KR20030007947A - 미립자 배치 필름, 도전 접속 필름, 도전 접속 구조체, 및미립자 배치 방법 - Google Patents

미립자 배치 필름, 도전 접속 필름, 도전 접속 구조체, 및미립자 배치 방법 Download PDF

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후꾸오까마사떼루
이우찌겐지
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세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 필름의 임의의 위치에 효율적이고 용이하게, 단지 균형적이고 안정한 상태로, 특정 미립자들을 배치하는 방법 및 미립자 배치 필름, 즉 기본적으로 하나의 홀에 하나의 입자를 배치한 미립자 배치 방법 및 미립자 배치 필름, 그리고 미세한 대향 전극들을 접속하는 경우에 도전성 미립자들이 임의의 위치들에 배치된 필름을 사용함으로써, 인접 전극들로부터 리크를 발생시키지 않고 접속 신뢰성이 높은 전기적 접속을 짧은 시간에 쉽게 수행할 수 있는 도전 접속 필름 및 도전 접속 구조체를 제공한다.
본 발명은 5 내지 800 ㎛ 의 평균 입자 직경; 1.5 미만의 애스펙트 비; 10% 이하의 CV 값을 각각 가지는 미립자들이 배치되어 있는 미립자 배치 필름에 관한 것으로, 상기 필름은, 필름 표면의 임의의 위치들에, 미립자의 평균 입자 직경의 1/2 내지 2 배 인 평균 홀 직경; 2 미만의 애스펙트 비; 및 20% 이하의 CV 값을 각각 가지는 홀들을 가지며, 상기 미립자들은 홀들의 표면 또는 홀들의 내부에 배치되어 있는, 미립자 배치 필름이다.

Description

미립자 배치 필름, 도전 접속 필름, 도전 접속 구조체, 및 미립자 배치 방법 {MICROPARTICLE ARRANGEMENT FILM, ELECTRICAL CONNECTION FILM, ELECTRICAL CONNECTION STRUCTURE, AND MICROPARTICLE ARRANGEMENT METHOD}
종래, 필름의 특정 위치에 미립자들을 배치하는 방법들로서, 개별 입자들을 필름에 기계적으로 배치하는 방법, 이전에 배치된 입자들을 필름에전사하는 방법, 필름의 특정 위치들에 접착제 등을 도포하고 그 위에 미립자들을 산포(散布)하여 부착시키는 방법, 또한 페이스트내에 미립자들을 산포시켜 이를 도포하는 방법 등이 사용되고 있다.
그러나, 이러한 방법들은 배치 효율이 나쁘고, 공정이 까다롭고, 필요 이상으로 미립자들이 배치되거나 이와 반대로 필요한 부분들에 미립자들이 배치되지 않는 등의 문제점들을 가진다.
그 밖에, 액정 디스플레이, 퍼스널 컴퓨터, 또는 이동 통신 기기와 같은 전자 제품에 대하여, 기판에 반도체 소자의 소형 부품들을 전기적으로 접속하거나 기판들을 서로 전기적으로 접속하는 방법 중, 금속 범프 등을 사용하여 땜납 또는 도전 페이스트로 접속하거나, 또는 금속 범프들을 직접 압착함으로써, 미세한 전극들을 대향시켜 접속하는 방법이 있다.
미세한 전극들을 대향시켜 접속하는 경우에는, 개개의 접속 부분들의 강도가 약하다 등의 문제로 인하여, 통상적으로 접속 부분 주변을 수지로 밀봉할 필요가 있다. 통상, 이러한 밀봉은 전극을 접속한 이후에 밀봉 수지를 주입함으로써 실시된다. 그러나, 미세한 대향 전극들이 짧은 접속 거리를 가지므로, 밀봉 수지를 짧은 시간에 균일하게 주입할 수가 없없다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 도전성 미립자들을 바인더 수지와 혼합하여 필름 형상 또는 페이스트 형상으로 만드는 이방성 도전 접착제를 고려할 수 있으며, 이는 일본 특개소 소63-231889 호 공보, 일본 특개평 평4-259766 호 공보, 일본 특개평 평3-291807 호 공보, 일본 특개평 평5-75250 호 공보 등에 개시되어 있다.
그러나, 이방성 도전 접착제는 통상 절연성 접착제에 랜덤하게 분산된 도전성 미립자를 구비하기 때문에, 그 도전성 미립자들은 바인더내에 결합되거나, 가열 압착시에 전극들상에 없는 미립자들이 유동 및 결합되어, 인접 전극들에서 리크를 발생시킬 가능성이 있다. 또한, 가열 압착에 의해 전극들 또는 범프들 상에 미립자들을 가압한 경우에도, 전극과 미립자 사이에 절연재의 박층이 남기 쉽기 때문에, 접속 신뢰성을 저하시킨다는 문제가 발생한다.
본 발명은 특정 미립자들이 필름에 배치되는 미립자 배치 필름, 미세한 전극들간의 전기적 접속에 사용되는 도전 접속 필름, 도전 접속 구조체, 및 미립자 배치 방법에 관한 것이다.
도 1 은 본 발명에 따른 도전 전속 구조체를 제조하는 공정의 일실시형태를 나타내는 도면이다.
도면 중, 도면 부호 1 은 필름을, 도면 부호 2 는 도전성 미립자를, 도면 부호 3 은 흡인구, 도면 부호 4 는 IC를, 도면 부호 5 는 기판을, 도면 부호 6 은 전극을, 도면 부호 7 은 보호막을 나타낸다.
따라서 본 발명의 목적은 필름의 임의의 위치들에 효율적이고 용이하게, 단지 균형적이며 안정된 상태로, 특정 미립자들을 배치하는 방법, 및 미립자 배치 필름, 즉 기본적으로 하나의 홀에 하나의 입자를 배치하는 미립자 배치 방법 및 미립자 배치 필름, 그리고 미세한 대향 전극들을 접속할 때에, 도전성 미립자들을 임의의 위치들에 배치한 필름을 사용함으로써, 인접 전극들로부터 리크를 발생시키지 않고 접속 신뢰성이 높은 전기적 접속을 짧은 시간에 쉽게 실시할 수 있는 도전 전속 필름 및 도전 접속 구조체를 제공하는 것이다.
본 발명은 5 내지 800 ㎛ 의 평균 입자 직경; 1.5 미만의 애스펙트 비, 및 10% 이하의 CV 값을 각각 가지는 미립자들이 배치되는, 미립자 배치 필름에 있어서,
상기 필름은, 필름 표면의 임의의 위치들에, 상기 미립자의 평균 입자 직경의 1/2 내지 2 배인 평균 홀 직경; 2 미만의 애스펙트 비; 20% 이하의 CV 값을 각각 가지는 홀들을 구비하며, 그리고
상기 미립자들은 상기 홀들의 표면상에 또는 상기 홀들 내부에 배치되는, 미립자 배치 필름이다.
상기 미립자는 20 내지 150 ㎛ 의 평균 입자 직경; 1.1 미만의 애스펙트 비; 및 2% 이하의 CV 값을 가지는 구형 입자인 것이 바람직하다. 상기 미립자는 400 내지 15000 N/㎟ 의 K 값; 5% 이상의 회복율; 및 상온에서 10 내지 200 ppm 의 선팽창계수를 가지는 것이 바람직하며, 2000 내지 8000 N/㎟ 의 K 값; 50% 이상의 회복율; 및 상온에서 30 내지 100 ppm 의 선팽창계수를 가지는 것이 더 바람직하다. 또한, 미립자의 코어는 고분자량체이며, 상기 미립자는 금속 피복층을 가지는 것이 바람직하다. 금속 피복층을 가지는 미립자인 경우에, 금속 피복층은 0.3 ㎛ 이상의 두께를 가지는 것이 바람직하고, 상기 금속은 니켈 또는 금을 함유하는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에 따른 미립자 배치 필름을 도전 접속 필름으로 사용하는 경우에, 미립자는 3 Ω이하의 저항값을 가지는 도전성 미립자인 것이 바람직하고, 0.05 Ω이하의 저항값을 가지는 도전성 미전성 미립자인 것이 더 바람직하다. 또한, 도전 접속 필름을 접속하여 얻어진 도전 접속 구조체도 본 발명의 특성들 중 하나이다.
본 발명의 미립자 배치 필름에 사용한 필름은 미립자의 평균 입자 직경의 1/2 내지 2 배의 두께를 가지는 것이 바람직하고, 3/4 내지 1.3 배의 두께를 가지는 것이 더 바람직하다. 필름 표면의 영률은 10 ㎬ 이하 인 것이 바람직하다. 상기 필름은 가압 또는 가열에 의하여 접착하는 특성을 가지는 것이 바람직하며, 가열 또는 UV 조사에 의하여 경화되는 특성을 가지는 것이 바람직하다. 필름이 경화되는 특성을 가지는 경우에, 경화후의 선팽창계수가 10 내지 200 ppm 인 것이 바람직하다.
상기 홀은 미립자의 평균 입자 직경의 4/5 내지 1.3 배의 평균 홀 직경, 5% 이하의 CV 값, 1.3 미만의 애스펙트 비를 가지며, 또한 두께 방향으로의 테이퍼 형상 또는 계단 형상인 것이 바람직하다. 이 경우에, 필름 후면(後面)의 평균 홀 직경은 필름 전면(前面)의 평균 홀 직경 이하이고, 필름 전면의 평균 홀 직경의 50% 이상인 것이 바람직하며, 필름 후면의 평균 홀 직경이 필름 전면의 평균 홀 직경 이하이고 필름 전면의 평균 홀 직경의 80% 이상인 것이 더 바람직하다. 홀은 레이저에 의해 처리되는 것이 바람직하다.
