表出していることが好まし い。 微粒子の表面がフィルムの表裏両面に表出していると、 本焭明の微粒子配置 フィルムを導電接続フィルムとして用いる場合に、 より確実な接続を行うことが できる。
本発明の微粒子配置フィルムの用途としては特に限定されず、 例えば、 光学用 フィルムやセンサー、 スイッチングフィルム、 導電接続フィルム等が挙げられる 。. このなかでも、 液晶ディスプレー、 パーソナルコンピュータ、 携帯通信機器等 のエレクトロニクス製品において、 半導体素子等の小型部品を基板に電気的に接 続したり、 基板同士を電気的に接続する方法のうち、 微細な電極を対向させて接 続する際に用いられる導電接続フィルムとして好適に使用される。 上記導電接続 フィルムもまた本発明の 1つである。 この場合、 微粒子としては導電性微粒子を 用いる。
上記基板としては、 フレキシブル基板とリジッド基板とに大別される。
上記フレキシプル基板としては、'例えば、 5 0〜 5 0 0 m厚みを有し、 ポリ イミド、 ポリアミド、 ポリエステル、 ポリスルホン等からなる樹脂シートが用い られる。
上記リジッド基板としては、 樹脂製のものとセラミック製のものとに大別され る。 上記樹脂製のものとしては、 例えば、 ガラス繊維強化エポキシ樹脂、 フエノ ール樹脂、 セルロース繊維強化フエノール樹脂等からなるものが挙げられ、 上記 セラミック製のものとしては、 例えば、 二酸化ケイ素、 アルミナ等からなるもの が挙げられる。 .
上記基板としては、 微粒子を電極に充分押しつけることができるという観点か らよりリジッドな基板が好ましい。
上記基板構造としては、 単層のものを使用してもよいし、 また、 単位面積当た りの電極数を増やすために、 例えば、 スルーホール形成等の手段により、 複数の 層を形成し、 相互に電気的接続を行わせる多層基板を使用してもよい。
上記部品としては特に限定されず、 例えば、 I C、 L S I等の半導体等の能動 部品；コンデンサ、 水晶振動子等の受動部品；ベアチップ等が挙げられる。 本発 明の導電接続フィルムは、 特にベアチップの接合用として好適である。 更に、 通 常ベアチップをフリップチップで接合する場合にはバンプが必要となるが、 本発 明の導電接続フィルムを用いた場合、 微粒子がバンプの役目を果たすためバンプ レスでの接続が可能であり、 バンプ作製における煩雑な工程を省くことができる という大きなメリットがある。
パンプレスで接続を行う場合には配置すべき電極以外の場所に微粒子が存在す ると、 チップの保護膜を破壌してしまう等の不具合が発生するが、 本発明の導電 接続フィルムではそのような不具合が起こらない。 また、 導電性微粒子が上述し たような好ましい K値や C V値等である場合は、 アルミ電極のような酸化されや すい電極も、 その酸化膜を破って接続することができる。 上記基板、 部品の表面には、 電極が形成される。 上記電極の形状としては特に 限定されず、 例えば、 縞状、 ドット状、 任意形状のもの等が挙げられる。
上記電極の材質としては、 例えば、 金、 銀、 銅、 ニッケル、 パラジウム、 カー ボン、 アルミニウム、 I T O等が挙げられる。 接触抵抗を低減させるために、 銅 、 ニッケル等の上に更に金を被覆したものを用いてもよい。
上記電極の厚みは、 0 . 1〜 1 0 0 μ mが好ましい。 上記電極の幅は、 1〜 5 0 0 μ ηιが好ましい。
本発明の導電接続フィルムの製造方法、 及び、 該導電接続フィルムを用いて導 電接続構造体を製造する方法の一実施態様を図 1に示す。
まず、 レーザーを用いてフィルム 1にテーパー状の穴を開ける。 次に、 フィル ム 1に形成された穴全てを覆い、 なおかつ空気漏れがないように、 フィルム 1の 穴径の小さい側の面に吸い口 3を当て、 導電性微粒子 2の吸引を行う。 これによ り、 フィルム 1に形成された各穴に導電性微粒子 2がーつずつ過不足なく配置さ れた導電接続フィルムが得られる。
