TWI840654B - 極紫外光光源裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明的課題，係提供可加快放電電流的上升的極紫外光光源裝置。
解決手段的極紫外光光源裝置，係具備陰極、陽極、電力供給裝置、支持陰極之金屬製的第1支持構造體、支持陽極之金屬製的第2支持構造體。電力供給裝置，係在陰極與陽極之間使放電發生，產生放出極紫外光的電漿。陰極係連結於金屬製的第1旋轉軸，陽極係連結於金屬製的第2旋轉軸。第1支持構造體，係具有第1支持壁部，與包圍第1旋轉軸的第1筒部。第2支持構造體，係具有第2支持壁部，與包圍第2旋轉軸的第2筒部。第1支持壁部與第2支持壁部，係相互重疊。於第1支持壁部形成被插入第2筒部的貫通孔，於第2支持壁部形成被插入第1筒部的貫通孔。
Description
本發明係關於極紫外光光源裝置。
近年來，隨著半導體積體電路的細微化及高積體化，曝光用光源的短波長化有所進展。作為次世代的半導體曝光用光源，尤其進行放射波長13.5nm之極紫外光(以下也稱為EUV(Extreme Ultra Violet))的極紫外光光源裝置(以下也稱為EUV光源裝置)的開發。
於EUV光源裝置中，公知有幾種產生EUV光(EUV放射)的方法。該等方法中之一，有藉由加熱並激發極紫外光放射種(以下也稱為EUV放射種)來產生高溫電漿，從該高溫電漿取出EUV光的方法。
採用此種方法的EUV光源裝置係根據高溫電漿的生成方式，區分成LDD(Laser Produced Plasma：雷射生成電漿)方式與DPP(Discharge Produced Plasma：放電生成電漿)方式。
DPP方式的EUV光源裝置係對被供給包含EUV放射種(氣相的電漿原料)的放電氣體之電極間的間隙施加高電壓，藉由放電來生成高密度高溫電漿，利用從其放射之極紫外光者。作為DPP方式，例如專利文獻1所記載般，提案有對產生放電的電極表面供給液體狀的高溫電漿原料(例如Sn(錫))，對於該原料照射雷射光束等的能量束，使該原料汽化，之後，藉由放電生成高溫電漿的方法。此種方式也被稱為LDP(Laser Assisted Discharge Plasma)方式。
在專利文獻1所記載的技術中，為了減輕電極的熱負載，使用一對圓板狀的旋轉電極。該等電極係以接近周緣部之方式配置。對於旋轉電極，以一定週期(例如4kHz以上)施加用以放電的脈衝電力，以一定週期生成放出極紫外光的電漿。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2017-103120號公報
[發明所欲解決之課題]
對於為了能量效率佳地產生電漿(減少電漿產生所需之能量的損失)來說，被期待加快兩旋轉電極間之放電電流的上升。
因此，本發明的目的係提供可加快放電電流的上升的極紫外光光源裝置。
[用以解決課題之手段]
本發明之一樣態的極紫外光光源裝置，係具備圓板狀的陰極；金屬製的第1旋轉軸，係連結前述陰極；圓板狀的陽極，係配置於離開前述陰極的位置；金屬製的第2旋轉軸，係連結前述陽極；第1錫供給部，係於前述陰極塗層液相的錫；第2錫供給部，係於前述陽極塗層液相的錫；能量束照射裝置，係對被塗層於前述陰極的錫照射能量束，使前述錫汽化，以使前述陰極與前述陽極之間的間隙產生氣相的錫；電力供給裝置，係對前述陰極與前述陽極供給電力，在前述陰極與前述陽極之間產生放電，使前述陰極與前述陽極之間的間隙，產生放出極紫外光的電漿；金屬製的第1支持構造體，係支持前述陰極；及金屬製的第2支持構造體，係支持前述陽極。前述第1支持構造體與前述第2支持構造體，係相互不接觸。前述第1支持構造體，係具有第1支持壁部，與從前述第1支持壁部突出，包圍前述第1旋轉軸的第1筒部，前述第1筒部係配置於前述第1支持壁部與前述陰極之間。前述第2支持構造體，係具有第2支持壁部，與從前述第2支持壁部突出，包圍前述第2旋轉軸的第2筒部，前述第2筒部係配置於前述第2支持壁部與前述陽極之間。前述第1支持壁部與前述第2支持壁部，係相互重疊。於前述第1支持壁部形成被插入前述第2筒部的貫通孔，於前述第2支持壁部形成被插入前述第1筒部的貫通孔。
