TWI829140B - 電子裝置加工用帶以及電子裝置加工用帶之製造方法 - Google Patents
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Abstract
電子裝置加工用帶係包括：剝離薄膜；及基材帶，係與該剝離薄膜被積層；該電子裝置加工用帶係： 該基材帶包括：標籤部，係在該電子裝置加工用帶之搬運方向隔著既定間隔所形成，並具有既定之在平面圖上的形狀；廢棄物剝離部，係廢棄物部被剝離，該廢棄物部係包圍該標籤部之在平面圖上的外側，且具有形成該既定間隔的間隔部分；以及周邊部，係在平面圖上與該廢棄物剝離部之外緣接觸；從在該搬運方向的前方延伸之形成該廢棄物部之外緣的切割線、與從在該搬運方向的後方延伸之形成該廢棄物部之外緣的切割線具有在該廢棄物部的該間隔部分交叉的交點；從一方向延伸的該切割線之從該交點至終端的第1切割線延伸部位於比虛擬線更接近該周邊部之方向，該虛擬線係對從該交點延伸之對該搬運方向平行的方向。
Description
本發明係有關於一種電子裝置加工用帶，尤其係有關於一種電子裝置加工用帶以及電子裝置加工用帶之製造方法，該電子裝置加工用帶係在半導體晶圓之切割、拾取所使用。
作為半導體晶圓之加工用帶，使用具備切割帶或晶片接合薄膜之電子裝置加工用帶，該切割帶或晶片接合薄膜係在長條之基材帶上隔著既定間隔形成複數個具有既定之在平面圖上的形狀之標籤部。在對應於基材帶之標籤部的部位，係設置黏著劑層。藉由在設置黏著劑層之標籤部黏貼半導體晶圓，將半導體晶圓定位於基材帶之標籤部。所定位之半導體晶圓係在被黏貼於標籤部之狀態被切割，藉此，製造半導體晶片。所製造之半導體晶片係藉紫外線之硬化處理等，降低黏著劑層之黏著力，藉此，從標籤部被拾取。
作為在基材帶上隔著既定間隔形成複數個標籤部之半導體晶圓的加工用帶，係例如揭示一種半導體晶圓之加工用帶，其係對半導體晶圓的加工用帶實施既定預切割加工，再沿著預切割加工之切割線剝離並除去隔著既定間隔所配置之標籤部間的不要部分(專利文獻1)。
依此方式，基材帶係利用藉預切割加工所形成的切割線，劃分成：標籤部，係黏貼半導體晶圓；廢棄物部，係包圍標籤部之在平面圖上的外側之不要部分；以及周邊部，係在平面圖上與廢棄物部之外緣接觸。預切割加工係使用對基材帶相對向地配置之旋轉衝孔刀，對基材薄膜與在該基材薄膜上所設置之黏著劑層進行(專利文獻2)。
又，基材帶之廢棄物部係在切割半導體晶圓之前，預先藉捲繞工具，沿著基材帶之長邊方向(基材帶之搬運方向)被捲繞，實施廢棄物剝除處理，藉此，從電子裝置加工用帶被剝離。因此，在已除去基材帶之廢棄物部的狀態，電子裝置加工用帶係被固定於半導體晶圓的黏貼機。
基材帶係根據延展性或拾取性等電子裝置加工步驟上之觀點或電子裝置加工用帶之使用條件，使其材質或厚度成為最佳。因此，在從電子裝置加工用帶除去基材帶之廢棄物部時，有發生如下所示之不良的情況。
如上述所示，在基材帶形成切割線之預切割加工，係因為使用旋轉衝孔刀，所以在長條之基材帶形成連續的切割線時，係沿著基材帶之長邊方向，從一方向延伸之切割線與從另一方向延伸之切割線形成在標籤部與標籤部之間的該間隔部分交叉的交點。可是，根據基材帶的厚度或材質、切割線之切斷狀態，係在進行廢棄物剝除處理時，廢棄物剝除以切割線所交叉之交點為起點從切割線偏離，而無法沿著切割線圓滑地除去廢棄物部，該廢棄物剝除處理係從一方向延伸之切割線朝向從另一方向延伸之切割線除去廢棄物部。尤其，在切割線之切斷狀態係連續的一條切割線，係大致相同之切斷狀態連續，但是，在複數條切割線所交叉之交點，係有從一方向延伸之切割線的切斷狀態與從另一方向延伸之切割線的切斷狀態未一致的情況，而有切斷狀態相異之切割線在交點交叉。在從一方向延伸之切割線的切斷狀態與從另一方向延伸之切割線的切斷狀態未一致的情況，會發生廢棄物剝除以切割線所交叉之交點為起點從切割線偏離的現象。因為從一方向延伸之切割線的切斷狀態與從另一方向延伸之切割線的切斷狀態相異，而廢棄物剝除從切割線偏離時，因在剝離基材帶之廢棄物部時作用於廢棄物部的張力，在廢棄物部，尤其隔著既定間隔所形成的標籤部之間的廢棄物部發生大的撕裂部，根據情況，在標籤部之間，廢棄物部斷裂，而具有從電子裝置加工用帶無法圓滑地剝離廢棄物部的問題。
[先行技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2011－111530號公報
[專利文獻2]日本專利特開2014－017357號公報
[發明所欲解決的問題]
鑑於上述之情況，本發明係目的在於提供一種電子裝置加工用帶以及電子裝置加工用帶之製造方法，該電子裝置加工用帶係防止廢棄物剝除以預切割之切割線所交叉的交點為起點從切割線偏離，而圓滑地剝離廢棄物部，藉此，防止廢棄物部殘留於廢棄物剝離部。
[用以解決問題的手段]
本發明之主旨構成係如以下所示。
[1]一種電子裝置加工用帶，係包括：剝離薄膜；及基材帶，係在基材薄膜之主面已形成黏著劑層的基材帶，並與該剝離薄膜被積層；該電子裝置加工用帶係：
該基材帶包括：標籤部，係在該電子裝置加工用帶之搬運方向隔著既定間隔所形成，並具有既定之在平面圖上的形狀；廢棄物剝離部，係廢棄物部被剝離，該廢棄物部係包圍該標籤部之在平面圖上的外側，且具有形成該既定間隔的間隔部分；以及周邊部，係在平面圖上與該廢棄物剝離部之外緣接觸；
從在該搬運方向的前方延伸之形成該廢棄物部之外緣的切割線，與從在該搬運方向的後方延伸之形成該廢棄物部之外緣的切割線具有在該廢棄物部的間隔部分交叉的交點；
從一方向延伸的切割線之從該交點至終端的第1切割線延伸部位於比虛擬線更接近該周邊部之方向，該虛擬線係對從該交點延伸之該搬運方向平行的方向。
[2]如[1]項之電子裝置加工用帶，其中在該廢棄物部的該間隔部分，從一方向延伸之該切割線與從另一方向延伸之該切割線的至少一方具有轉彎部，其係從該交點向對該搬運方向平行之該基材帶的中心線方向且從該切割線之終端離開的方向延伸。
