WO2000060676A1

WO2000060676A1 - Dispositif a fine couche piezoelectrique, tete d'impression a jet d'encre utilisant ce dispositif, et procedes de fabrication de ce dispositif et de cette tete

Info

Publication number: WO2000060676A1
Application number: PCT/JP2000/002208
Authority: WO
Inventors: Satoru Fujii; Isaku Kanno; Ryoichi Takayama; Osamu Watanabe; Kenji Tomita; Shigeyuki Takao
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Priority date: 1999-04-06
Filing date: 2000-04-05
Publication date: 2000-10-12
Also published as: EP1089360A1; EP1089360A4; JP3868143B2; KR20010052618A; US6688731B1; JP2000289202A

Description

m 糸田圧電体薄膜素子及びこれを用いたインクジエツト式記録へッド並びにこれらの製造方法技術分野

本発明は、圧電体薄膜と、該圧電体薄膜の厚み方向両面にそれそれ形成された第 1 及び第 2の電極膜と、上記圧電体薄膜を保持する保持膜とを備えた圧電体薄膜素子及びこれを用いたインクジエツト式記録へッド並びにこれらの製造方法に関する技術分野に属する。背景技術

一般に、この種の圧電体薄膜素子は、熱を電荷に変換する焦電デバイスや、機械工ネルギ一と電気エネルギーとを相互変換する圧電デバイス等として用いられており、その圧電体薄膜は、通常、 P Z Tや P L Z T等の強誘電体材料で構成されている。上記圧電体薄膜素子では、圧電体薄膜の保持方法によりその性能が大きく左右され、焦電デバイスでは検知部の熱容量及び熱コンダク夕ンスを小さくするように、また圧電デバイスでは検知部が力学量により大きく変形するようにそれそれ支持する必要がある。

そこで、従来、例えば特開平 4一 1 7 0 0 7 7号公報に示されているように、焦電型赤外線検出器（圧電体薄膜素子）において、焦電薄膜（圧電体簿膜）をポリイミド樹脂等からなる有機薄膜（保持膜）により保持するようにすることが提案されている c そして、この提案例では、その検出器の製造方法として、成膜基板上に、焦電薄膜を形成し、この焦電薄膜上に上部電極膜を形成した後、上記焦電薄膜を覆うように有機薄膜を形成し、続いて、この有機薄膜上に保持基板を固定した後、上記成膜基板をェツチング除去し、次いで、焦電薄膜の成膜基板側の面に下部電極膜を形成すようにすることが提案されている。ところが、この提案例のものでは、成膜基板をエッチング除去する際に、焦電薄膜がエツチャントに晒されてダメージを受けるという問題がある。そこで、上記下部電極膜を成膜基板上に最初に形成し（成膜基板に接するようにし）、この下部電極膜上に焦電薄膜を形成しておくようにすれば、成膜基板の除去時に下部電極膜により焦電薄膜がエツチャントに晒されないようにすることができる。この場合、一般的に、上記下部電極膜と焦電薄膜とは、相対向する面同士が略同じ大きさ、形状に設定されかつその対向面の周縁全周同士が丁度重なるように構成されると共に、有機薄膜は、上記下部電極膜及び焦電薄膜の各側面全周に密着するように形成される。

しかし、上記有機薄膜のような樹脂製の保持膜は、下部電極膜ゃ焦電薄膜等との密着力が比較的低いため、エツチング除去工程においてエツチャントが下部電極と保持膜との界面に沿って浸透し、この界面に沿って浸透したエッチヤン卜が焦電薄膜のところに達するまでの経路は短くて真っ直ぐであるので、上記密着力の低さによってェ、ソチャントが直ぐに焦電薄膜のところに達し、焦電薄膜と保持膜との界面にも浸透する。この結果、焦電薄膜のダメージを確実に防止することは困難となる。

本発明は斯かる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、上記のように、圧電体薄膜を保持膜により保持するようにした圧電体薄膜素子を、成膜基板上に各膜を形成した後に該成膜基板をエッチング除去することで製造するようにする場合に、成膜基板に接する電極膜に工夫を凝らすことによって、保持膜が樹脂等からなっていて他の膜との密着力が比較的低 L、場合であっても、ェヅチャントによる圧電体薄膜のダメージを確実に防止できるようにすることにある。発明の開示

上記の目的を達成するために、本発明では、成膜基板に接する第 1の電極膜を、該電極膜の周縁部全周が圧電体薄膜の側面よりも側方に突出しかつ保持膜と密着するように形成するか、又は、保持膜を、保護膜を介して圧電体薄膜の側面全周に密着するように形成し、この保護膜を、該保護膜の第 1の電極膜側端部全周が第 1の電極膜の周縁部に密着するように形成した。具体的には、第 1の発明では、圧電体薄膜と、該圧電体薄膜の厚み方向一方の面に形成された第 1の電極膜と、上記圧電体薄膜の厚み方向他方の面に形成された第 2の電極膜と、上記圧電体薄膜の側面全周に密着するように形成され、該圧電体薄膜を保持する保持膜とを備え、成膜基板上に上記全ての膜を、上記第 1の電極膜が該成膜基板に接するように形成した後に成膜基板の少なくとも圧電体薄膜に対応する部分をェツチング除去してなる圧電体薄膜素子を対象とし、上記第 1の電極膜は、該第 1の電極膜の周縁部全周が上記圧電体薄膜の側面よりも側方に突出しかつ上記保持膜と密着するように形成されているものとする。

上記の構成により、第 1の電極膜の周縁部が圧電体薄膜の側面よりも側方に突出しているので、その突出量を適切に設定すれば、第 1の電極膜の周縁部と保持膜との界面に沿ってェヅチャン卜が浸透したとしても、この界面に沿って浸透したエッチヤン卜が圧電体薄膜のところに達するまでの経路を長くしかつ曲げることができ、この界面の途中でエツチャントはそれ以上内部に浸透しなくなる。よって、保持膜が樹脂等からなつていても、エツチャントによる圧電体薄膜のダメージを確実に防止することができる。

また、第 2の発明では、圧電体薄膜と、該圧電体薄膜の厚み方向一方の面に形成された第 1の電極膜と、上記圧電体薄膜の厚み方向他方の面に形成された第 2の電極膜と、上記圧電体薄膜の側面全周に密着するように形成され、該圧電体薄膜を保持する保持膜とを備え、成膜基板上に上記全ての膜を、上記第 1の電極膜が該成膜基板に接するように形成した後に成膜基板の少なくとも圧電体薄膜に対応する部分をエツチング除去してなる圧電体薄膜素子を対象とし、上記保持膜は、保護膜を介して上記圧電体薄膜の側面全周に密着するように形成され、上記保護膜は、該保護膜の第 1の電極膜側端部全周が上記第 1の電極膜の周縁部に密着するように形成されているものとする。

