JP2014017439A - 半導体製造装置および半導体製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】チャネル内部において、基板が保持される中央部の均熱化を実現できる、半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】基板１を処理する半導体製造装置１００であって、誘導加熱用コイル３と、誘導加熱用コイル３により加熱される発熱体６と、発熱体６に沿って形成されたチャネル２とを備え、発熱体６は、電気抵抗率の異なる複数の部分を含む。これにより、チャネル２内部に保持された基板１表面の温度分布の均一性を高めることができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体製造装置および半導体製造方法に関する。

炭化珪素のような化合物半導体を基板上にエピタキシャル成長させる際には、高温下で処理用ガス（原料ガス等）を反応させてエピタキシャル成長を行う必要がある。

一般に、処理用ガスと基板とを反応させる装置の構成の１つとして、処理用ガスを流通させ、基板との反応を生じさせるチャネルは処理用ガスの流通方向に沿って延び、周囲に導電材料からなるサセプタが付設されるものがある。さらにサセプタには可変磁束を与える誘導加熱用コイルが処理用ガスの流通方向（チャネルの延びる方向）に並んで付設される。チャネルおよび当該チャネルの内部に配置された基板は、誘導加熱用コイルに流れる交流電流により誘導加熱されたサセプタによって間接的に加熱される。

このとき、チャネル内部には温度分布が生じる。具体的には、サセプタと誘導加熱用コイルとを処理用ガスの流通方向に沿って均一に配置すると、チャネル全体がほぼ均一に加熱される。そして、処理用ガスの流通方向（チャネルの延びる方向）におけるチャネルの中央部は、当該チャネルの上記流通方向における上流側端部や下流側端部に比べて放熱されにくいことから、当該中央部が最高温度となり、中央部から上記上流側端部や下流側端部に向かうにつれて温度が低下するような温度分布が生じる。

さらに、チャネルに処理用ガスを流通させることにより、チャネルでの温度分布が変化する。一般に、処理用ガスは、チャネル内に供給された時点ではチャネル内部の温度よりも低いため、チャネル内の処理用ガスの流通方向における上流側は温度が低下し、また、チャネル内の高温領域が下流側に移動する。

これに対して、処理対象の基板表面においては、形成されるエピタキシャル膜の膜質を向上させるために、基板表面の温度分布は極力均一とすることが望まれる。そのため、従来は、たとえば基板が搭載されるサセプタにおいて、基板が搭載される部分に熱伝導率の相対的に大きな材料からなる均熱部材を配置するといったように、サセプタの構造を工夫することにより当該基板表面の温度を均一化するといった方法が提案されている（たとえば、特開２０１１−１６３４号公報参照）。

特開２０１１−１６３４号公報

しかし、上記のようにサセプタ自体の構造を改善したとしても、チャネル内の温度分布の均一性が悪ければ当該基板表面の温度の均一化には限界があった。さらに、より高品質な処理を、より大口径の基板に対し行うためには、チャネル内において、特に基板が保持される中央部において、より高い均熱化が求められる。

本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものである。本発明の主たる目的は、チャネル内部において、基板が保持される中央部の均熱化を実現できる、半導体製造装置および半導体製造方法を提供することである。

本発明の半導体製造装置は、基板を処理する半導体製造装置であって、誘導加熱用コイルと、誘導加熱用コイルにより加熱される発熱体と、発熱体に沿って形成されたチャネルとを備え、発熱体は、電気抵抗率の異なる複数の部分を含む。

これにより、発熱体において電気抵抗率の異なる部分の配置などを適宜調整することにより、発熱体における電磁誘導に起因する発熱の分布を調整できる。そのため、たとえばチャネル中央部での発熱を抑制するように発熱体を構成する（電気抵抗率の異なる部分の配置を決定することにより、チャネルの延びる方向におけるチャネル内部の温度分布を低減し、チャネル内に保持された基板表面を均熱化することができる。

