TWI830789B - 除害裝置、除害裝置的配管部的更換方法及除害裝置的配管的清洗方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供能夠抑制因配管的壁面的腐蝕而導致的裝置性能下降、裝置整體故障的除害裝置和該除害裝置的配管部的更換方法及配管的清洗方法。除害裝置(100)具有形成供處理氣體流動的流路(103)的內壁(104)，還具備：第一配管(130)，形成流路(103)的一部分；能夠更換的配管部170，形成流路(103)的一部分，且位於比第一配管(130)的流路(103)更靠下游側並與第一配管(130)連接，配管部具有對將附著於內壁(104)的固體生成物去除的清洗水進行噴灑的第一段噴灑部(174)；及第二配管(150)，形成流路(103)的一部分，且位於比配管部(170)的流路(103)更靠下游側並與配管部(170)連接。
Description
本發明有關一種除害裝置、除害裝置的配管部的更換方法及除害裝置的配管的清洗方法。
真空泵裝置作為半導體、液晶、太陽能板、LED等的製造設備的一種而被廣泛使用。在這些產品的製造步驟中，真空泵連接到真空腔室，對真空腔室內的處理氣體進行真空吸引。真空泵進行真空吸引的處理氣體中，存在含有矽烷氣體(SiH4)、二氯矽烷氣體(SiH2Cl2)、氨氣(NH3)等有害可燃性氣體，或者NF3、ClF3、SF6、CHF3、C2F6、CF4等鹵素難分解性氣體的情況。在該情況下，不能將真空泵進行真空吸引的處理氣體就這樣直接向大氣中排放。因此，在真空泵的後段設置除害裝置，除害裝置對真空吸引的處理氣體進行無害化處理。作為處理氣體的無害化處理，已知有使處理氣體和液體接觸從而將異物、水溶性成分等去除的濕式處理，和將處理氣體進行燃燒的燃燒式處理等。
另外，從真空泵被排氣的處理氣體中，存在因在真空腔室內的反應等而被凝固的物質或容易凝固的物質作為反應副生成物而混入的情況。這樣的生成物如果進入除害裝置，可能會導致配管及除害裝置堵塞，或者導致除害裝置的處理效率降低。因此，存在有在真空泵裝置和除害裝置之間設置用於將異物除掉的異物去除機構的情況。
作為異物去除機構一例，已知有風扇洗滌器。風扇洗滌器具備對處理氣體進行攪拌的風扇、對風扇進行驅動的電動機及將液體噴出的噴嘴。風扇洗滌器藉由從噴嘴噴出的液體捕捉異物。風扇洗滌器在作為異物去除機構起作用的同時，也作為濕式除害裝置而起作用。
這裡，處理氣體中，存在含有氯化鋁(AlCl3)、氯化銨(NH4Cl)、四乙矽基酸鹽(TEOS)等的情況。由於這些處理氣體在常溫下的蒸汽壓較低，在溫度下降的除害裝置的配管的內部由這些處理氣體生成了固體生成物。並且，由於該固體生成物附著於配管的壁面，有可能將配管堵塞。另外，處理氣體中，存在含有用於蝕刻Al配線的BCl3、用Cl系氣體對多晶矽進行蝕刻的情況下排出的SiCl4等的情況。由於這些處理氣體和水反應而生成固體生成物，在除害裝置的內部潮濕的情況下，該固體生成物可能將配管阻塞。因此，需要去除附著於配管的壁面的固體生成物，已知有具有去除附著於配管的壁面的固體生成物功能的除害裝置。
例如，作為包含具有去除配管內的固體生成物功能的除害裝置的系統的一例，已知有專利文獻1所記載的廢氣處理系統。專利文獻1所記載的廢氣處理系統具有：半導體製造裝置；用於將從自半導體製造裝置排出氣體(處理氣體)排出的真空泵；濕式廢氣體處理裝置；將真空泵與濕式廢氣體處理裝置進行連接的第二管；以及設置於第二管的固體生成物去除裝置。該固體生成物去除裝置的特徵是具備清洗水導入管，該清洗水導入管具有位於第二管內的頂端開
口，該清洗水導入管從頂端開口將清洗水向第二管的內面供給。由此，在氣體(處理氣體)與管內的水分反應並在第二管的內面附著有固體生成物的情況下，固體生成物去除裝置能夠藉由從頂端開口供給的清洗水將該固體生成物洗落。
專利文獻1：日本專利第4012818號
如上所述，專利文獻1所記載的廢氣處理系統利用清洗水將附著於配管的壁面的固體生成物去除。因此，配管的壁面在進行固體生成物的去除時，因清洗水而濕潤。另一方面，在不進行固體生成物的去除時，配管的壁面乾燥。因此，在清洗水流動的配管的壁面的部分，即在對清洗水進行供給的頂端開口附近的部分，配管的壁面的潮濕乾燥頻繁地發生。即，在對清洗水進行供給的頂端開口附近的部分，因配管的壁面的潮濕乾燥而導致的腐蝕，與其他的配管的部分相比可能會較多的發生。在發生腐蝕的狀態下，如果使用除害裝置，可能有裝置的性能下降、發生裝置整體的故障。
另外，如果潮濕乾燥頻繁發生的配管的壁面的部分施加有PFA塗層的話，則認為能夠抑制該部分的腐蝕。但是，用於對清洗水進行供給的頂端開口是設置於第二管的內面的用於供清洗水流動的孔。因此，由於使清洗水反復從頂端開口流動，塗層可能以頂端開口的邊緣為起點而脫落。並且，可能從該脫落的部分發生配管的壁面的腐蝕。即，無論是否有PFA塗層，對清洗水進行供給的開口附近的部分的腐蝕比其他的配管的部分發生得更早。
因此，本發明鑒於上述的課題，其目的在於提供一種除害裝置、除害裝置的配管部的更換方法及除害裝置的配管的清洗方法，能夠抑制因配管的壁面的腐蝕而引起的裝置的性能下降、裝置整體的故障。
本發明的除害裝置具有形成供處理氣體流動的流路的內壁，並且還具備：第一配管，係形成前述流路的一部分；能夠更換的配管部，係形成前述流路的一部分，並且相比前述第一配管位於前述流路的下游側並與前述第一配管連接，該配管部具有對將附著於前述內壁的固體生成物去除的清洗水進行噴灑的第一段噴灑部；以及第二配管，係形成前述流路的一部分，並且相比前述配管部位於前述流路的下游側並與前述配管部連接。
本發明的除害裝置的配管部的更換方法所使用的除害裝置具備：內壁，係形成供處理氣體流動的流路；第一配管，係形成前述流路的一部分；能夠更換的配管部，係形成前述流路的一部分，並且相比前述第一配管位於前述流路的下游側並與前述第一配管連接，該配管部具有對將附著於前述內壁的固體生成物去除的清洗水進行噴灑的第一段噴灑部；以及第二配管，係形成前述流路的一部分，並且相比前述配管部位於前述流路的下游側並與前述配管部連接，前述除害裝置的配管部的更換方法具有對前述配管部進行更換的步驟。
