WO1992004720A1 - Thermistor a caracteristique positive et procede de production - Google Patents

Thermistor a caracteristique positive et procede de production Download PDF

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WO1992004720A1
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thermistor
electrode
positive
silver
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Takuji Okumura
Hiroshi Inagaki
Yukie Suzuno
Original Assignee
Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C1/00—Details
    • H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
    • H01C1/1406—Terminals or electrodes formed on resistive elements having positive temperature coefficient

Definitions

  • the present invention relates to a positive temperature coefficient thermistor and a manufacturing method thereof, and more particularly to a structure and a forming method of an electrode thereof.
  • PTC thermistor because the oxide semiconductor added with 0.1 to 0.3 at% of BaTi O ⁇ : Y, Nd etc. has a large positive temperature coefficient.
  • this PTC thermistor can adjust the temperature range with a large positive temperature coefficient by adding Sr.Pb, etc., it can be used for temperature measurement and overcurrent prevention, motor startup, color TV degaussing, etc. It is an essential element in a wide variety of fields such as circuit elements and constant temperature heating heaters.
  • a thermistor is, as shown in Fig. 5 (a), a thin columnar shape obtained by sintering metal oxides, carbonates, nitrates, chlorides, etc. of Ba, Ti, Nd, etc.
  • such a positive temperature coefficient thermistor is usually used by applying a voltage between the second electrode layers 13a and 13b.At this time, the silver force transfer in the second electrode layer in the direction of the electric field is performed. A so-called migration phenomenon occurs in which precipitation occurs. Especially when the outer peripheral edge of the second electrode layer is formed so as to reach the outer peripheral edge of the positive 14 thermistor body 1, silver migrates and deposits in the direction of the outer peripheral surface of the positive characteristic thermistor body 1, and finally There was a problem of causing a short circuit.
  • a positive thermistor has been proposed in which the outer diameter of the second electrode layer is smaller than that of the first electrode layer.
  • the outer shape of the second electrode layer is smaller than the outer shape of the first electrode layer, the portion of the first electrode layer that is not covered by the second electrode layer is directly Since it was exposed to the atmosphere, it was easily oxidized and the contact resistance gradually increased. Also, since silver migration moves along the direction of the electric field, even if only the second electrode layer is provided inside the outer periphery as in the conventional example, the inside of the first electrode layer is slightly The problem of short-circuiting was alleviated, but could not be completely prevented. In addition, since electrodes are formed using the conventional positive temperature coefficient thermistor plating method, this method allows the plating solution to penetrate into the sintered body when Ni plating is performed during electrode formation.
  • the characteristics of the sintered body may change, such as the resistance value decreasing. This may appear as a characteristic change immediately after formation, or it may gradually appear with time.
  • the thermistor is used for temperature measurement and control, compensation, gain adjustment, power measurement, overcurrent prevention, motor activation, color TV degaussing, etc., all of which require high-precision resistance control. It is just R ⁇ . It is necessary to use the one within the range of%. Therefore, the problem of resistance change due to permeation of the plating solution is becoming more serious.
  • the portion of the first electrode layer that is not covered by the second electrode layer is directly contacted. Since it is exposed to the air, it is easily oxidized and the contact resistance gradually rises.
  • the electrodes are formed using the conventional positive temperature coefficient thermistor plating method, in this method, the plating solution permeates into the sintered body during Ni plating during electrode formation, resulting in a resistance value May change the characteristics of the sintered body.
  • a mask pattern such as a resist is formed and immersed in the Ni plating solution to perform Ni plating. After this, the mask pattern must be removed. At this time, the surface of the thermistor body is easily contaminated by metal ions, etc. due to contamination by the Ni plating solution and the mask pattern stripping solution, and this contamination may cause variations in resistance value or cause migration. This There was.
  • the conventional electrode forming method using Ni plating has a problem in that the characteristics cannot be maintained well and the highly reliable resistance cannot be maintained.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a stable thermistor.