上記発熱体は炭素を含み、電気抵抗率の異なる複数の部分は、炭素の密度が異なってもよい。この場合、炭素の密度は発熱体の電気抵抗率に相関するため、チャネル内の温度分布に応じて発熱体における炭素の密度を制御することにより、チャネル内の温度分布を低減し、基板表面上を均熱化することができる。なお、ここで炭素の密度とは、当該発熱体の複数の部分を構成する炭素材料のバルク材として密度（見掛け上の密度）を意味し、当該炭素材料の形成方法などにより変更できる。

上記発熱体は、表面を薄膜で被覆された被覆部分を含み、電気抵抗率の異なる複数の部分のうちの１つは、当該被覆部分を含んでもよい。このように、任意の電気抵抗率を有する薄膜で発熱体の表面を局所的に被覆することにより、電気抵抗率の異なる複数の部分を形成することができる。よって、チャネル内の温度分布に応じて薄膜を被覆することにより、チャネル内の温度分布を低減し、基板表面を均熱化することができる。

上記電気抵抗率の異なる複数の部分のうち、相対的に電気抵抗率の高い部分は、表面を薄膜で被覆された上記被覆部分としてもよい。つまり、薄膜の材料として発熱体の表面を構成する材料より電気抵抗率の高い材料を用いてもよい。これにより、たとえば被覆部分をチャネルの中央部以外に対向する発熱体の領域に配置することで、チャネルの延びる方向におけるチャネルの中央部以外における発熱体の温度を上昇させて、チャネルの延びる方向における温度分布を低減することができる。この結果、該中央部に基板が保持される場合に、基板表面を均熱化することができる。

本発明の半導体製造方法は、誘導加熱用コイルと、誘導加熱用コイルにより加熱される発熱体と、発熱体に沿って形成されたチャネルとを備え、発熱体は、電気抵抗率の異なる複数の部分を含む、半導体製造装置を用いた半導体製造方法であって、基板を準備する工程と、基板をチャネル内に配置する工程と、発熱体を、誘導加熱用コイルにより加熱することによって、基板を加熱する工程とを備える。

これにより、電気抵抗率の異なる複数の部分の配置を調節することで、チャネルの延びる方向におけるチャネル内部の温度分布を低減し、チャネル内に保持された基板表面を均熱化することができる。この結果、基板表面における処理の均一性（たとえば基板表面に形成される膜の性質の均一性）を高めることができる。

上記半導体製造方法では、上記発熱体は炭素を含み、電気抵抗率の異なる複数の部分は、炭素の密度が互いに異なってもよい。チャネル内の温度分布に応じて発熱体を構成する複数の部分の炭素の密度を制御することにより、チャネル内の温度分布を低減し、基板表面上を均熱化することができる。

上記半導体製造方法では、上記発熱体は、表面を薄膜で被覆された部分（被覆部分）を含み、電気抵抗率の異なる複数の部分のうちの１つは、表面を薄膜で被覆された被覆部分からなってもよい。また、上記半導体製造方法では、発熱体は、表面を薄膜で被覆された被覆部分と、表面を薄膜で被覆されていない露出部分とを含んでいてもよく、電気抵抗率の異なる複数の部分は、被覆部分と露出部分とを含んでいてもよい。この場合、任意の電気抵抗率を有する薄膜を、チャネル内の温度分布に応じて発熱体の所定の部分の表面に形成することにより、チャネル内の温度分布を低減し、基板表面上を均熱化することができる。

上記半導体製造方法において、上記電気抵抗率の異なる複数の部分のうち、相対的に電気抵抗率の高い部分は、表面を薄膜で被覆された被膜部分としてもよい。これにより、たとえば被覆部分をチャネルの中央部以外に対向する発熱体の領域に配置することで、チャネルの延びる方向におけるチャネルの中央部以外における発熱体の温度を上昇させて、チャネルの延びる方向における温度分布を低減することができる。この結果、該中央部に基板が保持される場合に、基板表面を均熱化することができる。