本發明的除害裝置的配管的清洗方法所使用的除害裝置具有形成供處理氣體流動的流路的內壁，並且還具備：第一段噴灑部，係對將附著於前述內壁的固體生成物去除的清洗水進行噴灑；第二段噴灑部，係相比前述第一段噴灑部位於上游側，對將附著於比前述第一段噴灑部更靠上游側的前述內壁的固體生成物去除的清洗水進行噴灑；以及壓力感測器，係對比前述第一段噴灑部更靠上游側的前述流路內的壓力進行測量，前述除害裝置的配管的清洗方法包含有下列步驟：在前述壓力感測器測量出比預先設定的閾值高的壓力時，前述第
一段噴灑部進行噴灑的步驟；以及在流動於前述流路且會造成固體生成物產生的處理氣體停止時，前述第二段噴灑部進行噴灑的步驟。
100‧‧‧除害裝置
101‧‧‧氣體吸入口
102‧‧‧氣體排出口
103、303‧‧‧流路
104、304‧‧‧內壁
105‧‧‧空洞
110‧‧‧風扇洗滌器
111‧‧‧外殼
111a‧‧‧配管連接口
111b‧‧‧氣體排出口
111c‧‧‧液體排出口
112‧‧‧風扇
113‧‧‧液體供給路
115‧‧‧密封電動機
116‧‧‧主軸
117‧‧‧轉子
118‧‧‧定子
119‧‧‧電動機外殼
120‧‧‧罩
130、330‧‧‧第一配管
131、151、171‧‧‧主體
132、133、152、153、172、173‧‧‧凸緣
150、350‧‧‧第二配管
154‧‧‧PFA塗層
170、370‧‧‧配管部
174‧‧‧噴灑部
190‧‧‧噴霧器
210、410‧‧‧加熱器
230、430‧‧‧O型環
250、450‧‧‧夾緊裝置
270、470‧‧‧封閉環
300‧‧‧除害裝置
371‧‧‧管狀的主體
374‧‧‧第一段噴灑部
375‧‧‧第二段噴灑部
390‧‧‧噴霧器
490‧‧‧壓力感測器
500‧‧‧氣體處理系統
501‧‧‧製造裝置
502‧‧‧乾燥泵
503‧‧‧第二除害裝置
504‧‧‧排氣管道
第1圖是具備本發明的第一實施方式的除害裝置的氣體處理系統的方塊圖。
第2圖是表示本發明的第一實施方式的除害裝置的結構的剖視圖。
第3圖是顯示在第2圖表示的除害裝置的第一配管、第二配管及配管部的周邊的放大剖視圖。
第4圖是表示本發明的第二實施方式的除害裝置的配管部的周邊的放大剖視圖。
以下，參照附圖對本發明的實施方式進行說明。在以下說明的附圖中，對相同或相當的結構要素標注相同的符號而省略重複的說明。
[第一實施方式]
<結構>
第1圖是具備本發明的第一實施方式的除害裝置的氣體處理系統的方塊圖。參照第1圖，氣體處理系統500具備製造裝置501、乾燥泵502、除害裝置100、第二除害裝置503及排氣管道504。以製造裝置501、乾燥泵502、除害裝置100、第二除害裝置503及排氣管道504的順序藉由配管連接。
在製造裝置501進行預定的處理的情況下，乾燥泵502從製造裝置501吸引處理氣體，並將該處理氣體向除害裝置100供給。除害裝置100及第二除害裝置503具有將處理氣體無害化的功能。另外，排氣管道504對從第二除害裝置
503流入的處理氣體進行排氣。即，在氣體處理系統500中，能夠將從製造裝置501排出的處理氣體無害化並排氣。
另外，製造裝置501與設置於製造裝置501後段的乾燥泵502、除害裝置100及第二除害裝置503電連接。並且，除害裝置100與乾燥泵502及第二除害裝置503電連接。由此，在氣體處理系統500中，製造裝置501、除害裝置100與乾燥泵502及第二除害裝置503進行電通信，彼此協同地動作。
第2圖是表示除害裝置100的結構的剖視圖。參照第2圖，除害裝置100具備風扇洗滌器110、第一配管130、第二配管150、配管部170及噴霧器190。除害裝置100具有將從氣體吸入口101吸入的處理氣體無害化，並將該被無害化後的處理氣體從氣體排出口102排出的功能。除害裝置100能夠利用於例如半導體、液晶、太陽能板、LED等的製造設備。
以下，對除害裝置100的各結構要素分別進行說明。
風扇洗滌器110具備外殼111、風扇112、液體供給路113、噴嘴114及密封電動機115。風扇洗滌器110具有藉由從噴嘴114噴出的清洗液對異物進行捕捉的功能、通過使處理氣體和清洗液接觸而將處理氣體無害化的功能。
作為外殼111的一例，具有將處理氣體吸入的配管連接口111a、將處理氣體排出的氣體排出口111b及將用於處理氣體的無害化的清洗液作為廢液排出的液體排出口111c。外殼111覆蓋風扇112，並劃定處理氣體的流路。
作為風扇112的一例，具有相對向的兩枚圓盤和設置於該圓盤之間的複數個葉片。風扇112具有藉由以圓盤的中心為中心而旋轉，從而在外殼111的內部攪拌處理氣體的功能。
作為液體供給路113的一例，從配管連接口111a向風扇112的旋轉軸(密封電動機115的主軸116)延伸，其一部分位於第二配管150的附近。在液體供給路
113的端部安裝有噴嘴114，液體供給路113將未圖示的壓送機構與噴嘴114連通。液體供給路113將從壓送機構供給的清洗液向噴嘴114供給。
噴嘴114上形成有複數個噴出口。噴嘴114在風扇112的內側設置為與風扇112的旋轉軸(密封電動機115的主軸116)相對。噴嘴114從複數個噴出口向風扇112的內部噴出清洗液。能夠使用水、用於清洗的公知的液體等作為清洗液。
密封電動機115具有主軸116、轉子117、配置於轉子117的外周的定子118、電動機外殼119及罩120。電動機外殼119收容轉子117和定子118。罩120在電動機外殼119內對配置有轉子117的轉子室和配置有定子118的定子室進行劃分。密封電動機115的主軸116與風扇112連接。因此，藉由密封電動機115旋轉，風扇112能夠旋轉。另外，電動機外殼119與外殼111直接連結。因此，除害裝置100不需要在外殼111和密封電動機115之間具有防止處理氣體從外殼111及密封電動機115的內部向外部洩漏的磁性流體密封。即，除害裝置100能夠防止具備磁性流體密封的情況下發生的磁性流體密封的部分洩漏。另外，即使在處理氣體沿著主軸116從外殼111的內部侵入密封電動機115的內部的情況下，由於定子118藉由罩120被劃分，因此處理氣體不會接觸到定子118。即，除害裝置100藉由外殼111的內部的處理氣體，能夠抑制密封電動機115破損。
