TWI474354B - 固態電解電容器封裝結構及其製作方法、及導電單元 - Google Patents
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本發明係有關於一種固態電解電容器封裝結構及其製作方法、及導電單元，尤指一種用於提升導電端子與封裝體兩者接觸面之間的密封性的固態電解電容器封裝結構及其製作方法、及導電單元。
電容器已廣泛地被使用於消費性家電用品、電腦主機板及其周邊、電源供應器、通訊產品、及汽車等的基本元件，其主要的作用包括：濾波、旁路、整流、耦合、去耦、轉相等。是電子產品中不可缺少的元件之一。電容器依照不同的材質及用途，有不同的型態。包括鋁質電解電容、鉭質電解電容、積層陶瓷電容、薄膜電容等。先行技術中，固態電解電容器具有小尺寸、大電容量、頻率特性優越等優點，而可使用於中央處理器的電源電路的解耦合作用上。一般而言，可利用多個電容單元的堆疊，而形成高電容量的固態電解電容器，習知堆疊式固態電解電容器包括多個電容單元與導線架，其中每一電容單元包括陽極部、陰極部與絕緣部，此絕緣部使陽極部與陰極部彼此電性絕緣。特別是，電容單元的陰極部彼此堆疊，且藉由在相鄰的電容單元之間設置導電體層，以使多個電容單元之間彼此電性連接。然而，習知的固態電解電容器的導電端子與封裝體兩者的接觸面之間的密封性不
佳。故，如何藉由結構設計的改良，來提升導電端子與封裝體兩者的接觸面之間的密封性，已成為該項事業所欲解決的重要課題之一。
本發明實施例在於提供一種固態電解電容器封裝結構及其製作方法、及導電單元，其可有效解決“習知的固態電解電容器的導電端子與封裝體兩者的接觸面之間的密封性不佳”的問題。
本發明其中一實施例所提供的一種固態電解電容器封裝結構，其包括：一電容單元、一封裝單元及一導電單元。所述電容單元包括多個依序堆疊在一起且彼此電性連接的第一堆疊型電容器，其中每一個所述第一堆疊型電容器具有一第一正極部及一第一負極部。所述封裝單元包括一用於完全包覆所述電容單元的封裝體。導電單元包括至少一第一導電端子及至少一與至少一所述第一導電端子彼此分離一預定距離的第二導電端子，其中多個所述第一堆疊型電容器設置在至少一所述第一導電端子的頂端上及至少一所述第二導電端子的頂端上，至少一所述第一導電端子具有一電性連接於所述第一堆疊型電容器的所述第一正極部且被包覆在所述封裝體內的第一內埋部及一連接於所述第一內埋部且裸露在所述封裝體外的第一裸露部，且至少一所述第二導電端子具有一電性連接於所述第一堆疊型電容器的所述第一負極部且被包覆在所述封裝體內的第二內埋部及一連接於所述第二內埋部且裸露在所述封裝體外的第二裸露部。其中，至少一所述第一導電端子包括一第一核心層及一包覆所述第一核心層的第一包覆層，所述第一核心層具有一從所述第一包覆層裸露而出的第一外露上表面及一從所述第一包覆層裸露而出的第一外露下表面，所述第一外露上表面具有一被所述封裝體所覆蓋的第一上覆蓋區域及一連接於所述第一上覆蓋區域且裸露在所述封裝體外的第一上裸露區域，且所述第一外露下表面具有一被所述封裝體所覆蓋的第一下
覆蓋區域及一連接於所述第一下覆蓋區域且裸露在所述封裝體外的第一下裸露區域。其中，至少一所述第二導電端子包括一第二核心層及一包覆所述第二核心層的第二包覆層，所述第二核心層具有一從所述第二包覆層裸露而出的第二外露上表面及一從所述第二包覆層裸露而出的第二外露下表面，所述第二外露上表面具有一被所述封裝體所覆蓋的第二上覆蓋區域及一連接於所述第二上覆蓋區域且裸露在所述封裝體外的第二上裸露區域，且所述第二外露下表面具有一被所述封裝體所覆蓋的第二下覆蓋區域及一連接於所述第二下覆蓋區域且裸露在所述封裝體外的第二下裸露區域。
本發明另外一實施例所提供的一種導電單元，其包括：至少一第一導電端子及至少一與至少一所述第一導電端子彼此分離一預定距離的第二導電端子，其中至少一所述第一導電端子及至少一所述第二導電端子皆連接至一封裝體。其中，至少一所述第一導電端子具有一被包覆在所述封裝體內的第一內埋部及一連接於所述第一內埋部且裸露在所述封裝體外的第一裸露部，且至少一所述第二導電端子具有一被包覆在所述封裝體內的第二內埋部及一連接於所述第二內埋部且裸露在所述封裝體外的第二裸露部。其中，至少一所述第一導電端子包括一第一核心層及一包覆所述第一核心層的第一包覆層，所述第一核心層具有一從所述第一包覆層裸露而出的第一外露上表面及一從所述第一包覆層裸露而出的第一外露下表面，所述第一外露上表面具有一被所述封裝體所覆蓋的第一上覆蓋區域，且所述第一外露下表面具有一被所述封裝體所覆蓋的第一下覆蓋區域。其中，至少一所述第二導電端子包括一第二核心層及一包覆所述第二核心層的第二包覆層，所述第二核心層具有一從所述第二包覆層裸露而出的第二外露上表面及一從所述第二包覆層裸露而出的第二外露下表面，所述第二外露上表面具有一被所述封裝體所覆蓋的第二上覆蓋區域，且所述
