SK9302001A3 - Solid-state material - Google Patents
Solid-state material Download PDFInfo
- Publication number
- SK9302001A3 SK9302001A3 SK930-2001A SK9302001A SK9302001A3 SK 9302001 A3 SK9302001 A3 SK 9302001A3 SK 9302001 A SK9302001 A SK 9302001A SK 9302001 A3 SK9302001 A3 SK 9302001A3
- Authority
- SK
- Slovakia
- Prior art keywords
- pores
- filling
- pore
- fibers
- metal
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 91
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 4
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 claims description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract 1
- 239000002121 nanofiber Substances 0.000 description 9
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 240000006108 Allium ampeloprasum Species 0.000 description 1
- 235000005254 Allium ampeloprasum Nutrition 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSSYLTMKCUORDA-UHFFFAOYSA-N barium(2+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[Ba+2] CSSYLTMKCUORDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000011222 crystalline ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910002106 crystalline ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/4596—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with fibrous materials or whiskers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/53—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone involving the removal of at least part of the materials of the treated article, e.g. etching, drying of hardened concrete
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
- C04B41/88—Metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/91—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics involving the removal of part of the materials of the treated articles, e.g. etching
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/08—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies
- H10N30/085—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by machining
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/09—Forming piezoelectric or electrostrictive materials
- H10N30/092—Forming composite materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
- C04B2111/00474—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
- C04B2111/00844—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00 for electronic applications
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Porous Artificial Stone Or Porous Ceramic Products (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Inorganic Fibers (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
Oblasť techniky
Predložený vynález sa týka spôsobov spracovania materiálov tuhého stavu, vrátane ocelí, štruktúrnych zliatin, polovodičových materiálov, dielektrík, feritov, piezokeramických materiálov a podobne, s cieľom prepožičať im zlepšené charakteristiky. Môže sa taktiež využiť na spracovanie zložiek (výrobkov).
Doterajší stav techniky
Jedným zo známych usmernení pri úprave materiálov tuhého stavu s cieľom zlepšenia ich charakteristík je zabezpečenie prítomnosti určitých prísad v povrchovej vrstve materiálov, na zlepšenie špecifických charakteristík materiálu, predovšetkým jeho pevnosti.
Je známy materiál tuhého stavu (Autorské osvedčenie ZSSR č. 1220104), ktorého vrstva blízko povrchu obsahuje ako prísadu prímes zlata.
Problémom pri tomto materiále je nepostačujúca pevnosť, z dôvodu neprítomnosti pravidelného usporiadania kryštálovej mriežky v oblasti blízko pri povrchu.
Je známy materiál tuhého stavu (V. M. Paraščenko, M. M. Rachmankulov a A. P. Cisin, „Technológia litija pod davlenijem“ (Technológia odlievania za tlaku), Moskva: Metallurgija 1996, str. 187), vrstva ktorého blízko povrchu obsahuje ako prímes, prísadu boru, uhlíka, síry, chrómu alebo hliníka.
Problémom pri tomto materiále je taktiež absencia pravidelného usporiadania kryštalickej mriežky v oblastiach blízko ku povrchu.
Je známy piezokeramický materiál (Autorské osvedčenie ZSSR č. 1172906) na báze tuhých roztokov oxidov zirkónia, olova a bária, ktorých vrstva blízko pri povrchu obsahuje zvýšenú koncentráciu olova (celkovo 0,5 až 0,8 %), čo vedie k tvorbe prídavných povrchových centier kryštalizácie.
• ···· Φ · | • ·· ·· · · | • · • · | ·· |
• · · | • · | ||
• ·* · | • · · · • · · | • · • · | |
·· · | • · · · · | ·· | • · |
Tento materiál má však taktiež nepostačujúcu pevnosť z dôvodu absencie pravidelného usporiadania kryštálovej mriežky monokryštalických zŕn v povrchových vrstvách.
Podstata vynálezu
Jedným z účelov predloženého vynálezu je zvýšiť pevnosť materiálu pomocou trojdimenzionálneho usporiadania východiskovej kryštalickej štruktúry materiálu v jeho vrstvách blízkych ku povrchu.
Ďalšia úlohou predloženého vynálezu sa týka zlepšenia špecifických charakteristík materiálu, a to magnitúdy akustických strát, ktoré sú v podstate signifikantné pre piezokeramické materiály.
Tieto ciele sa dajú dosiahnuť vytvorením principiálne novej štruktúry vo vrstve blízko k povrchu materiálu tuhého stavu.
