KR101078208B1 - 볼로미터용 니켈 산화막 및 그의 제조방법, 니켈 산화막을 이용한 적외선 감지소자 - Google Patents
볼로미터용 니켈 산화막 및 그의 제조방법, 니켈 산화막을 이용한 적외선 감지소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101078208B1 KR101078208B1 KR1020080135149A KR20080135149A KR101078208B1 KR 101078208 B1 KR101078208 B1 KR 101078208B1 KR 1020080135149 A KR1020080135149 A KR 1020080135149A KR 20080135149 A KR20080135149 A KR 20080135149A KR 101078208 B1 KR101078208 B1 KR 101078208B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- oxide film
- nickel oxide
- sputter
- bolometer
- nickel
- Prior art date
Links
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 136
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 136
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 60
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 34
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 115
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 45
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 39
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 15
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 106
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000011540 sensing material Substances 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N nickel silver Chemical compound [Ni].[Ag] MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005855 NiOx Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- -1 first Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D1/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on inorganic substances
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/20—Silicates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G53/00—Compounds of nickel
- C01G53/04—Oxides; Hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
- C09D5/32—Radiation-absorbing paints
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/085—Oxides of iron group metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5806—Thermal treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5846—Reactive treatment
- C23C14/5853—Oxidation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
본 발명은 볼로미터용 니켈 산화막 및 그의 제조방법, 니켈 산화막을 이용한 적외선 감지소자에 관한 것이다.
본 발명에 따른 볼로미터용 니켈 산화막은, -3%/oC이상의 TCR과 낮은 수준의 노이즈(noise)값, 안정적이고 재현성있는 특성을 가진다. 또한, 볼로미터용 니켈 산화막을 이용한 적외선 감지소자의 제작에 적용될 수 있다.
니켈 산화막, 열처리, TCR, 1/f 노이즈, 볼로미터
Description
본 발명은 볼로미터용 니켈 산화막 및 그의 제조방법, 니켈 산화막을 이용한 적외선 감지소자에 관한 것이다.
볼로미터(Bolometer)는 적외선 감지기로서 적외선(Infrared rays)을 흡수하고 흡수된 적외선으로 인해 온도의 변화를 겪게 되며, 이는 저항의 변화로 나타내어지고 외부에서 이 저항의 변화를 측정함으로써 적외선의 변화를 감지할 수 있게 된다. 볼로미터의 성능을 향상시키기 위해서는 구조적 변화를 주는 방법과 볼로미터 물질의 특성을 향상시키는 방법이 있다. 여기서, 물질특성을 통해 성능을 향상시키기 위해서는 높은 TCR(temperature coefficient of resistance), 낮은 1/f 노이즈(noise) 특성, 볼로미터와 볼로미터 다리 사이의 낮은 접촉저항을 갖는 오믹(ohmic) 저항을 가지는 특성을 가져야 하고, IC 공정과 서로 호환성, 공정의 단 순화 및 저 비용, 안정적인 전기적 특성 및 재현성 등을 만족시켜야 한다.
현재 볼로미터 물질로서 사용하고 있는 종류로는 비정질 실리콘, 금속 박막, 금속 산화막 등이 있다.
금속 박막의 경우, 티타늄(titanium), 니켈(nickel), 니켈 아이론(nickel-iron)등을 사용한다. 티타늄(titanium)은 42 uohm-cm의 작은 비저항을 갖고 0.4%/K의 작은 TCR과 낮은 1/f 노이즈(noise)의 특성을 가지고 있다.
니켈(nickel)은 6.93 uohmcm의 비저항과 0.68%/K의 TCR특성을 갖고, 상술한 바와 같이 금속 박막의 경우, 작은 비저항과 작은 TCR, 작은 노이즈 특성을 보인다. 이러한 낮은 TCR 값은 볼로미터의 응답특성을 낮게 하는 문제를 가지고 있다.
금속 산화막은 비교적 높은 TCR과 작은 노이즈를 갖는 성향을 보이는데, 그 중에서 바나듐 산화막은 -2%/K대의 높은 TCR특성과 100 Kohm 의 저항과 낮은 1/f 노이즈특성을 갖는다. 하지만, 제조 과정이 어렵고, 중간상태의 물질의 존재로 인해 재현성을 얻기가 매우 힘들다. 이로 인해 저항의 값이 변하고, 안정된 전기적 특성을 얻기 힘든 단점이 있다.
그리고, 비정질 실리콘의 경우 -2%/K대의 TCR특성과 100ohm-cm이상의 비저항을 갖지만, 비교적 다른 물질보다 노이즈가 큰 단점을 가지고 있다. 그리고, 비정질 실리콘과 바나듐 산화막의 경우 고가의 장비를 사용해야 하고, 또한 공정상의 복잡함과 같은 단점을 가지고 있다.
