JP2002534784A - 固体材料 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
本発明は固体材料の表面層に１００ｎｍの最大断面を有する細孔を形成することを含む固体材料を処理する方法に関する。細孔は異なる材料又は同じ材料から作られた糸で更に充填される。かくして、主としてその抵抗及び音響損失に関する材料の全シリーズの特性を改良することが可能である。本発明はピエゾセラミックの製造に特に使用することができる。
Description
【０００１】
本発明は、鋼、構造合金、半導体材料、誘電体、フェライト、ピエゾセラミッ
ク材料等に改良された特徴を付与する目的でそれらを包含する固体材料（ｓｏｌ
ｉｄ ｓｔａｔｅ ｍａｔｅｒｉａｌｓ）の処理方法に関する。それは部品（ｃ
ｏｍｐｏｎｅｎｔｓ）（物品（ａｒｔｉｃｌｅｓ））の処理のために使用するこ
ともできる。
ク材料等に改良された特徴を付与する目的でそれらを包含する固体材料（ｓｏｌ
ｉｄ ｓｔａｔｅ ｍａｔｅｒｉａｌｓ）の処理方法に関する。それは部品（ｃ
ｏｍｐｏｎｅｎｔｓ）（物品（ａｒｔｉｃｌｅｓ））の処理のために使用するこ
ともできる。
【０００２】
固体材料の特性を改良する目的で固体材料の処理における知られた方向の１つ
は、材料の表面層に或る添加物を存在させて材料の特定の特性、特にその強度を
改良することである。
は、材料の表面層に或る添加物を存在させて材料の特定の特性、特にその強度を
改良することである。
【０００３】 その表面近くの層が添加剤として金の混合物を含有する既知の固体材料がある
（ＵＳＳＲ Ａｕｔｈｏｒｓｈｉｐ Ｃｅｒｔｉｆｉｃａｔｅ Ｎｏ．１２２０
１０４）。
（ＵＳＳＲ Ａｕｔｈｏｒｓｈｉｐ Ｃｅｒｔｉｆｉｃａｔｅ Ｎｏ．１２２０
１０４）。
【０００４】 この材料に関する問題は、表面に近い領域において結晶格子の規則的な秩序化
（ｒｅｇｕｌａｒ ｏｒｄｅｒｉｎｇ）が存在しないことによる不十分な強度で
ある。
（ｒｅｇｕｌａｒ ｏｒｄｅｒｉｎｇ）が存在しないことによる不十分な強度で
ある。
【０００５】 その表面に近い層が添加物としてホウ素、炭素、硫黄、クロム又はアルミニウ
ムの混合物を含有する既知の固体材料がある（Ｖ．Ｍ．Ｐａｒａｓｈｃｈｅｎｋ
ｏ，Ｍ．Ｍ．Ｒａｋｈｍａｎｋｕｌｏｖ ａｎｄ Ａ．Ｐ．Ｔｓｉｓｉｎ，“Ｔ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｏｆ ｃａｓｔｉｎｇ ｕｎｄｅｒ ｐｒｅｓｓｕｒｅ”
，Ｍｏｓｃｏｗ：Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｙａ，１９９６，ｐ．１８７）。
ムの混合物を含有する既知の固体材料がある（Ｖ．Ｍ．Ｐａｒａｓｈｃｈｅｎｋ
ｏ，Ｍ．Ｍ．Ｒａｋｈｍａｎｋｕｌｏｖ ａｎｄ Ａ．Ｐ．Ｔｓｉｓｉｎ，“Ｔ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｏｆ ｃａｓｔｉｎｇ ｕｎｄｅｒ ｐｒｅｓｓｕｒｅ”
，Ｍｏｓｃｏｗ：Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｙａ，１９９６，ｐ．１８７）。
【０００６】 この材料に関する問題は、やはり表面に近い領域で結晶格子の規則的な秩序化
が存在しないことである。
が存在しないことである。
【０００７】 ジルコニウム、鉛及びバリウムの酸化物の固溶体をベースとする既知のピエゾ
セラミック材料であって、その表面に近い層が高められた濃度の鉛（０．５〜０
．８％全体に）を含有しており、それにより結晶化の追加の表面中心の形成をも
たらす材料がある（ＵＳＳＲ Ａｕｔｈｏｒｓｈｉｐ Ｃｅｒｔｉｆｉｃａｔｅ
Ｎｏ．１１７２９０６）。
セラミック材料であって、その表面に近い層が高められた濃度の鉛（０．５〜０
．８％全体に）を含有しており、それにより結晶化の追加の表面中心の形成をも
たらす材料がある（ＵＳＳＲ Ａｕｔｈｏｒｓｈｉｐ Ｃｅｒｔｉｆｉｃａｔｅ