[3]如[1]或[2]項之電子裝置加工用帶，其中夾角θ1係在該交點之該第1切割線延伸部與該虛擬線的夾角，角θ2係在該交點之從另一方向延伸的該切割線與該虛擬線的夾角，該切割線係位於經由該虛擬線與該第1切割線延伸部相對向的位置，該夾角θ1比該夾角θ2更大。
[4]如[1]至[3]項中任一項之電子裝置加工用帶，其中該第1切割線延伸部具有0.5mm以上的長度。
[5]如[2]項之電子裝置加工用帶，其中夾角θ3係在該交點之從一方向延伸之該切割線的該轉彎部與該虛擬線的夾角，角θ2係在該交點之從另一方向延伸的該切割線與該虛擬線的夾角，該切割線係位於經由該虛擬線與該第1切割線延伸部相對向的位置，該夾角θ3比該夾角θ2更大。
[6]如[2]或[5]項之電子裝置加工用帶，其中該轉彎部具有平面圖彎曲部。
[7]如[6]項之電子裝置加工用帶，其中該轉彎部之平面圖彎曲部具有成為R1.0mm以上之曲率半徑的圓弧形曲線部之部位。
[8]如[2]或[5]項之電子裝置加工用帶，其中該轉彎部具有在平面圖上直線部。
[9]如[1]至[8]項中任一項之電子裝置加工用帶，其中從另一方向延伸之該切割線具有從該交點至終端的第2切割線延伸部。
[10]如[1]至[9]項中任一項之電子裝置加工用帶，其中更具備在該剝離薄膜之主面的一部分所設置之接著劑層，該基材帶覆蓋該接著劑層，並在該接著劑層之周圍與該剝離薄膜接觸。
[11]一種電子裝置加工用帶之製造方法，其係具有：
製作步驟，係在基材薄膜上塗布黏著劑層，製作基材帶；
重疊步驟，係將該基材帶與剝離薄膜重疊；
預切割步驟，係使用旋轉衝孔刀，進行預切割，該預切割係在該基材帶形成標籤部、廢棄物部以及周邊部之劃分，該標籤部係在該基材帶之搬運方向隔著既定間隔所形成，並具有既定之在平面圖上的形狀，該廢棄物部係包圍該標籤部之在平面圖上的外側，且具有形成該既定間隔的間隔部分，該周邊部係在平面圖上與該廢棄物部之外緣接觸，且從在該搬運方向的前方延伸之形成該廢棄物部之外緣的切割線，與從在該搬運方向的後方延伸之形成該廢棄物部之外緣的切割線具有在該廢棄物部的間隔部分交叉的交點，從一方向延伸的該切割線之從該交點至終端的第1切割線延伸部位於比虛擬線更接近該周邊部之方向，該虛擬線係從該交點延伸之對該搬運方向平行的方向；以及
形成步驟，係對該廢棄物部進行廢棄物剝除處理，在該基材帶形成廢棄物剝離部。
[發明功效]
若依據本發明之電子裝置加工用帶的形態，從電子裝置加工用帶之在搬運方向的前方延伸之形成廢棄物部之外緣的切割線，與從在該搬運方向的後方延伸之形成廢棄物部之外緣的切割線具有在該廢棄物部的間隔部分交叉的交點，從一方向延伸的切割線之從該交點至終端的第1切割線延伸部位於比虛擬線更接近與廢棄物部之外緣接觸的周邊部之方向，該虛擬線係對從該交點延伸之該搬運方向平行的方向，藉此，在從一方向延伸之切割線的該交點成為比終端更接近廢棄物剝除之上游的方向進行廢棄物剝除處理時，因為防止廢棄物剝除以該交點為起點從切割線偏離，而可圓滑地剝離廢棄物部，所以防止廢棄物部殘留於廢棄物剝離部。
若依據本發明之電子裝置加工用帶的形態，在廢棄物部的間隔部分，從一方向延伸之切割線與從另一方向延伸之切割線的至少一方具有轉彎部，其係從該交點向對該搬運方向平行之該基材帶的中心線方向且從切割線之終端離開的方向延伸，藉此，一面將切割線形成為沿著標籤部的形狀，一面可易於將從一方向延伸之切割線的終端配置於比交點更接近周邊部。
若依據本發明之電子裝置加工用帶的形態，夾角θ1係在該交點之第1切割線延伸部與虛擬線的夾角，角θ2係在該交點之從另一方向延伸的切割線與虛擬線的夾角，該切割線係經由虛擬線與第1切割線延伸部相對向，藉由該夾角θ1比該夾角θ2更大，更確實地防止廢棄物剝除以該交點為起點從切割線偏離，從一方向延伸之切割線經由該交點，沿著從另一方向延伸之切割線，可圓滑地進行廢棄物剝除處理，結果，更確實地防止廢棄物部殘留於廢棄物剝離部。
若依據本發明之電子裝置加工用帶的形態，藉由第1切割線延伸部具有0.5mm以上的長度，使從一方向延伸之切割線與從另一方向延伸之切割線確實地交叉，因為沿著切割線可更圓滑地進行廢棄物剝除處理，所以更確實地防止廢棄物部殘留於廢棄物剝離部。
若依據本發明之電子裝置加工用帶的形態，夾角θ3係在該交點之從一方向延伸之切割線的轉彎部與虛擬線的夾角，藉由該夾角θ3比該夾角θ2更大，更確實地防止廢棄物剝除以該交點為起點從切割線偏離，結果，更確實地防止廢棄物部殘留於廢棄物剝離部。
首先，一面使用圖面，一面說明本發明之第1實施形態例的電子裝置加工用帶。此外，圖1係表示本發明之第1實施形態例的電子裝置加工用帶之在廢棄物剝除處理前的積層構造之概要的剖面圖。圖2係表示本發明之第1實施形態例的電子裝置加工用帶之在廢棄物剝除處理前之在平面圖上之概要的說明圖。圖3係表示本發明之第1實施形態例的電子裝置加工用帶之在廢棄物剝除處理前之在平面圖上之概要的放大圖。
如圖1所示，本發明之第1實施形態例的電子裝置加工用帶1係由以下之構件所積層的積層體，剝離薄膜11；接著劑層12，係被設置於剝離薄膜11之主面81的一部分；以及基材帶13，係覆蓋接著劑層12，並在接著劑層12之周圍與剝離薄膜11接觸。基材帶13係如後述所示，是在基材薄膜14之主面71已形成黏著劑層15的積層構造物。
剝離薄膜11的形狀係矩形之長條狀，並以遠大於在對長邊方向正交之方向(寬度方向)的長度之方式形成在長邊方向的長度。剝離薄膜11係在電子裝置加工用帶1之製造時及使用時作用為支撐體。在將半導體晶圓黏貼於電子裝置加工用帶1時，係從電子裝置加工用帶1剝離剝離薄膜11。在剝離剝離薄膜11所露出的接著劑層12黏貼半導體晶圓，而對半導體晶圓進行定位。
作為剝離薄膜11的材質，係例如，可列舉聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯系、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)等聚烯烴系等的聚合物。剝離薄膜11的厚度係無特別地限定，根據電子裝置加工用帶1之使用條件等，可適當地選擇，例如，列舉25μm~50μm。又，剝離薄膜11之在寬度方向的尺寸係無特別地限定，因應於半導體晶圓之大小等、電子裝置加工用帶1之使用條件等，可適當地選擇，例如，列舉20cm~70cm。
