TWM316492U - A liner suitable for covering the interior wall of a semiconductor processing chamber - Google Patents

A liner suitable for covering the interior wall of a semiconductor processing chamber Download PDF

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TWM316492U
TWM316492U TW95214804U TW95214804U TWM316492U TW M316492 U TWM316492 U TW M316492U TW 95214804 U TW95214804 U TW 95214804U TW 95214804 U TW95214804 U TW 95214804U TW M316492 U TWM316492 U TW M316492U
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cylindrical
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Robert S Clark
Zhong-Yi Jim He
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Applied Materials Inc
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Description

M316492 八、新型說明·· 【新型所屬之技術領域] 本創作涉及一種用以於半導體基板及其同類物質上蝕 刻高深寬比之結構的真空製程腔，特別是一種適用於真空 製程腔中而用以#刻高深寬比結構之上腔室襯墊。 【先前技術】 基於對更快速、更有效之積體電路（integrated circuit ; 1C )設備之需求，1C製程技術面臨許多新的挑戰， 包括需要於一基板上（如：半導體晶圓）蝕刻具有高深寬 比（aspect ratio )之結構（如：溝槽或孔洞）。舉例來說， 某些動態隨機存取記憶體（dynamic rand〇m access memory )中所使用的深溝槽儲存結構係需要將具高深寬比 的溝槽蝕刻於半導體基板上。矽溝槽深蝕刻（deep siHc〇n trench etching)通常於一反應性離子蝕刻（reactive i〇n etching ; RIE )製程中進行，並利用氧化矽為遮罩材料。 一種習知之系統已於I虫刻高深寬比之結構上表現十分 優異，係為CENTURA HARTtm蝕刻系統（購自加州聖克 拉拉的 Applied Materials 公司）。CENTURA HARTtm 蝕刻 系統利用MERIE反應器，並在維持溝槽由中心至邊緣的深 度均一性為5 %之下，蝕刻出具有深寬比高達7〇 :丨之溝 槽。然而，為了能夠製造出具有次9〇nm關鍵尺寸（sub_90nm critical dimension)的積體電路，電路設計者則被要求在 南深寬比情況下改善溝槽之均一性。故必須要改善蚀刻之 5
M316492 性能而促使下一代設備之實現。 因此，現今需要一可蝕刻高深寬比結構之改良設備。 【新型内容】 本創作之實施例提供一適用於蝕刻高深寬比結構之設 備，如：製程腔。其他實施例包括利用於該製程腔中的一 上腔室襯墊。 於一實施例中，一上腔室襯墊包括一圓柱形主體，而 主體之外表面上形成有一凹部。一狹缝係設置於凹部中並 貫穿主體。圓柱狀主體包括有一上緣及一下緣。一凸緣自 主體之上緣而徑向地往外延伸。 於另一實施例中，一適用於覆蓋一半導體製程腔之一 内壁的至少一部分之襯墊包括一圓柱狀主體，其具有一上 緣及一下緣。主體係由釔或其氧化物製成，或是塗覆有釔 或其氧化物。主體之上緣具有一徑向地往外延伸之凸緣。 主體之下緣包括一接合特徵結構（feature )，係設置成與一 第二襯墊組配。一凹部係形成於主體之外表面，且凹部中 設置有一狹縫，而狹缝係延伸貫穿主體。 於一實施例中，基板支撐件包括一靜電吸座，而吸座 包括一主體，並由一上壁、一中壁以及一下壁定義出一外 徑。中壁之高度係小於下壁，但大於上壁。吸座亦包括嵌 設其中的一嵌位電極。 於另一實施例中，適用於半導體製程腔之基板支撐件 包括一靜電吸座、一基部以及一升降銷導引組件，而升降 6
M316492 銷導引組件結合至基部，並部分延伸至靜電吸座之主體。 於一實施例中，製程腔包括一腔室主體，而腔室主體 具有一噴氣頭組件以及一基板支撐組件設置於内。噴氣頭 組件包括至少二流體分離之充氣部、一可供光學計量訊號 傳遞之部位，以及多個穿設於噴氣頭組件之氣體通道，而 氣體通道使充氣部係流體連通至腔室主體之内部空間内。 於另一實施例中，製程腔包括一腔室主體，而腔室主 體具有一喷氣頭組件以及一基板支撐組件設置於内。喷氣 頭組件包括一内部氣體流動區域、一外部氣體流動區域以 及一可供光學計量訊號傳遞之部位；其中内部、外部區域 彼此係為流體分離。基板支撐組件包括至少二獨立控溫且 橫向間隔之區域。光學計量系統係透過喷氣頭組件之可傳 遞區域來觀察腔室主體之内部空間。基板支撐組件具有與 其結合之一偏壓電源以及至少二電漿電源。 於另一實施例中，製程腔包括一腔室主體，而腔室主 體具有一配氣板以及一基板支撐組件設置於内。配氣板包 括一組外部氣流孔洞、一組内部氣流孔洞以及一組光學計 量孔洞。内部氣體流動區域透過第一組氣流孔洞而流體連 通至腔室主體之内部空間；外部氣體流動區域則與内部氣 體流動區域呈現流體分離，並透過第二組氣流孔洞而流體 連通至腔室主體之内部空間；陶瓷插塞具有多個孔洞，其 對準於光學計量孔洞及一可視窗。基板支撐組件設置於腔 室主體内，並包括至少二獨立控溫且橫向間隔之區域。光 學計量系統透過可視窗、插塞内之孔洞以及光學計量孔洞 7 M316492 所定義出的光學通道來觀察腔室主體之内部空間。基板支 撐組件具有與其結合之一偏壓電源以及至少二電漿電源。 於另一實施例中，係提供一蝕刻高深寬比結構之方 法，包括：提供多種氣體至混合歧管；控制源自混合歧管 之氣體流至製程腔中不同區域之比例；以及繞過混合歧管 而提供至少一直接注入氣體至製程腔中至少一區域。