Ｎｏ．１１７２９０６）。
【０００８】 しかしながら、この材料も又表面層における単結晶粒（ｍｏｎｏｃｒｙｓｔａ
ｌｌｉｎｅ ｇｒａｉｎｓ）の結晶格子の規則的な秩序化の不存在により不十分
な強度を有する。
ｌｌｉｎｅ ｇｒａｉｎｓ）の結晶格子の規則的な秩序化の不存在により不十分
な強度を有する。
【０００９】
本発明の目的の１つは、材料の表面に近い層における該材料の最初の結晶構造
（ｉｎｉｔｉａｌ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）の三次元秩
序化（ｔｈｒｅｅ−ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ ｏｒｄｅｒｉｎｇ）により材料の
強度を高めることである。
（ｉｎｉｔｉａｌ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）の三次元秩
序化（ｔｈｒｅｅ−ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ ｏｒｄｅｒｉｎｇ）により材料の
強度を高めることである。
【００１０】 本発明により解決される他の目的は、材料の特定の特性、即ちピエゾセラミッ
ク材料のために基本的に重要な音響損失（ａｃｏｕｓｔｉｃ ｌｏｓｓｅｓ）の
大きさを改良することである。
ク材料のために基本的に重要な音響損失（ａｃｏｕｓｔｉｃ ｌｏｓｓｅｓ）の
大きさを改良することである。
【００１１】 これらの問題は、原則として新しい固体材料の表面に近い層における構造の創
造により解決される。
造により解決される。
【００１２】 この構造は、２００ｎｍまでの直径を有する材料の表面層に形成されたナノメ
ートル断面（ｎａｎｏｍｅｔｒｉｃ ｃｒｏｓｓ ｓｅｃｔｉｏｎ）の細孔（ｐ
ｏｒｅｓ）と、該材料とは別の材料又は該材料と同じ材料から作られている細孔
内に配置されたナノメートル断面（２００ｎｍまで）のフィラメントから成る。
ートル断面（ｎａｎｏｍｅｔｒｉｃ ｃｒｏｓｓ ｓｅｃｔｉｏｎ）の細孔（ｐ
ｏｒｅｓ）と、該材料とは別の材料又は該材料と同じ材料から作られている細孔
内に配置されたナノメートル断面（２００ｎｍまで）のフィラメントから成る。
【００１３】 この表面層構造を有する材料を製造するための最初の材料として、いかなる固
体結晶性セラミック材料（ｓｏｌｉｄ ｓｔａｔｅ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ
ｃｅｒａｍｉｃ ｍａｔｅｒｉａｌ）（固体複合体混合物（ｓｏｌｉｄ ｃｏｍ
ｐｏｓｉｔｅ ｍｉｘｔｕｒｅｓ）を包含する）も使用することができる。最初
の材料は導体（例えば銅、ニッケル、チタン、鋼）又は半導体（例えば、シリコ
ン、ガリウムヒ素）であることができる。
体結晶性セラミック材料（ｓｏｌｉｄ ｓｔａｔｅ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ
ｃｅｒａｍｉｃ ｍａｔｅｒｉａｌ）（固体複合体混合物（ｓｏｌｉｄ ｃｏｍ
ｐｏｓｉｔｅ ｍｉｘｔｕｒｅｓ）を包含する）も使用することができる。最初
の材料は導体（例えば銅、ニッケル、チタン、鋼）又は半導体（例えば、シリコ
ン、ガリウムヒ素）であることができる。
【００１４】 「ナノ細孔内に置かれたナノフィラメント」（“ｎａｎｏｆｉｌａｍｅｎｔ
ｌａｉｄ ｉｎ ｎａｎｏｐｏｒｅ”）構造の形成は、固体材料の音響損失のレ
ベルの有意な減少及び「ナノ細孔内に置かれたナノフィラメント」構造の境界に
沿った結晶構造の三次元秩序化によるその強度の増加を促進する。ピエゾ活性材
料では、この効果は、その分極ベクトル（ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ｖｅｃｔ
ｏｒ）が「ナノ細孔内に置かれたナノフィラメント」構造の表面に直角に整列さ
せられているドメインの量を増加させる。
