WO2001011771A1 - Filtre lc et son procede de fabrication - Google Patents

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WO2001011771A1
WO2001011771A1 PCT/JP1999/004234 JP9904234W WO0111771A1 WO 2001011771 A1 WO2001011771 A1 WO 2001011771A1 JP 9904234 W JP9904234 W JP 9904234W WO 0111771 A1 WO0111771 A1 WO 0111771A1
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filter
inductor
substrate
capacitor
pattern
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PCT/JP1999/004234
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English (en)
French (fr)
Inventor
Kunio Tochi
Kiyoshi Mizushima
Original Assignee
Nikko Company
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
    • H03H2001/0021—Constructional details
    • H03H2001/0085—Multilayer, e.g. LTCC, HTCC, green sheets

Definitions

  • the present invention relates to an LC filter, particularly an LC filter which is useful in a high-frequency region and has an anti-reflection characteristic at a center frequency, and a method for producing the same.
  • BACKGROUND ART In recent years, there has been a remarkable spread of mobile communication, and with this, it is important to reduce the size and improve the characteristics of high-frequency filters used in communication equipment or their relay base stations. Has become. The frequency of clock signals is also increasing in digital equipment such as information processing equipment, and there is a need for small and inexpensive high-frequency filters in a wide range of information and communication fields.
  • a multilayer low-pass filter has been used as a filter for mobile phone transmission.
  • This is generally manufactured by forming ceramic raw material powder that sinters at about 1000 to a thin sheet shape and printing a thick film of an inductor and a capacitor electrode on the surface of the sheet.
  • an inductive layer L and a capacitive layer C are formed by patterning, and a shield layer S, a trimming pattern T, and the like are sequentially laminated via a dielectric ⁇ , and then fired.
  • a shield layer S, a trimming pattern T, and the like are sequentially laminated via a dielectric ⁇ , and then fired.
  • One chip laminated LC fill is complicated due to the combination of power-up and stacking, and special production equipment is required.
  • the conventional LC filter is integrated into one chip, as ⁇ 3 ⁇ 4 ⁇ Has adopted an approach based on the lamination of the Indak-yu layer and the Cap-yu layer by simultaneous firing.
  • the main reason for this is that when trying to construct an LC filter that can be applied even in higher frequency regions, it is easier to increase the capacity of the capacitor than to improve the characteristics of the inductor. The point was that the approach was considered advantageous.
  • the characteristics of the inductor change from inductive to capacitive above the resonance frequency due to its own capacitance.
  • the capacitor becomes a capacity and does not function as an inductor. Therefore, it is important to suppress the self-capacitance and raise the resonance frequency to increase the applicable frequency of the inductor. For this purpose, it is effective to suppress the mutual coupling of electromagnetic fields generated radially perpendicular to the conductor line.
  • the inductor is a straight conductor line, the self-capacitance will be smaller, but such an elongated inductor is not practical.
  • the conductor line is formed in a zigzag shape in a U-shape or in a spiral shape, a small-sized dangling can be realized, but the self-capacity is increased.
  • the dielectric constant is less than 20 in the case of the laminated LC film because a low-temperature sintering material is used for the ceramic material.
  • the inductance and the capacitor capacity obtained in a single layer are small, and the Q value is as small as 2000 or less, so that the sheet thickness per layer becomes large.
  • the layers are stacked in multiple layers, and are fired at the same time after the layers are integrated to obtain filter characteristics.
  • the center frequency fluctuates greatly due to the increase in mechanical distortion of the electrode pattern, which is inevitable during firing, fluctuations in dimensional accuracy, and small material Q values.
  • the conventional laminated LC filter is treated as an individual chip (component) at least after the step of arranging the electrodes due to its structure. Therefore, as products become smaller, their handling becomes more difficult.
  • the cat process of products must rely on special measuring jigs that have shapes and dimensions corresponding to each product and that make electrical contact with the electrodes provided on individual chips. Not only do the jigs cost a lot of money to manufacture, but the parts that come into contact with the chip have a short life and need to be replaced every few million tests.
  • fixing the chips to a dedicated jig is one of the major factors in increasing costs.
  • the present invention provides the following non-reflective LC filter.
  • a filter comprising: a substrate made of an inorganic material; a plurality of inductors disposed close to the surface of the substrate; and a capacitor electrically connected to the inductor so as to exhibit a filter characteristic.
  • the LC filter is characterized by exhibiting anti-reflection characteristics at the center frequency.
  • the present invention provides the following method for producing a non-reflective LC film that reliably realizes non-reflective characteristics at a center frequency.
  • a step of forming a plurality of individual filter formation regions by providing dividing lines vertically and horizontally on a substrate made of an inorganic insulator material; Film printing; providing one or more high-accuracy capacitors in the area; electrically connecting the end of the inductor pattern and the electrode of the high-accuracy capacitor in each of the areas so as to exhibit fill characteristics.
  • a step of forming a plurality of regions for forming individual fill elements by providing vertical and horizontal dividing lines including through holes on a substrate made of an inorganic thigh material; conducting the front and back surfaces of the substrate through the through holes Forming a conductor path; in each individual filter element forming region, an inductor pattern arranged close to the conductor pattern, a conductor pattern connecting an outer end of the inductor pattern to the conductor path, and Forming, by thick film printing, one or more electrode lands that are not connected to the inductor pattern and that are in contact with the conductor path; providing a high-precision capacitor on the electrode lands; Electrically connecting the end of the capacitor and the electrode of the high-precision capacitor so as to exhibit a filter characteristic; and sealing the substrate surface on which the inductor pattern and the capacitor are placed with resin.
  • FIG. 1 is an equivalent circuit diagram showing an example of an LC filter manufactured by the present invention.
  • FIGS. 2 to 7 are schematic diagrams showing a wiring pattern on the substrate surface in the LC filter (FIG. 1) manufactured according to the present invention, and a conductor pattern on the back surface of the FIG. 8 plate.
  • FIGS. 9 to 18 and 22 are graphs showing frequency characteristics of the LC filter manufactured according to the present invention.
  • FIG. 19 is a schematic diagram showing the direction of the inductor current according to one of the preferred embodiments of the present invention.
  • Fig. 20 is a schematic diagram showing the outline of the structure of the conventional laminated LC filter. It is.
  • FIG. 21 is a schematic diagram showing an outline of a preferred embodiment of the method for producing an LC film according to the present invention.
  • DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION a non-reflective LC filter and a method of manufacturing the same according to the present invention will be specifically described with reference to the drawings.
  • the description will be made mainly with respect to the low-pass filter (L PF), but it is also possible to apply a necessary change in the circuit configuration to the band-pass filter (B PF).
  • “non-reflection” includes having a V SWR greatly reduced as compared to the LC filter of ⁇ , and more specifically, the following “2. Characteristics described in the section “Characteristics”. 1 .: Structure of the LC file
  • the LC filter according to the present invention includes a substrate made of an inorganic insulating material, a plurality of inductors disposed close to the substrate surface, and an electrical connection with the inductor so as to exhibit a filter characteristic. Including the capacity evening.
  • the present invention employs a configuration in which a plurality of inductors are arranged close to each other on the substrate surface, and achieves both the miniaturization of the LC filter and the anti-reflection characteristics.
  • close is a condition determined by conditions such as the shape and size of the circuit element used, the electrical characteristics, the substrate material, and the frequency band of the filter used.
  • the anti-reflection property is determined by the electromagnetic field of a close inductor, as shown in the experimental example described later. It is considered that the distance is within the range in which the effect is effective. For example, in the case of a spiral inductor, it is usually preferable that the distance be smaller than the diameter of the spiral inductor.
  • a spiral inductor having a diameter of about several mm it is about l mm or less, preferably 0.5 mm or less, more preferably 0.3 mm or less at a position where the plurality of inductors are closest.
  • T-type LPF for an LPF showing an equivalent circuit.
  • three spiral inductor patterns L1 to L3 are arranged.
  • the T-type LPF shown in the figure needs to have at least one filter configuration, and therefore it is sufficient to include two or more inductors.
  • the inductors need not all be in close proximity to the remaining inductors (L 1 and L 2 in the figure,
  • the shape of the inductor is not particularly limited as long as it can be arranged on the substrate surface.
  • Such inductors include various inductor patterns composed of a crank or a loop or a conductor path forming a part thereof, in addition to the spiral inductor. H or more, usually about 1 to 5 OnH are used.
  • the conductive material can be formed by printing a thick film or a thin film, or by placing a thin wire in a coil shape.
  • a coil with a diameter of 0.5 to 10 mm can be formed with a line width of about 60 to 300 m.
  • a coil having a line width of about 1 to about L 0 / m and a diameter of about 0.1 to 2 mm can be generally formed.
  • the conductive material may be a conventional one, and examples thereof include a thick film conductive paste for thick film printing and a Cu thin film resist electrode for thin film formation. Thick film printing is preferable because the manufacturing process is simple and a relatively accurate pattern can be formed.
  • Various inorganic dielectric materials can be used for the substrate material, but anti-reflection characteristics are realized.
  • a material having a high dielectric constant and a high Q value is preferable.
  • An example of such a material is an alumina substrate.
  • 96-alumina containing 96% by weight of alumina has a Q value higher than that of a conventional laminated LC filter by more than ⁇ digits. Therefore, the present invention is useful for non-reflection at the center frequency in the present invention, and a thin filter can be realized.
