UA59401C2 - Спосіб покриття кромок алмазоподібним вуглецем - Google Patents
Спосіб покриття кромок алмазоподібним вуглецем Download PDFInfo
- Publication number
- UA59401C2 UA59401C2 UA2000010265A UA00010265A UA59401C2 UA 59401 C2 UA59401 C2 UA 59401C2 UA 2000010265 A UA2000010265 A UA 2000010265A UA 00010265 A UA00010265 A UA 00010265A UA 59401 C2 UA59401 C2 UA 59401C2
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- substrate
- specified
- product
- plasma
- film
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 60
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 10
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims abstract description 9
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims abstract description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 32
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 18
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 18
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 18
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 4
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 62
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 51
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 28
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 23
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 23
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 18
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 14
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 5
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005087 graphitization Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 210000000170 cell membrane Anatomy 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S427/00—Coating processes
- Y10S427/103—Diamond-like carbon coating, i.e. DLC
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S427/00—Coating processes
- Y10S427/103—Diamond-like carbon coating, i.e. DLC
- Y10S427/104—Utilizing low energy electromagnetic radiation, e.g. microwave, radio wave, IR, UV, visible, actinic laser
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S427/00—Coating processes
- Y10S427/103—Diamond-like carbon coating, i.e. DLC
- Y10S427/106—Utilizing plasma, e.g. corona, glow discharge, cold plasma
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
Спосіб утворення плівки алмазоподібного вуглецю на підкладці (22), який включає етапи впливу на підкладку середовища газоподібного вуглеводню і генерування плазми в середовищі з щільністю електронів, що перевищує приблизно 551010 на см3 і товщиною оболонки, меншою від приблизно 1,7 мм за умов високої щільності потоку іонів і бомбардування іонами керованої низької енергії. Крім того, виріб, що містить підкладку, яка має поверхню і плівку алмазоподібного вуглецю на поверхні, в якому плівка має твердість, що перевищує приблизно 20 ГПа і не має помітних зерен діаметром 3т10-8 м і більше при спостереженні з 50000-кратним збільшенням за допомогою скануючого електронного мікроскопа із холодною емісією.
Description
Опис винаходу
Даний винахід належить до галузі хімічного осадження з парової фази і, зокрема, стосується 2 плазмостимульованого хімічного осадження з парової фази високоякісних плівок алмазоподібного вуглецю на частково обмежені поверхні або поверхні з високим ступенем кутастості.
Тверді, тонкі плівки гідрогенізованого, аморфного вуглецю(а-С:Н), які також називаються плівками алмазоподібного вуглецю(АПВ), можна створювати на металевих поверхнях шляхом плазмостимульованого хімічного осадження з парової фазиїПСХОП). У відомих процесах ПСХОП, використовуваних для створення 70 таких плівок, створюється низька щільність іонів(-10 Ум), У відомих процесах плазма генерується при більшій товщині оболонки(4 х 1073-1,0 х 10"м) яка не повторює малі нерівні поверхні підкладки(-10 м). Тому іони, що прискорюються у відомих процесах у напрямку, поперечному до оболонки, одержують прискорення, спрямоване під прямим кутом до макроскопічної поверхні підкладки. У таких умовах кутасті поверхні підкладки, наприклад, ,/5 кромки бритвених лез(які зазвичай збирають у стопку, і при цьому проміжки між краями лез становлять 100Мм) піддаються взаємодії похилих потоків реактивних іонів. Ці умови, як вважають, зумовлюють самозатінення деяких осаджуючих речовин, приводячи до появи стовпчастих утворень у плівках а-С:Н. Вважається також, що низька щільність плазми зумовлює відносно низьке іонно-атомарне відношення на поверхні підкладки.
Осадження в умовах низької поверхневої рухливості адатомів, наприклад, при низьких температурах підкладки(Т/Тллав х 0.1) і низькій щільності потоку іонів також, як передбачають, приводить до збільшення стовпчастих утворень у плівках а-С:Н, що осаджуються на поверхнях із високим ступенем кутастості. Такі стовпчасті утворення приводять до наявності в плівках пустот і меж зерен, через що механічна міцність плівки знижується. Стовпчасті утворення спостерігаються при ПСХОП плівок а-С:Н, здійснюваному в плазмових реакторах низької щільності з ВЧ ємнісним зв'язком, на підкладках із високим ступенем кутастості, наприклад, сч ре бритвених лезах.
Ще одним недоліком відомих підходів є низька швидкість осадження. При низькій щільності електронів, що о має місце у відомих підходах, не відбувається ефективної дисоціації подаваного газоподібного вуглеводню. Тому число молекулярних фрагментів - попередників у плазмі низької щільності невелике. Наприклад, для ПСХОП а-С:ІН при ємнісному зв'язку плазми швидкість осадження зазвичай становить порядку 3.3 х 10 719 м/с. Низькі «- зо Швидкості осадження негативно впливають на продуктивність обробки та знижують рентабельність процесу.
Даний винахід являє собою вдосконалення у хімічному осадженні з парової фази плівок а-С:Н на поверхню о підкладки, наприклад, на поверхню металевої підкладки. У широкому смислі, винахід включає хімічне осадження «Е з парової фази плівок а-С:Н в умовах, що забезпечують конформну оболонку, високу щільність потоку іонів і бомбардування іонами керованої низької енергії. Винахід включає вплив на підкладку середовища газоподібного ме)
Зз5 Вуглеводню і генерування плазми в середовищі з щільністю електронів, що перевищує приблизно 5 х 1019 на см? ою і з товщиною оболонки, меншою від приблизно 2мм, в умовах високої щільності потоку іонів і бомбардування іонами керованої низької енергії.
Умови, що відповідають винаходу, які забезпечують конформну оболонку, високу щільність потоку іонів і « бомбардування іонами керованої низької енергії, включають щільність іонного струму(д;), що перевищує приблизно 20А/м2 і напругу зміщення(-) зміщ) У діапазоні від близько 100 до близько 1000 вольт. Такі умови - с дозволяють формувати тверді, щільні плівки алмазоподібного вуглецю(а-С:Н) на голкових вістрях, кромках ц бритвених лез, різальних кромках і краях та інших загострених, кутастих або гострих поверхнях, частково "» обмежених або з високим ступенем кутастості, подібних до тих, що використовуються в пишучих інструментах(пера, місцях посадки кульки в пишучому стержні, тощо) при відсутності в плівках стовпчастих утворень, характерних для інших відомих процесів. 1 Зокрема, відповідно до одного аспекту винаходу для дисоціації подаваного газоподібного вуглеводню, с наприклад САН.іо, використовується реактор плазмостимульованого хімічного осадження з парової фази з індуктивним зв'язком, в якому керування потужністю плазми здійснюється незалежно від зміщення на підкладці.
