WO1994020443A1 - Dicyclohexylethylene derivative - Google Patents

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WO1994020443A1
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Noriyuki Ohnishi
Shuuichi Matsui
Tomoyuki Kondo
Yasuyuki Goto
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Chisso Corporation
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    • C09K19/3048—Cyclohexane rings in which at least two rings are linked by a carbon chain containing carbon to carbon double bonds

Definitions

  • the present invention relates to a dicyclohexylethylene derivative, and more particularly, to a dicyclohexylethylene derivative, which is a compound suitable as one component of a display material, and a liquid crystal composition having the derivative.
  • liquid crystal display devices have been introduced as display devices in personal computers and office automation equipment, and their importance has been rapidly increasing.
  • STN super-twisted nematic
  • SBE super-twisted-by-reflection effect
  • TFT thin film transistors
  • the reason for this is that the amount of information is increased by using these methods, and as a result, it is possible to display a blank image and enlarge the screen.
  • the liquid crystal materials used in these display methods have various characteristics, such as having a liquid crystal phase in the temperature range where the display element is used, and are stable against environmental factors (moisture, heat, air, light, electricity, etc.). That it is colorless, has a large (or small) refractive index anisotropy (hereinafter abbreviated as ⁇ ), has a large dielectric anisotropy (hereinafter abbreviated as ⁇ ), and has a high viscosity.
  • ⁇ refractive index anisotropy
  • ⁇ dielectric anisotropy
  • liquid crystal materials actually used include several types of liquid crystal compounds or A liquid crystal composition obtained by mixing a compound having a special purpose. Therefore, the liquid crystal compound must have good solubility in other liquid crystals.
  • a liquid crystal compound is a compound which does not show any mesophase itself but contributes to various properties as a liquid crystal when mixed with a liquid crystal substance.
  • a compound represented by the following formula ( ⁇ ) is known as a compound similar to the present invention.
  • R represents a linear alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.
  • the compounds of the formulas (III) and (IV) have a large dielectric anisotropy ⁇ similarly to the compounds of the present invention, but have a drawback that their solubility in other liquid crystal compounds at low temperatures is poor, so that they are somewhat Hard to use.
  • R represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.
  • the compound of formula (III) is very similar in structure to the compound of the present invention, and the compound of the present invention has a pentenyl group in the central bonding group, whereas the compound of the formula (III) has a ethanediyl group.
  • the only difference is the central linking group.
  • the latter has been found to have an induced smectic phase at low temperatures, and is liable to have the disadvantage that the electro-optical response at low temperatures is extremely poor.
  • the present inventors have sought a nematic compound having a dielectric anisotropy that is equal to or higher than that of the compound of the formula (III) and that does not generate a smectic phase at low temperature when mixed with another nematic liquid crystal. ing.
  • a wide operating temperature range, fast response speed, low drive voltage, etc. are required in various liquid crystal display systems, not limited to the above-mentioned liquid crystal display systems.
  • the present invention provides a dicyclohexylethylene derivative represented by the following general formula (I) and a liquid crystal composition having the derivative as at least one component.
  • R represents a linear alkyl group having 1 to 10 carbon atoms
  • X represents a fluorine atom or a trifluoromethyl group
  • all 1,4-cyclohexylene groups are trans-type.
  • the ethenzyl group is also in trans form.
  • the compound of the present invention is represented by the following formulas (la) and (lb). Among these compounds, compounds in which n is 2 to 7 are preferable.
  • the compound represented by the formula (I) may be another liquid crystal compound, for example, an ester, a Schiff base, an ethane, an acetylene, an azoxy, a biphenyl, a cyclohexane, a cyclohexene, or a pyridine.
  • excellent compatibility with existing liquid crystalline compounds such as gin, pyrimidine, dioxane, and fluorine compounds.By mixing with these compounds or mixtures, liquid crystal materials suitable for various applications are prepared. can do.
  • the compounds of the present invention are very stable against environmental factors (moisture, heat, air, light, electricity, etc.).
  • the compound of the formula (I) is also suitable as a raw material for synthesizing other liquid crystal compounds.
  • a liquid crystal compound of the formula (VI) can be obtained by catalytic reduction.
  • R and X have the meaning given above.
  • a Grignard reagent prepared from aryl Promide of the formula (1), for example, P-toluenesulfonic acid, hydrogen sulfate, hydrochloric acid, sulfuric acid
  • a dehydration reaction is performed in the presence of an acid catalyst such as a cation exchange resin to obtain a cyclohexene derivative of the formula (2).
  • This is catalytically reduced in the presence of a Pd, Ni, Pt-based catalyst or the like, and further treated with an acidic aqueous solution to obtain a cyclohexanone derivative of the formula (3).
  • an imide obtained by treating methoxymethyltriphenylphosphonium chloride with a base such as n-butyllithium or potassium-t-butoxide is reacted with a compound of the formula (3).
  • a base such as n-butyllithium or potassium-t-butoxide
  • an aldehyde derivative of the formula (4) is obtained.
  • the phosphonium salt of the formula (5) is treated with a base such as n-butyllithium or potassium-t-butoxide to react with the ylide.
  • a xyl dimethylene derivative is obtained.
  • This cis form is converted to a trans form to give the compound of the formula (I) of the present invention.
  • the ethylene derivative of formula (I ') is oxidized with a peroxide such as m-chloroperbenzoic acid, then brominated with dibromotrifuunylphosphorane, and finally reduced with Zn.
  • a dicyclohexylethylene derivative of the formula (I) which is a compound of the present invention is obtained.
  • the liquid crystal composition of the present invention comprises at least two liquid crystal compounds, at least one of which is a liquid crystal compound represented by the above formula (I).
  • liquid crystal composition of the present invention include
  • a component containing one or more compounds having a high dielectric anisotropy of 5 ( ⁇ ) A component containing one or more compounds having a high dielectric anisotropy of 5 ( ⁇ ), (ii) A component containing one or more compounds of a low dielectric anisotropy of 5 which is I ⁇ I (C),
  • (II) 8 (at least one component selected from the group consisting of one or more compounds having a clearing point exceeding TC (D)).
  • the liquid crystal composition provided by the present invention preferably includes, in addition to the component ( ⁇ ) containing at least one compound represented by the formula (I), the above (a) to ( ⁇ ).
  • Preferred compounds as the component (II) of the liquid crystal composition of the present invention are shown below.
  • R represents an alkyl or alkenyl group having 1 to 10 carbon atoms, and one or two non-adjacent methylene groups of the group may be replaced by an oxygen atom.
  • Preferred compounds as component (C) of the liquid crystal composition of the present invention are shown below.
  • R and R ′ each independently represent an alkyl or alkenyl group having 1 to 10 carbon atoms, and one or two non-adjacent methylene groups of the group may be replaced by an oxygen atom. Good.
  • component (D) of the liquid crystal composition of the present invention are shown below.
  • R and R ′ each independently represent an alkyl or alkenyl group having 1 to 10 carbon atoms, and one or two non-adjacent methylene groups of the group may be replaced by an oxygen atom. Good.
  • Preferred compounds as the other component (E) in the liquid crystal composition of the present invention are shown below.
  • R represents an alkyl or alkenyl group having 1 to 10 carbon atoms, and one or two non-adjacent methylene groups of the group may be replaced by an oxygen atom.
  • side substituent (F) means an F atom or an unsubstituted H atom.
  • N 1 point Nematic isotropic liquid phase transition point
  • THF tetrahydrofuran
  • reaction solution was further stirred for 4 hours, and extracted with 300 ml of a saturated aqueous solution of ammonium chloride and 300 ml of ethyl acetate. After washing with saturated saline, magnesium sulfate was added and dried. After concentration, 500 m of heptane was added, and the precipitated crystals were filtered. The filtrate was concentrated and subjected to column chromatography with a silica gel column using a heptane solvent, followed by concentration. To this was added 150 mL of 2N hydrochloric acid and 300 mL of THF, stirred for 8 hours at room temperature, added 300 mL of ethyl acetate and extracted, and extracted this saturated solution with saturated sodium carbonate.
  • the NMR spectrum shows the target substance (Erythro 1,2—Jib mouth mo 1,1 (trans-14-propylcyclohexyl)) 1 2 ′ — (trans-1 4-— (2,3,4— Trifluorophenyl) cyclohexyl) ethane).
  • a 1-pound three-neck flask containing 57.ig of methoxymethyltriphenylphosphonium chloride and 50 m of THF was cooled to 110, and 18.9 g of potassium t-butoxide was added. After the reaction solution was stirred at O'C for 1 hour, a 100 m THF solution of 29.4 g of the compound obtained in (ii) was added dropwise. The reaction solution was further stirred for 4 hours, and extracted by adding 300 mL of a saturated aqueous solution of ammonium chloride and 300 mL of ethyl acetate.
  • the extract was washed with brine, dried over magnesium sulfate, concentrated, and added with 500 ml of heptane, and the precipitated crystals were filtered.
  • the filtrate was concentrated, subjected to column chromatography using a silica gel column with a heptane solvent, and concentrated again.
  • the extract was washed with an aqueous sodium carbonate solution and then with a saturated saline solution. Add magnesium sulfate, dry and concentrate 3 1.
  • the NMR spectrum of this product shows the target substance (Eris 1-, 2-Jib-mode 1'-1 (trans- 4-propyl-hexyl) hexyl 2'-) (Trans-4-1 (3,5-difluoro-1 4-) Trifluoromethylphenyl) hex hexyl) ethane).
  • the NI point of the liquid crystal composition A consisting of 30 parts by weight was 52.3, ⁇ was ⁇ 0.7, ⁇ was 0.119, and the viscosity at 20 was 22 c ⁇ .
  • the compound shown in Example 1 of the present invention ( ⁇ ) ⁇ —2- (trans-4- (3> 45-trifluorophenyl) cyclohexyl) 1-1-1
  • the liquid crystalline composition to which 15 parts by weight of trans (4-n-butyl D-bicyclohexyl) ethene was added had an NI point of 53.2, ⁇ of 10.8, ⁇ of 0.119, and a viscosity at 20 of 25. , 0 cP.
  • the crystals did not precipitate even after standing in the _ 2 O'C freezer for 20 days.
  • the compound of the present invention can increase the NI point, suppress the increase in viscosity as much as possible, and is a compound having good low-temperature compatibility. Comparative example
  • Example 3 (E) —2— (trans-1-4- (3,4,5-trifluorophenyl) cyclohexyl) 111 (trans-1-41-n-propylcyclohexyl) A liquid crystal composition A and a liquid crystal composition B to which the compound (A) and the compound (B) represented by the following formulas were respectively added were prepared, and their characteristics were examined in the same manner as in Example 3.
  • a liquid crystal composition comprising 5% by weight of 4- (trans-4-propylcyclohexyl) -12-fluoro-1,4-butyltran was prepared and its physical properties were measured.
  • the NI point was' 7.17.1, ⁇ ⁇ . : 5.7, ⁇ n: 0.132, 20.
  • a liquid crystal composition comprising 3% by weight of 4-fluorophenyl trans-14- (trans-14-pentylcyclylhexyl) cyclohexanecarboxylate was prepared and its physical properties were measured.
  • the NI point was 87.6. , ⁇ ⁇ : 4.3, mm ⁇ : 0,0919, ⁇ ⁇ : 17.7 cP, V th: 2.22 V.
  • a liquid crystal composition composed of 4-(trans-4- (trans-14-propylcyclohexyl) cyclohexyl) toluene 5 wt% was prepared and its physical properties were measured.
  • the NI point was 79.6. , ⁇ ⁇ : 4.9, mm ⁇ : 0.0762, ⁇ 20.7 c P. V th: 1.9 3 V.
  • a liquid crystal composition composed of 4-(trans-1-4-propylcyclohexyl) -12-fluoro-4'-butyrtran was prepared at 6% by weight, and its physical properties were measured.
  • the NI point was 87.6 '( :, ⁇ : 8.5, ⁇ : 0.1498, ?? 20 : 25.7 cP, Vth: L78V.