第二外露下表面具有一被所述封裝體所覆蓋的第二下覆蓋區域。
本發明另外再一實施例所提供的一種固態電解電容器封裝結構的製作方法，其包括下列步驟：提供至少一第一導電端子及至少一第二導電端子；將多個第一堆疊型電容器依序堆疊在一起且電性連接於至少一所述第一導電端子及至少一所述第二導電端子之間，其中多個所述第一堆疊型電容器設置在至少一所述第一導電端子的頂端上及至少一所述第二導電端子的頂端上，且每一個所述第一堆疊型電容器具有一第一正極部及一第一負極部；形成一封裝體以完全包覆所述電容單元，其中至少一所述第一導電端子具有一電性連接於所述第一堆疊型電容器的所述第一正極部且被包覆在所述封裝體內的第一內埋部及一連接於所述第一內埋部且裸露在所述封裝體外的第一裸露部，且至少一所述第二導電端子具有一電性連接於所述第一堆疊型電容器的所述第一負極部且被包覆在所述封裝體內的第二內埋部及一連接於所述第二內埋部且裸露在所述封裝體外的第二裸露部；以及，彎折所述第一裸露部與所述第二裸露部，以使得所述第一裸露部與所述第二裸露部皆沿著所述封裝體的外表面延伸。其中，至少一所述第一導電端子包括一第一核心層及一包覆所述第一核心層的第一包覆層，所述第一核心層具有一從所述第一包覆層裸露而出的第一外露上表面及一從所述第一包覆層裸露而出的第一外露下表面，所述第一外露上表面具有一被所述封裝體所覆蓋的第一上覆蓋區域及一連接於所述第一上覆蓋區域且裸露在所述封裝體外的第一上裸露區域，且所述第一外露下表面具有一被所述封裝體所覆蓋的第一下覆蓋區域及一連接於所述第一下覆蓋區域且裸露在所述封裝體外的第一下裸露區域。其中，至少一所述第二導電端子包括一第二核心層及一包覆所述第二核心層的第二包覆層，所述第二核心層具有一從所述第二包覆層裸露而出的第二外露上表面及一從所述第二包覆層裸露而出的第二外露下表面，所述第二外露上表面具
有一被所述封裝體所覆蓋的第二上覆蓋區域及一連接於所述第二上覆蓋區域且裸露在所述封裝體外的第二上裸露區域，且所述第二外露下表面具有一被所述封裝體所覆蓋的第二下覆蓋區域及一連接於所述第二下覆蓋區域且裸露在所述封裝體外的第二下裸露區域。
本發明的有益效果可以在於，本發明實施例可透過“所述第一核心層具有一從所述第一包覆層裸露而出的第一外露上表面及一從所述第一包覆層裸露而出的第一外露下表面”及“所述第二核心層具有一從所述第二包覆層裸露而出的第二外露上表面及一從所述第二包覆層裸露而出的第二外露下表面”的設計，以提升“至少一所述第一導電端子與所述封裝體兩者的接觸面之間”及“至少一所述第二導電端子與所述封裝體兩者的接觸面之間”的密封性。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而所附圖式僅提供參考與說明用，並非用來對本發明加以限制者。
Z‧‧‧電容器封裝結構
1‧‧‧電容單元
10‧‧‧第一堆疊型電容器
P‧‧‧第一正極部
N‧‧‧第一負極部
100‧‧‧閥金屬箔片
101‧‧‧氧化層
102‧‧‧導電高分子層
1020‧‧‧末端
103‧‧‧碳膠層
1030‧‧‧末端
104‧‧‧銀膠層
1040‧‧‧末端
105‧‧‧圍繞狀絕緣層
10’‧‧‧第二堆疊型電容器
P’‧‧‧第二正極部
N’‧‧‧第二負極部
2‧‧‧封裝單元
20‧‧‧封裝體
201‧‧‧第一側表面
202‧‧‧第二側表面
203‧‧‧底表面
3‧‧‧導電單元
31‧‧‧第一導電端子
310‧‧‧第一內埋部
311‧‧‧第一裸露部
31A‧‧‧第一核心層
311A‧‧‧第一外露上表面
3111‧‧‧第一上覆蓋區域
3112‧‧‧第一上裸露區域
312A‧‧‧第一外露下表面
3121‧‧‧第一下覆蓋區域
3122‧‧‧第一下裸露區域
313A‧‧‧第一貫穿孔
3131‧‧‧第一填充部
3132‧‧‧第一鏤空部
31B‧‧‧第一包覆層
311B‧‧‧第一連接層
312B‧‧‧第一焊接層
32‧‧‧第二導電端子
320‧‧‧第二內埋部
321‧‧‧第二裸露部
32A‧‧‧第二核心層
321A‧‧‧第二外露上表面
