UA60396C2 - Твердотілий матеріал (варіанти), спосіб його обробляння та спосіб обробляння деталей із твердотілого матеріалу - Google Patents
Твердотілий матеріал (варіанти), спосіб його обробляння та спосіб обробляння деталей із твердотілого матеріалу Download PDFInfo
- Publication number
- UA60396C2 UA60396C2 UA2001075407A UA01075407A UA60396C2 UA 60396 C2 UA60396 C2 UA 60396C2 UA 2001075407 A UA2001075407 A UA 2001075407A UA 01075407 A UA01075407 A UA 01075407A UA 60396 C2 UA60396 C2 UA 60396C2
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- pores
- filling
- fact
- threads
- differs
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 76
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 claims 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSSYLTMKCUORDA-UHFFFAOYSA-N barium(2+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[Ba+2] CSSYLTMKCUORDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000004512 die casting Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/4596—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with fibrous materials or whiskers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/53—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone involving the removal of at least part of the materials of the treated article, e.g. etching, drying of hardened concrete
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
- C04B41/88—Metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/91—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics involving the removal of part of the materials of the treated articles, e.g. etching
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/08—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies
- H10N30/085—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by machining
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/09—Forming piezoelectric or electrostrictive materials
- H10N30/092—Forming composite materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
- C04B2111/00474—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
- C04B2111/00844—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00 for electronic applications
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Porous Artificial Stone Or Porous Ceramic Products (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Inorganic Fibers (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
Спосіб обробляння твердотілих матеріалів, згідно з яким в поверхневому шарі оброблюваного матеріалу формують пори з перерізом до 100 нм, і ці пори заповнюють нитками з іншого або того ж самого матеріалу. При цьому забезпечується поліпшення ряду характеристик матеріалу - міцності та акустичних втрат. Винахід може бути використаний найбільш успішно при виготовленні п'єзокераміки.
Description
Опис винаходу
Винахід стосується способів обробляння твердотілих матеріалів, у тому числі сталей, конструкційних сплавів, напівпровідникових матеріалів, діелектриків, феритів, п'єзокерамічних матеріалів і т.д., з метою надання їм поліпшених характеристик. Він може бути використаний також для обробляння деталей (виробів).
Відомі технічні рішення
Одним із відомих напрямків обробляння твердотілих матеріалів з метою поліпшення "їхніх характеристик є забезпечення наявності в поверхневому шарі матеріалу тих або інших домішок, що поліпшують певні 70 характеристики матеріалу і. зокрема, його міцність.
Відомий твердотілий матеріал (Авторське свідоцтво СРСР Мо1220104), приповерхневий шар якого містить додатково домішку золота.
Недоліком цього матеріалу є недостатня міцність, обумовлена відсутністю регулярного упорядковування кристалічної гратки приповерхневих ділянок. 12 Відомий також твердотілий матеріал (В.М. Паращенко, М.М. Рахманкулов. А.П. Цисін "Технологія лиття під тиском", М. Металургія, 1996р., с.187). приповерхневий шар якого містить додатково домішки азоту або бору, вуглецю. сірки, хрому, алюмінію.
Недоліком цього матеріалу є також відсутність регулярного упорядковування кристалічної гратки приповерхневих ділянок.
Відомий також п'єзокерамічний матеріал (Авторське свідоцтво СРСР Мо1172906) на основі твердого розчину окислів цирконію, свинцю і барію, у приповерхневому шарі якого міститься підвищена концентрація свинцю (на 0,5...0,806.95), що приводить до утворення додаткових приповерхневих центрів кристалізації. Проте і цей матеріал має недостатню міцність, обумовлену відсутністю регулярного упорядковування кристалічної гратки монокристалічних зерен у поверхневих шарах. с
Розкриття винаходу Ге)
Одним із завдань даного винаходу є підвищення міцності матеріалу за рахунок просторового упорядковування вихідної кристалічної структури матеріалу в його приповерхневих шарах.