  • a 96% alumina substrate with a thickness of 640 m is applied, achieving the world's thinnest thickness of 1.3 mm or less.
  • the material Q value of 96% alumina is 20000 or more, it is possible to use a thin substrate of 640 m or less, and it can be easily made thin. It will be easily understood that a dielectric material having a dielectric constant and a Q value of 96% alumina or more can be used, and that an inorganic dielectric material having a dielectric constant of less than 96% can be used depending on the purpose.
  • the capacitance may be adjusted by trimming or the like. The capacity of the capacity evening is determined according to the purpose of the LC festival.
  • FIGS. These examples are T-type LPFs shown in FIG. 1, in which L1 to L3 represent inductive components, and C1 and C2 represent capacitive components.
  • L 1, L 3, Cl and 2 have elements 1, 2, 3 (3a, 3b) and 4 (4a, 4b), respectively.
  • the illustrated ⁇ ⁇ -type LPF is preferable to the ⁇ -type, but the present invention is not limited to the ⁇ -type LPF and is applicable to a BPF or the like. Is also good.
  • the wiring method between the inductor array and the capacitor array may be a method such as providing a wiring layer and printing a thick film or forming a thin film.
  • L2, and L3 are connected by wire pond between them and capacity Cl and C2. It is considered that the wire located at the transmission line degrades the insertion loss, so two coils are connected between the coils to suppress the effective resistance. This is indicated by w in the figure.
  • Wire bonding was performed so that the directions of the currents flowing through the L1 (L3) and L2 coils were opposite to each other.
  • FIG. 8 shows a schematic diagram of the back surface of the substrate having the GND layer at the center.
  • the GND layer can be formed by any method such as thick film, thin film, plating film, etc.For example, if a metal foil is attached to the back of the inductor array with an insulating adhesive, a low impedance GND layer can be easily formed. it can.
  • GND is also advantageous in mounting. That is, in high-frequency circuits, GND The stray capacitance caused by the GND structure becomes a problem.
  • GND is considered to be a conductor layer in which the Indak sunset and the capacity evening are distributed in a similar manner.
  • the capacitance between GND and the inductance of the GND layer resonate in parallel, and the impedance of GND sharply increases as the parallel resonance frequency (estimated to be about 6 GHz) is approached. As a result, the current flowing into GND is limited, and the out-of-band attenuation deteriorates.
  • the inductor distributed in the GND layer it is effective to select a material with a relative permeability close to 1 for the metal foil.
  • the relative magnetic permeability of copper is 1, which is preferable. If the GND of the inductor array is directly connected to the GND of the mother board, the stray capacitance between GND and GND generated between the GND of the inductor array and the GND of the mother board will be eliminated.
  • V SWR 1.7 for the stacked LPF widely used as a transmission filter.
  • the reflected power relative to the input power is about 7%, which is power that is not fed to the antenna, but this shortfall can be compensated for by increasing the output of the power amplifier. If the output of the power amplifier cannot be increased, a matching circuit may be added. As described above, design considerations may be required in order to use transmission filters with a large standing wave ratio for practical use.
  • the LC filter according to the present invention provides an LC filter having a reduced V SWR below the above, and satisfies V SWR ⁇ 1.7 and V SWR ⁇ 1.3 as necessary.
  • Fig. 19 schematically shows the state of the electromagnetic field generated at the boundary between L 1 and L 2 in an LC filter with a changed current direction in the inductor.
  • the electric field ⁇ matches the direction of the current
  • the magnetic field // is the direction of the broken line in the circumference as shown in the figure.
  • Fig. 19 (a) when the currents flowing through L1 and L2 are in opposite directions, the electric fields j and £ 2 generated by the currents ⁇ 1 and i2 weaken, and the magnetic fields / ⁇ and / 2 will strengthen each other.
  • Fig. 19 (b) when the currents flowing through L1 and L2 are in the forward direction, j and £ 2 strengthen and / ⁇ and / 2 weaken. Become.
  • the anti-reflection characteristics are the electromagnetic fields that generate 1 and 2 coililes. This is the first thing actually obtained by the present invention in which the inductive components are closely arranged.
  • the present invention also provides a step of printing a plurality of inductor patterns close to each other on a substrate made of an inorganic insulator material to perform thick film printing; and forming one or more high-precision capacitors provided on an end portion of the inductor pattern and the substrate.
  • Including the step of electrically connecting the electrode to the filter so as to exhibit a filter characteristic the standing wave specific force at the center frequency is greatly reduced as compared with the conventional product (that is, non-reflective in the above sense). And a method for producing the same.
  • the method of printing the pattern of the inductor and the method of connecting the end of the pattern with the electrode of the high-accuracy capacitor can be performed according to a conventional method.
  • An example of the connection method is wire bonding.
  • the wiring is performed so that the directions of the currents in the respective inductors are opposite to each other.
  • the high-accuracy capacity includes a chip capacitor or a capacity adjusted by trimming or the like. According to the present invention, the center frequency is almost accurately controlled by such a simple method, and the LC filter that exhibits non-reflection characteristics near the center frequency is used. It can be manufactured.
  • High-precision inductors can be formed by thick film printing.
  • the present invention further provides an inorganic! Steps of forming a plurality of individual filter element forming regions by providing dividing lines vertically and horizontally on a substrate made of a transparent material; a thick film printing in which an inductor pattern is arranged close to each individual filter element forming region Providing one or more high-accuracy capacitors in the region; electrically connecting the end of the inductor pattern and the electrode of the high-accuracy capacitor in each of the regions so as to exhibit a filter characteristic. Connecting (for example, wiring by wire bonding); a step of resin-sealing the substrate surface on which the inductor pattern and the capacitor are disposed; and a step of dividing the substrate along the division line.
  • a method for manufacturing an LC filter that exhibits anti-reflection characteristics at a center frequency is to form a large number of LC filters on a single substrate and cut out individual chips from this aggregate substrate.
  • perforations (through holes) 12 are formed at predetermined positions of the inorganic insulator substrate 11 (FIG. 21 (a)).
  • the formation of through-holes is possible by any method. For example, drilling with a laser beam, drilling with a drill, and the like can be given. It may be fired after punching the ceramic green sheet.
  • a conductor is printed, filled and Z or plated in the through hole 12 to form an inductor pattern 13 and land on the surface of the substrate and electrode terminals on the back surface of the substrate (FIG. 2 1 (b In the figure, the conductor path between the land and the through-hole is omitted except for the leftmost chip area to avoid complication.)
  • a method of printing the conductor paste in a thick film is preferable.
  • the GND layer on the back surface may be formed using a conductor base.
  • mount the capacitor 14 on the land The capacity can be fixed by attaching a binder.
  • Fig. 21 (b) the leftmost chip area.
  • a protective layer (not shown in FIG. 21) on a portion except for the inductor pattern and the capacitance.
  • the protective layer may be made of any suitable material such as glass.
  • the substrate surface is sealed with a resin layer 15 and then separated into individual LC filters 16 (Fig. 21 (c)). Separation into individual chips can be performed by, for example, a conventional method such as sawing.However, it is necessary to form a shallow dividing line on the substrate and apply a deforming force along the dividing line after resin sealing.
  • the substrate may be divided by the following. It is preferable to divide the through hole 17 along the through hole, and the divided through hole 17 may be used as a conductive portion to the back surface or a side electrode.
  • various modifications and changes such as using a collective substrate without through holes, rearranging the order of steps, and replacing operations in each step with conventional equivalent operations, are also included. It is included in the scope of the present invention.
  • a technique such as soldering of a conductor thin wire (for example, a copper thin wire) by soldering.
  • the manufacturing method of the present invention further provides a method of further improving the efficiency of the entire LC filter manufacturing process by performing an inspection before forming an integrated substrate and then dividing the chip into individual chips.
  • the inspection method of the LC filter according to the present invention is performed by using a wafer prober.
  • Wafer probes are widely used in precision measurement, intermediate, and shipping inspection of semiconductor products, and include a test head, a probe card, and a stage that can move in the XY and vertical directions.
  • a probe card is a replaceable part that is attached to a test head, and includes a plurality of wires and a plurality of wires electrically connected to the wires. And probe pins.
  • the semiconductor wafer before being diced is placed on a stage, and the probe pins are brought into contact with the electrodes of the semiconductor products collectively formed on the wafer, so that the distance between the electrodes is reduced. The current flowing through the device is measured, and defective products are identified by inspection of electrical characteristics.
  • the inspection method of the present invention is known as a semiconductor wafer inspection apparatus.
  • the wafer probe which has not been used for the C-fill inspection, is used for the LC-fill inspection. Specifically, the above-mentioned resin-sealed collective substrate is placed on the stage of the wafer probe with the substrate surface facing down, and the probe pins are brought into contact with the electrodes on the back surface of the substrate to separate LC filters. Perform an evening examination.
  • a semiconductor wafer inspection method by a wafer prober can be used almost as it is. For example, even when the input / output electrode position of the LC filter is changed according to the desired electrical characteristics, it may be performed by exchanging the probe card or the probe pin or changing the control program. Therefore, it is possible to inspect various products at low cost.
  • the test processing capacity of the prober does not exceed 1 second per product area even in precision measurement. Multiple filters may be applied simultaneously to test multiple filters. In this case, the inspection time per product area is reduced to 1/2 to 1/3 seconds.
  • the probe is a small device that can be carried around and can be calibrated at the probe level such as SOLT (short-open-load-through) calibration. Precise measurement can be easily performed.