又另一實施例中，係提供一包括有一配氣板結合至一 上部區域之喷氣頭組件。配氣板包括一組外部氣流孔洞、 一組内部氣流孔洞以及一組光學計量孔洞。上部區域包括 一流體連通至外部氣流孔洞之第一充氣部，以及流體連通 至内部氣流孔洞之第二充氣部，而該些充氣部於上部區域 中係為流體分離。陶瓷插塞穿設上部區域，並具有對準於 光學計量孔洞之光傳遞部位。 【實施方式】 「第1圖」所示係為適用於基板144上蝕刻高深寬比 結構之製程腔1 0 0的一實施例。雖然圖中所示之製程腔1 0 0 已包括多個可使蝕刻性能較佳的結構，但亦可使用其他之 製程腔而仍適用於本創作中所揭露之一個或多個結構。 製程腔100包括一腔室主體102以及一上蓋104，因 而定義出一内部空間106。腔室主體102通常由鋁、不鏽 鋼或其他適合材料所製成，而腔室主體1 02通常包括側壁 108及一底部110，一基板輸入口（圖中未示）通常設置於 側壁1 0 8，並選擇性地以一間缝閥（s 1 i t v a 1 v e )而密封之， 8 M316492 以協助基板144於製程腔1〇〇之進出動作。一排氣口 i26 设置於腔室主體1 〇2内，並將内部空間]〇6連接至一抽氣 系統128。抽氣系統128通常包括一或多個泵以及節流閥， 而用以排空以及調節製程腔丨〇〇中内部空間丨〇6的壓力。 於實施例中，抽氟系統12 8維持内部空間丨〇 6内的壓力 於一操作壓力下，通常介於10毫托〜2〇托（T〇rr )之間。 上盍104係密閉並支撐於腔室主體1〇2的側壁ι〇8 上’上盍1 04亦可開啟而允許進入製程腔丨〇〇之内部空間 106。上蓋104包括一可視窗142以方便進行光學製程監 控，於一實施例中，可視窗142包括石英或其他適合材料 而可傳遞一光學監控系統丨4〇所使用之訊號。 光學監控系統1 40係定位於透過可視窗丨42而可觀測 腔室主體102之至少一内部空間ι〇6，以及/或置於基板支 撐組件1 4 8上方之基板1 4 4。於一實施例中，光學監控系 統1 40係結合至上蓋丨〇4，而協助利用光學計量之積體蝕 刻製程，以提供調整製程而補償饋入圖樣的不一致（如： CD、厚度等）所需之訊息、提供製程狀態監控（如：電漿 監控、溫度監控等）’以及/或終點監測等。一種光學監控 糸統亦可適用於本創作，即為 EyeD® full-spectrum， interferometric metrology module ( EyeD®* 光譜干涉計量 組件），其係購自加州聖克拉拉的Applied Materials公司。 於一實施例中，光學監控系統1 40可用於量測CDs、 薄膜厚度以及電漿特性，而光學監控系統1 4 0可採用較非 破壞性之光學量測技術其中之一，如：光譜學、干涉術、 9
M316492 散射術、反射術等同類技術。舉例來說，光學監控系統1 40 亦可用以進行一干涉監控技術（例如··計算時域中之干涉 條紋以及量測頻域中之條紋位置等），而於基板1 44上形成 結構之同時量測其钱刻深度分佈情形。如何使用一光學監 控之範例已揭露於本創作受讓人所受讓之美國專利申請序 號第60/479601號（於2003年6月18曰申請，發明名稱 為「 Method and System for Monitoring an Etch Process」）、美國專利公告第6413837號（於2002年7月2 日公告，發明名稱為「Film Thickness Control Using Spectral Interferometry」）以及美國專利申請序號第 6 0/462493號（於2003年4月1 1日中請，發明名稱為 「Process Control Enhancement and Fault Detection Using In- Situ and Ex- situ Metrologies and Data Retrieval In Multiple Pass Wafer Processing」）。 氣體分配盤（gas panel) 158結合至製程腔100以提 供内部空間1 06製程氣體以及/或清洗氣體。於「第1圖」 所示之實施例中，進氣孔132’、132’’係設置於上蓋104， 並提供氣體由氣體分配盤1 5 8輸送至製程腔1 00的内部空 間106中。 喷氣頭組件1 3 0係結合至上蓋1 04的内表面1 1 4，並 包括多個孔洞而使氣體自進氣孔1 3 2 ’、1 3 2 ’’通過噴氣頭組 件1 3 0而流至製程腔1 0 0之内部空間1 0 6，且以一預定分 散方式而散佈至製程腔1〇〇中進行加工之基板144表面。 喷氣頭組件1 3 0同時亦包括一可傳遞一光學計量訊號 10
M316492 之部位，光傳遞部位或通道1 3 8係適用於使光學監 140觀測内部空間106及/或置於基板支撐組件148 板144。通道1 3 8可為一物質、一孔洞或是設置於 組件1 3 0上之多個孔洞，其係可實質傳遞來自或反 學監控系統1 4 0之能量的波長。於一實施例中，通 包括一可視窗142以防止氣體自通道1 3 8洩漏，而 142可為一藍寶石板、石英板或是其他合適物質。 142亦可設置於上蓋104。 於一實施例中，喷氣頭組件 1 3 0係可區分為 域，藉此可分區控制氣體流向製程腔1 00之内部空f 於「第1圖」所示之實施例中，喷氣頭組件13 0包 部區域1 3 4以及一外部區域1 3 6，兩者係分別透過 進氣孔1 3 2 ’、1 3 2 ’’而連接至氣體分配盤1 5 8。 「第2圖」係喷氣頭組件1 3 0之一實施例的剖 喷氣頭組件130通常包括一基部202、上及下充氣才 206、一插塞208以及一配氣板210。上及下充氣柄 206係相隔一距離而相互結合，並設置於基部202 270内而定義出喷氣頭組件130之上部結構。由上 氣板204、206所定義出的充氣區藉由一障壁234而 二流體分離之區域。「第2圖」所示之實施例中，障 將充氣部21 8與充氣部220區分開來，而充氣部2 ] 係分別由基部2 02上之進氣孔1 3 2 ’、1 3 2 ’’進氣，而 132’、132”係由進氣管222、224穿過基部202與 板2 04而形成。氣體通道242 (於下方再詳述之） 控糸統 上之基 喷氣頭 射至光 道138 可視窗 可視窗 多個區 男 1 0 6 ° 括一内 不同的 面圖， 免 204、 .204、 之凹部 、下充 區分為 :壁 234 ,8 ^ 220 進氣孔 上充氣 係穿過 11
