TWM522949U - 加熱裝置 - Google Patents

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TWM522949U
TWM522949U TW104214095U TW104214095U TWM522949U TW M522949 U TWM522949 U TW M522949U TW 104214095 U TW104214095 U TW 104214095U TW 104214095 U TW104214095 U TW 104214095U TW M522949 U TWM522949 U TW M522949U
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spiral coils
coil
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TW104214095U
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Fred Michael Andrew Crawley
Pierre-Arnaud Bodin
Olivier Feron
Holger Grube
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Aixtron Se
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
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    • H—ELECTRICITY
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Description

加熱裝置
本新型創作涉及一種用作為安置在CVD(化學氣相沉積)反應器的基座下方的加熱裝置的設備，用於將指向處理室的、支承待覆層的基板的基座上側加熱至1000℃以上，其中，該加熱裝置具有至少兩個加熱螺旋線圈，這些加熱螺旋線圈的端部以加熱螺旋線圈的電並聯的方式分別與接觸件相連。
在文獻DE 10 2013 113 052、DE 10 2013 113 049、DE 10 2013 113 048、DE 10 2013 113 046和DE 10 2013 113 045中，描述了前述類型的設備。未在前公開的文獻的內容全部包含在本申請案的公開內容中。用於加熱CVD反應器的基座的設備在現有技術中，例如，DE 10 2009 043 96 A1、DE 10 2007 009 145 A1、DE 103 29 107 A1、DE 10 2005 056 536 A1、DE 10 2006 018 515 A1或DE 10 2007 027 703 A1，是已知的。
作為現有技術，還包括EP 1 351 281 B1、US 7,525,071 B2、US 7,679,034 B2和US 2014/0110398 A1。