このことにより、圧電体薄膜が第 1の電極膜と保護膜とにより覆われ、この第 1の電極膜と保護膜との密着力は高くすることが可能であるので、エツチャントが圧電体薄膜に接触するのを防止することができる。一方、保護膜と保持膜との密着力が比較的低くてエツチャントがその保護膜と保持膜との界面に沿って浸透したとしても、そのエッチヤン卜が圧電体薄膜のところに達するまでの経路を長くしかつ曲げることができ、保護膜と保持膜との界面の途中でエツチャントはそれ以上内部に浸透しなくなる。よって、上記第 1の発明と同様の作用効果が得られる。

第 3の発明では、上記第 1及び第 2の発明において、圧電体薄膜が強誘電体材料からなるものとする。こうすれば、高性能の焦電デバイスゃ圧電デバイスが容易に得られる。

そして、第 4及び第 5の発明は、上記第 1の発明の圧電体薄膜素子を用いたインクジェット式記録ヘッドの発明であり、第 4の発明では、強誘電体材料からなる圧電体薄膜と、該圧電体薄膜の厚み方向一方の面に形成された第 1の電極膜と、上記圧電体薄膜の厚み方向他方の面に形成された第 2の電極膜と、上記圧電体薄膜の側面全周に密着するように形成され、該圧電体薄膜を保持する保持膜とを有し、成膜基板上に上記全ての膜を、上記第 1の電極膜が該成膜基板に接するように形成した後に成膜基板全体をェッチング除去してなる圧電体薄膜素子と、上記圧電体薄膜素子の第 2の電極膜における圧電体薄膜と反対側面に振動板膜を介して設けられ、該振動板膜により閉塞されて圧力室を形成する凹部と該圧力室にィンクを供給するインク供給路と上記圧力室に連通するインク吐出口とを有するへッド本体とを備え、上記第 1及び第 2の電極膜を介した圧電体薄膜への電圧の印加により圧電体薄膜素子を作動させることで、上記圧力室に圧力を付与して該圧力室内のィンクを上記ィンク吐出口から吐出させるようにしたインクジヱット式記録へッドを対象とし、上記圧電体薄膜素子の第 1の電極膜は、該第 1の電極膜の周縁部全周が上記圧電体薄膜の側面よりも側方に突出しかつ上記保持膜と密着するように形成されているものとする。

一方、第 5の発明では、強誘電体材料からなる圧電体薄膜と、該圧電体薄膜の厚み方向一方の面に形成された第 1の電極膜と、上記圧電体薄膜の厚み方向他方の面に形成された第 2の電極膜と、上記圧電体薄膜の側面全周に密着するように形成され、該圧電体薄膜を保持する保持膜とを有し、成膜基板上に上記全ての膜を、上記第 1の電極膜が該成膜基板に接するように形成した後に成膜基板の圧電体簿膜に対応する部分をエツチング除去してなる圧電体薄膜素子と、上記圧電体薄膜素子の成膜基板における第 1の電極膜と反対側面に設けられ、該成膜基板のェッチング除去した部分と共に圧力室を形成する凹部と該圧力室にィンクを供給するインク供給路と上記圧力室に連通するインク吐出口とを有するへッド本体と、上記圧電体薄膜素子の第 2の電極膜における圧電体薄膜と反対側面に形成された振動板膜とを備え、上記第 1及び第 2の電極膜を介した圧電体薄膜への電圧の印加により圧電体薄膜素子を作動させることで、上記圧力室に圧力を付与して該圧力室内のィンクを上記ィンク吐出口から吐出させるようにしたインクジエツト式記録へッドを対象とし、上記圧電体薄膜素子の第 1の電極膜は、該第 1の電極膜の周縁部全周が上記圧電体薄膜の側面よりも側方に突出しかつ上記保持膜と密着するように形成されているものとする。

上記第 4及び第 5の発明により、上記第 1の発明の圧電体薄膜素子と同様の作用効果が得られ、このインクジェット式記録ヘッドの圧電体薄膜素子は、圧力室のインクをィンク吐出口から吐出させる圧電ァクチユエ一夕として機能するので、この記録へッドのインク吐出性能を良好に維持することができる。

第 6及び第 7の発明は、上記第 2の発明の圧電体薄膜素子を用いたインクジエツト式記録ヘッドの発明であり、第 6の発明では、強誘電体材料からなる圧電体薄膜と、該圧電体薄膜の厚み方向一方の面に成された第 1の電極膜と、上記圧電体薄膜の厚み方向他方の面に形成された第 2の電極膜と、上記圧電体薄膜の側面全周に密着するように形成され、該圧電体薄膜を保持する保持膜とを有し、成膜基板上に上記全ての膜を、上記第 1の電極膜が該成膜基板に接するように形成した後に成膜基板の圧電体薄膜に対応する部分をエツチング除去してなる圧電体薄膜素子と、上記圧電体薄膜素子の成膜基板における第 1の電極膜と反対側面に設けられ、該成膜基板のェッチング除去した部分と共に圧力室を形成する凹部と該圧力室にィンクを供給するィンク供給路と上記圧力室に連通するインク吐出口とを有するへッド本体と、上記圧電体簿膜素子の第 2の電極膜における圧電体薄膜と反対側面に形成された振動板膜とを備え、上記第 1及び第 2の電極膜を介した圧電体薄膜への電圧の印加により圧電体薄膜素子を作動させることで、上記圧力室に圧力を付与して該圧力室内のィンクを上記ィンク吐出口から吐出させるようにしたインクジエツト式記録へッドを対象とし、上記圧電体薄膜素子の保持膜は、保護膜を介して上記圧電体薄膜の側面全周に密着するように形成され、上記保護膜は、該保護膜の第 1の電極膜側端部全周が上記第 1の電極膜の周縁部全周に密着するように形成されているものとする。