따라서, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 기존 볼로미터에 사용되지 않고, 또한 단순한 공정을 통해 제조되는 니켈 산화막에 의하여, 높은 TCR과 낮은 노이즈를 갖는 볼로미터용 니켈 산화막 및 그의 제조방법, 니켈 산화막을 이용한 적외선 감지소자를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 본 발명은, 안정적이고 재현성 있는 우수한 특성을 가지는 볼로미터용 니켈 산화막 및 그의 제조방법, 니켈 산화막을 이용한 적외선 감지소자를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 본 발명은, 저렴한 장비 및 단순한 공정방법을 이용하여 제조 코스트를 절감시킬 수 있는 볼로미터용 니켈 산화막 및 그의 제조방법, 니켈 산화막을 이용한 적외선 감지소자를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 본 발명은, 높은 적외선 감지도를 갖는 볼로미터용 니켈 산화막 및 그의 제조방법, 니켈 산화막을 이용한 적외선 감지소자를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
청구항 1에 관한 발명인 볼로미터용 니켈 산화막은, NiOx, Ni1-yO, Ni2O3, Ni(OH)2, NiSiO3, NiSiO4 중 적어도 어느 하나를 포함하고, 1≤x≤20, y는 0≤y≤0.95이고, 95nm 내지 105nm의 두께를 가진다.
삭제
청구항 3에 관한 발명인 볼로미터용 니켈 산화막의 제조방법은, 청구항 1에 관한 발명인 볼로미터용 니켈 산화막을 제조하는 볼로미터용 니켈 산화막 제조방법이고, 기판 상에 니켈을 증착하는 제1 단계, 니켈이 증착된 기판을 산소분위기에서 설정된 시간동안 300℃ 내지 450℃의 온도로 열처리하여 니켈 산화막을 형성하는 제2 단계를 포함한다.
삭제
청구항 5에 관한 발명인 볼로미터용 니켈 산화막의 제조방법은, 청구항 3에 관한 발명인 볼로미터용 니켈 산화막의 제조방법에 있어서, 제1단계에서는, 니켈은 10nm 내지 200nm의 두께로 증착된다.
청구항 6에 관한 발명인 볼로미터용 니켈 산화막의 제조방법은, 청구항 3에 관한 발명인 볼로미터용 니켈 산화막의 제조방법에 있어서, 제1 단계에서는, 니켈은 DC 스퍼터, rf 스퍼터, 에버퍼레이터(evaporator), MOCVD 중 어느 하나를 이용하는 방법으로 증착된다.
청구항 7에 관한 발명인 볼로미터용 니켈 산화막의 제조방법은, 청구항 6에 관한 발명인 볼로미터용 니켈 산화막의 제조방법에 있어서, DC 스퍼터 및 rf 스퍼 터는, 아르곤(Ar), 질소(N2) 플라즈마를 이용한다.
청구항 8에 관한 발명인 볼로미터용 니켈 산화막의 제조방법은, 청구항 6 또는 청구항 7에 관한 발명인 볼로미터용 니켈 산화막의 제조방법에 있어서, DC 스퍼터 및 rf 스퍼터의 스퍼터 스퍼터 타겟과 에버퍼레이터(evaporator)의 타겟은 니켈(Ni)을 이용한다.
청구항 9에 관한 발명인 볼로미터용 니켈 산화막의 제조방법은, 청구항 3에 관한 발명인 볼로미터용 니켈 산화막의 제조방법에 있어서, 제2 단계에서는, 니켈 산화막의 조성비는, 열처리 온도, 열처리 시간, 산소분위기 정도를 변화시켜 조절한다.
삭제
청구항 11에 관한 발명인 볼로미터용 니켈 산화막의 제조방법은, 청구항 1에 관한 발명인 볼로미터용 니켈 산화막을 제조하는 볼로미터용 니켈 산화막 제조방법이고, 기판 상에 니켈 산화막을 95nm 내지 105nm의 두께로 증착하는 제1 단계, 니켈 산화막이 증착된 기판을 질소 또는 산소분위기에서 설정된 시간동안 열처리하는 제2 단계를 포함한다.
삭제
삭제
청구항 14에 관한 발명인 볼로미터용 니켈 산화막의 제조방법은, 청구항 11에 관한 발명인 볼로미터용 니켈 산화막의 제조방법에 있어서, 제1 단계에서는, 니켈은 DC 스퍼터, rf 스퍼터, 에버퍼레이터(evaporator), MOCVD 중 어느 하나를 이용하는 방법으로 증착된다.
청구항 15에 관한 발명인 볼로미터용 니켈 산화막의 제조방법은, 청구항 14에 관한 발명인 볼로미터용 니켈 산화막의 제조방법에 있어서, DC 스퍼터 및 rf 스퍼터는, 아르곤(Ar), 산소(O2), 질소(N2) 플라즈마나 질소(N2) 와 산소(O2) 및 아르곤(Ar) 과 산소(O2)를 혼합한 플라즈마를 이용한다.
청구항 16에 관한 발명인 볼로미터용 니켈 산화막의 제조방법은, 청구항 14 또는 청구항 15에 관한 발명인 볼로미터용 니켈 산화막의 제조방법에 있어서, DC 스퍼터 및 rf 스퍼터의 스퍼터 스퍼터 타겟과 에버퍼레이터(evaporator)의 타겟은 니켈(Ni)이나 니켈(Ni) 산화막을 이용한다.