Іншим завданням, яке вирішується даним винаходом, є поліпшення такої характеристики матеріалу, як величина акустичних втрат, що має принципове значення для п'єзокерамічних матеріалів. о
Зазначені завдання вирішуються шляхом створення принципово нової структури приповерхневого шару Ге») твердотілого матеріалу.
Ця структура являє собою утворені в поверхневому шарі матеріалу пори нанометрового перетину діаметром о до 2О0Онм і розміщені в порах нитки нанометрового перетину (до 200Онм) з іншого або того ж самого матеріалу. Га»)
У якості вихідного матеріалу для одержання матеріалу з зазначеною структурою поверхневого шару може 3о бути використаний будь-який твердотілий кристалічний, керамічний матеріал (у тому числі тверді композитні ее, суміші). Вихідний матеріал може бути провідним (наприклад, мідь, нікель, титан, сталь), напівпровідним (наприклад, кремній, арсенід галію).
Формування структури "вкладена в нанопору нанонитка" дозволяє істотно зменшити рівень акустичних втрат « твердотілого матеріалу і підвищити його міцність за рахунок просторового упорядковування кристалічної З 50 структури уздовж меж структур "вкладена в нанопору нанонитка". Для п'єзоактивних матеріалів зазначений с ефект приводить до збільшення кількості доменів, вектор поляризації яких орієнтований нормально до поверхні
Із» структури "вкладена в нанопору нанонитка".
У якості матеріалу ниток для п'єзокераміки доцільно використовувати такі метали як срібло, золото, платина або мідь.
Об'єктом винаходу є також спосіб обробляння твердотілого матеріалу, який полягає у формуванні в його б поверхневому шарі зазначеної структури "вкладена в нанопору нанонитка". При цьому формування нанопор ав! може бути здійснене електроерозійним оброблянням поверхні заготовки матеріалу, а їхнє заповнення нанонитками - методом локального іонного осадження матеріалу ниток. о Об'єктом винаходу є також спосіб обробляння готових деталей (виробів) із твердотілих матеріалів шляхом (Те) 20 формування в поверхневому шарі зазначеної структури "вкладена в нанопору нанонитка".
Приклади здійснення винаходу щи Приклад 1. П'єзокераміка з вкладеними в пори металевими нитками
На одному з торців п'єзокерамічної заготовки, виготовленої за стандартною технологією (спресована п'єзокерамічна шихта з зв'язувальною речовиною була піддана випалу при температурі 145072 і плавно 52 охолоджена), методом електроерозії за допомогою першого зонда з діаметром вістря приблизно 2Онм,
ГФ) виготовленого із сульфойодиду сурми (5561), при подаванні імпульсів негативної полярності формують нанопори (крок обробляння - б0Онм; модифікаційна напруга - 4В; час обробляння кожної пори - 40Онс). Потім за допомогою о другого зонда зі срібла (діаметр вістря 1Онм) при подаванні імпульсів позитивної полярності методом локального іонного осадження у сформованих нанопорах формують нанонитки з Ад (крок обробляння - бООнм; 60 модифікаційна напруга - 28; час обробляння кожної пори - бО0Онс). Позиціонування першого і другого зондів здійснюється за допомогою тунельного мікроскопа, що сканує. Концентрація пор складала в середньому З пори на мкм,
Оброблена описаним методом п'єзокерамічна пластина була піддана випробуванню на міцність (на розрив). ве Вона склала З3100Н/мм?, у той час як міцність аналогічної пластини, не підданої такому оброблянню, дорівнювала 2200Н/мм.
Коефіцієнт електромеханічного зв'язку, обернено пропорційний величині акустичних втрат у матеріалі, збільшився від 0,71 до 0,85.
Приклад 2. Метал із вкладеними в пори напівпровідниковими нитками Вихідний матеріал - вольфрам. На поверхні вольфраму на глибину 100...1000нм сформовані пори, що мали перетин 10...200нм. Пори заповнені нитками завдовжки 100...1000нм з перетином 10...200нм. Концентрація пор складала в середньому З пори на мкм. Матеріал ниток - кремній.
