TWM468763U - 單層式陶瓷電容器及其介質基材結構 - Google Patents
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Description
本創作係有關一種電容器結構，特別是一種單層式陶瓷電容器及其介質基材結構。
電容器是一種常用的被動元件，舉凡電視、手機、電腦、等各種電機、電子設備，均可發現電容器的蹤跡。其基本結構乃是藉由兩個互相靠近的金屬電極，並在其中間隔一絕緣體(介質)，然後在兩金屬電極上分別通以電流以儲存電能。近年來，隨著積體電路高性能化和高密度化的發展趨勢，再加上高速組裝功能之表面黏著技術(Surface Mount Technology，SMT)開發，促使許多電子設備逐漸改以晶片型表面黏著(SMT)取代傳統插件型(Through Hole)的焊接方式，因此，晶片化的被動元件需求亦快速提升，使其要求尺寸也愈來愈小。故如何在有限的結構大小中製造高品質、高可靠度之產品為業界所努力的方向。
為了解決上述問題，本創作目的之一係提出一種單層式陶瓷
電容器及其介質基材結構，藉由改變介質基板結構以符合電子裝置高可靠度之需求。
為了達到上述目的，本創作一實施例之單層式陶瓷電容器之介質基材結構包括：一基材主體，其具有一上表面、相對於上表面之一下表面及連接上表面以及下表面之一側表面，其中基材主體具有一長軸與一短軸，且長軸與短軸之比值大於1；一第一凹槽形成於上表面上；以及一第二凹槽形成於下表面上。
本創作一實施例之一種單層式陶瓷電容器包括：一介質基材結構，其包括一基材主體，其具有一上表面、相對於上表面之一下表面及連接上表面以及下表面之一側表面，其中基材主體具有一長軸與一短軸，且長軸與短軸之比值大於1；一第一凹槽形成於上表面上；一第二凹槽形成於下表面上；以及側表面包括位於短軸方向的且相對設置的一第一短側表面與一第二短側表面。一第一電極層設置於上表面以及與上表面連接的第二短側表面上。一第二電極層設置於下表面及與下表面連接的第一短側表面上。兩端子分別設置於第一短側表面與第二短側表面，並分別與第一電極層、第二電極層電性連接。以及，一封膠體包封介質基材結構、第一電極層與第二電極層，並使兩端子暴露於封膠體外。
1‧‧‧介質基材結構
10‧‧‧基材主體
101‧‧‧上表面
1011、1012‧‧‧次上表面
102‧‧‧下表面
1021,1022‧‧‧次下表面
103‧‧‧側表面
1031‧‧‧第一短側表面
1032‧‧‧第二短側表面
11‧‧‧第一凹槽
111‧‧‧第一開槽
12‧‧‧第二凹槽
121‧‧‧第二開槽
13‧‧‧第一電極層
14‧‧‧第二電極層
15,16‧‧‧端子
17‧‧‧封膠體
2‧‧‧模具
X1
‧‧‧長軸
X2
‧‧‧短軸
S1
,S2
‧‧‧段差
圖1A、圖1B所示為本創作一實施例單層式陶瓷電容器介質基材結構之立體結構示意圖及其剖視圖。
圖2A、圖2B所示為本創作又一實施例單層式陶瓷電容器介質基材結構之立體結構示意圖及其剖視圖。
圖3A、圖3B所示為本創作又一實施例單層式陶瓷電容器介質基材結構之結構剖視圖。
圖4A、圖4B、圖4C、圖4D所示為本創作一實施例單層式陶瓷電容器之製作流程的結構示意圖。
圖5A、圖5B及圖5C為本創作又一實施例之封膠體包封介質基材結構之示意圖。
其詳細說如下，所述較佳實施例僅作一說明非用以限定本創作。
根據一態樣，一種單層式陶瓷電容器之介質基材結構包括：一基材主體，其具有一上表面、相對於上表面之一下表面及連接上表面以及下表面之一側表面，其中基材主體具有一長軸與一短軸，且長軸與短軸之比值大於1；一第一凹槽形成於上表面上；以及一第二凹槽形成於下表面上。