M316492 下充氣板206以及配氣板210而使充氣部218、 體進入製程腔100之内部空間106。氣體通道 數目與分佈係視欲提供製程腔1 〇〇中預定之氣 而做選擇性調整。 形成於基部202内之凹部270可包括一或 定位上、下充氣板204、206，如「第2圖」所示 凹部2 7 0包括一内台階2 4 0與一外台階2 8 4， 提供一表面而抵靠下充氣板206所設置之處。-標號）係設置於内台階240與下充氣板206之 氣。外台階284提供一凹陷入基部202之凹部 板210能填裝入下充氣板206與基部202之間！ 基部202通常包括一自内部外徑286而朝 唇216,定義於突唇216與内部外徑286之間的 係將喷氣頭組件1 3 0支撐於上蓋1 04以及/或外 方。突出部288通常垂直於突唇216以及内部 且上述兩者通常平行於腔室主體1 02之中心線 心線為同中心。 内部外徑286係終止於基部202的底表面 表面290通常面對製程區域，且就其本身而言 著一保護性材料，如：Y2〇3。 基部202亦包括多個形成於其内部之管道 道2 1 2連接至一流體源2 1 4，流體源2 1 4提供 體（如：空氣或水），其係循環通過管道2 12 2 02以及噴氣頭組件130之溫度。 220内之氣 242之設置 體分佈情形 多個台階以 之實施例， 内台階240 -密封件（未 間以防止漏 ，而使配氣 的間隔内。 外延伸之突 突出部288 襯墊11 6上 外徑286, ，並於該中 290 ，而底 ，其上可附 212，而管 一熱交換流 而調節基部 12 M316492
通道1 3 8係穿設於喷氣頭組件1 3 0而利於光學監控系 統1 40對於腔室製程以及/或基板性質進行監控。通道1 3 8 包括同軸排列之孔洞226、264、254、262，第一孔洞226 形成於基部202中，第二孔洞264形成於上充氣板204中， 第三孔洞254形成於下充氣板206中，而孔洞262則形成 於配氣板2 1 0中。可視窗142係密封設置於通道1 3 8，以 防止氣體通過喷氣頭組件 1 3 0而洩漏至光學監控系統 140。於「第2圖」所示之實施例中，上充氣板204上具有 一凹部258以容設可視窗142。0型圈（並未標示於「第2 圖」）係使可視窗142可密封至上充氣板204以及基部202。 插塞 208 至少設置在上充氣板 204 中的第二孔洞 2 64，插塞208係可傳遞光學監控系統140所使用之訊號。 於一實施例中，插塞2 0 8包括多個具高深寬比之通道2 6 0， 不但可防止電漿於通道2 6 0内形成，亦可使光學監控系統 140與製程腔1 00的内部空間1 06之間形成一分界面。於 一實施例中，通道260具有至少為1 0 : 1之深寬比（高度 比上直徑），比如為14 ·· 1。於另一實施例中，通道2 6 0具 有一直徑小於或相當於DEBYE長度及/或電子平均自由行 程（electron mean free path)，如：小於 1.5 mm，又例如 為約0.9 mm。於另一實施例中，通道260定義出高達60 %的全透光區（open area)，又另一實施例中，約略有37 個通道260形成並穿過插塞208。 形成於插塞2 0 8中之通道2 6 0係對準於配氣板2 1 0上 之計量孔洞262，且計量孔洞262群聚於配氣板210的中 13 M316492 心，而其所具有之密度、直徑（或寬度）、斷面以及全 區皆適以促進計量訊號之有效傳遞而通過配氣板210 一貝施例中，孔洞262之數量與斷面圖皆與通道26〇和 可視ώ 142使得通道26〇以及孔洞262無氣流通過， 允淬光予之傳遞，藉此，通道2 6 〇、孔洞2 6 2以及可 142係利於光學&控系統14〇對於製程腔1⑽之光 控’而不會出現真空度洩漏或是電漿對於定義出光學 路徑之結構的損傷。 錐形座256形成於上充氣板2〇4中，而使第二孔洞 結合至凹部25 8。錐形座256係與插塞2〇8之喇ρ八形 304相互緊配，如「第3圖」所示，喇叭形部位3〇4 於插塞208之頭部302以及延伸桿3〇6之間。 插塞208通常以一可與製程中之化學反應相容的 製成。於一實施例中，插塞208係由一介質材料製成， 陶兗。於另一實施例中，插塞2 〇 8係為鋁。 上、下充氣板204、206結合至基部202，而上充 2 04亦結合至下充氣板206。於一實施例中，上充氣相 藉由多個插銷228而結合至下充氣板206，插銷228 端係插入分別形成於上、下充氣板2 〇 4、2 0 6之洞2 3 0、 插銷228可藉由鎖固元件或是黏著物固定之，或是以 之方法而摩擦固定之。「第4圖」之剖面圖顯示插銷 由形成於下充氣板2 0 6之洞2 3 2而延伸，只要洞2 3 0 不延伸穿過其相對應之板（204、206 )，則插銷228周 漏氣現象即可避免。 透光 。於 Η以。 但卻 視窗 學監 觀測 I 264 部位 係位 材料 如： 氣板 L 204 的兩 232， 緊迫 228 、211 圍之 14 M316492 請再配合參閱「第5〜6圖」，配氣板2 1 0至少與下充 氣板206或基部202其中之一相結合。於一實施例中，黏 著層502將配氣板210結合至下充氣板206，並於其中定 義出多個環狀的充氣部5 0 8，而充氣部5 0 8使得氣體通道 2 42沿著一般半徑或是一半徑範圍而定位，並與流體連接 而促使通過噴氣頭組件1 3 0之氣體流動以一既定半徑位置 而呈現均一性。
於一實施例中，黏著層502包括多個黏著環504以及 多個黏著珠粒5 06，黏著環504係呈現同中心排列而黏結 充氣部5 08。多個黏著珠粒5 06亦於黏著環504之間呈現 同中心排列。黏著珠粒506與黏著環504相隔一距離，使 得氣體沿著黏著珠粒5 0 6而於共享同一充氣部5 0 8的通道 242之間流動。 再往回參閱「第2圖」，形成於下充氣板206部分的氣 體通道242通常包括一第一鑽孔244、一節流孔246及一 第二鑽孔248。第一鑽孔244係與充氣部220 (或218 )相 通而使氣體進入氣體通道242 ;第二鑽孔248則對準於配 氣板210中的孔洞250，而將氣體運送至製程腔100中的 内部空間106。 於一實施例中，第一、第二鑽孔244、248之直徑與深 度皆實質大於節流孔246，以利於氣體通道242之有效製 造。於「第2圖」所示之實施例中，與充氣部220 (或2 1 8 ) 相通之第一鑽孔244相較於與製程腔1 00之内部空間1 06 相通之第二鑽孔248具有較大的直徑以及較低的高深比。 15