본 발명의 미립자 배치 필름은 표면에 실질적으로 택이 없는 필름 후면으로부터 미립자들을 흡인하는 미립자 배치 방법에 의해 얻어질 수 있다. 이 경우에, 미립자들의 흡인은 기체의 흡인에 의해 실시되고,
미립자들의 평균 입자 직경이 800 내지 200 ㎛ 인 경우에, 흡인측의 진공도는 -10 ㎪ 이하인 것이 바람직하며,
미립자들의 평균 입자 직경이 200 내지 40 ㎛ 인 경우에, 흡인측의 진공도는 -20 ㎪ 이하인 것이 바람직하며, 그리고
미립자들의 평균 입자 직경이 40 ㎛ 미만인 경우에, 흡인측의 진공도는 -30 ㎪ 이하인 것이 바람직하다.
또한, 미립자들을 흡인하는 경우에, 흡인구에 지지판을 설치하는 것이 바람직하다. 상기 배치 방법은 에어 퍼지 또는 브러시로 여분의 부착 입자들을 제거하는 공정, 상기 미립자 배치 필름을 가압하는 공정을 포함하는 것이 바람직하고, 미립자의 중심(重心)이 필름 내부에 있으므로, 전기를 제거하면서 미립자들을 배치하는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
미립자들의 평균 입자 직경은 5 내지 800 ㎛ 이다.
상기 평균 입자 직경은 현미경을 통하여 임의의 미립자 100 개를 관찰함으로써 구할 수 있다. 평균 입자 직경이 5 ㎛ 미만인 경우에, 상기 입자들을 흡인하기 어렵거나, 미립자들이 정전기 등에 의해 부착되거나 또는 응집을 일으키기 때문에, 실질적으로 미립자들을 홀에 배치할 수 없다. 만일 그 직경이 800 ㎛ 이상인 경우에, 미립자들을 공지의 방법들로도 문제없이 배치할 수 있다.
만일 본 발명의 미립자 배치 필름을 도전 접속 필름으로 사용하고, 평균 입자 직경이 5㎛ 미만인 경우에, 전극 또는 기판의 평활성(smoothness)의 정밀도에 대한 문제들 때문에, 입자들은 전극들과 접촉하지 않고 도전 불량을 발생시킬 수 있는 반면에, 상기 직경이 800㎛ 이상인 경우에는, 상기 입자들이 미세 피치들의 전극들에 대응 할 수 없으므로 인접 전극들 사이에서 단락을 발생시킨다.
상기 미립자들의 평균 입자 직경들은 10 내지 300 ㎛ 가 바람직하고, 20 내지 150 ㎛ 가 더 바람직하며, 40 내지 80 ㎛ 가 더욱 더 바람직하다.
상기 미립자들의 애스펙트 비는 1.5 미만이다.
상기 애스펙트 비는 상기 입자의 평균 장 (長) 직경을 입자의 평균 단(短) 직경으로 분할함으로써 구해지는 값이며, 만일 애스펙트 비가 1.5 이상인 경우에,상기 입자들은 불규칙적으로 되므로, 상기 입자들은 필름의 홀들로부터 이탈되거나 또는 많은 입자들이 필름에 채워진다. 만일 본 발명의 미립자 배치 필름이 도전 접속 필름으로 사용되는 경우에, 단 직경의 부분들이 전극들에 도달하지 않아 접속불량을 야기한다.
상기 애스펙트 비는 1.3 미만이 바람직하며, 1.1 미만이 더 바람직하며, 1.05 미만에서는, 효과를 현저하게 상승시킬 수 있다.
미립자는 제조 방법에 따라 다르지만, 애스펙트 비가 높은 미립자들의 많이 있기 때문에, 본 발명에 사용되는 미립자들은, 변형가능한 상태에서 표면 장력을 이용하는 등의 방법들을 통하여 구형화하여, 구형 입자들을 형성하는 것이 바람직하다.
미립자의 CV 값은 10 % 이하이다.
상기 CV 값은 (σ/Dn) ×100% (σ는 입자 직경의 표준편차를 나타내고, Dn 은 다수의 평균 입자 직경을 나타낸다) 으로 표현된다. CV 값이 10% 를 초과하는 경우에 입자 직경들은 불규칙적으로 되므로, 큰 입자들은 홀들로부터 이탈되거나 많은 작은 입자들이 홀들에 채워진다. 만일 본 발명의 미립자 배치 필름을 도전 접속 필름으로 사용하는 경우, CV 값이 10 %를 초과하면, 작은 입자들이 전극들에 도달하지 않아 접속 불량을 야기한다.
상기 CV 값은 5% 이하이면 바람직하고, 2% 이하이면 더 바람직하고, 1% 이하에서는 효과가 현저하게 상승한다.
통상의 미립자들이 큰 CV 값들을 가지므로, 본 발명의 미립자들을 예를 들어분급(分級;classification) 에 의해 입자 직경을 규칙적으로 만들어야 한다. 특히, 200 ㎛ 이하의 직경을 가지는 입자들을 정밀하게 분급하는 것이 어렵기 때문에, 체(篩:screening), 기류분급, 또는 습식 분급 등을 조합하는 것은 바람직하다. 상기 미립자들로는, 특히, 20 내지 150 ㎛ 의 평균 직경, 1.1 미만의 애스펙트 비, 그리고 2% 이하의 CV 값을 가지는 구형 입자들이 바람직하다.
본 발명의 미립자들로는, 예를 들어, 고분자량체; 실리카, 알루미나, 금속 또는 카본 등의 무기물; 저분자량 화합물 등을 사용할 수 있지만, 적절한 탄성, 유연성, 및 회복율을 가지며 구형 물질들을 쉽게 입수할 수 있다는 점에서, 고분자량체를 코어로 사용하는 것이 바람직하다.
상기 고분자량체로는, 예를 들어 페놀 수지, 아미노 수지, 아크릴 수지, 에틸렌-아세트산비닐 수지, 스티렌-부타디엔 블록 공중합체, 폴리에스테르 수지, 요소 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 폴리이미드 수지, 우레탄 수지 또는 에폭시 수지 등의 열가소성 수지; 경화성 수지, 가교수지, 또는 유기-무기 하이브리드 중합체를 들 수 있다. 이들 중에서, 내열성의 관점에서 보면, 가교 수지가 바람직하다. 또한, 필요에 따라 충전물들을 함유할 수 있다.
상기 미립자는 기계적 특성들을 가지도록 요구되므로, K 값이 400 내지 15000 N/㎟ , 회복율이 5% 이상, 그리고 상온에서의 선팽창계수가 10 내지 200 ppm 인 것이 바람직하다.
상기 미립자의 K 값은 400 내지 15000 N/㎟ 인 것이 바람직하다. 여기서, K 값은 (3/√2)ㆍFㆍS-3/2ㆍR-1/2로 표현되며, F 는 20 ℃에서 10% 압축 변형하에서의 하중값 (N) 이며, S 는 압축변위 (㎜) 로 표현되며, R 은 반경 (㎜) 으로 표현되는 값이다. 만일 K 값이 400 미만인 경우에, 미립자들이 대향 전극들에 충분한 효과를 발행시킬 수 없으므로, 예를 들어 전극이 표면에서 산화되어 있는 등의 경우에 도전성이 바람직하게 제공되지 않거나, 또는 접촉저항이 커서 도전 신뢰성이 떨어질 수 있다. 만일 K 값이 15000 이상인 경우, 미립자들이 대향 전극들 사이에 홀드되면, 과도한 압력이 국부적으로 전극들에 가해져서 소자가 파괴되거나, 또는 단지 큰 직경을 가진 입자들에 의해 전극들 사이의 갭들이 결정되어, 작은 직경의 입자들이 전극들에 도달하지 않아 접속 불량을 발생시킬 수도 있다.
따라서, K 값은 1000 내지 10000 이 바람직하며, 2000 내지 8000 이 더 바람직하며, 3000 내지 6000 이 더욱 더 바람직하다.
본 발명에 사용되는 미립자는 20 ℃, 10% 압축 변형하에서, 5% 이상의 회복율을 가지는 것이 바람직하다. 상기 회복율이 5% 미만이 되는 경우에, 만일 대향 전극들이 예를 들어 충격 등에 의해 순간적으로 넓어지면, 상기 입자들이 이를 따르지 않아, 순간적으로 전기적 접속이 불안정하게 된다. 회복율은 20 % 이상이 바람직하고, 50% 이상이 더 바람직하며, 80% 이상에서는, 현저한 효과를 얻을 수 있다.
본 발명에 사용되는 미립자는 상온에서 10 내지 200 PPm 의 선팽창계수를 가지는 것이 바람직하다. 만일 상기 선팽창계수가 10 PPm 미만이면, 상기 미립자와 필름 사이의 선팽창의 차이가 크기 때문에, 예를 들어 열사이클 등이 적용된 경우에, 상기 입자가 상기 필름의 팽창을 따르지 않아, 전기적 접속이 불안정하게 된다. 반대로, 만일 선팽창계수가 200 PPm 보다 크면, 예를 들어, 열사이클 등이 적용되는 경우에, 전극들 사이의 거리가 너무 많이 넓어지고, 만일 상기 필름이 기판과 접속되는 경우에, 그 접속부분은 파괴되고, 전극의 접속부분에 응력이 집중되어 접속 불량을 야기한다.
선팽창계수는 20 내지 150 ppm 이 바람직하며, 30 내지 100 ppm이 더 바람직하다.