청구항 17에 관한 발명인 볼로미터용 니켈 산화막의 제조방법은, 청구항 11에 관한 발명인 볼로미터용 니켈 산화막의 제조방법에 있어서, 제1 단계에서는, 니켈 산화막의 조성비는, DC 스퍼터 및 r.f 스퍼터의 파워, 공정압력, 사용 가스들의 비율, 기판온도를 변화시켜 조절한다.
청구항 18에 관한 발명인 볼로미터용 니켈 산화막의 제조방법은, 청구항 11에 관한 발명인 볼로미터용 니켈 산화막의 제조방법에 있어서, 제2 단계에서는, 니켈 산화막의 조성비는, 열처리 온도, 열처리 시간, 질소(N2)나 산소(O2)분위기 정도를 변화시켜 조절한다.
청구항 19에 관한 발명인 볼로미터용 니켈 산화막의 제조방법은, 청구항 11에 관한 발명인 볼로미터용 니켈 산화막의 제조방법에 있어서, 제2 단계에서는, 열처리하는 온도는 50℃ 내지 450℃이다.
청구항 20에 관한 발명인 적외선 감지소자는, 볼로미터를 포함하는 적외선 감지소자이고, 볼로미터는, NiOx, Ni1-yO, Ni2O3, Ni(OH)2, NiSiO3, NiSiO4 중 적어도 어느 하나를 포함하고 있고 95nm 내지 105nm의 두께를 가지는 니켈 산화막을 포함하고, x는 1≤x≤20, y는 0≤y≤0.95이며, 상기 니켈 산화막은 10nm 내지 200nm의 두께를 가지는 니켈(Ni)을 산소 분위기에서 300℃ 내지 450℃의 온도에서 열처리하여 형성된다.
삭제
청구항 22에 관한 발명인 적외선 감지소자는, 청구항 20 또는 21에 관한 발명인 적외선 감지소자에 있어서, 니켈 산화막은 질소(N2)나 산소(O2)분위기에서 50℃ 내지 450℃의 온도에서 열처리되어 형성된다.
청구항 23에 관한 발명인 적외선 감지소자는, 청구항 20에 관한 발명인 적외선 감지소자에 있어서, 니켈 산화막은 DC 스퍼터, rf 스퍼터, 에버퍼레이터(evaporator), MOCVD 중 어느 하나를 이용하여 증착된다.
청구항 24에 관한 발명인 적외선 감지소자는, 청구항 23에 관한 발명인 적외 선 감지소자에 있어서, DC 스퍼터 및 rf 스퍼터는, 아르곤(Ar), 산소(O2), 질소(N2) 플라즈마나 질소(N2) 와 산소(O2) 및 아르곤(Ar) 과 산소(O2)를 혼합한 플라즈마를 이용한다.
청구항 25에 관한 발명인 적외선 감지소자는, 청구항 23 또는 24에 관한 발명인 적외선 감지소자에 있어서, DC 스퍼터 및 rf 스퍼터의 스퍼터 타겟과 에버퍼레이터(evaporator)의 타겟은 니켈(Ni) 또는 니켈(Ni) 산화막을 이용한다.
청구항 26에 관한 발명인 적외선 감지소자는, 청구항 20에 관한 발명인 적외선 감지소자에 있어서, 니켈 산화막의 조성비는, DC 스퍼터 및 r.f 스퍼터의 파워, 공정압력, 사용 가스들의 비율, 기판온도를 변화시켜 조절한다.
삭제
청구항 28에 관한 발명인 적외선 감지소자는, 청구항 27에 관한 발명인 적외선 감지소자에 있어서, 니켈은 DC 스퍼터, rf 스퍼터, 에버퍼레이터(evaporator), MOCVD 중 어느 하나를 이용하여 증착된다.
청구항 29에 관한 발명인 적외선 감지소자는, 청구항 28에 관한 발명인 적외선 감지소자에 있어서, DC 스퍼터 및 rf 스퍼터는, 아르곤(Ar), 질소(N2) 플라즈마를 이용한다.
청구항 30에 관한 발명인 적외선 감지소자는, 청구항 28 또는 29에 관한 발명인 적외선 감지소자에 있어서, DC 스퍼터 및 rf 스퍼터의 스퍼터 타겟과 에버퍼레이터(evaporator)의 타겟은 니켈(Ni)을 이용한다.
청구항 31에 관한 발명인 적외선 감지소자는, 청구항 27에 관한 발명인 적외선 감지소자에 있어서, 니켈 산화막의 조성비는, 열처리 온도, 열처리 시간, 산소분위기 정도를 변화시켜 조절한다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 볼로미터용 니켈 산화막 및 그의 제조방법, 니켈 산화막을 이용한 적외선 감지소자에 의하면, 기존 볼로미터에 사용되지 않고, 또한 단순한 공정을 통해 제조되는 니켈 산화막에 의하여, 높은 TCR과 낮은 노이즈를 가질 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 안정적이고 재현성 있는 우수한 특성을 가질 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 저렴한 장비 및 단순한 공정방법을 이용하여 제조 코스트를 절감시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 높은 적외선 감지도를 가질 수 있다.