承上，上述側表面包括位於短軸方向且相對設置的一第一短側表面與一第二短側表面，且第一凹槽係沿著短軸方向延伸，並將上表面區隔為分離的兩個次上表面。而第二凹槽係沿著短軸方向延伸，並將下表面區隔為分離的兩個次下表面。此外，介質基材結構更包括一第一電極層設置於部分上表面與部分側表面上；以及一第二電極層係設置於部分下表
面與部分側表面上。
首先，請參考圖1A及圖1B，圖1A、圖1B所示為本創作一實施例單層式陶瓷電容器介質基材結構之立體結構示意圖及其剖視圖。如圖所示，此為一單層式的陶瓷電容器的介質基材結構，此實施例之介質基材結構1包括一基材主體10，此基材主體10具有一上表面101、一下表面102及連接上表面101以及下表面102之一側表面103，且上表面101與下表面102係近似平行相對設置。如圖1A所示，基材主體10具有一長軸X1
與一短軸X2
，且長軸X1
與短軸X2
之比值大於1，使基材主體10之外型約略呈現長條型片狀結構，於此實施例之中，側表面103包括一第一短側表面1031(如圖1B所示)與一第二短側表面1032(如圖1B所示)，且第一短側表面1031與第二短側表面1032皆位於基材主體10的短軸X2
方向且相對設置。此外，一第一凹槽11以及一第二凹槽12分別形成於基材主體10的上表面101上與下表面102上。於此實施例中，如圖1A與圖1B所示，第一凹槽11沿著短軸X2方向延伸，並將上表面101區隔為分離的兩個次上表面1011、1012。而第二凹槽12亦沿著短軸X2方向延伸，並將下表面102區隔為分離的兩個次下表面1021、1022。再者，如圖1B所示，介質基材結構1更包含一第一電極層13以及一第二電極層14，其中第一電極層13是設置於次上表面1011與側表面1032上以形成一第一電極部；而第二電極層14是設置於次下表面1021與側表面1031上以形成一第二電極部，也就是說，第一電極層13與第二電極層14分別形成於基材主體10的上表面11與下表面12以形成單獨且電性分離的兩電極部。於此實施例中，凹槽設計的用意在於增加第一電極層與第二電極層的安全
距離以形成類似如防火牆般的障壁避免發生跳火問題發生，故可以理解的是，只要凹槽結構可提供如上述功能，則凹槽的大小、形狀與位置可不以圖1A、圖1B所繪示的為限。
依據又一態樣，上述第一凹槽之開口可延伸至第一短側表面以形成一第一開槽，且第一開槽的底部與上表面形成段差；以及上述第二凹槽之開口亦延伸至第二短側表面以形成一第二開槽，且第二開槽的底部與下表面形成段差。
如圖2A、圖2B所示，圖2A、圖2B所示為本創作又一實施例單層式陶瓷電容器介質基材結構之立體結構示意圖及其剖視圖。於此實施例中，基材主體10的凹槽設計略與第一實施例不同，如圖所示，第一凹槽11(如圖1A)之開口可擴大延伸至第一短側表面1031，以形成一第一開槽111，且第一開槽111的底部與基材主體10的上表面101形成階梯狀段差S1
。同樣地，第二凹槽12之開口亦可延伸擴大至第二短側表面1032，以形成一第二開槽121，且第二開槽121的底部與基材主體10下表面102形成另一階梯狀段差S2
。則上述第一電極層13(如圖2B所示)係設置於上表面101與第二短側表面1032上；而上述第二電極層14則設置於下表面102與第一短側表面1031上以分別形成電性區隔的兩個電極部。
依據又一態樣，當上述第一凹槽係沿著短軸方向延伸，並將上表面區隔為分離的兩個次上表面時，上述第二凹槽亦可沿著短軸方向延伸，且第二凹槽之開口係延伸至第二短側表面以形成一第二開槽，且第二開槽的底部與下表面形成段差，反之亦然。故可以理解的是，凹槽結構亦可與開槽結構搭配使用，如圖3A與圖3B所示，其結構描述大致如前，
此即不再贅述。