於此樣態中，可加快流通於陰極與陽極之間的放電電流的上升。因此，電漿產生所需之能量的損失減少，可提升產生之極紫外光的亮度。可加快放電電流的上升的原理，係雖然不一定確實，但可如下所述般推估。分別支持陰極與陽極之金屬製的第1支持構造體與第2支持構造體，係構成在陰極與陽極之間產生放電的放電電路。在此樣態中，第1支持構造體的第1支持壁部與第2支持構造體的第2支持壁部相互重疊，於一方的支持構造體之支持壁部的貫通孔，插入另一方的支持構造體的筒部。藉此，可使金屬製的第1支持構造體與第2支持構造體，尤其是第1支持壁部與第2支持壁部非常接近。如此藉由往反方向流通電流的物體配置成非常接近，抵消第1支持構造體與第2支持構造體的磁動勢。所以，推估可縮小放電電路整體的電感，可加快放電電流的上升。
理想為前述第1支持構造體，係具有從前述第1支持壁部突出，對向於前述第2支持壁部的外周面的外壁部。
此時，第1支持構造體與第2支持構造體的接近部分會增加，所以，進而抵消第1支持構造體與第2支持構造體的磁動勢。
理想為前述第2支持構造體，係具有從前述第2支持壁部突出，對向於前述第1支持壁部的外周面的外壁部。
此時，第1支持構造體與第2支持構造體的接近部分會增加，所以，進而抵消第1支持構造體與第2支持構造體的磁動勢。
理想為在前述第1支持構造體與前述第2支持構造體之間，配置絕緣體。
此時，第1支持構造體與第2支持構造體被絕緣，適切維持該等之間的間隔。
理想為更具備：金屬製的支持基材，係支持前述第1支持構造體與前述第2支持構造體；
前述支持基材與前述第1支持構造體之間的間隙、及前述支持基材與前述第2支持構造體之間的間隙的至少一方，係以電容器封堵。
此時，於放電電路的周圍配置電容器，所以，可更加減少放電電路整體的電感。
[發明的效果]
於本發明的樣態中，可加快放電電流的上升。
以下，一邊參照添附圖式，一邊說明本發明的各種實施形態。圖式的比例不一定正確，也有一部分的特徵誇張表示或省略之狀況。
極紫外光光源裝置(EUV光源裝置)1係可使用來作為半導體裝置製造之微影裝置的光源裝置或微影所使用之遮罩的檢查裝置的光源裝置者，且放出例如波長13.5nm的極紫外光(EUV光)的裝置。
實施形態的EUV光源裝置1係DDP方式的EUV光源裝置。更具體來說，EUV光源裝置係對產生放電之一對電極的表面供給之液相的電漿原料照射雷射光束等的能量束，使電漿原料汽化，之後，藉由電極間的放電生成高溫電漿。從電漿放出EUV光。
如圖1及圖2所示，EUV光源裝置1係具有一對放電電極21a、21b。放電電極21a、21b係同形狀同大小的圓板，放電電極21a使用來作為陰極，放電電極21b使用來作為陽極。放電電極21a、21b係例如由鎢、鉬、鉭等的高熔點金屬所形成。
放電電極21a、21b係配置於相互隔開的位置，放電電極21a、21b的周緣部接近。在陰極21a的周緣部與陽極21b的周緣部最接近的位置中，在陰極21a與陽極21b之間的間隙中，會產生放電，伴隨其而產生高溫電漿。以下，將位於陰極21a的周緣部與陽極21b的周緣部最接近的位置之陰極21a與陽極21b之間的間隙稱為「放電區域D」。