一方、第 7の発明では、強誘電体材料からなる圧電体薄膜と、該圧電体薄膜の厚み方向一方の面に形成された第 1の電極膜と、上記圧電体薄膜の厚み方向他方の面に形成された第 2の電極膜と、上記圧電体薄膜の側面全周に密着するように形成され、該圧電体薄膜を保持する保持膜とを有し、成膜基板上に上記全ての膜を、上記第 1の電極膜が該成膜基板に接するように形成した後に成膜基板全体をエツチング除去してなる圧電体薄膜素子と、上記圧電体薄膜素子の第 2の電極膜における圧電体薄膜と反対側面に振動板膜を介して設けられ、該振動板膜により閉塞されて圧力室を形成する凹部と該圧力室にインクを供給するインク供給路と上記圧力室に連通するインク吐出口とを有するへッド本体とを備え、上記第 1及び第 2の電極膜を介した圧電体薄膜への電圧の印加により圧電体薄膜素子を作動させることで、上記圧力室に圧力を付与して該圧力室内のィンクを上記ィンク吐出口から吐出させるようにしたィンクジェット式記録ヘッドを対象とし、上記圧電体薄膜素子の保持膜は、保護膜を介して上記圧電体薄膜の側面全周に密着するように形成され、上記保護膜は、該保護膜の第 1の電極膜側端部全周が上記第 1の電極膜の周縁部全周に密着するように形成されているものとする。

上記第 6及び第 7の発明により、上記第 2の発明の圧電体薄膜素子と同様の作用効果が得られ、記録へッドのインク吐出性能を高レベルに維持することができる。

第 8及び第 9の発明は、圧電体薄膜素子の製造方法の発明であり、第 8の発明では、成膜基板上に第 1の電極膜を形成する工程と、上記第 1の電極膜上における周縁部全周以外の部分に圧電体薄膜を形成する工程と、上記成膜基板上における上記圧電体薄膜の周囲全周に、保持膜を該圧電体薄膜の側面全周と上記第 1の電極膜の周縁部全周とに密着するように形成する工程と、上記圧電体薄膜上に第 2の電極膜を形成するェ程と、上記全ての工程の終了後に、上記成膜基板の少なくとも上記圧電体薄膜に対応する部分をエッチング除去する工程とを含むものとする。

このことにより、第 1の電極膜は、該第 1の電極膜の周縁部全周が圧電体薄膜の側面よりも側方に突出しかつ保持膜と密着するように形成されるので、上記第 1の発明の圧電体薄膜素子が容易に得られる。

一方、第 9の発明では、成膜基板上に第 1の電極膜を形成する工程と、上記第 1の電極膜上に圧電体薄膜を形成する工程と、上記成膜基板上における上記圧電体薄膜の周囲全周に、保護膜を該圧電体薄膜の側面全周と上記第 1の電極膜の周縁部全周とに密着するように形成する工程と、上記成膜基板上における上記保護膜の周囲全周に、保持膜を該保護膜に密着するように形成する工程と、上記圧電体薄膜上に第 2の電極膜を形成する工程と、上記全ての工程の終了後に、上記成膜基板の少なくとも上記圧電体薄膜に対応する部分をエッチング除去する工程とを含むものとする。

このことで、保持膜は、保護膜を介して圧電体薄膜の側面全周に密着するように形成され、この保護膜は、該保護膜の第 1の電極膜側端部全周が第 1の電極膜の周縁部に密着するように形成されるので、第 2の発明の圧電体薄膜素子が容易に得られる。第 1 0及び第 1 1の発明は、強誘電体材料からなる圧電体薄膜の圧電効果により振動板膜と共に変形して圧力室内のインクを吐出させる圧電体薄膜素子を備えたィンクジェット式記録ヘッドの製造方法の発明であり、第 1 0の発明では、成膜基板上に第 1の電極膜を形成する工程と、上記第 1の電極膜上における周縁部全周以外の部分に圧電体薄膜を形成する工程と、上記成膜基板上における上記圧電体薄膜の周囲全周に、保持膜を該圧電体薄膜の側面全周と上記第 1の電極膜の周縁部全周とに密着するように形成する工程と、上記圧電体薄膜上に第 2の電極膜を形成する工程と、上記第 2の電極膜上に振動板膜を形成する工程と、上記振動板膜と、該振動板膜と共に圧力室を形成する凹部を有するへッド本体とを固定する工程と、上記全ての工程の終了後に、上記成膜基板全体をエッチング除去する工程とを含むものとする。このことにより、上記第 4の発明のインクジエツト式記録へッドが容易に得られる。

第 1 1の発明では、成膜基板上に第 1の電極膜を形成する工程と、上記第 1の電極膜上に圧電体薄膜を形成する工程と、上記成膜基板上における上記圧電体薄膜の周囲全周に、保護膜を該圧電体薄膜の側面全周と上記第 1の電極膜の周縁部全周とに密着するように形成する工程と、上記成膜基板上における上記保護膜の周囲全周に、保持膜を該保護膜に密着するように形成する工程と、上記圧電体薄膜上に第 2の電極膜を形成する工程と、上記第 2の電極膜上に振動板膜を形成する工程と、上記全ての工程の終了後に、上記成膜基板の圧電体薄膜に対応する部分をエッチング除去する工程と、上記エッチング除去工程後に、上記成膜基板と、該成膜基板のエッチング除去した部分と共に圧力室を形成する凹部を有するへッド本体とを固定する工程とを含むものとする。このことで、上記第 6の発明のインクジェット式記録ヘッドが容易に得られる。図面の簡単な説明

図 1は、本発明の実施形態 1に係る圧電体薄膜素子の断面図である。

図 2は、図 1の圧電体薄膜素子の製造方法を示す説明図である。

図 3は、本発明の実施形態 2を示す図 1相当図である。

図 4は、図 3の圧電体薄膜素子の製造方法を示す説明図である。

図 5は、実施形態 2の変形例を示す図 1相当図である。

図 6は、本発明の実施形態 3に係るインクジエツト式記録へッドの断面図である。図 7は、図 6のィンクジエツト式記録へッドの製造方法を示す説明図である。

図 8は、本発明の実施形態 4を示す図 6相当図である。

図 9は、図 8のインクジエツト式記録へッドの製造方法を示す説明図である。発明を実施するための最良の形態

実施形態 1

図 1は、本発明の実施形態 1に係る圧電体薄膜素子 Dを示し、この圧電体薄膜素子 Dは、強誘電体材料からなる圧電体薄膜 1を備えている。この強誘電体材料としては、