次に、 フィルム 1に形成された穴と等間隔で電極 6が設けられた基板 5上に、 電極 6と導電性微粒子 2とが接するように導電接続フィルムを載置し、 更に、 そ の上に、 同様に等間隔で電極 6が設けられた I C 4を電極 6が形成されている面 が下になり、 かつ、 電極 6と導電性微粒子 2が接するように積層し、 加熱、 加圧 する。 これにより、 基板 5と I C 4とが導電接続フィルムにより導通されてなる 導電接続構造体が得られる。
上記加熱、 力 II圧には、 ヒーターが付いた圧着機等が用いられる。 また、 フィル ム自体が接着性能や硬化性能を持たない場合は、 補助的に接着剤をフィルム面上 に塗布して用いる等してもよい。
上記導電接続フィルムを用いて接続されてなる基板や部品等の導電接続構造体 もまた本発明の 1つである。 '
本発明の微粒子配置フィルムの別の使用例としては、 やはり導電性微粒子を用 いてバンプの形成材料として用いることができる。 この場合には、 例えばチップ の電極上に本発明の配置フィルムの導電性微粒子がくるように置き、 押圧しなが ら固定する等の方法でパンプを作製することができる。 これらの場合、 補助的に 銀ペースト等を用いてもかまわない。
本発明の微粒子配置フィルムは、 特定の微粒子を特定の穴の開いたフィルムの 裏面から吸引することにより、 フィルムの任意の位置に効率よく過不足なく微粒 子を安定した状態で容易に配置することができ、 任意の位置に安定的に微粒子を 配置したフィルムを得ることができる。
また、 本発明の導電接続フィルムにおいては、 特定の導電性微粒子が任意に配 置された特定のフィルムを用いることにより、 微細な対向電極を隣接電極のリー クがなく接続信頼性の高い電気的接続及び接続構造体を短時間で容易に得ること ができる。 発明を実施するための最良の形態 .
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、 本発明はこれら実施例 のみに限定されるものではない。
(実施例 1 )
懸濁重合により得られたメチルメタク .リル系架橋共重合体を篩と気流分級とに より分級し、 平均粒径 150 μπι、 アスペクト比 1. 05、 CV値 2%の微球体 を得た。 また、 ヤング率 2GP a、 厚み 150 ζπι、 2 cm角の大きさのポリエ ステルフィルムに、 0. 5mmピッチで正方形状になるように 32個の穴を、 ェ キシマレーザーで表面 1 50 πιゝ 裏面 120 mのテーパー状で穴の CV値 3 %、 アスペクト比 1. 05になるように開けた。 エキシマレーザーを用いること により、 所望の寸法 ·形状を精度よく得るこ ίができた。 このフィルムの裏側に 直径 7 mmの吸い口を、 フィルムの穴全てを覆い、 なおかつ漏れがないように当 て、 一 50 kP aの真空度で吸引を行レ、ながら、 微粒子に近づけ微粒子の吸着を 行った。 数秒程度でフィルムの各穴には粒子が一つづつ過不足なく配置されてい た。 この間微粒子の付着がないよう除電を行っていた。 微粒子を吸着配置させた 後、 真空を解放し微粒子を安定ィ匕させるためフィルムをガラス板に挟み軽くプレ スした。 微粒子の重心はフィルムの中にあり、 フィルムに振動を与えても粒子が 穴から離れることはなかった。
(実施例 2)