M316492 配氣板210可為一平盤，而孔洞250之空 配氣板2 1 0之中心區域往外之模式，當一組孔 部區域1 3 6之流體相連，而另一組之孔洞2 5 0 域1 3 4之流體相連接。孔洞2 5 0係為氣體通道 分，因此可使氣體通過配氣板2 1 0而進入製程 部空間106内。 為了延長喷氣頭組件1 3 0之使用壽命，配 少以紀或是其氧化物來製造或是覆蓋之。於一 配氣板2 1 0係由大量的釔或是其氧化物製成， 氟化化學物質之抗性；於另一實施例中，配氣 量的Y203所製成。 「第7圖」係為喷氣頭組件700之另一實 頭組件7 0 0係實質相似於喷氣頭組件1 3 0，其具 而防止電漿上升至通道72 6，而通道726係穿 件7 00而形成以協助光學計量。可視窗142亦 726而做為氣體之屏障。 噴氣頭組件 700 包括一與充氣板 704 7 02，充氣板 704包括形成於其内之一對環狀 7 1 4，並以基部7 02而限制並定義出内、外充氣4 氣體由氣體分配盤158，並透過其相對應之進 1 3 2 ’’而提供至内、外充氣部7 1 6、7 1 8，接著使 控於内部、外部區域134、136，並由噴氣頭組 伸至製程腔1 00之内部空間1 06。 充氣板704包括一插塞孔720，其對準於 間分佈係由 洞250與外 則與内部區 2 42之一部 腔1 0 0之内 氣板2 1 0至 實施例中， 以提供其對 板210由大 施例，噴氣 •有插塞7 0 8 過喷氣頭組 設置於通道 結合之基部 溝槽7 1 2、 ^ 7 1 6 > 7 1 8 〇 氣孔1 3 2 ’、 氣體各自受 件700而延 基部702中 16
M316492 所形成的孔洞 7 0 6以及配氣板 7 1 0中所形成的計量孔 728,並定義出該通道726。插塞孔720通常包括一凹部722 以容設可視窗142以及錐形座724。錐形座724係與插塞 708的喇队形部位接合而將插塞708定位於充氣板704内。 「第8圖」係繪示由氣體分配盤1 5 8輸送至製程腔1 00 之氣體的路線分配及控制示意圖。氣體分配盤1 5 8通常包 括多個結合至混合歧管8 1 0以及流量控制器8 1 4之氣體來 源（以下簡稱「氣源」）。 一般來說，源自各個氣源的流量係受到控制閥8 0 8的 調控，控制閥808係控制源自氣源之流體的流量、速率、 壓力等其中之一，而控制閥8 0 8可包括一個以上的闊門、 調節器以及/或流量控制裝置。 於一實施例中，氣體分配盤1 5 8包括至少一直接氣源 802、至少一製程氣源804以及至少一載氣氣源806。製程 氣源804以及載氣氣源806之流體藉由獨立的氣體管路而 連接至混合歧管8 1 0，多種源自製程氣源8 04以及載氣氣 源8 06之氣體於混合歧管810中結合成為一運送前混合氣 體（pre_deliverygasmixture)。因此，混合歧管 810 中之 運送前混合氣體的組成係可藉由其相對控制閥8 0 8之選擇 性開啟而改變，藉此，製程氣源804以及載氣氣源806之 預定組合則可形成。舉例來說，至少一源自製程氣源 8 04 之製程氣體以及至少一源自載氣氣源806之載氣可以於混 合歧管8 1 0中呈現任何之組合方式。製程氣體的實例包括 SiCl4、HBr、NF3、02以及SiF4其中一；載氣之實例包括 17
M316492 N2、He、Ar或其他不與製程氣體以及非反應性氣體 應之氣體。 流量控制器 8 1 4藉由初級進氣管 8 1 2而與混 8 1 0接合，而流量控制器8 1 4係用以將源自混合歧 之運送前混合氣體分散為次混合物（s u b - m i X t u r e ) 過不同的進氣管路而輸送至製程腔 100。一般來說 管路的數量與喷氣頭組件130中之區域（或是分離 部）數目相同。於「第8圖」所示之實施例中，二 路8 1 6、8 1 8將流量控制器8 1 4結合至其相對應之 132’、132，，。 流量控制器8 1 4通常用以控制次混合物流入各 路8 1 6、8 1 8之比例，藉此，流入各個區域以及最終 1 44各部位的氣體次混合物之比例皆可被控制。流 器8 1 4可採用電子或機械裝置而分散運送前混合氣 一實施例中，流量控制器8 1 4可相應於控制器1 5 0 而動力控制該比例，藉此，針對不同批次的基板之 基板之間以及/或單一基板之單一腔室製程（ p r 〇 c e s s i n g )的比例皆可改變。於另一實施例中，流 器8 1 4係設定而使進氣管路8 1 6、8 1 8之間的比例固 可藉由流量控制器8 1 4中的一或多個孔而設定該比 此，來自初級進氣管8 1 2之氣流優先地於進氣管路 8 1 8之間而分散。 於一實施例中，流量控制器8 1 4提供内部區域 對於外部區域1 3 6較多之氣體。另一實施例中，流 產生反 合歧管 管810 ，以透 ，進氣 之充氣 進氣管 進氣孔 進氣管 至基板 量控制 體，於 之訊號 間、各 in- situ 量控制 定。亦 例，藉 816、 134相 量控制 18
M316492 器8 1 4提供外部區域1 3 6相對於内部區域 1 3 4較多 體。又另一實施例中，於第一階段基板製程中，流量 器8 1 4提供内部區域1 3 4相對於外部區域 1 3 6較多 體，接著改變比例，而使於第二階段基板製程（單一 製程）中，則提供外部區域1 3 6相對於内部區域1 3 4 之氣體。流量控制器8 1 4亦可控制輸送至製程腔1 00 同區域的流量比例呈現其他之順序或比例。 氣體分配盤158之直接（注入）氣源802亦可提 程腔1 0 0之内部空間1 0 6 —個直接注入氣體。來自直 源8 02的直接注入氣體量係受到控制閥808之調控。 於一實施例中，直接注入氣體係提供給至少一進 路8 1 6、8 1 8。於另一實施例中，直接注入氣體係進入 接進氣管路820、822，且兩者再分別進入進氣管路8 8 1 8。又另一實施例中，直接注入氣體係提供給與進 1 3 2 ’、1 3 2 ’’連接之至少一進氣管。再另一實施例中， 注入氣體係提供給噴氣頭組件1 30 ( 700 )之至少一充 218 、 220 ( 716 > 718)° 於「第8圖」所示之實施例中，係提供給各區域（ 1 3 6 )相同含量之直接注入氣體。另外，第二流量控 8 24 (以虛線框表示，並與流量控制器8 1 4相似）可用 供各區域（1 3 4、1 3 6 )不同比例之直接注入氣體。 請往回參閱「第1圖」，基板支撐組件1 4 8係置於 腔1 00之内部空間1 06内，並位於噴氣頭組件1 3 0之一 基板支撐組件1 4 8係於製造過程中支撐基板1 44，而 之氣 控制 之氣 腔室 較多 中不 供製 接氣 氣管 二直 16、 氣孔 直接 氣部 134、 制器 於提 製程 F方。 基板 19