이상과 같은 본 발명에 대한 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과 외의 구체적인 사항들은 다음에 기재할 실시예 및 도면들에 포함되어 있다. 본 발 명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
이하 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 다만, 첨부된 도면은 본 발명의 내용을 보다 쉽게 개시하기 위하여 설명되는 것일 뿐, 본 발명의 범위가 첨부된 도면의 범위로 한정되는 것이 아님은 이 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 용이하게 알 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 볼로미터용 니켈 산화막 제조방법을 나타내는 순서도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 볼로미터용 니켈 산화막 제조방법은, 기판 상에 니켈을 증착하는 제1 단계(S100), 니켈이 증착된 기판을 산소분위기에서 소정의 시간 동안 열처리하여 니켈 산화막을 형성하는 제2 단계(S200)를 포함한다.
보다 상세하게 설명하자면, 본 발명에 따른 볼로미터용 니켈 산화막 제조방법과 이에 의하여 제조된 볼로미터용 니켈 산화막은, NiOx, Ni1-yO, Ni2O3, Ni(OH)2, NiSiO3 , NiSiO4 중 적어도 어느 하나를 포함하고, x는 1≤x≤20, y는 0≤y≤0.95이다. 즉, 이는 니켈이 첨가된 니켈 산화막으로서, 비냉각형 적외선 감지소자에 적용될 수 있다. 여기서, 니켈은 10nm 내지 200nm의 두께를 DC 스퍼터, rf 스퍼터, 에버퍼레이터(evaporator), MOCVD 중 어느 하나를 이용하는 방법으로 증착된다. 여기서, DC 스퍼터 및 rf 스퍼터는, 아르곤(Ar), 질소(N2) 플라즈마를 이용하고, 또한 DC 스퍼터 및 rf 스퍼터의 타겟과 에버퍼레이터(evaporator)의 타겟은 니켈(Ni)을 이용한다.
예를 들면, 니켈 메탈의 열처리를 통한 니켈 산화막을 얻기 위해서는, 먼저 dc 또는 rf 스퍼터 및 써멀 에버퍼레이터(thermal evaporator)를 이용하여 메탈인 니켈을 형성하고 난 후에(S100), 산소분위기에서 열처리를 통하여 산화시킴으로써 가능하다(S200). 이때, 조성비의 변화는 열처리 시간과 산소분위기 정도, 온도를 변화함으로써 얻어질 수 있다.
또한, 니켈 산화막의 두께는 20nm 내지 300nm까지 다양한 범위에서 적용할 수가 있는데, 주로 볼로미터 성능지수와 관련지어서 100nm 부근의 두께가 바람직하다. 그리고, 니켈 산화막의 성분 중 NiOx 의 x는 1에서 20 사이가 되어야 하는데, x가 1 인 경우 본래의 NiO 저항이 나타나므로 저항이 매우 크게 되고 x가 20 이상인 경우에는 저항이 너무 작아 TCR 값이 작고 저항의 변화가 불안정하기 때문에 볼로미터에 사용하기에 적절치 않게 된다. 그리고, Ni1 - yO,의 경우는 y값이 0에서 0.95 사이가 되고, 0일 경우는 저항이 매우 크고 0.95 이상일 경우에는 저항이 작게 되어 볼로미터 물질로서는 적절하지 않다.
또한, 니켈을 증착하고 열처리를 통해 니켈 산화막을 얻는 경우의 열처리 온도는, 300℃ 이하인 경우에는 니켈이 산화가 매우 느려지는 경향을 보이고 또한 상당한 장시간 열처리를 해야 산화물(즉, 산화막)을 얻을 수 있기 때문에 이온도 이하에서는 부적절하다. 그리고, 450℃ 이상일 경우에는 산화가 비교적 잘되는 특징을 가지고 있고 볼로미터용 물질을 만들 수 있으나 실리콘 공정에 적합하지 않는 문제를 가지고 있다. 따라서, 300℃와 450℃사이에서 열처리를 하는 것이 적합하다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 볼로미터용 니켈 산화막 제조방법을 나타내는 순서도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 볼로미터용 니켈 산화막은, 기판 상에 니켈 산화막을 증착하는 제1 단계(S100a), 니켈 산화막이 증착된 기판을 질소 또는 산소분위기에서 소정의 시간 동안 열처리하는 제2 단계(S200a)를 포함한다.