상기 미립자에 있어서, 보다 바람직하기로, K 값은 2000 내지 8000 N/㎟ 이며, 회복율은 50% 이상이며, 상온에서의 선형팽창계수는 30 내지 100 PPm 이다.
본 발명의 미립자 배치 필름을 도전 접속 필름으로 사용하는 경우에, 미립자는 도전성 미립자이어야 한다. 도전성 미립자로는, 고분자량체인 코어에 걸쳐 피복되는 도전층으로서 금속 피복층을 형성한 것들을 적합하게 사용한다. 특히, 상기 금속에 어떤 제한을 가하지는 않지만, 니켈 또는 금을 함유하는 것들을 들 수 있다. 전극과의 접촉저항이나 도전성 및 산화열화를 발생시키지 않는 점을 고려하여, 표면층은 금인 것이 바람직하며, 도전성 미립자는 복층화를 위한 베리어층이나 코어 및 금속의 밀착성을 향상시키기 위한 니켈층을 가지는 것이 바람직하다.
금속 피복층의 두께는 0.3 ㎛ 이상이 바람직하다. 만일 그 두께가 0.3 ㎛ 미만이면, 도전성 미립자들을 취급하는 경우에, 금속 피복층이 박리될 수 있다.본 발명의 미립자 배치 필름을 도전 접속 필름으로 사용하는 경우에 충분한 도전이 제공되지 않거나, 대향 전극을 접속하기 위하여 미립자 배치 필름을 가압하는 경우에 금속 피복 필름이 파괴되어 접속 불량이 야기되는 경우가 발생한다. 상기 두께는 1.0 ㎛ 이상이 더 바람직하며, 2.0 ㎛ 이상이 더욱 더 바람직하다. 한편, 코어인 고분자량체의 특성들을 잃어버리지 않기 위하여 금속 피복층의 두께는 입자 직경의 1/5 이하인 것이 바람직하다.
상기 도전성 미립자의 도전 저항으로는, 상기 미립자가 평균 입자 직경의 10% 로 압축되는 경우에, 단일 입자의 도전 저항, 즉 저항값이 3Ω 이하인 것이 바람직하다. 도전 저항이 3 Ω을 초과하는 경우에, 충분한 전류값을 확보할 수 없거나 또는 도전 저항이 큰 전압을 견디지 못하여, 소자가 정상적으로 동작하지 않게 된다.
상기 도전 저항은 0.3 Ω 이하인 것이 바람직하고, 0.5 이하인 것이 더 바람직하고, 0.01Ω 이하에서는, 입자가 높은 신뢰성을 유지하면서 전류구동형 소자에 대응하도록 현저하게 높아진다.
본 발명의 미립자 배치 필름에 사용되는 필름으로는, 예를 들어, 고분자량체 또는 그것의 혼합물; 세라믹, 금속 또는 카본 등의 무기물; 저 분자량 화합물 등을 이용할 수 있지만, 적절한 탄성, 유연성, 및 회복율을 가지는 이러한 화합물을 쉽게 입수할 수 있다는 점에서, 고분자량체 또는 그것의 혼합물이 바람직하다.
고분자량체로는, 예를 들어, 페놀 수지, 아미노 수지, 아크릴 수지, 에티렌-아세트산비닐 수지, 스티렌-부타디엔 블록 공중합체, 폴리에스테르 수지, 요소 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 폴리이미드 수지, 우레탄 수지, 또는 에폭시 수지 등의 열가소성 수지; 경화성 수지, 가교 수지, 유기-무기 하이브리드 중합체 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 불순물이 적고 넓은 물리적 특성들을 가지는 물질의 보유 능력을 고려하면, 에폭시계수지가 바람직하다. 에폭시계 수지는 미경화 에폭시, 상술된 수지들과의 혼합물, 또는 반경화 에폭시를 함유한다. 필요에 따라 유리 섬유 또는 알루미나 입자와 같은 무기 충전물을 함유할 수도 있다.
상기 필름의 두께는 미립자의 평균 입자 직경의 1/2 내지 2 배인 것이 바람직하다. 만일 상기 두께가 1/2 배 미만인 경우에, 배치된 입자들이 홀들로부터 이탈되기 쉽다. 본 발명의 미립자 배치 필름을 도전 접속 필름으로 사용하는 경우에, 상기 필름의 부분으로 기판을 쉽게 지지할 수 없다. 만일 그 두께가 2 배를 초과하는 경우에, 여분의 입자들이 홀들로 들어가기 쉽게 된다. 또한, 본 발명의 미립자 배치 필름을 도전 접속 필름으로 사용하는 경우에, 미립자들이 전극들에 도달하지 않아 접속 불량을 야기한다. 상기 필름의 두께는 상기 미립자의 평균 입자 직경의 2/3 내지 1.5 배인 것이 바람직하며, 3/4 내지 1.3 배인 것이 더 바람직하며, 0.8 내지 1.2 배인 경우에는, 현저한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 상기 두께는 0.9 내지 1.1 배인 것이 더욱 더 바람직하다.
특히, 본 발명의 미립자 배치 필름을 도전 접속 필름으로 사용하는 경우에, 소자 또는 기판의 전극들상에 범프가 존재하는 경우에, 상기 필름의 두께는 상기 평균 입자 직경의 1 배 이상인 것이 바람직하고, 반대로 범프가 존재하지 않는 경우에, 상기 필름의 두께는 상기 평균 입자 직경의 1 배 이하인 것이 바람직하다.
상기 필름은 10 ㎬ 이하의 표면 영률을 가지는 것이 바람직하다. 상기 영률이 이 값을 초과하는 경우에, 상기 미립자가 손상될 수 있거나, 외력이 인가되는 경우에는 튀어 오를 수 있다. 상기 영률은 2 ㎬ 이하인 것이 바람직하고, 0.5 ㎬ 이하인 경우에는, 현저한 효과를 얻을 수 있다.
본 발명에 사용되는 필름은 가압 또는 가열에 의해 접착성을 가지는 것이 바람직하다. 특히, 본 발명의 미립자 배치 필름을 도전 접속 필름으로 사용하는 경우에, 소자 및 기판 전극들과 필름의 도전성 미립자 사이가 정렬되면, 가압 또는 가열에 의해서만 접속시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 사용되는 필름은 바람직하게도 가열 또는 UV 조사에 의해 경화되어 상기 접속 부분들에서의 신뢰성을 비약적으로 향상시킬 수 있다.
또한, 이러한 접착 및 경화 기능은 개별적으로 경화형 접착제를 도포함으로써 얻을 수 있지만, 만일 상기 필름 자체가 이러한 기능들을 가지는 경우에, 본 발명의 미립자 배치 필름의 제조 공정을 매우 간략화시킬 수 있다.
본 발명에 사용되는 필름으로는, 경화후의 상온에서의 선팽창계수가 10 내지 200 ppm 인 것이 바람직하다. 상기 선팽창계수가 100ppm 미만인 경우에, 상기 필름과 상기 미립자 사이의 선팽창의 차이가 커지므로, 만일 이 필름을 도전 접속 필름으로 사용하는 경우에, 열사이클 등을 적용하면, 상기 필름이 미립자의 신장을 따를 수 없어, 상기 전기 접속은 불안정하게 된다. 반대로, 선팽창 계수가 200ppm을 초과하는 경우에, 상기 전극들 사이의 거리는 너무 넓어지며, 예를 들어, 열사이클 등을 적용하는 하는 경우에는, 상기 미립자들이 전극들로부터 이탈하여접속불량을 야기한다. 상기 선팽창계수는 20 내지 150ppm인 것이 바람직하며, 30 내지 100ppm 인 것이 더 바람직하다.
본 발명의 미립자 배치 필름은, 필름 표면의 임의의 위치들에서 상기 미립자들의 평균 입자 직경의 1/2 내지 2 배인 평균 홀 직경, 2 미만의 애스펙트 비, 및 20% 이하의 CV 값을 가지는 홀들로 형성되며, 상기 미립자들은 홀의 표면상 또는 홀의 내부에 배치되어 있다.
상기 홀의 평균 홀 직경은 상기 미립자의 평균 입자 직경의 1/2 내지 2 배이다. 상기 직경이 1/2 배 미만인 경우에, 상기 배치된 입자들은 홀들로부터 이탈되기 쉽다. 본 발명의 미립자 배치 필름을 도전 접속 필름으로 사용하는 경우에, 상기 미립자들은 후면으로부터 빠져나오기가 어려우므로, 상기 입자들이 전극들에 도달하지 않아 접속 불량을 야기한다. 반대로, 상기 직경이 2 배를 초과하는 경우에, 여분의 입자들은 홀들로 들어가거나 필름을 관통하여 필름으로부터 떨어진다. 상기 평균 홀 직경은 상기 미립자들의 평균 입자 직경의 2/3 내지 1.5 배인 것이 바람직하며, 4/5 내지 1.3 배인 것이 더욱 바람직하며, 0.9 내지 1.2 배인 것이 더욱 더 바람직하며, 특히 0.95 내지 1.1 배인 것이 바람직하며, 1 내지 1.05 배인 것이 가장 바람직하다.
홀들의 애스펙트 비는 2 미만이다. 여기서, 상기 홀의 애스펙트 비는 평균 장 직경을 평균 단 직경으로 분할한 값이다. 만일 애스펙트 비가 2 이상인 경우에, 미립자는 필름의 홀로부터 이탈되거나 많은 미립자들이 홀들에 채워진다. 본 발명의 미립자 배치 필름을 도전 접속 필름으로 사용하는 경우에, 미립자들이전극들에 도달하지 않아 전속 불량을 야기한다. 애스펙트 비는 1.5 이하가 바람직하고, 1.3 이하가 더 바람직하며, 1.1 이하가 더욱 더 바람직하다.