接著劑層12係被設置於剝離薄膜11之主面81的一部分區域。接著劑層12之在平面圖上的形狀係具有與半導體晶圓之在平面圖上的形狀對應的形狀，該半導體晶圓係被黏貼於接著劑層12並被切割。此外，在本專利說明書中，「在平面圖上」係意指從與剝離薄膜11之主面81及基材薄膜14之主面71相對向的位置觀察之狀態。
接著劑層12係被配置於剝離薄膜11與基材帶13之間。接著劑層12係與基材帶13之黏著劑層15接觸，並在從電子裝置加工用帶1拾取半導體晶片時，在附著於半導體晶片之狀態從黏著劑層15被剝離。
又，作為接著劑層12之材料，係例如，可列舉環氧系樹脂、(甲基)丙烯酸樹脂、苯酚樹脂、聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、矽樹脂等。接著劑層12的厚度係無特別地限定，根據電子裝置加工用帶1之使用條件等，可適當地選擇，例如，列舉5μm~100μm。
基材帶13係在基材薄膜14之主面71的整體，形成黏著劑層15，並是基材薄膜14與黏著劑層15的積層構造物，覆蓋接著劑層12整體，且在接著劑層12之周圍的整個區域與剝離薄膜11接觸。基材帶13係與剝離薄膜11一樣，是矩形之長條狀，並以遠大於在對長邊方向正交之方向(寬度方向)的長度之方式形成在長邊方向的長度。基材帶13係在對半導體晶圓進行切割處理時，作用為半導體晶圓之固定工具。
作為基材薄膜14之材料，係例如，列舉聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-乙酸乙烯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物等α-烯烴的均聚物或共聚物、或這些聚合物的離子聚合物、或這些聚合物的混合物、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸甲酯等聚酯、聚碳酸酯、聚氨酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物、聚醯胺-多元醇共聚物等熱塑性彈性體。
基材薄膜14的厚度係無特別地限定，根據電子裝置加工用帶1之使用條件等，可適當地選擇，例如，列舉50μm~200μm。基材薄膜14之在寬度方向的尺寸係無特別地限定，根據半導體晶圓之大小等、電子裝置加工用帶1之使用條件等，可適當地選擇，例如，可列舉與剝離薄膜11之在寬度方向的尺寸相同之尺寸。作為基材薄膜14之在寬度方向的尺寸，具體而言，係例如，列舉20cm ~70 cm。
作為黏著劑層15之材料，係例如，可列舉聚丙烯酸樹脂、(甲基)丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、環氧樹脂等。又，亦可對黏著劑層15調配紫外線硬化性化合物，藉利用紫外線照射之對黏著劑層15的硬化處理，作成從接著劑層12易剝離的黏著劑層15。藉由對黏著劑層15調配紫外線硬化性化合物，半導體晶片之拾取性提高。
作為紫外線硬化性化合物，係例如，使用藉由紫外線照射可網狀化成三維、在分子內具有至少2個以上之光聚合性之碳-碳雙鍵(例如，乙烯性之雙鍵)的化合物。作為紫外線硬化性化合物之具體例，係可列舉三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、寡酯(甲基)丙烯酸酯等雙官能以上的(甲基)丙烯酸酯單體。
作為紫外線硬化性化合物之具體例，係除了上述之(甲基)丙烯酸酯單體以外，可列舉胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯系寡聚物。胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯系寡聚物係使具有羥基的(甲基)丙烯酸酯化合物(例如，2-羥乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥丙基(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯等)與在末端具有異氰酸酯基之胺甲酸乙酯預聚合物反應而可得到，該胺甲酸乙酯預聚合物係使聚酯型或聚醚型等的多元醇化合物與多官能異氰酸酯化合物(例如，2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-二甲苯撐基二異氰酸酯、1,4-二甲苯撐基二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4-二異氰酸酯等)反應而可得到。
又，在調配紫外線硬化性化合物的情況，係為了使紫外線硬化性化合物之光硬化成為圓滑化，因應於需要，亦可進而調配光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，具體而言，係例如，可列舉安息香異丙醚、安息香異丁醚、二苯基酮、米其樂酮(Michler's ketone)、氯噻噸酮(chloro-thioxanthone)、十二基噻噸酮、二甲基噻噸酮、二乙基噻噸酮、二苯乙二酮二甲縮酮(benzil dimethyl ketal)、α-羥基環己基苯基酮、2-羥基甲基苯基丙烷等。
如圖2所示，電子裝置加工用帶1之基材帶13係在剝離廢棄物部31之前，被劃分成：標籤部21，係黏貼半導體晶圓；廢棄物部31，係在平面圖上包圍標籤部21之在平面圖上的外緣22之不要部分；以及周邊部41，係在平面圖上與廢棄物部31之外緣34接觸，並位於基材帶13之在寬度方向的緣部。對基材帶13進行剝離廢棄物部31的廢棄物剝除處理，將是廢棄物部31之區域作為廢棄物剝離部，藉此，形成本發明之第1實施形態例的電子裝置加工用帶1。在電子裝置加工用帶1，周邊部41係在平面圖上與廢棄物剝離部之外緣接觸。此外，在說明本發明之第1實施形態例的電子裝置加工用帶1之圖面，係為了便於說明，當作廢棄物部31未被剝離而殘留的形態。基材帶13中，在平面圖上與接著劑層12重疊的部分及因應於需要與該重疊部分之周緣部的附近對應於標籤部21。因此，標籤部21係成為將剝離薄膜11、接著劑層12、黏著劑層15以及基材薄膜14按照此順序積層之構造。另一方面，在廢棄物部31與周邊部41，係未設置接著劑層12。因此，廢棄物部31與周邊部41係成為將剝離薄膜11、黏著劑層15以及基材薄膜14按照此順序積層之構造。