平均粒径 250 / m、 アスペク ト比 1. 15、 CV値 4 %のポリスチレンの微 粒子を用意した。 また、 ヤング率 6GP a、 厚み 180 m、 2 cm角の大きさ のポリイミドフィルムに 0. 5mmピッチで正方形状になるように 32個の穴を 、 C O 2レーザーで表面 220 /z m、 裏面 190 ί πιのテーパー状で穴の C V値 6%、 アスペクト比 1. 25になるように開けた。 CO 2レーザーを用いること により、 所望の寸法 ·形状を精度よく得ることができた。 このフィルムの裏側に 直径 7mmの吸い口を、 フィルムの穴全てを覆い、 なおかつ漏れがないように当 て、 一 30 k P aの真空度で吸引を行いながら、 微粒子に近づけ微粒子の吸着を 行った。 ごくわずかな粒子が真空側に逃げたり、 ごくわずかな粒子の付着がみら れたものの、 軽いエアーパージにより除くことができた。 また、 ごくわずかな粒 子でズレがみられたものの、 別の粒子ですぐに吸着しリカパーすることができた 数十秒程度でフィルムの各穴には粒子が一つづつ過不足なく配置されていた。 微粒子を吸着配置させた後、 真空を解放したところ、 微粒子の重心はフィルム面 の外にあつたが、 フィルムに振動を与えなければ粒子が穴から離れることはなか つ 7こ。
(実施例 3)
シード重合により得られたジビュルべンゼン系共重合体を篩と湿式分級とによ り分級し微球体を得た。 この後、 無電解メツキにより厚み 0. 2 /zmのニッケル 層を付け、 更に電気メツキにより厚み 2. 3 /zmの金層を付けた。 更にこの粒子 を分級し、 平均粒径 75 /zm、 アスペク ト比 1. 03、 CVjtl%N K値 400 0N/mm 回復率 60%、 常温での線膨張係数 50 p p m、 抵抗値 0. 01 Ωの金属被覆微球体を得た。 また、 ヤング率 0. 4 G P a、 厚み 68 m、 1 c m角の大きさの半硬化状態のエポキシ系フィルムに I Cチップの電極と位置が合 うように約 3 0 0 mのピッチで 1 8個の穴を約 3 mm離して 2列、 C 0 2レー ザ一で表面 7 5 μ τα, 裏面 6 8 mのテーパー状で穴の C V値 2 %、 ァスぺクト 比 1 . 0 4になるように開けた。 C 0 2レーザーを用いることにより、 所望の寸 法'形状を精度よく得ることができた。 このフィルムの裏側に直径 8 mmの吸い 口を、 フィルムの穴全てを覆い、 なおかつ漏れがないように当て、 一6 5 k P a の真空度で吸引を行いながら、 微粒子に近づけ微粒子の吸着を行った。 この際、 吸い口にはフィルム支持用に目開き 5 0 // mの S U S製のメッシュを備え付けた • 。 数秒程度でフィルムの各穴には粒子が一つづつ過不足なく配置されていた。 こ の間微粒子の付着がないよう除電を行っていた。 また、 余分な付着粒子はほとん どみられなかったが、 念のため異物の除去を兼ねて柔軟なブラシにより表面を掃 いた。 微粒子を吸着配置させた後、 真空を解攻し微粒子を安定化さ'せるためフィ ルムをガラス板に挟み軽くプレスした。 微粒子の重心はフィルムの中にあり、 フ イルムに振動を与えても粒子が穴から離れることはなかった。
このようにして得られた、 導電接続フィルムを電極パターンが描かれた F R— 4基板の上に電極の位置と導電性微粒子の位置が合うように載せ、 軽く押圧し仮 圧着した後、 チップのアルミ電極の位置と導電性微粒子の位置とを合わせ加熱圧 着し、 エポキシ樹脂を硬化させフリップチップ接合を行った。 硬化後のエポキシ 樹脂の常温での線膨張係数は 5 0 p p mであった。
これにより得られた接続構造体は、 全ての電極で安定した導通がとれ隣接電極 でのリークがないために通常通り作動し、 一 2 5〜1 0 0。Cの熱サイクルテスト を 1 0 0◦回行ったが、 低温時でも高温時でも接続部の抵抗値アップや作動に異 常はみられなかった。
また、 衝撃試験を行ったがノイズをひろったり、 瞬間的に断線することはなか つた。
チップ側の電極と導電性微粒子との接触面を観察したが、 接触面積はどの粒子 もほぼ等しく薄膜状の樹脂は入り込んでいなかつた。 (実施例 4 )