本発明によれば、チャネル内部に保持された基板表面の温度分布の均一性を高めることができる。

本発明の実施の形態１に係る半導体製造装置の概略図である。 図１のＩＩ−ＩＩ線分の断面図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体製造装置のチャネルおよび発熱体の概略図である。 図３における線分ＩＶ−ＩＶでの断面図である。 本実施の形態に係る半導体製造方法のフローチャートである。 本発明の実施の形態２に係る半導体製造装置の部分断面図である。 図６に示した半導体製造装置の変形例を示す図である。 図６に示した半導体製造装置の他の変形例を示す図である。

以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。

（実施の形態１）
以下、図１〜図４を参照して、本実施の形態の半導体製造装置について説明する。本実施の形態に係る半導体製造装置１００は、基板１を処理する半導体製造装置１００である。

基板１は、チャネル２の内部に保持される。チャネル２は、内部に基板１を保持し、さらに、処理用ガスを、基板１の表面上を通って、一方向に流通可能とする任意の構造を有する。図２に示すように、チャネル２は、その周囲を誘導加熱用コイル３と、石英管４と、断熱材５と、発熱体６とによって囲まれていてもよい。このとき、チャネル２の上壁および下壁は発熱体６により形成され、側壁はチャネル２の横方向の端部を規定する側壁部材２ａ，２ｂにより形成されてもよい。チャネル２の側壁部材２ａ，２ｂの材料としては、誘導加熱されない任意の材料とすることができ、例えば、高抵抗の焼結体とすることができる。また、チャネル２は、延長部２ｅにより、処理用ガスの流通方向に延長されていてもよい。延長部２ｅが、処理用ガスの流通方向の上流側に設けられた場合には、処理用ガスが基板１に到達する距離を延ばすことができ、処理用ガスを整流して基板１表面上に供給することができる。延長部２ｅは任意の構造とすることができ、チャネル２の側壁部材２ａ，２ｂや発熱体６等と別体として設けてもよいし、一体として設けられてもよい。このとき、基板１を回転可能な構成となるように、チャネル２において基板１を保持する部分を構成してもよい。

発熱体６は、チャネル２を挟むように形成された任意の構造を有する。例えば、一部が反応室に近接して配置され、かつ、他の一部が誘導加熱用コイル３の内周形状に沿うように曲面状に形成され、これらの部分に囲まれた領域が中空である半円柱型の発熱体６を、チャネル２の上部と下部とを挟むように設けてもよい。発熱体６の材料としては、たとえば導電性の高純度カーボンを用いることができる。

断熱材５は、半導体製造装置１００の内部に位置するチャネル２と半導体製造装置１００の外部とを断熱するためのものであり、発熱体６の外周側を囲うように配置される。たとえば断熱材５は円筒状の形状を有する。断熱材５の材質としては、たとえば炭素繊維を用いることができる。石英管４は、断熱材５の外周側を囲うように配置される。石英管４の形状は、誘導加熱用コイル３の巻回を容易にするため、たとえば円筒状である。

誘導加熱用コイル３は、複数のコイル部材を含み、例えば、石英管４の外周側を巻回するように設けられた第１〜第３のコイル部材３ａ〜３ｃを含む。これらの複数のコイル部材はチャネル２の延びる方向に並んで配置された高周波コイルである。誘導加熱用コイル３を高周波コイルとしてこれに高周波電流を流すと、電磁誘導作用により、図１に示す誘導加熱用コイル３に囲まれた領域に存在する導電性物質は誘導加熱される。つまり発熱体６が加熱される。発熱体６が加熱されることによってチャネル２内に流通する処理用ガスおよび基板１を所定の温度に加熱することができる。