M316492 支撐組件1 4 8通常包括穿過該組件1 4 8之多個升降銷（圖 中未示），係用以將基板1 44抬離基板支撐組件i 4 8，以便 於自動手臂（圖中未示）以一習知方式而替換基板144。 於一實施例中，基板支撐組件1 4 8包括一安裝板丨62、 一基部164以及一靜電吸座166。安裝板162係結合至腔 室主體1 02之底部1 10，且包括物件（如：流體、電線以 及傳感器導線其中之一）通往基部1 6 4以及吸座1 6 6之通 路。 至少基部164或吸座166其中之一包括有至少一選擇 性之嵌入式加熱器176、至少一選擇性之嵌入式隔離器174 以及控制基板支撐組件1 4 8之側溫曲線的多個導管。於「第 1圖」所示之實施例中’ 一環狀隔離器1 7 4以及二導管1 6 8、 1 7 0設置於基部1 6 4 ’而一電阻加熱器1 7 6則設置於吸座 166。導管168、170係流體連通至流體源1 7 2 ’而於其中 循環有一溫度調控流體。加熱器1 7 6由電源1 7 8調控之。 導管168、17〇以及加熱器176係用於控制基部164之溫 度，從而加熱及/冷卻靜電吸座166，藉此，至少某種程度 地控制置於靜電吸座1 66上之基板1 44的溫度。 兩個分離之冷卻通道（或導管）16 8、1 7 0係形成於基 部1 64中，而定義出至少二獨立之溫控區’亦可增加額外 的冷卻通道以及/或通道佈局而定義出額外的溫控區。於一 實施例中，第一冷卻通道1 6 8係排列於第二冷卻通道1 7 0 之_向内側，故溫控區為同中心，而冷卻通道 1 6 8、1 7 0 可以為徑向排列或是其他的幾何配置。冷卻通道1 6 8、1 7 0 20
M316492 可結合至具有單一溫控熱傳流體之單一流體源1 72 分別結合至不同的熱傳流體源。 隔離β 1 7 4之材料係為與基部i 6 4之相鄰區域 同熱傳導係數之材料所製成。於一實施例中，隔離 相對於基部1 64具有較小之熱傳導係數；而於另一 中，隔離器174係由一具有非等向性（即：方向獨 傳導係數之材料製成。隔離器1 74係用以改變基板 件148之間，由基部164傳導至導管U8、17〇之局 導速率’而相對於基部丨64之其他鄰近部位，於其 路徑上並無隔離器174來改變熱傳導速率。隔離器 橫向設置於第一、第二冷卻通道i 68、丨7〇之間，以 板支撐組件1 4 8中所定義的各溫控區之間更佳的熱 於「第1圖」所示之實施例中，隔離器丨7 4設 管1 6 8、1 7 0之間，因而阻擋橫向的熱傳導，並促進 基板支撐組件1 4 8之橫向溫控區分佈。因此，藉由 入物（如上述隔離器174等）的數目、形狀、尺寸 以及熱傳導係數，則靜電吸座1 6 6以及置於其上之J 的溫度變化特徵可以被控制。雖然「第1圖」所示 器1 74係成環形，但隔離器1 74之形狀亦可以為其 式。 一熱傳導膠或是黏著劑（圖中未示）係可選擇 置於基部1 6 4以及靜電吸座丨6 6之間，而熱傳導膠 電吸座1 6 6以及基部1 6 4之間的熱交換情形。於一 ，或是 具有不 器174 實施例 立）熱 支撐組 部熱傳 熱傳導 174係 提供基 分離效 置於導 了橫跨 控制嵌 、位置 一板 144 之隔離 他之形 性地設 促進靜 試驗實 21
M316492 施例中，黏著劑係將靜電吸座丨66物理性黏著至基部丨64。 另外（圖中未示），基板支撐件148亦可包括一零件（即： 夾子、螺栓等同類物件）而用以將靜電吸座丨6 6固定至基 部 164。 靜電吸座1 6 6以及基部1 6 4之溫度可藉由多個感測器 來監控之。於「第1圖」所示之實施例中，第一溫度感測 器1 9 0及第二溫度感測器1 9 2係以徑向間隔定位，藉此， 第一溫度感測器1 9 0提供控制器1 5 〇有關基板支撐組件 1 48之中央區域以公制表示的溫度，而第二溫度感測器i 92 則提供控制器1 5 0有關基板支樓組件1 4 8之周圍區域以公 制表不的溫度。 靜電吸座166設置於基部164上，且其周圍環設有一 遮蓋環146，靜電吸座166可由鋁、陶瓷或其他適合於製 程中支撐基板1 44之材料所製成。於一實施例中，靜電吸 座166為陶瓷，或者是，靜電吸座166可由真空吸座、機 械式吸座或是其他合適之基板支撐件來替代之。 靜電吸座166通常由陶瓷或是其他相似之介質材料所 形成，並包括由吸座電源1 8 2所控制之至少一嵌位電極 (clamping electrode ) 180。電極180(或其他設置於吸座 166或基部164内之電極）更可結合至一或多個RF電源’ 以維持製程中所形成之電漿，以及/或製程腔1 〇〇中的其他 氣體。 於「第1圖」所示之實施例中，電極18 0係透過一匹 配電路（matching circuit) 188而結合至一第一 RF電源 22
M316492 184以及一第二RF電源186。第一、第二RF電源184、 186通常可產生頻率範圍約為50 kHz〜3 GHz之RF訊號， 以及高達10000瓦的電力。匹配電路188係將第一、第二 RF電源1 8 4、1 8 6的電阻匹配至電漿電阻。可將源自第一、 第一 RF電源184、186之電力結合並單一輸送給電極180; 或是將第一、第二RF電源184、186之電力分別輸送至電 極 1 80。 靜電吸座1 6 6可包括由電源1 7 8所控制之至少一嵌入 式加熱器176,而靜電吸座166更可包括多個氣體通道（圖 中未示），如溝槽，其係形成於吸座1 6 6之基板支撐表面， 並流體連通至一熱傳導氣體源（或背面氣體源）。於操作過 程中’背面氣體（如氦氣，H e )係於一控制壓力下而供入 氣體通道中，以促進靜電吸座丨66與基板丨44之間的熱傳 導。通常，至少靜電吸座丨66之基板接觸表面會有一塗層， 其可抵抗於基板製程中所採用的化學物質與溫度。 「第1 2圖」為基板支撐組件1 48的部分剖面圖，其繪 不升降銷導引組件1 2 0 0之一實施例。一般來說，基板支撐 組件1 4 8中至少利用三個升降銷導引組件1 2 0 0。 升降銷導引組件1 200主要設置於基板支撐組件148 基部164中所形成的階形洞1204内，而階形洞1204對準 於穿設在靜電吸座166的孔洞1 202。一部份的升降銷導引 組件1200延伸至孔洞1 202，因而於基部164與吸座166 之間提供一個對準結構。 升降銷導引組件12〇〇通常包括一導引件U10以及一 23 M316492 定位器1 2 1 8。一彈性元件1 2 2 〇設置於導引件1 2 1 0以及定 位器1 2 1 8之間，以提供升降銷導引組件1 2〇〇組裝至基板 支撐組件1 4 8上方的緩衝物，並調節基板支撐組件1 4 8之 熱膨脹與熱收縮。於一實施例中，彈性元件1 2 2 0係為一 Ο 型圈，並且是由可與製程化學物質以及製程環境相容之彈 性材料所製成。
