WO2000056550A1 - Procede de fabrication d'une tete thermique - Google Patents

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WO2000056550A1
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thermal head
heating resistor
wiring electrode
inorganic paste
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Yuji Nakamura
Norimitsu Sambongi
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Seiko Instruments Inc.
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Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a thermal head used for thermal recording such as a facsimile or a printer.
  • a glaze layer 2 is provided as a heat storage layer on an insulating substrate 1 such as a ceramic substrate, and a Ta-based / silicide-based, Ni-Cr-based And other electrode materials such as A1, Cr-Cu, Au, etc. are formed into a film by a sputtering / evaporation method and the like, and the heating resistor 3, the common electrode, and the like are formed by patterning in a photolithography process.
  • the wiring electrodes 4 of the individual electrodes are formed, and thereafter, for preventing oxidation of the heating resistor 3 and abrasion resistance, Sio2, Ta205, SiA1ON, Si3N4, SiC, etc.
  • the protective film 6 is formed by sputtering, ion plating, and CVD to produce a thermal head.
  • a protective film 6 is selectively formed on the heating resistor portion to prevent oxidation and abrasion resistance, and a driver IC for sending an image signal to the heating resistor via an electrode.
  • the protection film unnecessary portion 4a such as a wire bonding portion with the like must be formed so that the protection film 6 does not adhere.
  • the first method is to perform physical masking.
  • One of the methods is to overlay a metal mask 7 on the substrate as shown in Fig. 2 (a). It is.
  • the positional accuracy of the protective film 6 cannot be expected to be improved.
  • the film is peeled off from the metal mask 7 and the yield is reduced.
  • a gap must be provided between the metal mask and the substrate so that the wiring electrode 4 is not scratched.
  • the protective film 6 wraps around the gap between the metal mask 7 and the substrate, and a protective film wraparound portion 6a is generated, and the protective film 6 adheres to the unnecessary portion 4a of the protective film.
  • the design was made to allow the protective film wraparound portion 6a at the design stage, and this was a factor that hindered the reduction in the size of the board and the increase in the number of boards to be taken.
  • Another method is to stack the substrates in a tile pattern.
  • the wiring electrodes 4 are scratched due to the contact because the substrates are overlapped in a tile shape.
  • a gap must be provided between the substrates, and there is a disadvantage that the protective film 6 adheres to the unnecessary portion 4a of the protective film.
  • the substrate must be divided from a wafer shape to a long shape in order to overlap the substrates. It takes time to divide the board and stack the boards, which increases production man-hours and is a factor of cost increase.
  • the process in the process after the protective film 6, the process must flow in a divided state, so that there is a disadvantage that the production tooling is deteriorated.
  • a second method is to selectively form the protective film 6 by chemically etching the protective film 6.
  • the protective film 6 used for the thermal head uses an inorganic ceramic film that is chemically and physically stable. For this reason, hydrogen fluoride chemicals are used for etching, but the etching rate is extremely slow, leading to a decrease in productivity. This is true not only for chemical etching but also for dry etching using a vapor phase method. In addition, when etching with chemicals, metal is Since it is used, the etching selectivity with the protective film 6 cannot be secured and the wiring electrode 4 is etched, which is not practical in the field of thermal head.
  • the conventional selective method of the protective film by lift-off has been performed using a photo-resist as a masking agent.
  • the protective film is formed at high temperature and high vacuum. This results in the photoresist being exposed to high temperatures and high vacuum. Since the photoresist is a resin, it does not withstand the conditions for forming the protective film, and generates gas in the vacuum chamber. These gases not only contaminate the inside of the vacuum vessel, but also lower the adhesion and quality of the protective film, leading to a decrease in the reliability of the thermal head.
  • polyimide-based masking agents that have better heat resistance than these photoresists are also used.
  • Polyimide has heat resistance, but once cured, its peelability is extremely reduced. At that time, the masking agent slightly remains on the wiring electrode. If the masking agent remains, the strength of the wire bonding for connecting to the driver IC for sending image signals to the heating resistor via the electrodes cannot be secured, and the bonding reliability may be released, such as disconnection of the bonding. And reduce productivity Factors. Therefore, in order to forcibly perform peeling, a polar solvent such as NMP which dissolves polyimide must be used. The use of polar solvents has an adverse effect on workers and the working environment. Furthermore, in recent years, awareness of protecting the global environment has been increasing, and there has been a problem that it is not possible to use extremely strong chemicals.