本新型創作的對象，即，加熱裝置，係位處於CVD反應器的殼體內部。加熱裝置具有多個加熱螺旋線圈，其係由螺旋線圈形狀成型的金屬線、所謂的由耐熱金屬如鎢製成的絲所形成。單個加熱螺旋線圈佈置在螺旋線上，其中，一個加熱螺旋線圈位於 另一個加熱螺旋線圈的後面。螺旋形狀的裝置在圓盤面或圓環面上延伸。可以設有多個加熱裝置，其係徑向嵌套地佈線，且分別形成加熱區，其中，中央的加熱區在圓盤面上延伸，並且，徑向外側的加熱器在相應的環形面上延伸。每個加熱區均具有多個加熱螺旋線圈，此等加熱螺旋線圈尤其是在螺旋弧線上相繼地佈置。但，加熱螺旋線圈也可以在圓弧線上佈置。多個圓弧同心地或非同心地、即偏心地嵌套佈線。但，加熱螺旋線圈也可以佈置在一條在相應的加熱區上迴形地延伸的線上。加熱螺旋線圈可以在共同的平面內佈置。該平面是基本圓盤形狀的基座的延伸面的平行平面，該基座係安置在CVD反應器殼體內的加熱裝置的上方。通過加熱裝置，基座被從下面加熱，使得背離加熱裝置的基座上側被加熱到1000℃以上。每個加熱區具有兩個接觸件，此等接觸件係連接在電源上。在接觸件之間以電並聯的方式佈置加熱器的各個加熱螺旋線圈。每個加熱螺旋線圈具有兩個端部。每個端部與接觸件相連。在現有技術中，屬於加熱裝置的加熱區的各個加熱螺旋線圈的加熱絲的長度和直徑被設計為相同的，使得，各個加熱螺旋線圈由於具有相同的電阻而具備相同的熱功率。
例如出於非均勻性、局部差異或甚至出於工藝技術的原因，有利的是，由加熱裝置產生的熱功率採取局部不同的值。
因此，本新型創作所要解決的技術問題是，使用有利地改進已知的加熱裝置。
所述技術問題按照本新型創作係通過一種用作為安置在CVD反應器的基座下方的加熱裝置的設備解決，此設備用於 將指向處理室的、支承待覆層的基板的基座上側加熱至1000℃以上，其中，此加熱裝置具有多個加熱螺旋線圈，這些加熱螺旋線圈的端部以加熱螺旋線圈的電並聯的方式分別與接觸件相連，其中規定：該加熱螺旋線圈中的至少兩個加熱螺旋線圈具有彼此不同的電性質和/或幾何性質，使得，當在加熱螺旋線圈的端部施加相同電壓時，加熱螺旋線圈的熱功率是不同的。
首先並主要建議，加熱螺旋線圈中的至少兩個加熱螺旋線圈具有相互不同的電性質和/或幾何性質，使得，加熱螺旋線圈的熱功率是不同的。如前所述，本新型創作的加熱裝置可以具有多個加熱螺旋線圈，而尤其是至少兩個加熱螺旋線圈。加熱螺旋線圈可以構成具有彼此不同的加熱區的加熱器的一個加熱區，其中，每個區域分佈具有兩個彼此電氣分離的接觸件，尤其是，接觸板的形式。每個加熱區較佳地具有至少兩個加熱螺旋線圈，其中，至少一個加熱器具有具備不同電阻的加熱螺旋線圈，使得，該加熱螺旋線圈提供不同的熱功率。在至少一個加熱區的加熱螺旋線圈上施加相同的電壓。電壓施加在接觸件上。由於加熱螺旋線圈的彼此不同的電阻，彼此不同大小的電流流過加熱螺旋線圈。加熱螺旋線圈較佳地係由一個或多個金屬線、所謂的加熱絲所構成。加熱螺旋線圈的加熱絲在其端部相互連接。彼此不同的加熱螺旋線圈的加熱絲可以由相同的材料、尤其是鎢所製成。但，加熱絲也可以由不同的材料、尤其是不同的合金製成，其具有不同的電阻率。但，加熱螺旋線圈較佳係由一個或多個螺旋線圈形狀彎曲的金屬線所構成。按照本新型創作規定，加熱裝置的、例如加熱區的至少一個加熱螺旋線圈僅具有一個螺旋線圈形狀成型的加熱絲，並且，第二個加熱螺旋線圈 具有一個以上的螺旋線圈形狀成型的加熱絲。較佳地，該加熱螺旋線圈或所有加熱螺旋線圈分別具有兩個彼此平行延伸的加熱絲，其係被共同螺旋成型，使得，兩個螺旋線圈嵌套地捲繞延伸。加熱螺旋線圈由此可以具有單股或多股加熱絲。各個加熱絲通過其端部與接觸件相連。還規定：幾個彼此不同的加熱螺旋線圈的加熱絲具有不同的截面積。還規定，不同的加熱螺旋線圈的加熱絲的長度彼此不同。