  • the LC filter of the present invention can be widely used in fields such as terminal communication equipment in microphone mouth-wave communication and its use in relay stations, and processing of harmonic signals in digital circuits.
  • the LC filter of the present invention can be used in a wide frequency range, but is particularly useful in a range of about 300 MHz to 8 GHz.
  • the LC filter of the present invention can be manufactured not only as an individual chip, but also mounted on a substrate together with other circuit elements to provide a variety of elements, devices, and systems having various functions. Can also be used.
  • An example of such a system is a transmission / reception system for wireless communication.
  • a filer is inserted between the antenna and the power amplifier in order to remove unnecessary waves (spurious).
  • Spurious generation in local oscillator Is indispensable because the transmission is inevitable.
  • the oscillation signal wave was delayed several times to obtain a carrier wave.
  • the spurs are generated in the frequency bands above and below the carrier, so band rejection (BPF) is required for removal.
  • BPF band rejection
  • a carrier wave can be obtained without doubling due to the continuous oscillation power of an oscillator even at a high frequency. In this case, spurs occur only in the frequency band above the carrier.
  • the carrier wave is obtained by direct oscillation of the oscillator, so LPFs are the mainstream for transmission filters.
  • BPF can be applied, but LP is preferable.
  • the centralized constant type is used for miniaturization in filters for mobile phones, but the lumped constant ⁇ C has a smaller standing wave ratio of the LPF than the BPF.
  • the standing wave ratio is a constant indicating the degree of the reflected wave with respect to the incident wave in a high-frequency electronic component such as a filter or an isolator. The larger the standing wave ratio, the stronger the reflected wave.
  • the standing wave ratio characteristics reflection characteristics are important characteristics of high-frequency appliances.
  • the configuration of a transmitter for a wireless communication device is considered.
  • the signal wave modulated by the carrier wave is basically transmitted through the power amplifier-isolator-transmitting filter-antenna, but with the conventional transmitting filter, the standing wave ratio is a value considerably larger than 1.
  • the center frequency of the filter that minimizes the standing wave ratio varies depending on the product.
  • Another problem is impedance matching with the antenna. This can result in large reflected power returning to the power amplifier, causing its destruction.
  • an isolator is installed for the purpose of protection from reaction force.
  • a magnetic material is applied to a fixed isolator used in mobile phones.
  • the magnetic force generated by this body leaks to the outside of the isolator and adversely affects components located around it.
  • a transmitter for a wireless communication device Mobile phone as file for sending The machine uses a laminated LPF.
  • VSWR is about 1.7, so about 7% of the input wave is reflected and returned to the power supply.
  • SAW surface acoustic wave
  • DRO BPF coaxial dielectric resonator band fill
  • resin sealing can be performed without any problems.
  • DRO-type BPF circuit Japanese Patent Application No. 11-20568 (filed on January 28, 1999)
  • DRO type BPF circuit which is the biggest defect
  • 96 alumina substrates are inexpensive and have high performance for high frequency applications.
  • a spiral inductor electrode is formed by thick film printing or the like as an L component for non-reflective LP F and LC filters [Japanese Patent Application No. 10-25959 filed by the present inventors (filed on Feb. 6, 1998)]
  • a chip capacitor and the like are mounted as the C component. It is also possible to make the spiral inductor free [resonance-free] from the present inventors in Japanese Patent Application No. Hei 10-182045 (filed on June 29, 1998).
  • the electrodes for the 0-inch long 8 PF circuit are also formed on a 96-alumina substrate by thick film printing, etc. Equipped with a combined capacity to obtain BPF characteristics. It is easy to apply a stripline resonator or step impedance resonator instead of DRO. Active components such as semiconductors are also mounted on 96-alumina thick film electrodes and printed circuit boards. The individual components are connected by strip transmission lines with appropriate characteristic impedance and sealed with resin, and the high-frequency transmitter / receiver for mobile phones is integrated into one. The effects of integration are not limited to miniaturization and low cost.
  • the dielectric loss of the 96-alumina substrate is small, and the strip transmission line is practically non-reflective in the frequency band for mobile phones and the insertion loss is almost 0 [dBZcm].
  • the insertion loss from the power amplifier to the antenna and the reflected power can be suppressed to the limit by omitting the isolator, reducing the size of the transmission section, and applying a 96-alumina substrate strip transmission line. It is possible to reduce the size of the battery of the mobile phone and increase the talk time.
  • the back surface of the component mounting surface is a GND electrode, it is effective in suppressing electromagnetic wave noise, and it is easy to obtain better matching, balance, and imbalance between the antenna and the feed line.
  • a thick-film electrode was formed as GND on almost the entire back surface of the substrate (Fig. 8).
  • the standing wave ratio is 1.0 at the center frequency F o, and Fo soil 10 At MHz it is less than 1.06. Since a general semi-rigid cable has a VSWR ⁇ 1.05, these LPFs can be considered practically almost non-reflective at 10 MHz Fo soil.
  • the direction of the current is the forward direction as in LPF samples 2 and 4, although effective suppression of the standing wave ratio is observed, antireflection characteristics in a more strict sense are obtained. It turns out there is no.
  • the transmission and reflection characteristics of the obtained LPF are shown in FIG.
  • the center of the substrate contains 90 individual areas with an area of 4.8mm in width and 3.5mm in height as shown in Fig. 21 (In this example, a shallow dividing line was actually formed on the substrate surface, but a dividing line is not necessary depending on the through-hole spacing described later.), And a through-hole is formed on the harmful U-line. did.
  • the through hole is provided at a position corresponding to the lead portion such as FIG.
  • a conductive paste was filled and printed on the side surfaces of the through holes, and a conductive pattern was printed in each individual fill area as shown in FIG.
  • a GND layer shown in FIG. 8 and a land portion near the penetrating portion of the through hole were also formed by screen printing of a conductor base.
  • the circuit pattern is baked, and the part of the substrate surface except for the end of the inductor and the electrode land is covered with a glass coat layer.
  • a chip capacitor was mounted, and after heating, wire bonding was performed with a gold wire in the same manner as in LPF 1 of Example 1.
  • the capacity value of the inductor and the tip capacity is the same as LPF1.
  • the substrate surface was sealed with resin. The above-mentioned collective substrate was placed on a stage of a commercially available wafer prober with its back surface facing upward, and the characteristics of each filter region were inspected according to a previously programmed procedure.
  • the Jawachi prober was pre-SOLT-calibrated using a calibration substrate and measured under the conditions of 20. After the inspection of the front area was completed, the substrate was removed from the stage, and a force was applied along the dividing line to obtain LC filters as individual chips. In addition, the time required for inspection was 90 seconds in total, which was reduced to less than one-tenth of the conventional method for inspecting the same number of individual chips.
  • the design of the impedance matching section of the mobile phone was changed, except for the isolator, in the same circuit configuration as the transmitter for the wireless communication device using the stacked LPF (VSWR-about 1.7). Otherwise, the antireflection LPF of the present invention is applied in substantially the same manner.
  • the output power of a power amplifier can be 1W.
  • the mobile phone's antenna output is 1W.