このとき、チャネル２の内部には、温度分布が生ずる。すなわち、誘導加熱用コイル３を構成する各コイル部材がチャネル２の延びる方向に均等の間隔で配置され、かつ、発熱体６がチャネル２の延びる方向に同じ材質で均等の熱容量となるように構成された場合には、チャネル２の延びる方向におけるチャネル２の中央部は、最も加熱され易く、また放熱されにくい。そのため、当該チャネル２の中央部は、チャネル２において最も高温となるため、チャネル２の内部では当該チャネル２の延びる方向に温度分布を生じる。さらに、このチャネル２の延びる方向での温度分布は、チャネル２内部に処理用ガスを流通させることによっても変化する。

本実施の形態１に係る半導体製造装置１００において、発熱体６は電気抵抗率の異なる複数の部分を含む。具体的には、図３および図４を参照して、発熱体６は、電気抵抗率の異なる複数の部分（相対的に電気抵抗率の低い低抵抗部分７と、低抵抗部分７よりも相対的に電気抵抗率の高い高抵抗部分８）を含む。

発熱体６における電気抵抗率の異なる複数の部分は、任意の手段により電気抵抗率が異なるよう設けられる。図３および図４の例では、発熱体６自体を電気抵抗率の異なる複数の部分により形成している。例えば、発熱体６は炭素を含み、上記複数の部分のそれぞれにおける炭素の密度や炭素の結合状態に差異を持たせることで、電気抵抗率の異なる部分を形成してもよい。

相対的に電気抵抗率の低い低抵抗部分７（以下、「低抵抗部分７」という。）は、相対的に電気抵抗率の高い高抵抗部分８（以下、「高抵抗部分８」という。）に比べて、所定の誘導電流により発生するジュール熱が低減するため、誘導加熱の効果は小さい。よって、低抵抗部分７がチャネル２に与える熱量も、高抵抗部分８に比べて小さくなる。その結果、低抵抗部分７の直下に位置するチャネル２の領域は、高抵抗部分８の直下に位置するチャネル２の領域と比較して、温度上昇が抑制される。つまり、チャネル２での上述した温度分布に応じて、発熱体６に電気抵抗率の異なる部分を形成することにより、チャネル２の内部における温度の均一性を高めることができ、チャネル２の中央部に配置された基板１の表面を均熱化することができる。

好ましくは、図３および図４を参照して、発熱体６の低抵抗部分７と高抵抗部分８とは、チャネル２が延びる方向に並んで形成される。より具体的には、チャネル２の延びる方向において、チャネル２の中央部に対応する位置に低抵抗部分７が配置され、当該低抵抗部分７をチャネル２の延びる方向において挟むように、２つの高抵抗部分８が配置されている。これにより、上述したように、チャネル２が延びる方向におけるチャネル２の中央部の温度を低下させることができる。そのため、チャネル２の該中央部が最高温度を示す温度分布が発生する場合には、当該温度分布における最高温度を低減し、結果的に当該温度分布を平準化することができる。

このとき、発熱体６に形成した低抵抗部分７と高抵抗部分８の大きさ、位置および個数は、上述したチャネル２内部の温度分布を減少可能な任意の構成とすればよい。例えば、図３および図４を参照して、チャネル２の上部および下部に位置する発熱体６のいずれにも低抵抗部分７と高抵抗部分８とを設けてもよい。

発熱体６は、上述のように、チャネル２に近接した（つまりチャネル２の壁を形成する平板状の）チャネル近接部６ａと、当該チャネル近接部６ａに接続されるとともに、誘導加熱用コイル３に近接した（誘導加熱用コイル３の内周に沿った曲面状の）コイル近接部６ｂとにより構成される。チャネル近接部６ａとコイル近接部６ｂとに囲まれた部分には中空部６ｃが形成される。