如果加熱螺旋線圈由兩個緊密相鄰延伸加熱絲構成，則這兩個加熱絲較佳地具有相同的長度，且較佳地還具有相同的材料強度。但是，這兩個加熱絲也可以在長度和材料強度方面是不同的。在本新型創作的較佳改進方案中規定：各個加熱螺旋線圈是相同長度的，且較佳係在螺旋線的相同的圓弧長度上延伸。如果彼此不同的加熱螺旋線圈具有不同長度的加熱絲，則規定：螺旋線圈的螺距是不同的。加熱絲可以具有不同數量的螺旋線。但，加熱螺旋線圈的長度可以是相同的。但，還規定，加熱螺旋線圈在螺旋線圈的直徑方面是不同的。根據本新型創作的較佳設計方案規定，加熱裝置的至少兩個彼此不同的加熱螺旋線圈(該加熱螺旋線圈具有相同數量的加熱絲)的熱功率彼此相差最大10%、最小5%。
以下結合實施例進一步闡述本新型創作。
1‧‧‧(CVD)反應器；(反應器)殼體
2‧‧‧進氣機構
3‧‧‧排氣孔
4‧‧‧處理室
5‧‧‧基板
6‧‧‧基座
7‧‧‧加熱裝置
8‧‧‧加熱螺旋線圈
8.1‧‧‧加熱螺旋線圈
8.2‧‧‧加熱螺旋線圈
8.3‧‧‧加熱螺旋線圈
8.4‧‧‧加熱螺旋線圈
8.5‧‧‧加熱螺旋線圈
8.6‧‧‧加熱螺旋線圈
8.7‧‧‧加熱螺旋線圈
8.8‧‧‧加熱螺旋線圈
8.9‧‧‧加熱螺旋線圈
8.10‧‧‧加熱螺旋線圈
8.11‧‧‧加熱螺旋線圈
8.12‧‧‧加熱螺旋線圈
8.13‧‧‧加熱螺旋線圈
8.14‧‧‧加熱螺旋線圈
8.15‧‧‧加熱螺旋線圈
8.16‧‧‧加熱螺旋線圈
8.17‧‧‧加熱螺旋線圈
8.18‧‧‧加熱螺旋線圈
8.19‧‧‧加熱螺旋線圈
8.20‧‧‧加熱螺旋線圈
8.21‧‧‧加熱螺旋線圈
8.22‧‧‧加熱螺旋線圈
8.23‧‧‧加熱螺旋線圈
8.24‧‧‧加熱螺旋線圈
8.25‧‧‧加熱螺旋線圈
8.26‧‧‧加熱螺旋線圈
8.27‧‧‧加熱螺旋線圈
8.28‧‧‧加熱螺旋線圈
8.29‧‧‧加熱螺旋線圈
8.30‧‧‧加熱螺旋線圈
8.31‧‧‧加熱螺旋線圈
9‧‧‧支撐件
10‧‧‧支撐板
11‧‧‧接觸件；接觸板
12‧‧‧接觸件；接觸板
13‧‧‧接觸件
14‧‧‧接觸件
15‧‧‧排氣環；排氣機構
16‧‧‧支座支架
17‧‧‧加熱絲；金屬絲
18‧‧‧加熱絲；金屬絲
A‧‧‧(加熱)區
B‧‧‧(加熱)區
C‧‧‧(加熱)區
a‧‧‧(螺旋線)間距；螺距
b‧‧‧(加熱絲截面)直徑
D‧‧‧(螺旋線圈)直徑
△L‧‧‧(加熱絲)長度差
圖1示出CVD反應器連同安置在該CVD反應器中的加熱裝置7的剖面示意圖。
圖2示出CVD設備的具有三個加熱區A、B、C的加熱器的俯視圖，如在DE 10 2013 113 048中該的，其中，三個加熱區A、B、 C中的每一個均構成加熱裝置7。
圖3示出沿圖2中箭頭III所見的側視圖。
圖4示出由兩個相鄰延伸的由鎢製加熱絲17、18組成的加熱螺旋線圈的區域之示意圖，其加熱絲分別具有圓形的具備直徑b的截面，且其中，雙螺旋線以間距a相互間隔，且每個螺旋線圈具有直徑D。
圖5示出根據圖4的加熱螺旋線圈8的示意圖，該加熱螺旋線圈係由單股加熱絲17構成，該加熱絲具有直徑b，其中，加熱螺旋線圈8的單螺旋線以間距a相互間隔，且具有螺旋線圈直徑D。
本新型創作的加熱裝置7是CVD反應器的組成部件，如圖1在截面圖中僅示意示出。CVD反應器具有反應器殼體1，進氣機構2位於反應器殼體1中。通過進氣機構2，處理氣體可以被導入安置在進氣機構2下方的處理室4。為此，進氣機構2具有具備排氣板的氣體分配體積，該排氣板具有多個排氣孔3，處理氣體通過排氣孔可以流入處理室4內。