ｌａｉｄ ｉｎ ｎａｎｏｐｏｒｅ”）構造の形成は、固体材料の音響損失のレ
ベルの有意な減少及び「ナノ細孔内に置かれたナノフィラメント」構造の境界に
沿った結晶構造の三次元秩序化によるその強度の増加を促進する。ピエゾ活性材
料では、この効果は、その分極ベクトル（ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ｖｅｃｔ
ｏｒ）が「ナノ細孔内に置かれたナノフィラメント」構造の表面に直角に整列さ
せられているドメインの量を増加させる。
【００１５】 銀、金、白金又は銅の如き金属がピエゾセラミックのためのフィラメント用の
材料として使用されるべきである。
材料として使用されるべきである。
【００１６】 本発明の他の目的は、固体材料の表面層において該「ナノ細孔内に置かれたナ
ノフィラメント」構造を形成することからなる固体材料の処理方法である。これ
においては、ナノ細孔の形成は材料のブランクの表面の電気的浸食処理（ｅｌｅ
ｃｔｒｉｃａｌ ｅｒｏｓｉｏｎ ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）により達成することが
でき、そしてナノフィラメントによる細孔の充填はフィラメント材料の局部的イ
オン沈殿（ｌｏｃａｌ ｉｏｎ ｐｒｅｃｉｐｉｔａｔｉｏｎ）により達成され
うる。
ノフィラメント」構造を形成することからなる固体材料の処理方法である。これ
においては、ナノ細孔の形成は材料のブランクの表面の電気的浸食処理（ｅｌｅ
ｃｔｒｉｃａｌ ｅｒｏｓｉｏｎ ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）により達成することが
でき、そしてナノフィラメントによる細孔の充填はフィラメント材料の局部的イ
オン沈殿（ｌｏｃａｌ ｉｏｎ ｐｒｅｃｉｐｉｔａｔｉｏｎ）により達成され
うる。
【００１７】 本発明の更なる目的は、表面層に該「ナノ細孔内に置かれたナノフィラメント
」構造を形成することによる固体材料の最終部品（ｆｉｎｉｓｈｅｄ ｃｏｍｐ
ｏｎｅｎｔｓ）（物品）の処理方法である。
」構造を形成することによる固体材料の最終部品（ｆｉｎｉｓｈｅｄ ｃｏｍｐ
ｏｎｅｎｔｓ）（物品）の処理方法である。
【００１８】
実施例１． 細孔内に置かれた金属フィラメントを有するピエゾセラミック 標準技術（結合剤を有する加圧されたピエゾセラミック仕込み量を１４５０℃
の温度で焼成しそして徐冷する）により製造されたピエゾセラミックブランクの
端面（ｅｎｄｆａｃｅｓ）の１つにおいて、負の極性（ｎｅｇａｔｉｖｅ ｐｏ
ｌａｒｉｔｙ）のパルスを供給することによる、アンチモンサルホヨージド（ａ
ｎｔｉｍｏｎｙ ｓｕｌｆｏｉｏｄｉｄｅ）（ＳＳｂＩ）から作られたポイント
直径（ｐｏｉｎｔ ｄｉａｍｅｔｅｒ）２０ｎｍの第１プローブを使用する電気
的浸食法によってナノ細孔を形成させる（処理のピッチ−６００ｎｍ、改変電圧
（ｍｏｄｉｆｙｉｎｇ ｖｏｌｔａｇｅ）４Ｖ；各細孔について処理時間−４０
０ｎｓｅｃ）。次いで、銀から作られた第２のプローブ（ポイント直径１０ｎｍ
）を使用し、正の極性（ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｐｏｌａｒｉｔｙ）のパルスを供給
して、局部的イオン沈殿の方法により前記形成されたナノ細孔内にＡｇのナノフ
ィラメントを形成させる（処理のピッチ−６００ｎｍ、改変電圧２Ｖ；各細孔に
ついて処理時間−６００ｎｓｅｃ）。第１プローブ及び第２プローブの位置決め
は走査型トンネル顕微鏡の助けにより行う。細孔の濃度は平均で３個の細孔／μ
ｍ2であった。
の温度で焼成しそして徐冷する）により製造されたピエゾセラミックブランクの
端面（ｅｎｄｆａｃｅｓ）の１つにおいて、負の極性（ｎｅｇａｔｉｖｅ ｐｏ
ｌａｒｉｔｙ）のパルスを供給することによる、アンチモンサルホヨージド（ａ
ｎｔｉｍｏｎｙ ｓｕｌｆｏｉｏｄｉｄｅ）（ＳＳｂＩ）から作られたポイント
直径（ｐｏｉｎｔ ｄｉａｍｅｔｅｒ）２０ｎｍの第１プローブを使用する電気