導引件1210包括一具有上突出物1240以及下突出物 1228之主體1216。導引件1210亦包括同中心之第一、第 二穿孔1224、1226，兩者係提供升降銷（圖中未示）穿過 升降銷導引組件1 2 0 0之通道。上突出物1 2 4 0係延伸而與 一凹部1238接合，其中凹部1238形成於靜電吸座166面 向於基部1 6 4之表面。下突出物1 2 2 8係限制並接合於由定 位器1 2 1 8所延伸出的套筒1 2 3 0。缺口 1 2 2 2則設置於下突 出物1 228與主體1216之間以容設彈性元件1220。 定位器 1218 包括一由套筒 1230所延伸之螺紋部 1 2 3 2，而螺紋部1 2 3 2包括一穿固結構1 2 3 4以協助將定位 器1218固定至基部164。穿固結構1 234可以為一狹縫、 十字穴（Phillips drive)、六角孔、扳钳孔或其他可用以對 準定位器1218之結構。通道1 236係穿設於定位器1218 中，並對準於導引件1210之第一、第二穿孔1224、1226 以容設升降銷。 階形洞1204形成於基部164中，並包括一主穿孔 1 2 0 8、一台階1 2 0 6以及一進入孔1 2 1 2。台階1 2 0 6延伸至 主穿孔1208，而進入孔1212包括一螺紋部1214而用以與 24
M316492 定位器1 2 1 8接合。將定位器1 2 1 8緊固至基部1 64 部1 2 3 2時，定位器1218與彈性元件1 220接觸，並 體1 2 1 6抵靠基部1 64之階形洞1 2 04的台階1 2 1 6， 則將升降銷導引組件1 200緊固於基板支撐組件148 1 6 4 上。 「第9〜1 0圖」繪示外襯墊1 1 6之一實施例的 視圖及部分剖面圖。外襯墊1 1 6可由抗電漿或是抗 所製造或是覆蓋之。於一實施例中，外襯墊11 6由鋁 於另一實施例中，外襯墊1 1 6由釔、釔合金或是其 來製造或是覆蓋之；又另一實施例中，外襯墊1 1 6 的Y2〇3所製成，而内襯墊116亦可由相同材料所製 於「第9〜10圖」中所示之實施例中，外襯墊 括一上襯墊902以及一下襯墊904。下襯墊904之上 與上襯墊902之下緣9 1 0相緊配，如：於槽口接合（ joint)中。 下襯墊904通常為一中空圓柱狀物，而用以與側 之内表面緊密貼合，下襯墊904包括一凹槽或風門 其係對準腔室主體 102之排氣孔 126而利於對内 106進行抽真空及排氣。 上襯墊902通常包括一主體914，而主體914 延伸出一凸緣912，凸緣912通常為多角形，而於 例中，多角形凸緣912係以45度之角度而截去稜角 主體914通常為圓柱狀，並具有一内壁916以 壁934。突唇918由内壁916而往内延伸，並於喷 的螺紋 使得主 藉此， 的基部 爆炸透 氟材料 製成； 氧化物 由大量 成。 1 16包 緣908 rabbet 壁108 906， 部空間 之上端 本實施 〇 及一外 氣頭組 25 M316492 件1 3 0 —旦安裝至製程腔1 00時，提供一支撐處。0型圈 溝槽9 2 0係形成於突唇9 1 8内，而可與喷氣頭組件1 3 0之 間呈現氣密狀態。
上襯墊902之主體914可設置一孔洞928，故可自腔 室主體 102之可視窗（圖中未示）而目視觀測内部空間 106。圍繞在孔洞928之上襯墊902的外壁934部分可以覆 蓋一移動式之可視窗鑲嵌塊924，而可視窗鑲嵌塊924可 藉由多個固定件926而定位於上襯墊902之一凹處（圖中 未示），則鑲嵌塊924與外壁934係為嵌平的。故當可視窗 鑲嵌塊 924的保護塗層與可視窗/腔室主體之界面接觸而 磨損時，在保護塗層破損而暴露出外襯墊11 6的主要材料 之前，則必須將其替換。 狹缝93 8係形成於主體914而允許基板144進出製程 腔100。凹部932則形成於上襯墊902之外壁934，並圍繞 於狹縫9 3 8周圍。而一移動式之門鑲嵌塊9 3 0則設置於狹 缝93 8上，用以保護上襯墊902與間縫閥接口接觸時所造 成之磨損。鑲嵌塊930亦包括一狹缝940，其係對準上襯 墊9 02之狹缝93 8，藉此有助於基板144通過外襯墊116。 鑲嵌塊930藉由多個固定件93 6而固定於凹部932，則鑲 嵌塊9 3 0與外壁9 3 4係為嵌平的。故當鑲嵌塊9 3 0的保護 塗層與間縫閥接口 /腔室主體之界面接觸而磨損時，在保護 塗層破損而暴露出外襯墊11 6的主要材料之前，則必須將 其替換。鑲嵌塊924、930通常由與襯墊相同之材料而製造 或覆蓋之。 26
M316492 「第11圖」繪示内襯墊11 8與覆蓋在基板支撐組件 I 4 8的外上表面之遮蓋環1 4 6相接合的一實施例。内概塾 II 8通常包括一較大直徑之上部11 40，以及一較小直徑之 下部11 4 2。傾斜部則位於内襯墊1 1 8之外徑區而結合較大 直徑之上部1 1 4 0以及較小直徑之下部1 1 4 2。 凸緣1132自上、下部1140、1142之接合處往内延伸’ 凸緣1132具有一底面1134而使内襯墊118與基板支撐組 件148相互定位。Ο型圈溝槽1136形成於凸緣1132之上 表面而密封内襯塾118。 遮蓋環146設置於基板支撐組件148上方’且内襯勢 118之上端U28插入遮蓋環146。遮蓋環146通常具有〆 環形主體 u 〇2，且其係由一抗電漿以及/或抗化學物質之 材料所製成或覆蓋之。於一實施例中，遮蓋環1 46係由釔 或是其氧化物來製造或是覆蓋之；於一實施例中，氣體遮 蓋環1 46則是由大量的釔製成，而提供對於氟化化學物質 之抗性；於另一實施例中，遮蓋環146由石英製成。 主體1102通常包括一頂面1104以及一底面1126。第 一脊U18、第二脊1122，以及第三脊1120係自主體11〇2 的底面1 12 6往下延伸。於「第1 1圖」所示之實施例中， 第一、第二、第三脊1118、1122、1120為同中心之環狀物。 第一、第二脊1118、1122設置於遮蓋環146之内部， 並於其間定義出一狹縫而用以將内襯墊118的上端^28 失持於内。第一脊11 1 8以及第三脊η 2 0皆相較於第二脊 1122由主體1102而更往遠處延伸，第三脊U2〇延伸至基 27 M316492 板支撐組件1 4 8的狹缝1 1 8 0中，藉此使遮蓋環1 4 6以及基 板支撐組件1 4 8兩者之間定位。
凸出部1 1 1 6係由主體1 1 02而往徑向之内側延伸，並 緊接第三脊1120，凸出部1116包括一上表面1150，而其 與靜電吸座166之上表面1152於實質上為同平面。當將基 板144置放於基板支撐組件148之上方時，基板144之周 圍（「第11圖」中未示）則覆蓋於靜電吸座166以及凸出 部1116之上表面1150的交界面。 内壁1114位於凸出部1116與主體1102的頂面1104 之間，而内壁1 1 1 4之直徑大於凸出部1 1 1 6之内徑。一般 來說，内壁1 1 1 4之直徑係用以提供與基板1 44之間具有一 適當之空間。 主體1102的頂面1104通常包括一内部區域1110以及 一外部區域1 1 0 8，而内部區域111 0相對於外部區域11 0 8 較為提高。内部區域111 〇亦可以與頂面11 04之外部區域 1108呈平行定位。於「第1 1圖」所示之實施例中，一傾 斜區域1 1 1 2係設置於頂面1 1 0 4之内部、外部區域1 1 1 0、 11 0 8兩者之間的過渡區。 「第1 1圖」亦包括靜電吸座1 6 6之一實施例的細節。 靜電吸座166包括一定義於吸座166的上、下表面1152、 1198 之間的階形外徑表面 （stepped outer diameter surface)。階形外徑表面通常包括一上壁1188、一中壁1192 以及一下壁 1196。上、中、下壁 1188、1192、1196 —般 為垂直的，且上壁1188較中壁1192短，而中壁1192又較 28