보다 상세하게 설명하자면, 본 발명에 따른 볼로미터용 니켈 산화막 제조방법과 이에 의하여 제조된 볼로미터용 니켈 산화막은, NiOx, Ni1-yO, Ni2O3, Ni(OH)2, NiSiO3 , NiSiO4 중 적어도 어느 하나를 포함하고, x는 1≤x≤20, y는 0≤y≤0.95이다. 여기서, 니켈 산화막은 DC 스퍼터, rf 스퍼터, 에버퍼레이터(evaporator), MOCVD 중 어느 하나를 이용하여 20nm 내지 300nm의 두께로 기판 상에 증착된다(S100a). 예를 들면, rf 스퍼터(즉, 교류 스퍼터)의 경우 니켈 메탈이나 니켈(Ni) 산화막을 타겟으로 하고, 사용되는 가스로는 아르곤(Ar), 질소(N2)와 산소(O2)를 사용한다. 여기서, 니켈 산화막의 조성비를 변화시키는 방법은, 질소(N2), 아르곤(Ar), 산소(O2) 플라즈마, 질소(N2)와 산소(O2) 플라즈마나, 아르곤(Ar)과 산소(O2) 플라즈마를 발생시킴으로써, 니켈 메탈이나 니켈 산화막을 스퍼터링 하는데, 스퍼터의 파워, 공정압력과, 사용 가스들의 비율, 기판온도를 변화시킬 경우 다양하게 조성비를 변화시킬 수 있다.
그런 다음, 니켈 산화막을 질소 또는 산소분위기에서 수분 내지 수 시간동안 열 처리(S200a)를 하여 결정화시키는데, 이 과정에서도 질소 또는 산소분위기 정도와 열처리 시간, 온도 등에 따라서 조성을 바꿀 수도 있다. 즉, 니켈 산화막을 증착한 후, 50℃와 450℃사이에서 열처리를 통해 니켈 산화막을 결정화시킨다. 한편, 니켈 산화막의 두께 및 열처리 온도에 관한 설명은 도 1에 관한 설명부분에 기재되어 있으므로, 생략하기로 한다.
이하, 상기와 같은 본 발명에 따른 볼로미터용 니켈 산화막의 제조방법에 의하여 제조된 볼로미터용 니켈 산화막의 특성에 대하여 도2 내지 도 4를 참조하여 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명에 따른 볼로미터용 니켈 산화막의 온도에 따른 저항값의 변화인 TCR값을 나타내는 그래프이고, 도 3은 본 발명에 따른 볼로미터용 니켈 산화막의 온도에 따른 저항의 변화로서 대기중에서 안정성을 나타내는 그래프이며, 도 4는 본 발명에 따른 볼로미터용 니켈 산화막의 주파수에 따른 노이즈 특성으로서 1/f 노이즈를 나타내는 그래프이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 볼로미터용 니켈 산화막의 온도에 따른 저항값의 변화인 TCR값을 설명하자면, 니켈을 300℃ 내지 450℃에서 열처리하여 산화되는 니켈 산화막의 경우의 TCR특성은, 상온에서 -3.24%/K의 큰 값을 얻을 수 있다는 것을 확인할 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 볼로미터용 니켈 산화막의 온도에 따른 저항의 변화로서 대기 중에서 안정성에 대해 설명하자면, 우선 대기 중에서 불안정한 물질을 사용한 경우 온도를 올리게 되면 산화가 되어서 저항이 증가되는 경향을 보이게 된다. 이로 인하여, 소정의 온도 범위 내에서 여러 번 계속 반복할 경우, 처음 온도 범위 내에서 이동할 때 산화되어 다음 번 온도 범위 내에서 이동할 경우, 처음에 측정된 저항보다 증가하게 되어 그래프 자체가 위로 올라가게 된다. 그러나, 도 2에 도시된 본 발명의 니켈 산화막인 경우에는, 일정 온도 범위 내에서 여러 번 반복 측정을 하여도 계속 같은 저항값을 가지고 있고, 비교적 대기에서 안정된 물질로서 존재한다는 것을 확인 할 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 볼로미터용 니켈 산화막의 주파수에 따른 노이즈 특성으로서 1/f 노이즈는, 니켈 산화막이 작은 1/f 노이즈(noise) 특성을 보임을 알 수 있다.
상기와 같은 특성을 가지는 본 발명에 따른 볼로미터용 니켈 산화막의 열처리를 통해 생성된 니켈 산화막은, 20nm에서 300nm범위의 두께와 산소 분위기에서 수분 내지 수 시간의 열처리시간과 300oC 내지 450oC 범위에서 온도를 변화시킴으로써, 비교적 손쉽고 저렴한 비용으로 얻을 수 있다. 또한, -3%/oC가 넘는 TCR값과 낮은 노이즈 특성을 갖는 우수한 특성의 볼로미터용 적외선 감지 물질을 제공할 수 있다.
그리고, 본 발명의 실시예서 얻어진 니켈 산화막은 비냉각형 적외선 소자인 볼로미터에 적용하여 적외선을 감지하고 적외선을 전기적인 신호로 바꿔주는 적외선감지물질 및 변환기로 사용할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 니켈 산화막을 비냉각형 적외선 감지소자인 마이크로 볼로미터 또는 볼로미터에 적용하여 높은 민감도를 갖게 하고, 감지 물질로서의 금속 산화물인 니켈 산화막은, 니켈을 증착시킨 후, 산소분위기에서 300oC 내지 450℃범위에서 열처리를 하여 얻을 수 있으므로, CMOS 반도체 공정에 적용이 가능하다. 여기서, 열처리 온도, 열처리시간, 열처리시의 산소분위기를 조절하여 니켈 산화막 박막의 특성을 제어할 수 있으며, 그 결과 -3%/oC 부근의 TCR을 얻을 수 있거나 그 이상의 값도 가능하게 된다.