3211‧‧‧第二上覆蓋區域
3212‧‧‧第二上裸露區域
322A‧‧‧第二外露下表面
3221‧‧‧第二下覆蓋區域
3222‧‧‧第二下裸露區域
323A‧‧‧第二貫穿孔
3231‧‧‧第二填充部
3232‧‧‧第二鏤空部
32B‧‧‧第二包覆層
321B‧‧‧第二連接層
322B‧‧‧第二焊接層
圖1為本發明第一實施例及第二實施例的電容單元的側視剖面示意圖。
圖2為本發明第一實施例的導電單元的上視示意圖。
圖3為本發明第一實施例的電容單元設置在導電單元上的上視示意圖。
圖4為本發明第一實施例的固態電解電容器封裝結構的側視示意圖。
圖5為圖4中A部分的放大剖面示意圖。
圖6為圖4中B部分的放大剖面示意圖。
圖7為本發明第一實施例的固態電解電容器封裝結構的製作方法的流程圖。
圖8為本發明第二實施例的固態電解電容器封裝結構的側視示意圖。
〔第一實施例〕
請參閱圖1至圖6所示，本發明第一實施例提供一種用於提升密封性的固態電解電容器封裝結構Z，其包括：一電容單元1、一封裝單元2及一導電單元3。
首先，如圖1所示，電容單元1可提供多個第一堆疊型電容器10(或稱晶片型電容器，目前圖1只顯示其中1個第一堆疊型電容器10)，其中每一個第一堆疊型電容器10具有一第一正極部P及一第一負極部N。舉例來說，每一個第一堆疊型電容器10包括一閥金屬箔片100、一完全包覆閥金屬箔片100的氧化層101、一包覆氧化層101的一部分的導電高分子層102、一完全包覆導電高分子層102的碳膠層103、及一完全包覆碳膠層103的銀膠層104。此外，每一個第一堆疊型電容器10包括一設置在氧化層101的外表面上且圍繞氧化層101的圍繞狀絕緣層105，並且第一堆疊型電容器10的導電高分子層102的長度、碳膠層103的長度及銀膠層104的長度皆被圍繞狀絕緣層105所限制。更進一步來說，第一堆疊型電容器10的圍繞狀絕緣層105圍繞地設置在氧化層101上且同時接觸導電高分子層102的末端1020、碳膠層103的末端1030及銀膠層104的末端1040。然而，本發明所使用的第一堆疊型電容器10不以上述第一實施例所舉的例子為限。
再者，配合圖2、圖3及圖4所示，多個第一堆疊型電容器10可依序堆疊在一起且彼此電性連接，其中每兩個相鄰的第一堆疊型電容器10的兩個第一負極部N可透過銀膠(未標號)以相互疊堆在一起，並且每兩個相鄰的第一堆疊型電容器10的兩個第一正極部P可透過焊接層(未標號)以相互疊堆在一起。另外，封裝單元2包括一用於完全包覆電容單元1的封裝體20，並且封裝體20可
由不透光的封裝材料(例如epoxy或silicone)所製成。此外，導電單元3(亦即導線架leadframe)包括一第一導電端子31及一與第一導電端子31彼此分離的第二導電端子32。其中，第一導電端子31具有一電性連接於第一堆疊型電容器10的第一正極部P(亦即電性接觸位於最底端的第一堆疊型電容器10的第一正極部P)且被包覆在封裝體20內的第一內埋部310及一連接於第一內埋部310且裸露在封裝體20外的第一裸露部311，並且第二導電端子32具有一電性連接於第一堆疊型電容器10的第一負極部N(亦即電性接觸位於最底端的第一堆疊型電容器10的第一負極部N)且被包覆在封裝體20內的第二內埋部320及一連接於第二內埋部320且裸露在封裝體20外的第二裸露部321。
更進一步來說，配合圖3與圖4所示，封裝體20具有一第一側表面201、一背對於(或相反於)第一側表面201的第二側表面202、一連接於第一側表面201與第二側表面202之間的底表面203。其中，第一導電端子31的第一裸露部311可沿著封裝體20的第一側表面201與底表面203來進行延伸，以形成一L型折腳，並且第二導電端子32的第二裸露部321可沿著封裝體20的第二側表面202與底表面203來進行延伸，以形成另一L型折腳。
此外，配合圖3、圖4及圖5所示，第一導電端子31包括一第一核心層31A及一包覆第一核心層31A的第一包覆層31B，並且第一核心層31A具有一從第一包覆層31B裸露而出的第一外露上表面311A及一從第一包覆層31B裸露而出的第一外露下表面312A。其中，第一外露上表面311A具有一被封裝體20所覆蓋的第一上覆蓋區域3111及一連接於第一上覆蓋區域3111且裸露在封裝體20外的第一上裸露區域3112，並且第一外露下表面312A具有一被封裝體20所覆蓋的第一下覆蓋區域3121及一連接於第一下覆蓋區域3121且裸露在封裝體20外的第一下裸露區域3122。更進一步來說，第一外露上表面311A的第一上裸露區域