メチルメタクリル系架橋共重合体の微球体に、 無電解メツキにより厚み 0 . 1 mの-ッケノレ層を付け、 更に電気メツキにより厚み 0 . 9 /z mの金層を付けた この粒子を分級し、 平均粒径 4 5 m、 アスペク ト J l . 0 5、 C V値 2 %、 K値 2 0 0 0 N/mm 2 , 回復率 5 0 %、 常温での線膨張係数 8 0 p p m、 抵抗 値 0 . 0 3 Ωの金属被覆微球体を得た。 また、 ヤング率 2 G P a、 厚み 6 0 μ m 、 1 c m角の大きさの半硬化状態のガラス一エポキシ系フィルムに I Cチップの 電極と位置が合うように約 1 5 のピッチで 1 6個の穴を約 2 mm離して 2 列、 エキシマレーザーで表面 4 3 /i m、 裏面 3 8 μ mのテーパー状で穴の C V値 2 %、 アスペクト比 1 . 0 5になるように開けた。 エキシマレーザーを用いるこ とにより、 所望の寸法'形状を精度よく得ることができた。 このフィルムの裏側 に直径 5 mmの吸い口を、 フィルムの穴全てを覆い、 なおかつ漏れがないように 当て、 一 6 5 k P aの真空度で吸引を行いながら、 微粒子に近づけ微粒子の吸着 を行った。 数秒程度でフィルムの各穴には粒子が一つづつ過不足なく配置されて いた。 この間微粒子の付着がないよう除電を行った。 また、 余分な付着粒子はほ とんどみられなかったが、 念のため異物の除去を兼ねて柔軟なブラシにより表面 を掃いた。 微粒子を吸着配置させた後、 真空を解放し微粒子を安定化させるため フィルムをガラス板に挟み軽くプレスした。 微粒子の重心はフィルムの中にあり 、 フィルムに振動を与えても粒子が穴から離れることはなかつた。
このようにして得られた、 導電接続フィルムを電極パターンが描かれたセラミ ック基板の上に電極の位置と導電性微粒子の位置が合うように載せ、 軽く押圧加 熱し仮圧着した後、 約 2 0 mの金バンプの付いたチップの金電極の位置と導電 性微粒子の位置とを合わせ加熱圧着しエポキシ樹脂を硬化させフリップチップ接 合を行った。 硬化後のガラス一エポキシの常温での線膨張係数は 3 0 p p mであ つた。
これにより得られた接続構造体は、 全ての電極で安定した導通がとれ隣接電極 でのリークがないために通常通り作動し、 一 2 5〜 1 0 0。Cの熱サイクルテスト を 1 0 0 0回行ったが、 低温時でも高温時でも接続部の抵抗値アップや作動に異 常はみられなかった。
また、 衝撃試験を行ったがノイズをひろったり、 瞬間的に断線することはなか つた。
チップ側の電極と導電性微粒子との接触面を観察した'が、 接触面積はどの粒子 もほぼ等しく薄膜状の樹脂は入り込んでいなかつた。
(実施例 5)
架橋したエポキシ樹脂粒子の微球体に、 無電解メツキにより厚さ 0. の ニッケル層を付け、 更に無電解置換メツキにより厚さ 0. の金層を付けた 。 この粒子を分級し、 平均粒径 200 m、 アスペクト比 1. 1、 CVffi2%、 K値 300 ON/mm2, 回復率 70%、 常温での線膨張係数 60 p p m、 抵抗 値 0. 3 Ωの金属被覆微球体を得た。 また、 ヤング率 0. 8 G P a、 厚み 1 70 /zm、 2 cm角の大きさの半硬化状態のエポキシ系フィルムに 0. 5mmピッチ で正方形状になるように 32個の穴を、 ドリルで表面 230 /zm、 裏面 1 50 μ mの階段状で穴の CV値 3%、 アスペクト比 1. 2になるように開けた。
このフィルムの裏側に直径 7 mmの吸い口を、 フィルムの穴全てを覆い、 なお かつ漏れがないように当て、 一 40 k P aの真空度で吸引を行いながら、 微粒子 に近づけ微粒子の吸着を行つた。 十数秒程度でフィルムの各穴には粒子がほぼ一 つづつ過不足なく配置されていた。 この間微粒子の付着がないよう除電を行って いた。 ごく希に穴付近に余分な付着粒子の付着がみられたが、 柔軟なブラシによ り表面を掃くことにより簡単に除去することができた。 微粒子を吸着配置させた 後、 真空を解放し微粒子を安定ィ匕させるためフィルムをガラス板に挟み軽くプレ スした。 微粒子の重心はフィルムの中にあり、 フィルムに振動を与えても粒子が 穴から離れることはなかった。