Táto štruktúra pozostáva z pórov s nanometrickým prierezom, vytvorenými v povrchovej vrstve materiálu, s priemerom až do 200 nm, a vlákien s nanometrickým prierezom (až do 200 nm), ktoré sú umiestnené v póroch a vytvorené z iného materiálu alebo z rovnakého materiálu.
Ako východiskový materiál na prípravu materiálu s takouto štruktúrou povrchovej vrstvy sa môže použiť akýkoľvek kryštalický keramický materiál tuhého stavu (vrátane tuhých kompozitných zmesí). Východiskovým materiálom môže byť vodič (napríklad meď, nikel, titán, oceľ) alebo polovodič (napríklad kremík, arzenid gália).
Tvorba štruktúry „nanovlákna vloženého v nanopóre“ umožňuje signifikantné zníženie hladiny akustických strát materiálu tuhého stavu a zvýšenie pevnosti z dôvodu trojdimenzionálneho usporiadania kryštalickej štruktúry pozdĺž hraníc štruktúr „nanovlákna vloženého v nanopóre“. Pri piezoaktívnych materiáloch vedie tento účinok ku zvýšeniu domén, polarizačný vektor ktorých je orientovaný normálne ku povrchu štruktúry „nanovlákna vloženého v nanopóre“.
Ako materiál pre vlákna piezokeramických materiálov sa môžu použiť kovy, ako je striebro, zlato, platina alebo meď.
• ·· • e | ···· • • • · | • ·· ·· · · • · · • · · • · · | ·· • · • · • · · • · | • · |
• ··· | • | ··· ·· | ·· | ·· |
Ďalším, predmetom predloženého vynálezu je spôsob spracovania materiálu tuhého stavu pozostávajúceho z vytvorenia uvedenej štruktúry „nanovlákna vloženého vnanopóre“ v jeho povrchovej vrstve. Pri tomto sa tvorba nanopórov môže dosiahnuť elektroerozívnym spracovaním povrchu materiálu polovýrobku a jeho zaplnením s nanovláknami pomocou lokálnej iónovej precipitácie materiálu vlákien.
Ďalším predmetom predloženého vynálezu je spôsob spracovania hotových zložiek (výrobkov) materiálov tuhého stavu formovaním uvedenej štruktúry „nanovlákna vloženého v nanopóre“ v povrchovej vrstve.
Príklady uskutočnenia vynálezu
Príklad 1
Piezokeramický materiál s kovovými vláknami vloženými v póroch
Vytvoria sa nanopóry na jednej z čelných plôch piezokeramického polovýrobku vyrobeného štandardnou technológiou (lisovaná piezokeramická šarža so spojivom sa vypaľuje pri teplote 1450 °C a postupne sa ochladzuje) pomocou elektroerozívnej metódy s použitím prvej sondy bodového priemeru 20 nm, vyrobenej zo sulfojodidu antimónu (SSbl), pri dodávaní impulzov negatívnej polarity (rozstup spracovania - 600 nm; modifikované napätie 4 V; doba spracovania pre každý pór - 400 nsek.). Potom sa použila druhá sonda, vyrobená zo striebra (rozstup spracovania 10 nm), s dodávanými impulzmi pozitívnej polarity, za vzniku nanovlákien Ag vo vytvorených nanopóroch pomocou metódy lokálnej iónovej precipitácie (rozstup spracovania - 600 nm; modifikované napätie 2 V; doba spracovania pre každý pór - 600 nsek.). Umiestnenie prvej a druhej sondy sa uskutočňuje s použitím snímacieho tunelového mikroskopu. Koncentrácia pórov v priemere predstavovala 3 póry na pm2.
Piezokeramická platňa upravená s použitím opísaného spôsobu sa podrobila skúmaniu na pevnosť (medza pevnosti). Táto pevnosť predstavovala 3100 n/mm2, zatiaľ čo pevnosť podobnej platne, ktorá sa neporobila takémuto spracovaniu, bola 2200 n/mm2.
-4····
Koeficient elektromechanického spájania, ktorý je nepriamo úmerný hodnote akustických strát v materiále, sa zvýšil z hodnoty 0,71 na hodnotu 0,85.