  • a liquid crystal composition comprising 8% by weight 55% 11-penpentyl-yl- 22-((44'-fluoro-biphenyl-2-yl) pyrimidine 8% by weight was prepared and its physical properties were measured.
  • N 72.2, ⁇ : 7.6, mm ⁇ : 0.1572, ?? 20 : 30.3 c ⁇ Vth: 1.74 V.
  • a liquid crystal composition containing 4% by weight of 4- (2- (trans-14-propylcyclohexyl) ethyl) -14, —provirtolan was measured and its physical properties were measured.
  • the NI point was 8: 1. 3 X ⁇ e: 4.4, ⁇ n: 0.161, 1,? ? 20 : 23.5 cP, Vth: 2.37 V.
  • a liquid crystal composition comprising 8% by weight of 1- (trans-14- (trans-14-propyicyclohexyl) cyclohexyl) -12-fluorene benzonitrile was prepared and its physical properties were measured. , NI point: 69.0, mu ⁇ : 13.9, mu ⁇ : 0.122, 4,? ? 20 : 34.5 c ⁇ , Vth: 1.24 V
  • a liquid crystal composition composed of 2% by weight of 4 '-(trans-14-pentylcyclohexyl) -14- (trans-14-pentylcyclohexyl) -12-fluorobiphenyl was prepared.
  • a nematic composition was prepared comprising 7% by weight of 4- (trans-14-propylcyclohexyl) -14, -methoxymethylbiphenyl.
  • a nematic composition comprising 5% by weight of 2- (trans-41- (trans-4-1-propylcyclohexyl) cyclohexyl) -1- (4-propylphenyl) ethane was prepared.
  • the compound of the present invention has a high NI point, the operating range of the liquid crystal display device can be widened, and since the viscosity is low, the response speed of the liquid crystal display device can be improved.
  • the driving voltage of the element can be reduced. Furthermore, since it is very stable against environmental factors, it can be used for various liquid crystal display devices (for example, an active matrix system using TFT).

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Description

明 細 書
ジシク口へキシルエチレン誘導体 本発明は、 ジシクロへキシルエチレン誘導体に関し、 さらに詳しくは表 示材料の一成分として好適な化合物であるジシクロへキルエチレン誘導体 および該誘導体を舍有する液晶組成物に関する。
膽
近年、 液晶表示素子は、 パソコンや O A機器などに表示装置として導入 されており、 その重要性は急激に増大している。 これにはいくつかある液 晶表示方式の中でもスーパーッイストネマチック方式 （S T N ) あるいは スーパーツイステツ ドバイ リフリ ンジエンスエフェク ト （S B E ) 方式、 および薄膜トランジスタ （T F T ) を用いたアクティブマ トリ ックス方式 の表示装置が用いられている。
この理由はこれらの方式を用いることにより情報量が増え、 その結果と して、 カラ一表示および表示の大画面化が可能になったからである。 これ らの表示方式に用いられる液晶材料には種々の特性、 例えば表示素子を用 いる温度領域に液晶相を有すること、 環境因子 （水分、 熱、 空気、 光、 電 気等） に対して安定であること、 無色であること、 屈折率の異方性量 （以 下 Δ ηと略記する） が大きい （または小さい） こと、 誘電率の異方性量 (以下 Δ εと略記する） が大きいこと、 粘度が低いこと、 比抵抗率が高く さらにその経時変化の小さいこと、 d / pマ一ジン （ d ： セル厚、 p : ピ ツチ長） が広いことなどが要求される。 しかし、 現在、 単一の化合物でこ れらの要件を満足させて表示素子に使用できるものがなく、 そのため、 実 際に使用されている液晶材料は、 数種の液晶性化合物を、 またはこれに特 殊の目的をもつ化合物を混合して得られる液晶組成物である。 したがって、 液晶性化合物は他の液晶に対する溶解性が良くなければならない。 本明細 書において、 液晶性化合物とはそれ自体が顕在的に中間相を示さずとも、 液晶物質に混合したときに液晶としての諸特性に何らかの面で寄与する化 合物のことである。 本発明に類似する化合物として以下の式 （Π) で表される化合物が知ら れている。
Cn¾n+1 ~ -CH=CH- -0-CN (Π) 式 （II) において、 ηは 3、 4、 5、 6、 または 7の整数である。 （特 開昭 6 1—2 1 533 6 ) 。 しかし、 この化合物は、 粘度が高く、 低温で 既存の多くの液晶化合物との相溶性が悪い。 さらに、 T FT方式の表示材 料に要求される比抵抗率ならびにその経時変化の面からもこの化合物には 使用し難い欠点がある。
また、 本発明に類似の後記の式 （III)の化合物が US 5, 055, 22
0に開示さている。 この化合物は液晶温度範囲が広く、 低粘性であるカ^ 誘電率の異方性が小さいことが弱点である。
Figure imgf000004_0001
式 （III)において Rは炭素数 1〜8の直鎖のアルキル基を示す。
さらに、 フッ素を有する化合物で本発明に類似の化合物として以下に示 す式 （IV) および式 （V ) の化合物がそれぞれ U S 5 , 0 32, 3 1 3お よび DE 4, 027, 840 A 1に開示されている。
式 （III)および式 （IV) の化合物は本発明の化合物と同様に大きな誘電 率異方性 Δ εを有するが、 低温での他の液晶化合物への溶解度が悪いとい う欠点を有するのでやや使用しがたい。
(IV )
Figure imgf000004_0002
(V)
Figure imgf000004_0003
これらの式において Rは炭素数 1〜 1 0のアルキル基を示す。
式 （I I I)で示される化合物は本発明の化合物と構造上極めて類似してお り、 発明の化合物が中央の結合基にヱテンジィル基を有するのに対し、 式 ( I I I)の化合物はエタンジィル基を中央の結合基としている相違点がある だけである。 しかし、 後者は低温で誘起スメクチック相を有するごとが判 つており、 このため低温での電気光学応答が極めて悪くなるという欠点が でやすい。 本発明者等は式 （I I I)の化合物と同程度のあるいはそれ以上の 誘電率異方性を有し、 他のネマチック液晶と混合した際に低温下でスメク チック相を生じないネマチック化合物を求めている。
前述の液晶表示方式に限らず、 さまざまな液晶表示方式において、 幅広 い動作温度範囲、 速い応答速度、 低い駆動電圧などが求められている。
発明の開示
本発明の目的は、 このような要求を満たしながら、 液晶相の温度範囲が 広く、 低い粘度、 大きい Δ εを有し、 さらに高安定性でかつ、 他の液晶化 合物との相溶性にすぐれた液晶性化合物を提供することである。
本発明は、 下記の一般式 （ I ) で表されるジシクロへキシルエチレン誘 導体、 および該誘導体を少なく とも一つの成分として舍有する液晶組成物 である。
Figure imgf000005_0001
式中、 Rは炭素数 1〜 1 0の直鎖状のアルキル基を示し、 Xはフッ素原 子またはトリフルォロメチル基を示し、 1 , 4 —シクロへキシレン基はい ずれもトランス型であり、 ェテンジィル基も トランス型である。
明を実施するための最良の形態
本発明の化合物は次の式 （ l a ) および式 （ l b ) で表される力 これ らの化合物の中では、 nが 2〜7である化合物が好ましい。
Figure imgf000006_0001
Figure imgf000006_0002
これらの化合物には、 室温付近から百数十度までの間で、 幅広い液晶相 温度領域を示す物が多い。 これらの化合物は、 六員環を 3個有する化合物 としては極端に粘度が低く、 また大きい△ εを持っために、 これらの化合 物を液晶材料に使用することによって液晶表示素子を低電圧で駆動させる ことができる。 さらに上式で表される化合物は、 スメチック相を示さない かまたは極めて狭い温度領域でスメクチック相を示すので、 ネマチック相 を用いる液晶表示素子の材料として好適である。
さらに、 式 （ I ) で示される化合物は他の液晶性化合物、 例えばエステ ル系、 シッフ塩基系、 エタン系、 アセチレン系、 ァゾキシ系、 ビフ ニル 系、 シクロへキサン系、 シクロへキセン系、 ピリ ジン系、 ピリ ミジン系、 ジォキサン系、 フッ素系等の既存の液晶性化合物との相溶性に優れている ので、 それらの化合物または混合物と混合することにより、 種々の用途に 適した液晶材料を調製することができる。
また、 本発明の化合物は環境因子 （水分、 熱、 空気、 光、 電気等） に対 しても非常に安定である。
さらに、 式 （ I ) の化合物は、 その他の液晶性化合物を合成するための 原料としても適しており、 例えば接触還元により式 （VI ) の液晶性化合物 が得られる。
(VI )
Figure imgf000006_0003
次に、 本発明の化合物の製造法を示す <
Figure imgf000007_0001
Figure imgf000008_0001
( シスノト ラ ンス = 9 5ノ 5 )
Figure imgf000008_0002
これらの式において、 Rおよび Xは前記した意味を持つ。