P b _x L a _y T i _z Z r _w0₃で表されて、下記（1 ) 〜（5) のいずれかの組成を有するものが用いられている。

( 1) 0 . 7≤x≤ x + y = l、 0 . 9 2 5≤ z≤ K w= 0 (2) x=l、 y=0、 0≤ z≤ 0. 50、 z +w= 1

(3) 0. 75≤x< U x + y=l、 0. 3≤ z< l_s z+w=l

(4) x=l、 y=0、 0. 5≤ z≤ 1. 0、 z +w= 1

(5) 0. 9≤x< 1 x + y= l、 0≤ z < 0. 5、 z +w= 1

上記圧電体薄膜 1の厚み方向一方の面（上面）には第 1の電極膜 2が形成され、圧電体薄膜 1の厚み方向他方の面（下面）には第 2の電極膜 3が形成されている。この上側の第 1の電極膜 2は、後述の如く、成膜基板 11 (図 2参照）を用いて圧電体薄膜素子 Dを製造する際に、その成膜基板 11上に最初に形成される、つまり成膜基板 11と接するように形成されるものである。そして、この第 1の電極膜 2は、該電極膜 2の周縁部全周が上記圧電体薄膜 1の側面よりも側方に突出するように形成されている。この突出量は 1〜50 zmに設定されている。すなわち、この突出量は、 1〃 mよりも小さいと、後述の如くエツチャントに対する圧電体薄膜 1の保護が不十分になる一方、 50〃mよりも大きいと、圧電体薄膜素子 D自体が大きくなるので、 1〜 50 zmとしている。但し、この突出量の上限値は、 50〃mでなくても、圧電体薄膜素子 Dの大きさに問題がなければ可能な限り大きくしてもよい。尚、上記突出量のより好ましい値は、 10〜30 mである。

上記圧電体薄膜 1の側方の周囲全周には、例えば感光性ポリイミド樹脂からなる樹脂製保持膜 5が該圧電体薄膜 1の側面全周と下面の周縁部全周とに密着するように形成されている。また、この保持膜 5は、上記第 1の電極膜 2の周縁部全周、つまり第 1の電極膜 2の側面全周及び下面（第 1の電極膜 2の圧電体薄膜 1側面）周縁部全周に密着するように形成され、保持膜 5における第 1の電極膜 2よりも側方の上面は第 1の電極膜 2の上面と同一面になっている。さらに、上記保持膜 5の上記第 2の電極膜 3に相当する部分にはコンタクトホール 5 aが形成され、後述の如く、このコン夕クトホール 5 a内に第 2の電極膜 3が形成されるようになっている。

上記保持膜 5の下面周縁部全周には、上面中央部に凹部 8 aが形成された転写基板 8 (保持基板）が該凹部 8 aの周囲部において接着剤層 9を介して固定され、この転写基板 8の凹部 8 a内に上記圧電体薄膜 1が保持膜 5のみで保持された構造となっている。尚、この転写基板 8は、 1つの材料で一体に形成されたものであっても、複数の材料（同じ材料又は異なる材料）を張り合わせたものであってもよく、凹部 8 aの代わりに貫通孔を形成したものであってもよい。

上記圧電体薄膜素子 Dは、成膜基板 1 1上に上記圧電体薄膜 1、第 1及び第 2の電極膜 2 , 3並びに保持膜 5を形成しかつ転写基板 8を保持膜 5に固定した後に該成膜基板 1 1全体をエッチング除去 <

>してなるものである。そして、この圧電体薄膜素子! は、上記第 2の電極膜 3を N i C r等O L IIの赤外線吸収材料とすることにより、薄膜焦鼋型赤外線検出器として使用することがで υιきる一方、第 2の電極膜 3の膜厚を大きくし

o

て振動板膜として機能させるようにするか、又は第 2の電極膜 3の圧電体薄膜 1と反対側面に振動板膜を形成することにより、圧力センサや圧電ァクチユエ一夕として使用することができる。

以上のように構成された圧電体薄膜素子 Dを製造する方法を図 2により説明する。先ず、成膜基板 1 1上に第 1の電極膜 2を形成する。すなわち、第 1の電極膜 2を高周波マグネトロンスパッタリング法（周波数 1 3 . 5 6 M H z ) により成膜した後、バタ一ニングを行う (図 2 ( a ) 参照）。この第 1の電極膜 2の材料及び具体的な成膜条件を表 1に示す。

表 1 第 1の

成膜基板力"ス圧

タカス高周波ハ°ヮ- 電極膜のスハ。ッ膜厚

温度 (°C) (Pa) (W) ( μ m) 材料

Au 400〜700 0. 1〜5 50〜200 0. 3

Pt 300—800 0.ト 5 50〜200 0. 3

Pd 300〜800 0. 1〜5 50〜200 0. 3

Ag 300〜800 Ar/0₂=25/0 0. 1〜5 50〜200 0. 3

〜25/10

Ir 300〜800 0. 1〜5 50〜200 0. 3 上記成膜基板 11は、例えば（100) MgO単結晶基板とし、この場合、第 1の電極膜は（001) 方向に配向する。尚、成膜基板 11は、（100) Mg〇単結晶基板に限らず、（100) S i単結晶基板をはじめ、エッチング除去可能な基板であればどのようなものであってもよい。

続いて、上記第 1の電極膜 2上における周縁部全周以外の部分に圧電体薄膜 1を形成する。すなわち、圧電体薄膜 1を高周波マグネトロンスパッタリング法（周波数 1 3. 56MHz) により成膜した後、パターニングを行う。この圧電体薄膜 1を強誘電体材料である Pb T i〇₃ヽ PZT (Pb Z Γο.₅₀T io.5o0₃) 又は PLZT (P bo.₉L ao. ' (Z r o.： T io.₉) 。.₉₇₅〇₃) で構成したときの該圧電体薄膜 1の具体的な成膜条件（膜厚はいずれの材料においても 2〃mである）を表 2に、またパターニング方法を表 3にそれそれ示す。尚、この圧電体薄膜 1も、第 1の電極膜 2と同様に、（001) 方向に配向する。

表 2 冋ノ」波圧電体成膜基板力"ス圧

タゲット組成スハ。ッタカ、、ス

薄膜材料温度 (°C) (Pa) ハ。ヮ-密度

(W/cm²)

