JPH0227709A - 半導体磁器電子部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野］ 本発明は、半導体磁器コンデンサ、バリスタ、廿−ミス
タ等の半導体磁器電子部品の製造方法に関し、更に詳述
すればその電極形成方法に関する。

〔従来技術〕

磁器コンデンサで代表される半導体磁器電子部品におい
て電極を形成するには、一般的に銀塗料を印刷技術を用
いて磁器素体に塗布した後、焼付けることが行われてい
た。しかし、この方法では、電極と半導体界面との間に
電位障壁層が形成される為、半導体磁器自体が持つ電気
的特性が損なわれると共に、貴金属である銀を主成分と
する為、コスト高になるという欠点を有していた。

そこで、これに代わって有効性が認められてきたのがオ
ーム性接触を有するＮｔメッキ電極であり、Ｎｉを無電
解メッキによって被着することにより多数個を同時に処
理でき、量産性に優れるということがらＮｉメッキ膜を
電極として構成する方法が、例えば次に示す１〜３の方
法のように種々提案されている。

まず、第１の方法は、円板状磁器誘電体の全表面にＮｉ
無電解メッキを施し、周側面をセンタレス研磨すること
によって電極を形成するもの（特公昭５９−３７５６８
号公報）、第２の方法は、同様に円板状磁器誘電体の全
表面にＮｉ無電解メッキを施すのであるが、このメッキ
の前後に振動研磨加工することによって周側面のメッキ
膜を除去して電極を形成するもの（特公昭６０−６５３
４号公報）。

第３の方法は、電極形成部分にＰｄ等を付与することに
よって活性化し、無電解メッキ膜を選択的に形成するも
の（特公昭６０−３２３４０号、特開昭５７−１３７２
９号公報等）である。

〔発明が解決しようとする課題］ ところで、第１の方法においては、磁器の形状が円板状
のものに限定されること、また、研磨加工時に磁器内部
にクラックが入り易く信鎖性が低い等の問題がある。

次に第２の方法においては、磁器の周側面に存在する孔
、又は欠落部分に被着したメッキ膜の除去が困難である
と共に、メッキ前にも同様の加工を行う必要があり、工
程が煩雑であるという欠点を有する。そして第３の方法
においては、無電解メッキを選択的に行う為の工程が付
加されることによって製造工程が一段と煩雑になってい
る。

本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、上述
の如き問題点を解消し、信幀性及び歩留りに優れた半導
体磁器電子部品を、低コストに製造する方法を提供する
ことを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係る半導体磁器電子部品の製造方法は、無電解
メッキを施した半導体磁器素体の表面の所要領域に半田
被膜を形成した後、該半田被膜が形成されていない部分
の前記無電解メッキをエツチングして前記所要領域を電
極として形成することを特徴とする。

〔作用〕

半導体磁器素体の表面には、無電解メッキが施されてお
り、この所要領域に半田被膜が形成される。そして半田
被膜が形成されていない部分の前記無電解メッキがエツ
チングされることにより前記所要領域は電極として形成
される。

〔実施例〕

以下、本発明をその実施例を示す図面に基づき具体的な
数値例と共に説明する。第１図は、本発明方法により粒
界絶縁型半導体磁器コンデンサを製造する場合に用いる
半導体磁器誘電体の断面図である。半導体磁器誘電体１
は、次のようにして製造した。　まず、５ｒＴｉＯ＝の
粉末に０．２モル％のＮｂｚｏｓ粉末を混合し、ポリエ
チレンポットにて１５時時間式粉砕した０次いで粉砕し
た原料を乾燥した後、１０重量％ＰＶＡ樹脂水溶液を１
０重量％加えて３０メツシユのふるいにて造粒し、１０
００ｋｇ／ｃｍの成形圧力にて直径１０■、厚み１ｍの
円板に成形した。

次に成形した円板を空気中１１００°Ｃで脱脂処理した
後、５体積％のＨ！を含む還元性雰囲気中１４８０℃で
４時間焼成した。これによって得られた半導体磁器は、
直径８閣、厚み０．８１であった。

次いで半導体磁器の表面に、Ｂｉ２Ｏ２を主成分とする
酸化物ペーストを磁器に対して約１重量％の割合で塗布
し、空気中１１００″Ｃで熱処理して磁器結晶粒界を絶
縁化し、半導体磁器誘電体１を得た。