Її Підкладку або заготовки, наприклад, бритвені леза, упаковані в стопку, встановлюють у вакуумній плазмовій о 50 камері реактора на тримачі.
Тримач підключається до високочастотного(ВЧ) джерела живлення(наприклад, 13.56МГЦ) через коло - й узгодження імпеданса. Плазма генерується в умовах максимізованого потоку іонів(тобто подачі високої потужності ВЧ на плазму з індуктивним зв'язком) і помірного зміщення на підкладці(наприклад, /; » -ЗОА/м?. і -2008 « -Озміщ 7З-БООВ, відповідно до більш прийнятного варіанта реалізації). Джерело живлення тримача 22 регулює енергію іонів, що витягаються з плазми і направляються на підкладку, та плазмовий розряд створюється
Ф! незалежно від зміщення підкладки. Таким чином, при енергії іонного бомбардування від помірної до низької досягається висока щільність потоку іонів. Можна також використовувати й інші процеси, здатні породжувати о плазму високої щільності Вони включають НВЧ-розряд, електронного циклотронного резонансу й інші удосконалені ВЧ процеси генерування плазми, наприклад, за допомогою джерела спіральної хвилі і спірального 60 резонатора.
Відповідно до іншого аспекту винаходу, між підкладкою та плівкою алмазоподібного вуглецю можна використовувати проміжний шар. Цей проміжний шар можна вибрати з сукупності, яка складається з кремнію, карбіду кремнію, ванадію, танталу, нікелю, ніобію, молібдену і сплавів цих матеріалів. Досвід показав, що в якості матеріалу для такого проміжного шару особливо придатний кремній. бо Висока ефективність плазми з індуктивним зв'язком може породжувати потік іонів, який може бути приблизно в десять разів більший, ніж у загальноприйнятій плазмі з ВЧ ємнісним зв'язком. Названі вище умови зумовлюють такі переваги, як зменшення ширини оболонки, збільшення іонно-атомарного відношення і дуже висока швидкість осадження. Зменшення ширини оболонки забезпечує конформне покриття більш дрібних структур і варіацій на поверхні підкладки. При наявності конформної оболонки іони змушені вдаряти по поверхні перпендикулярно або під малими кутами, що зумовлює щільність плівки. Збільшення іонно-атомарного відношення приводить до зростання поверхневої рухливості адатомів і осадження плівок більш високої щільності. Підвищення швидкості осадження, зумовлене більш повною дисоціацією плазми, приводить до збільшення продуктивності і підвищення економічності.
Ці переваги дають можливість створювати плівки алмазоподібного вугледю, що мають щільну плівкову 7/0 Структуру(тобто зі значно зменшеними або відсутніми стовпчастими зернами або пустотами, які знижують механічну міцність(наприклад, при спостереженні з 50000-кратним збільшенням за допомогою електронного скануючого мікроскопа з холодною емісією відсутні помітні зерна діаметром З х 10м або більше) і високу твердість(твердість плівки перевищує приблизно 20ГПа), при високій швидкості осадження, що приводить до зниження вартості однієї деталі Процес може мати додаткові переваги, які можуть включати 75 самозаточування(заточення розпиленням) різальних кромок внаслідок бомбардування інтенсивним потоком іонів, високу швидкість очищення камери з використанням кисневої плазми, і гарну продуктивність протягом будь-якого етапу попереднього плазмового очищення, що можна застосовувати до осадження.
Цей винахід можна краще зрозуміти з нижченаведеного докладного опису, поданого в поєднанні з кресленнями, що додаються, в яких:
Фіг.1 являє собою схематичний вигляд у перерізі реактора плазмостимульованого хімічного осадження з парової фази з індуктивним зв'язком, корисного при здійсненні даного винаходу;
Фіг2 являє собою графік, який ілюструє цей винахід щодо іонного струму/потужності ВЧ індукції, середнього зміщення на підкладці та товщини оболонки;
Фіг.3 являє собою графік, що ілюструє твердість плівок, створених відповідно до даного винаходу, як Га функцію потужності ВЧ індукції і середнього зміщення на підкладці;
Фіг.4 являє собою графік, який ілюструє твердість плівок, створених відповідно до даного винаходу, як о функцію середнього зміщення на підкладці;
Фіг5 являє собою мікрофотографію(зроблену при 50000-кратному збільшенні) поперечного перерізу алмазоподібної плівки, осадженої на бритвене лезо шляхом загальноприйнятого плазмостимульованого «-
Хімічного осадження з парової фази з ємнісним зв'язком;
Фігб являє собою мікрофотографію(зроблену при 50000-кратному збільшенні) поперечного перерізу о алмазоподібної плівки, осадженої на бритвене лезо в ході демонстраційної серії випробувань даного винаходу; «І
Фіг.7 являє собою мікрофотографію(зроблену при 50000-кратному збільшенні) поперечного перерізу алмазоподібної плівки, осадженої на бритвене лезо в ході додаткової демонстраційної серії випробувань даного іа
Зз5 винаходу; ою
Фіг8 являє собою мікрофотографію(зроблену при 50000-кратному збільшенні) поперечного перерізу алмазоподібної плівки, осадженої на бритвене лезо в ході додаткової демонстраційної серії випробувань даного винаходу; «
Фіг9 являє собою мікрофотографію(зроблену при 50000-кратному збільшенні) поперечного перерізу 70 алмазоподібної плівки, осадженої на бритвене лезо в ході додаткової демонстраційної серії випробувань даного 8 с винаходу; ц Фіг.10 являє собою мікрофотографію(зроблену при 50000-кратному збільшенні) збільшеного вигляду в и"? перспективі алмазоподібної плівки, оосадженої на бритвене лезо шляхом загальноприйнятого плазмостимульованого хімічного осадження з парової фази з ємнісним зв'язком;
Фіг.11 являє собою мікрофотографію(зроблену при 50000-кратному збільшенні) поперечного перерізу с алмазоподібної плівки, осадженої на бритвене лезо шляхом загальноприйнятого плазмостимульованого хімічного осадження з парової фази з ємнісним зв'язком; іш Фіг.12 являє собою мікрофотографію(зроблену при 50000-кратному збільшенні) збільшеного вигляду в «г» перспективі алмазоподібної плівки, осадженої на бритвене лезо відповідно до даного винаходу;
Фіг13 являє собою мікрофотографію(зроблену при 50000-кратному збільшенні) поперечного перерізу о алмазоподібної плівки, осадженої на бритвене лезо відповідно до цього винаходу; - М Фіг.14 являє собою графік, що ілюструє швидкість осадження відповідно до цього винаходу як функцію потужності ВУ індукції;
Фіг.15А являє собою схему, що ілюструє додатковий варіант реалізації даного винаходу;
Фіг.158 являє собою графік, який ілюструє варіант ВЧ зміщення, зображеного на фіг.15А, модульованого імпульсним сигналом;
Ф, Фіг.16 являє собою графік, який ілюструє залежність твердості від внутрішньої напруги плівки для плівок, ко на які подається зміщення, модульоване імпульсним сигналом, відповідно до цього винаходу, у порівнянні з графіком для плівок, на які подається зміщення відповідно до закону незатухаючої хвилі; і во Фіг.17 являє собою блок - схему алгоритму, яка ілюструє варіант протікання процесу, що здійснює даний винахід.