  • the outer edge of the first electrode which contains metal other than silver as the main component, is positioned inside the outer peripheral edge of the thermistor body, and the silver formed on this is the main component. It is formed so as to substantially coincide with the outer edge of the second electrode.
  • the second electrode layer has the agitating body sufficiently inside the outer peripheral edge of the thermistor body, and therefore there is no possibility of a short circuit due to migration.
  • the first electrode layer has a structure that is barely exposed except for the vertical portion of the end face. Oxidation of the first electrode layer can be prevented, and a short circuit due to migration through the surface of the first electrode layer can be prevented, so that reliability can be improved.
  • the first electrode is formed so that the outer periphery of the second electrode is also located inside and the end face of the first electrode layer is covered with the second electrode layer, Oxidation of the first electrode layer can be reliably prevented, and short circuits due to migration through the surface of the first electrode layer are eliminated, so that reliability can be improved.
  • the first electrode layer nickel thigh, aluminum (A 1), indium (I n), copper (C u), indium monogallium (I n — G a), indium mercury (I n- H g) etc. should be used.
  • the outer periphery of the first electrode containing a metal other than silver as a main component is positioned inside the outer peripheral edge of the thermistor body, and silver is mainly added to this ⁇ .
  • the first electrode layer is formed by a vapor deposition method.
  • electrodes can be formed by a dry process, and characteristics change due to contamination of exposed parts on the front and back surfaces of the thermistor body due to solution etc. during electrode formation. It is possible to form an electrode having high adhesion and low contact resistance without causing this.
  • the electrodes can be sequentially formed with the same channel, which facilitates the production.
  • the second electrode layer may be formed by using a thick film printing method.
  • FIG. 1 is a diagram showing a thermistor of a first embodiment of the present invention
  • FIGS. 2 (a) to 2 (c) are diagrams showing a manufacturing process of the thermistor
  • FIG. 3 (a) and FIG. 3 (b) is a diagram showing the results of aging tests of the thermistor of the first embodiment of the present invention and a conventional example
  • FIG. 4 is a diagram showing the thermistor of the second embodiment of the present investigation
  • FIG. a) and FIG. 5 (b) are diagrams showing another example of the thermistor
  • FIG. 6 shows the method of the present invention in which the second electrode layer is formed by vapor deposition, the conventional method formed by plating and the aging test. It is a comparative diagram showing the results of.
  • FIG. 1 is a diagram showing the positive temperature coefficient thermistor according to the embodiment of the present invention.
  • This positive 14 thermistor consists of a thermistor body containing barium titanate as the main component, 1, and an Ni mating layer formed on the upper and lower surfaces of the thermistor so that the amber comes a little inward from the outer periphery.
  • the first electrode layers 2 a and 2 b and the second electrode layer 3 a mainly composed of silver formed on the upper layers so that the edges of the first electrode layers 2 a and 2 b coincide with each other. , 3 b and.
  • 2 (a) to 2 (c) are flow charts showing the manufacturing process of the thermistor of the embodiment of the present invention.
  • the powders of T i 0 2 , B a C 0 3 .N d 2 0 3 were mixed at a predetermined ratio and pressed into a disk shape by the cold pressing method. After that, the temperature is 1300; Then, the surface roughness of the end surface (electrode forming surface) of the thermistor body 1 is measured by a surface roughness meter. Is measured.
  • the surface roughness is 6.3 to: I. 6 s (JIS standard triangle symbol WV) and surface roughness 0.8 s (JIS standard triangle symbol VWV) JiLL. Divide.
  • the first electrodes 2a, 2b made of Ni thin film of J3Ii? 0.1 ⁇ 10y "in were formed on the upper and lower surfaces by electron beam evaporation method.
  • vapor deposition is performed through a metal mask so that the Ni thin film force is not formed in the vicinity of the outer periphery of the main body.
  • the film formation condition is that the surface roughness is 6.3 to 1.6 s.