處理室4的底板由基座6的上側構成。在基座6的上側上安置有一個或多個待覆層的基板5。基座6係由導熱材料、例如鉬或石墨所製成。
處理室4內開始生長過程(金屬有機化合物化學氣相沉積MOCVD)，其中，III-V族半導體層在基板5上沉積。為此，含有III主族元素和V主族元素的化合物與載氣一同穿過進氣機構2被導入處理室4。在處理室4內或者說在安置在基座6上的基板5的表面上，氣體形式的原材料被熱解地分解，使得，在基板可以生 長出單晶體的III-V族覆層。反應殘餘和載氣通過環形圍繞基座6的排氣環15從CVD反應器1中排出。
圓盤形的基座6支撐在基座支架16上。具有多個本新型創作的加熱裝置7的多區式加熱器處在基座6的下方。
加熱裝置7的主要元件是兩個板形的接觸件11、12。此等接觸板11、12可以在共同的平面內安置。但，在實施例中，接觸板11、12係安置在兩個彼此不同的平面內。兩個接觸板11、12可與電源相連。
在圖2和3中所示的實施例是三區式加熱器。中央區A具有圓形的平面輪廓及位處於一個平面內的加熱螺旋線圈8.1至8.11。十一條加熱螺旋線圈相繼地佈置在一條螺旋線上。設有兩個接觸板11、12，加熱螺旋線圈8.1至8.11的端部相應地與接觸板相連接。為此，設有接觸件13、14。中央區A的加熱螺旋線圈8.1至8.11係電並聯地連接，且以相同的弧長在螺旋線上延伸。每個加熱螺旋線圈8.1至8.11可以由一個或多個加熱絲17、18構成，加熱絲被設計成螺旋線圈的形式。所有十一個加熱螺旋線圈8.1至8.11具有相同的側向長度。加熱螺旋線圈由具有相同芯線特徵的鎢絲製成，使得加熱螺旋線圈具有一致的直徑。既設有單股加熱絲，也設有多股加熱絲、尤其是雙股加熱絲。單股加熱絲或雙股加熱絲也可以具有彼此不同的長度，使得，每條加熱螺旋線圈8.1具有彼此不同的電阻，且由此提供不同的熱功率。
中央區A被中間環形區B所圍繞。中間環形區B同樣被設計為具有兩個板形接觸件11、12的加熱裝置7。通過中間環形區B的接觸件11、12，一共有十五條加熱螺旋線圈8.12至8.26 導電連接。加熱螺旋線圈8.12至8.26係電並聯地連接。在此，每條加熱螺旋線圈8.12至8.26也在位處於一個平面延伸的螺旋線上相繼延伸。加熱螺旋線圈8.12至8.26由一個或多個加熱絲17、18構成，加熱絲被設計成螺旋線圈的形式，且可以由相同的鎢絲製成，加熱螺旋線圈8.1至8.11也由這種鎢絲製造。在此，每條加熱螺旋線圈8.12至8.26也可以具有彼此不同的電阻，其中，電阻主要由加熱絲17、18的數量和/或長度所定義。
中間環形區B被外部環形區C所圍繞，外部環形區具有五條加熱螺旋線圈8.27至8.31。加熱螺旋線圈8.27至8.31在圓弧形區段上相鄰平行地延伸。加熱螺旋線圈8.27至8.31分別在大約三分之一個圓弧上延伸，使得，沿周向相繼佈置一共三個加熱螺旋線圈裝置。在此，所有的加熱螺旋線圈8.27至8.31也可以電並聯地連接，且與接觸件11、12相連接。加熱螺旋線圈8.27至8.31在此也可以由相同的鎢絲製造，加熱螺旋線圈8.1至8.26也由這種鎢絲製造。加熱螺旋線圈8.27至8.31可以具有一個或多個加熱絲17、18，加熱絲被設計成螺旋線圈的形式。加熱螺旋線圈8.27至8.31可以具有不同的電阻。為此，加熱螺旋線圈8.27至8.31具有不同長度的加熱絲、或不同數量的加熱絲。