Цей винахід передбачає вдосконалення у формуванні плівок алмазоподібного вуглецю на підкладках шляхом плазмостимульованого хімічного осадження з парової фази. Відповідно до цього винаходу, дисоціація газоподібного вуглеводню в процесі плазмостимульованого хімічного осадження з парової фази за умов високої 65 щільності потоку іонів і бомбардування іонами керованої низької енергії забезпечує формування твердої, щільної плівки а-С:Н на підкладці при відсутності якихось стовпчастих утворень, характерних для інших відомих процесів, навіть якщо підкладка має незвичайну форму або має гострі кути. Винахід включає вплив у себе на підкладку середовища газоподібного вуглеводню і генерування плазми в середовищі з щільністю електронів, що перевищує приблизно 5 х 1019 на см? і товщиною оболонки, меншою від приблизно 2мм, в умовах високої Щільності потоку іонів і бомбардування іонами керованої низької енергії. Такі умови можна одержати шляхом незалежного керування щільністю потоку іонів і зміщенням на підкладці з метою максимізувати потік іонів, але водночас підтримувати помірне зміщення на підкладці. Ці умови включають щільність іонного струму(у;), що перевищує приблизно 20А/м2, і напругу зміщення(-Озміщ) У діапазоні від близько 100 до близько 1000 вольт.
Відповідно до одного варіанта реалізації даного винаходу, для створення на кутастій підкладці щільної, 70 твердої плівки а-С:Н, що відповідає цьому винаходу, використовується реактор плазмостимульованого хімічного осадження з парової фази з індуктивним зв'язком. Хоча цей винахід ілюструється стосовно до реактора плазмостимульованого хімічного осадження з парової фази з індуктивним зв'язком, можна також використовувати й інші процеси генерування плазми, здатні породжувати плазму високої щільності.
На фіг.1 зображений реактор з індуктивним зв'язком, який використовується для здійснення даного винаходу. 75 Реактор, зображений на фіг.1, включає індукційний плазмовий генератор 10, зв'язаний із вакуумною плазмовою камерою 12, в якій тримач 14 підкладки розміщений у плазмовому полі під кварцовим вікном 11. Звичайно тримач 14 має водяне охолодження. Хоча водяне охолодження є більш прийнятним, припускається деяке нагрівання. Таким чином, можна також використовувати великий поглинач тепла.
Плазмовий генератор 10 включає високочастотне(ВЧ) джерело 16, підключене до індукційних котушок 18 через конденсатори 20. Всередині плазмової камери 12 підкладка або заготовки 22(зображені у вигляді бритвених лез, упакованих у стопку) розміщається на тримачі 14. Тримач 14 зв'язаний із високочастотним(ВчЧ) (звичайно 13.56МГц) джерелом живлення 24 через коло узгодження імпеданса 26. ВЧ джерело живлення 24 тримача 14 дозволяє регулювати енергію іонів, що витягаються з плазми і направляються на заготовки 22.
Подаваний газоподібний вуглеводень, що підлягає плазмовій дисоціації, надходить у плазмову камеру 12 через Ге! газовий впуск 28. Зазвичай газ, який подається, являє собою С Ні, але можна також використовувати й інші о газоподібні вуглеводні, наприклад, СНу, СоНо, СеНв, СоНе і/або СзНв Більш прийнятно, заготовки 22 установлюються на 0.05 - 0.15м нижче(під кварцовим вікном 11) і підтримуються при кімнатній температурі за допомогою тримача 14 із водяним охолодженням.
З використанням вищеописаної апаратури здійснили серії випробувань при різних рівнях потужності індукції -- плазми і напруги зміщення на підкладці. Нижче наведені два приклади осадження на кромках лез, які ілюструють даний винахід. о « нн Ф з ою « - щі -
І» з й нн
Ф ть о їй ов
Ф) У цих прикладах згадується "показник щільності" плівок. Цей показник відповідає напівкількісній системі ко класифікації покриттів кромки леза, відповідно до якого мікроструктура покриття оцінюється з використанням скануючого електронного мікроскопа з холодною емісією, що дає 50000-кратне збільшення. Виходячи з наявності бо Ззернисто-пустотної структури, показник визначається згідно з такою таблицею. нн дв
Чітко спостерігається стовпчатість, дещо менші зерна 2,0
Результати вищезазначених прикладів та інших серій випробувань зображені на графіках фіг.2 - 4. Фіг2 9 графічно ілюструє відповідні аспекти даного винаходу щодо іонного струму/потужності ВЧ індукції, середньої напруги зміщення на підкладці і товщини оболонки. На фігурі також зображена область, що відповідає більш прийнятному варіанту реалізації цього винаходу. З фігури видно, що розмір іонного струму впливає на стовпчасті утворення в плівках. Більш низькі значення іонного струму приводять до збільшення стовпчастих утворень у плівках. Більш високі значення іонного струму зумовлюють меншу стовпчасту мікроструктуру. Хоча з то фігури це не цілком очевидно, широкі плазмові оболонки можуть спричинювати збільшені стовпчасті мікроструктури.
З фіг.2 також випливає, що середнє зміщення підкладки впливає на твердість плівок. При більш низьких середніх значеннях зміщення на підкладці плівки виявляються відносно м'якими. В міру зростання середніх 15 значень зміщення зростає і твердість плівок. Однак надмірно високі зміщення на підкладці приводять до ушкодження плівок і знижують твердість плівки внаслідок графітизації.
Фіг.2 також демонструє, що товщина оболонки змінюється як функція щільності іонного струму і зміщення на підкладці. Як випливає з фіг.2, товщина плазмової оболонки зростає в міру збільшення зміщення на підкладці.
Таким чином, у міру збільшення зміщення на підкладці конформність плазми відносно до підкладки зменшується. 20 Умови, при яких виявляються переваги даного винаходу, включають іонний струм() /), що перевищує приблизно 20А/м2 і середнє зміщення на підкладці(-у зміщ) У діапазоні від близько -100 до близько -1000 вольт. Умови, які породжують даний більш прийнятний варіант реалізаціїякі зображені на фіг.2 у вигляді великої виділеної області, позначеної "БІЛЬШ ПРИЙНЯТНІ"), включають іонний струм(у), більший або який дорівнює приблизно ЗОА/м2, середнє зміщення на підкладці(-у зміщ) у діапазоні від близько -200 до близько с 25 900 вольт і товщину оболонки, меншу або дорівнюючу приблизно 1.7мм(для кромок лез, упакованих у стопку).