このようにして得られた、 導電接続フィルムを電極パターンが描力れた FR— 4基板の上に電極の位置と導電性微粒子との位置が合うように載せ、 軽く押圧加 熱し仮圧着した後、 0. 5mniピッチで正方形状になるように 32個の電極が設 けられたセラミックのダミーチップの電極の位置と導電性微粒子の位置とを合わ せ加熱圧着しエポキシ樹脂を硬化させフリップチップ接合を行った、 硬化後のェ ポキシ樹脂の常温での線膨張係数は 8 0 p p mであった。
これにより得られた接続構造体は、 導通抵抗は高めであつたが全てきちんと導 通しており、 一 2 5〜1 0 0 °Cの熱サイクルテストを 1 0 0 0回行ったところ、 やや抵抗の上昇がみられたが問題となるほどではなかった。 また、 低温時でも高 温時でも接続部の抵抗値ァップはほとんどみられなかつた。
また、 衝撃試験を行ったがノイズをひろったり、 瞬間的に断線することはなか つた。
チップ側の電極と導電性微粒子との接触面を観察したが、 粒子により若干接触 面積の違いはあるものの薄膜状の樹脂は入り込んでいなかった。
(実施例 6 )
実施例 5においてエポキシ樹脂粒子の代わりにシリカの微球体に、 無電解メッ キにより厚み 0 . 4 μ πιのニッケル層を付け、 更に無電解置換メツキにより厚み 0 . 1 / iiiの金層を付けた。 この粒子を分級し、 平均粒径 2 0 0 /z m、 ァスぺク ト比 1 . 1、 C Vf[i 2 %, K値 1 6 0 0 0 N/mm 2、 回復率 9 5 %、 常温での 線膨張係数 1 0 p p m、 抵抗値 0 . 3 Ωの金属被覆微球体を得た。
この微球体を用いた導電接続フィルムを用い実施例 5と同様にフリップチップ 接合を行った。
これにより得られた接続構造体は、 導通抵抗は高めであつたが全てきちんと導 通しており、 一 2 5〜1 0 0 °Cの熱サイクルテストを 1 0 0 0回行ったところ、 抵抗の上昇がみられたが問題となるほどではなかった。 高温時に導通が若干不安 定になったり、 衝撃試験で若干ノイズ等をひろうことがあったものの素子によつ ては充分使用可能と考えられた。
チップ側の電極と導電性微粒子との接触面を観察したが、 粒子により接触面積 の違いはあるものの薄膜状の樹脂は入り込んでいなかった。
(実施例 7 ) 実施例 5においてエポキシ樹脂粒子の代わりに非架橋のァクリル微球体に、 無 電解メツキにより厚み 0. 4 mのニッケル層を付け、 更に無電解置換メツキに -より厚み 0. 1 //mの金層を付けた。 この粒子を分級し、 平均粒径 200 //m、 アスペクト比 1. 1、 CV値 2%、 K値 S O ONZmm2 回復率 4%、 常温で の線膨張係数 150 p p m、 抵抗値 0. 3 Ωの金属被覆微球体を得た。
この微球体を用いた導電接続フィルムを用い実施例 5と同様にフリップチップ 接合を行った。
これにより得られた接続構造体は、 導通抵抗は高めであつたが全てきちんと導 通しており、 一 25〜100°Cの熱サイクルテストを 1000回行ったところ、 抵抗の上昇がみられたが問題となるほどではなかった。 低温で導通が若干不安定 になったり、 衝撃試験で若干ノイズ等をひろうことがあったものの素子によって は充分使用可能と考えられた。
チップ側の電極と導電性微粒子との接触面を観察したが、 粒子により接触面積 の違いはあまりみられず、 薄膜状の樹脂は入り込んでいなかった。
(実施例 8)
実施例 5においてエポキシフィルムの代わりにヤング率 20 GP aのセラミッ クのフィルムを用いたことを除いては、 同様に粒子の吸着を行ったところ、 吸着 させる際、 一旦は配置されたものの振動衝撃により弾き飛ばされる粒子が観察さ れ、 配置させるのに若干余分な時間がかかった。 また、 配置された粒子の被覆金 属の一部に小さな傷や剥離がみられたものの、 実用的には問題のないものであつ た。 .