  • the compact LC filter of the present invention has characteristics in which VSWR at and around the center frequency is greatly reduced as compared with conventional products. Therefore, it is extremely useful for miniaturization, high performance, power saving, and simplification of the system of various wireless communication devices such as portable terminals. In addition, various applications in the high frequency band are possible. It is easy to manufacture In addition, precise control of the center frequency, which was difficult with conventional multilayer LC filters, is possible. Therefore, it is possible to construct a highly reliable system at a low production cost. In addition, efficient manufacturing becomes possible by using a manufacturing method using a collective substrate and an inspection method.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Filters And Equalizers (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)

Description

明細書 無反射 L Cフィル夕及びその製造方法 腿分野 本発明は、 LCフィルタ、 特に高周波領域において有用であり、 中心周波数にお いて無反射特性を有する L Cフィル夕及びその製造方法に関する。 背景技術 近年、 移動体通信の普及にはめざましいものがあるが、 これに伴ない、 通信機器 あるいはその中継基地局などに用いられる高周波領域用フィル夕の小型化、 特性の 改善が重要な課題となっている。 また、 情報処理機器などのディジタル機器におい てもクロック信号の高周波化が進んでおり、小型で廉価な高周波領域用フィル夕が、 情報通信分野の広い部門にわたって求められている。
従来、 携帯電話機送信用フィル夕には積層型の低域通過フィル夕 （LPF) が用 られている。 これは、 一般的には約 1000で程度で焼結するセラミック原料粉を薄 ぃシ一ト状に成形して、 ィンダクタおよびキャパシ夕電極をシ一ト表面に厚膜印刷 して製造される。 例えば、 B aO-A 1203-S i 02, BaO-S rO-S i 02 — Z r〇2、 C aO- Z r〇2—ガラスなどの低温焼結セラミック材料を用い、 F i g. 20に示すようにインダク夕層 L、 キャパシ夕層 Cをパターニングにより 形成した上、 さらにシールド層 S、 トリミングパターン Tなどを誘電体 εを介して 順次積層し、 これを焼成して 1チップの積層 LCフィル夕とする。 し力し、 この場 合、 パ夕一ニングと積層との組み合わせになるため工程が複雑であり特別な生産設 備が必要である。
かかる問題点にもかかわらず、 ±¾Εのように、 従来の LCフィル夕の 1チップ化 では、 同時焼成によるインダク夕層とキャパシ夕層の積層化によるアプローチが採 られている。 その大きな理由としては、 より高い周波数領域でも適用可能な L Cフ ィルタを構成しょうとした場合、 インダク夕の特性改善よりはキャパシ夕の大容量 化の方が容易であり、 かかる観点から積層化によるアプローチが有利であると考え られたという点が挙げられる。
インダクタは自己容量のために共振周波数以上では特性が誘導性から容量性に変 化する。 すなわち、 共振周波数以上ではキャパシ夕となりインダク夕としては機能 しなくなる。 そこで、 自己容量を抑圧し共振周波数を高くしてインダク夕の適用可 能周波数を高めることが重要な課題となる。 これには導体線路に対して垂直で放射 状に発生する電磁界の相互の結合を抑圧することが効果的である。
ィンダク夕を直線状の導体線路とすれば自己容量は小さくなるが、 このような細 長いインダク夕は実用的でない。 一方、 導体線路をコの字のジグザグ状にしたり、 螺旋（スパイラル） 状にすれば小型ィ匕は実現できるが、 ~«に自己容量が増大する。 このように、 インダク夕の特性低下を招くことなく、 インダクタの小型化、 イン ダク夕容量の増大を図ることには技術的困難が多い。 一方、 積層技術においてキヤ パシ夕の大容量化は比較的容易である。 また、 積層技術によればインダク夕との一 体ィ匕が可能である。 そこで、 小さなインダクタ容量を補うために大容量のキャパシ 夕を用いることにより、 積層 L Cフィル夕の小型化が進められてきた。
しカゝし、 積層型 L Cフィル夕ではセラミック材料に低温焼結材料を用いるため、 誘電率は 2 0以下である。 このため、 単層で得られるインダク夕およびキャパシタ 容量は小さく、 Q値も 2000以下と小さいので 1層当りのシート厚みも厚くなる。 実用上満足な容量を得るために幾重にも積層され、 積層後に同時に焼成することで 一体化してフィルタ特性を得ている。 しカゝし、 焼成時に不可避な電極パターンの機 械的な歪の増大や寸法精度の変動および小さな材料 Q値のために中心周波数の変動 は大きい。
従って、 これらの積層型 L P Fでは、 フィル夕の中心周波数を厳密に制御した製 品を得ることが難しく、 中心周波数における定在波比 （V SWR) を 1. 7未満に 低減した製品は得られていない。 少なくとも、 従来の小型 L Cフィルタでは、 用い られる周波数帯域での無反射特性が保証されない。 このため、 例えば、 携帯電話の 送信部に用いる場合には、 L Cフィルタの前段にアイソレータを設けるなどの方法 により、 反射波に起因する問題を解消する必要があった。
また、 従来の積層型 L Cフィルタは、 その構造上、 少なくとも電極を配置するェ 程以後では個別チップ （部品） として取り扱われる。 このため、 製品の小型化が進 む程、 その取扱いは難しくなる。 さらに、 製品の猫工程も、 製品それぞれに対応 した形状 ·寸法を有し個別チップに設けた電極と電気的に接触する専用の測定治具 に頼らざるを得ない。 専用治具は製作に多額の費用を要するだけでなく、 チップと の接触部分は寿命が短く数百万個の試験毎に交換が必要である。 また、 チップが小 型となるに連れ、 チップを専用治具に固定して する作業がコスト増大の大きな 要因の一つとなっている。 自動搬送機も実用化されているが、 大型で高価であるだ けでなく、 処理能力も十分ではない。 さらに、 これらの専用治具を用いた場合、 ^^性値には治具の特性も含まれるため、 個々の製品についての精密な出荷検査 ができないという問題もある。 発明の開示 本発明者らは、 誘電体基板表面上に、 複数のインダク夕パターンを近接して配置 した L Cフィル夕を先に提案したが （特願平 10-25959号)、 この L Cフィル夕にお いて、 基板材料の選択等を行うことにより、 中心周波数近傍での定在波比 （V SW R) を大きく低減した特性 （無反射特性） が実現されるという予想外の知見を得て 本発明を完成するに至った。 また、 本発明の L Cフィル夕は高い精度で中心周波数 を制御することが可能であり、 中心周波数の変動のない製品を製造すること力河能 でめる。
すなわち、 本発明は以下の無反射 L Cフィル夕を提供する。 (1) 無機 体材料からなる基板、 該基板表面上に近接して配置された複数のィ ンダクタ、 及び、 フィルタ特性を示すように前記インダクタと電気的に接続された キャパシ夕を含む、 フィル夕の中心周波数において無反射特性を示すことを特徴と する LCフィル夕。
(2) フィルタの中心周波数における定在波比が 1. 7未満である前記 (1) に記 載の無反射 LCフィルタ。
(3) 前記インダク夕が厚膜印刷により形成され、 1 nH以上のインダク夕ンスを 有するものである前記 (2) に記載の高周波帯域用無反射 LCフィル夕。
(4) 前記インダク夕が近接した領域において、 各インダクタにおける電流の向き が反対方向となるように配線され、 前記複数のインダク夕間及びインダクタとキヤ パシ夕とがワイヤボンディングにより電気的に接続されている前記 （3) に記載の 無反射 LCフィル夕。
( 5 ) 前記ィンダク夕とキャパシ夕が低域通過特性を示すように電気的に接続され た前記 (1) 乃至 （4) のいずれかに記載の無反射低域通過 LCフィルタ。
また、 本発明は、 中心周波数における無反射特性を確実に実現する以下の無反射 L Cフィル夕の製造方法を提供する。
(6) 無機絶縁体材料からなる基板上に複数のインダク夕パターンを近接して厚膜 印刷する工程、 前記ィンダク夕パターンの端部と基板に設けた 1個以上の高精度キ ャパシ夕の電極とをフィルタ特性を示すように電気的に接続する工程を含む、 中心 周波数において無反射特性を示す L Cフィルタの製造方法。
(7) 無機絶縁体材料からなる基板上に分割線を縦横に設けることによって、 個別 フィルタ素 成用領域を複数形成する工程；欄別フィルタ素 成用領域内に ィンダクタパターンを近接して厚膜印刷する工程；前記領域内に 1個以上の高精度 キャパシ夕を設ける工程；前記領域のそれぞれにおいて前記インダク夕パターンの 端部と高精度キャパシ夕の電極とをフィル夕特性を示すように電気的に接続するェ 程；インダク夕パターンとキャパシ夕とが 12置された基板表面を樹脂封止するェ 程；及び、 Ml己基板を前記分割線に沿って分割する工程を含む、 中心周波数におい て無反射特性を示す L Cフィルタの製造方法。
( 8) 無機腿体材料からなる基板上にスルーホールを含む分割線を縦横に設ける ことによって、 個別フィル夕素子 成用領域を複数形成する工程；前記スルーホー ルを通って基板表裏面を導通する導体路を形成する工程；各個別フィルタ素子形成 用領域内において、 近接して配置されたインダク夕パターン、 該インダク夕パター ンの外端部と前記導体路とを接 ^ rる導体パターン、 及び、 該インダク夕パターン とは接続せず前記導体路と接^ τる 1個以上の電極ランド部を厚膜印刷により形成 する工程；前記電極ランド部に高精度キャパシ夕を設ける工程；前記インダクタパ 夕一ンの端部と前記高精度キャパシ夕の電極とをフィルタ特性を示すように電気的 に接^する工程；インダク夕パターンとキャパシタとが己置された基板表面を樹脂 封止する工程；基板裏面において前記スルーホールの導体路とウェハプローバのプ ローブとを電気的に接触することにより L cフィル夕の特性を する工程；及び、 前記基板を前記分割線に沿って分割する工程を含む、 中心周波数において無反射特 性を示す L Cフィル夕の製造方法。 図面の簡単な説明
F i g. 1は本発明により製造される L Cフィル夕の一例を示す等価回路図であ る。
F i g. 2〜7は本発明により製造される L Cフィルタ （F i g. 1 ) における 基板表面の配線パターンを示し、 F i g. 8 板裏面の導体パターンを示す模式 図である。
F i g. 9〜1 8及び 2 2は本発明により製造される L Cフィルタの周波数特性 を示すグラフである。
F i g. 1 9は本発明の好適態様の一つにおけるインダクタ電流の方向を示す模 式図である。
F i g. 2 0は従来技術における積層型 L Cフィル夕の構造の概略を示す模式図 である。
F i g . 2 1は本発明の L Cフィル夕の製造方法の好適態様の概略を示す模式図 である。 発明の詳細な説明 以下、 図面を参照して本発明の無反射 L Cフィルタ及びその製造方法を具体的に 説明する。 なお、 以下の説明においては、 主として低域通過フィルタ （L P F) に 関して説明するが、 これに回路構成上必要な変更を加えて帯域通過フィルタ （B P F) に適用することも可能である。 なお、 本明細書及び請求の範囲において 「無反 射」 とは、 ¾έ¾の L Cフィル夕に比較して大きく低減された V SWRを有すること を含み、 より厳密には下記の 「2. 無反射特性」 の項で説明される特性である。 1 . ： L Cフイリレ夕の構造
本発明の L Cフィル夕は、 無機絶縁体材料からなる基板、 該基板表面上に近接し て配置された複数のインダク夕、 及び、 フィル夕特性を示すように前記インダク夕 と電気的に接続されたキャパシ夕を含む。
(1)インダク夕
上述のように、 従来、 L Cフィル夕においては、 インダク夕の自己容量を抑制す るアプローチが採られている力、 複数個のインダク夕を基板表面に配置する場合に は、 インダク夕相互の距離を可能な限り大きく採って結合容量を抑圧するべきもの と考えられていた。 例えば、 スパイラルインダク夕では、 実際的には、 その直径の 数倍程度の,を隔てることが必要とされていた。
これに対し、 本発明では、 基板表面上に複数のインダクタを近接して配置した構 成を採るものであり、 L Cフィル夕の小型化と無反射特性とを同時に実現する。 ここで、 「近接して」 とは、 使用する回路要素の形状や大きさ及び電気的特性、 基板材料、 使用するフィル夕の周波数帯域等の条件により決まる条件である。 基本 的には、 無反射特性は、 後述の実験例に示すように、 近接したインダクタの電磁界 の相互作用に関係しているものと考えられ、 当該作用が効果を示す範囲であればよ レ^ 例えば、 スパイラルインダク夕の場合、 通常は、 好ましくは、 その直径以下の 距離とすることが小型化の観点からも好ましい。 直径数 mm程度のスパイラルイン ダク夕の場合、 当該複数のインダク夕が最近接する位置で l mm以下程度、 より好 ましくは 0. 5 mm以下、 さらに好ましくは 0. 3 mm以下である。
このようなコイルパターンの配置の例を F i g . 2〜7に示した。 これは F i g.