所有三個區A、B、C可以被單獨地供電，使得，每個區A、B、C的熱功率可以被單獨地控制。但是，每個加熱螺旋線圈8.1至8.31的熱功率相對於相同區A、B、C的其它加熱螺旋線圈8.1至8.31的熱功率，則係通過每條加熱螺旋線圈8.1至8.31的加熱絲的長度和數量而定義。
在實施例中，區A的加熱螺旋線圈8.1至8.11位處 於相同平面內，區B的加熱螺旋線圈8.12至8.26也位處於該平面內。區C的加熱螺旋線圈8.27至8.31可以位處於另一個平面內。支撐板10在被絕緣體相互間隔的接觸板11、12和加熱螺旋線圈8.1至8.31之間延伸，在此支撐板上固定有支撐件，加熱螺旋線圈8.1至8.31通過該支撐件保持螺旋線或圓弧線形狀。
本新型創作包括多種技術可行性，用於影響單條加熱螺旋線圈8.1至8.31的熱功率和尤其是電阻。所有的加熱螺旋線圈8.1至8.31應在延伸平面內的相同的弧長上延伸。
圖4示出本新型創作的第一實施例，其中，加熱螺旋線圈8係由兩條加熱絲17、18所構成。兩條加熱絲17、18構成共同捲繞的螺旋線圈。由此涉及雙股螺旋線圈。加熱絲17、18的兩個端部相互連接，且分別與接觸件13、14相連接，使得，加熱螺旋線圈8具有兩個彼此平行延伸的加熱絲17、18。加熱絲17、18具有相同的長度，且與接觸板11、12的相同的接觸件13、14相連接。
雙股螺旋線圈係由兩條彼此平行延伸的金屬絲17、18所構成，此等金屬絲可以相接觸。兩條加熱絲17、18具有相同的直徑b，且構成具有相同螺旋線圈直徑D的螺旋線圈。螺旋線圈具有相互的螺距a。通過改變螺距a，可以預設加熱螺旋線圈8的熱功率。但是，熱功率也可以通過直徑D或金屬線直徑b而預設。
加熱螺旋線圈8的設計方案的變型方案在圖5中示出。加熱螺旋線圈8由加熱絲17構成。在此涉及具有直徑D的單股加熱絲，此加熱絲被成型為螺旋線圈形狀。螺旋線圈具有螺旋線圈直徑D和螺距a。在此，加熱螺旋線圈8的電阻和所得的熱功率 也可以通過加熱絲直徑b、螺距a和螺旋線圈直徑D的選擇來定義。
也可以是三股加熱絲或更多股加熱絲。
在此規定，例如由加熱區A、加熱區B或加熱區C構成的加熱裝置7之加熱螺旋線圈8，具有彼此相同的長度。加熱螺旋線圈8係電並聯地連接。由相同材料、例如鎢製成的加熱絲17、18構成加熱螺旋線圈8。加熱螺旋線圈8由具有相同直徑b的金屬絲所構成。螺旋線圈具有相同的螺旋線圈直徑D。加熱裝置7的每個加熱螺旋線圈8較佳地僅通過螺旋線圈的螺距、即其間距a，或通過構成每個加熱螺旋線圈8的加熱絲17、18的數量而相區別。由此，可以局部地預設加熱裝置7的熱功率。這考慮到基座的導熱特性和放熱特性。在此規定：加熱裝置7的至少兩個加熱螺旋線圈8在其電阻方面相區別。加熱裝置7的至少兩個加熱螺旋線圈8較佳地僅通過加熱絲17、18的長度和數量，且尤其僅通過相互間螺旋線圈的間距a而相區別。
以下表格1示出三區式加熱器的區A的加熱螺旋線圈8.1至8.11的基本特性，如其在圖2和3中所示的。「間距」表示螺距a。「Delta L」表示加熱絲相對於加熱螺旋線圈8.1的加熱絲的長度差，「電阻」表示單位為歐姆的電阻歐，「相對功率」表示每個加熱螺旋線圈的相對的熱功率，並且，「功率(%)」表示每個加熱螺旋線圈的相對的熱功率。
所有加熱螺旋線圈8.1至8.11在相同的弧線長度上延伸。但，徑向外側的加熱螺旋線圈8.3至8.11具有比徑向內側的加熱螺旋線圈8.1、8.2更大的熱功率。
所有加熱螺旋線圈8.1至8.11係由圖4所示的雙股加熱絲裝置所構成。