  • Vacuum level 1 X10- 4 torr ⁇ 1 X 10-Horr
  • Deposition temperature room temperature to 250.
  • silver electrodes 3a and 3b are further formed on the upper layer by a thick film printing method.
  • the thermistor resistivity obtained in this way is 23 to 28 ⁇ and 85 ° C 3
  • the specific resistance was 30 to 35 °.
  • the resistance value started to change after 100 hours and decreased by 10% after 200 hours. , The characteristics were extremely unstable.
  • a thermistor having stable resistivity and high reliability could be obtained. Furthermore, according to this method, a large amount of positive Since a thermistor can be obtained, mass productivity is greatly improved.
  • the silver electrode may be formed by vacuum film deposition with the force metal mask used for thick film printing as it is.
  • the layers can be sequentially laminated in the same vacuum device simply by switching the vapor deposition source, and the formation can be performed very easily.
  • the first and second electrode layers were configured to have the same pattern opening.
  • the second electrode layer is formed so as to cover the edge of the first electrode layer. It is what is formed.
  • this positive temperature coefficient thermistor has a thermistor body 21 mainly composed of barium titanate, and the upper and lower surfaces of the thermistor body 21 slightly entering from the outer peripheral edge of the thermistor body 21.
  • the first electrode layer 2 2 a, 2 2 b consisting of the Ni layer formed by the vacuum evaporation method so that the amber is located at the position, and the first electrode layer 2 2 a, 2 2 b on this layer.
  • the second electrode layer mainly composed of silver formed so as to cover the end bristles of 2b and the edge of the thermistor body 21 to be slightly intruded from the outer perimeter of the thermistor body 21. , 2 3 b and.
  • the first electrode layer 2 2 a .2 2 b is formed by the vacuum evaporation method, so that the contamination of the surface of the thermistor body and the exposed portion of the U3 ⁇ 4 surface is hardly caused.
