JPH06295804A - 電子デバイスの作製法 - Google Patents
電子デバイスの作製法Info
- Publication number
- JPH06295804A JPH06295804A JP5039330A JP3933093A JPH06295804A JP H06295804 A JPH06295804 A JP H06295804A JP 5039330 A JP5039330 A JP 5039330A JP 3933093 A JP3933093 A JP 3933093A JP H06295804 A JPH06295804 A JP H06295804A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- forming
- peripheral part
- electronic device
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】従来の電子デバイス作製方法と比較し、短波形
の高電流が印加されても電極円周部の電流密度集中を緩
和し、且つ素子沿面の絶縁性が確保されることを特徴と
する電子デバイス作製方法。 【構成】従来は短波形の高電流が印加された時、電極円
周部の電流密度が大きくなることで、電気的特性の劣化
に結びつく場合があった。その直接の劣化要因は主に、
素子沿面の短絡路形成、電極円周部分における素子
内部の負荷集中、の２点である。このとき、電極を任意
の電極面積内で比抵抗を一定にするのではなく、電極円
周部分に比抵抗の大きい電極を形成し、更にその電極円
周部分に絶縁性の高い皮膜を形成することにより、短波
形の高電流が印加されても、電極円周部の電流集中を緩
和し、且つ素子沿面の絶縁性を確保する。このことによ
り、電子デバイスの電気的特性が向上する。
の高電流が印加されても電極円周部の電流密度集中を緩
和し、且つ素子沿面の絶縁性が確保されることを特徴と
する電子デバイス作製方法。 【構成】従来は短波形の高電流が印加された時、電極円
周部の電流密度が大きくなることで、電気的特性の劣化
に結びつく場合があった。その直接の劣化要因は主に、
素子沿面の短絡路形成、電極円周部分における素子
内部の負荷集中、の２点である。このとき、電極を任意
の電極面積内で比抵抗を一定にするのではなく、電極円
周部分に比抵抗の大きい電極を形成し、更にその電極円
周部分に絶縁性の高い皮膜を形成することにより、短波
形の高電流が印加されても、電極円周部の電流集中を緩
和し、且つ素子沿面の絶縁性を確保する。このことによ
り、電子デバイスの電気的特性が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は通信機機や電源回路に発
生する異常電圧、ノイズ、静電気等から機器の半導体、
及び回路を保護する為のコンデンサ特性とバリスタ特性
を有するデバイスの作製方法に関する。
生する異常電圧、ノイズ、静電気等から機器の半導体、
及び回路を保護する為のコンデンサ特性とバリスタ特性
を有するデバイスの作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の素子の両面には、電極が図１の様
に素子片面の面積に対してひと回り小さい面積で形成さ
れており、その電極は任意の電極面積内において一定の
比抵抗を有する。電極の形成方法はペースト状の電極材
を印刷後、５００〜８００℃で焼成して形成するか、導
電材料を蒸着法等で形成するかの２種類の方法が主にな
っている。尚、電極形成後は素子にリードを配してリー
ドと電極間の電気的コンタクトを十分にした後、絶縁材
でコートし、電子デバイスを作製している。
に素子片面の面積に対してひと回り小さい面積で形成さ
れており、その電極は任意の電極面積内において一定の
比抵抗を有する。電極の形成方法はペースト状の電極材
を印刷後、５００〜８００℃で焼成して形成するか、導
電材料を蒸着法等で形成するかの２種類の方法が主にな
っている。尚、電極形成後は素子にリードを配してリー
ドと電極間の電気的コンタクトを十分にした後、絶縁材
でコートし、電子デバイスを作製している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の電極形成方法に
おける問題点は、短波形の高電流印加によって電極円周
部の電流密度が増大し、素子沿面方向に電流が放射状に
広がった後、素子沿面部分に短絡路を形成し特性劣化を
もたらす場合がある、というものである。素子表面と電
極材との電気的コンタクトを優先に考え、素子表面の絶
縁性が十分に得られていない場合は特にその可能性が大
きい。
おける問題点は、短波形の高電流印加によって電極円周