コイル近接部６ｂは、誘導加熱用コイル３の形状に沿って配置されるため、チャネル近接部６ａと比較して、貫通する磁束密度が大きく、大きな誘導電流を流すことができる。さらに、コイル近接部６ｂとチャネル近接部６ａとの間を中空部６ｃとすることによって、コイル近接部６ｂで生じた誘導電流はチャネル近接部６ａにも流れるため、チャネル近接部６ａにおいて生じるジュール熱を増大させることができる。このとき、発熱体６における低抵抗部分７と高抵抗部分８とは、それぞれチャネル近接部６ａとコイル近接部６ｂとを有するように構成されてもよい。また、少なくともコイル近接部６ｂに低抵抗部分７と高抵抗部分８とを設けてもよいし、あるいは少なくともチャネル近接部６ａに低抵抗部分７と高抵抗部分８とを設けてもよい。

そして、図３などに示すようにコイル近接部６ｂおよび／またはチャネル近接部６ａに低抵抗部分７と高抵抗部分８とが形成された場合には、チャネル２の延びる方向において発熱体６に均等に発生した誘導電流に対して、低抵抗部分７の発熱量は高抵抗部分８の発熱量より小さくなる。よって、チャネル２での上述した温度分布に応じて、発熱体６に低抵抗部分７と高抵抗部分８とを設けることにより、チャネル２の内部における温度の均一性を高めることができる。この結果、チャネル２の中央部に配置された基板１の表面を均熱化することができる。

以上のように、本実施の形態に係る半導体製造装置１００は、炭素を含む発熱体６に、炭素の密度の高低により低抵抗部分７と高抵抗部分８とを、チャネル２内の温度分布に応じて設けることによって、チャネル２内の温度分布を低減し、チャネル２内の基板１の表面を均熱化することができる。

次に、図１〜図５を参照して、本実施の形態の半導体製造方法について説明する。本実施の形態に係る半導体製造方法は、図１〜図４に示した本発明による半導体製造装置１００を用いた半導体製造方法であって、図５に示すように基板１を準備する工程（Ｓ０１）と、基板１をチャネル２内に配置する工程（Ｓ０２）と、発熱体６を誘導加熱用コイル３により加熱することによって、基板１を加熱する工程（Ｓ０３）とを備える。

基板１を準備する工程（Ｓ０１）では、任意の基板１を準備すればよい。例えば、炭化珪素（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）等からなる基板、あるいは表面にＳｉＣやＧａＮなどの化合物半導体層、あるいは他の材料層を形成するための基板を準備する。

次に、基板１をチャネル２内に配置する工程（Ｓ０２）では、基板１をチャネル２内部の基板保持部に配置する。配置する手段は基板１を搬送可能な任意の手段を用いることができる。

発熱体６を誘導加熱用コイル３により加熱することによって、基板１を加熱する工程（Ｓ０３）では、誘導加熱用コイル３に所定の交流電流を流すことにより誘導加熱された発熱体６がチャネル２を上下から加熱する。この結果、チャネル２内に保持された基板１が所定の温度に加熱される。このとき、上述した半導体製造装置１００を用いているため、チャネル２の延在方向における温度分布を小さくできるので、結果的にチャネル２の中央部に配置された基板１の表面上を均熱化することができる。

（実施の形態２）
次に、図６を参照して、本発明の実施の形態２について説明する。本実施の形態に係る半導体製造装置および半導体製造方法は、基本的には実施の形態１と同様の構成を備えるが、発熱体６の電気抵抗率の異なる複数の部分の構造が実施の形態１における半導体製造装置１００と異なっている。本実施の形態２においては、発熱体６の低抵抗部分７および高抵抗部分８を構成する発熱体の本体部分（コイル近接部６ｂを構成する壁部分）の材料は同一だが、高抵抗部分８では、その表面に、発熱体６よりも高抵抗の薄膜９が被覆されることにより、電気抵抗率を高めている。なお、図６は、発熱体６のコイル近接部６ｂにおける、チャネル２の延在方向の中央部近傍の断面模式図であり、図４における線分ＶＩで囲まれた領域に相当する。