  • the second electrode layers 23a and 23b since it is completely covered with the second electrode layers 23a and 23b, it is possible to prevent the oxidation of the first electrode, so that it is more reliable.
  • a conductor other than silver is formed so that the amber comes in a position slightly intruding the electrode of the thermistor from the outer abutment of the thermistor body.
  • a first electrode layer composed of a layer, and an upper peripheral layer of the first conductor layer mainly composed of silver, the outer peripheral edge of which is formed so as to match or cover the outer peripheral edge of the first electrode layer. Since it is composed of, it is possible to obtain a positive temperature thermistor with stable characteristics, temperature measurement and control, compensation, gain adjustment, power measurement, overcurrent prevention, motor start, color TV degaussing, etc. It can be used for those that require highly accurate resistance value control.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Description

明細書
正特性サ一ミスタおよびその製造方法
技術分野
本究明は、 正特性サーミスタおよびその製造方法に係り、 特にその電極の構造 および形成方法に関する。
背景技術
BaTi O^:Y, Nd等を0. 1〜0. 3 at %添加した酸化物半導体は大きな 正の温度係数を有することから、 PTCサーミス夕と呼ばれる。
この PTCサーミスタは、 大きな正の温度係数を有する温度領域を、 Sr. P b等の添加で調整することができることから、 温度の測定および過電流防止、 モ ータ起動、 カラー TV消磁用等の回路素子および定温発熱ヒータ等、 広く様々な 分野でなくてはならないものとなっている。
このようなサーミスタは、 その一例を第 5図（a) に示すように、 Ba, T i, Nd, などの金属の酸化物、 炭酸塩、 硝酸塩、 塩化物等を焼結し、 薄い円柱状に 成形せしめられたサーミスタ本体 11と、 その上面と下面に形成された N iメッ キ層からなる第 1の電極層 12 a, 12 bと、 この ±^に形成された銀を主成分 とする第 2の電極層 13 a, 13 bとから構成されている。
ところでこのような正特性サーミスタは、 通常、 第 2の電極層 13 a, 13 b 間に電圧を印加して使用されるが、 このとき電界の方向に向かって第 2電極層内 の銀力移動析出する、 いわゆるマイグレーション現象が生じる。 特に第 2の電極 層の外周縁が正 14サーミスタ本体 1の外周端まで達するように形成されている 場合、 正特性サーミスタ本体 1の外周面で の方向に向かつて銀が移動析出し、 ついには短絡を生じるという問題があつた。
そこでこの問題を解決するため、 第 5図 (b) に示すように、 第 2の電極層の外 径を第 1電極層の外径よりも小さく形成した正 ½サーミスタカ提案されている。