表格2示出區B的加熱螺旋線圈8.12至8.26的基本特性。除了由圖5所示的單股加熱絲構成的加熱螺旋線圈8.20、8.21之外，加熱螺旋線圈8.12至8.19和8.22至8.26係由圖4的雙股加熱絲裝置所構成。在該環形區域內，徑向內側的加熱螺旋線圈8.12至8.19具有最大的熱功率。位於中間的加熱螺旋線圈8.20、8.21相反地則具有最低的熱功率。徑向外側的加熱螺旋線圈8.22至8.26具有比徑向內側的加熱螺旋線圈8.12至8.19略微降低的熱功率。
表格3示出區C的加熱螺旋線圈8.27至8.31的基本特性。所有加熱螺旋線圈在此是圖4所示的雙股加熱絲裝置。在此，加熱螺旋線圈8.29具有最低的導熱性。
前述實施方式用於闡述本申請案中總體包含的新型創作，其至少通過以下特徵組合對現有技術進行相應獨立的改進，即：一種設備，其加熱螺旋線圈8.1至8.11、8.12至8.26、8.27至8.31中的至少兩個加熱螺旋線圈具有彼此不同的電性質和/或幾何性質，使得，當在加熱螺旋線圈的端部施加相同電壓時，加熱螺旋線圈的熱功率是不同的。
一種設備，其特徵在於：加熱螺旋線圈8.1至8.11、8.12至8.26、8.27至8.31中的至少兩個加熱螺旋線圈具有不同數量的在兩個接觸件11、12之間並排延伸的加熱絲17、18。
一種設備，其特徵在於：加熱螺旋線圈8.1至8.11、8.12至8.26、8.27至8.31中的至少一個加熱螺旋線圈具有單股加熱絲17。
一種設備，其特徵在於：加熱螺旋線圈8.1至8.11、8.12至8.26、8.27至8.31中的至少一個加熱螺旋線圈具有多股、尤其是雙股加熱絲17、18。
一種設備，其特徵在於：加熱螺旋線圈8.1至8.11、 8.12至8.26、8.27至8.31中的一個加熱螺旋線圈的構成多股加熱絲的加熱絲17、18的長度是相同的或不同的。
一種設備，其特徵在於：加熱螺旋線圈8.1至8.11、8.12至8.26、8.27至8.31中的至少兩個加熱螺旋線圈具有不同的截面積。
一種設備，其特徵在於：加熱螺旋線圈8.1至8.11、8.12至8.26、8.27至8.31中的至少兩個加熱螺旋線圈具有具備不同長度的單股或多股加熱絲17、18。
一種設備，其特徵在於：所有的加熱螺旋線圈8.1至8.11、8.12至8.26、8.27至8.31具有相同的側向長度，且尤其是在相同的弧長上延伸。
一種設備，其特徵在於：兩個彼此不同的加熱螺旋線圈8.1至8.11、8.12至8.26、8.27至8.31螺旋線圈具有不同的間距a或螺旋線圈直徑D。
一種設備，其特徵在於：加熱螺旋線圈8.1至8.11、8.12至8.26、8.27至8.31基本上在共同的平面內在一條線、尤其是螺旋線上相繼地佈置。
一種設備，其特徵在於：加熱裝置7構成多區加熱器的一個區A、B、C。
一種設備，其特徵在於：單個加熱螺旋線圈8.1至8.11、8.12至8.26、8.27至8.31的熱功率與基座6的局部的導熱性和/或放熱性係相匹配，使得，加熱裝置7所加熱的基座6在其基座上側上具有均勻的側面溫度曲線。
一種設備，其特徵在於：具有一個或多個前述技術特 徵。
所有公開的特徵(本身及其相互組合)都有新型創作意義或新型創作價值。在本申請案的公開文件中，所屬/附屬的優先權文本(在先申請案文件)的公開內容也被完全包括在內，為此也將該優先權文本中的特徵納入本申請案的申請專利範圍中。附屬請求項的特徵都是對於現有技術有獨立新型創作意義或價值的改進設計，尤其可以這些附屬請求項為基礎提出分案申請。