1に等価回路を示す L P Fに対するものであり、 詳細は後述するが、 3個のスパイ ラル状のインダク夕パターン L 1〜L 3を配置したものである。 なお、 フィルタ構 成としては図に示す T型 L P Fでは 1段以上であればよく、 従って、 インダクタは 2個以上含まれればよい。 また、 F i g . 2〜7に示すように、 複数のインダクタ はそのすべてが残りのインダク夕に近接している必要はない （図では L 1と L 2、
L 2と L 3のみが近接して配置されている。）。
インダク夕の形状は、 基板表面に配置し得るものであれば特に限定されない。 こ のようなインダク夕には、 スパイラルインダクタの他に、 クランク若しくはループ またはその一部をなす導体路で構成される種々のィンダク夕パターンが含まれるが、 高周波領域で用いる場合には、 I n H以上、 通常 1〜5 O n H程度のものが用いら れる。
これらの回路パターンの形成方法としては慣用のいずれの方法も用い得る。 例え ば、 導電材料を厚膜印刷もしくは薄膜形成したり、 あるいは、 細線をコイル状に載 置することにより形成することができる。 厚膜印刷では通常、 6 0〜 3 0 0 m程 度の線幅で直径 0. 5〜 1 O mm のコイルが形成できる。 薄膜形成では通常、 1 〜： L 0 0 / m程度の線幅で直径 0. 1〜 2 mm程度のコイルが形成できる。 導体材料 は慣用のものでよく、 例えば、 厚膜印刷では厚膜用導電ペースト、 薄膜形成では C u薄膜のレジスト電極などが挙げられる。 製造工程が簡便で比較的精度の高いパ ターンの形成が可能な厚膜印刷が好ましい。
(2)基板
基板材料は、 各種の無機誘電体材料を用いることができるが、 無反射特性を実現 するためには、 高誘電率かつ高 Q値材料が好ましい。 このような材料の例としては、 アルミナ基板が挙げられる。
アルミナ基板の中でも 96重量％のアルミナを含有するいわゆる 96アルミナは、 かつ、 従来の積層 LCフィル夕における基板材料と比較して Q値は ι桁以 上も高い。 このため本発明における中心周波数での無反射化に有用であり、 また、 薄型フィル夕が実現できる。 後述の実施例では厚さ 640 mの 96 %アルミナ基 板を適用して、 厚さが 1. 3 mm以下と世界最薄を達成している。 更に、 96%ァ ルミナの材料 Q値は 20000以上であるので 640 m以下の薄い基板の適用も可能 で容易に薄型化できる。 なお、 96%アルミナ以上の誘電率及び Q値を有する誘電 体材料も用い得ること、 目的によっては、 それ以下の無機誘電体材料も使用可能で あることは容易に理解されるであろう。
(3)キャパシ夕
本発明においては、 中心周波数を精確に制御して当該帯域における無反射特性を 実現するために、 高精度のキャパシタを用いることが重要である。 もっとも、 特別 に設計するには及ばず、 慣用のチップコンデンサでよい。 あるいは、 基板にキャパ シ夕を形成した後、 トリミング等により容量を調整してもよい。 キャパシ夕の容量 は、 LCフィル夕の目的に従い決定される。
(4)配線パターン
上記のインダク夕及びキャパシ夕は、 例えば、 F i g. 2〜 7に示すように接続 されてフィル夕を構成する。 これらの例は F i g. 1に示す T型の LP Fであり、 図中、 L 1〜L 3がインダク夕を、 C 1及び C 2がキャパシ夕を表している。 L l、 L 3, Cl、 じ2はそれぞ^子1、 2、 3 (3a、 3 b) 及び 4 (4a、 4b) を有する。 L Cフィル夕におけるィンダク夕間の結合容量を考慮すると π型よりも、 図示した Τ型 L P Fが好ましいと考えられるが、 本発明は Τ型 L P Fに限定される ものではなく、 BPF等に適用してもよい。
ィンダク夕アレイとキャパシ夕との間の配線方法は、 配線層を設け厚膜印刷ある いは薄膜形成等の方法によってもよいが、 F i g. 2〜7において、 インダク夕 L 1、 L2、 L 3の間及びこれらとキャパシ夕 Cl、 C 2とはワイヤポンドで接続さ れている。 伝送∞に位置するワイヤは挿入損失を劣化させると考えられるため、 実効的な抵抗を抑圧するために 2本のワイヤ線でコイル間を接続したものである。 これを図中 wで示した。
また、 F i g. 2〜7では、 ワイヤの接続点を変更することにより、 インダク夕 パターンに流れる電流の方向 （F i g. 1に示す等価回路上での矢印の向きを追つ たもの。 以下同じ） を変えている。 これを図中 「→」 で示した。 F i g. 2及び 4 の接続方法では L I (L 3) および L 2のコイルに流れる電流の方向は互いに逆方 向であるが、 F i g 3及び 5では順方向となるようにワイヤボンディングされてい る。 また、 F i g. 6及び F i g. 7ではボンディングワイヤは伝送線路に位置し、
L 1 (L 3) および L 2のコイルに流れる電流の方向は互いに逆方向となるように ワイヤボンディングした。
後述の実施例に示すように、 LI (L3) および L 2のコイルに流れる電流の方 向が互レに 向である F i g. 2、 4、 6及び 7の接続方法では、 無反射特性が 得られた。 一方、 順方向となる F i g. 3及び 5では定在波比の有効な抑；£¾1果が 見られた。
(5)GND層
本発明においては、 基板の裏面に導電層 （GND層） を設けることが好ましい。 F i g. 8に GND層を中央に有する基板裏面の模式図を示した。 GND電極を設 けることによりィンダク夕の高 Q値化による L Cフィルタ特性の改善やシールド特 性の改善、 自己容量の抑圧が可能になる。 この結果、 複数の螺旋状インダク夕が近 接して配置可能となり、 では実現されていない特性を有する L cフィルタ 力得られる。
GND層は、 厚膜、 薄膜、 メツキ膜等のいずれの方法でも形成できるが、 例えば、 インダクタアレイの裏面に絶縁性接着剤で金属箔を張り付ければ簡単に低ィンピー ダンスの GND層の形成ができる。
GND層を設けることは実装上も有利である。 すなわち、 高周波回路では GND が様々と設けられており、 GND構造に起因する浮遊容量が問題となる。 他方、 G NDはィンダク夕およびキャパシ夕がー様に分布した導体層と考えられるが、 キヤ パシ夕容量は小さく数 GH z帯ではィンダク夕が 配的であろうことは容易に推察 できる。 GND間の静電容量と GND層のインダク夕とは並列共振し、 並列共振周 波数 （6 GH z程度と推察している） に近付くに従い GNDのインピーダンス 急 激に増大する。 この結果 GNDに流れ込もうとする電流は制限され帯域外減衰量は 劣化する。 GND層に分布するィンダクタの抑圧には金属箔に比透磁率が 1に近い 材料を選定することが有効である。 この点で銅の比透磁率は 1であるので好適であ る。 インダク夕アレイの GNDを直接にマザ一ボードの GNDに接^すれば、 イン ダク夕アレイの GN Dとマザ一ボードの G N Dとの間に発生する G N D— G N D間 浮遊容量は無くなる。
2 . 無反射特性
本発明により L Cフィルタの中心周波数近傍において V SWRが大きく低減され る原因の詳細は厳密には不明である。 しカゝし、 ①チップキャパシ夕 Cの容量、 ②コ ィルとキャパシタの接続方法、 ③コイル形状、 ④ L 1および L 2の容量、 ④ L P F 部品構造を変更した各種のサンプルにおいて、 中心周波数における定在波比 （V S WR) の抑圧が実現されており、 近接するインダク夕の電流方向 （上述の意味） が 特定の関係にあるときには V SWR≤ 1. 0 5が実現されている。
送信用フィル夕として広く適用されている積層型 L P Fでは V S WR = 1. 7で ある。 入力電力に対する反射電力は約 7 %でありアンテナに給電されない電力とな るが、 この不足分は電力増幅器の出力を大きくして補うことができる。 また、 電力 増幅器の高出力化ができない場合には整合回路を付加してもよい。 以上のように、 定在波比の大きな送信用フィル夕を実用に用いるためには設計上の配慮が必要とな ることがある。
本発明の L Cフィル夕は、 V SWRが上記以下に低減された L Cフィル夕を提供 するものであり、 必要により、 V SWR< 1. 7、 さらに V SWR≤1. 3を満たす。 さらに、 V SWR= 1. 0 5レベルの製品も実現するものであり、 ^^的なセミリ ジッドケーブルでは V SWR< 1. 0 5であるから、 V SWR≤ 1. 0 5であれば、 実際上、 上記の意味よりも厳密な意味で 「無反射」 と見なせる。