홀의 CV 값은 20% 이하이다. 여기서, 홀의 CV 값은 (σ2/Dn2) ×100% (σ2 는 홀 직경의 표준편차를 나타내고, Dn2 는 평균 홀 직경을 나타낸다) 로 표현된다. 홀의 CV 값이 20%를 초과하면, 홀 크기들이 불규칙적으로 되므로, 입자들은 작은 홀들로부터 이탈되거나 또는 많은 입자들이 큰 홀들에 채워지거나 이들을 관통한다. 본 발명의 미립자 배치 필름을 도전 접속 필름으로 사용하는 경우에, 미립자들이 전극에 도달하지 않아 접속 불량을 야기한다. 홀들의 CV 값은 10% 이하인 것이 바람직하고, 5% 이하인 것이 더 바람직하며, 2% 이하에서는, 효과가 현저하게 향상된다.
상술된 홀의 평균 홀 직경, 애스펙트 비 및 CV 값은, 흡인에 의해 미립자들을 배치하는 경우에, 미립자들을 흡입하는 상태에서의 평균 홀 직경, 애스펙트 비, 및 CV 값이다.
상기 홀들은 바람직하게도 상기 미립자들의 평균 입자 직경의 4/5 내지 1.3 배인 평균 입자 직경, 5% 이하의 CV 값, 및 1.3 미만의 애스펙트 비를 가진다.
상기 홀은 전면으로부터 후면으로의 두께 방향으로 테이퍼 형상 또는 계단 형상을 가지는 것이 바람직하므로, 흡인된 입자들은 더욱 안정하게 배치되며, 이탈이 발생하지 않는다.
상기 홀을 후면에서 볼 때, 후면의 평균 홀 직경은 필름 전면의 평균 홀 직경 이하, 필름 전면의 평균 홀 직경의 50% 이상인 것이 바람직하다. 만일 후면의 평균 홀 직경이 전면의 평균 홀 직경보다 더 큰 경우에, 배치된 입자들은 홀로부터 이탈하기 쉽거나 또는 상기 필름을 관통할 수 있다. 만일 필름 후면의 평균 홀 직경이 전면의 평균 홀 직경의 50% 미만인 경우에는, 배치된 입자들은 홀로부터 이탈하기 쉽다.
본 발명의 미립자 배치 필름을 도전 접속 필름으로 사용하는 경우에, 만일 필름 후면의 평균 홀 직경이 필름 전면의 평균 홀 직경의 50% 미만이면, 상기 입자는 상기 후면으로부터 나오기 어렵기 때문에, 입자가 전극들에 도달하지 않아 접속 불량을 야기한다. 필름 후면의 평균 홀 직경은 필름 전면의 평균 홀 직경의 70% 이상이 바람직하고, 80% 이상이 더 바람직하며, 90 내지 95% 가 더욱 더 바람직하다.
본 발명의 미립자 배치 필름은, 미립자들을 흡인하는 경우에, 전면 (미립자의 침입측) 에 실질적으로 택이 없는 필름의 임의의 위치에 홀을 형성하고, 상기 필름 후면으로부터 미립자들을 흡인하고, 상기 홀들의 표면상에 또는 상기 홀 내부에 미립자들을 배치하는 방법에 의해 제공될 수 있다. 또한, 상기 미립자 배치 방법은 본 발명들 중 하나이다.
또한, 이 명세서에서 "실질적으로 택이 없는" 이라는 표현은, 적어도 입자들을 흡인하는 상태에서 필름의 홀들에 배치된 입자들 또는 상기 홀들에 배치되어 있지 않은 입자들에, 상기 필름의 두께 방향에 수직인 성분들을 가지는 외력을 동일한 크기로 가했을 경우에, 배치되어 있지 않은 입자들만을 이동시킬 수 있는 상태를 의미한다.
상기 미립자 배치 필름에 홀들을 형성하는 방법으로 특별히 한정되지 않지만, 레이저를 이용한 홀 가공이 바람직하다. 드릴 등에 의해 기계적으로 실시하는 홀 가공에 있어서, 소망의 치수 정밀도를 제공하기 어렵고, 가공하는데 많은 시간이 소요될 수 있다. 홀 가공용 레이저로는, 예를 들어 CO2레이저, YAG 레이저, 엑시머 레이저 등을 들 수 있다. 필요로 하는 치수 정밀도와 비용을 고려하여, 사용될 레이저의 종류를 결정한다.
상기 미립자들의 흡인을 기체 흡인에 의해 실시하는 경우에, 흡인측의 진공도는 아래의 조건들을 충족시키는 것이 바람직하다.
(1) 미립자들의 평균 입자 직경이 800 내지 200 ㎛ 인 경우에, 진공도는 -10㎪ 이하이다.
(2) 미립자들의 평균 입자 직경이 200 내지 40 ㎛ 인 경우에, 진공도는 -20 ㎪ 이하이다.
(3) 미립자들의 평균 입자 직경이 40 ㎛ 미만인 경우에, 진공도는 -30 ㎪ 이하이다.
진공도가 상기의 것보다 낮으면, 흡인력이 약하기 때문에, 미립자가 충분히 흡인되지 않아, 입자들이 홀내에 배치되지 않거나, 배치되더라도, 홀로부터 쉽게 이탈된다. 진공도는 -25㎪ 이하 (평균 입자 직경 : 800 내지 200 ㎛), -35㎪ (평균 입자 직경 : 200 내지 400 ㎛), -45 ㎪ 이하 (평균 입자 직경 : 40 ㎛ 미만) 인 것이 바람직하고, -40 ㎪ 이하 (평균 입자 직경 : 800 내지 200 ㎛), -50 ㎪ 이하 (평균 입자 직경 : 200 내지 40 ㎛), 및 -60 ㎪ 이하 (평균 입자 직경 : 40 ㎛ 미만) 인 것이 더 바람직하다.
미립자들을 흡인하는 경우에, 특히 필름이 유연성을 가지는 경우, 필름 자체가 흡인에 의해 변형될 수 있으므로, 흡인시에 흡인구에 지지판을 제공하는 것이 바람직하다. 상기 지지판으로는, 흡인을 저해하지 않는 것이면 특별히 한정되지 않고 예를 들어 메시 등을 들 수 있다.
미립자 배치 필름을 도전 접속 필름으로 사용하는 경우에, 필름에 부착된 여분의 미립자들은 인접 전극들 사이에 단락을 발생시키므로, 에어 퍼지, 브러시, 블레이드, 스퀴지 등에 의해 여분의 부착 입자들을 제거하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 그 중에서, 미립자들을 흡인한 상태에서 브러시로 미립자들을 제거하는 것이 더 바람직하다.
상기 미립자 배치 필름에는 배치를 보다 안정하게 하기 위하여 가볍게 가압하는 것이 바람직하다. 이에 의해 배치된 미립자들은 현저하게 안정화되어, 이탈 등에 의한 결함들을 발생시키지 않는다. 또한, 배치된 미립자들을 고정시키기 위해, 접착제 또는 밀봉제를 필름의 전면 및 후면에 도포할 수 있다.
상기 미립자의 중심(重心)은 필름내에 있는 것이 바람직하다. 중심이 필름내에 있으면, 상기 미립자들은 중심이 필름면 외부에 있는 경우에 비하여 더욱 안정하게 되어, 역시 이탈 등에 의한 결함들을 발생시키지 않는다.
통상, 미립자는 대전되기 쉽고, 부착이나 입자들의 응집을 야기하기 쉬우므로, 전기를 제거하면서 미립자들을 배치하는 것이 바람직하다.
배치된 미립자들의 표면들은 필름의 전면 및 후면 모두에 노출되어 있는 것이 바람직하다. 미립자들의 표면이 필름의 전면 및 후면에 노출되어 있으면, 본 발명의 미립자 배치 필름을 도전 접속 필름으로 사용하는 경우에, 접속이 보다 확실하게 이루어질 수 있다.
본 발명의 미립자 배치 필름의 용도는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 광학용 필름 또는 센서, 스위칭 필름, 도전 접속 필름 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 액정 디스플레이, 퍼스널 컴퓨터, 이동 통신 기기와 같은 전자 제품에 있어서, 반도체 소자 등의 소형 부품들을 기판에 전기적으로 접속하거나 또는 기판들을 서로 전기적으로 접속하는 방법들 중, 본 발명의 미립자 배치 필름이 미세한 전극들을 대향시켜 접속하는데 사용되는 도전 접속 필름으로서 적절하게 사용된다. 상기 도전 접속 필름도 또한 본 발명들 중 하나이다. 이 경우에, 미립자로서는, 도전성 미립자를 사용한다.
상기 기판들은 개략적으로 플렉시블 기판과 리지드 기판으로 구별되다.
상기 플렉시블 기판은 예를 들어 50 내지 500 ㎛ 의 두께를 가지며, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리에스테르, 폴리술폰 등으로 이루어지는 수지 시트를 사용한다.
상기 리지드 기판은 개략적으로 수지제 기판과 세라믹제 기판으로 구별된다. 상기 수지제 기판은 예를 들어 유리섬유 강화 에폭시수지, 페놀수지, 셀룰로오스섬유 강화 페놀수지 등으로 이루어진 것을 포함한다. 상기 세라믹제 기판은 예를 들어 이산화규소, 알루미나 등으로 이루어진다.