Príklad 2
Kov s polovodičovými vláknami vloženými v póroch
Východiskovým materiálom bol volfrám. V povrchu volfrámu sa vytvorili póry s prierezom 10 až 200 nm do hĺbky 100 až 1000 nm. Póry sa naplnili s vláknami s dĺžkou 100 až 1000 nm, prierezom 10 až 200 nm. Koncentrácia pórov v priemere predstavovala 3 póry na gm2. Materiálom vlákna bol kremík.
Pevnosť skúmaného volfrámového drôtu bez použitia štruktúry „nanovlákna vloženého v nanopóre“ predstavovala 3600 n/mm2. S použitím štruktúry „nanovlákna vloženého v nanopóre“ predstavovala pevnosť po spracovaní 4400 n/mm2 Koeficient akustických strát v materiále sa týmto znížil v priemere o 20 %.
Príklad 3
Kov s dielektrickými vláknmami vloženými v póroch
Východiskovým materiálom bol volfrám. V povrchovej časti volfrámu sa vytvorili póry s prierezom 10 až 200 nm do hĺbky 100 až 1000 nm. Póry sa naplnili s vláknami s dĺžkou 100 až 1000 nm, prierezom 10 až 200 nm. Koncentrácia pórov v priemere predstavovala 3 póry na gm2. Materiálom vlákna bola síra.
Pevnosť skúmaného volfrámového drôtu bez použitia štruktúry „nanovlákna vloženého v nanopóre“ predstavovala 3600 n/mm2. S použitím štruktúry „nanovlákna vloženého v nanopóre“ predstavovala pevnosť po spracovaní 4100 n/mm2.
Koeficient akustických strát v materiále sa týmto znížil v priemere o 20 %.
Claims (32)
- PATENTOVÉ NÁROKY1. Spôsob spracovania materiálov tuhého stavu, vyznačujúci sa tým, že zahrňuje nasledujúce operácie- poskytnutie polovýrobku materiálu tuhého stavu;- vytvorenie pórov najmenej v povrchovej vrstve materiálu polovýrobku, pričom uvedené póry majú priemer až do 200 nm;- naplnenie uvedených pórov s vláknami vyrobenými z odlišného materiálu alebo z rovnakého materiálu ako je polovýrobok.
- 2. Spôsob podľa nároku 1, vyznačujúci sa tým, že do každého póru sa umiestni niekoľko nanovlákien.
- 3. Spôsob podľa nároku 1 alebo 2, vyznačujúci sa tým, že póry sa vytvoria vmateriále pomocou elektroerozívneho spracovania a naplnenie pórov sa uskutočňuje pomocou lokálnej iónovej precipitácie materiálu vlákna.
- 4. Spôsob podľa ktoréhokoľvek z nárokov 1 až 3, vyznačujúci sa tým, že materiálom, ktorý sa má spracovať, je keramický materiál, a materiálom na plnenie pórov je kov.
- 5. Spôsob podľa ktoréhokoľvek z predchádzajúcich nárokov, vyznačujúci sa tým, že materiálom, ktorý sa spracovať, je piezokeramický materiál.
- 6. Spôsob podľa ktoréhokoľvek z nárokov 1 až 5, vyznačujúci sa tým, že materiálom na plnenie pórov je striebro.
- 7. Spôsob podľa ktoréhokoľvek z nárokov 1 až 5, vyznačujúci sa tým, že materiálom na plnenie pórov je zlato.
- 8. Spôsob podľa ktoréhokoľvek z nárokov 1 až 5, vyznačujúci sa tým, že materiálom na plnenie pórov je platina.
- 9. Spôsob podľa ktoréhokoľvek z nárokov 1 až 5, vyznačujúci sa tým, že materiálom na plnenie pórov je meď.-6···· · ·· ·· · • ·· · · · · ·· • ······ • · ······ · • · ······ ··· · ··· ·· ·· ···
- 10. Spôsob podľa ktoréhokoľvek z nárokov 1 až 3, vyznačujúci sa tým, že materiálom, ktorý sa má spracovať je kov, a materiálom na plnenie pórov je polovodičový materiál.
- 11. Spôsob podľa ktoréhokoľvek z nárokov 1 až 3, vyznačujúci sa tým, že materiálom, ktorý sa má spracovať je kov, a materiálom na plnenie pórov je dielektrický materiál.
- 12. Spôsob spracovania zložiek, vyznačujúci sa tým, že zahrňuje- vytvorenie pórov najmenej v povrchovej vrstve materiálu, z ktorej je vyrobená spracovávaná zložka, pričom uvedené póry majú veľkosť až do 200 nm;- naplnenie uvedených pórov s vláknami vyrobenými z odlišného materiálu alebo z rovnakého materiálu ako je materiál zložky.