薄膜９の材料としては、発熱体６よりも電気抵抗率の高い任意の材料を用いることができる。例えば、炭化珪素（ＳｉＣ）や炭素を薄膜９の材料としてもよい。このとき、薄膜９の厚みは、必要とされる所定の電気抵抗率と薄膜９の材料とによって任意に決めることができる。

このような薄膜９を、発熱体６のチャネル近接部６ａおよびコイル近接部６ｂの任意の位置に形成することで、発熱体６での発熱量を局所的に調整できる。例えば、図６に示すようにコイル近接部６ｂの外周側（断熱材５（図２参照）と対向する外周表面側）の任意の位置に薄膜９を形成してもよい。あるいは、チャネル近接部６ａおよびコイル近接部６ｂの中空部６ｃ側の任意の位置に、薄膜９を形成してもよい。この結果、発熱体６に含まれる炭素の密度を調整して低抵抗部分７と高抵抗部分８とを形成する場合と同様の効果を得ることができる。

好ましくは、低抵抗部分７と高抵抗部分８とは、チャネル２の延びる方向に並んで配置されるように、つまりチャネル２の延びる方向における発熱体６の両端部の表面に薄膜９が形成され、当該方向での発熱体６の中央部には薄膜９は形成されない。これにより、チャネル２が延びる方向におけるチャネル２の中央部以外の温度を上昇させることができる。そのため、薄膜９が形成されない構成ではチャネル２の該中央部が最高温度を示す温度分布が発生する場合には、当該温度分布におけるチャネル２の延びる方向での端部での温度が上昇し、結果的に当該温度分布を平準化することができる。

上述した構成では、高抵抗部分８の表面に、発熱体６と比べて高抵抗の薄膜９を形成することにより、発熱体６に電気抵抗率の異なる複数の部分（高抵抗部分８および低抵抗部分７）を形成した。一方、図７を参照して、低抵抗部分７となるべき部分（チャネル２の延びる方向での発熱体６の中央部に位置する領域）の表面に、発熱体６と比べて低抵抗の薄膜１０を形成することにより、発熱体６において電気抵抗率の異なる複数の部分を形成してもよい。薄膜１０の材料としては、発熱体６よりも電気抵抗率の低い任意の材料を用いることができる。このとき、薄膜１０の厚みは、必要とされる所定の電気抵抗率と薄膜１０の材料とによって任意に決めることができる。

さらに、図８を参照して、薄膜９と薄膜１０とにより、発熱体６に電気抵抗率の異なる複数の部分を形成してもよい。このとき、薄膜９と薄膜１０とは、相対的に電気抵抗率の異なる任意の材料を用いることができる。さらに、それぞれ任意の膜厚で構成してもよい。これにより、薄膜９および薄膜１０の構成によって
低抵抗部分７と高抵抗部分８のそれぞれの電気抵抗率を設定できる自由度を、図６や図７に示した構成における当該自由度より大きくできるその結果、チャネル２内のより複雑な温度分布にも対応できる。

図８の例では、薄膜９と薄膜１０とをそれぞれ単層として発熱体６の表面に形成し、高抵抗部分８と低抵抗部分７を構成している。この場合、発熱体６に電気抵抗率の異なる複数の部分を形成するには、一方の薄膜を発熱体６の表面に被覆させた後、他方の薄膜を形成する部分について上記一方の薄膜をエッチングなどにより除去してから、他方の薄膜を部分的に形成する必要がある。図８の変形例として、例えば、低抵抗部分７において、薄膜１０の上に薄膜９が積層していてもよい。この場合には、薄膜１０を発熱体６の表面に部分的に形成した後、薄膜９を発熱体６の表面全体に亘って形成することができる。そのため、発熱体６に電気抵抗率の異なる複数の部分を容易に形成することができる。また、先に薄膜９を所定の平面形状に形成した後、発熱体６の全体を覆うように薄膜１０を形成してもよい。

なお、電気抵抗率の異なるさらに複数の薄膜を発熱体６の表面に形成することにより、電気抵抗率の異なる複数の部分を形成してもよい。これにより、チャネル２内のより複雑な温度分布にも対応できる。