또한, 도시되어 있지는 않지만, 본 발명의 다른 실시예에 따른 니켈 산화막은, 낮은 수준의 노이즈 값과 안정적이고 재현성 있는 특성을 가진 박막을 제조할 수 있고, 니켈 산화막을 이용한 높은 적외선 감지도를 갖는 볼로미터형 적외선 감지소자에 적용될 수 있다.
이와 같이, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타나며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 볼로미터용 니켈 산화막 제조방법을 나타내는 순서도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 볼로미터용 니켈 산화막의 온도에 따른 저항값의 변화인 TCR값을 나타내는 그래프.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 볼로미터용 니켈 산화막의 온도에 따른 저항의 변화로서 대기중에서 안정성을 나타내는 그래프.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 볼로미터용 니켈 산화막의 주파수에 따른 노이즈 특성으로서 1/f 노이즈를 나타내는 그래프.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 볼로미터용 니켈 산화막 제조방법을 나타내는 순서도.
Claims (31)
- NiOx, Ni1-yO, Ni2O3, Ni(OH)2, NiSiO3, NiSiO4 중 적어도 어느 하나를 포함하고, x는 1≤x≤20, y는 0≤y≤0.95이고, 95nm 내지 105nm의 두께를 가지는,볼로미터용 니켈 산화막.
- 삭제
- 제1항에 의한 볼로미터용 니켈 산화막을 제조하는 볼로미터용 니켈 산화막 제조방법이고,기판 상에 니켈을 증착하는 제1 단계; 및상기 니켈이 증착된 기판을 산소분위기에서 설정된 시간동안 300℃ 내지 450℃의 온도로 열처리하여 니켈 산화막을 형성하는 제2 단계를 포함하는,볼로미터용 니켈 산화막 제조방법.
- 삭제
- 제3항에 있어서,상기 제1단계에서는,상기 니켈은 10nm 내지 200nm의 두께로 증착되는,볼로미터용 니켈 산화막 제조방법.
- 제3항에 있어서,상기 제1 단계에서는,상기 니켈은 DC 스퍼터, rf 스퍼터, 에버퍼레이터(evaporator), MOCVD 중 어느 하나를 이용하는 방법으로 증착되는,볼로미터용 니켈 산화막 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 DC 스퍼터 및 rf 스퍼터는, 아르곤(Ar), 질소(N2) 플라즈마를 이용하는,볼로미터용 니켈 산화막 제조방법.
- 제6항 또는 제7항에 있어서,상기 DC 스퍼터 및 rf 스퍼터의 스퍼터 타겟과 에버퍼레이터(evaporator)의 타겟은 니켈(Ni)을 이용하는,볼로미터용 니켈 산화막 제조방법.
- 제3항에 있어서,상기 제2 단계에서는,상기 니켈 산화막의 조성비는, 열처리 온도, 열처리 시간, 산소분위기 정도를 변화시켜 조절하는,볼로미터용 니켈 산화막 제조방법.
- 삭제
- 제1항에 의한 볼로미터용 니켈 산화막을 제조하는 볼로미터용 니켈 산화막 제조방법이고,기판 상에 니켈 산화막을 95nm 내지 105nm의 두께로 증착하는 제1 단계; 및상기 니켈 산화막이 증착된 기판을 질소 또는 산소분위기에서 설정된 시간동안 열처리하는 제2 단계를 포함하는,볼로미터용 니켈 산화막 제조방법.
- 삭제
- 삭제
- 제11항에 있어서,상기 제1 단계에서는,상기 니켈 산화막은 DC 스퍼터, rf 스퍼터, 에버퍼레이터(evaporator), MOCVD 중 어느 하나를 이용하는 방법으로 증착되는,볼로미터용 니켈 산화막 제조방법.
- 제14항에 있어서,상기 DC 스퍼터 및 rf 스퍼터는, 아르곤(Ar), 산소(O2), 질소(N2) 플라즈마 나 질소(N2) 와 산소(O2) 및 아르곤(Ar) 과 산소(O2)를 혼합한 플라즈마를 이용하는,볼로미터용 니켈 산화막 제조방법.
- 제14항 또는 제15항에 있어서,상기 DC 스퍼터 및 rf 스퍼터의 스퍼터 타겟과 에버퍼레이터(evaporator)의 타겟은 니켈(Ni)이나 니켈(Ni) 산화막을 이용하는,볼로미터용 니켈 산화막 제조방법.
- 제11항에 있어서,상기 제1 단계에서는,상기 니켈 산화막의 조성비는, DC 스퍼터 및 r.f 스퍼터의 파워, 공정압력, 사용 가스들의 비율, 기판온도를 변화시켜 조절하는,볼로미터용 니켈 산화막 제조방법.
- 제11항에 있어서,상기 제2 단계에서는,상기 니켈 산화막의 조성비는, 열처리 온도, 열처리 시간, 질소(N2)나 산소(O2)분위기 정도를 변화시켜 조절하는,볼로미터용 니켈 산화막 제조방법.