在圖2，在剝離廢棄物部31之前，即，成為廢棄物剝離部之前的電子裝置加工用帶1係成為被捲繞於滾筒體之形態。
標籤部21係沿著電子裝置加工用帶1之搬運方向D隔著既定間隔形成複數個。標籤部21之在平面圖上的形狀及面積係無特別地限定，例如，成為與所黏貼並被切割的半導體晶圓之在平面圖上的形狀大致對應的形狀及與半導體晶圓之在平面圖上的面積大致對應的面積。在電子裝置加工用帶1，標籤部21之在平面圖上的形狀係成為圓形。
廢棄物部31係具有：外周部33，係包圍各個標籤部21之在平面圖上的外緣22；及間隔部分32，係形成與鄰接之標籤部21的既定間隔。外周部33的外緣34係沿著標籤部21之在平面圖上的外緣22延伸的部分。又，外周部33與間隔部分32係連續地形成。從上述，廢棄物部31係包圍標籤部21之在平面圖上的外側，包圍各個標籤部21之在平面圖上的外緣22之外周部33係與包圍經由間隔部分32鄰接之其他的標籤部21之在平面圖上的外緣22之外周部33連續。
如圖3所示，廢棄物部31的間隔部分32係在複數個標籤部21、21、21…中，藉從包圍既定標籤部21－2的外周部33往與既定標籤部21－2鄰接之其他的標籤部21－1方向延伸的外緣34、及從包圍與既定標籤部21－2鄰接之其他的標籤部21－1(以下，有時只稱為「其他的標籤部21－1」)的外周部33往既定標籤部21－2方向延伸的外緣34，劃分寬度方向。以下，有時將從包圍其他的標籤部21－1之外周部33往既定標籤部21－2方向延伸的外緣34稱為第1外緣34－1，並將從包圍既定標籤部21－2的外周部33往其他的標籤部21－1方向延伸的外緣34稱為第2外緣34－2。在圖3，既定標籤部21－2係電子裝置加工用帶1之在搬運方向D之上游側的標籤部21，其他的標籤部21－1係電子裝置加工用帶1之在搬運方向D之下游側的標籤部21。
第1外緣34－1係在間隔部分32與第2外緣34－2交叉，而形成交點35，該第1外緣34－1係從包圍其他的標籤部21－1之外周部33向既定標籤部21－2方向延伸，該第2外緣34－2係從包圍既定標籤部21－2之外周部33向其他的標籤部21－1方向延伸。即，從電子裝置加工用帶1之在搬運方向D的前方延伸之廢棄物部31的外周部33之外緣34與從在搬運方向D的後方延伸之廢棄物部31的外周部33之外緣34具有在廢棄物部31的間隔部分32所交叉的交點35。
第1外緣34－1係超過第2外緣34－2，更向既定標籤部21－2方向延伸，該第1外緣34－1係從包圍其他的標籤部21－1之外周部33向既定標籤部21－2方向延伸。又，第2外緣34－2係超過第1外緣34－1，更向其他的標籤部21－1方向延伸，該第2外緣34－2係從包圍既定標籤部21－2之外周部33向其他的標籤部21－1方向延伸。因此，第1外緣34－1的終端(頭端)63係位於比交點35更接近既定標籤部21－2方向，該第1外緣34－1係從包圍其他的標籤部21－1之外周部33向既定標籤部21－2方向延伸。第1外緣34－1係具有第1外緣延伸部62，其係從交點35延伸至終端63。又，第2外緣34－2的終端(頭端)53係位於比交點35更接近其他的標籤部21－1方向，該第2外緣34－2係從包圍既定標籤部21－2之外周部33向其他的標籤部21－1方向延伸。第2外緣34－2係具有第2外緣延伸部52，其係從交點35延伸至終端53。
又，如圖3所示，第1外緣34－1之第1外緣延伸部62係位於比虛擬線L更接近周邊部41之方向，該虛擬線L係從交點35延伸之對電子裝置加工用帶1之搬運方向D平行的方向。從上述，第1外緣34－1之第1外緣延伸部62係從虛擬線L之位置向基材帶13之在寬度方向的外側延伸。
又，第2外緣34－2之第2外緣延伸部52係位於比虛擬線L更接近周邊部41之方向，該虛擬線L係從交點35延伸之對電子裝置加工用帶1之搬運方向D平行的方向。從上述，第2外緣34－2之第2外緣延伸部52係從虛擬線L之位置向基材帶13之在寬度方向的外側延伸。
在圖3，係為了形成電子裝置加工用帶1，對基材帶13剝離廢棄物部31之廢棄物剝除處理係從包圍其他的標籤部21－1之第1外緣34－1向包圍既定標籤部21－2之第2外緣34－2的方向進行·。
如圖3所示，在廢棄物部31的間隔部分32，第1外緣34－1係具有轉彎部60，其係從交點35向對搬運方向D平行之基材帶13的中心線C方向延伸，該第1外緣34－1係從包圍其他的標籤部21－1之外周部33向既定標籤部21－2方向延伸。第1外緣34－1之轉彎部60係延伸方向與在包圍其他的標籤部21－1之部位的第1外緣34－1係相異的部位。轉彎部60係被形成於廢棄物部31的間隔部分32。沿著其他的標籤部21－1向間隔部分32延伸的第1外緣34－1從中心線C方向經由轉彎部60往周邊部41至終端。藉此，一面將第1外緣34－1形成為沿著其他的標籤部21－1的形狀，一面可將終端63配置於比交點35更接近周邊部41側。如後述所示，第1外緣34－1係貫穿基材帶13所形成之預切割加工的切割線，該第1外緣34－1係包含轉彎部60，並從包圍其他的標籤部21－1之外周部33向既定標籤部21－2方向延伸。此外，亦可在剝離薄膜11與接著劑層12，係未形成預切割加工的切割線。
第1外緣34－1係只形成於電子裝置加工用帶1之比對搬運方向D平行的基材帶13之中心線C更外側的部位，該第1外緣34－1係包含轉彎部60，並從包圍其他的標籤部21－1之外周部33向既定標籤部21－2方向延伸。即，包含轉彎部60在內，第1外緣34－1係未延伸成橫越對搬運方向D平行之基材帶13的中心線C。又，轉彎部60係在每個間隔部分32，形成2個，並被配置成以中心線C為邊界大致對稱。此外，形成2個之轉彎部60的配置係因應於廢棄物剝除處理之條件等，可適當地選擇，亦可配置成不是以中心線C為邊界大致對稱。