PbTiOs Pb0， Ti0₂粉末の混合 500〜750 Ar/0₂=98/2 0.05〜 0.5〜5.0

(20mol%の PbO過剰）〜60/40 5.0

PZT PZT焼結体 500—800 Ar/0₂=98/2 0.05〜 0.5〜5.0

(20mol%の PbO過剰） —60/40 5.0

PLZT PLZT焼結体 500〜800 Ar/0₂=98/2 0.05〜 0.5〜5· 0

(20mol%の PbO過剰) 〜60/40 5.0 表 3

次いで、上記成膜基板 1 1上全体に保持膜 5をスビンコ一トにより形成し、その後、この保持膜 5における第 2の電極膜 3に相当する部分にコンタクトホール 5 aを形成する（図 2 ( b ) 参照）。このことで、成膜基板 1 1上における圧電体薄膜 1の周囲全周に、保持膜 5が該圧電体薄膜 1の側面全周と第 1の電極膜 2の周縁部全周とに密着するように形成される。尚、保持膜 5は感光性樹脂であるので、第 2の電極膜 3に相当する部分にコンタクトホール 5 aを容易に形成することができる。

次に、上記圧電体薄膜 1上において保持膜 5のコンタクトホール 5 a内に第 2の電極膜 3を形成（図 2 ( c ) 参照）する。尚、この段階までは、上下関係が完成時とは逆になつている。

そして、転写基板 8を上記保持膜 5に接着剤層 9を介して固定し（図 2 ( d ) 参照）、その後、上記成膜基板 1 1全体を、例えば 6 0 〜 8 0 °Cに加熱したリン酸水溶液（5 〜 4 0体積％) からなるエツチャントによりエッチング除去（0 . 5 〜 2時間）することで、圧電体薄膜素子 Dが完成する（図 2 ( e ) 参照）。

上記ェッチング除去工程のとき、エツチャントは第 1の電極膜 2と保持膜 5との界面に浸透する。これは、保持膜 5が樹脂製でかつスピンコートにより形成されているので、第 1の電極膜 2と保持膜 5との界面の密着力が比較的低くなつているからである（尚、同様に、圧電体薄膜 1と保持膜 5との界面の密着力も比較的低い）。しかし、この実施形態 1では、第 1の電極膜 2の周縁部が圧電体薄膜 1の側面よりも側方に突出しているので、上記界面に浸透したエツチャントが圧電体薄膜 1に達するまでの経路が長くて曲がっており、この界面の途中でエツチャントはそれ以上内部に浸透しなくなる。この結果、エツチャントは圧電体薄膜 1と保持膜 5との界面に浸透することはない。したがって、エツチャントによる圧電体薄膜 1のダメージを確実に防止することができる。一方、保持膜 5を樹脂製とすることで、成膜基板 1 1の除去後における圧電体薄膜 1の応力を緩和させることができると共に、転写基板 8の凹部 8 a内に圧電体薄膜 1を保持膜 5のみで断熱的に保持することができる。よって、圧電体薄膜素子 Dを薄膜焦電型赤外線検出器、圧力センサ、圧電ァクチユエ一夕等として使用する際に、その性能を高レベルに維持することができる。

実施形態 2

図 3は本発明の実施形態 2を示し（尚、以下の各実施形態 2〜 4では、図 1と同じ部分については同じ符号を付してその詳細な説明は省略する）、圧電体薄膜 1と保持膜 5との間に保護膜 6を設けた点と、転写基板 8を用いない代わりに成膜基板 1 1の一部を除去しないで残すようにした点とが上記実施形態 1と異なる。尚、圧電体薄膜素子 Dの上下関係が上記実施形態 1のものとは逆になつている。

すなわち、この実施形態 2では、保持膜 5が、保護膜 6を介して圧電体薄膜 1の側面全周に密着するように形成されている。この保護膜 6の材料は特に限定されないが、例えば S i〇₂、 S i ₃N ₄、 M g O、 N i O、 A 1 ₂0₃等とすれば、第 1及び第 2の電極膜 2， 3同士の短絡を防止することができると共に、圧電体薄膜 1との密着力をかなり高くすることができる。そして、上記保護膜 6の第 1の電極膜 2側端部（下端部）全周は、第 1の電極膜 2の周縁部全周、つまり第 1の電極膜 2の側面全周及び上面周縁部全周（第 1の電極膜 2の上面周縁部のみでもよい）に密着された状態となつている。一方、上記保護膜 6の上端部全周は、圧電体薄膜 1の上面周縁部に密着された状態となっている。このことで、保持膜 5は、コンタクトホール 5 aの近傍部においてのみ圧電体薄膜 1と直接的に接することになる。

上記成膜基板 1 1は、上記実施形態 1における転写基板 8に代わるものであって、保持基板の役目を有している。この成膜基板 1 1は、圧電体薄膜 1に対応する部分をエッチング除去してなるエッチング除去部 1 l aを有し、このエッチング除去部 11 aの内側面はテーパ状に形成されている。尚、成膜基板 11の下面のエッチング除去部 11 a以外の部分にはマスク層 12が形成されている。

この圧電体薄膜素子 Dも、上記実施形態 1と同様に、薄膜焦電型赤外線検出器、圧力センサ、圧電ァクチユエ一夕等として使用するものである。

次に、上記圧電体薄膜素子 Dの製造方法について図 4により説明すると、先ず、上記実施形態 1と同様に、成膜基板 11上に第 1の電極膜 2を形成し（図 4 (a)参照）、その後、この第 1の電極膜 2上における周縁部全周以外の部分に圧電体薄膜 1 を形成する。

続いて、上記成膜基板 11上における上記圧電体薄膜 1及び第 1の電極膜 2の周囲全周に、保護膜 6をスパッタリング法により形成する。このとき、その保護膜 6を、第 1の電極膜 2の側面全周及び上面周縁部全周並びに圧電体薄膜 1の側面全周及び上面周縁部全周に密着するように形成する（図 4 (b)参照）。

その後、上記成膜基板 11上における上記保護膜 6の周囲全周に、保持膜 5を該保護膜 6に密着するように形成する（図 4 (c)参照）。尚、この保持膜 5の形成方法は、上記実施形態 1と同様である。

次いで、上記保持膜 5のコンタクトホール 5 a内に第 2の電極膜 3を形成すると共に、成膜基板 11の下面のエッチング除去部 11 a以外の部分にマスク層 12を形成する（図 4 (d)参照）。