部の電流密度が増大し、素子沿面方向に電流が放射状に
広がった後、素子沿面部分に短絡路を形成し特性劣化を
もたらす場合がある、というものである。素子表面と電
極材との電気的コンタクトを優先に考え、素子表面の絶
縁性が十分に得られていない場合は特にその可能性が大
きい。
【０００４】また、第２の問題点として、電極円周部に
電流密度が集中する点から、電極円周部における素子内
部の劣化が早くなってしまうということが挙げられる。
電流密度が集中する点から、電極円周部における素子内
部の劣化が早くなってしまうということが挙げられる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述した問題点を補う為
の電子デバイスの作製方法として、まず、従来と同様の
特性が保証されている比抵抗の電極材で図２の様に素子
片面の面積に対してひと回り小さい面積で電極（一次電
極とする）を形成する。次に一次電極よりも比抵抗が大
きい電極材を、図３の様に一次電極よりも円周部分が大
きく、且つ、リードが一次電極と電気的コンタクトが充
分にとれる様、ドーナツ状に電極（二次電極とする）を
形成する。更に絶縁性の高い皮膜を図４の様に図３と同
様な条件でドーナツ状に形成する。断面図では図５のよ
うに示される。
の電子デバイスの作製方法として、まず、従来と同様の
特性が保証されている比抵抗の電極材で図２の様に素子
片面の面積に対してひと回り小さい面積で電極（一次電
極とする）を形成する。次に一次電極よりも比抵抗が大
きい電極材を、図３の様に一次電極よりも円周部分が大
きく、且つ、リードが一次電極と電気的コンタクトが充
分にとれる様、ドーナツ状に電極（二次電極とする）を
形成する。更に絶縁性の高い皮膜を図４の様に図３と同
様な条件でドーナツ状に形成する。断面図では図５のよ
うに示される。
【０００６】
【作 用】上述した電子デバイスの作製方法によって
電極周辺部の絶縁性を確保し、短波形の高電流が印加さ
れた際、電極円周部に電流密度が集中し電流が放射状に
広がった後、素子沿面に短絡路を形成する、という電気
特性劣化を防止する。また、二次電極によって電極円周
部分の比抵抗を上げることにより、電極円周部における
素子内部の早期劣化を防止する。
電極周辺部の絶縁性を確保し、短波形の高電流が印加さ
れた際、電極円周部に電流密度が集中し電流が放射状に
広がった後、素子沿面に短絡路を形成する、という電気
特性劣化を防止する。また、二次電極によって電極円周
部分の比抵抗を上げることにより、電極円周部における
素子内部の早期劣化を防止する。
【０００７】
【実施例１】直径１０ｍｍの円盤状のバリスタ素子に銀
電極ペーストを、図２の様に直径７ｍｍの円状に印刷す
る。次に、比抵抗の大きい銀電極ペーストを図３の様に
直径８ｍｍの円から直径６ｍｍの円をくり抜いたドーナ
ツ状に印刷する。更に、ガラスペーストを図４の様に直
径１０ｍｍの円から直径７ｍｍの円をくり抜いたドーナ
ツ状に印刷後、５００〜８００℃の大気中で焼成する。
その後、リードを配して半田付を行い、樹脂コートして
電子デバイスを得る。
電極ペーストを、図２の様に直径７ｍｍの円状に印刷す
る。次に、比抵抗の大きい銀電極ペーストを図３の様に
直径８ｍｍの円から直径６ｍｍの円をくり抜いたドーナ
ツ状に印刷する。更に、ガラスペーストを図４の様に直
径１０ｍｍの円から直径７ｍｍの円をくり抜いたドーナ
ツ状に印刷後、５００〜８００℃の大気中で焼成する。
その後、リードを配して半田付を行い、樹脂コートして
電子デバイスを得る。
【０００８】
【発明の効果】得られたバリスタに波形８×２０μｓ、
電流値２５００Ａの高電流を５０回印加したところ、素
子沿面の短絡不良数は２０個中０個であり、従来品の２
０個中１６個の不良数と比較してはるかに少ない。これ
は本発明によって優れた特性が得られていることを示
す。
電流値２５００Ａの高電流を５０回印加したところ、素
子沿面の短絡不良数は２０個中０個であり、従来品の２
０個中１６個の不良数と比較してはるかに少ない。これ
は本発明によって優れた特性が得られていることを示
す。
【図１】 従来の、電極を施した素子を示す図である。
【図２】 素子に一次電極を施した図である。
【図３】 素子に二次電極を施した図である。
【図４】 素子に絶縁皮膜を施した図である。
【図５】 本発明による、電極を施した素子の断面図で
ある。
ある。
１ 素子 ２ 電極 ３ 一次電極 ４ 二次電極 ５ 絶縁皮膜
Claims (1)
- 【請求項１】 円盤状の電子素子（以下、素子という）
の両面に電極を形成することによって電子デバイスを得
る製造方法において、電極を形成する際、任意の電極面
積内の電極を一定の比抵抗にするのではなく、電極円周