轉彎部60之在平面圖上的形狀係成為具有曲部61的形狀。又，轉彎部60之曲部61係從曲部61之基點(最接近中心線C的部分)66向周邊部41之方向延伸的外方向部位。曲部61之外方向部位係在間隔部分32，從中心線C往基材帶13之在寬度方向的外側，即，從基材帶13之中心線C往對搬運方向D正交之方向的緣部延伸的部位。對應於轉彎部60之在平面圖上的形狀具有曲部61，與轉彎部60連續的第1外緣延伸部62之在平面圖上的形狀係具有曲部。
又，如圖3所示，在廢棄物部31的間隔部分32，第2外緣34－2係具有轉彎部50，其係從交點35向對搬運方向D平行之基材帶13的中心線C方向延伸，該第2外緣34－2係從包圍既定標籤部21－2之外周部33向其他的標籤部21－1方向延伸。第2外緣34－2之轉彎部50係延伸方向與在包圍既定標籤部21－2之部位的第2外緣34－2係相異的部位。轉彎部50係被形成於廢棄物部31的間隔部分32。沿著既定標籤部21－2向間隔部分32延伸的第2外緣34－2從中心線C方向經由轉彎部50往周邊部41至終端。藉此，一面將第2外緣34－2形成為沿著既定標籤部21－2的形狀，一面可將終端53配置於比交點35更接近周邊部41側。如後述所示，第2外緣34－2係貫穿基材帶13所形成之預切割加工的切割線，該第2外緣34－2係包含轉彎部50，並從包圍既定標籤部21－2之外周部33向其他的標籤部21－1方向延伸。此外，亦可在剝離薄膜11與接著劑層12，係未形成預切割加工的切割線。
第2外緣34－2係只形成於電子裝置加工用帶1之比對搬運方向D平行的基材帶13之中心線C更外側的部位，該第2外緣34－2係包含轉彎部50，並從包圍既定標籤部21－2之外周部33向其他的標籤部21－1方向延伸。即，包含轉彎部50在內，第2外緣34－2係未延伸成橫越對搬運方向D平行之基材帶13的中心線C。又，轉彎部50係在每個間隔部分32，形成2個，並被配置成以中心線C為邊界大致對稱。此外，形成2個之轉彎部50的配置係因應於廢棄物剝除處理之條件等，可適當地選擇，亦可被配置成不是以中心線C為邊界大致對稱。
轉彎部50之在平面圖上的形狀係成為具有曲部51的形狀。又，轉彎部50之曲部51係從曲部51之基點(最接近中心線C的部分)56向周邊部41之方向延伸的外方向部位。曲部51之外方向部位係在間隔部分32，從中心線C往基材帶13之在寬度方向的外側，即，從基材帶13之中心線C往對搬運方向D正交之方向的緣部延伸的部位。對應於轉彎部50之在平面圖上的形狀具有曲部51，與轉彎部50連續的第2外緣延伸部52之在平面圖上的形狀係具有曲部。
在電子裝置加工用帶1，係形成從電子裝置加工用帶1之在搬運方向D的前方延伸之廢棄物部31之外緣34的切割線，與從在搬運方向D的後方延伸之廢棄物部31之外緣34的切割線具有在廢棄物部31的間隔部分32所交叉的交點35，是從一方向延伸之第1外緣34－1的切割線之從交點35至終端63的第1外緣延伸部62，位於比虛擬線L更接近周邊部41之方向，該虛擬線L係從交點35延伸之對搬運方向D平行的方向，該周邊部41係與廢棄物部31的外緣34接觸。藉此，從包圍其他的標籤部21－1之外周部33的第1外緣34－1向包圍既定標籤部21－2之外周部33的第2外緣34－2之方向進行廢棄物剝除處理，即，在從一方向延伸之第1外緣34－1的切割線之交點35成為比第1外緣34－1之終端63更接近廢棄物剝除之上游的方向進行廢棄物剝除處理時，可防止廢棄物剝除以交點35為起點從外緣34偏離。交點35係藉由從一方向延伸之第1外緣34－1的切割線與從另一方向延伸之第2外緣34－2的切割線交叉所形成。在切割線之切斷狀態係連續的一條切割線時，係大致相同之狀態連續，但是，在交點35係切斷狀態相異的切割線交叉。因此，例如， 在從一方向延伸之第1外緣34－1的切割線之切斷狀態良好，且從另一方向延伸之第2外緣34－2的切割線之切斷狀態稍差的情況，會發生交點35以後之廢棄物剝除在仍然沿著第1外緣34－1之狀態進行，而不移至第2外緣34－2的情況。在廢棄物剝除處理時，係因為拉力在長邊方向(即，搬運方向D)作用於基材帶13，所以在基材帶13之廢棄物部31的外緣34附近，係張力在與廢棄物剝除方向平行的方向及往中心線C的方向作用。因此，尤其，在從交點35延伸至終端63的第1外緣延伸部62向比對搬運方向D平行之方向的虛擬線L更向中心線C之方向延伸的情況，係廢棄物剝除在仍然沿著第1外緣34－1之狀態進行的可能性升高。在電子裝置加工用帶1，係第1外緣34－1的第1外緣延伸部62位於比虛擬線L更接近基材帶13之在寬度方向的外側，該虛擬線L係從交點35延伸之對搬運方向D平行之方向。因此，基材帶13之剝離力在第1外緣延伸部62之方向難作用，抑制交點35以後之廢棄物剝除在仍然沿著第1外緣34－1之狀態進行，而可從第1外緣34－1的切割線往第2外緣34－2的切割線圓滑地轉移。
又，在電子裝置加工用帶1，係在廢棄物部31的間隔部分32，從一方向延伸之第1外緣34－1的切割線具有轉彎部60，其係從交點35向對搬運方向D平行之基材帶的中心線C方向延伸，從另一方向延伸之第2外緣34－2的切割線具有轉彎部50，其係從交點35向對搬運方向D平行之基材帶的中心線C方向延伸，藉此，可一面將外緣34形成為沿著標籤部21的形狀，一面將終端53與終端63配置於比交點35更接近周邊部41側。
夾角θ1係在交點35之第1外緣34－1的第1外緣延伸部62與虛擬線L的夾角，夾角θ2係在交點35之第2外緣34－2(即，第2外緣34－2之轉彎部50)與虛擬線L的夾角，第2外緣34－2係位於經由虛擬線L與第1外緣延伸部62相對向的位置，夾角θ1與夾角θ2之關係係無特別地限定，但是，從更確實地防止廢棄物剝除以交點35為起點從外緣34偏離的此點來看，夾角θ1比夾角θ2更大為佳。藉由更確實地防止廢棄物剝除以交點35為起點從外緣34偏離，從一方向延伸之第1外緣34－1的切割線經由交點35沿著從另一方向延伸之第2外緣34－2的切割線可圓滑地進行廢棄物剝除處理，結果，更確實地防止廢棄物部31殘留於廢棄物剝離部。