第3圖是表示在第2圖顯示的除害裝置100的第一配管130、第二配管150及配管部170的周邊的放大剖視圖。參照第3圖，對第一配管130、第二配管150及配管部170的部分進行詳細說明。
參照第3圖，除害裝置100還具備加熱器210、O型環230及夾緊裝置250。
第一配管130、第二配管150及配管部170成為一體，形成供處理氣體流動的流路103。換言之，第一配管130、第二配管150及配管部170分別具有形成
供處理氣體流動的流路103的內壁104。如第3圖所示，流路103在上下方向上延伸，上游相比下游位於重力方向的上側。
作為第一配管130的一例，具有管狀的主體131和位於主體131的兩端的凸緣132及凸緣133。第一配管130形成流路103的一部分。凸緣132與未圖示的將處理氣體排出的裝置連接。
作為配管部170的一例，具有管狀的主體171和位於主體171的兩端的凸緣172及凸緣173。配管部170形成流路103的一部分，且相比第一配管130位於流路103的下游側。另外，配管部170由耐腐蝕金屬構成。由此，藉由將耐腐蝕性較強的耐腐蝕金屬用於配管部170，能夠降低需要更換配管部的頻率。另外，耐腐蝕金屬包含鉻鎳鐵合金、SUS316、用於配管的耐腐蝕性強的金屬材料等。鉻鎳鐵合金比SUS316的耐腐蝕性強。因此，配管部170是鉻鎳鐵合金的情況下，與配管部170是SUS316的情況相比，能夠降低需要更換配管部170的頻率。另一方面，配管部170是SUS316的情況下，相比配管部170是鉻鎳鐵合金的情況，配管部170的材料價格較低。配管部170的凸緣172和第一配管130的凸緣133藉由夾緊裝置250被固定。藉由該夾緊裝置250被固定的連接部位之間配置有O型環230。因此，配管部170和第一配管130的連接部位藉由夾緊裝置250而貼緊，並藉由O型環230而密封。另外，作為配管部170的一例，在第3圖的上下方向(重力方向)上延伸地配置。並且，配管部170將上方向作為上游側，將下方向作為下游側。另外，配管部170具有噴灑部174(第一段噴灑部)。作為噴灑部174的一例，是位於管狀的主體171的內壁104，並沿內壁104的切線方向延伸的貫通孔。噴灑部174在與配管部170的長度方向垂直的面上，在配管部170的內壁104的圓周方向上等間隔地設置有四個。換言之，複數個噴灑部174在第3圖的上下方向上，在配管部170的內壁104上的同一高度的位置的圓周上等間隔地設置。另外，在配管部170的外周，封閉環270以環繞的
狀態被固定。封閉環270的截面形狀是U字形狀。由此，在封閉環270和配管部170的外周之間形成有空洞105。空洞105覆蓋配管部170上的孔(噴灑部174)。即，由封閉環270形成的空洞105和孔(噴灑部174)連通。另外，對清洗水進行供給的清洗水導入管(圖示省略)連接到空洞105。藉由清洗水導入管向空洞105供給清洗水，噴灑部174對經由空洞105被供給的清洗水進行噴灑。並且，在噴灑部174對清洗水進行噴灑的情況下，清洗水沿著內壁104向流路103的下游方向流動。因此，清洗水能夠洗掉附著於內壁104的固體生成物。換言之，噴灑部174藉由對清洗水進行噴灑，能夠去除附著於內壁104的固體生成物。此外，作為清洗水的一例，雖然使用了水，但是也可以用清洗用的藥液。此外，在除害裝置100中，噴灑部174雖然具有如上所述的結構，但是噴灑部174能夠將清洗水向流路103噴灑就可以，也可以沒有上述的結構。例如，噴灑部174也可以是配置於流路103的內部的噴嘴狀的結構。
另外，噴灑部174在不對清洗水進行噴灑時，持續噴出乾燥氣體。更詳細而言，在清洗水的噴灑結束後的一定時間內，噴灑部174的乾燥氣體的噴出以恆定的第一流量進行，在經過一定時間後，噴灑部174的乾燥氣體的噴出以比第一流量少的第二流量進行。作為乾燥氣體，使用非活性氣體。更具體而言，將氮氣作為乾燥氣體而使用。
作為第二配管150的一例，具有管狀的主體151和位於主體151的兩端的凸緣152及凸緣153。另外，第二配管150的內壁104施加有PFA塗層154。由此，能夠抑制第二配管150的內壁104的腐蝕。另外，能夠使固體生成物難以附著於第二配管150的內壁104，並能夠在清洗水流過後使清洗水難以殘留於第二配管150的內壁104。第二配管150形成流路103的一部分，並且相比配管部170位於流路103的下游側。第二配管150的凸緣152和配管部170的凸緣173藉由夾緊裝置250被固定。在藉由該夾緊裝置250被固定的連接部位之
間配置有O型環230。由此，配管部170和第二配管150的連接部位藉由夾緊裝置250而貼緊，並藉由O型環230而密封。即，夾緊裝置250及O型環230能夠將配管部170和第二配管150藉由簡單的結構來連接。凸緣153與風扇洗滌器110的凸緣121(參照第2圖)連接。
由於除害裝置100具有如上所述的結構，因此從第一配管130的氣體吸入口101被吸入的處理氣體按照第一配管130、配管部170及第二配管150的順序通過，並被向風扇洗滌器110的配管連接口111a供給(參照第2圖)。
噴霧器190在流路103中比噴灑部174更靠下游側，配置於能夠向液體供給路113(參照第2圖)噴灑的位置。更詳細而言，噴霧器190配置於供被噴灑部174噴灑的清洗水流動的內壁104的部分的附近。在除害裝置100中，作為一例，噴霧器190配置於第二配管150的內部。噴霧器190藉由將清洗水向液體供給路113噴灑能夠將附著於液體供給路113的固體成形物去除。