상기 기판으로는, 미립자를 전극에 충분히 압착시킬 수 있다는 점에서 리지드 기판이 보다 바람직하다.
상기 기판은 단층의 구조를 가지거나 또는 단위면적 당 전극수를 증가시키기 위해 예를 들어 관통홀들을 형성하는 수단 등에 의해 복수의 층으로 형성되어 상호 전기적 접속을 수행하는 다층의 구조를 가질 수 있다.
상기 부품으로는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 IC, LSI 등의 반도체의 능동 부품, 커패시터, 수정 진동자 등의 수동 부품, 베어칩 등을 들 수 있다. 본 발명의 도전 접속 필름은 특히 베어칩 접합용으로 적합하다. 또한, 대개 베어칩을 플립칩으로 접합하기 위해 범프가 요구되지만, 본 발명의 도전 접속 필름을 사용하는 경우에, 미립자가 범프의 기능을 하므로, 범프없이 접속할 수 있어, 범프 제조시의 번잡한 공정을 생략할 수 있다는 큰 장점이 있다.
범프없이 접속을 행할 시에 배치될 전극들 이외의 장소에 미립자들이 존재하는 경우에, 칩의 보호막이 파괴되는 등의 문제가 발생하지만, 본 발명의 도전 접속 필름에는 이러한 문제들이 발생하지 않는다. 또한, 도전성 미립자가 바람직한 K 값 또는 CV 값을 가지는 경우에, 알루미늄 전극과 같이 산화되기 쉬운 전극도 산화막을 파괴하여 접속할 수 있다.
기판 또는 부품의 표면에는, 전극들이 형성된다. 상기 전극의 형상으로는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 스트라이프 형상, 도트 형상, 임의의 형상의 전극 등을 들 수 있다.
상기 전극의 재질로는 금, 은, 구리, 니켈, 파라듐, 카본, 알루미늄, ITO 등을 포함한다. 접촉 저항을 감소시키기 위해, 구리, 니켈 등의 코팅위에 금을 추가로 피복한 전극을 사용할 수도 있다.
상기 전극의 두께는 0.1 내지 100 ㎛ 가 바람직하고, 그 폭은 1 내지 500 ㎛ 가 바람직하다.
도 1 은 본 발명의 도전 접속 필름의 제조 방법의 일 실시예, 및 그 도전 접속 필름을 이용하여 도전 접속 구조체를 제조하는 방법의 실시예를 나타낸다.
먼저, 레이저를 사용하여 필름 (1) 에 테이퍼 형상의 홀을 만든다. 그 후, 필름 (1) 에 형성된 홀 모두를 커버하고, 공기가 누설되지 않도록 필름 (1) 의 홀이 작은 측의 면에 흡입구 (3) 를 갖다대고, 도전성 미립자 (2) 들을 흡인한다. 이에 의해, 필름 (1) 에 형성된 홀들에 도전성 미립자 (2) 들이 하나씩 많지도 적지도 않게 배치된다.
다음으로, 필름 (1) 에 형성된 홀들과 동일한 간격으로 전극 (6) 들이 제공된 기판 (5) 위에, 전극 (6) 들이 도전성 미립자 (2) 들과 접촉하도록, 도전성 접속 필름을 배치하고, 상술한 바와 같이 동일한 간격으로 전극 (6) 들이 유사하게 제공된 IC (4) 를, 전극 (6) 이 형성되어 있는 면이 아래가 되고 전극 (6) 이 도전성 미립자 (2) 와 접촉하는 방식으로 적층하여, 그 결과물을 가열 및 가압한다. 따라서, 기판 (5) 과 IC (4) 가 도전 접속 필름에 의해 도전되는 도전 접속 구조체가 제조된다.
상기 가열 및 가압에는, 히터 등의 장치가 부착된 압착기구가 사용된다. 필름 자체가 접착성능 또는 경화성능을 갖지 않은 경우에는, 보조적으로 접착제를필름면 위에 도포하거나 또는 유사한 처리를 적용할 수 있다.
상기 도전성 접속 필름에 의해 접속되는 기판, 부품 등의 도전 접속 구조체도 또한 본 발명들 중 하나이다.
본 발명의 미립자 배치 필름의 또 다른 사용예로서, 도전성 미립자를 범프의 형성을 위해 사용할 수도 있다. 이 경우에, 칩의 전극 위에 본 발명의 배치 필름의 도전성 미립자가 배치되도록, 가압하면서 고정시키는 등의 방법으로 범프를 제작할 수 있다. 이 경우에, 보조적으로 실버 페이스트 등을 사용할 수 있다.
본 발명의 미립자 배치 필름은 특정 미립자들을 특정 홀들이 형성된 필름의 후면으로부터 흡인함으로써, 필름의 임의의 위치에 효율적으로 많지도 적지도 않게 미립자를 안정된 상태에서 쉽게 배치할 수 있고, 임의의 위치들에 안정적으로 미립자들을 배치한 필름을 얻을 수 있다.
본 발명의 도전 접속 필름에 있어서, 특정 도전성 미립자가 임의로 배치된 특정 필름을 사용함으로써, 미세한 대향전극을 인접 전극들로부터의 리크없이 높은 신뢰성을 가진 전기적 접속 및 접속 구조체를 단시간에 쉽게 얻을 수 있다.
이하, 실시예들을 참조하여 본 발명을 설명하며, 본 발명은 이것으로 한정되지는 않는다.
(실시예 1)
현탁중합에 의해 얻어진 메틸메타크릴계 가교공중합체를 체와 기류 분급에 의해 분급하여, 평균 입자 직경 : 150 ㎛, 애스펙트 비 : 1.05, 및 CV 값 : 2% 의 미소 구체를 얻었다. 또한, 영률 : 2㎬, 두께 : 150 ㎛, 및 크기 : 2㎝ ×2㎝의 폴리에스테르필름에, CV 값 : 3%, 애스펙트 비 : 1.05 의 홀이 필름 전면에 150 ㎛, 후면에 120 ㎛ 의 테이퍼 형상으로 되도록, 엑시머 레이저에 의해 0.5 ㎜ 피치로 정방형상이 될 32개의 홀들을 형성하였다. 엑시머 레이저를 사용함으로써 소망의 치수 및 형상을 정밀하게 형성할 수 있었다. 상기 필름 후면에, 필름의 홀 전체를 커버하고 어떤 리크가 발생하지 않도록, 7 ㎜ 직경의 흡인구들을 부착하고, -50 ㎪ 의 진공도로 흡인하면서, 흡인구를 미립자에 근접시켜 미립자를 흡착시켰다. 수초 경과 후, 필름의 각 홀에는 입자들이 하나씩 많지도 적지도 않게 배치되었다. 이 기간 동안에, 미립자들이 부착되지 않도록 전기를 제거하였다. 미립자들을 흡착하여 홀들에 배치시킨 후 진공을 해제하고, 미립자들을 안정화시키기 위해 유리판 사이에 필름을 끼워 가볍게 가압하였다. 미립자들의 중심은 필름 내부에 있으므로, 필름이 진동되더라도 입자들이 홀로부터 이탈되지 않았다.
(실시예 2)
평균 직경 ; 250 ㎛, 애스펙트 비 : 1.15, 및 CV 값 : 4% 의 폴리 스티렌의 미립자들을 준비하였다. 또한, 영률 : 6㎬, 두께 : 180㎛, 및 크기 : 2㎝ ×2㎝의 폴리이미드 필름에, CV 값 : 6%, 애스펙트 비 : 1.25 의 홀들이 필름의 후면에 190㎛ 그리고 전면에 220 ㎛ 의 테이퍼 형상이 되도록, CO2레이저에 의해 0.5 ㎜ 피치로 정방 형상으로될 32 개의 홀을 형성하였다. CO2레이저를 사용함으로써, 소망의 치수 및 형상을 정밀하게 얻을 수 있었다. 상기 필름의 후면에, 필름의 홀 전체를 커버하고 어떠한 리크가 발생하지 않도록, 7 ㎜ 직경의 흡인구들을부착하고, -30 ㎪의 진공도로 흡인하면서, 흡인구를 미립자들에 근접시켜 미립자들을 흡착시켰다. 미소량의 입자들이 진공측으로 달아나거나 미소량의 입자들이 부착되었지만, 이들을 가볍게 에어 퍼지에 의해 제거할 수 있다. 또한, 미소량의 입자들이 이탈되었지만, 다른 입자들을 즉시 흡착하여 홀들을 복구하였다.
수십초 경과 후, 필름의 각 홀들에는 입자들이 하나씩 많거나 적지 않게 배치되었다. 미립자들을 흡착하여 홀들에 배치하고, 진공을 해제한 경우에, 미립자들의 중심은 필름면의 외부에 있었지만, 필름이 진동되지 않으면, 입자들이 홀들로부터 이탈하지 않았다.