Міцність досліджуваного вольфрамового дроту без використання структури "вкладена в нанопору нанонитка" склала З600Н/мм?. При використанні структури "вкладена в нанопору нанонитка" після обробляння міцність 70. склала 4400Н/мм. Коефіцієнт акустичних втрат у матеріалі при цьому знизився в середньому на 2095.
Приклад 3. Метал із вкладеними в пори діелектричними нитками
Вихідний матеріал - вольфрам. На поверхні вольфраму на глибину 100...1000нм сформовані пори, що мали перетин 10...200нм. Пори були заповнені нитками завдовжки 100...100Онм з перетином 10...200нм. Концентрація пор складала в середньому З пори на мкм. Матеріал ниток - сірка. 19 Міцність досліджуваного вольфрамового дроту без використання структури "вкладена в нанопору нанонитка" склала З600Н/мм?. При використанні структури "вкладена в нанопору нанонитка" після обробляння міцність склала 4100Н/мм.
Коефіцієнт акустичних втрат у матеріалі при цьому знизився в середньому на 20965.
Claims (32)
1. Спосіб обробляння твердотілих матеріалів, який відрізняється тим, що містить такі операції, як виготовлення заготовки з твердотілого матеріалу, утворення пор, щонайменше, у поверхневому шарі матеріалу с 29 заготовки, причому зазначені пори мають діаметр до 200 нм, заповнення зазначених пор нитками з іншого або (9 того ж самого матеріалу, що і матеріал заготовки.
2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що в кожну пору поміщають кілька нанониток.
З. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що пори в матеріалі утворюють шляхом електроерозійного обробляння, а заповнення їх здійснюють шляхом локального іонного осадження матеріалу ниток. ї-оі 30
4. Спосіб за будь-яким з пп. 1-3, який відрізняється тим, що оброблюваним матеріалом є керамічний ФдФ) матеріал, а матеріалом для заповнення пор є метал.
5. Спосіб за п. 4, який відрізняється тим, що оброблюваним матеріалом є п'єзокераміка. о
6. Спосіб за п. 5, який відрізняється тим, що матеріалом для заповнення пор є срібло. о
7. Спосіб за п. 5, який відрізняється тим, що матеріалом для заповнення пор є золото. 3о
8. Спосіб за п. 5, який відрізняється тим, що матеріалом для заповнення пор є платина. ее,
9. Спосіб за п. 5, який відрізняється тим, що матеріалом для заповнення є мідь.
10. Спосіб за будь-яким з пп. 1-3, який відрізняється тим, що оброблюваним матеріалом є метал, а матеріалом для заповнення пор є напівпровідниковий матеріал. «
11. Спосіб за будь-яким з пп. 1-3, який відрізняється тим, що оброблюваним матеріалом є метал, а - матеріалом для заповнення пор є діглектричний матеріал. с
12. Спосіб обробляння деталей, який складається з утворення пор, щонайменше, у поверхневому шарі "з матеріалу, з якого виготовлена оброблювана деталь, причому зазначені пори мають розмір до 200 нм, та заповнення зазначених пор нитками з іншого або того ж самого матеріалу, що і матеріал деталі.
13. Спосіб за п. 12, який відрізняється тим, що пори в матеріалі деталі утворюють шляхом електроерозійного 35 обробляння, а заповнення їх здійснюють шляхом локального іонного осадження матеріалу ниток. б
14. Спосіб за будь-яким з пп. 12-13, який відрізняється тим, що оброблювана деталь виконана з кераміки, а ав) матеріалом для заповнення пор є метал.
15. Спосіб за п. 13, який відрізняється тим, що оброблювана деталь виконана з п'єзокераміки. Мамі
16. Спосіб за п. 14, який відрізняється тим, що матеріалом для заповнення пор є срібло. (Се) 20
17. Спосіб за п. 15, який відрізняється тим, що матеріалом для заповнення пор є золото.
18. Спосіб за п. 15, який відрізняється тим, що матеріалом для заповнення пор є платина. щи
19. Спосіб за п. 15, який відрізняється тим, що матеріалом для заповнення пор є мідь.