すなわち、 （ 1 ) 式のァリールプロミ ドより調製された、 グリニャール 試薬に 1 , 4—シクロへキサンジオンモノエチレンケタールを反応させた 後、 例えば、 P— トルエンスルホン酸、 硫酸水素力リゥム、 塩酸、 硫酸、 陽イオン交換樹脂等の酸触媒の存在下で脱水反応を行い （ 2 ) 式のシクロ へキセン誘導体を得る。 これを P d、 N i、 P t系などの触媒の存在下に 接触還元した後、 さらに酸性水溶液で処理して （3 ) 式のシクロへキサノ ン誘導体を得る。 次に、 メ トキシメチルトリフヱニルホスホニゥムクロリ ドを例えば、 n—ブチルリチウム、 カリウム一 t—ブトキシド等の塩基で 処理して得られたイ リ ドを （3 ) 式の化合物と反応させ、 さらに酸性水溶 液中で処理することによって （4 ) 式のアルデヒ ド誘導体を得る。 これに、 ( 5 ) 式のホスホニゥム塩を、 例えば n—ブチルリチウム、 カリ ウム一 t —ブトキシド等の塩基で処理して得られたィ リ ドを反応させて （ I ， ） 式 のジシク αへキシルヱチレン誘導体を得る。 （ I ' ) 式の化合物はシス体 と トランス体の混合物であり、 その比はおよそシス ： トランス = 9 5 ： 5 である。 このシス体をトランス体へ変換して本発明の式 （ I ) の化合物を 得る。 すなわち、 （ I ' ) 式のエチレン誘導体を m—クロ口過安息香酸の ような過酸化物で酸化し、 次にジブロモトリフユニルホスホランで臭素化 して最後に Z nで還元することによって本発明の化合物である式 （ I ) の ジシク口へキシルエチレン誘導体が得られる。
本発明の液晶組成物は少なくとも 2つの液晶性化合物を含み、 ぞの少な くとも一方は前記の式 （ I ) で表される液晶性化合物であることを特徴と する。
本発明の液晶組成物のその他の成分としては
(ァ） 5である高誘電率異方性の化合物を一つ以上含む成分 （Β ) 、 (ィ） I Δ ε I ぐ 5である低誘電率異方性の化合物を一つ以上舍む成分 ( C ) 、
(ゥ） 8 (TCを越える透明点を有する化合物を一つ以上舍む成分 （D ) 、 から選ばれる少なくとも一つの成分を挙げることができる。
本発明により提供される液晶組成物は好ましくは、 式 （ I ) で表される 化合物を少なくとも一つ舍む成分 （Α ) の外に、 前記の （ァ） 項ないし (ゥ） 項に記載の成分およびその他の成分 （Ε ) からなる群から選ばれた 2以上の成分を含む液晶誘電体である。
本発明の液晶組成物の成分 （Β ) として好ましい化合物を以下に示す。
Figure imgf000009_0001
Figure imgf000009_0002
(B5) (B6)
Figure imgf000010_0001
(B7)
(B8)
Figure imgf000010_0002
(B15) (B16)
Figure imgf000010_0003
(B17) (B18)
Figure imgf000010_0004
(B19) これらの式において、 Rは炭素数 1〜 1 0のアルキル基またはアルケニ ル基を表し、 該基の一つまたは隣合わない二つのメチレン基は酸素原子に よって置き換えられてもよい。 本発明の液晶組成物の成分 （C) として好ましい化合物を以下に示す <
Figure imgf000011_0001
これらの式において、 Rおよび R ' はそれぞれ独立に炭素数 1〜 1 0の アルキル基またはアルケニル基を表し、 該基の一つまたは隣合わない二つ のメチレン基は酸素原子によって置き換えられてもよい。
本発明の液晶組成物の成分 （D ) として好ましい化合物を以下に示す。
Figure imgf000012_0001
Figure imgf000012_0002
(D10) (D11 )
Figure imgf000012_0003
(D12)
Figure imgf000012_0004
(D13)
Figure imgf000013_0001
R"O"O (D31)"°c0ひ R' R-O -O (-DC302)°-O-R'
(D33) (D34)
Figure imgf000014_0001
(D36)
Figure imgf000014_0002
R-( COO~^^~CH2CH ト R'
(D42)
R-< )~OCO~^^~CH2CH2"< >-R'
( 43)
Figure imgf000014_0003
Figure imgf000015_0001
(D47)
Figure imgf000015_0002
(69α)
Figure imgf000016_0001
(89α) (Z.9Q)
" UK -2H32HD- ·Η ぬ- -zHD½D-^ >-a
(99Q) (S9Q)
Figure imgf000016_0002
(09I) (69Q)
Figure imgf000016_0003
6 00/½dT/JL3<I これらの式において、 Rおよび R ' はそれぞれ独立に炭素数 1〜 1 0の アルキル基またはアルケニル基を表し、 該基の一つまたは隣合わない二つ のメチレン基は酸素原子によって置き換えられてもよい。
本発明の液晶組成物においてその他の成分 （E ) として、 好ましい化合 物を以下に示す。
Figure imgf000017_0001
(E13)
Figure imgf000018_0001
(E18)
Figure imgf000018_0002
これらの式において、 Rは炭素数 1〜 1 0のアルキル基またはアルケニ ル基を表し、 該基の一つまたは隣合わない二つのメチレン基は酸素原子に よって置き換えられてもよい。 また、 側位の置換基 （F ) は F原子または 置換されていない H原子を意味する。
以下に実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、 本発明はこれ らの例に限定されるものではない。
また、 実施例および比較例において、 記号は次の通りとする。
C N点：結晶ーネマチック相転移点
N 1点： ネマチック一等方性液体相転位点
1 6 実施例 1
(E) — 2— ( トランス一 4— ( 3, 4, 5— トリフルオロフェニル） シクロへキシル） 一 1一 （トランス一 4— n—プロビルシクロへキシル） ェテン （式 （ I a ) において、 nが 3のもの） （化合物 No.1 ) の合成 ( i ) 3 ，， 4 ' , 5 ， 一 トリフルオロフェニルシク口へキセン一 4ーォ ン—ヱチレンケタール （ （2 ) 式中、 Xがフッ素原子のもの） の合成 マグネシウム 8. O gとテトラヒ ドロフラン （TH Fと略記する） 30 m の入った 2 三ッロフラスコに窒素気流下で、 3, 4， 5—トリフルォ ロブロモベンゼン 64.5 gの 25 0 m£ TH F溶液を 5 0てに温度を保ち ながら滴下した。 その後、 反応液を 1時間攪拌し、 4 (TCに温度を保ちな がらし 4ーシクロへキサンジオン一モノエチレンケタール 46.8 gの 2
1
00m£ TH F溶液を滴下した。 さら 7に反応液を、 1 0時間攪拌し、 これ に飽和塩化アンモニゥム水溶液を氷冷下で加えた。 これをトルエン 500 m£で抽出した。 有機層を 5 00 m£の水で 3回洗浄し、 硫酸ナトリウム 上で乾燥し濃縮した。
これにイオン交換樹脂 （アンバリス ト 1 5 ) 5 gとトルエン 500 m£ を加え、 3時間還流した。 この際、 水抜き管を使用し共沸して出る水を除 去した。 反応液を 3 O 'Cに冷却後、 イオン交換樹脂をろ過で取り除き、 得 られたろ液を濃縮して 82.5 gの粗生成物を得た。 粗生成物をヘプダン溶 媒にて再結晶し 56.1 gの目的物を得た。 構造は NMRにて確認した。 (ii) 4 - ( 3 , 4 , 5— トリフルォ όフエニル） シクロへキサノン （ ( 3 ) 式中、 Xがフッ素原子のもの） の合成
5 %パラジウムカーボン 20 g、 ( i ) で得られた化合物 56.1 gおよ びエタノール 3 0 0 m£の入った 1 £ナス型フラスコを水素置換した。 2 5てで 8時間攪拌し接触還元を終わらせた。 触媒を除去後、 濃縮してエタ ノール溶媒から再結晶し 52.5 gの白色結晶を得た。
これをトルエン 2 0 0 m 、 蟻酸 60 gに溶解し 1時間還流した。 放冷 後、 反応混合物に酢酸ェチル 2 0 0 m£を加えて有機層を抽出し、 抽出液 を水 3 0 0 m£で洗浄し、 続いてこれを炭酸ナトリゥム水溶液、 ついで飽 和食塩水で洗浄した。 これに硫酸マグネシウムを加えて乾燥した後、 濃縮 し、 4 1.5 gの粗生成物を得た。 このものをエタノール溶媒から再結晶し 24.5 gの標題化合物を得た。 構造は NMRにて確認した。
(iii)トランス一 4— ( 3 , 4 , 5— トリフルオロフェニル） シクロへキ サンカルボアルデヒ ド （ （4 ) 式中、 Xがフッ素原子のもの） の合成 メ トキシメチルトリフエニルホスホニゥムクロリ ド 56.9 gと T H F 1 5 0 m £の入った 1 £三ッロフラスコを一 1 0 ΐまで冷却し、 カリ ウム一 t—ブトキシド 18.5 gを加えた。 反応液を 0でで 1時間欖拌後、 （ i i ) で得られた化合物 23.6 gの 1 0 O m TH F溶液を滴下した。 さらに反 応液を 4時間攪拌し、 飽和塩化アンモニゥム水溶液 300 m£と齚酸ェチ ル 3 00 m を加え抽出した。 これを飽和食塩水で洗浄後、 硫酸マグネシ ゥムを加え乾燥し、 濃縮後、 ヘプタン 5 00 m を加え、 折出した結晶を ろ過した。 ろ液を濃縮しヘプタン溶媒にてシリカゲルカラムでカラムクロ マトグラフィーを行い濃縮した。 これに、 2 N塩酸 1 50m£と THF 3 0 0 m£を加え、 8時間、 室温で攪拌し、 酢酸ェチル 30 0 m£を加え抽 出して、 この抽出液を、 飽和炭酸ナ ト リ ウム水溶液、 ついで飽和食塩水で 洗浄した。 硫酸マグネシウムを加え乾燥し濃縮して 26.7 gの粗生成物を 得た。 これを蒸留して目的の化合物を 17.5 gを得た。 構造は NMRにて 確認した。
(iv) 2— ( トランス一 4— ( 3, 4, 5— ト リフルオロフェニル） シク 口へキシノレ） 一 1— ( トランス一 4— n—プロピノレシクロへキシノレ） 一ェ テン （ （ I ' ) 式中、 Xがフッ素原子で、 Rが n—プロビル基であるも の） の合成
トランス一 4— n—プロビルシク口へキシルメチルト リ フエニルホスホ ニゥムブロ ミ ド 15.7 gと TH F 1 0 0 m £の入った 500 m 三ッロフ ラスコを一 5 0 'Cに冷却し、 カリ ウム一 t—ブトキシド 3.5 gを加えた。 1時間、 反応液を一 5 0 ΐで攪拌後、 （iii)で得られた化合物 6.5 gの 5 0 m £ T H F溶液を滴下して、 さらに反応液を 4時間撹拌しながら徐々に 0 X：まで温度を上げた。 反応系に水 1 5 0 m £と酢酸ェチル 1 5 0 m £を
i 8 加え抽出した。 分離した有機層を飽和塩化アンモニゥム水溶液、 ついで 飽和食塩水で洗浄後、 硫酸マグネシウムを加えて乾燥した後、 濃縮した。 得られた粗生成物にヘプタン 1 5 0 m£を加え析出した結晶をろ別し、 濃縮したろ液をへプタン溶媒にてシリカゲルカラムでカラムクロマ トダラ フィ一を行い、 ヘプタンを留去した後 5.6 gの目的物を得た。 シス体とト ランス体の比は 95 ： 5であった。
(V) (E) — 2— （ トランス一 4— ( 3, 4, 5— トリフルオロフヱ二 ル） シクロへキシル） 一 1— ( トランス一 4一 n—プロピノレシクロへキシ ル） ェテン （ （ I a ) 式中、 nが 3のもの） の合成
メタクロ口過安息香酸 5.1 g、 炭酸カリウム 3.0 gおよび塩化メチレン 1 0 m のった 1 00 m£三ッロフラスコを 1 0てに冷却し、 攪拌しなが
9