3112及第一外露下表面312A的第一下裸露區域3122皆連接至封裝體20的第一側表面201。第一核心層31A具有一貫穿第一核心層31A且連接於第一外露上表面311A及第一外露下表面312A之間的第一貫穿孔313A，並且第一貫穿孔313A具有一被封裝體20所填滿的第一填充部3131及一連通於第一填充部3131且裸露在封裝體20外的第一鏤空部3132。當然，除了第一核心層31A的上表面及下表面(亦即第一外露上表面311A及第一外露下表面312A)可以從第一包覆層31B裸露而出外，第一核心層31A的兩相反側表面亦可從第一包覆層31B裸露而出。
舉例來說，第一核心層31A可為Cu或Cu合金，第一包覆層31B包括一為Ni(Nickel)的第一連接層311B及一為Sn(Stannum)且包覆第一連接層311B的第一焊接層312B。另外，本發明可採用雷射雕刻、蝕刻、噴砂或研磨等方式，使得可為Cu或Cu合金的第一核心層31A從第一包覆層31B裸露而出，並且第一核心層31A從第一包覆層31B所裸露而出的第一上覆蓋區域3111及第一下覆蓋區域3121可以從第一貫穿孔313A朝向第二導電端子32的方向進行一預定長度的延伸，此延伸長度所涵蓋的範圍並非用來限定本發明。由於Cu或Cu合金的熔點比Sn還要高，所以第一導電端子31的第一核心層31A與封裝體20兩者的接觸面之間的密封性可有效提升。值得一提的是，部分的第一包覆層31B通過雷射雕刻、蝕刻、噴砂或研磨等方式移除後所產生的粗糙表面，亦可有效提升第一導電端子31與封裝體20兩者之間的接合性。在部分的第一包覆層31B被移除的過程中可加入惰性氣體，以有效降低Cu或Cu合金的表面所生成的氧化層的厚度，此方式也有助於提升第一導電端子31與封裝體20兩者之間的接合性。
另外，配合圖3、圖4及圖6所示，第二導電端子32包括一第二核心層32A及一包覆第二核心層32A的第二包覆層32B，並且第二核心層32A具有一從第二包覆層32B裸露而出的第二外露
上表面321A及一從第二包覆層32B裸露而出的第二外露下表面322A。其中，第二外露上表面321A具有一被封裝體20所覆蓋的第二上覆蓋區域3211及一連接於第二上覆蓋區域3211且裸露在封裝體20外的第二上裸露區域3212，並且第二外露下表面322A具有一被封裝體20所覆蓋的第二下覆蓋區域3221及一連接於第二下覆蓋區域3221且裸露在封裝體20外的第二下裸露區域3222。更進一步來說，第二外露上表面321A的第二上裸露區域3212及第二外露下表面322A的第二下裸露區域3222皆連接至封裝體20的第二側表面202。第二核心層32A具有一貫穿第二核心層32A且連接於第二外露上表面321A及第二外露下表面322A之間的第二貫穿孔323A，並且第二貫穿孔323A具有一被封裝體20所填滿的第二填充部3231及一連通於第二填充部3231且裸露在封裝體20外的第二鏤空部3232。當然，除了第二核心層32A的上表面及下表面(亦即第二外露上表面321A及第二外露下表面322A)可以從第二包覆層32B裸露而出外，第二核心層32A的兩相反側表面亦可從第二包覆層32B裸露而出。
舉例來說，第二核心層32A可為Cu或Cu合金，第二包覆層32B包括一為Ni的第二連接層321B及一為Sn且包覆第二連接層321B的第二焊接層322B。另外，本發明可採用雷射雕刻、蝕刻、噴砂或研磨等方式，使得可為Cu或Cu合金的第二核心層32A從第二包覆層32B裸露而出，並且第二核心層32A從第二包覆層32B所裸露而出的第二上覆蓋區域3211及第二下覆蓋區域3221可以從第二貫穿孔323A朝向第一導電端子31的方向進行一預定長度的延伸，此延伸長度所涵蓋的範圍並非用來限定本發明。由於Cu或Cu合金的熔點比Sn還要高，所以第二導電端子32的第二核心層32A與封裝體20兩者的接觸面之間的密封性可有效提升。值得一提的是，部分的第二包覆層32B通過雷射雕刻、蝕刻、噴砂或研磨等方式移除後所產生的粗糙表面，亦可有效提升第二導電端
子32與封裝體20兩者之間的接合性。在部分的第二包覆層32B被移除的過程中可加入惰性氣體，以有效降低Cu或Cu合金的表面所生成的氧化層的厚度，此方式也有助於提升第二導電端子32與封裝體20兩者之間的接合性。