Для порівняння, розташована справа внизу, виділена область фіг.(позначена "Загальноприйнятий АПВ") о окреслює умови і характеристики, пов'язані з хімічним осадженням із парової фази з низькою щільністю і ємнісним зв'язком. Варіант подібних умов загальноприйнятого процесу(ВЧ живлення подається на електрод підкладки) виглядає так: «-- » Фо їй
Ф з5 ю
При хімічному осадженні з парової фази з ємнісним зв'язком, іонний струм малий(приблизно ЗА/м 2), а ч 40 оболонка широка. На кромках лез спостерігаються стовпчасті плівки. в с Фіг.З демонструє, що твердість генерованих плівок змінюється як функція потужності ВЧ індукції і "з середньої напруги зміщення на підкладці(тобто середньої енергії іонів на заготовці). З фіг.3 видно, що при " збільшенні зміщення на підкладці і потужності ВЧ індукції зростає твердість плівки. Знову ж, надмірно високе зміщення на підкладці викликає зниження твердості плівки внаслідок графітизації. 45 Фіг.4, на якій показана твердість створеної плівки як функція середнього зміщення на підкладці при о потужності ВЧ індукції, яка дорівнює 200 - 800Вт, демонструє, що при помірному середньому зміщенні на
Ге) підкладці(наприклад, від близько -200 до близько -5008) утворюються плівки найвищої твердості. Суцільна лінія на фіг4 найкраще відповідає розташуванню точок даних. Пунктирні лінії відповідають межам 95905-ного ве відхилення від найкращої відповідності. о 50 Наведені нижче додаткові варіанти ПСХОП на кромки лез демонструють вплив змін потужності індукціїонного струму на ширину оболонки і стовпчасті утворення. Всі умови були постійними за винятком "З потужності індукції/онного струму: 55 юю є. т 177711воо11юю вв |в 60
Усі серії випробувань виконані при тиску С. НіопПа.
Результати цих серій випробувань зображені на мікрофотографіях, відповідно, фіг.5 - 9, кожна з який зроблена при 50000-кратному збільшенні на скануючому електронному мікроскопі з холодною емісією(СЕМ). У покриттях, зображених на фіг.5 і б, які відповідають серіям випробувань 1 і 2, відповідно, стовпчаста бо мікроструктура легко помітна. Плівка, зображена на фіг.7, що відповідає серії випробувань 3, має проміжний вигляд, але стовпчатість все ще помітна. На плівках, зображених на фіг, 8 і 9, які відповідають серіям випробувань 4 і 5, відповідно, при спостереженні за допомогою скануючого електронного мікроскопа з холодною емісією(СЕМ) при 50000-кратному збільшенні ані в зображеннях поверхні, ані в зображеннях поперечного перерізу не можна розрізнити ніякої стовпчастої структури(наприклад, чітких зерен діаметром З х 10 Зм або більше). Таким чином, як показано на фіг.2, відповідно до більш прийнятного варіанту реалізації, нижня межа іонного струму вибирається приблизно дорівнюючою ЗОА/м2, що відповідає потужності індукції, яка дорівнює приблизно 400Вт.
Мікрофотографії на фіг.10 - 13 наочно демонструють якісну перевагу плівок а-С:Н, осаджених відповідно до цього винаходу. Ці мікрофотографії зроблені з 50000-кратним збільшенням на скануючому електронному 70 мікроскопі з холодною емісією(СЕМ). На кожній із фіг.10 ії 11 зображена плівка а-С:Н, осаджена на кромку бритвеного леза за допомогою загальноприйнятих методик плазмостимульованого хімічного осадження з парової фази з ємнісним зв'язком. На фіг.10 і 11 чітко видимі зерна і стовпчасті утворення в плівці а-С:Н на кромці леза.
Навпаки, на кожній із фіг.12 і 13 зображена плівка а-С:Н, осаджена на кромку бритвеного леза відповідно 75 до цього винаходу. На фіг.12 і 13 за допомогою скануючого електронного мікроскопа з холодною емісією(СЕМ), що дає 50000-кратне збільшення, можна чітко бачити гарне осадження плівки на кромку леза без спостережуваних стовпчастих утворень або зерен. В плівці, осадженій відповідно до цього винаходу, не видно ніякої стовпчастої мікроструктури або пустот.
Додатково ілюструючи цей винахід і демонструючи зростання швидкостей осадження, пов'язане з цим 20 винаходом, фіг.14 являє собою графік, що зображує швидкість осадження як функцію потужності ВЧ індукції. В міру поступового збільшення кількості плазми з індуктивним зв'язком швидкість осадження значно зростає.
Початок графіка відповідає подачі на підкладку лише ВЧ зміщення, що зумовлює швидкість осадження 1,7 х ло мус і самозміщення -3008. Це відповідає плазмостимульованому осадженню з парової фази з ємнісним зв'язком. В міру зростання потужності індукції живлення зміщення регулюється з метою підтримки -300В. При с 29 потужності індукції 800Вт швидкість осадження становить приблизно 2,8 х 10 м/с, що приблизно в 17 разів ге) більше, ніж при загальноприйнятому плазмостимульованому осадженні з парової фази з ємнісним зв'язком.
Відповідно до вищенаведених варіантів винаходу, на підкладку або заготовки безперервно подається. ВЧ живлення 13.56МГЦц, щоб забезпечувати зміщення на підкладці. Відповідно до додаткового аспекту винаходу, живлення зміщення, подаване на підкладку або заготовки, можна модулювати імпульсним сигналом. Відповідно (7 до фіг.14А і 15Б, синусоїдальна хвиля від ВЧ джерела живлення 24 модулюється прямокутною хвилею, яка о виробляється генератором 30 прямокутної хвилі, за допомогою модулятора 32 з метою формування модульованої прямокутним сигналом ВЧ напруги зміщення 34. в
Відповідно до варіанта реалізації, що відповідає фіг.15А і 15Б, шпаруватість імпульсів це час вмикання Ге»! зміщення як частка повного періоду прямокутної хвилі. Зміна шпаруватості імпульсів може давати дві переваги: 1) можна зменшувати середню напругу зміщення(енергію іонів), але при цьому підтримувати пікову напругу в юю оптимальному діапазоні і, 2) можна звузити оболонку до товщини, яка відповідає нульовому зміщенню(наприклад, близько ЗОмкм) протягом періоду "вимикання", що може забезпечувати гарне конформне покриття заготовки протягом цього « періоду.
На фіг.16 зображений вплив внутрішньої напруги плівки для плівок, на які подається зміщення, модульоване но) с імпульсним сигналом, у порівнянні з тим випадком, коли на плівку подається зміщення, яке змінюється за з» законом незатухаючої хвилі(НХ). Імпульсна методика дозволяє знижувати напругу плівки незалежно від твердості, що є додатковою, особливою ознакою даного винаходу.