- 13. Spôsob podľa nároku 12, vyznačujúci sa tým, že póry sa tvoria vmateriále zložky pomocou elektroerozivneho spracovania a že ich plnenie sa uskutočňuje pomocou lokálnej iónovej precipitácie materiálu vlákien.
- 14. Spôsob podľa nároku 12 alebo 13, vyznačujúci sa tým, že zložka, ktorá sa má spracovať, je vyrobená z keramického materiálu a materiálom na plnenie pórov je kov.
- 15. Spôsob podľa ktoréhokoľvek z nárokov 12 až 14, vyznačujúci sa tým, že zložka, ktorá sa spracovať, je vyrobená z piezokeramického materiálu.
- 16. Spôsob podľa ktoréhokoľvek z nárokov 12 až 15, vyznačujúci sa tým, že materiálom na plnenie pórov je striebro.
- 17. Spôsob podľa ktoréhokoľvek z nárokov 12 až 15, vyznačujúci sa tým, že materiálom na plnenie pórov je zlato.
- 18. Spôsob podľa ktoréhokoľvek z nárokov 12 až 15, vyznačujúci sa tým, že materiálom na plnenie pórov je platina.
- 19. Spôsob podľa ktoréhokoľvek z nárokov 12 až 15, vyznačujúci sa tým, že materiálom na plnenie pórov je meď.• ·· ·· · ·· · · · · ·· • · · · · · ······ · • · · · · · ··· ·· ·· ···-7···· • ·
- 20. Spôsob podľa nároku 12 alebo 13, vyznačujúci sa tým, že zložka, ktorá sa má spracovať, je vyrobená kovu, a materiálom na plnenie pórov je polovodičový materiál.
- 21. Spôsob podľa nároku 12 alebo 13, vyznačujúci sa tým, že zložka, ktorá sa má spracovať, je vyrobená z kovu a materiálom na plnenie pórov je dielektrický materiál.
- 22. Materiál tuhého stavu, vyznačujúci sa tým, že póry s priemerom 10 až 200 nm sa vytvoria najmenej v povrchovej vrstve materiálu a v póroch sa umiestnia vlákna odlišného materiálu.
- 23. Materiál tuhého stavu, vyznačujúci sa tým, že póry s priemerom 10 až 200 nm sa vytvoria najmenej v povrchovej vrstve materiálu a v póroch sa umiestnia vlákna rovnakého materiálu.
- 24. Materiál podľa nároku 22 alebo 23, vyznačujúci sa tým, že póry majú hĺbku od 100 do 1000 nm.
- 25. Materiál podľa ktoréhokoľvek z nárokov 22 až 24, vyznačujúci sa tým, že materiálom je keramický materiál a vlákna, vypĺňajúce póry, sú vyrobené z kovu.
- 26. Materiál podľa ktoréhokoľvek z nárokov 22 až 25, vyznačujúci sa tým, že materiálom je piezokeramický materiál.
- 27. Materiál podľa ktoréhokoľvek z nárokov 22 až 26, vyznačujúci sa tým, že vlákna vypĺňajúce póry sú vyrobené zo striebra.
- 28. Materiál podľa ktoréhokoľvek z nárokov 22 až 26, vyznačujúci sa tým, že vlákna vypĺňajúce póry sú vyrobené zo zlata.
- 29. Materiál podľa ktoréhokoľvek z nárokov 22 až 26, vyznačujúci sa tým, že vlákna vypĺňajúce póry sú vyrobené z platiny.
- 30. Materiál podľa ktoréhokoľvek z nárokov 22 až 26, vyznačujúci sa tým, že vlákna vypĺňajúce póry sú vyrobené z medi.
- 31. Materiál podľa ktoréhokoľvek z nárokov 22 až 24, vyznačujúci sa tým, že materiálom je kov a vlákna vypĺňajúce póry sú vyrobené z polovodičového materiálu.