再者，配合圖1至圖7所示，本發明第一實施例提供一種固態電解電容器封裝結構Z的製作方法，其包括下列步驟：首先，配合圖1及圖2所示，提供至少一第一導電端子31及至少一第二導電端子32(S100)；接著，配合圖1至圖3所示，將多個第一堆疊型電容器10依序堆疊在一起且電性連接於第一導電端子31及第二導電端子32之間，其中多個第一堆疊型電容器10設置在第一導電端子31的頂端上及第二導電端子32的頂端上，並且每一個第一堆疊型電容器10具有一第一正極部P及一第一負極部N(S102)；然後，形成一封裝體20以完全包覆電容單元1，其中第一導電端子31具有一電性連接於第一堆疊型電容器10的第一正極部P且被包覆在封裝體20內的第一內埋部310及一連接於第一內埋部310且裸露在封裝體20外的第一裸露部311，並且第二導電端子32具有一電性連接於第一堆疊型電容器10的第一負極部N且被包覆在封裝體20內的第二內埋部320及一連接於第二內埋部320且裸露在封裝體20外的第二裸露部321(S104)；最後，配合圖3及圖4所示，彎折第一裸露部311與第二裸露部321，以使得第一裸露部311與第二裸露部321皆沿著封裝體20的外表面延伸(S106)。
更進一步來說，配合圖4及圖5所示，第一導電端子31包括一第一核心層31A及一包覆第一核心層31A的第一包覆層31B，並且第一核心層31A具有一從第一包覆層31B裸露而出的第一外露上表面311A及一從第一包覆層31B裸露而出的第一外露下表面312A。其中，第一外露上表面311A具有一被封裝體20所覆蓋的第一上覆蓋區域3111及一連接於第一上覆蓋區域3111且裸露在
封裝體20外的第一上裸露區域3112，並且第一外露下表面312A具有一被封裝體20所覆蓋的第一下覆蓋區域3121及一連接於第一下覆蓋區域3121且裸露在封裝體20外的第一下裸露區域3122。
更進一步來說，配合圖4及圖6所示，第二導電端子32包括一第二核心層32A及一包覆第二核心層32A的第二包覆層32B，並且第二核心層32A具有一從第二包覆層32B裸露而出的第二外露上表面321A及一從第二包覆層32B裸露而出的第二外露下表面322A。其中，第二外露上表面321A具有一被封裝體20所覆蓋的第二上覆蓋區域3211及一連接於第二上覆蓋區域3211且裸露在封裝體20外的第二上裸露區域3212，並且第二外露下表面322A具有一被封裝體20所覆蓋的第二下覆蓋區域3221及一連接於第二下覆蓋區域3221且裸露在封裝體20外的第二下裸露區域3222。
〔第二實施例〕
請參閱圖8所示，本發明第二實施例提供一種用於提升密封性的固態電解電容器封裝結構Z，其包括：一電容單元1、一封裝單元2及一導電單元3。由圖8與圖4的比較可知，本發明二實施例與第一實施例最大的差別在於：在第二實施例中，電容單元1包括多個依序堆疊在一起且彼此電性連接的第二堆疊型電容器10’。其中，多個第二堆疊型電容器10’設置在第一導電端子31的底端上及第二導電端子32的底端上，並且每一個第二堆疊型電容器10’具有一電性連接於第一導電端子31的第二正極部P’及一電性連接於第二導電端子32的第二負極部N’。
〔實施例的可能功效〕
綜上所述，本發明的有益效果可以在於，本發明實施例可透過“第一核心層31A具有一從第一包覆層31B裸露而出的第一外露上表面311A及一從第一包覆層31B裸露而出的第一外露下表面312A”及“第二核心層32A具有一從第二包覆層32B裸露而出的第二外露上表面321A及一從第二包覆層32B裸露而出的第二外露
下表面322A”的設計，以提升“第一導電端子31與封裝體20兩者的接觸面之間”及“第二導電端子32與封裝體20兩者的接觸面之間”的密封性。關於本案固態電解電容器封裝結構Z所能夠達到提升密封性的效果，舉15個採樣為例，以93℃及100%相對濕度的環境條件下，在蒸氣鍋內經過8小時，可以得到本案在密封性提升前、後的電容量差異，如下列的實驗結果所示：
以上所述僅為本發明的較佳可行實施例，非因此侷限本發明的專利範圍，故舉凡運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的保護範圍內。
Z‧‧‧電容器封裝結構
1‧‧‧電容單元
10‧‧‧第一堆疊型電容器
P‧‧‧第一正極部
N‧‧‧第一負極部
2‧‧‧封裝單元
20‧‧‧封裝體
201‧‧‧第一側表面
202‧‧‧第二側表面
203‧‧‧底表面
3‧‧‧導電單元
31‧‧‧第一導電端子
310‧‧‧第一內埋部
311‧‧‧第一裸露部
31A‧‧‧第一核心層
313A‧‧‧第一貫穿孔
31B‧‧‧第一包覆層