Відповідно до додаткового аспекту винаходу, між підкладкою і плівкою алмазоподібного вуглецю можна використовувати проміжний шар. Цей проміжний шар можна вибрати із сукупності, яка складається з кремнію, о карбіду кремнію, ванадію, танталу, нікелю, ніобію, молібдену і сплавів цих матеріалів. Досвід показує, що в
Ге) якості матеріалу для такого проміжного шару найкраще підходить кремній.
На фіг.17 зображений ілюстративний алгоритм процесу виготовлення, що відповідає даному винаходу. ть Звичайно буває корисним пропускати заготовки через етап попереднього очищення Зб, щоб покращити о 20 прилипання шару АПВ. Це можна здійснювати в єдиній камері ВЧ індукційіз високою швидкістю) або в загальноприйнятій камері тліючого розряду ПТ(із низькою швидкістю і тривалим часом обробки). У камеру -6ь попереднього очищення можна подавати заготовки для двох або більше камер 38, 40 осадження АПВ, в яких використовуються джерела плазми з індуктивним зв'язком. В одній з цих камер, 38, може здійснюватись осадження на стопку лез, тоді як інша камера, 40, буде очищатися. Очищення бажано робити, оскільки плівка, 22 що наростає на стінках камери, час від часу може відшаровуватися, призводячи до засмічення макрочастинками.
ГФ) Додатковий ілюстративний алгоритм процесу поданий у наведеній нижче таблиці. з 65 5 заваюконня ново стопки завантаженнястолизА | вивантаження б5 7 попереднє очищення стопки осадження АПВ очищення камери
Св званекення тової стюти| вивантаження | завантакення стопки
Ге перехід до часового етапу 5 перехід до часового етапу 5 перехід до часового етапу 5,
Ілюстративні умови процесу для вищеописаного алгоритму включають: 1) Попереднє очищення стопки: потужність ВЧ індукції: ЗООВт напруга ВЧ зміщення: -З00Вт час: 30 - бос газ; аргон тиск: 0.7Ппа витрата: 8,3 х 10-7мЗ/с 2) Осадження АПВ: Здійснюється відповідно до цього винаходу. т З) Очищення камери: потужність ВЧ індукції: 1000 Вт напруга ВЧ зміщення: -2008 час: прибл. 2 х час осадження АПВ газ: кисень тиск: 0.7Ппа витрата: 1,7х 10-бм З/с
Відповідно до поданого вище, хоча даний винахід ілюструється застосовано до плазмостимульованого с 29 хімічного осадження з парової фази з індуктивним зв'язком, можна також використовувати й інші процеси, здатні (У генерувати плазму високої щільності. Ці інші процеси включають генерування плазми НВчЧ-розрядом, генерування плазми за допомогою електронного циклотронного резонансу й інші ВЧ процеси генерування плазми, наприклад, генерування плазми за допомогою джерела спіральної хвилі і спірального резонатора.
Вищенаведений опис не призначений для обмеження цього винаходу. Можливі альтернативні варіанти -- реалізації, Відповідно, обсяг винаходу повинен визначатися формулою винаходу, що додається, і її законними ав! еквівалентами, але не описаними і зображеними вище її варіантами реалізації.
Claims (16)
1. Спосіб утворення плівки алмазоподібного вуглецю на підкладці, який включає такі етапи: заповнення простору навколо підкладки середовищем газоподібного вуглеводню; і генерування плазми в зазначеному середовищі з щільністю електронів, що перевищує 5 х1019 на см" і « товщиною оболонки, меншою від 1,7 мм, в умовах високої щільності потоку іонів і бомбардування іонами З то керованої низької енергії, при цьому зазначені умови включають іонний струм більший за З мА/см?, і напруга с зміщення, прикладена до підкладки, знаходиться у діапазоні від -200 до -500 вольт. :з» 2. Спосіб за п. 1, в якому зазначене середовище містить газ, що вибирають з групи, яка складається з
С.Ніо, СНу, СоН», СеНв і СзНв.
3. Спосіб за п. 1 або 2, в якому зазначена підкладка являє собою металеву поверхню. сл 15
4. Спосіб за п. 1 або 2, в якому зазначена підкладка являє собою металеву речовину, що має поверхневий шар, який містить матеріал, що вибирають з групи, яка складається з кремнію, карбіду кремнію, ванадію, (се) танталу, нікелю, ніобію, молібдену та їх сплавів. 1»
5. Спосіб за будь-яким з попередніх пунктів, в якому зазначену плазму генерують за допомогою індуктивного зв'язку. (ав) 20
6. Спосіб за будь-яким з попередніх пунктів, в якому зазначену напругу зміщення модулюють імпульсним ще сигналом.
7. Виріб, виготовлений способом за будь-яким з попередніх пунктів, який містить: підкладку, що має вугласту поверхню; і плівку алмазоподібного вуглецю на зазначеній поверхні, в якому зазначена плівка має твердість, що перевищує 20 ГПа і не має помітних зерен діаметром З3х10 м (300 А) або більше при спостереженні з (Ф) 50000-кратним збільшенням за допомогою скануючого електронного мікроскопа із холодною емісією. ГІ
8. Виріб за п. 7, в якому зазначена підкладка являє собою металеву речовину, що має поверхневий шар, який містить матеріал, що вибирають з групи, яка складається з кремнію, карбіду кремнію, ванадію, танталу, нікелю, во ніобію, молібдену та їх сплавів.
9. Виріб за п. 7 або 8, в якому зазначений виріб являє собою бритвене лезо.
10. Виріб за п. 7 або 8, в якому зазначена поверхня є кромкою бритвеного леза.
11. Виріб за п. 7 або 8, в якому зазначений виріб є деталлю пишучого інструмента.
12. Виріб за п. 7 або 8, в якому зазначений виріб є пером ручки. 65
13. Виріб за п. 7 або 8, в якому зазначений виріб є місцем посадки кульки в пишучому стержні.
14. Виріб за п. 7 або 8, в якому зазначений виріб є голковим вістрям.
15. Виріб за п. 7 або 8, в якому зазначений виріб є різальною кромкою.