陰極21a係連結於馬達22a的旋轉軸(第1旋轉軸)23a，繞陰極21a的軸線旋轉。陽極21b係連結於馬達22b的旋轉軸(第2旋轉軸)23b，繞陽極21b的軸線旋轉。如此，放電電極21a、21b係藉由別個的馬達22a、22b分別驅動。馬達22a、22b的旋轉軸23a、23b係為金屬製。
馬達22a、22b的旋轉係藉由控制部15控制。
EUV光源裝置1係具有貯留電漿原料即液相之錫25a的錫槽26a，與貯留液相之錫25b的錫槽26b。對錫槽26a、26b，供給被加熱之液相的錫25a、25b。
陰極21a的下部係被錫槽26a內的錫25a浸漬，陽極21b的下部係被錫槽26b內的錫25b浸漬。所以，於放電電極21a、21b附著電漿原料即液相的錫(Sn)。伴隨放電電極21a、21b的旋轉，液相的錫25a、25b係被輸送至應產生高溫電漿的放電區域D。
所以，錫槽26a單體，或錫槽26a與馬達22a的組合係具有作為於陰極21a塗層液相的電漿原料的第1錫供給部之功能。同樣地，錫槽26b單體，或錫槽26b與馬達22b的組合係具有作為於陽極21b塗層液相的電漿原料的第2錫供給部之功能。但是，作為原料供給部，並不限定於此實施形態的類型，作為其他類型亦可。
EUV光源裝置1係具有對被塗層於陰極21a的錫25a照射能量束，使錫25a汽化的雷射(能量束照射裝置)28。雷射28係例如Nd：YVO4
雷射(Neodymium-doped Yttrium Orthovanadate 雷射)，發出紅外雷射光束。但是，能量束照射裝置係作為發出可使錫25a汽化之雷射光束以外的光束的裝置亦可。
雷射28所致之雷射光束的照射時機係藉由控制部15控制。
從雷射28放出的紅外雷射光束L係被導引至可動鏡片31。在雷射28與可動鏡片31之間，典型上配置聚光手段。聚光手段係具有例如聚光透鏡29。
紅外雷射光束L係藉由可動鏡片31反射，照射至放電區域D附近之陰極21a的外周面。
以可動鏡片31反射之紅外雷射光束L係從陽極21b側朝向陰極21a行進，通過陽極21b的外周面附近之後，到達陰極21a的外周面。以不干擾紅外雷射光束L的行進之方式，陽極21b係比陰極21a，往圖1的上側退避。
放電區域D附近之陰極21a的外周面所塗層之液相的錫25a係因為紅外雷射光束L的照射而汽化，氣相的電漿原料會產生於放電區域D。
為了在放電區域D產生高溫電漿(為了電漿化氣相的電漿原料)，脈衝電力供給部(電力供給裝置)35對陰極21a與陽極21b供給電力，在陰極21a與陽極21b之間產生放電。脈衝電力供給部35係週期性地將脈衝電力供給至放電電極21a、21b。
在此實施形態中，從脈衝電力供給部35延伸之2條供電線係分別連接於錫槽26a、26b。錫槽26a、26b係從導電性材料形成，錫槽26a、26b之內部的錫25a、25b也是導電性材料、錫。放電電極21a、21b被浸漬於錫槽26a、26b之內部的錫25a、25b。所以，脈衝電力供給部35對錫槽26a、26b供給脈衝電力的話，結果上脈衝電力會被供給至放電電極21a、21b。
在陰極21a與陽極21b之間發生放電時，放電區域D之氣相的電漿材料藉由大電流被加熱激發，產生高溫電漿。又，藉由高熱，放電區域D附近之陽極21b的外周面所塗層之液相的錫25b也被電漿化。
從高溫電漿放出EUV光E。EUV光E係在其他光學系裝置(微影裝置或遮罩的檢查裝置)使用。
脈衝電力供給部35係對放電電極21a、21b以一定週期(例如4kHz以上)施加用以放電的脈衝電力，在放電區域D中，以一定週期生成放出EUV光E的電漿。
接著，詳細說明支持放電電極21a、21b與旋轉軸23a、23b的支持構造。