- 32. Materiál podľa ktoréhokoľvek z nárokov 22 až 24, vyznačujúci sa tým, že materiálom je kov a vlákna vypĺňajúce póry sú vyrobené z dielektrického materiálu.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/RU1998/000446 WO2000040506A1 (fr) | 1998-12-30 | 1998-12-30 | Materiau monolithique |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SK9302001A3 true SK9302001A3 (en) | 2002-01-07 |
Family
ID=20130316
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SK930-2001A SK9302001A3 (en) | 1998-12-30 | 1998-12-30 | Solid-state material |
Country Status (19)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1156011A4 (sk) |
JP (1) | JP2002534784A (sk) |
KR (1) | KR20010108054A (sk) |
CN (1) | CN1177754C (sk) |
AU (1) | AU748084B2 (sk) |
BR (1) | BR9816131A (sk) |
CA (1) | CA2357039A1 (sk) |
CZ (1) | CZ20012400A3 (sk) |
EA (1) | EA002900B1 (sk) |
EE (1) | EE200100352A (sk) |
GB (1) | GB2365875B (sk) |
HK (1) | HK1040975B (sk) |
HU (1) | HUP0104899A3 (sk) |
MX (1) | MXPA01006754A (sk) |
NO (1) | NO20013232L (sk) |
SK (1) | SK9302001A3 (sk) |
TR (1) | TR200101912T2 (sk) |
UA (1) | UA60396C2 (sk) |
WO (1) | WO2000040506A1 (sk) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6943526B2 (en) | 2000-10-28 | 2005-09-13 | Intellikraft Limited | Rechargeable battery |
GB2368465B (en) * | 2000-10-28 | 2003-01-22 | Intellikraft Ltd | Rechargeable battery |
CN1502142A (zh) * | 2000-10-28 | 2004-06-02 | 可再充电的电池 | |
GB2370587B (en) * | 2000-12-12 | 2002-11-13 | Intelikraft Ltd | Reinforced material |
CN103341630B (zh) * | 2013-06-27 | 2015-05-13 | 广州市日森机械有限公司 | 一种微通道芯体制造工艺 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1248305B (de) * | 1964-10-02 | 1967-08-24 | Glyco Metall Werke | Gleit- oder Reibwerkstoff auf Al-, Mg- oder Ti-Basis mit oxydischer Fuellmasse |
US4420539A (en) * | 1978-01-28 | 1983-12-13 | Kostikov Valery I | Process for producing antifriction materials |
SU1172906A1 (ru) * | 1983-02-07 | 1985-08-15 | Московский Институт Радиотехники,Электроники И Автоматики | Способ изготовлени пьезоэлектрического керамического материала |
US4683161A (en) * | 1985-02-28 | 1987-07-28 | Piezo Electric Products, Inc. | Ceramic body with ordered pores |
DE3924268A1 (de) * | 1989-07-22 | 1991-01-31 | Vaw Ver Aluminium Werke Ag | Keramik-metall-verbundwerkstoff |
DE4031623C1 (sk) * | 1990-10-05 | 1992-03-12 | Siemens Ag, 8000 Muenchen, De | |
WO1992018213A1 (en) * | 1991-04-12 | 1992-10-29 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | High dielectric constant flexible ceramic composite |
RU2072280C1 (ru) * | 1993-12-10 | 1997-01-27 | Индивидуальное частное предприятие "Оптимум" | Способ обработки диэлектрических материалов |
US5503213A (en) * | 1994-03-16 | 1996-04-02 | The Dow Chemical Company | Shaped ceramic-metal composites |
-
1998
- 1998-10-30 GB GB0019426A patent/GB2365875B/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-12-30 EA EA200100604A patent/EA002900B1/ru not_active IP Right Cessation
- 1998-12-30 EP EP98967054A patent/EP1156011A4/en not_active Withdrawn
- 1998-12-30 SK SK930-2001A patent/SK9302001A3/sk unknown
- 1998-12-30 EE EEP200100352A patent/EE200100352A/xx unknown
- 1998-12-30 KR KR1020017008258A patent/KR20010108054A/ko not_active Application Discontinuation
- 1998-12-30 JP JP2000592222A patent/JP2002534784A/ja active Pending
- 1998-12-30 CN CNB988143801A patent/CN1177754C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-12-30 AU AU38551/99A patent/AU748084B2/en not_active Ceased
- 1998-12-30 HU HU0104899A patent/HUP0104899A3/hu unknown