20. Спосіб за будь-яким з пп. 12-13, який відрізняється тим, що оброблювана деталь виконана з металу, а матеріалом для заповнення пор є напівпровідниковий матеріал.
21. Спосіб за будь-яким з пп. 12-13, який відрізняється тим, що оброблювана деталь виконана з металу, а ГФ) матеріалом для заповнення пор є діелектричний матеріал. юю
22. Твердотілий матеріал, який відрізняється тим, що у, принаймні, поверхневому шарі матеріалу сформовані пори діаметром від 10 до 200 нм, а в них поміщені нитки з іншого матеріалу.
23. Твердотілий матеріал, який відрізняється тим, що у, принаймні, поверхневому шарі матеріалу 60 сформовані пори діаметром від 10 до 200 нм, а в них поміщені нитки з того ж самого матеріалу.
24. Матеріал за пп. 22 або 23, який відрізняється тим, що пори мають глибину від 100 до 1000 нм.
25. Матеріал за п. 24, який відрізняється тим, що він являє собою керамічний матеріал, а нитки, що заповнюють пори, виконані з металу.
26. Матеріал за п. 25, який відрізняється тим, що він являє собою п'єзокераміку. бо
27. Матеріал за п. 26, який відрізняється тим, що нитки, що заповнюють пори, виконані зі срібла.
28. Матеріал за п. 26, який відрізняється тим, що нитки, що заповнюють пори, виконані з золота.
29. Матеріал за п. 26, який відрізняється тим, що нитки, що заповнюють пори, виконані з платини.
30. Матеріал за п. 26, який відрізняється тим, що нитки, що заповнюють пори, виконані з міді.
31. Матеріал за п. 22, який відрізняється тим, що він являє собою метал, а нитки, що заповнюють пори, виконані з напівпровідникового матеріалу.
32. Матеріал за п. 22, який відрізняється тим, що він являє собою метал, а нитки, що заповнюють пори, виконані з діелектричного матеріалу. 70 Офіційний бюлетень "Промислоава власність". Книга 1 "Винаходи, корисні моделі, топографії інтегральних мікросхем", 2003, М 10, 15.10.2003. Державний департамент інтелектуальної власності Міністерства освіти і науки України. се що о (Се) Ге) Ге) (ав) (Се)
- . а (е)) (ав) (95) (се) 4) ко бо б5
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/RU1998/000446 WO2000040506A1 (fr) | 1998-12-30 | 1998-12-30 | Materiau monolithique |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| UA60396C2 true UA60396C2 (uk) | 2003-10-15 |
Family
ID=20130316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| UA2001075407A UA60396C2 (uk) | 1998-12-30 | 1998-12-30 | Твердотілий матеріал (варіанти), спосіб його обробляння та спосіб обробляння деталей із твердотілого матеріалу |
Country Status (19)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1156011A4 (uk) |
| JP (1) | JP2002534784A (uk) |
| KR (1) | KR20010108054A (uk) |
| CN (1) | CN1177754C (uk) |
| AU (1) | AU748084B2 (uk) |
| BR (1) | BR9816131A (uk) |
| CA (1) | CA2357039A1 (uk) |
| CZ (1) | CZ20012400A3 (uk) |
| EA (1) | EA002900B1 (uk) |
| EE (1) | EE200100352A (uk) |
| GB (1) | GB2365875B (uk) |
| HK (1) | HK1040975B (uk) |
| HU (1) | HUP0104899A3 (uk) |
| MX (1) | MXPA01006754A (uk) |
| NO (1) | NO20013232L (uk) |
| SK (1) | SK9302001A3 (uk) |
| TR (1) | TR200101912T2 (uk) |
| UA (1) | UA60396C2 (uk) |