ら、 （iv) で得られた化合物 5.6 gの 20m 塩化メチレン溶液を滴下し た。 2時間攪拌後、 反応液に 1 0 %のチォ硫酸ナトリゥム水溶液 3 0 m £ を加え 5分間攪拌した。 水層を除去後、 有機層を飽和炭酸ナトリウム水溶 液、 ついで飽和食塩水で洗浄し、 硫酸マグネシウムを加え乾燥した。 溶液 を濃縮後、 粗生成物をへプタン溶媒にてシリカゲルカラムでカラムクロマ トグラフィ一を行い、 ヘプタンを留去して、 5.3 gの油状物質を得た。 ジブロモ トリフエニルホスホラン 8.4 gと トルエン 30 m £の入った 1 0 0 m 三ッロフラスコに、 上記の油状物質 5.3 gの 1 5 m£ トルエン溶 液を加え 6時間還流した。 放冷後、 反応液をヘプタン溶媒にてシリカゲル カラムでカラムクロマトグラフィーを行い、 溶液を濃縮して 7.2 gの白色 結晶を得た。 粗生成物をエタノール溶媒から再結晶し 3.4 gの白色結晶を 得た。 融点は 1 6 0てであった。 このものの、 NMRスぺク トルは目的物 (エリスロー 1 , 2—ジブ口モー 1 ，一 （ トランス一 4一プロビルシクロ へキシル） 一 2 ' — ( トランス一 4— (2, 3, 4— ト リフルオロフェニ ル） シクロへキシル） ェタン） を支持した。
このブロモ体 2.3 gと酢酸 2 0 m£の入った 1 0 0 m£三ッロフラスコ に亜鉛 1.5 gを加えた。 反応液を 2時間攪拌後 7 0 m£の水の入った 3 0 0 m £ビーカーにこれを注ぎ、 酢酸ェチル 1 0 0 m£により抽出した。 有 機層を飽和炭酸ナトリゥム水溶液、 ついで飽和食塩水で洗浄し、 硫酸マグ ネシゥムを加えて乾燥後、 濃縮して、 2.1 gの粗生成物を得た。 このもの をエタノール溶媒から再結晶を行い乾燥して 0.7 gの目的物を得た。 CN 点は 5 1。 (：、 I点は 1 0 1 'Cであった。
上述した方法に準じて以下の化合物を得る。
(E) — 2— ( トランス一 4— ( 3 , 4 , 5— トリフルオロフェニル） シクロへキシル） 一 1一 （ トランス一 4—メチルシクロへキシル） ェテン (No.2 )
(E) 一 2— （ トランスー 4一 ( 3 4 , 5— トリフルォ口フヱニル） シクロへキシル一 1一 （ トランス一 4 ェチノレシクロへキシノレ) ェテン (No.3 ) C I点： 78.6て
(E) — 2— （ トランス一 4— ( 3 , 4 , 5— トリフルオロフェニル） シクロへキシル） 一 1一 （ トランス一 4— n—ブチルシクロへキシル） ェ テン （No.4 ) CN点： 52.0て、 N I点： 1 0 1.8て
(E) — 2— ( トランス一 4一 （ 3 , 4, 5— ト リフルオロフヱニル） シクロへキシル） 一 1— ( トランス一 4一 n—ペンチ Jレシクロへキシル） ェテン （No.5 ) C N点： 50.7 ' (：、 N I点： 1 1 1.7 ΐ
(Ε) — 2— （ トランス一 4一 （ 3 , 4, 5— トリフルオロフェニル） シクロへキシノレ） 一 1一 （ トランス一 4一 η—へキシノレシクロへキシ レ） ェテン （No.6 )
(E) — 2— （ トランス一 4一 （ 3, 4, 5 トリフルオロフヱニル） シクロへキシル） 一 1— ( トランス一 4— n— 'プチルシク口へキシル） ェテン （No.7 )
(E) — 2— ( トランス一 4— ( 3 , 4 , 5— ト リフルオロフェニル） シクロへキシル） 一 1— ( トランス一 4一 n—ォクチルシクロへキシル） ェテン （No.8 )
(E) — 2— （ トランス一 4— ( 3 , 4, 5— トリフルオロフェニル） シクロへキシル） 一 1— ( トランス一 4一 n—ノニルシクロへキシル） ェ テン (No.9 ) (E) — 2— ( トランス一 4— ( 3 , 4, 5—トリフルオロフェニル） シク口へキシル） 一 1— ( トランス一 4— η—デシルシク口へキシル） ェ テン （No.1 0 )
実施例 2
(E) — 2— (トランス一 4— ( 3 , 5—ジフルオロー 4— トリ.フルォ ロメチルフエニル） シクロへキシル） 一 1— ( トランス一 4一 n—プロビ ルシクロへキシル） ェテン （式 （ I b ) において、 nが 3のもの） （No.1 1 ) の合成
( i ) 3 ，， 5 ? -ジフルォ口一 4 ' 一 トリフルォ口メチルフェニルシク 口へキセン一 4—オン一エチレンケタール （ （ 2 ) 式中、 X力 トリフルォ 口メチルのもの） の合成
マグネシウム 8.0 gと T H F 30 m の入った 2 £三ッロフラスコに窒 素気流下で、 3, 5—ジフルオロー 4一 トリフルォロメチルブロモベンゼ ン 79.7 gの 2 5 0 m£ TH F溶液を 50 'Cに温度を保ちながら滴下した《 その後、 反応液を 1時間攪拌し、 4 0 'Cに温度を保ちながら 1 , 4—シク 口へキサンジオンーモノエチレンケタール 46.8 gの 200m£TH F溶 液を滴下した。 さらに反応液を、 室温で 1 0時間攪拌し、 これに飽和塩化 アンモニゥム水溶液を氷冷下で加えた。 これをトルエン 50 0 m£で抽出 した。 有機層を 5 0 0 m£の水で 3回洗浄し、 硫酸ナトリゥム上で乾燥し 濃縮した。
これに、 ィォン交換樹脂 （アンバリスト 1 5 ) 5 gと トルエン 5 00 m £を加え、 3時間還流した。 この際、 水抜き管を使用し、 共沸して出る水 を除去した。 反応液を 3 O 'Cに冷却後、 イオン交換樹脂をろ過で取り除き- 得られたろ液を濃縮して 1 0 1.5 gの粗生成物を得た。 粗生成物をへプタ ン溶媒にて再結晶し 69.1 gの目的物を得た。 構造は NMRにて確認した, (ii) 4 - ( 3, 5—ジフルォロ— 4— トリフルォロメチルフエニル） シ クロへキサノ ン （ （ 3 ) 式中、 Xがトリフルォロメチルのもの） の合成
5 %パラジウムカーボン 2 0 g、 ( i ) で得られた化合物 69.1 gおよ びエタノール 3 0 0 m£の入った 1 £ナス型フラスコを水素置換した。 2 5てで 8時間攪拌し接触還元を終了させた。 触媒を除去後、 濃縮してエタ ノール溶媒から再結晶し 64.5 gの白色結晶を得た。
これをトルエン 200 m£、 蟻酸 60 gに溶かし i時間還流した。 放冷 後、 反応混合物に酢酸ェチル 200 m£を加えて有機層を抽出し、 抽出液 を水 30 0 m£で洗浄し、 続いてこれを炭酸ナトリゥム水溶液、 ついで飽 和食塩水で洗浄した。 これに硫酸マグネシウムを加え乾燥、 濃縮し、 49.
8 gの粗生成物を得た。 このものをエタノール溶媒から再結晶し 29.4 g の標題化合物を得た。 構造は NMRにて確認した。
(iii) トランス一 4一 （3, 5ージフルオロー 4—トリフルォロメチルフ ヱニル） シ口へキサンカルボアルデヒ ド （ （4 ) 式中、 X力くトリフルォロ メチルのもの） の合成
メ トキシメチルトリフエニルホスホニゥムクロリ ド 57. i gと T H F 1 50 m の入った 1 £三ッロフラスコを一 1 0 まで冷却し、 カリウム一 t—ブトキシド 18.9 gを加えた。 反応液を O 'Cで 1時間攪拌後、 （ii) で得られた化合物 29.4 gの 1 00 m TH F溶液を滴下した。 さらに反 応液を 4時間探拌し、 飽和塩化アンモニゥム水溶液 300 m£と酢酸ェチ ル 3 00 m を加え抽出した。 抽出液を飽和食塩水で洗浄し、 硫酸マグネ シゥムを加えて乾燥し、 濃縮後、 ヘプタン 500 m£を加え、 析出した結 晶をろ過した。 ろ液を濃縮し、 ヘプタン溶媒にてシリカゲルカラムでカラ ムクロマ トグラフィーを行い、 再び濃縮した。 これに、 2 N塩酸 1 5 0 m £と TH F 3 00 m £を加え、 8時 F曰、 室温で攪拌し、 酢酸ェチル 3 0 0 m£を加えて抽出し、 この抽出液を、 飽和炭酸ナトリウム水溶液、 ついで 飽和食塩水で洗浄した。 硫酸マグネシウムを加えて乾燥し、 濃縮して 3 1.
9 gの粗生成物を得た。 粗生成物を蒸留して目的の化合物を 20.5 gを得 た。 構造は NMRにて確認した。
( i V ) 2— （トランス一 4一 ( 3 , 5—ジフルオロー 4— トリフルォロメ チルフエニル） シクロへキシル） 一 1— ( トランス一 4— n—プロビルシ クロへキシル） ェテン （ （ I ，） 式中、 X力くトリフォロメチルで、 Rが n 一プロピル基であるもの） の合成 トランスー 4— n—プロピルシク口へキシルメチルトリ フエニルホスホ ニゥムブロ ミ ド 15.7 gと TH F 1 0 0 m の入った 500 m£三ッロフ ラスコをー 50 ΐに冷却し、 カリウム一 t—ブトキシド 3.5 gを加えた。 1時間、 反応液を— 5 O 'Cで攪拌後、 （iii) で得られた化合物 7.9 gの 5 0m£ TH F溶液を滴下して、 さらに反応液を 4時攪袢しながら徐々に 0 'Cまで温度を上げた。 反応系に水 1 5 0 m£と酢酸ェチル 1 5 0m£を加 えて抽出し、 さらに有機層を飽和塩化アンモニゥム水溶液、 ついで飽和食 塩水で洗浄後、 硫酸マグネシウムを加え乾燥して濃縮した。 粗生成物にへ ブタン 1 50 m£を加え折出した結晶をろ別し、 濃縮したろ液をへプタン 溶媒にてシリ力ゲルカラムでカラムクロマトグラフィーを行い、 ヘプタン を留去後 6.7 gの目的物を得た。 シス体と トランス体の比は 9 5 ： 5であ つ /ν-.
( V ) (E) — 2— ( トランス一 4— (3, 5—ジフルオロー 4一 ト リフ ルォロメチルフエニル） シクロへキシル） 一 1— ( トランス一 4一 n—プ 口ビルシクロへキシル） ェテン （ （ I b ) 式中、 nが 3であるもの） の合 成
メタク口口過安息香酸 5.1 g、 炭酸力リ ウム 2.9 gおよび塩化メチレン 1 0 m£の入った 1 0 0 m 三ッロフラスコを 1 0てに冷却し、 攪拌しな がら、 （iv)で得られた化合物 6.7 gの 20 m£塩化メチレン溶液を滴下し た。 2時間攪拌後、 反応液に 1 0%のチォ硫酸ナ トリウム水溶液 3 0 m£ を加え 5分間攪拌した。 水層を除去後、 有機層を飽和炭酸ナ ト リ ウム水溶 液、 ついで飽和食塩水で洗浄し、 硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。 溶 液を濃縮後、 得られた粗生成物をヘプタン溶媒にてシリカゲルカラムで力 ラムクロマトグラフィーを行い、 ヘプタンを留去し、 6.4 gの油状物質を 得た。
ジブロモ ト リフエニルホスホラン 8.5 gと トルエン 30 m の入った 1 0 0 m£三ッロフラスコに、 上記の油状物質 6.4 gの 1 5 m£ トルエン溶 液を加え 6時間還流した。 放冷後、 反応液をヘプタン溶媒にてシリカゲル カラムでカラムクロマトグラフィ一を行い溶出液を濃縮して 8.6 gの白色 結晶を得た。 粗生成物をエタノール溶媒から再結晶し 3.7 gの白色結晶を 得た。 このものの NMRスペク トルは目的物 （エリス口一 1 , 2—ジブ口 モー 1 ' 一 （ トランス一 4一プロピルシク口へキシル） 一 2 ' ― ( トラン スー 4一 （ 3, 5—ジフルォロ一 4— ト リ フルォロメチルフエニル） シク 口へキシル） ェタン） を支持した。
このブロモ体 2.8 gと酢酸 2 0 m£の入った 1 0 0 m£三ッロフラスコ に亜鉛 1.5 gを加えた。 反応液を 2時間攪拌後 7 0 m の水の入った 3 0 0 m£ビーカ一に注ぎ、 酢酸ェチル 1 0 0 m£により抽出した。 有機層を 飽和炭酸ナトリゥム水溶液、 ついで飽和食塩水で洗浄し、 硫酸マグネシゥ ムを加え乾燥後、 濃縮して、 2.5 gの粗生成物を得た。 このものをェタノ —ル溶媒から再結晶を行い 0.8 gの目的物を得た。 この物の CN点は 53. 2て、 N I点は 1 1 8.9てであった。