16. Виріб за п. 15, в якому зазначена різальна кромка знаходиться на різальному краю. с о «- о « (22) ІС в) ші с ;» 1 се) щ» о 50 - Ф) іме) 60 б5
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/878,222 US6077572A (en) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | Method of coating edges with diamond-like carbon |
PCT/US1998/012270 WO1998058097A1 (en) | 1997-06-18 | 1998-06-11 | A method of coating edges with diamond-like carbon |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
UA59401C2 true UA59401C2 (uk) | 2003-09-15 |
Family
ID=25371614
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
UA2000010265A UA59401C2 (uk) | 1997-06-18 | 1998-11-06 | Спосіб покриття кромок алмазоподібним вуглецем |
Country Status (22)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6077572A (uk) |
EP (1) | EP0990060B1 (uk) |
JP (1) | JP4145361B2 (uk) |
KR (1) | KR100586803B1 (uk) |
CN (1) | CN1121510C (uk) |
AR (1) | AR017505A1 (uk) |
AT (1) | ATE234371T1 (uk) |
AU (1) | AU736551B2 (uk) |
BR (1) | BR9810170A (uk) |
CA (1) | CA2290514C (uk) |
CO (1) | CO5031272A1 (uk) |
DE (1) | DE69812092T2 (uk) |
EG (1) | EG21236A (uk) |
ES (1) | ES2190084T3 (uk) |
HK (1) | HK1023791A1 (uk) |
PL (1) | PL186562B1 (uk) |
RU (1) | RU2205894C2 (uk) |
TR (1) | TR199902875T2 (uk) |
TW (1) | TW574397B (uk) |
UA (1) | UA59401C2 (uk) |
WO (1) | WO1998058097A1 (uk) |
ZA (1) | ZA985256B (uk) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG101418A1 (en) * | 1999-03-30 | 2004-01-30 | Showa Denko Kk | Production process for magnetic recording medium |
KR20030001707A (ko) * | 2001-06-27 | 2003-01-08 | 주식회사 바이오테크이십일 | 칼날에 대한 다이아몬드성 카본 코팅 방법 및 그에 의해제조된 코팅칼날 |
US6767836B2 (en) * | 2002-09-04 | 2004-07-27 | Asm Japan K.K. | Method of cleaning a CVD reaction chamber using an active oxygen species |
DE102004004177B4 (de) * | 2004-01-28 | 2006-03-02 | AxynTeC Dünnschichttechnik GmbH | Verfahren zur Herstellung dünner Schichten sowie dessen Verwendung |
US9123508B2 (en) * | 2004-02-22 | 2015-09-01 | Zond, Llc | Apparatus and method for sputtering hard coatings |
US20060159848A1 (en) * | 2005-01-20 | 2006-07-20 | Yucong Wang | Method of making wear-resistant components |
KR20060124879A (ko) * | 2005-05-26 | 2006-12-06 | 주성엔지니어링(주) | 박막 증착 방법 |
TWI427175B (zh) * | 2005-12-23 | 2014-02-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 陽極板及包括該陽極板之濺鍍裝置 |
JP4735309B2 (ja) * | 2006-02-10 | 2011-07-27 | トヨタ自動車株式会社 | 耐キャビテーションエロージョン用部材及びその製造方法 |
US7448135B2 (en) * | 2006-03-29 | 2008-11-11 | The Gillette Company | Multi-blade razors |
US20070227008A1 (en) * | 2006-03-29 | 2007-10-04 | Andrew Zhuk | Razors |
US7882640B2 (en) * | 2006-03-29 | 2011-02-08 | The Gillette Company | Razor blades and razors |
US8499462B2 (en) * | 2006-04-10 | 2013-08-06 | The Gillette Company | Cutting members for shaving razors |
US8011104B2 (en) | 2006-04-10 | 2011-09-06 | The Gillette Company | Cutting members for shaving razors |
CN100453692C (zh) * | 2006-07-20 | 2009-01-21 | 浙江大学 | 铝材表面的类金刚石覆膜改性方法及其装置 |
NL1032867C2 (nl) * | 2006-11-14 | 2008-05-15 | Draka Comteq Bv | Inrichting en een werkwijze voor het uitvoeren van een depositieproces van het type PCVD. |
DE102007041544A1 (de) * | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Universität Augsburg | Verfahren zur Herstellung von DLC-Schichten und dotierte Polymere oder diamantartige Kohlenstoffschichten |
PT2297375E (pt) * | 2008-06-11 | 2015-06-29 | Oerlikon Surface Solutions Ag Trubbach | Suporte para peças de obra |
US9248579B2 (en) * | 2008-07-16 | 2016-02-02 | The Gillette Company | Razors and razor cartridges |
FR2956416B1 (fr) * | 2010-02-18 | 2012-06-15 | Michelin Soc Tech | Aiguille pour l'insertion d'un fil dans un pneumatique |
PL218575B1 (pl) | 2011-02-28 | 2014-12-31 | Fundacja Rozwoju Kardiochirurgii Im Prof Zbigniewa Religi | Sposób wytwarzania warstw powierzchniowych na implantach medycznych |
JP5905297B2 (ja) * | 2012-02-27 | 2016-04-20 | 株式会社パイロットコーポレーション | 筆記具 |
JP6234860B2 (ja) | 2014-03-25 | 2017-11-22 | 株式会社Screenホールディングス | 成膜装置および成膜方法 |
US10415904B1 (en) | 2015-04-23 | 2019-09-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Firing weapons bonded with diamond-like carbon solid and methods for production thereof |
CN108085657B (zh) * | 2017-12-29 | 2020-03-17 | 苏州大学 | 基于螺旋波等离子体技术制备氮掺杂类金刚石薄膜的方法 |
CN112044706A (zh) * | 2020-08-05 | 2020-12-08 | 王华彬 | 一种涂布刮刀涂层涂敷的工艺 |
Family Cites Families (69)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DD63018A (uk) * | 1966-03-16 | |||
US3829969A (en) * | 1969-07-28 | 1974-08-20 | Gillette Co | Cutting tool with alloy coated sharpened edge |
GB1350594A (en) * | 1970-02-05 | 1974-04-18 | Gillette Industries Ltd | Sharpening cutting edges |
BR7102060D0 (pt) * | 1970-04-17 | 1973-04-05 | Wilkinson Sword Ltd | Lamina de barbear e processo para a fabricacao da mesma |
US3652443A (en) * | 1970-08-25 | 1972-03-28 | Gillette Co | Deposition apparatus |
US3900636A (en) * | 1971-01-21 | 1975-08-19 | Gillette Co | Method of treating cutting edges |
AU485283B2 (en) * | 1971-05-18 | 1974-10-03 | Warner-Lambert Company | Method of making a razorblade |
US3761373A (en) * | 1971-07-09 | 1973-09-25 | Gillette Co | Process for producing an improved cutting tool |
US3786563A (en) * | 1971-08-31 | 1974-01-22 | Gillette Co | Shaving system |
US3961103A (en) * | 1972-07-12 | 1976-06-01 | Space Sciences, Inc. | Film deposition |
US3960608A (en) * | 1972-08-05 | 1976-06-01 | Wilkinson Sword Limited | Members having a cutting edge |
US3915757A (en) * | 1972-08-09 | 1975-10-28 | Niels N Engel | Ion plating method and product therefrom |
SE7309849L (sv) * | 1973-07-13 | 1975-01-14 | Sunds Ab | Stangreknare. |
US4122602A (en) * | 1977-06-03 | 1978-10-31 | The Gillette Company | Processes for treating cutting edges |