EUV光源裝置1係具備支持陰極21a之金屬製的第1支持構造體40，與支持陽極21b之金屬製的第2支持構造體50。第1支持構造體40與第2支持構造體50係相互不接觸，藉由配置於兩者之間的複數絕緣體60絕緣。
如圖1～圖3所示，第1支持構造體40係具有第1支持壁部41，與從第1支持壁部41突出，包圍第1旋轉軸23a的第1筒部42。第1筒部42係配置於第1支持壁部41與陰極21a之間。
在此實施形態中，第1支持壁部41係矩形的平板。但是，第1支持壁部41的輪廓不是矩形亦可。在此實施形態中，第1筒部42係具有中空的四角筒的形狀。但是，第1筒部42係具有圓筒等其他筒的形狀亦可。又，在此實施形態中，第1筒部42係完全包圍旋轉軸23a，但是，於第1筒部42形成孔洞或缺口亦可。
於第1筒部42的第1支持壁部41相反側的端部設置端壁43，於端壁43安裝軸承B1。軸承B1係支持固定於陰極21a的旋轉軸23a。雖未圖示，但於軸承B1的周圍，為了將放電區域D維持在真空狀態，設置密封構件。端壁43也使用來作為錫槽26a的壁部。
如圖1、圖2及圖4所示，第2支持構造體50係具有第2支持壁部51，與從第2支持壁部51突出，包圍第2旋轉軸23b的第2筒部52。第2筒部52係配置於第2支持壁部51與陽極21b之間。
在此實施形態中，第2支持壁部51係矩形的平板。但是，第2支持壁部51的輪廓不是矩形亦可。在此實施形態中，第2筒部52係具有中空的四角筒的形狀。但是，第2筒部52係具有圓筒等其他筒的形狀亦可。又，在此實施形態中，第2筒部52係完全包圍旋轉軸23a，但是，於第2筒部52形成孔洞或缺口亦可。
於第2筒部52的第2支持壁部51相反側的端部設置端壁53，於端壁53安裝軸承B3。軸承B3係支持固定於陽極21b的旋轉軸23b。雖未圖示，但於軸承B3的周圍，為了將放電區域D維持在真空狀態，設置密封構件。端壁53也使用來作為錫槽26b的壁部。
第1支持壁部41與第2支持壁部51係相互重疊。在此實施形態中，第2支持壁部51比第1支持壁部41配置於更靠放電電極21a、21b的附近，於第2支持壁部51，形成被插入第1筒部42的貫通孔55。在此實施形態中，第1筒部42與第2筒部52係配置成幾乎相互平行，旋轉軸23a、23b也配置成幾乎相互平行。
固定於陰極21a之馬達22a的旋轉軸23a係藉由配置於第1支持構造體40的第1筒部42之端壁43的軸承B1，與配置於第1支持構造體40的第1支持壁部41的軸承B2支持。
固定於陽極21b之馬達22b的旋轉軸23b係藉由配置於第2支持構造體50的第2筒部52之端壁53的軸承B3，與配置於第1支持構造體40的第1支持壁部41的軸承B4支持。於第2支持構造體50的第2支持壁部51，形成有旋轉軸23b通過的貫通孔56。代替配置於第1支持壁部41的軸承B4，或者除了軸承B4，於貫通孔56配置支持旋轉軸23b的軸承亦可。
在此實施形態中，第2支持構造體50係具有從第2支持壁部51突出，對向於第1支持壁部41的外周面的兩個外壁部57。兩個外壁部57係配置於第2支持壁部51的兩側部，對向於第1支持壁部41的兩側面。但是，外壁部57配置於第2支持壁部51的上部與下部，對向於第1支持壁部41的上面與下面亦可。該等外壁部57係涵蓋全周包圍第1支持壁部41亦可。
EUV光源裝置1係更具備支持第1支持構造體40與第2支持構造體50之金屬製的支持基材65。支持基材65與第1支持構造體40之間的間隙、及支持基材65與第2支持構造體50之間的間隙係以電容器66封堵。
支持基材65係為EUV光源裝置1之處理室(框體)的一部分。處理室係由剛體例如金屬所形成，於處理室內，配置放電電極21a、21b、錫槽26a、26b、筒部42、52。處理室11的內部係為了抑制EUV光E的衰減而設為真空。如上所述，於軸承B1、B3的周圍，為了將放電區域D維持在真空狀態，設置密封構件(未圖示)。