第1外緣延伸部62的長度係無特別地限定，但是，從使是從另一方向延伸之第1外緣34－1的切割線與是從另一方向延伸之第2外緣34－2的切割線確實地交叉的此點來看，0.5mm以上為佳，1.0mm以上尤其佳。第1外緣延伸部62之長度的上限值係因應於基材帶13之在寬度方向的尺寸等，可適當地選擇，例如，列舉2.0mm。藉由使是從一方向延伸之第1外緣34－1的切割線與是從另一方向延伸之第2外緣34－2的切割線確實地交叉，因為可沿著外緣34更圓滑且如設計地進行廢棄物剝除處理，所以更確實地防止廢棄物部31殘留於廢棄物剝離部。此外，「第1外緣延伸部的長度」係在第1外緣延伸部62具有彎曲部之形狀的情況，意指伸展成直線的長度。
夾角θ3係在交點35之是從一方向延伸之第1外緣34－1的切割線之轉彎部60與虛擬線L的夾角，夾角θ3與夾角θ2之關係係無特別地限定，但是，從更確實地防止廢棄物剝除以交點35為起點從外緣34偏離的此點來看，夾角θ3比夾角θ2更大為佳。藉由更確實地防止廢棄物剝除以交點35為起點從外緣34偏離 ，更確實地防止廢棄物部31殘留於廢棄物剝離部。
在電子裝置加工用帶1，轉彎部60之曲部61係成為在平面圖上圓弧形的曲線部。即，從曲部61之基點66向周邊部41之方向所延伸的外方向部位係成為在平面圖上圓弧形的曲線部。在平面圖上圓弧形之曲線部的曲率半徑係無特別地限定，但是，其下限值係在廢棄物部31的間隔部分32，從確實地防止從第1外緣34－1向基材帶13之中心線C的方向之撕裂的發生之此點來看，R1.0mm為佳，R2.0mm尤其佳。另一方面，曲部61之曲率半徑的上限值係因應於電子裝置加工用帶1之尺寸，可適當地選擇，但是，例如，根據使標籤部21之間的距離成為最短的觀點，R20mm為佳。
在電子裝置加工用帶1，轉彎部50之曲部51係成為在平面圖上圓弧形的曲線部。即，從曲部51之基點56向周邊部41之方向所延伸的外方向部位係成為在平面圖上圓弧形的曲線部。在平面圖上圓弧形之曲線部的曲率半徑係無特別地限定，但是，其下限值係在廢棄物部31的間隔部分32，根據確實地防止從第2外緣34－2向基材帶13之中心線C的方向之撕裂的發生之觀點，R1.0 mm為佳，R2.0mm尤其佳。另一方面，曲部51之曲率半徑的上限值係因應於電子裝置加工用帶1之尺寸，可適當地選擇，但是，例如，根據使標籤部21之間的距離成為最短的觀點，R20mm為佳。
接著，說明在基材帶13，形成標籤部21、廢棄物部31以及周邊部41之劃分的方法。標籤部21係黏貼半導體晶圓，廢棄物部31係包圍標籤部21之在平面圖上的外緣22，周邊部41係與廢棄物部31之外緣34接觸，並位於基材帶13之在寬度方向的緣部，在基材帶13，形成標籤部21、廢棄物部31以及周邊部41之劃分的方法，係例如，列舉使用旋轉衝孔刀，對基材帶13進行預切割加工的方法。在此情況，標籤部21、廢棄物部31以及周邊部41之劃分係都藉在基材帶13設置之切割線所形成。
電子裝置加工用帶係具有用以形成電子裝置加工用帶1之廢棄物部31，該電子裝置加工用帶係使用具有圖4所示之刀刃之圖案的旋轉衝孔刀100，對基材帶13實施預切割加工，藉此，可形成標籤部21、廢棄物部31以及周邊部41之劃分，又，在廢棄物部31的間隔部分32，可形成第1外緣延伸部62、第2外緣延伸部52以及轉彎部50、60。將旋轉衝孔刀100安裝成捲繞於圓筒形之滾筒(未圖示)的外面，一面將基材帶13壓在旋轉衝孔刀100，一面使圓筒形之滾筒轉動，藉此，可對基材帶13實施預切割加工。藉由圓筒形之滾筒轉動一圈，形成一個被預切割的標籤部21。
如圖4所示，旋轉衝孔刀100係包括：標籤部形成用刃110，係用以形成標籤部21之在平面圖上的外緣22；及廢棄物部形成用刃120，係沿著標籤部形成用刃110之外周部所設置，並用以形成廢棄物部31的外緣34。在電子裝置加工用帶1，係對應於標籤部21之在平面圖上的形狀成為圓形，標籤部形成用刃110係成為圓形。
在廢棄物部形成用刃120，係具有：第1外緣延伸部形成用刃122，係用以形成第1外緣延伸部62與轉彎部60；第2外緣延伸部形成用刃121，係用以形成第2外緣延伸部52與轉彎部50；以及外周部外緣形成用刃123，係用以形成包圍標籤部21之外周部33的外緣34。第1外緣延伸部形成用刃122係被形成於與第2外緣延伸部形成用刃121相對向的位置。又，外周部外緣形成用刃123係與第1外緣延伸部形成用刃122及第2外緣延伸部形成用刃121連續設置。又，第1外緣延伸部形成用刃122係經由外周部外緣形成用刃123，與第2外緣延伸部形成用刃121連續設置。
第1外緣34－1係從包圍其他的標籤部21－1之外周部33向既定標籤部21－2方向延伸，第2外緣34－2係從包圍既定標籤部21－2之外周部33向其他的標籤部21－1方向延伸，對應於第1外緣34－1與第2外緣34－2在間隔部分32交叉而形成交點35，第2外緣延伸部形成用刃121之間隔S1係被設定成與第1外緣延伸部形成用刃122之間隔S2大致相等。
又，對應於第1外緣34－1係與第2外緣34－2在間隔部分32交叉而形成交點35，在第1外緣延伸部形成用刃122之部位與第2外緣延伸部形成用刃121之部位重疊的情況，以第1外緣延伸部形成用刃122之起點126與終端127的中間部，和第2外緣延伸部形成用刃121之起點124與終端125的中間部交叉般，設定第1外緣延伸部形成用刃122與第2外緣延伸部形成用刃121的位置。
在旋轉衝孔刀100之第1圈，藉標籤部形成用刃110形成既定標籤部21－2，藉外周部外緣形成用刃123形成包圍既定標籤部21－2之外周部33的外緣34(第2外緣34－2)，並藉第2外緣延伸部形成用刃121形成第2外緣延伸部52與轉彎部50。然後，在旋轉衝孔刀100之第2圈，藉第1外緣延伸部形成用刃122，形成第1外緣延伸部62與轉彎部60，其係與形成第2外緣延伸部52和轉彎部50的部分交叉，且藉標籤部形成用刃110形成與既定標籤部21－2鄰接之其他的標籤部21－1，並藉外周部外緣形成用刃123形成包圍其他的標籤部21－1之外周部33的外緣34(第1外緣34－1)。藉由重複該預切割加工之操作，可在基材帶13連續地形成標籤部21、廢棄物部31以及周邊部41之劃分。