上述した方法に基づいて以下の化合物を得る。
(E) — 2— ( トランス一 4一 ( 3 , 5—ジフルオロー 4一 トリフルォ ロメチルフエニル） シクロへキシル） 一 1— ( トランス一 4—メチルシク 口へキシル） ェテン （No.1 2 )
(E) 一 2— ( トランスー 4― ( 3 5—ジフルォロー 4— トリフルォ ロメチゾレフエ二ノレ） シクロへキシ ^) 1 - ( トランス一 4—ェチルシク 口へキシル） ェテン （No.1 3 )
(E) — 2— （ トランスー 4一 ( 3 5—ジフルォ口一 4一 トリフルォ ロメチルフエニル） シクロへキシル） 1— ( トランス一 4一 n—ブチル シクロへキシル） ェテン （No.1 4 )
(E) 一 2— ( トランスー 4 - ( 3 5 ジフルオロー 4— トリ フルォ ロメチルフヱニル） シクロへキシル） 1 ( トランス一 4一 n—ペンチ ルシクロへキシル） ェテン （Νο·1 5 )
(Ε) 一 2— （ トランス一 4一 （ 3 5一ジフルォロー- 4 ト リフルォ ロメチルフエニル） シクロへキシル） ー 1 ( トランス一 4 n—へキシ ルシク口へキシル） ェテン （No.1 6 )
(E) — 2— ( トランス一 4— ( 3 , 5—ジフルオロー 4— トリ フルォ ロメチルフエニル） シクロへキシル） - 1一 （ トランス一 4一 n—ヘプ チルシク口へキシル） ェテン （No.1 7 )
(E) — 2— （ トランス一 4一 （ 3, 5—ジフルォ口一 4一トリフルォ ロメチルフエニル） シクロへキシル） - 1一 （ トランス一 4一 n—ォクチ ゾレシクロへキシル） ェテン （No.1 8 )
(E) — 2— （ トランス一 4— ( 3, 5—ジフルォロ一 4一トリフルォ ロメチノレフェニノレ） シクロへキシノレ） - 1— ( トランス一 4— n—ノニル シク口へキシル） ェテン （Νο·1 9 )
(Ε) - 2 - ( トランス一 4 - ( 3, 5—ジフルオロー 4— トリフルォ ロメチルフエニル） シクロへキシル） 一 1 ( トランス一 4— n—デシル シクロへキシル） ェテン （No.2 0 )
実施例 3
4 - ( トランス一 4—プロピノレシクロへキシル） ベンゾニ トリゾレ
3 0重量部 4— ( トランス一 4—ペンチルシク口へキシル） ベンゾニ トリル
4 0重量部
4一 （ トランスー 4一へプチルシク口へキシル） ベンゾニ トリル
3 0重量部 からなる液晶組成物 Aの N I点は 52.3て、 Δ εは〗 0.7、 Δ ηは 0.1 1 9、 2 0てでの粘度は 2 2 c Ρであった。 この液晶組成物 A 8 5重量部に 本発明の実施例 1に示した化合物 （Ε)·— 2— ( トランス一 4— ( 3> 4 5—ト リフルオロフェニル） シクロへキシル） 一 1— ( トランス一 4一 n —プ Dビルシクロへキシル） ェテン 1 5重量部を加えた液晶組成物の N I 点は 53.2 、 Δ εは 10.8、 Δ ηは 0.1 1 9、 2 0てでの粘度は 25, 0 c Pであった。 また _ 2 O 'Cのフリーザー中に 2 0日間放置しても結晶は 折出しなかった。
上記の結果からもわかるように、 本発明の化合物は N I点を上昇させ、 粘度の上昇を極力抑えることができ、 低温相溶性が良好な化合物であるこ とがわかる。 比較例
実施例 3における （E) — 2— （ ト ランス一 4— ( 3, 4, 5— トリフ ルオロフェニル） シクロへキシル） 一 1一 （ トランス一 4一 n—プロビル シクロへキシル） ェテンに代えて、 つぎの式で表される化合物 （A) およ び化合物 （B) をそれぞれ加えた液晶組成物 Aおよび液晶組成物 Bを調製 し、 実施例 3と同様にしてそれらの特性を調べた。
化合物 （ A )
Figure imgf000028_0001
化合物 （ B )
Figure imgf000028_0002
結果を実施例 3の結果とともに表 1に示す《
表 1
Figure imgf000028_0003
低温相溶性の欄の〇印は結晶相またはスメ クチック相の折出の無かつた ことを意味し、 △印はスメクチック相の発現したことを意味する。
実施例 4
(E) — 2— ( トランス一 4— ( 3 , 4, 5— トリフルオロフェニル） シクロへキシノレ） 一 1— ( トランス一 4—ェチノレシクロへキシゾレ） ェテン
8重量％
( E ) — 2— ( トランス一 4— ( 3 , 4, 5— ト リ フルオロフェニル） シク口へキシル） 一 i一 （ トランスー 4一プロビルシク口へキシル） ェテ ン 9重量％ ( E ) — 2— ( トランス一 4— ( 3 , 4 , 5— トリ フルオロフェニル） シクロへキシゾレ） 一 1— ( トランス一 4 一ペンチリレシクロへキシノレ） ェテ ン 9重量％
5—ペンチルー 2— （3 , 4—ジフルオロフェニル） ピリ ミジン
1 1重量％
4一 （ トランス一 4一^ «プチルシクロへキシル） 一 i , 2—ジフルォロ ベンゼン 5重量％
4一 （ トランス一 4— ( トランス一 4ーェチルシクロへキシル） シクロ へキシル） ー 丄， 2—ジフルォロベンゼン 5重量％ 4 - ( トランス一 4 一 （ トランス一 4一プロビルシクロへキシル） シク 口へキシル） 一 1 , 2—ジフルォロベンゼン 5重量％
4一 （ トランス一 4— ( トランス一 4—ペンチ レシクロへキシノレ） シク 口へキシル） 一 丄， 2—ジフルォロベンゼン 5重量％
3 * , 4 ' —ジフルォロー 4— ( トランス一 4 ーェチルシクロへキシ ル） ビフエニル 5重量％
3 ' , 4 ' ージフルォ口 4 (十ランスー 4 プロピゾレシク口へキシ ノレ） ビフエニ レ 5重量％
3 ' , 4 ' ージフルォ口 4 ( トランス一 4 ペンチゾレシク口へキシ ノレ） ビフエ二ノレ 1 0重量％
4—ェチル一 4 ， ーメ トキシ トラン 7重量％
4 ( トランス一 4—プロビルシクロへキシル） 一 2—フルォロー 4 ，
—ェチゾレ トラン 6重量％
4— ( トランス一 4一プロピノレシクロへキシノレ） 一 2 フルォロー 4 ， 一プロビルトラン 5重量％
4— ( トランス一 4 —プロピルシクロへキシル） 一 2 フルォ口一 4 ， ーブチルトラン 5重量％ からなる液晶組成物を調製しその物性値を測定したところ、 N I点 '. 7 7. 1 、 Δ ε ： 5. 7、 Δ n ： 0. 1 3 2、 2 0。じにおける粘度 （ τ? 2 0 ) : 2 5. 5 c Ρ、 V t h ： ί. 8 4 Vであった。 実施例 5
(E) — 2— （ トランス一 4— ( 3 , 4, 5— ト リフルオロフェニル） シクロへキシル） 一 1 — ( トランス一 4一プロビルシクロへキシル） ェテ ン 1 0重量％ (Ε) — 2— ( トランス一 4— ( 3 , 4 , 5— ト リ フルオロフェニル） シクロへキシル） 一 丄 一 （ トランス一 4—ペンチルシクロへキシル） ェテ ン i 0重量％
2— ( トランス一 4一 （ 3 , 4 , 5— トリフルオロフェニル） シクロへ キシル） 一 丄 一 （ トランス一 4—ェチルシクロへキシル） ェタン
8重量％
2— ( トランス一 4— ( 3, 4 , 5— トリフルオロフェニル） シクロへ キシル） 一 1— ( トランス一 4—ブチルシクロへキシル） ェタン
8重量％
2— （ トランス一 4— ( 3, 4, 5— トリ フルオロフェニル） シクロへ キシル） 一 i _ ( トランス一 4一ペンチルシクロへキシノレ） ェタン
8重量％
4 - ( トランス一 4— ( トランス一 4ーェチルシクロへキシル） シクロ へキシル） 一 丄， 2—ジフルォロベンゼン 4重量％
4 - ( トランス一 4— ( トランス一 4—プロビルシクロへキシル） シク 口へキシル） 一 丄， 2—ジフルォロベンゼン 4重量％
4 - ( トランス一 4— ( トランス一 ¾—ペンチルシクロへキシル） シク 口へキシル） 一 1 , 2—ジフルォロベンゼン 4重量％ トランス一 4— ( トランス一 4— ( 3, 4 , 5— トリフルオロフェニ ル） シクロへキシル） 一 1—プロピルシクロへキサン 7重量％ トランス一 4— ( トランス一 4一 （ 3, 4, 5— ト リフルオロフェニ ル） シクロへキシル） 一 i一プチルシクロへキサン 3重量％
2— ( トランス一 4— ( トランス一 4—プロビルシクロへキシル） シク 口へキシル） 一 1 — ( 3 , 4 , 5— ト リフルオロフェニル） ェタン
1 3重量％ 2— （ トランス一 4一 （ トランス一 4—ペンチルシクロへキシル） シク 口へキシル) 一 1— ( 3, 4, 5— ト リフルオロフェニル） ェタン
1 0重量％
4 ， 一 （ トランス一 4—プロビルシクロへキシル） 一 3 , 4 , 5— トリ フ レオロビフエ二ノレ 6重量％ 4 ， 一 （ トランス一 4—ペンチルシクロへキシル） 一 3 , 4, 5— ト リ フ レオロビフエ二ノレ 5重量％ からなる液晶組成物を調製しその物性値を測定したところ、 1^ 1点： 88. 1 、 厶 e ： 7.9、 Δ n ： 0.0 8 1 4 7? 20： 27.5 c P Vt : l.6 I Vであった。
実施例 6
(E) 一 2 - （ トランス一 4— ( 3, 4 , 5— ト リフルオロフェニル） シクロへキシノレ) 一 丄 - ( トランス一 4—ェチノレシクロへキシノレ） ェテン
5重量％ (E) - 2— ( トランス一 4— ( 3, 4, 5— ト リ フルオロフェニル） シクロへキシノレ） 一 ： I - ( トランス一 4—プロピルシク口へキシル） ェテ ン 5重量％
(E) - 2— ( トランス一 4— ( 3, 4, 5一 トリフルオロフェニル） シクロへキシノレ） 一 _[ - ( トランス一 4—ペンチルシクロへキシル） ェテ ン 5重量％
4— ( トランス一 4 —へプチルシクねへキシル） ー 丄， 2—ジフルォロ ベンゼン 1 1重量％ トランス一 4— ( トランス一 4一プロビルシクロへキシル） 一 1—ブチ リレシクロへキサン 1 2重量％
4— ( トランス— 4一 （ トランス一 4ーェチノレシクロへキシ レ） シクロ へキシル） ー 丄， 2 -ジフルォロベンゼン 4重量％
4— ( トランス一 4 - ( トランス一 4 _プロビルシクロへキシル） シク 口へキシル） 一 丄， 2—ジフルォロベンゼン 4重量％ 4 - ( トランス一 4一 （ トランス一 4一ペンチルシクロへキシル） シク 口へキシル） 一 丄， 2—ジフルォロベンゼン 4重量％
3 ' , 4 ' —ジフルォロー 4 一 （ トランス一 4—ェチルシクロへキシ ル） ビフエニル 8重量％
3 ' , 4 ' —ジフルォ口一 4 — ( トランス一 4一プロビルシクロへキシ ル） ビフエニル 8重量％
3 ' , 4 ' —ジフノレオ口一 4 — ( トランス一 4—ペンチルシクロへキシ ル） ビフエニル 丄 6重量％
4 - ( トランス一 4— ( トランス一 4—プロビルシクロへキシル） シク 口へキシル） 一 1 一フルォロベンゼン 4重量％ 4 - ( トランス一 4 — ( トランス一 4—プロビルシクロへキシル） シク 口へキシル） トルエン 7重 fi%