しかしながら、 この構造では、 第 2の電極層の外形が第 1の電極層の外形より も小さく設けられているため、 第 1の電極層のうち第 2の電極層によって覆われ ていない部分は直接大気にさらされることになり、 酸化されやすく、 次第にコン タクト抵抗が上昇するという問題があつた。 また、 銀のマイグレーションは電界の方向に沿って移動する であるため従 来例のように第 2の電極層のみを外周より内側に設けたとしてもわずかではある が第 1電極層の中を銀が拡散していくため、 短絡の問題は緩和されるが完全に防 止することはできなかった。 また従来の正特性サ一ミスタはめつき法を用いて 電極形成がなされているため、 この方法では、 電極形成に際して N iめっきをお こなう際にめつき溶液が焼結体内部に浸透し、 抵抗値が減少する等焼結体の特性 を変化させることがある。 これは形成後ただちに特性変ィ匕として表れることもあ れば、 時間と共に徐々に表れることもある。 サーミスタの用途は、 前述したよう に、 温度の測定および制御、 補償、 利得調整、 電力測定、 過電流防止、 モータ起 動、 カラー TV消磁用等、 いずれも高精度の抵抗値制御が必要なものばかりであ り、 R ±。％の範囲内にあるものを用いる必 がある。 したがってこのめつき液 の浸透による抵抗値変化の問題は深刻化してきている。
また、 このようなめっき液の浸透を避けるため、 メタル »f法により、 アルミ ニゥムなどの低融点金属を形成しこれを電極として用いる方法も提案されている。
しかし、 この方法も、 電極形成時に急激な温度変化を伴うため、 サ一ミスタ本 体あるいは電極自体にクラック力 生するという問題を避けることができない。
このように、 第 2電觸の難を第 1電 の^ Sよりも小さく形成した従来 の構造では、 第 1の電極層のうち第 2の電極層によつて覆われていない部分は直 接大気にさらされているため、 酸化されやすく、 次第にコンタクト抵抗が上昇す るという問題があった。
また従来の正 ¾サ一ミスタはめつき法を用いて電極形成がなされているため、 この方法では、 電極形成に際して N iめっきをおこなう際にめつき溶液が焼結体 内部に浸透し、 抵抗値が減少する等焼結体の特性を変化させることがある。
さらにまた、 このような N iめつき層をサーミスタ本体の外周端に対してやや 内側にくるように形成する場合、 レジストなどのマスクパターンを形成し N iめ つき液に浸漬し N iめっきを行ったのちこのマスクパターンを除去しなければな らない。 このとき N iめっき液およびマスクパターンの剥離液による汚染により サーミスタ本体の表面が金属ィオンなどに汚染されやすく、 この汚染が抵抗値の ばらつきの原因となったり、 マイグレーションを誘起する原因になったりするこ とがあった。
このように従来の N iめっきを用いた電極形成方法では特性を良好に維持し信 頼性の高い抵抗 を維持することができないという問題があつた。
本発明は、 前記実情に鑑みてなされたもので、 安定した を持つサーミスタ を提供することを目的とする。
発明の開示
そこで本癸明では、 銀以外の金属を主成分とする第 1の電極の外周緣を、 サー ミスタ本体の外周縁よりも内側に位置するようにすると共に、 この に形成さ れる銀を主成分とする第 2の電極の外周緣とほぼ一致するように形成している。 この構成によれば、 前記第 2の電極層はサーミスタ本体の外周縁よりも十分に 内側に端緣を有しているため、 マイグレーションによる短絡のおそれもない。 また第 1の電極層は第 2の電極の外周縁と一致するように形成された場合にも、 第 1の電極層は端面の垂直部分を除いてほとんど露出してない構造をとるため、 第 1の電極層の酸化を防止することができるうえ、 第 1の電極層表面を通つての マイグレーションによる短絡を防止することができ、 信頼性の向上をはかること ができる。
また、 前記第 1の電 を第 2の電極の外周緣ょりも内側に位置するように形 成し、 第 1の電極層の端面を第 2の電極層で被覆するようにすれば、 第 1の電極 層の酸ィ匕を確実に防止することができるうえ、 第 1の電極層表面を通つてのマイ グレーシヨンによる短絡は皆無となり、 信頼性の向上をはかることができる。 例えば第 1の電極層としては、 ニッケル薄腿、 アルミニウム （A 1 ) , イン ジゥム （I n ) , 銅 （C u ) , インジウム一ガリウム （ I n— G a ) , インジゥ ムー水銀 ( I n -H g) 等を用いるようにする。
また、 本発明の方法では、 銀以外の金属を主成分とする第 1の電極の外周緣を、 サ一ミスタ本体の外周縁よりも内側に位置するようにすると共に、 この ^に銀 を主成分とする第 2の電極を備えた正特性サ一ミスタを作成するに際し、 第 1の 電極層の形成を蒸着法で行うようにしている。
この方法によれば、 ドライプロセスでの電極形成が可能となり、 電極形成時に 溶液等によりサーミスタ本体の表面および裏面の露出部の汚染による特性変化を 引き起こすことなく、 密着性が高く接触抵抗の小さい電極を形成することが可能 となる。