加熱器210環繞於第一配管130、第二配管150及配管部170的外壁。加熱器210將內壁104加熱到預先設定的溫度。此外，預先設定的溫度是對應於除害裝置100所處理的處理氣體而被決定，從處理氣體難以形成固體形成物的溫度。換言之，在內壁104是預先設定的溫度的情況下，在內壁104難以形成固體形成物。
<關於固體生成物的去除動作>
接著，再次參照第2圖對除害裝置100的固體生成物的去除動作進行說明。
在除害裝置100中，如上所述，清洗液被從風扇洗滌器110的噴嘴114噴出。該清洗液從液體供給路113被供給。因此，液體供給路113的外表的溫度降低，在液體供給路113外壁容易附著固體生成物。因此，噴霧器190藉由向液體供給路113的外表面噴灑清洗水來去除附著於液體供給路113的外壁的固體生成物。
這裡，噴霧器190將清洗水擴散並噴灑。因此，清洗水的一部分變成水滴，附著於噴霧器190的附近的內壁104的部分。並且，在噴霧器190噴灑的清洗水的流量多的部分，該被噴灑的清洗水將成為水滴而附著於內壁104的清洗水沖走。因此，在清洗水的流量多的部分，由於在十分大的固體生成物生成前附著的清洗水的水滴被沖走，從處理氣體生成的固體生成物不會附著。另一方面，在噴霧器190噴灑的清洗水的流量少的部分，成為水滴附著於內壁104的清洗水沒有被充分地沖走。因此，在噴霧器190噴灑的清洗水的流量少的部分，和水滴進行反應的處理氣體有可能生成將流路大幅阻塞的固體生成物(例如，第2圖的固體生成物106)。但是，除害裝置100在噴霧器190的上游具備噴灑部174。因此，噴灑部174藉由對清洗水進行噴灑，使清洗水沿著內壁104在鉛直方向向下流動。並且，藉由清洗水在固體生成物附著的部分流動，噴灑部174能夠去除該附著的固體生成物。此外，噴灑部174對清洗水進行噴灑的時間、間隔能夠對應於處理氣體的成分、流路的大小及長度等而任意地決定。
另外，噴灑部174在清洗水的噴灑結束後的一定時間內，以第一流量噴出乾燥空氣。經過一定時間後，噴灑部174以第二流量噴出乾燥空氣。由此，除害裝置100在清洗水的噴灑結束後，藉由以比第二流量多的第一流量將乾燥氣體向噴灑部174噴出，能夠使被清洗水濕潤的內壁104更快地乾燥，並能夠防止因在清洗水導入後殘留於內壁104的清洗水導致的新的固體生成物的附著。另外，除害裝置100藉由在不從噴灑部174對清洗水進行噴灑時，總是從噴灑部174噴出乾燥空氣來防止處理氣體進入噴灑部174。另外，加熱器210對內壁104進行加熱。藉由該動作，也可以使內壁104更快地乾燥。
<配管部的更換方法>
接著，參照第3圖對配管部170的更換方向進行說明。
如上所述，由於除害裝置100從噴灑部174進行清洗水的噴灑，因此在噴灑部174的附近的內壁104的部分，因清洗水而導致的潮濕及乾燥頻繁地發生。由此，存在該部分會被腐蝕掉的情況。
在噴灑部174的附近的內壁104的部分被腐蝕掉的情況下，首先，將被腐蝕的配管部170的兩端的夾緊裝置250分別卸下。接著，將被腐蝕的配管部170從第一配管130及第二配管150卸下。在這之後，將沒有被腐蝕的配管部170挾在第一配管130及第二配管150之間，將該配管部170的兩端分別用夾緊裝置250固定。
像這樣，在除害裝置100中，能夠僅對容易被腐蝕的配管部170這一部分進行更換。因此，在除害裝置100中，藉由僅對配管部170進行更換，能夠將容易被腐蝕的噴灑部174的附近的部分維持在未被腐蝕的狀態。即，除害裝置100能夠抑制因管的內壁104的腐蝕而導致的裝置的性能下降及裝置整體的故障。
<變形例>
在本實施方式中，除害裝置100具備對處理氣體進行處理的風扇洗滌器110。除害裝置100只要是具備對處理氣體進行處理的機構就可以，也可以不具備風扇洗滌器110。
另外，在除害裝置100中，加熱器210將第一配管130、第二配管150及配管部170的外壁的整體環繞。但是，加熱器210也可以沒有必要將外壁的整體環繞，而僅配置於需要加熱的部分。
[第二實施方式]
<結構>
本發明的第二實施方式的除害裝置除了配管部及壓力感測器的結構不同之外，與第一實施方式除害裝置100具有相同的結構。
第4圖是表示本發明的第二實施方式的除害裝置的配管部的周邊的放大剖視圖。參照第4圖，對第二實施方式的除害裝置300進行詳細地說明。
除害裝置300具備第一配管330、第二配管350、配管部370、加熱器410、O型環430、夾緊裝置450、噴霧器390及壓力感測器490。這裡，第一配管330、第二配管350、加熱器410、O型環430、夾緊裝置450及噴霧器390與在第一實施方式說明的相同。
配管部370具有在第一實施方式說明的配管部170的全部結構要素，並且，配管部370在第一段噴灑部374(具有在第一實施方式說明的噴灑部174的結構)的上游側具有第二段噴灑部375。
第二段噴灑部375與第一段噴灑部374一樣，是位於管狀的主體371的內壁304，並在內壁304的切線方向上延伸的貫通孔。第二段噴灑部375在與配管部370的長度方向垂直的面上，在配管部370的內壁304的圓周方向上等間隔地設置有四個。換言之，複數個第一段噴灑部374在第4圖的上下方向上，在配管部370的內壁304上的同一高度的位置的圓周上等間隔地設置。在第二段噴灑部375的部分也和第一段噴灑部374同樣地環繞有封閉環470，第二段噴灑部375能夠進行噴灑清洗水。第二段噴灑部375進行噴灑清洗水的情況下，清洗水沿著內壁304向流路303的下游方向流動。另外，第二段噴灑部375位於比第一段噴灑部374更靠上游側。因此第二段噴灑部375藉由進行噴灑清洗水，能夠將附著於第一段噴灑部374的上游側的內壁304的固體生成物去除。此外，第二段噴灑部375也是只要能夠將清洗水向流路303噴灑就可以，也可以和在第一實施方式說明的噴灑部174相同地不具有上述的結構。
像這樣，在除害裝置300中，第二段噴灑部375包含於配管部370。因此，即使在由於第二段噴灑部375導致第二段噴灑部375的附近被腐蝕的情況下，藉由對配管部370進行更換而能夠容易地對該被腐蝕的部分進行更換。
壓力感測器490配置於能夠對比第一段噴灑部374更靠上游側的流路303的內部的壓力進行測量的位置，並對第一段噴灑部374的上游側的流路的壓力進行測量。