次に、成膜基板 11の圧電体薄膜 1に対応する部分（エッチング除去部 1 l a) をエッチング除去することで、圧電体薄膜素子 Dが完成する（図 4 (e)参照）。このとき、成膜基板 11が（100) MgO単結晶基板である場合には、リン酸等の酸溶液からなるエッチヤントを用いることにより、内側面がテ一パ状をなすエッチング除去部 11 aを容易に形成することができる。尚、成膜基板 11力 s ( 100) S i単結晶基板である場合には、 KOH等のアル力リ溶液からなるエツチャントを用いることにより、（111) 面が露出したダイヤフラム構造に形成することができ、成膜基板 11が（110) S i単結晶基板である場合には、 KOH等のアルカリ溶液からなるエツチャントを用いることにより、エッチング除去部 1 1 aの内側面をテーパ状ではなくて鉛直方向に延びるようにすることができる。

上記エッチング除去工程のとき、エツチャントは、密着力が高い第 1の電極膜 2と保護膜 6との界面には浸透することができず、この界面を通って圧電体薄膜 1のところに達することはない。一方、エツチャントは、密着力の低い保持膜 5と保護膜 6との界面に沿って浸透するが、この界面に浸透したエツチャントが圧電体薄膜 1のところに達するまでの経路が長くて曲がっており、この界面の途中でエツチャントはそれ以上内部に浸透しなくなる。よって、上記実施形態 1と同様の作用効果が得られる。尚、上記実施形態 2では、第 1の電極膜 2を、上記実施形態 1と同様に、該電極膜 2の周縁部全周が圧電体薄膜 1の側面よりも側方に突出するようにしたが、図 5に示すように、圧電体薄膜 1及び第 1の電極膜 2の相対向する面同士を略同じ大きさ、形状に設定しかつその対向面の周縁全周同士が丁度重なるようにしてもよい。この場合でも、保護膜 6を、該保護膜 6の下端部が第 1の電極膜 2の周縁部全周としての側面全周に密着するように形成しておけば、第 1の電極膜 2と保護膜 6との界面にェッチヤントが浸透することはないので、圧電体薄膜 1を確実に保護することができる。また、上記実施形態 2では、成膜基板 1 1を保持基板として用いたが、成膜基板 1 1全体をエッチング除去して、別の保持基板を成膜基板 1 1側に設けてもよく、上記実施形態 1の転写基板 8のように、成膜基板 1 1と反対側に保持基板を設けるようにしてもよい。これとは逆に、上記実施形態 1において、転写基板 8の代わりに成膜基板 1 1を保持基板とした形態にすることもできる。したがって、保持基板はどのようなものであってもよく、保持基板がなくても、後述の如くヘッド本体 2 1 (図 6参照）のような構造体に取り付ける等することができ、圧電体薄膜素子 Dの形態はその用途に応じて決めればよい。

さらに、上記各実施形態 1， 2では、保持膜 5を感光性ポリイミド樹脂からなるものとしたが、これに限らず、他の樹脂であってもよく、樹脂以外のものであっても本発明を適用することができる。

加えて、上記各実施形態 1 , 2では、圧電体薄膜 1を強誘電体材料からなるものとしたが、その用途によっては強誘電体材料に含まれない焦電体材料や、焦電体材料に含まれない圧鼋体材料からなるものとしてもよい。

実施形態 3

図 6は本発明の実施形態 3に係るインクジエツト式記録へッド Hを示し、この記録へッド Hは、上記実施形態 1の圧電体薄膜素子 Dを圧電ァクチユエ一夕として用いたものであって、転写基板 8をなくして、代わりに振動板膜 2 0を介してヘッド本体 2 1を設けるようにしたものである。尚、圧電体薄膜素子 Dの上下関係は上記実施形態 1とは逆になつており、また、複数の圧電体薄膜素子 D同士を保持膜 5により繋いで一体的にしている。

すなわち、この実施形態 3では、圧電体薄膜素子 Dの保持膜 5の下面全体が第 2の電極膜 3の下面（圧電体薄膜 1と反対側面）と同一面とされ、この第 2の電極膜 3及び保持膜 5の下面全体に振動板膜 2 0が形成されている。この振動板膜 2 0は、ヤング率が大きい金属（N i C r、 C r等）や絶縁体（ S i 0₂等）からなり、その厚さは 1 0〃m以下に設定されている。

上記振動板膜 2 0の下面には、接着剤層 1 9を介してへッド本体 2 1が固定されている。このヘッド本体 2 1は、上記振動板膜 2 0により閉塞されて圧力室 2 2を形成する凹部 2 3と該圧力室 2 2にインクを供給するインク供給路 2 4と上記圧力室 2 2 に連通するインク吐出口 2 5とを有している。すなわち、このヘッド本体 2 1は、上記凹部 2 3の側壁を形成する上側構造部材 2 8と、凹部 2 3の底壁と上記インク供給路 2 4とインク吐出口 2 5とを形成する 2つの中間構造部材 2 9 , 2 9と、インク供給路 2 4の底壁を構成する下側構造部材 3 0とからなっている。

そして、上記第 1及び第 2の電極膜 2， 3を介して圧電体薄膜 1に電圧を印加すると、この圧電体薄膜 1の圧電効果により圧電体薄膜素子 Dが作動して振動板膜 2 0の圧力室 2 2に対応する部分が下側に凸状に変形し、このことで、圧力室 2 2に圧力が付与されて該圧力室 2 2内のインクが上記ィンク吐出口 2 5から吐出するようになつている。

次に、上記記録ヘッド Hを製造する方法を図 7により説明する。尚、保持膜 5のコン夕クトホール 5 a内に第 2の電極膜 3を形成する工程までは、上記実施形態 1と同じであるので、説明は省略する（図 7 ( a ) 及び（b ) 参照）。

図 7 ( c ) に示すように、第 2の電極膜 3及び保持膜 5上に振動板膜 2 0を形成する。尚、振動板膜 2 0を成膜後にパターン化して、圧電体薄膜 1に対応する部分のみに振動板膜 2 0を形成するようにしてもよい。また、振動板膜 2 0が金属からなる場合には、上記第 2の電極膜 3と共通のプロセスで一括して形成することも可能である。次いで、上記振動板膜 2 0と、予め作製しておいたへッド本体 2 1とを接着剤層 1 9を介して固定する（図 7 ( d ) 参照）。このとき、へッド本体 2 1の凹部 2 3と圧電体薄膜 1とを対応位置させる。

その後、成膜基板 1 1全体をエッチング除去することで、記録ヘッド Hが完成する (図 7 ( e ) 参照）。このエッチング除去工程の際、上記実施形態 1と同様に、エツチャントが圧電体薄膜 1に接触することはなく、圧電体薄膜 1がエツチャントによりダメージを受けるようなことはない。したがって、記録ヘッド Hのインク吐出性能を良好に維持することができる。