| WO (1) | WO2000040506A1 (uk) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6943526B2 (en) | 2000-10-28 | 2005-09-13 | Intellikraft Limited | Rechargeable battery |
| GB2368465B (en) * | 2000-10-28 | 2003-01-22 | Intellikraft Ltd | Rechargeable battery |
| CN1502142A (zh) * | 2000-10-28 | 2004-06-02 | 可再充电的电池 | |
| GB2370587B (en) * | 2000-12-12 | 2002-11-13 | Intelikraft Ltd | Reinforced material |
| CN103341630B (zh) * | 2013-06-27 | 2015-05-13 | 广州市日森机械有限公司 | 一种微通道芯体制造工艺 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1248305B (de) * | 1964-10-02 | 1967-08-24 | Glyco Metall Werke | Gleit- oder Reibwerkstoff auf Al-, Mg- oder Ti-Basis mit oxydischer Fuellmasse |
| US4420539A (en) * | 1978-01-28 | 1983-12-13 | Kostikov Valery I | Process for producing antifriction materials |
| SU1172906A1 (ru) * | 1983-02-07 | 1985-08-15 | Московский Институт Радиотехники,Электроники И Автоматики | Способ изготовлени пьезоэлектрического керамического материала |
| US4683161A (en) * | 1985-02-28 | 1987-07-28 | Piezo Electric Products, Inc. | Ceramic body with ordered pores |
| DE3924268A1 (de) * | 1989-07-22 | 1991-01-31 | Vaw Ver Aluminium Werke Ag | Keramik-metall-verbundwerkstoff |
| DE4031623C1 (uk) * | 1990-10-05 | 1992-03-12 | Siemens Ag, 8000 Muenchen, De | |
| WO1992018213A1 (en) * | 1991-04-12 | 1992-10-29 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | High dielectric constant flexible ceramic composite |
| RU2072280C1 (ru) * | 1993-12-10 | 1997-01-27 | Индивидуальное частное предприятие "Оптимум" | Способ обработки диэлектрических материалов |
| US5503213A (en) * | 1994-03-16 | 1996-04-02 | The Dow Chemical Company | Shaped ceramic-metal composites |
-
1998
- 1998-10-30 GB GB0019426A patent/GB2365875B/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-12-30 EA EA200100604A patent/EA002900B1/ru not_active IP Right Cessation
- 1998-12-30 EP EP98967054A patent/EP1156011A4/en not_active Withdrawn
- 1998-12-30 SK SK930-2001A patent/SK9302001A3/sk unknown
- 1998-12-30 EE EEP200100352A patent/EE200100352A/xx unknown
- 1998-12-30 KR KR1020017008258A patent/KR20010108054A/ko not_active Application Discontinuation
- 1998-12-30 JP JP2000592222A patent/JP2002534784A/ja active Pending
- 1998-12-30 CN CNB988143801A patent/CN1177754C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-12-30 AU AU38551/99A patent/AU748084B2/en not_active Ceased
- 1998-12-30 HU HU0104899A patent/HUP0104899A3/hu unknown
- 1998-12-30 UA UA2001075407A patent/UA60396C2/uk unknown
- 1998-12-30 CA CA002357039A patent/CA2357039A1/en not_active Abandoned
- 1998-12-30 BR BR9816131-8A patent/BR9816131A/pt not_active IP Right Cessation
- 1998-12-30 MX MXPA01006754A patent/MXPA01006754A/es unknown
- 1998-12-30 TR TR2001/01912T patent/TR200101912T2/xx unknown
- 1998-12-30 CZ CZ20012400A patent/CZ20012400A3/cs unknown
- 1998-12-30 WO PCT/RU1998/000446 patent/WO2000040506A1/ru not_active Application Discontinuation
-
2001
- 2001-06-27 NO NO20013232A patent/NO20013232L/no not_active Application Discontinuation
-
2002
- 2002-04-08 HK HK02102589.1A patent/HK1040975B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MXPA01006754A (es) | 2003-06-24 |
| EE200100352A (et) | 2002-10-15 |