32‧‧‧第二導電端子
320‧‧‧第二內埋部
321‧‧‧第二裸露部
32A‧‧‧第二核心層
323A‧‧‧第二貫穿孔
32B‧‧‧第二包覆層
Claims (10)
- 一種固態電解電容器封裝結構，其包括：一電容單元，所述電容單元包括多個依序堆疊在一起且彼此電性連接的第一堆疊型電容器，其中每一個所述第一堆疊型電容器具有一第一正極部及一第一負極部；一封裝單元，所述封裝單元包括一用於完全包覆所述電容單元的封裝體；以及一導電單元，所述導電單元包括至少一第一導電端子及至少一與至少一所述第一導電端子彼此分離一預定距離的第二導電端子，其中多個所述第一堆疊型電容器設置在至少一所述第一導電端子的頂端上及至少一所述第二導電端子的頂端上，至少一所述第一導電端子具有一電性連接於所述第一堆疊型電容器的所述第一正極部且被包覆在所述封裝體內的第一內埋部及一連接於所述第一內埋部且裸露在所述封裝體外的第一裸露部，且至少一所述第二導電端子具有一電性連接於所述第一堆疊型電容器的所述第一負極部且被包覆在所述封裝體內的第二內埋部及一連接於所述第二內埋部且裸露在所述封裝體外的第二裸露部；其中，至少一所述第一導電端子包括一第一核心層及一包覆所述第一核心層的第一包覆層，所述第一核心層具有一從所述第一包覆層裸露而出的第一外露上表面及一從所述第一包覆層裸露而出的第一外露下表面，所述第一外露上表面具有一被所述封裝體所覆蓋的第一上覆蓋區域及一連接於所述第一上覆蓋區域且裸露在所述封裝體外的第一上裸露區域，且所述第一外露下表面具有一被所述封裝體所覆蓋的第一下覆蓋區域及一連接於所述第一下覆蓋區域且裸露在所述封裝體外的第一下裸露區域； 其中，至少一所述第二導電端子包括一第二核心層及一包覆所述第二核心層的第二包覆層，所述第二核心層具有一從所述第二包覆層裸露而出的第二外露上表面及一從所述第二包覆層裸露而出的第二外露下表面，所述第二外露上表面具有一被所述封裝體所覆蓋的第二上覆蓋區域及一連接於所述第二上覆蓋區域且裸露在所述封裝體外的第二上裸露區域，且所述第二外露下表面具有一被所述封裝體所覆蓋的第二下覆蓋區域及一連接於所述第二下覆蓋區域且裸露在所述封裝體外的第二下裸露區域。
- 如請求項1之固態電解電容器封裝結構，其中所述電容單元包括多個依序堆疊在一起且彼此電性連接的第二堆疊型電容器，多個所述第二堆疊型電容器設置在至少一所述第一導電端子的底端上及至少一所述第二導電端子的底端上，且每一個所述第二堆疊型電容器具有一電性連接於至少一所述第一導電端子的第二正極部及一電性連接於至少一所述第二導電端子的第二負極部，其中所述第一核心層為Cu或Cu合金，所述第一包覆層包括一為Ni的第一連接層及一為Sn且包覆所述第一連接層的第一焊接層，且所述第二核心層為Cu或Cu合金，所述第二包覆層包括一為Ni的第二連接層及一為Sn且包覆所述第二連接層的第二焊接層。
- 如請求項1之固態電解電容器封裝結構，其中所述封裝體具有一第一側表面、一背對於所述第一側表面的第二側表面、及一連接於所述第一側表面及所述第二側表面之間的底表面，所述第一外露上表面的所述第一上裸露區域及所述第一外露下表面的所述第一下裸露區域皆連接至所述封裝體的所述第一側表面，且所述第二外露上表面的所述第二上裸露區域及所述第二外露下表面的所述第二下裸露區域皆連接至所述封裝體的所述第二側表面，其中至少一所述第一導電端子的所述第一裸 露部沿著所述封裝體的所述第一側表面與所述底表面延伸，且至少一所述第二導電端子的所述第二裸露部沿著所述封裝體的所述第二側表面與所述底表面延伸。
- 如請求項1之固態電解電容器封裝結構，其中所述第一核心層具有一貫穿所述第一核心層且連接於所述第一外露上表面及所述第一外露下表面之間的第一貫穿孔，且所述第二核心層具有一貫穿所述第二核心層且連接於所述第二外露上表面及所述第二外露下表面之間的第二貫穿孔，其中所述第一貫穿孔具有一被所述封裝體所填滿的第一填充部及一連通於所述第一填充部且裸露在所述封裝體外的第一鏤空部，且所述第二貫穿孔具有一被所述封裝體所填滿的第二填充部及一連通於所述第二填充部且裸露在所述封裝體外的第二鏤空部。
- 如請求項1之固態電解電容器封裝結構，其中每一個所述第一堆疊型電容器包括一閥金屬箔片、一完全包覆所述閥金屬箔片的氧化層、一包覆所述氧化層的一部分的導電高分子層、一完全包覆所述導電高分子層的碳膠層、及一完全包覆所述碳膠層的銀膠層，其中每一個所述第一堆疊型電容器包括一設置在所述氧化層的外表面上且圍繞所述氧化層的圍繞狀絕緣層，且所述第一堆疊型電容器的所述導電高分子層的長度、所述碳膠層的長度及所述銀膠層的長度皆被所述圍繞狀絕緣層所限制，其中所述第一堆疊型電容器的所述圍繞狀絕緣層圍繞地設置在所述氧化層上且同時接觸所述導電高分子層的末端、所述碳膠層的末端及所述銀膠層的末端。