依據又一態樣，本創作一實施例之一種單層式陶瓷電容器包括：一介質基材結構，其包括一基材主體，其具有一上表面、相對於上表面之一下表面及連接上表面以及下表面之一側表面，其中基材主體具有一長軸與一短軸，且長軸與短軸之比值大於1；一第一凹槽形成於上表面上；一第二凹槽形成於下表面上；以及側表面包括位於短軸方向的且相對設置的一第一短側表面與一第二短側表面。一第一電極層設置於上表面以及與上表面連接的第二短側表面上。一第二電極層設置於下表面及與下表面連接的第一短側表面上。兩端子分別設置於第一短側表面與第二短側表面，並分別與第一電極層、第二電極層電性連接。以及，一封膠體包封介質基材結構、第一電極層與第二電極層，並使兩端子暴露於封膠體外。
承上，上述第一電極層之材質為一銀膠、一銅漿或以上之組合。而上述第二電極層之材質為一銀膠、一銅漿或以上之組合。
承上，介質基材結構之態樣可為，態樣一：上述第一凹槽與上述第二凹槽皆沿著短軸方向延伸，並分別將上表面區隔為分離的兩個次上表面，與將下表面區隔為分離的兩個次下表面。其次，態樣二可為：上述第一凹槽之開口延伸至第一短側表面以形成一第一開槽，且第一開槽的底部與上表面形成段差；以及上述第二凹槽之開口係延伸至第二短側表面以形成一第二開槽，且第二開槽的底部與下表面形成段差。再者，態樣三可為：凹槽與開槽合併使用，即第一凹槽及第二凹槽的其中之一係沿著短軸方向延伸，並將上表面或下表面區隔為分離的兩個次表面；而第一凹槽及第二凹槽的其中之另一係沿著短軸方向延伸，且第一凹槽或第二凹槽之
開口係延伸至第一短側表面或第二短側表面以形成一第一開槽或一第二開槽，且第一開槽的底部與上表面形成段差或者第二開槽的底部與下表面形成段差。
請參考圖4A、圖4B、圖4C及圖4D，圖4A、圖4B、圖4C及圖4D所示為本創作一實施例單層式陶瓷電容器之製作流程的結構示意圖。首先請參考圖4A，如圖所示，介質基材結構1的基材主體10具有第一凹槽11、第二凹槽12，其並以適當方式分別形成於基材主體10的上表面101與下表面102。而第一電極層13形成於部分上表面101與第二短側表面1032；而第二電極層14則形成於部分下表面102與第一短側表面1031，以分別形成電性獨立的兩電極部。而兩端子15、16則分別以適當方式設置於第一短側表面1031與第二短側表面1032上，用以分別與第二電極層14、第一電極層13電性連接，如圖4B所示。接著，如圖4C所示，圖4C為俯視示意圖，提供一模具2，用以容置已設置端子15、16的上述介質基材結構1，並以適當方式形成一封膠體17包封介質基材結構1、第一電極層13與第二電極層14，並使端子15、16暴露於封膠體17外，以供對外電性連接使用。包封完成後的結構如圖4D所示。而依據不同實施例之介質基材結構1，其利用封膠體17包封時的示意圖分別如圖5A、圖5B及圖5C所示，其中介質基材結構1之結構特徵如同上述實施例所述，於此即不再多作說明。而基材主體10上之凹槽或開槽設計不僅可增加上下電極層的安全距離，亦可使填充封膠體時增加封膠體與基材主體的接觸面積，以有效提高產品可靠度。
依據上述，本創作目的之一係提出一種單層式陶瓷電容器及
其介質基材結構，藉由改變介質基板結構以符合電子裝置高可靠度之需求。
以上所述之實施例僅係為說明本創作之技術思想及特點，其目的在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本創作之內容並據以實施，當不能以之限定本創作之專利範圍，即大凡依本創作所揭示之精神所作之均等變化或修飾，仍應涵蓋在本創作之專利範圍內。
1‧‧‧介質基材結構
10‧‧‧基材主體
101‧‧‧上表面
1011、1012‧‧‧次上表面
102‧‧‧下表面
103‧‧‧側表面