部分に更に比抵抗の大きい電極を形成し、且つ、その電
極円周部分に絶縁性の高い皮膜を形成することにより、
短波形の高電流が印加されても電極円周部の電流密度集
中を緩和し、素子沿面の絶縁性が確保されることを特徴
とする電子デバイスの作製方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5039330A JPH06295804A (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | 電子デバイスの作製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5039330A JPH06295804A (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | 電子デバイスの作製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06295804A true JPH06295804A (ja) | 1994-10-21 |
Family
ID=12550089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5039330A Pending JPH06295804A (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | 電子デバイスの作製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06295804A (ja) |
-
1993
- 1993-02-03 JP JP5039330A patent/JPH06295804A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5289155A (en) | Positive temperature characteristic thermistor and manufacturing method therefor | |
| US6400251B1 (en) | Chip thermistor | |
| US3316467A (en) | Spark gap electronic component | |
| US3322995A (en) | Electronic component and method of manufacture thereof | |
| JPH06295804A (ja) | 電子デバイスの作製法 | |
| JP2000216001A (ja) | 角形チップ抵抗器 | |
| JP2001189229A (ja) | コンデンサ | |
| EP0724272A1 (en) | Thermistor device | |
| JPH0992430A (ja) | サージ吸収素子 | |
| KR100395189B1 (ko) | 한개또는두개의서미스터를포함하는디가우징유닛 | |
| JPH01295403A (ja) | チップバリスタ | |
| US6477033B2 (en) | Nonlinear dielectric element | |
| USRE26694E (en) | Electronic component and method op manufacture thereof | |
| US3588974A (en) | Method of manufacturing an electronic component | |
| JP2005251458A (ja) | チップ型サージアブソーバ及びその製造方法 | |
| JPH10312876A (ja) | サージアブソーバ | |
| JPH0774001A (ja) | 抵抗素子を含む電子部品 | |
| JPH05275204A (ja) | 正特性サーミスタ装置 | |
| JPH01302714A (ja) | 高圧磁器コンデンサ | |
| KR100496450B1 (ko) | 인쇄회로기판의 표면실장형 전기장치 및 이를 제조하는 방법 | |
| KR20040043688A (ko) | 인쇄회로기판의 표면실장형 전기장치 및 이를 제조하는 방법 | |
| JPH07297006A (ja) | チップ状電子部品 | |
| KR100495129B1 (ko) | 도선을 이용한 표면실장형 전기장치 제조방법 | |
| JPH09129414A (ja) | チップ電子部品の製造方法 | |
| JPH1050191A (ja) | チップヒューズ素子の製造方法 |