  • an object of the present invention is to solve such a conventional problem by using an inorganic paste as a masking agent to cope with miniaturization of a substrate and multi-cavity production, and to achieve a protective film position accuracy
  • An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a thermal head that can selectively form a protective film having high adhesion and high reliability of the protective film. Disclosure of the invention
  • the present invention provides a method of manufacturing a thermal head having at least a heating resistor, a wiring electrode for supplying power to the heating resistor, and a protective film covering the heating element and wiring electrodes therearound on an insulating substrate.
  • a thermal head having at least a heating resistor, a wiring electrode for supplying power to the heating resistor, and a protective film covering the heating element and wiring electrodes therearound on an insulating substrate.
  • At least a heating resistor and a wiring electrode for supplying power to the heating resistor are formed on the insulating substrate, and a dry cell IC for transmitting an image signal to the heating resistor via the electrode and a thermal IC.
  • the protective film unnecessary portion of the wiring electrode for connecting the head by wire bonding is masked using an inorganic paste, and a protective film is formed on the entire surface.After that, the protective film of the unnecessary portion of the protective film is formed together with the inorganic paste. After peeling off, a protective film is selectively formed on the heat-generating body and the heat-generating part of the wiring electrodes around it.
  • the unnecessary portion of the protective film is masked using an inorganic paste, and since the protective film is formed, the masking agent does not contain any resin component, so the heat resistance is low. Extremely high, no gas is generated even in a vacuum vessel at high temperature and high vacuum. Therefore, vacuum volume o High film adhesion and film reliability can be obtained without contamination of the chamber. Furthermore, since it has extremely high heat resistance and does not contain a resin component, there is no phenomenon such as carbonization or seizure, so that the releasability is easy. Therefore, the masking agent does not remain on the wiring electrodes, so that the strength of wire bonding is improved. Furthermore, since a masking agent can be used at any position, a protective film can be selectively formed, thereby reducing the substrate size, increasing the number of substrates to be taken, and improving productivity. . BRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES
  • FIG. 1 is an explanatory diagram showing a method for manufacturing a thermal head according to the present invention.
  • FIG. 2 is an explanatory view showing a conventional method for manufacturing a thermal head.
  • FIG. 1 is a view showing a process of a method for manufacturing a thermal head according to the present invention. The steps of the manufacturing method of the present invention will be described in order.
  • a glaze 2 is formed on an insulating substrate 1 made of, for example, alumina ceramics for heat storage.
  • a heating resistor material a Ta-N, Ta-Si02 film or the like containing Ta as a main component is formed to a thickness of about 0.1 ⁇ m by sputtering, and then the heating resistor is formed by photolithography.
  • Form 3 is a view showing a process of a method for manufacturing a thermal head according to the present invention. The steps of the manufacturing method of the present invention will be described in order.
  • a glaze 2 is formed on an insulating substrate 1 made of, for example, alumina ceramics for heat storage.
  • a heating resistor material a Ta-N, Ta-Si02 film or the like containing Ta as a main component is formed to a thickness of about 0.1 ⁇
  • the wiring electrode 4 is formed by photolithography. Further, the wiring electrode 4 is provided with a protective film unnecessary portion 4a for connection by wire bonding or the like to a driver IC for sending an image signal to the heating resistor via the electrode later.
  • the inorganic paste 5 is composed of a ceramic powder mainly composed of pure water and alumina silica, and bentonite as a binder component. These are mixed to form a paste and used as an inorganic paste 5.
  • the ceramic powder used here has a particle size of about 1 to 5 m. If the particle size of the ceramic powder is larger than 5 m, it may not be practical because it may cause problems such as poor printability.
  • bentonite which is a binder component
  • bentonite is a hydrous layered silicate mainly composed of montmorillonite, which is a clay mineral, and has the property of swelling and sticking with water. Therefore, it is ideal for printing inorganic substances in paste form, and because it does not contain organic substances, it has excellent heat resistance and does not generate gas even at high temperatures or high vacuum.
  • the best method for applying is a screen printing method.
  • Screen printing has high productivity and high printing accuracy, and since various patterns can be formed by changing the shape of the screen mask, the inorganic material list 5 is selectively used as the protective film unnecessary portion 4 a of the wiring electrode 4. It is effective to apply to the surface, and about 10 to 30 inorganic pastes 5 are printed by screen printing. Since the film thickness to be printed depends on the film thickness of the protective film 6 to be formed later, at least twice the film thickness of the protective film 6 is necessary. If the thickness is equal to or smaller than the thickness of the protective film, the peelability in a later step will be reduced.
  • coating methods there are a coating method using a dispenser, an offset printing method using a mouthpiece, and a flexographic printing method, which can be selected according to a shape to be coated.
  • the water in the inorganic paste 5 evaporates.
  • the inorganic paste 5 is hardened by the evaporation of the water, and the unnecessary portion 4 a of the wiring electrode 4 is masked.
  • Si 3N4 and Si 02 should be covered so as to cover all of the heating resistor 3, wiring electrode 4, and inorganic paste 5.
  • a protective film 6 is formed on the entire surface of the substrate by sputtering or the like to a thickness of about 3 to 6 ⁇ m by sputtering or the like.
  • the substrate on which the protective film 6 is formed over the entire surface is immersed in water such as pure water, so that the inorganic paste 5 swells and the portion formed on the unnecessary portion 4a of the protective film is formed.
  • the protective film 6 is peeled off together with the inorganic paste 5.
  • ultrasonic cleaning is effective as a means for increasing the peelability and improving the productivity, or as a means for removing the residue of the inorganic paste 5 on the wiring electrode 4 and increasing the strength of the wire bonding to obtain reliability.
  • a low frequency band such as 2 8 ⁇ 4 5 k H Z is valid.
  • a cleaning method using a high frequency band of 100 kHz or more is more effective.
  • a running water washing method using high pressure water such as a water jet is also effective.
  • the size of the substrate is reduced by selectively forming the protective film of the thermal head using the inorganic base, thereby increasing the number of substrates to be obtained and improving the productivity. Is improved. Also, since selective formation is possible, it is possible to form complicated protective films such as through-holes and multilayer wiring electrode structures that were not possible in the past, improving the flexibility of thermal head design. I do.
  • the inorganic paste does not generate gas even in a vacuum vessel, high reliability of the protective film can be obtained and the life of the thermal head can be extended. Sa Furthermore, since the inside of the vacuum vessel is not contaminated, the maintenance cycle of the equipment can be improved.
  • the protective film can be selectively formed easily without using any chemicals, it has no effect on workers and working environment, and has no effect on the natural environment of the earth. .

Landscapes

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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

明 細 書 サーマルへッ ドの製造方法 技術分野
本発明は、 ファクシミ リやプリンタ一等の感熱記録に用いられるサー マルへッドの製造方法に関する。 背景技術
従来、 図 2 ( a ) , ( b ) に示すように、 セラミック基板等の絶縁性基 板 1上に蓄熱層としてグレーズ層 2を設け、 T a系ゃシリサイ ド系、 N i 一 C r系等の発熱抵抗体材料及び A 1、 C r—C u、 A u等の電極材 料をスパッタリングゃ蒸着法などによって成膜し、 フォ トリソ工程によ るパターニングにより発熱抵抗体 3、 共通電極及び個別電極の配線電極 4を形成し、 その後、 前記発熱抵抗体 3の酸化防止、 耐摩耗のために S i O 2、 T a 205、 S i A 1 O N、 S i 3N4、 S i C等の保護膜 6をスパ ッタリング、 イオンプレーティング、 C V D法により成膜しサ一マルへ ッ ドを製造している。
上記保護膜を形成する際に、 発熱抵抗体部には酸化防止及び耐摩耗 のために保護膜 6を選択的に形成し、 電極を介して発熱抵抗体に画像信 号を送るためのドライバー I Cなどとのワイヤボンディング部などの保 護膜不要部 4 aには保護膜 6が付かないように形成しなければならない。 保護膜 6を選択的に形成する方法としては従来より幾つかの方法がしら れている。
第一の方法として、 物理的なマスキングを行う方法である。 その一つ として図 2 ( a ) に示すように基板にメタルマスク 7を重ね合せた方法 である。 この方法は、 メタルマスク 7と基板を重ね合せるため保護膜 6 の位置精度の向上が見込めないばかりカ メタルマスク 7からの膜剥れ なども誘発し歩留の低下にもつながる。 また、 配線電極 4にキズが発生 しないようにメタルマスクと基板に間隙を設けなければならない。 その 際に、 保護膜 6がメタルマスク 7と基板の間隙に回り込み、 保護膜回り 込み部 6 aが発生し、 保護膜不要部 4 aまで保護膜 6が付着してしまう 欠点がある。 その点を補うために、 設計段階で保護膜回り込み部 6 aを 許容した設計となり基板サイズの小型化 ·基板取個数の拡大などを阻 害する要因になっていた。
もう一つの方法として、 基板同士を瓦状に重ね合せた方法である。 図 2 ( b ) に示すように、 基板同士を瓦状に重ね合せるために、 接触によ り配線電極 4のキズ発生してしまう。 配線電極 4のキズを防止しようと すると基板同士の間に間隙を設けなければならず、 保護膜不要部 4 aま で保護膜 6が付着してしまう欠点がある。 また、 基板を重ね合わせるた めにウェハー状から長尺状に基板を分割しなければならない。 基板を分 割し、 基板を重ね合せる手間が掛かってしまい生産工数が増加してしま いコス トアップの要因になる。 また、 保護膜 6以降の工程においても分 割された状態で工程を流動しなければならないので、 生産ツーリング性 が悪化してしまう欠点がある。
第 2の方法として、 保護膜 6を化学的にエツチンして保護膜 6を選択 的に形成する方法である。サーマルへッ ドに用いられている保護膜 6は、 化学的 ·物理的に安定である無機系のセラミックス膜を使用している。 そのため、 エッチングにはフッ化水素系の薬品を用いるが、 エッチング レートが極端に遅く生産性を低下させる要因につながる。 これは、 薬品 によるエッチングばかりでなく気相法を用いた D r yエッチングについ ても同様である。 また、 薬品によるエッチングでは配線電極 4に金属を 使用しているため、 保護膜 6とのエッチング選択比が確保出来ず配線電 極 4までもをエッチングしてしまうという欠点があり、 サーマルへッ ド の分野においては実用的ではない。
これら、 問題を解決する方法として基板サイズの小型化 ·生産性向上 に対応するための方法として、 マスキング剤を用いたいわゆるリフトォ フによる保護膜 6の選択的な方法が知られている。
しかし、 従来のリフ トオフによる保護膜の選択的な方法は、 マスキン グ剤にフォ トレジス トを用いて行われていた。 フォトレジス トを用いた 方法では、 保護膜を成膜する際には、 高温 ·高真空中にて行われる。 つ まり、 フォ トレジス トが高温 ·高真空中にさらされる結果となる。 フォ トレジス トは、 つまり樹脂なために保護膜を成膜する際の条件に耐えら れず真空容器内でガスを発生する。 これらガスにより真空容器内を汚染 するばかりか保護膜の密着性や膜質の低下につながりサーマルへッ ドの 信頼性を低下させる要因につながる。 また、 マスキング剤を剥離する場 合には、 樹脂の炭化いわゆる焼付きの現象になり剥離が不可能になって しまい保護膜不要部の配線電極上にマスキング剤が残ってしまい、 電極 を介して発熱抵抗体に画像信号を送るためのドライバー I Cなどを結線 するワイヤボンディングなどが不可能になってしまい本来の機能を満足 しない。
また、 これらフォ トレジス トより も耐熱性にすぐれたポリイミ ド系の マスキング剤なども使用されている。 ポリイミ ドは、 耐熱性はあるもの の一度硬化してしまうと剥離性が極端に低下してしまう。 その際に、 配 線電極上にも若干ながらマスキング剤が残ってしまう。 マスキング剤が 残ってしまうと電極を介して発熱抵抗体に画像信号を送るためのドライ バ一 I Cなどと結線するワイヤボンディングの強度が確保出来ずに、 ヮ ィャボンディングが外れてしまうなど、 実装信頼性や生産性を低下させ る要因につながつていた。 そこで、 強制的に剥離を行おうとすると、 ポ リイミ ドを溶解せしめる N M Pなどの極性溶剤などを用いらなければな らない。 極性溶剤を使用するとなると作業者ならびに作業環境にも悪影 響を及ぼす。 さらには近年、 地球環境保護に対する意識も高まっており、 一概に強い薬品を使用出来ないという課題があった。
そこで、 この発明の目的は、従来のこのような課題を解決するために、 マスキング剤に無機物のペース トを使用することにより基板の小型化及 び多数個取りに対応し、 保護膜位置精度、 保護膜の密着性及び信頼性の 高い保護膜を選択的に形成できるサーマルへッ ドの製造方法を得ること である。 発明の開示
この発明は、 絶縁基板上に、 少なく とも発熱抵抗体、 発熱抵抗体に電 力を供給するための配線電極及び発熱体とその周辺の配線電極を覆う保 護膜を有するサーマルへッ ドの製造方法において、
絶縁基板上に、 少なく とも発熱抵抗体、 発熱抵抗体に電力を供給する ための配線電極を形成し、 電極を介して前記発熱抵抗体に画像信号を送 るためのドライノく I Cとサ一マルへッ ドをワイヤボンディングにて結線 する配線電極の保護膜不要部を無機物ペース トを用いてマスキングし、 保護膜を全面に形成した後、 無機物ペース トと伴に保護膜不要部の保護 膜を剥離し、 発熱体とその周辺の配線電極の発熱部に保護膜を選択的に 形成している。
上記のように構成されたサーマルへッ ドにおいては、 保護膜不要部を 無機物ペース トを用いてマスキングし、 保護膜を成膜するためマスキン グ剤中に樹脂分をいっさい含有しないため耐熱性が極めて高く、 高温 · 高真空中の真空容器内においてもガスの発生がない。 そのため、 真空容 o 器内を汚染することもなく高い膜の密着性及び膜の信頼性が得られるよ うになる。 さらには、 耐熱性が極めて高く樹脂成分を含有していないた めに、 炭化や焼付きといった現象が無いために剥離性が容易である。 そ のため、 配線電極上にマスキング剤が残ることがないのでワイヤボンデ イングの強度が向上する。 さらには、 任意の位置にマスキング剤を用い ることが出来るので保護膜を選択的に形成することが出来ることにより 基板サイズの縮小化が図られ、基板の取個数が拡大し生産性が向上する。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明のサ一マルヘッ ドの製造方法を示した説明図である。 図 2は、 従来のサ一マルへッドの製造方法を示した説明図である。 発明を実施するための最良の形態
以下に、 この発明の実施例を図に基づいて説明する。
図 1は本発明のサーマルへッ ドの製造方法の過程を示した図である。 本願の製造方法の過程を順に説明すれば、 図 1 ( a ) に示すように、 例えばアルミナセラミックス等からなる絶縁性基板 1上に蓄熱のために グレーズ 2を形成する。 次に発熱抵抗体材料として T aを主成分とする T a 一 N、 T a — S i 0 2 膜等をスパッタリングにより約 0 . 1 μ m程 度形成した後、 フォ トリ ソグラフィにより発熱抵抗体 3を形成する。 次 いで発熱抵抗体 3に電力を供給するための電極材料として A 1 を主成分 とする A l 、 A 1 — S i 、 A l — S i — C u膜等をスパッタリング等に より約 1〜 2 μ m程度形成した後、 フォ トリ ソグラフィにより配線電極 4を形成する。 また、 配線電極 4には、 後に電極を介して発熱抵抗体に 画像信号を送るためのドライバー I Cなどとワイヤボンディングなどに より結線するための保護膜不要部 4 aを設けてある。 次に、 図 1 ( b ) において無機物ペース ト 5は、 純水とアルミナゃシ リカなどを主成分とするセラミック粉末及びバインダ成分としてのベン トナイ トから構成される。 これらを混合することによりペースト化して 無機物ペース ト 5として用いている。 ここで用いるセラミック粉末は粒 径にして 1〜 5 m程度のものを用いる。 セラミック粉末の粒径が 5 mより大きい場合、 印刷性の低下などといった不具合を生じることがあ るので実用的ではない。 また、 バインダ成分であるベントナイ トは、 粘 土鉱物であるモンモリ口ナイ トを主成分とする含水層状ケィ酸塩であり 水により膨潤し增粘する特性を持っている。 そのため、 無機物を印刷用 のペース ト状するには最適であり、 しかも有機物を含んでいないため耐 熱性に優れており、 高温や高真空中においてもガスの発生がない。
次に、 混合された無機物ペースト 5を配線電極 4の保護膜不要部 4 a に塗布する。 塗布する方法は、 スク リーン印刷方法が最適である。 スク リーン印刷は生産性や印刷精度が高く、 さらにはスクリーンマスク形状 を変更することによりさまざまなパターンを形成できるため、 無機物ぺ 一ス ト 5を配線電極 4の保護膜不要部 4 aに選択的に塗布するには有効 であり、 スクリーン印刷により無機物ペース ト 5を約 1 0〜3 0 印 刷する。 印刷する膜厚は、 後に形成する保護膜 6の膜厚により依存する ため少なく とも保護膜 6の膜厚の 2倍以上は必要である。 膜厚が保護膜 の膜厚と同等か低い場合には後の工程である剥離性が低下してしまう。 その他の塗布方法として、 ディスペンサーなどによる塗布方法、 口一 ラーを用いたオフセッ ト印刷方法ゃフレキソ印刷方法などがあり塗布す る形状に合わせて選択することが可能である。
その後、 1 5 0 °C以上で乾燥させることにより、 無機物ペース ト 5中 の水分が蒸発する。 水分の蒸発により無機物ペース ト 5が硬化し配線電 極 4の保護膜不要部 4 aがマスキングされる。 次に、 図 1 ( c ) に示すように、 酸化防止と耐摩耗のために、 発熱抵 抗体 3、 配線電極 4及び無機物ペース ト 5の全てを覆うように S i 3N4 と S i 02 などの混合膜を基板全面にスパッタリング等により約 3〜6 μ m程度被服し全面に保護膜 6を形成する。
その後、 図 1 ( d ) に示すように保護膜 6が全面に形成された基板を 純水などの水中に付けることにより、 無機物ペース ト 5が膨潤し保護膜 不要部 4 aに形成された部分が無機物ペース ト 5と共に保護膜 6が剥離 する。 この時、 剥離性を高め生産性を高める手段あるいは配線電極 4上 の無機物ペース ト 5の残渣を取り除きワイヤボンディングの強度を高め 信頼性を得る手段として超音波洗浄が有効である。 特に、 2 8〜4 5 k H Z といったような低周波数帯が有効である。 さらに仕上げ洗浄方法と して 1 0 0 k H z以上の高周波数帯による洗浄方法がより効果的である。 その他にも、 ゥォ一タージエツ トなどの高圧水などによる流水洗浄方法 も有効である。
その結果、 保護膜不要部 4 aの保護膜 6は取り除かれ発熱抵抗体 3と その周辺の配線電極 4の発熱部に保護膜 6が選択的に形成される。 産業上の利用可能性
この発明は、 以上説明したようにサーマルへッ ドの保護膜を無機物べ ース トを用いて選択的に形成したことにより基板サイズの縮小化が図ら れ、 基板の取個数が拡大し生産性が向上する。 また選択的な形成が出来 るため従来には不可能であったスルーホールや多層配線電極構造といつ たような複雑な保護膜の形成も可能になり、 サーマルへッ ド設計の自由 度が向上する。
また、無機物ペーストは真空容器内においてもガスの発生がないため、 保護膜の高い信頼性が得られサ一マルへッ ドの長寿命化が図られる。 さ らには、 真空容器内を汚染することもないので、 装置のメンテナンスサ ィクルの向上が図られる。
また、 薬品などを一切使用せずに容易に保護膜の選択的な形成が可能 なため作業者ならびに作業環境にも影響を及ぼさず、 地球の自然環境に も一切影響を及ぼさないという効果がある。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 絶縁基板上に、 少なく とも発熱抵抗体、 発熱抵抗体に電力を供給す るための配線電極及び発熱体とその周辺の配線電極を覆う保護膜を有す るサーマルへッ ドの製造方法において、
絶縁基板上に、 少なく とも発熱抵抗体、 発熱抵抗体に電力を供給する ための配線電極を形成し、 電極を介して前記発熱抵抗体に画像信号を送 るためのドライバ I cとサ一マルへッ ドをワイヤボンディングにて結線 する配線電極の保護膜不要部を無機物ペース トを用いてマスキングし、 保護膜を全面に形成した後、 無機物ペース トと伴に保護膜不要部の保護 膜を剥離し、 発熱体とその周辺の配線電極の発熱部に保護膜を選択的に 形成することを特徴とするサーマルへッドの製造方法。
2 . 保護膜不要部をマスキングする無機物ペース トの主成分が、 アルミ ナまたはシリカなどのセラミック粉末からなる請求の範囲第 1項記載の サーマルへッ ドの製造方法。
3 . 保護膜不要部をマスキングする無機物ペース トのバインダ成分が、 粘土鉱物であるモンモリロナイ トを主成分とした含水層状ケィ酸塩など のベントナイ 卜からなる請求の範囲第 1項記載のサーマルへッ ドの製造 方法。
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