另外，在除害裝置300中，第一段噴灑部374及第二段噴灑部375的噴灑的時機是被設定的。除害裝置300具備對第一段噴灑部374及第二段噴灑部375的噴灑的時機進行控制的控制部(圖示省略)。具體而言，第一段噴灑部374在壓力感測器490測量出比預先設定的閾值高的壓力時進行噴灑。另一方面，第二段噴灑部375在流動於流路303且會造成固體生成物產生的處理氣體停止時進行噴灑。特別地，除害裝置300將從設置於除害裝置300的前段的製造裝置501接收到加工氣體停止信號的時候看作是會造成固體生成物產生的處理氣體停止的時候(參照第1圖)。此外，除害裝置300也可以將從設置於除害裝置300的前段的乾燥泵502或設置於除害裝置300的後段的第二除害裝置503接收到加工氣體停止信號的時候看作是處理氣體的流動停止的時候(參照第1圖)。另外，除害裝置300也可對流路303的內部的風速進行測量，而將該風速變化至恆定的閾值以下的時候看作是會造成固體生成物產生的處理氣體停止的時候。
<關於固體生成物的去除動作>
接著，對除害裝置300的固體生成物的去除動作進行說明。
在除害裝置300中，也和上述的除害裝置100相同，由於存在噴霧器390噴灑的清洗水附著於第二配管350的內壁304的部分的情況，因而存在第二配管350的內壁304的部分附著有固體生成物的情況。並且，附著於內壁304的固體生成物隨著時間的經過而變大。在該情況下，供處理氣體流動的流路303變窄。因此，處理氣體變得難以流動，從而固體生成物附著的第二配管350的上游側的壓力上升。壓力感測器490對該上升的壓力進行測量。並且，第一段噴灑部374在壓力感測器490測量出比預先設定的閾值更高的壓力時進行噴灑。由此，一定
程度的固體生成物附著於內壁304時，第一段噴灑部374進行清洗水的噴灑。即，由於第一段噴灑部374能夠藉由壓力來推定附著於內壁304的固體生成物的量，並進行固體生成物的去除，從而能夠可靠地防止因固體生成物導致的配管的堵塞。此外，第一段噴灑部374開始噴灑的壓力的閾值是基於處理氣體的流動所必需的流量而任意地決定。
另外，在第一段噴灑部374對清洗水進行噴灑時，存在清洗水成為水滴在第一段噴灑部374的附近飛散，並且飛散的清洗水的水滴附著於比第一段噴灑部374更靠上游側的情況。由此，由於附著於比第一段噴灑部374更靠上游側的水滴與處理氣體進行反應，而在比第一段噴灑部374更靠上游側生成固體生成物。由於該固體生成物位於比第一段噴灑部374更靠上游側位置，從而難以藉由第一段噴灑部374的清洗水的噴灑被去除。因此，在本實施方式中，除害裝置300具備第二段噴灑部375。因此，藉由第二段噴灑部375對清洗水進行噴灑，第二段噴灑部375能夠將比第二段噴灑部375更靠下游側的第一段噴灑部374的附近的固體生成物去除。即，除害裝置300藉由使用第二段噴灑部375，能夠將因第一段噴灑部374的噴灑而附著的固體生成物去除。
此外，在除害裝置300中，第二段噴灑部375在流動於流路303且會造成固體生成物產生的處理氣體停止時進行噴灑。這裡，在流路303流動的處理氣體的流動在來自設置於除害裝置300的前段的裝置的處理氣體的供給停止時停止。即，除害裝置300在來自設置於前段的裝置的處理氣體的供給停止時，能夠藉由第二段噴灑部375的噴灑而將附著的固體生成物去除。一般而言，對處理氣體進行供給的裝置是在預定的加工結束時停止對處理氣體的供給。由此，除害裝置300能夠在設置於前段的裝置之預定的加工結束時定期地對固體生成物進行去除。特別的，如上所述，除害裝置300將從設置於除害裝置300的前段的製造裝置501接收到加工氣體停止信號的時候，看作是會造成固體生成
物產生的處理氣體停止的時候。因此，能夠在來自設置於前段的裝置的乾燥泵502的處理氣體的供給停止時，定期地對因第一段噴灑部374的噴灑而附著的固體生成物進行去除。
<除害裝置的配管的清洗方法>
接著，對除害裝置300的配管的清洗方法進行說明。
在設置於除害裝置300的前段的製造裝置501進行預定的加工的情況下，乾燥泵502向除害裝置300供給處理氣體。並且，處理氣體在流路303流動。此時，處理氣體與水反應並在內壁304生成固體生成物。由此，壓力感測器490檢測到的壓力上升。並且，壓力感測器490檢測到比預先設定的閾值高的壓力時，第一段噴灑部374進行噴灑。因此，第一段噴灑部374能夠可靠地防止比第一段噴灑部374更靠下游側因固體生成物而被堵塞。另外，在製造裝置501之預定的加工結束時，製造裝置501向除害裝置300發送加工氣體停止信號。除害裝置300將接收到該加工氣體停止信號的時候看作是會造成固體生成物產生的處理氣體停止的時候。並且，第二段噴灑部375對清洗水進行噴灑。因此，除害裝置300能夠在製造裝置501之預定的加工結束時，定期地將因第一段噴灑部374的噴灑而附著的固體生成物去除。
<變形例>
在除害裝置300中，第二段噴灑部375在流動於流路303且會造成固體生成物產生的處理氣體停止時開始噴灑，但是第二段噴灑部375開始噴灑的時機也可以不限於此時而任意地決定。例如，第二段噴灑部375也可以在從設置於前段的裝置接收到預定的信號時開始噴灑。更具體而言，設置於除害裝置300的前段的裝置是半導體製造裝置的情況下，也可以使開始噴灑的時機與沉積步驟結束時一致。並且，沉積步驟是指使預定的不純物濃度附著到矽表面的步驟。因此，除害裝置300能夠在沉積步驟結束時將固體生成物去除。
[方式]
上述的實施方式的一部分或全部也可以像以下的方式那樣被記載，但不限於以下。
(方式1)
方式1的除害裝置具有形成供處理氣體流動的流路的內壁，並具備：第一配管，該第一配管形成前述流路的一部分；能夠更換的配管部，該配管部形成前述流路的一部分，並且相比前述第一配管位於前述流路的下游側並與前述第一配管連接，該配管部具有對將附著於前述內壁的固體生成物去除的清洗水進行噴灑的第一段噴灑部；以及第二配管，該第二配管形成前述流路的一部分，並且相比前述配管部位於前述流路的下游側並與前述配管部連接。