F i g . 1 9には、 インダク夕の電流方向を変えた L Cフィルタにおいて、 L 1 と L 2との境界で生じる電磁界の様子を模式的に示した。 電界^は電流の方向に一 致し、 磁界 //は円周の切線方向で図中のような向きとなる。 F i g . 1 9 ( a) に示すように、 L 1および L 2に流れる電流が互いに逆方向の時には、 電流 · 1お よび i 2が生じる電界 jおよび £ 2は弱め合い、 磁界 /^および/ 2は強め合うこ とになる。 また、 F i g. 1 9 (b) に示すように、 L 1および L 2に流れる電流 が互いに順方向の時には、 jおよび £2は強め合い、 /^および/ 2は弱め合うこ とになる。
コイルィンダク夕による電磁界の厳密な解析、 特に高周波帯域でのそれは困難で あり、 理論的に確認はできないが、 いずれにせよ無反射特性は、 し 1ぉょびし2の コィリレが発生する電磁界と深く関係していると思われ インダク夕を近接配置して なる本発明で初めて現実に得られたものである。
3. L Cフィル夕の製造方法
本発明はまた、 無機絶縁体材料からなる基板上に複数のインダク夕パターンを近 接して厚膜印刷する工程、 前記ィンダクタパターンの端部と基板に設けた 1個以上 の高精度キャパシ夕の電極とをフィル夕特性を示すように電気的に接^する工程を 含む、 中心周波数における定在波比力従来品よりも大きく低減された （すなわち、 上述の意味で無反射の） L Cフィル夕の製造方法を提供する。
インダク夕パターンの印刷方法、 インダク夕パターンの端部と高精度キャパシ夕 の電極との接続の方法は慣用の方法に従い行うことができる。 接続方法の例として はワイヤボンディングが挙げられる。 インダク夕が近接した領域において、 各イン ダク夕における電流の向きが反対方向となるように配線することが好ましい。また、 高精度キャパシ夕としては、 チップコンデンサまたはトリミング等により容量を調 整したキャパシ夕が含まれる。 本発明によれば、 このような簡単な方法により中心 周波数がほぼ精確に制御され、 中心周波数近傍で無反射特性を示す L Cフィル夕を 製造することが可能となる。
従来の積層型 L P Fでは、 焼成時の収縮率が一定でないために、 高い精度でのィ ンダク夕およびキャパシ夕容量の調整は不可能で、 容量変動を土 1 0 %以下に制御 することはできない。 し力 ^し、 本発明の製造方法によれば、
①厚膜印刷による高精度ィンダクタの形成が可能である。
②ディスクリートキャパシ夕の容量精度は ± 1. 5%と高い。
このため中心周波数の変動はほとんどない。
本発明は、 さらに、 無機！ &椽体材料からなる基板上に分割線を縦横に設けること によって、 個別フィル夕素子形成用領域を複数形成する工程；各個別フィルタ素子 形成用領域内にィンダク夕パターンを近接して厚膜印刷する工程；前記領域内に 1 個以上の高精度キャパシ夕を設ける工程；前記領域のそれぞれにおいて前記インダ クタパターンの端部と前記高精度キャパシ夕の電極とをフィルタ特性を示すように 電気的に接続する （例えば、 ワイヤボンディングによる配線） 工程；インダクタパ ターンとキャパシ夕とが ΪΞ置された基板表面を樹脂封止する工程；及び、 前記基板 を前記分割線に沿って分割する工程を含む、 中心周波数において無反射特性を示す L Cフィル夕の製造方法を提供する。 これは、 簡単に言えば、 1枚の基板上に多数 の L Cフィルタを形成し、 この集合基板から個別のチップを切り出すものである。
F i g. 2 1に示す態様では、 無機絶縁体基板 1 1の所定の位置に穿孔 （スルー ホール） 1 2を形成する （F i g. 2 1 (a) )。 スルーホールの形成は任意の方法で 可能である。 例えば、 レーザービームによる穿孔、 ドリルによる穿孔等が挙げられ る。 セラミックグリーンシートにパンチングした後に焼成してもよい。
次いで、 スルーホール 1 2内に導体を印刷、 充填及び Zまたはメツキし、 基板表 面にインダク夕パターン 1 3及びランド部を、 基板裏面に電極端子を形成する （F i g. 2 1 (b)。 なお、 同図では煩雑さを避けるためランド部とスルーホール間の導 体路は最左端のチップ領域を除いて省略して示してある。）。 導体ペーストを厚膜印 刷する方法が好ましい。 この際、 導体べ一ストを用いて裏面の GND層を形成して もよい。 導体ペーストを焼成した後、 ランド部にキャパシ夕 1 4を搭載する。 キャパシ夕 はノヽンダ付け等により固定すればよい。
しかる後、 ワイヤボンディングによる結線を行なう （F i g. 2 1 (b)最左端のチ ップ領域)。インダクタパターンとボンディングワイヤとを安定して,するため、 好ましくは、インダクタパターン及びキャパシ夕の¾¾を除いた部分に保護層（F i g . 2 1には示していない。） を形成した後に結線する。 保護層は、 ガラス等の 適当な,材料からなるものであればよい。
ワイヤボンディング後、 基板表面を樹脂層 1 5で封止してから、 個々の L Cフィ ル夕 1 6に分離する （F i g. 2 1 (c) )。 個別チップへの分離は、 例えば、 ソーィ ング等の慣用の方法により行なうことができるが、 基板に分割線を浅く形成してお き、 樹脂封止後に当該分割線に沿つて変形力を加えることによつて基板を分割して もよい。 スルーホールに沿って分割する方法が好ましく、 これにより分割されたス ルーホール 1 7を裏面への導通部または側面電極として用いることか^ J能となる。 なお、 上記の説明において、 スルーホールを設けないで集合基板とすること、 ェ 程の順番を前後すること、 各工程における操作を慣用の同等の操作に置き換えるこ と等の様々な修正や変更も本発明の範囲に含まれる。 例えば、 上記のワイヤボンデ ィングに代えて導体細線 （例えば、 銅細線） のハンダ付けによる結線等の手法を用 いることも可能である。
本発明の製造方法では、 さらに、 集合基板として形成した後、 個別チップへの分 割前に検査することにより、 L Cフィルタの製造プロセス全体をさらに効率化する 方法が提供される。
本発明による L Cフィルタの検査方法は、 ウェハプローバを用いることにより行 なう。
ウェハプロ一バは、 半導体製品の精密測定、 中間 、 出荷検査に広く用いられ ている測定機器であり、 テス卜ヘッド、 プローブカード及び XY方向及び上下方向 に移動自在なステージを含む。 プローブカードはテストへッドに取り付けられる交 換可能な部品であり、 複数の配線と当該配線とそれぞれ電気的に接続された複数の プローブピンとからなる。 ウェハプローバによる半導体ウェハの検査では、 ダイシ ングされる前の半導体ウェハをステージ上に載置し、 ゥェ八上に集合的に形成され た半導体製品の電極に前記プローブピンを接触させて電極間に流れる電流を計測し、 電気特性の検査により不良品の識別を行なう。
本発明の検査方法は、 半導体ウェハの検査装置としては既知であるが、 従来、 L
Cフィル夕の検査には用いられることのなかったウェハプロ一バを L Cフィル夕の 検査に用いることを特徴とする。 具体的には、 前述の樹脂封止された集合基板を基 板表面を下側にしてウェハプロ一バのステージに載置し、 基板裏面の電極に対して プローブピンを接触させて個別の L Cフィル夕の検査を行なう。具体的検査方法は、 ウェハプローバによる半導体ウェハの検査方法をほぼそのまま利用することが可能 である。 例えば、 L Cフィル夕の入出力電極位置を所望の電気特性に応じて変更し た場合でも、 プローブカードやプローブピンの交換、 制御プログラムの変更により 行えばよい。 このため、 多様な製品を低コストで検査することが可能となる。 ゥェ ハプローバの検査処理能力は精密測定でも 1製品領域当たり 1秒は超えない。 マル チプローバを適用して複数のフィルタを同時に検査してもよい。 この場合には 1製 品領域当たりの検査時間は 1/2〜1/3秒に短縮される。
前述のように、 従来の積層型 L Cフィルタでは、 その構造上、 検査には個別チッ プに対応した専用治具の製作が必要であつたが、 本発明の方法では、 ウェハプロ一 バにおいて集合基板をウェハに代えて用いるため、 個別チップ用の専用治具は不要 となる。 さらに、 ウェハプローノ は可動ステージを有しているため、 従来の L Cフ ィル夕の自動検査で用いられていた大型の搬送装置も不要であり、 プローブは半永 久的に利用可能である。
さらに、 ウェハプローバでは、 校正用基板の利用によりプローブ先端までの校正 が可能となる。 この結果、 製品本来の特性が精密に測定できるようになる。 また、 温度特性の検査も容易である。 温度特性に関する品質保証は、 従来からセラミック 電子部品における大きな問題点であり、 従来の大型の搬送装置を用いた自動検査装 置を用いて室温以外の^ Sを行おうとすると検査システム全体を恒温室に保持する などの犬がかりな変更が必要であり現実的ではなかった。 し力 ^し、 一般にゥェ八プ ローバは持ち運びできる程度の小型の装置であり、 S O L T (Short- Open- Load- Through)校正などのプロ一ブレベルでの校正が可能であるため、 温度特性の精密な 測定を容易に行なうことができる。