(実施例 9)
シード重合により得られたジビニルベンゼン系共重合体を篩と湿式分級により 分級し微球体を得た。 この後、 無電解メツキにより厚み 0. 2 mのニッケル層 を付け、 更に電気メツキにより厚み 1. 8 μπιの金層を付けた。 更にこの粒子を 分級し、 平均粒径 75 /zm、 アスペクト比 1. 03、 CV値 1。/0、 κ値 3800 N/mm 2 回復率 6 0 %、 常温での線膨張係数 5 0 p p m、 抵抗値 0 . 0 1 Ω の金属被覆微球体を得た。 このようにして得られた導電性微粒子を観察したが、 金属被覆膜の剥離等は観察されなかつた。
また、 ヤング率 0 . 4 G P a、 厚み 6 8 /z m、 1 c m角の大きさの半硬化状態 のエポキシ系フィルムに I Cチップの電極と位置が合うように約 3 0 0 / mのピ ツチで 1 8個の穴を約 3 mm離して 2列、 C O 2レーザーで表面 7 5 μ m、 裏面 6 8 /z mのテーパー状で穴の C V値 2 %、 アスペクト比 1 . 0 4になるように開 けた。 C〇2レーザーを用いることにより、 所望の寸法 ·形状を精度よく得るこ とができた。 このフィ^ /ムの裏側に直径 8 mmの吸い口を、 フィルムの穴全てを 覆い、 なおかつ漏れがないように当て、 一 6 5 k P aの真空度で吸引を行いなが ら、 微粒子に近づけ微粒子の吸着を行った。 この際、 吸い口にはフィルム支持用 に目開き 5 0 /z mの S U S製のメッシュを備え付けた。 数秒程度でフィルムの各 穴には粒子が 1つづつ過不足なく配置されていた。 この間微粒子の付着がないよ う徐電を行っていた。 また、 余分な付着粒子はほとんどみられなかったが、 念の ため異物の除去を兼ねて柔軟なブラシにより表面を掃いた。 微粒子を吸着配置さ せた後、 真空を開放し微粒子を安定化させるためフィルムをガラス板に挟み軽く プレスした。 微粒子の重心はフィルムの中にあり、 フィルムに振動を与えても粒 子が穴から離れることはなかった。
このようにして得られた、 導電接 フィルムを電極パターンが描かれた F R— 4基板の上に電極の位置と導電性微粒子の位置とが合うように載せ、 軽く押圧し 仮圧着した後、 チップのアルミ電極の位置と導電性微粒子の位置とを合わせ加熱 圧着し、 エポキシ樹脂を硬化させフリップチップ接合を行った。 硬化後のェポキ シ樹脂の常温での線膨張係数は 5 0 p p mであった。 加熱圧着後の導電性微粒子 を観察したが、 金属被覆膜の破壌による剥がれ等は認められなかった。
これにより得られた接続構造体は、 全ての電極で安定した導通がとれ隣接電極 でのリークがないために通常通り作動し、 一 2 5〜1 0 0 °Cの熱サイクルテスト を 1 0 0 0回行ったが、 低温時でも高温時でも接続部の抵抗値アップや作動に異 常はみられなかった。 また、 衝撃試験を行ったがノイズをひろったり、 瞬間的に断線することもなか つた。
チップ側の電極と導電性微粒子との接触面を観察したが、 接触面積はどの粒子 もほぼ等しく薄膜状の樹脂は入り込んでいなかつた。
(比較例 1 )
実施例 1において、 アスペク ト比 1 . 5、 C V値 1 5 %の微球体を用いたこと 以外は同様に微粒子配置フィルムを得ようとしたが、 吸引の際に多数の微粒子が 真空側に逃げたり、 2粒子以上が詰まる穴があり、 偏平粒子や大きな粒子が一度 は吸引され配置されたものの真空を解放 ·した時点でズレてしまった。
(比較例 2 )
実施例 1において、 フィルム表面の穴径を 7 0 m、 裏面を 5 0 mにしたこ と以外は同様に微粒子配置フィルムを得ようとしたが、 粒子が一度は吸引され配 置されたものの吸引状態でもズレてしまうものがあり、 真空を解放した時点でほ とんどの粒子がズレてしまった。
(比較例 3 )
実施例 1において、 フィルム表面の穴径を 3 1 0 ιηΝ 裏面を 2 5 0 μ πιにし たこと以外は同様に微粒子配置フィルムを得ようとしたが、 微粒子が真空側に逃 げてしま 、粒子を配置することができなかった。
(比較例 4 )