的浸食法によってナノ細孔を形成させる（処理のピッチ−６００ｎｍ、改変電圧
（ｍｏｄｉｆｙｉｎｇ ｖｏｌｔａｇｅ）４Ｖ；各細孔について処理時間−４０
０ｎｓｅｃ）。次いで、銀から作られた第２のプローブ（ポイント直径１０ｎｍ
）を使用し、正の極性（ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｐｏｌａｒｉｔｙ）のパルスを供給
して、局部的イオン沈殿の方法により前記形成されたナノ細孔内にＡｇのナノフ
ィラメントを形成させる（処理のピッチ−６００ｎｍ、改変電圧２Ｖ；各細孔に
ついて処理時間−６００ｎｓｅｃ）。第１プローブ及び第２プローブの位置決め
は走査型トンネル顕微鏡の助けにより行う。細孔の濃度は平均で３個の細孔／μ
ｍ2であった。
【００１９】 上記の方法により処理されたピエゾセラミックプレートを強度（破断歪）の研
究に付した。これは３１００ｎ／ｍｍ2であったが、これに対してこの処理を受
けなかった同様なプレートの強度は２２００ｎ／ｍｍ2であった。
究に付した。これは３１００ｎ／ｍｍ2であったが、これに対してこの処理を受
けなかった同様なプレートの強度は２２００ｎ／ｍｍ2であった。
【００２０】 材料における音響損失（ａｃｏｕｓｔｉｃ ｌｏｓｓ）の値に反比例するエレ
クトロメカニカル結合係数（ｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｃｏｕｐｌ
ｉｎｇ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）は０．７１から０．８５に増加した。
クトロメカニカル結合係数（ｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｃｏｕｐｌ
ｉｎｇ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）は０．７１から０．８５に増加した。
【００２１】 実施例２ 細孔内に置かれた半導体フィラメントを有する金属 最初の材料はタングステンである。断面１０−２００ｎｍの細孔がタングステ
ンの表面に１００〜１０００ｎｍの深さに形成される。細孔は長さ１００〜１０
００ｎｍ、断面１０〜２００ｎｍのフィラメントで充填される（ｆｉｌｌｅｄ）
。細孔の濃度は平均３個の細孔／μｍ2である。フィラメント材料はシリコンで
ある。
ンの表面に１００〜１０００ｎｍの深さに形成される。細孔は長さ１００〜１０
００ｎｍ、断面１０〜２００ｎｍのフィラメントで充填される（ｆｉｌｌｅｄ）
。細孔の濃度は平均３個の細孔／μｍ2である。フィラメント材料はシリコンで
ある。
【００２２】 「ナノ細孔内に置かれたナノフィラメント」構造を使用しない場合の検討され
たタングステンワイヤの強度は３６００ｎ／ｍｍ2であった。「ナノ細孔内に置
かれたナノフィラメント」構造を使用する場合には、処理後の強度は４４００ｎ
／ｍｍ2であった。材料における音響損失係数はそれにより平均して２０％減少
した。
たタングステンワイヤの強度は３６００ｎ／ｍｍ2であった。「ナノ細孔内に置
かれたナノフィラメント」構造を使用する場合には、処理後の強度は４４００ｎ
／ｍｍ2であった。材料における音響損失係数はそれにより平均して２０％減少
した。
【００２３】 実施例３ 細孔内に置かれた誘電体フィラメントを有する金属 最初の材料はタングステンである。断面１０−２００ｎｍの細孔がタングステ
ンの表面に１００〜１０００ｎｍの深さに形成される。細孔は長さ１００〜１０
００ｎｍ及び断面１０〜２００ｎｍのフィラメントで充填される。細孔の濃度は
平均３個の細孔／μｍ2である。フィラメント材料は硫黄である。
ンの表面に１００〜１０００ｎｍの深さに形成される。細孔は長さ１００〜１０
００ｎｍ及び断面１０〜２００ｎｍのフィラメントで充填される。細孔の濃度は
平均３個の細孔／μｍ2である。フィラメント材料は硫黄である。
【００２４】 「ナノ細孔内に置かれたナノフィラメント」構造を使用しない場合の検討され