8‧‧‧加熱螺旋線圈
17‧‧‧加熱絲；金屬絲
18‧‧‧加熱絲；金屬絲
a‧‧‧(螺旋線)間距；螺距
b‧‧‧(加熱絲截面)直徑
D‧‧‧(螺旋線圈)直徑

Claims (12)

  1. 一種用作為安置在CVD反應器(1)的基座(6)下方的加熱裝置(7)的設備，此設備用於將指向處理室(4)的、支承待覆層的基板(5)的基座上側加熱至1000℃以上，其中，該加熱裝置(7)具有多個加熱螺旋線圈(8.1至8.11；8.12至8.26；8.27至8.31)，這些加熱螺旋線圈的端部以加熱螺旋線圈(8.1至8.11；8.12至8.26；8.27至8.31)的電並聯的方式分別與接觸件(11、12)相連，其特徵在於：該加熱螺旋線圈(8.1至8.11；8.12至8.26；8.27至8.31)中的至少兩個加熱螺旋線圈具有彼此不同的電性質和/或幾何性質，使得，當在加熱螺旋線圈的端部施加相同電壓時，加熱螺旋線圈的熱功率是不同的。
  2. 如請求項1之設備，其中，該加熱螺旋線圈(8.1至8.11；8.12至8.26；8.27至8.31)中的至少兩個加熱螺旋線圈具有不同數量的在兩個接觸件(11、12)之間相鄰地延伸的加熱絲(17、18)。
  3. 如請求項2之設備，其中，該加熱螺旋線圈(8.1至8.11；8.12至8.26；8.27至8.31)中的至少一個加熱螺旋線圈具有單股加熱絲(17)。
  4. 如請求項1之設備，其中，該加熱螺旋線圈(8.1至8.11；8.12至8.26；8.27至8.31)中的至少一個加熱螺旋線圈具有多股、尤其是雙股加熱絲(17、18)。
  5. 如請求項4之設備，其中，該加熱螺旋線圈(8.1至8.11；8.12至8.26；8.27至8.31)中的一個加熱螺旋線圈的構成多股加熱絲的加熱絲(17、18)的長度是相同的或不同的。
  6. 如請求項1之設備，其中，該加熱螺旋線圈(8.1至8.11；8.12 至8.26；8.27至8.31)中的至少兩個加熱螺旋線圈具有不同的截面積。
  7. 如請求項1之設備，其中，該加熱螺旋線圈(8.1至8.11；8.12至8.26；8.27至8.31)中的至少兩個加熱螺旋線圈具有具備不同長度的單股或多股加熱絲(17、18)。
  8. 如請求項1之設備，其中，所有的加熱螺旋線圈(8.1至8.11；8.12至8.26；8.27至8.31)具有相同的側向長度，且尤其是在相同的弧長上延伸。
  9. 如請求項1之設備，其中，兩個彼此不同的加熱螺旋線圈(8.1至8.11；8.12至8.26；8.27至8.31)的螺旋線圈具有不同的間距(a)或螺旋線圈直徑(D)。
  10. 如請求項1之設備，其中，該加熱螺旋線圈(8.1至8.11；8.12至8.26；8.27至8.31)基本上在共同的平面內在一條線、尤其是螺旋線上相繼地佈置。
  11. 如請求項1至10中任一項之設備，其中，該加熱裝置(7)構成多區式加熱器的其中一個區(A、B、C)。
  12. 如請求項1至10中任一項之設備，其中，單個加熱螺旋線圈(8.1至8.11；8.12至8.26；8.27至8.31)的熱功率與該基座(6)的局部的導熱性和/或放熱性係相匹配，使得，該加熱裝置(7)所加熱的基座(6)在其基座上側上具有均勻的側面溫度曲線。
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