發明者係進行調查實施形態之EUV光源裝置1之放電電流的上升的實驗。
圖5係作為比較例所使用之EUV光源裝置的概略圖。在圖5的比較例中，固定於陰極21a的旋轉軸23a係被金屬製的第1筒部42包圍，固定於陽極21b的旋轉軸23b係被金屬製的第2筒部52包圍。但是，於該比較例，沒有相當於第1支持壁部41者，也沒有相當於第2支持壁部51者。固定於陰極21a之馬達22a的旋轉軸23a係藉由配置於第1筒部42之一方的端壁43的軸承B1，與配置於第1筒部42之另一方的端壁的軸承B2支持。固定於陽極21b之馬達22b的旋轉軸23b係藉由配置於第2筒部52之一方的端壁53的軸承B3，與配置於第2筒部52之另一方的端壁的軸承B4支持。第1筒部42與第2筒部52係以支持基材65支持。第1筒部42與第2筒部52與支持基材65係不接觸，藉由複數絕緣體60絕緣。
圖6係揭示實施形態的EUV光源裝置1之放電電極21a、21b間所產生之放電時的電流波形，與EUV光E之放射能量的變化的圖表。圖7係揭示圖5的比較例的EUV光源裝置之放電電極21a、21b間所產生之放電時的電流波形，與EUV光E之放射能量的變化的圖表。
由圖6及圖7可知，相較於比較例，於實施形態中，可加快流通於陰極21a與陽極21b之間的放電電流的上升。因此，電漿產生所需之能量的損失減少，可提升產生之EUV光E的亮度。
實施形態可加快放電電流的上升的原理，係雖然不一定確實，但可如下所述般推估。分別支持陰極21a與陽極21b之金屬製的第1支持構造體40與第2支持構造體50係構成在陰極21a與陽極21b之間產生放電的放電電路。連結放電電極21a、21b的旋轉軸23a、23b，與接觸旋轉軸23a、23b的軸承B1～B4也是金屬製，構成放電電路。
第1支持構造體40的第1支持壁部41與第2支持構造體50的第2支持壁部51相互重疊，於第2支持構造體50之第2支持壁部51的貫通孔55，插入第1支持構造體40的第1筒部42。藉此，可使金屬製的第1支持構造體40與第2支持構造體50，尤其是第1支持壁部41與第2支持壁部51非常接近。如此藉由往反方向流通電流的物體配置成非常接近，抵消第1支持構造體40與第2支持構造體50的磁動勢。所以，推估可縮小放電電路整體的電感，可加快放電電流的上升。
又，在此實施形態中，第2支持構造體50係具有從第2支持壁部51突出，對向於第1支持壁部41的外周面的外壁部57。所以，第1支持構造體40與第2支持構造體50的接近部分會增加，所以，進而抵消第1支持構造體40與第2支持構造體50的磁動勢，放電電路整體的電感進而變小。
在此實施形態中，在第1支持構造體40與第2支持構造體50之間，配置絕緣體60。所以，第1支持構造體40與第2支持構造體50被絕緣，適切維持該等之間的間隔。
又，在此實施形態中，第1支持構造體40與第2支持構造體50以金屬製的支持基材65支持，支持基材65與第1支持構造體40之間的間隙、及支持基材65與第2支持構造體50之間的間隙係以電容器66封堵。如此，於放電電路的周圍配置電容器66，所以，可更加減少放電電路整體的電感。
圖8係揭示本發明之其他實施形態的EUV光源裝置1A。在此EUV光源裝置1A中，與EUV光源裝置1相反，第1支持壁部41比第2支持壁部51配置於更靠放電電極21a、21b的附近，於第1支持壁部41，形成被插入第2筒部52的貫通孔45。