- 一種導電單元，其包括：至少一第一導電端子及至少一與至少一所述第一導電端子彼此分離一預定距離的第二導電端子，其中至少一所述第一導電端子及至少一所述第二導電端子皆連接至一封裝體；其中，至少一所述第一導電端子具有一被包覆在所述封裝體內 的第一內埋部及一連接於所述第一內埋部且裸露在所述封裝體外的第一裸露部，且至少一所述第二導電端子具有一被包覆在所述封裝體內的第二內埋部及一連接於所述第二內埋部且裸露在所述封裝體外的第二裸露部；其中，至少一所述第一導電端子包括一第一核心層及一包覆所述第一核心層的第一包覆層，所述第一核心層具有一從所述第一包覆層裸露而出的第一外露上表面及一從所述第一包覆層裸露而出的第一外露下表面，所述第一外露上表面具有一被所述封裝體所覆蓋的第一上覆蓋區域，且所述第一外露下表面具有一被所述封裝體所覆蓋的第一下覆蓋區域；其中，至少一所述第二導電端子包括一第二核心層及一包覆所述第二核心層的第二包覆層，所述第二核心層具有一從所述第二包覆層裸露而出的第二外露上表面及一從所述第二包覆層裸露而出的第二外露下表面，所述第二外露上表面具有一被所述封裝體所覆蓋的第二上覆蓋區域，且所述第二外露下表面具有一被所述封裝體所覆蓋的第二下覆蓋區域。
- 如請求項6之導電單元，其中所述第一外露上表面具有一連接於所述第一上覆蓋區域且裸露在所述封裝體外的第一上裸露區域，所述第一外露下表面具有一連接於所述第一下覆蓋區域且裸露在所述封裝體外的第一下裸露區域，所述第二外露上表面具有一連接於所述第二上覆蓋區域且裸露在所述封裝體外的第二上裸露區域，所述第二外露下表面具有一連接於所述第二下覆蓋區域且裸露在所述封裝體外的第二下裸露區域，且所述第一上裸露區域、所述第一下裸露區域、所述第二上裸露區域及所述第二下裸露區域皆通過Sn材料的填補而被完全覆蓋，其中所述第一核心層為Cu或Cu合金，所述第一包覆層包括一為Ni的第一連接層及一為Sn且包覆所述第一連接層的第一焊接層，且所述第二核心層為Cu或Cu合金，所述第二包覆 層包括一為Ni的第二連接層及一為Sn且包覆所述第二連接層的第二焊接層。
- 如請求項7之導電單元，其中所述封裝體具有一第一側表面、一背對於所述第一側表面的第二側表面、及一連接於所述第一側表面及所述第二側表面之間的底表面，所述第一外露上表面的所述第一上裸露區域及所述第一外露下表面的所述第一下裸露區域皆連接至所述封裝體的所述第一側表面，且所述第二外露上表面的所述第二上裸露區域及所述第二外露下表面的所述第二下裸露區域皆連接至所述封裝體的所述第二側表面，其中至少一所述第一導電端子的所述第一裸露部沿著所述封裝體的所述第一側表面與所述底表面延伸，且至少一所述第二導電端子的所述第二裸露部沿著所述封裝體的所述第二側表面與所述底表面延伸。
- 如請求項6之導電單元，其中所述第一核心層具有一貫穿所述第一核心層且連接於所述第一外露上表面及所述第一外露下表面之間的第一貫穿孔，且所述第二核心層具有一貫穿所述第二核心層且連接於所述第二外露上表面及所述第二外露下表面之間的第二貫穿孔，其中所述第一貫穿孔具有一被所述封裝體所填滿的第一填充部及一連通於所述第一填充部且裸露在所述封裝體外的第一鏤空部，且所述第二貫穿孔具有一被所述封裝體所填滿的第二填充部及一連通於所述第二填充部且裸露在所述封裝體外的第二鏤空部。
- 一種固態電解電容器封裝結構的製作方法，其包括下列步驟：提供至少一第一導電端子及至少一第二導電端子；將多個第一堆疊型電容器依序堆疊在一起且電性連接於至少一所述第一導電端子及至少一所述第二導電端子之間，其中多個所述第一堆疊型電容器設置在至少一所述第一導電端子的頂端上及至少一所述第二導電端子的頂端上，且每一個 