此外，在圖2、圖3所示之第1實施形態例的電子裝置加工用帶1，係第2外緣34－2之轉彎部50成為在平面圖上具有曲部51的形狀，該第2外緣34－2係從包圍既定標籤部21－2之外周部33向其他的標籤部21－1方向延伸，但是，如圖5所示，亦可是電子裝置加工用帶2，其係第2外緣34－2之轉彎部50係成為具有在平面圖上直線部之形狀。更具體而言，亦可轉彎部50係成為在平面圖上直線形狀。
此外，圖5為本發明之第1實施形態例的電子裝置加工用帶之在廢棄物剝除處理前之在平面圖上之概要的放大圖，其係在第2外緣34－2的轉彎部50成為具有在平面圖上直線部的形狀，因此與圖2、圖3相異。
在圖5所示之第1實施形態例的電子裝置加工用帶2，第2外緣34－2之轉彎部50係位於沿著虛擬線L，該虛擬線L係從交點35延伸之對電子裝置加工用帶1之搬運方向D平行的方向。因此，轉彎部50與虛擬線L的夾角θ2係成為0°。此外，在電子裝置加工用帶2，係對應於轉彎部50是在平面圖上直線形狀，經由交點35與轉彎部50連續之第2外緣延伸部52亦沿著虛擬線L成為在平面圖上直線形狀。
在電子裝置加工用帶2，係藉由將旋轉衝孔刀100之第2外緣延伸部形成用刃121的形狀作成沿著轉向的直線形，可將第2外緣34－2之轉彎部50作成具有在平面圖上直線部的形狀。
在電子裝置加工用帶2，亦從一方向延伸之第1外緣34－1的第1外緣延伸部62位於比從交點35延伸之對搬運方向D平行之方向的虛擬線L更接近與廢棄物部31的外緣34接觸之周邊部41的方向，藉此，從包圍其他的標籤部21－1之外周部33的第1外緣34－1，向包圍既定標籤部21－2之外周部33的第2外緣34－2之方向進行廢棄物剝除處理時，可防止廢棄物剝除以交點35為起點從外緣34偏離。又，在電子裝置加工用帶2，係藉由第2外緣34－2之轉彎部50是沿著虛擬線L之直線部，可更確實如設計地進行從第1外緣34－1往第2外緣34－2之廢棄物部31的剝離。
從上述，在本發明之電子裝置加工用帶，係若是位於廢棄物剝除處理的上游之從一方向延伸之第1外緣34－1的第1外緣延伸部62位於比從交點35延伸之對搬運方向D平行之方向的虛擬線L更接近周邊部41的方向即可，位於廢棄物剝除處理的下游之從另一方向所延伸的第2外緣34－2係第2外緣延伸部52及轉彎部50之在平面圖上的形狀是無特別地限定。
接著，說明電子裝置加工用帶1之製造方法例。
首先，進行第一次預切割，其係對在剝離薄膜11之主面81上已塗布接著劑層12的積層體，使用旋轉衝孔刀，對接著劑層12形成預切割。在第一次預切割之後，除去接著劑層12之不要部分(與標籤部21對應之部分以外的部分)。另外，預先製作基材帶13，其係在基材薄膜14之主面71上已塗布黏著劑層15的積層構造物。接著，使黏著劑層15與已除去不要部分之接著劑層12相對向地配置，將基材帶13對剝離薄膜11與接著劑層12疊層，而將基材帶13與剝離薄膜11重疊。
然後，進行第二次預切割，其係使用與基材帶13相對向地配置之旋轉衝孔刀100，在基材帶13，形成標籤部21、廢棄物部31以及周邊部41之劃分(切割線)，該標籤部21係黏貼半導體晶圓，該廢棄物部31係包圍標籤部21之在平面圖上的外緣22，該周邊部41係與廢棄物部31之外緣34接觸，並位於基材帶13之在寬度方向的緣部。在第二次預切割，在廢棄物部31的間隔部分32，形成切割線之第1外緣延伸部62、第2外緣延伸部52以及轉彎部50、60。又，在第二次預切割，在廢棄物部31的間隔部分32，以交叉的方式形成第1外緣34-1與第2外緣34-2，該第1外緣34-1係從包圍其他的標籤部21-1之外周部33向既定標籤部21-2方向延伸的切割線，該第2外緣34-2係從包圍既定標籤部21-2之外周部33向其他的標籤部21-1方向延伸的切割線。因此，在第二次預切割，在從一方向延伸之切割線，形成第1外緣延伸部62，其係從交點35至終端63位於比虛擬線L更接近周邊部41的方向，該虛擬線L係從交點35延伸之對搬運方向D平行之方向。
接著，實施廢棄物剝除處理，而形成廢棄物剝離部，該廢棄物剝除處理係藉捲繞工具等，剝離已形成切割線之基材帶13的廢棄物部31。藉此，可製造電子裝置加工用帶1。
接著，說明本發明之電子裝置加工用帶的使用方法例。此處，使用第1實施形態例的電子裝置加工用帶1，說明本發明之電子裝置加工用帶的使用方法例。此外，圖6係本發明之第1實施形態例的電子裝置加工用帶之使用方法例的說明圖。
如圖6所示，首先，藉剝離薄膜捲繞滾筒200，從電子裝置加工用帶1之滾筒體抽出電子裝置加工用帶1，其係廢棄物部31被剝離並被捲繞成滾筒狀。在電子裝置加工用帶1之抽出路徑，係設置剝離工具201，將剝離工具201之頭端部作為折回點，從電子裝置加工用帶1只剝離剝離薄膜11。所剝離之剝離薄膜11係被捲繞於剝離薄膜捲繞滾筒200，其係具有從電子裝置加工用帶1之滾筒體抽出的功能。
在剝離工具201的前面，係設置黏貼部202。在黏貼部202的上面，係載置半導體晶圓W與包圍半導體晶圓W之環框架205。剝離薄膜11已被剝離之接著劑層12與基材帶13的積層體係被引導至與接著劑層12相對向的半導體晶圓W上，再藉黏貼滾筒203將半導體晶圓W黏貼於接著劑層12。
接著，在將接著劑層12與基材帶13的積層體已黏貼於半導體晶圓W與環框架205之狀態，切割半導體晶圓W，作成半導體晶片(未圖示)。切割而作成半導體晶片後，對基材帶13藉紫外線照射等進行硬化處理，使構成基材帶13之黏著劑層15的黏著成分變硬，降低黏著成分的黏著力。黏著劑層15之黏著力降低時，從黏著劑層15剝離接著劑層12，在接著劑層12附著於半導體晶片之背面的狀態，拾取半導體晶片。此外，附著於半導體晶片之背面的接著劑層12係在將半導體晶片黏著於導線架、封裝基板、其他的半導體晶片時，作用為晶片接合薄膜。