望ましくは第 2の電極層の形成も蒸着法を用いるようにすれば、 同一のチャン ノ 一で順次電極を形成することができ製造が容易となる。
また、 第 2の電極層の形成は厚膜印刷法を用いるようにしてもよい。
図面の簡単な説明
第 1図は本発明の第 1の実施例のサーミスタを示す図、 第 2図 (a) 乃至第 2図 (c) は同サーミス夕の製造工程を示す図、 第 3図 (a) および第 3図 (b) は本発明 の第 1の実施例および従来例のサーミスタのエージングテストの結果を示す図、 第 4図は本究明の第 2の実施例のサーミスタを示す図、 第 5図 (a) および第 5図 (b) は «例のサーミスタを示す図、 図 6は第 2の電極層を蒸着法で形成した本 発明の方法と、 めつき法で形成した従来の方法とエージングテストの結果を示す 比較図である。
発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の実施例について図面を参照しつつ詳細に説明する。
実施例 1
第 1図は本究明実施例の正特性サーミスタを示す図である。
この正 14サーミスタは、 チタン酸バリウムを主成分とするサーミスタ本体と 1と、 その上面と下面に、 外周縁からやや入り込んだ位置に端緣がくるように形 成された N iメツキ層からなる第 1の電極層 2 a , 2 bと、 この上層に第 1の電 極層 2 a , 2 bと端縁が一致するように形成された銀を主成分とする第 2の電極 層 3 a , 3 bとから構成されている。
次にこの正 14サーミス夕の製造工程について説明する。
第 2図 (a) 乃至第 2図 (c) は、 本発明実施例のサーミスタの製造工程を示すェ 程図である。
まず、 第 2図 (a) に示すように、 T i 02 , B a C 03 . N d2 03 の粉末 を所定の割合で混合し、 冷間プレス法によってディスク状に加圧成形した後、 1 3 0 0 で;^し、 直径 4 . 4 7讓ディスク状のサ一ミスタ本体 1を形成する。 続いて、 このサーミスタ本体 1の端面 （電極形成面） の表面粗さを表面粗さ計 を用いて測定する。
そしてこの表面粗さが 6. 3〜： I. 6 s ( J I S規格の三角記号で WV) の 場合と、 表面粗さが 0. 8 s ( J I S規格の三角記号で VWV) JiLLの場合と にわける。
そして第 2図 (b) に示すように、 この上面および下面に電子ビーム蒸着法によ り、 J3Ii?0. 1〜10y"inの Ni薄膜からなる第 1の電極 2 a, 2 bを形成する。 このときメタルマスクを介して蒸着を行うようにし本体の外周付近には N i薄膜 力形成されないようにしておく。 ここで成膜条件は、 表面粗さが 6. 3〜1. 6 sの場合は
真空度 : 1 X10-4torr〜 1 X 10-Horr
成膜温度：室温〜 250。C
とし、 一方表面粗さが 0. 8 s以上の場合は
真空度 : 5X10— 5torr〜 1 X 10— 6torr
成膜温度： 100°C〜250°C
とした。
この後、 第 1図 (c) に示すように、 さらにこの上層に厚膜印刷法により銀電極 3 a, 3 bを形成する。
この様にして得られたサーミス夕の比抵抗は 23〜28 Ωαηであり、 85°C 3
0Vでのエージング 験を行った結果、 第 3図 (a) にその結果を示すように、 4 00時間経過後もほとんど 変ィ匕はなかった。 この構造によれば、 第 1および 第 2の電極層の端縁が一致しており、 第 1の電; ^が酸化されることがないうえ 第 1電 は真空蒸着法で形成されているため、 経時的変化もなく の良好な サーミスタを得るこ ができる。
これに対し、 N i電極部をめつきで形成した場合の比抵抗は 30〜 35 ί) で あった。 そして同様に 85°C 30Vでのエージング試験を行った結果、 第 3図 (b) に示すように、 100時間経過後には抵抗値が変化し始め 200時間経過後には 10%も低下しており、 特性が極めて不安定であった。
これらの比較からも本発明の方法によれば比抵抗が安定で信頼性の高いサーミ スタを得ることができた。 さらにこの方法によれば 1回の蒸着で大量の正特性 サ一ミスタを得ることができるため量産性が大幅に向上する。
なお、 前記実施例の方法では、 銀電極の形成は厚膜印刷法により行うようにし た力 メタルマスクをそのままにして銀を真空蒸着するようにしても良い。 この 場合、 蒸着源を切り替えるのみで同一の真空装置内で順次積層でき、 極めて容易 に形成可能である。
実施例 2
次に本発明の第 2の実施例について説明する。
前記実施例 1では第 1および第 2の電極層を同一のパタ一ン开 となるように 構成したが、 この例では、 第 1の電極層の端緣を第 2の電極層が覆うように形成 したことを とするものである。