4 —フルォ口フエニル トランス一 4 — ( トランス一 4 —プロピルシク 口へキシル） シクロへキサンカルボキシレー ト 4重量％
4—フルオロフェニル トランス一 4— ( トランス一 4 —ペンチルシク 口へキシル） シクロへキサンカルボキシレー ト 3重量％ からなる液晶組成物を調製しその物性値を測定したところ、 N I点： 8 7. 6 、 Δ ε : 4.3、 厶 η : 0, 0 9 1 9、 ν ζο ： 1 7.7 c P、 V t h ： 2.2 2 Vであった。
実施例 7
(E) — 2— ( トランス一 4一 （ 3 , 4 , 5 _ トリフルオロフェニル） シクロへキシ レ） 一 丄 一 （ トランス一 4ーェチ レシクロへキシノレ） ェテン
6重量％
(Ε) — 2— ( トランス一 4— ( 3 , 4 , 5— ト リ フルオロフェニル） シクロへキシル） 一 1 — ( トランス一 4 一プロビルシクロへキシル） ェテ ン 6重量％
(Ε) — 2 — ( トランス一 4 — ( 3 , 4 , 5— トリフルオロフェニル） シクロへキシル） 一 丄 一 （ トランス一 4 —ペンチルシクロへキシル） ェテ ン 6重量％ トランス一 4 一 （ 3 , 4 , 5— ト リ フルオロフェニル） 一 i —ヘプチル シクロへキサン 5重量％
4一 （ トランス一 4—フ。口ピゾレシクロへキシノレ） 一 丄 一エ トキシベンゼ ン 1 3重量％ - ( トランス一 4一 （ トランス一 4—ェチルシクロへキシル） シクロ へキシル） 一 1 , 2—ジフルォロベンゼン 3重量％
4 - ( トランス一 4— ( トランス一 4—プロビルシクロへキシル） シク 口へキシル） 一 1 , 2—ジフルォロベンゼン 3重量％
4一 （ トランス一 4一 （ トランス一 4一ペンチルシクロへキシル） シク 口へキシル） 一 1 , 2—ジフルォロベンゼン 3重量％ 2— ( トランス一 4一 （ 3, 4—ジフルオロフェニル） シクロへキシ ル） 一 i一 （ トランス一 4—ヱチル 3シクロへキシル） ェタン 1 0重量％
2— （ トランス一 4— ( 3 , 4ージフルオロフェニル） シクロへキシ ル） 一 1— ( トランス一 4—プロビルシク口へキシル） ェタン 5重量％
2— ( トランス一 4— ( 3, 4—ジフルオロフェニル） シクロへキシ ノレ） 一 1— ( トランス一 4一ペンチルシク口へキシル） ェタン i 0重量％ トランス一 4一 （ トランスー 4一 （ 3, 4 , 5— ト リフルオロフェニ ル） シクロへキシル） 一 1ーェチルシクロへキサン 6重量％ トランス一 4一 （ トランス一 4— ( 3, 4, 5— ト リフルオロフェニ ル） シクロへキシル） 一 1一プロビルシクロへキサン 7重量％ トランス一 4— ( トランス一 4— ( 3 , 4, 5— トリ フルオロフェニ ル） シクロへキシル） 一 丄 一ブチルシクロへキサン 4重量％ トランス一 4— ( トランス一 4— ( 3, 4, 5— トリフルオロフェニ ル） シクロへキシル） 一 丄 ーペンチルシク 1コへキサン 4重量％
4 - ( トランス一 4— ( トランス一 4一プロビルシクロへキシル） シク 口へキシル） 一 i一フルォロベンゼン 4重量％
4 - ( トランス一 4— ( トランス一 4 _プロビルシクロへキシル） シク 口へキシル） トルエン 5重量％ からなる液晶組成物を調製しその物性値を測定したところ、 N I点： 79. 6。じ、 Δ ε : 4.9、 厶 η : 0.0 7 6 2、 ν ο 20.7 c P. V t h ： 1.9 3 Vであった。
実施例 8
( E ) — 2 — （ トランス一 4— ( 3 , 4 , 5 — トリフルオロフェニル） シク口へキシル） 一 1 — ( トランス一 4—ェチルシク口へキシル） ェテン
1 0重量％
( Ε ) — 2 — ( トランス一 4— ( 3 , 4 , 5— トリフルオロフェニル） シク口へキシノレ） 一 1 — ( トランス一 4 一プロピノレシク口へキシゾレ） ェテ ン 1 0重量％
( Ε ) — 2 — （ トランス一 4— ( 3 , 4 , 5 — ト リ フルオロフェニル） シクロへキシル） 一 1 — ( トランス一 4—ペンチルシク口へキシル） ェテ ン 1 0重量％
5—ペンチルー 2— ( 3 , ージフルオロフェニル） ピリ ミジン
1 0重量％
4 - ( トランス一 4 —プロピノレシクロへキシル） ベンゾニ ト リノレ
1 0重量％ トランス一 4 — ( トランス一 4ーメ トキシメチルシクロへキシル） 一 1 —プロビルシクロへキサン 5重量％
4 —フルオロフェニル トランス一 4 一 （ トランス一 4 —プロビルシク 口へキシル） シクロへキサンカルボキシレート 6重量％ 4—フルオロフェニル トランス一 4 一 （ トランス一 4 —ペンチルシク 口へキシル） シクロへキサンカルボキシレート 6重量％
4 一 （ トランス一 4— ( トランス一 4ーェチルシクロへキシル） シクロ へキシル） 一 1 , 2—ジフルォロベンゼン 5重量％
4 一 （ トランス一 4— ( トランス一 4—プロピルシクロへキシル） シク 口へキシル） 一 1 , 2—ジフルォロベンゼン 5重量％ - ( トランス一 4 一 （ トランス一 4—ペンチルシクロへキシル） シク 口へキシル） 一 1 , 2—ジフルォロベンゼン 5重量％ - ( トランス一 4 一 （ トランス一 4—プロビルシクロへキシル） シク 口へキシルァニソ一ル 4重量％ 4 - ( トランス一 4— ( トランス一 4—プロビルシクロへキシル） シク 口へキシル） トルエン 6重量％
5—ェチルー 2— ( - ( トランス一 4—プロビルシクロへキシル） フ ェニル） ピリ ミジン 4重量％ 5—プ αピル一 2— ( 4— ( トランス一 4一プロビルシクロへキシル） フエニル） ピリ ミジン 4重量％ からなる液晶組成物を調製しその物性値を測定したところ、 Ν Ι点： 95. 2。 (：、 Δ ε : 7.4、 厶 η : 0.0 9 7 8、 ？？ 20 : 22.6 c P、 V t h ： 1.9 1 Vであった。
実施例 9
(E) — 2— （ トランス一 4— ( 3 , 4 , 5— ト リ フルオロフェニル） シクロへキシノレ） 一 1 ー （ トランス一 4一ェチゾレシクロへキシノレ） ェテン
6重量％
(E) — 2— ( トランス一 4— ( 3 , 4, 5— ト リフルオロフェニル） シク口へキシル） 一 1一 （ トランス一 4—プロピルシク口へキシル） ェテ ン 6重量％
(E) — 2— ( トランス一 4— ( 3 , 4 , 5— トリフルオロフェニル） シク口へキシル） 一 1— ( トランス一 4—ペンチルシク口へキシル） ェテ ン 6重量％ 4— ( トランス一 4—ェチゾレシク口へキシル） ベンゾニト リノレ
1 2重量％
4 - ( トランス一 4—プロピルシク口へキシリレ） ベンゾニ トリル
2 2重量％ - ( トランスー 4—ペンチルシク口へキシル） ペンゾニトリル
6重量％
4 - ( 2 - ( トランス一 4—プロビルシクロへキシル） ェチル） 一 4 ' —ェチルトラン 4重量％
4 - ( 2— ( トランス一 4—プロピルシク口へキシル） ェチル） 一 4 ' —プロピルトラン 4重景％ 4 - ( 2— ( トランス一 4—プロビルシクロへキシル） ェチル） 一 4 ' 一プチルトラン 4重量％
3 ，， 4 ' ージフルォロ一 4— ( トランス一 4—ェチルシク口へキシ ル） ビフエ二ル 3重量％ 3 ' , 4 ' ―ジフルォロ一 4一 （ トランス一 4—プロビルシクロへキシ ル） ビフエニル 3重量％
3 ' , 4 ' —ジフルォロー 4— ( トランス一 4一ペンチルシクロへキシ ル） ビフエニル 6重量％
4一 （ トランス一 4一プロビルシクロへキシル） 一 2—フルオロー 4 ' —ェチルトラン 6重量％
4 - ( トランス一 4一プロビルシクロへキシル） 一 2—フルオロー 4 1 —プロビルトラン 6重量％
4 - ( トランス一 4—プロビルシクロへキシル） 一 2—フルォ口一 4 ' —プチルトラン 6重量％ からなる液晶組成物を調製しその物性値を測定したところ、 N I点： 87. 6 ' (：、 Δ ε : 8.5、 Δη : 0.1 4 9 8、 ？？20 : 25.7 c P、 V t h : L 7 8 Vであった。
実施例 1 0
( E ) — 2— ( トランス一 4一 （ 3 , 4, 5— トリフルオロフェニル） シクロへキシル） 一 1— ( トランス一 4—ェチルシクロへキシル） ェテン
' 4重量％
(Ε) — 2— ( トランス一 4— ( 3 , 4, 5— トリフルオロフェニル） シクロへキシル） 一 丄 一 （ トランス一 4—プロビルシクロへキシル） ェテ ン 4重量％ ( Ε ) — 2— ( トランス一 4— ( 3 , 4, 5— ト リフルオロフェニル） シクロへキシル） 一 1— ( トランス一 4—ペンチルシクロへキシル） ェテ ン 8重量％
5—プロピル一 2 _ ( 3, 4—ジフルオロフェニル） ピリ ミジン
1 2重量％ 4ーェチルー 4 ， 一メ トキシ トラン 1 2重量％
4—フ レオ口フエ二ノレ トランス一 4—ペンチノレシク口へキサン力 レポ キシレート 9重量％
4—フルォ口フエニル トランス一 4—ヘプチルシクロへキサンカルボ ヰシレート 9重量％
4ーフルォ口フエニル トランス一 4— ( トランス一 4一プロピルシク 口へキシル） シクロへキサンカルボキシレー ト 3重量％
4—フルォ口フエニル トランス一 4一 （ トランス一 4一ペンチルシク 口へキシル） シクロへキサンカルボキシレート 3重量％ 3 ' , 4 ' ―ジフルォロ一 4一 （ トランス一 4—ェチルシクロへキシ ル） ビフエ二ル 3重量％
3 ，， 4 ' ージフルォ口一 4— ( トランス一 4 プロピノレシク口へキシ ノレ) ビフエ二ノレ 3重量％
3 ' , 4 ' ージフルオロー 4— ( トランス一 4 ペンチノレシクロへキシ ノレ） ビフエ二ル 6重量％
5—プロピル— 2— ( 4 —フルォロビフエニル一 4—ィル） ピリ ミジ ン 8重量％ 5ーブチルー 2— ( 4 ， フルォロビフエ二ルー 4—ィル） ピリ ミジン
8重量％ 55一一ペペンンチチルルーー 22—— （（ 44 ' 一フルォ口ビフエ二ルー 4—ィル） ピリ ミジ ン 8重量％ からなる液晶組成物を調製しその物性値を測定したところ、 N し、： 72. 2て、 Δ ε : 7.6、 厶 η : 0.1 5 7 2、 ？? 20： 30.3 c Ρ V t h ： 1.7 4 Vであった。
実施例 1 1
( E ) - 2 - ( トランス一 4— ( 3 , 4, 5— ト リ フルォ口フエニル） シクロへキシゾレ) 一 丄 ー （ トランス一 4—ェチゾレシクロへキシ レ) ェテン
7重量％
(E) — 2— （ トランス一 4— ( 3 > 4 , 5— トリ フルオロフェニル） シクロへキシル） 一 1— ( トランス一 4 —プロビルシクロへキシル） ェテ ン 7重量％
( E ) — 2 — ( トランス一 4一 （ 3 , 4 , 5 — トリ フルオロフェニル） シクロへキシル） 一 1— ( トランス一 4 —ペンチルシクロへキシル） ェテ ン 7重量％
4 - ( トランス一 4一へプチルシクロへキシル） 一 1 , 2—ジフルォロ ベンゼン 1 0重量％