従って、 本発明の検査方法を用いれば、 （1) L Cフィル夕を効率的かつ精密に低 コストで検査できる； （2)製品の設計変更に容易に対応できるため多品種少量生産 での検査が実現できる； （3)温度特性の測定が容易であるため単結晶製品並の高品 質な製品の供給が可能となる。 なお、 （3)に関連して言えば、 一般にセラミック電 子部品ではセラミックスに固有の材料特性のバラツキにより製品特性が変動するた め、 高いレベルでの品質保証が困難であり、 これが単結晶製品に比較して製品開発 上の大きな限定要因となっていたが、 本発明によれば、 出荷検査段階で規定値以下 の製品が除去できるため、 セラミック材料の欠点である材料特性のバラツキによる 製品特性の変動を補うことができる。 従って、 製品開発の自由度が増し、 さらに、 試験に要する時間の短縮により、 製品開発期間が短縮できる。
なお、 検査後の個別チップへの分離は前述と同様に行なえばよい。
4. L Cフィルタの応用
本発明の L Cフィルタは、 マイク口波通信における端末通信機器やその中継局等 での利用、 デジタル回線における高調波信号の処理などの分野で幅広く利用するこ とができる。本発明の L Cフィル夕は幅広い周波数領域において利用可能であるが、 特に 3 0 0 MH z〜8 GH z程度の領域で有用である。
また、 本発明の L Cフィル夕は、 個別のチップとして製造することが可能である だけでなく、 他の回路素子とともに基板上に搭載して、 種々の機能を有する素子、 装置、 システムの一部としても用いることができる。 このようなシステムの例とし ては無線通信用の送受信システムが挙げられる。
(1)無反射 L P Fによる無線通信用送受信システム
従来の無線通信機の送信部では、 不要波 （スプリアス） を除去する目的でフイリレ 夕がアンテナと電力増幅器との間に挿入される。 局部発振器でのスプリァスの発生 は避けられないので送信用フィル夕は必要不可欠である。 かっては発振器の高周波 での連続発振は困難で、 発振信号波は何段か遲倍されて搬送波を得ていた。 この場 合にはスプリァスは搬送波の上下の周波数帯で発生するので、 除去には帯域フィル 夕 （B P F) が必要である。 しかし、 今日では^ 術の進歩により高い周波数 でも発振器の連続発振力河能で運倍なしに搬送波が得られる。 この場合にはスプリ ァスは搬送波以上の周波数帯のみで発生する。 携帯 mis機では搬送波は発振器の直 接発振で得ているので送信用フィル夕は L P Fが主流である。 もちろん、 B P Fも 適用できるが L P ?カ好適である。 携帯電話機用のフィル夕には小型化のために集 中定数型が用いられるが、 集中定^ C では B P Fと比較して L P Fの定在波比が小 さいからである。 なお、 定在波比はフィルタやアイソレータ等の高周波用電子部品 において入射波に対する反射波の程度を表す定数で定在波比が大きくなるほど反射 波は強くなる。 透過特性と同様に定在波比特性 （反射特性） は高周波用電 品の 重要な特性である。
ここで無線通信機用送信器の 構成を考える。 搬送波で変調された信号波は、 基本的には電力増幅器—アイソレータ—送信用フィル夕—アンテナを経て送信され るが、 従来の送信用フィルタでは定在波比が 1よりも相当に大きな値である上、 定 在波比が極小となるフィルタの中心周波数にも製品によりずれがある。 また、 アン テナとのインピーダンス整合も問題である。 この結果、 大きな反射電力が電力増幅 器に戻り、 その破壊を引き起こすことがある。
そこで、 電力増幅器の直後には反^力からの保護を目的としてアイソレー夕が 設置されている。 携帯電話機に用いられる集中定 のアイソレータには磁性体が 適用されている。 この 体が発生する磁力はアイソレー夕の外部に漏れて周辺に 配置された部品に悪影響を及ぼす。 集中定数型アイソレ一夕では機械的寸法が小型 化されても磁性体が適用される設計である限り電気的寸法の小型化は困難で、 携帯 電話機送受信モジュールの全体としての小型化を阻害する大きな原因の一つとなつ ている。
再び、 無線通信機用送信器の基本構成を考える。 送信用フィル夕として携帯電話 機では積層型 L P Fが適用されている。 一般的な積層型 L P Fでは VSWR= 1. 7程度であるから入^ «力波の約 7 %は反射され電源に帰還する電力となる。 この 積層型 LP Fに代えて本発明の無反射 LP Fを適用する。 VSWRく 1.06であ るから入射電力に対する反射電力は 0. 1%以下となる。 アンテナに対しては完全 な整合が れて VSWR=1.0となるような設計ができるので、 アンテナからも LPF (送信用フィルタ） 力らも反^力は無くなりアイソレータを省略して送信 器の基本構成が可能となる。
(2) 携帯電話機高周波送受信部の 化
受信用、 局部発振器用、 電力増幅器用等の表面弾性波 (SAW) フィル夕がある。 つい最近まで送信用の SAWフィル夕は実用化が灘しいとされていたが、 今日では 送信用フィルタとして 1 W程度の許容電力および 2 d B程度の挿入損失を保証した SAWフィル夕が登場している。 SAWフィル夕の開発は目覚ましいが未解決の問 題点もある。 その一つは、 SAWは結晶表面に生じる弾性波 （音響波） であるから S AWチップは安価な樹脂封止が適用できずに個別のパッケージを必要とすること である。 当然のことのようにセラミックパッケージが適用されているが高価で量産 性に乏しく小型化も阻害している。 榭脂封止できないという欠点は SAWフィル夕 の動作原理を起源とするので解決は容易でない。
し力し、 同軸型誘電体共振器帯域フィル夕 （DRO型 BPF) では何らの支障も 無く樹脂封止できる。最大の欠点であった大きな外形寸法も DRO型 B P F回路〔本 発明者らによる特願平 11- 20568号 （平成 11年 1月 28日出願)〕 によれば SAW フィル夕程度の寸法で DRO型 BPFが実現できる。 96アルミナ基板は安価で高 周波での応用に高性能である。 無反射 LP Fおよび LCフィル夕 〔本発明者らによ る特願平 10- 25959号 （平成 10年 2月 6日出願)〕 用の L成分として螺旋インダク 夕電極を厚膜印刷等で形成し、 C成分としてチップキャパシタ等を搭載する。 また、 螺旋インダク夕 〔本発明者らによる特願平 10-182045号 （平成 10年 6月 29日出 願)〕 を無共振化することも可能である。
0尺〇型8 P F回路用電極も 96アルミナ基板に厚膜印刷等で形成し DROおよ び結合キャパシ夕を搭載して B P F特性を得る。 DROに代えてストリップライン 共振器やステップインピーダンス共振器の適用も容易である。 半導体等の能動部品 も 96アルミナ厚膜電極、 印刷基板に搭載する。 個々の構成要素は適当な特性イン ピーダンスのストリップ伝送線路で接続し樹脂封止されて、 携帯電話機用高周波送 受信部は 1個に集積化されるのである。 集積化の効果は小型化や低価 1 ^匕にとどま らない。 96アルミナ基板の誘電損失は小さく携帯電話用の周波数帯ではストリッ プ伝送線路は実用的に無反射であり挿入損失もほぼ 0 [dBZcm] である。 アイ ソレー夕の省略、 送信部の小型化、 96アルミナ基板ストリップ伝送線路の適用に より電力増幅器からァンテナまでの挿入損失および反射電力を限界まで抑圧できる。 携帯電話機の電池の小型化や通話時間の増大までもが実現するのである。 加えて、 部品搭載面の裏面は GND電極であるので電磁波ノィズの抑圧に効果的であり、 よ り良好なアンテナと給電線との整合、 平衡、 不平衡が得易い。
なお、 これらの例は本発明による LCフィルタの応用例の一例であり、 これら以 外にも種々の応用が可能である。 発明を実施するための最良の形態 以下、 実施例により本発明の効果を具体的に示す。 なお、 以下の実施例 1〜2に おいて周波数特性の測定は、 LCフィル夕を治具に固定し、 治具をヒューレット ' パッカード社製ネットワークアナライザ HP 8722 Cと専用ケーブルにより接続 して行なつた。 測定器は、 0. 05〜 3. 05GHzの周波数範囲で SOL T校正し た。 なお、 温度による特性の変化を併せて調べるため、 測定は恒温槽内において行 なった。
実施例 1
96アルミナ基板 (4. 8 OmmX 3. 5 OmmX 640 nm) の表面に厚膜用の 電極を使用して F i g. 2〜 7の回路パターンを印刷焼成し、 電極ランド部にチッ プキャパシ夕を接続することで、 F i g. 1で表される LP Fを形成した。 インダ クタパターンの導体幅と導体線络間スペースはいずれも 100 である。 また、 L 1ZL 3と L 2との距離 （それぞれの導体路が最も接近している領域における当 該導体路間の距離） も l O O mである。 なお、 これらの例では L 1=L 3 = 7. 5nH、 L2=l 5nHとした。
基板裏面のほぼ全面には GNDとして厚膜電極を形成した （F i g. 8)。