US4416912A (en) * | 1979-10-13 | 1983-11-22 | The Gillette Company | Formation of coatings on cutting edges |
DE3047888A1 (de) * | 1980-12-19 | 1982-07-15 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | "schneidwerkzeug, verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung" |
US4389773A (en) * | 1981-04-30 | 1983-06-28 | The Gillette Company | Shaving implement |
US4504519A (en) * | 1981-10-21 | 1985-03-12 | Rca Corporation | Diamond-like film and process for producing same |
US4434188A (en) * | 1981-12-17 | 1984-02-28 | National Institute For Researches In Inorganic Materials | Method for synthesizing diamond |
US4452686A (en) * | 1982-03-22 | 1984-06-05 | Axenov Ivan I | Arc plasma generator and a plasma arc apparatus for treating the surfaces of work-pieces, incorporating the same arc plasma generator |
BR8307616A (pt) * | 1982-11-19 | 1984-10-02 | Gillette Co | Laminas de barbear |
US4673477A (en) * | 1984-03-02 | 1987-06-16 | Regents Of The University Of Minnesota | Controlled vacuum arc material deposition, method and apparatus |
IL71530A (en) * | 1984-04-12 | 1987-09-16 | Univ Ramot | Method and apparatus for surface-treating workpieces |
US4490229A (en) * | 1984-07-09 | 1984-12-25 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Deposition of diamondlike carbon films |
US4620913A (en) * | 1985-11-15 | 1986-11-04 | Multi-Arc Vacuum Systems, Inc. | Electric arc vapor deposition method and apparatus |
US4933058A (en) * | 1986-01-23 | 1990-06-12 | The Gillette Company | Formation of hard coatings on cutting edges |
EP0245688B1 (en) * | 1986-04-28 | 1991-12-27 | Nissin Electric Company, Limited | Method of forming diamond film |
JPS63140083A (ja) * | 1986-05-29 | 1988-06-11 | Nippon Steel Corp | 黒色透明外観のステンレス鋼およびその製造方法 |
EP0257439B1 (en) * | 1986-08-11 | 1991-09-04 | Sumitomo Electric Industries Limited | Alumina coated with diamond |
DE3881256D1 (de) * | 1987-03-06 | 1993-07-01 | Balzers Hochvakuum | Verfahren und vorrichtungen zum vakuumbeschichten mittels einer elektrischen bogenentladung. |
US4822466A (en) * | 1987-06-25 | 1989-04-18 | University Of Houston - University Park | Chemically bonded diamond films and method for producing same |
US4816291A (en) * | 1987-08-19 | 1989-03-28 | The Regents Of The University Of California | Process for making diamond, doped diamond, diamond-cubic boron nitride composite films |
EP0334204B1 (de) * | 1988-03-23 | 1995-04-19 | Balzers Aktiengesellschaft | Verfahren und Anlage zur Beschichtung von Werkstücken |
US5088202A (en) * | 1988-07-13 | 1992-02-18 | Warner-Lambert Company | Shaving razors |
AU625072B2 (en) * | 1988-07-13 | 1992-07-02 | Warner-Lambert Company | Shaving razors |
GB8821944D0 (en) * | 1988-09-19 | 1988-10-19 | Gillette Co | Method & apparatus for forming surface of workpiece |
GB8911312D0 (en) * | 1989-05-17 | 1989-07-05 | Am Int | Multi-disc cutter and method of manufacture |
US5429070A (en) * | 1989-06-13 | 1995-07-04 | Plasma & Materials Technologies, Inc. | High density plasma deposition and etching apparatus |
US5421891A (en) * | 1989-06-13 | 1995-06-06 | Plasma & Materials Technologies, Inc. | High density plasma deposition and etching apparatus |
DE69005938T2 (de) * | 1989-07-31 | 1994-05-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Vorrichtung zur Herstellung von einer dünnen diamantartigen Kohlenstoffschicht. |
US5087478A (en) * | 1989-08-01 | 1992-02-11 | Hughes Aircraft Company | Deposition method and apparatus using plasma discharge |
US4958590A (en) * | 1989-09-06 | 1990-09-25 | General Atomics | Microwave traveling-wave diamond production device and method |
US5064682A (en) * | 1989-10-26 | 1991-11-12 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of forming a pseudo-diamond film on a base body |
US5488774A (en) * | 1990-01-24 | 1996-02-06 | Janowski; Leonard J. | Cutting edges |
US5010646A (en) * | 1990-01-26 | 1991-04-30 | The Gillette Company | Shaving system |
US5048191A (en) * | 1990-06-08 | 1991-09-17 | The Gillette Company | Razor blade technology |
US5022801A (en) * | 1990-07-18 | 1991-06-11 | The General Electric Company | CVD diamond coated twist drills |
GB9106860D0 (en) * | 1991-04-02 | 1991-05-22 | Gillette Co | Safety razor |
AU1772292A (en) * | 1991-04-05 | 1992-11-02 | Warner-Lambert Company | Coated cutting tool |
US5142785A (en) * | 1991-04-26 | 1992-09-01 | The Gillette Company | Razor technology |
US5232568A (en) * | 1991-06-24 | 1993-08-03 | The Gillette Company | Razor technology |
GB9123331D0 (en) * | 1991-11-04 | 1991-12-18 | De Beers Ind Diamond | Apparatus for depositing a material on a substrate by chemical vapour deposition |
ZA928617B (en) * | 1991-11-15 | 1993-05-11 | Gillette Co | Shaving system. |
US5230740A (en) * | 1991-12-17 | 1993-07-27 | Crystallume | Apparatus for controlling plasma size and position in plasma-activated chemical vapor deposition processes comprising rotating dielectric |
US5256930A (en) * | 1992-02-10 | 1993-10-26 | Commonwealth Scientific Corporation | Cooled plasma source |
US5295305B1 (en) * | 1992-02-13 | 1996-08-13 | Gillette Co | Razor blade technology |
US5279723A (en) * | 1992-07-30 | 1994-01-18 | As Represented By The United States Department Of Energy | Filtered cathodic arc source |
US5346600A (en) * | 1992-08-14 | 1994-09-13 | Hughes Aircraft Company | Plasma-enhanced magnetron-sputtered deposition of materials |
US5470661A (en) * | 1993-01-07 | 1995-11-28 | International Business Machines Corporation | Diamond-like carbon films from a hydrocarbon helium plasma |
US5378285A (en) * | 1993-02-10 | 1995-01-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus for forming a diamond-like thin film |
US5308661A (en) * | 1993-03-03 | 1994-05-03 | The Regents Of The University Of California | Pretreatment process for forming a smooth surface diamond film on a carbon-coated substrate |