図６〜図８に示したいずれの場合にも、チャネル２の延びる方向において、たとえばチャネル２の中央部が最高温となる温度分布がある場合に、チャネル２内の温度分布を抑制し、基板表面上を均熱化することができる。また、その他の温度分布に対しても、高抵抗部分８と低抵抗部分７との配置や形状、サイズを調整することで、基板１表面を均熱化することができる。

なお、チャネルの延びる方向に対して交差する方向である横方向においても、発熱体６の電気抵抗率の異なる複数の部分を並べてもよい。これにより、チャネル２における横方向の温度分布に対しても、温度分布を低減することができる。

また、図６〜図８に示した例では、発熱体６のコイル近接部６ｂに薄膜９や薄膜１０を形成したが、チャネル近接部６ａにおいて同様に薄膜９や薄膜１０を形成し、あるいはそれぞれの膜厚を変更してもよい。また、コイル近接部６ｂの内周側（チャネル近接部６ａに対向する内周側）に薄膜９や薄膜１０を形成してもよい。

また、図６〜図８で説明した半導体製造装置を用いた半導体製造方法は、基本的には図７に示した半導体製造方法と同様であり、図５で説明した半導体製造方法と同様の効果を得ることができる。

以上のように本発明の実施の形態について説明を行なったが、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

１ 基板、２ チャネル、２ａ，２ｂ 側壁部材、２ｅ 延長部、３ 誘導加熱用コイル、３ａ〜３ｃ 第１〜第３のコイル部材、４ 石英管、５ 断熱材、６ 発熱体、６ａ チャネル近接部、６ｂ コイル近接部、６ｃ 中空部、７ 低抵抗部分、８ 高抵抗部分、９，１０ 薄膜、１００ 半導体製造装置。

Claims (8)

1. 基板を処理する半導体製造装置であって、
   誘導加熱用コイルと、
   前記誘導加熱用コイルにより加熱される発熱体と、
   前記発熱体に沿って形成されたチャネルとを備え、
   前記発熱体は、電気抵抗率の異なる複数の部分を含む、半導体製造装置。
2. 前記発熱体は炭素を含み、
   前記電気抵抗率の異なる複数の部分は、前記炭素の密度が互いに異なる、請求項１に記載の半導体製造装置。
3. 前記発熱体は、表面を薄膜で被覆された被覆部分を含み、
   前記電気抵抗率の異なる複数の部分のうちの１つは、前記被覆部分を含む、請求項１または請求項２に記載の半導体製造装置。
4. 前記電気抵抗率の異なる複数の部分のうち、相対的に電気抵抗率の高い部分は、前記被覆部分である、請求項３に記載の半導体製造装置。
5. 誘導加熱用コイルと、前記誘導加熱用コイルにより加熱される発熱体と、前記発熱体に沿って形成されたチャネルとを備え、前記発熱体は、電気抵抗率の異なる複数の部分を含む、半導体製造装置を用いた半導体製造方法であって、
   基板を準備する工程と、
   前記基板を前記チャネル内に配置する工程と、
   前記発熱体を、前記誘導加熱用コイルにより加熱することで、前記チャネル内の前記基板を加熱する工程とを備える、半導体製造方法。
6. 前記発熱体は炭素を含み、
   前記電気抵抗率の異なる複数の部分は、前記炭素の密度が互いに異なる、請求項５に記載の半導体製造方法。
7. 前記発熱体は、表面を薄膜で被覆された被覆部分と、表面を薄膜で被覆されていない露出部分とを含み、
   前記電気抵抗率の異なる複数の部分は、前記被覆部分と前記露出部分とを含む、請求項５または請求項６に記載の半導体製造方法。
8. 前記電気抵抗率の異なる複数の部分のうち、相対的に電気抵抗率の高い部分は、前記被覆部分である、請求項７に記載の半導体製造方法。

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