在方式1的除害裝置中，第一段噴灑部包含於能夠更換的配管部。因此，即使因附著於內壁的固體生成物的去除而導致第一段噴灑部附近的部分被腐蝕的情況下，也能夠藉由對配管部進行更換，而容易地對該被腐蝕的部分進行更換，因此，能夠將配管的壁面維持在沒有被腐蝕的狀態，從而能夠抑制除害裝置因配管的壁面的腐蝕而導致的裝置的性能下降及裝置整體的故障。
(方式2)
方式2的除害裝置是在方式1所記載的除害裝置中還具有對前述內壁進行加熱的加熱器。
方式2的除害裝置是藉由用加熱器對內壁進行加熱，能夠抑制固體生成物附著於內壁。
(方式3)
根據方式3的除害裝置，在方式1或方式2所記載的除害裝置中，前述配管部由耐腐蝕金屬構成。
根據方式3的除害裝置，當在配管部使用了耐腐蝕性較強的耐腐蝕金屬時，能夠降低需要更換配管部的頻率。
(方式4)
根據方式4的除害裝置，在從方式1到3中任一項所記載的除害裝置中，前述內壁中的前述第二配管的部分施加有PFA塗層。
根據方式4的除害裝置，內壁中的第二配管的部分施加有PFA塗層。因此，能夠抑制第二配管的內壁的腐蝕。
(方式5)
方式5的除害裝置是在從方式1到4中任一項所記載的除害裝置中，還具備：O型環，該O型環對前述配管部與前述第一配管或前述第二配管的連接部位進行密封；以及夾緊裝置，該夾緊裝置在前述連接部位使前述配管部與前述第一配管或前述第二配管貼緊。
在方式5的除害裝置中，配管部與第一配管或第二配管藉由使用了O型環及夾緊裝置的簡單的結構連接。由此，藉由將夾緊裝置拆卸，能夠容易地將配管部拆卸。另外，更換後安裝的新的配管部能夠藉由夾緊裝置而容易地被固定。
(方式6)
方式6的除害裝置是在從方式1到5中任一項所記載的除害裝置中，還具備第二段噴灑部，該第二段噴灑部位於比前述第一段噴灑部更靠上游側，對將附著於比前述第一段噴灑部更靠上游側的前述內壁的固體生成物去除的清洗水進行噴灑。
在除害裝置中，當第一段噴灑部對清洗水進行噴灑時，由於第一段噴灑部噴灑的清洗水飛散，而在比第一段噴灑部更靠上游可能生成固體生成物。方式6的除害裝置藉由使用第二段噴灑部，能夠將因第一段噴灑部的噴灑而附著的固體生成物去除。
(方式7)
方式7的除害裝置是在方式6所記載的除害裝置中還具備壓力感測器，該壓力感測器對前述第一段噴灑部的上游側的前述流路內的壓力進行測量，前述第一段噴灑部在前述壓力感測器測量出比預先設定的閾值高的壓力時噴灑，前述第二段噴灑部在流動於前述流路且會造成固體生成物產生的處理氣體停止時進行噴灑。
由於固體生成物附著於除害裝置的配管的壁面而導致配管內的供處理氣體流動的流路狹窄的話，則流路內的壓力上升。根據方式7的除害裝置，壓力感測器對流路內的壓力的上升進行測量，第一段噴灑部按照需要，能夠將固體生成物去除。另外，由於第二段噴灑部在流動於流路且會造成固體生成物產生的處理氣體停止時進行噴灑，除害裝置能夠在設置於前段的裝置的預定的加工結束時，定期地將因第一段噴灑部的噴灑而附著的固體生成物去除。
(方式8)
根據方式8的除害裝置，在方式7所記載的除害裝置中，前述第二段噴灑部將從設置於前述除害裝置的前段或後段的裝置接收到加工氣體停止信號的時候看作是會造成前述固體生成物產生的處理氣體停止的時候，並進行噴灑。
根據方式8的除害裝置，將接收到從該除害裝置的前段的裝置輸出的加工氣體停止信號或從該除害裝置的後段的裝置的加工停止信號的時候看作是會造成固體生成物產生的處理氣體停止的時候。因此，該除害裝置能夠在來自設置於前段的裝置的處理氣體的供給停止時，定期地將因第一段噴灑部的噴灑而附著的固體生成物去除。
(方式9)
根據方式9的除害裝置，在從方式6到8中任一項所記載的除害裝置中，前述第二段噴灑部包含於前述配管部。
根據方式9的除害裝置，由於第二段噴灑部包含於配管部，即使在第二段噴灑部附近因第二段噴灑部而被腐蝕的情況下，也能夠容易地對該腐蝕的部分進行更換。
(方式10)
根據方式10的除害裝置，在從方式1到9中任一項所記載的除害裝置中，前述第一段噴灑部在不對清洗水進行噴灑時，持續噴出乾燥氣體。
根據方式10的除害裝置，由於第一段噴灑部噴出乾燥氣體，所以在不對清洗水進行噴灑時，能夠防止處理氣體進入第一段噴灑部。
(方式11)
根據方式11的除害裝置，在方式10所記載的除害裝置中，在前述清洗水的噴灑結束後的一定時間內，前述乾燥氣體的噴出以恆定的第一流量進行，在經過前述一定時間後，前述乾燥氣體的噴出以比前述第一流量少的第二流量進行。
根據方式11的除害裝置，在清洗水的噴灑結束後的一定時間內從第一段噴灑部噴出的乾燥氣體的流量，在經過一定時間後比從第一段噴灑部噴出的乾燥氣體的流量多。由此，該除害裝置能夠在噴灑結束後，更快地對因清洗水而潮濕的壁面進行乾燥。
(方式12)
根據方式12除害裝置，在方式10或方式11所記載的除害裝置中，前述乾燥氣體是非活性氣體。
在方式12的除害裝置中，能夠將容易得到的非活性氣體作為乾燥氣體而使用。
(方式13)
方式13的除害裝置是在從方式1到12中任一項所記載的除害裝置中，還具備：風扇洗滌器，該風扇洗滌器具有對清洗液進行供給的液體供給路，以及噴
霧器，該噴霧器位於比前述第一段噴灑部更靠下游，對將附著於前述液體供給路的固體生成物去除的清洗水進行噴灑。
在方式13的除害裝置中，噴霧器向液體供給路對清洗水進行噴灑的話，清洗水藉由該水流將附著於液體供給路的固體生成物去除。此時，清洗水的一部分成為水滴，並附著於噴霧器的附近的內壁的部分。並且，在清洗水的流量少的部分，水滴與留在該部分的處理氣體進行反應。由此，與水滴反應的處理氣體可能會生成將流路大幅阻塞的固體生成物。方式13的除害裝置具備位於比噴霧器更靠上游的第一段噴灑部。由此，該除害裝置能夠使用第一段噴灑部噴灑的清洗水將因噴霧器而生成的固體生成物去除。
(方式14)
根據方式14的除害裝置，在方式13的除害裝置中，前述風扇洗滌器具有風扇和使前述風扇旋轉的密封電動機。
根據方式14的除害裝置，由於使風扇洗滌器的風扇旋轉的電動機是密封電動機，因此難以發生因清洗水向密封電動機滲入而導致的密封電動機的故障。