(실시예 3)
시드 중합에 의해 얻어진 디비닐벤젠계 공중합체를 체와 습식 분급에 의해 분급하여 미소 구체를 얻었다. 그 후, 무전해 도금에 의해 미소 구체위에 0.2 ㎛ 두께의 니켈층을 형성하였고, 추가적으로 전기 도금에 의해 2.3 ㎛ 두께의 금층 (gold layer) 을 형성하였다. 이것의 입자들을 다시 평균 직경 : 75 ㎛, 애스펙트 비 : 1.03, CV 값 : 1%, K 값 : 4000 N/㎟, 회복율 : 60%, 산온에서의 선팽창계수 : 50 ppm, 및 저항값 : 0.01 Ω의 금속피복 미소 구체들로 분급한다. 또한, 영률 : 0.4 ㎬, 두께 : 68 ㎛, 및 크기 : 1㎝ ×1㎝의 반경화상태의 에폭시계 필름에, IC 칩들의 전극들과 위치가 일치하도록, CO2레이저에 의해 약 300 ㎛ 의 피치로 18 개의 홀들을 약 3 ㎜ 간격의 2 열로 형성하고, CO2레이저에 의해 상기 필름의 전면에 75 ㎛, 후면에 68 ㎛의 테이퍼 형상으로 CV값 : 2%, 애스펙트 비 :1.04 가 되도록 형성하였다. CO2레이저를 사용함으로써, 소망의 치수 및 형상을 정밀하게 형성할 수 있다. 상기 필름의 후면에, 필름의 홀 전체를 커버하고 어떤 리크가 발행하지 않도록, 8㎜ 직경의 흡인구들을 부착하였고, -65㎪ 의 진공도로 흡인하면서 흡인구를 미립자들에 근접시켜 미립자들을 흡착시켰다. 이 때, 흡인구에는 필름 지지용으로 50 ㎛ 구경 (aperture) 의 SUS 제의 메시를 설치하였다. 수초 경과 후에, 필름의 각 홀들에는 입자들이 하나씩 많거나 적지않게 배치되었다. 이러한 기간 동안에, 미립자들이 부착되지 않도록 전기를 제거하였다. 여분의 부착 입자들을 거의 관찰할 수 없었지만, 만약을 위해, 이물질 뿐만 아니라 여분의 미립자들을 제거하기 위해 유연한 브러시로 표면을 청소하였다. 미립자들을 흡착하여 홀들에 배치한 후, 진공을 해제하고 미립자들을 안정화시키기 위해 필름을 유리판들 사이에 끼워 가볍게 가압하였다. 미립자의 중심은 필름내에 있으므로, 필름이 진동되더라도, 입자들이 홀들로부터 이탈하지 않았다.
이와 같이 얻어진 도전 접속 필름을, 전극의 위치와 도전성 미립자의 위치가 일치하도록, 전극 패턴들이 그려진 FR-4 기판상에 설치하고 상기 필름을 가볍게 가열하여 가압착한 후, 칩의 Al 전극의 위치와 도전성 미립자의 위치를 일치시켜 가열압착하고, 에폭시 수지를 경화시켜 플립칩 접합을 실시하였다. 경화된 에폭시 수지의 상온에서의 선팽창계수는 50 ppm 이었다.
이와 같이 얻어진 접속 구조체는 모든 전극들에서 안정하게 도전되고, 인접전극들에서 리크가 발생하지 않으므로 정상적으로 작동한다. -25 내지 100℃ 의 열 사이클 테스트들을 1000 회 실시하였으나, 저온시나 고온시에도 접속 부분들의 저항값 상승이나 작동에서 이상이 관찰되지 않았다.
충격 테스트들을 수행하였으나, 노이즈를 포함하거나 순간적으로 단선되는 경우는 없었다.
칩측의 전극과 도전성 미립자 사이의 접촉면을 관찰하였는데, 접촉 면적은 각 부분에서 거의 동일하고, 박막형상의 수지는 접촉면들의 부분들에 침투되지 않았다.
(실시예 4)
메틸메타크릴계 가교중합체의 미소 구체들에 있어서, 무전해도금에 의해 두께 0.1 ㎛의 니켈층을 형성하고, 추가적으로 전기도금에 의해 0.9 ㎛ 두께의 금층을 형성하였다. 이것의 입자들을 분급하여, 평균 직경 : 45 ㎛, 애스펙트 비 : 1.05, CV 값 : 2%, K 값 : 2000 N/㎟, 회복율 50%, 상온에서의 선팽창계수 80 ppm, 및 저항값 : 0.03 Ω의 금속피복 미소 구체를 얻었다. 또한, 영률 : 2㎬, 두께 : 60 ㎛, 및 크기 : 1㎝ ×1㎝의 반경화상태의 유리-에폭시계 필름에, IC 칩들의 전극들과의 위치가 일치하도록, 엑시머 레이저에 의해 150 ㎛ 피치로 16 개의 홀을 약 2 ㎜ 간격의 2 열로 형성하고, 엑시머 레이저 의해 필름의 전면에 43㎛ 및 후면에 38㎛ 의 테이퍼형상으로 CV 값 : 2%, 애스펙트 비 : 1.05 가 되도록 형성하였다. 엑시머 레이저를 사용함으로써, 소망의 치수 및 형상을 정밀하게 형성할 수 있었다. 상기 필름의 후면에, 필름의 홀들 전체를 커버하고, 어떤 리크가발생하지 않도록, 5㎜ 직경의 흡인구들을 부착하고, -65㎪의 진공도로 흡인하면서, 흡인구를 미립자들에 근접시켜 미립자들을 흡착시켰다. 수초 경과후에, 필름의 각 홀들에 입자들을 하나씩 많거나 적지 않게 배치하였다. 이러한 기간 동안에, 미립자들이 부착되지 않도록 전기를 제거하였다. 여분의 부착 입자들은 거의 관찰되지 않았지만, 만약을 위해, 이물질 뿐만 아니라 여분의 미립자들을 제거하기 위해 유연한 브러시로 필름의 표면을 청소하였다. 미립자들을 흡착하여 홀들에 배치한 후, 진공을 해제하고, 미립자들을 안정화시키기 위해 필름을 유리판들 사이에 끼워 가볍게 가압하였다. 미립자들의 중심(重心)이 필름내에 있으므로, 필름이 진동되더라도, 입자들은 홀들로부터 이탈되지 않았다.
이와 같이 얻어진 도전 접속 필름을, 전극 위치와 도전성 미립자의 위치가 일치하도록, 전극 패턴이 그려진 세라믹 기판상에 설치하고, 그 필름을 가볍게 가압 및 가열하여 가압착한 후에, 약 20㎛ 의 금 범프를 가진 칩의 금 전극의 위치와 도전성 미립자의 위치를 일치시켜 가열압착하고, 에폭시 수지를 경화하여 플립칩 접합을 실시하였다. 경화된 유리-에폭시의 상온에서의 선팽창계수는 30 ppm 이었다.
이에 의해 얻어진 접속구조체는 모든 전극에서 안정되게 도전되고, 인접 전극들에서 리크가 발생하지 않기 때문에 정상적으로 작동한다. -25 내지 100℃ 의 열사이클 테스트를 1000회 실시하였으나, 저온시나 고온시에 접속부분들에서의 저항값 상승이나 작동에 이상이 관찰되지 않았다.
충격 테스트들을 수행하였으나, 노이즈를 포함하거나 순간적으로 단선되는경우는 없없다.
칩측의 전극과 도전성 미립자 사이의 접촉면을 관찰하였으나, 접촉면적은 각 부분에서 거의 동일하였고, 박막형상의 수지는 접촉면들의 부분들에 침투되지 않았다.
(실시예 5)
가교한 에폭시 수지 입자들의 미소 구체들에, 무전해 도금에 의해 0.4㎛ 두께의 니켈층을 형성하고, 추가적으로 무전해 치환 도금에 의해 0.1㎛ 의 두께의 금층을 형성하였다. 이것의 입자들을 분급하고, 평균 직경 : 200㎛, 애스펙트 비 : 1.1, CV 값 : 2%, K 값: 3000N/㎟, 회복율 : 70%, 상온에서의 선팽창계수 : 60 ppm, 및 저항값 : 0.3Ω의 금속피복 미소 구체들을 얻었다. 또한, 영률 : 0.8㎬, 두께 : 170 ㎛, 및 크기 : 2㎝ ×2㎝ 의 반경화상태의 에폭시계 필름에, 0.5 ㎜ 피치로 전방형상이 될 32 개의 홀들을 형성하고, 드릴에 의해 필름의 전면에 230 ㎛ 그리고 후면에 150㎛ 의 계단 형상으로 CV 값 : 3%, 애스펙트 비 : 1.2 가 되도록 형성하였다.
상기 필름의 후면에, 필름의 홀들 전체를 커버하고 어떤 리크가 발생하지 않도록, 7㎜ 직경의 흡인구들을 부착하였고, -40 ㎪ 의 진공도로 흡인하면서 흡인구를 미립자들에 근접시켜 미립자를 흡착시켰다. 수십초 경과 후에, 필름의 각 홀들에는 입자들이 하나씩 많거나 적지 않게 배치되었다. 이러한 간격 동안에, 미립자들이 부착하지 않도록 전기를 제거하였다. 아주 드물게 홀 부근에 여분의 부착 입자들이 관찰되었지만, 유연한 브러시로 필름 표면을 청소함으로써 쉽게제거할 수 있었다. 미립자들을 흡착하여 홀들에 배치한 후, 진공을 해제하고, 미립자들을 안정화시키기 위해 필름을 유기판들 사이에 끼워 가볍게 가압하였다. 미립자들의 중심이 필름내에 있으므로, 필름이 진동되더라도 입자들은 홀들로부터 이탈되지 않았다.
이와 같이 얻어진 도전 접속 필름을, 전극의 위치와 도전성 미립자의 위치가 일치되도록, 전극 패턴이 그려진 FR-4 기판상에 설치하고, 그 필름을 가볍게 가압 및 가열하여 가압착한 후에, 0.5 ㎜ 피치로 정방형상될 32 개 전극이 설치된 세라믹 더미 칩들의 전극 위치와 도전성 미립자들의 위치들 사이를 일치시켜, 그 결과물을 가열압착하고 에폭시 수지를 경화시켜 폴립칩 접합을 실시하였다. 경화된 에폭시 수지의 상온에서의 선팽창계수는 80 ppm 이었다.