| NO20013232L (no) | 2001-08-07 |
| CN1177754C (zh) | 2004-12-01 |
| AU3855199A (en) | 2000-07-24 |
| CA2357039A1 (en) | 2000-07-13 |
| HK1040975B (zh) | 2003-08-01 |
| JP2002534784A (ja) | 2002-10-15 |
| BR9816131A (pt) | 2001-10-09 |
| GB2365875A (en) | 2002-02-27 |
| HK1040975A1 (en) | 2002-06-28 |
| CZ20012400A3 (cs) | 2002-03-13 |
| HUP0104899A2 (hu) | 2002-03-28 |
| EA002900B1 (ru) | 2002-10-31 |
| EA200100604A1 (ru) | 2001-12-24 |
| KR20010108054A (ko) | 2001-12-07 |
| SK9302001A3 (en) | 2002-01-07 |
| HUP0104899A3 (en) | 2002-04-29 |
| AU748084B2 (en) | 2002-05-30 |
| GB0019426D0 (en) | 2000-09-27 |
| GB2365875A9 (en) | 2002-11-20 |
| EP1156011A4 (en) | 2006-08-09 |
| GB2365875B (en) | 2003-03-26 |
| WO2000040506A8 (fr) | 2001-05-25 |
| EP1156011A1 (en) | 2001-11-21 |
| TR200101912T2 (tr) | 2002-09-23 |
| NO20013232D0 (no) | 2001-06-27 |
| WO2000040506A1 (fr) | 2000-07-13 |
| CN1336901A (zh) | 2002-02-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100852536B1 (ko) | 압전단결정, 압전단결정소자 및 그 제조방법 | |
| Zheng et al. | Effect of NiO additive on microstructure, mechanical behavior and electrical properties of 0.2 PZN–0.8 PZT ceramics | |
| DE102006000068A1 (de) | Yttriumoxidsinterkörper, Yttriumoxidsinterkörper verwendendes Keramikbauteil und Herstellungsverfahren für Yttriumoxidsinterkörper | |
| DE102012209708A1 (de) | Verfahren zur gesteuerten Schichtübertragung | |
| CS271322B2 (en) | Self-supporting ceramiccomposition and method of its production | |
| TWI531441B (zh) | 切割用波纹單絲型鋼絲 | |
| DE69010293T2 (de) | Mit Keramik überzogenes Sinterkarbidwerkzeug mit hoher Bruchbeständigkeit. | |
| UA60396C2 (uk) | Твердотілий матеріал (варіанти), спосіб його обробляння та спосіб обробляння деталей із твердотілого матеріалу | |
| EP3154735A1 (en) | Piezoelectric wire edm | |
| JP2008258183A (ja) | 製法及び応用を含む圧電セラミック材料 | |
| EP3419950A1 (de) | Kupfer-keramik-verbund | |
| JP2005322673A (ja) | 圧電単結晶素子およびその製造方法 | |
| DE102013208429A1 (de) | Oberflächenmorphologieerzeugung und Übertragung mittels Abtrennen | |
| Dent et al. | Characterisation and properties of fine scale PZT fibres | |
| Kuščer et al. | Processing and properties of 0.65 Pb (Mg1/3Nb2/3) O3–0.35 PbTiO3 thick films | |
| Tennery et al. | Examination of the surface and domain structure in ceramic barium titanate | |
| Efe et al. | Mechanical property characterization of Na1/2Bi1/2TiO3-BaTiO3 ceramics | |
| JP2000119079A (ja) | 半導体熱処理用Ｓｉ−ＳｉＣ製部材およびその製造方法 | |
| Ramana et al. | Effect of laser processing on physical properties of (Ba0. 85Ca0. 15Ti0. 9Zr0. 1O3) lead-free thick films fabricated by the electrophoretic deposition | |
| NZ512707A (en) | Solid-state material | |
| JP4771121B2 (ja) | ジルコニウム酸化物ナノ構造体及びその製造方法 | |
| JPH04125986A (ja) | 窒化アルミニウムメタライズ基板の製造方法 | |
| Uršič et al. | The influence of the platinum substrate roughness on the ferroelectric properties of 0.65 Pb (Mg | |
| RU2660434C2 (ru) | Способ изготовления алмазного инструмента на гальванической связке с повышенной износостойкостью, модифицированной углеродными нанотрубками | |
| RU2422390C1 (ru) | Способ получения волоконно-текстурированной стеклокерамики |