(方式15)
方式15的除害裝置的配管部的更換方法所使用的除害裝置具備：內壁，該內壁形成供處理氣體流動的流路；第一配管，該第一配管形成前述流路的一部分；能夠更換的配管部，該配管部形成前述流路的一部分，並且相比前述第一配管位於前述流路的下游側並與前述第一配管連接，該配管部具有對將附著於前述內壁的固體生成物去除的清洗水進行噴灑的第一段噴灑部；以及第二配管，該第二配管形成前述流路的一部分，並且相比前述配管部位於前述流路的下游側並與前述配管部連接，前述除害裝置的配管部的更換方法具有對前述配管部進行更換的步驟。
根據方式15的除害裝置的配管部的更換方法，即使是因將附著於內壁的固體生成物去除而導致第一段噴灑部附近的部分被腐蝕的情況下，藉由對配管部進行更換，也能夠容易地對該被腐蝕的部分進行更換。因此，能夠將配管的壁面維持在未被腐蝕的狀態，能夠抑制因配管的壁面的腐蝕而導致的裝置的性能下降及裝置整體的故障。
(方式16)
方式16的除害裝置的配管的清洗方法所使用的除害裝置具有形成供處理氣體流動的流路的內壁，並且還具備：第一段噴灑部，該第一段噴灑部對將附著於前述內壁的固體生成物去除的清洗水進行噴灑；第二段噴灑部，該第二段噴灑部位於比前述第一段噴灑部更靠上游側，並對將附著於比前述第一段噴灑部更靠上游側的前述內壁的固體生成物去除的清洗水進行噴灑；以及壓力感測器，該壓力感測器對比前述第一段噴灑部更靠上游側的前述流路內的壓力進行測量，前述除害裝置的配管的清洗方法包含有下列步驟：在前述壓力感測器檢測到比預先設定的閾值高的壓力時，前述第一段噴灑部進行噴灑的步驟，以及在處理氣體因在前述流路流動的固體生成物的產生而停止時，前述第二段噴灑部進行噴灑的步驟。
根據方式16的除害裝置的配管的清洗方法，藉由使用壓力對流路的堵塞進行間接地探測，第一段噴灑部能夠可靠地防止因固體生成物而導致比第一段噴灑部更靠下游側的配管堵塞的情況。另外，由於第二段噴灑部在流動於流路且會造成固體生成物產生的處理氣體停止時進行噴灑，除害裝置能夠在設置於前段的裝置的預定的加工結束時，定期地將因第一段噴灑部的噴灑而附著的固體生成物去除。
100‧‧‧除害裝置
103‧‧‧流路
104‧‧‧內壁
105‧‧‧空洞
130‧‧‧第一配管
131、151、171‧‧‧主體
132、133、152、153、172、173‧‧‧凸緣
150‧‧‧第二配管
154‧‧‧PFA塗層
170‧‧‧配管部
174‧‧‧噴灑部
190‧‧‧噴霧器
210‧‧‧加熱器
230‧‧‧O型環
250‧‧‧夾緊裝置
270‧‧‧封閉環
Claims (16)
- 一種除害裝置，具有形成供處理氣體流動的流路的內壁，該除害裝置具備：第一配管，係形成前述流路的一部分；能夠更換的配管部，係形成前述流路的一部分，並且相比前述第一配管位於前述流路的下游側並與前述第一配管連接，且具有對將附著於前述內壁的固體生成物去除的清洗水進行噴灑的第一段噴灑部；以及第二配管，係形成前述流路的一部分，並且相比前述配管部位於前述流路的下游側並與前述配管部連接。
- 如申請專利範圍第1項所述的除害裝置，其更具備加熱器，該加熱器對前述內壁進行加熱。
- 如申請專利範圍第1或2項所述的除害裝置，其中，前述配管部由耐腐蝕金屬構成。
- 如申請專利範圍第1或2項所述的除害裝置，其中，前述內壁中的前述第二配管的部分被施加有PFA塗層。
- 如申請專利範圍第1或2項所述的除害裝置，更具備：O型環，係對前述配管部與前述第一配管或前述第二配管的連接部位進行密封；以及夾緊裝置，係在前述連接部位使前述配管部與前述第一配管或前述第二配管貼緊。
- 如申請專利範圍第1或2項所述的除害裝置，其更具備第二段噴灑部，該第二段噴灑部相比前述第一段噴灑部位於上游側，對將附著於比前述第一段噴灑部更靠上游側的前述內壁的固體生成物去除的清洗水進行噴灑。
- 如申請專利範圍第6項所述的除害裝置，其中，還具備壓力感測器，該壓力感測器係對比前述第一段噴灑部更靠上游側的前述流路內的壓力進行測量，前述第一段噴灑部在前述壓力感測器檢測到比預先設定的閾值高的壓力時進行噴灑，前述第二段噴灑部在流動於前述流路且會造成固體生成物產生的處理氣體停止時進行噴灑。
- 如申請專利範圍第7項所述的除害裝置，其中，前述第二段噴灑部將從設置於前述除害裝置的前段或後段的裝置接收到加工氣體停止信號的時候看作是會造成前述固體生成物產生的處理氣體停止的時候，並進行噴灑。
- 如申請專利範圍第6項所述的除害裝置，其中，前述第二段噴灑部包含於前述配管部。
- 如申請專利範圍第1或2項所述的除害裝置，其中，前述第一段噴灑部在未噴灑清洗水時，持續噴出乾燥氣體。
- 如申請專利範圍第10項所述的除害裝置，其中，在前述清洗水的噴灑結束後的一定時間內，前述乾燥氣體的噴出係以恆定的第一流量進行，在經過前述一定時間後，前述乾燥氣體的噴出係以比前述第一流量少的第二流量進行。
- 如申請專利範圍第10項所述的除害裝置，其中，前述乾燥氣體係非活性氣體。
- 如申請專利範圍第1或2項所述的除害裝置，其更具備：風扇洗滌器，係具有對清洗液進行供給的液體供給路；以及 噴霧器，係位於前述第一段噴灑部的下游，對將附著於前述液體供給路的固體生成物去除的清洗水進行噴灑。
- 如申請專利範圍第13項所述的除害裝置，其中，前述風扇洗滌器具有風扇和使前述風扇旋轉的密封電動機。
- 一種除害裝置的配管部的更換方法，係使用除害裝置，該除害裝置具備：內壁，係形成供處理氣體流動的流路；第一配管，係形成前述流路的一部分；能夠更換的配管部，係形成前述流路的一部分，並且相比前述第一配管位於前述流路的下游側並與前述第一配管連接，且具有對將附著於前述內壁的固體生成物去除的清洗水進行噴灑的第一段噴灑部；以及第二配管，係形成前述流路的一部分，並且相比前述配管部位於前述流路的下游側並與前述配管部連接，前述除害裝置的配管部的更換方法具有對前述配管部進行更換的步驟。