在此實施形態中，第1支持構造體40的第1支持壁部41與第2支持構造體50的第2支持壁部51也相互重疊，於第1支持構造體40之第1支持壁部41的貫通孔45，插入第2支持構造體50的第2筒部52。藉此，可使金屬製的第1支持構造體40與第2支持構造體50，尤其是第1支持壁部41與第2支持壁部51非常接近。可推估如此藉由往反方向流通電流的物體配置成非常接近，抵消第1支持構造體40與第2支持構造體50的磁動勢。
又，在此實施形態中，第2支持構造體50係具有從第2支持壁部51突出，對向於第1支持壁部41的外周面的外壁部57。所以，第1支持構造體40與第2支持構造體50的接近部分會增加，所以，進而抵消第1支持構造體40與第2支持構造體50的磁動勢，放電電路整體的電感進而變小。
在此實施形態中，固定於陰極21a之馬達22a的旋轉軸23a係藉由配置於第1支持構造體40的第1筒部42之端壁43的軸承B1，與配置於第2支持構造體50的第2支持壁部51的軸承B2支持。於第1支持構造體40的第1支持壁部41，形成有旋轉軸23a通過的貫通孔46。代替配置於第2筒部52的軸承B2，或者除了軸承B2之外，於貫通孔46配置支持旋轉軸23a的軸承亦可。
固定於陽極21b之馬達22b的旋轉軸23b係藉由配置於第2支持構造體50的第2筒部52之端壁53的軸承B3，與配置於第2支持構造體50的第2支持壁部51的軸承B4支持。
圖9係揭示本發明之其他實施形態的EUV光源裝置1B。在此EUV光源裝置1B中，第1支持構造體40係具有從第1支持壁部41突出，對向於第2支持壁部51的外周面的兩個外壁部47。兩個外壁部47係配置於第1支持壁部41的兩側部，對向於第2支持壁部51的兩側面。但是，外壁部47配置於第1支持壁部41的上部與下部，對向於第2支持壁部51的上面與下面亦可。該等外壁部47係涵蓋全周包圍第2支持壁部51亦可。
圖10係揭示本發明之其他實施形態的EUV光源裝置1C。在此EUV光源裝置1C中，為了讓對陰極21a的外周面照射紅外雷射光束L變得容易，放電電極21a、21b的軸線並不平行。旋轉軸23a、23b的間隔係馬達側窄，電極側變寬。所以，第1筒部42係對於第1支持壁部41傾斜，第2筒部52係對於第2支持壁部51傾斜。
其他變形例
以上，一邊參照本發明的理想實施形態一邊圖示本發明進行說明，但是，對於該發明所屬技術領域中具有通常知識者可理解不脫離申請專利範圍明確記載之發明的範圍，進行形式及詳細內容的變更。此種變更、改變及修正也應包含於本發明的範圍。
例如，前述的實施形態只要不矛盾，也可組合。
1:極紫外光光源裝置(EUV光源裝置)
1A:極紫外光光源裝置(EUV光源裝置)
1B:極紫外光光源裝置(EUV光源裝置)
1C:極紫外光光源裝置(EUV光源裝置)
15:控制部
21a:陰極
21b:陽極
22a:馬達(第1錫供給部)
22b:馬達(第2錫供給部)
23a:旋轉軸(第1旋轉軸)
23b:旋轉軸(第2旋轉軸)
25a:錫
25b:錫
26a:錫槽(第1錫供給部)
26b:錫槽(第2錫供給部)
28:雷射(能量束照射裝置)
29:聚光透鏡
31:可動鏡片
35:脈衝電力供給部(電力供給裝置)
40:第1支持構造體
41:第1支持壁部
42:第1筒部
43:端壁
45:貫通孔
47:外壁部
50:第2支持構造體
51:第2支持壁部
52:第2筒部
53:端壁
55:貫通孔
56:貫通孔
57:外壁部
60:絕緣體
65:支持基材
66:電容器
L:紅外雷射光束
E:EUV光
P:電漿
D:放電區域
B1:軸承
B2:軸承
B3:軸承
B4:軸承
[圖1]本發明的實施形態之極紫外光光源裝置的概略圖，揭示支持陰極的第1支持構造體與支持陽極的第2支持構造體的剖面。
[圖2]實施形態之極紫外光光源裝置的陰極、第1支持構造體、陽極及第2支持構造體的立體圖。