たタングステンワイヤの強度は３６００ｎ／ｍｍ2であった。「ナノ細孔内に置
かれたナノフィラメント」構造を使用する場合には、処理後の強度は４１００ｎ
／ｍｍ2であった。
たタングステンワイヤの強度は３６００ｎ／ｍｍ2であった。「ナノ細孔内に置
かれたナノフィラメント」構造を使用する場合には、処理後の強度は４１００ｎ
／ｍｍ2であった。
【００２５】 材料における音響損失係数はそれにより平均して２０％減少した。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ ，ＡＭ，ＡＵ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＮ， ＣＺ，ＥＥ，ＦＩ，ＧＥ，ＨＵ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，Ｋ Ｇ，ＫＰ，ＫＲ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＶ，ＭＤ ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ， ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＴＲ，ＴＴ，Ｕ Ａ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ (72)発明者 フロロフ，ドミトリ・ウラデイミロビチ ロシア・117574モスクワ・ウーリツアゴル ビンスカヤ・デイ７・コルプ２・ケイブイ 207
Claims (32)
- 【請求項１】 下記の操作： 固体材料のブランクを提供し、 少なくとも該ブランク材料の表面層に２００ｎｍまでの直径を有する細孔を形
成し、 該ブランクの材料と異なる材料又は該ブランクの材料と同じ材料から作られた
フィラメントにより該細孔を充填すること、 を含むことを特徴とする固体材料の処理方法。 - 【請求項２】 いくつかのナノフィラメントが各細孔に配置されていること
を特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 電気的浸食処理により該材料に細孔を形成し、そして該フィ
ラメント材料の局所的イオン沈殿により細孔の充填を行うことを特徴とする請求
項１又は２に記載の方法。 - 【請求項４】 処理されるべき材料がセラミック材料でありそして細孔を充
填するための材料が金属であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載
の方法。 - 【請求項５】 処理されるべき材料がピエゾセラミックであることを特徴と
する前記請求項のいずれかに記載の方法。 - 【請求項６】 細孔を充填するための材料が銀であることを特徴とする請求
項１〜５のいずれかに記載の方法。 - 【請求項７】 細孔を充填するための材料が金であることを特徴とする請求
項１〜５のいずれかに記載の方法。 - 【請求項８】 細孔を充填するための材料が白金であることを特徴とする請
求項１〜５のいずれかに記載の方法。 - 【請求項９】 細孔を充填するための材料が銅であることを特徴とする請求
項１〜５のいずれかに記載の方法。 - 【請求項１０】 処理されるべき材料が金属であり、そして細孔を充填する
ための材料が半導体材料であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載
の方法。 - 【請求項１１】 処理されるべき材料が金属であり、そして細孔を充填する
ための材料が誘電体材料であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載
の方法。 - 【請求項１２】 処理されるべき部品を構成する材料の少なくとも表面層に
２００ｎｍまでの寸法を有する細孔を形成し、 該細孔を該部品の材料と異なる材料又は該部品の材料と同じ材料から作られた