M316492 下壁1196短。上壁1188起始於上表面1152，並往下延伸 出一上突出部1190，上突出部1190將上壁1188結合至中 壁1192，下突出部1194則結合中壁1192及下壁1196，下 壁1196再結合至下表面1198。上、下突出部1190、1194 通常呈水平，且下突出部1 1 94大於上突出部1 1 90。階形 外徑表面由上、中、下壁1188、1192、1196及上、下突出 部1190、1194所定義出，其產生一結構而能與遮蓋環146 緊配’並將其定位於基板支撐組件1 4 8上之一預定位置。 於操作過程中’製程腔丨00可利用於基板1 44上蝕刻 一具有向深寬比之結構。一實施例中，於基板1 44上之矽 層上#刻一具有高深寬比之溝槽的方法可以於製程腔1 〇〇 中進行’而矽層上覆蓋有一具圖樣之遮罩層（patterned mask )’此部分係為習知的。該方法起始於將腔室壓力調 控於1〜3〇〇毫托（mT)之間，施加約500〜2800瓦（W) 之偏壓電源於基板1 44上’而於一實施例中，偏壓電源之 頻率為約2兆赫（MHz )。 通過噴氣頭組件1 3 0之多個氣流區的氣體所形成之電 聚係藉由施加5 〇 〇〜2 8 0 0瓦之電源至基板支撐組件1 4 8而 維持之。於一實施例中’電源之頻率為6 0兆赫。施加於腔 至之磁場（B-field)約為1〜140高斯（G)。石夕層透過遮 罩之孔洞而被電漿蝕刻，以形成具有深寬比至少為80:1 之〉冓槽。 製程氣體、直接注入氣體以及惰性氣體之混合物係提 供至腔室内以進行電漿蝕刻，而該混合物至少包括HBr、 29
M316492 NF3、 02、SiF4、SiCl4以及 Ar。於一實施例中，提 混合歧管810之製程氣體包括HBr以及NF3，而02、S Si Cl4係可選擇性的提供。於一試驗實施例中，50〜 seem 白勺 HBr、 10 〜200 seem 的 NF3、 0 〜200 seem 的 以及0〜200 seem的Ar係提供至混合岐管810，而適 餘刻3 0 0 m m基板之製程。製程氣體提供至充氣部之 比例係相應於結構之密度、尺寸以及橫向位置。SiCl4 作為直接注入氣體，並繞過混合歧管8 1 0而提供至喷 組件1 3 0之充氣部。 已證實上述之製程腔100可以於基板144之表面 刻具有良好均一性之高深寬比結構。於習知製程腔以 述之製程腔1 0 0中進行蝕刻矽製程的比較數據顯示， 了邊緣至中心之深寬比均一性，習知系統所具有邊緣 心之深寬比約為1 .3 5，而上述之製程腔1 0 0具有之邊 中心的深寬比為約1.04，而使得本創作之製程腔使用 造下一代之設備。 惟本創作雖以較佳實施例說明如上，然其並非用 定本創作，任何熟習此技術人員，在不脫離本創作的 和範圍内所作的更動與潤飾，仍應屬本創作的技術範 而本創作之技術範疇由下方之申請專利範圍來定義之 【圖式簡單說明】 本創作於上方所詳述之特徵可詳細地被暸解，而 本創作更特定的描述則簡短摘錄於上，可參閱實施 供至 iF4、 - 5 00 SiF4 用於 流量 係用 氣頭 上蝕 及上 改善 至中 緣至 於製 以限 精神 疇， 針對 例所 30
M316492 述，且部分的實施例係繪示於附圖中。然而，值得注意的 是，附圖僅繪示本創作之一般實施例，而並非用以限制其 範圍，其他相同效力之實施例應同屬本創作之範疇。 第1圖，繪示本創作之製程腔的一實施例之剖面圖。 第2圖，繪示喷氣頭的一實施例之剖面圖。 第3圖，繪示第2圖的喷氣頭之插塞的一實施例剖面圖。 第4圖，繪示第2圖的喷氣頭之剖面圖。 第5圖，繪示第2圖的喷氣頭之另一剖面圖。 第6圖，沿著第5圖的剖面線6-6所繪示之喷氣頭的部分 剖面圖。 第7圖，繪示噴氣頭的另一實施例之剖面圖。 第8圖，繪示氣體控制之一實施例的流程圖，用以說明第 1圖之製程腔中氣體的流動路線以及控制。 第9〜1 0圖，繪示襯墊之一實施例的透視圖及部分剖面圖。 第1 1圖，繪示基板支撐組件支撐一遮蓋環的實施例之部分 剖面圖。 第.1 2圖，繪示基板支撐組件之剖面圖，用以說明升降銷導 引組件之一實施例。 為了幫助暸解，採用相同之元件標號來表示圖中相同 之元件，一實施例中之元件可利用於另一實施例中而不再 贅述之。 【主要元件符號說明】 31 M316492
100 製程腔 102 腔室主體 104 上蓋 106 内部空間 108 側壁 110 底部 112 内表面 114 内表面 116 外襯墊 118 内襯墊 126 排氣孔 128 抽氣系統 130 噴氣頭組件 1329 、1 3 2 ’， 進氣孔 134 内部區域 136 外部區域 138 光傳遞部位（或通道） 140 光學監控系統 142 可視窗 144 基板 146 遮蓋環 148 基板支撐組件 150 控制器 158 氣體分配盤 162 安裝板 164 基部 166 (靜電）吸座 168、 170導管（或冷卻通道） 172 流體源 174 隔離器 176 力口熱器 178 (加熱器）電源 180 (嵌位）電極 182 吸座電源 184 第一 RF電源 186 第二RF電源 188 匹配電路 190 第一溫度感測器 192 第二温度感測器 202 基部 204 上充氣板 206 下充氣板 208 插塞 210 配氣板 212 管道 214 流體源 216 突唇 218 充氣部 32 M316492
220 充氣部 111、 224 進氣管 226 (第一）孔洞 228 插銷 230 > 232 洞 234 障壁 240 内台階 242 氣體通道 244 第一鑽孔 246 節流孑L 248 第二鑽孔 250 孔洞 254 (第三）孔洞 256 錐形座 258 凹部 260 通道 262 孔洞 264 (第二）孔洞 270 凹部 284 外台階 286 内部外徑 288 突出部 290 底表面 302 頭部 304 喇形部位 306 延伸桿 502 黏著層 504 黏著環 506 黏著珠粒 508 充氣部 700 喷氣頭組件 702 基部 704 充氣板 706 孔洞 708 插塞 710 配氣板 712 環狀溝槽 714 環狀溝槽 716 内充氣部 718 外充氣部 720 插塞孔 722 凹部 724 錐形座 726 通道 728 計量？L 802 直接（注入）氣源 804 製程氣源 806 載氣氣源 33 M316492