すなわち、 この正特性サ一ミスタは第 4図に示すように、 チタン酸バリウムを 主成分とするサーミスタ本体 2 1と、 その上面と下面に、 サ一ミスタ本体 2 1の 外周縁からやや入り込んだ位置に端緣がくるように形成された真空蒸着法で形成 された N i層からなる第 1の電極層 2 2 a , 2 2 bと、 この上層に第 1の電極層 2 2 a , 2 2 bの端緣を覆うようにかつサ一ミスタ本体 2 1の外周緣からやや入 り込んだ位置に端縁がくるように形成された銀を主成分とする第 2の電極層 2 3 a , 2 3 bとから構成されている。
この正特性サーミスタによれば、 第 1の電極層 2 2 a . 2 2 bが、 真空蒸着法 で形成されているため、 サーミスタ本体の表面およ U¾面の露出部の汚染はほと んどなく、 また第 2の電極層 2 3 a , 2 3 bで完全に覆われた状態となっており、 第 1の電^の酸ィ匕を防止することができるため、 より信頼性の高いものとなる。
また、 第 2の電極層を蒸着法で形成することによる効果を確認するために、 6 0 °C , 2 7 O Vrms における経時変ィ匕を、 本発明の方法と、 めっき法で形成した 従来の方法とエージングテストの結果を図 6に示す。 この結果からも第 2の電極 層を蒸着法で形成することにより、 抵抗値の経時変ィ匕はなく極めて良好な特性を 維持することができることがわかる。
産業上の利用可能性
: U:説明してきたように、 本発明によれば、 サ一ミス夕の電極をサ一ミスタ本 体の外周緣からやや入り込んだ位置に端緣がくるように形成された銀以外の導体 層からなる第 1の電極層と、 この上層に、 外周縁が、 前記第 1の電極層の外周縁 と一致かまたはこれを覆うように形成された銀を主成分とする第 の導体層とで 構成しているため、 特性の安定な正 ¾サ一ミスタを得ることができ、 温度の測 定および制御、 補償、 利得調整、 電力測定、 過電流防止、 モータ起動、 カラー T V消磁用等、 高精度の抵抗値制御が必要なものに利用可能である。

Claims

請求の範囲
( 1 ) 正特性を持つ半 ^からなるサーミスタ本体と、
前記サーミスタ本体の表面および裏面に、 前記サ一ミスタ本体の外周緣ょ りもやや内側に端部がくるように形成された銀以外の金属を主成分とするオーム 性の第 1の電極層と、
前記第 1の電極層の ±Sに形成され、 その外周緣が、 前記第 1の電極層の 外周緣と一致するように形成された銀を主成分とする材料からなる第 2の電極層 とを具備したことを特徴とする正特性サーミスタ。
( 2 ) 前記第 1の電極層は、 ニッケル薄 m であることを «とする請求の範囲 第 1項記載の正 14サーミスタ。
( 3 ) 前記第 1の電極層は、 アルミニウム， インジウム， 銅， インジウム一ガリ ゥム， インジゥムー水銀のいずれかであることを特徴とする請求の範囲第 1項記 載の正 ¾サ一ミスタ。
( 4 ) 正特性を持つ半導体からなるサーミスタ本体と、
前記サ一ミスタ本体の表面および裏面に、 前記サ一ミスタ本体の外周緣ょ りもやや内側に端部がくるように形成された銀以外の金属を主成分とするオーム 性の第 1の電極層と、
前記第 1の電 の ±^に形成され、 前記第 1の電觸の端緣を覆うよう に形成された、 銀を主成分とする材料からなる第 2の電極層とを具備したことを 特徴とする正特性サ一ミスタ。
( 5 ) 前記第 1の電極層は、 ニッケル薄 m であることを とする請求の範囲 第 4項記載の正 14サーミスタ。
( 6 ) 前記第 1の電極層は、 アルミニウム， インジウム， 銅， インジウム一ガリ ゥム， ィンジゥム一水銀のいずれかであることを特徴とする請求の範囲第 4項記 載の正 ½サーミスタ。
( 7 ) 正特性を持つ半導体を所望の开娥に成形しサ一ミス夕本体を形成するサ一 ミスタ本体开 工程と、
このサ一ミスタ本体の電極形成面に、 真空蒸着法によって、 前記サーミス タ本体の外周椽よりもやや内側に端部がくるように、 銀以外の金属を主成分とす る第 1の電極層を形成する第 1の電極層形成工程と、
前記第 1の電極層の ± ^に、 銀を主成分とする第 2の電極層を形成する第 2の電極層形成工程とを含むようにしたことを«とする正特性サ一ミス夕の製 造方法。
( 8 ) 前記第 2の電極層形成工程は蒸着法であることを特徴とする請求の範囲第 7項記載の正特性サーミスタの製造方法。
( 9 ) 前記第 2の電極層形成工程は厚膜印刷法であることを特徴とする請求の範 囲第 7項記載の正特性サ一ミスタの製造方法。
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