実施例 1において、 フィルム表面の穴をアスペクト比 2、 C V値 2 5 %にした こと以外は同様に微粒子配置フィルムを得ようとしたが、 吸引の際に多数の微粒 子が真空側に逃げたり、 2粒子以上が詰まる穴があり、 一度は吸引され配置され たものの真空を解放した時点でズレてしまう粒子があった。 (比較例 5 )
実施例 1と同様に、 平均粒径 4 mのメチルメタクリル系架橋共重合体微粒子 を 3〜4 t m程度の穴を開けたポリエステルの薄いフィルム中に吸着を行おうと したが、 静電引力等による付着が多く適切に配置させることができなかった。
(比較例 6 )
実施例 3においてエポキシ系フィルム中にランダムに金属被覆微球体を分散さ せ A C Fを作製し、 これを用いたことを除いては同様にフリップチップ接合を行 おうとしたが、 導電性微粒子が少ないと導通が得られていない電極が発生した。 徐々に導電性微粒子を増やしていったが途中で隣接電極がリークする部分が発生 した。 また、 チップの電極以外の部分に大きめの粒子が来た際に、 加重がそこに 集中しチップの保護膜を破壊する現象がみられた。
これにより、 少なくとも同じ大きさの導電'性微粒子を用いる限りにおいては、 明らかに配置されている方が微細ピッチに対応可能であることがわかった。 また 、 導通が得られた部分についても電極との接触面の一部に薄膜状に榭脂が入り込 んでいることが観察された。
(比較例 7 )
実施例 4において、 アスペク ト比 1 . 5、 C V値 1 2 %の微球体を用いた導電 接続フィルムを作製し、 この導電接続フィルムを用い実施例 4と同様にフリップ チップ接合を行ったが、 熱圧条件を変更しても導通がとれていない電極部分が多 数突生した。
(比較例 8 )
実施例 3において、 無電解メツキにより厚み 0 . 1 μ πιのニッケル層を付け、 更に電気メツキにより厚み 0 . 1 /z mの金層を付けた金属被覆微球体を用いた導 電接続フィルムを作製し、 この導電接続フィルムを用い実施例 3と同様にフリッ プチップ接合を行ったが、 金属被覆層の破壊が起こり、 導通がとれていない電極 部分が多数発生した。 産業上の利用可能性
本発明は、 上述の構成よりなるので、 特定の微粒子を特定の穴の開いたフィル ムの裏面から吸引することにより、 フィルムの任意の位置に効率よく過不足なく 微粒子を安定した状態で容易に配置することができ、 任意の位置に安定的に微粒 子を配置したフィルムを得ることができる。 また、 本発明によれば、 特定の導電 性微粒子が任意に配置された特定なフィルムを用いることにより、 微細な対向電 極を隣接電極のリークがなく接続信頼性の高い電気的接続及び接続構造体を短時 間で容易に得ることができる。

Claims

請求の範囲
1. 平均粒径 5~800 /zm、 アスペク ト比 1. 5未満、 CV値 10%以下の微 粒子が配置されている微粒子配置フィルムであって、
フィルム表面の任意の位置に、 平均穴径が前記微粒子の平均粒径の 1 / 2〜 2倍
、 アスペク ト比 2未満、 CV値 20%以下の穴が設けられており、
前記微粒子は、 前記穴の表面上又は中に配置されていることを特徴とする微粒子
2. 微粒子の表面が、 フィルムの表裏両面に表出していることを特徴とする請求 の範囲第 1項記載の微粒子配置：
3. 微粒子は、 平均粒径 20〜 150 /zm、 アスペク ト比 1. 1未満、 CV値 2 °/0以下の球状粒子であることを特徴とする請求の範囲第 1又は 2項記載の微粒子
4. 微粒子は、 コアが高分子量体であることを特徴とする請求の範囲第 1、 2又 は 3項記載の微粒子配置：
5. 微粒子は、 K値 400〜 15000NZmni2、 回復率 5%以上、 常温での ' 線膨張係数 10~200 p pmであることを特徴とする請求の範囲第 1、 2、 3 又は 4項記載の微粒子配置：
6. 微粒子は、 K値 2000〜 8000 N/mm2 回復率 50 %以上、 常温で の線膨張係数 30~100 p pmであることを特徴とする請求の範囲第 1、 2、 3、 4又は 5項記載の微粒子配置フィルム。
7. 微粒子は、 金属の被覆層を有することを特徴とする請求の範囲第 1、 2、 3 、 4、 5又は 6項記載の微粒子配置フィルム。
8. 金属の被覆層の厚みが 0. 3 以上であることを特徴とする請求の範囲第 7項記載の微粒子配置フィルム。 .