接著，說明本發明的電子裝置加工用帶之其他的實施形態例。在該第1實施形態例之電子裝置加工用帶1、2，第1外緣34－1的轉彎部60之在平面圖上的形狀係具有曲部61，但是，替代之，亦可在轉彎部60之在平面圖上的形狀係具有直線部。又，在該第1實施形態例之電子裝置加工用帶1、2，第1外緣34－1的轉彎部60係從交點35向基材帶13之中心線C方向延伸，但是，替代之，亦可從交點35沿著對搬運方向D平行的方向之虛擬線L延伸。
又，在該第1實施形態例之電子裝置加工用帶1、2，第2外緣34－2係具有從交點35延伸至終端53的第2外緣延伸部52，但是，替代之，亦可第2外緣34－2係未具有第2外緣延伸部52，而交點35是第2外緣34－2的終端53。
又，在該第1實施形態例之電子裝置加工用帶1、2，係在剝離薄膜11與基材帶13之間設置接著劑層12，但是，替代之，亦可如圖7所示，作成在剝離薄膜11與基材帶13之間未設置接著劑層12的電子裝置加工用帶3。在電子裝置加工用帶3，係成為在標籤部21，亦基材帶13之黏著劑層15與剝離薄膜11直接接觸的形態。
[產業上之可利用性]
本發明之電子裝置加工用帶係因為防止廢棄物剝除以預切割加工之切割線所交叉的交點為起點從切割線偏離，而可圓滑地剝離廢棄物部，所以例如，在切割接合一體式薄膜之領域利用價值高。
1,2,3:電子裝置加工用帶
11:剝離薄膜
12:接著劑層
13:基材帶
14:基材薄膜
15:黏著劑層
21:標籤部
31:廢棄物部
34:外緣
35:交點
62:第1外緣延伸部
圖1係表示本發明之第1實施形態例的電子裝置加工用帶之在廢棄物剝除處理前的積層構造之概要的剖面圖。
圖2係表示本發明之第1實施形態例的電子裝置加工用帶之在廢棄物剝除處理前之在平面圖上之概要的說明圖。
圖3係表示本發明之第1實施形態例的電子裝置加工用帶之在廢棄物剝除處理前之在平面圖上之概要的放大圖。
圖4係表示對本發明之第1實施形態例的電子裝置加工用帶實施預切割加工的旋轉衝孔刀之概要的說明圖。
圖5係表示本發明之第1實施形態例的電子裝置加工用帶之在廢棄物剝除處理前之在平面圖上之概要的放大圖。
圖6係本發明之第1實施形態例的電子裝置加工用帶之使用方法例的說明圖。
圖7係表示本發明之其他的實施形態例之電子裝置加工用帶之在廢棄物剝除處理前的積層構造之概要的剖面圖。
1:電子裝置加工用帶
11:剝離薄膜
12:接著劑層
13:基材帶
14:基材薄膜
15:黏著劑層
21:標籤部
31:廢棄物部
33:外周部
41:周邊部
71:主面
81:主面
Claims (10)
- 一種電子裝置加工用帶，係包括：剝離薄膜；及基材帶，係在基材薄膜之主面已形成黏著劑層的基材帶，並與該剝離薄膜被積層；該電子裝置加工用帶係：該基材帶包括：標籤部，係在該電子裝置加工用帶之搬運方向隔著既定間隔所形成，並具有既定之在平面圖上的形狀；廢棄物剝離部，係廢棄物部被剝離，該廢棄物部係包圍該標籤部之在平面圖上的外側，且具有形成該既定間隔的間隔部分；以及周邊部，係在平面圖上與該廢棄物剝離部之外緣接觸；從在該搬運方向的前方延伸之形成該廢棄物部之外緣的切割線，與從在該搬運方向的後方延伸之形成該廢棄物部之外緣的切割線具有在該廢棄物部的該間隔部分交叉的交點；從一方向延伸的切割線之從該交點至終端的第1切割線延伸部位於比虛擬線更接近該周邊部之方向，該虛擬線係從該交點延伸之對該搬運方向平行的方向；其中夾角θ1係在該交點之該第1切割線延伸部與該虛擬線的夾角，夾角θ2係在該交點之從另一方向延伸的該切割線與該虛擬線的夾角，該切割線係位於經由該虛擬線與該第1切割線延伸部相對向的位置，該夾角θ1比該夾角θ2更大。
- 如請求項1之電子裝置加工用帶，其中在該廢棄物部的該間隔部分，從一方向延伸之該切割線與從另一方向延伸之該切割線的至少一方具有轉彎部，其係從該交點向對該搬運方向平行之該基材帶的中心線方向且從該切割線之終端離開的方向延伸。
- 如請求項1或2之電子裝置加工用帶，其中該第1切割線延伸部具有0.5mm以上的長度。
- 如請求項2之電子裝置加工用帶，其中夾角θ3係在該交點之從 一方向延伸之該切割線的該轉彎部與該虛擬線的夾角，夾角θ2係在該交點之從另一方向延伸的該切割線與該虛擬線的夾角，該切割線係位於經由該虛擬線與該第1切割線延伸部相對向的位置，該夾角θ3比該夾角θ2更大。
- 如請求項2或4之電子裝置加工用帶，其中該轉彎部具有平面圖彎曲部。
- 如請求項5之電子裝置加工用帶，其中該轉彎部之平面圖彎曲部具有成為R1.0mm以上之曲率半徑的圓弧形曲線部之部位。
- 如請求項2或4之電子裝置加工用帶，其中該轉彎部具有在平面圖上直線部。
- 如請求項1、2、4、6中任一項之電子裝置加工用帶，其中從另一方向延伸之該切割線具有從該交點至終端的第2切割線延伸部。
- 如請求項1、2、4、6中任一項之電子裝置加工用帶，其中更具備在該剝離薄膜之主面的一部分所設置之接著劑層，該基材帶覆蓋該接著劑層，並在該接著劑層之周圍與該剝離薄膜接觸。
- 一種電子裝置加工用帶之製造方法，其係具有：製作步驟，係在基材薄膜上塗布黏著劑層，製作基材帶；重疊步驟，係將該基材帶與剝離薄膜重疊；預切割步驟，係使用旋轉衝孔刀，進行預切割，該預切割係在該基材帶形成標籤部、廢棄物部以及周邊部之劃分，該標籤部係在該基材帶之搬運方向隔著既定間隔所形成，並具有既定之在平面圖上的形狀，該廢棄物部係包圍該標籤部之在平面圖上的外側，且具有形成該既定間隔的間隔部分，該周邊部係在平面圖上與該廢棄物部之外緣接觸，且從在該搬運方向的前方延伸之形成該廢棄物部之外緣的切割線，與從在該搬運方向的後方延伸之形成該廢棄物部之外緣的切割線具有在該廢棄物部的該間隔部分交叉的交點，從一方向延伸的該切 割線之從該交點至終端的第1切割線延伸部位於比虛擬線更接近該周邊部之方向，該虛擬線係從該交點延伸之對該搬運方向平行的方向，其中夾角θ1係在該交點之該第1切割線延伸部與該虛擬線的夾角，夾角θ2係在該交點之從另一方向延伸的該切割線與該虛擬線的夾角，該切割線係位於經由該虛擬線與該第1切割線延伸部相對向的位置，該夾角θ1比該夾角θ2更大；以及形成步驟，係對該廢棄物部進行廢棄物剝除處理，在該基材帶形成廢棄物剝離部。
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