11‧‧‧第一凹槽
12‧‧‧第二凹槽
X1
‧‧‧長軸
X2
‧‧‧短軸
Claims (12)
- 一種單層式陶瓷電容器之介質基材結構，包含：一基材主體，其具有一上表面、相對於該上表面之一下表面及連接該上表面以及該下表面之一側表面，其中該基材主體具有一長軸與一短軸，且該長軸與該短軸之比值大於1；一第一凹槽，其形成於該上表面上；以及一第二凹槽，其形成於該下表面上。
- 如請求項1所述之單層式陶瓷電容器之介質基材結構，其中該側表面包含位於該短軸方向且相對設置的一第一短側表面與一第二短側表面，且該第一凹槽係沿著該短軸方向延伸，並將該上表面區隔為分離的兩個次上表面。
- 如請求項2所述之單層式陶瓷電容器之介質基材結構，其中該第二凹槽係沿著該短軸方向延伸，並將該下表面區隔為分離的兩個次下表面。
- 如請求項2所述之單層式陶瓷電容器之介質基材結構，其中該第二凹槽係沿著該短軸方向延伸，且該第二凹槽之開口係延伸至該第二短側表面以形成一第二開槽，且該第二開槽的底部與該下表面形成段差。
- 如請求項1所述之單層式陶瓷電容器之介質基材結構，其中該側表面包含位於該短軸方向且相對設置的一第一短側表面與一第二短側表面，且該第一凹槽之開口延伸至該第一短 側表面以形成一第一開槽，且該第一開槽的底部與該上表面形成段差。
- 如請求項5所述之單層式陶瓷電容器之介質基材結構，其中該第二凹槽之開口係延伸至該第二短側表面以形成一第二開槽，且該第二開槽的底部與該下表面形成段差。
- 如請求項1所述之單層式陶瓷電容器之介質基材結構，更包含一第一電極層設置於部分該上表面與部分該側表面上；以及一第二電極層係設置於部分該下表面與部分該側表面上。
- 一種單層式陶瓷電容器，包含：一介質基材結構，其包含一基材主體，其具有一上表面、相對於該上表面之一下表面及連接該上表面以及該下表面之一側表面，其中該基材主體具有一長軸與一短軸，且該長軸與該短軸之比值大於1；一第一凹槽，其係形成於該上表面上；一第二凹槽，其係形成於該下表面上；以及該側表面包含位於該短軸方向且相對設置的一第一短側表面與一第二短側表面；一第一電極層，設置於該上表面以及與該上表面連接的該第二短側表面上；一第二電極層，係設置於該下表面及與該下表面連接 的該第一短側表面上；兩端子，係分別設置於該第一短側表面與該第二短側表面，並分別與該第一電極層、該第二電極層電性連接；及一封膠體，包封該介質基材結構、該第一電極層與該第二電極層，並使該兩端子暴露於該封膠體外。
- 如請求項8所述之單層式陶瓷電容器，其中該第一凹槽係沿著該短軸方向延伸，並將該上表面區隔為分離的兩個次上表面；及該第二凹槽係沿著該短軸方向延伸，並將該下表面區隔為分離的兩個次下表面。
- 如請求項8所述之單層式陶瓷電容器，其中該第一凹槽之開口延伸至該第一短側表面以形成一第一開槽，且該第一開槽的底部與該上表面形成段差；以及該第二凹槽之開口係延伸至該第二短側表面以形成一第二開槽，且該第二開槽的底部與該下表面形成段差。
- 如請求項8所述之單層式陶瓷電容器，其中該第一凹槽及該第二凹槽的其中之一係沿著該短軸方向延伸，並將該上表面或該下表面區隔為分離的兩個次表面；以及該第一凹槽及該第二凹槽的其中之另一係沿著該短軸方向延伸，且該第一凹槽或該第二凹槽之開口係延伸至該第一短側表面或該第二短側表面以形成一第一開槽或一第二開槽，且該第一開槽的底部與該上表面形成段差或者該第二開槽的底部與該下表面形成段差。
- 如請求項第8項所述之單層式陶瓷電容器，其中該第一電極層之材質為一銀膠、一銅漿或以上之組合；及該第二電極層之材質為一銀膠、一銅漿或以上之組合。
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