4— ( トランスー 4 —プロビルシク口へキシル） ベンゾニ トリル
3重量％ 4 - ( トランス一 4 —ペンチルシクロへキシル） ベンゾニ トリル
4重量％
4— ( トランスー 4 — ^プチルシク口へキシル） ベンゾニ トリル
3重量％
4— ( トランス一 4 一プロビルシクロへキシル） 一 1 一エ トキシベンゼ ン 1 0重量％
4 一ェチル一 4 ' ーメ トキシ トラン 1 1重量％
3 ' , 4 ， 一ジフルォロ一 4 — ( トランス一 4 ーェチルシク口へキシ ル） ビフエニル 3重量％
3 ' , 4 ' ージフルォ口一 4— ( トランス一 4 一プロビルシクロへキシ ル） ビフエ二ル 3重量％
3 ' , 4 ' —ジフルォロー 4— ( トランス一 4 一ペンチルシクロへキシ ル） ビフエニル 6重量％ - ( トランス一 4 —プロビルシクロへキシル） 一 2—フルォロ一 4 ' —ェチルトラン 6重量％ 4 一 （ トランス一 4 —プロビルシクロへキシル） 一 2—フルオロー 4 ' —プロビルトラン 6重量％
4 - ( トランス一 4 —プロビルシクロへキシル） 一 2—フルォロ一 4 ' —プチルトラン 6重量％
4 - ( 2 — （ トランス一 4 一プロビルシクロへキシル） ェチル） 一 4 ， —ェチルトラン 4重量％
4一 （ 2— ( トランス一 4 —プロビルシクロへキシル） ェチル） 一 4 ， —プロビルトラン 4重量％ からなる液晶組成物を調製しその物性値を測定したところ、 N I点： 8 1. 3 X\ 厶 e ： 4. 4、 Δ n ： 0. 1 6 1 1、 ？？ 2 0： 2 3. 5 c P、 V t h ： 2. 3 7 Vであった。
実施例 1 2
( E ) — 2 — （ トランス一 4— ( 3 , 4 , 5 — トリフルオロフェニル） シク口へキシル） 一 丄 一 （ トランス一 4—ェチルシク口へキシル） ェテン
3重量％
( E ) — 2 — ( トランス— 4— ( 3 , 4 , 5 — ト リフルオロフェニル） シクロへキシリレ) 一 i — ( トランス一 4—プロピノレシクロへキシノレ) ェテ ン 3重量％
( E ) — 2 — ( トランス一 4— ( 3 , 4 , 5 — トリフルオロフェニル） シクロへキシノレ） 一 1— ( トランス一 4 一ペンチルシクロへキシル） ェテ ン 3重量％
4一ェチル一 4 ， 一シァノ ビフエニル 9重量％
4—ブチル一 4 ， 一シァノ ビフエニル 8重量％
4 - ( トランス一 4—プロピノレシク口へキシ レ） ベンゾニト リゾレ
3重量％
4 - ( トランス一 4—ペンチルシクロへキシル） ベンゾ トリル
4重量％
4 - ( トランス一 4一へプチルシクロへキシル） ベンゾ トリル
3重量％ 4 一 （ トランス一 4 —メ トキシメチルシク口へキシル） ベンゾニト リル
4重量％
4 —ェチルー 4 ' ―メチルトラン 2重量％
4一へキシル一 4 ' ―メチルトラン 4重量％
4 , 4 ' 一ジブチルトラン 2重量％ トランス一 4— ( トランス一 4—メ トキシメチルシクロへキシル） 一 1 —プロビルシクロへキサン 1 1重量％ トランス一 4— ( トランス一 4—メ トキシメチルシク口へキシル） 一 1 —ペンチルシクロへキサン 1 2重量％ - ( トランス一 4— ( トランス一 4—ェチルシクロへキシル） シクロ へキシル） ベンゾニトリノレ 3重量％
4一 （ トランス一 4— ( トランス一 4—プロビルシクロへキシル） シク 口へキシル） ベンゾニ トリル 5重量％
4— ( トランス一 4— ( トランス一 4—プロビルシクロへキシル） シク 口へキシル） トルエン 6重量％
5—プロピル一 2— ( 4 ' —フルォ口ビフエ二ルー 4—ィル） ピリ ミジ ン 5重量％
5—ブチルー 2— ( 4 ' —フルォロビフエニル一 4—ィル） ピリ ミジン
5重量％ 5—ペンチル一 2— ( 4 ' —フルォ口ビフエ二ルー 4—ィル） ビリ ミジ ン 5重量％ からなる液晶組成物を調製しその物性値を測定したところ、 N I点： 78. 7 厶 e : 8.8、 Δη : 0.1 4 6 2、 ？? 20： 22.4 c P. V t h ： 1.7 5 Vであった。
実施例 1 3
(E) — 2— ( トランス一 4— ( 3, 4 , 5— ト リフルオロフェニル） シクロへキシル） 一 1— ( トランス一 4ーェチノレシクロへキシル） ェテン
4重量％
(E) — 2— （ トランス一 4— ( 3 , 4, 5— トリフルオロフェニル） シク口へキシル） 一 丄 一 （ トランス一 4一プロピルシク口へキシノレ） ェテ ン 4重量％
(E) — 2— ( トランス— 4— ( 3 , 4 , 5— ト リフルオロフェニル） シクロへキシル） 一 1— ( トランス一 4一ペンチルシクロへキシル） ェテ ン 4重量％ 4 一 （ トランス一 4 一ェチゾレシク口へキシル） ベンゾニ ト リル
1 2重量％
4 一 （ トランス一 4—プロピ0 シク口へキシル） ベンゾニ トリル
1 4重量％ - ( トランス一 4ーメ トキシメチルシクロへキシル） ベンゾニ トリル
1 2重量％
4 一 （ トランス一 4 一プロビルシクロへキシル） 一 2 —フルォ口べンゾ 二 ト リル 1 2重量％
4 - ( トランス一 4— ( トランス一 4 —ェチルシクロへキシル） シクロ へキシル） ー 丄， 2—ジフルォロベンゼン 4重量％
4— ( トランス一 4 — ( トランス一 4—プロビルシクロへキシル） シク 口へキシル） ー 丄， 2—ジフルォロベンゼン 4重量％
4— ( トランス一 4 一 （ トランス一 4—ペンチルシクロへキシル） シク 口へキシル） 一 2—ジフルォロベンゼン 4重量％ 5—プロピル一 2— ( 4 ， 一フルォロビフエ二ルー 4 —ィノレ） ピリ ミジ ン 5重量％
5ーブチルー 2— ( 4 ' —フルォロビフエ二ルー 4 —ィル） ピリ ミジン
5重量％
4 - ( トランス一 4 — ( トランス一 4—ェチルシクロへキシル） シクロ へキシル） 一 2 —フルォ口べンゾニ ト リル 8重量％
4 一 （ トランス一 4— ( トランス一 4—プロビルシクロへキシル） シク 口へキシル） 一 2 —フルォ口べンゾニ ト リノレ 8重量％ からなる液晶組成物を調製しその物性値を測定したところ、 N I点： 6 9. 0 、 厶 ε ： 1 3. 9、 厶 η ： 0. 1 2 2 4、 ？？ 2 0： 3 4. 5 c Ρ、 V t h ： 1. 2 4 Vであった。
実施例 1 4
( E ) — 2 — （ トランス一 4 一 （ 3 , 4 , 5 — トリ フルオロフェニル） シクロへキシル） 一 丄 一 （ トランス一 4—ェチルシクロへキシル） ェテン
7重量％ ( E ) — 2— ( トランス一 4— ( 3 , 4 , 5— ト リフルオロフェニル） シク口へキシル） 一 1 一 （ トランス一 4—プロビルシク口へキシル） ェテ ン 7重量％
( Ε ) — 2— ( トラ ンス一 4— ( 3 , 4 , 5— トリフルオロフェニル） シクロへキシノレ） 一 1— ( トランス一 4一ペンチノレシクロへキシゾレ） ェテ ン 7重量％
4 - ( トランス一 4—；ンチ レシクロへキシジレ) 一 1—フゾレオ口べンゼ ン 9重量％
4 - ( トランス一 4 へキシゾレシクロへキシノレ) 一 i ーフノレオ口べンゼ ン 7重量％
4 - ( トランス 4—へフ 'チノレシクロへキシソレ) 一 1 —フノレオ口べンゼ ン 7重量％
4— ( トランス一 4— ( トランス一 4—ェチルシクロへキシル） シクロ へキシル） 一 丄 一 ト リフルォロメチルォキシベンゼン 6重量％
4 一 （ トランス一 4 一 （ トランス一 4—プロビルシクロへキシル） シク 口へキシル） 一 1 一 ト リフルォロメチルォキシベンゼン 9重量％ - ( トランス一 4— ( トランス一 4—ブチルシクロへキシル） シクロ へキシル） 一 1 — ト リフルォロメチルォキシベンゼン 6重量％
4— ( トランス一 4— ( トランス一 4—ペンチルシクロへキシル） シク 口へキシル） 一 丄 一 ト リフルォロメチルォキシベンゼン 8重量％
3 ' , 4 ' -ジフルォ口一 4一 （ トランス一 4—プロピルシク口へキシ ル） ビフエ二ル 9重量％
2— ( トランス一 4 一 （ トランス一 4一プロビルシクロへキシル） シク 口へキシル） ー 丄 一 （ 4 一 トリフルォロメチルォキシフエニル） ェタン
8重量％
2— ( トランス一 4— ( トランス一 4 —ペンチルシクロへキシル） シク 口へキシル） ー 丄 一 （ 4— ト リフルォロメチルォキシフエニル） ェタン
7重量％
4 ， 一 （ トランス一 4—プロビルシクロへキシル） 一 4 — ( トランス一 4—ペンチルシクロへキシル） 一 2—フルォロビフエニル 3重量％ からなる液晶組成物を調製した。
実施例 i 5
( E ) — 2— ( トランス一 4— ( 3 , 4 , 5— ト リフルオロフェ ル） シクロへキシル） 一 1— ( トランス一 4ーェチルシクロへキシル） ェテン
8重量％
( E ) — 2— （ トランス一 4— ( 3 , 4 , 5— ト リ フルオロフェニル) シクロへキシル） 一 1— ( トランス一 4—プロビルシク口へキシル） ェテ ン 8重量％ ( E ) — 2— （ トランス一 4一 （ 3 , 4 , 5— ト リ フルオロフェニル） シクロへキシル） 一 1— ( トランス一 4—ペンチルシクロへキシル） ェテ
4
ン 1 8重量％ 4 ( トランス一 4 一ペンチノレシクロへキシゾレ） 1 ーフソレオ口べンゼ ン 8重量％
4 一 （ トランス一 4 —へキシノレシクロへキシゾレ） 一 1 —フソレオ口べンゼ ン 8重量％
( トランス一 4—ヘプチルシクロへキシル） 一 1 フルォ口ベンゼ ン 5重量％
4 - ( トランス一 4— ( トランス一 4 ーェチルシクロへキシル） シクロ へキシル） 一 1 — ト リフルォロメチルォキシベンゼン 5重量％
4 - ( トランス一 4— ( トランス一 4 一プロビルシクロへキシル） シク 口へキシル） 一 _[一ト リフルォロメチルォキシベンゼン 7重量％
4 - ( トランス一 4— ( トランス一 4ーブチルシクロへキシル） シクロ へキシル） 一 1 一 ト リ フルォロメチルォキシベンゼン 5重量％ - ( トランス一 4— ( トランス一 4 一ペンチルシクロへキシル） シク 口へキシル） 一 i — ト リ フルォロメチルォキシベンゼン 7重量％
3 ' , 4 ， 一ジフルォ口一 4一 （ トランス一 4—プロビルシクロへキシ ル） ビフエニル 8重量％
3 ' , 4 ' —ジフルォロー 4 一 （ トランス一 4 —ペンチルシクロへキシ ル） ビフエニル 7重量％
2 - ( トランス一 4 — ( トランス一 4 —プロビルシクロへキシル） シク 口へキシル） 一 1 _ ( 4 一 ト リ フルォロメチルォキシフエニル） ェタン
5重量％ 2— （ トランス一 4— ( トランス一 4—ペンチルシクロへキシル） シク 口へキシル） 一 丄 一 （ 4— トリ フルォ口メチルォキシフエ二ル） ェタン
5重量％
4 ' ― ( トランス一 4 一プロピルシク口へキシル） 一 4— ( トランス一 4 一プロビルシクロへキシル） 一 2—フルォロビフエニル 2重量％ 4 ，一 （ トランス一 4—プロピルシク口へキシル） 一 4 — ( トランス一 4 一ペンチルシクロへキシル） 一 2—フルォロビフエニル 2重量％