9. 金属は、 ニッケル又は金を含むものであることを特徴とする請求の範囲第 7 又は 8項記載の微粒子配置フィルム。
10. 微粒子は、 抵抗値が 3 Ω以下であることを特徴とする請求の範囲第 1、 2 、 3、 4、 5、 6、 7、 8又は 9項記載の微粒子配置フィルム。
11. 微粒子は、 抵抗値が 0. 05 Ω以下であることを特徴とする請求の範囲第 1、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9又は 10項記載の微粒子配置フィルム。
12. フィルムの厚みが微粒子の平均粒径の 1Z2〜 2倍であることを特徴とす る請求の範囲第 1、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9、 10又は 11項記載の微 粒子配置フィルム。
13. フィルムの厚みが微粒子の平均粒径の 3 / 4〜 1. 3倍であることを特徴 とする請求の範囲第 1、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9、 10、 11又は 12 項記載の微粒子配置：
14. フィルム表面のヤング率が 1 OGP a以下であることを特徴とする請求の 範囲第 1、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9、 10、 11、 12又は 13項記載 の微粒子配置：
15. フィルムが押圧又は加熱により接着性を有することを特徴とする請求の範 囲第 1、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9、 10、 11、 12- 13又は 14項 記載の微粒子配置フィルム。
16. フィルムが加熱又は UV照射により硬化することを特徴とする請求の範囲 第 1、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9、 10、 1 1、 1 2、 13、 14又は 1
5項記載の微粒子配置：
1 7. フィルムの硬化後の線膨張係数が 10〜200 p pmであることを特徴と する請求の範囲第 1、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9、 10、 1 1、 12、 1 3、 14、 15又は 16項記載の微粒子配置フィルム。
18. 穴は、 表面の平均穴径が微粒子の平均粒径の 4 Z 5〜 1. 3倍、 C V値 5 %以下、 アスペク ト比 1. 3未満であることを特徴とする請求の範囲第 1、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9、 10、 1 1、 12、 13、 14、 15、 16又は 1 7項記載の微粒子配置フィルム。
1 9. 穴は、 厚み方向にテーパー状又は階段状であることを特徴とする請求の範 囲第 1、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9、 10、 1 1、 12、 13、 14、 1 5、 16、 17又は 18項記載の微粒子配置フィルム。
20. フィルム裏面の平均穴径がフィルム表面の平均穴径以下であり、 かつ、 フ イルム表面の平均穴径の 50%以上であることを特徴とする請求の範囲第 1、 2 、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9、 10、 1 1、 1 2、 13、 14、 15、 16、 1 7、 18又は 1 9項記載の微粒子配置フィルム。
21. フィルム裏面の平均穴径がフィルム表面の平均穴径以下であり、 かつ、 フ イルム表面の平均穴径の 80%以上であることを特徴とする請求の範囲第 1、 2 、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9、 10、 1 1、 12、 13、 14、 15、 16、 17、 18、 19又は 20項記載の微粒子配置フィルム。
22. 穴開け加工を、 レーザーを用いて行うことを特徴とする請求の範囲第 1、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9、 10、 1 1、 1 2、 13、 14、 1 5、 16、 1 7、 1 8、 1 9、 20又は 21項記載の微粒子配置フィルム。
23. 請求の範囲第 1、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9、 10、 1 1、 1 2、 13、 14、 1 5、 16、 17、 18、 19、 20、 21又は 22項記載の微粒 子配置フィルムであって、
微粒子は、 導電性微粒子であることを特徴とする導電接続フィルム。
24. 請求の範囲第 23項記載の導電接続フィルムを用いて接続してなることを 特徴とする導電接続構造体。
25. 請求の範囲第 1、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9、 10、 1 1、 1 2、 13、 14、 1 5、 16、 17、 18、 1 9、 20、 21又は 22項記載の微粒 子配置フィルムのとおりにフィルムに微粒子を配置する微粒子の配置方法であつ て、 表面に実質的にタックのない前記フィルムの裏面から前記微粒子を吸引する ことを特徴とする微粒子の配置方法。
26. 微粒子の吸引は、 気体の吸引により行い、
吸引側の真空度が
前記微粒子の平均粒径が 800〜200 μ mである場合、 一 10 k P a以下であ り、
前記微粒子の平均粒径が 200〜 40 μ mである場合、 一 20 k P a以下であり、 前記微粒子の平均粒径が 40 μ m未満である場合、 一 30 k P a以下である ことを特徴とする請求の範囲第 25項記載の微粒子の配置方法。
27. 吸引時に吸引口に支持板を設けることを特徴とする請求の範囲第 25又は 26項記載の微粒子の配置方法。
28. エアーパージ又はブラシで余分な付着粒子を除去する工程を含むことを特 徴とする請求の範囲第 25、 26又は 27項記載の微粒子の配置方法。
29. 微粒子を配置したフィルムをプレスする工程を含むことを特徴とする請求 の範囲第 25、 26、 27又は 28項記載の微粒子の配置方法。
30. ί敷粒子の重心がフィルム中にあることを特徴とする請求の範囲第 25、 2 6、 27、 28又は 29項記載の微粒子の配置方法。
31. 微粒子の配置を除電しながら行うことを特徴とする請求の範囲第 25、 2 6、 27、 28、 29又は 30項記載の微粒子の配置方法。
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