이에 의해 얻어진 접속 구조체로는, 도전 저항은 다소 높았지만, 모두 정확하게 도전되었다. -25 내지 100℃의 열사이클 테스트를 1000회 실시한 경우에, 저항이 약간 상승되었지만 문제가 될 정도는 아니었고, 저온시나 고온시에 접속 부분들에서의 저항값 상승은 거의 관찰되지 않았다.
충격 테스트를 수행하였으나, 노이즈를 포함하거나 순간적으로 단선 경우는 없었다.
칩측의 전극과 도전성 미립자 사이의 접촉면을 관찰하였는데, 접촉 영역들이 입자들에 따라 서로 달았지만, 박막형상의 수지는 접촉면들의 부분들에 침투되지 않았다.
(실시예 6)
실시예 5 에서 에폭시 수지 입자들 대신에 실리카의 미소 구체들에, 무전해 도금에 의해 0.4㎛ 두께의 니켈층을 형성하고, 추가적으로 무전해 치환 도금에 의해 0.1㎛ 두께의 금층을 형성하였다. 이것의 입자들을 분급하여 평균 직경 : 200㎛, 애스펙트 비 : 1.1, CV 값: 2%, K 값: 16000 N/㎟, 회복율 : 95%, 상온에서의 선팽창계수 : 10 ppm, 및 저항값 0.3 Ω의 금속피복 미소 구체들을 얻었다.
상기 미소 구체들을 사용한 도전 접속 필름에 의해, 실시예 5 와 동일하게 플립칩 접합을 실시하였다.
이에 의해 얻어진 접속 구조체는 도전 저항이 다소 높았지만, 모두 정확하게 도전되었다. -25 내지 100℃ 의 열사이클 테스트를 1000회 실시한 경우에, 저항이 상승되었지만 문제가 될 정도는 아니었다. 상기 구조체는 고온시에 도전이 다소 불안정해지거나 노이즈 등을 약간 포함하였지만, 충분히 사용가능한 소자이었다.
칩측의 전극과 도전성 미립자 사이의 접촉면을 관찰하였는데, 접촉면적이 입자들에 따라 서로 달랐지만, 박막형상의 수지는 접촉면들의 부분들에 침투되지 않았다.
(실시예 7)
실시예 5 의 에폭시 수지 입자들 대신에 비가교의 아크릴 미소 구체들에, 무전해 도금에 의해 0.4㎛ 두께의 니켈층을 형성하고, 추가적으로 무전해 치환 도금에 의해 0.1㎛ 두께의 금층을 형성하였다. 이 입자들을 분급하고 평균 직경 : 200 ㎛, 애스펙트 비 : 1.1, CV 값 : 2%, K 값 : 200N/㎟, 회복율 : 4%, 상온에서의 선팽창계수 : 150 ppm, 및 저항값 : 0.3Ω의 금속피복 미소 구체들을 얻었다.
상기 미소 구체들을 사용한 도전 접속 필름에 의해, 실시예 5 와 동일하게 플립칩 접합을 실시하였다.
이에 의해 얻어진 접속 구조체는, 도전 저항이 다소 높았지만, 모두 정확하게 도전되었다. -25 내지 100℃의 열사이클 테스트들을 1000회 실시한 경우에, 저항이 상승되었지만 문제가 될 정도는 아니었다. 상기 구조체는 저온에서의 도전이 다소 불안정하거나 약간의 노이즈 등을 포함하였지만, 충분히 사용가능한 소자이었다.
칩측의 전극과 도전성 미립자 사이의 접촉면을 관찰하였는데, 접촉면적이 입자들에 따라 서로 달랐지만, 박막형상의 수지는 접촉면의 부분들에 침투되지 않았다.
(실시예 8)
실시예 5 의 에폭시 필름 대신에 영률 20㎬의 세라믹 필름을 사용한 것을 제외하고는 실시예 5 와 유사하게 입자들을 흡착시킨 결과, 흡착시에, 일단 홀들에 배치되었으나 진동 충격에 의해 튀어 오르는 일부 입자들이 관찰되었고, 입자들을 배치시키는데 시간이 많이 걸렸다. 배치된 입자들의 피복 금속들의 일부에 작은 손상이나 박리를 볼 수 있었지만, 실용적으로는 문제가 없는 것이었다.
(실시예 9)
시드 중합에 의해 얻어진 디비닐벤젠계 공중합체를 체와 습식 분급에 의해 분급하여 미소 구체를 얻었다. 그 후, 무전해 도금에 의해 0.2㎛ 두께의 니켈층을 형성하고, 추가적으로 전기 도금에 의해 1.8㎛ 두께의 금층을 형성하였다. 이것의 입자들을 분급하여, 평균 직경 : 75㎛, 애스펙트 비 : 1.03, CV 값 : 1%, K 값: 3800 N/㎟, 회복율 : 60 %, 상온에서의 선팽창계수 : 50 ppm, 저항값 : 0.01 Ω의 금속피복 미소구체들을 얻었다. 이에 의해 얻어진 도전성 미립자들을 관찰하였으나, 금속 피복막의 박리 또는 그 밖의 결함은 관찰되지 않았다.
또한, 영률 : 0.4 ㎬, 두께 : 68 ㎛, 크기 : 1㎝ ×1㎝ 의 반경화상태의 에폭시계 필름에, IC 칩들의 전극과 위치가 일치하도록, CO2레이저에 의해 약 300 ㎛ 피치로 18 개의 홀들을 형성하고, CO2레이저에 의해 필름의 전면에 75㎛ 및 후면에 68㎛ 의 테이퍼 형상으로 CV 값 : 2%, 애스펙트 비 : 1.04 가 되도록 형성하였다. CO2레이저를 사용함으로써, 소망의 치수 및 형상을 정밀하게 형성할 수 있었다. 필름의 후면에, 필름의 홀 전체를 커버하고 어떤 리크가 발생하지 않도록, 8㎜ 직경의 흡인구들을 부착하고, -65 ㎪의 진공도로 흡인하면서 상기 흡인구를 미립자들에 근접시켜 미립자들을 흡착하였다. 이때, 흡인구에는 필름 지지용으로 50 ㎛ 개구의 SUS 제 메시를 설치하였다. 수초 경과 후에, 필름의 각 홀들에 입자들을 하나씩 많거나 적지도 않게 배치하였다. 이러한 기간 동안에, 미립자들이 부착되지 않도록 전기를 제거하였다. 여분의 부착 입자들은 거의 관찰되지 않았지만, 만약을 위해서, 이물질 뿐만 아니라 여분의 미립자들을 제거하기 위해 유연한 브러시로 필름의 표면을 청소하였다. 미립자들을 흡착하여 홀들에 배치한 후, 진공을 해제하고, 미립자를 안정화시키기 위해 필름을 유리판들 사이에 끼워가볍게 가압하였다. 미립자들의 중심이 필름내에 있으므로, 필름이 진동되더라고, 입자들은 홀들로부터 이탈되지 않았다.
이와 같이 얻어진 도전 접속 필름을, 전극 위치와 도전성 미립자의 위치가 일치하도록, 전극 패턴이 그려진 FR-4 기판상에 설치하고 그 필름을 가볍게 가압 및 가열하여 가압착한 후, 칩의 Al 전극의 위치와 도전성 미립자의 위치를 일치시켜, 그 결과물을 가열 압착하고, 에폭시 수지를 경화시켜 플립칩 접합을 실시하였다. 경화된 에폭시 수지의 상온에서의 선팽창계수는 50 ppm 이었다. 가열 압착후의 도전성 미립자를 관찰하였지만, 금속피복막의 박리 또는 그 밖의 결함은 발견되지 않았다.
이에 의해 얻어진 접속 구조체는 모든 전극에서 안정되게 도전되고, 인접 전극들에서 리크가 발생하지 않기 때문에 정상적으로 작동한다. -25 내지 100℃의 열사이클 테스트를 1000회 실시하였으나, 저온시나 고온시에도 접속 부분들에서의 저항값 상승이나 작동에 이상이 관찰되지 않았다.
충격 테스트들을 수행하였으나, 노이즈를 포함하거나 순간적으로 단선되는 경우는 없었다.
칩측의 전극과 도전성 미립자의 접촉면을 관찰하였으나, 접촉면적은 각 부분에서 거의 동일하였고, 박막형상의 수지는 접촉면들의 부분들에 침투되지 않았다.
(비교예 1)
애스펙트 비 1.5, CV 값 15% 의 미소 구체들을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1 과 유사하게, 미립자 배치 필름의 제조를 시도하였다. 그러나, 흡인시에많은 입자들이 진공측으로 달아나거나, 일부 홀들에는 한 홀에 2 개 이상의 입자들이 채워지고, 평평하거나 큰 입자들이 일단 흡인되어 배치되었지만, 진공을 해제시킨 시점에서 이탈되었다.
(비교예 2)
필름 전면의 홀 직경을 70 ㎛로 그리고 후면의 홀 직경을 50 ㎛로 한 것 이외에 실시예 1 과 유사하게, 미립자 배치 필름의 제조를 시도하였다. 그러나, 입자들이 일단 흡인되어 배치되었지만, 일부 입자들이 흡인 상태에서도 이탈되었고, 진공을 해제한 시점에서는 거의 모든 입자들이 홀들로부터 이탈되었다.
(비교예 3)
필름 전면의 홀 직경을 310㎛ 로 그리고 후면의 홀 직경을 250 ㎛ 로 한 것 이외에 실시예 1 과 유사하게, 미립자 배치 필름의 제조를 시도하였다. 그러나, 입자들이 진공측으로 달아나버려 입자를 배치할 수 없었다.