- 一種除害裝置的配管的清洗方法，係使用除害裝置，該除害裝置具有形成供處理氣體流動的流路的內壁，並且還具備：第一段噴灑部，係對將附著於前述內壁的固體生成物去除的清洗水進行噴灑；第二段噴灑部，係相比前述第一段噴灑部位於上游側，對將附著於比前述第一段噴灑部更靠上游側的前述內壁的固體生成物去除的清洗水進行噴灑；以及壓力感測器，係對比前述第一段噴灑部更靠上游側的前述流路內的壓力進行測量，前述除害裝置的配管的清洗方法包含有下列步驟： 在前述壓力感測器檢測到比閾值高的壓力時，前述第一段噴灑部進行噴灑的步驟；以及在流動於前述流路且會造成固體生成物產生的處理氣體停止時，前述第二段噴灑部進行噴灑的步驟。
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Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA3159830A1 (en) * | 2020-09-02 | 2022-03-10 | Douglas A. Sahm | Vacuum-enabled fluid apparatus and methods |
| KR102346707B1 (ko) * | 2021-06-04 | 2022-01-03 | 주식회사 유니온이엔지 | 가스 스크러버 기반의 흄제거 장치 |
| KR102437506B1 (ko) * | 2022-03-18 | 2022-08-29 | 주식회사 디아이에이치 | 연소가스 배출라인용 히팅장치 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004261777A (ja) * | 2003-03-04 | 2004-09-24 | Kanken Techno Co Ltd | 半導体排ガス処理装置 |
| TWI280152B (en) * | 2005-04-26 | 2007-05-01 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Exhaust gas treatment system and exhaust gas treatment method |
| JP4012818B2 (ja) * | 2000-08-08 | 2007-11-21 | 株式会社荏原製作所 | 排ガス管内付着固体生成物除去方法及び排ガス処理システム |
| JP2011185353A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Alpha Tekku:Kk | ガス流通方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ZA766846B (en) * | 1975-11-28 | 1977-10-26 | Lone Star Steel Co | Apparatus and process for the removal of pollutant material from gas streams |
| JPS642818A (en) | 1987-06-24 | 1989-01-06 | Mitsubishi Electric Corp | Electrospark apparatus |
| EP1142621B1 (en) | 1998-12-01 | 2004-11-10 | Ebara Corporation | Exhaust gas treating device |
| JP4072815B2 (ja) * | 2002-03-01 | 2008-04-09 | 株式会社荏原製作所 | ファンスクラバー |
| DE102006027882B4 (de) * | 2005-09-02 | 2009-04-30 | Clean Systems Korea Inc., Seongnam | Wäscher zum Behandeln von Halbleiter-Abgas |
| JP2010267925A (ja) * | 2009-05-18 | 2010-11-25 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| JP6196481B2 (ja) * | 2013-06-24 | 2017-09-13 | 株式会社荏原製作所 | 排ガス処理装置 |
| JP5987048B2 (ja) * | 2014-12-19 | 2016-09-06 | 株式会社モリタホールディングス | 洗浄ノズル |
| JP6792158B2 (ja) * | 2016-02-09 | 2020-11-25 | セントラル硝子株式会社 | フッ素化合物ガスの精製方法 |
| KR102066409B1 (ko) * | 2017-05-24 | 2020-01-15 | 칸켄 테크노 가부시키가이샤 | 배기 가스의 감압 제해 장치 |
-
2018
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4012818B2 (ja) * | 2000-08-08 | 2007-11-21 | 株式会社荏原製作所 | 排ガス管内付着固体生成物除去方法及び排ガス処理システム |
| JP2004261777A (ja) * | 2003-03-04 | 2004-09-24 | Kanken Techno Co Ltd | 半導体排ガス処理装置 |
| TWI280152B (en) * | 2005-04-26 | 2007-05-01 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Exhaust gas treatment system and exhaust gas treatment method |
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