[圖3]陰極及第1支持構造體的立體圖。
[圖4]陽極及第2支持構造體的立體圖。
[圖5]比較例之極紫外光光源裝置的概略圖。
[圖6]揭示實施形態的極紫外光光源裝置之旋轉電極間所產生之放電時的電流波形的圖表。
[圖7]揭示比較例的極紫外光光源裝置之旋轉電極間所產生之放電時的電流波形的圖表。
[圖8]本發明的其他實施形態之極紫外光光源裝置的概略圖，揭示支持陰極的第1支持構造體與支持陽極的第2支持構造體的剖面。
[圖9]本發明的另其他實施形態之極紫外光光源裝置的概略圖，揭示支持陰極的第1支持構造體與支持陽極的第2支持構造體的剖面。
[圖10]本發明的另其他實施形態之極紫外光光源裝置的概略圖，揭示支持陰極的第1支持構造體與支持陽極的第2支持構造體的剖面。
1:極紫外光光源裝置
15:控制部
21a:陰極
21b:陽極
22a:馬達
22b:馬達
23a:旋轉軸
23b:旋轉軸
25a:錫
25b:錫
26a:錫槽
26b:錫槽
28:雷射
29:聚光透鏡
31:可動鏡片
35:脈衝電力供給部
40:第1支持構造體
41:第1支持壁部
42:第1筒部
43:端壁
50:第2支持構造體
51:第2支持壁部
52:第2筒部
53:端壁
55:貫通孔
56:貫通孔
57:外壁部
60:絕緣體
65:支持基材
66:電容器
L:紅外雷射光束
E:EUV光
D:放電區域
B1:軸承
B2:軸承
B3:軸承
B4:軸承
Claims (5)
- 一種極紫外光光源裝置，其特徵為具備： 圓板狀的陰極； 金屬製的第1旋轉軸，係連結前述陰極； 圓板狀的陽極，係配置於離開前述陰極的位置； 金屬製的第2旋轉軸，係連結前述陽極； 第1錫供給部，係於前述陰極塗層液相的錫； 第2錫供給部，係於前述陽極塗層液相的錫； 能量束照射裝置，係對被塗層於前述陰極的錫照射能量束，使前述錫汽化，以使前述陰極與前述陽極之間的間隙產生氣相的錫； 電力供給裝置，係對前述陰極與前述陽極供給電力，在前述陰極與前述陽極之間產生放電，使前述陰極與前述陽極之間的間隙，產生放出極紫外光的電漿； 金屬製的第1支持構造體，係支持前述陰極；及 金屬製的第2支持構造體，係支持前述陽極； 前述第1支持構造體與前述第2支持構造體，係相互不接觸； 前述第1支持構造體，係具有第1支持壁部，與從前述第1支持壁部突出，包圍前述第1旋轉軸的第1筒部，前述第1筒部係配置於前述第1支持壁部與前述陰極之間； 前述第2支持構造體，係具有第2支持壁部，與從前述第2支持壁部突出，包圍前述第2旋轉軸的第2筒部，前述第2筒部係配置於前述第2支持壁部與前述陽極之間； 前述第1支持壁部與前述第2支持壁部，係相互重疊； 於前述第1支持壁部形成被插入前述第2筒部的貫通孔，或於前述第2支持壁部形成被插入前述第1筒部的貫通孔。
- 如請求項1所記載之極紫外光光源裝置，其中， 前述第1支持構造體，係具有從前述第1支持壁部突出，對向於前述第2支持壁部的外周面的外壁部。
- 如請求項1所記載之極紫外光光源裝置，其中， 前述第2支持構造體，係具有從前述第2支持壁部突出，對向於前述第1支持壁部的外周面的外壁部。
- 如請求項1所記載之極紫外光光源裝置，其中， 在前述第1支持構造體與前述第2支持構造體之間，配置絕緣體。
- 如請求項1所記載之極紫外光光源裝置，其中，更具備： 金屬製的支持基材，係支持前述第1支持構造體與前述第2支持構造體； 前述支持基材與前述第1支持構造體之間的間隙、及前述支持基材與前述第2支持構造體之間的間隙的至少一方，係以電容器封堵。
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