(비교예 4)
필름 전면의 홀을 애스펙트 비 2, CV 값 25% 로 한 것 이외에 실시예 1 과 유사하게, 미립자 배치 필름의 제조를 시도하였다. 그러나, 흡인시에 많은 입자들이 진공측으로 달아나거나, 일부 홀들이 한 홀에 2 개 이상의 입자들로 채워지고, 입자들이 일단 흡인되어 배치되었지만, 진공을 해제한 시점에서 입자들이 이탈되었다.
(비교예 5)
실시예 1 과 유사하게, 약 4㎛ 의 평균 직경의 메틸매타크릴계 가교공중합체미립자들을 3 내지 4 ㎛ 정도의 홀들이 형성된 폴리에스테르의 필름 내에 흡착하였지만, 많은 입자들이 정전기 등에 의해 부착되어 적절히 배치할 수 없었다.
(비교예 6)
에폭시계 필름에 금속피복 미소 구체들을 랜덤하게 분산시켜 생성된 ASF를 이용하는 것 이외에, 실시예 3 과 유사하게, 플립-칩 접합을 실시하려고 했으나, 도전성 미립자들이 적은 경우에 도전되지 않는 전극들이 발생하였다. 차츰 도전성 미립자들을 증가시켰지만, 인접 전극들이 리크되는 일부 부분들이 발생하였다. 또한, 칩의 전극들 이외의 부분들에 큰 입자들이 왔을 때, 그 부분들에 하중이 집중되어 칩의 보호막을 파괴하는 현상이 관찰되었다.
이에 의해, 적어도 유사한 크기의 도전성 미립자를 사용하는 한은, 상기 배치된 입자들이 명백하게 미세 피치들에 대응할 수 있음을 알 수 있었다. 또한, 도전된 부분들에 대해서도, 박막형상의 수지들이 전극들과의 접촉면의 부분들에 침투되지 않았다.
(비교예 7)
실시예 4 에서, 애스펙트 비 1.5 및 CV 값 12% 의 미소 구체들을 사용한 도전 접속 필름을 제조하고, 이 필름을 사용하여 실시예 4 에서와 유사하게 플립칩 접합을 실시하였으나, 열압조건을 변경하더라도 도전되지 않는 전극 부분들이 많이 발생하였다.
(비교예 8)
실시예 3 에서, 무전해 도금에 의해 0.1 ㎛ 두께의 니켈층을 형성하고, 추가적으로 전기도금에 의해 0.1 ㎛의 금층을 형성한 도전 접속 필름을 생성하였고, 이 도전 접속 필름을 사용하여 실시예 3 과 유사하게 플립-칩 접합을 실시하였으나, 금속 피복층이 파괴되었고, 도전되지 않는 전극 부분들이 많이 발생하였다.
본 발명은 전술한 구성에 기초하며, 특정 미립자들을 특정 홀들이 형성된 필름의 후면으로부터 흡인함으로써, 필름의 임의의 위치들에 그 미립자들을 안정한 상태로 쉽고 효율적으로 배치할 수 있고, 임의의 위치에 안정적으로 미립자들을 배치한 필름을 생성할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 특정의 도전성 미립자들이 임의적으로 배치된 특정 필름을 사용함으로써, 높은 신뢰성을 가진 미세한 대향 전극들의 전기적 접속 및 접속 구조체를 인접 전극들의 리크 없이 짧은 시간에 쉽게 얻을 수 있다.

Claims (31)

  1. 5 내지 800 ㎛ 의 평균 입자 직경, 1.5 미만의 애스펙트 비, 및 10% 이하의 CV 값을 각각 가지는 미립자들이 배치되는 필름에 있어서,
    상기 필름은 그 표면의 임의의 위치들에서 홀들을 가지며, 홀들 각각은 상기 미립자의 평균 입자 직경의 1/2 내지 2 배인 평균 홀 직경; 2 미만의 애스펙트 비; 20% 이하의 CV 값을 가지며,
    상기 미립자들은 상기 홀들의 표면상에 또는 상기 홀들 내부에 배치되는 것을 특징으로 하는 미립자 배치 필름.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 미립자들의 상기 표면은 상기 필름의 전면 및 후면 모두에서 노출되는 것을 특징으로 하는 미립자 배치 필름.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 미립자는 20 내지 150 ㎛ 의 평균 입자 직경; 1.1 미만의 애스펙트 비; 및 2% 이하의 CV 값을 가지는 구형 입자인 것을 특징으로 하는 미립자 배치 필름.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 미립자의 코어는 고분자량체인 것을 특징으로 하는 미립자 배치 필름.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 미립자는 400 내지 15000 N/㎟ 의 K 값; 5% 이상의 회복율; 및 상온에서 10 내지 200 ppm 의 선팽창계수를 가지는 것을 특징으로 하는 미립자 배치 필름.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 미립자는 2000 내지 8000 N/㎟의 K 값; 50% 이상의 회복율; 및 상온에서 30 내지 100 ppm 의 선팽창계수를 가지는 것을 특징으로 하는 미립자 배치 필름.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 미립자는 금속 피복층을 가지는 것을 특징으로 하는 미립자 배치 필름.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 금속 피복층의 두께는 0.3 ㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 미립자 배치 필름.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 금속은 니켈 또는 금을 함유하는 것을 특징으로 하는 미립자 배치 필름.
  10. 제 1 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 미립자는 3 Ω이하의 저항값을 가지는 것을 특징으로 하는 미립자 배치 필름.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 미립자는 0.05 Ω이하의 저항값을 가지는 것을 특징으로 하는 미립자 배치 필름.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 필름의 두께는 상기 미립자의 평균 입자 직경의 1/2 내지 2 배인 것을 특징으로 하는 미립자 배치 필름.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 필름의 두께는 상기 미립자의 평균 입자 직경의 3/4 내지 1.3 배인 것을 특징으로 하는 미립자 배치 필름.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 필름 표면의 영률은 10㎬ 이하인 것을 특징으로 하는 미립자 배치 필름.
  15. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 필름은 가압 또는 가열에 의해 접착성을 가지는 것을 특징으로하는 미립자 배치 필름.
  16. 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 필름은 가열 또는 UV 조사에 의해 경화되는 것을 특징으로 하는 미립자 배치 필름.
  17. 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 필름의 경화 이후의 선팽창계수는 10 내지 200 ppm 인 것을 특징으로 하는 미립자 배치 필름.
  18. 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 홀의 전면의 평균 홀 직경은 상기 미립자의 평균 입자 직경의 4/5 내지 1.3 배이며, 상기 홀의 CV 값은 5% 이하이며, 상기 홀의 애스펙트 비는 1.3 미만인 것을 특징으로 하는 미립자 배치 필름.
  19. 제 1 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 홀은 상기 두께 방향의 테이퍼형상 또는 계단형상을 가지는 것을 특징으로 하는 미립자 배치 필름.
  20. 제 1 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 필름 후면의 평균 홀 직경은 상기 필름 전면의 평균 홀 직경 이하이며, 상기 필름 전면의 평균 홀 직경의 50 % 이상인 것을 특징으로 하는 미립자 배치 필름.
  21. 제 1 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 필름 후면의 평균 홀 직경은 상기 필름 전면의 평균 홀 직경 이하이며, 상기 필름 전면의 평균 홀 직경의 80% 이상인 것을 특징으로 하는 미립자 배치 필름.
  22. 제 1 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 홀을 제조하는 공정은 레이저에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 미립자 배치 필름.
  23. 제 1 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 기재되는 미립자 배치 필름인 도전 접속 필름에 있어서,
    미립자들은 도전성 미립자인 것을 특징으로 하는 도전 접속 필름.
  24. 제 23 항에 기재되는 상기 도전 접속 필름을 이용하여 접속되는 것을 특징을 하는 도전 접속 구조체.
  25. 제 1 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 기재되는 미립자 배치 필름에 미립자를 배치하는 방법에 있어서,
    상기 미립자들은, 표면에 실질적으로 택(tack) 이 없는, 상기 필름의 후면으로부터 흡인되는 것을 특징으로 하는 미립자 배치 방법.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 미립자들의 흡인은 기체의 흡인에 의해 수행되며,
    상기 미립자들의 평균 입자 직경이 800 내지 200 ㎛ 인 경우에, 흡인측의 진공도는 -10 kPa 이하이며,
    상기 미립자들의 평균 입자 직경이 200 내지 40 ㎛ 인 경우에, 흡인측의 진공도는 -20 kPa 이하며, 그리고
    상기 미립자들의 평균 입자 직경이 40 ㎛ 미만인 경우에, 흡인측의 진공도는 -30 kPa 이하인 것을 특징으로 하는 미립자 배치 방법.
  27. 제 25 또는 26 항에 있어서,
    상기 미립자들을 흡인하는 경우에, 흡인구에 지지판을 제공하는 것을 특징으로 하는 미립자 배치 방법.
  28. 제 25 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서,
    에어 퍼지 또는 브러시에 의해 여분의 부착 입자들을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미립자 배치 방법.
  29. 제 25 내지 제 28 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 미립자 배치 필름을 가압하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미립자 배치 방법.
  30. 제 25 내지 제 29 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 미립자의 중심(重心)은 상기 필름 내부에 존재하는 것을 특징으로 하는 미립자 배치 방법.
  31. 제 25 항 내지 제 30 항 중 어느 한 항에 있어서,
    전기를 제거하면서 상기 미립자들을 배치하는 것을 특징으로 하는 미립자 배치 방법
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