4 ' ― ( トランス一 4 一ペンチルシクロへキシル） 一 4 — ( トランス一 4 —ペンチルシクロへキシル） 一 2—フルォロビフエニル 2重量％ からなる液晶組成物を調製した。
実施例 1 6
( E ) — 2 — ( トランス一 4— ( 3 , 4 , 5 — トリフルオロフェニル） シクロへキシル） 一 1— ( トランス一 4 —ェチルシクロへキシル） ェテン
5重量％
( E ) — 2 — ( トランス一 4一 （ 3 , 4 , 5 — ト リ フルオロフェニル） シク口へキシル） 一 1 一 （ トランス一 4—プロピルシク口へキシル） ェテ ン " 5重量％
4 - ( トランス一 4—ェテ二ルシク口へキシル） ベンゾニ ト リル
1 1重量％
4 - ( トランス一 4— ( E— 3—ペンテュル） シクロへキシル） ベンゾ 二 トリル i 0重量％
4 - ( トランス一 4— ( 3—ブテュル） シク口へキシル） ベンゾニトリ ル 8重量％
4 - ( トランス一 4 一プロピノレシク口へキシル） ベンゾニト リル
3重量％ 4 ' ―ェチルー 4—シァノ ビフエニル 7重量％
3 —フルォロー 4 —シァノフエニル 4ーェチルぺンゾエー ト
2重量％
3—フルオロー 4 -シァノフエニル 4一プロピルべンゾエー ト
3重量％
4一 （ トランス一 4— ( 3—メ トキシプロピル） シクロへキシルー 2— フルォ口べンゾニ ト リル 3重量％
4一 （ トランス一 4—フ'口ピ レシクロへキシ レ） ー丄一^：ンチゾレ一 1 一 シクロへキセン 1 5重量％ 4—プチルー 4 ' ―エ トキシ トラン 3重量％
4 —ペンチルー 4 ，一エ トキシ トラン 3重量％
4— ( トランス一 4 —プロピルシクロへキシル） 一 4 ， ーェチルトラン
6重量％
3―フルオロー 4一シァノフエニル 4— ( トランス一 4―プロビルシ クロへキシル） ベンゾエート 9重量％
4— ( トランス一 4 一プロピルシク口へキシル） 一 4 ， ーメ トキシメチ ルビフエニル 7重量％ からなるネマチック組成物を調製した。
実施例 1 7
( E ) — 2― ( トランス一 4一 （ 3 , 4 , 5― トリ フルオロフェニル） シク口へキシノレ） 一 1 ― ( トランス一 4—ェチノレシク口へキシノレ） ェテン
1 0重量％
( E ) ― 2― ( トラ ンス— 4― ( 3 , 4 , 5― トリフルオロフ工ニル） シク口へキシル） 一 1 — ( トランス一 4—プロビルシク口へキシル） ェテ ン 1 0重量％
4 - ( トランス一 4 ーェチリレシク口へキシル） ベンゾニトリル
1 0重量％
4 - ( トランス一 4ーブ口ピゾレシクロへキシノレ） ベンゾニト リノレ
丄 3重量％ 4— ( トランスー 4—ブチ レシク口へキシノレ） ベンゾニ ト リゾレ
1 0重量％ - ( トランス一 4一ペンチルシクロへキシル） ベンゾニ トリル
1 5重量％ 2— （ トランス一 4— ( トランス一 4一プロピルシク口へキシノレ） シク 口へキシル） 一 1— ( 4—フルオロフェニル） ェタン 4重量％
2— ( トランス一 4— ( トランス一 4—ペンチルシクロへキシル） シク 口へキシル） 一 1一 （ 4一フルオロフェニル） ェタン 4重量％
4一メチル _ 4 ' 一エ トキシ トラン 5重量％ 4一ペンチルー 2 ' , 3 ' —ジフルオロー 4 ' ―エ トキシ トラン
4重量％
2— （ トランス一 4— ( トランス一 4—プロビルシクロへキシル） シク 口へキシル） 一 1一 （ 4一メチルフエニル） ェタン 5重量％
2— ( トランス一 4— ( トランス一 4一プロビルシクロへキシル） シク 口へキシル） 一 1— ( 4—ェチルフエニル） ェタン 5重量％
2— （ トランス一 4一 （ トランス一 4一プロビルシクロへキシル） シク 口へキシル） 一 1— ( 4—プロビルフエニル） ェタン 5重量％ からなるネマチック組成物を調製した。
実施例 1 8
(E) — 2— ( トランス一 4一 （ 3 , 4 , 5一 ト リフルオロフェニル） シクロへキシル） 一 1 _ ( トランス一 4一ェチルシクロへキシル） ェテン
1 0重量％
(E) — 2— （ トランス一 4一 （ 3, 4 , 5— ト リフルオロフェニル） シクロへキシル） 一 1一 （ トランス一 4—ブチルシクロへキシル） ェテン
1 0重量％
4— ( トランス一 4—プロビルシクロへキシル） 一 1 クロ口ベンゼン
5重量％
( トランス一 4一ペンチルシクロへキシル） クロ口ベンゼン
5重量％ 4— ( トランス一 4— ( トランス一 4一プロビルシクロへキシル） シク 口へキシル） 一 1—クロ口ベンゼン 5重量％
4 - ( トランス一 4一 （ トランス一 4一ペンチルシクロへキシル） シク 口へキシル） 一 1—クロ口ベンゼン 5重量％ 4一 （ トランス一 4— ( トランス一 4—ェチルシク口へキシル） シク口 へキシル） 一 1 , 2—ジフルォロベンゼン 5重量％
4一 （ トランス一 4— ( トランス一 4一プロビルシクロへキシル） シク 口へキシル） ー 1 , 2—ジフルォロベンゼン 5重量％
4 - ( トランス一 4— ( トランス一 4一ペンチルシクロへキシル） シク 口へキシル） 一 1 , 2—ジフルォロベンゼン 5重量％
2— ( トランス一 4— ( 3, 4—ジフルオロフェニル） シクロへキシ ル） 一 1一 （ トランス一 4—ェチルシクロへキシル） エタン 6重量％
2— ( トランス一 4— ( 3, 4—ジフルオロフェニル） シクロへキシ ル） ー 1一 （ トランス一 4—プロビルシクロへキシル） ェタン 3重量％
2 - ( トランス一 4一 （3, 4—ジフルオロフェニル） シクロへキシ ル） ー 1一 （ トランス一 4—ペンチルシクロへキシル） ェタン 6重量％
4 - ( トランス一 4— ( トランス一 4—プロビルシクロへキシル） シク 口へキシル） 一 1 , 2—ジフルォロベンゼン 5重量％ トランス一 4— ( トランス一 4— ( 3, 4 , 5— ト リフルオロフェニ ル） シクロへキシル） 一 1一ペンチルシクロへキサン 5重量％
2— ( トランス一 4一 （ トランス一 4—プロビルシクロへキシル） シク 口へキシル） ー 1ー （ 3, 4, 5— ト リフルオロフェニル） ェタン
5重量％
2— （ トランス一 4— ( トランス一 4一ペンチルシクロへキシル） シク 口へキシル） — 1— ( 3, 4 , 5— ト リフルオロフェニル） ェタン
5重量％ - ( トランス一 4— ( トランス一 4—プロビルシクロへキシル） シク 口へキシル） 一 1 一フルォロベンゼン 5重量％
4 ' 一フルォ口一 4— ( トランス一 4一プロピルシク口へキシル） ビフ ェニル 5重量％ からなる液晶組成物を調製しその物性値を測定したところ、 N I点： 94. 9て、 Δ ε ： 5.4、 厶 η ： 0.0 8 6 0、 τ?20： 2 1.1 c P. V t h ： 2.1 0 Vであった。
実施例 1 9
(E) — 2— （ トランス一 4一 （ 3 , 4 , 5— ト リフルオロフェニル） シクロへキシ レ） 一 1— ( トランス一 4—ェチ レシクロへキシ レ） ェテン
1 0重量％
(E) — 2— （ トランス一 4一 （ 3 , 4 , 5— トリフルオロフェニル） シクロへキシル） 一 1— ( トランス一 4—ブチルシクロへキシル） ェテン
1 0重量％
4一 （ トランス一 4— ( トランス一 4—プロピルシクロへキシル） シク 口へキシル） 一 1—クロ口ベンゼン 7重量％
4— ( トランス一 4— ( トランス一 4—ペンチルシクロへキシル） シク 口へキシル） 一 1—クロ口ベンゼン 8重量％
2— ( トランス一 4一 （ 3—フルォロ一 4—クロ口フエニル） シクロへ キシル） 一 1— ( トランス一 4—プロビルシクロへキシル） ェタン
7重量％
2— ( トランス一 4一 （ 3—フルォロ一 4—クロ口フエニル） シクロへ キシル） 一 1— ( トランス一 4一ペンチルシク口へキシル） ェタン
8重量％
4 - ( トランス一 4— ( トランス一 4—ェチルシクロへキシル） シクロ へキシル） 一 1 , 2—ジフルォロベンゼン 5重量％
4— ( トランス一 4— ( トランス一 4—プロビルシクロへキシル） シク 口へキシル） ー 1 , 2—ジフルォロベンゼン 5重量％
4— ( トランス一 4— ( トランス一 4—ペンチルシクロへキシル） シク 口へキシル） ー 1 , 2—ジフルォロベンゼン 5重量％
3 ' , 4 ' —ジフルオロー 4— ( トランス一 4ーェチルシクロへキシ ル） ビフエニル 4重量％ 3 ，， 4 ' ージフルォロー 4一 （ トランス一 4—ブロビルシクロへキシ ル） ビフエ二ル 4重量％
3 ' , 4 ' ージフルォロー 4一 （ トランス一 4—ペンチルシクロへキシ ゾレ） ビフエ二ノレ 8重量％
4 '一 （ トランス 4—プロビルシクロへキシル） 一 3 , 4 , 5— トリ フノレオロビフエ二ノレ 4重量％
4 ' 一 （ トランスー 4 -ペンチノレシクロへキシル） 一3 , 4 , 5—ト リ フ レオ口ビフエニル 5重量％
2— （ トランスー 4一 ( 3 , 4 , 5— トリフルオロフェニル） シクロへ キシル） — 1一 （ トランス一 4一プロビルシクロへキシル） ェタン
5重量％
2— （ トランス一 4 一 （ 3 , 4 , 5—ト リフルオロフェニル） シクロへ キシノレ） 一 1— ( トランス一 4—ペンチ レシクロへキシ レ） ェタン
5重量％ からなる液晶組成物を調製しその物性値を測定したところ、 Ν Ι点： 1 1 3. 1 Δ ε ： 6. 4、 厶 η ： 0. 1 0 3 3、 ?? 20： 2 7. 7 c Ρ Ν V t h ： 2. 2 0 Vであった。
産業上の利用の可能性
本発明の化合物は、 高い N I点を有するため液晶表示素子の動作範囲を 広げることができ、 また粘度が低いので液晶表示素子の応答速度を向上さ せ、 また大きな正の Δ eをもち液晶表示素子の駆動電圧を低下させること ができる。 さらに、 環境因子に対して非常に安定であるので様々な液晶表 示素子 （例えば、 T F Tによるアクティブマトリ ックス方式） に用いるこ とができる。

Claims

請 求 の 範 囲
1. 下記の一般式 （ I ) で表されるジシクロへキシルエチレン誘導体 <
Figure imgf000050_0001
式中、 Rは炭素数 1〜10の直鎖状のアルキル基を示し、 Xはフッ素原 子またはトリフルォロメチル基を示す。
2. 式 （ I ) において、 Xがフッ素原子である請求の範囲第 1項に記載の ジシク口へキシルェチレン誘導体。
3. 式 （ I ) において、 Xがトリフロォロメチル基である請求の範囲第 1 項に記載のジシク口へキシルエチレン誘導体。
4. 少なくとも二つの成分からなり、 少なくともその一方が請求の範囲第 1項に記載のジシクロへキシルェチレン誘導体である液晶組成物。
PCT/JP1994/000389 1993-03-10 1994-03-10 Dicyclohexylethylene derivative WO1994020443A1 (en)

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