フィラメントで充填すること、 を含んで成る部品を処理する方法。 - 【請求項１３】 電気的浸食処理により該部品の材料に細孔を形成し、そし
て該フィラメント材料の局部的イオン沈殿により細孔の充填を行うことを特徴と
する請求項１２に記載の方法。 - 【請求項１４】 処理されるべき部品がセラミック材料から作られており、
そして細孔充填材料が金属であることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の
方法。 - 【請求項１５】 処理されるべき部品がピエゾセラミック材料から作られて
いることを特徴とする請求項１２〜１４のいずれかに記載の方法。 - 【請求項１６】 細孔を充填するための材料が銀であることを特徴とする請
求項１２〜１５のいずれかに記載の方法。 - 【請求項１７】 細孔を充填するための材料が金であることを特徴とする請
求項１２〜１５のいずれかに記載の方法。 - 【請求項１８】 細孔を充填するための材料が白金であることを特徴とする
請求項１２〜１５のいずれかに記載の方法。 - 【請求項１９】 細孔を充填するための材料が銅であることを特徴とする請
求項１２〜１５のいずれかに記載の方法。 - 【請求項２０】 処理されるべき部品が金属から作られており、そして細孔
を充填するための材料が半導体材料であることを特徴とする請求項１２又は１３
に記載の方法。 - 【請求項２１】 処理されるべき部品が金属から作られており、そして細孔
を充填するための材料が誘電体材料であることを特徴とする請求項１２又は１３
に記載の方法。 - 【請求項２２】 １０〜２００ｎｍの直径を有する細孔が固体材料の少なく
とも表面層に形成されており、そして異なる材料のフィラメントが細孔内に配置
されていることを特徴とする固体材料。 - 【請求項２３】 １０〜２００ｎｍの直径を有する細孔が固体材料の少なく
とも表面層に形成されており、そして同じ材料のフィラメントが細孔内に配置さ
れていることを特徴とする固体材料。 - 【請求項２４】 細孔が１００〜１０００ｎｍの深さを有することを特徴と
する請求項２２又は２３に記載の材料。 - 【請求項２５】 該材料がセラミック材料であり、そして細孔を充填するフ
ィラメントが金属から作られていることを特徴とする請求項２２〜２４のいずれ
かに記載の材料。 - 【請求項２６】 該材料がピエゾセラミックであることを特徴とする請求項
２２〜２５のいずれかに記載の材料。 - 【請求項２７】 細孔を充填するフィラメントが銀から作られていることを
特徴とする請求項２２〜２６のいずれかに記載の材料。 - 【請求項２８】 細孔を充填するフィラメントが金から作られていることを
特徴とする請求項２２〜２６のいずれかに記載の材料。 - 【請求項２９】 細孔を充填するフィラメントが白金から作られていること
を特徴とする請求項２２〜２６のいずれかに記載の材料。 - 【請求項３０】 細孔を充填するフィラメントが銅から作られていることを
特徴とする請求項２２〜２６のいずれかに記載の材料。 - 【請求項３１】 該材料が金属であり、そして細孔を充填するフィラメント
が半導体材料から作られていることを特徴とする請求項２２〜２４のいずれかに
記載の材料。 - 【請求項３２】 該材料が金属であり、そして細孔を充填するフィラメント
が誘電体材料から作られていることを特徴とする請求項２２〜２４のいずれかに
記載の材料。
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|---|---|---|---|
| PCT/RU1998/000446 WO2000040506A1 (fr) | 1998-12-30 | 1998-12-30 | Materiau monolithique |
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|---|---|
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