US5474816A (en) * | 1993-04-16 | 1995-12-12 | The Regents Of The University Of California | Fabrication of amorphous diamond films |
US5645900A (en) * | 1993-04-22 | 1997-07-08 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Diamond composite films for protective coatings on metals and method of formation |
DE4319427A1 (de) * | 1993-06-11 | 1994-12-22 | Helmut Schaefer | Verfahren zur Herstellung einer selbstschärfenden Messerschneide durch einseitige Beschichtung mit Hartmetall |
US5391229A (en) * | 1993-07-26 | 1995-02-21 | General Electric Company | Apparatus for chemical vapor deposition of diamond including graphite substrate holders |
US5510098A (en) * | 1994-01-03 | 1996-04-23 | University Of Central Florida | CVD method of producing and doping fullerenes |
US5458827A (en) * | 1994-05-10 | 1995-10-17 | Rockwell International Corporation | Method of polishing and figuring diamond and other superhard material surfaces |
JPH0812492A (ja) * | 1994-06-23 | 1996-01-16 | Kyocera Corp | 気相合成装置および気相合成方法 |
JPH0827576A (ja) * | 1994-07-18 | 1996-01-30 | Canon Inc | ダイヤモンド膜の形成方法 |
-
1997
- 1997-06-18 US US08/878,222 patent/US6077572A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-06-11 KR KR1019997011884A patent/KR100586803B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-06-11 JP JP50460299A patent/JP4145361B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-06-11 CA CA002290514A patent/CA2290514C/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-06-11 PL PL98337485A patent/PL186562B1/pl not_active IP Right Cessation
- 1998-06-11 AT AT98929033T patent/ATE234371T1/de not_active IP Right Cessation
- 1998-06-11 CN CN98806296A patent/CN1121510C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-06-11 EP EP98929033A patent/EP0990060B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-11 AU AU80694/98A patent/AU736551B2/en not_active Ceased
- 1998-06-11 RU RU2000101271/02A patent/RU2205894C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1998-06-11 BR BR9810170-6A patent/BR9810170A/pt not_active IP Right Cessation
- 1998-06-11 ES ES98929033T patent/ES2190084T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-11 TR TR1999/02875T patent/TR199902875T2/xx unknown
- 1998-06-11 DE DE69812092T patent/DE69812092T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-11 WO PCT/US1998/012270 patent/WO1998058097A1/en active IP Right Grant
- 1998-06-17 AR ARP980102874A patent/AR017505A1/es active IP Right Grant
- 1998-06-17 ZA ZA985256A patent/ZA985256B/xx unknown
- 1998-06-17 TW TW87109673A patent/TW574397B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-06-17 CO CO98034406A patent/CO5031272A1/es unknown
- 1998-06-17 EG EG68698A patent/EG21236A/xx active
- 1998-11-06 UA UA2000010265A patent/UA59401C2/uk unknown
-
2000
- 2000-05-12 HK HK00102850A patent/HK1023791A1/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO1998058097A9 (en) | 1999-04-08 |
ATE234371T1 (de) | 2003-03-15 |
CN1121510C (zh) | 2003-09-17 |
KR20010013862A (ko) | 2001-02-26 |
TR199902875T2 (xx) | 2000-05-22 |
DE69812092T2 (de) | 2003-11-20 |
ZA985256B (en) | 1999-01-06 |
DE69812092D1 (de) | 2003-04-17 |
WO1998058097A1 (en) | 1998-12-23 |
BR9810170A (pt) | 2000-08-08 |
KR100586803B1 (ko) | 2006-06-07 |
CA2290514C (en) | 2004-06-01 |
AU736551B2 (en) | 2001-08-02 |
EG21236A (en) | 2001-03-31 |
US6077572A (en) | 2000-06-20 |
JP4145361B2 (ja) | 2008-09-03 |
EP0990060A1 (en) | 2000-04-05 |
AR017505A1 (es) | 2001-09-12 |
CO5031272A1 (es) | 2001-04-27 |
RU2205894C2 (ru) | 2003-06-10 |
AU8069498A (en) | 1999-01-04 |
CN1260843A (zh) | 2000-07-19 |
JP2002505716A (ja) | 2002-02-19 |
PL186562B1 (pl) | 2004-01-30 |
PL337485A1 (en) | 2000-08-28 |
ES2190084T3 (es) | 2003-07-16 |
CA2290514A1 (en) | 1998-12-23 |
HK1023791A1 (en) | 2000-09-22 |
EP0990060B1 (en) | 2003-03-12 |
TW574397B (en) | 2004-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
UA59401C2 (uk) | Спосіб покриття кромок алмазоподібним вуглецем | |
US7799420B2 (en) | Method for producing a nonostructured functional coating and a coating that can be produced according to said method | |
US20200176234A1 (en) | High-power resonance pulse ac hedp sputtering source and method for material processing | |
Lin et al. | Diamond like carbon films deposited by HiPIMS using oscillatory voltage pulses | |
US5032243A (en) | Method and apparatus for forming or modifying cutting edges | |
US5827613A (en) | Articles having diamond-like protective film and method of manufacturing the same | |
JPH0881299A (ja) | 弓そりを低下させた合成ダイヤモンド皮膜とその製造方法 | |
CN108385066A (zh) | 一种无氢金属掺杂类金刚石涂层制备方法及其制品 | |
Kashiwagi et al. | Chromium nitride films synthesized by radio‐frequency reactive ion plating | |
Serra et al. | HiPIMS pulse shape influence on the deposition of diamond-like carbon films | |
CN113151797B (zh) | 一种基于硬质合金表面镀ta-C膜的离子清洗工艺 | |
US20050233089A1 (en) | Sputter method or device for the production of natural voltage optimized coatings | |
MXPA99011903A (en) | A method of coating edgeswith diamond-like carbon | |
CN115142013B (zh) | 一种基于共格外延强韧化氮氧锆/三氧化二钒纳米多层结构涂层及其制备方法 | |
JPH10265955A (ja) | 電子ビーム励起プラズマcvdによる炭素系高機能材料薄膜の成膜方法 | |
Tochitsky et al. | Structure modelling of DLC-films formed by pulsed arc method | |
JP3291274B2 (ja) | 炭素被膜作製方法 | |
CN117467955A (zh) | 一种纵横声波可调控的铌酸锂压电涂层及其制备方法和应用 | |
Kim et al. | Deposition of amorphous carbon thin films by pulsed RF plasma CVD | |
JP3438977B2 (ja) | プラズマcvd装置を用いた被膜形成方法 | |
JP2001262314A (ja) | アモルファス炭素成膜装置及び成膜方法 | |
CZ395099A3 (cs) | Způsob povlékání hran uhlíkem podobným diamantu | |
Soga et al. | Deposition and characterization of nanocrystalline diamond films on mirror-polished Si substrate by biased enhanced microwave plasma chemical vapor deposition | |
KR20100074977A (ko) | 표면이 평활한 다이아몬드상 탄소 박막 제조방법 | |
JP2000095596A (ja) | 炭素被膜 |