実施形態 4

図 8は本発明の実施形態 4に係るィンクジヱット式記録へッド Hを示し、この記録へッド Hは、上記実施形態 2の圧電体簿膜素子: Dを圧電ァクチユエ一夕として用いたものであって、この圧電体薄膜素子 Dの成膜基板 1 1に上記実施形態 3と同様のへッド本体 2 1を固定したものである。

すなわち、この実施形態 4では、圧電体薄膜素子 Dの第 2の電極膜 3における圧電体薄膜 1と反対側面（上面）及び保持膜 5の上面に、上記実施形態 3と同様の振動板膜 2 0が形成され、成膜基板 1 1における第 1の電極膜 2と反対側面（下面のマスク層 1 2が形成されている部分）に、上記へッド本体 2 1が接着剤層 1 9を介して固定されている。このヘッド本体 2 1の凹部 2 3は、上記成莫基板 1 1のエッチング除去部 1 1 aと対応位置するように設けられ、エッチング除去部 1 1 aと共に圧力室 2 2 を形成するようになっている。

次に、上記記録ヘッド Hを製造する方法を図 9により説明する。尚、保持膜 5のコン夕クトホール 5 a内に第 2の電極膜 3を形成する工程までは、上記実施形態 2と同じであるので、説明は省略する（図 9 ( a ) 及び（b ) 参照）。

図 9 ( c ) に示すように、第 2の電極膜 3及び保持膜 5上に、上記実施形態 3と同様にして振動板膜 2 0を形成すると共に、成膜基板 1 1の下面のエッチング除去部 1 1 a以外の部分にマスク層 1 2を形成する。

次いで、上記実施形態 2と同様にして、成膜基板 1 1の圧電体薄膜 1に対応する部分をエッチング除去してエッチング除去部 1 1 aを形成する（図 9 ( d ) 参照）。このエッチング除去工程の際、上記実施形態 2と同様に、圧電体薄膜 1がエツチャントによりダメージを受けるようなことはない。

その後、成膜基板 1 1の下面のマスク層 1 2が形成されている部分と、予め作製しておいたへッド本体 2 1とを接着剤層 1 9を介して固定することで、記録へッド Hが完成する（図 9 ( e ) 参照）。

尚、上記実施形態 4では、へッド本体 2 1と成膜基板 1 1とを固定するようにしたが、上記実施形態 3のように、成膜基板 1 1全体をエッチング除去すると共に、へッド本体 2 1と振動板膜 2 0とを固定するようにしてもよく、これとは逆に、上記実施形態 3において、成膜基板 1 1の圧電体薄膜 1に対応する部分をエッチング除去すると共に、その成膜基板 1 1とへッド本体 2 1とを固定するようにしてもよい。産業上の利用可能性

本発明の圧電体薄膜素子は、焦電デバイスゃ圧電デバイスに使用する場合に有用であり、本発明のインクジェット式記録ヘッドは、コンビュ一夕、ファクシミリ、複写機等のプリン夕に使用する場合に有用であり、本発明は、特にエツチャントによる圧電体薄膜のダメージを確実に防止できる点で産業上の利用可能性は高い。

Claims

言青求の範囲

1 . 圧電体薄膜と、該圧電体薄膜の厚み方向一方の面に形成された第 1の電極膜と、上記圧電体薄膜の厚み方向他方の面に形成された第 2の電極膜と、上記圧電体薄膜の側面全周に密着するように形成され、該圧電体薄膜を保持する保持膜とを備え、成膜基板上に上記全ての膜を、上記第 1の電極膜が該成膜基板に接するように形成した後に成膜基板の少なくとも圧電体薄膜に対応する部分をエッチング除去してなる圧電体薄膜素子であって、

上記第 1の電極膜は、該第 1の電極膜の周縁部全周が上記圧電体薄膜の側面よりも側方に突出しかつ上記保持膜と密着するように形成されていることを特徴とする圧電体薄膜素子。

2 . 圧電体薄膜と、該圧電体簿膜の厚み方向一方の面に形成された第 1の電極膜と、上記圧電体薄膜の厚み方向他方の面に形成された第 2の電極膜と、上記圧電体薄膜の側面全周に密着するように形成され、該圧電体薄膜を保持する保持膜とを備え、成膜基板上に上記全ての膜を、上記第 1の電極膜が該成膜基板に接するように形成した後に成膜基板の少なくとも圧電体薄膜に対応する部分をエッチング除去してなる圧電体薄膜素子であって、

上記保持膜は、保護膜を介して上記圧電体薄膜の側面全周に密着するように形成され、

上記保護膜は、該保護膜の第 1の電極膜側端部全周が上記第 1の電極膜の周縁部に密着するように形成されていることを特徴とする圧電体薄膜素子。

3 . 圧電体薄膜が強誘電体材料からなることを特徴とする請求項 1又は 2記載の圧電体簿膜素子。

4 . 強誘電体材料からなる圧電体薄膜と、該圧電体薄膜の厚み方向一方の面に形成された第 1の電極膜と、上記圧電体薄膜の厚み方向他方の面に形成された第 2の電極膜と、上記圧電体簿膜の側面全周に密着するように形成され、該圧電体薄膜を保持する保持膜とを有し、成膜基板上に上記全ての膜を、上記第 1の電極膜が該成膜基板に接するように形成した後に成膜基板全体をエツチング除去してなる圧電体薄膜素子と、上記圧電体薄膜素子の第 2の電極膜における圧電体薄膜と反対側面に振動板膜を介して設けられ、該振動板膜により閉塞されて圧力室を形成する凹部と該圧力室にインクを供給するインク供給路と上記圧力室に連通するインク吐出口とを有するへッド本体とを備え、

上記第 1及び第 2の電極膜を介した圧電体薄膜への電圧の印加により圧電体薄膜素子を作動させることで、上記圧力室に圧力を付与して該圧力室内のィンクを上記インク吐出口から吐出させるようにしたィンクジエツト式言己録へヅドであって、

上記圧電体薄膜素子の第 1の電極膜は、該第 1の電極膜の周縁部全周が上記圧電体簿膜の側面よりも側方に突出しかつ上記保持 S莫と密着するように形成されていることを特徴とするインクジエツト式記録へッド。