所述第一堆疊型電容器具有一第一正極部及一第一負極部；形成一封裝體以完全包覆所述電容單元，其中至少一所述第一導電端子具有一電性連接於所述第一堆疊型電容器的所述第一正極部且被包覆在所述封裝體內的第一內埋部及一連接於所述第一內埋部且裸露在所述封裝體外的第一裸露部，且至少一所述第二導電端子具有一電性連接於所述第一堆疊型電容器的所述第一負極部且被包覆在所述封裝體內的第二內埋部及一連接於所述第二內埋部且裸露在所述封裝體外的第二裸露部；以及彎折所述第一裸露部與所述第二裸露部，以使得所述第一裸露部與所述第二裸露部皆沿著所述封裝體的外表面延伸；其中，至少一所述第一導電端子包括一第一核心層及一包覆所述第一核心層的第一包覆層，所述第一核心層具有一從所述第一包覆層裸露而出的第一外露上表面及一從所述第一包覆層裸露而出的第一外露下表面，所述第一外露上表面具有一被所述封裝體所覆蓋的第一上覆蓋區域，且所述第一外露下表面具有一被所述封裝體所覆蓋的第一下覆蓋區域；其中，至少一所述第二導電端子包括一第二核心層及一包覆所述第二核心層的第二包覆層，所述第二核心層具有一從所述第二包覆層裸露而出的第二外露上表面及一從所述第二包覆層裸露而出的第二外露下表面，所述第二外露上表面具有一被所述封裝體所覆蓋的第二上覆蓋區域，且所述第二外露下表面具有一被所述封裝體所覆蓋的第二下覆蓋區域。
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|---|---|---|---|
| TW102138648A TWI474354B (zh) | 2013-10-25 | 2013-10-25 | 固態電解電容器封裝結構及其製作方法、及導電單元 |
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| TW102138648A TWI474354B (zh) | 2013-10-25 | 2013-10-25 | 固態電解電容器封裝結構及其製作方法、及導電單元 |
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| TW102138648A TWI474354B (zh) | 2013-10-25 | 2013-10-25 | 固態電解電容器封裝結構及其製作方法、及導電單元 |
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|---|---|
| TW (1) | TWI474354B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105810439A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-07-27 | 钰邦电子（无锡）有限公司 | 矩阵排列式堆栈型固态电解电容器封装结构及其制作方法 |
| CN105810440A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-07-27 | 钰邦电子（无锡）有限公司 | 一种堆栈型固态电解电容器封装结构及其制作方法 |
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| TWI624847B (zh) * | 2015-07-20 | 2018-05-21 | 鈺邦科技股份有限公司 | 堆疊型固態電解電容器封裝結構及其製作方法 |
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| TW201314719A (zh) * | 2011-09-29 | 2013-04-01 | Nec Tokin Corp | 固態電解電容器及其製造方法 |
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2013
- 2013-10-25 TW TW102138648A patent/TWI474354B/zh active
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| CN105810439A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-07-27 | 钰邦电子（无锡）有限公司 | 矩阵排列式堆栈型固态电解电容器封装结构及其制作方法 |
| CN105810440A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-07-27 | 钰邦电子（无锡）有限公司 | 一种堆栈型固态电解电容器封装结构及其制作方法 |
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