- 제11항에 있어서,상기 제2 단계에서는,상기 열처리하는 온도는 50℃ 내지 450℃인,볼로미터용 니켈 산화막 제조방법.
- 볼로미터를 포함하는 적외선 감지소자이고,상기 볼로미터는, NiOx, Ni1-yO, Ni2O3, Ni(OH)2, NiSiO3, NiSiO4 중 적어도 어느 하나를 포함하고 있고 95nm 내지 105nm의 두께를 가지는 니켈 산화막을 포함하고, x는 1≤x≤20, y는 0≤y≤0.95이며,상기 니켈 산화막은, 10nm 내지 200nm의 두께를 가지는 니켈(Ni)을 산소(O2) 분위기에서 300℃ 내지 450℃의 온도에서 열처리하여 형성된,적외선 감지소자.
- 삭제
- 제20항에 있어서,상기 니켈 산화막은 질소(N2)나 산소(O2)분위기에서 50℃ 내지 450℃의 온도에서 열처리하여 형성된,적외선 감지소자.
- 제20항에 있어서,상기 니켈 산화막은 DC 스퍼터, rf 스퍼터, 에버퍼레이터(evaporator), MOCVD 중 어느 하나를 이용하여 증착되는,적외선 감지소자.
- 제23항에 있어서,상기 DC 스퍼터 및 rf 스퍼터는, 아르곤(Ar), 산소(O2), 질소(N2) 플라즈마나 질소(N2) 와 산소(O2) 및 아르곤(Ar) 과 산소(O2)를 혼합한 플라즈마를 이용하는,적외선 감지소자.
- 제23항 또는 제24항에 있어서,상기 DC 스퍼터 및 rf 스퍼터의 스퍼터 타겟과 에버퍼레이터(evaporator)의 타겟은 니켈(Ni) 또는 니켈(Ni) 산화막을 이용하는,적외선 감지소자.
- 제20항에 있어서,상기 니켈 산화막의 조성비는, DC 스퍼터 및 r.f 스퍼터의 파워, 공정압력, 사용 가스들의 비율, 기판온도를 변화시켜 조절하는,적외선 감지소자.
- 삭제
- 제20항에 있어서,상기 니켈은 DC 스퍼터, rf 스퍼터, 에버퍼레이터(evaporator), MOCVD 중 어느 하나를 이용하여 증착되는,적외선 감지소자.
- 제28항에 있어서,상기 DC 스퍼터 및 rf 스퍼터는, 아르곤(Ar), 질소(N2) 플라즈마를 이용하는,적외선 감지소자.
- 제28항 또는 제29항에 있어서,상기 DC 스퍼터 및 rf 스퍼터의 스퍼터 타겟과 에버퍼레이터(evaporator)의 타겟은 니켈(Ni)을 이용하는,적외선 감지소자.
- 제20항에 있어서,상기 니켈 산화막의 조성비는, 열처리 온도, 열처리 시간, 산소분위기 정도를 변화시켜 조절하는,적외선 감지소자.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080135149A KR101078208B1 (ko) | 2008-12-29 | 2008-12-29 | 볼로미터용 니켈 산화막 및 그의 제조방법, 니켈 산화막을 이용한 적외선 감지소자 |
| US12/608,657 US8173280B2 (en) | 2008-12-29 | 2009-10-29 | Nickel oxide film for bolometer and method for manufacturing thereof, and infrared detector using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080135149A KR101078208B1 (ko) | 2008-12-29 | 2008-12-29 | 볼로미터용 니켈 산화막 및 그의 제조방법, 니켈 산화막을 이용한 적외선 감지소자 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100077251A KR20100077251A (ko) | 2010-07-08 |
| KR101078208B1 true KR101078208B1 (ko) | 2011-11-01 |
Family
ID=42285311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020080135149A KR101078208B1 (ko) | 2008-12-29 | 2008-12-29 | 볼로미터용 니켈 산화막 및 그의 제조방법, 니켈 산화막을 이용한 적외선 감지소자 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8173280B2 (ko) |
| KR (1) | KR101078208B1 (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107601916B (zh) * | 2017-11-02 | 2020-02-07 | 南京大学 | 一种高纯透明的致密一氧化镍纳米薄膜制备方法 |
| TWI705936B (zh) * | 2018-12-25 | 2020-10-01 | 國立中山大學 | 在液相環境中沉積金屬氧化物薄膜的方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3019404A (en) * | 1955-12-22 | 1962-01-30 | Bulova Res And Dev Lab Inc | Thermistors and methods of making same |
| US3061476A (en) * | 1958-04-01 | 1962-10-30 | Barnes Eng Co | Method of making thermistor bolometers |
| US2986717A (en) * | 1960-05-11 | 1961-05-30 | Barnes Eng Co | Thermistor bolometers |
| FR1600335A (ko) * | 1968-12-31 | 1970-07-20 | ||
| US6219573B1 (en) * | 1989-04-14 | 2001-04-17 | Exergen Corporation | Radiation detector probe |
| US5445158A (en) * | 1988-12-06 | 1995-08-29 | Exergen Corporation | Radiation detector probe |
| US5325863A (en) * | 1988-12-06 | 1994-07-05 | Exergen Corporation | Radiation detector with high thermal stability |
| US5653238A (en) * | 1988-12-06 | 1997-08-05 | Exergen Corporation | Radiation detector probe |