- 1998-12-30 UA UA2001075407A patent/UA60396C2/uk unknown
- 1998-12-30 CA CA002357039A patent/CA2357039A1/en not_active Abandoned
- 1998-12-30 BR BR9816131-8A patent/BR9816131A/pt not_active IP Right Cessation
- 1998-12-30 MX MXPA01006754A patent/MXPA01006754A/es unknown
- 1998-12-30 TR TR2001/01912T patent/TR200101912T2/xx unknown
- 1998-12-30 CZ CZ20012400A patent/CZ20012400A3/cs unknown
- 1998-12-30 WO PCT/RU1998/000446 patent/WO2000040506A1/ru not_active Application Discontinuation
-
2001
- 2001-06-27 NO NO20013232A patent/NO20013232L/no not_active Application Discontinuation
-
2002
- 2002-04-08 HK HK02102589.1A patent/HK1040975B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
MXPA01006754A (es) | 2003-06-24 |
EE200100352A (et) | 2002-10-15 |
NO20013232L (no) | 2001-08-07 |
CN1177754C (zh) | 2004-12-01 |
UA60396C2 (uk) | 2003-10-15 |
AU3855199A (en) | 2000-07-24 |
CA2357039A1 (en) | 2000-07-13 |
HK1040975B (zh) | 2003-08-01 |
JP2002534784A (ja) | 2002-10-15 |
BR9816131A (pt) | 2001-10-09 |
GB2365875A (en) | 2002-02-27 |
HK1040975A1 (en) | 2002-06-28 |
CZ20012400A3 (cs) | 2002-03-13 |
HUP0104899A2 (hu) | 2002-03-28 |
EA002900B1 (ru) | 2002-10-31 |
EA200100604A1 (ru) | 2001-12-24 |
KR20010108054A (ko) | 2001-12-07 |
HUP0104899A3 (en) | 2002-04-29 |
AU748084B2 (en) | 2002-05-30 |
GB0019426D0 (en) | 2000-09-27 |
GB2365875A9 (en) | 2002-11-20 |
EP1156011A4 (en) | 2006-08-09 |
GB2365875B (en) | 2003-03-26 |
WO2000040506A8 (fr) | 2001-05-25 |
EP1156011A1 (en) | 2001-11-21 |
TR200101912T2 (tr) | 2002-09-23 |
NO20013232D0 (no) | 2001-06-27 |
WO2000040506A1 (fr) | 2000-07-13 |
CN1336901A (zh) | 2002-02-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE68916207T2 (de) | Diamantbeschichtetes Werkzeug, Substrate dafür und Verfahren zu dessen Herstellung. | |
DE3874635T3 (de) | Schneidwerkzeug. | |
DE69525834T2 (de) | Siliciumnitrid-keramik und verfahren zu deren formgebung | |
EP1856736A1 (de) | Kupferbond- oder feinstdraht mit verbesserten bond- und korrosionseigenschaften | |
SK9302001A3 (en) | Solid-state material | |
DE112019001960T5 (de) | Verbundener Körper aus einem Substrat aus einem piezoelektrischen Material und einem Trägersubstrat | |
WO2017144329A1 (de) | Kupfer-keramik-verbund | |
US5424257A (en) | Ceramic moldings composed of aluminum oxide having high metallization adhesion | |
US20130119023A1 (en) | Graphitized edm wire | |
EP0045446A1 (de) | Verfahren zum Zerteilen eines Halbleiterkristalls in Scheiben | |
EP3210956B1 (de) | Kupfer-keramik-verbund | |
DE102020205512A1 (de) | Beschichtetes Schneidwerkzeug | |
DE69207613T2 (de) | Werkzeug aus gesintertem Siliciumnitrid | |
EP3419951B1 (de) | Kupfer-keramik-verbund | |
NZ512707A (en) | Solid-state material | |
JP3447963B2 (ja) | ワイヤーソー用めっき鋼線 | |
EP3346017B1 (de) | Verfahren zum schneiden von refraktärmetallen | |
DE3841241A1 (de) | Metallfaser und verfahren zur herstellung einer metallfaser | |
KR20150085126A (ko) | 본딩 와이어용 구리 소선, 및 본딩 와이어용 구리 소선의 제조 방법 | |
Zhang et al. | Evolution of white layer during wire-cutting and comparison of several methods to improve surface integrity for fineblanking tools | |
DE202016008371U1 (de) | Kupfer-Keramik-Verbund | |
EP3210957A1 (de) | Kupfer-keramik-verbund | |
DE102016219114A1 (de) | Partikel aus einem feuerfesten keramischen Werkstoff zur Beeinflussung der Schadenstoleranz von Hochtemperaturwerkstoffen, und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE102022203699A1 (de) | Beschichtetes schneidwerkzeug | |
Reeb et al. | Interface characterization of hybrid composite extrusions |