なお、この形状は円板状に限定されるものではない。

第２図は、前記半導体磁器誘電体１の表面に無電解Ｎｉ
膜２をメッキした状態を示す断面図であり、これは、ま
ず半導体磁器誘電体ｌを５ｎＣ１ｚを含む増感液に浸漬
し、次いでＰｄ”イオンを含む活性化液に浸漬する。そ
して６０℃に加温された無電解Ｎｉメッキ液に浸漬して
無電解Ｎｉ膜２を磁器表面に形成し、その後、純水によ
って洗浄することによって得た。無電解Ｎｉメフキ液は
ＮｉＣ１ｅ等のＮｉ塩及び錯化剤を主成分とし、チッ素
化合物等の還元剤を含んだものである。なお、無電解Ｎ
ｉ膜２の形成後、これの接合強度を向上させる為に熱処
理を行っても良い。

第３図は、無電解Ｎｉメッキ膜２の表面に半田膜３を形
成した状態を示す断面図である。半田膜３は、無電解Ｎ
ｉメッキ膜２が被着された半導体磁器誘電体１の所要部
分に半田ペースト（例えば千住金属工業■、スパークル
プリン）Ｔ１１６等）をスクリーン印刷を用いて塗布し
、２３０°Ｃに加熱溶融させるリフロー処理によって形
成した。

第４図は、粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの完成状態
を示す断面図であり、前工程までに得られた半田膜３及
び無電解Ｎｉメッキ膜２が形成された半導体磁器誘電体
１を、Ｎｉメッキ膜のエツチング液に浸漬して不要領域
のＮｉメッキ膜をエツチングにより除去した後、純水に
て洗浄、乾燥した。

これにより無電解Ｎｉメッキ膜２及び半田膜３による電
極４が半導体磁器誘電体１上に形成されるのである。

第１表は、上述の如くして製造した粒界絶縁型半導体磁
器コンデンサの電気特性の測定結果を示してあり、第１
表中、Ｃは静電容量、ｏｐは周波数１ｋＨｚで測定した
誘電体損失、ＩＲは直流電圧２５Ｖ、６０秒後における
絶縁抵抗、ΔＴＣは静電容量温度特性であり、２０℃を
基準とし、−２５°Ｃ〜＋８５°Ｃでの変化率を示した
。

第　　　１　　　表 第１表より明らかなように本発明品は従来品と同等以上
の電気特性を有している。

また、湿空負荷試験を湿度９０〜９５％、４０°Ｃ，２
５Ｖ直流電圧印加の下で５００時間行ったが、絶縁抵抗
値が１０００　ＭΩを下回るものの発生は皆無であり、
信幀性においても優れた結果を示した。

なお、本実施例においては、無電解メッキにＮｉを使用
しているが、これに限定されるものではな（、Ｎｊ合金
、Ｃｕ、　Ａｇ等を用いても同様の効果が得られ、また
半田についても、Ｐｂ−５ｎ共晶半田に限定されず、種
々の軟ろう材組成物においても同様に適用できる。

更に本発明においては、半田のりフロー処理の前にリー
ド線を半田上に接触させておくことによって、半田膜の
形成と同時にリード線を接続することも可能である。

〔効果］ 以上の如く、本発明方法にあっては、周側面の研磨等の
機械加工を行わない為、クランクによる品質低下がなく
、また形状も円板状に限定されず、自由な形状のものを
製造できる。更に作業性が良く、製造工程が簡単である
為、製造コストを低減できる等、本発明は優れた効果を
奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は本発明方法により粒界絶縁型半導体磁
器コンデンサを製造する過程における断面図、第４図は
粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの断面図である。 １・・・半導体磁器誘電体 ３・・・半田膜　４・・・電極 ２・・・無電解Ｎｉメッキ膜 特　許　出願人

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．無電解メッキを施した半導体磁器素体の表面の所要
   領域に半田被膜を形成した後、該半田被膜が形成されて
   いない部分の前記無電解メッキをエッチングして前記所
   要領域を電極として形成することを特徴とする半導体磁
   器電子部品の製造方法。