5 . 強誘電体材料からなる圧電体薄膜と、該圧電体薄膜の厚み方向一方の面に形成された第 1の電極膜と、上記圧電体薄膜の厚み方向他方の面に形成された第 2の電極膜と、上記圧電体薄膜の側面全周に密着するように形成され、該圧電体薄膜を保持する保持膜とを有し、成膜基板上に上記全ての膜を、上記第 1の電極膜が該成膜基板に接するように形成した後に成膜基板の圧電体薄膜に対応する部分をェッチング除去してなる圧電体薄膜素子と、

上記圧電体薄膜素子の成膜基板における第 1の電極膜と反対側面に設けられ、該成膜基板のエッチング除去した部分と共に圧力室を形成する凹部と該圧力室にィンクを供給するィンク供給路と上記圧力室に連通するィンク吐出口とを有するへッド本体と、上記圧電体薄膜素子の第 2の電極膜における圧電体薄膜と反対側面に形成された振動板膜とを備え、

上記第 1及び第 2の電極膜を介した圧電体薄膜への電圧の印加により圧電体薄膜素子を作動させることで、上記圧力室に圧力を付与して該圧力室内のィンクを上記ィンク吐出口から吐出させるようにしたィンクジエツト式記録へッドであって、

上記圧電体薄膜素子の第 1の電極膜は、該第 1の電極膜の周縁部全周が上記圧電体薄膜の側面よりも側方に突出しかつ上記保持膜と密着するように形成されていることを特徴とするインクジエツト式記録へッド。

6 . 強誘電体材料からなる圧電体薄膜と、該圧電体薄膜の厚み方向一方の面に成された第 1の電極膜と、上記圧電体薄膜の厚み方向他方の面に形成された第 2の電極膜と、上記圧電体薄膜の側面全周に密着するように形成され、該圧電体薄膜を保持する保持膜とを有し、成膜基板上に上記全ての膜を、上記第 1の電極膜が該成膜基板に接するように形成した後に成膜基板の圧電体薄膜に対応する部分をエツチング除去してなる圧電体薄膜素子と、

上記圧電体薄膜素子の成膜基板における第 1の電極膜と反対側面に設けられ、該成膜基板のエッチング除去した部分と共に圧力室を形成する凹部と該圧力室にィンクを供給するィンク供給路と上記圧力室に連通するインク吐出口とを有するへッド本体と、上記圧電体薄膜素子の第 2の電極膜における圧電体薄膜と反対側面に形成された振動板膜とを備え、

上記圧電体薄膜素子の保持膜は、保護膜を介して上記圧電体薄膜の側面全周に密着するように形成され、

上記保護膜は、該保護膜の第 1の電極膜側端部全周が上記第 1の電極膜の周縁部全周に密着するように形成されていることを特徴とするインクジヱット式記録へッド。

7 . 強誘電体材料からなる圧電体薄膜と、該圧電体薄膜の厚み方向一方の面に形成された第 1の電極膜と、上記圧電体薄膜の厚み方向他方の面に形成された第 2の電極膜と、上記圧電体薄膜の側面全周に密着するように形成され、該圧電体薄膜を保持する保持膜とを有し、成膜基板上に上記全ての膜を、上記第 1の電極膜が該成膜基板に接するように形成した後に成膜基板全体をェッチング除去してなる圧電体薄膜素子と、上記圧電体薄膜素子の第 2の電極膜における圧電体薄膜と反対側面に振動板膜を介して設けられ、該振動板膜により閉塞されて圧力室を形成する凹部と該圧力室にインクを供給するィンク供給路と上記圧力室に連通するィンク吐出口とを有するへッド本体とを備え、

上記保護膜は、該保護膜の第 1の電極膜側端部全周が上記第 1の電極膜の周縁部全周に密着するように形成されていることを特徴とするィンクジヱット式記録へッド。

8 . 成膜基板上に第 1の電極膜を形成する工程と、

上記第 1の電極膜上における周縁部全周以外の部分に圧電体薄膜を形成する工程と、上記成膜基板上における上記圧電体薄膜の周囲全周に、保持膜を該圧電体薄膜の側面全周と上記第 1の電極膜の周縁部全周とに密着するように形成する工程と、

上記圧電体薄膜上に第 2の電極膜を形成する工程と、

上記全ての工程の終了後に、上記成膜基板の少なくとも上記圧電体薄膜に対応する部分をエツチング除去する工程とを含むことを特徴とする圧電体薄膜素子の製造方法。

9 . 成膜基板上に第 1の電極膜を形成する工程と、

上記第 1の電極膜上に圧電体薄膜を形成する工程と、

上記成膜基板上における上記圧電体薄膜の周囲全周に、保護膜を該圧電体薄膜の側面全周と上記第 1の電極膜の周縁部全周とに密着するように形成する工程と、

上記成膜基板上における上記保護膜の周囲全周に、保持膜を該保護膜に密着するように形成する工程と、

上記圧電体薄膜上に第 2の電極膜を形成する工程と、

上記全ての工程の終了後に、上記成膜基板の少なくとも上記圧電体薄膜に対応する部分をエッチング除去する工程とを含むことを特徴とする圧電体薄膜素子の製造方法。

1 0 . 強誘電体材料からなる圧電体薄膜の圧電効果により振動板膜と共に変形して圧力室内のィンクを吐出させる圧電体薄膜素子を備えたィンクジエツト式記録へッドの製造方法であって、成膜基板上に第 1の電極膜を形成する工程と、

上記圧電体薄膜上に第 2の電極膜を形成する工程と、

上記第 2の電極膜上に振動板膜を形成する工程と、

上記振動板膜と、該振動板膜と共に圧力室を形成する凹部を有するへッド本体とを固定する工程と、

上記全ての工程の終了後に、上記成膜基板全体をエツチング除去する工程とを含むことを特徴とするィンクジエツト式記録へッドの製造方法。

1 1 . 強誘電体材料からなる圧電体薄膜の圧電効果により振動板膜と共に変形して圧力室内のインクを吐出させる圧電体薄膜素子を備えたインクジエツト式記録へッドの製造方法であって、

成膜基板上に第 1の電極膜を形成する工程と、

上記第 1の電極膜上に圧電体薄膜を形成する工程と、

上記圧電体薄膜上に第 2の電極膜を形成する工程と、

上記第 2の電極膜上に振動板膜を形成する工程と、

上記全ての工程の終了後に、上記成膜基板の圧電体薄膜に対応する部分をエツチング除去する工程と、

上記エッチング除去工程後に、上記成膜基板と、該成膜基板のエッチング除去した部分と共に圧力室を形成する凹部を有するへッド本体とを固定する工程とを含むことを特徴とするインクジエツト式記録へッドの製造方法。