808 控制閥 812 初級進氣管 816、 818 進氣管路 824 第二流量控制器 904 下襯墊 908 上緣 912 凸緣 916 内壁 920 0型圈溝槽 926 固定件 930 (門）鑲嵌塊 934 外壁 938 狹缝 1102 主體 1108 外部區域 1112 傾斜區域 1116 凸出部 1120 第三脊 1126 底面 1132 凸緣 1136 0型圈溝槽 1142 下部 1152 上表面 1188 上壁 8 10 混合歧管 814 流量控制器 820、822 直接進氣管路 902 上襯墊 906 凹槽（或風門） 910 下緣 914 主體 918 突唇 924 (可視窗）鑲嵌塊 928 孔洞 932 凹部 936 固定件 940 狹缝 1104 頂面 1110 内部區域 1114 内壁 1118 第一脊 1122 第二脊 1128 上端 1134 底面 1140 上部 1150 上表面 1180 狹缝 1190 上突出部 34 M316492
1192 中壁 1194 下突 出部 1196 下壁 1198 下表 面 1200 升降銷導引組件 1202 孔洞 1204 階形洞 1206 台階 1208 主穿孔 1210 導引 件 1212 進入孑L 1214 螺紋部 1216 主體 1218 定位 器 1220 彈性元件 1222 缺口 1224 第一穿孔 1226 结 一 穿孔 1228 下突出物 1230 套筒 1232 螺紋部 1234 穿固 結構 1236 通道 1238 凹部 1240 上突出物
35

Claims (1)

  1. M316492 制5>丨你^號蔚膝％年3月修正
    九、申請專利範圍： 1. 一種適用於覆蓋一半導體製程腔之一内壁的至少一部 分之襯墊，該襯墊包括： 一圓柱狀主體，具有一上緣及一下緣； 一凸緣，自該圓柱狀主體之該上緣而徑向地往外延伸； 一凹部，係形成於該圓柱狀主體之一外表面；以及 一狹縫，係設置於該凹部中，並貫穿該圓柱狀主體。
    2. 如申請專利範圍第1項所述之襯墊，其更包括： 一突唇，係由該圓柱狀主體之一内表面而徑向地往内 延伸。 3. 如申請專利範圍第2項所述之襯墊，其中該突唇更包 括： 一上表面，該上表面内形成一 0形圈（O-Hng )溝槽。
    4. 如申請專利範圍第1項所述之襯墊，其中該凹部更包 括： 多個固定孔。 5. 如申請專利範圍第1項所述之襯墊，其中該圓柱狀主體 之該下緣更包括： 一設置成與一第二襯墊組配之接合特徵結構 36 M316492 (feature ) 〇 6. 如申請專利範圍第5項所述之襯墊，其中該接合特徵結 構更包括： 一槽 口接合（rabbetjoint)的一半。 7. 如申請專利範圍第1項所述之襯墊，其更包括： 一孔洞，係貫穿該圓柱狀主體。
    8. 如申請專利範圍第7項所述之襯墊，其中該圓柱狀主體 更包括： 一凹處，而該孔洞設置於該凹處内。 9. 如申請專利範圍第1項所述之襯墊，其中該圓柱狀主體 更包括鋁。
    1 0.如申請專利範圍第9項所述之襯墊，其中該襯墊係塗覆 有氧化釔（Y203 )。 1 1.如申請專利範圍第1項所述之襯墊，其中該圓柱狀主體 之一内表面塗覆有氧化釔（Υ2〇3 )。 1 2.如申請專利範圍第1項所述之襯墊，其中該圓柱狀主體 係為下列至少其中之一者··由釔或是釔之一氧化物製 37
    M316492 成，或是塗覆有釔或是釔之該氧化物。 1 3.如申請專利範圍第1項所述之襯墊，其中該凸緣係為多 角形。 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項所述之襯墊，其中該多角形凸 緣更包括：
    截去稜角之表徵（chamfered indices)。 15. —種適用於覆蓋一半導體製程腔之一内壁的至少一部 分之襯墊，該襯墊包括： 一圓柱狀主體，具有一上緣及一下緣，其中該圓柱狀 主體係為下列至少其中之一者：由釔或是釔之一氧化物製 成，或是塗覆有紀或是紀之該氧化物； 一凸緣，自該圓柱狀主體之該上緣而徑向地往外延伸； 一接合特徵結構（feature )，係形成於該下緣，並設置 成可與一第二襯墊組配； 一凹部，形成於該圓柱狀主體之一外表面；以及 一狹縫，係設置於該凹部中，並貫穿該圓柱狀主體。 1 6.如申請專利範圍第1 5項所述之襯墊，其更包括： 一突唇，係由該圓柱狀主體之一内表面而徑向地往内 延伸，並包括一上表面，該上表面内形成一 0形圈溝槽。 38
    M316492 1 7.如申請專利範圍第1 5項所述之襯墊，其中該凹部更包 括： 多個固定孔。 1 8.如申請專利範圍第1 5項所述之襯墊，其中該凸緣係為 多角形，且包括截去稜角之表徵（chamfered indices)。
    1 9.如申請專利範圍第1 5項所述之襯墊，其中該接合特徵 結構更包括一槽口接合（rabbetjoint)的一半。 20. —種適用於覆蓋一半導體製程腔之一内壁的至少一部 分之襯墊，該襯墊包括： 一圓柱狀鋁主體，具有一上緣、一下緣、一外壁以及 一内壁； 一塗層，該塗層至少為紀或纪之一氧化物其中之一， 並設置於該圓柱狀鋁主體之該内壁上； 一凸緣，自該圓柱狀鋁主體之該上緣而徑向地往外延 伸； 一階形之接合特徵結構，係形成於該下緣内，並設置 成可與一第二襯墊組配； 一突唇，係由該圓柱狀鋁主體之一内表面而徑向地往 内延伸，並包括一上表面，而該上表面内形成一 0形圈溝 39 M316492 修正補充 槽； 一凹部，形成於該圓柱狀鋁主體之 多個固定孔； 一凹處，係形成於該圓柱狀鋁主體 一孔洞，係設置於該凹處内，並貫I 以及 一狹缝，係設置於該凹部中，並貫I 一外表面，並具有 之該外壁内； 『該圓柱狀鋁主體； 『該圓柱狀鋁主體。
    40 M316492 七、指定代表圖： (一） 、本案指定代表圖為：第（9)圖。 (二） 、本代表圖之元件代表符號簡單說明：
    116 外襯墊 902 上襯墊 904 下襯墊 906 凹槽（或風門） 908 上緣 910 下緣 912 凸緣 914 主體 916 内壁 918 突唇 924 (可視窗）鑲嵌塊 926 固定件 928 孔洞 930 (門）鑲嵌塊 932 凹部 936 固定件 938 狹縫 940 狹缝
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