キャパシ夕容量 C 1 =C 2及びワイヤボンド結線を表 1最下欄に示すように変え て 10種類の LP F (LPF 1〜LPF 10) を製作した。 F i g. 9〜： 18には、 このように試作した L P Fの透過特性 (S 21 LOGMAG) 及び反射特性 ( S 11 SWR) を示した。 また、 表 1には特性値をまとめ、 特性曲線との対応を記 した。
L 1および L 2のコイルに流れる電流の方向が互いに逆方向の時（L P F 1、 3、 5~ 10) には中心周波数 F oで定在波比 （VSWR) 1. 0となり、 Fo土 10 MHzでは 1.06以下となる。 一般的なセミリジッドケーブルでは VSWR <1.05であるから、 これらの LP Fは Fo土 10 MHzで実用的にほぼ無反射と見 なせる。 しかし、 LPF試料 2及び 4のように電流の方向が順方向であると、 定在 波比の有効な抑 1£¾果は見られるものの、 より厳密な意味での無反射特性は得られ ていないことがわかる。
Figure imgf000022_0001
実施例 2
L 1 ZL 3と L 2との距離 （それぞれの導体路が最も している領域における 導体路間の距離） を 500 zmとし、 L l=L3=10nH、 L2 = 20 nH, C 1=C2=4.65pFとし、インダク夕間及びインダクタ一キャパシ夕間を F i g. 7に準じて層内の導体パターンにより接続したほかは実施例 1と同様にして LCフ ィル夕を作成した。
得られた L P Fの透過特性及び反射特性を F i g. 22に示した。 V S WRの最 小値は 1. 3〜 1.4程度であり、 上記の実施例 1に比較すると劣るが、 従来の積層 LCフィルタ （帯域内 VSWR= 1.7) と比較すると極めて優れた結果を示して いる。
実施例 3
96アルミナ基板 (76mmX 95mmX 0.64mm) の表面に F i g. 21 に示すように、 1領域当たり横 4.8mm、 縦 3. 5 mmの面積を有する個別フィル 夕領域 90個を含むように基板中央部に分割領域を設け （本例では実際に基板表面 に浅い分割線を形成したが、 後述のスルーホール間隔によっては分割線は不要であ る。）、 当該分害 U線上にスルーホールを形成した。 スルーホールは、 F i g. 2等の リ一ド部に対応する箇所に設けてある。
次いで、 スルーホール側面に導体ペーストを充填印刷し、 また、 各個別フィル夕 領域において、 F i g. 6等に示すように導体パターンを印刷した。 裏面には F i g. 8に示す GND層と前記スルーホールの貫通部近傍のランド部を同じく導体べ 一ストのスクリーン印刷により形成した。
しかる後、 回路パターンを焼成し、 基板表面のうちインダク夕の端部の一部と電 極ランド部を除いた部分をガラスコート層で覆い、 し力 ^る後、 電極ランド部にクリ ーム状ハンダを塗布してチップキャパシ夕を搭載し、 加熱後、 金線により実施例 1 の LPF 1と同様にワイヤボンディングを実施した。 なお、 インダク夕及びチップ キャパシ夕の容量値は L P F 1と同様である。 基板表面のすべて個別領域において ワイヤボンディングを完了した後、 基板表面を樹脂封止した。 市販のウェハプローバのステージ上に前記の集合基板を裏面を上側にして載置し、 予めプログラムした手順に従い、 各フィルタ領域の特性を検査した。 なお、 ゥェ八 プローバは校正用基板を用いて予め SOL T校正し、 20 の条件で測定した。 前領域の検査が完了した後、 基板をステージからはずし、 分割線に沿って力を加 えることにより LCフィル夕を個別チップとして得た。 なお、 検査に要した時間は 全体で 90秒であり、 従来法で同数の個別チップを検査する場合と比べ 10分の 1 以下に短縮された。
無反射 L P Fによる無線通信用送受信システム
送信用フィル夕として携帯電話機では積層型 LP F (VSWR-約 1. 7) を用 いた無線通信機用送信器と同様の回路構成において、 アイソレータを除き、 インピ 一ダンス整合部の設計変更をした他はほぼ同様にして、 本発明の無反射 L P Fを適 用する。 例えば、 電力増幅器の出力電力は 1Wとすることができる。
投に、携帯電話機のアンテナ出力は 1Wである。 アイソレータは VSWR=1. 5で揷入損失 I L 0^0.7 [dB] であるから入力電力の約 20%が、 積層型 L PFおよびアンテナスィッチで VSWR=2.0で挿入損失 I LO= 1.0 [dB] であるから入力電力の約 30%がアンテナに給電されない。 従って、 アンテナ出力 を 1Wに設計するには電力増幅機の出力電力を約 1. 8Wに設定する必要がある。 しカゝし、 無反射 L P Fを適用すれば電力増幅器に帰還する反!^力は 3 %以下とな りアイソレータを省略した送信器設計も可能で、 システムの簡素化、 電力増幅器の 軽薄短小化、 低価 匕、 変換効率の改善による電池の小型化も可能となる。 産業上の利用可能性 本発明の小型 L Cフィルタは、 中心周波数及びその近傍における VSWRが従来 品よりも大きく低減された特性を有する。 このため、 携帯端末等の各種無線通信機 器の小型化、 高性能化、 省電力化あるいはシステムの簡略化を図る上で極めて有用 である。 その他、 高周波帯域での様々な応用が可能である。 また、 その製造は容易 であり、 しかも、 従来の積層型 L Cフィル夕では困難であった中心周波数の精確な 制御が可能である。 従って、 廉価な製造コストで信頼性の高いシステムを構築する ことが可能である。 また、 集合基板を用いた製造方法'検査方法を用いることによ り効率的な製造が 能になる。

Claims

請求の範囲
1 . 無機絶縁体材料からなる基板、 該基板表面上に近接して配置された複数のイン ダク夕、 及び、 フィル夕特性を示すように前記インダク夕と電気的に接続されたキ ャパシ夕を含む、 フィルタの中心周波数において無反射特性を示すことを特徴とす る L Cフィルタ。
2 . フィルタの中心周波数における電圧定在波比が 1. 7未満である請求項 1に記 載の無反射 L Cフィル夕。
3. 前記ィンダクタが厚膜印刷により形成され、 1 n H以上のィンダク夕ンスを有 するものである請求項 2に記載の高周波帯域用無反射 L Cフィル夕。
4. 前記インダクタが近接した領域において、 各インダク夕における電流の向きが 反対方向となるように配線され 前記複数のインダク夕間及びインダクタとキャパ シ夕とがワイヤボンディングにより電気的に接続されている請求項 3に記載の無反 射 L Cフィル夕。
5. 前記インダク夕とキャパシ夕カ低域通過特性を示すように電気的に接続された 請求項 1乃至 4のいずれかに記載の無反射低域通過 L Cフィル夕。
6. 無機絶縁体材料からなる基板上に複数のインダク夕パターンを近接して厚膜印 刷する工程、 前記ィンダクタパターンの端部と基板に設けた 1個以上の高精度キヤ パシ夕の電極とをフィル夕特性を示すように電気的に接^ る工程を含む、 中心周 波数において無反射特性を示す L Cフィルタの製造方法。
7. 無機 体材料からなる基板上に分割線を縦横に設けることによって、 個別フ ィル夕素子形成用領域を複数形成する工程；各個別フィル夕素子形成用領域内にィ ンダクタパターンを近接して厚膜印刷する工程；前記領域内に 1個以上の高精度キ ャパシ夕を設ける工程；前記領域のそれぞれにおいて前記インダク夕パターンの端 部と前記高精度キャパシ夕の電極とをフィルタ特性を示すように電気的に接続する 工程；インダク夕パターンとキャパシ夕とが Ξ置された基板表面を樹脂封止するェ 程；及び、 嫌己基板を前記分割線に沿って分割する工程を含む、 中心周波数におい て無反射特性を示す L Cフイ レタの製造方法。
8. 無機 »体材料からなる基板上にスルーホールを含む分割線を縦横に設けるこ とによって、 個別フィル夕素子形成用領域を複数形成する工程；前記スルーホール を通って基板表裏面を導通する導体路を形成する工程；各個別フィル夕素子形成用 領域内において、 近接して配置されたインダク夕パターン、 該インダク夕パターン の外端部と fJlS導体路とを接 る導体パターン、 及び、 該インダクタパターンと は接続せず前記導体路と接続する 1個以上の電極ランド部を厚膜印刷により形成す る工程；前記電極ランド部に高精度キャパシ夕を設ける工程；前記ィンダクタパ夕 —ンの端部と前記高精度キャパシ夕の電極とをフィル夕特性を示すように電気的に 接 する工程；インダク夕パターンとキャパシ夕と力 ¾己置された基板表面を樹脂封 止する工程；基 面において前記スルーホールの導体路とウェハプローバのプロ 一ブとを電気的に接触することにより L Cフィルタの特性を する工程；及び、 前記基板を Ml己分割線に沿って分割する工程を含む、 中心周波数において無反射特 性を示す L Cフィル夕の製造方法。
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