| US6310346B1 (en) * | 1997-05-30 | 2001-10-30 | University Of Central Florida | Wavelength-tunable coupled antenna uncooled infrared (IR) sensor |
| US6037590A (en) * | 1997-05-30 | 2000-03-14 | University Of Central Florida | Polarization-tunable antenna-coupled infrared detector |
| JP3868143B2 (ja) * | 1999-04-06 | 2007-01-17 | 松下電器産業株式会社 | 圧電体薄膜素子及びこれを用いたインクジェット式記録ヘッド並びにこれらの製造方法 |
| US6880234B2 (en) * | 2001-03-16 | 2005-04-19 | Vishay Intertechnology, Inc. | Method for thin film NTC thermistor |
| KR100517428B1 (ko) * | 2003-12-17 | 2005-09-28 | 한국과학기술원 | 적외선 볼로메타 |
| US20050186117A1 (en) * | 2004-02-19 | 2005-08-25 | Hiroyuki Uchiyama | Gas detecting method and gas sensors |
| KR100663076B1 (ko) * | 2005-08-31 | 2007-01-02 | 한국과학기술원 | 반도체 기판 상의 소정 영역에 탄소나노튜브를 형성시키는 방법, 이를 이용한 반도체 도선 형성방법 및 이를 이용하여 인덕터 소자 제조 방법 |
| JP2008218981A (ja) * | 2007-02-06 | 2008-09-18 | Rohm Co Ltd | ＺｎＯ系薄膜 |
-
2008
- 2008-12-29 KR KR1020080135149A patent/KR101078208B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-10-29 US US12/608,657 patent/US8173280B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20100167037A1 (en) | 2010-07-01 |
| US8173280B2 (en) | 2012-05-08 |
| KR20100077251A (ko) | 2010-07-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100983818B1 (ko) | 볼로미터용 저항재료, 이를 이용한 적외선 검출기용 볼로미터, 및 이의 제조방법 | |
| US9153366B2 (en) | Resistor and resistance element | |
| KR101498522B1 (ko) | 마이크로 볼로미터용 고특성 산화물 박막 제조방법 | |
| WO2011027774A1 (ja) | ボロメータ用抵抗体膜 | |
| CN111684245B (zh) | 用于制造具有基于氧化钒的敏感材料的微测辐射热计的方法 | |
| KR100596196B1 (ko) | 볼로메타용 산화물 박막 및 이를 이용한 적외선 감지소자 | |
| KR101420264B1 (ko) | 볼로미터용 저항 박막 제조방법, 볼로미터 제조방법, 및 이들에 의해서 제조된 볼로미터와 적외선 검출 소자 | |
| Karunagaran et al. | Study of a pulsed laser deposited vanadium oxide based microbolometer array | |
| KR101078208B1 (ko) | 볼로미터용 니켈 산화막 및 그의 제조방법, 니켈 산화막을 이용한 적외선 감지소자 | |
| KR101121399B1 (ko) | 서미스터 박막 및 그 형성 방법 | |
| KR20080005049A (ko) | 급격한 금속-절연체 전이를 갖는 ｖ2ｏ3 박막의 제조방법 | |
| JP2008084991A (ja) | サーミスタ薄膜及び薄膜サーミスタ素子 | |
| JP2006278478A (ja) | 赤外線センサ用薄膜、その製造方法、およびそれを用いた赤外線センサ | |
| KR102369495B1 (ko) | 볼로미터 장치 및 이의 제조방법 | |
| JP2002118004A (ja) | 感温抵抗変化膜およびその製造方法並びに感温抵抗変化膜を用いた赤外線センサ | |
| JPH11271145A (ja) | ボロメータ用検知膜とその製造方法、及びボロメータ素子 | |
| Kang et al. | Systematic investigation on deposition temperature effect of Ni 1–x O thin films for uncooled infrared image sensor applications | |
| KR102284749B1 (ko) | 볼로미터 장치 및 이의 제조방법 | |
| CN111613400B (zh) | 一种常温ntc热敏电阻薄膜及其制备方法 | |
| US7196398B2 (en) | Resistor integration structure and technique for noise elimination | |
| CN110230029B (zh) | 一种尖晶石结构锰镍氧化物薄膜的制备方法 | |
| CN114485949B (zh) | 微测辐射热计和其制造方法 | |
| KR102170210B1 (ko) | 백금 검지체 센서의 고온 환경 안정화 공정 방법 | |
| KR20220075310A (ko) | 산화바나듐 기반 감응성 물질을 포함하는 마이크로볼로미터를 생성하는 방법 | |
| KR101833481B1 (ko) | 저항 박막, 저항 박막 제조방법 및 볼로미터 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140930 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151002 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161017 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |