WO1998023568A1 - Cyclopentylene compounds and intermediates therefor, epoxy resin composition, molding material, and resin-sealed electronic device - Google Patents

Cyclopentylene compounds and intermediates therefor, epoxy resin composition, molding material, and resin-sealed electronic device Download PDF

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WO1998023568A1
WO1998023568A1 PCT/JP1997/004373 JP9704373W WO9823568A1 WO 1998023568 A1 WO1998023568 A1 WO 1998023568A1 JP 9704373 W JP9704373 W JP 9704373W WO 9823568 A1 WO9823568 A1 WO 9823568A1
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epoxy resin
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PCT/JP1997/004373
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Haruaki Sue
Shinsuke Hagiwara
Fumio Furusawa
Seiichi Akagi
Akihiro Kobayashi
Hideki Yokoyama
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Hitachi Chemical Company, Ltd.
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Definitions

  • the present invention relates to a material for encapsulating, laminating, or bonding an electronic device, which is used as a material for sealing an electronic device, an epoxy resin composition, a molding material, and a resin-sealed electronic device.
  • the present invention relates to a suitable cyclopentylene compound, an epoxy resin composition containing the compound, a molding material for sealing an electronic device, and a resin-sealed electronic device sealed with the composition.
  • molding materials including epoxy resin are widely used for sealing electronic devices such as transistors and Ic (integrated circuits). This is because epoxy resin balances various properties such as electrical properties, moisture resistance, heat resistance, mechanical properties, and adhesion to inserts.
  • the combination of a 0-cresol no-volat type epoxy resin and a phenol no-volak curing agent is excellent in this balance, and is therefore used as a base resin for molding materials for IC encapsulation. It is widely used.
  • the mounting method of this surface mount type package is different from that of the conventional pin insertion type.
  • the elements were not directly exposed to high temperatures because the pins were inserted into the wiring board and then soldered from the back side of the wiring board.
  • the element is temporarily fixed to the surface of the wiring board and soldered with a solder bath or reflow device, etc., so that the element is directly exposed to the soldering temperature. Is done.
  • the package absorbs moisture, the moisture will expand rapidly during soldering, causing the package to crack. At present, this phenomenon has become a major problem in the production of surface mount ICs.
  • the present invention provides a molding material that can be soldered when mounted on a wiring board without having to take measures against moisture absorption, such as special pretreatment and packaging.
  • a second object is to provide a resin-sealed electronic device in which an element is sealed with a molding material.
  • the present inventors have developed a cyclopentagen obtained by reacting cyclopentagen with naphthols, phenols and / or fluorenes in the presence of a specific acid under specific reaction conditions.
  • the present inventors have found that a lopentenylphenol-based compound is effective in solving the above-mentioned problems, and have completed the present invention based on this finding.
  • a first cyclopentylene compound represented by the following general formula (I) is provided.
  • compound I a second cyclopentylene compound represented by the following general formula (II) (hereinafter referred to as compound Object 1 1) is provided.
  • m represents a positive number.
  • a r is
  • X is a hydroxyl group or a 2,3-epoxypropoxy group (ie, a glycidyloxy group)
  • Y represents a hydrogen atom, a hydroxyl group or a 2,3-epoxy epoxy group.
  • R ′ to R 4 are groups independently selected from a hydrogen atom, an alkyl group and an aryl group having 1 to 10 carbon atoms, and a nitrogen atom. Preferably, one of them is a hydrogen atom.
  • Z represents a hydrogen atom, a phenyl group, a hydroxyphenyl group or a 2,3-epoxypropoxyphenyl group. Z is preferably a 4-hydroxyphenyl group or a 4- (2,3-epoxypropoxy) phenyl group for ease of production.
  • the bonding position of the cyclobenzene group in the naphthalene ring and the benzene ring is not particularly limited.
  • the hydroxyl group is bonded to the 2-position of the benzene ring.
  • Cyclopentylene group at position 3 or 5; at position 3 at position 2; at position 4 at position 3 are preferred because they are relatively easy to synthesize.
  • the number m of repeating units is preferably 20 or less on average, and particularly preferably 10 or less on average, in order to achieve the above-mentioned required characteristics of Compound I in a well-balanced manner. May also contain one all A r 2 in the molecule may be the same atomic yoga, the first to third atomic sac Chino more in one molecule.
  • a compound containing two or more atomic groups i.e., a ligomer
  • its polymerization form is any of a random copolymer, an alternating copolymer, a block copolymer, and a graft copolymer. You may.
  • the ratio of the number of the first atomic groups to the number of the second atomic groups in one molecule is from 20: 1 to 1:20. This is preferred, and it is particularly preferred that the ratio be 10: 1 to 1:10.
  • this copolymerization ratio It is particularly preferred that (the number of the first atomic group: the number of the second atomic group) is 2: 1 to 1: 9, and the cyclopentene of the present invention in which X is 2,3-epoxypropoxy group.
  • a ren compound is used as the epoxy resin, it is particularly preferable to set the ratio to 4: 1 to 1: 4.
  • a compound of al in a third atomic group especially It is preferable because of its excellent heat resistance.
  • the third atomic group that it is a 1 0-2 0 mol% of A r 2 Total in molecular is not to prefer.
  • a cyclopentenyl compound represented by the following general formula (III) is provided as an intermediate for producing the above cyclopentylene compound.
  • a r 1 is
  • cyclopentenyl is used when synthesizing a cyclopentylene compound.
  • a 2—cyclopentene-1-yl group is preferred, and a 3—cyclopentene-1-yl group may be used.
  • the cyclopentylene compound of the present invention can be used as an epoxy resin curing agent if it contains a phenolic hydroxyl group, or an epoxy resin if it contains a 2,3-epoxypropoxy group. Then, they can be used as components of the epoxy resin composition. Therefore, in the present invention, in order to achieve the above-described second object,
  • First and / or second cyclopentylene compounds in which at least one of X, Y and Z is a phenolic hydroxyl group (hereinafter referred to as compounds Ia and 11a, respectively)
  • An epoxy resin composition comprising: a modified phenolic resin as described above); and an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule.
  • the epoxy resin composition of the present invention has excellent low moisture absorption, fluidity during molding, and heat resistance, it can be used as an anisotropic conductive film material, an insulating material, It can be used in a wide range of fields, such as laminate materials and adhesives.
  • the cyclopentylene compound and epoxy resin composition of the present invention are particularly suitable for use as a sealing material for electronic devices. Therefore, in the present invention, an epoxy resin molding material for electronic device sealing containing the first and / or second cyclopentylene compounds (compounds I and II) and a cured product of the molding material are provided. A resin-sealed electronic device in which an element is sealed by a sealing member including the same. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 shows 2, 6-dimethyl-1- (2-cyclopentane)
  • FIG. 2 is a GPC chromatogram of compound IV.
  • FIG. 3 is the FD—MS spectrum of compound IV.
  • Fig. 4 shows the FD-iMS spectrum of the compound V.
  • FIG. 5 is a 1 H-NMR spectrum of the compound V.
  • Figure 6 is a GPC chromatograph of 2-methyl-4-(2-cyclopentene-1-inole) phenosole.
  • FIG. 7 is a GPC chromatogram of compound VI.
  • FIG. 8 is a GPC chromatogram of compound VII.
  • FIG. 9 is the FD_MS spectrum of compound VII.
  • FIG. 10 is the 1 H-NMR spectrum of compound VII.
  • Fig. 1 1 shows 1 — (2 — 1-pent) 1 — 2
  • Figure 12 shows the 1 H-NMR spectrum of 1- (2-cyclopentene-1-yl) 121-naphthol.
  • FIG. 13 is a GPC chromatogram of the i-Daijutsu VI II.
  • FIG. 14 is a GPC chromatogram of compound IX.
  • FIG. 15 is a GPC chromatogram of the Yidani-drug XI.
  • FIG. 16 is a GPC chromatogram of compound XIII.
  • Figure 17 is the FD-MS spectrum of compound XIV.
  • FIG. 1 $ is the 1 H-NMR spectrum of compound XIV.
  • Figure 19 is a GPC chromatogram of compound XIV.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view illustrating a sealing step of the resin-sealed electronic device. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • cyclopentenyl adducts (hereinafter, referred to as compound 11I) represented by the general formula (III) of the present invention
  • compound 11I those in which X is a hydroxyl group
  • compound 111a those in which X is a hydroxyl group
  • reaction formula synthesis can be performed by reacting naphthols, phenols or fluorenes with cyclopentadiene in the presence of an acid catalyst. it can. These include naphthols, phenols and fluorenes which can be used alone.
  • Two or more kinds may be used in combination.
  • phenols include: phenolic, 0—cresole, p—cresole, m_cresole, butylsolenol, xylenol, nonylenol, or Phenol compounds used in the synthesis of ordinary phenolic resins, such as fluorenes, can be used. These may be used alone or in combination of two or more.
  • Examples include 9, 9-bis (hydroxyphenyl) fluorene, 9- (hydroxyphenyl) fluorene, 9- (hydroxyphenyl) -19-phenylfluorene, and the like. .
  • the hydroxyl group may be substituted at any of the 2-, 3-, and 4-positions of the phenyl group, but is preferably located at the 4-position for ease of production. These may be used alone or in combination of two or more.
  • the acid catalyst include hydrochloric acid, sulfuric acid, p-toluenesulfonic acid, a strong acid such as trifluoroacetic acid or phosphoric acid, boron trifluoride, aluminum chloride or molybdenum chloride.
  • Various types of acids can be used. These acid catalysts may be used alone or in combination of two or more.
  • the amount of the acid catalyst used is from 0.05 mol to 1 mol, preferably from 0.1 mol to 0 mol, per 1 mol of the total of the naphthalene, phenols and fluorenes. .5 mol. If the amount of the catalyst is at least 0.5 mol per mol of the total of naphthosoles, phenols and fluorenes, it is preferable because a reaction rate which is industrially satisfactory can be obtained. . If the amount is less than 1 mol, the catalyst can be easily removed from the product, which is preferable.
  • Nosyclopentagen 31 to 12; more preferably, 2/1 to 1 / 1.5.
  • the molar ratio 3/1 or less, the amount of unreacted naphthols, phenols and / or fluorenes is preferably small.
  • the molar ratio 1/2 or more, it is preferable because there are few products having two or more substitutions.
  • This cyclopentenyl addition reaction can be carried out even in a solvent-free system.
  • Use an organic solvent if the melting point of naphthols, phenols or fluorenes is high. When used, the yield of cyclopentenyl adduct is improved.
  • usable solvents include aromatic solvents such as toluene.
  • the reaction temperature is desirably in the range of 130 ° C to 150 ° C. If the reaction temperature is too low, the reaction time is prolonged. If the reaction temperature is high, the cyclopentadiene dimerization reaction and the polymerization reaction of the cyclopentenyl adduct may occur.
  • Unreacted naphthols and phenols can be removed by a method such as distillation, steam distillation, molecular distillation or extraction.
  • the first and second cyclopentylene compounds of the present invention where X is a hydroxyl group (compounds Ia and IIa), as shown in the following reaction formula, the above-mentioned compound Illia is combined with naphthols, phenols and Z or fluoro. It can be obtained by reacting with a ren in the presence of an acid catalyst.
  • the average value m of the number of repeating units is a positive number equal to or greater than 0 (preferably 0 to 20).
  • the naphthols, phenols, Z or fluorenes, and the acid catalyst may be the same as those used in the synthesis of the cyclopentenyl adduct described above.
  • the same one as used in the synthesis of the pentenyl adenylate may be used, or a different one may be used.
  • Amount of acid catalyst used, reaction The solvent and reaction conditions can be the same as in the case of the synthesis of the cyclopentenyl adduct described above.
  • Any of compound Ia and compound 11a can be obtained by appropriately changing the total equivalent number of naphthols, phenols and fluorenes to the cyclopentenyl adduct. it can.
  • Conversion of the phenolic hydroxyl group to a 2,3-epoxypropoxy group is accomplished by reacting a compound Ia, 11a or 111a with an epihalohydrin compound in the presence of a basic compound. You can do better.
  • ephalohydrin examples include epichrohydrin, epib mouth mohydrin, epyohydrin and the like, and mixtures thereof. Of these, epichlorohydrin is preferably used industrially.
  • This reaction of 2,3-epoxypropoxylation can be performed by a known method. it can.
  • compound Ia a 2- to 15-fold molar amount of an ephalohydrin compound with respect to 1 mole of the phenolic hydroxyl group of compound Ia, and a solvent (eg, dioxane or dimethyl sulfoxide)
  • a basic compound for example, sodium hydroxide or potassium hydroxide
  • b and 111b can be obtained.
  • compound Ia and a quaternary ammonium salt in an amount of 0.001 to 0.1 times mol per mol of the phenolic hydroxyl group of compound Ia (for example, tetrame) Chillammonium chloride or tetraethylammonium chloride) is added, and the mixture is reacted at a temperature of 50 to 150 ° C., and the obtained halohydrene ether is added to water.
  • a solid or a concentrated aqueous solution such as sodium oxide or calcium hydroxide, and further reacting at a temperature of 50 to 150 ° C to close the ring, Can also be produced.
  • Epoxy Resin Composition Z Molding Material for Electronic Device Encapsulation contains the following (1) cyclopentylene compound.
  • components (2) to (5) can be included as appropriate. Next, each component will be specifically described.
  • composition / molding material of the present invention can be prepared by any method as long as various raw materials can be uniformly dispersed and mixed. After mixing the raw materials sufficiently with a mixer, etc., melt-kneading them with a mixing roll, extruder, etc., then cooling and pulverizing.
  • the molding material for encapsulating an electronic device Z of the present invention comprises a modified phenolic resin, a phenolic hydroxyl group-containing compound Ia and / or a compound 11a, and an epoxy resin. At least one of certain glycidyl ether compounds Ib and / or 11b.
  • the compounds Ia and 11a of the present invention can be used as epoxy resin curing agents.
  • the epoxy resin curing agent of the present invention is not particularly limited to an epoxy resin to be used, and can be used as a curing agent for any commonly used epoxy resin.
  • the epoxy group-containing compounds Ib and lib which are the epoxy resins of the present invention, react with acid anhydrides, amines and phenolic hydroxyl groups. Thus, a cured product can be obtained. Therefore, the epoxy resin composition containing the compounds Ib and 11b of the present invention and the molding material for electronic device encapsulation further contain an epoxy resin curing agent which is a compound containing these functional groups. Is desirable. Any commonly used epoxy resin curing agent can be used in the present invention.
  • Examples of the epoxy resin that can be used in the epoxy resin composition of the present invention such as a phenolic novolak type epoxy resin, an orthocresol novolak type epoxy resin, Bisphenol A, Bisphenol A, bisphenol A, bisphenol A, epoxy resin of phenols and aldehydes, such as naphthol cresol nopol type epoxy resin And polyamines such as diglycidyl ethers, such as bisphenol S and alkyl-substituted biphenols, diaminodiphenylmethane and isocyanuric acid, and epichlorohydrin.
  • a phenolic novolak type epoxy resin such as an orthocresol novolak type epoxy resin, Bisphenol A, Bisphenol A, bisphenol A, bisphenol A, epoxy resin of phenols and aldehydes, such as naphthol cresol nopol type epoxy resin
  • polyamines such as diglycidyl ethers, such as bisphenol S and alkyl-substituted biphenols, diaminodip
  • Glycidylamine-type epoxy resin obtained by the reaction with ethylene glycol, linear aliphatic obtained by oxidizing the olefin bond with peracid such as peracetic acid Epoxy resins, 4, 4 having a bi-phenylalanine skeleton '- diglycidyl Shijiru 3, 3', 5, 5 '- Te DOO lame Chinorebifu Enirume data down, a Rabbi, has etc. alicyclic Epokishi resin.
  • epoxy resins can be used in combination. When the compounds Ib and 11b of the present invention are contained, these epoxy resins may not be used in combination.
  • Examples of the epoxy resin curing agent that can be used for the epoxy resin composition of the present invention, or the molding material for encapsulating an electronic device include a compound having a phenolic hydroxyl group.
  • Examples of such a compound include phenolic novolak resin, naphthylnovolak resin, ortho-resornovolak resin, and alicyclic phenolic resin.
  • poly (p-vinylphenol) resins, and phenol-aralkyl resins having xylylene groups examples of the epoxy resin curing agent that can be used for the epoxy resin composition of the present invention, or the molding material for encapsulating an electronic device.
  • phenolic novolak resin naphthanol volcanic Resin, ortho-resin resin, phenol resin, cresol, xylen sole, resorcinol, power dial, bisphenol A or bisphenol A Phenols such as F, or 1-naphthol, 2-naphthol, naphthol such as dihydroxy-naphtalene, and formaldehyde, asbestos It can be obtained by condensation or co-condensation of aldehydes such as aldehyde, propionaldehyde, benzaldehyde, and salicylaldehyde in the presence of an acidic catalyst.
  • a phenolic aralkyl resin having a xylylene group can be synthesized from phenols and dimethoxy_p-xylene.
  • epoxy resin curing agents can be used in combination. When the compounds Ia and 11a of the present invention are contained, these epoxy resin curing agents may not be used in combination.
  • these curing agents are preferably used in amounts not exceeding the compounding amounts thereof so that the properties of the compound Ia and the compound Ila are sufficiently exhibited.
  • the amount of the epoxy resin curing agent (including the modified phenolic resin of the present invention) is not particularly limited. Usually, in order to minimize the unreacted residues of the resin and the curing agent, respectively. Preferably, the amount is 0.5 to 2.0 equivalents to the number of epoxy groups in the epoxy resin. In particular, when used as an epoxy resin molding material for electronic device sealing or a material for lamination, It is preferable to use 0.7 to 1.3 equivalents, and when it is used for other purposes (for example, adhesives, insulating varnish, etc.), it is desirable to adjust appropriately according to the application. New
  • the molding material for electronic device encapsulation of the epoxy resin composition of the present invention may optionally contain a curing accelerator in order to accelerate the curing reaction between the epoxy group of the epoxy resin and the phenolic hydroxyl group of the curing agent. It may be contained.
  • the epoxy resin composition / molding material for electronic device encapsulation of the present invention may contain an inorganic filler, if necessary, in order to reduce the hygroscopicity and the coefficient of linear expansion, and to improve the thermal conductivity and strength. No.
  • an inorganic filler when used as a molding material for sealing electronic devices, it is desirable to include an inorganic filler.
  • Examples of the inorganic filler that can be used in the present invention include molten silica, crystalline silica, alumina, zircon, calcium silicate, calcium carbonate, silicon nitride, boron nitride, beryllia, Examples include zirconia and potassium titanate.
  • fused silica is preferred from the viewpoint of reduction of the coefficient of linear expansion
  • alumina is preferred from the viewpoint of high thermal conductivity.
  • inorganic fillers having a flame-retardant effect such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, and zinc borate, may be used.
  • These are usually used as powdered or spherical beads, but are distributed as fibers such as single crystal fibers or glass fibers. They may be combined. Any one of these inorganic fillers may be used, or two or more thereof may be used in combination.
  • the amount of the filler is usually 70 to 93% by weight of the epoxy resin composition and the molding material for electronic device encapsulation. From the viewpoint, it is desirable that the content be 80% by weight or more.
  • additives include higher fatty acids, higher fatty acid metal salts, release agents such as ester-based waxes and polyolefm-based waxes, and colorants such as carbon black.
  • cappir such as epoxy silane, amino silane, ureido silane, vinyl silane, alkyl silane, organic titanate, aluminum phenol, methoxy silane and dimethoxy silane. You may mix
  • the resin-sealed electronic device of the present invention can be manufactured by mounting an element on a supporting member and sealing a necessary portion with the sealing molding material of the present invention.
  • a method of sealing the electronic device a force injection molding method, a compression molding method, or the like, in which a low-pressure transfer molding method is most common, may be used.
  • the support member examples include a lead frame, a wired tape carrier, a wiring board, glass, and a silicon wafer.
  • Active elements such as conductor chips, transistors, diodes or thyristors, and passive elements such as capacitors, resistors or coils, etc., are appropriately used according to the purpose. be able to.
  • the resin-sealed electronic device of the present invention may be a component of another device or may be used independently.
  • the present invention is particularly suitable for a resin-encapsulated semiconductor device.
  • a semiconductor chip connected to a tape carrier by a bump is formed using the molding material of the present invention.
  • the molding material of the present invention is an element that is connected to sealed TCP (tape carrier packaging) or wiring formed on a wiring board or glass by wire bonding, flip-chip bonding, soldering, etc. Examples include C ⁇ B (chip on board) modules, chips, embedded ICs, and multi-chip modules that are encapsulated in the same way.
  • TCP tape carrier packaging
  • Examples include C ⁇ B (chip on board) modules, chips, embedded ICs, and multi-chip modules that are encapsulated in the same way.
  • THF tetrahydrofuran
  • MIBK methylisobutylketone
  • FIG. 2 shows the GPC analysis results of the obtained 1,3-bis (4-hydroxy-1,3,5-dimethylthiophenyl) cyclopentane (referred to as compound IV).
  • the yield by GPC was 82% (area ratio).
  • FIG. 3 shows the results of FD-MS of the obtained compound IV.
  • the result of mass spectrometry was consistent with a molecular weight of 310 derived from the structural formula.
  • a 3-liter flask equipped with a stirrer, cooler, and thermometer was fitted with 80 g of the compound IV, 600 g of epichlorohydrin, 300 g of 1,4-dioxane, and 300 g of 1,4-dioxane. g, and 80 g of dimethyl sulfoxide (abbreviated as DMS g).
  • DMS g dimethyl sulfoxide
  • the FD-MS and NMR spectra of the obtained compound V are shown in FIGS. 4 and 5, respectively.
  • the molecular weight of Compound V can be identified from FD-MS, and the respective functional groups of Compound V can be assigned from the NMR spectrum of Figure 5.
  • the signal of the aromatic proton for 4 H is detected, and at 4 to 2.5 ppm, the proton signal derived from the 2,3-epoxypropoxy group is 2.5 to 1.5.
  • a proton signal of a methyl group and a cyclopentane ring was observed at ppm.
  • the epoxy equivalent of the compound V was 248.
  • the GPC chromatogram, FD—MS, and NMR spectrum of the obtained compound VII are shown in FIGS. 8, 9, and 10, respectively.
  • the yield determined from the GPC chromatograph was 71%.
  • the molecular weight 394 of compound VII can be identified from FD—MS, and the respective functional groups of compound VII can be assigned from the NMR spectrum in FIG.
  • the aromatic proton signal is 4.4 to 2.7 ppm, and the 2,3-epoxypropoxy-derived proton signal is 2.6 to 1.6 ppm.
  • Proton signals of methyl group and cyclopentane ring were observed.
  • Epoxy equivalent is 224.
  • Glycidyl of compound IV was prepared in the same manner as in Synthesis Example 1 (3), except that 90 g of compound IX was used instead of compound IV, and the amount of sodium hydroxide solution added was 30 g. An etherified compound (called compound X) was obtained. The obtained compound X showed fluidity at room temperature, and the epoxy equivalent was 280.
  • compound XII (Referred to as compound XII).
  • the obtained compound XII was an epoxy resin having a softening point of 65 ° C. and an epoxy equivalent of 290.
  • the resulting coco ligomer (referred to as compound XIV) comprises a repeating unit represented by the following structural formula XIVa and a repeating unit represented by the following structural formula XIVb, and comprises a copolymer. It was a random copolymer having a ratio (that is, the ratio of the number of repeating units XIVa to the number of repeating units XIVb in one molecule) of 1: 1.
  • Fig. 17 shows the FD-MS spectrum of the obtained compound XIV
  • Fig. 18 shows the ⁇ -NMR spectrum
  • Fig. 19 shows the GPC chromatograph. Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2>
  • Comparative resin 1 is “YX-400H” manufactured by Yuka Seal Co., Ltd. and Comparative resin 2 is “NH_700” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. .
  • the structural formulas of these compounds are shown below.
  • the compounds V and XI11 of the present invention both have lower melt viscosity and better fluidity than conventional products having similar structures, so that the molding materials for electronic device sealing were used. It is excellent.
  • the epoxy resin “ESCN — 190”, one equivalent of epoxy resin curing agent to the epoxy group of this epoxy resin, and 6 parts by weight of curing to 100 parts by weight of epoxy resin The mixture was mixed with an agent (“SA-841” manufactured by San-Apro Co., Ltd.), and the resulting mixture was pulverized for 30 minutes with a mill to prepare an epoxy resin composition.
  • the obtained epoxy resin composition was sandwiched between stainless steel head plates, press-molded at 140 ° C, 30 minutes, and 3 MPa, and then post-cured at 1775 for 5 hours. And thickness 2 m
  • a test resin plate of 50 m in diameter was prepared, a test piece having a diameter of 50 mm was cut out, and the moisture absorption rate was measured for 72 hours and 168 hours at 85 ° C / 85% RH. .
  • the epoxy resin curing agent used and the measurement results are shown in Table 2 below. Table 2
  • Comparative resin 3 is “H-1” (phenolic resin) manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.
  • comparative resin 4 is “DPP-M” (backbone skeleton) manufactured by Nippon Oil Co., Ltd.
  • the structural formulas of these compounds are shown below.
  • Example 4 except that 80 parts by weight of compound XIV (softening point: 87 ° C, number average molecular weight: 52, hydroxyl equivalent: 1-6) was used in place of compound XI as the epoxy resin curing agent.
  • An epoxy resin composition was prepared in the same manner as described above.
  • a biphenyl skeleton type epoxy resin having a melting point of 106 ° C and an epoxy equivalent of 188 (4,4'-bis (2,3-epoxy POXY) _3,3 ', 5,5'-Tetramethyltilbiphenyl: Epicoat YX-400HJ manufactured by Yudari Shell Epoxy Co., Ltd., and triphenylphosphine is used.
  • Example 5 was repeated except that the quartz glass powder was changed to 85% by weight in 5 parts by weight. Thus, an epoxy resin composition was prepared.
  • Example 6 was repeated except that Compound IV (softening point: 8 ⁇ ° C, number average molecular weight: 52, hydroxyl equivalent: 1 86), 80 parts by weight, was used instead of Compound XI as the epoxy resin curing agent. Similarly, an epoxy resin composition was prepared.
  • An epoxy resin composition was prepared in the same manner as in Example 6, except that 51 parts by weight of comparative resin 3 was used instead of compound XI as an epoxy resin curing agent.
  • the resin composition was molded at 180 ⁇ 3 ° C, 6.9 ⁇ 0.17 MPa, and 90 seconds using a transfer fab.
  • the post-curing treatment was performed at 180 ⁇ 5 ° (5 hours).
  • the flow length was measured under the condition of 180 ⁇ 3 ° (: 6.9 ⁇ 0.17 MPa) in accordance with ASTM D (American Society for Testing and Materials) D3123.
  • the test IC device fabricated in (2) above was humidified for a predetermined time, then heated at 210 ° C with a phase-free flow for 90 seconds, and the cracks were observed with a microscope. And then The number of defects per hour was examined.
  • INDUSTRIAL APPLICABILITY As described above, the cyclopentylene compound and the epoxy resin composition / molding material for electronic device encapsulation containing the compound according to the present invention have high fluidity and low moisture absorption. In particular, it is suitable for manufacturing resin-encapsulated electronic devices such as semiconductor devices.
  • solder resistance and molding can be improved. A product with excellent properties can be obtained, and its industrial value is great.
  • cyclopentenyl compound according to the present invention is useful as an intermediate of the above-mentioned cyclopentylene compound.

Description

明細書 シク 口ペンチ レ ン化合物な らびにその中間体、 エポキシ樹脂組成物、 成形材料および樹脂封止型電子装置 技術分野 本発明は、 電子装置封止用、 積層用または接着用の材料 と して好適なシク ロペンチ レ ン化合物と、 該化合物を含む エポキシ樹脂組成物および電子装置封止用成形材料と、 該 組成物を用いて封止した樹脂封止型電子装置と に関する。 背景技術 一般に、 ト ラ ンジス タ 、 I c (集積回路) な どの電子装 置の封止には、 エポキシ樹脂を含む成形材料が広く 用い ら れている。 これは、 エポキシ樹脂が電気特性、 耐湿性、 耐 熱性、 機械特性、 イ ンサー ト 品との接着性な どの諸特性の ノ ラ ンスがとれているためである。 特に、 0 — ク レ ゾール ノ ボラ ッ ク型エポキシ樹脂とフ エ ノ ールノ ボラ ッ ク硬化剤 との組合せは、 このバラ ンスに優れて い るため、 I C封止 用成形材料のベース樹脂と して よ く 用い られて い る。
近年、 樹脂封止型 I C は、 電子装置の高密度実装化に伴 つて従来のピン挿入型のパッ ケージから表面実装型のパッ ケージへ移行 してお り 、 後者が主流になって いる。 表面実 装型 I Cは、 実装密度を高 く し実装高さ を低く するために、 パッケ一ジが薄型 · 小型化する傾向にあ り る。 このため、 パッケージに対する素子の占有体積を相対的に大き く する 必要から、 封止材の肉厚は非常に薄く なって きている。
また、 この表面実装型パッケー ジは、 従来のピン挿入型 のものとは実装方法が異なっている。 ピン挿入型パッ ケ一 ジの実装工程では、 ピン を配線板に挿入 した後、 配線板裏 面から これをはんだ付けするため、 素子が直接高温にさ ら される こ とがなかった。 しか し、 表面実装型パッケ一 ジの 実装工程では、 配線板表面に素子を仮止め し、 はんだバス ゃ リ フ ロー装置な どではんだ付けするため、 素子が直接は んだ付け温度にさ ら される。 この結果、 パッ ケージが吸湿 した場合、 はんだ付け時に吸湿水分が急激に膨張 し、 パッ ケージを ク ラ ッ ク させて し ま う 。 現在、 この現象が表面実 装型 I Cの製造における大き な問題と なって いる。
通常のベー ス樹脂組成で封止した I Cパッ ケージでは、 上記の問題が避けられないため、 I C を防湿梱包 して 出荷 した り 、 配線板へ実装する前に予め I c を十分乾燥して使 用するなどの方法がと られている。 しか し、 これらの方法 は手間がかか り 、 コ ス ト も高く なる。
そ こで、 薄型パッケー ジを対象に、 吸湿性、 耐湿性が良 好なビフ エニル骨格型エポキシ樹脂を用いた封止用成形材 料が、 耐リ フ 口一ク ラ ッ ク性に優れる こ とか ら実用化され ている。 しか し、 このビフ エ二ル型エポキシ樹脂には T g (ガラス転移温度) が低い と いう 問題があるため、 この樹 脂を使用でき る範囲は限られている。 発明の開示 本発明は、 上述した問題点に鑑みてなされたものであ り 、 電子装置の封止材料と して好適な、 汎用性が高 く 、 低吸湿 であ り 、 接着性が高く 、 流動性に富む新規な化合物および その中間体を提供する こ と を第 1 の 目 的とする。
さ ら に、 本発明は、 配線板への実装の際に、 特段の前処 理ゃ梱包な ど、 吸湿に対する対策を採る必要な く 、 はんだ 付けを行う こ とができ る成形材料と、 その成形材料で素子 を封止した樹脂封止型電子装置と を提供する こ と を第 2 の 目 的とする。
本発明者ら は、 シク ロペンタ ジェン を、 ナフ ト ール類、 フ エ ノ ール類および/またはフルオ レ ン類と 、 特定な酸の 存在下、 特定な反応条件で反応させて得られる シク ロペン テニルフ エ ノ ール系化合物が、 上述した課題を解決するの に有効である こ と を見出し、 この知見に基づき本発明 を完 成するに至った。
本発明では、 上記第 1 の 目 的を達成するため、 下記一般 式 ( I ) によ り表される第 1 のシク ロペンチ レ ン化合物
(以下、 化合物 I と呼ぶ) 、 および、 下記一般式 (I I ) に よ り表される第 2 のシク ロペンチ レ ン化合物 (以下、 化合 物 1 1と呼ぶ) が提供される。
Figure imgf000006_0001
れらの式において、 mは正の数を表す。 また、 A r は
Figure imgf000006_0002
で表される 1 価の有機基のう ちの少な く と もいずれかを示 し、 A r 2は、 Ί
Figure imgf000006_0003
で表される第 1 の原子団、
Figure imgf000006_0004
で表される第 2 の原子団、 および
Figure imgf000007_0001
で表される第 3 の原子団のう ちの、 少な く と もいずれかの 2 価の有機基を示す。
ただし、 Xは、 水酸基、 または、 2 , 3 —エポキシプロ ポキシ基 (すなわちグリ シジルォキシ基)
Figure imgf000007_0002
を示し、 Y は水素原子、 水酸基または 2 , 3 —エポキシプ 口ポキシ基を示す。 こ こで、 R ' 〜 R 4は、 水素原子と、 炭 素数 1 〜 1 0 のアルキル基およびァ リ ール基と、 ノ\ロゲン 原子とから それぞれ独立して選ばれる基であ り 、 少なく と も一つは水素原子である こ とが好ま しい。 ま た、 Z は、 水 素原子、 フ エニル基、 ヒ ドロキシフ エニル基または 2, 3 —エポキシプロポキシフ エ二ル基を示す。 製造の容易さか ら、 Z は 4 ー ヒ ドロキシフ エニル基または 4 — ( 2 , 3 - エポキシプロボキシ) フ エニル基である こ とが好ま しい。
なお、 ナフ タ レ ン環およびベンゼン環における シク ロべ ンチ レン基の結合位置は特に限定される ものではないが、 例えばフルオ レ ン類の場合、 水酸基がベンゼン環の 2 位に 結合していれば 3 位または 5 位に、 3 位に結合 していれば 2 位に、 4 位に結合 していれば 3 位に シク ロペンチ レ ン基 が結合して いる ものが、 合成が比較的容易であ り好ま しい。 繰返し単位数 mは、 化合物 I において上述の要求特性を バラ ンスよ く 実現するためには、 平均 2 0 以下とする こ と が好ま し く 、 平均 1 0 以下のものが特に好ま しい。 また、 一分子中の A r 2はすべて同一の原子団であって も よが、 第 1 〜第 3 の原子団のう ちの 2 種以上を一分子中に含んで いて もよい。
2 種以上の原子団を含む化合物 (すなわち コオ リ ゴマー) の場合、 その重合形態は、 ラ ンダム共重合体、 交互共重合 体、 ブロ ッ ク共重合体およびグラフ ト共重合体のいずれで あってもよい。 第 1 、 第 2 の両原子団を含むコオ リ ゴマー の場合、 一分子中の第 1 の原子団数と第 2 の原子団数との 比は、 2 0 : 1 〜 1 : 2 0 とする こ とが好ま し く 、 1 0 : 1 〜 1 : 1 0 とする こ とが特に好ま しい。
ただし、 電子装置封止用成形材料において、 本発明のシ ク ロペンチ レ ン化合物のう ちフ エ ノ 一ル性水酸基を備える もの をエポキシ樹脂硬化剤と して用いる場合には、 この共 重合比 (第 1 の原子団数 : 第 2 の原子団数) を 2 : 1 〜 1 : 9 とする こ とが特に好ま し く 、 Xが 2 , 3 —エポキシプロ ポキシ基である本発明のシク ロペンチ レ ン化合物をェポキ シ樹脂と して用いる場合には、 これを 4 : 1 〜 1 : 4 とす る こ とが特に好ま しい。
また、 A r 2 と して第 1 の原子団および/または第 2 の 原子団に加えて、 さ ら に第 3 の原子団を含む化合物は、 特 に耐熱性に優れるため好ま しい。 この第 3 の原子団は、 分 子中の A r 2総数の 1 0〜 2 0 モル%である こ と が好ま し い。
また、 本発明では、 上述のシク ロペンチ レ ン化合物を製 造するための中間体と して、 下記一般式 (I I I ) によ り表 される シク ロペンテニル化合物が提供される。
Figure imgf000009_0001
で、 A r 1
Figure imgf000009_0002
で表される 1 価の有機基のいずれかを表す。 X、 Υ、 Ζ お よび R '〜 R 4は、 上述の式 ( I ) および (I I ) の場合と同 様である。 )
なお、 この一般式 (I I I ) において、 シク ロペンテニル は、 シク ロペンチ レ ン化合物を合成する際の
Figure imgf000009_0003
反応性の点から 2 — シク ロペンテン一 1 —ィ ル基である こ とが好ま しい力 、 3 — シク ロペンテン一 1 — ィ ル基であつ ても よい。
また、 本発明のシク ロペンチ レ ン化合物は、 フ エ ノ ール 性水酸基を含んでいればエポキシ樹脂硬化剤と して、 2 , 3 —エポキシプロポキシ基を含んでいればエポキシ樹脂と して、 それぞれエポキシ樹脂組成物の成分とする こ とがで き る。 そ こで、 本発明では、 上述の第 2 の 目 的を達成する ため、
( 1 ) X、 Yおよび Z の少な く と もいずれかがフ エ ノ ール 性水酸基である第 1 および または第 2 のシク ロペンチ レ ン化合物 (以下、 それぞれ化合物 I a, 1 1 a と呼ぶ) であ る変性フ エ ノ ール樹脂と、 1 分子中に 2 個以上のエポキシ 基を有するエポキシ樹脂と を含むエポキシ樹脂組成物、 お よび、
( 2 ) X、 Y および Z の少な く と もいずれかが 2, 3 —ェ ポキシプロポキシフ エニル基である上述の第 1 および ま たは第 2 のシク ロペンチ レ ン化合物 (以下、 それぞれ化合 物 I b, 1 1 b と呼ぶ) であるエポキシ樹脂と 、 エポキシ樹 脂硬化剤と を含むエポキシ樹脂組成物、
が提供される。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、 優れた低吸湿性、 成形 時の流動性、 耐熱性を兼ね備えているため、 電子装置封止 用材料の他、 異方導電性フ ィ ルム材料、 絶縁材料、 積層板 材料、 接着剤など、 広範な分野で使用する こ とができ る。
本発明のシク ロペンチ レ ン化合物およびエポキシ樹脂組 成物は、 特に電子装置の封止用材料に用 いる こ と に特に適 して いる。 そ こで、 本発明では、 第 1 および/または第 2 のシク ロペンチ レ ン化合物 (化合物 I , I I ) を含む電子装 置封止用エポキシ樹脂成形材料と、 該成形材料の硬化物を 含む封止部材に よ リ 素子が封止されて いる樹脂封止型電子 装置とが提供される。 図面の簡単な説明 図 1 は、 2 , 6 — ジメチル一 4 — ( 2 — シク ロペンテン
― 1 一ィ ル) フ エ ノ ーノレの G P Cク ロマ 卜 グラフである。
図 2 は、 化合物 IVの G P C ク ロマ ト グラフである。
図 3 は、 化合物 IVの F D— M S スぺク トルである。
図 4 は、 ィ匕合物 Vの F D— iM S スぺク トルである。
図 5 は、 ィ匕合物 Vの1 H— N M Rスぺク トルである。 図 6 は、 2 — メチル一 4 — ( 2 — シク ロペンテン一 1 — ィ ノレ) フ エ ノ ーソレの G P C ク ロマ ト グラフである。
図 7 は、 化合物 VIの G P C ク ロマ ト グラフである。
図 8 は、 化合物 VI Iの G P C ク ロマ ト グラフである。 図 9 は、 化合物 VIIの F D _ M Sスぺク トルである。 図 1 0 は、 化合物 VI Iの1 H— N M Rスぺク トルである。 図 1 1 は、 1 — ( 2 — シク ロペンテン一 1 —ィ ノレ) — 2
—ナフ ト ールの G P Cク ロマ 卜 グラフである。
図 1 2 は、 1 — ( 2 — シク ロペンテン一 1 —ィ ル) 一 2 一ナフ ト ールの1 H— N M Rスぺク トルである。
図 1 3 は、 ィ匕合物 VI IIの G P C ク ロマ 卜 グラフである。 図 1 4 は、 化合物 IXの G P Cク ロマ 卜 グラフである。 図 1 5 は、 ィ匕合物 XIの G P Cク ロマ ト グラフである。 図 1 6 は、 化合物 XIIIの G P C ク ロマ 卜 グラフである。 図 1 7 は、 化合物 XIVの F D— M S スぺク トルである。 図 1 $ は、 化合物 XIVの1 H— N M Rスぺク トルである。 図 1 9 は、 化合物 XIVの G P C ク ロマ ト フ ラフである。 図 2 0 は、 樹脂封止型電子装置の封止工程を示す断面図 である。 発明 を実施するための最良の形態
A . シク ロペンテニル付加体の合成
本発明の一般式 (III) に よ り 表される シク ロペンテ二 ル付加体 (以下、 化合物 11 Iと呼ぶ) のう ち Xが水酸基の もの (以下、 化合物 111 a と呼ぶ) は、 つぎの反応式に示 すよ う に、 ナフ ト ール類、 フ エ ノ ール類またはフルオ レン 類と、 シク ロペンタ ジェン と を、 酸触媒下で反応させる こ と によ り 、 合成する こ とができ る。 これら は、 ナフ ト ール 類、 フ ヱ ノ ール類またはフルオ レ ン類は、 単独で用いても
2 種以上を併用 して も よい。
Figure imgf000012_0001
(化合物 HI a) ただ し、 A r 4— 0 Hは、
Figure imgf000013_0001
O H
であ り 、 一 A r 5— 〇 Hは、
Figure imgf000013_0002
である。 こ こで、 Y、 Z 、 および、 R 1〜 R 4は、 上述の一 般式 ( I ) の場合と同様である。
なお、 この反応に用いる こ とのでき るナフ ト ール類
Figure imgf000013_0003
と しては、 1 _ナフ ト ーソレ、 2 —ナフ ト ール、 1 , 5 — ジ ヒ ドロ キシナフ タ レ ン、 1 , 6 — ジヒ ドロキシナフ タ レ ン 1 , 7 — ジヒ ドロキシナフ タ レ ンまたは 2, 7 — ジヒ ドロ キシナフ タ レ ンなどが挙げられる。 これら は、 単独で用い て も、 2 種以上を併用 して も よい。
また、 フ エ ノ ール類
Figure imgf000013_0004
と しては、 フ エ ノ ーソレ、 0 — ク レゾ一ソレ、 p—ク レゾ一ノレ、 m _ ク レゾ一ル、 ブチソレフ エ ノ ール、 キシ レノ ール、 ノ ニ ルフ エ ノ 一ルまたはフルオ レ ン類など、 通常のフ エ ノ 一ル 樹脂合成に用い られるフ エ ノ ール化合物を用いる こ とがで き る。 これら は、 単独で用 いても、 2 種以上を併用 しても よい。
フルオ レ ン類
Figure imgf000014_0001
0 H
と しては、 9 , 9 — ビス (ヒ ドロキシフ エニル) フルォ レ ン、 9 — (ヒ ドロキシフ エニル) フルオ レ ン、 9 — (ヒ ド ロキシフ エニル) 一 9 — フ エニルフルオ レ ンなどが挙げら れる。 水酸基の置換位置は、 フ ヱニル基の 2 、 3 および 4 位のいずれでも よ いが、 製造の容易さ から、 4 位とする こ とが好ま しい。 これら は、 単独で用 いて も、 2 種以上を併 用 してもよい。 酸触媒と しては、 塩酸、 硫酸、 p — トルエンスルホン酸 ト リ フルォロ酢酸も し く は リ ン酸等の強酸、 三フ ッ化ホウ 素、 塩化アルミ ニウムも し く は塩化モ リ ブテンな どのルイ ス酸、 または、 卜 リ フノレオロメ タ ンスルホ ン酸、 ペンタ フ ルォロエタ ンスルホン酸、 ク ロ ロスリレホ ン酸も し く はメ チ ルスルホン酸な どの超強酸 (ハメ ッ 卜 の酸度関数 H。が 1 0 0 %硫酸 ( H。 =一 1 1 . 9 3 ) よ り絶対値の大き な負 の値である酸) と いった各種の酸を用いる こ とができ る。 これらの酸触媒は、 単独で用いて も よ く 、 2 種類以上を併 用 しても よい。
酸触媒の使用量は、 ナフ 卜 —ル類、 フ エ ノ ール類および フルオ レ ン類の総量 1 モルに対して 0 . 0 5 モル〜 1 モル、 好ま し く は 0 . 1 モル〜 0 . 5 モルとする。 触媒量がナフ ト ーゾレ類、 フ エ ノ 一ル類およびフルオ レ ン類の総量 1 モル に対して ◦ . 0 5 モル以上であれば、 工業的に問題のない 反応速度が得られるため好ま しい。 また、 1 モル以下であ れば、 触媒を生成物から容易に除去でき、 好ま しい。
ナフ ト ール類、 フ エ ノ ール類および Zまたはフルオ レ ン 類と シク ロペン ジェン とのモル比は、 (ナフ ト ール類、 フ エ ノ 一ル類および/またはフルオ レ ン類) ノシク ロペン タ ジェン = 3 1 〜 1 2 の範囲であ り 、 よ り好ま し く は 2 / 1 〜 1 / 1 . 5 の範囲である。 このモル比が 3 / 1 以 下であれば、 未反応のナフ ト ール類、 フ エ ノ ール類および またはフルオ レ ン類の残留量が少ないため好ま しい。 ま た、 このモル比が 1 / 2 以上であれば、 2 置換以上の生成 物が少ないため好ま しい。
なお、 このシク ロペンテニル付加反応は、 無溶媒系でも 行う こ とができ る力 用いるナフ ト ール類、 フ ヱ ノ ール類 またはフルオ レ ン類の融点が高い場合には、 有機溶媒を使 用 した方がシク ロペンテニル付加体の収率がよ く なる。 こ の際、 使用でき る溶媒と しては、 トルエンな どの芳香族系 有機溶剤、 メ タ ノ 一ルあるいはエタ ノ 一ルな どのアルコ ー ル類、 テ 卜 ラ ヒ ドロフ ラ ン、 ジォキサンあるいはェチルェ 一テルな どのエーテル類、 アセ ト ン、 メ チルェチルケ ト ン ある いはメ チルイ ソブチルケ ト ンな どのケ ト ン類、 ク ロ口 ホルム、 ク ロルベンゼン等の含塩素系有機溶剤な どが挙げ られる。
このシク ロペンテニル付加反応は、 反応容器にナフ ト ー ル類、 フ エ ノ ール類および Zまたはフルオ レ ン類と溶剤と 酸触媒と を入れ、 撹拌しつつ シク ロペン タ ジェン (または その溶液) を滴下する こ と によ り行って も よ く 、 ナフ ト ー ル類、 フ エ ノ 一ル類および またはフルオ レ ン類と シク ロ ペンタ ジェン と を、 そのま ま あるいは有機溶媒に溶か して 撹拌 している と こ ろへ酸触媒を加える こ と によ り行って も よい。
反応温度は一 3 0 °C〜 1 5 0 °Cの範囲 とする こ とが望ま しい。 反応温度が低すぎる と反応時間が長時間にな り 、 反 応温度が高い と シク ロペンタ ジェンの 2 量化反応及びシク 口ペンテニル付加体の重合反応が起こ る場合がある。
なお、 未反応のナフ ト ール類やフ エ ノ ール類は、 蒸留、 水蒸気蒸留、 分子蒸留または抽出な どの方法によ り 除去す る こ とができ る。
B . シク ロペンチ レン化合物の合成
本発明の第 1 および第 2 のシク ロペンチ レ ン化合物のう ち Xが水酸基である もの (化合物 I a , II a ) は、 つぎの 反応式に示すよ う に、 上述の化合物 Ili a と、 ナフ 卜 一ル 類、 フ エ ノ ール類および Zまたはフルオ レ ン類と を、 酸触 媒下で反応させる こ と によ り 得る こ とができ る。
Figure imgf000017_0001
(化合物 m a )
Figure imgf000017_0002
(化合物 I a, Ha)
ただ し、 一 A r 0 Hは、
Figure imgf000017_0003
である。 こ こで、 Y、 Z および R'〜 R3 は上述の一般式
( I ) の場合と 同様であ り 、 繰返 し単位数の平均値 mは 0 以上の正の数 (好ま し く は 0〜 2 0 ) である。
なお、 ナフ ト ール類、 フ エ ノ ール類および Zまたはフル オ レ ン類と、 酸触媒と は、 上述のシク ロペンテニル付加体 の合成の場合と 同様のものを用いる こ とができ る力 シク 口ペンテニル付加体の合成に用いたもの と 同 じ ものを用い て も、 異なるもの を用いて も よい。 酸触媒の使用量、 反応 溶媒、 反応条件も、 上述のシク ロペンテニル付加体の合成 の場合と同様にする こ とができ る。
シク ロペンテニル付加体に対するナフ 卜 一ル類、 フ エ ノ ール類およびフルオ レ ン類の総当量数を適宜変更する こ と に よ り 、 化合物 I a および化合物 11 a のいずれを得る こ と もできる。
C . エポキシ化合物の合成
上述した化合物 I a, II a , Ili a のフ ヱ ノ ール性水酸 基を変換する こ とによ り 、 2, 3 —エポキシプロポキシ基 を備える、 一般式 ( I ) 、 (II) または (III) によ り 表 される化合物 (それぞれ、 化合物 I b、 II b、 Ill b と呼 ぶ) を合成する こ とができ る。
フ エ ノ ール性水酸基の 2, 3 —エポキシプロポキシ基へ の変換は、 化合物 I a、 11 a または 111 a に、 ェピハロ ヒ ド リ ン化合物を塩基性化合物の存在下で反応させる こ とに よ り行う こ とができ る。
こ こで用いる こ とのでき るェピハロ ヒ ド リ ンの例と して は、 ェピク ロ ロ ヒ ド リ ン、 ェピブ口モヒ ド リ ン、 ェピョ一 ドヒ ド リ ン等が挙げられ、 これらの混合物を用いて も よい これらのう ち、 工業的には、 ェピク ロ ロ ヒ ド リ ン を用いる こ とが好ま しい。
この 2, 3 _エポキシプロポキシ化 (すなわち、 グリ シ ジルエーテル化) の反応は、 公知の方法に よ り行う こ とが でき る。 例えば、 化合物 I a と、 該化合物 I a のフ エ ノ ー ル性水酸基 1 モルに対して 2 〜 1 5倍モルのェピハロ ヒ ド リ ン化合物と、 溶媒 (例えばジォキサンまたはジメ チルス ルホキシ ド) との混合物に、 塩基性化合物 (例えば水酸化 ナ ト リ ウムまたは水酸化カ リ ウム) を加え、 5 0〜 1 5 0 °Cに保持 して反応させる方法によ って、 化合物 I b 、 li b , 111 b を得る こ とができ る。
また、 化合物 I a と、 該化合物 I a のフ エ ノ ール性水酸 基 1 モルに対して 0 . 0 0 1 〜 0 . 1 倍モルの 4級アンモ 二ゥム塩 (例えばテ ト ラメ チルアンモニゥムク ロ ライ ドま たはテ ト ラエチルアンモニゥムク ロライ ド) を添加し、 5 0〜 1 5 0 °Cの温度で反応させ、 得られたハロ ヒ ド リ ンェ —テルに水酸化ナ ト リ ゥムゃ水酸化カ リ ゥムな どの固体ま たは濃厚水溶液を加えて 5 0〜 1 5 0 °Cの温度でさ らに反 応させて閉環させる こ と によ り これらの化合物を製造する こ と もでき る。
なお、 反応終了後、 未反応のェピハロ ヒ ド リ ンや必要に よ り使用 した有機溶媒な どを蒸留によ り 除去 し、 生成した 無機塩は水によ る抽出ある いは濾別等の手段で分離除去す る こ と によ り 、 目 的物のエポキシ化合物 I b 、 II b 、 III b を得る こ とができ る。 D . エポキシ樹脂組成物 Z電子装置封止用成形材料 本発明のエポキシ樹脂組成物/電子装置封止用成形材料 は、 つぎの ( 1 ) シク ロペンチ レン化合物を含み、 さ ら に、 必要に応 じて ( 2 ) 〜 ( 5 ) の成分を適宜含むこ とができ る。 つぎに、 各成分について具体的に説明する。
なお、 この本発明の組成物/成形材料は、 各種原材料を 均一に分散混合でき るのであれば、 いかなる手法を用いて も調製でき る力 一般的な調製手法と して、 所定の配合量 の原材料を ミ キサ一等によ って十分混合 した後、 ミ キシン グロール、 押出機等に よって溶融混練した後、 冷却、 粉砕 する方法を挙げる こ とができ る。
( 1 ) シク ロペンチ レ ン化合物
本発明のエポキシ樹脂組成物 Z電子装置封止用成形材料 は、 変性フエ ノ 一ル樹脂であるフ ヱ ノ ール性水酸基含有化 合物 I a および/または化合物 1 1 a と、 エポキシ樹脂であ るグ リ シジルエーテル化合物 I b および/または化合物 1 1 b と の、 少な く と もいずれかを含む。
本発明の化合物 I a , 化合物 1 1 a は、 エポキシ樹脂硬化 剤と して用いる こ とができ る。 この本発明のエポキシ樹脂 硬化剤は、 使用するエポキシ樹脂を特に限定するものでは なく 、 一般的に使用されて い るエポキシ樹脂であればいず れに対して も硬化剤と して使用でき る。
本発明のエポキシ樹脂であるエポキシ基含有化合物 I b, l i b は、 酸無水物、 ァ ミ ン、 フ ヱ ノ ール性水酸基との反応 に よ り硬化物を得る こ とができ る。 そ こで、 本発明の化合 物 I b, 1 1 b を含むエポキシ樹脂組成物 Z電子装置封止用 成形材料は、 これらの官能基を含む化合物であるエポキシ 樹脂硬化剤を さ らに含むこ とが望ま しい。 一般的に使用さ れて いるエポキシ樹脂硬化剤であればいずれも本発明に使 用する こ とがである。
( 2 ) エポキシ樹脂
本発明のエポキシ樹脂組成物 Z電子装置封止用成形材料 に使用でき るエポキシ樹脂と しては、 例えば、 フ エ ノ ール ノ ボラ ッ ク型エポキシ樹脂、 オルソク レゾールノ ボラ ッ ク 型エポキシ樹脂およびナフ ト ールク レゾールノ ポラ ッ ク型 エポキシ樹脂をはじめ とする、 フ エ ノ ール類と アルデヒ ド 類とのノ ボラ ッ ク樹脂をエポキシ化 したもの、 ビスフ エ ノ 一ル A、 ビスフ エ ノ ーノレ F 、 ビスフ エ ノ ール S およびアル キル置換ビフ エ ノ 一ルなどのジグリ シジルェ一テル、 ジァ ミ ノ ジフ エニルメ タ ンおよびィ ソ シァヌル酸な どのポ リ ア ミ ン と、 ェピク ロルヒ ド リ ン との反応に よ り 得られる グ リ シジルァ ミ ン型エポキシ樹脂、 ォ レフ ィ ン結合を過酢酸な どの過酸で酸化 して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂、 ビ フ エニル骨格を有する 4, 4 ' — ジグリ シジルー 3, 3 ' , 5 , 5 ' —テ ト ラメ チノレビフ エニルメ タ ン、 な らびに、 脂 環族ェポキシ樹脂な どがある。
特に、 4, 4 ' — ビス ( 2, 3—エポキシプロボキシ) _ 3, 3 ' , 5, 5 ' —テ 卜 ラメ チルビフ エニルな どのァ ルキル置換ビフ エ ノ 一ル型ジエポキシ樹脂を用いた場合、 接着性、 吸湿性が良好であ り 、 これによ り 耐 リ フ 口一 ク ラ ッ ク性および耐湿性に優れた成形材料が得られる。 このよ う なエポキシ樹脂 と しては、 4, 4 ' — ジヒ ドロキシ一 3, 3 ' , 5, 5 ' ーテ ト ラメ チルビフエニルをェピク ロルヒ ドリ ン を用いてエポキシ化 して得られる ものな どが挙げら れる。 このアルキル置換ビフ エ ノ 一ル型ジエポキシ樹脂は、 当該エポキシ樹脂の低吸湿性、 高接着性の特長を十分に発 揮させ、 耐はんだ性を向上させるために、 エポキシ樹脂全 量に対し 6 0 重量%以上使用する こ とが好ま しい。
これらのエポキシ樹脂は、 適宜何種類でも併用する こ と ができ る。 なお、 本発明の化合物 I b, 1 1 b が含有されて いる場合、 さ ら に これらのエポキシ樹脂を併用 してもよい 力 用いな く て も よい。
( 2 ) エポキシ樹脂硬化剤
本発明のエポキシ樹脂組成物 Z電子装置封止用成形材料 に用いる こ とのでき るエポキシ樹脂硬化剤と しては、 例え ば、 フ エ ノ ール性水酸基を有する化合物が挙げられる。 こ のよ う な化合物と しては、 フ エ ノ ールノ ボラ ッ ク樹脂、 ナ フ ト 一ルノ ボラ ッ ク樹脂、 オルソ ク レゾ一ルノ ボラ ッ ク樹 脂、 脂環式フ エ ノ ール樹脂、 ポリ ( p _ ビニルフ エ ノ ール) 樹脂、 キシ リ レ ン基を有するフ エ ノ ール · ァラルキル樹脂 な どがある。
なお、 フ エ ノ ールノ ボラ ッ ク樹脂、 ナフ ト ールノ ボラ ッ ク樹脂、 オルソ ク レゾ一ルノ ボラ ッ ク樹脂な どは、 フ エ ノ 一ソレ、 ク レゾ一ル、 キシ レノ ーソレ、 レゾルシ ン、 力テコ一 ル、 ビスフエ ノ ール Aも し く はビスフ エ ノ ール F な どのフ ェ ノ ール類、 または、 1 —ナフ ト ール、 2 —ナフ ト ール、 ジヒ ドロキシナフ タ レ ン等のナフ ト ール類と、 ホルムアル デヒ ド、 ァセ ト アルデヒ ド、 プロ ピオ ンアルデヒ ド、 ベン ズアルデヒ ド、 サ リ チルアルデヒ ド等のアルデヒ ド類と を 酸性触媒下で縮合又は共縮合させる こ と に よ リ 得る こ と力 でき る。 また、 キシ リ レ ン基を有するフ エ ノ ーソレ ' ァラル キル樹脂は、 フ エ ノ 一ル類と ジメ ト キシ _ p —キシ レ ン と から合成する こ とができ る。
これらのエポキシ樹脂硬化剤は、 適宜何種類でも併用す る こ とができ る。 なお、 本発明の化合物 I a, 1 1 a が含有 されている場合、 さ ら にこれらのエポキシ樹脂硬化剤を併 用 して もよい力 用いなく ても よい。
これらの硬化剤を用いる場合は、 化合物 I a および化合 物 I l a の特性が十分発揮される よ う に、 これらの配合量を 超えない範囲で使用する こ とが好ま し い。
エポキシ樹脂硬化剤 (本発明の変性フ エ ノ ール樹脂を含 む) の添加量は特に制限される ものではない力 通常、 樹 脂および硬化剤それぞれの未反応残留分を少な く 抑えるた めに、 エポキシ樹脂のエポキシ基数に対 して 0 . 5〜 2 . 0 当量とする こ とが好ま しい。 特に、 電子装置封止用ェポ キシ樹脂成形材料または積層用材料と して用いる場合には、 0 . 7〜 1 . 3 当量とする こ とが好ま し く 、 これ以外の用 途 (例えば、 接着剤、 絶縁ワニス等) に用いる場合は、 用 途に応 じて適宜調整する こ とが望ま しい。
( 3 ) 硬化促進剤
本発明のエポキシ樹脂組成物ノ電子装置封止用成形材料 は、 必要によ り 、 エポキシ樹脂のエポキシ基と硬化剤のフ エ ノ ール性水酸基の硬化反応を促進するため、 硬化促進剤 を含有させても よい。
この硬化促進剤と しては、 例えば、 1 , 8 — ジァザビシ ク ロ ( 5, 4, 0 ) ゥ ンデセ ン一 7 な どのジァザビシク ロ アルゲンおよびその誘導体、 卜 リ エチ レ ンジァ ミ ン、 ベン ジルジメ チルァ ミ ン、 ト リ エタ ノ ールァ ミ ン、 ジェチルァ ミ ノ メ タ ノ ールおよび 卜 リ ス (ジメ チルア ミ ノ メ チル) フ エ ノ 一ルな どの三級ア ミ ン類、 2 —メ チノレイ ミ ダゾ一ル、 2 —フ エ二ルイ ミ ダゾール、 2 — フ エニル一 4 ー メ チルイ ミ ダゾ一ルおよび 2 —へプタ デシルイ ミ ダゾ一ルな どのィ ミ ダゾール類、 ト リ ブチルホスフ ィ ン、 メ チルジフ エ二ル ホスフ ィ ン、 卜 リ フ エニソレホスフ ィ ン、 ジフ エニルホスフ ィ ンおよびフ エニルホスフ ィ ンな どの有機ホスフ ィ ン類、 テ ト ラフ ェニルホスホニゥム =テ ト ラフ ェニルボレー ト 、 テ 卜 ラフェニルホスホニゥムニエチル 卜 リ フ エニルボレー 卜 およびテ ト ラブチルホスホニゥム =テ ト ラブチルボレー 卜 な どのテ ト ラ置換ホスホニゥムニテ ト ラ置換ボレー 卜 、 ならびに、 2 —ェチルー 4 — メ チノレイ ミ ダゾ一ル =テ ト ラ メ チソレボレー ト 、 2 —ェチルー 4 —メ チルイ ミ ダゾ一ル = テ ト ラフ エ二ルポレ一 卜 および N —メ チルモルホ リ ン =亍 ト ラフ ェニルボレー 卜 な どのテ ト ラフ エニルボロ ン塩な ど の中から、 適宜選択 して用いる こ とができ る。 これらの硬 化促進剤を用いる場合は、 エポキシ樹脂組成物 Z成形材料 全量を 1 0 0 重量部とする と き、 通常、 0 . 0 0 5 〜 3 重 量部配合する。
( 4 ) 無機充填剤
本発明のエポキシ樹脂組成物/電子装置封止用成形材料 は、 必要によ り 、 吸湿性および線膨張係数の低減、 熱伝導 性および強度の向上のため、 無機充填剤を含有させて も よ い。 特に電子装置封止用成形材料と して用いる場合、 無機 充填剤を含むこ とが望ま しい。
本発明に用いる こ とができ る無機充填剤と しては、 溶融 シ リ カ、 結晶シ リ カ、 アルミ ナ、 ジルコ ン、 珪酸カルシゥ ム、 炭酸カルシウム、 窒化珪素、 窒化ホウ素、 ベリ リ ア、 ジルコニァおよびチタ ン酸カ リ ゥムな どが挙げられる。 線 膨張係数の低減の観点から は、 これらの無機充填剤のう ち 溶融シ リ カが好ま し く 、 また、 高熱伝導性の観点からはァ ルミ ナが好ま しい。 さ ら に、 水酸化アルミ ニウム、 水酸化 マグネ シゥムおよびホウ酸亜鉛な ど、 難燃効果のある無機 充填剤を用いて もよい。
これらは、 通常、 粉末または球形化 したビーズと して用 い られるが、 単結晶繊維、 ガラス繊維な どの繊維と して配 合 して も よい。 これらの無機充填剤は、 いずれか 1 種を用 いて も よ く 、 2 種以上を併用 して もよ い。
無機充填剤を含有させる場合、 その配合料は、 通常、 ェ ポキシ樹脂組成物 電子装置封止用成形材料全体の 7 0 〜 9 3 重量% とするが、 熱膨張係数の低減、 高温強度向上の 観点から 8 0 重量%以上とする こ とが望ま しい。
( 5 ) その他の添加剤
その他添加剤と して、 高級脂肪酸、 高級脂肪酸金属塩、 エステル系ワ ッ ク スおよびポリ オ レフ イ ン系ワ ッ ク スな ど の離型剤、 カーボンブラ ッ ク な どの着色剤、 な らびに、 ェ ポキシシラ ン、 ア ミ ノ シラ ン、 ウ レイ ドシラ ン、 ビニルシ ラ ン、 アルキルシラ ン、 有機チタ ネー ト 、 アルミ ニウムァ ノレコ レー ト 、 メ 卜 キシシラ ンおよびジメ ト キシシラ ンな ど のカ ッ プリ ング剤な どを必要に応 じて配合 して も よい。
E . 樹脂封止型電子装置
本発明の樹脂封止型電子装置は、 支持部材に素子を搭載 し、 必要な部分を本発明の封止用成形材料で封止する こ と によ り製造する こ とができ る。 電子装置を封止する方法と しては、 低圧 ト ラ ンス フ ァ ー成形法が最も一般的である力 イ ンジェ ク シ ョ ン成形法、 圧縮成形法等を用 いて も よい。
本発明に用いる こ とのでき る支持部材と しては、 リ ー ド フ レーム、 配線済みのテープキャ リ ア、 配線板、 ガラスま たはシ リ コ ン ウェハな どがある。 また、 素子と しては、 半 導体チッ プ、 ト ラ ンジス タ 、 ダイ オー ドまたはサイ リ ス タ な どの能動素子、 および、 コ ンデンサ、 抵抗体ま たはコィ ルな どの受動素子等を、 目 的に応 じて適宜用 いる こ とがで き る。 なお、 本発明の樹脂封止型電子装置は、 他の装置の 部品と なる ものでも よ く 、 独立して用いる ものであって も よい。
本発明は、 特に樹脂封止型半導体装置に適 してお り 、 本 発明の電子装置と しては、 例えば、 テープキャ リ アにバン プで接続した半導体チッ プを、 本発明の成形材料で封止し た T C P (tape carrier packaging) や、 配線板やガラス 上に形成 した配線に、 ワイ ヤ一ボンディ ング、 フ リ ツ プチ ッ プボンディ ング、 はんだなどで接続した素子を、 本発明 の成形材料で封止 した C 〇 B (chip on board) モジュ一 ル、 ノ、イ ブリ ツ ド I C、 マルチチッ プモジユールな どを挙 げる こ とができ る。 実施例 以下、 本発明の合成例 · 実施例を図面を用いて詳細に説 明する力 本発明はこれに限定されるものではない。 なお、 以下の合成例 · 実施例において用いた試験法は、 以下の通 り である。
分子量分布および分子量 : 日立製作所製 「高速液体ク ロ マ ト グラフ ィ L 6 0 0 0 、 R I 検出器」 および島津製作所 製 「デー タ 解析装置 C 一 R 4 A」 を用いた。 分析用 G P C (ゲル浸透ク ロマ ト グラフ ィ 一) カ ラムは、 東ソー株式会 社製 「 G 2 0 0 0 H X L」 + 「 G 3 0 0 〇 H X L」 を使用 した。 試料濃度は 0 . 2 % と し、 移動相にはテ ト ラハイ ド 口フ ラ ン を用い、 流速を 1 . 0 m 1 Z分と して測定を行つ た。 数平均分子量は、 ポリ スチ レ ン標準サンプルを用いて 検量線を作成し、 それを用いて計算した。 以下の各合成例 実施例において示した数平均分子量は、 すべてポリ スチ レ ン換算値である。
N M R (核磁気共鳴スぺク トル) : B R U K E R社製
「 F T _ N M R装置 A C — 2 5 0 」 を用い、 重水素化ク ロ 口ホルムまたは重水素化メ タ ノ 一ルを測定溶媒と した。
F D - M S (電解脱離質量分析) : 日 立製作所製 「 F D — M Sュニッ ト付き M— 2 0 0 0型 2 重収束質量分析装置」 を使用 して測定した。 試料をアセ ト ンに溶か し、 その溶液 をカーボンェミ ッ タ に塗布し、 加速電圧 4 . O k Vと して 測定した。 ぐ合成例 1 >
( 1 ) 2, 6 — ジメ チソレ一 4 — ( 2 — シク ロペンテン
— ィ ル) フ エ ノ ー ノレの合成
Figure imgf000028_0001
攪拌機、 冷却器、 温度計を備えた 2 リ ッ ト ルのフ ラス コ に、 2, 6 — ジメチルフ エ ノ ール 3 6 6 g 、 トルエン 3 6 0 g 、 リ ン酸 1 0 2 g を入れ、 氷冷中で撹拌 しつつ、 シク 口ペンタ ジェン 2 4 7 g 、 トソレエン 2 0 0 g の混合溶液を 3 時間かけて滴下 した後、 室温に してさ ら に 4 時間撹拌 し た。 得られた反応溶液に、 テ ト ラ ヒ ドロ フ ラ ン (以下 T H F と省略する) とメ チルイ ソブチルケ ト ン (以下 M I B K と省略する) と を加え、 水で溶液が中性になる まで洗浄 し た後、 減圧蒸留 した。 反応溶媒が留去した後、 未反応の 2 6 — ジメ チルフ エ ノ 一ルが留去 した。 3 m m H g、 1 4 0 での留分が 2, 6 — ジメ チルー 4 一 ( 2 — シク ロペンテン 一 1 _ィ ル) フ エ ノ ールである。 この G P C分析結果を図 1 に示す。 G P Cに よ る収率は、 9 4 % (面積比) であつ た。
( 2 ) 1 , 3 — ビス ( 4 ー ヒ ドロ キシー 3, 5 — ジメ チル フ エニル) シク ロペンタ ンの合成
Figure imgf000029_0001
攪拌機、 冷却器、 温度計を備えた 2 リ ッ ト ルのフラス コ に 2, 6 — ジメ チルフ エ ノ ール 2 8 6 g および p — トルェ ンスルホン酸 (以下 P T S と省略する) 4 0 g を入れ、 1 0 0 °Cに保持して撹拌 しつつ、 2, 6 — ジメ チルー 4 — ( 2 — シ ク ロ ペ ンテ ン 一 1 —ィ ル) フ エ ノ ール 1 0 6 g と トルエン ί 0 6 g との混合溶液を 1 時間かけて滴下 した後、 8 0 °Cでさ ら に 4 時間撹拌した。 得られた反応溶液に、 T H F と M I B Kと を加え、 中性になる まで水で洗浄 した後、 エバポ レータ ーで溶媒および 2 , 6 — ジメ チルフ エ ノ ール を除去した。
得られた 1 , 3 — ビス ( 4 — ヒ ドロキシ一 3 , 5 — ジメ チルフ エニル) シク ロペンタ ン (化合物 I Vと呼ぶ) の G P C分析結果を図 2 に示す。 G P Cによ る収率は 8 2 % (面 積比) であった。 また、 得られた化合物 IVの F D— M Sの 結果を図 3 に示す。 この質量分析結果は、 構造式から導か れる分子量 3 1 0 と一致した。
( 3 ) 化合物 IVのエポキシ化
攪拌機、 冷却器、 温度計を備えた 3 リ ッ トルのフ ラ ス コ にィ匕合物 I V 8 0 g 、 ェピク ロ ロ ヒ ド リ ン 6 0 0 g、 1, 4-ジ ォキサン 3 0 0 g およびジメ チルスルホキシ ド ( D M S 〇 と略す) 8 0 g を入れ、 減圧度 6 5 0 m ni H g、 6 5 で 撹拌しつつ、 4 8 重量%水酸化ナ ト リ ウム水溶液 2 5 g を 1 時間かけて滴下 した後、 系内の水を留去 し、 さ ら に 4 時 間撹拌した。
得られた反応溶液から、 反応に用いた溶媒および未反応 ェピク ロ ロ ヒ ド リ ン を減圧下留去 した後、 M I B Kを 5 0 0 m 1 加え、 生成した無機塩および水酸化ナ ト リ ウムがな く なる まで、 水に よ る洗浄を繰 り返 した。 洗浄液が中性に なった と こ ろで、 M I B Kをエバポレー タ ーで除去 して、 化合物 IVのグリ シジルエーテル化物である 1 , 3 — ビス
[ 4 — ( 2, 3 —エポキシプロボキシ) _ 3, 5 — ジメ チ ルフ エニル] シク ロペンタ ン (化合物 V と呼ぶ) を得た。
Figure imgf000031_0001
得られた化合物 Vの F D — M S および N M Rスペク トル をそれぞれ、 図 4 、 図 5 に示す。 F D — M S から化合物 V の分子量 4 2 2 が同定でき、 図 5 の N M Rスぺク トルから 化合物 Vのそれぞれの官能基が帰属でき る。 低磁場側から 7 p p m付近は 4 H分の芳香族プロ ト ンのシグナルが、 4 〜 2 . 5 p p mに 2, 3 _エポキシプロポキシ基由来のプ 口 ト ンシグナルが、 2 . 5〜 1 . 5 p p mにメ チル基およ びシク ロペンタ ン環のプロ 卜 ンシグナルが観測された。 ィ匕 合物 Vのエポキシ当量は 2 4 8 であった。
ぐ合成例 2 >
( 1 ) 2 —メ チル一 4 — ( 2 — シク ロペンテン一 1 一ィ ル) フ エ ノ ールの合成
2, 6 — ジメ チソレフ エ ノ ール 3 6 6 g の代わ り に 2 —メ チルフ エ ノ ール 3 2 4 g を用い、 トルエンの添加量を 3 2 4 g 、 リ ン酸の添加量を 4 4 g 、 シク ロペンタ ジェンの添 加量を 1 9 8 g と した以外は、 合成例 1 ( 1 ) と 同様に し て、 2 — メ チルー 4 — ( 2 — シク ロペンテ ン一 1 —ィ ル) フ エ ノ ールを合成した。 2 m ni H g、 1 1 5〜 1 2 0 °Cの 留分力 求める 2 —メ チル一 4 — シク ロペンテニルフ エ ノ —ルであった。 この G P C分析結果を図 6 に示す。 G P C 収率は 9 0 % (面積比) であった。
( 2 ) 1 , 3 — ビス ( 4 — ヒ ドロキシ一 3 —メ チルフ エ二 ル) シク ロペンタ ンの合成
Figure imgf000032_0001
2, 6 — ジメチソレフ エ ノ 一ル添加量を 1 0 8 g と し、 P T S添加量を 1 0 g と し、 これに滴下する混合溶液と して 2 —メ チノレー 4 一 ( 2 — シク ロペンテン一 1 ーィ ノレ) フ エ ノ ール 3 4 . 8 g と トルエン 4 0 g との混合溶液を用い、 8 0 °Cでの反応時間を 8 時間と した他は、 合成例 1 ( 2 ) と 同様に して 1 , 3 _ ビス ( 4 — ヒ ドロ キシ一 3 — メ チル フ エニル) シク ロペンタ ン (化合物 VIと呼ぶ) を合成した。 この G P C分析結果を図 7 に示す。 G P C収率は 7 3 %
(面積比) であった。
( 3 ) 化合物 VIのェポキシ化
化合物 IVの代わ リ に化合物 VIを用いた他は合成例 1 ( 3 ) と 同様に して、 1 , 3 _ ビス [ 4 一 ( 2, 3 —エポキシプ ロボキシ) 一 3 —メ チルフ エニル] シク ロペンタ ン (化合 物 V I Iと呼ぶ) を得た
Figure imgf000033_0001
(化合物 W)
得られた化合物 VIIの G P Cク ロマ ト グラフ、 F D— M S および N M Rスペク トルをそれぞれ、 図 8 、 図 9 、 図 1 0 に示す。 G P C ク ロマ ト グラフから求め られた収率は 7 1 %であった。 F D— M Sから化合物 VI Iの分子量 3 9 4 が同定でき、 図 6 の N M Rスぺク トルから化合物 VIIのそ れぞれの官能基が帰属でき る。 低磁場側から 7 p p m付近 は芳香族プロ ト ンのシグナルが、 4 . 4〜 2 . 7 p p mに 2, 3 —エポキシプロポキシ基由来のプロ ト ン シグナルが. 2 . 6〜 1 . 6 p p mにメ チル基およびシク ロペンタ ン環 のプロ ト ンシグナルが観測された。 エポキシ当量は 2 2 4 であつ に。
<合成例 3 >
( 1 ) 1 一 ( 2 —ペ ンテ ン 一 1 一 イ ソレ) 一 2 — ナフ ト ール の合成
攪拌機、 冷却器、 温度計を備えた 2 リ ッ ト ルのフ ラ ス コ に、 2 —ナフ ト ール 1 4 4 g 、 メ タ ノ ール 2 0 0 g および P T S 4 0 g を入れ、 室温で撹拌しつつ、 シク ロペンタ ジ ェン 6 6 g とメ タ ノ ール 6 0 g との混合溶液を 3 時間かけ て滴下 した後、 室温にて さ らに 4 時間撹拌 した。 得られた 反応溶液に、 T H F と M I B Kを加え、 1 0 %水酸化ナ ト リ ウム水溶液 2 0 0 m 1 で 5 回洗浄した後、 中性になるま で水でさ らに洗浄 し、 エバポレー タ ーで溶媒を除去 した。 この G P C分析結果を図 1 1 に示す。 G P Cによ る収率は 9 0 % (面積比) であった。 得られた 1 一 ( 2 —ペンテン - 1 —ィ ル) - 2 —ナフ ト ールの N M Rスぺク トルを図 1 2 に示す。
( 2 ) 2 — ヒ ドロキシ一 1 一 [ 3 — ( 4 — ヒ ドロキシ一 3, 5 — ジメ チソレフ エ二ノレ) シク ロペンチリレ] ナフ タ レ ン の合成
Figure imgf000034_0001
(化合物 H)
2, 6 — ジメ チソレフ エ ノ 一ルの添加量を 2 8 0 g と し、 滴下する混合溶液を 1 ― ( 2 — シク ロペンテ ン— 1 —ィ ル) — 2 —ナフ ト ール 1 2 0 g と トルエン 1 2 0 g との混合溶 液と し、 滴下時間を 2 時間と した他は、 合成例 1 ( 2 ) と 同様に して、 求める 2 — ヒ ドロキシ一 1 — [ 3 — ( 4 — ヒ ドロキシー 3, 5 — ジメ チルフ エニル) シク ロペンチル] ナフ タ レン (化合物 VIIIと呼ぶ) を合成 した。 この G P C 分析結果を図 1 3 に示す。 G P Cによ る収率は 7 2 % (面 積比) であった。 <合成例 4 >
( 1 ) 2 —メ チノレ一 4 — ( 2 — シク ロペンテン一 1 —ィ ル) フエ ノ ールの重合
攪拌機、 冷却器、 温度計を備えた 2 リ ッ トルのフ ラスコ に、 2 —メチソレー 4 — ( 2 — シク ロペンテン一 1 一ィ ル) フ エ ノ ール 1 Ί 4 g、 2 —メ チルフ エ ノ ーソレ 2 7 g および P T S 1 0 g を入れ、 1 1 0 °Cに保持して 4 時間撹拌した。 つぎに、 反応溶液を冷却し、 M I B Kを加えて樹脂を溶解 させた後、 酸を取 り 除く ため水で中性になる まで洗浄し、 エバポレータ 一で溶媒および未反応のモノ マー を除去して、 軟化点 8 1 °C、 数平均分子量 4 5 0 の重合体 (化合物 I Xと 呼ぶ) を得た。 この G P C分析結果を、 図 1 4 に示す。
Figure imgf000035_0001
( 2 ) 化合物 I Xのエポキシ化
化合物 I Vの代わ り に化合物 I X 9 0 g を用い、 水酸化ナ ト リ ウム水溶液の滴下量を 3 0 g と した他は、 合成例 1 ( 3 ) と 同様に して、 化合物 I Vのグリ シジルエーテル化物 (化合 物 X と呼ぶ) を得た。 得られた化合物 Xは室温で流動性を 示し、 エポキシ当量は 2 8 0 であった。
Figure imgf000036_0001
(化合物 X)
<合成例 5 >
( 1 ) 4 一 ( 2 — シ ク ロペンテ ン 一 1 —イ ソレ) フ エ ノ ール の重合
出発物質を 4 — ( 2 — シ ク ロペンテ ン 一 1 —ィ ル) フ エ ノ ーソレ 1 6 0 g 、 フ エ ノ ール 9 . 4 g お よ び P T S 5 g と した他は、 合成例 4 ( 1 ) と 同様に して、 軟化点 8 5 °C、 数平均分子量 6 7 2 の重合体 (化合物 XIと呼ぶ) を得た。 こ の G P C分析結果を 図 1 5 に示す。
Figure imgf000036_0002
( 2 ) 化合物 XIのェポキシ化
化合物 I Xの代わ り に化合物 X Iを用いた他は、 合成例 4
( 2 ) と同様に して、 化合物 XIのグリ シジルェ一テル化物
(化合物 XIIと呼ぶ) を得た。 得られた化合物 XIIは、 軟化 点 6 5 °C、 エポキシ当量 2 9 0 のエポキシ樹脂であった。
Figure imgf000037_0001
(化合物 XII)
<合成例 6 >
( 1 ) 1 — ( 2 — シク ロペンテン一 1 一 ィ ル) 一 2 — ヒ ド ロキシナフ タ レ ンの重合
攪拌機、 冷却器、 温度計を備えた 2 リ ッ トルのフ ラス コ に、 1 一ナフ 卜 一ル 7 2 g および P T S l O g を入れ、 1 0 0 °Cに保持して撹拌 しつつ、 ( 2 — シク ロペンテン一 1 一ィ ル) 一 2 — ヒ ドロ キシナフ タ レ ン 1 0 5 g と トルエン 1 0 5 g との混合溶液を 1 時間かけて滴下 した後、 さ ら に 4 時間撹拌した。
つぎに、 反応溶液に、 M I B K 5 0 0 m l を加えて溶解 させ、 1 0 %水酸化ナ ト リ ウム水溶液 2 0 0 m 1 で 5 回洗 浄 した後、 中性になる まで水で洗浄し、 有機層 をエバポレ —タ ーで脱溶媒して樹脂 (化合物 XI II) を得た。 G P C分 析結果を図 1 6 に示す。 得られた樹脂の平均分子量は 2 5
Figure imgf000037_0002
(化合物 ΧΠΙ) ぐ合成例 7 >
( 1 ) ( 2 — シク ロペンテン一 1 —ィ ル) 一 1 一ナフ ト ー ルの合成
出発物質を、 2 _ナフ ト ールの代わ り に 1 一ナフ ト ール を用いた他は、 合成例 3 ( 1 ) と同様に して、 2 _ ( 2 — シク ロペンテン一 1 —イ ソレ) 一 1 —ナフ ト ールと、 4 —
( 2 — シク ロペンテン一 1 — ィ ル) 一 1 —ナフ ト ールとの 混合物を得た。
Figure imgf000038_0001
( 2 ) 2 — メ チル一 4 — ( 2 — シク ロペンテン一 1 一ィ ル) フ エ ノ ールと、 1 — ( 2 — シク ロペンテン一 1 — ィ ル) 一
2 — ヒ ドロキシナフ タ レ ン との共重合
攪拌機、 冷却器、 温度計を備えた 2 リ ッ トルのフ ラスコ に、 ( 1 ) で得た ( 2 — シク ロペンテン一 1 — ィ ル) 一 1 —ナフ ト 一ル 1 2 1 g 、 2 —メチソレ一 4 — ( 2 — シク ロべ ンテン一 1 —ィ ル) フ エ ノ ーノレ 1 0 0 g および P T S 2 g を入れ、 1 1 0 °Cに保持して 2 時間撹拌 した。 つぎに、 反 応溶液をステン レス製のバッ ト に入れ、 冷却固化 した後、 粉砕してアセ ト ンに溶解させ、 溶液を水に注いで再沈殿さ せて、 触媒に用いた P T S を除去し、 さ ら にアセ ト ン / n 一 へキサン (体積費 1 Z 4 ) を用いて溶解度分別 して未反 応物を除去 し、 軟化点 8 7 °C、 数平均分子量 5 2 0 のコォ リ ゴマー (化合物 X I Vと呼ぶ) を得た。
得られたコオ リ ゴマー (化合物 X I Vと呼ぶ) は、 つぎの 構造式 XIV a によ り表される繰返し単位と、 構造式 XIV b に よ り 表される繰返 し単位と を備え、 共重合比 (すなわち、 1 分子中の繰返し単位 XIV a の数と繰返 し単位 XIV b の数と の比) が 1 : 1 である ラ ンダム共重合体であった。
Figure imgf000039_0001
Figure imgf000039_0002
得られた化合物 XIVの F D— M S スぺク トルを図 1 7 に ' Η— N M Rスペク トルを図 1 8 に、 G P C ク ロマ ト フ ラ フ を図 1 9 に、 それぞれ示す。 ぐ実施例 1 , 2 、 比較例 1 , 2 >
合成例 1 ( 3 ) で得られた化合物 V と、 合成例 6 ( 1 ) で得られた化合物 X I 1 1と を用い、 本発明のエポキシ樹脂お よび変性フ エ ノ ール樹脂の溶融粘度を測定 し、 従来品と比 較した。 結果を、 つぎの表 1 に示す。 表 1
Figure imgf000040_0003
粘度 : ポアズ なお、 比較樹脂 1 は油化シヱル (株) 製 「 Y X— 4 0 0 0 H」 であ り 、 比較樹脂 2 は 日本化薬 (株) 製 「 N H _ 7 0 0 0 」 である。 これらの化合物の構造式をつぎに示す。
Figure imgf000040_0001
(比較樹脂 1 )
Figure imgf000040_0002
(比较樹脂 2 ) 粘度は、 P E L社製 「 I C I コー ンプレー 卜粘度計」 を 使用 して、 測定温度 1 5 0 °Cの条件で樹脂 0 . 1 〜 0 . 3 g をホッ 卜 プレ一 卜 の上に置き、 コー ン を下げた状態で測 定 した 1 分間放置後の溶融粘度である。
この表 1 からわかる よ う に、 本発明の化合物 V , X I 11は いずれも、 類似する構造の従来品よ り も溶融粘度が低く 、 流動性が良好であるため、 電子装置封止用成形材料と して 優れている。
ぐ実施例 3 、 比較例 3 , 4 >
合成例 4 ( 1 ) で得られた変性フ エ ノ ール樹脂と従来品 と を比較するため、 各種樹脂をエポキシ樹脂硬化剤と して 用い、 エポキシ樹脂と して住友化学 (株) 製 「 E S C N— 1 9 0」 (エポキシ当量 1 9 5 のオルソ ク レ ゾールノ ボラ ッ ク型エポキシ樹脂) を用いた樹脂組成物を調製し、 硬化 させて、 その吸湿率を測定 した。
まず、 エポキシ樹脂 「 E S C N _ 1 9 0 」 と、 このェポ キシ樹脂のエポキシ基に対 して 1 当量のエポキシ樹脂硬化 剤と、 エポキシ樹脂 1 0 0重量部に対して 6 重量部の硬化 促進剤 (サンァプロ (株) 製 「 S A— 8 4 1 」 ) と を混合 し、 得られた混合物を ら いかい機によ り 3 0分粉砕して、 エポキシ樹脂組成物を調製 した。
得られたエポキシ樹脂組成物をステン レス鏡板に挟み、 1 4 0 °C、 3 0分、 3 M P a の条件でプレス成形 した後、 1 7 5で、 5 時間の条件で後硬化処理を行っ て、 厚さ 2 m mの試験用樹脂板を作製し、 直径 5 0 m mの試験片を切 り 取って、 8 5 °C / 8 5 % R Hの条件で、 7 2 時間および 1 6 8 時間の吸湿率を測定した。 用いたエポキシ樹脂硬化剤 と測定結果と を、 つぎの表 2 に示す。 表 2
Figure imgf000042_0002
なお、 比較樹脂 3 は明和化成 (株) 製 「 H— 1 」 (フ エ ノ ールノ ボラ ッ ク樹脂) であ り 、 比較樹脂 4 は 日本石油 (株) 製 「 D P P — M」 (主鎖骨格に 卜 リ シク ロ [ 5 . 2 1 . 0 2· 6 ] デシ レ ン基を有するフ エ ノ ール樹脂) である。 これらの化合物の構造式をつぎに示す。
Figure imgf000042_0001
(比铰樹脂 3) (比較樹脂 4)
<実施例 4〜 7 、 比較例 5 , 6 >
( 1 ) エポキシ樹脂組成物の調製
実施例 4 :
エポキシ当量 2 0 0 、 軟化点 7 3 °Cのオルソ ク レゾ一ル ノ ボラ ッ ク型エポキシ樹脂 8 0 重量部と、 臭素比率 5 0 重 量%、 エポキシ当量 3 7 5 の臭素化ビスフ エ ノ ール A型ェ ポキシ樹脂 2 0 重量部と、 合成例 4 ( 1 ) において得られ た化合物 XI (軟化点 8 1 °C、 数平均分子量 4 5 0 、 水酸基 当量 1 5 2 ) 6 9 重量部と、 ト リ フ エニルホスフ ィ ン 1 . 5 重量部と、 カルナバワ ッ ク ス 3 重量部と、 カーボンブラ ッ ク 1 重量部と、 γ — グ リ シ ドキシプロ ピゾレ ト リ メ ト キシ シラ ン 4 重量部と、 石英ガラス粉 (組成物全量の 7 5 重量 % ) と を、 混練装置 ( 1 0 イ ンチ径の加熱ロ ール) を使用 して、 8 0〜 9 0 °Cで 1 0 分間混練し、 実施例 4 のェポキ シ樹脂組成物を得た。
実施例 5 :
エポキシ樹脂硬化剤と して、 化合物 XIの代わ り に化合物 XIV (軟化点 8 7 °C , 数平均分子量 5 2 0 、 水酸基当量 1 Ί 6 ) 8 0 重量部を用いた他は、 実施例 4 と 同様に してェポ キシ樹脂組成物を調製 した。
実施例 6 :
オルソ ク レゾ一ルノ ポラ ッ ク型エポキシ樹脂の代わ り に、 融点 1 0 6 °C、 エポキシ当量 1 8 8 のビフ エニル骨格型ェ ポキシ樹脂 ( 4, 4 ' 一 ビス ( 2, 3 _エポキシプロ ポキ シ) _ 3, 3 ' , 5, 5 ' —テ ト ラメ チルビフ エニル : 油 ィ匕シェルエポキシ社製 「ェピコー ト Y X— 4 0 0 0 H J ) を用い、 ト リ フ エニルホスフ ィ ン を 2 . 5 重量部に、 石英 ガラス粉を 8 5 重量%に した以外は、 実施例 4 と 同様に し てエポキシ樹脂組成物を調製 した。
実施例 7 :
エポキシ樹脂硬化剤と して、 化合物 XIの代わ り に化合物 IV (軟化点 8 Ί °C 数平均分子量 5 2 0 、 水酸基当量 1 Ί 6 ) 8 0 重量部を用いた他は、 実施例 6 と 同様に してェポ キシ樹脂組成物を調製 した。
比較例 5 :
エポキシ樹脂硬化剤と して、 化合物 XIの代わ り に、 上述 の比較樹脂 3 (水酸基当量 1 0 6 、 軟化点 8 3 °Cのフ エ ノ 一ルノ ボラ ッ ク樹脂) 4 8 重量部を他は、 実施例 4 と同様 に してエポキシ樹脂組成物を調製した。
比較例 6 .:
エポキシ樹脂硬化剤と して、 化合物 XIの代わ り に比較樹 脂 3 を 5 1 重量部を用 いた他は、 実施例 6 と 同様に してェ ポキシ樹脂組成物を調製した。
( 2 ) 樹脂封止型電子装置の作製
以上によ り得られた各エポキシ樹脂組成物を封止用成形 材料と して用いて、 樹脂封止型半導体装置を作製した。
8 X 1 0 X 0 . 4 m mのテス ト用 シ リ コ ンチッ プ 1 Ί 1 を リ ー ドフ レーム 1 7 2 上に接着剤 1 7 3 を用いて接着し、 I Cチッ プ 1 7 1 のボンディ ングパッ ド部と リ ー ドフ レー ム 1 と を金線 1 7 4 に よ り ワイ ヤボンディ ングした (図 2 0 ) ) 。
つぎに、 各エポキシ樹脂組成物を用いて、 チッ プ 1 7 1 全体を覆う よ う に ト ラ ンスフ ァ成形 し、 封止部材 1 7 5 を 形成 した。 これによ り 、 図 2 0 ( b ) に示す、 外形寸法 2 0 X 1 4 X 2 . 7 m mの 8 0 ピンフ ラ ッ 卜ノ ッケー ジが得 られた。
なお、 ト ラ ンスフ ァ成形は、 ト ラ ンスフ ァ ブレス を用い て 1 8 0 ± 3 °C、 6 . 9 ± 0 . 1 7 M P a 、 9 0 秒の条件 で樹脂組成物を成形した後、 1 8 0 ± 5 ° ( 、 5 時間の条件 で後硬化処理を実施する こ と によ リ行った。
( 3 ) 特性の測定 · 評価
上記 ( 1 ) において得られた各エポキシ樹脂組成物およ び電子装置について、 その特性を測定 ' 評価 した と こ ろ、 表 3 に示す結果が得られた。 この結果から、 各実施例のェ ポキシ樹脂組成物は、 ク レ ゾ一ルノ ポラ ッ ク型エポキシ樹 脂系およびビフ エニル型エポキシ樹脂系のいずれの場合も、 従来のフ エ ノ ールノ ボラ ッ ク樹脂を硬化剤とする比較例 1 、 2 の樹脂組成物に比べて、 接着強度が高 く 、 吸水率が小さ く なつて お り 、 この結果、 耐はんだ性 (耐 リ フ ロ ー性) 力 格段に向上している。 さ ら に、 各実施例の樹脂組成物は、 流動性の指標であるスパイ ラルフ ロー値も 良好であ り 、 流 動性にも優れている こ とがわかった。 表
Figure imgf000046_0001
表 3 に示 した各特性値は、 つぎのよ う に して測定 した。 a . スノ ィ ラルフ ロー
A S T M (米国材料試験協会) D 3 1 2 3 に準拠し、 1 8 0 ± 3 ° (:、 6 . 9 ± 0 . 1 7 M P a の条件で流動長さ を測定した。
b . 接着強度
厚さ 5 0 μ m幅 1 0 m mのアルミ 箔上に樹脂組成物を広 げ、 ト ラ ンスフ ァ プレスにて 1 8 0 ± 3 °C、 6 . 9 ± 0 . 1 7 M P a 、 9 0 秒の条件で成形した後、 1 8 0 ± 5 ° (:、 5 時間の条件で後硬化処理を行い、 引張 り試験機にて成形 品 (厚さ 3 m m ) 上のアルミ 箔の 9 0 °C方向のピール強さ を求めた。
c . 吸水率
直径 5 0 m m、 厚さ 3 m mの円板を成形するための金型 を使用 し、 ト ラ ンスフ ァ プレスにて 1 8 0 ± 3 °C、 6 . 9 ± 0 . 1 7 M P a 、 9 0 秒の条件で樹脂組成物を成形した 後、 1 8 0 ± 5 °C、 5 時間の条件で後硬化処理を行い試験 片を形成した。 得られた試験片を、 日本工業規格 J I S - K一 6 9 1 1 に準拠し、 8 5 °C、 8 5 % R Hの条件下で加 湿して、 所定時間毎に重量を測定 して吸水率を求めた。 d . 耐リ フ 口一性
上述の ( 2 ) において作製したテス ト用 I C装置を所定 時間加湿 し、 その後、 2 1 5 °Cのべ一パフ ェ ーズリ フ ロー で 9 0 秒加熱し、 顕微鏡観察でク ラ ッ ク を観察 して、 所定 時間毎の不良数を調べた。 産業上の利用可能性 以上のよ う に、 本発明にかかる シク ロペンチ レ ン化合物 および該化合物を含むエポキシ樹脂組成物/電子装置封止 用成形材料は、 流動性が高く 低吸湿であるため、 特に、 半 導体装置な どの樹脂封止型電子装置を製造するのに適 して いる。
本発明の電子装置封止用エポキシ樹脂成形材料を用いて I C 、 L S I (大規模集積回路) な どの電子装置を封止す れば、 実施例において示 したよ う に、 耐はんだ性および成 形性に優れた製品を得る こ とができ、 その工業的価値は大 である。
また、 本発明にかかる シク ロペンテニル化合物は、 上述 のシク ロペンチ レ ン化合物の中間体と して有用である。

Claims

請求の範囲
1 . 下記一般式 ( I ) によ り表される化合物。
Figure imgf000049_0001
で、 mは正の数を示し、 A r 1
Figure imgf000049_0002
で表される 1 価の有機基のう ちの少な く と もいずれかを示 し、 A r 2は、 X
Figure imgf000049_0003
Y
で表される第 1 の原子団、
Figure imgf000049_0004
で表される第 2 の原子団、 および、
Figure imgf000049_0005
で表される第 3 の原子団のう ちの、 少な く と もいずれかの 2 価の有機基を示す。 なお、 Xは水酸基または 2 , 3 — ェ ポキシプロポキシ基を、 Y は水素原子、 水酸基または 2 , 3 —エポキシプロポキシ基を、 Z は水素原子、 フ エニル基、 ヒ ドロキシフ エニル基または 2 , 3 —エポキシプロポキシ フ エニル基を、 それぞれ示し、 R'〜 R4 は、 水素と、 炭素 数 1 〜 1 0 のァ ソレキル基およびァ リ ー ル基と、 ノ、ロゲン原 子とからそれぞれ独立して選ばれる基を示す。 )
2 . 上記 mは数平均 2 0 以下である、 請求項 1 記載の化 合物。
3 . —分子中に、 上記 A r 2 と して上記第 1 の原子団と、 上記第 2 の原子団と を含むコオ リ ゴマーであ り 、
一分子中の、 上記第 1 の原子団の数と上記第 2 の原子団 の数との比が、 2 0 : 1 〜 1 : 2 0 である、 請求項 1 記載 の化合物。
4 . 一分子中に、 上記 A r 2 と して上記第 3 の原子団を さ ら に含み、
一分子中の、 上記第 1 の原子団および上記第 2 の原子団 の総数と、 上記第 3 の原子団の数との比が、 9 : 1 〜 8 : 2 である、 請求項 3 記載の化合物。
5 . 一分子中に、 上記 A r 2 と して、 上記第 1 の原子団 および上記第 2 の原子団のいずれかと、 上記第 3 の原子団 と を含み、
一分子中の、 上記第 1 の原子団または上記第 2 の原子団 の数と、 上記第 3 の原子団の数との比が、 9 : 1〜 8 : 2 である、 請求項 1 記載の化合物。
6 下記一般式 (II) によ り表される化合物。
Figure imgf000051_0001
で、 A r 1
Figure imgf000051_0002
で表される 1 価の有機基の少な く と も いずれかを示す。 な お、 Xは水酸基または 2, 3 —エポキシプロポキシ基を、 Υは水素原子、 水酸基または 2, 3 —エポキシプロポキシ 基を、 Ζ は水素原子、 フ エニル基、 ヒ ドロキシフ エニル基 または 2, 3 —エポキシプロポキシフ エニル基を、 それぞ れ示し、 R'〜R4は、 水素原子と、 炭素数 1 〜 1 0 のアル キル基およびァ リ ール基と、 ハロゲン原子とから それぞれ 独立して選ばれる基を示す。 )
7 下記一般式 (III) によ り 表される化合物。
Figure imgf000052_0001
(こ こで、 シク ロペンテ二ル基は 2 — シク ロペンテン一 1 —ィ ル基または 3 — シク ロペンテン一 1 —ィ ル基であ り 、
Figure imgf000052_0002
で表される 1 価の有機基を示す。 なお、 Xは水酸基または 2, 3 —エポキシプロポキシ基を、 Yは水素原子、 水酸基 または 2, 3 —エポキシプロポキシ基を、 Z は水素原子、 フ エニル基、 ヒ ドロキシフ エニル基または 2, 3 —ェポキ シプロポキシフ エニル基を、 それぞれ示 し、 R '〜R 4は、 水素原子と、 炭素数 1〜 1 0 のアルキル基およびァ リ ール 基と、 ハロゲン原子とから それぞれ独立して選ばれる基を 示す。 )
8 . 1 分子中に 2 個以上のエポキシ基を有するエポキシ 樹脂と、
下記一般式 ( I ) によ り 表される化合物および下記一般 式 (Π ) によ り表される化合物の少な く と も いずれかを含 む変性フ エ ノ ール樹脂と を含み、
Figure imgf000053_0001
(こ こで、 mは正の数を示し、 A r 1
Figure imgf000053_0002
で表される 1 価の有機基のう ちの少な く と も いずれかを示 し、 A r 2は、 X
Figure imgf000053_0003
Y
で表される第 1 の原子団、
Figure imgf000053_0004
で表される第 2 の原子団、 および、
Figure imgf000053_0005
で表される第 3 の原子団のう ちの、 少な く と も いずれかの 2 価の有機基を示す。 なお、 Xは水酸基または 2, 3 —ェ ポキシプロポキシ基を、 Y は水素原子、 水酸基または 2, 3 —エポキシプロポキシ基を、 Z は水素原子、 フ エニル基 ヒ ドロキシフ エニル基または 2 , 3 —エポキシプロポキシ フ エニル基を、 それぞれ示 し、 X、 Y および Z の少な く と もいずれかは水酸基であ り 、 R 1〜 R 4は、 水素原子と、 炭 素数 1 〜 1 0 のアルキル基およびァ リ ール基と、 ノ、ロゲン 原子とから それぞれ独立して選ばれる基を示す。 )
上記変性フ エ ノ ール樹脂の水酸基数は、 上記エポキシ樹 脂のエポキシ基数を 1 とする と き、 0 . 7〜 1 . 3 である エポキシ樹脂組成物。
9 . 無機充填剤を さ らに含み、
上記無機充填剤の含有量は、 上記組成物全量の 7 0 重量 %以上である、 請求項 8 記載のエポキシ樹脂組成物。
1 0 . エポキシ樹脂硬化剤と、
下記一般式 ( I ) によ り表される化合物および下記一般 式 (I I ) によ り表される化合物の少な く と も いずれかを含 むエポキシ樹脂と を含むエポキシ樹脂組成物。
Figure imgf000054_0001
で、 mは正の数を示 し、 A r ' は
Figure imgf000055_0001
で表される 1 価の有機基のう ちの少な く と もいずれかを示 し、 A r 2は、
Figure imgf000055_0002
で表される第 1 の原子団、
Figure imgf000055_0003
で表される第 2 の原子団、 および、
Figure imgf000055_0004
で表される第 3 の原子団のう ちの、 少な く と もいずれかの 2 価の有機基を示す。 なお、 Xは水酸基または 2 , 3 —ェ ポキシプロポキシ基を、 Y は水素原子、 水酸基または 2 , 3 —エポキシプロポキシ基を、 Z は水素原子、 フ エニル基 ヒ ドロキシフ エニル基または 2, 3 —エポキシプロポキシ フ エニル基を、 それぞれ示し、 X、 Yおよび Zの少な く と もいずれかは 2, 3 —エポキシプロポキシ基であ り 、 R1 〜R4は、 水素原子と、 炭素数 1 〜 1 0のアルキル基およ びァ リ ール基と、 ハロゲン原子とからそれぞれ独立して選 ばれる基を示す。 )
1 1 . 上記エポキシ樹脂硬化剤の含有量は、 上記ェポキ シ樹脂のエポキシ基数に対して、 0 . 5〜 2 . 0 当量であ る、 請求項 1 0記載のエポキシ樹脂組成物。
1 2 . 無機充填剤を さ らに含み、
上記無機充填剤の含有量は、 上記組成物全量の 7 0重量 %以上である、 請求項 1 0記載のエポキシ樹脂組成物。
1 3 . 下記一般式 ( I ) によ り表される化合物および下記 一般式 (II) によ り表される化合物の少な く と もいずれか を含む電子装置封止用エポキシ樹脂成形材料。
Figure imgf000056_0001
で、 mは正の数を示 し、 A r 1 は または 〇
Figure imgf000057_0001
で表される 1 価の有機基のう ちの少な く と も いずれかを示 し、 A r 2は、 X
Figure imgf000057_0002
で表される第 1 の原子団、
Figure imgf000057_0003
で表される第 2 の原子団、 および、
Figure imgf000057_0004
で表される第 3 の原子団のう ちの、 少な く と もいずれかの 2 価の有機基を示す。 なお、 Xは水酸基または 2, 3 —ェ ポキシプロポキシ基を、 Y は水素原子、 水酸基または 2 , 3 —エポキシプロポキシ基を、 Z は水素原子、 フ ヱニル基 ヒ ドロキシフ エニル基または 2, 3 —エポキシプロポキシ フ エニル基を、 それぞれ示 し、 R '〜 R 4 は、 水素原子と、 炭素数 1 〜 1 0 のアルキル基およびァ リ ール基と、 ノ \ロゲ ン原子とからそれぞれ独立して選ばれる基を示す。 )
1 4 . 上記化合物は、 X、 Y および Z の少な く と もいず れかが水酸基である変性フ エ ノ 一ル樹脂であ り 、
上記成形材料は、
1 分子中に 2 個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂 と、
無機充填剤と を さ ら に含む、 請求項 1 3 記載の電子装置 封止用エポキシ樹脂成形材料。
1 5 . 上記変性フエ ノ ール樹脂の水酸基数は、 上記ェポ キシ樹脂のエポキシ基数を 1 とする とき、 0 . 7 〜 1 . 3 であ り 、
上記無機充填剤の含有量は上記成形材料全量の 7 0 重量 %以上である、 請求項 1 4 記載の電子装置封止用エポキシ 樹脂成形材料。
1 6 . 上記化合物は、 X、 Y および Z のう ちの少なく と もいずれかが 2 , 3 —エポキシプロポキシフ エニル基であ るエポキシ樹脂であ り 、
上記成形材料は、 エポキシ樹脂硬化剤と無機充填剤と を さ ら に含む、 請求項 1 3 記載の電子装置封止用エポキシ樹 脂成形材料。
1 7 . 上記エポキシ樹脂硬化剤の含有量は、 上記ェポキ シ樹脂のエポキシ基数に対して、 0 . 7 〜 1 . 3 当量であ 、
上記無機充填剤の含有量は上記成形材料全量の 7 0重量 %以上である、 請求項 1 6 記載の電子装置封止用エポキシ 樹脂成形材料。
1 8 . 素子と、 該素子を封止する封止部材と を備え、 上記封止部材は、
請求項 1 3 記載の電子装置封止用エポキシ樹脂成形材料 の硬化物を含む、 樹脂封止型電子装置。
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